Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок в гетеросистемах Cu/Ni, Cu/Pd, Ni/Pd тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Жиляков, Дмитрий Геннадьевич

• Жиляков, Дмитрий Геннадьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Жиляков, Дмитрий Геннадьевич

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

ГЛАВА 1 ТОНКИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ

ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).

1.1 Методы получения тонких пленок.

1.2 Ориентированная кристаллизация пленок

1.3 Механизмы роста пленок

1.3.1 Рост пленки по Фольмеру и Веберу.

1.3.2 Рост пленки по Франку и Ван дер Мерве.

1.3.3 Рост пленки по Крастанову и Странскому.

1.4 Структура псевдоморфного слоя.

1.5 Механизм релаксации упругих деформаций псевдоморфного слоя.

1.6 Кристаллогеометрические критерии ориентированной кристаллизации.

1.7 Энергия межфазных границ в металлических пленочных системах.

1.8 Фазовый размерный эффект.

1.9 Дефекты кристаллической структуры пленок

1.9.1 Вакансии

1.9.2 Примесные атомы

1.9.3 Дислокации.

1.9.4 Дефекты упаковки.

1.10 Постановка задач.

ГЛАВА 2 МЕТОДИКА КОМПЬЮТЕРНОГО ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1 Межатомное взаимодействие.

2.2 Расчетные схемы

2.2.1 Алгоритм метода молекулярной динамики

2.2.2 Алгоритм метода статической релаксации

2.3 Метод погруженного атома.

2.4 Расчет основных характеристик моделей.

2.4.1 Измерение термодинамических величин

2.4.2 Структурные функции.

2.4.3 Многогранники Вороного.

2.5 Периодические граничные условия

ГЛАВА 3 ПОСТРОЕНИЕ КОМПЬЮТЕРНЫХ МОДЕЛЕЙ

ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СИСТЕМ Cu-Ni, Cu-Pd HNi-Pd.

3.1 Построение молекулярно-динамических моделей подложек различных ориентаций и создание аморфных пленок

3.2 Методика молекулярно-динамического расчета

ГЛАВА 4 СТРУКТУРНЫЕ И СУБСТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ

В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СИСТЕМАХ Cu-Ni, Cu-Pd HNi-Pd.

4.1 Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфной пленки Си на

001)Ni в условиях изохронного отжига.

4.1.1 Ориентированная кристаллизация пленки Си на монокристаллической подложке Ni ориентации (001)

4.1.2 Механизмы компенсации размерного несоответствия.

4.1.3 Эволюция структуры пленки в процессе отжига.

4.2 Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок Си на

110)№, Си на (110)Pd и Ni на (110)Pd в условиях изохронного отжига.

4.2.1 Структурная релаксация при кристаллизации тонких пленок Си и Ni.

4.2.2 Эволюция дефектной структуры пленок при отжиге

4.3 Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок Си на (111)№, Си на (11 l)Pd и Ni на (11 l)Pd в условиях изохронного отжига

4.3.1 Структурная релаксация при кристаллизации тонких пленок Си на (11 l)Ni и Си, Ni на (11 l)Pd.

4.3.2 Превращения дефектной структуры пленок Си на

11 l)Ni и Си, Ni на (11 l)Pd при отжиге.

4.4 Структурная самоорганизация монослоя Ni на (11 l)Pd .Ill

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок в гетеросистемах Cu/Ni, Cu/Pd, Ni/Pd»

Актуальность темы. Большинство используемых методов исследования закономерностей роста и структуры многослойных пленочных систем при всей своей высокой интегральной (дифракционные) или локальной (микроскопические) разрешающей способности дают информацию о структурной организации системы, распределении дефектов на определенных этапах ее эволюции в реальном масштабе времени. В то же время они не позволяют проследить динамику структурных и субструктурных превращений, зафиксировать элементарные процессы на атомном уровне непосредственно в процессе ориентированной кристаллизации. Если учесть, что времена элементарных термоактивационных актов перестройки структуры находятся в пикосекундном интервале, то получаемая инструментальными методами информация (рентгенограммы, электронограммы, микрофотографии и др.) носит усредненный характер по активационным процессам, находящимся за пределами возможностей их временного разрешения данными методами. Отсутствие информации о локальных (атомных) путях ее перестройки, как правило, восполняется логически обоснованными предположениями о путях ее эволюции, проверить которые не представляется возможным. Существенный прогресс в раскрытии атомных механизмов перестройки структуры может быть достигнут с использованием вычислительной техники, позволяющей перейти к непосредственному моделированию систем, состоящих из многих частиц и, как следствие, детальному изучению их локальных атомных конфигураций.

Возможность молекулярно-динамического эксперимента фиксировать события на атомном уровне с временным разрешением ЗхЮ"1'с позволяет проследить в деталях за всеми процессами перестройки структуры на всех этапах ее эволюции.

Работа выполнена в рамках проекта ГБ 0101 Федеральной целевой программы «Интеграция науки высшего образования России на 2002-2006 года».

Цель работы. Установление атомных механизмов и закономерностей структурных и субструктурных превращений при ориентированной кристаллизации аморфных пленок ГЦК-металлов: Cu/(001)Ni, Cu/(110)Ni, Cu/(11 l)Ni, Ni/(110)Pd, Ni/(11 l)Pd, Cu/(110)Pd, Cu/(11 l)Pd.

Для этого решали следующие задачи:

- создание моделей пленочных гетеросистем Си на (001),(110),(11 l)Ni, CunNi на (110),(lll)Pd; молекулярно-динамическое моделирование ориентированной кристаллизации аморфных пленок Си на (001),(110),(lll)Ni, Си и Ni на (110),(11 l)Pd в условиях изохронного отжига;

- изучение основных закономерностей формирования структуры и субструктуры при ориентированной кристаллизации пленочных гетеросистем; исследование влияния ориентации подложки на процессы кристаллизации и структурной самоорганизации пленок; исследование процессов перестройки субструктуры в ходе изохронного отжига; исследование структурной самоорганизации при нагреве монослойной пленки.

Научная новизна. На атомном уровне установлены процессы формирования дефектной субструктуры при ориентированной кристаллизации аморфных пленок в гетеросистемах Cu/(001)Ni, Cu/(110)Ni, Cu/(lll)Ni, Cu/(110)Pd, Cu/(lll)Pd, Ni/(110)Pd и Ni/(lll)Pd в условиях изохронного отжига, а также закономерности перестройки дислокационной структуры пленок при нагреве.

Установлено, что на подложках (001) и (110) аморфные пленки кристаллизуются в параллельную ориентацию с образованием ГЦК структуры, а в системах с ориентацией подложки (111) при кристаллизации образуется доменная структура с ГЦК и ГПУ укладкой.

Компенсация размерного несоответствия в системе Cu/(001)Ni происходит за счет образования в объеме пленок частичных дислокаций Шокли и вершинных дислокаций.

В системах с ориентацией подложки (110) компенсация размерного несоответствия в двух ортогональных направлениях происходит за счет дислокаций разного типа: частичных Шокли и вершинных - в направлении (001), и полных дислокаций смешанного типа - в направлении [110].

В системах с ориентацией подложки (111) компенсация размерного несоответствия осуществляется за счет образования в плоскостях параллельных границе раздела фаз дефектов упаковки, ограниченных частичными дислокациями Шокли.

В системе Cu/(001)Ni обнаружен механизм консервативного перемещения вершинных дислокаций в направлении межфазной границы в процессе нагрева.

Обнаружены элементарные акты обменной диффузии атомов подложки и пленки, инициируемые полными дислокациями несоответствия на границе раздела фаз в системах Cu/(110)Pd и N1/(110)Pd.

Установлено, что в системе монослой Ni на (lll)Pd (в отличие от системы монослой Ni на (001)Pd) диффузия атомов подложки в монослой и формирование твердого раствора не наблюдается.

Основные положения, выносимые на защиту:

- в условиях изохронного отжига в системах Си на (001)Ni, Си на (110)Ni, Си и Ni на (110)Pd образуется ГЦК структура с ориентацией параллельной подложке, а в системах с ориентацией подложки (111) образуется доменная структура с ГЦК и ГПУ укладкой:

Ill), [101] ГЦК-пленки II (111), [101] ГЦК - подложки;

0001), [2110] ГПУ-пленки || (111), [101] ГЦК - подложки;

- компенсация размерного несоответствия в системе Си на (001)Ni происходит за счет образования в объеме пленок частичных дислокаций Шокли и вершинных дислокаций, а в системах Си на (110)Ni, Си и Ni (110)Pd в зависимости от направления при кристаллизации образуются полные дислокации, краевые частичные и вершинные дислокации;

- в системах с ориентацией подложки (111) компенсация размерного несоответствия осуществляется за счет образования в плоскостях, параллельных границе раздела фаз, дефектов упаковки, ограниченных частичными дислокациями Шокли;

- в тонких пленках Си на (001),(110)Ni и Си, Ni на (110)Pd с ростом температуры повышается количество частичных дислокаций Шокли на межфазной границе, а в системах с ориентацией подложки (111) с повышением температуры уменьшается дефектность пленок пленок с метастабильной ГПУ-структурой;

- в системе Си на (001) Ni обнаружен механизм консервативного перемещения вершинных дислокаций в направлении межфазной границе в поле внутренних напряжений;

- в системах Cu/(110)Pd и Ni/(110)Pd обнаружены элементарные акты обменной диффузии атомов подложки и пленки, инициируемые полными дислокациями несоответствия на границе раздела фаз.

Практическая ценность работы. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании многослойных пленочных гетероструктур в системах с относительно большим размерным несоответствием кристаллических решеток.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы были представлены на следующих симпозиумах, конференциях и семинарах:

IV Международном семинаре «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Астрахань, 2002); X Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Москва, 2004); III Международной научной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации» (Иваново, 2004); Международной школе-семинаре «Современные проблемы механики и прикладной математики» (Воронеж, 2004); V Международной конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 2004); XXI Международной конференции «Нелинейные процессы в твердых телах» (Воронеж, 2004); XI Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Екатеринбург, 2005); Международной школе-семинаре «Современные проблемы механики и прикладной математики» (Воронеж, 2005).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 13 работ.

Личный вклад автора. Автором самостоятельно получены, обработаны и проанализированы все основные результаты, выносимые на защиту. Постановка задач, определение направлений исследований, обсуждение результатов, подготовка работ к печати и формулировка выводов работы осуществлялись совместно с научным руководителем, профессором А.Т. Косиловым. Консультирование по методам компьютерного эксперимента осуществлял доцент А.В. Евтеев.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы из 107 наименований. Работа содержит 126 страниц, включая 54 рисунка.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Жиляков, Дмитрий Геннадьевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

На основе молекулярно-динамического анализа моделей тонкопленочных гетеросистем: Cu/(001)Ni, Cu/(110)Ni, Cu/(lll)Ni, Cu/(110)Pd, Cu/(lll)Pd, Ni/(110)Pd и Ni/(lll)Pd, в рамках метода погруженного атома, установлены основные закономерности структурных и субструктурных превращений при ориентированной кристаллизации аморфных тонких пленок Си и Ni нанометровой толщины на монокристаллических подложках различной ориентации:

1. Аморфные пленки Си на (OOl)Ni, Си на (110)Ni, Си и Ni (110)Pd, кристаллизуются с образованием ГЦК структуры с ориентацией параллельной подложке. Аморфные пленки Си на (11 l)Ni, а также Си и Ni на (11 l)Pd кристаллизуются в параллельную ориентацию, атомы образуют доменную структуру с ГЦК и ГПУ укладкой: (111), [101] ГЦК - пленки || (111), [101] ГЦК - подложки; (0001), [2110] ГПУ - пленки || (111), [loi] ГЦК - подложки.

2. Установлено, что при ориентированной кристаллизации в условиях изохронного отжига размерное несоответствие в гетеросистеме Cu/(001)Ni (/о~0.027) компенсируется образованием ортогональной сетки вершинных дислокаций и частичных дислокаций Шокли в объеме пленки в плоскостях, параллельных межфазной границе. Вершинные дислокации образуются в результате рекомбинации двух частичных дислокаций Шокли в смежных плоскостях скольжения {111}. В системах с ориентацией подложки (110) в плотноупакованном направлении размерное несоответствие компенсируется образованием полных смешанных дислокаций с вектором Бюргерса Ь=(а/2) [110], а в направлении [001] - вершинными дислокациями и частичными дислокациями Шокли. В системах с ориентацией подложки (111) компенсация размерного несоответствия осуществляется за счет образования в плоскостях, параллельных границе раздела фаз, дефектов упаковки вычитания в системе Cu/(lll)Ni и внедрения - в системах Cu/(lll)Pd и Ni/(lll)Pd. Дефекты упаковки ограничены частичными дислокациями Шокли, образующие замкнутые контуры. Плотность дислокаций растет с увеличением размерного несоответствия.

3. Нагрев пленочных гетеросистем сопровождается перестройкой дефектных структур. В тонких пленках Си на (001),(110)Ni и Си, Ni на (110)Pd с ростом температуры повышается плотность частичных дислокаций Шокли на межфазной границе и уменьшается плотность вершинных дислокаций.

4. При исследовании перестройки дефектной структуры пленки Си на (OOl)TNTi в процессе нагрева впервые обнаружен механизм консервативного перемещения вершинных дислокаций в направлении межфазной границе в поле внутренних напряжений.

5. В системах с ориентацией подложки (111) с повышением температуры уменьшается дефектность пленок с метастабильной ГПУ-структурой. Аккомодация упругих напряжений, связанных с несоответстви е rvi параметров решеток подложки и пленки, обеспечивается формированием дефектов упаковки, расположенных на межфазной границе, что создает условия для бездефектного формирования последующих слоев пленки.

6. В системах Cu/(110)Pd и Ni/(110)Pd обнаружены элементарные акты обменной диффузии атомов подложки и пленки на границе раздела фаз, инициируемые полными дислокациями несоответствия.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Жиляков, Дмитрий Геннадьевич, 2005 год

1. Осипов К.А., Фолманис Г.Э. Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков. - М.: Наука, 1973. - 87 с.

2. Иевлев В.М., Бугаков А.В., Трофимов В.И. Рост и субструктура конденсированных пленок. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2002. - 386 с.

3. Хейденрайх Р. Основы просвечивающей электронной микроскопии. -М.: Мир, 1960.-348 с.

4. Хирс Дж.П., Моазед К.Л. Образование зародышей при кристаллизации тонких пленок // Физика тонких пленок. М.: Мир, 1970. С. 123-166.

5. Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971.-480 с.

6. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. - 320 с.

7. Хирш П. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968. -274 с.

8. Volmer М., Weber A. Nuclei formation in supersaturated states // Z. Phys. Chem. 1926. - Vol. 119. - P. 277-3 01.

9. Walton D., Rhodin T. N., Rollins R. W. Nucleation of Silver on Sodium Chloride // J. Chem. Phys. 1963. - Vol. 38. - P. 2698-2702.

10. In-situ ТЕМ Studies of Palladium on MgO / K. Heinemann, T. Osaka, H. Poppa, et al. // J. Catal. 1983. - Vol. 83. - P. 61-65.

11. Friesen C., Seel S. C., Thompson С. V. Reversible stress changes at all stages of Volmer Weber film growth // J. Appl. Phys. - 2004. - Vol. 95. - №3. - P. 10111020.

12. Heteroepitaxial growth of InAs on Si: The new type of quantum dots / G.E. Girlin, N.K. Polyakov, V.N. Petrov et al. // Mater. Phys. Mech. 2000. - Vol.1. -P. 15-19.

13. Van der Merwe J.H., Frank F.C. Misfitting monolayers // Proc. Phys. Soc. -1949.-Vol. 62A.-№5.-P. 315-316.

14. Frank F.C., van der Merwe J.H. One dimensional dislocations. Static theory // Proc.Roy. Soc. - 1949. - Vol. 198A. -№1053. - P. 205-216.

15. Ван дер Мерве Дж. Несоответствие кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложкой // Монокристаллические пленки. М.:Мир, 1966. - С. 172-201.

16. Stranski I.N., Kr'stanov L. Theory of orientation separation of ionic crystals // Sitzber. Akad. Wiss. Wien. Math. Naturw. 1938. - Vol. 146. - P. 797-810.

17. Kinetic pathway in Stranski-Krastanow growth of Ge on Si(001) / Y.W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentrruber, M.G. Lagally et al. // Phys. Rev. Lett. -1990.-Vol. 65,-№8.-P. 1020-1023.

18. Stranski-Krastanow growth of InSb, GaGb and AlSb on GaAs: structure of the wetting layers / B.R. Bennet, B.V. Shanabrook, P.M. Thibado et al. // J. Cryst. Grow. 1997. - Vol. 175. - P. 888-893.

19. Electronic surface structure of и-ML Ag/Cu(lll) and Cs/w-ML Ag/Cu(lll) as investigated by 2PPE and STS / M. Wessendorf, C. Wiemann, M. Bauer et al. // Apple. Phys. 2004. - Vol. 78A. - P. 183-188.

20. Finch G.I., Quarrell A.G. Crystal structure and orientation in zinc-oxide films //Proc. Phys. Soc. 1934. - Vol. 46. - P. 148-162.

21. The growth mode of Cu overlayers on Pd(100) / H. Asonen, C. Barnes, A. Salocatve et al. // Surf. Sci. 1985. - Vol. 22/23. - P. 556-564.

22. Epitaxial growth of metastable Pd(001) on bcc-Fe(OOl) / B. Roos, A. Frank, S.J. Demokritov et al. // J. Magn. and Magn. Mater. -1999. -Vol. 198/199. -P. 725-727.

23. Large strains in the epitaxy of Cu on Pt(001) / Y.S. Li, J. Quinn, H Li et al. // Phys. Rev. 1991. -V. 44B. -№15. - P. 8261-8266.

24. Atomistics of the epitaxial growth of Cu on W(110) / K. Reshoft, C. Jensen, U. Kohler et al. // Surf. Sci. 1999. - Vol. 421. - P. 320-336.

25. Growth of hep Cu on W(100) / H. Wormeester, M.E. ICiene, E. Hiiger et al. // Surf. Sci.- 1997.-Vol. 377/379.-P. 988-991.

26. Gidley D. W. Position Tunneling and Emission from Pseudomorphically Growth Ni Films on Cu Substrates // Phys. Rev. Letters. 1989. - Vol. 62. -P. 811-814.

27. Epitaxial growth of gamma-Fe on Ni(OOl) / S.H. Lu, Z.Q. Wang, D. Tian et al. // Surf. Sci. 1989. - Vol. 221. - P. 35-38.

28. Non-coherent growth patches in pseudomorphic films: Unusual strain relief in electrodeposited Co on Cu(OOl) / W. Schindler, Th. Koop, A. Kazimirov et al. // Surf. Sci. Lett. 2000. - Vol. 465. - P. 783-788.

29. De la Figuera J. Scanning-tunneling-microcopy study of the growth of cobalt on Cu(l 11) // Phys. Rev. 1993. - Vol. 47B. - P. 13043-13046.

30. Surface structures from LEED: metal surfaces and metastable phasesin. The Structure of Surfaces // ed. by J.F. van der Veen and M.A. Van Hove. -Springer. 1987.-90 p.

31. Epitaxial growth of ultrathin Fe films on Ni(001): a structural study / P. Luches, G.C. Gazzadi, A. Bona et al. // Surf. Sci. 1999. - Vol. 419. - P. 207-215.

32. Lee K.H., Hong S.I. Interfasial and twin boundary structures of nanostructured Cu-Ag filamentary composites // J. Mater. Res. 2003. — Vol. 18. -№9.- P. 2194-2202.

33. Competition between strain and interface energy during epitaxial grain growth in Ag films on Ni(001) / J.A. Floro, C.V. Thompson, R Carel, et al. // J. Mater. Res. 1996. - V. 9. - №9. - P. 2411-2417.

34. Структура межкристаллитных и межфазных границ / В.М. Косевич, В.М Иевлев, JI.C. Палатник и др. М.: Металлургия, 1980. - 256 с.

35. Jacobs М.Н., Pashley D.W., Stowell M.J. The formation of imperfections in epitaxial gold films//Phil. Mag.- 1966.-Vol. 13. -№121. -P. 129-156.

36. Тхорик Ю.А., Хазан JI.C. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев.: Наукова думка, 1983.-304 с.

37. Fitzgerald Е.А. Dislocations in strained layer epitaxy: theory, experiment, and applications // Mater. Sci. Rep. 1991. - Vol. 7. -№1. -P.87-142.

38. Мильдивский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. -М.: Металлургия, 1985. 160 с.

39. Van der Merwe J.H. Misfit dislocation generation in epitaxial layers // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 1991. - Vol. 17. - №3. - P. 187-209.

40. Van der Merwe J.H. Strain relaxation in epitaxial overlayers // J. Electron. Maters. 1991. - Vol. 20. - №10. - P. 793-803.

41. Freund L.B. Dislocation mechanisms of relaxation in strained epitaxial films //MRS Bulletin. 1992. - Vol.17. -№7. - P. 52-60.

42. Jain S.C., Harlcer A.H., Cowley R.A. Misfit strain and misfit dislocations in lattice mismatched epitaxial layers and other systems // Philos. Mag. 1997. -Vol. 75A.-№6.-P. 1461-1515.

43. Strain relief in metal heteroepitaxy on face-centered-cubic (100): Cu/Ni (100) / B. Muller, L. Nedelmann, B. Fischer et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1996. - Vol. 14. - P. 1878-1881.

44. Strain Relief in Cu-Pd Heteroepitaxy / Lu Yafeng, M. Przybylski, E. Granato et al. // Phys. Rev. Letters. 2005. - Vol.94. - P. 146105-1 - 146105-4.

45. Visualization of Dislocation Dynamics in Colloidal Crystals / P. Schall, I. Cohen, D. A. Weitz et al. // Science. 2004. - Vol. 305. - P. 1944-1948.

46. Моделирование структурных и субструктурных превращений при кристаллизации аморфной пленки Ni на подложке Pd (001) / А.А. Дмитриев, А.В. Евтеев, Д.Г. Жиляков и др. // Вестник ВГТУ. Серия материаловедение. Воронеж: ВГТУ, 2002. -Вып.1.12. - С. 74-76.

47. Дмитриев А.А., Евтеев.А.В., Косилов А.Т. Эволюция системы монослой Ni/Pd(001) по результатам молекулярно-динамического моделирования // Тезисы докладов Международной школы-семинара «Нелинейные процессы в дизайне материалов». -Воронеж, 2002. С. 181-183.

48. Моделирование кристаллизации тонкой пленки Cu/Pd(001) / И.Ю. Смуров, А.А. Дмитриев, А.В. Евтеев и др. // Тезисы докладов X Национальной конференции по росту кристаллов. Москва, 2002. - С. 398.

49. Fitzgerald Е.А. Dislocations in strained layer epitaxy: theory, experiment, and applications // Mater. Sci. Rep. 1991. - Vol.7. - №1. - P. 87-142.

50. Палатник JI.C., Папиров И.И. Ориентированная кристаллизация. М.: Металлургия, 1964. - 408 с.

51. Barbier Н., Renaud G., Robach О. Growth annealing and oxidation of the Ni/Mg0(001) interface studied by grazing incidence X-ray scattering // J. Appl. Phys. 1998. - Vol.84. - №.8. - P. 4259-4267.

52. Static Magnetic Hyper fine Fields in Magnetically Polarized Pd / H.H. Bertschat, H.H. Blaschen, A.T. Cranzer et al. // Phys. Rev. Lett. 1998. - Vol. 80. -№12. -P. 2721-2724.

53. Tochihara H., Mizuno S. Composite surface structures formed by restructuring type adsorption of alkali - metals on fee metals // Progress in Surface Science. - 1998. -Vol.58. -№1.- P. 1-74.

54. Markov I. Theory and experiments in epitaxial-growth // Mat. Chem. Pys. -1983. -Vol.9.-№1. -P. 93-116.

55. Structural analyses of Fe/Ni(001) films by photoelectron diffraction / G.C. Gazzadi, P. Luches, A. Bona et al. // Phys. Rev. 2000. - Vol.6 IB. - №3. -P. 2246-2253.

56. Morphology and magnetism of ultrathin Fe films on Pd(001) / X.F. Jin, J.

57. Growth of metastable fee Co on Ni(001) / S.A. Chambers, S.B. Anderson, H.W. Chen et al. // Phys. Rev. 1987. - Vol.35B. - P. 2592-2597.

58. Epitaxial growth of a metastable modification of copper with body-centred-cubic structure / Z.Q. Wang, S.H. Lu, Y.S. Li et al. // Phys. Rev. 1987. -Vol.35B. - P. 9322-9325.

59. Silver electrodeposition on Au(OOl) structural aspects and mechanism / S.G. Garcia, D. Salinas, C. Mayer et al, // Surf. Sci. - 1994. - Vol.316. - №1. - P. 143-156.

60. Adli A. Saleh, V. Shutthanandan, R.S. Smith Growth of thin Ti films on Al(llO) surface // J. Vac. Technol. 1993. - Vol.11 A. - №4. - P. 1982-1987.

61. Иевлев B.M., Трусов Л.И., Иевлев В.П. Фазовый размерный эффект в эпитаксиальных пленках никеля // Изв. АН СССР. Серия физическая. -1984. Т.48. №9. - С. 1725-1728.

62. Luedtke W.D., Landman U. Metal-on-metal thin-film growth-Au/Ni(001) and Ni/Au(001) // Phys. Rev. 1991. - Vol.44B. -№11. - P. 5970-5972.

63. Мэтьюз Дж. У. Монокристаллические пленки, полученные испарением в вакууме // Физика тонких пленок. М.: Мир, 1970. - С. 167-227.

64. Иевлев В.М., Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982. - 248 с.

65. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. - 600 с.

66. Компьютерное моделирование эпитаксиальной гетероструктуры Pd/Ni/Pd(001) / Д.Г. Жиляков, А.В. Евтеев, В.М. Иевлев и др. // Тезисы докладов III Международной научной конференции. Иваново, 2004. -С. 191.

67. Молекулярно-динамическое моделирование атомной структуры монослоя Ni на подложке Pd (111) / Д.Г. Жиляков, А.В. Евтеев, В.М. Иевлев и др. // Тезисы докладов III Международной научной конференции. Иваново,2004.-С. 192.

68. Структурная релаксация при ориентированной кристаллизации в пленочной гетеросистеме Cu/Ni(001) / Д.Г. Жиляков, А.В. Евтеев, А.Т. Косилов и др. // The XXI International conference on relaxation phenomena in solids. Voronezh, Russia, 2004. - P. 273.

69. Крокстон К. Физика жидкого состояния. М.: Мир, 1978. - 400 с.

70. Лагарьков А.Н., Сергеев В.М. Метод молекулярной динамики в статической физике // УФН. 1978. - Т. 125. - №3. - С. 409-448.

71. Полухин В.А., Ухов В.Ф., Дзугутов М.М. Компьютерное моделирование динамики и структуры жидких металлов. М.: Наука, 1981. - 323с.

72. Полухин В.А., Ватолин Н.А. Моделирование аморфных металлов. М.: Наука, 1985.-288с.

73. Белащенко Д.К. Структура жидких и аморфных металлов. М.: Металлургия, 1985. - 192с.

74. Verlet L. Computer Experiments on Classical Fluids. I. Thermodynamic Properties of Lennard-Jones Molecules // Phys. Rev. 1967. - Vol.159. - P. 98103.

75. Евтеев A.B., Косилов A.T., Миленин A.B. Компьютерное моделирование кристаллизации аморфного железа в изохронных условиях // Письма в ЖЭТФ. 2000. - Вып.71. - №5. - С. 294-297.

76. Борн М., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток. М.: ИЛ, 1958.-488 с.

77. Dynamics of Radiation Damage / J.B. Gibson, A.N. Goland, M. Milgram et al. // Phys. Rev. 1960. - Vol.120. - №4. - P. 1229-1253.

78. Beeman D. Some Multistep Methods for use in Molecular Dynamics Calculations // J. Comput. Phys. 1976. - Vol.20. - P. 130-139.

79. Rahman A. Correlations in the Motion of Atoms in Liquid Argon // Phys. Rev. A: Gen. Phys. 1964. - Vol.136. - P. 405-411.

80. Химмельблау Д. Методы нелинейной оптимизации. М.: Мир, 1975. -432с.

81. Daw M.S., Baskes M.I. Embedded-Atom Method: Derivation and Application to Impurities, Surfaces, and other Defects in Metals // Phys. Rev. -1984. Vol.29B. -№12. - P. 6443-6453.

82. Foiles S.M. Application of method embedded-atom to liquid transition of metals // Phys. Rev. 1985. - Vol.32B. - №6. - P. 3409-3415.

83. Дмитриев А.А., Евтеев A.B., Косилов A.T. Применение метода погруженного атома для моделирования кристаллизации и плавления тонкой пленки меди // Поверхность. Рентгеновские, нейтронные и синхротронные исследования. 2003. - №5. - С. 74-78.

84. Clementi Е., Roetti С. Roothan-Hartree-Fock Atomic Wave Functions // At. Data Nucl. Data Tables. 1974. - Vol.14. -№3-4. - P. 177-324.

85. Foiles S.M. Calculation of the Surface Segregation of Ni-Cu Alloys with the Use of the Embedded-Atom Method // Phys. Rev. 1985. - Vol.32B. - №12. -P. 7685-7693.

86. Brostow W., Dussault J.P., Bennett L.F. Construction of Voronoi Polyhedra // J. Сотр. Phys. 1978. - Vol.29. - №1. - P. 81-92.

87. Finney J.L. A Procedure for the Construction of Voronoi Polyhedra // J. Сотр. Phys. 1979. - Vol.32. - №1. - P. 137-143.

88. Fisher W., Koch E. Limiting Forms and Comprehensive Complexes for Cry stall ographic Point Groups, Rod Groups and Layer Groups // Ztschr. Kristallogr. 1979. - Bd. 150.-№1. - S. 248-253.