Разработка метода молекулярного наслаивания для синтеза сверхтонких пленок халькогенидов металлов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Железнякова, Анастасия Вячеславовна

• Железнякова, Анастасия Вячеславовна
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Железнякова, Анастасия Вячеславовна

Введение.

Глава 1. Современное представление о технологии формирования тонких пленок и солнечных элементов на их основе.

1.1. Методы осаждения.

1.1.1. Химическое осаждение

1.1.1.1. Пульверизация с последующим пиролизом.

1.1.1.2. Химическое осаждение из паровой фазы.

1.1.2. Химическое осаждение из раствора.

1.1.2.1. Золь-гель метод.

1.1.2.2. Осаждение пленок из растворов.

1.1.3. Электрохимическое осаждение.

1.2. Методы молекулярного наслаивания.

1.2.1. Метод молекулярного наслаивания (81ЬАЯ метод).

1.2.2. Формирование оксидов материалов методом молекулярного наслаивания.

1.2.3. Полисульфиды

1.3. Технология формирования солнечных элементов.

1.3.1. Теория солнечных элементов.

1.3.1.1 Двух диодная модель.

1.3.1.2. Основные характеристики солнечного элемента.

1.3.2. Особенности различных солнечных элементов.

1.3.2.1. Кристаллические и аморфные структуры.

1.3.2.2. Пассивация.

1.3.2.3. Тонкопленочные технологии.

1.3.2.4. Солнечные элементы с ультратонкими поглощающими слоями.

1.4. Выводы и постановка задачи на диссертационную работу.

Глава 2. Методика проведения эксперимента.

2.1. Формирование тонких слоев полупроводниковых материалов методом молекулярного наслаивания вН-АИ.

2.1.1. Процесс формирования тонких слоев полупроводниковых материалов методом 81ЬАЯ.

2.2. Формирование тонких слоев полупроводниковых материалов в матрице пористого анодного оксида алюминия.

2.2.1. Формирование матрицы пористого анодного оксида алюминия.

2.2.2. Формирование слоев полупроводникового материала в матрице пористого анодного оксида алюминия.

2.3. Формирование солнечных элементов со сверхтонким абсорбером.

2.4. Методы исследования.

2.4.1. Исследование морфологии поверхности и толщины получаемых пленок методом атомно-силовой микроскопии.

2.4.2. Спектроскопия упруго рассеяных ионов (ERDA -Elastic Recoil Detection Analysis).

2.4.3. Исследование оптического поглощения наноструктур методом спектрофотометрии.

2.4.4. Изучение оптических и фотоэлектрических характеристик тестовых структур солнечных элементов.

2.4.4.1. Поверхностное фото-ЭДС.

2.4.4.2. Спектроскопия фототермического отклонения.

2.4.4.3. Вольтамперные характеристики.

2.4.4.4. Квантовая эффективность.

Глава 3. Исследование кинетики формирования полупроводниковых материалов методом молекулярного наслаивания.

3.1. Исследование кинетики формирования оптическими методами.

3.1.1. Методика определения показателя преломления мембран на основе оксида алюминия.

3.1.2. Методика расчета толщины осажденного слоя полупроводника.

3.2. Исследование кинетики формирования методами атомно-силовой микроскопии.

3.2.1. Исследование морфологии поверхности методами атомно-силовой микроскопии.

3.3 Исследование оптических свойств материалов в зависимости от количества циклов осаждения.

3.4 Выводы по главе 3.

Глава 4. Исследование влияния состава исходных растворов на свойства структур, сформированных методом молекулярного наслаивания.

4.1. Влияние кислотности растворов на свойства получаемых материалов.

4.2. Изменение края оптического поглощения

4.3. ERDA анализ влияния pH растворов на состав получаемых пленок.

4.4. Исследования содержания структурных единиц соединений индия.

4.4.1. Структурные элементы производные In2S3 и InS.

4.4.2. Исследования содержания различных структурных элементов соединений индия в формируемых пленках.

4.5 Выводы по главе 4.

Глава 5. Применение метода молекулярного наслаивания в технологии формирования полупроводниковых структур.

5.1. Исследование стехиометрии слоев солнечных элементов.

5.1.1. Влияние кислотности раствора на свойства солнечных элементов.

5.2. Разделение носителей заряда на контактах.

5.3. Влияние температуры отжига на характеристики солнечных элементов.

5.4. Влияние толщины слоя абсорбера на свойства солнечных элементов.

5.5. Зависимость вольтамперных характеристик от интенсивности и температуры.

5.6. Зонная диаграмма структуры солнечного элемента со сверхтонким абсорбером.

5.6.1. Зонная диаграмма структуры солнечного элемента.

5.6.2. Влияние состава раствора формирования на свойства солнечных элементов.

5.6.3. Зонная диаграмма структуры солнечного элемента с буферным слоем PbInxSy.

5.7 Выводы по главе 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка метода молекулярного наслаивания для синтеза сверхтонких пленок халькогенидов металлов»

Актуальность работы. Одним из приоритетных направлений развития науки, технологий и техники Российской Федерации является - «Индустрия наносистем и материалы». Это обусловлено тем, что наноструктуры представляют практический и научный интерес как для понимания фундаментальных физических и химических свойств материалов, имеющих нанометровые размеры, так и с точки зрения создания на их основе приборов с принципиально новыми функциональными характеристиками.

Современное развитие физики и технологии материалов и приборов электронной техники сделало возможным качественный скачок данной области науки и техники от микро- к наноэлектронике. Современные физические и химические методы позволяют формировать тонкие пленки различных материалов и химических соединений, однако применение дорогостоящего оборудования приводит к значительному повышению стоимости получаемых структур. Поэтому простые и недорогие технологии представляют особый интерес. С этой точки зрения использование в массовом производстве метода молекулярного наслаивания является перспективным для применения в различных областях при формировании ультратонких слоев полупроводниковых материалов, как на плоских, так и на развитых наноструктурированных поверхностях. Низкие температуры проведения процессов позволяют использовать в качестве подложек для формирования материалы с невысокой температурой плавления.

В последнее время интерес к наноматериалам возник со стороны разработчиков солнечных элементов, в частности, активно развивается концепция фотоэлектрических преобразователей на основе гетеропереходов с ультратонким абсорбером. Накопленный теоретический и экспериментальный опыт продемонстрировал перспективность применения метода молекулярного наслаивания для создания подобных структур при сохранении высокой технологичности и приемлемой себестоимости. Поэтому одним из эффективных направлений развития основ низкотемпературного формирования полупроводниковых гетероструктур из водных растворов является разработка научно обоснованного подхода к решению проблем управления химическим составом и структурой наноструктурированных материалов.

Целью диссертационной работы является определение закономерностей процесса формирования сверхтонких слоев полупроводниковых соединений методом молекулярного наслаивания из водных растворов.

В основу работы положены следующие теоретические и практические задачи:

- провести исследование кинетики процесса формирования тонких слоев методом молекулярного наслаивания;

- исследовать влияние толщины формируемых пленок на их свойства;

- изучить влияние состава исходных растворов на свойства формируемых соединений;

- установить взаимосвязь между составом формируемых гетеропереходов и их фотоэлектрическими характеристиками.

Научная новизна работы состоит в том, что:

1. Предложена методика расчета толщины тонких пленок, сформированных в матрице пористого анодного оксида алюминия, по данным спектрофотометрии и установлено, что формирование тонких пленок методом 81ЬАЯ происходит послойно, при этом за один цикл формируется один монослой вещества.

2. На примере 1п28з установлено, что ширина запрещенной зоны осаждаемых послойно полупроводниковых соединений изменяется с увеличением количества циклов осаждения и достигает значения ширины запрещенной зоны объемного материала уже после 20 циклов осаждения.

3. Установлено, что ширина запрещенной зоны 1п28з, формируемого молекулярным наслаиванием, зависит от природы анионов, которые присутствуют в водных растворах солей индия.

4. Установлено, что значение ширины запрещенной зоны сульфида индия 1п28з зависит от кислотности раствора сульфида натрия №28, используемого при формировании пленки. Ее значение достигает минимума при формировании в нейтральных растворах сульфида натрия.

5. Предложены варианты структурных элементов, образующих пленки In2S3, при формировании методом SILAR и проведен анализ содержания структурных элементов на основе данных о концентрации атомов In, S, О, Н в пленке.

Практическая значимость результатов работы состоит в следующем:

- разработана технология получения ультратонких слоев полупроводниковых соединений;

- установлены факторы, определяющие состав и свойства формируемых пленок и структур;

- оптимизированы условия формирования, состав и параметры гетероперехода In(OH)xSy/PbInxSy, характеризующегося минимальными рекомбинационными потерями;

- разработана и внедрена в учебный процесс лабораторная работа по изучению кинетики формирования сверхтонких слоем методом молекулярного наслаивания для специальностей и направлений подготовки 210104, 210100, 202100

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях и семинарах: Международная научно-техническая конференция «Nanomeeting - 2003. Phisycs, chemistry and application of nanostructures», Минск, 2003; IV международной научно-технической конференции "Электроника и информатика - 2002".- Зеленоград 19-21 ноября 2002; 10-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2003», Москва, 2003; Международная конференция «Микро- и наноэлектроника - 2003», Звенигород, 2003; 11-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2004», Москва, 2004; 6-й международная конф. «Опто-,наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск 2004; 9-я Международная техническая конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Дивноморское, 2004; V Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика 2005», Москва, 2005; III российско-японский семинар «Оборудование и технологии для производства компонентов твердотельной электроники и наноматериалов», Москва, 2005; 12-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2005», Москва, 2005; Всероссийская конференция инновационных проектов аспирантов и студентов «Индустрия наносистем и материалы», Москва, Зеленоград, 2005; Международная научно-техническая конференция «Nanomeeting - 2005. Phisycs, chemistry and application of nanostructures», Минск, 2005; Международная конференция «Микро- и наноэлектроника - 2005», Звенигород, 2005; 13-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2006», Москва, 2006; Всероссийская конференция инновационных проектов аспирантов и студентов «Индустрия наносистем и материалы», Москва, Зеленоград, 2006; Всероссийский молодежный научно-инновационный конкурс-конференция «Электроника - 2006».- М. МИЭТ.- 2006; Международная научно-техническая школа-конференция «Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике», МИРЭА, 2006; Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», МИРЭА, 2006; Всероссийская конференция по наноматериалам "Нано-2007», 5-ый Российско-белорусский международный семинар «Наноструктурированные материалы - 2007», Новосибирск 2007; II ежегодная Московско-Баварская студенческая научная школа "MB-JASS"; 14-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2007», Москва, 2007; IX международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульянвск, 2007.

ПУБЛИКАЦИИ. По теме диссертационной работы опубликованы 27 работ, в том числе 5 статей в реферируемых журналах, и 7 научно-технических отчетов по НИР.

Результаты диссертационной работы использованы в НИР, проводимых в рамках Федеральной целевой научно технической программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники» № 2006

РИ-19.0/001/734 и по заданию министерства образования и науки РФ: № 471-ГБ-53-Б-МФХ.

Результаты работы использованы в НИР, проводимых по заданию министерства образования и науки РФ: №635-ГБ-53-Гр. асп-МФХ, № 754-ГБ-53-Гр. асп - МФХ, № 795-ГБ-53-Гр. асп.-МФХ

Работы были поддержаны Грантами РФФИ № 05-08-01508-а, № 05-03-32744-а.

Результаты работы использованы в НИР «Молекула-А», М-2007-3-1.3-25-01-488, М-2007-3-1.3-206-030.

Результаты работы использованы в учебном процессе МИЭТ в курсе лекций «Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники», «Материалы электронной техники».

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Процесс послойного осаждения сульфидов металлов из соответствующих катионных и анионных водных растворов подчиняется закономерностям молекулярного наслаивания и характеризуется формированием одного монослоя материала за один цикл осаждения.

2. Принципы выбора состава растворов для молекулярного наслаивания пленок In2S3, определяющие стехиометрию осаждаемых пленок и состоящие в том что:

- на основе спектрофотометрических измерений экспериментально определена зависимость ширины запрещенной зоны I112S3, формируемого молекулярным наслаиванием, от природы анионов, которые присутствуют в водных растворах солей индия;

- на основе измерения ВАХ структур установлено отрицательное влияние на фотоэлектрические параметры гетеропереходов In(OH)xSy/PbInxSy кислородсодержащих анионов, на примере сульфат-анионов SO42", которые увеличивают содержание кислорода в пленках и уменьшают эффективность оптической генерации неравновесных носителей заряда;

- на основе данных спектрофотометрии и ERDA анализа установлена зависимость концентрации кислорода и серы в сульфидных пленках от кислотности анионного раствора;

- на основе диаграммы растворимости системы 1п20з-1п28з-Н20-8 определены технологические условия создания пленок 1п(ОН)х8у с минимальным содержанием кислорода, характеризующиеся высокой эффективностью фотоэлектрического преобразования.

3. Снижение плотности дефектных состояний на границе раздела 1п(ОН)х8у/РЬ8 достигается за счет введения в состав РЬ8 определенной концентрации атомов 1п, что снижает степень несоответствия структурных параметров гетеропероперехода.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти основных глав с выводами, общих выводов, списка использованных источников и приложения.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Железнякова, Анастасия Вячеславовна

5.7. Выводы по главе 5:

1. Экспериментально установлено, что кислотность раствора сульфида натрия оказывает влияние на характеристики формируемых солнечных элементов.

2. Анализ характеристик солнечных элементов с различных составом абсорбирующего слоя показал, что для получения наилучших характеристик необходимо использовать гетеропереход 1п(ОН)х8у/РЫпх8у, характеризующийся минимальными рекомбинационными потерями.

3. Экспериментально установлено, что увеличение температуры отжига структур свыше 200°С приводит к ухудшению характеристик солнечных элементов, за счет увеличения концентрации дефектных состояний из-за удаления водорода из состава пленок.

4. Экспериментально установлено, что для того, чтобы гетеропереход 1п(ОН)х8у/РЬ1пх8у обладал минимальными рекомбинационными потерями, его толщина не должна превышать 40 нм, так как она становится больше длины свободного пробега носителей заряда, что приводит к значительному увеличению потерь на дефектных состояниях.

5. Экспериментально установлено, дефектные состояния, образующиеся на границе гетероперехода 1п(ОН)х8у/РЫпх8у, являются основными центрами рекомбинационных потерь, вследствие чего параметры солнечных элементов становятся зависимыми от интенсивности падающего излучения.

6. Предложена структура зонной диаграммы солнечного элемента на основе гетероперехода 1п(ОН)х8у/РЫпх8у.

Заключение

1. Предложена методика расчета толщины тонких пленок, сформированных в матрице пористого анодного оксида алюминия, которая основана на по данным спектрофотометрии.

2. Экспериментально установлено, что формирование тонких пленок методом 81ЬАЯ происходит послойно и за один цикл формируется один монослой вещества.

3. Экспериментально установлено, что ширина запрещенной зоны 1п283 изменяется с увеличением количества циклов осаждения и достигает значения ширины запрещенной зоны объемного материала уже после 20 циклов осаждения.

4. Экспериментально установлено, что концентрация атомов кислорода и серы в пленках сульфида индия зависит от кислотности раствора сульфида натрия Ш28, используемого при формировании пленки, что оказывает существенное влияние на характеристики получаемых пленок.

5. Установлено, что слои сульфида индия, сформированные из раствора сульфата индия 1п2(804)3, обладают большей шириной запрещенной зоны, по сравнению с пленками, образованными из раствора хлорида индия 1пС13, при любом значении кислотности раствора сульфида натрия, что вызвано включением 80- групп в состав пленок при формировании из раствора сульфата индия.

6. Предложены варианты структурных элементов, образующих пленки 1п283, при формировании методом 81ЬАЯ и проведен анализ содержания структурных элементов на основе данных о концентрации атомов 1п, 8, О, Н в пленке.

7. Экспериментально установлено, что кислотность раствора сульфида натрия оказывает влияние на характеристики формируемых солнечных элементов, за счет включения в состав пленок ионов кислорода и серы.

8. Анализ характеристик солнечных элементов с различных составом абсорбирующего слоя показал, что для получения наилучших характеристик необходимо использовать гетеропереход 1п(ОН)х8у/РЫпх8у, характеризующийся минимальными рекомбинационными потерями.

9. Экспериментально установлено, что увеличение температуры отжига структур свыше 200°С приводит к ухудшению характеристик солнечных элементов, за счет увеличения концентрации дефектных состояний из-за удаления водорода из состава пленок.

10. Экспериментально установлено, что для того, чтобы гетеропереход 1п(ОН)х8у/РЫпх8у обладал минимальными рекомбинационными потерями, его толщина не должна превышать 40 нм, так как она становится больше длины свободного пробега носителей заряда, что приводит к значительному увеличению потерь на дефектных состояниях.

11. Экспериментально установлено, дефектные состояния, образующиеся на границе гетероперехода 1п(ОН)х8у/РЫпх8у, являются основными центрами рекомбинационных потерь, вследствие чего параметры солнечных элементов становятся зависимыми от интенсивности падающего излучения.

12. Предложена структура зонной диаграммы солнечного элемента на основе гетероперехода 1п(ОН)х8у/РЫпх8у.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Железнякова, Анастасия Вячеславовна, 2007 год

1. K.JL Чопра, С.Р. Дас / Тонкопленочные солнечные элемент. Пер. с англ. // М.:Мир.-1987.-435с.

2. S.R.Das, P.Nath, A.Banerjee, K.L.Chopra, Solid State Commun // 21 .-49.- 1977

3. P.K.Bhat, S.R.Das, D.K.Pandya, K.L.Chopra, Solar Energy Matherials // 1.-215.-1979

4. A.Banerjee, S.R.Das, A.P. Thakoor, H.S. Randhawa, K.L.Chopra // Solid State Electronics.-22.-495.-1979

5. H.H.Woodbury // J.Appl.Phys.-36.-2287.-1965

6. T.J. Coutts (Ed.), Active and Passive Thin Film Devices // Academic Press.-London.-1978

7. Лифшиц В.Г. / Поверхностные фазы и выращивание микроэлектронных структур на кремнии // Соросовский образовательный Журнал.-1997.- N 2.-С. 107-115.

8. Л.Киш / Кинетика электрохимического растворения // М.: Мир.- 1990.-С.37-39.

9. Гуревич Ю.Я., Плесков Ю.В. / Фотоэлектрохимия полупроводников. // М.: Наука.- 1983.- 312 с.

10. Y.F. Nicolau // Appl. Surf. Sci.- 22 (1985) 1061

11. Berzelius, J.Dela / Composition des Sulfures Alcalins. // Ann. Chim. Phys.-1822,-20.-pp. 113-141

12. W. Giggenbach. / Optical Spectra and Equilibrium Distribution of Polysulfide Ions in Aqueous Solution at 20 // Inorganic Chemistry.- VoZ. 11.- No. 6.1972.- 1201

13. Ralf Steudel. / Mechanism for the Formation of Elemental Sulfur from Aqueous Sulfide in Chemical and Microbiological Desulfurization Processes. // Ind. Eng. Chem. Res.- 1996.-35.-pp. 1417-1423

14. DAVID RICKARD 1 and GEORGE W. LUTHER / Kinetics of pyrite formation by the H2S oxidation of iron (II) monosulfide in aqueous solutions between 25 and 125°C // Geochimica et Cosmochimica Acta.- Vol. 61.- No. t.- 1997.- pp. 135-147

15. Ralf Steudel. Mechanism for the Formation of Elemental Sulfur from Aqueous Sulfide in Chemical and Microbiological Desulfurization Processes. Ind. Eng. Chem. Res. 1996, 35, 1417-1423

16. DAVID RICKARD 1 and GEORGE W. LUTHER, Kinetics of pyrite formation by the H2S oxidation of iron (II) monosulfide in aqueous solutions between 25 and 125°C, Geochimica et Cosmochimica Acta, Vol. 61, No. t, pp. 135-147, 1997

17. R.H. Bossert ,C.J.J. Tool ,J.A.M. van Roosmalen ,C.H.M. Wentink ,M.J.M. de Vaan, Thin-flm solar cells. Technology Evaluation and Perspectives, Netherlands Energy Research Foundation , report number DV 1.1.170, May 2000.

18. А. Фаренбрух, P. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент. (М., Энергоатомиздат, 1987).A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of Solar Cells. Solar Energy Conversion (Academic Press, N.Y., 1983).

19. R.W. Birkmire, E. Eser. Ann. Rev. Mater. Sci., 27, 625 (1997).

20. JI.A. Косяченко, X. Mathew, В.В. Мотущук, В.М. Склярчук. ФТП, 39 (5), 569 (2005).

21. L.A. Kosyachenko, V.M. Sklyarchuk, Ye.F. Sklyarchuk,K.S. Ulyanitsky. Semicond. Sci. Technol., 14, 373 (1999).

22. W. Shockley, W. T. Read, Phys. Rev. (1952) 87 835

23. Э.И. Адирович, Ю.М. Юабов, Г.Р. Ягудаев. ФТП 3 (1), 81 (1969)

24. K.W.Mitchel, A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. J.Appl. Phis., 48 (10), 4365 (1977).

25. W. Shockley, H. J. Queisser, J. Appl. Phys. (1961) 32 510

26. J. Britt, C. Ferekides. Appl. Phys. Lett., 62 (22), 2851 (1993).31.с.3и, Физика полупроводниковых приборов (M., Мир, 1984). S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (Wiley,N.Y., 1981).

27. Ramon Tena-Zaera a,b, Margaret A. Ryan a,c, Abou Katty a, Gary Hodes a,d, Stéphane Bastide a, Claude Lévy-Clément a, Fabrication and characterization of ZnO nanowires/CdSe/CuSCN eta-solar cell, C. R. Chimie 9 (2006) 717-729.

28. К Ernst, A Belaidi and R Konenkamp. Solar cell with extremely thin absorber on highly structured substrate. Semicond. Sci. Technol. 18 (2003) 475-479.

29. Maggie Paulose, Karthik Shankar, Oomman К Varghese, Gopal К Мог and Craig A Grimes. Application of highly-ordered Ti02 nanotube-arrays in heterojunction dye-sensitized solar cells. J. Phys. D: Appl. Phys. 39 (2006) 2498-2503

30. Kaiser, K. Ernst, Ch.-H. Fischer, R. Konenkamp, C. Rost,I. Sieber, M.Ch. Lux-Steiner. The eta-solar cell with CuInS2: A photovoltaic cell concept using an extremely thin absorber (eta). Solar Energy Materials & Solar Cells 67 (2001) 89-96

31. K. Ernst, R. Engelhardt, K. Ellmer, C. Kelch, H.-J. Muffler, M.C. Lux-Steiner, R. Konenkamp, Thin Solid Films 382 (2001) 26.

32. Yanchun Zhao, Miao Chen, Weimin Lui, Xiang Lui, Qunji Xue. Preparation and self-lubrication treatment of ordered porous anodic alumina films. Elsevier: Materials Chemistry and physics 2003

33. A. Jagminas, S. Lichusina, M. Kurtinaitiene, A. Selskis. Cjncentration effect of the solutions for alumina template as filling be metal arrays. Elsevier: Appl. Surface Science 211(2003)194-202.

34. A. P. Li, F. Muller, A. Birner, K. Nielsch, U. Gosele. Hexagonal pore arrays with a 50-420 nm interpore distance formed by self-organization in anodic alumina. J. Appl. Phys. Vol 84(1998) 6023-6026.

35. A. P. Li, F. Muller, A. Birner, K. Nielsch, U. Gosele. Polycrystalline nanopore arrays with hexagonal ordering on aluminum. j. vac. Sci. Tachnal A 17(4) (1999) 1428-1431.

36. Zhibo Zhang, Nadia El-Masry. Highly regular nanoporous anodic alumina films on an insulating surface. Report, NC State University Grant, grant No.: N66001 -01 -1 -8977

37. Ailing Cai, Haoyue Zhang, Hao Hua, Zhibo Zhang. Direct formation of self-assembled nanoporous aluminum oxide on both Si and Si02 substrates.

38. Y. Kanamori, K. Hane, H. Sai, H. Yugami. 100 nm period silicon antireflection structures fabricated using a porous alumina membrane mask. -Appl. Phys. Lett., vol 78, №2(2001) 142-143.

39. An-Ping Li, Frank Muller, Albert Birner, Kornelius Nielsch, Ulrich Gosele. Fabrication and microstructuring of hexagonally ordered two-dimensional nanopore arrays in anodic alumina. adv. Mater. 1999, 11, №6, 483-487.

40. Y. Kanamori, K. Hane, H. Sai, H. Yugami. 100 nm period silicon antireflection structures fabricated using a porous alumina membrane mask. -Appl. Phys. Lett., vol 78, №2(2001) 142-143.

41. Yu Cheng Sui, Jose M. Saniger Characterization of anodic porous alumina by AFM. Elsevier: Materials Letters 48(2001) 127-136.

42. Z.Wang, Y.-K. Su, H.-L. Li. AFM study of gold nanowire array electrodeposited within anodic aluminum oxide template. Appl. Phys A74, 563-565 (2002).

43. Y.T. Pang, G.W. Meng, W.J. Shan, L.D. Zhang, X.Y. Gao, A.W. Zhao, Y.Q. Mao. Arrays of ordered Ag nanowires with different diameters in differentareas embedded in one piece of anodic alumina membrane. Appl. Phys. All, 717-720 (2003).

44. Bining G., Quate C.F., Gerber Ch. Atomic force microscope // Phys. Rev. Lett. -1986. Vol. 56, № 9. - p. 930 - 933.

45. Ducker W., Cook R., Clarke D. Force measurement using an AC atomic force microscopy // J. Appl. Phys. 1985. - Vol. 67, № 9. - p. 4045 - 4052

46. W. Bohne, J. Röhrich, G. Röschert, Nucl. Instr. and Meth. В (1998) 136-138 633

47. S. Mandl, Y. Bohne, J.W. Gerlach, W. Assmann, В. Rauschenbach // Nucl. Instr. and Meth. В 249.-2006.-P. 297-301

48. W. Bohne, J. Röhrich, G. Röschert // Nucl. Instr. and Meth. В 139 (1998) 219224

49. E. Strub, M. Bar , W. Bohne, Ch.-H. Fischer, B. Leupolt, S. Lindner, J. Rohrich, B. Schoneich //Nucl. Instr. and Meth. В 219-2002.-2004.-P.499-502

50. E. Strub, W. Bohne, J. Röhrich,, Nucl. Instr. and Meth. В 240 (2005) 283-287

51. Спектрофотометры. Техническое описание и руководство по эксплуатации. М., 2002

52. L. Kronik, Y. Shapira, Surf, Sei. Rep. (1999) 37 1

53. W. Jackson, N. Amer, A. Boccara, D. Fournier, Appl. Opt. (1981) 20 1333

54. S.A.Gavrilov, V.M.Roschin, A.V.Zheleznyakova, S.V.Lemeshko,

55. C.A. Гаврилов, А.Н.Белов, A.B. Железнякова, Е.В.Вишникин, ДА.Кравченко. Электрохимические процессы формированиятвердотельных наноструктур. Известия вузов. Электроника. №4-5, 2005, с. 94-97

56. S.A.Gavrilov, A.V.Zheleznyakova, A.N. Barabanov, V.I.Shevyakov, E.V.Vishnikin/ Factors effected on nanoporous anodic alumina ordering. // Proc. SPIE 2006, Vol. 6260, p.62601101-62601108

57. A.Gavrilov, D.A.Kravtchenko, A.V.Zheleznyakova, V.Y.Timoshenko, P.K.Kashkarov, V.Melnikov, G.Zaitsev, L.A.Golovan, Porous anodic alumina for photonics and optoelectronics, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 2004, V. 5401, 235

58. D.A.Kravchenko, S.A.Gavrilov, A.V.Zheleznyakova, E.V.Vishnikin. Synthesis of AIIBVI semiconductor nanocristals by electrochemical deposition and SILAR techniques. // Proc. SPIE 2006, Vol. 6260, p.6062E01-6062E08)

59. Pourbaix, M. Atlas of electrochemical equilibria in aqueous solutions; Pergamon Press Ltd.: Oxford/London/New York, 1966, p.644.

60. H.M. Pathan, C.D. Lokhande, S.S. Kulkarni, D.P. Amalnerkar, T. Seth, Sung-Hwan Han. Some studies on successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) growth indium sulphide thin films. // Materials Research Bulletin 40.-(2005).-C. 1018-1023