Структурная и субструктурная организация при твердофазном синтезе силицидов и оксидов металлов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Солдатенко, Сергей Анатольевич

• Солдатенко, Сергей Анатольевич
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Солдатенко, Сергей Анатольевич

ОГЛАВЛЕНИЕ

стр.

ВВЕДЕНИЕ 5

1. Структурная и субструктурная организация при твердофазном синтезе тонких пленок силицидов, оксидов металлов и карбида кремния 13 1.1. Твердофазный синтез пленок силицидов металлов 13

1.1.1. Начальные стадии формирования силицидов 13

1.1.2. Последовательность фаз, образующихся при синтезе пленок силицидов в системе Ti-Si 31

1.1.3. Полиморфные превращения в пленках дисилицидов Ti 36

1.1.4. Образование фаз в системе Ir-Si и кристаллическая структура силицидов иридия 42

1.1.5. Быстрый термический и импульсный фотонный отжиг 53

1.1.6. Закономерности ориентированного роста силицидов 57 1.1.7 Заключение и постановка задачи 67

2. Фазовые, ориентационные и субструктурные превращения при термической и фотонной активации силицидообразования в системах пленка металла на монокристалле кремния 72

2.1. Ориентация и субструктура пленок TÍSÍ2, синтезированных при конденсации металла на поверхность монокристаллического кремния в сверхвысоком вакууме 72

2.1.1. Пленки TiSi2(C49) 72

2.1.2. Пленки TiSi2(C54) 74 2.1.3 Закономерности сопряжения TiSi2 на Si 78

2.2. Фазовые, ориентационные и субструктурные превращения при фотонной активации силицидообразования в системах пленка титана на монокристалле кремнии 83

2.2.1. Система пленка Ti на (11 l)Si 83

2.2.2. Система пленка Ti на a-Si 94

2.3 Фазовый размерный эффект Т^г (С49) -(С54) при синтезе методами вакуумной конденсации и импульсной фотонной обработки 99

2.3.1 Термическое испарение и конденсация Л на нагретую до 970 К пластину Б! 99

2.3.2 ИФО гетероструктур (111)8ьТ1 100

2.4. Фазовые, ориентационные и субструктурные превращения при термической и фотонной активации силицидообразования в системах пленка иридия на монокристалле кремния 103 2.4.1. Фазовый состав, субструктура и ориентация пленок силицидов иридия, синтезированных при конденсации металла на поверхность монокристаллического кремния 103

2.4.2 Закономерности сопряжения на МГ кремний - силицид иридия 109

2.4.3 Фазовый состав, субструктура и ориентация пленок силицидов иридия, синтезированных методом ИФО 115

2.5. Фазовые, ориентационные и субструктурные превращения при термической и фотонной активации силицидообразования в системе пленка рения на монокристалле кремния 127

2.5.1 Фазовый состав, субструктура и ориентация пленок силицидов рения, синтезированных при конденсации металла на поверхность монокристаллического кремния 127

2.5.2 Закономерности сопряжения на МГ - И^г 129

2.6. Фазовый и элементный состав, субструктура и ориентация пленочной гетеросистемы (111)81 -N1-Р1: с различным содержанием компонентов 138

2.6.1. Пленочная гетеросистемы (111)81 - N1 - с различным содержанием компонентов 138

2.6.2. Исследование эффекта фотонной активации на примере гетероструктуры Р<25 нм) - №(20нм) - (111)81(0,38мм) - №(20нм) - 14(25 нм) 151

2.6.3. Влияние термической обработки на гетероструктуру Р1(25 нм) — №(20нм) -(111 )81(0,3 8мм) - №(20нм) - Рг(25 нм) 160

2.7. Заключения и выводы к главе 2 165

3. Оксидирование пленок металлов 167

3.1. Ориентация и субструктура хемоэпитаксиальных пленок рутила 167

3.1.1. Исходные эпитаксиальные пленки Т1 167

3.1.2. Фазовый состав и субструктура пленок 169

3.1.3 Эффект фотонной активации в структуре и субструктуре пленок оксида титана 180

3.1.4 Синтез пленок диоксидов титана методом реактивного ВЧМР 188

3.2 Ориентация и субструктура хемоэпитаксиальных пленок диоксидов циркония 196

3.3 Синтез наноструктурированных пленок БЮ при импульсной фотонной обработке 81 в углеродсодержащей газовой среде 206 3.3.1 Синтез БЮ на монокристаллическом Б! 206 3.3.2. Синтез Б1С на поли-81 213

3.4 Заключения и выводы к главе 3 215 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 216 СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 219

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структурная и субструктурная организация при твердофазном синтезе силицидов и оксидов металлов»

Структурная и субструктурная организация при твердофазном синтезе силицидов и оксидов металлов ВВЕДЕНИЕ Актуальность темы

Процессы диффузии и фазообразования, протекающие ходе твердофазного синтеза тонкопленочных материалов, определяют в конечном итоге их структурную и субструктурную организацию. Поиск взаимосвязи синтез -структура в настоящее время осознается как одна из проблем физики конденсированного состояния. Сложность твердофазных реакций, их топохимиче-ский характер, недостаточная изученность физических механизмов активации при различных способах подвода энергии, размерных эффектов различной природы в наноструктурах сдерживают создание новых функциональных материалов с заданными свойствами. В фундаментальном плане в последние два десятилетия особый интерес представляют закономерности гетероэпи-таксии в твердофазных процессах синтеза тонких пленок силицидов, оксидов, нитридов и карбидов металлов в связи с отсутствием системных данных о закономерностях сопряжения на межфазных границах, об особенностях зе-ренной субструктуры пленок и структуры границ зерен.

В практическом плане развитие современной микроэлектроники ставит сложнейшие задачи перед исследователями в разработке технологических процессов создания систем металлизации на основе силицидов металлов субмикронного размера, мощных диодов Шоттки с заданной высотой потенциального барьера, светодиодов ультрафиолетового диапазона, мемристор-ных элементов памяти и различного рода защитных покрытий. Минимизация размеров элементов интегральных схем достигается не только использованием более совершенной техники, но и введением нетрадиционных технологических методов, позволяющих контролируемо менять структуру, значит и физические свойства материала. Традиционные технологические процессы, основанные на длительных высокотемпературных воздействиях не способны

решать такие задачи. Более эффективным и технологически простым методом в этом плане оказалась фотонная активация диффузионных процессов.

Таким образом, исследования, проведенные в данной работе, направлены на решение фундаментальных проблем физики конденсированного состояния, в частности, структурной и субструктурной организации тонкопленочных материалов, реализующейся в ходе твердофазного синтеза, и в практическом плане посвящены актуальным вопросам микро- и наноэлектроники.

Цель и задачи

Цель данного исследования - установление закономерностей структурной и субструктурной организации в процессах твердофазного синтеза тонкопленочных материалов.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи:

- установить фазовые и субструктурные превращения при твердофазном синтезе пленок силицидов металлов в гетеросистемах монокристаллический кремний - пленка титана, иридия, рения и пленочная гетероструктура Р1/№;

- установить фазовые и субструктурные превращения при синтезе пленок оксидов титана, циркония и карбида кремния;

- определить основные кристаллогеометрические критерии хемоэпи-таксиального роста тонких пленок карбида кремния, силицидов и оксидов металлов. Исследовать субструктуру межфазных и межкристаллитных границ;

- оценить эффект фотонной обработки в активации процессов синтеза и и структуре пленок.

Объекты и методы исследования. Объекты исследования:

- тонкие пленки силицидов металлов на подложке кремния, полученные термической активацией и активацией методом ИФО твердофазной реакции силицидообразования в системах тонкая пленка металла - подложка кремния СП/(111)81, Т1/(100)81,1г/(111)81,1г/(100)81, Яе/(111)81, Яе/(100)81);

- тонкие пленки сложных силицидов металлов на подложке кремния, полученные термической активацией и активацией методом ИФО твердофазной реакции силицидообразования в гетероструктуре Pt/Ni/(11 l)Si;

- тонкие пленки термических оксидов монокристаллических пленок титана, поликристаллических многоориетационных эпитаксиальных пленок титана и циркония;

-гетероструктуры SiC/(lll)Si, SiC/(100)Si, SiC/mwiH-Si.

Аналитическое оборудование и методы: исследования субструктуры, фазового и элементного состава пленок проводили методами ПЭМ электронных микроскопах ЭМВ-100 БР, ПРЭМ-200 и Philips 420 ST ЕМ, ДБЭ(ЭГ-100М), РД (Shimazu 6000), ИК-спектрометрии (AVATAR), оже-электронной спектроскопии (PHI-551, PHI-660),, обратного резерфордовского рассеяния и ядер отдачи (аналитический комплекс электростатического генератора ЭГ-5 с пучком ионов 2Н+ энергией 2,035 МэВ).

Достоверность и обоснованность результатов обеспечены проведением комплексных исследований структурной и субструктурной организаци-ии при твердофазном синтезе в пленочных системах: с различной диффузионной подвижностью и химического сродства компонентов, различным способом активации процессов. Исследования проведены с использованием современных взаимодополняющих методов анализа, а также сопоставлением экспериментальных данных с теоретическими оценками.

Научная новизна. В работе впервые прямыми экспериментальными методами выявлены закономерности структурной и субструктурной организации пленок силицидов металлов, карбида кремния и оксидов металлов, синтезируемых в ходе твердофазных реакций. Установлено, что:

- последовательность образования силицидных фаз в области умеренных температур отличается от ожидаемой, наблюдающейся в объемных системах, и вне зависимости от методов активации процессов (термическая или фотонная), соответствует реакционной диффузии в высокотемпературной области равновесных диаграмм состояния;

- с изменением морфологии пленки TiSi2 от сплошной до островковой проявляется фазовый размерный эффект полиморфного превращения С49 -» С54;

- в системе пленка 1г на Si вследствие инертности благородного металла к SiC>2 реакция силицидообразования развивается путем локального диффузионного пробоя тонкого слоя оксида и последующей латеральной диффузии Si;

- при твердофазном синтезе сложных силицидов в системе Pt-Ni-Si в умеренном температурном и энергетическом диапазоне активации происходит расслоение силицидных фаз HaNii.xPtxSi и Pti_yNiySi;

- эффект фотонной активации излучением ксеноновых ламп твердофазного синтеза проявляется в значительном ускорении реакционной диффузии по сравнению с термической активацией. На примере силицидообразования в системе Pt-Ni-Si показано снижение пороговых температур образования силицидных фаз при ИФО на 100 - 150 К, а также образование смешанного металлообогащенного силицида (Pt-Ni^Si вместо Ni2Si;

- при твердофазном синтезе пленок силицидов и карбида кремния на поверхности подложек монокристалла кремния, а также при термическом оксидировании ориентированных пленок титана и циркония реализуются закономерные ориентационные соотношения между кристаллической фазой продукта реакции и подложки, отвечающие кристаллогеометрическим критериям: наилучшее согласование плотноупакованных плоскостей при переходе через границу раздела и высокая плотность решетки совпадающих узлов на межфазной границе;

- основным кристаллогеометрическим критерием, действующим при хемоэпитаксии, является наилучшее согласование плотноупакованных плоскостей при переходе через границу раздела.

- многоориентационный характер эпитаксии в совокупности с сильной связью с подложкой обуславливает высокую дисперсность формирующихся пленок, а низкоэнергетичность межфазных границ и границ зерен специального типа обеспечивает относительную устойчивость нанокристаллического состояния;

- в условиях импульсной фотонной активации для пленки "П812(С49) на (111)81 преимущественными являются ориентации с высокой плотностью РСУ (кинетически выгодные), а в условиях конденсации металла на нагретые подложки - ориентации с наилучшим согласованием плотноупакованных плоскостей (энергетически выгодные);

- для субструктуры пленок Т1812(С54) характерны микродвойниковые прослойки, дефекты упаковки по Шокли и Франку и индивидуальные дислокации; для пленок 1г81з - малоугловые границы субзерен, и дефекты упаковки; для гетероструктуры 1г81з/81 - системы дислокаций несоответствия, для Р11.х№х81/№1.уР1у81 - дислокации несоответствия и большеугловые границы зерен специального типа; для гетероструктуры Яе812/81 сопряжение на межфазной границе — когерентное в пределах кристаллитов вследствие соизмеримости ожидаемых периодов дислокаций несоответствия и размеров кристаллитов;

- для субструктуры пленок термических оксидов Тл и Ъх характерны внутризеренные дислокации, дефекты упаковки и границы двойников, в зависимости от ориентации исходных пленок металлов, большеугловые 90-градусные границы (для (1102)11, Ъх) и 120-градусные границы (для (0001)Т1), на которых размерное и ориентационное несоответствие компенсируется зернограничными дислокациями решеточного типа;

- при реактивном магнетронном распылении и конденсации Тл на ориентирующую подложку фторфлогопита образуются одновременно три полиморфные модификации диоксидов титана. Метастабильные модификации эпитаксиально стабилизированы. Ориентационные соотношения определяются согласованием кислородных октаэдров диоксидов титана и синтетической слюды;

- синтез 8Ю на 81 в процессе карбидизации в газовой атмосфере позволяет формировать эпитаксиальные пленки, являющиеся вследствие высокого совершенства текстуры и морфологии идеальным буферным слоем для по-

следующего наращивания гетероэпитаксиальных структур широкозонных полупроводников (GaN, AIN).

Практическая значимость. Разработаны физико-технологические подходы:

- синтеза тонких эпитаксиальных пленок силицидов, оксидов методом ИФО; запатентованы способ получения пленок карбида кремния на кремниевой подложке и способ получения нанокристаллических пленок рутила;

- синтеза гетероструктур сложных силицидов на Si с контролируемой высотой барьера Шоттки.

Показана принципиальная возможность;

-получения пленок высокопроводящего силицида TiSÎ2 (С54) для систем субмикронной металлизации элементов СБИС с линейными размерами до 0,1 мкм, используя метод ИФО;

- формирования буферных слоев SiC для создания высокосовершенных эпитаксиальных гетероструктур широкозонных полупроводников;

- использования прямых методов исследования кинетики реакций си-лицидообразования при латеральной диффузии;

Запатентован способ получения нанокристаллических ориентированных-пленок рутила;

Экспериментальные результаты, разработанные подходы и способы могут быть использованы при разработке технологических процессов создания систем металлизации на основе силицидов металлов субмикронного размера, мощных диодов Шоттки, светодиодов ультрафиолетового диапазона, мемристорных элементов памяти и различного рода защитных покрытий.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. При твердофазном синтезе тонких пленок силицидов в области умеренных температур последовательность образования силицидных фаз отличается от ожидаемой, наблюдающейся в объемных системах, и вне зависимости от методов активации процессов (термическая или фотонная), соответствует реакционной диффузии в высокотемпературной области равновесных

диаграмм состояния.

2. С изменением морфологии пленки TiSi20T сплошной до островковой проявляется фазовый размерный эффект полиморфного превращения С49 —> С54.

3. в системе пленка 1г на Si вследствие инертности благородного металла к Si02 реакция силицидообразования развивается путем локального диффузионного пробоя тонкого слоя оксида и последующей латеральной диффузии Si.

4. При твердофазном синтезе сложных силицидов в системе Pt-Ni-Si в умеренном температурном и энергетическом диапазоне активации происходит расслоение силицидных фаз на Nii.xPtxSi и Pti_yNiySi.

5. Эффект фотонной активации излучением ксеноновых ламп твердофазного синтеза проявляется в значительном ускорении реакционной диффузии по сравнению с термической активацией. На примере силицидообразования в системе Pt-Ni-Si показано снижение пороговых температур образования силицидных фаз при ИФО на 100 - 150 К, а также образование смешанного металлообогащенного силицида (Pt-Ni)2Si вместо Ni2Si.

6. При твердофазном синтезе пленок силицидов и карбида кремния на поверхности подложек монокристалла кремния, а также при термическом оксидировании ориентированных пленок титана и циркония реализуются закономерные ориентационные соотношения между кристаллической фазой продукта реакции и подложки, отвечающие кристаллогеометрическим критериям: наилучшее согласование плотноупакованных плоскостей при переходе через границу раздела и высокая плотность решетки совпадающих узлов на межфазной границе. Основным кристаллогеометрическим критерием, действующим при хемоэпитаксии, является наилучшее согласование плотно-упакованных плоскостей при переходе через границу раздела.

7. Многоориентационный характер эпитаксии в совокупности с сильной связью с подложкой обуславливает высокую дисперсность формирующихся пленок, а низкоэнергетичность межфазных границ и границ зерен специального типа обеспечивает относительную устойчивость нанокристалли-ческого состояния.

8. Для субструктуры пленок Т1812(С54) характерны микродвойниковые прослойки, дефекты упаковки по Шокли и Франку и индивидуальные дислокации; для пленок 1г813 - малоугловые границы субзерен, и дефекты упаковки; для гетероструктуры 1г813/81 - системы дислокаций несоответствия, для Р11.х№х81/ЪЛ1.уР1у81 - дислокации несоответствия и большеугловые границы зерен специального типа; для гетероструктуры 11е812/81 сопряжение на межфазной границе - когерентное в пределах кристаллитов вследствие соизмеримости ожидаемых периодов дислокаций несоответствия и размеров кристаллитов.

9. Для субструктуры пленок термических оксидов Тл и Ъх характерны внутризеренные дислокации, дефекты упаковки и границы двойников, в зависимости от ориентации исходных пленок металлов, большеугловые 90-градусные границы (для (1102)Т1, Ъх) и 120-градусные границы (для (0001)Т1), на которых размерное и ориентационное несоответствие компенсируется зернограничными дислокациями решеточного типа.

10. При реактивном магнетронном распылении и конденсации Т1 на ориентирующую подложку фторфлогопита образуются одновременно три полиморфные модификации диоксидов титана. Метастабильные модификации эпитаксиально стабилизированы. Ориентационные соотношения определяются согласованием кислородных октаэдров диоксидов титана и синтетической слюды;

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Солдатенко, Сергей Анатольевич

Выводы

1. Показана возможность ориентированного роста фаз брукита и рутила при ВЧМР титана в среде воздуха. Определены ориентационные соотношения на межфазной границе фаз ТЮ2 - фторфлогопит.

2. Обнаружена эпитаксиальная стабилизация фазы брукита при температуре наращивания оксида 1070 К методом реактивного ВЧМР.

2. Установлен размерный эффект, заключающийся в полиморфном превращении брукита в рутил при увеличении толщины пленок.

3.2 Ориентация и субструктура хемоэпитаксиальных пленок диоксидов циркония

На рис. 3.22 приведены электронограмма (а), ПЭМ-изображение (б) и схема индицирования электронограммы (в) исходной плёнки циркония.

Рис. 3.22 - Электронограмма (а) и ПЭМ-изображение (б) отделенной от подложки пленки Ъх\ в - схема интерпретации электронограммы: 1 - основная ориентация Ъх, 2- 90-градусная к основной, 3- дополнительная ориентация, 490-градусная к дополнительной, 3 - двойниковая к 3, 4 - двойниковая к 4

Из них следует, что плёнка содержит незначительное количество ZrO и имеет блочную (мозаичную) субструктуру, образованную нанозернами более чем одной эпитаксиальной ориентации. Темнопольный анализ показал, что размер зёрен не превышает 30 нм при среднем размере около 15 нм. Из электронограммы следует, что основная ориентация (двухосная текстура) представлена двумя азимутальными позициями (1, 2), разориентированными на 90°:

(1102), [112 0] Zr|| (001), [110] и [110] KCl, (3.14)

Ориентации Zr плоскостью (1102) параллельно (001) KCl в условиях

перпендикулярного к ней электронного пучка соответствует ось зоны

больших индексов <55 06>. В этом случае брегговскому условию

удовлетворяют только плоскости (1120), но вследствие локальных изгибов

пленки на предметной сетке (достаточно ± 3°) картина общей дифракции

(рис. 1а) формируется и для ближайшей оси зоны с малыми индексами

<1 Т01>, чем обусловлено наличие других отражений (Olli, 1Т02).

В меньшей доле представлены двухосные текстуры 3 и 4 с

соответствующими им двойниковыми позициями 3' и 4':

<45l3>, (lT03)Zr|| <001>, (110) и (1Т0)КС1, (3.15)

<451 3>, (lT03)Zr || <001>, (110) и (1Т0)КС1. (3.16)

Отжиг свободных пленок на воздухе при 100°С не приводит к

существенным изменениям фазового состава, субструктуры и ориентации.

Первые оксидные фазы образуются при 200°С. На рис. 3.23 представлены

197

электронограмма и ПЭМ-изображение пленки, прошедшей отжиг в течении 5 мин. при температуре 200°С.

Рис. 3.23 — Электронограмма (а) и ПЭМ-изображение (б) пленки после отжига в течение 5 мин при температуре 200°С

Из электронограммы следует, что наряду с Ъх и в незначительном количестве ЪхО пленка содержит Zr02(C) (кубическая решетка РтЗгп, а = 0.509 нм [9]). Фаза ЪхОг связана с фазой Ъх в ориентационном соотношении:

<оо1>, {по} гю2(С)|| <тю1>, {1120} гг. (з.п)

Несмотря на образование первых оксидов, дисперсность субструктуры пленки существенно не изменилась, что обусловлено и одноориентационной хемоэпитаксией кубического оксида на металле.

На рис. 3.24 представлены электронограмма и ПЭМ-изображение, характеризующие фазовый состав и субструктуру пленки, после отжига при 500°С в течение 5 мин. Из электронограммы следует, что пленка содержит только оксидные фазы: 2Ю2(М) (моноклинная решетка, а = 0.51424 нм, Ь =

0.52111 нм, с = 0.53111 нм и (3 = 99.206° [9])и гю2(0) (орторомбическая

решетка, а = 0.51424 нм, Ь = 0.52111 нм, с = 0.53111 нм [9]). Вследствие радиального размытия рефлексов 100 и 110 не исключается наличие зерен оксида 2Ю2(С).

Рис. 3.24 электронограмма и ПЭМ-изображение, характеризующие фазовый состав и субструктуру пленки, после отжига при 500°С в течение 5 мин.

220 2Ю2(М)

Согласно равновесной диаграмме состояний [10], орторомбическая и

кубическая модификации Zr02 стабильны только при высоких температурах.

Их сосуществование с моноклинной фазой при комнатной температуре

можно объяснить проявлением фазового размерного эффекта, что

согласуется с результатами исследования нанопорошков Zr02 [11]. В работе

[11] показано, что наночастицы Zr02 размером менее 30 нм при Т = 20°С

имели кубическую структуру. В тонких пленках этому может содействовать

напряженное состояние (сжатие) нанозерен, находящихся в окружении зерен

стабильной фазы Zr02(M) [12].

Анализ электронограммы (схема на рис. 3.24 в) показал, что кристаллы

Zr02 образуют двенадцать двухосных текстур (с учетом 90 - градусных и

двойниковых позиций), наследуемых от текстуры (1) пленки Zr по ОС:

<001>, (TIO) Zr02(M) || <Т101>, (1120) Zr, (3.18)

<1 Т2>, (TIO)Zr02(M) || <Т 101>, (1120)Zr, (3.19)

<112>, (TIO) Zr02(M) || <1101>, (1120) Zr. (3.20)

Закономерные ориентационные соотношения между кристаллическими

решетками оксида и Zr свидетельствуют о хемоэпитаксиальном росте Zr02.

Для оксидных пленок, полученных в интервале температур 300-700°С,

характерна блочная нанокристаллическая субструктура. При корреляции

размеров блоков Zr02 и зерен Zr более высокая дисперсность субзерен

оксида обусловлена реализацией в пределах одного зерна Zr нескольких

эквивалентных ориентаций (многоориентационная хемоэпитаксия) при

температуре 0.2 - 0.3 Тпл недостаточной для активации процесса

рекристаллизации оксида. Размер субзерен оксида незначительно увеличивается с ростом температуры отжига. Для этих пленок свойственна нанопористость (рис. 3.24 б), происхождение которой связано с эффектом Френкеля при оксидировании металла.

Отжиг при температуре 800°С в течение 5 мин приводит к формированию поликристаллической пленки оксида 2Ю2(М) (рис. 3.25). Зеренная субструктура оксида организована чередованием блоков четырех азимутальных ориентаций для каждой из аксиальных текстур (3.18), (3.19) и (3.20). Существенное увеличение размера зерен и субзерен до 20 и 100 нм -результат собирательной рекристаллизации оксида при 0.35ТПЛ. Этот вывод подтверждается тем, что отжиг пленки Zr в вакууме при 800°С в течение 30 мин не приводил к заметному изменению ее субструктуры.

Рис. 3.25 - Электронограмма (а) и ПЭМ-изображение изображение (б) пленки после отжига при 800°С в течение 5 мин

В окрестности высокоугловых границ зерен наблюдается ослабление контраста вследствие формирования канавок термического травления.

Исключение составляют границы двойников по плоскостям (100) и {110} (отмечены стрелками на рис. 3.25 б).

Анализ сопряжения кристаллических решеток Zr02(M) и циркония показал, что для текстур задаваемых параллельностью плоскостей сопряжения (001) Ъх021| (1102) Ъх (3.18), (112) Ъх02 11 (Т102) Ъх (3.19) и (11 2 ) Zr02 || (1102) Ъх (3.20), выполняется кристаллогеометрический критерий параллельности плотноупакованных направлений. Азимутальные ориентации соотношений отвечают соотношениям: <ТЮ> Zr02 || <1120> Ъх для (3.18); <Т10> Ъх02 || <11 20> Ъх для (3.19); <Т10> Ъх02 || <1120> Ъх для (3.20). Тот факт, что с увеличением температуры отжига доля текстур практически не изменяется, подтверждает энергетическую эквивалентность ориентаций.

На рис. 3.26 а приведено ПЭМ изображение высокого разрешения участка зерна, находящегося в ориентации (3.17).

' " $ У0, 1=5.07 А : . , V", о ■■' "1 ¿9=5.21 А N="2 ^ ат.о=3#А ч 1 ■ - »т:'"'г. • Зйк' •. '

с1110=3.63 А

Рис. 3.26 - ПЭМ изображения высокого разрешения зерен в ориентации (5) содержащие дефекты упаковки (а) и (б); в - Фурье преобразования участка (б); г - двойниковые границы.

Действующие отражения 100, 010, 110 и Т10 создают фазовый контраст с периодами полос 0.507, 0.521, 0.363 и 0.363 нм соответственно. Угол между направлениями [110] и [НО] составляет 88.5°. Фазовый сдвиг для gioo вдоль [100] на N = 1/2 вызван дефектом упаковки (ДУ) по плоскости (010). На отфильтрованном для отражений 110 и 110 обратном Фурье -изображении (рис. 3.26 в) соответствующего участка (рис. 3.26 б) в выделенной области показан пример расщепления дислокации с решеточным вектором Бюргерса b = [100] на две частичные дислокации bi и Ь2. ограничивающие ДУ по плоскости (010). Ширина ДУ составляет около 5 нм.

Природа расщепления дислокаций и образование ДУ в моноклинной решетке представляет особый интерес, так как структура Zr02(M) характеризуется тем, что в ней возможны полные дислокации с относительно большим вектором Бюргерса (Ь = [100]). Расщепление

дислокаций в решетке 2г0г(М) и образование ДУ в силу отсутствия легких систем скольжения затруднительно [11]. Поэтому для понимания их образования целесообразно рассматривать гомологически близкую к решетке кубическую модификацию. Такой подход, по-видимому,

допустим, когда моноклинная решетка в окрестности ДУ деформируется к кубической. В этом случае вектор сдвига соответствует И = !/2[101] и Ь>1 = '/£[101] Ь2 = Мг[10Т]. Деформационный ДУ должен иметь относительно высокую энергию, что подтверждается небольшой его шириной. ДУ ростовой природы, образующийся в результате смещения решеток при срастании двух частей зерна, как правило, проходит через весь кристалл (рис. 3.26 а).

Вследствие эквивалентности двойниковых позиций по ОС (3.18) пленка Zr02 содержит высокоугловые границы двойникового типа. На ПЭМ изображении (рис.3.26 г) показан участок, содержащий зерно (I) в ориентации (3.18) и его двойник (II), ось двойникования <110. На данном участке выявляются двойниковые границы по (110) и (100) либо (010) матрицы (I).

Выводы.

1. Показана возможность получения свободных от подложки ориентированных пленок диоксида циркония.

2. Установлен набор орнентацнонных соотношений между кристаллическими решетками металла и структурными вариантами оксида; двухосные текстуры оксида задаются текстурами исходной пленки циркония.

3. Для пленок характерна блочная нанокристаллическая субструктура; высокая дисперсность оксида обусловлена множественностью двухосных текстур пленки Ъс, а также реализацией в пределах одного зерна Ъх нескольких эквивалентных ориентаций (многоориентационная хемоэпитаксия).

4. Выявлены внутризеренные дислокации, дефекты упаковки и границы двойников.

3.3 Синтез наноструктурированных пленок 81С при импульсной

фотонной обработке 81 в углеродсодержащей газовой среде 3.3.1 Синтез 8>С на монокристаллическом Б»

Методами дифракции электронов, РЭМ и рентгеноспектрального электронно-зондового микроанализа поверхности установлено, что до Еи = 240 Дж-см" на поверхности пластин кремния образуется тонкая аморфная пленка углерода. Пороговая величина Еи для синтеза 81С составила около 240 Дж-см"

2 2 1

. Изменение Р от 1,3-10" до 5,3-10" Па приводило к увеличению толщины

пленки БЮ, достигающей по данным растровой электронной микроско-

• 2 1 пии 70 нм на (111)81 при Еи = 260 Дж-см" и Р = 5,3-10" Па. Далее представлены результаты, полученные при Р = 5,3-10"'Па.

На рис.3.27 представлены микроэлектронограмма (а) и электонномик-роскопическое изображение (б) гетероструктуры, сформированной на (111)81 при Еи около 240 Дж-см" .

Рис.3.27 Фрагмент микроэлектронограммы (а) и ПЭМ - изображение (б) гетероструктуры, сформированной на (11 l)Si при Ей около 240 Дж-см"2

Из них следует, что вблизи порогового значения Еи образуется карбидная фаза Si5C3 (кубическая решетка Р2(3, а = 0,4523 нм [21]) в виде островков размером от 20 нм до 100 нм сопряженных с подложкой Si по соотношению:

(111), [lT2]Si5C3II(lll), [llojSi. (3.21)

Период муара (5,6 нм) на ПЭМ изображении отвечает двойной дифракции на плоскостях {220}Si и {112}Si5C3 при размерном несоответствии кристаллических решеток f = - 0,03.

Электронограммы на рис.3.28 характеризуют фазовый состав, структуру и ориентацию пленок, полученных при Еи = 245 и 260 Дж-см"2. Из элек-тронограмм следует, что в этом интервале величин Еи формируется пленка, соответствующая SiC кубической модификации (ЗС) с параметрами кристаллической решетки а = 0,436 нм [21]. Для пленок характерна достаточно четкая двухосная текстура с ориентацией большей части кристаллитов по соотношению:

(111), [lio]SiC II (111), [llO]Si. (3.22)

331 222 220 200 111 1/3 422 311 400

В г

Рис.3.28. Фрагменты электронограмм на просвет (а, в) и электонограмм на отражение (б, г) пленок SiC, полученных при Ей = 245 (а, б) и 260 Дж-см"2 (в, г), х - рефлексы двойной дифракции на сдвойникованных кристаллитах, hkl' - отражения от кристаллитов в двойниковой 180 - градусной позиции

Хорошо проявляющиеся рефлексы типа ^-(422) свидетельствуют о дефектной упаковке зерен, то есть наличии слоев гексагональной фазы. Поме-

ченные на выделенном фрагменте пучности (рис.3.28 в) образуются вследствие дифракции на плоскостях {111} двойников второго порядка. Из картин ДБЭО (рис.3.28 б и г, зона съемки <110>Si) следует, что зерна, образующие двухосную текстуру, достигают приповерхностной области. Кроме того, наряду с параллельной ориентацией (3.22) имеются зерна в двойниковой (180 -градусной) ориентации и произвольно ориентированные зерна. Слабая относительная интенсивность колец на электронограмме ДБЭО (рис.3.286) свидетельствует о том, что доля произвольно ориентированных зерен в приповерхностном слое пленки ниже, чем в объеме, причем для пленок, получен-

л

ных при 260 Дж-см" (рис.3.28г), в приповерхностную область выходят только эпитаксиально ориентированные кристаллиты вследствие их преимущественного роста.

На рис.3.29 приведены ПЭМ изображения пленок на участках, освобожденных от подложки (а, в) и с подложкой (б, г). Из них следует, что в обоих режимах образуются сплошные пленки. Размер зерен, определенный по темнопольным изображениям, незначительно увеличивается с увеличением Еи и для 260 Дж-см"2 не превышает 20 нм. Высокая дисперсность пленок при хорошо выраженной текстуре обусловлена большой скоростью процесса зарождения-роста карбидной фазы (около 40 нм-с"1), возможностью двух-ориентационной (с учетом 180-градусной позиции) эпитаксии и образованием двойников второго порядка. Толщинный контраст выявляет под пленкой SiC участки в виде полостей, образующихся в приграничных слоях Si. Полости имеют тенденцию к огранению (рис.3.29 в,г), их размеры увеличиваются с увеличением Еи: от 50 нм при 245 Дж-см"2 до ЮОнм при 260 Дж-см"2 . Формирование полостей обусловлено преимущественной диффузией Si в зону реакции.

в г

Рис.3.29. Светлопольные и темнопольные изображения участков пленок SiC освобожденных от подложки (а, в) и гетероструктур (11 l)Si / SiC (б, г); Ей =245 (а, б) и 260 Дж-см"2(в, г)

Для увеличения времени процесса синтеза и поглощенной энергии проводили двухразовую обработку в режимах Еи =260 (а, б) и Еи =275 Дж-см" (в, г). Результаты двухразовой обработки иллюстрируют электронограммы на рис.3.30. Из сопоставления с электронограммой (рис.3.28 в) следует, что в первом режиме повторная обработка уменьшает долю произвольно ориентированных зерен при сохранении мозаичной субструктуры пленки в ориентации (3.22). Размер блоков субзерен пленки SiC в этом случае составляет 35 нм, а отдельных блоков - 150 нм.

Рис.3.30. Электронограммы и ПЭМ изображения пленки SiC, образующейся в результате двухразовой обработки поверхности (11 l)Si при Еи =260 (а, б) и Еи =275 Дж-см"2 (в, г)

При двухразовом облучении с Еи = 275 Дж-см*2 формируется поликристаллическая лабиринтная пленка SiC, характеризующаяся двумя одноосными текстурами <111> и <112> (рис.4 в, г). Размытые пучности на кольце 220 указывают на тенденцию к образованию двухосной текстуры <111>, а отсутствие пучностей на кольце 111 - на произвольную азимутальную ориентацию зерен <112>. Блоки субзерен с текстурой <111> достигают размера 0,3 мкм. Из визуально наблюдаемого характера поверхности образцов можно заключить, что происходит оплавление приповерхностной зоны. Этот факт

представляет особый интерес, поскольку плавление ни в объеме, ни на обратной поверхности пластины не происходит. Поэтому, с учетом реализующегося режима теплового баланса, когда температурное поле в кремниевой пластине однородно по толщине [22], температура пластины ниже точки плавления Si. В этом случае плавление на облученной стороне пластины Si можно объяснить достижением температуры эвтектики с концентрацией 0,25 % (ат.) С и температурой Тэ = 1404 °С [23]. Увеличение Еи до 285 Дж-см"2 не приводит к увеличению температуры образца. Избыток энергии расходуется на плавление эвтектической смеси большего объема, чем в случае Ей = 275 Дж-см" . Отсутствие видимого оплавления на обратной стороне подложки свидетельствует о том, что на ней отсутствует прослойка эвтектического состава и диффузия атомов С в Si пренебрежительно мала. Синтез SiC на не-облучаемой стороне осуществляется за счет преимущественной диффузии Si в зону реакции через пленку SiC. Сравнивая результаты ИФО на облучаемой и необлучаемой сторонах, можно сделать вывод об активации диффузии малоподвижных атомов С в Si при ИФО излучением ксеноновых ламп.

АСМ-изображения (рис.3.31) характеризуют распределения высоты рельефа поверхности пленок, сформированных на (lll)Si при одноразовой (а) и двухразовой ИФО (б). В первом случае шероховатость пленки на участке 2 х 2 мкм не превышает 0,8 нм. Несмотря на образующиеся полости в кремниевой подложке, морфология пленки SiC в целом соответствует морфологии поверхности исходной пластины Si, а шероховатость связана с особенностями субструктуры пленок. Во втором случае рельеф поверхности пленки характеризуется более сложным распределением высот, что отражает неоднородность субструктуры пленки, связанную с укрупнением субзерен. Шероховатость увеличивается до 4 нм.

Рис.3.31 АСМ-изображения поверхности и распределения высоты рельефа пленок одноразовая(а) и двухразовая (б) обработка при Еи = 260 Дж-см"2

На рис.3.32 представлены ИК - спектры поглощения от исходной кремниевой пластины (кривая 1) и образцов, прошедших ИФО при Еи = 245

Волновое число, см"1

Рис.3.32. ИК - спектры поглощения от исходной кремниевой пластины (кривая I) и

о

образцов, прошедших ИФО при Еи = 245 (кривая 2) и 260 Дж-см" (кривая 3).

На спектре от исходного кремния в интервале от 1200 до 500 см'1 наблюдается ряд слабых линий - 961, 889, 816 и 739 см"1 и две достаточно интенсивные линии 1107 см"1 и 611 см'1. Линия поглощения 1107 см"1, связана с валентными антисимметричными колебаниями Si-O-Si связей. Линия 611 см" 1 соответствует антисимметричным колебаниям Si-Si связей и всегда наблюдается на спектрах монокристаллического кремния. На спектрах образцов, прошедших ИФО, возникает сильная линия с максимумом при 793 см"1. Она имеет сложную форму с наплывом с левой стороны и плечом справа. Хорошо известно, что пик 793 см"1 соответствует валентным колебания Si-C связей, а его параметры, такие как полуширина и площадь пика, служат для оценки степени кристалличности тонких слоев карбида кремния. Сложная форма полосы 793 см"1 определяется суммарным вкладом трех полос 889, 816 и 739 см' наблюдаемых на исходном кремнии. Ее полуширина составляет около 85 см"1, что превышает величину для монокристаллических слоев около 45 см'1 [24]. Уширение полосы поглощения, соответствующей фазе SiC, возможно связано с ее высокой дисперсностью. Более высокая интенсивность полосы поглощения 793см'1 на кривой 3, чем на кривой 2 соответствует большей толщине пленки SiC, полученной при Еи = 260 Дж-см", чем при Еи = 245 Дж-см"2.

3.3.2. Синтез SiC на поли-Si

На рис.7 представлены электронограммы на отражение от исходной пленки поли-Si и гетероструктуры (поли-Si) - SiC, полученной при ИФО пленок поли-Si в углеродосодержащей газовой среде при Еи= 260 Дж-см'.

Для легированных пленок поли-Si характерна одноосная текстура <110> (рис.3.33 а) и высокая дисперсность субструктуры, образованной слоистыми

зернами и блоками из сдвойникованных пластин нанометровой толщины в основном по перпендикулярным поверхности плоскостям {111} зоны <110> [25].

в г

Рис.3.33 Электронограммы на отражение от поверхности исходной пленки (а) и после карбидизации (б); фрагмент электронограммы на просвет гетероструктуры (поли-Si) -SiC (в) и микрофотография пленки SiC (г) для Еи=260 Дж-см"

Как видно из картины ДБЭО (рис.3.33 б), нанозерна SiC наследуют от исходной пленки поли-Si преимущественную ориентацию зерен <110>, в тоже время по сравнению с Si увеличивается доля произвольно ориентированных зерен. Это подтверждается и приведенным фрагментом электронограммы гетероструктуры (поли-Si) - SiC (рис.3.33 в) на просвет. Как видно из ПЭМ изображения (рис.3.33 г), пленка SiC также наследует от поли-Si нанокристалли-ческую слоистую субструктуру блоков размером до 30 нм.

3.4 Заключения и выводы к главе 3

1.Показана возможность синтеза тонких пленок SiC при импульсной фотонной обработке пластин Si в среде углеродсодержащих газов.

2. Для пленок SiC на (lll)Si характерна нанокристаллическая субструктура и двухосная текстура. Доля эпитаксиально ориентированных зерен на поверхности пленки увеличивается с ростом ее толщины. Высокая дисперсность пленок обусловлена большой скоростью процесса зарождения-роста карбидной фазы, возможностью двухориентационной (с учетом 180-градусной позиции) эпитаксии и образованием двойников второго порядка. Межфазная граница SiC — Si неоднородна и содержит локализованные со стороны кремния полости.

3. Оплавление поверхности на облучаемой стороне пластин Si и ее отсутствие на необлучаемой стороне в режиме теплового баланса, свидетельствует об эффекте ИФО в активации диффузии атомов углерода в кремниевую подложку.

4. На поли-Si образующаяся пленка SiC наследует текстуру и слоистую субструктуру блоков исходной пленки Si.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Исследована структурная и субструктурная организация при твердофазном синтезе тонких пленок силицидов в системах Ti-Si, Ir-Si, Re-Si, Pt-Ni-Si и термических оксидов металлов (Ti и Zr), тонких пленок оксида титана, полученных ВЧМР на поверхности (001) фторфлогопита, а также карбида кремния на моно-Si. Установлено:

1. При твердофазном синтезе тонких пленок силицидов в области умеренных температур последовательность образования силицидных фаз отличается от ожидаемой, наблюдающейся в объемных системах, и вне зависимости от методов активации процессов (термическая или фотонная), соответствует реакционной диффузии в высокотемпературной области равновесных диаграмм состояния.

2. С изменением морфологии пленки TÍSÍ2 от сплошной до островковой вне зависимости от способов активации проявляется фазовый размерный эффект полиморфного превращения С49 -> С54. В пленках, полученных вакуумной конденсацией Ti на нагретые подложки Si, с размерами островков менее 0,2 мкм образуется только метастабильная фаза С49. При импульсной фотонной активации твердофазной реакции пленки Ti с кремнием показана возможность получения высокопроводящей фазы С54 с поперечными размерами 0,07 мкм.

3. В системе пленка Ir на Si вследствие инертности благородного металла к SÍO2 реакция силицидообразования развивается путем локального диффузионного пробоя тонкого слоя собственного оксида и последующей латеральной диффузии Si. При предварительной вакуумной очистке поверхности подложки реакционная диффузия протекает в перпендикулярном направлении. В высокоэнергетических интервалах синтеза, вблизи порош разложения SÍO2, на межфазной границе силицид-кремний формируется эпитаксиально стабилизированный слой метастабильной фазы IrSÍ3 гексагональной модификации.

4. При твердофазном синтезе сложных силицидов в системе Pt-Ni-Si в умеренном температурном и энергетическом диапазоне активации происходит расслоение силицидных фаз на Nii.xPtxSi и Pti.yNiySi. Расслоение обу-

словлено преимущественной диффузией Ni через силицидные слои и эпитак-сиальной стабилизацией гетероструктуры.

5. Эффект фотонной активации излучением ксеноновых ламп твердофазного синтеза проявляется в значительном ускорении реакционной диффузии по сравнению с термической активацией. На примере силицидообразова-ния в системе Pt-Ni-Si показано снижение пороговых температур образования силицидных фаз при ИФО на 100 - 150 К, а также образование смешанного металлообогащенного силицида (Pt-Ni)2Si вместо Ni2Si.

6. При твердофазном синтезе пленок силицидов и карбида кремния на поверхности подложек монокристалла кремния, а также при термическом оксидировании ориентированных пленок титана и циркония реализуются закономерные ориентационные соотношения между кристаллической фазой продукта реакции и подложки, отвечающие кристаллогеометрическим критериям: наилучшее согласование плотноупакованных плоскостей при переходе через границу раздела и высокая плотность решетки совпадающих узлов на межфазной границе. Основным кристаллогеометрическим критерием, действующим при хемоэпитаксии, является наилучшее согласование плотно-упакованных плоскостей при переходе через границу раздела.

7. Многоориентационный характер эпитаксии в совокупности с сильной связью с подложкой обуславливает высокую дисперсность формирующихся пленок, а межфазные границы и границы зерен специального типа обеспечивает относительную устойчивость нанокристаллического состояния.

8. Для субструктуры пленок TiSi2(C54) характерны микродвойниковые прослойки, дефекты упаковки по Шокли и Франку и индивидуальные дислокации; для пленок IrSi3 — малоугловые границы субзерен, и дефекты упаковки; для гетероструктуры IrSis/Si - системы дислокаций несоответствия, для Ptj. xNixSi/Nij.yPtySi - дислокации несоответствия и болыпеугловые границы зерен специального типа; для гетероструктуры ReSi2/Si сопряжение на межфазной границе - когерентное в пределах кристаллитов вследствие соизмеримости ожидаемых периодов дислокаций несоответствия и размеров кристаллитов.

9. Для субструктуры пленок термических оксидов Ti и Zr характерны внутризеренные дислокации, дефекты упаковки и границы двойников, в зависимости от ориентации исходных пленок металлов, болынеугловые 90-градусные границы (для (lT02)Ti, Zr) и 120-градусные границы (для (OOOl)Ti), на которых размерное и ориентационное несоответствие компенсируется зернограничными дислокациями решеточного типа.

10. При реактивном магнетронном распылении и конденсации Ti на ориентирующую подложку фторфлогопита образуются одновременно три полиморфные модификации диоксидов титана. Метастабильные модификации эпитаксиально стабилизированы. Ориентационные соотношения определяются согласованием кислородных октаэдров диоксидов титана и синтетической слюды

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Солдатенко, Сергей Анатольевич, 2014 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

5. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС / Ш.Мьюрарка //- M., 1986,- С.176.

6. Поут Дж. Тонкие пленки взаимная диффузия и реакции/ Дж. Поут, Дж.Мейер - М., 1982 - С. 576.

7. Walser R.M. First phase nucleation in silicon - transition metal planar interfaces / R.M.Walser, R.W.Bené //Appl.Phys.Lett-1976.- V.28.- № 10.- P.624-625.

8. Shewmon P G Diffusion in Solids (New York: McGraw-Hill, 1963) [Шьюмон П Диффузия в твердых телах (M.: Металлургия, 1966)]

10. Gosele U, Tu К N J. Дрр/. Pfrvs. 53 3252 (1982)

11. TuKNNAnnu. Rev. Mater. Sei. 15 147(1985) 16. MengWJ, Nieh С W, JohnsonWL Appl. Phys. Lett. 51 1693 (1987) 20. Petford-Long А К et al. J. Appl. Phys. 61 1422 ( 1987)

21. Bugaev E A et al. Surface Investigation 15 141 (1999)

22. Slaughter JM et al. Pros. SPIE 1343 73 (1991)

23. Holloway К, Sinclair R J. Appl. Phys. 61 1359 (1987)

24. Holloway K, Sinclair R J. Less Common Met. 140 139 (1988)

25. Nathan MJ. Appl. Phys. 63 5534 (1988)

26. Gong S F et al. J. Appl. Phys. 68 4535 (1990)

27. Ma E et al. Appl. Phys. Lett. 53 2033 (1988)

28. WangWH, WangWK J. Appl. Phys. 76 1578 (1994)

29. Tu К N, Herd S R, GDosele U Phys. Rev. В 43 1198 (1991)

30. Chen J С, Shen G H, Chen L J J. Appl. Phys. 84 6083 (1998)

31. Kjornrattanawanich В et al. Appl. Opt. 45 1765 (2006)

32. Gong S F, Hentzell H T G J. Appl. Phys. 68 4542 (1990)

33. Miedema A R J. Less Common Met. 46 67 (1976)

34. Bene RW J. Appl. Phys. 61 1826 (1987)

35. Gosele U, Tu К N J. Appl. Phys. 66 2619 (1989)Bugaev E A et al. Surface/nvestigation 15 141 (1999) 78. Bravman J C, Sinclair R J. Electron. Microsc. Tech. 1 53 (1984

1. Поут Дж. Тонкие пленки взаимная диффузия и реакции/ Дж. Поут, Дж.Мейер - М., 1982 - С. 576.

2. Иевлев В.М. Структура и состав силицидов образующихся при фотонном отжиге / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, В.П.Злобин // ФХОМ.- 1986.- № 2.-С.128-130.

3.Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС / ШМьюрарка //- М., 1986.- С. 176.

4. Oppolzer Н. Influence of slight deviations from TaSi2 stoichiometry on the high-temperature stability of tantalum silicide / silicon contacts / H.Oppolzer, F.Neppl, K.Hieber, V.Huber// J. Vac. Sci. Technol.- 1984.- V.B2(4).- P.630-635.

5. Beyers R. ТЕМ studies of cosputtered TiSi2 films containing excess silicon / R.Beyers, R.Siclair, M.E.Thomas // Mat. Res. Spoc. Symp. Proc.- 1984.- V.25.- P.601-605.

6. Kemper M.J.H. Crystallization and resistivity of amorphous titanium silicide films deposited by coevaporation / M.J.H.Kemper, P.H.Oosting // J. Appl. Phys. -1982.- V.53.- № 9.- P.6214-6219.

7. Gupta A. Exeimer laser-induced chemical vapor deposition of titanium silicide / A.Gupta, G. A. West, K.W.Beeson //J. Appl. Phys. - 1985.- V.58.- № 9.- P.3573-3582.

8. Nender C. Selective deposition of Ti: an interface study / C.Nender, S.Berg, B.Gelin,B.Stridh//J. Vac. Sci.Technol.- 1987.- V.A5(4).-P.1703-1707.

9. Tanielian M. Titanium disilicide formation by sputtering of titanium on heated silicon substrate / M.Tanielian, S.Blackstone // Appl. Phys. Lett.- 1984,- V.45.-№ 6.- P.673-675.

10. Белевский В.П. Интегрированные ионные процессы в тонкопленочной технологии формирования силицидов титана / В.П.Белевский, В.Г.Вербицкий // Харьковская научная ассамблея ISTFE-14. Раздел II. Термодинамика образования, фазовые диаграммы.- 2001.- С. 106-107.

11. Вудраф Д. Современные методы исследования поверхности / ДБудраф, Т.Делчар // - М.: Мир, 1989.- 468 с.

12. Walser R.M. First phase nucleation in silicon - transition metal planar

interfaces / R.M.Walser, R.W.Bené //Appl.Phys.Lett-1976.- V.28.- № 10.- P.624-625.

13. Bené R.W. A kinetic model for solid-state silicide nucleation / R.W.Bené // J. Appl. Phys. - 1987.- V.61.- № 5.- P.1826-1833.

14. Iwami M. ELS study of Ti-silicide formation on Si(l 11) at room temperature /M.Iwami, S.Hashimoto, A.Hiraki // Solid State Communications.- 1984 - V.49.- № 5.-P.459-462.

15. Satoko C. Chemisorption and silicide formation processing of transition metals Ti, V, Cr, Fe and Ni on Si(l 11) / C.Satoko, S.Ohnishi, T.Zeng-yu // Appl. Surf. Scie.- 1988.- V.33/34.- P.277-285.

16. Плюснин Н.И. Атомное перемешивание на границе раздела Si - Cr и начальные стадии эпитаксии / Н.И.Плюснин, Н.Г.Галкин, А.Н.Каменев,

B.Г.Лившиц, С.А.Лобачев // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1989.- № 9.- С.55-61.

17. Wallart X. Auger and electron-energy-loss spectroscopy study of interface formation in the Ti-Si system / X.Wallart, J.P.Nys, H.S.Zeng, G.Dalmai, I. Lefebvre, M.Lannoo // Phys. Rev. В.- 1990.- V.41.- №5.- P.3087-3096.

18. Wallart X. Early stages characterization of the formation of TiSi2 on Si(100) and Si(l 11)/ X.Wallart, J.P.Nys, G.Dalmai // Appl. Surf. Scie.- 1989.- V.38.- P.49-56.

19. Vâhâkangas J. Initial growth of Ti on Si / J.Vahakangas, J.U.Idzerda, E.D. Williams, R.L.Park // Phys. Rev. В.- 1986.- V.33.- №12.- P.8716-8723.

20. Tsong T.T. The early stages of silicide formation on metal and silicon surfaces, time of flight atom-probe studies of atomic structure and composition / T.T.Tsong,//Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 1984.- V.25.- P.363-374.

21. Chopra D.R. Study of the Ti/Si interface using x-ray photoelectron and Auger electron appearance potential spectroscopies / D.R.Chopra, A.R.Chourasia, T.R.Dillingham, KX.Peterson, B.Gnade // J. Vac. Sci. Technol.- 1987.- V.A5(4).-P.1984-1987.

22. McGinn J.T. Cross-sectional transmission electron microscopy study of the structure of titanium diffusion barriers on (100) silicon / J.T.McGinn,J.-S.Maa,

C.J.Buiocchi //Mat. Scie, and Engineering.- 1989.- A III.- P.177-180.

23. Chen L.J. The applications of transmission electron microscopy to the characterization of metal thin films on silicon / LJ.Chen, W.Lur, JJ.Cheng // Thin Solid Films.- 1990.- V.191.- P.221-237.

24. Зубарев E.H. Электронно-микроскопическое исследование начальных стадий фазообразования на межфазных границах металл / кремний / Е.Н.Зубарев // МСТПЭ-12: Тонкие пленки в электронике.- 2001.- 23-27 апреля.- С. 194.

25. De Nijs J.M.M. The Ti/c-Si solid state reaction II. Additional measurements by means of RBS, XPS and AES / J.M.M.De Nijs, A.VanSilfhout // Appl. Surf. Scie.-1990.- V.40.- P.349-358.

26. Барабаш O.M. Структура и свойства металлов и сплавов / О.М.Барабаш, Ю.Н.Коваль // - Киев: Наукова думка, 1986,- 600 с.

27. Ottaviani G. Metallurgical aspects of the of silicides formation / G.Ottaviani

// Thin Solid Films.- 1986.- V.140.- P.3-21.

28. Ottaviani G. Silicides formation / G.Ottaviani, C.Nobili // Thin Solid Films.-1988.- V.163.- P.l 11-121.

29. Hung L.S. Kinetics of TiSi2 formation by thin Ti films on Si / L.S.Hung, J.Gynlai, J.W.Mayer, S.S.Lau, M-A.Nicolet // J. Appl. Phys. - 1985.- V.54.- № 9. P.5076-5080.

30. Nemanich R.J. Initial reactions and silicide formation of titanium on silicon studies by Raman spectroscopy / RJ.Nemanich, R.T.Fulks, B. L.Sstafford, H.A.Vander Plas // J. Vac. Sci. Technol.- 1985.- V.A3(3).- P.938-941.

31. Lakshmikumar S.T. The growth of titanium silicides in thin film Ti/Si structures / S.T.Lakshmikumar, A.C.Rastogi // J. Vac. Sci. Technol.- 1989.-V.B7(4).- P.604-608.

32. Yanagisawa S. Reaction of Mo thin films on Si(100) surfaces / S.Yanagisawa,T.Furukawa//J.Electrochem.Soc.-1980.-V. 123.-№ 5.-P.1150-1156.

33. Борзаковский A.E. Исследование системы Ti-Si методом обратного рассеяния / А.Е.Борзаковский, В.Г.Вербицкий, А.А.Ключников, В.М.Коптенко, В.И.Микитенко, В.Н.Полянский, В.Н.Щербин // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1986.- № 6.- С. 152-153.

34. Соколов JI.B. Наблюдение поверхностных сверхструктур Si и Ge под

слоем собственного окисла / Л.В.Соколов, А.И.Торопов, М.П.Бакланов, С.И.Стенин // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1982.- № 8.- С.9-11.

35. Murarka S.P. Thin film interaction between titanium and polycrystalline silicon / S.P.Murarka, D.B.Fraser//J.Appl.Phys.-1980.-V.51.-№l.-P.342- 349.

36. Zsoldos E. X-ray investigation of Ti-Si thin films prepared by solid phase reaction / E.Zsoldos, G.Peto, V.Schiller, G.Valyi // Thin Solid Films.- 1986.-V.137.- P.243-249.

37. Iwami M. Low temperature ti-silicide forming reaction in very thin Ti-Si02/ Si(lll) contact system / M.Iwami, A.Hiraki // Japn. J. Appl. Pys.- 1985.-V.24.- № 4,- P.530-536.

38. Bentini G.G. Oxygen influence on titanium silicide formation / G.G.Bentini, M.Berti, C.Cohen, A.V.Drigo, S.Guerri, R.Nipotti, J.Siejka // Mat.Res.Soc.Symp.Proc.- 1984.- V.25.- P.137-142.

39. Berti M. Titanium silicide formation: effect oxygen distribution in the metal film / M.Berti, C.Cohen, A.V.Drigo, J.Siejka, G.G.Bentini, R.Nipotti, S.Guerri // J. Appl. Phys. - 1984.- V.55.- № 10.- P.3558-3565.

40. Hsu C.C. Formation of silicides in the Ti,TiOx/ Si(lll) and Ti/Si02/Si(l 11) system / C.C.Hsu, Jon-Xiang Wang, Shi-Duan Jin, Bau-Qi Li, Ming-Ron Ji, Jian-Hin Wu // J. Vac. Sci. Technol.- 1987.- V.A5(4).-P. 1402-1406.

41. McLachlan D.R. Refractory metal silicides / D.R.McLachlan, J.B.Avins // Semiconductor international.- 1984.-№ 10.-P.129-138.

42. Болтовец H.C. Силицидообразование в системе вакуумно конденсированный молибден - кремний / Н.С.Болтовец, В.А.Кравацкий, Ю.Н.Макагон, С.И.Сидоренко, Н.Н.Яременко // Неорганические материалы.-1985.- Т.21.- № 2.- С.254-257.

43. Puppin Е. Annealing behavior of refractory metal multilayers on Si: the Mo/Ti and W/Ti system / E.Puppin, V.Krishnamurthy, C.R.Helms // J. Appl. Phys. -1988.- V.63.- № 7.. P.2414-2419.

44. Валиев K.A. Кинетика фазообразования TiSi2 в пленках, полученных осаждением из молекулярных пучков / К.А.Валиев, А.Г.Васильев,

А.Л.Васильев, Н.А.Киселев, А.А.Орликовский, А.Э.Седельников // Высокочистые вещества.- 1988.- № 1.- С.61-68.

45. Beyers R. Thermodynamic considerations in refractory metal-silicon-oxygen systems / R.Beyers // J. Appl. Phys. - 1984.- V.55.- № 1.- P.149-152.

46. Beyers R. Metastable phase formation in titanium - silicon thin films / R.Beyers, R.Siclair// J. Appl. Phys. - 1985.- V.57.- № 12.- P.5240-5245.

47. Houtom van H.J.W. Influence of grain size on the transformation temperature of C49 TiSi2 to C54 / I.J.M.M.Raaijmakers, T.J.M.Menting // J. Appl. Phys. - 1987.- V.61.- № 8.- P.3116-3118.

48. Beyers R. Titanium disilicide formation on heavily doped silicon substrates / R.Beyers, D.Coulman, P.Merchant // J. Appl. Phys. - 1987.- V.61.-№8.- P.5110-5115.

49. Chow T.P. Titanium silicide formation on BF2+ implanted silicon / T.P.Chow, W.Katx, G.Smith//Appl.Phys.Lett.- 1985.-V.46.-№ 1.-P.41-43.

50. Chow T.P. Titanium silicide formation on boron-implanted silicon / T.P.Chow, W.Katx, R.Goehner, G.Smith // J. Electrochem. Soc.- 1985.-V.46.- № 1.. P.1914-1917.

51. Lasky J.B. Comparison of transformation to low-resistivity phase formation and aglomeration of TiSi2 and CoSi2 / J.B.Lasky, J.S.Nakos, O.J.Cain, P.J.Geiss // IEEE Transactions on electron devices.-1991.-V.38.-№ 2.- P.262-269.

52. Roy R.A. In situ x-ray diffraction analysis of the C49 - C54 titanium silicide phase transformation in narrow lines / R.A.Roy, L.A.Clevenger, C.Cabral, J.K.L.Saenger, S.Brauer, J.Jordan-Sweet, J.Bucchingnano, G.B.Stephenson // Appl.Phys.Lett.- 1995.-V.66.- № 14.-P.1732-1734.

53. Kittl J.A. Kinetic and nucleation model of the C49 to C54 phase transformation in TiSi2 thin films on deep-sub-micron n+type polycrystalline silicon lines / J.A.Kittl, D.A.Prinslow, P.P.Arte, M.F.Pas // Appl.Phys.Lett.- 1995.-V.67.-№ 16.- P.2308-2310.

54. Jeon H. Dependence of the C49 - C54 phase transition temperature on film thickness and Si substrate orientation / H.Jeon, G.Yoon, RJ.Nemanich // Thin

Solid Films.- 1997.- V.299.- P.178-182.

55. Tanaka H. In situ observation of the C49-to-C54 phase transformation in TiSi2 thin films by transmission electron microscopy / H.Tanaka, N.Hirashita, R.Sinclair // Japn. J. Appl. Pys.- 1996.- V.35.- Part 2.- № 4B.- P.L479-L481.

56. Okihara M. Synthesis and characterization of pure C49 TiSi2 / M.Okihara, N.Hirashita, K.Tai, M.Kageyama, Y.Harada, H.Onoda // J. Appl. Phys.- 1999.-V.85.- № 5.- P. 2988-2990.

57. You-Seok S. Retarded C54 transformation and suppressed aglomeration by precipitates in TiSi2 films / S.You-Seok, P.D.Gyu, J.Se-Aug, L.Sang-Hyeob, K.Tae-Kyun, Y.In-Seok, K.San-Dong, K.Chung-Tae // J. Appl. Phys.- 2000.-V.88.-№ 6.- P. 2760-2764.

58. Smith P.M. Effect of ramp rate on the C49-C54 titanium dicilicide phase transformation / P.M.Smith, G.Bailey, Z.Y.Hu, P.S.Tay // J. Vac. Sci. and Technol. В.- 2000.- V.18.- № 4.- P. 1949-1952.

59. Thompson R.D. Effect of substrate on the phase transformation of amorphous TiSi2 thin films / R.D.Thompson, H.Takai, P.A.Psaras, K.N.Tu // J. Appl. Phys.- 1987.-V.61.- № 2.- P. 540-545.

60. Reader A.H. Stacking faults and precipitates in annealed and co-sputtered C49 TiSi2 films / A.H.Reader, IJ.Raaijmarkers, H.J.W.van Houtom // Inst. Phys. Conf. Ser. № 87: Section 7, Microsc. Semicond. Mater. Conf.- !987. Oxford 6-8 April.- P.523-528.

Я. Jia C.L. High-resolution electron microscopy studies of the microstructure in C49-TiSi2 crystals / C.L.Jia, J.Jiang, X.F.Zong // Phil. Mag. A.- 1989.- V.59.-№5.- P. 999-1012.

62. Sedgwick Т.О. Short time annealing / T.O.Sedgwick // J.Electrochem.Soc.- 1983.- V.130.- № 2.- P.484-493.

63. Хайбуллин И.Б., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводников, состояние проблемы и нерешенные вопросы / И.Б.Хайбуллин, Л.С.Смирнов // Физика и техника полупроводников.- 1985.-Т.19.-В.4.- С.569-591.

64. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Ж.Панков // -М.: Мир, 1973.- 456 с.

65. Делоне Н.Б Взаимодействие лазерного излучения с веществом /

Н.Б.Делоне // - М.: Наука, 1989.- 278 с.

66. Claro F. Transient heat transport in solid / F.Claro, G.D.Mahan // J.Appl.Phys.- 1989.- V.66.- № 9.- P.4213-4217.

67. Gold R.B. Calculation of solid-phase reaction rates induced by a scanning CW- laser /RJB.Gold, J.F.Gibbons //J.Appl.Phys.-1980.- V.51.- № 1.- P.1256-1258.

68. Кияк С.Г. Модификация полупроводников лазерными импульсами

миллисекундного диапазона / С.Г.Кияк // Изв. АН СССР.- 1989.- Т.53.- № 3.-сер.Физ.- С.417-422.

69. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники / В.С.Вавилов, Н.П.Кенелидзе, Л.С.Смирнов // - М: Наука, 1988.- 157с.

70. Лазнева Э.Ф. Исследование лазерной десорбции с поверхности Si на начальной стадии окисления / Э.Ф.Лазнева, И.Н.Федоров // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1989.- № 4.- С. 143-144.

71. Маркевич М.И. О возможности закалки пленок алюминия при лазерной обработке // М.И.Маркевич //ФММ.-1985.-Т.60.-№2.-С.21-25.

72. Маркевич М.И. О закалочных явлениях в пленках никеля / М.И.Маркевич, С.Г.Розин, А.М.Чапланов // Изв. АН СССР. Сер. Металлы. -1986.-№1.- С.149-152.

73. Маркевич М.И. Расчет миграции вакансий в тонких пленках никеля при их неравновесной концентрации / М.И.Маркевич, С.Г.Розин, Э.И.Точицкий, А.М.Чапланов // Металлофизика.-1985.-Т.5.-В.13.-С.109-111.

74. Маркевич М.И. Стимулированная собирательная рекристаллизация в тонких пленках ГЦК-металлов при воздействии импульсного лазерного излучения / М.И.Маркевич // Неорганические материалы.- 2000.- Т.36.- № 7.-С.825-827.

75. Nanu L. Phosphorus diffusion in silicon during rapid thermal annealing / L.Nanu, G.R.Evans // Semicond.Sci.Thechnol.- 1989.- V.4.- P.711-714.

76. Белявский В.И. Подпороговое дефектоообразование при мощной

импульсной обработки кремния / В.И.Белявский, Ю.А.Капустин,

B.В.Свиридов // ФТП. - 1991. -Т.25. - Вып.7. - С. 1204-1208.

77. Лабунов В. А. Формирование силицидов импульсной термообработкой пленочных структур / В. А. Лабунов, В.Е.Борисенко, Д.И.Заровский и др. // ЗЭТ - 1985. - №8.(291). - С.27-53.

78. Иевлев В.М. Состав и структура силицидов образующихся при импульсной фотонной обработке пленок титана на монокристаллическом и аморфном кремнии / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, В.И.Рубцов и др. // ФХОМ.-1997.- №4,- С.62-67.

79. Wei C.W. Formation of titanium silicides by fast radiate processing /

C.W.Wei, J.VanderSpiegel, J J.Santiago, L.E.Seiberling // Appl.Phys.Lett.- 1984.-V.45.- № 5.- P.527-528.

80. Levy D. Rapid thermal annealing and titanium silicide formation /

D.Levy, J.P.Ponpon, A.Grob, J.Grob, R.Stuck//Appl.Phys-1985.-A.38.-P.23-29.

81. Kermani A. Process control of titanium silicide formation using rapid thermal processing / A.Kermani, T.Debolske, J.Growley, T.Stultz // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.- 1987.- B.21.- P.633-637.

82. Brillson L.J. Titanium - silicon and silicon dioxide reactions controlled by low temperature rapid thermal annealing / L.J.Brillson, M.L.Slade, H.W.Richter, H.VanderPlas, R.T.Fulks // J.Vac.Sci.Technol.- 1985.- A.4.- № 3.- P.993-997.

83. Lee H.S. Growth kinetics of Mo, W, Ti and Co silicides formed by Infrared laser heating / H.S.Lee, G.J.Wolga // J. Electrochem. Soc. - 1990.- V.137.-№2.- P. 684-690.

84. Ponpon J.P., Saulnier A. Comparison of the growth kinetics of titanium silicide obtained by RTA and furnace annealing / J.P.Ponpon, A.Saulnier // Semicond. Sci. Technol. - 1989. - V.4. - P.526-528.

85. Rastogi R.S. Molybdenum disilicide formation by ion-beam mixing and rapid thermal annealing of Mo/Si(lll) / Thin Solid Films.- 1988.- V.164.- P.449-454.

86. Ashwini Kumar P.K. TiSi2 formation by rapid thermal processing in a

diffusion furnace / P.K.Ashwini Kumar, Vijay Kumar, S.K.Sarkar // J.Vac.Sci.Technol.- 1989.- A.7.- № 3.- P. 1488-1491.

87. Saiton S. -Single cristalline silicide formation / S.Saiton, H.Ishiwara, T.Asano et al. // Japanese Journal of applied physics. - 1981.- V.20.- №9. - P. 16491656.

88. Furukawa S. (Invited) Epitaxial growth for intergrated circuits and future devices / S.Furukawa, H.Ishiwara // Japanese Journal of applied physics.- 1983.-N22.- Supplement 22-1 - P. 21-27.

89. Poate J.M. Formation of epitaxial silicides and insulators on Si and other semiconductors / J.M.Poate, , J.M.Gibson, D.C.Jacobson, J.M.Phillips // Layered Structure and Interface Kinetics, ed. by S.Furukawa -1985.- Tokyo.- P. 149-172.

90. Chen L.J. Lattice imaging of silicide - silicon interfaces / L.J.Chen, J.W.Mayer, K.N.Tu, T.Sheng // Thin films and interfaces.-1982.-V.10.-P. 93-99.

91. Gibson J.M. The effect of nucleation and growth on epitaxy in the CoSi2/Si system. / J.M.Gibson, J.C.Bean, J.M.Poate, R.T.Tung // Thin films and interfaces.- 1982.- V.10.- P.101-110.

92. Lin W.T. Localized epitaxial growth of tetragonal and hexagonal WSi2 on (11 l)Si. / W.T.Lin, L.J.Chen // J. Appl. Phys.- 1985. - V.58(4). - P. 1515-1518.

93. Shiau F.J. Epitaxial growth of CrSi2 on (11 l)Si. / F.J.Shiau, // Appl. Phys. Lett. - 1984. - V.45(5).- P. 524-526.

94. Chang C.S. Partial epitaxial growth of NbSi2 on Si(lll). / C.S.Chang, J.J.Chu, L.J.Chen // Thin Solid Films. - 1988. - V.161. - P. 263-271.

95. Chang C.S. Partial epitaxial growth of HfSi2 films grown on silicon. / C.S.Chang, C.W.Nieh, L.J.Chen // J. Appl. Phys. - 1987. - V.61(6). - P.2393-2395.

96. Wang Li-Ming. Epitaxial growth of TiSi2 (C49) on (001)Si by rapid thermal annealing. / Li-Ming Wang, Shinn-Tyan Wu. // Jap. J. Appl. Phys. 1997.-V.36.- Pt.l.- №10. - P. 6475-6480.

97. Bollmann W. Crystal defects and Crystalline interfaces. / W.Bollmann // -Berlin, 1970 - P.244.

98. Zur A. Lattice match: An application to heteroepitaxy. / A.Zur,

T.CMcGill II J. Appl. Phys.- 1984. - V.55(2). - P. 378-386.

99. Cherns D. Atomic structure of the NiSi2/(lll)Si interface / D.Cherns,

G.R.Anstis, J.L.Hutchison, J.C.H.Spence // Phyl. Mag. A. - 1982.- V.46. - №5. - P. 849-862.

100. Morar J.F. Metallic CaSi2 epitaxial films on Si(lll). / J.F.Morar, M. Wittmer // Phys. Rev. В.- 1988.- V.37.- №5.- P.2618-2621.

101. Pumphrey P.H. A plane matching theory of high angle grain boundary structure. / P.H.Pumphrey // Scr. Met.- 1972.- V.6.- P. 107-114.

102. Бугаков A.B. Энергия и релаксированная структура межфазных границ в металлических системах с ГЦК решеткой: 1. Энергия границ различных ориентаций. / А.В.Бугаков //Поверхность. Физика, химия, механика.-1993.-№2.-С. 97-105.

103. Медведцев И.В. Математическая модель процесса выращивания монокристаллов силицидов пленок на кремнии. / И.В .Медведцев, Г.АЛечно,

H.И.Ходарковский // Вычислительная и прикладная математика (Киев).- 1989.-№67.- С. 56-61.

104. Catana A. Atomic scale study of local TiSi2/Si epitaxies. / A.Catana, P.E.Schmid, M.Heintze, F.Levy//J. Appl. Phys.- 1990. - V.67(4). - P.1820-1825.

105. Chu J.J. Localized epitaxial growth of IrSi3 on (111) and (001) silicon. // J.J.Chu, L.J.Chen // J. Appl. Phys.- 1988. - V.63(4). - P. 1163-1167.

106. Иевлев B.M. Фазовый состав ориентация и субструктура пленок силицидов иридия, синтезированных в процессе вакуумной конденсации металла на Si. / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко, И.Г.Руднева, А.В.Бугаков // Вестник Воронежского государственного технического университета: Серия " Материаловединие ".- 2001.- Вып.1.9.- С. 54-59.

107. Cheng Н.С. Epitaxial growth of С40 structure silicides on (lll)Si. / H.C.Cheng, W.T.Lin, С J.Chien, F.J.Shiau, L.J.Chen // Application of surface science 22/23. North-Holland, Amsterdam.- 1985.- P. 512-519.

108. Lin W.T. Localized epitaxial growth of MoSi2 on silicon. / W.T.Lin, L.J.Chen //J. Appl. Phys.- 1986. - V.59(5). - P. 1518-1524.

109. Perio A. Growth of MoSi2 with preferential orientation on (100) silicon. / A.Perio J.Torres, G.Bomchil, F.Arnaud d'Avitaya, R.Pantel // Appl. Phys. Lett.-1984.- V.45(8).- P. 857-859.

110. Perio A. Thermal evolution of molybdenum disilicide grown on (100) silicon under ultrahigh vacuum conditions. / A.Perio, J.Torres // J. Appl. Phys.- 1986. -V.59(8).-P. 2760-2764.

111. Torres J. Growth of thin films of refractory silicides on Si(100) in ultrahigh vacuum. / J.Torres, A.Perio, R.Pantel, J.Campidelli, F.Arnaud d'Avitaya // Thin Solid Films.- 1985.- V.126.- P. 233-239.

112. Magee T.J. Microstructural investigations of refractory metal silicide films on silicon / T.J.Magee, G.R.Woolhouse, H.A.Kawayoshi, I.C.Niemeyer, B.Rodrigues, R.D.Ormond // J.Vac.Sci.Technol.- 1984.- B.2.-№4.-P.756-761.

113. Nava F. Impurity effects in molybdenum silicide formation. / F.Nava, G.Majni, P.Cantoni, G.Pignatel, G.Ferla, P.Cappelletti, F.Mory // Thin Solid Films.-1982.- V.94.- P. 59-65.

114. Tanaka H. In situ observation of the C49 to C54 phase transformation in TiSi2 thin films by transmission electron microscopy. / H.Tanaka, N.Hirashita, R.Sinclair // Jap. J. Appl. Phys. - 1996.- V.35.- Pt.2.- №4B. - P. L479-481.

115. Nipoti R. On the epitaxial relationships of TiSi2 on silicon. / R.Nipoti, A.Armigliato // Jap. J. Appl. Phys. - 1985.- V.24.- №11. - P. 1421-1424.

116. Wu I.C. Local epitaxy of TiSi2 on (lll)Si: effect due to rapid thermal annealing and to the annealing atmosphere. / I.C.Wu, J.J.Chu, L.J.Chen // J. Appl. Phys.- 1986. - V.60(9). - P. 3172-3175.

117. Chu J.J. Transmission microscope study of the growth kinetics of TiSi2 epitaxy on (11 l)Si. / J.J.Chu, I.C.Wu, L.J.Chen // J. Appl. Phys.- 1987. - V.61(2). - P. 549-551.

118. Derrien J. Thin metallic silicide films epitaxially grown on Si(lll) and their role in Si-metal-Si devices. / J.Derrien, F.Arnaud d'Avitaya // J. Vac. Sci. Technol.- 1987.- V.A5(4).- P. 2111-2120.

119. Catana A. Morphology and structure of thin TiSi2 films on silicon. /

A.Catana, M.Heintze, F.Levy, P.E.Schmid, P.Stadelmann // Spriger Senes in Material Science. Semiconductor Silicon Ed.: G.C.Harbeke, M.J.Schulz, Springer-Verlag Berlin Heidelberg.- 1989.- V.13.- P. 276-279.

122. Lewis B. Physical processes in epitaxial growth. / B.Lewis // Thin Solid Films.-1971.- V.7.-P. 179-217.

123. Thompson C.V. Epitaxial grain growth in thin metal films. / C.V.Thompson, J.Floro, H.I.Smith // J. Appl. Phys.- 1990. - V.67(9). - P. 4099-4104.

124. Вассерман A.JI. Установка импульсной термической обработки полупроводниковых пластин / А.Л.Вассерман, В.И.Жильцов, М.А.Мхитаров // МНТ.- Научно-технические достижения (ВИМИ).- 1985.- Вып.З.- С.39-42.

125. Хирш П., Хови А., Николсон Р. и др. Электронная микроскопия тонких кристаллов.- М.: Мир, 1968.- 574 с.

126. Powder Diffraction File, Alphabetical Index Inorganic Compounds, 1977, JCPDS, Pensilvania 19081, U.S.A.

127. Косевич B.M. Структура межкристаллитных и межфазных границ. /

B.М.Косевич, В.М.Иевлев, Л.С.Палатник, А.И.Федоренко // - М., "Металлургия" 1980.- С.256.

128. Бугаков А.В. Энергия и релаксированная атомная структура межфазных границ в металлических системах с ГЦК решеткой. / А.В.Бугаков, В.М.Иевлев, Б.Н.Ирхин // Поверхность. Физика, химия, механика, 1993, № 2, с. 97-105.

129. Иевлев В.М. Образование силицида TiSi2 при вакуумной конденсации металла на кремнии / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко, В.Ю.Балашова, Е.К.Белоногов // Вестник, ВГТУ, 1996, сер. Материаловедение, вып.1.1, с.155-157.

130. Ievlev V.M. Orientation and substructure of TiSi2 films on Si(lll) / V.M.Ievlev, S.B.Kushev, S.A.Soldatenko // Functional materials , v.6, N5,1999, p.920-925.

131. Кущев С.Б. Субструктура пленок силицидов Ti и закономерность сопряжения на межфазной границе TiSi2-(lll)Si. / С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко //

Тез.док. 3 Веер. Сем. Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении. Воронеж. 2000. с.99.

132. Иевлев В.М. Закономерности сопряжения и субструктура межфазных границ в системах Si-Силицид Me (Me: Pt, Pd, Ni, Re, Ir, Mo, Ti) / В.М.Иевлев, А.В.Бугаков, С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко, Б.Н.Маркушев, И.Г.Руднева // Сб.докл. 12-го Международного симп.'Тонкие пленки в микроэлектронике" МСТПЭ-12 Харьков, Украина.- 2001.- С.201-206.

133. Ievlev V.M. Conjugation regularities and substructure of interphase boundaries in the systems Si - Final phase of Pt-, Pd-, Ni-, Re-, Ir-, Mo-, Ti- silicides / V.M.Ievlev, A.V.Bugakov, S.B.Kushev, S.A.Soldatenko, B.N.Markushev, I.G.Rudneva // Proceedings Fourth International Conference "Single crystal Growth and heat & mass transfer" ICSC, Obninsk-2001.-V.2. - P.496-503.

134. Иевлев В.М. Структура и закономерности сопряжения на межфазной границе пленок TiSi2 на (lll)Si / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко,

A.Ю.Исаев, В.И.Рубцов // Неорганические материалы. 2001.- Т.37,- №12.-С.1471-1479.

135. Солдатенко С.А. Синтез, ориентация и субструктура пленок TiSi2 на Si / С.А.Солдатенко // Тез. док. 3 Веер. Сем. Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловед. Воронеж. 2004. с.99.

136. Иевлев В.М. Субструктура межфазных границ кремний силицид металла / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, В.Ю.Балашова, С.А.Солдатенко, А.В.Бугаков, ИГ.Руднева // Тез.док. XVII Рос.Конф. по электронной микроскопии ЭМ'98 1998, Черноголовка, с.77-78.

137. Иевлев В.М. Формирование контактно- металлизационных систем СБИС на основе силицидов титана методом импульсной фотонной обработки /

B.М.Иевлев, С.Б.Кущев, В.И.Рубцов, В.Н.Сарыкалин, С.А.Солдатенко // Материал.конф. Реализация региональных научно-технич. программ центрально-черноземного региона, 1996, Воронеж, ВГТУ, т.2, с. 36-43.

138. Иевлев В.М. Состав и структура силицидов образующихся при импульсной фотонной обработке пленок титана на монокристаллическом и

аморфном кремнии / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко, В.И.Рубцов, В.Н.Сарыкалин / ФХОМ, 1997, N4, с.62-67.

139. Иевлев В.М. Локальная эпитаксия и субструктура пленок TiSi2 на Si / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко // Тез. Док. 16 Рос. конф. по электронной микроскопии. Черноголовка, 1996, с. 148.

140. Иевлев В.М. Синтез силицидов металлов при импульсной фотонной обработке / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко, В.Ю.Балашова, В.Н.Санин // Тез.док. 2 Веер. Сем. Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении. Воронеж. 1999. с.163-165.

14}. Иевлев В.М. Ориентированное образование силицидов в системе Ti/Si(lll) / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко // Тез.док. 2 Веер. Сем. Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении. Воронеж. 1999 .с. 165-167.

142. Иевлев В.М. Получение пленок силицидов методом импульсной фотонной обработки молибдена на монокристаллическом и аморфном кремнии / В.М.Иевлев, С.Б.Кущев, В.И.Рубцов, В.Н.Сарыкалин, С.А.Солдатенко // Тез. Док. 1 Всес. конф. по материаловедению и физико-химическим основам технологий поликремния. Кремний 96, Москва, с.243.

143. Кущев С.Б. Образование силицидов молибдена при вакуумной конденсации металла на кремнии / С.Б.Кущев, С.А.Солдатенко, И.Г.Руднева, Е.К. Белоногов // Вестник, ВГТУ, 1997, сер. Материаловедение, вып. 1.2, с.33-35.

144. Ievlev V.M. Orientation relationships and substructure of interphase boundaries in the systems Si - metal silicide films of -silicides (Pt-, Pd-, Ni-, Re-, Mo, Ti, Ir) / V.M.Ievlev, S.B.Kushev, A.V.Bugakov, S.A.Soldatenko // Interfaces in advanced materials (IAM'03) International conference. Book of abstracts, Chernogolovka.- 2003.- P.6.

1. Tung R.T., Poate J.M., Bean J.C., Gibson J.M., Jacobson D.C. Epitaxial silicides // Thin Solid Films. - 1982. - V.93. - P.77-90.

2. A.c. № 1228716 СССР, кл.21/268, 1984. Способ изготовления элементов металлизации/ Н.Н. Тонких, В.П. Злобин, С.Б. Кущев, 5 С.

3. Гершинский А. Е., Ржанов А. В. , Черепов Е.И. Тонкопленочные силициды в микроэлектронике // М. - Микроэлектроника. - 1982. - т.11.-№2.-С.83- 94.

4. Лабунов В. А., Борисенко В. Е., Заровский Д.И. Формирование силицидов импульсной термообработкой пленочных структур// Зарубежная электронная техника. - 1985. - №8. - С.27-53.

5. Трофимов В. И., Осадченко В.А. Рост и морфология тонких пленок/ В. И. Трофимов, //М. - Энергоатомиздат. - 1993. - 272 С.

6. Ottaviani G. Metallurgical aspects of the formation of silicides / G. Ottaviani// Thin Sol. Films. - 1986. - V. 140. - № 1. - P.3-21.

7. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС/ Мир. - 1986. - С. 176.

8. Поут Дж.,Ту К., Мейер Дж Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции/ Мир. - 1982.- С.272.

9. Norde Н. A modified forvard I-V plot for Schottky diodes with high series resistance//J.Appl. Phys.- 1979. - V.50. -№7.- P.5052- 5055.

10. Botha A. P., Krizinger A.S., Pretorius R. Solid state interaction between thin chromium Films and silicon // Thin Solid Films. -1983. - V.105. -№3. - P. 327-349.

11. Onda N., Henz J., Muller E. Epitaxy of fluoride- structure silicides: metastabile cubic FeSi2 on Si(lll) // Appl. Surface Sci. - 1992. - V.56. -№5. -P.421- 426.

12. Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов четвертого периода / М. - Металлургия. - 1971. - С.582.

13. Качурина Е. Е., Мякиненко В.И., Щеглов В.В. Силициды тугоплавких металлов в технологии полупроводниковых приборов и

интегральных схем // Обзоры по электронной технике,- Серия: полупроводниковые приборы. - 1982. - Вып.№6. - С. 68. - Вып.№7. - 54 С.

14. Майселл JL, Глэнг Р. Технология тонких пленок. (Справочник) / Советское радио.- 1977. - Т.1. - 664 С.

15. Мальцев М. В. Термическая обработка тугоплавких металлов и их сплавов / Металлургия. - 1974.-344 С.

16. Хасс Г., Тун Р.Э. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения / Мир. - 1967. - 343 С.

17. Walser R. М., Bene R. W. First phase nucleation in silicontransition- metal planar interfaces // Appl. Phys. Letter. - 1976. - V.28. - №10. - P. 624- 626.

18. Pretorius R. Prediction of silicide first phase and phase sequence from heat of formation // Thin Films and Interfaces. - orth- Holland. - 1984.- p.15-20.

19. Bene R. W. A kinetic model for solid- state silicide nucleation // J. Appl. Phys.-1987. -V.61. -№5. -P.1826- 1833.

20. Самсонов Г.В., Дворина JI.A., Рудь Б.М. Силициды/ Металлургия. - 1979.- 271 С.

21. Борисенко В. Е. Формирование тонкопленочных силицидов импульсной термообработкой. Силициды (получение, свойства и применение) / Киев.- 1986. - С. 119 - 123.

22. Cheng N. W., Nicolet М. -A., Wittmer М, Evans С. A., Sheng Т. Т. Growth kinetics of Pd2Si from evaporated on sputter-deposited films // Thin Solid Films. - 1981.- V. 79.- P.51-60.

23. Poete J. M., Tisone T.C. Kinetics and mechanism of platinum silicide formation on silicon // Appl. Phys. Lett.- 1984.- V. 24.-№8.-P.391- 393.

24. Кущев С. Б., .Ю. Исаев А.Ю., Злобин В.П. Структура, фазовый состав и ориентация пленок, полученных при вакууумной конденсации Pd на (111) Si // Рост и структура тонких пленок и нитевидных кристаллов. Межвузовский сборник трудов. -1989. - Воронеж. - С.28 -30.

25. Torres J. Growth of thin films of refractory silicides on Si (100) in ultrahigt vacuum// Thin Solid Films.- 1985.- V.l26.-P. 233-239.

26. Shian F.R., Cheng H.C., Chen L.J. Localized epitaxial growth of CrSi2 on silicon // Thin Solid Films. - 1977. -V. 45. - P. 123-126.

27. Magee T.J., Woolhouse G. R., Kawayoshi H. A. Microstructural investigations of refractory metal silicide films on silicon // J. Vac. Sci. Technol. — 1984. -V. 2. -№4 (B). - P. 756-761.

28. Lin W. Т., Chen L. J. Localized epitaxial growth of tetragonal and hexagonal WSi2 on (111) Si // J. Appl. Phys. - 1985. - V.58/- №4. -P.1515-1519.

29. База данных: JCPDS - International Centre for Diffraction Data,

1998.

30. База данных: ASTM -Powder Diffraction File. Alphabetical Index Inogranic Compounds/ - Pensylvania: ICPDS, 1977.

31. Lin W. Т., Chen L.J. Localized epitaxial growth MoSi2 on silicon //J. Appl. Phys. -1985. - V.59. -№5. - P.1375-1379.

32. Кущев С.Б. , Солдатенко С. А., Белоногов E.K., Руднева И. Г. Образование силицидов Мо при вакуумной конденсации металла на кремний // Воронеж.- 1997,-Вестник ВГТУ, сер. Материаловедение.-1.2.(ст).-С.13-16.

33. Chang С. S., Nieh C.W., Chu J.J., Chen L.J. Partial epitaxial growth of NbSi2 on Si (111) // Thin Solid Films. - 1988. -V.161. - P.263-271.

34. Chang C. S., Nieh C.W., Chen L.J. Partial epitaxial growth of HfSi2 films on silicon // J. Appl. Phys.-1987. - V.61. -№6. -P.2393-2395.

35. Иевлев В. M. Ориентированная кристаллизация пленок / Уч. Пособие. Воронеж.- Изд. ВГТУ.- 1998.- 216 с.

36. Иевлев В. М., Бугаков А.В., Трофимов В.И. Рост и субструктура конденсированных пленок / Воронеж. - ВГТУ. - 2000. - С.386.

37. Searcy A. W., R.A. McNees R. A. The Silicides of Rhenium // J. Amer. Chem. Soc. - 1953. - V. 75. - №7. - P. 1578-1580.

38. McNees R.A., A.W. Searcy A.W. The Crystal Structure of Rhenium Monosilicide I I J. Amer. Chem. Soc. - 1955. - V.20. - №1. - P. 5290-5291.

39. Chu J.J., Chen L.J., Tu K.N. Localized epitaxial growth of ReSi2 on (111) and (001) silicon // J. Appl. Phys. -1987. - V. 62. - № 2. - P. 461-465.

40. Krontiras C., Gronberg L., Suni I., Tersoff J.,Karlsson В., Petersson C.S., Gronberg I. Some Properties of ReSi2 // Thin Solid Films. - 1988. -V. 161. -P. 197-206.

41. Battacharyya В. K., Bylander D. M., Kleinman L. Fully relativistic energy bands and cohesive energy of ReSi2 // Phys. Rev. B. -1986. - V.33. - №6. -P. 3947-3951.

42. Печарский B.K., О.И. Бодак О.И., Гладышевский Е.И. Кристаллическая структура соединения Re5Si3 // Кристаллография. - М. -1979. - том 24. - вып.№ 5. - С. 945-950.

43. Mahan J. Е., Geib К.М., Robinson G.Y., Long R.G., G. Bai G., Nicolet M.-A., Epitaxial tendencies of ReSi2 on silicon // Appl. Phys. Lett.- 1990. -V. 56.-№2.-P. 2439-2441.

44. Mahan J. E., Bai G., Nicolet M.-A. Microstructure and morphology

of some epitaxial ReSi2 films on (001) silicon // Thin Solid Films. -1992. -V.

i

207. - P. 223-230.

45. Dutron A.-M. A., Blanquet E., Bourhila N., Madar R., Bernard С. A thermo -dynamic and experimental approach to ReSi2 LPCVD // Thin Solid Films. - 1995. - V. 259. -P.25-31.

46. Burkov A.T., Heinrich A, C. Gladin C., Pitscke W., Schumann J. Effect of interphase boundaries on resistivity and thermopower of nanocrystalline Re-Si thin film composites // Phys. Rev. B. - 1998. - V.58. - № 15. - P. 96449647.

47. Filonov А. В., Migas D. В., Shaposhnikov V. L., Dorozhkin N.N., Borisenko V.E., Lange H., Heinrich A. Electronic properties of semiconducting rhenium silicide // Europhysics Letters. - 1999. - V. 46. - №3. - P. 376-381.

48. Long R.G., Bost M.C., Mahan J.E. Optical and electrical properties of semiconducting rhenium disilicide thin films // Thin Solid Films. -1988. - V. 162. -P. 29-40.

49. Chen J. S., Kolawa E., Nicolet M.-A., Baud L., Jaussaud C., Madar R., Bernard C. Stability of rhenium thin films on single crystal (001) SiC // J. Appl. Phys. - 1994. -V. 75. -№ 2. -P.897-901.

50. Kun Ho Kim, Bai G., Nicolet M.-A., Mahan J.E., Geib K.M. Amorphization and recrystalization of epitaxial ReSi2 films grown on Si (100) // J. Appl Phys. Lett.-1991.- V. 58.- № 17.- P.2234-2238.

51. Bai G., Nicolet M.-A., Mahan J.E., Geib K.M. Channeling of MeV Ions polyatomic epitaxial films: ReSi2 on Si (100) // Phys. Rev. B. -1990.- V. 41.-№ 13.-P.2123-2129.

52. Siegrist T., Hulliger F., Travalgini G. The Crystal Structure and some properties of ReSi2 // J. Less-Com. Metals. -1983. - № 92. - P. 119-129.

53. Siokoy A., Kennou S., Ladas S., Nguen Tan T.A., G. -Y. Veuillen Growth and characterization of the Re/ Si (111) interface // Surface Sience.-1996.- № 352-354.- P.628-633.

54. Petersson S., Baglin J., Hammer W., Dheurle F., Kuan T.C, Ohdomari I., De Sousa Pires J., and Tove P. Formation of iridium silicides from Ir thin films on Si substrates // J. Appl. Phys. 1979 V. 50. -№5. P. 3357-3365.

55. Liu H. F., Liu H. M., Tsong T.T. Initial Stages of Iridium -Semiconductor Compound Formation: A Field - Ion - Microscope Study of Interface Atomic Structures / H. F. Liu, // Phys. Rew. Lett. - 1986. - V.56. - № 1.-P. 65-68.

56. Chu J. J., Chen L. J., Tu K. N. Localized epitaxial growth of IrSi3 on (111) and (001) silicon // J. Appl. Phys. - 1988. - V.63-№4. -P.l 163-1165.

57. Wittmer M., Oelhafen P., Tu K. N. Electronic structure of iridium silicides //Phys. Rew. B. - 1986. - V.33. -№8.- P. 5391-5400.

58. Wittmer M., Oelhafen P., Tu K. N. Chemical reaction and Schottry-barrier formation at the Ir/ Si Interface // Phys. Rew. B. - 1987. - V.35. - №17.- P. 9073-9080.

59. Engstrom I., Lindsten Т., Zdansry E. The Crystal Structure of the Iridium Silicide Ir3Si5 // Acta Chemica Scandinavica.- 1987.- A 41.- P. 237-242.

60. Ohdomari I., Kuan T. S., Tu K. N. Microstructure and schottcy barrier heigt of iridium silicides formed on silicon // J. Appl Phys.- 1989. - V. 50. -№11. - P.7020-7029.

61. Allevato C.E., Cronin B. Vining Phase Diagram and Electrical Behavior of Silicon-rich Iridium Silicide Compounds // The Journal of Alloys and Compounds. - 2000. -№1. - P. 99-105.

62. Yarmoshenco Yu. M., Shamin S. N., Elokhina L.V., Dolgiht V.E., Kyrmaev Z., Bartkowsk S.i, Neumann M., Ederer D.L., Goransson K., Njlang В., Engstrom I. Valence band of 4d and 5d silicides // J. Phys. Condens. Matter. -1997.-№ 9.-P. 9403-9414.

63. Kurt R., Pitschke W., Heinrich A., Schumann J., Thomas J., Wetzig K., Burkov A. Phase formation process of Irx Sii.x thin films structure and electricalproperties // Thin Sol. Films. - 1997. - V. 310. - P.8-18.

64. Шуберт К. Кристаллические структуры двухкомпонентных фаз / Металлургия. - 1971.- С. 531.

65. Pitschke W., Kurt R., Heinrich A., Schumann J., Griebmann H., Vinzelberg В., Burkov A. Structure and thermoelectric properties of binary and Fe-doped iridium silicides thin films // J. Mater. Res.-2000. - V. 15. - №3. - P. 772782.

66. Weiss B. Z., Tu K. N., Smith D. A. Effect of temperature on electrical and microstructural changes of coevaporated Ir-Si alloy films // J. Appl. Phys. -1986. - V. 59. - № 2. - P. 415-420.

67. Park Y.K., Paszti F., Takai M.,Temmel G., Buerte E. P., Ryssel H., Wiget R., Kinomura A., Horino Y., Fujii K. Ir and Rh silicide formation

investigated by microprobe RBS // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. - 1997. -V.130. - P.728-773.

68. Engstrom I. Structural Chemistry of Platinum Metal Silicides // Acta Universitatis Uppsaliensis, Uppsala. -1970. -№1. - P. 259-265.

69. Хансен M., Андерко К. Структуры двойных сплавов / М.: Металлургия.- 1962.- С. 1488.

70. Эмсли Д. Элементы / М: Мир. - 1993.- С. 256.

71. Шиллер 3., Гайзин У., Панцер 3. Электроннолучевая технология /М: Энергия.- 1980.- С. 528.

72. Данилин B.C., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы / М: Радио и связь. - 1982.- С. 72.

73. Палецкий В.А. Исследование теплофизических свойств веществ в условиях электронного нагрева/ М: Наука. - 1983.- С. 94.

74. Огнев A.C., Свиридов Д. А.Получение эпитаксиальных пленок туго- плавких металлов// Сб. научных трудов,-1988.- Воронеж.- ВПИ.- С. 8689.

75. Иевлев В. М., Сербии О. В., Кущев С.Б. Синтез пленок карбидов вольфрама при импульсной обработке пленочных гетероструктур W-C // Вестник ВГТУ.- Сер. Материаловедение.- 2002. - №1.11,- С.87-93.

76. Бурова С.В., Иевлев В.П., Кущев С. Б,, Соловьев К.С., Тураева Т. JI. Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсам: Физика и технология тонкопленочных материалов. Электронная микроскопия // Воронеж. - ВГТУ. -1997. - С. 51.

77. Зимкина Т. М., Фомичев В.А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия // JI. - ЛГУ. - 1971. - С. 130.

78. Домашевская Э. П. Природа межатомного взаимодействия и закономерности строения энергетического спектра валентных электронов в полупроводниках/ Дисс. на соискание ученой степени доктора физ,- мат.-наук. Воронеж. - 1978. - С. 250.

79. Domashevskaya E.P., Yurakov Yu. A. Spécifié features of electron structures of some thin films d-silicides // J. Elec. Spec and Rel. Phen. - 1998. -V.96. -P.195 — 208.

80. Бугаков A. В. Энергия, релаксированная структура и субструктура межфазных границ в пленочных металлических системах/ Дисс. на соискание уч. степени д-ра физ.- мат. наук. Воронеж. -1996. - С. 295.

81. Юсипов Н. Ю., Тылкина М. А., Жданова JL Л., Сипкин Ю.П. Электрические свойства пленок сплавов на основе дисилицида рения. Исследование и применение сплавов тугоплавких металлов / М. — Металлургия. - С. 164 - 168.

82. Хирт Дж, Лоте И. Теория дислокаций// М.- Атомиздат-1972. -

С. 600.

83. Косевич В. М., Иевлев В.М., Палатник Л.С., Федоренко А.Г. Структура межкристаллитных и межфазных границ / М- Металлургия — 1980.- С.256.

84. Bollmann W. Crystal Defects and Crystalline Interfaces // Spinger Verl. - Berlin. - 1979. - P. 244.

85. Иевлев B.M., Бугаков A.B., Солдатенко C.A., Белоногов Е.К., Руднева И.Г Образование дисилицида рения при вакуумной конденсации металла на кремний // Труды 5й Международной конференции.-Ст.-Петербург.-1998.- С.34.

86. Балашова В.Ю., Бугаков А.В., Иевлев В.М., Кущев С.Б., Солдатенко С.А., Руднева И.Г. Структура межфазных границ кремний -силицид металла // Черноголовка. - 1998. - 17я Российская конференция по эл. микроскопии. - С. 28.

87. Домашевская Э. П., Юраков Ю.А., Кашкаров В.М., Веретена А.В., Руднева И.Г. Ориентационные эффекты в тонкопленочных структурах Re/Si (001) и Re/ Si (111)// Ижевск. - 1998.-16я Научная школа - семинар " Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь". - С.72.

88. Домашевская Э.П., Юраков Ю.А., Кашкаров В.М., Веретина А.В., Руднева И.Г. Электронное строение тонкопленочных дисилицидов ReSi2 в кристаллическом и аморфном состоянии // М. -Перспективные материалы. - 1999.-С. 29 - 32.

89. Domashevskaya Е. P., Yrakov Yu. A., Kashkarov V.M., Rudneva

I.G. Electronic structure of crystal and amorphous ReSi2 thin films //

„j

Yekaterinburg. - 1999. - 3 Russan - German Seminar on Elektron and X - ray Spektroskopy. - P.26.

90. Кущев С. Б., Руднева И.Г. Фазовый состав, структура и ориентация пленок силицидов иридия, полученных при вакуумной конденсации металла на подогретые подложки кремния // Воронеж. -2000. -3й Всероссийский семинар "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении". - С.26.

91. Иевлев В. М., Кущев С.Б., Солдатенко С.А., Маркушев Б.Н., Руднева И.Г. Твердофазный синтез ориентированных пленок силицидов металлов на кремнии и субструктура межфазных границ // М. - 2000.

9я Национальная конференция по росту кристаллов НКРК-2000.- С.24.

92. Иевлев В.М., Бугаков А.В., Солдатенко С.А., Маркушев Б.Н., Руднева И.Г. Закономерности сопряжения и субструктура МГ в системах Si - силицид Me (Me: Pt, Pd, Ni, Re, Ir, Mo, Ti) // Харьков, Украина. -2001. -Сб. докл. 12-го Международного симп. "Тонкие пленки в микроэлектронике" (МСТПЭ). - С.201 - 206.

93. Иевлев В. М., Кущев С.Б., Солдатенко С.А., Руднева И.Г. Фазовый состав, ориентация и субструктура пленок, синтезированных в процессе вакуумной конденсации металла на Si // Воронеж. - 2001. -Вестник ВГТУ. - Вып. № 1.9. -С. 54 - 59.

94. Ievlev V. М., KushchevS.B., Bugakov A.V., Soldatenko S.A., Markushev B.N., Rudneva I.G. Conjugation regularities and substructure of interphase boundaries in the systems Si - final phase of Pt -, Pd -, Ni -, Re -, Ir -,

Mo -, Ti - silisides // Obninsk. - 2001. - Proceedings Fourth International Conférence " Single crystal growth and heat'MCSC. - V.№ 2. - P.496 - 503.

95. Кущев С.Б., Солдатенко С.A., Сербии О.В., Руднева И.Г. Фазовый состав с субструктура пленок силицидов иридия, синтезированных импульсной фотонной обработкой (ИФО) // Воронеж. - 2002. -Международная школа - семинар "Нелинейные процессы в дизайне материалов". - Тез. Докл. - С. 31.

96. Кущев С. Б., Солдатенко С.А., Руднева И.Г. Фазовые и структурные превращения при термообработке гетеросистемы Si - Ir // Астрахань. - 2002. - 4й Международный семинар "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении. -

Тез. Докл. - С. 34.

97. Kurganskii S I., Pereslavtseva N.S., Yrakov Yu.A., Rudneva I.G., Domashevskaya E.P. Electronic structure of rhénium disilicides // J. Phys.: Condens. Matter. - 2002. - №14. - P.6833 - 6839.

98. Иевлев В. M., КущевС.Б., Солдатенко C.A., Руднева И.Г., Сербии О.В, Синтез силицидов иридия при импульсной фотонной обработке пленок Me на кремнии.//Воронеж - 2002.- Вестник ВГТУ № 1.11 - С.23 - 29.

99. Соколов JI.B., Торопов А.И., Бакланов М.Р., Стенин С.И. Наблюдение поверхностных сверхструктур Si и Ge под слоем естественного окисла//Поверхность. - 1982.-№8.-С.9-11.

100. Иевлев В. М., КущевС.Б., Руднева И.Г., Солдатенко С.А. Фазовый состав, ориентация и субструктура пленок силицидов Ir, синтезированных в процессе вакуумной конденсации металла на Si // " Неорганические материалы ". - М. - 2003 .- V. -39. -№ 5. - С. 1 -7.

101. Иевлев В. М., Кущев С. Б., Тонких H. Н. Применение импульсного фотонного отжига в технологии изготовления СБИС// Специальная электроника. - Сер.3.1. - Микроэлектроника. - Вып. 2 (51). -1987.-С. 56-61.

SiC

1. Choyke W.J. Silicon Cabide. A.Review Fundamental Questions and Applications to Current Device Technology. V.I&II // Eds. e.a. Berlin: Akademic Verlag. 1998. 348 p.

2. Silicon Carbide Electronic Devices IEEE // Trans.Electron.Dev. 1999. № 46. 19 p.

3. Capano M. A., Trew R. J. Silicon carbide electronic materials and devices // Mat. Res. Soc. Bull. 1997. V. 22. P. 19-56.

4. Hobgood H.McD. Silicon carbide crystal and substrate technology: A Survey of recent advances / H. McD. Hobgood, M.F. Brady, M.R. Calus, Jason R. Jenny, R.T. Leonard, D.P. Malta, Stephan G. Miiller, Adrian R. Powell, Valeri F. Tsvetkov, R.C. Glass, Calvin H. Carter Jr.// Materials Science Forum . Silicon Carbide and Related Materials 2003.- V.457 - 460.- P.3-8

5. Andrievski R.A. Synthesis, structure and properties of nanosized silicon carbide // Rev.Adv.Mater.Sci. 2009. V.22.- P. 1-20

6. Polychroniadis E. Microstructural characterization of very thick freestanding 3C-SiC wafers / E. Polychroniadis, M. Syvajarvi, R. Yakimova, J. Stoemenos // Journal of Crystal Growth 2004.- V.263.- P. 68-75

7. Хениш, Г. Карбид кремния / Г. Хениш, Р. М. Рой ; пер. с англ. М. : Мир, 1972.-349 с.

8. Курышева Е. Силовые приборы компании Сгее на основе карбида кремни // Компоненты и технологии 2011.- №6.- С.106-110

9. J. P. Li Structural characterization of nanometer SiC films grown on Si / J. P. Li, A. J. Steckl, I. Golecki, F. Reidinger, L. Wang, X. J. Ning, and P. Pirouz // Appl. Phys. Lett. 1993.- V.62 No.24.-P.3135-3137

10. Gupta A. CVD growth and characterization of 3C-SiC thin films / A.Gupta, D.Paramanik, S.Varma, C.Jacob // Bull. Mater. Sci., 2004.- V.27.-No.5.- P. 445-451

11. Кукушкин С.А. Метод неравновесной гетероэпитаксии карбида кремния на кремнии / С.А.Кукушкин, А.В.Осипов, С.К.Гордеев, С.Б.Корчагина // Писма в ЖТФ 2005.- Т.31.- №2.- С.6-12

12. Кукушкин С.А. Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент / С.А.Кукушкин, А.В.Осипов // ФТТ 2008.- Т.50.- №7.- С.1188-1195

13. Zhang С. Characteristics of p-SiC/Si heterojunction with a SiGe buffer film / C.Zhang, S.Liu // Microelectronics Journal 2008.- V.39.- No.8.- P. 10801082

14. Бурбаев T.M., Курбатов В.А., Курочкин H.E., Холоднов В.А. Высокочастотные свойства лавинного умножения фотоносителей в структурах с отрицательной обратной связью // ФТП. 2000. Т.34. №8.-С.1010-1013.

15. Yan F. 4HSiC APD with edge terminated by multi-step junction extension termination'/ Y.Luo, J.H.Zhao, M.Bush, G.H.Olsen, M.Weine // Electron. Lett. 2001.- V.37.- P. 1080-1081

16. Xin X. Demonstration of 4H-SiC UV single photon counting avalanche photodiode / X. Xin, F. Yan, X. Sun, P. Alexandrove, C.M. Stahle, J. Ни, M. Matsumura, X. Li, M. Weiner H.J. Zhao // Electron. Lett. 2005.- V.41.- No.4

P. 1547-1548

17. Steckl A.J. Epitaxial growth of p-SiC on Si by RTCVD with C3H8 and SiH4 / A.J. Steckl, J.P.Li // IEEE transaction on electron devices 1992.- V.39.- No.l.- P.64-74

18. Madapura S. Heteroepitaxial growth of SiC on Si(100) and (111) by chemical vapor deposition using trimethylsilane / S.Madapura, A.J. Steckl, M.J.Loboda //Journal of the Electrochemical Society 1999.- V.146.- No.3.- P.l 197-1202

19. Gupta A. Unusual defects in silicon carbide thin films grown by multiple or interrupted growth technique / A.Gupta, C.Jacob // Microelectronic Engineering 2006.- V.83.- No.l.- P.5-8

20. Chen J. Molecular beam epitaxy growth of SiC on Si(lll) from

silacyclobutane / J.Chen, A.J. Steckl, MJ.Loboda // J.Vac.Sci.Technol. B 1998.- V.16.-No.3.- P.1305-1308

21. Fissel A. Improved Epitaxy of Cubic SiC Thin Films on Si(l 11) by Solid-Source MBE / A.Fissel, K.Pfennighaus, U.Kaiser, J.Kraufllich, H.Hobert, B.Schroter, W.Richter // Materials Science Forum 1998.- V. 264 - 268.- P. 255258

22. Sathyamoorthy A. Studies of the Sputter Deposition of Carbon, Silicon and SiC Films / A.Sathyamoorthy, W.Weisweiler // Thin Solid Films 1982.-V.87.- P.33-42

23. De Renzi V. Thin films SiC epitaxy on Si(l 11) from acetylene precursor / V.De Renzi, R.Biagi, U. del Pennino // Materials Science Forum . Silicon Carbide and Related Materials 2003.- V.433 - 436.- P.221-224

18. Moro L., Paul A., Lorents D.C. et al. // J. Appl. Phys. 1997. V.81. №. 9.

P.6140-6146.

19. Ordine A., Achete C. A., Mattos O. R. et al. // Surface and Coatings Technology. 2000. V.133-134. P.583-588.

20. DiegelM. FalkF., HergtR. et al. // Applied physics. A, Materials science & processing. 1998. V.66. № 2. P. 183-187.

21. Huisken F., Kohn B., Alexandrescu R. et al. // Journal of Nanoparticle Research 1. 1999. P.293-303.

22. Losurdo M., Giangregorio M., Giovanni В. et al. // Physica Status Solidi (A). 2009. V.203. № 7. P. 1607 - 1611.

23. Иевлев B.M., Ильин B.C., Кущев С.Б., Солдатенко C.A. Лукин A.H., Белоногов E.K. Синтез наноструктурированных пленок SiC при импульсной фотонной обработке Si в углеродсодержащей среде // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. - №10.- С.48-53