Фазовый состав, структура и субструктура гетеросистем кремний - силициды иридия и рения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Руднева, Ирина Геннадьевна

• Руднева, Ирина Геннадьевна
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Руднева, Ирина Геннадьевна

Введение.

Глава 1. Синтез тонкопленочных силицидов (обзор литературы)

1.1. Способы синтеза тонкопленочных силицидов.

1.2. Особенности синтеза силицидов тугоплавких металлов.

1.3. Фазообразование и кинетика роста силицидов.

1.4. Образование фаз в системе Ir-Si и кристаллическая структура силицидов иридия.

1.5. Образование фаз в системе Re-Si и кристаллическая структура силицидов рения.

1.6. Ориентированный рост пленок силицидов тугоплавких металлов.ЗЗ

1.6.1. Эпитаксиальный рост силицидов иридия на ориентированных подложках крения.

1.6.2. Эпитаксиальный рост силицидов рения на ориентированных подложках кремния.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фазовый состав, структура и субструктура гетеросистем кремний - силициды иридия и рения»

Актуальность темы. Повышенный интерес к силицидам тугоплавких металлов вызван возможностью использования их в интегральных кремниевых устройствах. Большинство из них проявляют металлоподобные свойства (например, TaSi2, \VSi2, TiSi2) и используются в омических контактах и электродах затворов.

Отдельную группу перспективных материалов составляют силициды с полупроводниковыми свойствами, к ним относятся ReSi2 и Ir3Si5 (силицид ReSi2 - полупроводник с узкой запрещенной зоной (0,1эв), силицид Ir3Si5-широкозонный полупроводник, имеющий оптический зазор 1,54 эв), которые могут быть использованы в качестве инфракрасных детекторов и оптоэлек-тронных устройств [43]. Диоды Шотки из силицидов IrSi3 на кремнии п-типа имеют наибольшую высоту барьера (0,93 эв), известную в настоящее время для силицидов [65].

Анализ работ показывает, что такие вопросы, как кинетика и механизм силицидообразования, последовательность образования фаз относительно хорошо изучены при твердофазном синтезе их классическими методами термообработки пленок металлов на кремнии. Достаточно хорошо изучены закономерности ориентированного роста и структура межфазных границ (МГ) в системах силицид — кремний с малым структурным несоответствием (NiSi2-Si, Pd2Si-Si [1]). В то же время ограничен объем сведений об атомной структуре и дислокационной субструктуре МГ в системах с большим структурным несоответствием, к которым относятся силициды гетеро-системы Si- Ir,Re. Практически отсутствуют данные о закономерностях силицидообразования при вакуумной конденсации металла на горячие подложки кремния.

Кроме того, в настоящее время для активизации процесса синтеза различных материалов стали использовать энергетические пучки, которые позволяют уменьшить время обработки и свести к минимуму негативное диффузионное перераспределение примесей и легирующих добавок.

Эксперименты [2] по синтезу силицидов переходных металлов показали эффективность метода импульсной обработки (ИФО) пленок металлов на кремнии излучением ксеноновых ламп, характеризующимся сплошным относительно равномерным спектром в диапазоне от 0,2 до 1,2 мкм.

Работа выполнена в рамках проекта программы "Фундаментальные исследования высшей школы в области естественных и гуманитарных наук Университеты России" и поддержана грантами РФФИ №0103-32927 и 02-03-06086.

Цель работы — исследование закономерностей фазообразования и субструктуры силицидов иридия и рения при конденсации металла на подогретые подложки и при быстром фотонном отжиге.

Для этого решали следующие задачи:

1. Исследование методами электронной микроскопии фазового состава, ориентации и субструктуры пленок силицидов иридия и рения, образующихся при конденсации металла на подогреваемые подложки кремния.

2. Исследование дислокационной структуры МГ и анализ характера сопряжения кристаллических решеток на межфазных границах силицид-кремний в гетеросистемах Si-Ir и Si-Re.

3. Исследование фазовых и структурных превращений в гетеросисте-ме Si-Ir при ИФО некогерентным излучением ксеноновых ламп.

Объекты и методы исследования. В качестве объектов исследования выбраны системы Si-Ir и Si - Re. При выборе объектов исходили из: возможности создания гетероструктур кремний - ориентированные пленочные силициды разной степени сложности кристаллических решеток (ReSi2 -тетрагональная, типа MoSi2, Ir3Si5 - моноклинная, IrSi3 (О)- орторомбиче-ская, IrSi3 (Г)- гексагональная), и исследования их субструктуры, а также потенциальных возможностей практического применения силицидов.

Исследования фазового состава, структуры и ориентации пленок проведены на электронных микроскопах ЭМВ - 100АК и ПРЭМ -200. Моделирование возможных ориентационных соотношений и ожидаемой дислокационной структуры межфазных границ в системах силицид-кремний проводили на персональном компьютере Pentium-2.

Научная новизна. Новизна полученных результатов состоит в следующем:

1. Установлено, что сопряжение кристаллических решеток кремния и силицида IrSi3 частично когерентное. Механизм вхождения дислокаций несоответствия (ДН) в МГ зависит от ориентации гетероструктуры: для (111) Si-IrSi з - скольжение дислокаций в плоскости границы, для (001) Si-IrSi3 -переползание.

2. Установлена возможность ориентированного роста силицидов ^Sis и IrSioj в процессе твердофазной реакции пленки иридия с кремнием.

3. Образование силицидов иридия при ИФО показало, что последовательность формирования основных силицидных фаз при нормальном и латеральном их росте такая же, что и при обычной термообработке пленок иридия на кремнии или при конденсации металла на подогреваемые подложки.

4. Сопряжение на МГ кремний - силицид рения когерентное в пределах кристаллитов вследствие соизмеримости ожидаемых периодов дислокаций несоответствия и размеров кристаллитов.

Практическая значимость. Установленные режимы формирования однофазных пленок силицидов иридия методом ИФО на моно-Si могут быть использованы при разработке технологического процесса создания диодов Шоттки в СБИС.

Результаты исследований межфазных границ Si-Ir3Sis и Si-IrSi3 могут быть использованы при разработке оптоэлектронных устройств с использованием силицидов иридия. А результаты исследования процессов, происходящих на МГ Si - ReSi2 могут быть использованы для разработки инфракрасных детекторов.

Показанная возможность латерального процесса развития твердофаз -ной реакции дает принципиальную возможность наблюдения в тонких пленках последовательности образующихся фаз и их распределения на расстояниях до нескольких микрон.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Фазовый состав пленок, синтезированных в процессе вакуумной конденсации, не зависит от ориентации подложки и определяется температурой конденсации. Он соответствует наблюдаемому составу, полученному при синтезе пленок силицидов в результате изотермического отжига для соответствующих температур подложки в аналогичных вакуумных условиях.

2. Сопряжение кристаллических решеток кремния и IrSi3 частично когерентное, с компенсацией несоответствия в одном направлении дислокациями, в другом - посредством упругой деформации. Механизм вхождения дислокаций несоответствия в МГ (скольжение или переползание) зависит от ориентации гетероструктуры.

3. Показано, что ориентационные соотношения для систем, образующихся в результате твердофазной реакции Si - Si-Re и Si - Si-Ir, отвечают основным кристаллографическим критериям: наиболее плотные решетки совпадающих узлов, непрерывность наиболее плотных плоскостей кристаллических решеток через МГ, предпочтительность ориентаций с положительным несоответствием РСУ (деформация на растяжение).

4. В силу разной симметрии решеток силицида рения и кремния реализуется многоориентационная эпитаксия. Сопряжение на МГ кремний -ReSi2 когерентное в пределах кристаллитов вследствие соизмеримости ожидаемых периодов дислокаций несоответствия и размеров кристаллитов.

Апробация работы. Результаты работы докладывали и обсуждали на Международных и Всероссийских научных конференциях: XVII Российской конференции по электронной микроскопии ЭМ'98 (п. Черноголовка, Россия,

1998); Втором Всероссийском семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении", (Воронеж, Россия,

1999); Международной конференции "Modification of Properties of Surface Layers of Non-Semiconducting Materials Using Particle Beams (MPSL 99)" (Sumy, Ukraine, 1999); 3-rd Russian-German Seminar on Electron and X-ray Spectroscopy (Yekaterenburg, Russia, 1999); Всероссийском семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, Россия, 1999); Всероссийском семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, Россия, 2000); 12-м Международном симпозиуме "Тонкие пленки в микроэлектронике" МСТПЭ-12 (Харьков, Украина, 2001); 4-м Международном семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Астрахань, Россия, 2002).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 15 работ.

Личный вклад автора. Автором проведены электронномикроскопи-ческие исследования и анализ фазового состава, ориентационных соотношений и субструктуры силицидов, синтезированных различными методами. Автор принимал непосредственное участие в экспериментах по подготовке образцов для исследования МГ силицид - кремний

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и выводов, списка цитируемой литературы. Содержит 98 страниц, 29 рисунков и 9 таблиц, список литературы из 101 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Руднева, Ирина Геннадьевна

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Методами просвечивающей электронной микроскопии проведено исследование фазового и элементного состава, структуры и ориентации пленок силицидов иридия и рения, синтезированных в процессе вакуумной конденсации металла на подогретые подложки кремния и при импульсной фотонной обработке пленок иридия излучением ксеноновых ламп.

2. Фазовый состав пленок силицидов иридия, и последовательность образования силицидных фаз, синтезированных в процессе вакуумной конденсации, не зависит от ориентации подложки, определяется температурой конденсации и соответствуют наблюдаемым при синтезе в процессе изотермического отжига для соответствующих температур в аналогичных вакуумных условиях. Установлена возможность ориентированного роста силицидов Ir3Si5 и IrSi0,7.

3. Множественность эквивалентных азимутальных ориентаций препятствует образованию монокристаллических пленок силицидов иридия.

4. Для исследуемой области температур синтеза ориентированных силицидов механизм вхождения дислокаций несоответствия в МГ (скольжение или переползание) зависит от ориентации гетероструктуры: для (11 l)Si-IrSi3 - скольжение дислокаций в плоскости границы, для (001)Si-IrSi3 -переползание.

5. Сопоставление ИФО с термическим отжигом показало, что твердофазная реакция диффузии в плоскости пленок при одних и тех же режимах ИФО проходит на расстояния в 20-30 раз больше, чем по нормали к поверхности. Последовательность образования основных фаз в пленках силицидов иридия, синтезированных ИФО при нормальном и латеральном их росте та же, что и при обычной термообработке пленок 1г на Si или при конденсации металла на подогретые пластины Si. Латеральный процесс развития твердофазной реакции при ИФО дает принципиальную возможность наблюдения в тонких пленках последовательности образующихся фаз и их распределения на расстояниях до нескольких микрон, не прибегая к гетероструктурам Si — толстая пленка металла, а также исследования структуры границ между силицидными фазами, не прибегая к технологии cross- section.

6. Установлено, что синтез ориентированных пленок ReSi2 в процессе конденсации металла на (OOl)Si и (11 l)Si происходит при Тп= 800°С. В силу разной симметрии решеток силицида и кремния реализуется многоориентационная эпитаксия и, соответственно, поликристаллическая микроструктура силицида.

7. Ориентационные соотношения отвечают основным кристалло-геометрическим критериям: относительно высокая плотность РСУ на МГ и хорошее согласование плотноупакованных плоскостей через МГ, сопряжение на МГ кремний - силицид когерентное в пределах кристаллитов вследствие соизмеримости ожидаемых периодов дислокаций несоответствия и размеров кристаллитов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Руднева, Ирина Геннадьевна, 2003 год

1. Tung R.T., Poate J.M., Bean J.C., Gibson J.M., Jacobson D.C. Epitaxial silicides // Thin Solid Films. - 1982. - V.93. - P.77-90.

2. A.c. № 1228716 СССР, кл.21/268, 1984. Способ изготовления элементов металлизации/ Н.Н. Тонких, В.П. Злобин, С.Б. Кущев, 5 С.

3. Гершинский А. Е., Ржанов А. В., Черепов Е.И. Тонкопленочные силициды в микроэлектронике // М. Микроэлектроника. - 1982. - т.11 .-№2.-С.83-94. .

4. Лабунов В. А., Борисенко В. Е., Заровский Д.И. Формирование силицидов импульсной термообработкой пленочных структур// Зарубежная электронная техника. 1985. - №8. - С.27-53.

5. Трофимов В. И., Осадченко В.А. Рост и морфология тонких пленок/ В. И. Трофимов, //М. Энергоатомиздат. - 1993. - 272 С.

6. Ottaviani G. Metallurgical aspects of the formation of silicides / G. Ottaviani// Thin Sol. Films. 1986. - V. 140. - № 1. - P.3-21.

7. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС/ Мир. 1986. - С. 176.8. . Поут Дж.,Ту К., Мейер Дж Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции/ Мир. 1982.- С.272.

8. Norde Н. A modified forvard I-V plot for Schottky diodes with high series resistance// J.Appl. Phys.- 1979. V.50. -№7.- P.5052- 5055.

9. Botha A. P., Krizinger A.S., Pretorius R. Solid state interaction between thin chromium Films and silicon // Thin Solid Films. -1983. V.105. -№3. - P. 327-349.

10. Onda N., Henz J., Muller E. Epitaxy of fluoride- structure silicides: metastabile cubic FeSi2 on Si(lll) // Appl. Surface Sci. 1992. - V.56. -№5. -P.421- 426.

11. Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов четвертого периода / М. — Металлургия. 1971. - С.582.

12. Качурина Е. Е., Мякиненко В.И., Щеглов В.В. Силициды тугоплавких металлов в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем // Обзоры по электронной технике.- Серия: полупроводниковые приборы. 1982. - Вып.№6. - С. 68. - Вып.№7. - 54 С.

13. Майселл Л., Глэнг Р. Технология тонких пленок. (Справочник) / Советское радио.- 1977. -Т.1.-664 С.

14. Мальцев М. В. Термическая обработка тугоплавких металлов и их сплавов / Металлургия. 1974.-344 С.

15. Хасс Г., Тун Р.Э. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения / Мир. 1967. - 343 С.

16. Walser R. М., Bene R. W. First phase nucleation in silicon-transition- metal planar interfaces // Appl. Phys. Letter. 1976. - V.28. - №10. - P. 624- 626.

17. Pretorius R. Prediction of silicide first phase and phase sequence from heat of formation // Thin Films and Interfaces. orth- Holland. - 1984.- p. 1520.

18. Bene R. W. A kinetic model for solid- state silicide nucleation // J. Appl. Phys.-1987. -V.61. -№5. -P.1826- 1833.

19. Самсонов Г.В., Дворина JI.A., Рудь Б.М. Силициды/ Металлургия. 1979.- 271 С.

20. Борисенко В. Е. Формирование тонкопленочных силицидов импульсной термообработкой. Силициды (получение, свойства и применение) / Киев.- 1986. С. 119 -123.

21. Cheng N. W., Nicolet М. -A., Wittmer М, Evans С. A., Sheng Т. Т. Growth kinetics of Pd2Si from evaporated on sputter-deposited films // Thin Solid Films. -1981.- V. 79.-P.51-60.

22. Poete J. M., Tisone T.C. Kinetics and mechanism of platinum silicide formation on silicon//Appl. Phys. Lett.- 1984.- V. 24.-№8.-P.391- 393.

23. Кущев С. Б., .Ю. Исаев А.Ю., Злобин В.П. Структура, фазовый состав и ориентация пленок, полученных при вакууумной конденсации Pd на

24. Si // Рост и структура тонких пленок и нитевидных кристаллов. Межвузовский сборник трудов. -1989. Воронеж. - С.28 -30.

25. Torres J. Growth of thin films of refractory silicides on Si (100) in ultrahigt vacuum//Thin Solid Films.- 1985.-V.126.-P. 233-239.

26. Shian F.R., Cheng H.C., Chen L.J. Localized epitaxial growth of CrSi2 on silicon // Thin Solid Films. 1977. -V. 45. - P. 123-126.

27. Magee T.J., Woolhouse G. R., Kawayoshi H. A. Microstructural investigations of refractory metal silicide films on silicon // J. Vac. Sci. Technol. -1984. -V. 2. -№4 (B). P. 756-761.

28. Lin W. Т., Chen L. J. Localized epitaxial growth of tetragonal and hexagonal WSi2 on (111) Si // J. Appl. Phys. 1985. - V.58/- №4. -P. 1515-1519.

29. База данных: JCPDS International Centre for Diffraction Data,1998.

30. База данных: ASTM -Powder Diffraction File. Alphabetical Index Inogranic Compounds/ Pensylvania: ICPDS, 1977.

31. Lin W. Т., Chen L.J. Localized epitaxial growth MoSi2 on silicon //J. Appl. Phys. -1985. V.59. -№5. - P.1375-1379.

32. Кущев С.Б. , Солдатенко С. А., Белоногов E.K., Руднева И. Г. Образование силицидов Мо при вакуумной конденсации металла на кремний // Воронеж.- 1997.-Вестник ВГТУ, сер. Материаловедение.-1.2.(ст).-С.13-16.

33. Chang С. S., Nieh C.W., Chu J.J., Chen L.J. Partial epitaxial growth of NbSi2 on Si (111) // Thin Solid Films. 1988. -V.161. - P.263-271.

34. Chang C. S., Nieh C.W., Chen L.J. Partial epitaxial growth of HfSi2 films on silicon // J. Appl. Phys.-1987. V.61. -№6. -P.2393-2395.

35. Иевлев В. M. Ориентированная кристаллизация пленок / Уч. Пособие. Воронеж.- Изд. ВГТУ.- 1998.- 216 с.

36. Иевлев В. М., Бугаков А.В., Трофимов В.И. Рост и субструктура конденсированных пленок / Воронеж. ВГТУ. - 2000. - С.386.

37. Searcy. A. W., R.A. McNees R. A. The Silicides of Rhenium // J. Amer. Chem. Soc. 1953. -V. 75. -№7.-P. 1578-1580.

38. McNees R.A., A. W. Searcy A.W. The Crystal Structure of Rhenium Monosilicide // J. Amer. Chem. Soc. 1955. - V.20. - №1. - P. 5290-5291.

39. Chu J.J., Chen L.J., Tu K.N. Localized epitaxial growth of ReSi2 on (111) and (001) silicon // J. Appl. Phys. -1987. V. 62. - № 2. - P. 461-465.

40. Krontiras C., Gronberg L., Suni I., Tersoff J.,Karlsson В., Petersson C.S., Gronberg I. Some Properties of ReSi2 // Thin Solid Films. 1988. -V. 161. -P. 197-206.

41. Battacharyya В. K., Bylander D. M., Kleinman L. Fully relativistic energy bands and cohesive energy of ReSi2 // Phys. Rev. B. -1986. V.33. - №6. -P. 3947-3951.

42. Печарский B.K., О.И. Бодак О.И., Гладышевский Е.И. Кристаллическая структура соединения Re5Si3 // Кристаллография. М. -1979. - том 24. - вып.№ 5. - С. 945-950.

43. Mahan J. Е., Geib К.М., Robinson G.Y., Long R.G., G. Bai G., Nicolet M.-A., Epitaxial tendencies of ReSi2 on silicon // Appl. Phys. Lett.- 1990. -V. 56.-№2.-P.2439-2441.

44. Mahan J. E., G. Bai G., Nicolet M.-A. Microstructure and morphology of some epitaxial ReSi2 films on (001) silicon // Thin Solid Films. -1992.-V. 207.-P. 223-230.

45. Dutron A.-M. A., Blanquet E., Bourhila N., Madar R., Bernard С. A thermo -dynamic and experimental approach to ReSi2LPCVD II Thin Solid Films. 1995. - V. 259. -P.25-31.

46. Burkov A.T., Heinrich A, C. Gladin C., Pitscke W., Schumann J. Effect of interphase boundaries on resistivity and thermopower of nanocrystalline Re-Si thin film composites // Phys. Rev. B. 1998. - V.58. - № 15. - P. 96449647.

47. Filonov А. В., Migas D. В., Shaposhnikov V. L., Dorozhkin N.N., Borisenko V.E., Lange H., Heinrich A. Electronic properties of semiconductingrhenium silicide // Europhysics Letters. 1999. - V. 46. - №3. - P. 376-381.

48. Long R.G., Bost M.C., Mahan J.E. Optical and electrical properties of semiconducting rhenium disilicide thin films // Thin Solid Films. -1988. V. 162. -P. 29-40.

49. Chen J. S., Kolawa E., Nicolet M.-A., Baud L., Jaussaud C., Madat R., Bernard C. Stability of rhenium thin films on single crystal (001) SiC // J. Appl. Phys. 1994. - V. 75. -№ 2. - P.897-901.

50. Kun Ho Kim, Bai G., Nicolet M.-A., Mahan J.E., Geib K.M. Amorphization and recrystalization of epitaxial ReSi2 films grown on Si (100) // J. Appl Phys. Lett.-1991.- V. 58.- № 17.- P.2234-2238.

51. Bai G., Nicolet M.-A., Mahan J.E., Geib K.M. Channeling of MeV Ions polyatomic epitaxial films: ReSi2 on Si (100) // Phys. Rev. B. -1990.- V. 41.-№ 13.-P.2123-2129.

52. Siegrist Т., Hulliger F., Travalgini G. The Crystal Structure and some properties of ReSi2 // J. Less-Com. Metals. -1983. № 92. - P. 119-129.

53. Siokoy A., Kennou S., Ladas S., Nguen Tan T.A., G. -Y. Veuillen Growth and characterization of the Re/ Si (111) interface // Surface Sience.-1996.- № 352-354.- P.628-633.

54. Petersson S., Baglin J., Hammer W., Dheurle F., Kuan T.C, Ohdomari I., De Sousa Pires J., and Tove P. Formation of iridium silicides from Ir thin films on Si substrates // J. Appl. Phys. 1979 V. 50. -№5. P. 3357-3365.

55. Liu H. F., Liu H. M., Tsong T.T. Initial Stages of Iridium -Semiconductor Compound Formation: A Field Ion - Microscope Study of Interface Atomic Structures / H. F. Liu, // Phys. Rew. Lett. - 1986. - V.56. - № 11. P. 65-68.

56. Chu J. J., Chen L. J., Tu K. N. Localized epitaxial growth of IrSi3 on (111) and (001) silicon // J. Appl. Phys. 1988. - V.63-№4. -P.l 163-1165.

57. Wittmer M., Oelhafen P., Tu K. N. Electronic structure of iridium silicides // Phys. Rew. B. 1986. - V.33. -№8.- P. 5391-5400.

58. Wittmer M., Oelhafen P., Tu K. N. Chemical reaction and Schottry-barrier formation at the Ir/ Si Interface // Phys. Rew. B. 1987. - V.35. - №17.- P. 9073-9080.

59. Engstrom I., Lindsten Т., Zdansry E. The Crystal Structure of the Iridium Silicide Ir3Si5 // Acta Chemica Scandinavica.- 1987.- A 41P. 237-242.

60. Ohdomari I., Kuan T. S., Tu K. N. Microstructure and schottcy barrier heigt of iridium silicides formed on silicon // J. Appl Phys.- 1989. V. 50. -№11.- P.7020-7029.

61. Allevato C.E., Cronin B. Vining Phase Diagram and Electrical Behavior of Silicon-rich Iridium Silicide Compounds // The Journal of Alloys and Compounds. 2000. -№1. - P. 99-105.

62. Yarmoshenco Yu. M., Shamin S. N., Elokhina L.V., Dolgiht V.E., Kyrmaev Z., Bartkowsk S.i, Neumann M., Ederer D.L., Goransson K., Njlang В., Engstrom I. Valence band of 4d and 5d silicides // J. Phys. Condens. Matter. -1997.-№ 9.-P. 9403-9414.

63. Kurt R., Pitschke W., Heinrich A., Schumann J., Thomas J., Wetzig K., Burkov A. Phase formation process of Irx Siix thin films structure and electricalproperties // Thin Sol. Films. 1997. - V. 310. - P.8-18.

64. Шуберт К. Кристаллические структуры двухкомпонентных фаз / Металлургия. 1971.- С. 531.

65. Pitschke W., Kurt R., Heinrich A., Schumann J., Griebmann H., Vinzelberg В., Burkov A. Structure and thermoelectric properties of binary and Fe-doped iridium silicides thin films // J. Mater. Res.-2000. V.15. - №3. - P. 772782.

66. Weiss B. Z., Tu K. N., Smith D. A. Effect of temperature on electrical and microstructural changes of coevaporated Ir-Si alloy films // J. Appl. Phys. -1986. V. 59. - № 2. - P. 415-420.

67. Park Y.K., Paszti F., Takai M.,Temmel G., Buerte E. P., Ryssel H., Wiget R., Kinomura A., Horino Y., Fujii K. Ir and Rh silicide formationinvestigated by microprobe RES // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1997. -V.130. -P.728-773.

68. Engstrom I. Structural Chemistry of Platinum Metal Silicides // Acta Universitatis Uppsaliensis, Uppsala. -1970. -№1. P. 259-265.

69. Хансен M., Андерко К. Структуры двойных сплавов / М.: Металлургия.- 1962.- С. 1488.

70. Эмсли Д. Элементы / М: Мир. 1993.- С. 256.

71. Шиллер 3., Гайзин У., Панцер 3. Электроннолучевая технология / М: Энергия.- 1980.- С. 528.

72. Данилин Б.С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы / М: Радио и связь. 1982.- С. 72.

73. Палецкий В.А. Исследование теплофизических свойств веществ в условиях электронного нагрева/М: Наука. 1983.- С. 94.

74. Огнев А.С., Свиридов Д. А.Получение эпитаксиальных пленок туго- плавких металлов// Сб. научных трудов.-1988.- Воронеж.- ВПИ.- С. 8689.

75. Иевлев В. М., Сербии О. В., Кущев С.Б. Синтез пленок карбидов вольфрама при импульсной обработке пленочных гетероструктур W-C // Вестник ВГТУ.- Сер. Материаловедение.- 2002. №1.11.- С.87-93.

76. Бурова С.В., Иевлев В.П., Кущев С. Б., Соловьев К.С., Тураева Т. JI. Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсам: Физика и технология тонкопленочных материалов. Электронная микроскопия // Воронеж. ВГТУ. -1997. - С. 51.

77. Зимкина Т. М., Фомичев В.А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия // Л. ЛГУ. - 1971. - С. 130.

78. Домашевская Э. П. Природа межатомного взаимодействия и закономерности строения энергетического спектра валентных электронов в полупроводниках/ Дисс. на соискание ученой степени доктора физ.- мат.-наук. Воронеж. 1978. - С. 250.

79. Domashevskaya E.P., Yurakov Yu. A. Specific features of electron structures of some thin films d-silicides // J. Elec. Spec and Rel. Phen. 1998. -V.96.-P. 195-208.

80. Бугаков А. В. Энергия, релаксированная структура и субструктура межфазных границ в пленочных металлических системах/ Дисс. на соискание уч. степени д-ра физ.- мат. наук. Воронеж. -1996. С. 295.

81. Юсипов Н. Ю., Тылкина М. А., Жданова JI. JL, Сипкин Ю.П. Электрические свойства пленок сплавов на основе дисилицида рения. Исследование и применение сплавов тугоплавких металлов / М. -Металлургия. С. 164 - 168.

82. Хирт Дж, Лоте И. Теория дислокаций// М Атомиздат-1972.1. С. 600.

83. Косевич В. М., Иевлев В.М., Палатник Л.С., Федоренко А.Г. Структура межкристаллитных и межфазных границ / М.- Металлургия.-1980.- С.256.

84. Bollmann W. Crystal Defects and Crystalline Interfaces.// Spinger Verl. Berlin. - 1979. - P. 244.

85. Иевлев B.M., Бугаков A.B., Солдатенко C.A., Белоногов Е.К., Руднева И.Г Образование дисилицида рения при вакуумной конденсации металла на кремний // Труды 5й Международной конференции.-Ст.-Петербург.-1998.- С.34.

86. Балашова В.Ю., Бугаков А.В., Иевлев В.М., Кущев С.Б., Солдатенко С.А., Руднева И.Г. Структура межфазных границ кремний -силицид металла // Черноголовка. 1998. - 17я Российская конференция по эл. микроскопии. - С. 28.

87. Домашевская Э.П., Юраков Ю.А., Кашкаров В.М., Веретина А.В., Руднева И.Г. Электронное строение тонкопленочных дисилицидов ReSi2 в кристаллическом и аморфном состоянии // М. -Перспективные материалы. 1999,-С. 29 - 32.

88. Domashevskaya Е. P., Yrakov Yu. A., Kashkarov V.M., Rudneva I.G. Electronic structure of crystal and amorphous ReSi2 thin films // Yekaterinburg. 1999. - 3rd Russan - German Seminar on Elektron and X - ray Spektroskopy. - P.26.

89. Иевлев В. М., Кущев С.Б., Солдатенко С.А., Маркушев Б.Н., Руднева И.Г. Твердофазный синтез ориентированных пленок силицидов металлов на кремнии и субструктура межфазных границ // М. 2000.9я Национальная конференция по росту кристаллов НКРК-2000.- С.24.

90. Иевлев В. М., Кущев С.Б., Солдатенко С.А., Руднева И.Г. Фазовый состав, ориентация и субструктура пленок, синтезированных в процессе вакуумной конденсации металла на Si // Воронеж. — 2001. -Вестник ВГТУ. Вып. № 1.9. -С. 54 - 59.

91. Ievlev V. М., KushchevS.B., Bugakov A.V., Soldatenko S.A., Markushev B.N., Rudneva I.G. Conjugation regularities and substructure of interphase boundaries in the systems Si final phase of Pt -, Pd Ni Re -, Ir -,

92. Mo Ti silisides // Obninsk. - 2001. - Proceedings Fourth International Conference " Single crystal growth and heaf'.ICSC. - V.№ 2. - P.496 - 503.

93. Kurganskii S I., Pereslavtseva N.S., Yrakov Yu.A., Rudneva I.G., Domashevskaya E.P. Electronic structure of rhenium disilicides // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. - №14. - P.6833 - 6839.

94. Иевлев В. M., КущевС.Б., Солдатенко С.А., Руднева И.Г,, Сербии О.В. Синтез силицидов иридия при импульсной фотонной обработке пленок Me на кремнии.//Воронеж 2002.- Вестник ВГТУ № 1.11 - С.23 - 29.

95. Соколов Л.В., Торопов А.И., Бакланов М.Р., Стенин С.И. Наблюдение поверхностных сверхструктур Si и Ge под слоем естественного окисла// Поверхность. 1982.- №8.-С.9-11.

96. Иевлев В. М., КущевС.Б., Руднева И.Г., Солдатенко С.А. Фазовый состав, ориентация и субструктура пленок силицидов Ir, синтезированных в процессе вакуумной конденсации металла на Si // " Неорганические материалы М. - 2003 V. -39. -№ 5. - С. 1 -7.

97. Иевлев В. М., Кущев С. Б., Тонких Н. Н. Применение импульсного фотонного отжига в технологии изготовления СБИС// Специальная электроника. Сер.3.1. - Микроэлектроника. - Вып. 2 (51). -1987.-С. 56-61.