Фазовый состав, ориентация и субструктура силицидов, образующихся при конденсации и фотонной обработке пленок Ti и Mo на кремнии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Солдатенко, Сергей Анатольевич

• Солдатенко, Сергей Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Солдатенко, Сергей Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Синтез силицидов Ti и Мо. Основные методы и закономерности формирования силицидных пленок, их субструктура и ориентация. Состояние проблемы

1.1. Методы формирования и исследования пленок силицидов титана и молибдена

1.2. Начальные стадии формирования силицидов Ti и Mo

1.3. Последовательность фаз образующихся при синтезе силицидов в гетеросистемах Ti-Si и Mo-Si

1.4. Полиморфные превращения в пленках дисилицидов Ti и Мо

1.5. Быстрый термический и импульсный фотонный отжиг

1.6. Закономерности ориентированного роста силицидов на Si

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фазовый состав, ориентация и субструктура силицидов, образующихся при конденсации и фотонной обработке пленок Ti и Mo на кремнии»

Актуальность темы: Проблема исследования фазовых, ориентацион-ных и i субструктурных; превращений при синтезе: силицидов; методами конденсации металлов на нагретые подложки; в вакууме и импульсной фотонной обработки (ИФО) пленок Ti и Мо на Si, а также закономерностей сопряжения в гетеросистемах Si - силицид металла сохраняется по ряду обстоятельств.

В i фундаментальном < плане - на момент постановки цели * данного исследования не исследован эффект быстрого отжига излучением ксеноновых ламп в синтезе пленок силицидов Ti и Мо. Кроме того, были достаточно хорошо изучены закономерности, ориентированного > роста t и структура межфазных границ (МГ) в системах силицид-кремний с малым структурным несоответствием (NiSi2-Si, GoSi2-Si, Pc^Si-Si, CrSi2-Si), полученных путем» термического отжига в вакууме пленок металлов на Si. В системах кремний - силицид металла с большим структурным и размерным г несоответствием, например, Si -силицид титана^ закономерности эпитаксиального роста на монокристаллических подложках кремния и структура межфазных границ изучены недостаточно. Большинство исследователей основное внимание уделяли технологическим аспектам синтеза силицидов. Субструктурным исследованиям пленок силицидов не уделялось должного внимания.

В практическом плане — современное развитие микроэлектроники/направлено к повышению степени миниатюризации элементов СБИС. Для систем металлизации эта тенденция означает переход к субмикронным размерам. В этом случае, решение проблемы контактно-металлизационных систем связано с использованием силицидов тугоплавких металлов, которым свойственны высокая термическая и химическая стабильность, низкие значения удельного сопротивления, хорошая г совместимость с базовой МОП и биполярной технологией^ стойкость к электромиграции. Наиболее распространенным способом формирования TiSi2 и MoSi2 является отжиг пленок металлов на подложке Si в вакууме, инертной или восстановительной атмосфере.

Однако высокие температуры формирования. низкоомных слоев дисилици-дов при длительной- термообработке приводят к деградации; контактов на р+-диффузионных областях за счет миграции легирующей примеси в пленку силицида. Таким образом, дальнейшее увеличение степени интеграции СБИС требует разработку новых технологий с применением методов, позволяющих в результате уменьшения времени обработки s свести; к минимуму негативное диффузионное перераспределение примесей s и легирующих добавок, уменьшить структурные нарушения. Уже первые эксперименты показали эффективность метода импульсной фотонной обработки (ИФО) пленок металлов на кремнии излучением ксеноновых ламп:

Поэтому вполне закономерной была постановка исследований ориентации и субструктуры пленок силицидов, синтезированных при конденсации металла в вакууме на поверхность монокристаллического кремния, а также фазовых, ориентационных и субструктурных превращений при фотонной обработке пленок Ti и Мо на Si.

Работа выполнена в региональной научно-исследовательской лаборатории электронной микроскопии и электронографии Воронежского государственного технического университета в соответствии с планом; научно-исследовательских работ ВГТУ по научному направлению "Физика, химия и технология конструкционных и функциональных материалов различного назначения'' по теме "Перспективные тонкопленочные материалы для электронной техники" (№ГР 01960009745), а также в; рамках проекта программы "Фундаментальные исследования высшей школы; в области естественных и гуманитарных наук Университеты России" и РФФИ№01-03-32927 и 02-03-06086.

Цель работы. Установление фазовых, ориентационных: и субструктурных превращений при синтезе силицидов методами конденсации металлов на нагретые подложки в вакууме и ИФО пленок Ti и Мо на Si, а также закономерностей сопряжения в гетеросистемах Si — силицид металла.

Решались следующие задачи:

1. Сравнительные исследования методами просвечивающей электронной микроскопии, дифракции быстрых электронов и электронной оже-спектроскопии фазового и: элементного состава, ориентации и субструктуры пленок, образующихся: в процессе вакуумной конденсации»металлов на поверхности монокристаллического кремния в зависимости от температуры подложки (Тп); при ИФО пленок, металла на поверхности монокристаллического, поликристаллического и аморфного кремния в зависимости от дозы; энергии излучения.

2. Анализ закономерностей сопряжения на: межфазной границе кремний - силициды металлов на основе кристаллогеометрических критериев и исследование структуры межфазных границ:

3. Исследование зависимости удельного сопротивления пленок от дозы энергии излучения.

При выборе объектов исследования исходили:

- из; возможности синтеза силицидов тугоплавких металлов методом конденсации металла в вакууме на нагретую подложку и методом ИФО пленок металла на подложке кремния и их способности к закономерному ориентированному росту на монокристаллическом Si.

- из существующих и потенциальных возможностей практического применения исследуемой группы силицидов в качестве контактно-металлизационных систем? ИС разных поколений.

Методы исследования. Фазовый состав, структуру и ориентацию пленок исследовали на электронных микроскопах ЭМВ-100 АК, ПРЭМ-200 и Philips 420 ST ЕМ с использованием различных методик1, анализ элементного состава образцов по толщине проводили на оже-спектрометре РШ-551.

1 Консультирование по электронно-микроскопическим исследованиям пленок силицидов проводил д.ф.-м.н. Кущев С.Б.

Научная новизна результатов. Установлены закономерные ориента-ционные соотношения в системе (lll)Si»- TiSi2- Для данной системы характерно некогерентное сопряжение на МГ.

В условиях ИФО для пленки TiSi2(C49) на (111 )Si преимущественными являются ориентации с высокой плотностью РСУ (кинетически выгодные)^ а в условиях конденсации ? металла на нагретые подложки - ориентации • с наилучшим согласованием плотноупакованных плоскостей5 (энергетически выгодные).' Полученный результат объясняется тем, что для хорошего согласования плотноупакованных плоскостей; необходима* глубокая релаксация атомной структуры в области МГ, которая i не успевает проходить условиях ИФО, напротив квазиравновесные условия конденсации; металла на нагретые подложки достаточны для ее развития.

Исследована субструктура пленок TiSi2(C54). В кристаллитах выявлены- микродвойниковые прослойки, дефекты упаковки по Шокли и Франку и индивидуальные дислокации;

Установлен размерный эффект полиморфного превращения С49 —»С54.

Показано, что в системах Si - Ti и Si - Mo начало образования силицид-ных фаз на поверхности (111 )Si происходит при меньших величинах плотнол • сти энергии светового потока (Еи) 2 по сравнению с поверхностью (OOl)Si, на моно-Si при меньших Еи, чем на a -Si, что объясняется разной толщиной естественного слоя оксида.

Практическая значимость.

Результаты по формированию однофазных пленок силицидов TiSi2 и MoSi2 методом ИФО на моно-Si и a-Si рекомендованы к использованию при разработке технологического i процесса; создания контактно металлизацион-ных систем СБИС с субмикронными размерами.

2 Здесь и далее Ей - величина плотности поглощенной энергии светового потока.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

- для систем с большим размерным и структурным несоответствием кристаллических решеток пленки и подложки (Si - силициды Ti, Мо) ориентацион-ные соотношения отвечают основным кристаллогеометрическим критериям: наиболее плотные решетки совпадающих узлов на МГ, хорошее согласование плотных плоскостей сопрягающихся кристаллических решеток;

- для ориентированной < кристаллизации TiSi2 на моно-Si характерна множественность неэквивалентных эпитаксиапьных соотношений, что приводит к неоднородности размеров зерен и препятствует получению одноориентационных эпитаксиальных пленок;

- для гетероструктур TiSi2/ Si свойственно некогерентное сопряжение кристаллических решеток;

- с изменением толщины пленки TiSi2, полученной при конденсации металла на нагретые подложки проявляется размерный-эффект полиморфного превращения С49 С54;

- ИФО некогерентным излучением ксеноновых ламп пленок металлов на кремнии ускоряет процесс силицидообразования по сравнению с классической термической обработкой;

- последовательность образования силицидных фаз при ИФО пленок металлов на Si та же, что и при конденсации в вакууме на нагретую подложку;

- начало образования силицидных фаз на поверхности (11 l)Si происходит при меньших Ей по сравнению с поверхностью (OOl)Si; на монокристаллическом кремнии при меньших Ей, чем на a-Si;

- зависимость Rs (Еи) при формировании силицидов методом ИФО имеет немонотонный характер, что отражает стадии диффузионного перемешивания компонентов и последовательность образования силицидных фаз.

Апробация работы. Основные результаты работы и ее научные положения докладывались на следующих конференциях, совещаниях, семинарах: на 1-й Всес. конф. по материаловедению и физико-химическим основам технологий поликремния. Кремний 96 (Москва, 1996г.), на 16-й Рос. конф. по электронной микроскопии (Черноголовка, 1996г.), на конф. "Реализация региональных научно-технич. Программ центрально-черноземного региона'' (Воронеж, ВЕТУ, 1996г.), на 5-й междун. конф."Пленки и покрытия '98" (Санкт-Петербург, 1998г.), на XVII Рос. конф. по электронной микроскопии "ЭМ'98" (Черноголовка, 1998г.), на 2-м Веер. сем. "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж. 1999г.), на 3-м Веер. сем. "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж^ 2000г.), на 12-м международном симп. "Тонкие пленки в микроэлектронике" (МСТПЭ-12 Харьков, Украина, 2001г.), на международной конференции "Single crystal Growth and heat & mass transfer" (Обнинск, 2001г.), на международной конференции "Interfaces in advanced materials (IAM'03)"( Черноголовка, 2003г.), на ежегодных научных конференциях сотрудников, аспирантов и студентов ВГТУ.

Публикации . По теме диссертации опубликовано 16 научных работ

Личный вклад автора. Самостоятельно автором проведены электронно-микроскопические исследования и выполнен анализ фазового состава, субструктуры и ориентации тонких пленок.

Структура работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка цитируемой литературы, содержит страниц 113, рисунков 42, таблиц 9 и 144 цитируемых работ.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Солдатенко, Сергей Анатольевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ;

1. Проведено исследование субструктуры и ориентации пленок TiSi2 и MoSi2, полученных методами вакуумной конденсации: металла на нагретые подложки Si и ИФО пленок металла на Si. Установлено, что поликристаллическая структура пленок силицидов обусловлена многоориентационным характером эпитаксии. Определены основные типы; внутрикристаллитных дефектов: одиночные дислокации, дефекты упаковки и микродвойники. С изменением толщины пленки TiSi2, полученной при конденсации металла на нагретые подложки,. проявляется размерный эффект полиморфного превращения С49 —> С54. Не обнаружено > дислокаций несоответствия: на межфазной; границе ни при каких условиях дифракции. Это свидетельствует о том, что при большом: размерном и структурном * несоответствии решеток силицидов и кремния реализуется некогерентное сопряжение на межфазной границе.

2. Экспериментально впервые выявлены ориентации (2), (3), (4), (6 -9) для TiSi2. Анализ реализующихся ориентационных соотношений показал, что они отвечают критериям: а) наилучшего структурного соответствия (хорошего согласования; плотноупакованных плоскостей через межфазную границу); б) относительно высокой плотности РСУ.

При синтезе силицида TiSi2 методом конденсации металла на- нагретые подложки преимущественными являются ориентации, удовлетворяющие первому критерию. В условиях быстрого синтеза TiSi2 при ИФО и быстрого роста кристаллитов TiSi2(C54) из матричной фазы TiSi2(C49) преимущественно образуются ориентации с относительно высокой плотностью РСУ.

3. Показана эффективность ИФО, проявляющаяся в ускорении процесса силицидообразования. Установлено, что последовательность образования силицидных фаз Ti и Мо при ИФО и конденсации в вакууме на подогреваемую подложку та же, что и при термическом отжиге пленок металлов, сконденсированных при комнатной температуре. Начало образования силицидных фаз на (111 )Si происходит при меньших величинах плотности энергии светового потока (Еи), чем на (OOl)Si; на моно-Si при меньших Еи, чем на a -Si, что объясняется разной толщиной естественного оксида.

4. Характерная зависимость удельного сопротивления обработанных пленок от Еи и сопоставление с данными фазового анализа пленок для различных значений Ей показывают, что реакции предшествует диффузия некоторого количества Si (до 20%) в Ti. Зароет R$ ответственно образование твердого раствора. Снижение Rs с увеличением Еи происходит с началом образования силицида, и наименьшее значение Rs соответствует завершению процесса образования конечной фазы. Характер зависимости Rs от Ей для пленок на моно- и a-Si одинаков, а установленная хорошая корреляция Rs с фазовым составом позволяет использовать ее при отработке оптимальных режимов формирования пленок силицидов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Солдатенко, Сергей Анатольевич, 2004 год

1. Поут Дж. Тонкие пленки взаимная диффузия и реакции/ Дж. Поут, Дж.Мейер М:, 1982 - С. 576.

2. Иевлев В.М. Структура и состав силицидов ? образующихся при фотонном отжиге / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, В.П.Злобин // ФХОМ.- 1986.- № 2.-С. 128-130.

3. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС / Ш.Мыорарка //- М., 1986.- С. 176.

4. Oppolzer Н. Influence of slight deviations from TaSi2 stoichiometry on the high-temperature stability of tantalum silicide / silicon contacts / H.Oppolzer, F.Neppl, ICHieber, V.Huber // J. Vac. Sci. Technol.- 1984.- V.B2(4).- P.630-635. '

5. Beyers R. ТЕМ studies of cosputtered TiSi2 films containing excess silicon / RiBeyers, R.Siclair, M.E.Thomas // Mat. Res. Spoc. Symp. Proc.- 1984;- V.25.-P.601-605.

6. Kemper M.J.H. Crystallization and resistivity of amorphous titanium silicide films deposited by coevaporation / M.J.H.Kemper, P.H.Oosting // J; Appl. Phys. -1982:-V.53> № 9.- P.6214-6219.

7. Gupta A. Exeiiner laser-induced chemical vapor, deposition of titanium silicide 7 A.Gupta, G.A.West, K.W.Beeson // J. Appl. Phys. 1985.- V.58.- №9.-P.3573-3582.

8. Nender C. Selective deposition of Ti: an interface study / C.Nender, S.Berg, B.Gelin, B.Stridh//J. Vac. Sci.Technol.- 1987.- V.A5(4).- P.1703-1707.

9. Вудраф Д. Современные методы исследования поверхности /

10. Д.Вудраф, Т.Делчар //М.: Мир, 1989.- 468 с.

11. Walser R.M. First phase, nucleation in silicon transition metal planar interfaces / RlM. Walser, R. W.Bene//Appl.Phys.Lett.-1976.- V.28.- № 10.- P.624-625.

12. Bene R.W. A kinetic modelffor solid-state silicide nucleation / R. W.Bene //J. Appl.Phys. -1987.- V.61.- № 5.- P.1826-1833.

13. Iwami M. ELS study of Ti-silicide formation on Si(l 11) at room temperature / Miwami, S.Hashimoto, A.Hiraki // Solid State Communications.- 1984.-V.49.- № 5.- P.459-4621

14. Satoko G. Chemisorption and silicide formation processing of transition metals Ti, V, Or, Fe and Ni on Si(lll) / C.Satoko, S.Ohnishi, T.Zeng-yu // Appl. Surf. Scie.- 19881- V.33/34.- P.277-285.

15. Плюснин Н.И1 Атомное перемешивание на границе раздела Si Сг и начальные стадии эпитаксии / Н.И.Плюснин, Н.Г.Галкин, А.Н.Каменев, В.Г.Лившиц, С.А.Лобачев // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1989.- №: 9.- С.55-61.

16. Wallart X. Auger and electron-energy-loss spectroscopy study of interface formation in the Ti-Si system / X.Wallart, J.P.Nys, H.S.Zeng, G.Dalmai, I. Lefebvre, M.Lannoo // Phys. Rev. В.- 1990.- V.41.- №5.- P.3087-3096.

17. Wallart X. Early stages characterization of the, formation of TiSi2 on Si(100) and Si(lll) / X.Wallart, J.P.Nys,, G.Dalmai // Appl. Surf. Scie.- 1989.-V.38.- P.49-56.

18. Vahakangas J. Initial growth of Ti on Si / J.Vahakangas, J.U.Idzerda, E.D.Williams,R:L.Park//Phys. Rev. В.- 1986.-V.33.-№12.-P.8716-8723.

19. Tsong T.T. The early stages of silicide formation on metal and silicon surfaces, time of flight atom-probe studies of atomic structure and' composition / T.T.Tsong, // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 1984.- V.25.- P.363-374.

20. Chopra D.R1 Study of the Ti/Si interface using x-ray photoelectron and Auger electron appearance potential spectroscopies / D.R.Chopra, A.RlChourasia, T.R.Dillinghanv K.L.Peterson, B.Gnade // J. Vac. Sci. Technol.- 1987.- V.A5(4).1. P. 1984-1987.

21. McGinn J.T. Cross-sectional transmission electron microscopy study of the structure of titanium diffusion barriers on (100) silicon / J.T.McGinn,J.-S .Maa, C.J.Buiocchi // Mat. Scie. and Engineering.- 1989.- А П1.- P.177-180;

22. Chen L.J. The applications of transmission electron microscopy to the characterization of metal thin films on silicon / LJ.Chen, W.Lur, JJ.Cheng // Thin Solid Films.- 1990.- V.191.- P.221-237.

23. Зубарев E.H. Электронно-микроскопическое исследование начальных стадий фазообразования на межфазных границах металл / кремний / Е.Н.Зубарев // МСТПЭ-12: Тонкие пленки в электронике.- 2001.- 23-27 апреля.- С. 194.

24. De Nijs J.M.M. The Ti/c-Si solid state reaction П. Additional measurements by means of RBS, XPS and AES / J.M.M.De Nijs, A.VanSilfhout // Appl. Surf. Scie.- 1990.- V.40.- P.349-358;

25. Барабаш O.M. Структура и свойства металлов и сплавов / О.М.Барабаш, Ю.Н.Коваль // Киев: Наукова думка, 1986.- 600 с.

26. Ottaviani G. Metallurgical aspects of the of silicides formation / G.Ottaviani// Thin Solid Films.-1986.- V.140.- P.3-21.

27. Ottaviani G. Silicides formation / G.Ottaviani,.C.Nobili // Thin Solid Films.- 1988.- V.163.-P.111-121. .

28. Hung L.S. Kinetics of TiSi2 formation by thin Ti films on Si / L.S.Hung, J.Gynlai, J.W.Mayer, S.S.Lau, M-A.Nicolet // J. Appl. Phys. -1985.-V.54.- № 9.-P.5076-5080.

29. Nemanich R.J. Initial reactions and silicide formation of titanium on silicon studies by Raman spectroscopy / R.J:Nemanich, R.T.Fulks, B. L.Sstafford, H.A.Vander Plas // J. Vac. Sci. Technol.- 1985.- V.A3(3).- P.938-941.

30. Lakshmikuniar S.T. The growth of titanium silicides in thin film Ti/Si structures / S.T.Lakshmikumar, A.C.Rastogi // J. Vac. Sci. Technol.- 1989.-V.B7(4).- P.604-608.

31. B.М.Коптенко, В.И.Микитенко, В.Н.Полянский, В.Н.Щербин // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1986.- № 6.- С.152-153.

32. Соколов f JI.В: Наблюдение поверхностных: сверхструктур Si n Ge под слоем собственного окисла / ЛЛЗ.Соколов, А.И.Торопов, М.П.Бакланов,

33. C.И.Стенин //Поверзшость. Физика, химия, механика.- 1982,- № 8.- С.9-11.

34. Murarka S.P. Thin film interaction between: titanium and polycrystal-line silicon / S.P.Murarka, D.B.Fraser//J.Appl.Phys.-1980.-V.51 .-№1 .-P.342- 349:

35. Zsoldos E. , X-ray investigation of Ti-Si thin films prepared by solid phase reaction / E.Zsoldos,, G.Peto, V.Schiller, G.Valyi // Thin Solid Films.-1986.-V. 137.-P.243-249;

36. Hsu C.C. Formation of silicides; in the Ti,TiOx/ Si(lll) and Ti/Si02/Si(l 11) system / C.C.Hsu, Jon-Xiang Wang, Shi-Duan Jin, Bau-Qi Li, Ming-Ron Ji, Jian-Hin Wu // J: Vac. Sci. Technol.- 1987.- V.A5(4).-P. 1402-1406.

37. McLachlan D.R: Refractoiy metal silicides / D.R.McLachlan, J.B.Avins // Semiconductor international.- 1984.- № 10.- P.129-138.

38. Болтовец H.C. Силицидообразование в системе вакуумно конден- 'сированный молибден кремний / Н.С.Болтовец, В.А.Кравацкий, Ю.Н.Макагон, С.И.Сидоренко, Н.Н.Яременко // Неорганические материалы.- 1985.- Т.21.- № 2 - G.254-257.

39. Beyers R. Metastable phase formation in titanium silicon thin films / R.Beyers, R.Siclair// Ji Appl: Phys. - 1985 - V.57.- № 12.- P.5240-5245.

40. Houtom van H.J. W. Influence of grain size on the transformation temperature of C49 TiSi2 to C54 / I.J.M;M.Raaijmakers, T.J:M.Menting // J. Appl. Phys. 1987.- V.61.- № 8.- P.3116-3118:

41. Beyers R: Titanium disilicide formation on heavily doped silicon substrates / R.Beyers, D.Goulman, P.Merchant // J; Appl; Phys. 1987.- V.61.- № 8.-P.5110-5115.

42. Ghow T.P. Titanium silicide formation on BF2+ implanted silicon / T.P.Chow, W.Katx, G.Smith//Appl.Phys.Lett.- 1985.-V.46.-№ 1.-P.41-43.

43. Ghow T.P: Titanium silicide formation on boron-implanted silicon / T.P.Chow, W.Katx, R.Goehner, G.Smith // J. Electrochem. Soc.- 1985.-V.46.-№1.- P.1914-1917.

44. Tanaka H. In situ observation of the C49-to-C54 phase transformation in TiSi2 thin films by transmission! electron microscopy / H.Tanaka, N.Hirashita, • R.Sinclair// Japn. J: Appl. Pys.- 1996.- V.35.- Part 21- № 4B;- P.L479-L481.

45. Okihara M. Synthesis; and characterization; of pure C49 TiSi2 / M.Okihara, N.Hirashita, K.Tai, M;Kageyama, Y.Harada, H.Onoda // J.:. Appl: Phys.- 1999.-V.85.-№ 5.-P. 2988-2990;

46. You-Seok S. Retarded C54 transformation and suppressed aglomera-tion by precipitates in TiSi2 films / S.You-Seok, P.D.Gyu, J.Se-Aug, L.Sang-Hyeob, K.Tae-Kyun, Y.In-Seok, K.San-Dong, K.Chung-Tae // J. Appl; Phys.-2000.-V.88.- № 6.- P. 2760-2764.

47. Reader A.H; Stacking faults and precipitates in annealed and. co-sputtered C49 TiSi2 films / A.H.Reader, I.J.Raaijmarkers, HJ.W.van Houtom // Inst. Phys. Gonf. Ser. № 87: Section 7, Microsc. Semicond. Mater. Conf.- !987.

48. Хайбуллин И.Б., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводников, состояние проблемы' и нерешенные вопросы / И.Б.Хайбуллин, Л.С.Смирнов // Физика и< техника полупроводников.- 1985.- Т. 19.- В.4.-С.569-591.

49. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Ж.Панков // -М-Мир, 1973.-456 с.

50. Делоне Н.Б Взаимодействие лазерного излучения с веществом / Н.Б.Делоне // М.: Наука, 1989.-278 с.

51. Claro F. Transient heat transport in solidv / F.Claro, G.D.Mahan // J.Appl.Phys.- 1989.- V.66.- № 9.- P.4213-4217.

52. Gold R.B. Calculation of solid-phase reaction rates induced by a scanning CW- laser / R.B.Goldi J.F.Gibbons // J.Appl.Phys.-1980 V.51.- № 1.- P. 1256-1258.

53. Кияк С.Г. Модификация полупроводников лазерными импульсами миллисекундного диапазона / С.Г.Кияк // Изв. АН СССР.- 1989.- Т.53.- № 3.-сер.Физ.- С.417-422.

54. Маркевич М.И; О возможности закалки пленок алюминия при лазерной обработке//М.И.Маркевич//ФММ.-1985.-Т.60.-№2.-С.21-25.72: Маркевич М.И. О закалочных явлениях в пленках никеля /

55. М.И.Маркевич, С.Г.Розин, А.М.Чапланов // Изв. АН СССР. Сер. Металлы. -1986. -№1.- С. 149-152.

56. Маркевич М.И. Расчет миграции вакансий в тонких пленках никеля* при их неравновесной концентрации / М.И.Маркевич, С.Г.Розин; Э.И.Точицкий, А.М.Чапланов // Металлофизика.-1985.-Т.5.-В:13.-С.109-111.

57. Маркевич М.И; Стимулированная собирательная рекристаллизация в тонких пленках ГЦК-металлов при воздействии импульсного лазерного излучения / М.И.Маркевич // Неорганические материалы.- 2000.- Т.36.-№ 7.- С.825-827.

58. Nanu L. Phosphorus diffusion in silicon during rapid thermal annealing / L.Nanu, G.R.Evans // Semicond.Sci.Thechnol.- 1989.-V.4.- P.711-714.

59. Белявский В.И. Подпороговое дефектоообразование при мощной импульсной обработки кремния / В.И.Белявский, Ю.А.Капустин,

60. B.В.Свиридов // ФТП! 1991. -Т,25. - Вып.7. - С.1204-1208.

61. Лабунов В.А. Формирование силицидов импульсной термообработкой пленочных структур / В.А.Лабунов, В.Е.Борисенко, Д.И.Заровский и др. // ЗЭТ 1985: - №8.(291). - С.27-53.

62. C.W.Wei; J.VanderSpiegel, J.J.Santiago, L.E.Seiberling // Appl.Phys.Lett.-1984.- V.45.- № 5.- P.527-528.

63. Levy D. Rapid thermal annealing and titanium; silicide formation /

64. D.Levy, J.P.Ponpon; A.Grob, J.Grob, R.Stuck // Appl.Phys-1985.-A.38.-P.23-29i

65. Kermani A. Process control of titanium; silicide formation using rapid thermal processing / A.Kermani, T.Debolske, J.Growley, T.Stultz // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.- 1987.- B.21.- P.633-637.

66. Brillson LJ. Titanium silicon and silicon dioxide reactions controlled by low temperature rapid thermal annealing / L.J.Brillson, M.L.Slade, H.W.Richter, H.VanderPlas, R.T.Fulks // J.Vac.Sci.Technol.- 1985.- A.4.- № 3.-P.993-997.

67. Lee H.S. Growth kinetics of Mo, W, Ti and Co silicides formed by Infrared laser heating / H.S.Lee, G.J,Wolga // J. Electrochem. Soc. 1990.- V.137.-№2.-P. 684-690.

68. Ponpon J.P., Saulnier A. Comparison of the growth kinetics of titanium silicide obtained by RTA and furnace annealing / J.P.Ponpon, A.Saulnier // Semi-cond. Sci. Technol: 1989. - V.4. - P.526-528.

69. Rastogi R.S. Molybdenum disilicide formation by ion-beam mixing and rapid thermal annealing of Mo/Si(l 11)7 Thin Solid Films.- 1988:- V. 164.-P.449-454.

70. Ashwini Kumar P.K. TiSi2 formation by rapid thermal processing in a diffusion furnace / P.K.Ashwini Kumar, Vijay Kumar, S.K.Sarkar // J.Vac.Sci.Technol.- 1989.- A.7.- № 3.- P.1488-1491.

71. Saiton S. Single cristalline silicide formation / S.Saiton, H.Ishiwara, T.Asano et al. // Japanese Journal of applied physics. 1981.- V.20.- №9. -P. 1649-1656.

72. Furukawa S. (Invited) Epitaxial growth for intergrated circuits and future devices / S.Furukawa, H.Ishiwara // Japanese Journal of applied physics.-1983.-V.22.- Supplement 22-1 P. 21-27.

73. Poate J.VL Formation of epitaxial silicides and insulators on Si and other semiconductors / J;M.Poate, , J.M.Gibson, D.C.Jacobson, J.M.Phillips // Layered Structure and Interface Kinetics, edl by S.Furukawa -1985.- Tokyo.-P; 149-172.

74. Chen LJ. Lattice imaging of silicide silicon interfaces / L.J.Chen, J.W.Mayer, K.N.Tu, T.Sheng // Thin films and interfaces.-1982.-V. 10.-P. 93-99.

75. Gibson J.M. The effect of nucleation and growth on epitaxy in the

76. CoSi2/Si system. / J.M.Gibson, J.C.Bean, J.M.Poate, R.T.Tung // Thin films and interfaces.- 1982.- V. 10.- P. 101-110.

77. Chang C.S. Partial epitaxial growth of NbSi2 on Si(l ll). / C.S.Chang, J.J.Chu, L.J.Chen // Thin Solid Films. 1988i - V.l61. - P. 263-271.

78. Chang C.S. Partial epitaxial growth of HfSi2 films grown on silicon. / C.S.Chang, C.W.Nieh, L.J.Chen // J. Appl. Phys. 1987., - V.61(6). -P.2393-2395.

79. Wang Li-Ming. Epitaxial growth ofTiSi2 (C49) on (001)Si by rapid thermal annealing. / Li-Ming Wang, Shinn-Tyan Wu. // Jap. J. Appl. Phys. 1997.-V.36.- Pt.l.- №10. P. 6475-6480.

80. Bollmann W. Crystal defects and Crystalline interfaces. / W.Bollmann // Berlin, 1970 - P.244.

81. Zur A. Lattice match: An application to heteroepitaxy. / A.Zur, T.C.McGill//JJ Appl. Phys.- 1984. V.55(2). - P. 378-386.

82. Cherns D. Atomic structure of the NiSi2/(l l l)Si interface / D.Cherns, G.R.Anstis, J.L.Hutchison, J.CH.Spence // Phyl. Mag. A. 1982.- V.46. - №5. - P. 849-862.

83. Morar J.F. Metallic CaSi2 epitaxial films on Si(l 11). / J.F.Morar, M:Wittmer // Phys. Rev. В.- 1988.- V.37.- №5.- P.2618-2621.

84. Pumphrey P.H. A plane matching theory of high angle grain boundary structure. / P.H.Pumphrey // Scr. Met.- 1972.- V.6.- P. 107-114.

85. Бугаков A.B. Энергия и релаксированная структура межфазных границ в металлических системах с ГЦК решеткой: 1. Энергия границ различных ориентаций. / А.В.Бугаков //Поверхность. Физика, химия, механика.1993.-№2.- С. 97-105.

86. Медведцев И.В. Математическая модель процесса выращивания монокристаллов силицидов пленок на кремнии. / И.В.Медведцев, Г.А.Чечно, Н.И.Ходарковский // Вычислительная^ и прикладная математика (Киев).-1989.-№67.- G. 56-611

87. Catana A. Atomic scale study of local TiSi2/Si epitaxies. / A.Catana, P.E.Schmid; M.Heintze, F.Levy// J; Appl. Phys.- 1990. V.67(4). - P.l 820-1825.

88. Chu J.J. Localized epitaxialigrowth of IrSi3 on (111) and (001) silicon. // JJ.Chu, L.J.Chen // J. Appl; Phys.- 1988. V.63(4). - P.l 163-1167.

89. Cheng Н.С. Epitaxial growth of С40 structure silicides on (111 )Si. / H.C.Cheng, W.T.Lin, CJ.Chien, FJ.Shiau, L.J.Chen // Application of surface science 22/23. North-Holland, Amsterdam.- 1985.- P. 512-519.

90. Lin W.T. Localized epitaxial growth of MoSi2 on silicon. / W.T.Lin, L.J.Chen // J. Appl. Phys.- 1986. V.59(5). - P. 1518-1524.

91. Perio A. Growth of MoSi2 with preferential orientation on (100) silicon. / A.Perio J.Torres, G.Bomchil, F.Arnaud d'Avitaya, R.Pantel // Appl. Phys. Lett.-1984.-V.45(8).-P. 857-859.

92. Perio A: Thermal evolution of molybdenum disilicide grown on (100) silicon under ultrahigh vacuum conditions. / A.Perio, J.Torres // J. Appl; Phys.-1986. V.59(8). - P. 2760-2764:

93. Torres J. Growth of thin films of refractory silicides on Si(100) in ultrahigh vacuum. / J.Torres, A.Perio, R.Pantel, J.Campidelli, F.Arnaud d'Avitaya // Thin Solid Films.- 1985.- V.126.- P. 233-239.

94. Magee T.J. Microstructural investigations of refractory metal silicidefilms on silicon / T.J.Magee, G.R.Woolhouse, H.A.Kawayoshi, I.C.Niemeyer,

95. B.Rodrigues, R.D.Ormond // J.Vac.Sci.Technol.- 1984.- B.2.-№4.-P.756-761.

96. Nava F. Impurity effects in molybdenum silicide formation. / F.Nava, G.Majni, P.Gantoni, G.Pignatel, G.Ferla, P.Cappelletti, F;Moiy // Thin Solid Films.- 1982.- V.94.- P. 59-65.

97. Tanaka H. In situ observation of the C49 to G54 phase transformation in TiSi2 thin films bytransmission electron microscopy. / H.Tanaka, N.Hirashita, R.Sinclair // Jap. J. Appl. Phys. 1996.- V.35.- Pt.2.- №4B. - P. L479-481.

98. Nipoti R. On the epitaxial relationships of TiSi2 on silicon. / R.Nipoti, A.Armigliato // Jap. J. Appl; Phys. 1985.- V.24:- №11. - P. 1421-1424.

99. Wu I.C. Local epitaxy of TiSi2 on (11 l)Si: effect due to rapid thermal annealing and to the annealing atmosphere. / I.C.Wu, J.J.Chu, L.J.Chen // J. Appl. Phys.- 1986. V.60(9). - P. 3172-3175;

100. ChuJJ. Transmission microscope study of the growth kinetics of TiSi2 epitaxy on (11 l)Si: / JJ.Chu, I.C.Wu, LJ.Chen // J. Appl. Phys.- 1987. V.61(2). -P. 549-551.

101. Derrien J. Thin metallic silicide films epitaxially grown on Si(l ll) and their role in Si-metal-Si devices. / J.Derrien, F.Arnaud d'Avitaya // J. Vac. Sci. Technol.- 1987.- V.A5(4).- P. 2111-2120.

102. Lewis B. Physical processes in epitaxial growth. / B.Lewis // Thin Solid Films.- 1971.-V.7.-P. 179-217.

103. Thompson C.V. Epitaxial; grain; growth in' thin? metal films. /

104. C.V.Thompson, J.Floro, H.I.Smith // J.Appl. Phys.- 1990. V.67(9). -P. 4099-4104.

105. Powder Diffraction File,. Alphabetical Index Inorganic Compounds, 1977, JCPDS, Pensilvania 19081, U.S.A.

106. Косевич B.M. Структура межкристаллитных и межфазных границ. / В.М.Косевич, В.М.Иевлев, Л.С.Палатник, А.И.Федоренко // М., "Металлургия" 1980.-С.256.

107. Бугаков А.В. Энергия и релаксированная атомная структура межфазных границ в. металлических системах с ГЦК решеткой. / А.В.Бугаков, В.М.Иевлев, Б.Н.Ирхин // Поверхность. Физика, химия, механика, 1993j № 2, с. 97-105.

108. Иевлев В.М; Образование силицида TiSi2 при вакуумной конденсации металла на кремнии / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко, В.Ю.Балашова, Е.К.Белоногов // Вестник, ВРТУ, 1996, сер. Материаловедение, вып.1.1, с.155-157.

109. Ievlev V.M. Orientation and substructure of TiSi2 films on Si(ll l) / V.M.Ievlev, S.B.Kushev, S.A.Soldatenko // Functional materials , v.6, N5, 1999; p.920-925.

110. Иевлев В.М. Субструктура межфазных .границ кремний силицид металла / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, В.Ю.Балашова; С.А.Солдатенко1 , АВ.Бугаков,,И.Г.Руднева // Тез.док. XVII Рос.Конф. по электронной микроскопии ЭМ'98 1998, Черноголовка, с.77-78.

111. B.Н.Сарыкалин / ФХОМ, 1997, N4, с.62-67.

112. Иевлев В.М. Локальная эпитаксия и субструктура пленок: TiSi2 на: Si / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, С. А;Солдатенко // Тез. Док. 16 Рос. конф. по г электронной микроскопии. Черноголовка, 1996, с. 148.

113. Иевлев В .М. Ориентированное образование силицидов в системе Ti/Si(l 11)/ В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко // Тез.док. 2 Веер. Сем. Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении. Воронеж. 1999 .с. 165-167.

114. Кущев С.Б. Образование силицидов молибдена' при; вакуумной конденсации металла на кремнии / С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко, И.Г.Руднева, Е.К. Белоногов // Вестник, ВГТУ, 1997, сер. Материаловедение, вып. 1.2, с.33-35.