Закономерности ориентированной кристаллизации пленочных гетерофазных систем на основе Ag и Ni тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Березин, Михаил Владимирович

• Березин, Михаил Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Березин, Михаил Владимирович

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

ГЛАВА 1 СТРУКТУРНЫЕ И СУБСТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ.

1.1 Методы получения тонких пленок.

1.2 Процессы испарения и конденсации.

1.3 Механизмы роста пленок.

1.4 Структурные и субструктурные превращения при росте пленок в системах с сильным взаимодействием на межфазной границе.

1.4.1 Основы теории Франка и Ван дер Мерве.

1.4.2 Структура псевдоморфного слоя.

1.4.3 Критическая толщина псевдоморфного слоя.

1.4.4 Механизм релаксации упругих деформаций псевдоморфного слоя.

1.5 Критерии ориентированной кристаллизации пленок.

1.5.1 Кристаллогеометрические критерии ориентированной кристаллизации.

1.5.2 Размерный эффект, обусловленный минимизацией энергии межфазной границы.

1.6 Дефекты кристаллической структуры пленки.

1.7 Постановка задач.

ГЛАВА 2 МЕТОДИКА КОМПЬЮТЕРНОГО ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1 Межатомное взаимодействие.

2.2 Расчетные схемы.

2.2.1 Алгоритм метода молекулярной динамики.

2.2.2 Алгоритм метода статической релаксации.

2.3 Метод погруженного атома.

2.4 Расчет основных характеристик модели.

2.4.1 Измерение термодинамических величин.

2.4.2 Структурные функции.

2.4.3. Многогранники Вороного.

2.5 Периодические граничные условия.

ГЛАВА 3 ЗАКОНОМЕРНОСТИ ОРИЕНТИРОВАННОЙ

КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОФАЗНЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ Ag и Ni.

3.1 Построение компьютерных моделей пленочных гетерофазных систем на основе Ag и Ni.

3.1.1 Создание молекулярно-динамических моделей аморфных пленок и подложек различных ориентаций.

3.1.2 Методика молекулярно-динамического расчета.

3.2 Кристаллизация пленочных гетерофазных систем Ag/(001)Ni и Ni/(001)Ag.

3.2.1 Ориентированная кристаллизация пленки Ag на монокристаллической подложке Ni ориентации (001).

3.2.2 Ориентированная кристаллизация пленки Ni на монокристаллической подложке Ag ориентации (001).

3.3 Кристаллизация пленочных гетерофазных систем Ag/(110)Ni и Ni/(110)Ag.

3.3.1 Ориентированная кристаллизация пленки Ag на монокристаллической подложке Ni ориентации (110).

3.3.2 Ориентированная кристаллизация пленки Ni на монокристаллической подложке Ag ориентации (110).

3.4 Кристаллизация пленочных гетерофазных систем Ag/(11 l)Ni и Ni/(lll)Ag.

3.4.1 Ориентированная кристаллизация пленки Ag на монокристаллической подложке Ni ориентации (111).

3.4.2 Эффект закручивания пленки в системе Ag/( 111 )Ni.

3.4.3 Ориентированная кристаллизация пленки Ni на монокристаллической подложке Ag ориентации (111).

3.5 Структурная самоорганизация в металлической гетеросистеме кристалл - монослойная пленка Ni/(001)Ag.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Закономерности ориентированной кристаллизации пленочных гетерофазных систем на основе Ag и Ni»

Актуальность темы. Атомно-кинетическое описание механизмов и закономерностей зарождения и роста новой фазы является важнейшей задачей физики конденсированного состояния. Одним из главных факторов, влияющих на структурную организацию пленочных гетерофазных систем, типы и распределение дефектов в них, ориентационные соотношения является величина размерного несоответствия кристаллических решеток контактирующих фаз.

С учётом только размерного несоответствия следует ожидать высокую чувствительность структуры и субструктуры растущих плёнок, характера сопряжения и, соответственно, структуры межфазных границ к его величине и знаку. Структурное и размерное несоответствие лежит в основе формирования дислокационной структуры, как на межфазной границе, так и в объеме пленки.

Формирование границы сопряжения фаз, дефектной структуры пленки происходит, как правило, в процессе ее получения. Поэтому традиционные методы изучения уже сформированной структуры и субструктуры не раскрывают механизмы их эволюции в процессе формирования пленки. Для получения такой информации, как правило, прибегают к методам компьютерного моделирования, и в первую очередь, к методу молекулярной динамики, который использует адекватные потенциалы межатомного взаимодействия и позволяет проследить за поведением всех атомов системы на всех этапах ее эволюции. Этот метод создает реальные предпосылки для разработки новых подходов к анализу структурных и фазовых превращений на атомном уровне, что важно как для более глубокого понимания нелинейных процессов самоорганизации в конденсированных средах, так и для эффективного использования в прикладных аспектах науки о материалах.

Работа выполнена в рамках проекта ГБ 0101 Федеральной целевой программы «Интеграция науки высшего образования России на 2002-2006 года».

Цель работы. Установление закономерностей сопряжения на границе раздела пленки и подложки, особенностей структурных и субструктурных превращений при ориентированной кристаллизации пленочных гетеросистем с большим размерным несоответствием: Ag/(001)Ni, Ag/(110)Ni, Ag/(lll)Ni, Ni/(001)Ag, Ni/(110) Ag и Ni/(11 l)Ag.

Для этого решались следующие задачи:

- создание моделей пленочных гетеросистем Ag на (001), (110), (11 l)Ni, и№ на (001), (110), (11 l)Ag;

- молекулярно-динамическое моделирование ориентированной кристаллизации аморфных пленок Ag на (001), (110), (11 l)Ni и Ni на (001), (110), (lll)Ag;

- изучение основных закономерностей формирования структуры и субструктуры при ориентированной кристаллизации пленочных гетеросистем с большим размерным несоответствием Ag/Ni (/о=0.16) и Ni/Ag (/о=-0.136);

- исследование процессов перестройки субструктуры в ходе изохронного отжига;

- исследование влияния ориентации подложки на процессы структурной перестройки аморфных пленок;

-изучение влияния знака и величины размерного несоответствия на формирование субструктуры и ее эволюцию в процессе отжига.

Научная новизна.

1. Установлено, что аморфные пленки в системах Ag/(001)Ni, Ni/(001)Ag и Ni/( 110)Ag кристаллизуются с образованием ГПУ фазы с ори-ентационными соотношениями

0001) [2ll0]Ag|| (001)[110]Ni, (1120) [0001] Ni || (001)[100] Agn ll00)[TT20]Ni|| (110)[ll0]Ag, соответственно.

2. Кристаллизация аморфных пленок системы Ag/(11 l)Ni ^=0,1при скорости нагрева 17хЮиК/с происходит на 500К ниже, чем для системы Ni/(11 l)Ag (f0 = - 0,136).

3. Установлено, что в гетеросистемах Ag/(11 l)Ni и Ni/(11 l)Ag отклонение от параллельной ориентации путем поворота вокруг нормали к плоскости подложки происходит за счет увеличения плотности узлов совпадения из смежных эквивалентных позиций гексагональной решетки.

4. Установлено, что на межфазной границе в системе Ag/(110)Ni компенсация размерного несоответствия в направлении [001] происходит за счет образования дефектов упаковки, ограниченных частичными дислокациями Шокли с векторами Бюргерса а/6[ 112] и д/6[112], а в направлении [110] путем увеличения расстояния между атомами; пленка испытывает остаточные напряжения сжатия в направлении [001], растяжения - в направлении [110].

5. Кристаллизация аморфных пленок в системах Ag/(001)Ni, Ni/(110)Ag и Ag/(110)Ni осуществляется с образованием высокой концентрации вакансий и их скоплений (полос сброса) на границе раздела фаз.

6. Показано, что в процессе изотермического отжига системы монослой Ni/(001)Ag в результате эстафетного механизма диффузии концентрация атомов Ag в монослое достигает 88%, а атомов Ni в верхнем слое подложки - 91%. В системе Ag/(110)Ni концентрация атомов Ni в первом слое пленки в результате отжига достигает 23%.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Кристаллизация аморфных пленок в системах Ag/(001)Ni (fo=0,\6), Ni/(001)Ag и Ni/(110)Ag (f0=- 0,136) происходит с образованием ГПУ структуры, в отличие от аналогичных изоморфных систем с малым размерным несоответствием (/о <0,1), кристаллизующихся с образованием ГЦК структуры параллельной ориентации.

2. Показано, что температура кристаллизации аморфных пленок при скорости нагрева 16,7x101'К/с для систем с положительным знаком размерного несоответствия выше, чем для систем с отрицательным знаком размерного несоответствием. Исключение составляют системы с ориентацией подложки (111).

3. Кристаллизации аморфных пленок систем Ag/(001)Ni, Ag/(lll)Ni и Ni/(lll)Ag сопровождается поворотом пленки относительно подложки вокруг нормали к границе раздела.

4. Разные механизмы компенсации размерного несоответствия в двух неэквивалентных направлениях [001] и [ПО] системы Ag/(110)Ni приводят к формированию пленки с анизотропией субструктуры и внутренних напряжений.

5. Компенсация размерного несоответствия в системах Ag/(001)Ni, Ni/(110)Ag и Ag/(110)Ni осуществляется за счет высокой концентрации вакансий и их скоплений на границе раздела фаз.

6. В системе монослой Ni/(001)Ag в результате изотермического отжига ~90% атомов монослоя и верхнего слоя подложки обмениваются местами.

Практическая значимость работы. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании многослойных пленочных гетерост-руктур в системах с большим размерным несоответствием кристаллических решеток.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы были представлены на следующих симпозиумах, конференциях и семинарах: Международной школе - семинаре «Нелинейные процессы в дизайне материалов» для молодых ученых, аспирантов и студентов (Воронеж, 2002); V Международной конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 2004); XXI Международной конференции «Нелинейные процессы в твердых телах» (Воронеж, 2004); XI Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Екатеринбург, 2005).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 7 научных работ, в том числе две - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в списке литературы, лично соискателю принадлежат: в [100, 104-106] - работы по созданию моделей пленочных гетеросистем на основе Ag и Ni; в [103] - компьютерный эксперимент по изучению влияния размерного фактора на кристаллизацию аморфного кластера; в [100-102, 104-106] - работы по моделированию ориентированной кристаллизации аморфных пленок.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и списка использованной литературы (132 наименования). Работа изложена на 132 страницах, содержит 73 рисунка.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Березин, Михаил Владимирович

ОСНОВЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Показано, что кристаллизация аморфных пленок в системах Ag/(001)Ni (f0 = 0,16), Ni/(001)Ag и Ni/(110)Ag (f0 = - 0,136) происходит с образованием ГПУ структуры, в отличие от аналогичных изоморфных систем с малым размерным несоответствием (f0 <0,1), кристаллизующихся с образованием ГЦК структуры параллельной ориентации.

2. В системе Ag/(11 l)Ni (f0 = 0,16) кристаллизация при скорости нагрева 16,7х10пК/с происходит при аномально низкой температуре (на 500К ниже, чем для системы Ni/(lll)Ag с f0 = - 0,136). Для остальных изученных систем с положительным размерным несоответствием температура кристаллизации выше, как и для систем с малым размерным несоответствием.

3.Установлено, что для системы Ag/(lll)Ni происходит поворот плено ки относительно подложки (на угол~4 ), который понижает энергию межфазной границы путем увеличения плотности узлов совпадений за счет позиций в смежных эквивалентных лунках. Получено аналитической выражение, связывающее между собой отношение параметров контактирующих решеток и угол поворота пленки и подложки относительно друг друга.

4. В системе Ni/(lll)Ag переход атомных плотноупакованных вдоль <110> рядов Ni в соседние «долины» таких же плотноупакованных рядов подложки Ag приводит к увеличению плотности узлов совпадения и развороту отдельных фрагментов пленки, а не всей пленки, как для случая Ag/(lll)Ni.

5. Для системы Ag/(001)Ni малый по величине (<1°) поворот пленки относительно подложки происходит за счет винтовых компонентов частичных дислокаций Шокли, разделяющих фрагменты ГП - и ГЦК укладок в каждом новом слое пленки.

6. Установлено, что на межфазной границе в системе Ag/(110)Ni компенсация размерного несоответствия в направлении [001] происходит за счет образования дефектов упаковки, ограниченных частичными дислокациями Шокли с векторами Бюргерса д/6[ 112] и а/6[112], а в направлении [110] путем увеличения расстояния между атомами; пленка испытывает остаточные напряжения сжатия в направлении [001], растяжения - в направлении [110].

7. Обнаружено диффузионное перемешивание атомов пленки и подложки в моделях Ag/(110)Ni и Ni /(110) Ag, несмотря на отсутствие растворимости компонентов в массивном состоянии. При температуре отжига 1000К атомы подложки Ni в первом слое пленки Ag составляют 23%; а в системе монослой Ni/(001)Ag обмен атомов верхнего слоя подложки Ag и атомов монослоя Ni достигает 90%.

8. В процессе ориентированной кристаллизации систем Ag/(001)Ni, Ni/(110)Ag и Ag/(110)Ni компенсация размерного несоответствия осуществляется за счет высокой концентрации вакансий и вакансионных скоплений. В системах с малым размерным несоответствием роль вакансий незначительна.

В заключении хочется выразить искреннюю признательность и глубокую благодарность своему научному руководителю заведующему кафедрой материаловедения и физики металлов Воронежского государственного технического университета Косилову Александру Тимофеевичу и научному консультанту Евтееву Александру Викторовичу за помощь и постоянную поддержку в работе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Березин, Михаил Владимирович, 2007 год

1. Черняев В.Н. Технология интегральных микросхем. -М.: Энергия, 1978. -376 с.2. .Хейденрайх Р. Основы просвечивающей электронной микроскопии. М.: Мир, 1960. -348 с.

2. Хирш П. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968. -274 с.

3. Дорфман В.Ф. Микрометаллургия в микроэлектроннике. М.: Металлургия, 1978.-272 с.

4. Осипов К.А., Фолманис Г.Э. Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков. М.: Наука, 1973, -87 с.

5. Хирс Дж.П., Моазед K.JI. Образование зародышей при кристаллизации тонких пленок // Физика тонких пленок. М.: Мир, 1970. С. 123-166.

6. Палатник JI.C., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971. -480 с.

7. Палатник JI.C., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. -320 с.

8. Volmer М., Weber A. Nuclei formation in supersaturated states // Z. Phys. Chem. -1926.-Vol.119.-P. 277-301.

9. O.Walton D., Rhodin T. N., Rollins R. W. Nucleation of Silver on Sodium Chloride // J. Chem. Phys. -1963. -Vol.38. -P.2698-2702.

10. Heinemann K., Osaka Т., Poppa H., Avalos-Borja M. In-situ ТЕМ Studies of Palladium on MgO // J. Catal. -1983. -Vol.83. -P.61-65.

11. Friesen C., Seel S. C., Thompson С. V. Reversible stress changes at all stages of Volmer-Weber film growth // J. Appl. Phys. -2004. -Vol.95. -№3. -P.1011-1020.

12. Girlin G.E., Polyakov N.K., Petrov V.N. et al. Heteroepitaxial growth of InAs on Si: The new type of quantum dots // Mater. Phys. Mech. -2000. -Vol.1. -P.15-19.

13. Da Silva S.D., Galzerani J.C., D.I. Lubyshev and P. Basmaji Surface phonon observed in GaAs wire crystals grown on porous Si // J. Phys.: Condens Mater. -1998. -Vol.10. -P.9687-9690.

14. Van der Merwe J.H., Frank F.C. Misfitting monolayers // Proc. Phys. Soc. -1949. -Vol.62A. -№5. -P.315-316.

15. Frank F.C., van der Merwe J.H. One dimensional dislocations. Static theory // Proc.Roy. Soc. -1949. -Vol.l98A. -№1053. -P.205-216.

16. Ван дер Мерве Дж. Несоответствие кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложкой//Монокристаллические пленки. -М.:Мир, 1966. -С.172-201.

17. Stranski I.N., Krstanov L. Theory of orientation separation of ionic crystals // Sitzber. Akad. Wiss. Wien. Math. Naturw. -1938. -Vol.146. -P.797-810.

18. Eaglesham D.J., Cerullo M. Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si (100) // Phys. Rev. Lett. -1990. -Vol.64. -№16. -P.1943-1946.

19. Mo Y.W., Savage D.E., Swartzentrruber B.S., Lagally M.G. Kinetic pathway in Stranski-Krastanow growth of Ge on Si(001) // Phys. Rev. Lett. -1990. -Vol.65.-№8.-P.1020-1023.

20. Bennet B.R., Shanabrook B.V., Thibado P.M. et al. Stranski-Krastanow growth of InSb, GaGb and AlSb on GaAs: structure of the wetting layers // J. Cryst. Grow. -1997. Vol.175. -P.888-893.

21. Wessendorf M., Wiemann C., Bauer M. et al. Electronic surface structure of n-ML Ag/Cu(l 11) and Cs/rc-ML Ag/Cu(l 11) as investigated by 2PPE and STS // Apple. Phys. -2004. -Vol.78A. -P. 183-188.

22. Косевич B.M., Иевлев B.M., Палатник JI.С., Федоренко А.И. Структура межкристаллитных и межфазных границ. М.: Металлургия, 1980. -256 с.

23. Jesser W.A., van der Merwe J.H. The prediction of critical misfit and thickness in epitaxy // Dislocations in Solids Ed. by F.R.N. Nabarro. -Amsterdam: Elsivier Science Publishers, 1989. -Vol. 8. -P.421-460.

24. Finch G.I., Quarrell A.G. Crystal structure and orientation in zinc-oxide films // Proc. Phys. Soc. -1934. -Vol.46. -P. 148-162.

25. Иевлев В.М., Бугаков А.В., Трофимов В.И. Рост и субструктура конденсированных пленок. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2002. - 386 с.

26. Li Н., Wu S.C., Tian D. et al. Epitaxial growth of body-centered-tetragonal copper // Phys. Rev. -1989. -V.40B. -№8. -P.5841-5844.

27. Wang Z.Q., Lu S.H., Li Y.S., Marcus P.M. Epitaxial growth of a metastable modification of copper with body-centred-cubic structure // Phys. Rev. -1987. -Vol.35B. -P.9322-9325.

28. Li Y.S, Quinn J., Li H., Tian D. et al. Large strains in the epitaxy of Cu on Pt(001) // Phys. Rev. -1991. -V.44B. -№15. -P.8261-8266.

29. Roos В., Frank A., Demokritov S.J., Hillebrands B. Epitaxial growth of metastable Pd(001) on bcc-Fe(OOl) // J. Magn. and Magn. Mater. -1999. -Vol. 198/199.-P.725-727.

30. Reshoft K., Jensen C., Kohler U. Atomistics of the epitaxial growth of Cu on W(110) // Surf. Sci. -1999. -Vol. 421. -P.320-336.

31. Wormeester H., Kiene M.E., Huger E., Bauer E. Growth of hep Cu on W(100) // Surf. Sci. -1997. -Vol.377/379. -P.988-991.

32. Marcus P.M. Ultrathin pseudomorfic films: structure determination and strain analysis // Surf. Rev. Lett. -1996. -Vol.3. -P. 1285-1289.

33. Gidley D. W. Position Tunneling and Emission from Pseudomorphically Growth Ni Films on Cu Substrates // Phys. Rev. Letters. -1989. -Vol.62. -P.811-814.

34. Lu S.H., Wang Z.Q., Tian D. et al. Epitaxial growth of gamma-Fe on Ni(001) II Surf. Sci. -1989. -Vol.221. -P.35-38.

35. Luches P., Gazzadi G.C., Bona A. et al. Epitaxial growth of ultrathin Fe films on Ni(001): a structural study // Surf. Sci. -1999. -Vol.419. -P.207-215.

36. Schindler W., Koop Th., Kazimirov A. et al. Non-coherent growth patches in pseudomorphic films: Unusual strain relief in electrodeposited Co on Cu(001) // Surf. Sci. Lett. -2000. -Vol.465. -P.783-788.

37. De la Figuera J. Scanning-tunneling-microcopy study of the growth of cobalt on Cu(l 11)// Phys. Rev. -1993. -Vol.47B. -P. 13043-13046.

38. Surface structures from LEED: metal surfaces and metastable phasesin. The Structure of Surfaces // ed. by J.F. van der Veen and M.A. Van Hove. -Springer.-1987.-90 p.

39. Lee K.H., Hong S.I. Interfasial and twin boundary structures of nanostructured Cu-Ag filamentary composites // J. Mater. Res. -2003. -Vol.18. -№9. -P.2194-2202.

40. Floro J.A., Thompson C.V., Carel R., Bristowe P.D. Competition between strain and interface energy during epitaxial grain growth in Ag films on Ni(001) // J. Mater. Res. -1996. -V.9. -№9. -P.2411-2417.

41. Fitzgerald E.A. Dislocations in strained layer epitaxy: theory, experiment, and applications // Mater. Sci. Rep. -1991. -Vol.7. №1. -P.87-142.

42. Rajan K., Fitzgerald E., Jagannadham K., Jesser W.A. Misfit accommodation at epitaxial interfaces // J. Electron. Maters. -1991. -Vol.20. -№10. -P.861-867.

43. Мильдивский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. -М.: Металлургия, 1985. -160 с.

44. Van der Merwe J.H. Misfit dislocation generation in epitaxial layers // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. -1991. -Vol.17. -№3. -P. 187-209.

45. Van der Merwe J.H. Strain relaxation in epitaxial overlayers // J. Electron. Maters.-1991.-Vol.20.-№10.-P.793-803.

46. Freund L.B. Dislocation mechanisms of relaxation in strained epitaxial films // MRS Bulletin. -1992. -Vol.17. №7. -P.52-60.

47. Jain S.C., Harker A.H., Cowley R.A. Misfit strain and misfit dislocations in lattice mismatched epitaxial layers and other systems // Philos. Mag. -1997. -Vol.75A. -№6. —P. 1461-1515.

48. Тхорик Ю.А., Хазан JI.C. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. -Киев.: Наукова думка, 1983,304 с.

49. Tonner В. P., Han Z.L., Zhang J. Structure of Co films grown on Cu(lll) studied by photoelectron diffraction // Phys. Rev. -1993. -Vol.47B. -P.9723-9731.

50. Zheng M., Shen J., Barthel J. et al. Growth, structure and magnetic properties of Co ultrathin films on Cu(l 11) by pulsed laser deposition // J. Phys.: Condens. Matter. -2000. -Vol.12. -P.783-794.

51. Ha K., Ciria M., CTHandley R.C. et al. X-ray study of strains and dislocation density in epitaxial Cu/Ni/Cu/Si(001) films // Phys. Rev. -1992. -V0I.6OB. -№19. -P.13780-13785.

52. Macur J.E., Vook R.W. Initial epitaxial growth of (111) Au-(lll)Cu and (11 l)Cu-(l 1 l)Au // Thin Solid Films. -1980. -Vol.66. -№3. -P.371-379.

53. Палатник JI.C., Папиров И.И. Ориентированная кристаллизация. -М.:Металлургия, 1964. -408 с.

54. Barbier, G. Renaud, and О. Robach Growth annealing and oxidation of the Ni/Mg0(001) interface studied by grazing incidence X-ray scattering // J. Appl. Phys. -1998. -Vol.84. -№.8. -P.4259-4267.

55. Иевлев B.M., Трусов Л.И., Иевлев В.П. Фазовый размерный эффект в эпитаксиальных пленках никеля // Изв. АН СССР. Серия физическая. -1984. Т.48. -№9. -С.1725-1728.

56. Bertschat Н.Н., Blaschen Н.Н., Cranzer et al. Static Magnetic Hyper fine Fields in Magnetically Polarized Pd // Phys. Rev. Lett. -1998. -Vol.80. -№12. -P.2721-2724.

57. Tochihara H., Mizuno S. Composite surface structures formed by restructuring type adsorption of alkali - metals on fee metals // Progress in Surface Science. -1998. -Vol.58. -№1. -P.l-74.

58. Markov I. Theory and experiments in epitaxial-growth // Mat. Chem. Pys. -1983. -Vol.9. -№1. -P.93-116.

59. Li H., Tian D., Quinn J., Li Y.S., Marcus P.M. Low-energy electron diffraction and photoemission study of epitaxial films of Cu on Ag(001) // Phys. Rev. -1991. -Vol.57B. -P.6342-6345

60. Voigtlander B. Epitaxial grown thin magnetic cobalt films on Au(lll) studied by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. -1991. -V.44B. -№18. -P.10354-10357.

61. Gazzadi G.C., Luches P., Bona A. et al. Structural analyses of Fe/Ni(001) films by photoelectron diffraction // Phys. Rev. -2000. -V0I.6IB. -№3. -P.2246-2253.

62. Jin X.F., Barthel J., Shen J. et al. Morphology and magnetism of ultrathin Fe films on Pd(001) // Phys. Rev. -1999. -Vol.69B. -№16. -P. 11809-11812.

63. Jenniches H., Shen J., Mohan C.V. et al. Structure and magnetism of pulsed-laser-deposited ultrathin films of Fe on Cu(001) // Phys. Rev. -1999. -Vol.59B. -P. 1196-1208.

64. Nyberg G. L., Kief M. Т., Egelhoff W. F. Spot-profile-analyzing LEED study of the epitaxial growth of Fe, Co, and Cu on Cu(100) // Phys. Rev. -1993. -Vol.48B. -P. 14509-14519.

65. Chambers S.A., Anderson S.B., Chen H.W., Weaver J.H. Growth of metastable fee Co on Ni(001) // Phys. Rev. -1987. -Vol.35B. -P.2592-2597.

66. Garcia S.G., Salinas D., Mayer C. et al. Silver electrodeposition on Au(001) -structural aspects and mechanism // Surf. Sci. -1994. -Vol.316. -№1. -P. 143-156.

67. Adli A. Saleh, V. Shutthanandan, R.S. Smith Growth of thin Ti films on Al(l 10) surface // J. Vac. Technol. -1993. -Vol.11A. -№4. -P.1982-1987.

68. Aristov V. Yu., Bolotin I. L., Grazhulis V. A Detection of a new modification of Ag in the system InSb(l 10)+Ag // JETP Letters. -1987. -Vol.45. -P.62-65.

69. Prinz G. A. Stabilization of bcc Co via Epitaxial Growth on GaAs // Phys. Rev. Lett. -1985. -Vol.54. -P.1051-1054.

70. Luedtke W.D., Landman U. Metal-on-metal thin-film growth-Au/Ni(001) and Ni/Au(001) // Phys. Rev. -1991. -Vol.44B. -№11. -P.5970-5972.

71. Jacobs M.H., Pashley D.W., Stowell M.J. The formation of imperfections in epitaxial gold films // Phil. Mag. -1966. -Vol.13. -№121. -p.129-156.

72. Мэтьюз Дж. У. Монокристаллические пленки, полученные испарением в вакууме // Физика тонких пленок. М.: Мир, 1970. -С.167-227.

73. Иевлев В.М., Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия. 1982. С.248.

74. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. -М.: -Мир. -1985. -с.352.

75. Kuk Y., Silverman P.J., Buck Т.М. Structure and segregated Au layers on Ni(110)-0.8 at percent-Au alloy by scanning tunnelling microscopy // Phys. Rev. -1987. -Vol.36B. -№6. -P.3104-3107.

76. Struber U., Kastner A., Kuppers J. Growth and properties of thin Ag films on Pt(100) surfaces // Thin Solid Films. -1994. -Vol.250. -№1. -P.101-110.

77. Medlin D.L., Carter C.B., Angelo J.E., Mils M.J. Climb and glide of а/3<111> dislocations in aluminum 1=3 boundary // Phil. Mag. -1997. -Vol.75A. -№3. -P.733-747.

78. Hoyt J. J., Sadigh В., Asta M., Foiles S. M. Kinetic phase field parameters for the Cu-Ni system derived from atomistic Computations // Acta Mat. -1999. -Vol.47, -p.3181-3187.

79. Asta M., Hoyt J. J. Thermodynamic properties of coherent interfaces in FCC-based Ag-Al alloys: a first-principles study // Acta Mat. -2000. -Vol.48. -P. 1089-1096.

80. Schmid A.K., Bartelt N.C., Hamilton J.C. et al. Brownian motion of dislocations in thin films // Phys. Rev. Lett. -1997. -Vol.78. -P.3507-3511.

81. Hughes D.A., Chrzan D.C., Liu Q., Hansen N. Scaling of misorientation angle distributions // Phys. Rev. Lett. -1998. -Vol.81. -P.4664-4670.

82. Kaneko Y., Hiwatari Y., Ohara K., Murakami T. Surface structure and void formation in thin film growth: a Monte Carlo simulation // Prog. Theor. Phy. Suppl. -2000. -№.138. -P. 126-127.

83. Yu J., Amar J. G., Bogicevic A. First-principles calculations of steering forces in epitaxial growth // Phys. Rev. -2004. -Vol.69B. -P.l 1340-11346.

84. Amar. J.G., Family F. Transitions in critical size in metal (100) and metal (111) homoepitaxy // Surf. Sci. -1997. -Vol. 382. -P. 170-177.

85. Gilmore С. M. An embedded atom study of the spontaneous formation of misfit dislocations // Phys. Rev. -1989. -Vol.40B. -№9. -P.6402-6404.

86. Gilmore С. M., Sprague J. A., Eridon J. M., Provenzano V. An Embedded atom analysis of Au clusters on a Ni surface // Surf. Sci. -1989. -Vol.218. -P.26-36.

87. Rupp P., Gilmore С. M. An embedded atom analysis of Au and Pt substitutional atoms in Ni // J.Mater. Res. -1989. Vol.4. -№3. -P.552-556.

88. Levanov N.A., Stepanuk V.S., Herget W et al. Energetics of Co adatoms on the Cu(001) surface // Phys. Rev. -2000. -Vol.6IB. -№3. -P.2230-2234.

89. Todorov S.S., Bu H., Boyd K.J. et al. Ion beam deposition of Ag(l 11) films on Ni(100) // Surf. Sci. -1999. -Vol.429. -P.63-70.

90. Trushin O., Granato E., Ying S-C. et al. Mechanisms of dislocation nucleation in strained epitaxial layers // Phys. Stat. Sol. -2002. -V.232B. -№1. -P.100-105.

91. Kellog G.L., Wright A.F., Dow M.S. Surface diffusion and adatom-induced substrate relaxations of Pt, Pd and Ni atoms on Pt(001) // J. Vac. Sci. Technol. -1991.-Vol.9.-P. 1757-1760.

92. Ye Y.Y., Biswas R., Morris J.R. et al. Molecular dynamic simulation of nanocsale machining of copper // Nanotechnology. -2003. -Vol.14. -P.390-396.

93. Hamilton J.C., Dow M.S., Foiles S.M. Dislocation mechanism for island diffusion on fee (111) surfaces // Phys. Rev. Lett. -1995. -Vol.74. -P.2760-2763.

94. Kadau K., Meyer R., Entel P Molecular-dynamics study of thin iron films of copper// Surf. Rev. Lett. -1999. -Vol.6. -P. 35-43.

95. Entel P., Meyer R., Kadau K. et al. Martensitic transformations: first-principles calculations combined with molecular dynamic simulations // Eur. Phys. J. -1998. -Vol.5B. -P. 379-383.

96. Bilic A., Shen Y. G., King В. V. O'Connor D. J. Embedded Atom Method Study of Pd Thin Films on Cu(OOl) // Surf. Rev. Lett. -1998. -Vol.5. -№5. -P.959-963.

97. Молекулярно-динамическое моделирование ориентированной кристаллизации аморфной пленки Ni на подложке (001)Ag / М.В. Березин, А.А. Дмитриев, А.В. Евтеев, А.Т. Косилов. // Материалы V Международной конференции.- Воронеж: ВГТУ, 2004 Т.2.-С.17-18.

98. Молекулярно-динамическое моделирование ориентированной кристаллизации аморфной пленки Ag/Ni(001) / М.В. Березин, А.А. Дмитриев, А.В. Евтеев, А.Т. Косилов. // Вестник ВГТУ

99. Материаловедение», 2005, вып. 17, С.50-52

100. Молекулярно-динамическое моделирование ориентированной кристаллизации аморфной пленки Ag/Ni(lll) / / М.В. Березин, А.А. Дмитриев. // Вестник ВГТУ «Материаловедение», 2006, вып. 11, С.50-52.

101. Крокстон К. Физика жидкого состояния. М.: Мир, 1978. - 400 с.

102. Лагарьков А.Н., Сергеев В.М. Метод молекулярной динамики в статической физике // УФН. 1978. - Т. 125. - №3. - С. 409-448.

103. Полухин В.А., Ухов В.Ф., Дзугутов М.М. Компьютерное моделирование динамики и структуры жидких металлов. М.: Наука, 1981.-323с.

104. Полухин В.А., Ватолин Н.А. Моделирование аморфных металлов. М.: Наука, 1985.-288с.

105. Белащенко Д.К. Структура жидких и аморфных металлов. М.: Металлургия, 1985,- 192с.

106. Verlet L. Computer Experiments on Classical Fluids. I. Thermodynamic Properties of Lennard-Jones Molecules // Phys. Rev. 1967. - Vol.159. - P. 98103.

107. Евтеев A.B., Косилов A.T., Миленин A.B. Компьютерное моделирование кристаллизации аморфного железа в изохронных условиях // Письма в ЖЭТФ. 2000. - Вып.71. - №5. - С. 294-297.

108. Борн М., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток. -М.: ИЛ, 1958.-488 с.

109. Dynamics of Radiation Damage / J.B. Gibson, A.N. Goland, M. Milgram et al. // Phys. Rev. 1960. - Vol.120. - №4. - P. 1229-1253.

110. Beeman D. Some Multistep Methods for use in Molecular Dynamics Calculations // J. Comput. Phys. 1976. - Vol.20. - P. 130-139.

111. Rahman A. Correlations in the Motion of Atoms in Liquid Argon // Phys. Rev. A: Gen. Phys. 1964. - Vol.136. - P. 405-411.

112. Химмельблау Д. Методы нелинейной оптимизации. М.: Мир, 1975. -432с.

113. Daw M.S., Baskes M.I. Embedded-Atom Method: Derivation and Application to Impurities, Surfaces, and other Defects in Metals // Phys. Rev. -1984. Vol.29B. -№12. - P. 6443-6453.

114. Foiles S.M. Application of method embedded-atom to liquid transition of metals // Phys. Rev. 1985. - Vol.32B. - №6. - P. 3409-3415.

115. Дмитриев A.A., Евтеев A.B., Косилов A.T. Применение метода погруженного атома для моделирования кристаллизации и плавления тонкой пленки меди // Поверхность. Рентгеновские, нейтронные и синхротронные исследования. 2003. - №5. - С. 74-78.

116. Clementi Е., Roetti С. Roothan-Hartree-Fock Atomic Wave Functions // At. Data Nucl. Data Tables. 1974. - Vol.14. - №3-4. - P. 177-324.

117. Foiles S.M. Calculation of the Surface Segregation of Ni-Cu Alloys with the Use of the Embedded-Atom Method // Phys. Rev. 1985. - Vol.32B. - №12. -P. 7685-7693.

118. Brostow W., Dussault J.P., Bennett L.F. Construction of Voronoi Polyhedra // J. Сотр. Phys. 1978. - Vol.29. - №1. - P. 81-92.

119. Finney J.L. A Procedure for the Construction of Voronoi Polyhedra // J. Сотр. Phys. 1979. - Vol.32. - №1. - P. 137-143.

120. Fisher W., Koch E. Limiting Forms and Comprehensive Complexes for Crystallographic Point Groups, Rod Groups and Layer Groups // Ztschr. Kristallogr. 1979. - Bd.150. - №1. - S. 248-253.

121. Диаграммы состояния двойных металлических систем. Справочник. В 3- х т.: Т. 1/ Под ред. Лякишева Н.П. М.: Машиностроение. 1996. 992 с.

122. Автореферат диссертации Жилякова Д.Г. «Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок в гетеросистемах Cu/Ni, Cu/Pd и Ni/Pd» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Воронеж, 2005.