Структурные и субструктурные превращения в гетеросистемах монокристалл Si - пленка Ni, (Ni-Pt), (Ni-Pd) тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Маркушев, Борис Николаевич

• Маркушев, Борис Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2001

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структурные и субструктурные превращения в гетеросистемах монокристалл Si - пленка Ni, (Ni-Pt), (Ni-Pd)»

ЗАКОНОМЕРНОСТИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ СИЛИЦИДНЫХ ФАЗ В ПРОЦЕССЕ ТВЕРДОФАЗНОЙ РЕАКЦИИ МЕТАЛЛА И КРЕМНИЯ ИКТУРА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ.

1.1. Система Si - Ni.

1.1.1. Диаграмма состояния системы Si - Ni.

1.1.2 Кинетика твердофазных реакций на границе Si - силицид Ni.

1.1.3. Структура МГ в системе Si - силицид Ni.

1.1.3.1 Дислокационная структура МГ.

1.1.3.2. Атомная структура МГ.

1.1.3.3. Электронная структура МГ.

1.2. Система Si-Pt.

1.2.1. Диаграмма состояния системы Si-Pt.

1.2.2 Кинетика твердофазных реакций на границе Si - силицид Pt.

1.2.3. Структура МГ в системе Si-Pt.

1.3 Система Si-Pd.

1.3.1 Диаграмма состояния системы Si-Pd.

1.3.2. Кинетика фазообразования в системе Si - Pd.

1.3.3. Структура МГ в системе Si-Pd.

1.4. Система Si /металл/ металл.

1.5. Выводы и постановка задачи.

2. МАТЕРИАЛЫ, СПОСОБЫ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР Si-СИЛИЦИД МЕТАЛЛА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1 Материалы и способы нанесения исходных пленок Pt, Ni, Pd.

2.2 Оценка времен термообработки на основе расчета взаимной диффузии Ni и Pt в Si.

2.3 Способы синтеза пленок силицидов.58

2.4. Методика подготовки образцов для электронно-микроскопических исследований.62

2.5. Анализ фазового и элементарного состава структуры и ориентации пленок силицидов.63

3. ФАЗОВЫЙ СОСТАВ, ОРИЕНТАЦИЯ И СУБСТРУКТУРА ГЕТЕРОСИСТЕМЫ КРЕМНИЙ- НИКЕЛЬ.64

3.1. Система (lll)Si- силицид никеля.64

3.1.1. Фазовый состав, структура и ориентация пленок.64

3.1.2. Структура МГ.68

3.2. Система (OOl)Si - силицид Ni.81

3.3. Выводы.87

4. ФАЗОВЫЙ СОСТАВ, ОРИЕНТАЦИЯ И СУБСТРУКТУРА ПЛЕНОК СИЛИЦИДОВ НА ОСНОВЕ Ni-Pt И Ni-Pd.88

4.1. Синтез силицидов при термической обработкой пленок.88

4.1.1. Система (lll)Si - (Pt-Ni).88

4.1.2. Система Si- (Pd-Ni).94

4.2. Синтез силицидов при фотонной обработке (система Pt- Ni- Si). 98

4.3. Выводы.104

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.105

ЛИТЕРАТУРА.107

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Исследование гетероструктур кремний - силициды металлов сохраняют актуальность в связи с их широким применением в твердотельной электронике. В технологии полупроводниковых приборов на основе этих гетероструктур изготовляют диоды Шоттки, омические контакты к мелкозалегающим р-n переходам, низкоомные высокотемпературные межэлементные тонкопленочные соединения и материалы электродов затворов в МОП технологии [1], а также различные резистивные пленочные элементы [2]. Электрофизические свойства приборов зависят от конечного фазового состава, структуры и субструктуры межфазных границ (МГ) кремний - силициды металлов. В настоящее время большое внимание привлекли силициды на основе твердых растворов металлов (например, NiPt и NiPd), позволяющие изменять барьер Шоттки в зависимости от атомного соотношения исходных металлов. В связи с этим постоянно остаются актуальными исследования субструктурных, ориентационных и фазовых превращений в пленках силицидов на основе Ni как простого, так и сложного состава.

С другой стороны для физического материаловедения установление закономерностей изменения МГ кремний - силицид металлов в зависимости от условий синтеза и при термообработке представляет самостоятельный научный интерес, поскольку большинство систематических исследований в этом направлении выполнено, в основном, на пленках чистых металлов и сплавов или поликристаллического кремния.

Анализ работ показывает, что такие вопросы, как кинетика и механизм силицидообразования, последовательность образования фаз, электрофизические и механические свойства силицидов Ni и силицидов сложного состава на основе твердых растворов NiPt и NiPd относительно хорошо изучены при твердофазном синтезе их классическими методами термообработки пленок металлов на кремнии [1].

В системах кремний-силицид металла формирование МГ происходит в результате твердофазной химической реакции. Исследования МГ в системах Si-NiSi2, Si-CoSi2, характеризующихся малой величиной размерного несоответствия кристаллических решеток показали, что дислокационная структура границ имеет много общего со структурой границ в металлических или полупроводниковых эпитаксиальных системах с малым f0. И хотя известны работы по исследованию дислокационной структуры МГ Si- силициды Ni зависимость механизма ее формирования от температуры синтеза силицида не исследована.

Что касается сложных силицидов на основе двухкомпонентных пленок металлов (Ni-Pt, Pt-Pd, Ni-Pd) на Si то для них последовательность образования фаз, электрофизические свойства относительно хорошо изучены для твердофазного синтеза их классическим методом термической обработкой (ТО). Установлена последовательность образования фаз в зависимости от температуры и времени отжига. В то же время не исследовался эффект быстрого отжига, в частности методом импульсной фотонной обработки (ИФО) в синтезе силицидов в системе Si- пленка сплава.

Цель работы - исследование структурных и субструктурных изменений в гетеросистемах (моно-Si) - пленка Ni, Si-(Ni-Pt), Si-(Ni-Pd) при конденсации металла и последующей термообработке.

Для этого решали следующие задачи;

1. Исследование методами дифракции электронов и просвечивающей электронной микроскопии фазового состава, ориентации и субструктуры силицидов образующихся при термическом испарении и конденсации в вакууме Ni, на подогреваемые подложки (111) и (001) Si;

2. Исследование методами просвечивающей электронной микроскопии дислокационной структуры МГ в зависимости от температуры подложки в системе (11 l)Si- NiSi2.

3. Анализ характера сопряжения кристаллических решеток на межфазных границах (11 l)Si- NiSi, NiSi2 - NiSi.

4. Исследование эффекта ИФО некогерентным излучением ксеноновых ламп в твердофазном синтезе силицидов в системе (11 l)Si - пленка твердого раствора Pt-Ni.

Объекты и методы исследования.

В качестве объектов исследования выбраны гетеросистемы Si -силициды никеля и твердых растворов Ni-Pt, Ni-Pd.

При выборе исходили из существующих и потенциальных возможностей практического применения исследуемой группы силицидов в качестве контактно-металлических систем ИС разных поколений;

Исследования фазового состава, структуры и ориентации пленок проведены на электронных микроскопах1 ЭМВ-100АК, ПРЭМ-200, элементного состава на оже-спектрометре PHI-551. Моделирование возможных ориента-ционных соотношений и ожидаемой дислокационной структуры межфазных границ в гетеросистемах силицид-кремний проводили на персональном компьютере Pentium-100.

Научная новизна. Новизна результатов состоит в следующем:

1. Установлен механизм образования дислокационной субструктуры МГ (11 l)Si-NiSi2: при Тп до 700 °С реализуется механизм вхождения ДН в МГ скольжением, при более высоких - переползанием; в последнем случае формируется равновесная дислокационная субструктура МГ отвечающая оптимальной на основе представлений 0- решетки.

2. Выявлена дислокационная субструктура межфазной границы для основных ориентационных соотношений (111) Si - NiSi, что позволило сделать вывод о частично когерентном сопряжении на межфазной границе для этой системы.

3. Установлено, что при ИФО пленок сплава Ni-Pt на Si образуется силицид сложного состава NiixPtxSi.

1 Научный консультант по электронной микроскопии С.Б. Кущев

Практическая значимость. Установлены режимы формирования равновесной релаксированной дислокационной субструктуры МГ в системе (1 ll)Si-NiSi2- Данные о дислокационной субструктуре МГ Si-силицид металла могут быть использованы при моделировании соответствующих процессов в контактах. Показана возможность синтеза при ИФО сложных силицидов Ni-Pt и показана его эффективность. Новые данные о возможности синтеза силицидов сложного состава методом ИФО могут быть использованы при разработке технологического процесса создания диодов и омических контактов на основе силицидов сложного состава.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Зависимость фазового состава пленок силицидов Ni, образующихся на поверхности монокристалла Si, от температуры подложки та же, что и при нагревании системы Si- Ni от комнатной температуры.

2. Повышение температуры синтеза NiSi2 приводит к смене механизма вхождения ДН в МГ: преобладание механизма релаксации упруго напряженного состояния пленки силицида посредством скольжения в МГ вхождения дислокаций с векторами Бюргерса типа 1/2 <1 1 0> ориентированных под углом к границе в области невысоких температур (до 700 °С) и переход к термически активированному механизму формирования дислокационной субструктуры границы с повышением Тп; в этом случае формируются гексагональные сетки из наиболее эффективных ДН с векторами Бюргерса в плоскости границы. Этот вывод подтверждает общность закономерности, наблюдаемой при гетероэпитакстиальном росте.

3. Сопряжение на МГ Si- NiSi - частично когерентное с компенсацией несоответствия посредством дислокаций с векторами Бюргерса 1/2 <1 Т 0> (в координатах решетки Si).

4. При ИФО некогерентным излучением ксеноновых ламп гете-росистемы (lll)Si- (Ni-Si) независимо от исходной гетероструктуры металлической пленки (двухслойная пленки или твердый раствор) образуются однофазные ориентированные пленки тройного силицида Nii xPtxSi.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Международных и Всероссийских научных конференциях, таких как Российская научная студенческая конференция (Томск,

1998); Modification of properties of surface layers of non-semiconducting materials using particle beams. International conference (Sumy Ukraine

1999); Всероссийский семинар "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации. в современном материаловедении". (Воронеж . 1999); Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов (Зеленоград, 1999); Всероссийский семинар "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, 2000); 12-й Международный симпозиум "Тонкие пленки в микроэлектронике" МСТПЭ-12 (Харьков, Украина, 2001).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 9 работ.

Личный вклад автора. Автором проведены эксперименты по подготовке образцов (111),(001) Si/NiSi2, (111), (001) Si /NiSi, (lll)Si/(Ni-Pd), (11 l)Si/Ni-Pt и все электронномикроскопические исследования влияния термообработки на пленки силицидов. Участвовал в анализе методом компьютерного моделирования ориентационных соотношений и дислокационной структуры МГ, а также в написании статей.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и выводов, списка цитируемой литературы. Содержит страниц 119, рис. 35 и таблиц 7, список литературы из 119 наименований. Работа выполнена в региональной лаборатории электронной микроскопии и электронографии кафедры физики Воронежского государственного технического университета в соответствии с планом научно-исследовательских работ по научному направлению "Физика, химия и технология конструкционных и функциональных материалов различного

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Маркушев, Борис Николаевич

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Исследованы фазовый состав, субструктура и ориентация пленок, образующихся при конденсации Ni на подогреваемые подложки (111) и (001)Si. Показано, что последовательность образования силицидных фаз и их сопряжение с кристаллической решеткой аналогичны наблюдавшимся ранее для термического отжига пленок Ni, нанесенных на Si подложки при комнатной температуре.

2. Установлено, что в гетеросистеме (lll)Si- NiSi2 при Тп выше 650 °С реализуется частично когерентное сопряжение на МГ посредством дислокаций несоответствия (ДН). Повышение температуры синтеза NiSi2 приводит к смене механизма вхождения ДН в МГ: преобладание механизма релаксации упруго напряженного состояния пленки силицида посредством скольжения в МГ дислокаций с векторами Бюргерса типа 1/2 <1 1 0>, ориентированных под углом к границе в области невысоких температур (до 700 °С) и переход к термически активированному механизму формирования дислокационной субструктуры границы с повышением Тп; в этом случае формируются гексагональные сетки из наиболее эффективных (краевых) ДН с векторами Бюргерса в плоскости границы. Этот вывод подтверждает общность закономерности, наблюдаемой при гетероэпи-такстиальном росте.

3. Впервые исследована субструктура МГ Si- NiSi. Показано, что сопряжение на МГ Si- NiSi - частично когерентное с компенсацией несоответствия посредством дислокаций с векторами Бюргерса 1/2 <1 1 0> (в координатах решетки Si).

4. В гетеросистемах Si - (Ni-Pt) и Si - (Ni-Pd) независимо от исходной гетероструктуры металлической пленки (двухслойная пленки или твердый раствор) при ТО в интервале температур 500-550 °С и 500 - 700 °С формируются двухфазные (двухслойные) силицидные гетерострукту

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Маркушев, Борис Николаевич, 2001 год

1. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС/ Ш. Мьюрарка //- М., 1986.- С. 176»

2. Трофимов В. И. Рост и морфология тонких пленок/ В. И. Трофимов,

3. B. А. Осадченко// Энергоатомиздат.- 1993.- С.272.»

4. Поут Дж. Тонкие пленки взаимная диффузия и реакции/ Дж. Поут, Мейер Дж. -М., 1982-С. 576»

5. Lien C.D. Kinetics of silicides on Si <100> and evaporated silicon substrates/

6. C.D. Lien M-A. Nicoet// Thin Solid Films.- 1986,- P. 63-72.»

7. Chen L.J. In- Situ annealing of metal then films on silicon /L.J. Chen and J.W. Mayer// Thirty- ninth annual emsa meeting.- 1987,- P. 164-165.»

8. Olowolafe J. O. Influence of the nature of the Si substrate on nickel silisid formed from thin Ni films/ L.J. Chen, L.J. Chen// Thin Solid Films.- 1976.-V.30.- №2.- P. 143-150.»

9. Tu K.N. Structure and growth kinetics of Ni2Si on silicon/ K. N. Tu, W.K. Chu, J.W. Mayer// Thin Solid Films.- 1975.- V85.- №2,- Р.403-413.»

10. Koos V. Stresses in the nickel silicide formation/ V Koos, H.G. Neumnn // Phys Stat Solid.- 1975.-V.29.- P.115-116.»

11. Baeri P. Pulsed laser irra diation of nikel films on silicon/ P. Baeri, M.G. Grimeldi// Journal de physique.-1983- V.44.- P. 449-454.»

12. Ghen L.J. Epitaxial NiSi2 formation by pulsed ion blom annealing/ L.J. Ghen., L.S. Hung, J.W. Mauer// Appl. Phe Lett. 1982 .- V40. - №7.- P. 595-597.»

13. Кущев С.Б.Структура и фазовый состав пленок Si-Ni полученных при вакуумной конденсации/ С.Б. Кущев, В.П Злобин // Сб. Свойства нитевидных кристаллов и тонких пленок.-1986.- Воронеж.- ВПИ.- С.77-79.»

14. Zhend L.R. Lateral diffusion Ni and Si through Ni2Si in Ni/Si couples/L.R. Zhend, L.S. Heng and Mayer // Appl. Phys Lett.- 1982.-V41.- №7.-P32-39.»

15. Иевлев B.M. Формирование пленок силицидов металлов методом импульсной фотонной обработки / В.М. Иевлев, С.Б. Кущев// Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение.- Воронеж, -1997.- Вып.1.2.- С. 8-13.»

16. Larsen A. Growth of nickel silicude on silicon by short duration incoherent Light exposure/ A Larsen. //Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1984 - V.23 -P.727-732.»

17. P Mangelince Enhancement of thermal stability in NiSi films on (100)Si an (lll)Si by Pt-aced ition / P Mangelince , J. Y Dai, J.S Pan// Appl. Phys Lett 1999 .- V75.- № 12.- Р.1736-1738.»

18. Foil H. Lattice imaging of silicide silicon Interfaces and the Interpretation of Interfacial defects/ H. Foil// Lattice Imaging of silicide - silicon interfaces.-1982,- Р.69.»

19. Hiroshi Eshiworo Single crystalline silicide formation shuichi saiton/ Hiroshi Eshiworo, Fanemas A Sano// Apll. Phys.- 1981,- V20.- №9.- P. 1649-1656.»

20. Frelous J.L. Siliside interface stoichiometry/ J.L. Frelous// American Vacuum Socity.- 1981.- Р.910-916.»

21. Tung R.T. Growth of epitaxial NiSi2 on Si(lll) at room temperature / R.T. Tung and E Schrey// American institute of Pysics .-1989. Р.256-258.»

22. Lien C.P. Low temperature formation of NiSi2 from evaporated silicon/ C.P. Lien, M.A. Nicolei, S.S. Lou// Appl. Phys Lett.- 1984,- P. 123.»

23. Tung R.T. Growth of epitaxial NiSi2 on Si(lll) at room temperature/ R.T. Tung on F. Schey// Appl. Phys. Lett.- 1989.- V.55.»

24. Tung R.T. Epitaxial silicides/ R.T. Tung, J.M. Poate J.C. Bean, J.M. Gibson and D.C. Jacobson // Thin Solid Films.- 1982,- Р.77-90.»

25. Ghen L.J. Epitaxial growth of NiSi2 on (Oil) Si/ L.J. Ghen, W.T. Len and M.B.Chang//Apel. Phyl.- 1984.-V.25.- Р232-240.»

26. Chen L.J. Lattece imaging of silicide silicon interposes/ L.J. Chen and J.W. Mayer. K.N. Ту// Thin solid Films.- 1982.- P. 91-97.»

27. Chen L.J. Formation and structure of epitaxial NiSi2 and CaSi2/ L.J. Chen and J.W. Mayer// Thin Solid Films.- 1982.-V93.- P. 135-141.»

28. Harper R. E. Epitaxial nickel disilicide formation by electron beam annealing/ R.E. Harper, E.A. Maydell Onorusz, F.H. Wilson, K.G. Stephens// Elsavier Science Publishing.- 1984.- V.25.- P. 105-110.»

29. Tsour K.Y. Ion beam - induced Silicide Formation / K.Y Tsour, Z.L Lion, J.W. Moyer// Appl Phys Lettio- 1979,- V34.- №2,- P. 167-170.»

30. Karuyuku Veda Surfactant effect of atomic hydrogen on silicid formation of nickel on Si(110) surface/ Karuyuku Veda, Toyokaru Ushirosako, Masamichi Yoshimocura// Thin solid films.- 1999 .- Р.343-344.»

31. Fischer A. E. M. J. Characterization of ultrathin nickel layers on Si(lll) using rheed and rbs/ A. E. M. J. Fischer, P. M. J. Maree, and J.F. Van Der Veen// Applied surface science.- 1986.- V.27.- P. 143-150.»

32. Т. 1. Porter Т. 1. Room temperatur growth ultrathin Ni films on Si(lll)/ T.l. Porter, C.S. Chang, V Knipping, and S.T. Tsong// American vacuum society.-1988,- P.2034-2036.»

33. Tung R. T. The formation of superthin single- cristal silicide films on Si: the surface and interface stabilization of Si-NiSi2 epitaxial structures/ R. T. Tung J. M. Gibson// Phys Rev. Let.- 1983»

34. Vanloenen E.J. High resolution studies of NiSi2 ultrathin film formation by ion scattering and cross- section tem / E.J. Vanloenen, A. E. M. J Fiher an Van der Veen //Surface Sciens.- 1985.- V.154.- Р.55-69.»

35. Fala J. Spa- leed studies of defects in thin epitaxial NiSi2 layers on Si(lll)/ J. Fala, M. Horn and M. Henzler// Appl. Surfase Sciens.-1989,- № 41/42.- P. 230235.»

36. Yang W. S. Formation and structure of epitaxiale nickel silisid on Si{111}/ W. S Yang on F. J Jona// The American Physical socie.- 1983,- V. 28.- P.73777380»

37. Chiu К. C. R Interface and surface of epitaxial NiSi2 films/ К. C. R Chiu, J. M. Poate, J. E. Rowe, and Т. T. Sheng //App. Phys. Lett.- 1981.-V.38.- P. 988990»

38. Baeri P. Pulsed laser irradiation of nickel thin films on silicon / P. Baeri, M. G. Grimaldi, E. Rimini on G. Geloti// Journal de physique .-1983.- tom44.»

39. Cheng C. S. Formation of epitaxial NiSi2 of single orientation on (lll)Si inside miniature size oxide openings / C. S. Cheng, C. W. Nieh, L.j. Chen// App. Phys. Lett.- 1987.-V.50.- Р.259-261.»

40. Fischer A. E. M. J. Structure determination of the CoSi2: (11 l)Si interface by x-ray standing wave analysis/ A. E. M. J. Fischer// The American Physical Society 1987,- V.36.- №9.- P. 36- 40»

41. Zegenhagen J. Structural properties of epitaxial NiSi2 on Si(lll) investigated with x- ray standing waves / J. Zegenhagen, K. G. Huang and W.M. Gibson// The American Physical Society.-1989.- V.39.- №14.- P. 39- 45.»

42. Gibson J. M. Structural studies of metall- semiconductor interraces with high-resolution electron microscopy / J. M.Gibson, R. T. Tung, and J. M Poate// Elsevier science publishing.- 1983,- V.14.- P.395- 409.»

43. Hideaki Fujitani Full- potential total- energy investigation on the lattice relaxation at the two types of NiSi2/Si(l 11) interface/Hideaki Fujitani//Physical review В.- 1995.- V.51 .-№24,- P/51 -53.»

44. Akinci C. NiSi2 on Si(l 11). Effect of substrate temperature and defect structure/ C. Akinci, T. R. Ohno an Ellen. D. Willams// Surface Science.- 1988.- V.201.-P.27- 46.»

45. Домошевская Э. П. Рентгеновские спектры валентных электронов в объемных и пленочных силицидах никеля/ Э. П Домошевская, Ю. А Юраков,

46. B. М. Андреещев. С. М. Карольник// Металлофизика.- 1980.- том 2.- №5.1. C. 24-29.»

47. Власов С.В. Особенности электорнной структуры дисилицида никеля, обусловленные d-s,p- резонансом/ С.В. Власов, Э.П. Домошевская, А.Г. Нармонев, Г.Г. Попов, О.В. Фарберович, Ю.А.Юраков// Металлофизика.-том 9.- № З.-С. 97- 103.»

48. Domashevskaya Е.Р. Specifiefeatures of electron structures of some thin film d-silicides/ E.P. Domashevskaya, Yu.A. Yuranoy// Elsevier Science.- 1988.- С 195-207.»

49. Bindele J.B. Analytical study of platinum silicide formation/ J.B. Bindele, J.W. Colby and D.R. Wonsidler// Thin Solid Films.- 1976,- №37,- Р.441-452.»

50. Marc. Wittmer. Growth cineties of platinum silicide/ Marc. Wittmer.// Appl. Phys.- 1983.- 54.-P. 5081-5086.»

51. Canali С. Pt2Si and PtSi formation with high purity Pt thin films/ C. Canali, C.C. Catellani, and M. Prudenriati//Appl. Phys. Letters.- 1977.-Vol 31.- №1.1.-P. 43-44.»

52. Jerng-Sik Sond Enhanced PtSi forma tion using a gold layer between Pt one Si/ Jerng-Sik Sond and Chin-An Chang// Appl. Phys Lett.- 1987,- 50 (7).-P. 422424.»

53. Bing-Yue Tsui Low temperature reaction of thin-film platinum (<300A°) with (100) silicon/ Bing-Yue Tsui and Mao-Cnienh Chen// J. Appl. Phys.- 1990.-68(12).- P. 6240-4246.»

54. Nava F. The oxygen effect in the growth nineties of platinum silicides/ F. Nava S. Voleri and G. Majni //Appl. Phys.-1981.-52 (11).- P. 6641-6645»

55. Иевлев B.M Структура и состав силицидов, образующихся при фотонном отжиге Pt на Si / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, В.П.Злобин// ФХОМ.-1986,- №2.-С.128-130.»

56. Ghozlene Н.В. Crystallography of PtSi films on (100) silicon/ H.B. Ghozlene, P. Beaufrere // J. Appl. Phys. 1978. - V.49. - N 7. »

57. Hedi Ben Crystallography of PtSi films on (001) Silicon /Hedi Ben Ghoz Lene. And Pierre Beoufrere// J. Appl. Phys.- 1978.-49(7).- Р.3998-4004.»

58. Brzezinska D. A study of Pt Si formation/ D. Brzezinska, M. Zaborowski//, Elektron technology.- 1978.- №2.- P. 93-102»

59. Yokota Y. Tem study Pt silicide formation on clean Si surfaces/ Y. Yokota, L. Matz and P.S. Ho.//Res. Soc. Symp. Proe.- 1984.-Vol. 25.»

60. Panyluk S. Platinum silicide formation: Electron spectros copy of the platinum platinum silicide interface./ S. Panyluk and G.E. Me Grure// J. Appl. Phys.-1974. Vol.45.-№12.- P.5141-5144.»

61. Meetr R. Chemical rooction and silicide formation at the Pt/Si interface./ R. Meetr, R.J. Purtell, Y. Yokota, G.Wrublqs and P.S. Ho// J. Vac. Sci, Technol.-. 1984,- 2(2).-Р.253-258.»

62. Hiroshi Kawarada Structural study of PtSi/(l 11) Si interface with high-resolution electron microscopy./ Hiroshi Kawarada, Iwoo Ohdomari and Shigeo Horiuchi //J. Appl.- 1984.-Vol 23.- №10.-P.799-802.»

63. Kawokada H. Domain and interface structures of epitaxial PtSi/ H. Kawokada, J. Ohdomari and S. Horiucuf.//Res. Symp. Proc.-1984.-Vol. 25.-P. 429-434.»

64. Kouichi Nishikawa Scanning tunneling microscopy and atomic korse microscopy study on interface betwen molecular- bean- crowh Pt films Si(lll) substrate./ Kouichi Nishikawa, Mosohiko Yamamoto// J. Appl. Phys.- 1995.- Vol 34,- Р.40-45.»

65. Yashinao, Kumodai Comparison of planer to columnar transformation of Pt Si layers on Si(OOl) and Si(lll) substrates in the Si Cappiug layer grawth process/, Yashinao, Kumodai, Kouichi, Ishimoto//J Appl. Phys.- 1995.-V.34.-P. 4621-4626.»

66. Morgen P.Formation of the Pt-Si (111) interface/ P. Morgen, M. Szymonski, Jons Gaagd// Surface science.- 1988.- V.197.- V 347-362.»

67. Jiann- Ruey. Chen Epitaxial growth of platinum silicide layers on (lll)Si substrates. Jiann- Ruey. Chen, T.S. Hen./ Surfase science.- 1985.- V.162.-P. 657662.»

68. Murarka S.P. High temperature stability of PtSi gormed by reaction of metal with silicon ot by cosputtering / S.P. Murarka, E. Kinsbrom, D.B. Fraser.// J Appl. Phys.- 1983.-V.54.-P.6943-6951.»

69. Morcus R.B. Thermal stability of thin PtSi films/ R.B. Morcus, T.T. Sheng, and S.E. Haszko// J Appl. Phys.- 1972.- №9.-Vol 43,- P. 3637-3643.»

70. Shibata T. Silicid formation using a scanning C.W. loserbeom/ T. Shibata , T.N.Sigmon, J.E Gibson, J.L Regolinde.// J. Elekrochem. Soc.- 1981. V.128. -№5. p. 637.»

71. Poate J.M Kinetics and mechenism of platinum silicide formation on silicon/ J.M. Poate, T.C. Tisone // Appl. Phys. Lett. 1974, - V 24.- №8 P. 391393.»

72. Chevng N.W. Growth kinetics of Pd2Si from evaporated and sputterdeposited films/ N.W. Chevng and M.A. Nicolet// Thin solid films.- 1981.- V.79.- P.51-60.»

73. Egan J.M. Self-diffusion of silicon in poly crystal line Pd2Si in the absence of growt./ J.M. Egan and C.M. Comrie// Ten American physical society.- 1989.-P. 40-90.»

74. Comrie C.M. Diffusion of silicon in Pd2Si during growth./ C.M. Comrie and J.M. Egon.// J. Vac. Scin technol.- 1989.-№ 3,- P. 1492-1496.»

75. Comre C.M. Diffusion of silicon, in Pd2Si during silicide formation/ C.M. Comre and J.M. Egun// J.Appl. Phys.- 1988,- 64(3).- P. 1173-1177.»

76. Liliental Z.How epitaxial are Pd2Si Si interfaces /Z. Liliental R, W Carpenter andR. Tuenge//Thin solid films.- 1984.-V.104.-P. 17-29.»

77. Tromp R.M. The thermal stability of very thin Pd2Si films on Si./ R.M. Tromp, E.J. Vanloenel //surfaces science.- 1983.-V.128.-P. 224-2316.»

78. Boothroyd C.B. Formation of submicron epitaxial islands of Pd2Si on silicon/ C.B. Boothroyd and W.H. Stobbs// Appl. Phys. Lett.- 1987.-50(10).- P. 577579.»

79. Haydn Chen An x-ray study of domain structure and strecs in Pd2Si films at PdSi interfaces/ Haydn Chen, G. Ewhite and S.R. Stock// Tin solid films.- 1982.-V.93.- Р.161-169.»

80. Kiely C.J. On the atomic structure of Pd2Si (111) Si interface/ C.J. Kiely, D. Chernis and D.J. Eagleshamt// Philos.A.- 1987, Vol 55.- №2.- P. 237-252.»

81. Cherns Dy. D. Electron microscope studies of the structure and pragagotion of the Pd2Si (111) Si interfaces./ Dy. D. Cherns.// Philosophical magazine A,.-1982.- Vol 45.-№1.- P. 107-125.»

82. Vaidya S. Direct observation of epitaxial. Island of Pd2Si on (001) Si /S.Vaidya and S.P. Murarka// Appl. Phys. Lett.- 1980.-37(1).- P. 51-53.»

83. Akiyama K.Uhv electron microscope and diffraction analyses of the ТзхТз structure formen by Pd on Si (111) 7x7./ K.Akiyama, K. Takayanagi.// Surface scince.- 1988,- V.205.- Р.177-186.»

84. Ginn. Mc J.T. Induced Pd2Si epitaxy on (100) silicon by the predisposition of monolayer thin reactive metal films/ J.T. Melinn, D.M. Hofsmon, J.H. Thomas// Ins Phys Conf Set.- 1987.- №87.-P. 535-540.»

85. Hoffmon D.H. Effect of thin titanium interfacial Layers on the formation of palladium silicide on silicon/ D.H. Hoffmon, J.T. Mc Ginn, F.J. Tams.// Vac. Sci technol.- 1987.-A 5(4).- Р.55-60.»

86. Trome R. Ion beam crystallography of metal-silicon interfaces Pd-Si(lll)/ R. Trome, E.J. Van, Loenen, M.J. Nami// Thin solid films.- 1982,- №93.- P. 151-159.»

87. Wei c.S. Characterizations of palladium silicides formed by rapid thermal annealing /C.S. Wei, J Van der Spiegel. And J. Santiado// J Appl. Phys.- 1985.-№58 .- P. 4200-4206.»

88. Kowarada H. Influence of Pt atom The Low temperature formation of epitaxial Pd monosilicide/ H.Kowarada, K.Mizugaki, and I.Ondomari// J. Appl. Phys.- 1985,- 57(2).- P. 244-248.»

89. Tu K.N. Thermal stability of Pd2Si and PdSi in thin film and bulk diffusion couples/ K.N.Tu// J Appl. Phys.- 1982,- №53,- P. 428-432.»

90. Tsaur B.Y. Reversible phase transformation in the Pd2Si- PdSi thin-film system /B.Y. Tsaur and M.A. Nicolet// Appl. Phys. Lett.- 1980,- 37(8).-P. 708711.»

91. Drobek J. Interdiffusion and compound formation in thin films of Pd on Si singles crystals./ J. Drobek, R. C. Sun, and Т.Е. Tisone// Phys. Stat. Sol.- 1971.-№8.-P. 243-247.»

92. Foil H. Lattice imaging of silicide-silicon interfaces and the interpretation of interfacial defects /Н. Foil // Phys. Stat. Sol.(a) 1982. - V. 69. - Р.779-789.»

93. Krakov W. Analysts of high resolution electron microscope images of the Pd2Si-Si interface./ W.Krakov//Thin solid films.-1982.- V93.- №1-2,- P. 109125.»

94. Ottaviani G. Phase formation and kinetic processes in silicide growth. / G.Ottaviani //Mat. Res.Soc.Symp.Proc.- 1984.-V.25.- p.21-31.»

95. Ottaviani G NiSi formation at the silicide/Si interface on the NiPt/Si sestem. / G.Ottaviani, K.N.Tu, L.S.Hang, J.W Mayer//J. Appl. Phys.- 1982,-Vol.53.-№7.- Р.4903-4906.»

96. Singh R. N. Interdiffusion and compound formation in the Mo/Pd/Si thin film metallization system/ R. N. Singh// Thin Solid Films.- 1986,- V.143.-P.249-257.»

97. Вессерман A.JI. Установка импульсной термической обработки полупроводниковых пластин / a.ji Вессерман., В.И. Жильцов, М.А Мхито-ров./МНТ.- Научно-технические достижения (ВИМИ).-1985.-С.39-42.»

98. Егоров В.В. Улучшение вольт-амперных характеристик диодов Шотки на основе PtSi/nSi применением фотонного отжига на установке УОЛ.П.-1/ В.В. Егоров, В.П., Злобин, В.М. Иевлев / /Эп.- 1988.- №2,- С. 6-9.»

99. Powder diffraction file, alphabetical index inorganic compounds, 1977, J.C. PDS, Pensilvania 1996, USA.

100. Бучатов A.B. Энергия и реласированная атомная структура межфазных границ в металлических системах с ГЦК решеткой границы (111)-(001) и (111)-(110)/ Бучатов А.В. Иевлев В.М /Поверхность. Физика, химия, меха-ника.-1994.- №12.-С. 112-122.»

101. Иевлев В. М.Дислокационная структура межфазных границ в гетерост-руктуре NiSi2 на вицинальной поверхности (lll)Si / В. М.Иевлев Б.Н. Маркушев, С.Б. Кущев//Вестник ВГТУ.-2000.- №1.8,- С.102-104.»

102. Иевлев.В.М. Ориентированная кристаллизация/ В. М. Иевлев, А.В. Бугаков//Воронеж.- 1988.»

103. Тейс.С.А, Котемяко И.Т, Олыпанецкий Б.З. //"Поверхность".- 2001.-С. 19-20.»

104. Иевлев. В.М. Структурные превращения в тонких пленках/ В.М. Иевлев. Л.И. Трусов, Хомлянский // Металургия.- 1988.»

105. Косевич В. М.Структура межкристаллитных и межфазных границ/ В. М. Косевич, В. М. Иевлев, С. М. Палатник, А. Г. Федоренко// Металлургия,- 1980.- С.256.»

106. Bollmann W. Cristal defects and crystalline interfaces/ W. Bollmann// Springer Verlag.- 1970,- P.244.»

107. Bonzel H.P. Diffusion of nickel in Silicon/ H.P. Bonzel// Phys. stat.- Sol.20.-P. 493-1967.»

108. Muto H. Solid-solid reactions in Pt-Si systems / H. Muto D.Shinoda //J. Appl. Phys.- 1972.- Vol.43.- №6.- P.2913-2915.»

109. Ievlev V. M. Heteroepitaxial structures for the growth of HTSC films/ Proceedings of the 7- th international workshop on critical currents in superconductors// Alpbach.- 1994.-Р.633-638.»

110. Иевлев. В. M. Синтез сложных силицидов в системе пленка Pt-Ni на Si термическим отжигом иметодом импульсной фотонной обработки /

111. B.М.Иевлев, С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко, Д.М.Боднарь, Б.Н. Маркушев, Г.В.Меркулов// Вестник ВГТУ.- 2001.-№1.9.- С.42-44.»

112. Маркевич М.И. О возможности закалки пленок алюминия при лазерной обработке /М.И. Маркевич, A.M. Чапланов // ФММ. 1985. - №2.1. C.21-25.»119

113. Маркевич М.И. О закалочных явлениях в пленках никеля / М.И. Мар-кевич, С.Г. Розин, A.M. Чапланов // Изв. АН СССР. Сер. Металлы. 1986. - №1.- С.149-152.»

114. Маркевич М.И. Расчет миграции вакансий в тонких пленках никеля при их неравновесной концентрации / М.И. Маркевич, С.Г.Розин , Э.И.Точицкий, A.M. Чапланов // Металлофизика. 1985. - С. 109-111.»

115. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках/ Ж.Панков// М.-Мир.- 1973. С. 456.»

116. Белявский В.И. Подпороговое дефектоообразование при мощной импульсной обработки кремния /В.И. Белявский, Ю. А. Капустин, В.В. Свиридов // ФТП. 1991. -Т.25. - Вып.7. - С.1204-1208.»