Механизм роста пленок и структура межфазных границ в металлической системе с большим размерным несоответствием тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Прижимов, Андрей Сергеевич

• Прижимов, Андрей Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Прижимов, Андрей Сергеевич

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

ГЛАВА 1 ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ В ИССЛЕДОВАНИЯХ РОСТА ПЛЕНОК.

1.1 ИЗУЧЕНИЕ МЕХАНИЗМОВ РОСТА МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК.

1.2 ПРИМЕНЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА ТЕРСОФФА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ РОСТА ПЛЕНОК.

1.3 МОДИФИКАЦИЯ СУЩЕСТВУЮЩИХ МОДЕЛЕЙ И

КОМБИНИРОВАНИЕ С ДРУГИМИ МЕТОДАМИ.

1.4 ИЗУЧЕНИЕ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ.

1.5 КЛАСТЕРНОЕ ОСАЖДЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ РОСТА КЛАСТЕРОВ.

1.6 ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЗАДАЧИ В ПРОБЛЕМЕ ОРИЕНТИРОВАННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР.

ГЛАВА 2 МЕТОДИКА КОМПЬЮТЕРНОГО ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1 МЕЖАТОМНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ.„.

2.2 РАСЧЕТНЫЕ СХЕМЫ.

2.2.1 Алгоритм метода молекулярной динамики.

2.2.2 Алгоритм метода статической релаксации.

2.3 МЕТОД ПОГРУЖЕННОГО АТОМА.

2.4 РАСЧЕТ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МОДЕЛЕЙ.

2.4.1 Измерение термодинамических величин.

2.4.2 Структурные функции.

2.5 ПЕРИОДИЧЕСКИЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ.

2.6 СОЗДАНИЕ МОДЕЛЕЙ ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СИСТЕМ.

ГЛАВА 3 ФОРМИРОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ (OOl)Pd-Ni-Pd ПРИ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК Ni И Pd.

3.1 ОРИЕНТИРОВАННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ.

ПЛЕНКИ Ni НА (001)Pd.

3.2 ОРИЕНТИРОВАННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ПЛЕНКИ Pd НА ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ Ni/Pd.

ГЛАВА 4 ОРИЕНТАЦИОННАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА ПЛЕНОК N1 НА ПОВЕРХНОСТЯХ (001), (110) И (111) МОНОКРИСТАЛЛА Pd.

4.1 ГЕТЕРОСИСТЕМА (OOl)Pd-Ni.

4.2 ГЕТЕРОСИСТЕМА (110)Pd-Ni.

4.3 ГЕТЕРОСИСТЕМА (11 l)Pd-Ni.

4.4 РОСТ ПЛЕНКИ Ni НА (110) Pd СО СТРУКТУРОЙ ПОВЕРХНОСТИ (2x1).

ГЛАВА 5 РЕЛАКСИРОВАННАЯ АТОМНАЯ СТРУКТУРА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ В ГЕТЕРОСИСТЕМЕ

ПОЛУСФЕРИЧЕСКАЯ НАНОЧАСТИЦА - КРИСТАЛЛ.

ГЛАВА 6 СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ СТРУКТУРЫ

МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦ И ГРАНИЦ ЗЕРЕН.

6.1 ОРИЕНТАЦИЯ (001).

6.2 ОРИЕНТАЦИЯ (110).

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Механизм роста пленок и структура межфазных границ в металлической системе с большим размерным несоответствием»

Актуальность темы диссертации обусловлена следующим.

Во-первых, в последние годы активно ведутся работы по созданию короткопериодных многослойных гетероструктур как уникальных материалов, в которых могут реализоваться размерные эффекты многих физических свойств. Поэтому установление атомного механизма формирования пленок нанометровой толщины, закономерностей сопряжения на межфазной границе и ее атомной структуры становится актуальной задачей. Более того, как показывают результаты последних исследований, вклад межфазной границы в свойства гетеросистемы с уменьшением толщины ее слоев становится определяющим.

Во-вторых, несмотря на экстенсивные экспериментальные исследования с использованием высокоразрешающих методов структурного анализа, в них в большинстве случаев фиксируется конечный результат релаксационных процессов атомных перестроек. Поэтому целесообразно применение методов молекулярной динамики, которые, имея известные ограничения, все же позволяют «визуализировать» все стадии процессов кристаллизации, формирования субструктуры и релаксированной атомной структуры межфазных границ при формировании гетероструктур.

Работа выполнена в рамках г/б НИР Региональной научно-исследовательской лаборатории электронной микроскопии и электронографии ВГТУ «Закономерности и механизм морфологической, ориентационной и субструктурной эволюции дискретных и компактных наноструктур», № ГР 0120.0 502425 и Федеральной программы «Поддержка ведущих научных школ», проект № НШ-7098.2006.3.

Цель работы. Исследование закономерностей формирования эпитаксиальных пленочных гетероструктур и релаксированной атомной структуры межфазных границ в системе Pd-Ni. Для этого решали следующие задачи:

1. Исследование размерной зависимости структуры и характера сопряжения на МГ при кристаллизации аморфной пленки Ni на поверхности (001) Pd;

2. Исследование эффекта третьей пленки при формировании трехслойной гетероструктуры (001) Pd-Ni-Pd;

3. Исследование ориентационной зависимости характера роста пленок в системе Pd-Ni;

4. Исследование релаксированной атомной структуры МГ с учетом размерного и ориентационного несоответствия в гетеросистеме монокристалл-наночастица;

5. Сравнительный анализ структуры межфазных и межзеренных границ.

Научная новизна. Показано, что в процессе формирования гетероструктуры (OOl)Pd-Ni-Pd возможна кристаллизация пленки Pd в параллельной ориентации с сохранением псевдоморфной структуры до толщины пленки Ni в 10 атомных слоев. Показана зависимость морфологии фронта роста и распределения концентрации атомов подложки в растущей пленке от ориентации гетероструктуры. Установлено, что при формировании релаксированной атомной структуры большеугловых межфазных границ кручения атомные перестройки затрагивают только фазу с большим параметром решетки.

Основные положения, выносимые на защиту: 1. Показано, что независимо от толщины пленки компенсация несоответствия в системе (OOl)Pd-Ni происходит посредством упругой деформации и дефектами упаковки (расщепленными дислокациями), при этом подтверждена зависимость остаточной упругой деформации от толщины пленки Ni;

2. Эффект толщины промежуточной эпитаксиальной пленки (Ni) в трехслойной гетеросистеме (OOl)Pd-Ni-Pd проявляется в сохранении параллельной ориентации верхней пленки Pd и ее бездефектной субструктуры до толщины в 10 атомных слоев;

3. Ориентационная зависимость роста пленки Ni на Pd проявляется в морфологии фронта роста, в характере распределения атомов подложки в растущей пленке, в характере сопряжения на МГ: переход от роста по Франку и Ван дер Мерве для ориентации (001) к росту по Фольмеру и Веберу для ориентации (111), от изотропной упругой деформации для (001) к анизотропной для (110) и бездеформационному сопряжению на (111). •

4. В отличие от границ зерен релаксированная атомная структура МГ асимметрична относительно плоскости границы; в эпитаксиальных МГ асимметрия проявляется в субструктуре пленки, в большеугловых МГ кручения - в релаксационных перестройках, затрагивающих только решетку с большим параметром.

Практическая значимость работы. Результаты работы могут быть использованы для прогноза субструктуры, состав и морфологии тонкопленочных гетероструктур, многослойных пленочных композитов, а также поведения наночастиц на поверхности монокристаллов.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы были представлены на следующих симпозиумах, конференциях и семинарах: III Международной научной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации» (Иваново, 2004); Международной школе-семинаре «Современные проблемы механики и прикладной математики» (Воронеж, 2004); V Международной конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 2004); Международной школе-семинаре «Современные проблемы механики и прикладной математики» (Воронеж, 2005); Международном симпозиуме

Фракталы и прикладная синергетика» (Москва, 2005); V-й школе-семинаре «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения» (Москва, 2005).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 8 научных работ, в том числе 3 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ. В работах, опубликованных в соавторстве, лично соискателю принадлежат результаты молекулярно-динамического моделирования роста пленок и формирования пленочной гетероструктуры Pd/Ni/Pd.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов и списка литературы из 128 наименований. Работа изложена на 96 страницах и содержит 33 рисунка.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Прижимов, Андрей Сергеевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Показано, что независимо от толщины пленки компенсация несоответствия в системе (OOl)Pd-Ni происходит посредством упругой деформации и дефектами упаковки (расщепленными дислокациями). Подтверждено, что остаточная упругая деформация уменьшается с увеличением толщины пленки Ni;

Эффект толщины промежуточной эпитаксиальной пленки (Ni) в трехслойной гетеросистеме (OOl)Pd-Ni-Pd проявляется в сохранении параллельной ориентации верхней пленки Pd и ее бездефектной субструктуры до толщины в 10 атомных слоев;

При росте пленки Ni на сингулярных поверхностях (001) и (110)Pd, а также на перестроенной поверхности (110) (с пропущенным рядом) образуются гетероструктуры: Pd - однослойная эпитаксиально-стабилизированная твердорастворная фаза - пленка твердого раствора, плавно переходящая в пленку Ni. Формирование такой гетероструктуры обеспечивает двухступенчатую упругую компенсацию несоответствия критической величины на начальных стадиях роста пленки; с увеличением ее средней толщины происходит релаксация упругой деформации: в гетеросистеме (OOl)Pd-Ni - посредством дислокаций несоответствия, в гетеросистеме (llO)Pd-Ni в направлении [110] -посредством дислокаций несоответствия и точечных дефектов, в направлении [001] - посредством частичных дислокаций, при этом сохраняется анизотропия деформации пленки. Поверхность фронта роста пленки на поверхности (110) более развита;

При росте пленки Ni на сингулярной поверхности (lll)Pd не происходит перемешивание компонентов, уже на начальных стадиях роста недеформированные островки-кластеры, т.е. сопряжение на межфазной границе некогерентное. Рост в гетеросистеме (lll)Pd-Ni может быть отнесен к механизму Фольмера и Вебера;

5. Релаксированная атомная структура МГ в гетеросистеме полусферическая наночастица - кристалл и дислокационная субструктура МГ формируются в течение первых ЗхЮ"11 с МД-отжига;

6. Релаксированная атомная структура МГ в исследуемом интервале разориентаций (до 30°) образуется сочетанием двух малоатомных структурных элементов. Установлена размерная зависимость в поведении наночастиц, проявляющаяся в переориентации частиц меньшего размера исходных ориентаций в окрестностях специальных ориентаций к ориентациям совпадения (Si/S2=l/1, 0=0°; £2/X!i=10/9, 0=18,1°; E2/Si=5/4, 0=26,6°) с образованием релаксированной атомной структуры соответственно эпитаксиальной и специальных МГ. Поворот островков подтверждает существование локальных минимумов энергии МГ;

7. Установлено, что релаксационные перестройки происходят в компоненте гетеросистемы полусферическая наночастица - кристалл с большим параметром решетки преимущественно посредством увеличения межатомных расстояний в ходе процесса образования структурных элементов, что позволяет избежать сближения атомов и повышения энергии вследствие ангармонизма межатомного взаимодействия.

8. Как для МГ, так и для границ зерен (ГЗ) наблюдается зависимость характера релаксированной структуры от плоскости границы: в ГЗ она проявляется в большем дальнодействии полей упругих микродеформаций границы кручения (ГК) (110) по сравнению с ГК (001), соответственно больше структурная толщина границы (110). В то время как структурные искажения по обе стороны плоскости межзеренной границы симметричны, для МГ эпитаксиальных, специальных и МГ кручения общего типа характерна асимметрия. При эпитаксии она обусловлена процессом релаксации, развивающимся в основном лишь во второй (нарастающей) фазе. В МГ кручения асимметрия обусловлена атомной релаксацией только в кристалле с большим параметром решетки.

Автор благодарит за оказанную помощь в подготовке диссертации научного руководителя, члена-корреспондента РАН, профессора Иевлева Валентина Михайловича, а также доктора физико-математических наук, профессора Косилова Александра Тимофеевича и доктора физико-математических наук, доцента Евтеева Александра Викторовича.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Прижимов, Андрей Сергеевич, 2006 год

1. Нага К., 1.eda М., Ohtsuki О. Molecular-dynamics simulations for molecular-beam epitaxy: Overlayer growth pattern in two-component Lennard-Jones systems // Phys. Rev. B. - 1989. - Vol.39. - P. 9476-9485.

2. Schneider M., Rahman A., Schuller I.K. Role of Relaxation in Epitaxial Growth: A Molecular-Dynamics Study // Phys. Rev. Lett. 1985. - Vol.55. -P. 604-606.

3. Schneider M., Rahman A., Schuller I.K. Vapor-phase growth of amorphous materials: A molecular-dynamics study // Phys. Rev. B. 1986. - Vol.34. -P. 1802-1805.

4. Paik S.M., Das Sarma S. Dynamical simulation of molecular-beam epitaxial growth of a model ciystal // Phys. Rev. B. 1989. - Vol.39. - P. 1224-1228.

5. Aubin E., Lewis L.J. Growth of metallic superlattices by sequential deposition of atoms // Phys. Rev. B. 1993. - Vol.47. - P. 6780-6783.

6. Kelchner C.L., DePristo A.E. Molecular dynamics simulations of multilayer homoepitaxial thin film growth in the diffusion-limited regime // Surface Science. 1997. - Vol.393. - №1-3. - P. 72-84.

7. Daw M.S., Baskes M.I. Embedded-Atom Method: Derivation and Application to Impurities, Surfaces, and Other Defects in Metals // Phys. Rev. B: Solid State. 1984.-Vol.29.-№12.-P. 6443-6453.

8. Luedtke W.D., Landman U. Metal-on-metal thin-film growth: Au/Ni(001) and Ni/Au(001) // Phys. Rev. B. 1991. - Vol.44. - P. 5970-5972.

9. Gilmore C.M., Sprague J.A. Molecular-dynamics simulation of the energetic deposition of Ag thin films// Phys. Rev. B. 1991. - Vol.44. - P. 89508957.

10. O.Yang L., Rahman T.S. Structure and dynamics of an Ag overlayer on Ni(100): comparison of embedded atom and pair potential results // Surface Science. 1992. - Vol.278. - P. 407^113.

11. Luedtke W.D., Landman U. Stability and Collapse of Metallic Structures on Surfaces // Phys. Rev. Lett. 1994. - Vol.73. - P. 569-572.

12. Guan P., Mckenzie D.R., Pailthorpe B.A. MD simulations of Ag film growth using the Lennard-Jones potential // J. Phys.: Condens. Matter. -1996.-Vol.8.-P. 8753-8762.

13. Halicioglu Т., Pound G.M. Calculation of potential energy parameters form crystalline state properties // Physica Status Solidi (a). 1975. - Vol.30. -№2.-P. 619-623.

14. Zhang Qing-yu, Pan Zheng-ying, Tang Jia-yong Molecular dynamics simulation of energetic atom depositions of Au/Au(100) film // Acta phys. sin. Overseas Ed. 1999. - Vol.8. - №4. - P. 296-305.

15. Enhanced atomic mobility in pulsed laser deposition of Cu films / Y. Yue, Y. Ho, Z.Y. Pan et al. // Phys. Lett. A. 1997. - Vol.235. - №3. - P. 267270.

16. Gilmore C.M., Sprague J.A. Molecular dynamics simulation of defect formation during energetic Cu deposition // Thin Solid Films. 2002. -Vol.419.-№1-2.-P. 18-26.

17. Trushin O.S., Kokko K., Salo P.T. Film-substrate interface mixing in the energetic deposition of Ag on Cu(001) // Surface Science. 1999. -Vol.442.-№3.-P. 420-430.

18. Tersoff J. Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems // Phys. Rev. B. 1989. - Vol.39. - P. 5566-5568.

19. Бакай A.C., Братченко М.И., Фатеев М.П. Молекулярно-динамическое моделирование атомной структуры и физических свойств аморфных углеродных пленок // Сверхтверд, матер. 2000. - №5. - С. 3-9.

20. Kaukonen М.О., Nieminen R.M. Molecular-dynamics simulation of the growth of diamond-like films // Surface Science. 1995. - Vol.331-333. -Part 2.-P. 975-977.

21. Zhang Q.Y., Bauer-Grosse E. Reaction probabilities of energetic species at growing diamond film surfaces by molecular dynamics simulation // Acta Met. Sin. -2002. Vol.15. -№1. - P. 131-135.

22. Tatusya 0., Osamu U., Matsuhei N. Fundamental processes of microcrystalline silicon film growth: a molecular dynamics study // Surface Science. 2000. - Vol.458. -№1-3. - P. 216-228.

23. Бочкарев В.Ф., Наумов B.B. Молекулярно-динамическое моделирование процессов роста пленок Si // Тонкие пленки в электронике: Материалы VI международного симпозиума, Москва-Киев-Херсон. 1995. - С. 10-14.

24. Ramana Murty М. V., Atwater Harry A. Silicon epitaxy on hydrogen-terminated Si(001) surfaces using thermal and energetic beams // Surface Science. 1997. - Vol.374. - №1-3. - P. 283-290.

25. Xiang-Yun Guo, Pascal Brault Early stages of silicon nitride film growth studied by molecular dynamics simulations // Surface Science. 2001. -Vol. 488.-№1-2.- P. 133-140.

26. Klaver P., Thijsse B. Thin Та films: growth, stability, and diffusion studied by molecular-dynamics simulations // Thin Solid Films. 2002. - Vol.413. -№1-2.-P. 110-120.

27. The structure and stability of P-Ta thin films / A. Jiang, T.A. Tyson, L. Axe et al. // Thin Solid Films. 2005. - Vol.479. - №1-2. - P. 166-173.

28. Molecular dynamics, Monte Carlo and their hybrid methods: applications to thin film growth dynamics / Jun-ichiro Takano, Osamu Takai, Yoshiaki Kogure et al. // Thin Solid Films. 1998. - Vol.334. - №1-2. - P. 209-213.

29. Simulation of atomic-scale surface migration in homoepitaxial growth using embedded-atom method potentials for gold / Takano Jun-ichiro, Takai Osamu, Kogure Yoshiaki et al. // Thin Solid Films. 1998. - Vol.318. -№1-2.-P. 52-56.

30. Doyama Masao Crystal growth study using combination of molecular dynamics and Monte Carlo methods // Bull. Mater. Sci. 1999. - Vol.22. -№5.-P. 835-842.

31. An integrated kinetic Monte Carlo molecular dynamics approach for film growth modeling and simulation: Zr02 deposition on Si(100) surface / A.A. Knizhnik, A.A. Bagaturyants, I.V. Belov et al. // Comput. Mater. Sci. -2002.-Vol.24.-№1-2.-P. 128-132.

32. Kinetic Monte Carlo molecular dynamics investigations of hyperthermal copper deposition on Cu(lll) / J.M. Pomeroy, J. Jacobsen, C. Hill et al.// Phys. Rev. B. - 2002. - Vol.66. - №23. - P. 235412/1-235412/8.

33. Jacobsen J., Cooper B.H., Sethna J.P. Simulations of energetic beam deposition: From picoseconds to seconds // Phys. Rev. B. 1998. - Vol.58. -P. 15847-15865.

34. Henkelman G., Jonsson H. Multiple Time Scale Simulations of Metal Crystal Growth Reveal the Importance of Multiatom Surface Processes // Phys. Rev. Lett. -2003.-Vol.90.-P. 116101/1-116101/4.

35. Self-learning kinetic Monte Carlo method: Application to Cu(lll) / O. Trashin, A. Karim, A. Kara et al. // Phys. Rev. B. 2005. - Vol.72. - P.115401/1-115401/9.

36. Basham M., Montalenti F., Mulheran P.A. Multiscale Modeling of Island Nucleation and Growth During Cu (100) Homoepitaxy // Phys. Rev. B. -2006. Vol.73. - P. 045422/1-045422/10.

37. Luedtke W.D., Landman U. Stability and Collapse of Metallic Structures on Surfaces // Phys. Rev. Lett. 1994. - Vol.73. - P. 569-572.

38. Hamilton J.C. Dislocation nucleation rates during submonolayer growth of heteroepitaxial thin films // Phys. Rev. B. 1997. - Vol.55. - №12. - P. 7402-7405.

39. Gartner К., Weber В. Molecular dynamics simulations of solid-phase epitaxial growth in silicon // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 2003. -Vol.202.-P. 255-260.

40. Xu J. L., Feng J. Y. Molecular-dynamics simulation of Sij.xGex epitaxial growth on Si(100) // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 2004. -Vol.217. -№1,- P. 33-38.

41. Yue Y., Ho Y.K., Pan Z.Y. Molecular-dynamics study of transient-diffusion mechanisms in low-temperature epitaxial growth // Phys. Rev. B. 1998. -Vol.57.-№11.-P. 6685-6688.

42. Molecular dynamics simulation of Co thin films growth on Cu(001) / N. Levanova, V.S. Stepanyuk, W. Hergert et al. // Surface Science. 1998. -Vol.400.-№1-3.-P. 54-62.

43. Surface Diffusion of Pt on Pt(110): Arrhenius Behavior of Long Jumps / T.R. Linderoth, S. Horch, E. Lasgsgaard et al. // Phys. Rev. Lett. 1997. -Vol.78. - №26. - P. 4978-4981.

44. Jacobsen J., Jacobsen K.W., Sethna J.P. Rate Theory for Correlated Processes: Double Jumps in Adatom Diffusion // Phys. Rev. Lett. 1997. -Vol.79. - №15. - P. 2843-2846.

45. Xie Guo-Feng, Wang De-Wu, Ying Chun-Tong Моделирование с помощью молекулярной динамики диффузии адатомов Gd на поверхности (110)Си // Wuli xuebao. 2003. - Vol.52. - №9. - P. 22542258.

46. Transition from One- to Two-dimension Growth of Cu on Pd(l 10) Promoted by Cross-exchange Migration / J.-P. Bucher, E. Hahn, P. Fernandez et al. // Europhys. Lett. 1994. - Vol.27. - №6. - P. 473-478.

47. Stumpf R., Scheffler M. Ab initio calculations of energies and self-diffusion on flat and stepped surfaces of Al and their implications on crystal growth // Phys. Rev. B. 1996. - Vol.53. - №8. - P. 4958-4973.

48. Graham G.W., Schmitz P.J., Thiel P.A. Growth of Rh, Pd, and Pt films on Cu(100) // Phys. Rev. B. 1990. - Vol.41. - №6. - P. 3353-3359.

49. Garofalini S.H., Halicioglu T. Mechanism for the self-diffusion of Au and Ir adatoms on Pt(l 10) surface // Surface Science. 1981. - Vol.104. - №1. -P. 199-204.

50. Евтеев A.B., Косилов A.T., Соляник C.A. Атомные механизмы и кинетика самодиффузии на поверхности Pd (001) // ФТТ. 2004. - Т.46. -С. 1723-1726.

51. ЕАМ study of surface self-diffusion of single adatoms of fee metals Ni, Cu, Al, Ag, Au, Pd, and Pt / C.L. Liu, J.M. Cohen, J.B. Adams et al. // Surface Science. 1991. - Vol.253. - P. 334-344.

52. Давыдов С.Ю. Расчет энергии активации поверхностной самодиффузии атомов переходных металлов // ФТТ. 1999. - Т.41. -№1. - С. 11-14.

53. Компьютерное моделирование роста в присутствии поверхностно-активного вещества / I. Akira, S. Yasushi, I. Minoru et al. // Ibaraki daigaku kogakubu kenkyu hokoku. 1996. - Vol.44. - P. 13-17.

54. Lugscheider E., von Hayn G. Simulation of the film growth and film-substrate mixing during the sputter deposition process // Surface and Coatings Technology. 1999.-Vol. 116-119.-P. 568-572.

55. Molecular dynamics simulation on the deposition behavior of nanometer-sized Au clusters on a Au (001) surface / S.-C. Lee, N. Hwang, B.D. Yu et al. // J. of Crystal Growth. 2001. - Vol.223. - №1-2. - P. 311-320.

56. Hwang N., Hahn J., Yoon D. Charged cluster model in the low pressure synthesis of diamond // J. of Crystal Growth. 1996. - Vol.162. - №1-2. -P. 55-68.

57. Molecular dynamics simulation for ionized cluster beam deposition / Kang Нее Jae, Lee Min Wha, Kim Jong Ho et al. // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 1997. - Vol.121. - №1-4. - P. 53-57.

58. Kang Jeong Won, Hwang Ho Jung Molecular dynamics simulations of energetic aluminum cluster deposition // Comput. Mater. Sci. 2002. - Vol. 23.-№1-4.-P. 105-110.

59. Upper size limit of complete contact epitaxy / K. Meinander, J. Frantz, K. Nordlund et al. // Thin Solid Films. 2003. - Vol.425. - №1-2. - P. 297303.

60. Lu H.W., Xie J.Q., Feng J.Y. Simulation study on Si and Ge film growth by cluster deposition // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 2000. -Vol.170.-№1-2.-P. 71-78.

61. Gspann J. Similarities and Differences between Atomic Nuclei and Clusters // The American Institute of Physics, New York. 1998. - P. 299.

62. Yamaguchia Y., Gspann J. Large-scale molecular dynamics simulations of high energy cluster impact on diamond surface // Eur. Phys. J. D. 2001. -Vol.16.-P. 103-106.

63. Иевлев B.M., Бугаков A.B., Трофимов В.И. Рост и субструктура конденсированных пленок. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2000. 386 с.

64. Иевлев В.М., Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках. М.Металлургия, 1982. - 248с.

65. Бугаков А.В., Иевлев В.М., Гапонов А.А. Компьютерное моделирование трехслойных пленочных систем: ориентация и субструктура // Вестник ВГТУ: Сер. Материаловедение. 2000. - Вып. 1.8.-С. 61-63.

66. Barnard J.A., Ehrhardt J.J. Low-energy electron diffraction observations of the thermal evolution of 0.5-3.0 ML Pt/Ni(l 11) // J. Vac. Sci. Technol. A. -1990. Vol.8. - №6. - P. 4061-4068.

67. Бугаков A.B., Иевлев B.M., Тураева Т.JI. Специальные межфазные границы в системах с большим несоответствием параметров кристаллических решеток // ФТТ. 1990. - Т.32. - №9. - С. 2711-2718.

68. A molecular dynamics study of an Au/Cu(001) interface / Jimenez-Saez J., Dominguez-Vazguez J., Perez-Martin A.M.C. // Nanotechnology. 2002. -Vol.13. -№3. - P. 324-329.

69. Бугаков A.B., Иевлев B.M., Ирхин Б.П. Энергия и релаксированная атомная структура межфазной границы в металлических системах с ГЦК-решеткой: энергия границ различных ориентаций // Поверхность. 1993.-№2.-С. 97-106.

70. Моделирование структурных и субструктурных превращений при кристаллизации аморфной пленки Ni на подложке Pd (001) / А.А. Дмитриев, А.В. Евтеев, Д.Г. Жиляков и др. // Вестник ВГТУ. Серия материаловедение. Воронеж: ВГТУ, 2002. -Вып.1.12. - С. 74-76.

71. Атомная структура межзеренных границ / Под ред. А.Н. Орлова // М.:Мир, 1978.

72. Структура межкристаллитных и межфазных границ / Косевич В.М., Иевлев В.М., Палатник JI.C., Федоренко А.И. М.:Металлургия, 1980. -256с.

73. Орлов А.Н., Перевезенцев В.Н., Рыбин В.В. Границы зерен в металлах. -М.:Металлургия, 1980.- 156с

74. Бокштейн Б.С., Копецкий Ч.В., Швиндлерман JI.C. Термодинамика и кинетика границ зерен в металлах. М.Металлургия, 1986. - 224с.

75. Копецкий Ч.В., Орлов А.Н., Фионова JI.K. Границы зерен в читых материалах. -М. Металлургия, 1987. 158с.

76. Евтеев А.В., Левченко Е.В., Косилов А.Т. Компьютерное моделирование в физике конденсированных сред. Воронеж: изд-во ВГТУ, 2005.- 110с.

77. Лагарьков А.Н., Сергеев В.М. Метод молекулярной динамики в статической физике // УФН. 1978. - Т. 125. - №3. - С. 409-448.

78. Полухин В.А., Ухов В.Ф., Дзугутов М.М. Компьютерное моделирование динамики и структуры жидких металлов. М.: Наука, 1981.-323с.

79. Полухин В.А., Ватолин Н.А. Моделирование аморфных металлов. М.: Наука, 1985.-288с.

80. Verlet L. Computer Experiments on Classical Fluids. I. Thermodynamic Properties of Lennard-Jones Molecules // Phys. Rev. 1967. - Vol.159. - P. 98-103.

81. Евтеев А.В., Косилов А.Т., Миленин А.В. Компьютерное моделирование кристаллизации аморфного железа в изохронных условиях // Письма в ЖЭТФ. 2000. - Вып.71. - №5. - С. 294-297.

82. Борн М., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток. -М.: ИЛ, 1958.-488 с.

83. Dynamics of Radiation Damage / J.B. Gibson, A.N. Goland, M. Milgram et al. // Phys. Rev. 1960. - Vol.120. - №4. - P. 1229-1253.

84. Beeman D. Some Multistep Methods for use in Molecular Dynamics Calculations //J. Comput. Phys. 1976. - Vol.20. - P. 130-139.

85. Rahman A. Correlations in the Motion of Atoms in Liquid Argon // Phys. Rev. A: Gen. Phys. 1964. - Vol.136. - P. 405-411.

86. Химмельблау Д. Методы нелинейной оптимизации. М.: Мир, 1975. -432с.

87. Foiles S.M. Application of method embedded-atom to liquid transition of metals // Phys. Rev. B. 1985. - Vol.32. - №6. - P. 3409-3415.

88. Дмитриев А.А., Евтеев A.B., Косилов A.T. Применение метода погруженного атома для моделирования кристаллизации и плавления тонкой пленки меди // Поверхность. Рентгеновские, нейтронные и синхротронные исследования. 2003. - №5. - С. 74-78.

89. Clementi Е., Roetti С. Roothan-Hartree-Fock Atomic Wave Functions // At. Data Nucl. Data Tables. 1974.-Vol.14.-№3-4.-P. 177-324.

90. Foiles S.M. Calculation of the Surface Segregation of Ni-Cu Alloys with the Use of the Embedded-Atom Method // Phys. Rev. B. 1985. - Vol.32. -№12. -P. 7685-7693.

91. Белащенко Д.К. Структура жидких и аморфных металлов. М.: Металлургия, 1985. - 192 с.

92. Ю1.Бугаков А.В, Иевлев В.М. Структура межфазных границ (111)ГЦК-(1 Ю)ОЦК в металлических системах // ФММ. 1995. - Т.79. - №4. - С. 119-127.

93. Large strains in the epitaxy of Cu on Pt{001} / Y.S. Li, J. Quinn, H. Li et al. //Phys. Rev. B.- 1991. Vol.44.-№15.- P. 8261-8266.

94. Chao S.S., Knabbe E.A., Vook R.W. Auger line shape changes in epitaxial (11 l)Pd/(l 1 l)Cu films // Surface Science. 1980. - Vol.100. - P. 581-589.

95. Структурная самоорганизация в металлической гетеросистеме кристалл-монослойная пленка с большим размерным несоответствием компонентов / А.А. Дмитриев, А.В. Евтеев, В.М. Иевлев и др. // Доклады АН. 2004. - Т.396. - №3. - С. 1-4.

96. Ю5.Молекулярно-динамическое моделирование ориентированного роста Ni на (001)Pd / А.С. Прижимов, А.В. Евтеев, В.М. Иевлев // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. 2004. - Вып. 1.16. - С. 78-81.

97. Ю7.0риентационная зависимость гетероэпитаксиального роста пленок Ni на Pd / А.С. Прижимов, В.М. Иевлев, А.Т. Косилов и др. // Фракталы и прикладная синергетика 2005: Сборник статей. Москва, Интерконтакт-Наука, 2005. - С. 52-53.

98. Ориентационная зависимость гетероэпитаксиального роста пленок Ni на Pd / А.С. Прижимов, А.В. Евтеев, В.М. Иевлев и др. // ФММ. 2006. -Т. 101-№6.- С. 630-637.

99. Структурные и субструктурные превращения при росте пленок Ni на сингулярных поверхностях кристалла Pd / А.С. Прижимов, А.В. Евтеев, В.М. Иевлев и др.// Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. -Воронеж, 2005. Вып. 1.17. - С. 31-36.

100. Косевич В.М., Космачев С.М., Карповский М.В. Конденсационно-стимулированная зернограничная диффузия в двухслойных пленках золото-серебро // Поверхность. Физика, химия, механика. 1986. - №8. -С. 151-152.

101. И2.Барабаш О.М., Коваль Ю.Н. Структура и свойства металлов и сплавов. Кристаллическая структура металлов и сплавов. Киев: Наук, думка, 1986. 598 с.

102. An XPD and LEED study of highly strained ultrathin Ni films on Pd(100) / M. Petukhov, G.A. Rizzi, M. Sambi et al. // Appl. Surface Sci. 2003. -Vol.212-213.-P. 264-266.

103. Копецкий Ч.В., Орлов A.H., Фионова JI.K. Границы зерен в чистых материалах. М.:Металлургия, 1987. 158 с.

104. Тураева Т.JI. Специальные межфазные границы в пленочных системах Ag-Cu и Au-Pt // Автореферат диссертации на соискание ученой степени к.ф.-м.н. Изд-во ВГТУ, Воронеж. 1990. - 16 с.

105. Бугаков А.В., Иевлев В.М. Энергия и релаксированная атомная структура межфазных границ в металлических системах с ГЦК-решеткой: структура границ (001) // Поверхность. 1994. - №7. - С. 2436.

106. Нанотехнология в ближайшее десятилетие. Прогноз направления исследований. / Под ред. М.К. Роко, Р.С. Ульямса, П. Аливисатоса. Мир, М.-2002.-292 с.

107. Shieu F.-S., Sass S.L. Experimental and theoretical studies of the dislocation structure of NiO-Pt interfaces // Acta Metallurgica et Materialia. 1990. - Vol.38. - №9. - P. 1653-1667.

108. Bollmann W. //Phil. Mag. 1967. - Vol.16. - P. 363-381;383-399.

109. Schober Т., Ballufi R.W. // Phil. Mag. 1969. - Vol.20. - №165. - P. 511518.

110. Schober Т., Ballufi R.W. // Phil. Mag. 1970. - Vol.21. - P. 109-123.

111. Schober Т., Ballufi R.W. // Phys. stat. sol. 1971. - Vol.44. - P. 103-114.

112. О структуре малоугловых границ кручения в плоскости (001) / В.М. Иевлев, B.C. Постников, К.С. Соловьев и др. // ФТТ. 1972. - Т. 14. - С. 1529-1530.

113. Исследование структуры границ зерен / В.М. Иевлев, B.C. Постников, К.С. Соловьев и др. // ФТТ. 1974. - Т.39. - С. 124-132.

114. Структура межкристаллитных и межфазных границ / В.М. Косевич, В.М. Иевлев, JI.C. Палатник и др. М.:Металлугия, 1980. 256с.

115. Иевлев В.М. Структура поверхностей раздела в пленках металлов. -М.:Металлугия, 1992. 173с.