Исследование субструктурных и ориентационных изменений при термообработке пленок силицидов Pt и Pb тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Балашова, Вероника Юрьевна

• Балашова, Вероника Юрьевна
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Балашова, Вероника Юрьевна

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ПЛЕНКИ СИЛИЦИДОВ МЕТАЛЛОВ НА КРЕМНИИ: МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ, ФАЗОВЫЙ СОСТАВ, СТРУКТУРА (обзор литературы)

1.1. Методы получения пленок силицидов

1.2. Фазовый состав пленок силицидов металлов

1.2.1. Равновесная диаграмма состояния системы

1.2.2. Равновесная диаграмма состояния системы Рс1-81

1.2.3. Кинетика роста и особенности механизмов формирования силицидов металлов

1.2.4. Фазообразование в системе Р1>81

1.2.5. Фазообразование в системе Рд-81

1.2.6. Зависимость фазового состава пленок силицидов платины и палладия от наличия различных газов в рабочей атмосфере

1.3. Зависимость структуры, субструктуры и ориентации пленок силицидов платины и палладия от типа кристаллической решетки силицида, от ориентации поверхности

1.3.1. Кристаллическая структура, микроструктура Р181 и ориентацион-ные соотношения между силицидом платины и подложкой 81

1.3.2. Кристаллическая структура, микроструктура Рё281 и ориентаци-онные соотношения между силицидом палладия и подложкой 81

1.4. Структура межфазной границы в системах Р1:-81 и Рс1-81

1.4.1. Структура межфазной границы в системе Р1-81

1.4.2. Структура межфазной границы в системе Рс1-81

1.5. Процессы структурного и субструктурного старения пленок силицидов

Выводы и постановка задач

ГЛАВА 2. СИНТЕЗ ПЛЕНОК СИЛИЦИДОВ Рг И Рс1. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ФАЗОВОГО И ЭЛЕМЕНТНОГО СОСТАВА, СТРУКТУРЫ И

СУБСТРУКТУРЫ ПЛЕНОК

2.1. Синтез пленок силицидов Р1 и Рс1

2.1.1. Методика подготовки образцов для изучения процессов рекристаллизации в пленках Р181 и Рс^

2.1.2. Методика подготовки образцов для изучения структуры МГ (111)81-Рг81 и (11 ^ьРс^

2.2. Методика подготовки образцов для электронно-микроскопических исследований

2.3. Анализ фазового состава, структуры и ориентации пленок силицидов РгиЫ

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ НА ОРИЕНТАЦИЮ И СУБСТРУКТУРУ ПЛЕНОК И Ра281

3.1. Ориентационные и субструктурные изменения при термообработке пленок Р181

3.1.1. Ориентация и субструктура исходных пленок Р181 на (111) 81

3.1.2. Зависимость субструктуры и ориентации пленок Р181 от термообработки

3.2. Субструктурные изменения при термообработке пленок системы Р1 на (111) 81, сформированных методом ИФО

3.2.1. Влияние термообработки на фазовый состав, ориентацию и субструктуру пленок системы Р1>(111)81

3.2.2. Анализ субструктурных изменений на основе концепции РСУ

3.3. Ориентационные и субструктурные изменения при термообработке пленок Рс^

3.3.1. Ориентация и субструктура исходных пленок Рс^

3.3.2. Зависимость субструктуры и ориентации пленок Рс^ от термообработки

3.4. Заключение

ГЛАВА 4. СТРУКТУРА (СУБСТРУКТУРА) МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ 81-

СИЛИЦИД МЕТАЛЛА

4.1. Анализ возможных ориентационных соотношений

4.2. Дислокационная структура МГ в системе (11 l)Si-PtSi

4.3. Дислокационная структура МГ в системе (11 l)Si-Pd2Si

4.4. Заключение

ВЫВОДЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование субструктурных и ориентационных изменений при термообработке пленок силицидов Pt и Pb»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Исследования субструктурных, ориентационных и фазовых превращений при искусственном старении (термообработке) пленок силицидов металлов, и в частности, силицидов К и Рс1 актуальны в двух аспектах. Во-первых, в технологии полупроводниковых приборов силициды

и Р<1 используются в качестве диодов Шоттки и омических контактов к мелкозалегающим р-п переходам, низкоомных высокотемпературных межэлементных тонкопленочных соединений и материалов электродов затворов в МОП технологии. Во-вторых, для физического материаловедения установление закономерностей изменения субструктуры и ориентации пленок силицидов при термообработке представляет самостоятельный научный интерес, поскольку большинство систематических исследований в этом направлении выполнено, в основном, на пленках чистых металлов и сплавов или поликристаллического кремния /1,2,3/.

Исследования силицидов Р1 и Рс1, в основном, были направлены:

■ на установление закономерностей фазообразования в системах Р1-81 и Рс1-81 в зависимости от методов и условий формирования силицидных фаз, изучение влияния примесей на процесс силицидообразования;

■ на анализ структуры, фазового и элементного состава пленок силицидов на кремнии в зависимости от условий формирования;

■ разработку новых методов активации процесса силицидообразования;

■ отдельные работы были посвящены исследованию термической стабильности пленок силицидов и Рс1 с точки зрения устойчивости химических соединений (в случае системы Р1>81) и Рс1281 (в случае системы Рс1-81).

В тоже время практически не исследованы закономерности субструктурных и ориентационных изменений при термообработке пленок этих силицидов как на кремнии, так и освобожденных от кристалла-подложки. Особый интерес представляет получение новых данных о структуре межфазных гра-

ниц (МГ) кремний-силицид металла.

В общем случае наиболее изучены межфазные границы в тонкопленочных эпитаксиальных системах металл-металл, полупроводник- полупроводник, полученных конденсацией из паровой фазы.

В системах кремний-силицид металла формирование МГ происходит в результате твердофазной химической реакции. Исследования МГ в системах 8к№812, 81-Со812, ЗьРс^, характеризующихся малой величиной размерного несоответствия кристаллических решеток показали, что дислокационная структура границ имеет много общего со структурой границ в металлических эпитаксиальных системах с малым Однако для таких систем как Р181-81, характеризующихся большим размерным и структурным несоответствием, дислокационная субструктура МГ практически не исследована и оставался не выясненным характер сопряжения.

Цель работы - установление закономерностей субструктурных и ори-ентационных изменений при термообработке пленок силицидов Р181 и Рс^ и изучение дислокационной субструктуры межфазных границ 8ьР181, 81-Р(1281

Для этого решали следующие задачи:

1. Исследование фазового и элементного состава, ориентации и субструктуры пленок силицидов, полученных:

■ термическим испарением и конденсацией в вакууме пленок Р1 и Рё на подогреваемые подложки (111) и (001) 81;

■ термическим отжигом пленок Р1 и Рс1, сконденсированных на подложки (111) и (001) 81 при комнатной температуре;

■ при импульсной фотонной обработке (ИФО) некогерентным излучением ксеноновых ламп пленок Р1; на (111) 81.

2. Исследование ориентационных и субструктурных превращений при термообработке пленок силицидов Р1 и Р<1 на кремнии и свободных пленок силицидов.

3. На основе теории О-решетки рассчитать ожидаемую дислокационную субструктуру межфазных границ в системах (111) Si-PtSi и (111) Si-Pc^Si.

4. Методом просвечивающей электронной микроскопии установить характер сопряжения на межфазной границе (lll)Si-PtSi и исследовать дислокационную структуру МГ.

Объекты и методы исследования. В качестве объектов исследования выбраны силициды PtSi и Pd2Si. Выбор этих систем обусловлен тем, что конечные фазы силицидов Pt и Pd имеют разные типы кристаллических решеток и характеризуются разным размерным и структурным несоответствием с решеткой кремния. В силу этих обстоятельств силициды Pt и Pd, в принципе, могут иметь разную исходную ориентацию и субструктуру. Кроме того, для них хорошо изучены закономерности синтеза различными способами, они широко используются в технологии полупроводниковых приборов, достаточно химически устойчивы, образцы для исследований могут быть приготовлены как на подложках, так и в свободном состоянии. Исследования фазового состава, структуры и ориентации пленок проведены на электронных микроскопах ЭМВ-100АК, ПРЭМ-200 и элементного состава на оже-спектрометре РШ-551. Прогнозирование оптимальных ориентационных соотношений и расчет дислокационной структуры межфазных границ в гетеро-системах силицид-кремний проводили на персональном компьютере Pentium-100.1

Научная новизна. Новизна результатов состоит в следующем: установлены закономерности изменения субструктуры и ориентации пленок PtSi и Pd2Si при термообработке;

показано, что реализующиеся при твердофазной реакции силицидооб-разования ориентационные соотношения между силицидом и кремнием удовлетворяют совокупности кристаллогеометрических критериев ориентированной кристаллизации, базирующихся на основе концепции РСУ;

1 Консультации по компьютерному моделированию проводил Бугаков А.В.

выявлена дислокационная субструктура межфазной границы для основных ориентационных соотношений (111) Si - (010) PtSi, что позволило сделать вывод о частично когерентном сопряжении на межфазной границе для системы с большим размерным и структурным несоответствием;

на основании соответствия геометрии дислокационной структуры межфазной границы (111) S1 - (010) PtSi, рассчитанной на основе теории О-решетки, экспериментально наблюдаемой сделан вывод о применимости последней к прогнозированию структуры МГ в системах кремний-силицид металла.

Практическая значимость. Полученные в работе новые результаты углубляют знания о закономерностях ориентированного образования силицидов на монокристаллических кремниевых подложках. Полученные данные о дислокационной субструктуре межфазных границ Si-силицид металла могут быть использованы при моделировании соответствующих процессов в контактах. Новые данные о закономерностях процесса рекристаллизации пленок силицидов могут быть использованы при разработке технологического процесса создания диодов и омических контактов на основе силицидов Pt HPd.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Высоко дисперсная субструктура пленок силицидов PtSi и Pd2Si, образующихся в результате твердофазного взаимодействия пленок Pt и Pd с кремнием, обусловлена множественностью эквивалентных азимутальных эпитаксиальных ориентаций, удовлетворяющих основным кристаллогеомет-рическим критериям ориентированной кристаллизации, и избыточным насыщением пленок кремнием в процессе их образования.

2. Общими закономерностями субструктурных изменений при термообработке пленок силицидов являются: увеличение размера зерен с сохранением одномодального распределения по размерам, совершенствование основной эпитаксиальной ориентации и исключение сопутствующих ориентаций для

пленок на подложках (ориентирующее действие подложки), ухудшение двухосной текстуры для пленок без подложек.

3. Процесс рекристаллизации в пленках исследуемых силицидов при изменении температуры отжига происходит в две стадии, характеризующимися различными значениями энергии активации. Разброс значений энергии активации отражает наложение на процесс рекристаллизации таких процессов как диффузия 81 по границам зерен, завершение процесса силицидообразования.

4. Существование в силициде Р181 специальных границ зерен [010], 0к=58,78°, и 62,44° (И=1 по узлам 81) приводит при отжиге пленок на (111) 81 к сохранению небольших отклонений (до 3°) азимутальной ориентации зерен силицида от точного эпитаксиального ориентационного соотношения.

5. В системе 8ьР181, характеризующейся большим размерным и структурным несоответствием, реализуется частично когерентное сопряжение на межфазной границе посредством дислокаций несоответствия.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Международных и Всероссийских научных конференциях, таких как XVI Российская конференция по электронной микроскопии (Черноголовка, 1996), межотраслевой научно-практический семинар с участием зарубежных специалистов "Вакуумная металлизация" (Харьков, 1996), V научно-техническая конференция "Материалы и упрочняющие технологии-97" (Курск, 1997), конференция по реализации региональных научно-технических программ Центрально-Черноземного региона (Воронеж, 1997), XVII Российская конференция по электронной микроскопии "ЭМ'98" (Черноголовка, 1998), XIV международный конгресс по вакуумным технологиям (Бирмингем, 1998), Второй всероссийский семинар "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, 1999).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 9 работ.

Личный вклад автора. Лично автором проведены эксперименты по подготовке образцов Р181/(111) 81 и Рё281/(111), (001) 81, а также все элек-

тронномикроскопические исследования при исследовании влияния термообработки на пленки силицидов. Автор принимал непосредственное участие в экспериментах по подготовке образцов для исследования межфазной границы силицид-кремний, а также при анализе методом компьютерного моделирования ориентационных соотношений и дислокационной структуры при образовании силицидов Pt и Pd на кремнии.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и выводов, списка цитируемой литературы. Весь объем составляет 121 страниц, включая 43 рисунка и 9 таблиц. В списке используемых источников 92 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Балашова, Вероника Юрьевна

ВЫВОДЫ

1. Проведено электронномикроекопическое исследование ориентационных и субструктурных изменений при отжиге пленок силицидов Pt и Pd, приготовленных конденсацией металла в вакууме на подогреваемые пластины Si ориентации (111) и (001) (I тип), термообработкой сконденсированных при комнатной температуре пленок металлов (II тип), а также пленок PtSi, сформированных импульсной фотонной обработкой некогерентным излучением ксеноновых ламп пленок Pt на (111) Si.

2. Исходные пленки силицидов PtSi и Pd2Si, сформированные конденсацией Pt и Pd на (111) и (001) Si на подогреваемые подложки и термическим отжигом пленок Pt и Pd, сконденсированных на кремниевые подложки при комнатной температуре, имеют высокодисперсную нанокристаллическую субструктуру, что обусловлено множественностью эквивалентных азимутальных эпитаксиальных ориентаций и избыточным насыщением пленки кремнием в процессе образования ориентированного эпитаксиального силицида. Особенность элементного состава пленок силицида палладия - избыточное содержание кремния в объеме более чем вдвое превышает концентрацию, соответствующую стехиометрическому составу, что отражает преобладающую диффузию кремния в Pd.

3. Показано, что экспериментально наблюдаемые ориентационные соотношения в системах (111) Si-PtSi, (111) Si-Pd2Si, (001) Si-Pd2Si удовлетворяют основным кристаллогеометрическим критериям ориентированной кристаллизации: параллельность плотноупакованных направлений, образование наиболее плотных РСУ на межфазной границе, согласование плотноупакованных плоскостей на межфазной границе, близость значений плотности атомов в граничных плоскостях сопряжения фаз, предпочтительность возможной деформации нарастающей фазы на растяжение по сравнению с деформацией на сжатие (учет знака несоответствия параметров решеток).

4. Для всех исследуемых систем общими закономерностями субструктурных изменений при термообработке являются: увеличение размера зерен, совершенствование основной ориентации и исключение сопутствующих ориентаций для пленок на подложках (ориентирующее действие подложки), ухудшение текстуры для пленок без подложек. При этом сохраняется одномодальность в распределении зерен по размерам (свидетельство собирательной рекристаллизации) и уши-рение распределения в области высоких температур (проявление вторичной рекристаллизации).

5. Установлено, что процесс рекристаллизации, протекающий в пленках исследуемых силицидов, при изменении температуры отжига происходит в две стадии. В отличие от известных данных по рекристаллизации пленок чистых металлов для первой стадии (при меньших температурах отжига) энергия активации выше, чем для второй, что связано с блокированием процесса коалесценции зерен (нанокристаллов) силицида кремнием, сегрегированным в границах зерен. Разброс значений энергии активации отражает наложение на процесс рекристаллизации таких процессов как диффузия Si по границам зерен, завершение процесса силицидообразования.

6. Обнаружено сохранение при отжиге пленок PtSi на (111) Si небольших отклонений (до 3°) азимутальной ориентации зерен силицида от точного эпитакси-ального ориентационного соотношения, что объясняется существованием в силициде специальных границ зерен [010], 0к=58,78°, и 62,44° (Е=1 по узлам Si).

7. На основе теории О-решетки рассчитана дислокационная субструктура межфазных границ в системах (111) Si-PtSi и (111) Si-Pd2Si. Экспериментально выявленные структуры МГ в системе (111) Si-(OIO) PtSi показали соответствие наблюдаемых структур расчетным. Эти результаты свидетельствуют о возможности частично когерентного (дислокационного) сопряжения на МГ в системе с большим размерным и структурным несоответствием решеток.

8. Установлено, что МГ (111) Si - (00.1) Pd2Si образована гексагональной сеткой ДН смешанного типа с векторами Бюргерса х/4 <110> (в решетке Si) (1/4<21.0> в координатах решетки Pd2Si).

4.4. Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Балашова, Вероника Юрьевна, 1999 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Точицкий Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. - Минск: Наука и техника, 1976. - 376 с.

2. Горелик С.С. Рекристаллизация металлов и сплавов. - М.: Металлургия, 1978.-568 с.

3. Гацкевич Е.И., Ивлев Г.Д., Чапланов A.M. Плавление и отвердевание поверхностного слоя монокристаллического кремния при импульсном лазерном нагреве // Квант, электрон. (Москва). - 1995. - 22, N 8. - С. 805-810.

4. Тонкие пленки: взаимная диффузия и реакции / Дж. Поут, К. Ту, Дж. Мей-ер, Р.Розенберг и др.; Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. - М.: Мир, 1982. - 576 с.

5. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. Майселла Л., Глэнга Р. / пер. с англ. под ред. Елинсона М.И., Смолко Г.Г. - М.: Советское радио, 1977.-Т.1.-664 с.

6. Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках. - М.: Мир, 1972. -435 с.

7. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. - М.: Мир, 1986. - 176 с.

8. Freeouf J.L., Rubloff G.W., Но P.S., Kuan T.S. Microscopic compound formation at the Pd-Si (111) interface // Phys. Rev. Lett. - 1979. - V. 43. - N 24. - P. 1836-1839.

9. Tromp R.M., Loenen E.J., Iwami M. Ion beam analysis of the reaction of Pd with Si (100) and Si (111) at room temperature // Surface Science. - 1983. -V.124.-P. 1-25.

10. Oura K., Yabuuchi Y., Shoji F., Hanava Т., Okada S. Low energy ion scattering study of palladium films on silicon (11 l)-7x7 surfaces // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. - 1983. - V.218. - P. 253-256.

11. Yokota Y., Matz R., Ho P.S. ТЕМ study of Pt silicide formation on clean Si surface // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. - 1984. - V. 25. - P. 435-440.

12. Drobek J., Sun R.C., Tisone T.C. Interdiffusion and Compound Formation in

Thin Films of Pd or Pt on Si Single Crystals // Phys. Stat. Sol. - 1971. -V.243. - P. 243-248.

13. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения / Под ред. Г.Хасса, Р.Э.Туна. - М.: Мир, 1967.-343 с.

14. Tung R.T., Poate J.M., Bean J.C., Gibson J.M., Jacobson D.C. Epitaxial sili-cides // Thin Solid Films. - 1982. - V.93 - P. 77-90.

15. Ottaviani G., Costato M. Compound formation in metal-semiconductor interactions // Journal of crystal growth. - 1978. - V.45. - P. 365-375.

16. Chen J.R., Heh T.S., Lin M.P. Epitaxial growth of platinum silicide layers on (111) Si substrates // Surface Science. - 1985. - V.162. - P. 657-662.

17. Kawarada H., Ohdomary I., Horiuchy S. Structural study of Pt/(lll)Si interface with high resolution electron microscopy // Jap. J. Of Appl. Phys. - 1984. -V.23.-N10.-P. L799-L802.

18. Wittmer M. Growth kinetics of platinum silicide // J. Appl. Phys. - 1983. -V.54.-N9.-P. 5081-5086.

19. Ottaviani G. Review of binary alloy formation by thin film interaction // J. Vac. Sci. Technol. - 1979. - V. 16. - N 5. - P. 1112-1119.

20. Ghozlene H.B., Beaufrere P. Crystallography of PtSi films on (100) silicon // J. Appl. Phys. - 1978. - V.49. - N 7. - P. 3998-4014.

21. Ishiwara H., Yamamoto H. Epitaxial growth of Pd2Si films on Si(lll) substrates by scanning electron-beam annealing // Appl. Phys. Lett. - 1982. - V.41. -N8.-P. 718-720.

22. Wittmer M., Allmen M. A study of silicide formation by laser irradiation // J. Appl. Phys. - 1979. -V.50. - N 7. - P. 4786-4790.

23. Saitoh S., Ishiwara H., Asano Т., Furukawa S. Single crystalline silicide formation // Jap. Jour. Of Appl. Phys. - 1981. - v. 20. - N 9. - P. 1649-1656.

24. D'Anna E., Leggieri G., Luches A., Nassisi V., Nava F., Nobili C. Pulsed annealing of silicon/platinum systems // Journal de physique. 1983. - V. 44. - P. C5421-C5425.

25. Tsaur B.Y., Liau Z.L., Mayer J.W. Ion-beam-induced silicide formation // Appl. Phys. Lett. - 1979. -V.4. -N 2. - P. 168-170.

26. Иевлев B.M., Кущев С.Б., Злобин В.П. Структура и состав силицидов, образующихся при фотонном отжиге Pt на Si// ФХОМ. - 1986. - N2. - С. 128130.

27. Иевлев В.М., Кущев С.Б. Формирование пленок силицидов металлов методом импульсной фотонной обработки// Вестник ВГТУ. Сер. "Материаловедение". - 1997.-Вып. 1.2.-С. 8-13.

28. Cheung N.W., Nicolet М.-А., Wittmer М., Evans С.А., Sheng Т.Т. Growth kinetics of Pd2Si from evaporated and sputter-deposited films // Thin Solid Films. -1981. - V.79. - P.51-60.

29. Бережной A.C. Кремний и его бинарные системы. - Киев: изд-во АН УССР, 1958. - 430 с.

30. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. - М.: Металлургия, 1962. - 1488 с.

31. Шанк Ф. Структура двойных сплавов. - 2-е дополнение. -М. Металлургия, 1973. - 655 с.

32. Самсонов Г.В., Дворина JI.A., Рудь Б.М. Силициды. - М.: Металлургия, 1979. - 272 с.

33. Walser R.M., Bene R.W. First phase nucleation in silicon-transition-metal planar interfaces // Appl. Phys. Lett. - 1976. - V.28. - N 15. - P. 624-625.

34. Poete J.M., Tisone T.C. Kinetics and mechanism of platinum silicide formation on silicon // Appl. Phys. Lett. - 1974. - V. 24. - N 8 - P. 391-393.

35. Bindell J.B., Colby J.W., Wonsidler D.R., Poate J.M., Conley D.K., Tisone T.C. An analytical study of platinum silicide formation // Thin Solid Films. - 1976. -V. 37.-P. 441-452.

36. Canali C., Catellani C., Prudenziati M. et al. Pt2Si and PtSi formation with high-purity Pt thin films // Appl. Phys. Lett. - 1977. - V.31. - N 1. - P. 43-46.

37. Lien C.-D., Nicolet M.-A., Lau S.S. Kinetics of silicides on Si <100> and

evaporated silicon substrates // Thin Solid Films. - 1986. - V. 143. - P. 63-72.

38. Tsui B.-Y., Chen M.-C. Low temperature reaction of thin film platinum (<300 A) with (100) silicon // J. Appl. Phys. - 1990. - V. 68. - N 12. - P. 6246-6252.

39. Ottaviani G. Metallurgical aspects of the formation of silicides // Thin Solid Films. - 1986. - V. 140. - P. 3-21.

40. Васильев С.В., Герасименко Н.Н. Поведение примеси в процессе формирования силицидов металлов // Поверхность: физика, химия, механика. - 1986.-N 7.-С. 57-62.

41. Kohler U.K., Demuth J.E., Hamers R.J. Surface reconstruction and the nuclea-tion of palladium silicide on Si(l 11) // Phys. Rev. Lett. - 1988. - V. 60. - N 24. -P. 2499-2501.

42. Nemanich R.J., Tsai C.C., Stafford B.L., Abelson J.R., Sigmon T.W. Initial phase formation at the interface of Ni, Pd or Pt and Si // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. - 1984. - V. 25. - P. 9-14.

43. Rand M.J., Roberts J.F. Palladium silicide on Si(lll) // Appl. Phys. Lett. -1974. - V.24. - N 49. - P. 576-570.

44. Nava F., Valeri S., Majni G., Cembali A. The oxigen effect in the growth kinetics of platinum silicides // J. Appl. Phys. -1981. - V.52. - N 11. - P. 66416646.

45. Scott D.M., Nicolet M.-A. The effects of implanted oxygen on Pd2Si formation // Nuclear Instruments and Methods. - 1983. - V. 209. - P. 297-301.

46. Barbarino A.E., Costanzo E. Effect of hydrogen on the growth kinetics of Pd2Si // Thin Solid Films. - 1981. - V. 81. - P. 35-38.

47. Палатник JI.C., Фукс М.Я., Косевич B.M. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. - М.: Наука, 1972. - 320 с.

48. Гладышевский Е.И. Кристаллохимия силицидов и германидов. - Под ред. Самсонова Г.В. - М.: Металлургия, 1971. - 296 с.

49. Kawarada Н., Ohdomari I., Horiuchi S. Domain and interface structures of epitaxial PtSi // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. - 1984. - V. 25. - P. 429-434.

50. Kumagai Y., Ishimoto K., Hashimoto S., Park K. Comparison of planar to columnar transformation of PtSi layers on Si (001) and Si (111) substrates in the Si capping layer growth process // Jap. J. Appl. Phys. - 1995. - V. 34. - P. 4621-4626.

51. Buckley W.D., Moss S.C. Structure and electrical characteristics of epitaxial palladium silicide contacts on single crystal silicon and diffused p-n-diodes // Solid State Electronics. - 1972. - V.15. - P.1331-1337.

52. Hutchins G.A., Shepela A. The growth and transformation of Pd2Si on (111), (110) and (100) Si // Thin Solid Films. - 1973. - V.18. - N 2. - P. 343-363.

53. Okada S., Oura K., Hanawa Т., Satoh K. A LEED-AES study of thin Pd films on Si (111) and (100) substrates // Surface Science. - 1980. - V.97. - P. 88-100.

54. Oustry A., Berty J., Caumount M., David M.J., Escaut A. Structural properties of the Pd-Si interface: an investigation by reflection high energy electron diffraction // Thin Solid Films. - 1982. - V.97. - P. 295-300.

55. Chen H., White G.E., Stock S.R., Ho P.S. An X-ray study of domain structure and stress in Pd2Si films at Pd-Si interfaces // Thin Solid Films. - 1982. - V.93. -P. 161-169.

56. Vaidya S., Murarka S.P. Direct observation of epitaxial islands of Pd2Si on (001) Si //Appl. Phys. Lett. - 1980. - V.37. -Nl. -P. 51-53.

57. Boothroyd C.B., Stobbs W.M., Tu K.N. Formation of submicron epitaxial islands of Pd2Si on silicon // Appl. Phys. Lett. - 1987. - V. 50. -N10. - P. 577- 579.

58. McGinn J.T., Hoffman D.M., Thomas J.H., Tams F.J. Induced Pd2Si epitaxy on (100) silicon by the predeposition of monolayer thin reactive metal films // Inst. Phys. Conf. Ser. No. 87: section 7. - 1987. - P. 535-540.

59. Кущев С.Б., Исаев А.Ю., Злобин В.П. Структура, фазовый состав и ориентация пленок, полученных при вакуумной конденсации Pd на (111) Si // Рост и структура тонких пленок и нитевидных кристаллов. Межвуз. сб. науч. тр.- 1989.-С. 28-30.

60. Иевлев В.М., Бугаков А.В. Ориентированная кристаллизация пленок: Уч. пособие. - Воронеж: Изд-во ВГТУ, 1998. - 216 с.

61. Структура межкристаллитных и межфазных границ / В.М.Косевич, В.М.Иевлев, Л.С.Палатник, А.И.Федоренко. - М. Металлургия, 1980. - 256 с.

62. Бугаков А.В. Энергия, релаксированная структура и субструктура межфазных границ в пленочных металлических системах: Диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук. - Воронеж, 1996. - 295 с.

63. Nemanich R.J., Doland С.М., Ponce F.A. Reactive interface formation -Pt/Si<lll>: Nucleation and morfology // J.Vac.Sci.Technol. - 1987. - V.B5. - N 4.-P. 1039-1043.

64. Morgen P., Szymonski M., Onsgaard J., Jorgensen В., Rossy G. Formation of the Pt-Si(l 11) interface // Surface Science. - 1988. - V. 197. - P. 347-362.

65. Tsai C.C., Nemanich R.J., Sigmon T.W. Silicide formation at the interface of Pd on amorphous and crystalline Si // J. Phys. Soc. Japan. - 1980. - V. 49. - P. 1265-1268.

66. Tromp R.M., Loenen E.J., Iwami M., Smeenk R, Saris F.W. Ion beam crystallography of metal-silicon interfaces: Pd-Si (111) // Thin Solid Films. - 1982. -V. 93.-P. 151-159.

67. Foil H. Lattice imaging of silicide-silicon interfaces and the interpretation of interfacial defects // Phys. Stat. Sol.(a) - 1982. - V. 69. - P.779-789.

68. Liliental Z., Carpenter R.W., Tuenge R. How epitaxial are Pd2Si-Si interfaces? // Thin Solid Films. - 1983. - V.104. - P. 17-29.

69. Cherns D., Smith D.A., Krakow W., Batson P.E. Electron microscope studies of the structure and propagation of the Pd2Si/(lll)Si interface // Philosophycal Magazine A. - 1982. -V. 45. -N 1. - P. 107-125.

70. Krakow W. Analysis of high resolution electron microscope images of the Pd2Si-Si interface // Thin Solid Films. - 1982. - V. 93. - P. 109-125.

71. Иевлев B.M. Структура поверхностей раздела в пленках металлов. - М.: Металлургия, 1992. - 173 с.

72. Kiely C.J., Chems D., Eaglesham D.J. On the atomic structure of the Pd2Si/(l 1 l)Si interface // Philosophical Magazine A. -1987. - V.55. -N 2. - P. 237-252.

73. Sinha A.K., Marcus R.B., Sheng T.T., Haszko S.E. Thermal stability of thin PtSi films on silicon substrates // J. Appl. Phys. - 1972. -V. 43. -N 9. -P. 3637-3643.

74. Murarka S.P., Kinsborn E., Fraser D.B., Andrews J.M., Lloyd E.J. High temperature stability of PtSi formed by reaction of metal with silicon or by cosputter-ing // J. Appl. Phys. - 1983. - V.54. - N 12. - P. 6943-6951.

75. Tsaur B.Y., Nicolet M.-A. Reversible phase transformation in the Pd2Si-PdSi thin film system // Appl. Phys. Lett. - 1980. - V.37. - N 8. - P. 708-711.

76. Tu K.N. Thermal stability of Pd2Si and PdSi in thin film and in bulk diffusion couples //J. Appl. Phys. - 1982. - V. 53. - N 1. - P. 428-432.

77. Tromp R.M., Loenen E.J., Iwami M., Smeenk R.G. et al. The thermal stability of very thin Pd2Si films on Si // Surface Science. - 1983. - V.128. - P. 224-236.

78. Палатник JI.C., Папиров И.И. Ориентированная кристаллизация. - М.: Металлургия, 1964. - 408 с.

79. Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсам: Физика и технология тонкопленочных материалов; Электронная микроскопия /С.В.Бурова, В.П.Иевлев, С.Б.Кущев, К.С.Соловьев, Т.Л.Тураева. - Воронеж: изд-во ВГТУ, 1997. - 51 с.

80. Злобин В.П. Фазовый состав, структура и ориентация пленок силицидов Pt, Pd, Ni, полученных импульсным фотонным отжигом: Дис. на соис. уч. степ. канд. техн. наук. - Воронеж, 1987. - 154 с.

81. Хирш П., Хович А., Николсон Р. и др. Электронная микроскопия тонких кристаллов. -М.: Мир, 1968. - 574 с.

82. Powder Diffraction File. Alphabetical Index Inorganic Compounds. - Pensyl-vania: ICPDS, 1977.

83. Балашова В.Ю., Кущев С.Б. Субструктурные изменения при термообработке пленок системы Pt на (lll)Si, сформированных методом ИФО// Вестник ВГТУ. - 1996. - вып.1.1. - С.49-52.

84. Кущев С.Б., Иевлев В.М., Бурова С.В., Балашова В.Ю., Солдатенко С.А. Импульсная фотонная обработка в формировании контактно-металлизаци-

онных систем на основе силицидов металлов // Межотрасл. научно-практ. семинара "Вакуумная металлизация": Тез. докл. - Харьков, 1996. - С. 60.

85. Кущев С.Б., Балашова В.Ю. Субструктурные превращения при термообработке пленок Pd2Si //16 Всеросс. конф. по электронной микроскопии: Тез. докл. - Черноголовка, 1996. - С.138.

86. Балашова В.Ю., Кущев С.Б. Структурные превращения в пленках диси-лицида палладия при термообработке в вакууме // V научно-техн. конф. "Материалы и упрочняющие технологии-97": Тез. и матер, докл. - Курск, 1997. -С.116-118.

87. E.P.Domashevskaya, Yu.A.Yurakov, V.M.Kashkarov, V.Yu.Balashova, V.M.Ievlev. Investigations of Pd2Si thin films by Usxes and Teme /ЯУС-14, ICSS-10, NANO 5, QSA-10: Abstract Book. - Birmingham, 1998. - P. 312-313.

88. Ho P.S., Schmid P.E., Foil H. Stoichiometric and structural origin of electronic states at the Pd2Si-Si interface// Phys Rev. Lett. - 1981. - V.46. - P.782.

89. Балашова В.Ю., Кущев С.Б. Ориентационные и субструктурные изменения при термообработке пленок Pd2Si // Вестник ВГТУ. - 1998. - вып. 1.3. - С. 70-73.

90. Балашова В.Ю., Бугаков A.B., Иевлев В.М., Кущев С.Б. Оптимальные ориентационные соотношения и субструктура межфазной границы в системе (lll)Si-PtSi // Реализация Региональных научно-технич. Программ Центрально-Черноземного региона: Матер, конф. - Воронеж, 1997. - С. 127-130.

91. Кущев С.Б., Иевлев В.М., Бугаков A.B., Солдатенко С.А., Балашова В.Ю., Руднева И.Г. Субструктура межфазных границ кремний силицид металла // ХУЛ Рос. Конф. по электронной микроскопии "ЭМ'98": Тез.док. - Черноголовка, 1998. - С. 77-78.

92. Балашова В.Ю., Иевлев В.М., Кущев С.Б., Санин В.Н., Солдатенко С.А., Синтез силицидов металлов при импульсной фотонной обработке // Второй Всеросс. семинар "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении": Тез. докл. - Воронеж, 1999. - С. 163-165.

Я сердечно благодарю своего научного руководителя Иевлева Валентина Михайловича за постоянное внимание к работе, заботу и всестороннюю помощь. Выражаю глубокую признательность заведующему Региональной научно-исследовательской

лабораторией электронной микроскопии и электронографии Кущеву Сергею Борисовичу за внимательное и чуткое отношение ко мне и моей работе и создание обстановки дружбы и взаимопонимания, которой славится коллектив руководимой им лаборатории. Я очень дорожу вниманием и дружбой коллег из РНИЛЭМиЭ и благодарю их за помощь и доброжелательное отношение. Большое спасибо сотрудникам кафедры физики ВГТУ за заботу и доброту.

Хочу поблагодарить своих родителей и друзей, которых я очень люблю и уважаю, за их чуткое отношение, дружбу, терпение и понимание, с которыми они относятся ко мне и к моей работе.

Балашова В.Ю.