Синтез, структура и фазовый состав пленок CuInSe2 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Базовой, Борис Павлович

• Базовой, Борис Павлович
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Базовой, Борис Павлович

ВВЕДЕНИЕ.

1. ПОЛУЧЕНИЕ,КТУРА, СВОЙСТВА ПЛЕНОК CuInSe2 (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).

1.1. Система Cu-In-Se.

1.2. Электрические свойства пленок CuInSe2 (CIS).

1.3. Методы получения и структура пленок CuInSe2.

1.3.1. Термическое испарение и конденсация в вакууме.

1.3.2. Ионно-плазменное распыление.

1.3.3. Пульверизация.

1.3.4. Электрохимическое осаждение.

1.3.5. Паротранспортный метод.

1.3.6. Импульсное лазерное распыление.

1.4. Методы активации синтеза пленок CIS.

2. ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ МАТЕРИАЛЫ, СПОСОБЫ СИНТЕЗА ПЛЕНОК CIS И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Исходные материалы для синтеза пленок CIS.

2.2. Способы синтеза пленок CuInSe2.

2.2.1. Термическое испарение из раздельных источников и одновременная конденсация компонентов в вакууме.

2.2.2. Термическое испарение и конденсация пленок CIS в квазизамкнутом объеме.

2.2.3. Магнетронное распыление составной мишени (Cu-In-Se) в вакууме.

2.2.4. Термическая обработка.

2.2.5. Импульсная фотонная обработка (ИФО) пленок системы CuIn-Se.

2.3. Методы анализа фазового и элементного состава и субструктуры пленок.

3. ФАЗОВЫЙ СОСТАВ, СТРУКТУРА И ОРИЕНТАЦИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК CIS, ПОЛУЧЕННЫХ ОДНОВРЕМЕННОЙ КОНДЕНСАЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ.

3.1. Фазовый состав и субструктура тонких пленок CIS, полученных термическим испарением и конденсацией в вакууме.

3.1.1. Влияние температуры подложки на структуру и фазовый состав тонких пленок CIS.

3.1.2. Термообработка тонких пленок CIS.

3.1.3. Ориентированная кристаллизация пленок CuInSe2 на фторфло-гопите.

3.2. Субструктура межфазных границ в двухфазных тонких пленках CuInSe2,.

3.3. Фазовый состав и субструктура тонких пленок CIS, полученных магнетронным распылением составной (Cu-In-Se) мишени в вакууме.

3.3.1. Влияние температуры подложки на структуру и фазовый состав тонких пленок CIS.

3.3.2. Термообработка тонких пленок CIS.

3.4. Обсуждение результатов.

4. СИНТЕЗ ПЛЕНОК CuInSe2 ИМПУЛЬСНОЙ ФОТОННОЙ ОБРАБОТКОЙ (ИФО).

4.1. ИФО пленок CIS полученных термическим испарением и конденсацией в вакууме.

4.2. ИФО пленок CIS полученных методом электрохимического осаждения.

4.3. Анализ структуры и фазового состава тонких пленок CIS, синтезированных термической и импульсной фотонной обработкой.

4.4. Обсуждение результатов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез, структура и фазовый состав пленок CuInSe2»

Актуальность темы. Проблема синтеза и исследование субструктуры пленок тройных соединений с решеткой халькопирита и, в частности, Си-InSe2 актуальны в связи с рядом обстоятельств.

Во-первых, пленки CuInSe2 (CIS) зарекомендовали себя как перспективные материалы для создания высокоэффективных солнечных преобразователей /1-3/. Созданные на их основе гетероструктуры обеспечивают высокий коэффициент полезного действия, по данным /4/ - более 18%. При многообразии способов, реализуемых для синтеза CuInSe2, наиболее существенные результаты достигнуты при вакуумной конденсации компонентов из паровой фазы и термической активации процесса синтеза путем повышения температуры подложки, ограничения на которое накладывает термостойкость используемой при изготовлении гетероструктур солнечных батарей стеклянных (в перспективе-полимерных) подложек. В этой связи актуальным является поиск нетрадиционных (атермических) методов активации синтеза CIS. Например, как показано в работах /6-17/ импульсная фотонная обработка некогерентным излучением ксеноновых ламп существенно ускоряет процесс образования интерметаллидов при твердофазном взаимодействии. Отмечается существенное ускорение твердофазного синтеза новых фаз, локализация структурных превращений у свободной поверхности, высокая дисперсность формируемой структуры, снижение температурного воздействия на подложку.

Во-вторых, при интенсивном исследовании оптоэлектронных свойств гетероструктур на основе CIS, сохраняется недостаток данных о субструктуре пленок, ее связи с условиями роста. Практически отсутствуют данные об эпитаксиальном росте пленок CuInSe2.

Цель работы- сравнительное исследование зависимости фазового состава и субструктуры тонких пленок CIS, синтезированных при термическом испарении и конденсации в вакууме и магнетронным распылением в вакууме 5 от температуры, а также анализ возможности термической и фотонной активации процесса синтеза Си1п8е2.

Решались следующие задачи:

1. Исследование фазового состава, ориентации и субструктуры пленок, образующихся при термическом испарении и конденсации в вакууме и при магнетронном распылении в зависимости от температуры подложки.

2. Исследование влияния термической обработки и импульсной фотонной обработки (ИФО) некогерентным излучением ксеноновых ламп на фазовый состав и субструктуру пленок состава, близкого к стехиометриче-скому, сконденсированных на неподогреваемые подложки.

3. Исследование закономерностей ориентированной кристаллизации пленок Си1п8е2 на фторфлогопите при термическом испарении компонентов и конденсации в вакууме.

Научная новизна исследований.

1. В работе впервые проведено сопоставление фазового состава и субструктур тонких пленок СиГпБег, синтезированных методами термического испарения, магнетронного распыления и конденсации в вакууме на различных подложках в диапазоне температур (50-650°С).

2. Определена зависимость ориентации пленок Си1п8е2 на фторфлогопите от температуры подложки для двух способов синтеза: термического испарения и магнетронного распыления.

3. Определена субструктура межфазных границ в двухфазных ориентированных пленках Си1п8е2.

4. Показана возможность синтеза пленок СиГпБег методом импульсной фотонной обработки пленок состава, близкого к (Си-1п-28с).

5. Определена зависимость эффекта ИФО тонких пленок Си1п8е2 от типа подложки. 6

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

1. Режимы термического испарения и конденсации в вакууме, магнетронного распыления и ИФО, обеспечивающие синтез пленок CuInSe2.

2. При термическом испарении и конденсации в вакууме и при магне-тронном распылении возможен синтез тонких пленок CuInSe2 с двухосной текстурой: (112), [ 110] CIS | 1(001), [100JF с некогерентным сопряжением на межфазной границе Си1п8е2-фторфлогопит.

3. При ИФО некогерентным излучением ксеноновых ламп пленок состава, близкого к стехиометрическому, возможен ускоренный синтез пленок тетрагонального соединения CuInSe2.

4. Активация синтеза тонких (0,1 -0,15 мкм) пленок на Мо при ИФО происходит вследствие локализации энергии излучения в металлической пленке.

Практическая ценность работы. Установлены режимы синтеза пленок CuInSe2, получены данные об их фазовом составе, субструктуре и ориентации. Предложен способ активации процесса синтеза импульсной фотонной обработкой пленок, предварительно сконденсированных при невысоких температурах, направленный на решение проблемы температурных ограничений при использовании подложек с невысокой термостойкостью.

Результаты работы могут быть использованы в процессе создания солнечных элементов на основе CIS.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава (ВГТУ, 1998), на 5-й международной конферен-ции"Пленки и покрытия'98" (Санкт-Петербург, 1998), на 12 -й международной конференции по электронной микроскопии (Черноголовка 1998г.), на 2-ом Всероссийском семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, 1999г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 10 научных работ. 7

Личный вклад автора. Самостоятельно автором были реализованы методики синтеза тонких пленок CuInSe2, а также разработаны режимы импульсной фотонной обработки пленок CIS. Проведены электронно-микроскопические исследования и выполнен анализ фазового состава, субструктуры и ориентации тонких пленок.

Структура работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Она содержит 113 страниц машинописного текста , включающих 24 таблицы, 37 рисунков, 91 библиографический источник.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Базовой, Борис Павлович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Установлены температуры синтеза тонких пленок CuInSe2 при термическом испарении и конденсации в вакууме из трех независимых источников и при магнетронном распылении составной мишени на подложках из Mo, ITO, Si02, фторфлогопита.

2. Установлено, что с повышением Тп происходит увеличение среднего размера зерен, и при Тп> 450°С формируются одноосные текстуры [221], [110]. В тоже время, дисперсность пленок, образующихся при магнетронном распылении, остается на порядок выше, чем в при термическом испарении и конденсации в вакууме.

3. Показана возможность синтеза эпитаксиальных тонких пленок CuInSe2 на поверхности фторфлогопита и определена температура образования монокристаллических пленок с ориентацией (112), [ 110] CIS | 1(001), [100]F, отвечающей несоответствию параметров решеток около 23% при некогерентном сопряжении на межфазной границе подложка-пленка.

4. Установлен характер сопряжения на межфазной границе кубической и тетрагональной фаз CuInSe2. При ориентационном соотношении (1 1 1)[1 Т 0] К 11 (1 1 2)[1 10] Т на межфазной границе реализуется частично когерентное сопряжение решеток посредством сетки межфазных дислокаций. Определены векторы Бюргерса межфазных дислокаций.

5. Показана возможность синтеза пленок CuInSe2 в короткие промежутки времени (1-2с) при относительно низкой температуре подложки (не более 250°С) методом импульсной фотонной обработки аморфно-кристаллических пленок состава, близкого к стехиометрическому. Определены пороговые значения удельной мощности излучения, при которых начинается образование соединения CuInSe2.

102

6. Показано, что при ИФО тонких (прозрачных в видимой части спектра) пленок, активизация синтеза Си1п8е2 происходит вследствие локализации энергии светового излучения в металлическом подслое.

103

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Базовой, Борис Павлович, 2000 год

1. Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики, под ред. Т. Коутса, Дж. Микина (М., Мир, 1988).

2. T.J.Coutts, L.L.Kamerskiy, S.Wagner. Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Application//Amsterdam, 1985.

3. J.L.Shay, J.H.Wernick. Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications // N.Y., Pergamon Press, 1975.

4. Powder Diffraction File, Alphabetical Index Inorganic Compounds, 1977, JCPDS, Pensilvania 19081, U.S.A.

5. Иевлев B.M., Кущев СБ., Злобин В.П. Структура и состав силицидов, образующихся при фотонном отжиге Pt на Si // ФХОМ.-1986,-№2,- с.128-130.

6. Вассерман A.JL, Жильцов В.И., Мхитаров М.А. Установка импульсной термической обработки полупроводниковых пластин // МНТ,-Научно-технические достижения (ВИМИ).- 1985,- Вып.З,- с.39-42.

7. Хайбуллин И.Б., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводников, состояние проблемы и нерешенные вопросы // Физика и техника полупроводников 1985,- Т.19,- В.4,- с.569-591.

8. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Злобин В.П., Бурова С.В. Влияние импульсного фотонного отжига и ионного облучения на фазовый состав и структуру пленок Ti на Si // Всесоюз. конф. "Ионно-лучевая модификация материалов": Тез.док.-М., 1987. с. 252.104

9. Иевлев В.M., Кущев С.Б., Злобин В.П. и др. Получение силицидов палладия с помощью импульсного фотонного отжига // Э.П.- №2(Т) (33). -1987.-с. 65-69.

10. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Тонких H.H. Применение импульсного фотонного отжига в технологии изготовления СБИС // Специальная электроника. Сер.З, Микроэлектроника, 1987,- Вып.2 (51).- с.56-61.

11. Бурова C.B., Злобин В.П., Иевлев В.М. и др. Формирование силицидов титана методом импульсного фотонного отжига // ЭП(Т).- 1988.-№2,- с.34-37.

12. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Злобин В.П. и др. Получение силицидов палладия с помощью импульсного фотонного отжига // ЭП,- №2(Т) (33). -1987.-с. 65-69.

13. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Тонких H.H. Применение импульсного фотонного отжига в технологии изготовления СБИС // Специальная электроника. Сер.З, Микроэлектроника, 1987,- Вып.2 (51).- с.56-61.

14. Бурова C.B., Злобин В.П., Иевлев В.М. и др. Формирование силицидов титана методом импульсного фотонного отжига // ЭП(Т).- 1988,-№2,- с.34-37.

15. Иевлев В.М., Кущев СБ., Сивак В.М. Импульсная фотонная обработка пленок платины на поликристаллическом кремнии // ЭП,- 1990.-№9,- с.66-68.

16. Егоров В.В., Злобин В.П., Иевлев В.М. и др. Метод импульсного фотонного отжига в технологии изготовления интегральных схем с диэлектрической изоляцией // ЭП,- 1989.-№9,- с.2-5.

17. Ramaan, A. N. Y.; Vaidhyanathan, R.; Noufi, R. N.; Tomlinson, R. D. Growth and Characterization of Polycrystalline CuInSe2 Thin Films // Solar Cells. Vol. 16(Complete), January/February 1986; pp. 181-198.

18. A.Niemegeers, M. Burgelman, R. Herberholz, U. Rau, D. Hariskos and

19. H.-W. Schock. A model for the electronic transport in Cu(In,Ga)Se2 solar cells // Progress in Photovoltaics, 6, 407-421,1998

20. Miglioroto P., Shay J.L., Kasper H.M. The phase relations in the Cu, In, Se system and the growth of the CuInSe2 single crystalls // J. Electron. Mater. 1975. V. 4. N2. P. 209-222.

21. Бондарь И.В., Лукомский А.И. Полупроводниковые соединения с общей формулой АВХ2 // Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск: СО АН СССР, 1981. с. 110-113.

22. Конешова Т.Н., Бобицина A.A., Калинников В.Т. Исследование системы Cu2Se-In2Se3 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1982. Т. 18. N9. с. 1483-1486.

23. Гусейнов Г.Г., Гамбаров Д.М. Исследования в области неорганической и физической химии // Баку: ЭЛМ, 1971.-346с.

24. Гамбаров Д.М., Гусейнов Г.Г., Караев З.Ш. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1972. Т. 8. N 12. с. 2211-2212.

25. Lesuer S., Djegamiadasson С., Charpin P., Albany J.K. Growth of single CuInSe2 Crystals by the Traveling Heater Method and their characterization // Ternary Compounds Inv. Contrib. Pap. 3-rd Int. Conf. Edinburgh, 1977. BristolLondon. 1977. P. 15-20.

26. Fearbeiley M.L. The phase relations in the Cu, In, Se system and the growth of the CuInSe2 single crystalls // Solar cells. 1986.V. 16. P. 91-100.

27. Samaan, A. N. Y.; Vaidhyanathan, R.; Noufi, R. N.; Tomlinson, R. D. Growth and Characterization of Polycrystalline CuInSe2 // Thin Films. Solar Cells. Vol. 16(Complete), January/February 1986; pp. 181-198.107

28. V. Alberts, J. Bekker, M.J. Witcomb, J.H. Schon, E. Bucher. Control of defect levels in CuInSe2 prepared by rapid thermal processing of metallic alloys // Thin Solid Films, 2000, pp. 361-362.

29. Dagan, G.; Endo, S.; Hodes, G.; Sawatzky, G. A.; Cahen, D. Ternary Chalcogenide-Based Photoelectrochemical Cells n-CuIn5S8/Aqueous Polysulfide // Solar Energy Materials. Vol. 11(1 & 2), October 1984; pp. 57-74.

30. К. Чопра, С.Дас. Тонкопленочные солнечные элементы. // М.: Мир, 1986.-435 с.

31. Т. М. Ratcheva, Y. D. Tchistiakov. Solar Cells Based on CuInSe2 and Related Compounds: Material and Device Properties // Phis. Stat. Sol., 1973, vl6, pp. 234-237.

32. L. L. Kazmerski, M. S. Ayagiri. J. Theory of the Band Gap Anomaly in ABC2 Chalcopyrite Semiconductors // Vac. Sci. Tech., 1976, v.13, pp.432-441.

33. F. Fray, P. Lloyd. Growth of Cu(In,Ga)Se2 thin films by coevaporation using alkaline precursors // Thin Solid Films., 1979, v.58, pp.761-764.

34. Y. Kokubun, M. Wada. Characterising superstrate CIS solar cells with electron beam induced current// Jpn. J. Appl. Phys., 1977, v. 16, pp. 675-678.

35. Banerjee, P. Nath, V. D. Vankar, K. L.Copra. High pressure selenisation of CuInSe2 // Phys. Stat. Sol.(a)., 1978, v.46, pp. 443-444.

36. L. L. Kazmerski, R. B. Cooper. Deposition of smooth CuInSe2 films from single sources // IEEE Trans. Electron. Dev., 1977, ED-24, pp.233-235.

37. J. Piekoszewski, J. J. Loferski. Preparation of ordered vacancytV»chalkopyrite thin films by RF sputtering from CuInSe2 target // Proc. 14in IEEE Photovolt. Spec. Conf., San Diego, 1980, p.780.108

38. R. Durny, A. E. Hill. Growth and Characterization of Polycrystalline CuInSe2 Thin Films // Thin Solid Films, 1980, vol.69, pp.879-881.

39. W.Horig, H. Newmann. Growth studies of CuInSe2 films // Thin Solid Films, 1978, vol.48, pp. 345-347.

40. Pamlin, R. S. Fingleton. CIGS Films Via Nanoparticle Spray Deposition // Thin Solid Films, 1979, vol. 60, pp. 299-302.

41. F. R. White, A.H.Clark. Basic considerations on the growth CIS films by molecular beam epitaxy // J. Appl. Phys, 1979, vol. 50, pp.679-681 .

42. S.Zweigart, H.W.Schock. A new method for the analysis of filmtbformation kinetics and a simple process for the growth of CuInSe2. // 14m EU Photovoltaic Solar Energy Conference, Barcelona 1997.

43. S.Chatraphorn, K. Yoodee, K. Rattanathammapan, S. Wongshaiboon, P.n j

44. Songpong, etc. The CuInSe2 Based Solar Cells. // The 2 Japan-Tailand Joint Seminar On Photovoltaics. January 26th, 1996, Chaophya Park Hotel, Bangkok, Thailand.

45. H. W. Schock. Sulfur Post Deposition Treatment of CuInSe2 Absorbers // Solar Energy Materials and Solar Cells, 1994, vol.34, p.19.

46. T.Tanaka, Y.Demizu, T Yamaguchi, A.Yoshida. Preparation of ordered vacancy chalkopyrite thin films by RF sputtering from CuInSe2 target with Na2Se.// J.Appl.Phis., 1996, Vol.35, pp. 2779-2781.

47. B.T.Boiko. Deposition of CuInSe2 and CuIn3Se5 by Kharkov State University. // INTAS Meeting Stuttgart, 6/1998.

48. G.Masse, K.Guenoun, K.Djessas, F.G.Guastavino. p- and n- type CuInSe2 thin films grown by close-spaced vapour transport. // Thin Solid Films., 1997, Vol.293, pp. 45-51.

49. И.В.Боднарь, В.Ф.Гременюк, В.Ю.Рудь, Ю.В.Рудь. Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе лазерно-осажденных слоев CuIn(TexSe,.x)2. //ФТП, 1998, том 32, N4. С. 458-460.109

50. В.Ю.Рудь, Ю.В.Рудь, И.В.Боднарь, В.Ф.Гременюк. Оптическое поглощение и фоточувствительность структур из тонких пленок CuInGai„xSe2 // ФТП, 1998, том 32, N4. С. 432-435.

51. В.Ю.Рудь, Ю.В.Рудь, H.W.Schock. Поляризационная фоточувствительность солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2.// ФТП, 1999, том 33, N4, с. 484-487.

52. Н.Н.Константинова, М.А.Магомедова, В.Ю.Рудь, Ю.В.Рудь. Фотопроводимость пленок CuInSe2// ФТП, 1997, том 31, N11, с. 1336-1339

53. Baeri P., Grimaldi M.G., Rimini Е. Gelotti G. Pulsed laser irradiation of nikel films on silicon // Journal de physique.-1983.- V.44.- P. 449 454.

54. Shibata Т., Gibbons J.E., Sigmon T.N. Silicide formation using a scanning CW laser beam // Appl. Phys. Lett. 1980,- V.38. - N7. - P.566-569.

55. Van der Spiegel J., Wie C.S. Fast radiactive processing of processing of platinum silicide // J. Appl. Phys. 1985,- V.57.- N2,- P.607-609.

56. Levy D., Grob A. , Grob J.J., Ponpon J.P. Formation of palladium silicide by rapid thermal annealing // Appl. Phys. 1984,- V.A35.- N3,- P.141-144.

57. Лабунов В.А., Борисенко B.E., Заровский Д.И. и др. Формирование силицидов импульсной термообработкой пленочных структур. // ЗЭТ 1985. - N8.(291).-С.27 -53.

58. Baeri P., Grimaldi M.G., Rimini Е. Gelotti G. Pulsed laser irradiation of nikel films on silicon // Journal de physique.-1983,- V.44.- P. 449 454.

59. Shibata Т., Gibbons J.E., Sigmon T.N. Silicide formation using a scanning CW laser beam // Appl. Phys. Lett. 1980,- V.38. - N7. - P.566-569.

60. Kaschmitter J.L., Sigmon T.W. Solar cells on thin-Si film recrystalize by pulse treatment.// R. D. N 94219487 Ordered by 29. 03. 94. Publ. 10.10.95. US 5456763 A.

61. Van der Spiegel J., Wie C.S. Fast radiactive processing of processing of platinum silicide // J. Appl. Phys. 1985,- V.57.- N2,- P.607-609.110

62. Levy D., Grob A. , Grob J.J., Ponpon J.P. Formation of palladium silicide by rapid thermal annealing // Appl. Phys. 1984,- V.A35.- N3,- P.141-144.

63. Кущев С.Б. Исследование фазового состава и субструктуры силицидов, образующихся при импульсной фотонной обработке некогерентным излучением пленок металлов на кремнии // Дис. д-ра физ,-мат. наук. Воронеж 2000, 248 стр.

64. А.М.Беликов, А.Т.Косилов, В.Б.Шепилов. // Структурные и спектральные методы исследований.-ВГТИ, 1984.-223 с.

65. Майсселл JI., Глэнг Р. Технология тонких пленок (справочник).// М.: Советское радио, 1977.-Т.1,- 664 с.

66. В.П.Жузе, В.М.Сергеева, Е.Л.Штрум. Полупроводниковые соединения с общей формулой АВХ2.// Журнал технической физики., 1958, том 28, с.2093-2101.

67. PROCESSING & MODELING ISSUES FOR THIN FILM SOLAR CELL DEVICES // Final Report to National Renewable Energy Laboratory under Subcontract No. XAV-3-13170-01 (1/16/93 to 1/15/97).

68. H. W.Schock. Strategies for the Development of Multinary Chalcopyrite Based Thin Film Solar Cells //in Proceedings of the 12th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (Amsterdam, 1994) p. 944.

69. A.M. Hermann, M. Mansour V. Badri B. Pinkhasov, C. Gonzales F. Fickett M.E. Calixto, P.J. Sebastian C.H. Marshall T.J. Gillespie. Deposition of smooth Cu(In,Ga)Se2 films from binary multilayers // Thin Solid Films, 2000, pp.361-362.

70. E.B. Yous, T. Asikainen, V. Pietu, P. Cowache, M. Powalla, D. Lincot // Cadmium-free buffer layers deposited by atomic later epitaxy for copper indium diselenide solar cells// Thin Solid Films 361-362 (2000) 183-186

71. В.М.Иевлев, Е.К.Белоногов, Б.П.Базовой, С.Б.Кущев, А.Д.Поваляев. Субструктура межфазных границ в двухфазных тонких пленках CuInSe2 // Вестник ВГТУ, 1998, вып. 1.3, стр.53-55.

72. В.М.Иевлев, Е.К.Белоногов, Б.П.Базовой "Применение ИФО для синтеза пленок CuInSe2M // Вестник ВГТУ, 1998, вып. 1.3, стр.56-58.

73. V.M.Ievlev, B.T.Boiko, E.K.Belonogov, В.P. Bazovoy "Sinthesis of CuInSe2 during photon treatment of the films received by electrocemical deposition method" // Вестник ВГТУ, 1999, вып. 1.5, стр. 101-102.

74. В.P. Bazovoy, E.K.Belonogov, V.M.Ievlev "Substructure of CIS thin films" // Вестник ВГТУ, 1999, вып.1.5, стр.103-104.

75. В.М.Иевлев, Е.К.Белоногов, Б.П.Базовой Применение импульсной фотонной обработки для синтеза пленок CuInSe2. // Неорганические материалы, 2000, том 36, N9, с. 1042-1044.

76. V.M.Ievlev, B.T.Boiko, E.K.Belonogov, В.P. Bazovoy Sinthesis of CuInSe2 using pulse photon treatment // Functional materials, v. 6, 1999, pp.828830.

77. В.М.Иевлев, Е.К.Белоногов, Б.П.Базовой. Фазовый состав пленок CuInSe2 на Si" // Труды 5-й международной конференции"Пленки и покрытия'98" 23-25 сентября 1998г., Санкт-Петербург, 1998, с.372.

78. В.М.Иевлев, Е.К.Белоногов, Б.П.Базовой. Структура межфазных границ в пленках CuInSe2 //12 международная конференция по электронной микроскопии, 12 18 июня 1998г., Черноголовка, с. 144.

79. В.М.Иевлев, Е.К.Белоногов, Б.П.Базовой. Синтез пленок CuInSe2 методом ИФО // 2 Всероссийский семинар "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении"// 3-5февраля 1999г., Воронеж, стр. 150-151.

80. V.M.Ievlev, E.K.Belonogov, В.P. Bazovoy. Pulsed photon treatment technique for the sinthesis of CuInSe2 films // MPSL'99, International Conference, May 25-29, 1999, Sumy, Ukraine, p.282.113

81. Хирш П., Хови А., Николсон Р. и др.// Электронная микроскопия тонких кристаллов.-М.: Мир, 1968.-574 с.