Молекулярно-динамическое исследование структурных и субструктурных превращений в пленочных гетеросистемах Cu/(001)Pd, Ni(001)Pd, Pd/(001)Cu и Pd/(001)Ni тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Дмитриев, Алексей Анатольевич

• Дмитриев, Алексей Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Дмитриев, Алексей Анатольевич

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

ГЛАВА 1 ТОНКИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ.

ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).

1.1 Методы получения тонких пленок.

1.2 Процессы испарения и конденсации.

1.3 Механизмы роста пленок.

1.4 Структурные и субструктурные превращения при росте пленок в системах с сильным взаимодействием на межфазной границе.

1.4.1 Основные положения теории

Франка и ван дер Мерве.

1.4.2 Структура псевдоморфного слоя.

1.4.3 Критическая толщина псевдоморфного слоя.

1.4.4 Механизм релаксации упругих деформаций псевдоморфного слоя.

1.5 Критерии ориентированной кристаллизации пленок.

1.5.1 Кристаллогеометрические критерии ориентированной кристаллизации.

1.5.2 Размерный эффект, обусловленный минимизацией энергии межфазной границы.

1.6 Дефекты кристаллической структуры пленки.

1.7 Постановка задач.

ГЛАВА 2 МЕТОДИКА КОМПЬЮТЕРНОГО ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Моделируемые системы.

2.2 Межатомное взаимодействие.

2.3 Расчетные схемы.

2.3.1 Алгоритм метода молекулярной динамики.

2.3.2 Алгоритм метода статической релаксации.

2.4 Расчет основных характеристик моделей.

2.4.1 Измерение термодинамических величин.

2.4.2 Структурные функции.

2.4.3. Многогранники Вороного.

2.4.4 Угловые корреляционные функции.

2.5. Периодические граничные условия.

ГЛАВА 3 СТРУКТУРНЫЕ И ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В

АМОРФНОЙ ПЛЕНКЕ МЕДИ ПРИ СВЕРХБЫСТРОМ НАГРЕВЕ.

3.1 Разработка модели межатомного взаимодействия в меди на основе метода погруженного атома.

3.2 Построение молекулярно-динамической модели меди.

3.3 Результаты молекулярно-динамического моделирования кристаллизации и плавления меди.

ГЛАВА 4 СТРУКТУРНЫЕ И СУБСТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ

В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СИСТЕМАХ Cu-Pd И Ni-Pd.

4.1 Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок Си на (001)Pd, Ni на (001)Pd,

Pd на (001)Си и Pd на (001)Ni в условиях изохронного отжига.

4.1.1 Построение компьютерной модели.

4.1.2 Влияние величины и знака размерного несоответствия на процесс кристаллизации пленок из аморфного состояния.

4.1.3 Структура пленок после ориентированной кристаллизации.

4.1.4 Механизмы компенсации размерного несоответствия в исследуемых пленках.

4.1.5 Эволюция структуры пленок в процессе отжига.

4.2 Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации пленок Си и Ni на (OOl)Pd в условиях послойного роста.

4.2.1 Построение модели.

4.2.2 Эволюция структуры пленок Си и Ni на (OOl)Pd при послойном росте.

4.3 Структурная самоорганизация в металлической гетеросистеме кристалл - монослойная пленка.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Молекулярно-динамическое исследование структурных и субструктурных превращений в пленочных гетеросистемах Cu/(001)Pd, Ni(001)Pd, Pd/(001)Cu и Pd/(001)Ni»

Актуальность темы. Создание с использованием вакуумных технологий короткопериодных многослойных металлических эпитаксиальных гетероструктур позволяет реализовать в них размерный эффект многих физических свойств. В то же время, анализ возможных вариантов металлических пар показывает, что в структурном аспекте проблема очень многогранна: необходим учет структурного и размерного несоответствия исходных кристаллических решеток фаз, характера диаграммы состояний данной системы и её возможной размерной зависимости, механизма взаимного роста компонентов гетероструктуры, параметров процесса конденсации и др.

С учётом только размерного несоответствия следует ожидать высокую чувствительность структуры и субструктуры растущих плёнок, характера сопряжения и, соответственно, структуры межфазных границ к его величине и знаку. Структурное и размерное несоответствие лежит в основе формирования дислокационной структуры как на межфазной границе, так и в объеме пленки.

Большинство используемых методов исследования закономерностей роста и структуры многослойных систем при всей своей высокой интегральной (дифракционные) или локальной (микроскопические) разрешающей способности дают информацию о структурной организации системы, распределении дефектов на определенных этапах ее эволюции в реальном масштабе времени. В то же время они не позволяют проследить динамику структурных и субструктурных превращений на этом уровне, непосредственно в процессе ориентированной кристаллизации. Если учесть, что времена термоактивационных процессов перестройки структуры простираются вплоть до интервалов Ю"10-10"12с, то получаемая инструментальными методами информация (рентгенограммы, электронограммы, микрофотографии и др.) носит усредненный характер по активационным процессам, находящимся за пределами возможностей их временного разрешения данными методами. Отсутствие информации о локальных (атомных) путях ее перестройки, как правило, восполняется логически обоснованными предположениями о путях ее эволюции, проверить которые не представляется возможным. Существенный прогресс в раскрытии атомных механизмов перестройки структуры может быть достигнут с использованием вычислительной техники, позволяющей перейти к непосредственному моделированию систем, состоящих из многих частиц, и, как следствие, детальному изучению их локальных атомных конфигураций.

Пространственно-временная локализация атомов в компьютерном эксперименте позволяет проследить в деталях за всеми процессами перестройки структуры на всех этапах ее эволюции.

Работа выполнена в рамках проекта Б 0101 Федеральной целевой программы «Интеграция науки высшего образования России на 2002-2006 года».

Цель работы. Установление методом молекулярно-динамического моделирования закономерностей структурных и субструктурных превращений при ориентированной кристаллизации аморфных пленок металла на поверхности монокристалла в условиях изохронного отжига (системы Cu/(001)Pd, Ni/(001 )Pd, Pd/(001)Cu, Pd/(001)Ni) и послойного роста (системы Cu/(001)Pd nNi/(001)Pd).

Для этого решали следующие задачи:

- построение в рамках метода погруженного атома модели межатомного взаимодействия в Си, адекватно описывающей структуру и физические свойства в жидком и кристаллическом состояниях. Создание моделей пленочных гетеросистем Ni и Си на (001)Pd, Pd на (001)Си и (001)Ni;

- молекулярно-динамическое моделирование ориентированной кристаллизации аморфных пленок Си и Ni на (OOl)Pd, Pd на (OOl)Cu и (OOl)Ni в условиях изохронного отжига, пленок Си и Ni на (OOl)Pd в условиях послойного роста;

- исследование зависимости процесса кристаллизации и субструктуры пленок от величины и знака несоответствия;

- исследование температурной и размерной зависимости субструктуры пленок;

- исследование зависимости структурной самоорганизации при отжиге монослойной пленки от знака несоответствия.

Научная новизна. Методом МДМ изучены структура и субструктура пленок Cu/(001)Pd, Ni/(001)Pd, Pd/(001)Cu и Pd/(001)Ni при ориентированной кристаллизации.

Установлена зависимость температуры кристаллизации пленок от величины и знака размерного несоответствия. Показано, что температура кристаллизации выше для систем с большей величиной и положительным знаком размерного несоответствия.

Изучены на атомном уровне процессы формирования дефектной субструктуры при ориентированной кристаллизации аморфных пленок в условиях изохронного отжига и послойного роста. Установлены и изучены закономерности перестройки субструктуры пленок Cu/(001)Pd и Ni/(001)Pd в зависимости от температуры системы и толщины пленки. При повышении температуры системы и увеличении толщины пленки плотность вершинных дислокаций на межфазной границе уменьшается, а плотность частичных дислокаций Шокли увеличивается.

В пленке Pd на (OOl)Cu в одном из двух ортогональных плотноупакованных направлений размерное несоответствие компенсируется образованием доменной субструктуры, представляющей собой чередование областей с плотной упаковкой и упаковкой (001), в другом - образованием на межфазной границе участков с увеличенным вдоль этого направления расстоянием между атомами.

Показана возможность образования псевдоморфных пленок в гетеросистемах с большим размерным несоответствием отрицательного знака. Образование двух смежных монослоев твердых растворов в результате структурно-морфологических превращений и диффузионного обмена местами атомов подложки и пленки обеспечивает возможность их когерентного сопряжения посредством упругой деформации. Основные положения выносимые на защиту:

- в условиях изохронного отжига наряду с ГЦК структурой параллельной ориентации в пленке Ni на (OOl)Pd образуется ГПУ структура в ориентации (11.0),[00.1] ГПУ-Ni || (001),[100] ГЦК-Pd, в пленке Pd на (001)Си - ГЦК структура в ориентации (11 l)Pd||(001)Cu, в пленке Pd на (001)Ni - ГПУ структура в ориентации (0001),[I2l0] ГПУ-Pd || (001),[110] ГЦК-Ni;

-температура кристаллизации аморфных пленок на монокристаллических подложках (001) выше для систем с большим размерным несоответствием положительного знака;

-увеличение температуры и толщины пленок Си и Ni на (001)Pd приводит к росту плотности частичных дислокаций Шокли за счет уменьшения плотности образованных ими на межфазной границе вершинных дислокаций;

-в процессе кристаллизации аморфной пленки Pd на (001)Си размерное несоответствие в одном из двух эквивалентных ортогональных плотноупакованных направлений <110> компенсируется образованием доменной субструктуры представляющей собой чередование областей с плотной упаковкой и упаковкой (001), в другом - образованием на межфазной границе участков с увеличенным вдоль этого направления расстоянием между атомами;

-частичная компенсация размерного несоответствия в системе монослойная пленка Ni на (OOl)Pd происходит за счет образования переходного слоя из двух монослоев твердого раствора замещения.

Практическая ценность работы. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании многослойных пленочных гетероструктур в системах с относительно большим размерным несоответствием кристаллических решеток.

Апробация работы. Основные результаты диссертации были представлены на следующих симпозиумах, конференциях и семинарах: Международной школе-семинаре «Применение симметрии и косимметрии в теории бифуркаций и фазовых переходов» (Сочи, 2001), Международном симпозиуме «Порядок, беспорядок и свойства оксидов» (Сочи, 2001), Fourth International Conference "Single crystal growth and heat & mass transfer" (Obninsk, 2001), школе-семинаре «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения» (Дубна, 2001), VII Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Ст.-Петербург, 2001), X Международной конференции «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах» (Тула, 2001), X Российской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов» (Екатеринбург, 2001), Международной школе-семинаре «Нелинейные процессы в дизайне материалов» (Воронеж, 2002), IV Международном семинаре «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Астрахань, 2002), X национальной конференции по росту кристаллов НКРК-2002 (Москва, 2002), Международной конференции «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов» (Воронеж, 2003), Харьковской научной ассамблее (Харьков, 2003), Международной школе-семинаре «Современные проблемы механики и прикладной математики» (Воронеж, 2004).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 10 статей и 10 тезисов докладов на научных конференциях.

Личный вклад автора. Автором самостоятельно получены, обработаны и проанализированы все основные результаты, выносимые на защиту. Постановка задач, определение направлений исследований, обсуждение результатов, подготовка работ к печати и формулировка выводов работы осуществлялось совместно с научным руководителем доктором физ.-мат. наук, профессором А.Т. Косиловым. Консультирование по методам компьютерного эксперимента осуществлял кандидат физ.-мат. наук А.В Евтеев.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Работа содержит 149 страниц, включая 71 рисунок и библиографию из 160 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Дмитриев, Алексей Анатольевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В рамках метода погруженного атома построены молекулярно-дннамические модели аморфных и кристаллических пленок Си, Cu/Pd(001), Ni/Pd(001), Pd/Cu(001) и Pd/Ni(001), которые с высокой степенью достоверности описывают их структурную организацию (тип решетки и ее параметры), физические свойства (модули упругости, температуры плавления, энергию сублимации, и др.), структурные и фазовые превращения (структурную релаксацию, кристаллизацию и плавление и др.), дефектообразование при кристаллизации как результат размерного несоответствия (дислокации на межфазной границе, дефекты упаковки, вакансии) и когерентное сопряжение фаз на границе раздела.

1. Аморфные пленки Си и Ni на (OOl)Pd, Pd на (OOl)Cu и Pd на (OOl)Ni нано-метровой толщины кристаллизуются с образованием ГЦК структуры в параллельной ориентации. В пленке Ni на (OOl)Pd выявлены небольшие участки ГПУ структуры в ориентации (11.0), [00.1 ]ГПУ-№ || (001),[100]njK-Pd, неустойчивые к последующему отжигу; в пленке Pd на Си(001) - ГЦК структура ориентации (11 l)Pd || (001)Си (содержит 40% атомов); в пленке Pd на (001)Ni - ГПУ структура ориентации (0001),[l2T0]rny-Pd || (001),[110]ГЦК-№ (содержит более 80% атомов).

2. Установлено, что при ориентированной кристаллизации в условиях изохронного отжига и послойного роста пленок Си на (001)Pd (/^-0.071) и Ni на (001)Pd (/^-0.095) в параллельной ориентации размерное несоответствие более чем на 60% компенсируется образованием на межфазной границе сетки из вершинных дислокаций и частичных дислокаций Шокли. Самоорганизация системы в процессе нагрева и послойного роста сопровождав перераспределением дефектов, в результате чего плотность вершинных дислокаций на межфазной границе уменьшалась, а плотность частичных дислокаций Шокли увеличивалась. В пленке Pd на (OOl)Cu в одном из двух ортогональных плотноупакованных направлений размерное несоответствие компенсируется образованием доменной субструктуры, представляющей собой чередование областей с плотной упаковкой и упаковкой (001), в другом - образованием на межфазной границе участков с увеличенным вдоль этого направления расстоянием между атомами.

3. Установлено, что для заданных параметров процесса субструктура пленок в процессе ориентированной кристаллизации развивается, начиная с первого слоя.

4. Установлена зависимость температуры кристаллизации аморфной пленки от величины и знака размерного несоответствия: при увеличении несоответствия и при переходе от деформации пленки на растяжение (/о<0) к деформации на сжатие (/о>0) температура кристаллизации увеличивается.

5. В результате структурно-морфологических превращений и диффузионного обмена местами атомов Ni и Pd в системе Ni на (001)Pd формируется гетероструктура: (001) Pd - монослой твердого раствора 75% Ni - 25% Pd - монослой твердого раствора 79% Pd - 21% Ni. Образование двух смежных монослоев твердых растворов обеспечивает возможность их когерентного сопряжения посредством упругой деформации и объясняет псевдоморфизм пленок субнанометровой толщины при большом размерном несоответствии компонентов исходной гетероструктуры.

В заключении хочется выразить искреннюю признательность и глубокую благодарность своему научному руководителю заведующему кафедрой Материаловедения и физики металлов Воронежского государственного технического университета Косилову Александру Тимофеевичу, членукорреспонденту РАН Иевлеву Валентину Михайловичу за обсуждение проблемы субструктуры тонких пленок и научному консультанту Евтееву Александру Викторовичу за помощь и постоянную поддержку в работе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Дмитриев, Алексей Анатольевич, 2004 год

1. Хейденрайх Р. Основы просвечивающей электронной микроскопии. -М.: Мир, 1960.-348 с.

2. Черняев В.Н. Технология интегральных микросхем. -М.: Энергия, 1978. — 376 с.

3. Хирш П. Электронная микроскопия тонких кристаллов. -М.: Мир, 1968. -274 с.

4. Дорфман В.Ф. Микрометаллургия в микроэлектроннике. -М.: Металлургия, 1978. -272 с.

5. Осипов К.А., Фолманис Г.Э. Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков. -М.: Наука, 1973. -87 с.

6. Хирс Дж.П., Моазед К.Л. Образование зародышей при кристаллизации тонких пленок // Физика тонких пленок. -М.: Мир, 1970. -С. 123-166.

7. Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. -М.: Наука, 1971. — 480 с.

8. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. -М.: Наука, 1972. -320 с.

9. Volmer М., Weber A. Nuclei formation in supersaturated states // Z. Phys. Chem. -1926. -Vol.119. -P. 277-301.

10. Walton D., Rhodin T. N., Rollins R. W. Nucleation of Silver on Sodium Chloride // J. Chem. Phys. -1963. -Vol.38. -P.2698-2702.1 l.In-situ ТЕМ Studies of Palladium on MgO / K. Heinemann, T. Osaka, H. Poppa et al. // J. Catal. -1983. -Vol.83. -P.61-65.

11. Friesen C., Seel S. C., Thompson С. V. Reversible stress changes at all stages of Volmer-Weber film growth // J. Appl. Phys. -2004. -Vol.95. -№3. -P.l011-1020.

12. Heteroepitaxial growth of InAs on Si: The new type of quantum dots / G.E. Girlin, N.K. Polyakov, V.N. Petrov et al. // Mater. Phys. Mech. -2000. -Vol.1. -P.l 5-19.

13. Surface phonon observed in GaAs wire crystals grown on porous Si / S.D. da Silva, J.C. Galzerani, D.I. Lubyshev et al. // J. Phys.: Condens Mater. -1998. -Vol.10. -P.9687-9690.

14. Van der Merwe J.H., Frank F.C. Misfitting monolayers // Proc. Phys. Soc. -1949. -Vol.62A. -№5. -P.315-316.

15. Frank F.C., van der Merwe J.H. One dimensional dislocations. Static theory // Proc.Roy. Soc. -1949. -Vol.l98A. -№1053. -P.205-216.

16. Ван дер Мерве Дж. Несоответствие кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложкой // Монокристаллические пленки. -М.:Мир, 1966. -С. 172-201.

17. Stranski I.N., Kr'stanov L. Theory of orientation separation of ionic crystals // Sitzber. Akad. Wiss. Wien. Math. Naturw. -1938. -Vol.146. -P.797-810.

18. Eaglesham D.J., Cerullo M. Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si (100) //Phys. Rev. Lett. -1990. -Vol.64. -№16.-P. 1943-1946.

19. Kinetic pathway in Stranski-Krastanow growth of Ge on Si(001) / Y.W Mo., D.E. Savage, B.S. Swartzentrruber et al. // Phys. Rev. Lett. -1990. -Vol.65. -№8.-P. 1020-1023.

20. Stranski-Krastanow growth of InSb, GaGb and AlSb on GaAs: structure of the wetting layers / B.R. Bennet, B.V. Shanabrook, P.M. Thibado et al. // J. Ciyst. Grow. -1997. -Vol.175. -P.888-893.

21. Electronic surface structure of n-ML Ag/Cu(l 11) and Cs/w-ML Ag/Cu(l 11) as investigated by 2PPE and STS / M. Wessendorf, C. Wiemann, M. Bauer et al. // Apple. Phys. -2004. -Vol.78A. -P. 183-188.

22. Структура межкристаллитных и межфазных границ / В.М. Косевич, В.М. Иевлев, JI.C. Палатник и др. -М.: Металлургия, 1980. -256 с.

23. Jesser W.A., van der Merwe J.H. The prediction of critical misfit and thickness in epitaxy // Dislocations in Solids Ed. by F.R.N. Nabarro. -Amsterdam: El-sivier Science Publishers, 1989. -Vol. 8. -P.421-460.

24. Finch G.I., Quarrell A.G. Crystal structure and orientation in zinc-oxide films // Proc. Phys. Soc. -1934. -Vol.46. -P. 148-162.

25. Иевлев B.M., Бугаков A.B., Трофимов В.И. Рост и субструктура конденсированных пленок. -Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2000. -386 с.

26. Epitaxial growth of body-centered-tetragonal copper / H. Li, S.C. Wu, D. Tian et al. // Phys. Rev. -1989. -Vol.40B. -№8. -P.5841-5844.

27. The growth mode of Cu overlayers on Pd(100) / H. Asonen, C. Barnes, A.Salocatve et al. // Surf. Sci. -1985. -Vol.22/23. -P.556-564.

28. Epitaxial growth of a metastable modification of copper with body-centred-cubic structure / Z.Q. Wang, S.H. Lu, Y.S. Li et al. // Phys. Rev. -1987. -Vol.35B. -P.9322-9325.

29. Large strains in the epitaxy of Cu on Pt(001) / Y.S. Li, J. Quinn, H. Li et al. // Phys. Rev. -1991. -Vol.44B. -№15. -P.8261-8266.

30. Epitaxial growth of metastable Pd(001) on bcc-Fe(OOl) / B. Roos, A. Frank, S.J. Demokritov et al. // J. Magn. and Magn. Mater. -1999. -Vol. 198/199. -P.725-727.

31. Reshoft K., Jensen C., Kohler U. Atomistics of the epitaxial growth of Cu on W(110)// Surf. Sci. -1999. -Vol. 421. -P.320-336.

32. Growth of hep Cu on W(100) / H. Wormeester, M.E. Kiene, E. Huger et al. // Surf. Sci. -1997. -Vol.377/379. -P.988-991.

33. Marcus P.M. Ultrathin pseudomorfic films: structure determination and strain analysis // Surf. Rev. Lett. -1996. -Vol.3. -P. 1285-1289.

34. Gidley D. W. Position Tunneling and Emission from Pseudomorphically Growth Ni Films on Cu Substrates // Phys. Rev. Letters. -1989. -Vol.62. -P.811-814.

35. Epitaxial growth of gamma-Fe on Ni(001) / S.H. Lu, Z.Q. Wang, D. Tian et al. // Surf. Sci. -1989. -Vol.221. -P.35-38.

36. Epitaxial growth of ultrathin Fe films on Ni(001): a structural study / P. Luches, G.C. Gazzadi, A. Bona et al. // Surf. Sci. -1999. -Vol.419. -P.207-215.

37. Non-coherent growth patches in pseudomorphic films: Unusual strain relief in electrodeposited Co on Cu(OOl) / W. Schindler, Th. Koop, A. Kazimirov et al. // Surf. Sci. Lett. -2000. -Vol.465. -P.783-788.

38. De la Figuera J. Scanning-tunneling-microcopy study of the growth of cobalt on Cu(l 11) // Phys. Rev. -1993. -Vol.47B. -P. 13043-13046.

39. Lee K.H., Hong S.I. Interfasial and twin boundary structures of nanostructured Cu-Ag filamentary composites // J. Mater. Res. -2003. -Vol.18. -№9. -P.2194-2202.

40. Competition between strain and interface energy during epitaxial grain growth in Ag films on Ni(001) / J.A. Floro, C.V. Thompson, R. Carel, et al. // J. Mater. Res. -1996. -Vol.9. -№9. -P.2411-2417.

41. Мильдивский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. -М.: Металлургия, 1985. -160 с.

42. Van der Merwe J.H. Misfit dislocation generation in epitaxial layers // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. -1991. -Vol.17. -№3. -P. 187-209.

43. Van der Merwe J.H. Strain relaxation in epitaxial overlayers // J. Electron. Maters. -1991. -Vol.20. -№10. -P.793-803.

44. Freund L.B. Dislocation mechanisms of relaxation in strained epitaxial films // MRS Bulletin. -1992. -Vol.17. №7. -P.52-60.

45. Jain S.C., Harker A.H., Cowley R.A. Misfit strain and misfit dislocations in lattice mismatched epitaxial layers and other systems // Philos. Mag. -1997. -Vol.75A. -№6. -P.1461-1515.

46. Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. -Киев.: Наукова думка, 1983. —304 с.

47. Tonner В. P., Han Z.L., Zhang J. Structure of Co films grown on Cu(l 11) studied by photoelectron diffraction // Phys. Rev. -1993. -Vol.47B. -P.9723-9731.

48. Growth, structure and magnetic properties of Co ultrathin films on Cu(l 11) by pulsed laser deposition / M. Zheng, J. Shen, J. Barthel et al. // J. Phys.: Con-dens. Matter. -2000. -Vol.12. -P.783-794.

49. X-ray study of strains and dislocation density in epitaxial Cu/Ni/Cu/Si(001) films / К. Ha, M. Ciria, R.C. CTHandley et al. // Phys. Rev. -1992. -V0I.6OB. -№19. -P.13780-13785.

50. Macur J.E., Vook R.W. Initial epitaxial growth of (111) Au-(lll)Cu and (11 l)Cu-(l 1 l)Au // Thin Solid Films. -1980. -Vol.66. -№3. -P.371-379.

51. Палатник Jl.C., Папиров И.И. Ориентированная кристаллизация. — М.-Металлургия, 1964. -408 с.

52. Barbier Н., Renaud G., Robach О. Growth annealing and oxidation of the Ni/Mg0(001) interface studied by grazing incidence X-ray scattering // J. Appl. Phys. -1998. -Vol.84. -№.8. -P.4259-4267.

53. Static Magnetic Hyper fine Fields in Magnetically Polarized Pd / H.H. Bertschat, H.H. Blaschen, A.T. Cranzer et al. // Phys. Rev. Lett. -1998. -Vol.80. -№12. -P.2721-2724.

54. Tochihara H., Mizuno S. Composite surface structures formed by restructuring type adsorption of alkali-metals on fee metals // Progress in Surface Science. -1998.-Vol.58. -№1. -P.l-74.

55. Markov I. Theory and experiments in epitaxial-growth // Mat. Chem. Pys. -1983.-Vol.9. -№1. -P.93-116.

56. Low-energy electron diffraction and photoemission study of epitaxial films of Cu on Ag(001) / H. Li, D. Tian, J. Quinn et al. // Phys. Rev. -1991. -Vol.57B. -P.6342-6345.

57. Voigtlander B. Epitaxial grown thin magnetic cobalt films on Au(l 11) studied by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. -1991. -Vol.44B. -№18. -P.10354-10357.

58. Structural analyses of Fe/Ni(001) films by photoelectron diffraction / G.C. Gaz-zadi, P. Luches, A. Bona et al. // Phys. Rev. -2000. -V0I.6IB. -№3. -P.2246-2253.

59. Morphology and magnetism of ultrathin Fe films on Pd(001) / X.F. Jin, J. Bar-thel, J. Shen et al. // Phys. Rev. -1999. -Vol.69B. -№16. -P.l 1809-11812.

60. Structure and magnetism of pulsed-laser-deposited ultrathin films of Fe on Cu(001) / H. Jenniches, J. Shen, C.V. Mohan et al. // Phys. Rev. -1999. -Vol.59B.-P.l 196-1208.

61. Nyberg G. L., Kief M. Т., Egelhoff W. F. Spot-profile-analyzing LEED study of the epitaxial growth of Fe, Co, and Cu on Cu(100) // Phys. Rev. -1993. -Vol.48B. -P.14509-14519.

62. Growth of metastable fee Co on Ni(001) / S.A. Chambers, S.B. Anderson, H.W. Chen et al. // Phys. Rev. -1987. -Vol.35B. -P.2592-2597.

63. Silver electrodeposition on Au(001) structural aspects and mechanism / S.G. Garcia, D. Salinas, C. Mayer et al. // Surf. Sci. -1994. -Vol.316. -№1. -P.l43-156.

64. Adli A. Saleh, V. Shutthanandan, R.S. Smith Growth of thin Ti films on Al(l 10) surface // J. Vac. Technol. -1993. -Vol.l 1 A. -№4. -P. 1982-1987.

65. Aristov V. Yu., Bolotin I. L., Grazhulis V. A Detection of a new modification of Ag in the system InSb(l 10)+Ag // JETP Letters. -1987. -Vol.45. -P.62-65.

66. Prinz G. A. Stabilization of bcc Co via Epitaxial Growth on GaAs // Phys. Rev. Lett. -1985. -Vol.54. -P. 1051-1054.

67. Иевлев B.M., Трусов Л.И., Иевлев В.П. Фазовый размерный эффект в эпи-таксиальных пленках никеля // Изв. АН СССР. Серия физическая. -1984. -Т.48. -№9. -С.1725-1728.

68. Luedtke W.D., Landman U. Metal-on-metal thin-film growth-Au/Ni(001) and Ni/Au(001) // Phys. Rev. -1991. -Vol.44B. -№11. -P.5970-5972.

69. Jacobs M.H., Pashley D.W., Stowell M.J. The formation of imperfections in epitaxial gold films // Phil. Mag. -1966. -Vol.13. -№121. -P. 129-156.

70. Мэтьюз Дж. У. Монокристаллические пленки, полученные испарением в вакууме // Физика тонких пленок. -М.: Мир, 1970. -С. 167-227.

71. Иевлев В.М., Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982. -248 с.

72. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. -М.: Мир, 1985. -352 с.

73. Climb and glide of а/3<111> dislocations in aluminum E=3 boundary / D.L. Medlin, C.B. Carter, J.E. Angelo et al. // Phil. Mag. -1997. -Vol.75A. -№3. -P.733-747.

74. Kinetic phase field parameters for the Cu-Ni system derived from atomistic Computations / J. J. Hoyt, B. Sadigh, M. Asta et al. // Acta Mat. -1999. -Vol.47.-P.3181-3187.

75. Asta M., Hoyt J. J. Thermodynamic properties of coherent interfaces in FCC-based Ag-Al alloys: a first-principles study // Acta Mat. -2000. -Vol.48. -P.1089-1096.

76. Brownian motion of dislocations in thin films / A.K. Schmid, N.C. Bartelt, J.C. Hamilton et al. // Phys. Rev. Lett. -1997. -Vol.78. -P.3507-3511.

77. Scaling of misorientation angle distributions / D.A. Hughes, D.C. Chrzan, Q. Liu et al. // Phys. Rev. Lett. -1998. -Vol.81. -P.4664-4670.

78. Surface structure and void formation in thin film growth: a Monte Carlo simulation / Y. Kaneko, Y. Hiwatari, K. Ohara et al. // Prog. Theor. Phy. Suppl. -2000.-№.138.-P. 126-127.

79. Yu J., Amar J. G., Bogicevic A. First-principles calculations of steering forces in epitaxial growth // Phys. Rev. -2004. -Vol.69B. -P.l 1340-11346.

80. Amar. J.G., Family F. Transitions in critical size in metal (100) and metal (111) homoepitaxy // Surf. Sci. -1997. -Vol. 382. -P. 170-177.

81. Gilmore С. M. An embedded atom study of the spontaneous formation of misfit dislocations // Phys. Rev. -1989. -Vol.40B. -№9. -P.6402-6404.

82. An Embedded atom analysis of Au clusters on a Ni surface / С. M. Gilmore, J. A. Sprague, J. M. Eridon et al. // Surf. Sci. -1989. -Vol.218. -P.26-36.

83. Rupp P., Gilmore С. M. An embedded atom analysis of Au and Pt substitutional atoms in Ni // J.Mater. Res. -1989. -Vol.4. -№3. -P.552-556.

84. Mechanisms of dislocation nucleation in strained epitaxial layers / O. Trushin, E. Granato, S-C. Ying et al. // Phys. Stat. Sol. -2002. -V.232B. -№1. -P.100-105.

85. Kellog G.L., Wright A.F., Dow M.S. Surface diffusion and adatom-induced substrate relaxations of Pt, Pd and Ni atoms on Pt(001) // J. Vac. Sci. Technol. -1991.-Vol.9.-P. 1757-1760.

86. Molecular dynamic simulation of nanocsale machining of copper / Y.Y. Ye, R. Biswas, J.R. Morris et al. // Nanotechnology. -2003. -Vol.14. -P.390-396.

87. Hamilton J.C., Dow M.S., Foiles S.M. Dislocation mechanism for island diffusion on fee (111) surfaces // Phys. Rev. Lett. -1995. -Vol.74. -P.2760-2763.

88. Kadau K., Meyer R., Entel P Molecular-dynamics study of thin iron films of copper // Surf. Rev. Lett. -1999. -Vol.6. -P. 35-43.

89. Martensitic transformations: first-principles calculations combined with molecular dynamic simulations / P. Entel, R. Meyer, K. Kadau et al. // Eur. Phys. J. -1998. -Vol.5B. -P. 379-383.

90. Embedded Atom Method Study of Pd Thin Films on Cu(OOl) / A. Bilic, Y.G. Shen, B.V. King et al. // Surf. Rev. Lett. -1998. -Vol.5. -№5. -P.959-963.

91. Dmitriev А.А., Evteev A.V., Kosilov A.T. Crystallization and melting of thin copper film in computer experiment // Сборник статей и тезисов Международного симпозиума «Порядок, беспорядок и свойства оксидов». -Сочи, 2001. -С.13-19.

92. Дмитриев А.А., Евтеев А.В., Косилов А.Т. Моделирование кристаллизации аморфной пленки меди // Сборник тезисов школы-семинара «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения». -Дубна, 2001. -С. 12.

93. Дмитриев А.А., Евтеев А.В., Косилов А.Т. Кристаллизация аморфной пленки меди в модели погруженного атома // Тезисы докладов VII Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых. -Екатеринбург-С.-Петербург, 2001. -С.163-164.

94. Моделирование структурных и субструктурных превращений при кристаллизации аморфной пленки Ni на подложке Pd (001) / А.А. Дмитриев, А.В. Евтеев, Д.Г. Жиляков и др. // Вестник Воронеж, гос. техн. ун-та. Сер. Материаловедение. 2002. Вып. 1.12. -С. 74-76.

95. Моделирование кристаллизации тонкой пленки Cu/Pd(001) / ИЛО. Сму-ров, А.А. Дмитриев, А.В. Евтеев и др. // Тезисы докладов X Национальная конференция по росту кристаллов. -Москва, 2002. -С.398.

96. Дмитриев А.А., Евтеев А.В., Косилов А.Т. Применение метода погруженного атома для моделирования кристаллизации и плавления тонкой пленки меди // Поверхность. Рентгеновские, нейтрбнные и синхротронные исследования. -2003. -№5. -С.74-78.

97. Крокстон К. Физика жидкого состояния. -М.: Мир, 1978. -400 с.

98. Лагарьков А.Н., Сергеев В.М. Метод молекулярной динамики в статической физике // УФН. -1978. -Т. 125. -№3. -С.409-448.

99. Полухин В.А., Ухов В.Ф., Дзугутов М.М. Компьютерное моделирование динамики и структуры жидких металлов. -М.: Наука, 1981. -323с.

100. Полухин В.А., Ватолин Н.А. Моделирование аморфных металлов. -М.: Наука, 1985.-288с.

101. Белащенко Д.К. Структура жидких и аморфных металлов. -М.: Металлургия, 1985.-192с.

102. Verlet L. Computer Experiments on Classical Fluids. I. Thermodynamic Properties of Lennard-Jones Molecules // Phys. Rev. -1967. -Vol.159. -P.98-103.

103. Graham G.W. Growth of Rh, Pd and Pt films on Cu(100) // Phys. Rev. -1990. -Vol.41B.-P.3353-3359.

104. Liu G., Clair T.P.St., Goodman D.W. An XPS study of the interaction of ul-trathin Cu films with Pd(lll) // J. Phys. Chem. -1999. -Vol.l03B. -P.8578-8582.

105. Growth and structure of ordered thin films of Cu on Pd(001) in The Structure of Surfaces / Li H., Wu S.C., Tian D., Li Y.S. et al. -New York.: Springer. -1991.-328 p.

106. Newton M.A., Francis S.M., Bowker M. Copper-palladium alloy surfaces (II. Equilibrium surface compositions of dilute Pd/Cu alloys from a simple segregation model) // Surf. Sci. -1991. -Vol.259. -P.56-64.

107. Filhol J. S., Simon D., Sautet P. Stress induced nanostructure in a Pd monolayer on Ni(llO): a first-principles theoretical study // Surf. Sci. -2001. -Vol.472.-P. 139-144.

108. STM comparative study of the Pd8Ni92(110) alloy surface and the Pd/Ni(l 10) surface alloy / M. Abel, Y. Robach, J.C. Bertolini et al. // Surf. Sci. -2000. -Vol.454/455. -P. 1-5.

109. Pd deposition onto the thermally roughened Cu(110) surface // N.P. Blan-chard, D.S. Martin, A.M. Davarpnah et al. // Phys. Stat. Sol. -2001. -Vol.188. -№4. -P.1505-1512.

110. Евтеев A.B., Косилов A.T., Миленин A.B. Компьютерное моделирование кристаллизации аморфного железа в изохронных условиях // Письма в ЖЭТФ. -2000. -Вып.71. -№5. -С. 294-297.

111. Борн М., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток. -М.: ИЛ, 1958. -488 с.

112. Dynamics of Radiation Damage / J.B. Gibson, A.N. Goland, M. Milgram et al. // Phys. Rev. -1960. -Vol.120. -№4. -P. 1229-1253.

113. Beeman D. Some Multistep Methods for use in Molecular Dynamics Calculations // J. Comput. Phys. -1976. -Vol.20. -P.130-139.

114. Rahman A. Correlations in the Motion of Atoms in Liquid Argon // Phys. Rev. A: Gen. Phys. -1964. -Vol.136. -P.405-411.

115. Химмельблау Д. Методы нелинейной оптимизации. -М.:Мир, 1975. -432 с.

116. Скрышевский А.Ф. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел. — М.: Наука, 1980.-328 с.

117. Brostow W., Dussault J.P., Bennett L.F. Construction of Voronoi Polyhedra // J. Сотр. Phys. -1978. -Vol.29. -№1. -P.81-92.

118. Finney J.L. A Procedure for the Construction of Voronoi Polyhedra // J. Сотр. Phys. -1979. -Vol.32. -№1. -P.137-143.

119. Fisher W., Koch E. Limiting Forms and Comprehensive Complexes for Crystallographic Point Groups, Rod Groups and Layer Groups // Ztschr. Kristallogr. -1979. -Bd.150. -№1. -S.248-253.

120. Лихачев В.А., Шудегов B.E. Принципы организации аморфных структур. СПб.: Изд-во С.-Петербургского университета, 1999. -228 с.

121. Daw M.S., Baskes M.I. Semiempirical Quantum Mechanical Calculation of Hydrogen Embrittlement in Metals // Phys. Rev. Lett. -1983. -Vol.50. -№17. -P.1285-1288.

122. Daw M.S., Baskes M.I. Embedded-Atom Method: Derivation and Application to Impurities, Surfaces, and other Defects in Metals // Phys. Rev. -1984. — Vol.29B. -№12. -P.6443-6453.

123. Clementi E., Roetti C. Roothan-Hartree-Fock Atomic Wave Functions // At. Data Nucl. Data Tables. -1974. -Vol.14. -№3-4. -P. 177-324.

124. Foiles S.M. Application of method embedded-atom to liquid transition of metals // Phys. Rev. -1985. -Vol.32B. №6. -P.3409-3415.

125. Universal Feartures the Equation of State of Metals / J.H. Rose, J.R. Smith, F. Guinea et al. // Phys. Rev. -1984. -Vol.29 В. -P.2963-2982.

126. Foiles S.M. Calculation of the Surface Segregation of Ni-Cu Alloys with the Use of the Embedded-Atom Method // Phys. Rev. -1985. -Vol.32B. -№12. -P.7685-7693.

127. Ashcoft N.W., Mernin N.D. Solid State Physics. -New York.: Rinehart and Winston, 1976.

128. Smithells C.J. Metals Reference Book. Butterworths, London. 1976.

129. Simmons G., Wang H. Single Crystal Elastic Constants and Calculated Aggregate Properties. -Cambridge: A Handbook. MIT Press, 1971.

130. Waseda Y., Ohtani M. Static Structure of Liquid Noble and Transition Metals by X-Ray Diffraction // Phys. Stat. Sol. -1974. -Vol.62B. -№2. -P.535-546.

131. Primak W. Kinetics of Process Distributed in activation Energy // Phys. Rev. -1955. -Vol.lOOB. -P. 1677-1689.

132. Вайнгард У. Введение в физику кристаллизации металлов. —М.: Мир, 1967.-160 с.

133. Шаскольская М.П. Кристаллография. -М.: Высшая школа, 1984. —375 с.

134. Новиков П. П., Розин К. М. Кристаллография и дефекты кристаллической решетки. -М.: Наука, 1990. -336 с.

135. Иевлев В.М., Бугаков А.В., Иевлев В.П. Многослойные пленочные металлические композиции: структурный аспект проблемы // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. -Воронеж: ВГТУ, 1996. -Вып. 1.1. -С. 7-22.

136. Штремель М. А. Дефекты решетки. -М.: Наука, 1982. -279 с.

137. Барабаш О.М., Коваль Ю.Н. Структура и свойства металлов и сплавов. Кристаллическая структура металлов и сплавов. -Киев: Наукова думка, 1986.-598 с.

138. Гуткин М.Ю., Микаелян К.Н., Овидько И.А. Равновесные конфигурации частичных дислокаций несоответствия в тонкопленочных гетеросистемах // ФТТ. -1998. -Т.40. -№11. -С.2059-2064.