Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения MexPb1-xS (Me - Zn, Cd, Cu, Ag) тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, доктор химических наук Маскаева, Лариса Николаевна

• Маскаева, Лариса Николаевна
• доктор химических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор химических наук Маскаева, Лариса Николаевна

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. ОБРАЗОВАНИЕ МЕТАСТАБИЛЬНЫХ ТВЕРДЫХ

РАСТВОРОВ ЗАМЕЩЕНИЯ СУЛЬФИДОВ МЕТАЛЛОВ

1.1. Основные факторы изоморфной смесимости при образовании твердых растворов

1.2. Особенности изоморфного замещения в сульфидах AnBVI, AIVBVI

1.3. Термодинамика и фазообразование твердых растворов замещения

1.4. Проблема метастабильного фазообразования в сульфидных системах

1.5. Химическое осаждение пленок сульфидов металлов и метастабильных твердых растворов на их основе

Глава 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ УСЛОВИЙ ПОЛУЧЕНИЯ И

СВОЙСТВ ПЛЕНОК СУЛЬФИДОВ МЕТАЛЛОВ

2.1. Химические реактивы

2.2. Методика гидрохимического синтеза пленок сульфидов металлов

2.3. Кинетические исследования осаждения твердой фазы сульфидов металлов

2.4. Определение толщины пленки

2.5. Структурные исследования пленок сульфидов металлов

2.6. Исследование фазового и элементного состава пленок и осадков сульфидов металлов

2.7. Исследование микроструктуры пленок

2.8. Измерение спектральных и фотоэлектрических характеристик, ширины запрещенной зоны

2.9. Измерение поверхностно-чувствительных свойств пленок сульфидов металлов

Глава 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ СУЛЬФИДОВ МЕТАЛЛОВ ГИДРОХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ. УЧЕТ ТЕМПЕРАТУРНОГО ФАКТОРА

3.1. Анализ условий образования сульфидов металлов

3.2. Температурные зависимости констант ионизации цианамида и его устойчивость в щелочных средах

3.2.1. Экспериментальное определение температурной зависимости констант ионизации цианамида "

3.2.2. Поведение и устойчивость цианамида в щелочных средах

3.3. Оценка температурной зависимости констант ионизации сероводородной кислоты и воды

3.4. Определение температурных зависимостей произведений растворимости сульфидов металлов

3.4.1. Термодинамический расчет температурных зависимостей произведений растворимости сульфидов свинца, кадмия, цинка, меди (I, II)

3.4.2. Экспериментальное определение температурной зависимости произведения растворимости сульфида серебра

3.5. Определение температурных зависимостей произведений растворимости гидрокисей свинца, кадмия, цинка

3.6. Определение температурных зависимостей констант нестойкости комплексных ионов

3.6. 1. Температурные зависимости констант нестойкости гидроксокомплексов свинца и цинка

3.6.2. Экспериментальное определение температурной зависимости константы нестойкости комплексного иона РЪ(0Н)(СбН507)2

3.6.3. Температурные зависимости констант нестойкости трилонатных комплексов свинца, кадмия и цинка

3.6.4. Температурные зависимости констант нестойкости аммиачных комплексов кадмия, меди (П), цинка

3.6.5. Температурная зависимость константы нестойкости тиомочевинного комплекса серебра

3.7. Определение температурной зависимости константы гидролитического разложения тиомочевины

3.8. Оценка влияния степени пересыщения на условия образования твердой фазы сульфидов металлов

3.9. Оценка комплексного влияния температуры и степени пересыщения на примере условий образования сульфидов металлов

Выводы

Глава 4. ШДРОХИМИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ PbS И ВОЗМОЖНОСТИ

ОБРАЗОВАНИЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ

4.1. Кинетические особенности осаждения сульфида свинца

4.1.1. Кинетика осаждения PbS при контролируемой площади поверхности твердой фазы

4.1.2. Кинетика осаждения PbS в условиях самопроизвольного зарождения

4.1.3. Кинетика осаждения PbS в реакторе идеального вытеснения 127 4.1.4. Кинетика осаждения сульфида свинца в присутствии галогенид-ионов

4.2. Состав и микроструктура химически осажденных пленок PbS

4.3. Прогнозирование образования твердых растворов замещения на основе сульфида свинца

4.4. Термодинамическая оценка возможности формирования твердых растворов замещения на основе PbS

Выводы

Глава 5. ГИДРОХИМИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ ИСВОЙСТВА ИЗОВАЛЕНТНЫХ ПЕРЕСЫЩЕННЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ЗАМЕЩЕНИЯ

Me^Pb^S (Me - Cd, Zn, Си) 157 5.1. Гидрохимический синтез пересыщенных твердых растворов замещения Cd^Pbi-^S

5.1.1. Расчет условий совместного гидрохимического осаждения сульфидов свинца и кадмия

5.1.2. Кинетика осаждения сульфида кадмия тиомочевиной

5.1.3. Структура и состав химически осажденных пленок CdS

5.1.4. Кинетика совместного осаждения сульфидов свинца и кадмия

5.1.5. Элементный, фазовый состав и структура пленок твердых растворов

CdjPbi-jS

5.1.6. Основные факторы, определяющие состав химически осажденных пленок твердых растворов CdJPbi^S

5.1.7. Влияние анионной компоненты солей кадмия на состав и свойства твердого раствора CdJPbi^S

5.1.8. Исследование условий деградации твердых растворов замещения CdJPb^S

5.2. Пленки, содержащие пересыщенные по цинку твердые растворы замещения Zn^Pbi^S: синтез, структура и свойства

5.3. Гидрохимический синтез пересыщенных твердых растворов замещения CuxPbi^S

5.4. Фотоэлектрические свойства пленок твердых растворов замещения Me^-Pb^S (Me - Cd, Zn)

5.4.1. Свойства пленок твердых растворов замещения Cd^Pbj^S

5.4.2. Разработка и изготовление фоторезисторов и фотоприемных устройств на основе Cd^Pb^S

5.4.3. Возможности применения пленок, содержащих пересыщенные твердые растворы замещения Zn^PbixS

Выводы

Глава 6. ГИДРОХИМИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ И СВОЙСТВА ПЛЕНОК ГЕТЕРОВАЛЕНТНЫХ ПЕРЕСЫЩЕННЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ЗАМЕЩЕНИЯ Me ® Pb^S^ (Me - Ag, Си)

6.1. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов Cu®^PbixSi^

6.2. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов Ag

6.3. Фоточувствительные и сенсорные свойства пленок гетеровалентных твердых растворов замещения Me ® PbjxSi<5 (Me - Ag, Си)

Выводы

Глава 7. МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ ПЛЕНОК СУЛЬФИДОВ

МЕТАЛЛОВ

7.1. Взаимодействие тиомочевины с солями металлов

7.2. Зарождение пленок сульфидов металлов

7.3. Механизм роста пленок сульфидов металлов

7.4. Механизм образования пленок пересыщенных твердых растворов замещения сульфидов металлов

Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения MexPb1-xS (Me - Zn, Cd, Cu, Ag)»

Актуальность работы. Современный научно-технический прогресс неразрывно связан с получением и освоением функциональных полупроводниковых материалов. Ключевым звеном, определяющим успех многих инженерных решений при создании современных электронных приборов, разработке аналитической и сенсорной техники, является полупроводниковое материаловедение. Важное место среди полупроводников принадлежит халькогенидам тяжелых металлов.

Благодаря уникальному комплексу электронных и оптических свойств сульфиды свинца, кадмия, цинка, серебра и меди (I, II) на протяжении десятилетий являются базовыми материалами микро- и оптоэлектроники и продолжают привлекать пристальное внимание исследователей.

Расширение областей их использования может быть обеспечено двумя путями:

- оптимизация основных электрофизических и оптических характеристик;

- изыскание новых полупроводниковых соединений на их основе в форме твердых растворов замещения с различным соотношением компонентов, позволяющим в широких пределах варьировать физико-химические свойства.

Второй путь представляется наиболее перспективным и сулит большие возможности в создании материалов, обладающих уникальными характеристиками. В этом случае результативность поиска возрастает благодаря получению ме-тастабильных пересыщенных твердых растворов, значительно расширяющих диапазон свойств. Однако в настоящее время отсутствуют научно разработанные принципы осаждения таких соединений в виде тонких пленок. Из бинарных сульфидов одним из наиболее изученных является сульфид свинца - эффективный материал для высокочувствительных инфракрасных детекторов, солнечных элементов и ион-селективных электродов. До сих пор PbS остается одним из важнейших материалов оптоэлектроники и сенсорной техники. В связи с этим сульфид свинца был выбран в качестве базового соединения для формирования на его основе пересыщенных твердых растворов с сульфидами кадмия, цинка, меди (I, II), серебра. Получение твердых растворов значительно увеличит номенклатуру функциональных полупроводниковых материалов для фотодетекторов УФ-, ИК-и видимого диапазонов, люминофоров, термоэлементов, преобразователей солнечной энергии, тонкопленочных транзисторов для панельных дисплеев, нанострук-турированных катализаторов, химических сенсоров для токсичных газов, ионсе-ных электродов и оптически активных покрытий. При использовании традиционных высокотемпературных методов синтеза в системах PbS-CdS, PbS-ZnS, PbS-Ag2S из-за несовершенного изоморфизма возможно получение твердых растворов с крайне малой взаимной растворимостью компонентов. Данные о значимой растворимости CuS и C112S в сульфиде свинца в литературе отсутствуют.

Большими возможностями в получении пересыщенных твердых растворов халькогенидов металлов обладает гидрохимический метод синтеза. До настоящего времени он использовался преимущественно для получения тонких пленок бинарных халькогенидов металлов.

Принимая во внимание вышеизложенное, весьма актуальным является исследование возможности гидрохимического осаждения плёнок тройных пересыщенных твёрдых растворов CdxPbixS, Zn^Pb^S, Ag^Pbi^S, Cu,Pbi,S, Си(х° Pbi^S, где x значительно превышает равновесные значения, разработка физико-химических основ их целенаправленного синтеза, а также исследование структуры, состава и сенсорных свойств.

Настоящая работа является результатом систематических исследований, проведенных за последние 28 лет в Уральском государственном техническом университете - У ПИ.

Работа выполнена в соответствии с тематикой исследований, проводимых в рамках единого заказ-наряда УГТУ-УПИ по направлению "Разработка физико-химических основ получения из водных сред материалов на основе халькогенидов, оксидов, галидов металлов с широким спектром заранее заданных электрофизических и химических свойств" (коды ГРНТИ 31.15.19, 31.15.27; 1999-2003 гг.), научно-технических программ: "Пленки" в соответствии с Координационным планом АН СССР (1980-1982 гг.), "Малотоннажные наукоемкие технологии", "Трансфертные технологии, комплексы и оборудование", "Датчики" в соответствии с научно-техническим планом Министерства общего и профессионального образования РФ (1991-1999 гг.), а также в рамках программы "Интеграция" грант И 0965 (2002-2003 гг.), программы Министерства образования РФ № 04.01 "Научно-технические исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники" (2000-2001 гт.) по направлению "Охрана атмосферного воздуха" (ГРНТИ 44.01.94; 87.17.81; 59.35.35.20). Исследования были поддержаны Российским фондом фундаментальных исследований (грант № 01-03-96518 РФФИ-Урал, 2000-2002 гг.), Американским фондом CRDF (грант REC-005 НОЦ "Перспективные материалы", 2001-2003 гг.), Уральским региональным фондом "Прогресс", 1994-1995 гт.

Цель работы. Установление физико-химических закономерностей гидрохимического синтеза тонких пленок изо- и гетеровалентных пересыщенных твердых растворов замещения MeJPbi*S (Me - Zn, Cd, Cu, Ag). Исследование их химического состава, структуры, морфологии, устойчивости, механизма зарождения и роста, а также сенсорных свойств.

Поставленная цель достигалась решением следующих экспериментальных и теоретических задач:

1. Разработка методики расчетов ионных равновесий в сложных реакционных смесях с учетом температурного и кристаллизационного факторов для нахождения условий совместного образования сульфидов металлов PbS и CdS, PbS и ZnS, PbS и CuS, PbS и Cu2S, PbS и Ag2S.

2. Исследование кинетических особенностей образования твёрдой фазы сульфидов металлов, составление формально-кинетических уравнений скоростей реакции с определением частных порядков по компонентам раствора и энергий активации процесса.

3. Нахождение условий гидрохимического осаждения пересыщенных твёрдых растворов CdjPbi^S, Zn^Pbi^S, CuJPbi-^S, Cu®Pbi^S, Ag^Pbi^S различного состава и получение их в виде тонких плёнок.

4. Установление влияния концентраций компонентов реакционной смеси, температуры, рН и анионной компоненты соли металла на состав твёрдых растворов.

5. Исследование кристаллической структуры, химического состава, морфологии, термической и временной устойчивости плёнок пересыщенных твёрдых растворов замещения на основе сульфида свинца.

6. Исследование особенностей механизма зарождения и роста плёнок сульфидов металлов и пересыщенных твердых растворов замещения на их основе при гидрохимическом синтезе.

7. Исследование сенсорных свойств плёнок пересыщенных твёрдых растворов замещения к оптическому излучению и присутствию в воздухе микроконцентраций ряда токсичных газов (NO, NO2, СО, НС1).

Научная новизна:

- установлены температурные зависимости полной и ступенчатых констант ионизации цианамида, гидролитического разложения тиомочевины, констант нестойкости комплексных ионов, произведений растворимости сульфидов свинца, кадмия, цинка, меди (I, II), серебра и гидроксидов свинца, кадмия, цинка в водных средах;

- определены условия совместного образования в водных растворах сульфидов PbS и CdS, PbS и ZnS, PbS и CuS, PbS и Cu2S, PbS и Ag2S в присутствии различных комплексообразующих агентов с учетом влияния температурного и кристаллизационного факторов;

- выявлены кинетические закономерности гидрохимического осаждения индивидуальных сульфидов свинца, меди (I), кадмия, серебра для различных условий;

- впервые осаждением из водных растворов в низкотемпературных условиях (303-363 К) получены тонкие пленки пересыщенных твердых растворов замещения CdJPb^S (0 <х< 0.204), ZnJPb^S (0 <jc< 0.02% CuJPb^S (0 < х < 0.016), Cu^Pb^S^ (0 <x < 0.086), AgjPb^S^ (0 <x < 0.16);

- исследованы кристаллическая структура, элементный и фазовый состав, характер распределения примесей и морфология пленок сульфида свинца и пересыщенных твердых растворов замещения на его основе CdJPbj^S, Zn^Pbj^S, CiijcPb^S, Cu^Pb^S^j, Ag^Pb^S^ в зависимости от условий получения;

- впервые установлено влияние анионной компоненты соли металла на состав гидрохимически осажденных плёнок пересыщенных твердых растворов замещения; предложен механизм этого воздействия;

- установлены температурные границы стабильности плёнок пересыщенных . твердых растворов замещения Cd^Pbi-^S, высокая устойчивость во времени и к воздействию больших доз ^-излучения;

- определена термическая ширина запрещенной зоны пересыщенных твердых растворов замещения Zn^Pbi^S, AgxPb1.JCS1(J в зависимости от состава;

- выявлены сенсорные свойства твердых растворов замещения Cu^Pb^S,^, AgxPb^S^ к присутствию в воздухе токсичных газов NO, NO2, СО, НС1;

- установлено проявление размерного эффекта при образовании пересыщенных твердых растворов различного состава на основе PbS: с уменьшением размеров кристаллитов осажденной пленки увеличивается содержание замещающего компонента в решетке сульфида свинца;

- предложен механизм формирования плёнок сульфидов металлов и пересыщенных твёрдых растворов на основе принципов фрактального формализма.

- На защиту выносятся:

1. Результаты расчетов ионных равновесий в водных растворах сложного состава с учетом температурного и кристаллизационного факторов.

2. Результаты определения температурных зависимостей в водных растворах констант ионизации цианамида, гидролитического разложения тиомочевины, констант нестойкости комплексных ионов, произведений растворимости сульфидов и гидроксидов металлов.

3. Результаты кинетических исследований гидрохимического осаждения сульфидов свинца, кадмия, меди (I), серебра для различных условий.

4. Результаты гидрохимического осаждения плёнок пересыщенных твердых растворов замещения различных составов Cd^Pbi^S, Zn^Pb^S, CuJPb^S, Си™ Pbi-jSi-a AgJPbi-xSi-^.

5. Установленные закономерности и механизм влияния анионной компоненты соли металла на состав пленок пересыщенных твёрдых растворов замещения.

6. Результаты определения кристаллической структуры, химического состава, морфологии, устойчивости плёнок пересыщенных твёрдых растворов замещения.

7. Механизм зарождения и роста пленок сульфидов металлов, а также механизм формирования пересыщенных твердых растворов замещения на основе принципов фрактального формализма.

8. Результаты исследования сенсорных свойств плёнок пересыщенных твёрдых растворов замещения к видимому и ИК-излучению, к присутствию в воздухе микроконцентраций ряда токсичных газов (NO, NO2, СО, НС1). Практическая ценность. В работе получен оригинальный справочный материал по температурным зависимостям константы гидролитического разложения тио-мочевины, полной и ступенчатым константам ионизации цианамида в температурном диапазоне 298-353 К.

Выявлены общие закономерности гидрохимического синтеза пленок новых полупроводниковых материалов - пересыщенных твердых растворов замещения CdjPbi-jS, Zn^Pbi-jS, CujPbi-jS, Cu®PbixSift A&Pb^Si^ и найдены условия их получения. Установленные закономерности обладают предсказательным характером и позволяют прогнозировать оптимальные составы твёрдых растворов в соответствии с требуемыми характеристиками и возможными областями применения.

Установлена высокая стабильность состава и фотоэлектрических свойств пленок пересыщенных твердых растворов замещения Cd^Pb^S к длительному хранению, воздействию мощного ^излучения; определена верхняя температурная граница устойчивости твердых растворов Cd^Pb^S, что расширяет область их практического использования в качестве высокочувствительных фотодетекторов к видимому и ближнему ИК-диапазону.

Для промышленого внедрения в НПО "ЭЛАС" (г. Зеленоград) передана технология гидрохимического осаждения плёнок Cd^Pbj-^S на подложки из окисленного кремния, а также на предварительно сформированные микроэлектронные структуры.

Организациям и предприятиям страны поставлено более 1000 различных ИК-детекторов и фотоприемных устройств на основе пересыщенных твердых растворов замещения CdJPb^S для комплектации оптоэлекгронной аппаратуры, в том числе в составе орбитальных спекгрорадиометрических комплексов "Фрагмент" и "МСУ-В".

Установлены составы пленок пересыщенных твердых растворов замещения Cu^ PbIJCS1& Ag^Pbi^Si-a перспективные в качестве материалов сенсорных элементов для аналитического определения в воздухе микроконцентраций NO, N02, СО, НС1.

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертации доложены и обсуждены на VI, VII Республиканских конференциях молодых ученых (Таллин, 1985, 1987), VI Республиканском семинаре по физике и технологии кристаллов и пленок (Ивано-Франковск, 1986), III и IV Всесоюзных совещаниях по химии и технологии халькогенов и халькогенидов (Караганда, 1986, 1990), Всесоюзном семинаре по микроэлектронике (Зеленоград, 1986), XII Всесоюзной конференции по микроэлектронике (Тбилиси, 1987), Межвузовской конференции "Наука и ее роль в ускорении научно-технического прогресса" (Воронеж, 1987), I и II Уральских конференциях "Синтез и исследование халькогенидных пленок" (Свердловск, 1986, 1988), VII Всесоюзной конференции "Химия, физика и техника применения халькогенидов" (Ужгород, 1988), Международных семинарах "Проблемы экологии и охраны окружающей среды" (Екатеринбург, 1996, 1997), Международной научно-технической конференции "Перспективные химические технологии и материалы" (Пермь, 1997), IX научно-технической конференции "Датчики и преобразователи информационных систем измерения, контроля и управления" (Гурзуф, 1997), VII Всероссийской конференции "Физико-химические основы и практическое применение ионообменных процессов" (Воронеж, 1996), Республиканской научной конференции "Проблемы энергосбережения" (Благовещенск, 1998), Всероссийской научно-практической конференции

Проблемы сжигания углеводородных топлив" (Москва, 1998), IV Всероссийском научно-практическом симпозиуме с международным участием "Новое в экологии и безопасности жизнедеятельности" (Санкт-Петербург, 1999), Международном экологическом конгрессе "Новое в экологии и безопасности жизнедеятельно-. ста" (Санкт-Петербург, 2000), VII, VIII International Conference on Physics and Technology of Thin Films (Ivano-Frankivsk,. 1999, 2001), International Conference "Perspective materials" (Kiev, 1999), Всероссийских научных симпозиумах "Безопасность биосферы" (Екатеринбург, 1997, 1999), II Межрегиональной конференции с международным участием "Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы" (Красноярск, 1999), XV Уральской конференции по спектроскопии (Заречный, 1999), Fifth International Symposium and Exhibition "Clean water of Russia-99" (Yekaterinburg. 1999), Международных выставках-семинарах "Уралэкология-Техноген" (Екатеринбург, 1998, 2000), Международной научной конференции "Кинетика и механизм кристаллизации" (Иваново, 2000), V International seminar "Evolution of unsound structure in condense mediums" (Barnaul, 2000), Всероссийской конференции "Химия твердого тела и функциональные материалы" (Екатеринбург, 2000), научно-практической конференции "Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии" (Кисловодск, 2001), Всероссийской конференции "Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии" (Саратов, 2001), Международной научной конференции "Кристаллизация в наносистемах" (Иваново, 2002), I Всероссийской конференции "Физико-химические процессы в конденсированных состояниях и на межфазных границах ФАГРАН-2002" (Воронеж, 2002), научных конференциях "Герасимовские чтения" (Москва, 2002, 2003), научно-практической конференции "Теория и практика электрохимических производств. Современное состояние и перспективы развития" (Екатеринбург, 2003), семинарах СО РАН-УрО РАН "Термодинамика и материаловедение" (Новосибирск, 2001, 2003), IV Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Москва, 2003).

Образцы изготовленных фотоприемников на основе пересыщенных твёрдых растворов CdJPbi^S демонстрировались на ряде научно- технических выставок, в том числе международных: "Высокие российские технологии"- Вашингтон, США, 1994 г.;

Новые материалы из России"- Эрланген, Германия, 1994 г.; СЕЕТЕХ-94 - Лондон, Великобритания, 1994 г.; "Достижения высшей школы Российской Федерации" - Берлин, Германия, 1995 г.; Выставка-ярмарка "Российская экспозиция" -Ганновер, Германия, 1997 г.; "Российская выставка промышленных технологий, бизнеса и предпринимательства" - Сан-Паулу, Бразилия, 1997 г. Публикации По результатам исследований опубликовано 107 печатных работ, в том числе 34 статьи в отечественных журналах и сборниках, получено 4 авторских свидетельства и 2 патента, 67 тезисов докладов в трудах региональных, Всероссийских, Всесоюзных и международных конференций.

Объем и структура работы. Диссертационная работа состоит из введения, 7 глав, заключения, общих выводов, списка литературы и приложений. Материал изложен на 386 страницах. Работа содержит 81 рисунок, 30 таблиц. Библиографический список состоит из 442 наименований цитируемой литературы.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Маскаева, Лариса Николаевна

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Разработана методика расчетов ионных равновесий в сложных реакционных смесях с учетом их состава, температурного и кристаллизационного факторов. Предложены аналитические уравнения для нахождения условий совместного образования в водных средах сульфидов свинца и кадмия, свинца и цинка, свинца и меди (I, II), свинца и серебра в диапазоне температур 298-353 К.

2. Исследованы кинетические особенности образования твердой фазы бинарных сульфидов металлов в условиях самопроизвольного и контролируемого зарождения с использованием стационарного реактора и реактора идеального вытеснения. Составлены формально-кинетические уравнения скоростей процессов с определением частных порядков по компонентам реакционной смеси и энергий активации. Рассчитаны размеры критических зародышей сульфидов металлов в зависимости от их природы и условий образования.

3. Впервые получены гидрохимически осажденные тонкие пленки изо- и гете-ровалентных пересыщенных твердых растворов замещения различных составов: CdjPb^S (0 < х < 0.204), Zn^Pbi-jS (0 < х £ 0.024), CuJPb^S (0 < х < 0.016), Cu^Pb^S^ (0 < х < 0.086, S< 0.07-0.09), Ag^b^S^ (0 < х < 0.16, S< 0.040.8). По уменьшению степени изоморфного замещения свинца в твердых растворах MeJPbi-JS (Me - Zn, Cd, Cu, Ag) элементы образуют последовательность Cd > Ag > Си (I) > Zn > Си (II), совпадающую с рядом увеличения разности электронных плотностей PbS и соответствующих сульфидов.

4. Исследована структура, элементный и фазовый состав, морфология пленок пересыщенных твердых растворов Me^Pb^S (Me-Cd, Zn, Си, Ag), а также распределение в них примесей с привлечением рентгеновской и нейтронной дифракции, ИК- и КР- спектроскопии, термодесорбционной масс-спектромет-рии, оже-электронной, энерго-дисперсионной и атомно-абсорбционной спектроскопии, сканирующей зондовой электронной микроскопии. Установлено влияние на их состав концентраций компонентов реакционной смеси, температуры, рН, анионной компоненты солей металлов. Проведены низкотемпературные исследования соединений и определена их термическая ширина запрещенной зоны. Установлены температурные границы начала деградации и временная устойчивость полученных пересыщенных твердых растворов замещения, стойкость к большим дозам ^-излучения.

5. Исследованы фото- и сенсорные свойства пленок пересыщенных твердых растворов Me^Pb],S в зависимости от состава. Установлена высокая фоточувствительность твердых растворов замещения Cd^Pbi^S в ближней ИК области спектра и поверхностная чувствительность Cu^Pb^S,.^, Ag^Pb^S^ к микроконцентрациям NO, NO2, СО, НС1 в воздухе, что позволяет рекомендовать их в качестве материалов химических сенсоров. НПО "ЭЛАС" передана к промышленному внедрению технология нанесения плёнок пересыщенных твёрдых растворов CdjPbi-jS на подложки из окисленного кремния и микроэлектронные структуры. Более 1000 фотодетекгоров на основе пересыщенных твёрдых растворов использованы в оптоэлектронной аппаратуре, в том числе орбитального базирования.

6. По результатам физико-химических исследований поведения и продуктов реакционных систем предложены основные положения механизма формирования пленок сульфидов металлов и твёрдых растворов на их основе в процессе гидрохимического синтеза с использованием принципов фрактально-кластерного формализма. Образование пересыщенных твердых растворов замещения является следствием проявления размерных эффектов при формировании структуры и определяется ее стремлением к уменьшению свободной энергии с образованием локальных энергетических минимумов.

7. Продемонстрированы возможности гидрохимического метода синтеза для получения новых функциональных полупроводниковых материалов на основе пересыщенных твердых растворов замещения сульфидов ряда металлов. Предложенная в работе последовательность расчетно-экспериментальных операций и установленнные физико-химические закономерности синтеза, а также апробированные методы исследования могут быть использованы для гидрохимического получения других классов соединений сложного состава.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Полученные в настоящей работе результаты исследований и сделанные обобщения в первую очередь свидетельствуют о широких возможностях гидрохимического метода синтеза трехкомпонентных соединений, отличающихся относительной стабильностью при высоком уровне неравновесного состава. Осажденные пленки пересыщенных твердых растворов замещения в системах PbS - CdS, PbS - ZnS, PbS - CuS, PbS - Ag2S, PbS - Cu2S образуют новую и очень интересную для практического применения группу полупроводниковых материалов.

На конкретных примерах в работе сформулированы общие принципы получения пересыщенных твердых растворов замещения сульфидов металлов и предложены способы их формирования различного состава. Важная роль в этом процессе принадлежит коллоидным частицам, обладающим большой свободной энергией с высокой поверхностной составляющей. Условия, реализуемые при гидрохимическом осаждении пленок позволяют значительно расширить концентрационные пределы изоморфного замещения элементов, накладываемые, известными из литературы, кристаллохимическими факторами.

В диссертации получила дальнейшее развитие, используемая уральской школой, методика определения областей образования сульфидов металлов, в которой для повышения точности прогноза учтены температурный и кристаллизационный факторы. Учет второго из них не менее важен, так как включает в себя не только вклад задаваемой степени пересыщения по сульфиду металла, но и позволяет прогнозировать наиболее вероятную кристаллографическую ориентацию пленок. Влияние введенных факторов наглядно продемонстрировано на примере синтеза сульфида свинца из плюмбитной и трилонатной систем и сульфида кадмия из аммиачной системы.

Для учета влияния на граничные условия образования сульфидов металлов температуры процесса в работе были проведены обширные исследования с использованием различных экспериментальных и расчетных методов по определению температурных зависимостей константы разложения тиомочевины, констант нестойкости комплексных ионов металлов, произведений растворимости сульфидов и гидроокисей металлов, знание которых необходимо для оценки поведения систем в различных температурных условиях. Особо стоит отметить впервые найденные потенциометрическим методом и имеющие справочный характер, значения полной и стуенчатых констант ионизации цианамида в интервале 298 - 343 К, трудности надежного определения которых из-за близости их величин общеизвестны.

Большое внимание в работе уделено кинетическим исследованиям. Значимость их трудно переоценить как с точки зрения прогнозирования составов реакционной смеси, так и формирования микроструктуры пленок. Независимо от условий проведения процесса, состава реакционной смеси образование сульфидов металлов с учетом точности аналитических методов определения металлов и воспроизводимости экспериментальных данных практически всегда классифицируется как реакция первого порядка. С другой стороны, частные порядки по тиомочевине, щелочи, комплексообразующим агентам имеют определенный диапазон варьирования.

Что касается энергии активации образования различных сульфидов, то, во-первых, эта величина сильно зависит от механизма зарождения твердой фазы, резко возрастая при ее гомогенном варианте, особенно в случае сульфида серебра. Во-вторых, что особенно интересно, возрастание энергии активации происходит при переводе процесса из стационарных условий в реактор идеального вытеснения. Объяснение этому может быть дано с позиций несоответствия индукционного периода синтеза и времени пребывания реакционного раствора в объеме реактора.

В работе была предпринята успешная попытка использования результатов кинетических исследований осаждения PbS, CdS, Ag2S для расчета числа первичных частиц в объеме и размеров критических зародышей. Как и ожидалось, минимальный радиус 0.9-1.1 нм характеризует начальную стадию образования сульфида серебра, учитывая задаваемую по нему высокую степень пересыщения. В случае сульфидов свинца и кадмия, зарождающихся по гетерогенному механизму радиусы зародышей значительно больше приведенных для Ag2S и близки между собой, составляя 3.1-3.8 нм.

Особое внимание было уделено исследованию влияния условий образования пленок из различных реакционных смесей на химический состав и морфологию слоев применительно к сульфиду свинца, как базовому соединению для синтеза твердых растворов замещения. Установлен ряд его особенностей, характерных для гидрохимически осажденных пленок: значительная неоднородность распределения по толщине слоя кислорода, концентрация которого выше вблизи подложки и на поверхности пленки, а также увеличение нестехиометрии PbS по сере в направлении к внешней поверхности слоя, достигающее нескольких процентов.

Для сравнительной оценки возможности образования твердых растворов в работе сделан прогноз изоморфной смесимости PbS с Ag2S, Cu2S, CuS, ZnS, CdS. При этом сопоставлялись кристаллографические и энергетические характеристики (разность ионных радиусов, электроотрицательностей, сходство кристаллических решеток и т.д.), а также рассчитанные значения разности электронных плотностей исследуемых сульфидов. В рассматриваемых системах складываются неблагоприятные условия для реализации процесса изоморфного замещения. Однако, полученные в работе пересыщенные твердые растворы по уровню максимального замещения в них свинца удовлетворительно коррелируют с величинами, характеризующими разность электронных плотностей сульфидов свинца и соответствующего металла CdS > Ag2S > Cu2S > ZnS > CuS. Полученные результаты позволяют назвать этот параметр в качестве основного для оценки возможной изоморфной смесимости, учитывая относительную простоту его расчета.

Приведенные в работе результаты прогнозируемого содержания замещающих компонентов в кристаллической решетке PbS, полученные на основе принципов классической термодинамики: энергетической теории изоморфного замещения, предложенной Урусовым для равновесных условий, подтвердили практически значимое отсутствие растворимости CdS, ZnS, CuS в сульфиде свинца при температурах ниже 363 К. Однако сравнительная оценка растворимостей в области температур > 1000 К может наряду с разностью электронных плотностей также играть роль качественного показателя изоморфной смесимости, уступая ему в простоте выполнения.

Исследование наиболее изученной к настоящему времени системы PbS -CdS позволило получить ряд принципиально новых результатов. Оптимизация условий получения твердых растворов Cd^Pb^S привела к дальнейшему увеличению уровня пересыщения по CdS, доведя его до 20.4 мол.%. При этом содержание входящей в пленку индивидуальной аморфной фазы этого соединения в зависимости от условий осаждения может находиться в диапазоне от 0 до 100 мол.%. По результатам оже-электронной спектроскопии выявлен автоколебательный характер послойного рапределения примесного хлора, что демонстрирует определенные элементы самоорганизации в системе.

Особо следует отметить установленные закономерности влияния вида преобладающей анионной компоненты реакционной смеси на состав твердого раствора. До настоящего времени этому явлению не придавалось должного внимания. По увеличению содержания CdS в твердом растворе анионные компоненты соли кадмия образуют последовательность: Г < Вг~ < СГ < СН3СОО~ < >Юз~ < SO Приведенная последовательность объяснена различным уровнем активации тиомочевины в результате присоединения к тиокарбонильному атому углерода анионов, отличающихся различной степенью нуклеофильности. Механизм активации заключается в ослаблении связи углерод - сера из-за перераспределения в молекуле N2H4CS электронной плотности. Отметим, что при получении твердых растворов в системе PbS - Cu2S выявлены аналогичные соответствия между солями CuS04, Cu(N03)2, Си(СНзСОО)2, используемыми в приготовлении реакционной смеси.

В работе определены условия синтеза и получены пленки изовалентных пересыщенных твердых растворов ZnxPbixS и CuxPbixS, максимальные значения х в которых составили соответственно 2.4 и 1.6 мол.%, что имеет принципиальное значение. Следует сказать, что условия изоморфного замещения в этих системах крайне неблагоприятны. Известно, что даже при 1070 К растворимость ZnS в сульфиде свинца не превышает 0.6 мол.%, а формирование твердого раствора замещения Cii^b^S теоретически возможно лишь при относительно низких температурах из-за изменения степени окисления Си2+ до Си+ при Т > 473 К. Сведений о получении этого соединения нами в литературе не обнаружено.

Впервые гидрохимическим синтезом получены также пленки пересыщенных гетеровалентных твердых растворов замещения Cu^Pb^S,^(0 < х < 0.086, S = 0.07-0.09) и AgxPb,xS,j (0 < х < 0.16, 6= 0.04-0.08) с кубической структурой

1. Полученные данные растворимости Cu2S и Ag2S в сульфиде свинца намного превышают значения для равновесных высокотемпературных условий. Наряду с использованием прецезионного рентгеновского анализа, содержание и валентное состояние меди в структуре Cu^Pb^S^ было подтверждено расчетом с использованием метода валентных сумм.

Следует сказать, что для подтверждения формирования пересыщенных твердых растворов в исследуемых системах в работе в качестве дополнительного метода широко использовалась спектроскопия комбинационного рассеяния, результаты которой хорошо коррелируют с данными рентгеновского и нейтронного анализов.

В работе дан ясный ответ на актуальный для практического применения полученных пересыщенных соединений вопрос: какова их временная стабильность и устойчивость, в частности, к ионизирующим излучениям. На примере Cd^Pbi^S показано, что, несмотря на высокую степень пересыщения экспериментальных образцов, в течение 10 лет не происходит изменение их состава, структуры и основных электрофизических свойств. Заметных изменений этих параметров не отмечается также после воздействия ^-излучения с экспонированной дозой до 107 Р.

Пересыщенные твердые растворы замещения Cd^PbixS различного соста-ва в настоящее время нашли применение в качестве высокочувствительных материалов к оптическому излучению в видимой и ближней ИК-области спектра. На их основе изготовлено более 1000 фоторезисторов для оптоэлектронной аппаратуры, в том числе авиационного и орбитального назначения (спектрорадиометрические комплексы "Фрагмент", "МСУ-В"). Особенность разработанных фоторезисторов в уникальном сочетании высокой вольт-ватгной чувствительности и быстродействия. Фоточувствительными свойствами в ближней ИК-области спектра обладают также и пленки твердых растворов замещения Zn^Pbi-^S. Для систем PbS-Ag2S и PbS-Cu2S установлено повышение фоточувствительности слоев PbS в пределах легирующего действия ионов Ag+ и Си+. Однако с началом образования твердых растворов замещения Cu^Pb^S^H Ag ХРЬ,S, происходит снижение фоточувствительности полученных слоев. В то же время пленки этих соединений обладают выраженными сенсорными свойствами по отношению к присутствию в воздухе низких концентраций ряда токсичных газов, например, NO, N02, СО, HCI, и являются перспективными материалами для химических сенсоров.

На основе анализа большого числа экспериментальных данных, результатов электронной микроскопии высокого разрешения пленок на различных стадиях роста в работе предложен механизм их зарождения и последующего формирования. Важное место в процессе зарождения пленки в ряде случаев отведено коллоидной составляющей раствора в форме гидрооксида металла. Образование фазы сульфида является следствием разрушения промежуточных реакционных комплексов состава тиомочевина - ион металла - нуклеофил, возникших в результате адсорбционных процессов на поверхности гидроксида. Активный рост пленок сульфидов металлов и твердых растворов происходит, вероятно, по фрактально-кластерному механизму, основой которого по результатам расчетов фрактальных размерностей, является кластер-кластерная агрегация частиц. Формирование пленки предложено рассматривать в виде иерархической последовательности масштабно-структурных уровней, в качестве которых выступают критические зародыши, фрактальные кластеры, зерна, микрокристаллы.

Фрактально-кластерный подход к образованию пленок достаточно легко объясняет природу возникновения пересыщенного состояния в гидрохимически осажденных твердых растворах. Условием их образования является большой вклад поверхностной составляющей в свободную энергию системы во фрактальной структуре. Проявлением этого является возникновение размерных эффектов в системе. Приведенные на примере пересыщенных твердых растворов Cd^Pbi^S зависимости, характеризующие увеличение содержания сульфида кадмия в пленках твердого раствора с уменьшением размеров формирующих их микрокристаллов, убедительно это показывают.

Возникновение пересыщений по замещающему компоненту можно трактовать как проявление диссипативного процесса с образованием пусть неравновесного, но все же энергетически выгодного по сравнению с исходным положением промежуточного структурного состояния.

Таким образом, поставленная в работе цель достигнута путем решения ряда экспериментальных и теоретических задач. Установлены общие физико-химические закономерности гидрохимического синтеза изо- и гетеровалентных пересыщенных твердых растворов замещения CdxPbixS, ZnJPbi-^S, CuxPbixS Cu^Pb^S^, AgxPb^S^ различных составов. Исследован механизм их зарождения и роста, химический состав, структура, морфология и сенсорные свойства.

Однако полученные результаты имеют гораздо более важное значение. Они открывают широкие перспективы в конструировании гидрохимическим методом метастабильных многокомпонентных полупроводниковых соединений не только на основе сульфидов, но селенидов и теллуридов металлов, а также веществ оксидной природы, являющихся важными соединениями современной микроэлектроники. Создание пересыщенных твердых растворов с их участием позволит расширить номенклатуру функциональных материалов электронной техники с новыми свойствами. Задача облегчается тем, что селениды, теллуриды и оксиды тяжелых металлов могут быть получены осаждением из водных сред с использованием общих с сульфидами принципов и технологических приемов. Для ее решения применимы также предложенная в настоящей работе последовательность расчетно-экспериментальных операций и установленные общие физико-химические закономерности гидрохимического синтеза, а также апробированные в работе экспериментальные методы исследования.

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Маскаева, Лариса Николаевна, 2004 год

1. Гольдшмидт В. М. Строение кристаллов и химический состав // Успехи физич. наук. 1929. Т. 8. С. 810.

2. Goldschmidt V. М. et al. The empirical ionic radii of elements // Sor. norske Vidensk. Acad. Oslo. Mat.-Nat. Kl. 1926. № 2.

3. Ферсман A.E. Геохимия. В 3 т. Л.: ОНТИ. Т.1. 1933. Т. 2 1934., Т. 3. 1937.

4. Ферсман А. Е. Направленный (полярный) изоморфизм II Доклады АН СССР. Новая серия. 1936. Т. 1. № 3.

5. Юм-Розери В. Введение в физическое металловедение. М.: Металлургия. 1965.204 с.

6. Лебедев В.И. Основы энергетического анализа геохимических процессов. Л.: ЛГУ. 1957.342 с.

7. Лебедев В. И. О закономерностях изоморфизма // Геохимия. 1959. № 6. С. 483-494.

8. Поваренных А. С. О главных факторах, определяющих изоморфизм в элементах// Минералог, сб. Львовск. гос. ун-та. 1964. № 18. С. 126-144.

9. Макаров Е. С. Изоморфизм атомов в кристаллах. М.: Атомиздат. 1973. 288 с.

10. Урусов B.C. Энергетическая кристаллохимия. М.: Наука. 1975. 335 с.

11. Урусов В. С. Теория изоморфной смесимости. М.: Наука. 1977. 253 с.

12. Годовиков А. А. О связи свойств элементов со структурой и свойствами минералов. М.: Наука. 1989. 148 с.

13. Мозгова Н. Н. Об изоморфизме в сульфидах и их аналогах. Сб. работ. Изоморфизм в минералах. М.: Наука. 1975. С. 86-107.

14. Белов Н. В. Новые представления об изоморфных замещениях. Тезисы докладов. Симпозиум по проблеме изоморфизма. Л.: ЛГУ. 1966. С. 125.

15. Вернадский В. И. Опыт описательной минералогии. Изб. соч. в 5 т. М.: АН СССР. 1955. Т. 2.615 с.

16. Власов К. А. Периодический закон и изоморфизм элементов. М.: Изд-во ИМГРЭ. 1963.250 с.

17. Геохимия, минералогия и генетические типы месторождения редких элементов. Под ред. К. А.Власова. Т. 2. Минералогия редких элементов. М.: Наука. 1964. 830 с.

18. Чаус И. С., Шека И. А. Реакционная способность сульфидов // Успехи химии. 1969. Т. 38. В. 5. С. 797-821.

19. Годовиков А. А. Минералы ряда висмутин-галенит. Новосибирск: Наука. 1965. 188 с.

20. Бацанов С. С. Электроотрицательность элементов и химическая связь. Новосибирск: СО АН СССР. 1962. 386 с.

21. Онтоев Д. О., Ниссенбаум П. Н., ОргановаН. И. Природа высокого содержания висмута и серебра в галенитах Букукинского месторождения и некоторые вопросы изоморфизма в системе PbS-Ag2S-Bi2S3 // Геохимия. 1960. №5. С. 414-426.

22. Saito К. Relations between Chemical composition and physical properties of galena U J. Japan. Ass. Miner. Petrol. Econ. Geol. 1961. V.46. № 5. P. 57-68.

23. Bethke P. M., Barton P. B. Sub solids relations in the sysyem PbS-CdS //Amer. Miner. 1971. V. 56. № 11-12. P. 2034-2039.

24. Calawa A. R., Mrcoczkowski J. A., Harman Т. C. Preparation and properties of PbjCd^S/VJ. Electron. Mat. 1972. V. 1. P. 191-201.

25. Stetiu P. Sur le diagram d'egeuelibre du systeme PbS-CdS // Phys. Stat .Solid. 1973. V. 15. P. 19-26.

26. Фазовая диаграмма системы PbS-CdS / Олейник Г. С., Мизецкий Г. А., Низкова А. И. и др. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1983. Т. 19. № 11. С. 1799-1801.

27. Bethke P. М., Barton Р. В. Sub-solids relations in the system PbS-CdS // U S. Geol. Sur. Prof. Pap. 1961. V. 424B. P. 266.

28. Stetiu P. About some trasport phenomena in PbixCdxS solid solutions // J. Phys. Chem. Solids. 1976. V. 37. P. 457-460.

29. Kepi W., Zemel J. N. Properties of CdxPbi.xS epitaxial films // J. Vac. Sci. Tech. (USA). 1969. V. 6. № 4. P. 494-501.

30. Sood А. К., Wu К., Zemel J. N. Metastable Pb^Cd^S epitaxial films. 1.Growth and Physical Properties //Thin Solid Films. 1978. V. 48. P. 73-86.

31. Sood A. K., Wu K., Zemel J. N. Metastable Pb^Cd^S epitaxial films. II.Electrical properties // Thin Solid Films. 1978. V. 48. P. 87-94.

32. Jensen J. D., Scholar R. B. Electrical properties of Pb^Cd^S epitaxial films // J. Electron. Mat. 1978. V. 7. № 2. P. 237-252.

33. Томашик В. H., Грыцив В. Н. Диаграммы состояния систем на основе соединений А1^^. Справочник. Киев: Наукова Думка. 1982. 167 с.

34. Гелетий В. Ф., Чернышев Л. В., Пастушкова Т. М. Распределение кадмия и марганца между галенитом и сфалеритом // Геология рудных месторождений. 1979. Т. 21. №6. С. 66-75.

35. Урусов В. С., Таусон В JL, Акимов В. В. Геохимия твердого тела. М.: ГЕОС. 1997. 500 с.

36. Кулаков М. П., Соколовская Ж. Д. Дифференциально-термический анализ системы HgS-PbS // Журн. неорган, химии. 1975. Т. 20. № 8. С. 2290-2291.

37. Sharma N. С., Pandya D. К., Sehgal Н. К., Chopra К. L. The structural properties of Pb^Hg^S films of variable optical gap // Thin Solid Films. 1977. V. 42. № 3. P. 383-301.

38. Бундель А. А., Вишняков А. В., Зубковская В. H. Растворимость Cu2S в ZnS и CdS //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1970. Т. 6. № 7. С. 1248-1251.

39. Clark А. Н., Sillitoe R. Н. Cuprian sphalerite and a probable copper-zinc sulfide. Cachiyoyo de Llampos, Copiapo, Chile //Amer. Miner. 1970. V. 55. № 5-6.1. P. 1021-1025.

40. Шелимова JI. E., Томашик В. H., Грыцив В. И. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb). M.: Наука. 1991. 368 с.

41. Graeser S. Mineralogish-geochimishe Untersuchungenan Bleiglanz und Zinkblende // Schwiez. Mineral.und Petr. Mitt. 1971. Bd. 51. № 2-3.

42. Craig J. R., Kullerud G. Phase relations and mineral assemblages in the copper-lead-sulfur system // Amer. Miner. 1968. V. 53. № 1-2. P. 145-161.

43. Clark A. H., Sillitoe R. H. Hawleyite from Mina Coquimbana (Cerro Blanco) Atacama Province, Chile //Neues Jb. Miner. Mh. 1971. № 5. S. 205-210.

44. Исследование кинетики роста поликристаллических пленок Cd^Pb^S при химическом осаждении из водного раствора / Мухамедьяров Р. Д., Китаев Г. А., Маркова В. М., Стук В. И. //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1981. Т. 17. № 10. С.1739-1741.

45. Оптические свойства и фотопроводимость пленок CdxPbixS / Китаев Г. А., Мухамедьяров Р. Д., Васюнина Л. Е. // Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж. 1981. С. 110-114 (Межвуз. сб. тр.).

46. Киркинский В. А. Ассиметрия кривых распада твердых растворов в связи с вопросом о пределе изоморфного вхождения элементов-примесей в минералы // Геохимия. 1964. № 1. С. 42-50.

47. Киркинский В. А., Ярошевский А. А. Физико-химический аспект изоморфизма // Записки Всерос. мин. об-ва. 1967. Т. 96. В. 5. С. 532-546.

48. Grimm Н. G., Herrfeld К. F. Uber Gitterenergie und Gitterab Stand Von Mischkristallen // Z. Phys. 1923. Bd 16. S. 77-85.

49. Becker R. Uber der Aufbau binaren Legierungen // Z. Metallkunde. 1937. Bd. 29. № 8. S. 244.

50. Соболев В. С., Соболев О. С. Физико-химическая трактовка изоморфизма // Научн. зап. Львовск. ун-та. 1948. Т. 9. В. 1. С. 5-12.

51. Ормонт Б. Ф. Термодинамика соединений переменного состава. В кн. Соединения переменного состава. Л.: Химия. 1969. 519 с.

52. Сирота Н. Н. Физико-химическая природа фаз переменного состава. Минск: Наука и техника. 1970.

53. Киркинский В. А. Соотношение геометрического и энергетического факторов при изоморфизме. В кн. Материалы по генетической и экспериментальной минералогии. Новосибирск: Наука. 1970. Т. 7. С. 150.

54. Ярошевский А. А.Термодинамическая интерпретация основных понятий изоморфизма. В кн. Проблемы изоморфных замещений атомов в кристаллах. М.: Наука. 1971. С. 48-61.

55. Урусов В. С. Расчеты термодинамических свойств существенно ионных твердых растворов замещения (изоморфных смесей). В кн. Проблемы изоморфных замещений атомов в кристаллах. М.: Наука. 1971. С. 62-164.

56. Аллахвердов Г. Р. Расчет термодинамических функций образования твердых растворов // Журн. физич. химии. 1980. Т. 54. № 3. С. 617-621.

57. Урусов В. С. О применимости теории твердых растворов Визашерны-Хави при неполной ионности химической связи // Журн. физич. химии. 1969. Т. 43. №2. С.537-538.

58. Гусев А. И. Физическая химия тугоплавких нестехиометрических соединений. М.: Наука. 1991.286 с.

59. Юшкин Н. П. Теория микроблочного роста кристаллов в природных гетерогенных растворах. Сыктывкар: Изд-во Коми АН СССР. 1971. 52 с.

60. Вернадский В. И. Кристаллография. Изб. тр. М.: Наука. 1988. 344 с.

61. Таусон В. Л., Акимов В. В. Концепция вынужденных равновесий в минеральных системах // Геология и геофизика. 1991. № 11. С. 3-13

62. Никольский Б. П., Шульц М. М., Добротин Р. Б. Правило фаз и физическая химия //Журн. физич. химии. 1976. Т. 50. № 12. С. 3019-3030.

63. Комник Ю. Ф. Физика металлических пленок. Размерные и струкутрные эффекты. М.: Атомиздат. 1973. 264 с.

64. Фазовый размерный эффект в высокодисперсных системах / Морохов И. Д., Чижик С. П., Гладких Н. Т., Григорьева Л. К. // Доклады АН СССР. 1978. Т. 243. №4. С. 917-920.

65. Таусон В. Л., Абрамович М. Г. О роли поверхностной энергии в образовании полиморфных модификаций минеральных веществ // Физико-химические модели петрогенеза и рудообразования. Новосибирск: Наука. СО. 1984.1. С. 61-72.

66. Таусон В. Л., Абрамович М. Г. К теории фазового размерного эффекта и его наблюдению в сульфиде ртути // Геохимия. 1985. № 11. С. 1602-1613.

67. Таусон В. JL, Абрамович М. Г. Полиморфизм кристаллов и фазовый размерный эффект: превращение графит-алмаз // Доклады АН СССР. 1986. Т. 287. № 1.С. 201-205.

68. Таусон В. Л., Абрамович М. Г. О полиморфизме сульфидов цинка и кадмия и фазовом размерном эффекте // Минералогический журн. 1982. Т. 4. № 3.1. С. 35-43.

69. Таусон В. Л. О фазовом размерном эффекте в кадмийсодержащем сульфиде цинка и механизме образования политипов // Минералогич. журн. 1983. Т. 5. № 6. С. 23-28.

70. Таусон В. Л. Физико-химический анализ политипии природного сульфида цинка // Минералогич. журн. 1985. Т. 7. № 3. С. 65-73.

71. Сирота Н. Н. О причинах метастабильного состояния при кристаллизации // Журн. теоретич. физики. 1948. Т. 18. В. 9. С. 1136-1148.

72. Таусон В. Л., Чернышев Л. В. Экспериментальные исследования по кристаллохимии сульфида цинка. Новосибирск: Наука. Сибирское отделение. 1981. 192 с.

73. Heckingbottom R. Consideration of the criteria for ordered growth // J. Crystal Growth. 1975. V. 28. № 2. P. 271-272.

74. Chopra K. L. Structural defects in thin films. A review // J. Sci. Ind. Res. 1973. V. 32. № 10. P. 497-510.

75. Шалимова К. В., Морозова Н. К., Солдатов В. С. Кристаллическая структура пленок сульфида цинка // Кристаллография. 1963. Т. 8. В. 3. С. 461-462.

76. Штернберг А. А. Поверхностные структуры и кристаллогенезис. В кн. Кристаллография и кристаллохимия. Л.: Изд-во ЛГУ. 1974. № З.С. 163-173.

77. Skinner В. J., Barton Р. В. Jr. The substitution of oxygen for sulfur in wurtzite and sphalerite // Amer. Miner. 1960. V. 45. № 5-6. P. 612-625.

78. Возможность использования оптическихметодов контроля качества монокристаллов гидротермального сфалерита // Морозова Н. К.,

79. Кузнецов В. А., Штернберг А. А., Каретников И. А. // Кристаллография. 1979. Т. 24. В. 5. С. 1088-1091.

80. Kiyosu Yasuhiro, Nakai Nobuyuki. Hydrothermal syntheses of sphalerite and wurtzite // J. Japan. Assos. Miner., Petrol., Econ.Geol. 1971. V. 66. № 6.1. P. 228-236.

81. Buerger M. J. Polymorphism and phase transformations // Forschr. Miner. 1961. V.39.№ l.P. 9-24.

82. Сысков JI. А., Обухова H. Ф. Оптические свойства монокристаллов ZnS-MgS // В кн. Монокристаллы и техника. Харьков.1974. В. 1. № 10. С. 20-24.

83. Kremheller A., Levine А. К., Gashurov G. Hydrothermal preparation of two-component solid solutions from II-IV compounds // J. Electrochem. Soc. 1960. V. 107. № l.P. 12-15.

84. Рот В. Л. Кристаллография // В кн. Физика и химия соединений AnBVI. М.: Мир. 1970. С. 97-134.

85. Горюнова Н. А. Химия алмазоподобных полупроводников.Л.: Изд-во ЛГУ. 1983. 222 с.

86. Таусон В. Л., Чернышов Л. В. Сфалерит-вюрцитный переход в изоморфных смесях системы ZnS-MnS-CdS-FeS // Геохимия. 1978. № 9. С. 1322-1331.

87. Phillips J. С. Ionicity of the chemical bond in crystals // Rev. Modern. Phys. 1970. V. 42. №3. P. 317-356.

88. Kowalczyk S. P., Ley L., Mc.Feely F. R., Shirley D. A. An ionicity scale based on X-ray photoemission valenceband spectra of AnB8'n and AnB10"n type crystals // J. Chem. Phys. 1974. V. 61. № 7. P. 2850-2859.

89. Таусон В. Л., Чернышов Л. В. Исследование сфалерит-вюртцитного превращения. В кн.: Эксперимент в минералогии и петрографии. М.: Наука. 1975. С. 215-219.

90. Таусон В. Л., Чернышов Л. В. Исследование фазовых отношений и структурных особенностей смешанных кристаллов в системе ZnS-CdS // Геохимия. 1977. №7. С. 1299-1311.

91. Таусон В. JI. Исследование формирования и политипии в системе Zn-S // Геохимия. 1976. №7. С. 1055-1062.

92. Таусон В. JL, Чернышов JI. В., Макеев А. Б. Фазовые отношения и структурные особенности смешанных кристаллов в системе ZnS-MnS // Геохимия. 1977. № 5. С. 679-692.

93. Товбин М. В., Краснова С. И. Стабильность пересыщенных растворов солей // Журн. физич. химии. 1951. Т. 25. В. 2. С. 161-169.

94. Асхабов А. М. Процессы и механизмы кристаллогенезиса. JL: Наука. Лениград. отделение. 1984. 168 с.

95. Glasner A. The mechanism of crystallization; a revision of concepts // Mater. Res. Bull. 1973. V. 8. № 4. P. 413-422.

96. Санитаров В. А., Калинкин И. П. Кристаллохимическое строение твердых растворов на основе А^В41// Журн. физич. химии. 1980. Т. 54. № 3.1. С. 610-616.

97. Амелькин С. В. Роль сил Ван-дер-Ваальса в кинетике массовой кристаллизации // Коллоид, журн. 2001. Т. 63. № 3. С. 293-299.

98. Термодинамический и микроскопический анализ особенностей диаграмм состояния ультрадисперсных систем. Морохов И. Д., Трусов Л. И., Кац Е.И. и др.//Доклады АН СССР. 1981. Т. 261. №4. С. 850-853.

99. Таусон В. Д., Абрамович М. Г. Фазовые отношения реальных кристаллов в минеральных системах // Теоретические и прикладные исследования в минералогии. Сыктывкар: Изд-во Коми АН СССР. 1985. С. 28-29.

100. Таусон В. Л., Абрамович М. Г. Физико-химические превращения реальных кристаллов в минеральных системах. Новосибирск: Наука. Сиб. отделение. 1988. 272 с.

101. Осипов К. А. Аморфные и ультрадисперсные кристаллические материалы. М.: Наука. 1972. 72 с.

102. Метастабильные диаграммы состояния двухкомпонентных систем / Федоров В. Б., Гурский М. А., Калашников В. Г. и др. // Порошковая металлургия. 1981. №3. С. 56-59.

103. Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. М.: Мир. 1969. 274 с.

104. Kicinski F. The preparation of photoconductive cells by chemical deposition of lead sulphide // Chem. Ind. 1948. № 4. P. 54-57.

105. Norr M. K. The lead salt-thiourea reaction // J. Phys. Chem. 1961. V. 65. № 7. P. 1278-1279.

106. Китаев Г. А. Исследование процессов получения пленок халькогенидов в водных растворах, содержащих тио-, селеномочевину и селеносульфат натрия: Дис. . .докг. хим. наук / Уральск.политехн.ин-т. Свердловск. 1971. 431 с.

107. Китаев Г. А., Урицкая А. А., Мокрушин С. Г. Условия химического осаждения сульфида кадмия на твердой поверхности // Журн. физич. химии. 1965. Т. 39. № 8. С. 2065-2066.

108. Лундин А. Б., Китаев Г. А. Кинетика осаждения тонких пленок селенида свинца//Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1965. Т. 1. № 12. С. 1201-1207.

109. Синтез и исследование пленок твердых растворов CdxPbixS различного состава / Китаев Г. А., Марков В. Ф., Маскаева Л. Н. и др.// Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1990. Т. 26. № 2. С. 248-250.

110. Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. Пер. с анг. М.: Мир. 1986. 435 с.

111. SharmaN. С., KainthiaR. С., PandyaD. К., Chopra К. L. Electroless deposition of semiconductor films // Thin Solid Films. 1979. V. 58. № 1. P. 55-59.

112. Угай Я. А, Яценко О. Б., Авербах Е. М. Оптические свойства пленок сульфидов свинца и кадмия, полученных химическим способом // Твердотельная радиоэлектроника. Воронеж: Изд-во Воронеж, гос. ун-та. 1973. С. 77-81.

113. Получение пленок PbS и CdS из водного раствора тиомочевины. У гай Я. А., Яценко О. Б., Максименков Н. В., Авербах Е. М. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1975. Т. 11. № 5. С. 947-956.

114. Боде Д. Е. Детекторы на основе солей свинца// Физика тонких пленок. Пер. с англ. М.: Мир. 1968. Т. 3. С. 299-327.

115. Лундин А. Б. Химическое осаждение из растворов на поверхности стекла пленок сульфида и селенида свинца: Дис. .канд. хим. наук/ Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1967. 133 с.

116. Фофанов Г. М. Анализ условий химического осаждения пленок сульфида и селенида свинца на поверхности стекла: Дис. . .канд. хим. наук/ Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1968.121 с.

117. Болыцикова Т. П. Исследование тиомочевины для осаждения из растворов осадков и пленок сульфидов серебра и меди: Дис. .канд. хим. наук. Свердловск. 1969. 163 с.

118. Миролюбов В. 3. Осаждение сульфидов металлов с использованием аллилтиомочевины: Дис. .канд. хим. наук/ Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1973. 143 с.

119. Ятлова Л. Е., Китаев Г. А. Условия химического осаждения тонких пленок CdS на твердую поверхность с помощью аллилтиомочевины// Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1969. Т. 12. С. 709-713.

120. Кодомская Н. А. Исследование условий осаждения пленок и осадков сульфидов цинка и кадмия из растворов, содержащих тиоацетамид: Дис. . канд. хим. наук/Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1972. 190 с.

121. Катунина А. Б. Исследование процессов химического осаждения сульфидов металлов в виде осадков и пленок тиосемикарбазидом: Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1978. 173 с.

122. Преображенская Т. Ю., Юсупов Р. А. Получение тонких пленок сульфида свинца из щелочных растворов при помощи тиосемикарбазида // Журн. физич. химии. 1975. Т. 48. № 3. С. 724-725.

123. JIундин А. Б., Китаев Г. А. Кинетика осаждения тонких пленок сульфида свинца на границе раздела фаз PbS-раствор II Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1967. Т. 10. № 4. С. 408-411.

124. Фрицше К. Получение полупроводников / Пер. с англ. М.:Мир. 1964. 436 с.

125. Bauer R., Wehling I. Thiohanstoffais Tallunhamittel fur Schwermetallsulfide // Ztschr. Analyt. Chem. 1964. B. 199. S. 171-173.

126. Bruckmann G. Dasstellung und Eigenschaflen dunner Bleisulfid-Schichten unter bsonderer Beruchsichtigung intrer Detektorwirkung // Koll. Ztschr. 1933. B. 61. № l.S. 1-11.

127. Дистлер Г. И., Дарюсина С. А., Герасимов Ю. М. Ранние стадииtкристаллизации как метод установления неоднородности кристаллических поверхностей //Доклады АН СССР. 1964. Т. 154. В. 6. С. 1328-1331.

128. Дистлер Г. И., Дарюсина С. А. Электронно-микроскопическое исследование образования слоев сернистого свинца // Кристаллография. 1962. № 7.1. С. 107-111.

129. Торопова В. Ф., Белозерская В. В., Черницын А. И. Применение тиомочевины для осаждения сульфидов таллия и свинца // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1964. № 7. С. 898-903.

130. Norr М. К. The lead salt-thiourea reaction // J. Phys. Chem. 1961. V. 65. № 7. P. 278-1279.

131. Китаев Г. А., Романов И. Т. Кинетика разложения тиомочевины в щелочных средах// Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1974. Т. 17. № 9. С. 1427-1428.

132. Романов И. Т. Исследование реакции разложения и синтеза тиомочевины в водных средах: Дис. . канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1975. 182 с.

133. Китаев Г. А., Романов И. Т. Синтез тиомочевины из сероводорода и цианамида // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1976. Т. 19. № 6. С. 941-943.

134. Урицкая А. А., Китаев Г. А., Мокрушин С. Г. Кинетика и механизм образования пленок сульфида кадмия на поверхности стекла // Коллоидн. журн. 1967. Т. 27. № 5. С. 767-772.

135. Урицкая А. А. Химическое осаждение из растворов тонких пленок сульфида кадмия на поверхность стекла. . Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1966. 121 с.

136. Китаев Г. А., Мокрушин С. Г., Урицкая А. А. Условия образования тонких пленок сульфида кадмия на поверхности стекла // Коллоид, журн. 1965. Т. 25. № 1. С. 51-56.

137. Мокрушин С. Г., Ткачев Ю. Д. Образование CdS на границе раздела фаз твердое тело раствор // Коллоид, журн. 1961. Т. 23. № 4. С. 438-441.

138. Леонова Т. Г., Крамарева Т. В., Шульман В. М. Ступенчатая адсорбция коллоидных частиц сернистого кадмия на стекле // Коллоид, журн. 1968. Т. 30. № 1.С. 61-64.

139. Китаев Г. А., Фофанов Г. М., Лундин А. Б. Условия химического осаждения зеркальных пленок сульфида свинца // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1967. Т. 3. № 3. С. 473-478.

140. Бетенеков Н. Д., Медведев В. П., Китаев Г. А. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. 1 .Осаждение пленок сульфида кадмия из растворов на поверхности стекла // Радиохимия. 1978. Т. 20. В. 3. С. 431-438.

141. Бетенеков Н. Д., Медведев В. П., Жуковская А. С. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. 11 .Кинетика роста сульфида кадмия на поверхности стекла // Радиохимия. 1978. Т. 20. В. 4. С. 608-616.

142. Сулейманова Н. А. Физико-химические закономерности формирования пленок сульфидов металлов при взаимодействии сорбированной тиомочевины с растворами солей металлов / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1982. 193 с.

143. Мищенко К. К., Манько В. С. Влияние концентраций щелочи и ацетата свинца на фоточувствительность химически осажденного сульфида свинца // Оптико-механич. промышленность. 1978. № 10. С. 47-49.

144. Candea R. M., Turcu R., Margeneanu P. The dinamic behavior of the electrical conductivity of PbS films // Phys. Status, solidi. 1986. A 96. № 1. P. 337-343.

145. Kothiyal G. P., Ghosh В., Deshpande R. V. Effect of morfological structure on photosensitivity of chemically deposited PbS thin films//J. Phys. 1980. D.13. № 5. P. 869-872.

146. The study of lead sulfide films. The behaviour at low-temperature thermal treatment / Pop I., Ionescu V., Nascu C. et.al. // Thin Solid Films. 1996. V. 283. P. 119-223.

147. Structural and optical properties of PbS thin films obtained by chemical deposition. Pop I., Ionesku V. et. al. // Thin Solid Films. 1997. V. 307. P. 240-244.

148. Salim S. M., Hamid O. Growth and characterization of lead sulfide films deposited on glass substrates // Renewable Energy. 2001. V. 24. P. 575-580.

149. The influence of H2O2 on crystalline orientation of chemically deposited PbS thin films. Tottiant Iris C. et. al. // Thin Solid Films. 1981. V. 77. № 4. P. 347-356.

150. Wolten G. M. A. Note on the chemically of lead sulfide sensitization for infrared detection // J. Electrochem. Soc. 1975. V. 122. № 8. P. 1149-1150.

151. Growth and characterization of PbS deposited on ferroelectric ceramics/ Pintilie I., Pentia E, Pintilie L. et. al. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. № 3. P. 1713-1718.

152. Буткевич В. Б., Глобус Е. Р., Залевская JI. Н. Управление характеристиками осажденных пленок сернистого свинца // Прикладная физика. 1999. № 2.1. С. 96-101.

153. Медведев В. П. Изучение осаждения пленок сульфида кадмия из растворов на поверхности стекла и гранулированной целлюлозе. Дис. . .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1977.193 с.

154. Bhushan S., Dipti Thakur. Photoconductivity of chemically deposited rare-earth-doped CdS films // J. of Mat.Sci.: Mater.in Electr. 1992. V. 3. .№ 1. p. 35-40.

155. Lincot D., Ortega-Borges R., Fromet M. Epitaxial growth of cadmium sulfide layers on indium phosphide from aqueous ammonia solutions //Appl. Phys. Lett. 1994.1. V. 64. №5. P. 569-571.

156. Conversion of chemically deposited photosensitive CdS thin films to n-type by air annealing and ion exchange reaction. Nair M. T. S., Nair P. K., Zingaro R. A., Meyers E. A. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. № 3. P. 1557-1564.

157. Low resistivity cubic phase CdS films by chemical bath deposition technique. Melo O., Hernandez L., Zelaya-Angel O. et. al. //Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. № 10.1. P. 1278-1280.

158. Study of CdS epitaxial films chemically deposited from aqueous solutions on InP single crystals / Froment M., Bernard M.C., Cortes R., et. al. // J. Electrochem. Soc. 1995. V. 142. № 8. P. 2642-2649.

159. Structural transformation of dip coated CdS thin films during annealing / Narayanan K. L., Vijaykumar K. P., Nair K. G. M. et. al. // J. of Mater. Sci. 1997. V. 32.18. P. 4837-4840.

160. Electrical characterization of chemically deposited CdS thin films under field application / Vigil O., Zelaya-Angel O., Rodriguez Y., et. al. // Phys. Status. Solidi.1998. V. 176. A. 1. P. 143-150.

161. Optical properties of cadmium sulfide thin films chemically deposited from baths containg surfactants /Popesku V., Pica E. M., Pop I., Grecu R. // Thin Solid Films.1999. V. 349. P. 67-70.

162. Photovoltaic windows by chemical bath deposition / Herrero J., Gutierrez M. Т., Guillen C. et. al. // Thin Solid Films. 2000. V. 361-362. P. 28-33

163. Chemical bath deposition of CdS buffer layers prospects of increasing materials yeild and reduction waste/Hariskos D., Powalla M., Chevaldonnet et. al. // Thin Solid Films. 2001. V. 387. P. 179-181.

164. Formation of the band gap energy on CdS thin film growth by two different techniques / Oliva A. I., Solis-Santo O., Castro-Rodriguer R. et. al. // Thin Solid Films. 2001. V.391. P. 28-35.

165. Китаев Г. А., Болыцикова Т. П. Осаждение зеркальных пленок сульфида серебра на поверхности стекла химическим осаждением// Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1966. Т. 2. № 1. С. 65-69.

166. Китаев Г. А., Болыцикова Т. П., Устьянцева А. В. Условия химического осаждения пленок сульфида серебра на твердую поверхность // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1967. Т. 3. № 6. С. 1080-1082.

167. Состав и строение тонких пленок Ag2S, полученных методом химического осаждения из водных растворов / Болыникова Т. П., Китаев Г. А., Двойнин

168. B. И., Дегтярев М.В., Двоскина JI. М. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1980. Т. 16. № 3. С. 387-390.

169. Grozdanov I. Solution growth and characterization of silver sulfide films //Appl. Surf. Sci. 1995. V. 85. P. 325-329.

170. Structural, optical and transporant properties of Ag2S films deposited chemically from aqueous solution / Meherzi-Maghraoui H., Dachraoui M., Belgacem S et. al. // Thin Solid Films. 1996. V. 288. P. 217-223.

171. Synthesis of nanocrystalline Ag2S in aqueous solution/ Zhang W., Zhang L., Hui Z. et. al. // Solid State Ionics. 2000. V. 130. P. 111-114.

172. Щербакова В. Я., Скорняков JI. Г., Урицкая А. А. Получение смешанных пленок CdS-CuS и некоторые их свойства // Физико-химия процессов на межфазных границах. Свердловск: Изд-во УПИ. 1976. С. 24-27. (Тр. ВУЗов Российск. Фед.).

173. Сулейманова Н. А., Бетенеков Н. Д., Китаев Г. А. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок.У.Исследование сорбции палладия пленками сульфида меди // Радиохимия. 1981. № 1. С. 30-32.

174. Оптический резонанс на гранулированных химически осажденных пленках / Скорняков JI. Г., Китаев Г. А., Щербакова В. Я., Беляева Н. Н. // Оптика и спектроскопия. 1978. Т. 44. В. 1. С. 143-147.

175. Получение тонких ориентированных пленок методом химического осаждения / Двойнин В. И., Китаев Г. А., Урицкая А. А. // Химия твердого тела. 1977.1. C. 22-28.

176. Синельников Б. М., Фарахманд А. Р., Каргин Н. И. Кинетика осаждения пленок сульфида цинка из тиомочевинных растворов // Неорган, материалы. 1993. Т. 29. № 10 . С. 1367-1368.

177. Oladeji О., Chow L. A study of the effects of ammonium salts on chemical bath deposited zinc sulfide thin films // Thin Solid Films. 1999. V. 339. P. 148-153.

178. Arenas O. L., Nair M. T. S., Nair P. K. Chemical bath deposition of ZnS thin films and modification by air annealing // Semicond. Sci. Technol. 1997. V. 12. № 10. P. 1323-1330.

179. Fernandez A. M., Sebastian P. I. Conversion of chemically deposited ZnS films to photoconducting ZnO films // J. Phys. 1993. V. 26. № 11. P. 2001-2005.

180. Tanusevski A. Optical and photoelectric properties of SnS thin films prepared by chemical bath deposition // Semicond. Sci.Technol. 2003. V. 18. № 6. P .501-505.

181. Sanchez-Juarez A., Ortiz A. Structural properties of SnxSy thin films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition // J. of Electrochem. Soc. 2000. V. 147. № 10. P. 3708-3717.

182. Вест А. Химия твердого тела: в 2 т. / Пер. с анг. М.: Мир. 1988. Ч. 1. 558 с.

183. Веснин Ю. И. О пороговой температуре образования твердых растворов замещения // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1987. Т. 17. В. 5. С. 145-149.

184. Веснин Ю. И. О механизме образованипя твердых растворов замещения // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1985. Т. 15. В. 5. С. 7-10.

185. Борисов В. Т., Духин А.И., Мирошниченко Г. И. Исследование связи между скоростью роста и составом образующихся твердых растворов // Доклады АН СССР. 1975. Т. 223. № 4. С. 893-895.

186. Совместное осаждение сульфидов ртути и кадмия / Шека И. А., Кислинская Г. Е., Ивженко В. П., Антишко А. Н. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1975. Т. 11. № 8. С. 1353-1356.

187. Optical properties of thin solid films of lead sulfide / Najdoski M., Minceva-Sukarova В., Drate A. et. al. // J. of Molec. Str. 1995. V. 349. P. 85-88.

188. PbS-CdS bilayers by the chemical bath deposition technique atdifferent reaction temperatures / Orozco-Teran R. A., Sotelo-Lerma M., Ramirez-Bon R. et. al. // Thin Solid Films. 1999. V. 343-344. P. 587-590.

189. Мухамедьяров Р. Д., Китаев Г. А. Параметры полупроводниковых сверхструктурных соединений CdiPbuS и Cd5Pb27S // Письма в ЖТФ. 1980. Т. 6. В. 21. С. 1330-1333.

190. Криницина И. А. Физико-химические закономерности процесса получения твердых растворов CdxPbixS химическим осаждением: Дис. . канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1980. 174 с.

191. Марков В. Ф. Физико-химические закономерности направленного химического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред: Дис. . докг. хим. наук / Уральск, гос. техн. ун-т. Екатеринбург. 1998. 366 с.

192. Sharma N. С., Pandya D. К., Sehgal Н. К., Chopra К. L. Solution growth of varriable gap Pb^HgjS film for infrared detectors // Mater. Res. Bull. 1976. V. 11. №9. P. 1109-1113.

193. Sharma N. C., Pandya D. K., Mukerjce A. K., Sehgal H. K., Chopra K. L. Structural and ir properties of PbbxHgxS thin films // Appl. Opt. 1977. V. 16. №11.1. P. 2945-2948.

194. Sharma N. C., Chopra K. L. Electronic properties of Pb^HgjS Si-heterojunctions // Solid State Electron. 1980. V. 23. № 8. P. 869-873.

195. Sharma N. C., Pandya D. K., Sehgal H. K., Chopra K. L. Electroless deposition of epitaxial PbiJH&S // Thin Solid Films. 1979. V. 59. № 2. P. 157-164.

196. Джафаров M. А. Отрицательная проводимость пленок CdixZn,S, полученных осаждением из раствора // Неорган, материалы. 1998. Т. 34. № 9.1. С.1034-1036.

197. Джафаров М. А. Фотоэлектрические свойства пленок Cdj^Zn^S (0 < х < 0.6), осажденных из водного раствора // Неорган, материалы. 1999. Т. 35. №11. С.1307-1312.

198. Electrical transport properties of (Cd, Zn)S thin films/ Deshmukh L. P., Rotti С. В., Garadkar К. M., Hankare P. P. // Ind. J. Pure and Appl. Phys. II 1996. V. 34.1. P. 893-397.

199. Маскаева JI. Н., Китаев Г. А., Жидкова Л. Г., Васюнина Л. Е. Исследование восстановления Сг (VI) полиолефинами // Журн. физич. химии. 1975. Т. 69. № 4. С. 1042-1044.

200. Исследование процесса травления полимеров в растворах бихромата калия в серной кислоте / Пильников В. П., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А., Лисовая В. А. // Изв. ВУЗов Химия и хим. технология. 1976. Т. 19. В. 7. С. 1093-1098.

201. Ушаков О. П. Физико-химические закономерности формирования пленок халькогенидов металлов в динамических условиях.: Дис. . хим. наук. Свердловск. 1983. 225 с.

202. Шварценбах Г., Флашка Г. Комплексометрическое титрование. М.: Химия. 1970. 360 с.

203. Лурье Ю. Ю. Справочник по аналитической химии. М.: Химия. 1971. 456 с.

204. Коростелев П. П. Приготовление растворов для химико-аналитических работ. М.: Наука. 1984. 399 с.

205. Шарло Г. Методы аналитической химии. М.-Л.: Химия. 1965. 975 с.

206. Vegard L. Sko-norske Vidensk. Akad. Mat. Naturn Kbisse. 1947. № 2. P. 83.

207. Чичагов А. В., Сипавина Л. В. Параметры ячеек твердых растворов. М: Наука. 1982. 171 с.

208. Nelson J. В., Riley D. P. An experimental investigation of extrapolation methods in the derivation of accurate unit-cell dimentions of crystals // Proc. Phys. Soc. London. 1945. V.57. part 3. No 321. P. 160-177.

209. Гусев А. И., Ремпель С. В. Рентгеновское исследование наноструктуры распадающихся твердых растворов (ZrQi^tNbC)* // Неорган, материалы. 2003. Т. 39. № 1.С. 49-53.

210. Goshchitskii В., Menshikov F. Ural neutron materials science centre //Neutron News. 1996. V. 7. P. 12-15.

211. Rietveld H. M. A profile refinement method for nuclear and magnetic structures // Appl. Cryst. 1969. V. 2. № 2. P. 65-71.

212. Bush D. L., Post J. E. A survey of using programs for the Rietveld profile refinement // Reviews in mineralogy. 1990. V. 20. P. 369.

213. Rodriges-Carvajal J. The programs for Rietveld refinement // Physica B. 1993. V. 192. P.55.

214. Хавезов И., Цалев Д. Атомно-абсорбционный анализ. Д.: Химия. 1983. 144 с.

215. Сысоев А. А., Чупахин М. С. Введение в масс-спектрометрию. М.: Атомиздат. 1977. 302 с.

216. Исследование халькогенидых пленок CdxPbi.xS с помощью термодесорбционной масс-спектрометрии / Китаев Г. А., Маскаева Л. Н., Марков В. Ф. и др. // Изв. АН СССР Неорган, материалы. 1989. Т. 25. № 8. С.1262-1264.

217. Установка для измерения пороговых параметров фотоприемников / Мухамедьяров Р. Д., Стук В. И., Блинов О. Ю. и др.// Приборы и техника эксперимента. 1976. № 6. С. 234.

218. Полупроводниковый газоанализатор // Марков В.Ф., Маскаева Л.Н., Уймин С.Н. Жевак М. А., Китаев Г. А Свидетельство № 8122 на полезную модель с приоритетом от 11.03.97.

219. Батлер Дж. Н. Ионные равновесия. М.: Химия. 1973. 448 с.

220. Голов В. Г., Иванов М. Г. Кинетика и механизм реакции цианамида с гидразином // Кинетика и катализ. 1968. Т. 9. В. 2. С. 240-244.

221. KameyamaN. //Trans. Amer.Electrochem.Soc. 1921. V.40. Р.131.

222. Альберта А., Сержент Е. Константы ионизации кислот и оснований. М.-Л.: Химия. 1964. 180 с.

223. Грановский В. А., Сирая Т. Н. Методы обработки экспериментальных данных при измерениях. Л.: Энергоиздат. 1990. 288 с.

224. Стромберг А. Г., Семченко Д. П. Физическая химия. М.: Высшая школа. 2000. 527 с.

225. Наумов Г. Б., Рыженко Б. Н., Ходаковский И. Л. Справочник термодинамических величин. М.: Атомиздат. 1971. С. 186.

226. Павлюк Л. А., Крюков П. А. Спектрофотометрическое определение первой константы ионизации сероводородной кислоты при повышенныхтемпературах // Изв. Сиб. отд. АН СССР. 1976. № 14. Сер. хим. наук. В. 6. С. 25-29.

227. Крюков П. А., Старостина JI. И. Первая константа ионизации сероводородной кислоты при температурах до 150 °С // Изв. Сиб. Отд. АН СССР. 1978. № 14. Сер. хим. наук. Вып. 6. С. 84-87.

228. Крюков П. А., Старостина JI. И., Тарасенко С. Я., Приманчук М. П. Вторая константа ионизации сероводородной кислоты при температурах до 150 °С // Геохимия. 1974. № 7. С. 1003-1013.

229. Giggenbach W. Optical spektra of highly alkaline solutions and second dissolution constant of hydrogen sulfide // Inorg. Chem. 1971. V. 10. №> 7. P. 1333-1339.

230. Сретенская H. Г. Электропроводность водных растворов сероводорода и первая константа диссоциации сероводородной кислоты при различной температуре // Геохимия. 1974. № 7. С. 996-1002.

231. Николаева Н. М. Химические равновесия в водных растворах при повышенных температурах. Новосибирск: Наука СО. 1982. 232 с.

232. Ляликов Ю. С. Физико-химические методы анализа. М.: Химия. 1974. 695 с.

233. Латимер В. М. Окислительные состояния элементов и их потенциалы в водных растворах. М.: ИЛ. 1954.

234. Егоров А. М. Температурная зависимость произведений растворимости // Журн. неорган, химии. 1957. Т. 2. В. 2. С. 460-464.

235. Гуревич Л. В., Хачкуркзов Г.А., Медведев В.А. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. М.: АН СССР. 1962. 316 с.

236. Добош Д. Электрохимические потенциалы. М.: Мир. 1980. 355 с.

237. Крестов Г. А., Кобенин В. А., Соколов В. Н.Способ расчета произведения растворимости при 273-373 К // Журн. неорган, химии. 1977. Т. 22. № 10. С. 2864-2867.

238. Рябин В. А., Остроумов М. А., Свит Т. Ф. Термодинамические свойства веществ. Л.: Химия. 1977. 390 с.

239. Тугаринов И. А., Танеев И. Г., Ходаковский И. JI. Эксперименьальное определение констант гидролиза ионов свинца в водных растворах при температурах до 300°С // Геохимия. 1975. № 9. С. 1345-1354.

240. Арбатский А. П., Бенсон В. В.,Большакова Е. В. Состав и произведение растворимости основных нитратов и гидроксида свинца // Журн. физич. химии. 1995. Т. 69. № 10. С. 1896-1898.

241. Сложные равновесия в системе Pb(II)-H20-0H" / Юсупов Р. А., Абласов Р. Ф., Мовчан Н. И., Смердова С. Г. // Журн. физич. химии. 2000. Т. 74. № 4.1. С. 625-629.

242. Яцимирский К. Б., Васильев В. П. Константы нестойкости комплексных ионов. М.: АН СССР. 1959. 206 с.

243. Гейровский Я., Кута Я. Основы полярографии. М.: Мир. 1965.

244. Carell В., Olin A. Studies on the Hydrolysis of Metall Ions. 31. The complex formation between Pb2+ and OH- in Na+ (OH- CIO4") Medium // Acta chem. scand. 1960. V. 14. № 9. p. 1024-1027.

245. Olin A. Studies on the hydrolysis of Metall Ions. 28. Application on the self-medium Method to the hydrolysis of Lead (11) perhlorate solution // Acta. chem. scand. 1960. V. 14. P. 814-817.1

246. Васильев В. П., Главина С. Р. Термодинамические характеристики иона РЬ в водном растворе // Электрохимия. 1971. Т. 7. № 9. С. 1385.

247. Брызгапин О. В., Рафальский Р. П. Приближенная оценка констант нестойкости комплексов рудных элементов при повышенных температурах // Геохимия. 1982. №6. С.839-849

248. Аксельруд Н. В. Правило постоянства произведения активностей простых (гидратированных) ионов металлов и гидроксоионов в гетерогенной системе М2+ M(OH)m"n+m - М(ОН)„- Н20 // Доклады АН СССР. Химия. 1960. Т. 132. № 5. С. 1067-1070.

249. Ходаковский И. Л., Елкин А. Е. Экспериментальное определение растворимости цинката в воде и водных растворах NaOH при температурах 100, 150, 200 °С//Геохимия. 1975. № 10. С. 1490-1497.

250. Тихонов А. С. Исследование лимоннокислых комплексных соединений свинца в зависимости от рН водной среды // Тр. Воронежск. гос. у-та. Сб. работ химич. факультета. 1958. Т. 59. С. 79-94

251. Врублевская Т. Я., Бондарь М. Б., Шутер О.М. Полярографическое изучение кинетики комплексообразования свинца с лимонной кислотой в водной и водно-органических средах // Украинск. химич. журн. 1989. Т. 55. № 7.1. С.718-720

252. Панова Е.В. Изучение цитратно-свинцовых комплексных ионов по методу растворимости // Журн. неорган, химии. 1957. Т. 2. В. 2. С. 330-335.

253. Пилипенко А. Т., Лисецкая Г. С. Применение тиомочевины в качестве комплексообразователя при открытии кадмия в присутствии меди // Украинск. химич. журн. 1953. Т. 19. № 1. С. 87-89.

254. Kortly S., Sucha L. Handbookof chemical equilibria in analitic chemistry. N.-Y.-Brisbane-Chichester-Toronto. 1985. P. 143.

255. Торопова В. Ф., Кириллова Л. С. Исследование комплексных соединений ртути и серебра с тиосемикарбазидом // Ж. неорган, химии. 1960. Т. 5. № 3. С. 575-579.

256. Белозерская В. В. Применение тиомочевины для осаждения сульфидов металлов: Дис.канд. хим. наук. Казань. 1965. 135 с.

257. Технология тонких пленок. Справочник в 2 т. Пер. с англ. М.: Советское радио. 1977. Т. 2. 768 с.

258. Фролов Ю.Н. Курс коллоидной химии. М.: Химия. 1989. 462 с.

259. Нывлт Я. Кристаллизация из растворов. М.: Химия. 1974. С.41.

260. Ахумов Е. И. Размер кристаллического зародыша кубической формы // Изв. Вузов. Химия и хим. технология. 1984. Т. 27. В. 12. С. 1425-1427.

261. Промежуточный комплекс в химических реакциях. Макурин Ю. Н., Плетнев Р. Н., Клещев Д. Г., Желонкин Н. А. Свердловск: АН СССР УрО. 1990. С. 78

262. Дельмон Б. Кинетика гетерогенных реакций. М.: Мир. 1972. 554 с.

263. Хонигман Б. Рост и форма кристаллов / Пер. с англ. М.: Изд-во иностр. литры. 1961. 460 с.

264. Фольмер М. Кинетика образования новой фазы / Пер. с немец. М.: Наука. 1986. 205 с.

265. Двойнин В. И., Кононов Ю. А., Миролюбов В. Р.Влияние условий осаждения на микроструктуру тонких пленок PbS // Физико-химия процессов на межфазных границах. Свердловск. 1976. С.39 (Тр. Вузов Российск. Фед.).

266. Макурин Ю. Н., Двойнин В. И., Дегтярев М. В. Возникновение преимущественных ориентаций в химически осажденных тонких пленках // Жуон. физической химии. 1981.Т. 55. № 5. С. 1302-1305.

267. Миролюбов В. Р., Китаев Г. А., Двойнин В. И, Структура пленок PbS, полученных осаждением из раствора // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1974. Т. 10. № 10. С. 1761-1764.

268. Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А. Особенности микроструктуры и свойства пленок сульфида свинца, осажденных их галогенидсодержащих растворов // Неорган, материалы. 2000. Т. 36. № 7. С. 792-795.

269. Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А. Кинетика химического осаждения PbS в присутствии! галогенидов аммония, микроструктура и электрофизические свойства // Журн. приклад, химии. 2000. Т. 73. № 8.1. С.1256-1259.

270. Равич Ю. И., Ефимова Б. А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: Наука. 1968. 384 с.

271. Самсонов Г. В., Дроздова С. В. Сульфиды свинца и кадмия.- В кн. Сульфиды. М.: Металлургия. 1972. С. 346-349.

272. Lach-hab М., Papaconstantopoulos D. A, Mehl М. J. Electronic structure calculations of lead chalcogenides PbS, PbSe, PbTe // J. of Phys. and Chem. of Solids. 2002. V. 63. P. 833-841.

273. Окисление химически осажденного сульфида свинца / Китаев Г. А., Протасова Л. Г., Косенко В. Г., Марков В. Ф., Дядюк Л. В., Степанова Г.В. // Неорган, материалы. 1993. Т. 29. № 7. С. 1017-1018

274. Угай Я. А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа. 1975. 302 с.

275. Semiconductor thin films by chemical bath deposition for solar energy related applications / Nair P. K., Nair M. T. S., Garcia V. M. and et. al. // J. Solar Energy and Solar Cells. 1998. V. 52. P. 313-344.

276. Wein S. // The Glass Industry. 1959. V.40. № 359. P. 424.

277. Mocc T.C. Современные приемники инфракрасного излучения // Успехи физ. наук. 1962. Т. 78. В. 1. С.93-121.

278. Кондратьева Н. М. Исследование процесса химического осаждения фоточувствительных слоев PbS: Дис.канд.хим.наук. Свердловск. 1971. 223 с.

279. Field-effect-assisted photoconductivity in PbS films deposited on silicon dioxide / Pintilie L., Pentia E., Matei I., Pintilie I., Ozbay E. //J. of Appl. Phys. 2002. V. 91. №> 9. P. 5782-5786.

280. Growth of PbS thin films on silicon substrate by SILAR technique / Puiso J., Tamulevicius S., Laukaitis G. and et. al. // Thin Solid Films. 2002. V. 403-404. P. 457-461.

281. Effect of thickness on the thermoelectric properties of PbS thin films / Rogacheva E. I., Nashchekina O.N., Vekhov Y.O, and et. al. // Thin Solid Films. 2003. V. 423. №> l.P. 115-118.

282. Growth of ultra thin PbS films by SILAR technique / Puigo J., Lindroos S., Tamulevigius S. And et. al. // Thin Solid Films. 2003. V. 428. P. 223-226

283. Martell A.E., Hancock R.D. Metall complexes in aqueous solutions. Plenum Press. N. Y.-London. 1996. 253 p.

284. Синтез твердых растворов Cd^Pbi^S / Китаев Г. А., Маскаева Л. Н., Марков В. Ф., Ушаков О. П.// Тезисы докл. XII Всесоюзн. конф. по микроэлектронике. Тбилиси. 1987. Т. 6. С. 223.

285. Влияние хлор-ионов на кинетику химического осаждения тонких пленок сульфида свинца / Марков В. Ф., Шилова И. В., Маскаева Л. Н. и др./ Деп. в

286. ОНИИТЭИ. Черкассы. № 27-Х1188. Опубл. в Библиогр. указ. ВИНИТИ. 1988. №4. С. 190.

287. Кинетика химического осаждения тонких пленок сульфида свинца в присутствии иодид-ионов / Китаев Г. А., Марков В. Ф., Маскаева JI. Н. и др./ Деп. в ОНИИТЭИ. Черкассы. № 277-Х1188. Опубл. в Библиогр. указ. 1988. № 6. С. 169.

288. Эткинс П. Физическая химия: В 2 т. М.: Мир. 1980. Т. 2. 584 с.

289. Simic V. М., Marinkovic Z. В. Influence of impurities on photosensitivity of chemically deposited lead sulphide layers // Infrared Phys. 1968. V. 8. № 8. P. 189-195.

290. Marinkovic Z. В., Simic V. M. Influence of conditions of PbS layers preparation on their schort wavelength limit of transmission and grain size// Infrared Phys. 1970. V. 10. №4. P. 187-189.

291. Богомолов Ю. И. Радиохимическое исследование седиментационных осадков и пленок сульфида свинца, полученных осаждением из растворов // Химия и нефтехимия. Куйбышев. 1974. С. 95-98 (Сб. научн. тр.)

292. Исследование оптических свойств, структуры и фазового состава слоев сульфида и селенида свинца / Войтович Г. Д., Давыдов М. С., Иванов А. И., Тихомиров Г. П. // Оптико-механич. промышленность. 1966. № 12. С. 9-12.

293. Prospects of chemically deposited metal chalcogenide thin films for solar control applications / P. K. Nair, M.T.S. Nair, A. Fernandez, M. Ocampo 11 J. Phys. D: Appl. Phys. 1989. V.22. P. 829-836.

294. Nair P. K., Nair M. T. S. PbS solar coatings: safety, cost and optimization // J. Phys. D: Appl. Phys. 1990. V. 23. N. 2. P. 150-155.

295. Optimization of chemically deposited Cu^S solar contral coatings / Nair P. K, Garcia V.M., Fernandez A., Ruiz H. S., Nair M.T.S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1991. V.24. P. 441-449.

296. Estrada-Gasca C. A., Alvarez-Garcia G., Nair P. K. Theoretical analysis of the termal performance of chemically deposited solar contral coatings // J. Phys. D: Appl. Phys. 1993. V. 26. P. 1304-1309.

297. Lange В., Lovric M., Scholz F. The catalytic action of adsorbed thiocyanate ions and thiourea in theelectron transfer from glassy carbon to solid copper (I) selenide and copper (I) sulfide particles // J. Electroanal. Chem. 1996. V. 418. P. 21-28.

298. Room-temperature-functioning ammonia sensor based on solid-state CuxS films /Galdikus A., Mironas A., Strazdiene V., Setkus A., Ancutiene I, Janickis V.// Sens. Actuators B: Chemical. 2000. B.67. Iss. 1-2 P. 76-83.

299. Influence of magnetic field and type of substrate on the growth of ZnS films by chemical bath / Vidal J., de Melo O., Vigil O.and et al.// Thin Solid Films. 2002. V. 419. Is. 1-2. P. 118-123.

300. Марков В.Ф., Маскаева JI.H. Полупроводниковый чувствительный элемент газоанализатора оксидов азота на основе сульфида свинца // Журн. аналит. химии. 2001. Т. 56. № 8. С. 846-850.

301. Tomaszewicz Е., Kurzana М., Wachowski. Study on the reactivity in the solid state between Ag2S and Ag2S04 // J. of Mat. Sci. Lett. 2002. V. 21. P. 547-549.

302. Optical properties of PbS thin films chemically deposited at different temperatures / Valenzuela-Jauregui J. J., Ramirez-Bon R., Mendoza-Galvan A., Sotelo-Lerma M. // Thin Solid Films. 2003. V. 441. Iss. 1-2. P. 104-110.

303. Photoluminescence characteristics of ZnS nanocrystallites co-doped with Cu and Cd2+ / Ping Yang, Mengkai Lu, Dong Hu, Duorong Yuan, Chufeng Song // J. Phys. and Chem. Sol. 2003. V. 64. No 1. P. 155-158.

304. Photoluminescence properties of ZnS nanoparticls co-doped with Pb2+ and Cu2+/ Ping Yang, Mengkai Lu, Duolong Yuan, Guangjun Zhou // Chem. Phys. Lett. 2001. V. 336. P. 76-80.

305. Investigations on chemically capped CdS, ZnS, ZnCdS nanoparticles / Kulkarni S. K., Winkler U., Deshmukh N., Borse P. H., Fink R., Umbuch E. // Appl. Surf. Sci. 2001. V. 169-170. P. 438-446.

306. Chemical synthesis and characterization of Cu doped ZnS nano-powder / Haiming Zhang, Zhijian Wang, Ligong Zhang, Jinshan Yuan, Shenggang // J. Mater. Sci. Lett. 2002. V. 21. P. 1031-1033.

307. Interfacial diffusion of metal atoms during air annealing of chemically deposited ZnS- CuS and PbS-CuS thin films/Huang L., Nair P. K, Nair M. T .S, Zingaro R. A., Meyers E.A.// J. Electrochem. Soc. 1994. V. 141. № 9. P. 2536-2541.

308. Photoaccelerated chemical deposition of PbS thin films: novel applications in decorative coatings and imaging techniques / Nair P. K., Garcia V. M., Hernandez А. В., Nair M. T. S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1991. V. 24. No 8. P. 1466-1472.

309. Власов Ю. Г., Ермоленко Ю. Е., Исхакова О. А. Свинец-селективные электроды на основе сульфидов свинца и серебра // Журн. аналит. химии. 1974. Т. 39. № 8. С. 1552-1526.

310. Расчет коэффициента диффузии гетерогенной реакции ионного обмена Pb(II)/Ag(I) на тонкопленочном сорбенте PbS / Умарова Н. Н., Мовчан Н. И., Юсупов Р. В., Сопин В. Ф. // Журн. физич. хии 2000. Т. 71. № 9.1. С.1710-1712.

311. Химическая технология тонкопленочного синтеза фоточувствительных материалов. Фоторезисторы видимого и ИК-диапазона / Марков В.Ф., Китаев Г.А., Уймин С. Н., Маскаева Л. Н. // Ж. Инновация. 1998. № 1. С. 55-56.

312. Химический энциклопедический словарь / Под ред. Кнунянца И. Л. М.: Советская энциклопедия. 1983. С. 710.

313. Урусов В. С. Энергетическая теория изовалентного изоморфизма // Геохимия. 1970. №4. С. 510-524.

314. Урусов В. С. Об энергии образования существенно ионных твердых растворов // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1969. Т. 5. № 4. С. 705-711.

315. Урусов В. С. Учет ковалентности в теории теплот образования твердых растворов неорганических соединений//Доклады АН СССР. 1968. Т. 181. №5. С. 1185-1188.

316. Урусов B.C. Теория теплот образования изовалентных твердых растворов с учетом выхода энергии короткодействующих сил //Доклады АН СССР. 1969. Т. 186. №4. С. 874-877.

317. Урусов B.C. Расчет кривых распада изовалентных твердых растворов замещения // Изв. АН СССР Неорган, материалы. 1970. Т. 6. № 7.1. С. 1209-1212.

318. Берченко Н. Н., Кревс В. Е., Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение AUBYI. М.: Воениздат. 1982. 208 с.

319. Ванярхо В. Г., Здоманов В. П., Новоселова А. В. К вопросу об образовании твердых растворов в системах PbSe-MnSe и PbSe-HgSe // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1967. Т. 3. № 7. С. 1276-1277.

320. Таусон В. JI. Физическая геохимия минеральных систем со структурно-несовершенными кристаллами фаз (на примере сульфидных систем). Дис. . докт. хим. наук / Ин-т Геохимии. Иркутск. 1990. 551 с.

321. Зимин С. П., Корегина Е. JL, Бочкарева J1.B. Свойства компенсированных пленок в системе сульфид свинца сульфид кадмия // Физика и техника полупроводников. 1984. Т. 27. В. 1. С. 185-188.

322. Золотов С. И., Трофимова Н. Б., Юнович А. Э. Фотолюминесценция пленок тройных твердых растворов Pbi^CdxS // Физика и техника полупроводников. 1984. Т. 18. В. 4. С. 631-634.

323. Сверхрешетки PbS-CdS, полученные лазерным испарением в вакууме / Бакуева JI. Г., Ильин В. И., Мусихин С. Ф. и др. / Физика и техника полупроводников. 1993. Т. 27. В. 11-12. С. 1866-1868.

324. О возможности изготовления фоторезисторов химическим способом / Китаев Г. А., Мухамедьяров Р. Д., Урицкая А. А. и др. // Физико-химия процессов на межфазных границах. Свердловск. 1976. С. 66-69.

325. Оптические свойства и фотопроводимость пленок Cdj.^Pb^S / Китаев Г. А., Мухамедьяров Р. Д., Васюнина JI. Е., Демчук М. JI. // Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж. 1981.1. С. 110-114.

326. О возможности получения смешанных соединений халькогенидов металлов химическим способом / Китаев Г. А. и др. // Химия и физика халькогенидов. 1977. С. 107-110.

327. Авт. св. 713416 СССР. МКИ С23 сЗ/02. Способ осаждения твердого раствора Cdi-jPbjS и раствор для его осуществления / Китаев Г. А., Мухамедьяров Р. Д., Криницина И. А., Маскаева JI. Н., Стук В. И.

328. Upadhyaya Н. М., Chandre S. Chemical bath deposition of band-gap-tailored Pb^CdjS films // J. of Mater. Sci. 1994. V. 29. № 10. P. 2734-2740.

329. Романов И.Т., Китаев Г. А. О возможности применения теории светорассеяния для расчета размера частиц сульфида кадмия в процессе его образования из растворов // Коллоид, журн. 1979. Т. 41. № 3. С. 590-594.

330. Ятлова JI.E. Осаждение осадков и пленок халькогенидов кадмия и ртути химическим способом: Дис.канд. хим.наук. Свердловск. 1972. 163 с.

331. Сухоруков В.И., Финкельштейн А.И. Оптическое исследование молекулярного строения цианамида и его производных. Инфракрасные спектры и молекулярное строение цианамида и его солей // Оптика и спектроскопия. 1959. Т. 7. В. 5. С. 653-658.

332. Китаев Г. А., Марков В. Ф., Маскаева JI. Н. Условия формирования поликристаллических пленок халькогенидов металлов А1^*1, AIYBYI итвердых растворов на их основе // Сб. научн. тр. Физика кристаллизации. Тверь: Тверск. гос. ун-т. 1994. С. 29-38.

333. Автоколебания концентраций легирующих примесей при кристаллизации кремния/ Овсянников М.И., Перов А.С., Перова В.И., Алябина Н.А. // Кристаллография. 1987. Т. 32. № 6. С. 1499-1501.

334. Максимов С.К., Нагуаев Е.Н. Явление автомодуляции состава эпитаксиальных пленок GaAsP //Доклады АН СССР 1979. Т. 245. С. 1369-1372.

335. Семенов В. Н. Моделирование состава раствора для осаждения пленок CdS из хлорида кадмия и тиомочевины // Журн. приклад, химии. 1992. Т. 65. В. 7. С. 1489-1493

336. ASTM. Diffraction Data Card File and Key Philadelphia. 1957.

337. Исследование халькогенидных пленок CdxPj.xS с помощью термодесорбционной масс-спекгрометрии / Китаев Г. А., Маскаева, JI. Н., Марков В. Ф. и др. //Изв. АН СССР Неорган, материалы. 1989. Т. 25. № 8. С. 1262-1264

338. Китаев Г. А., Соколова Т. П. Растворимость цианамидов свинца в кислых и щелочных средах НЖурн. неорган, химии. 1975. Т. 20. № 3. С. 839-841.

339. Мухамедьяров Р. Д., Маскаева Л. Н., Буркова Л. А. Раствор химического осаждения фотопроводящих пленок тройного соединения сульфидов свинца и кадмия. А. с. 1299414 СССР, МКИ HOI L31/18 с приоритетом от 04.05.85.

340. Маскаева Л. Н., Марков В. Ф., Гусев А. И. Температурный диапазон распада и деградация пересыщенных твердых растворов Cd^Pbj^S // Доклады Академии наук. 2003. Т. 390. № 5. С. 639-643.

341. Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А. Прогнозирование состава твердых растворов замещения Cd^Pb^S при химическом осаждении из водных растворов //Неорган, материалы. 2000. Т. 36. № 12. С. 1421-1423.

342. Nayak В. В., Acharya Н. N. Characterization of chemically deposited Pb^Cdi^S films by scanning electron microscopy // J. Mater. Sci. Lett. 1985. V. 4. P. 651-652.

343. Bhushan S, Mukheijee M., Bose P. Electro-optical studies in chemically deposited La/Nd (CdPb)S films // J. Mater. Sci.: Mater. Electronics. 2002. V. 15. P. 581-584.

344. Impedance spectroscopy studies on chemically deposited CdS and PbS polycrystalline films // J. Phys. and Chem.of Solids. 2002. V.63. Iss.4. P.665-668.

345. Процессы реального кристаллообразования. Под ред. Белова Н.В. М.: Наука. 1977. 235 с.

346. Семенов В. Н., Киснадат К. Комплексообразование сульфата кадмия с тиомочевиной при получении пленок сульфида кадмия // Журн. приклад, химии. 1990. Т. 63. № 1. С. 31-35.

347. Семенов В. Н. Моделирование раствора для осаждения пленок CdS из иодида кадмия и тиомочевины // Журн. приклад, химии. 1991. Т. 64. № 1. С. 173-175.

348. Семенов В. Н. Авербах Е. М.// Особенности получения пленок CdS пульверизацией при использовании уксуснокислого кадмия. В кн.: Физико-химия полупроводникового материаловедения. Воронеж: Изд. ВГУ. 1979. С.103-109.

349. Chavez Н., Jordan М., McClure J.C., Lush G., Singh V. P. Physical and electrical characterization of CdS deposited by vacuum evaporation, solution growth and spray pyrolysis //J. Mater. Sci.: Mater. Electronics. 1997. V. 8. P. 151-154.

350. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. Абрикосов Н. X., Банкина В. Ф., Порецкая JI. В., Скуднова Е. В., Чижевская С. Н./ М.: Наука. 1982. 220 с.

351. Мак В. Т. Зависимость темновой проводимости монокристаллов CdS от энергии облучающих электронов // Физика и техника полупроводников. 1996. Т. 30. № 2. С. 292-295.

352. Бухаров В. Э., Роках А. Г. Влияние диффузии дефектов на радиационную стойкость гетерогенного фотопроводника CdS-PbS // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. № 24. С. 55-60.

353. Капица С.П., Мелехин В. Н. Микротрон. М.: Наука. 1969. 211 с.

354. Morillo J., de Novion C.H., Dural J. Neutron and electron radiation defects in titanium and tantalum monocarbides: an electrical resistivity study // Radiation Effects. 1981. V. 55. P. 67-78.

355. Гелетий В.Ф., Чернышев Л.В., Пастушкова T.M. Распределение кадмия и марганца между галенитом и сфалеритом // Геология рудных месторождений. 1979. Т. 21. №6. С. 66-75.

356. Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Дивинская Г. Г., Морозова И. М. Определение температурных зависимостей констант гидролитического разложения тио- и селеномочевины // Вестник УГТУ-УПИ. 2003. №.1. С. 120-125.

357. Накамото К. ИК-спекгры и спектры КР неорганических и координационных соединений. М.: Мир.1991. 536 с.

358. Khefacha Z., Mnari М., Dachraoui М. Characterisation des couches minces Cdi^ZnxS pr6par6es par depot chimique // Comptes Rendus Chimie. 2002. V. 5. No 3. P. 149-155.

359. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа. 1982. 528 с.

360. Балагуров Б.Я. Об изоморфизме некоторых задач теории протекания // Журн. экспериментальной и теоретической физики. 1983. Т. 85. № 2. С. 568-584.

361. McCulough R.L. Generalized combining rules for predicting transport properties of composite materials // Compos. Sci. Technol. 1985. V. 22. No 1. P. 3-21.

362. Карапетъянц M. X., Дракин С. И. Общая и неорганическая химия. М.: Наука. 1994. 592 с.

363. Казинец М. М. О структуре некоторых фаз системы Cu-S // Кристаллография. 1969. Т. 14. В. 4. С. 704-706.

364. Erbarut Е. Optical response functions of ZnS, ZnSe, ZnTe LOM method // Solid State Commun. 2003. V. 127. No 7. P. 515-519.

365. Nair M. Т. S., L. Guerrero L., Nair P. K. Conversion of chemically deposited CuS thin films to Cui.gS and Cui^S by annealing // Semicond. Sci. Technol. 1998.1. V. 13. P. 1164-1169.

366. Savadogo O. Chemically and electrochemically deposited thin films for solar energy materials // Sol. Energy Mater. 1998. V. 30. P. 361-388.

367. Conductive copper sulfide thin films on polyimide foils/ Cardoso J., Gomez-Daza O., Ixtlilco L., Nair M. T. S., Nair P. K. // Semicond. Sci. Technol. 2001. V. 16 P. 123-127.

368. Nair M.T.S., Nair P.K. Near-ideal solar control characteristics of Cu^S thin films // Semicond. Sci. Technol. 1989. V. 4. P. 599-602.

369. Chemical deposition of CuxS thin films and their prospective large area applications //Nair M.T.S., Nair P.K. Semicond. Sci. Technol. 1989. V. 4. P. 191-199.

370. High thin-film yield achieved at small substrate separation in chemical bath deposition of semiconductor thin films / Nair P. K., Garcia V. M., Gomez-Daza O., NairM. T. S., Semicond. Sci. Technol. 2001. V. 16. P. 855-863.

371. Grozdanov I. A simple and low cost technique for electroless deposition of chalcogenide thin films // Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. P. 1234-1241.

372. Kuhaimi S. A. Al., Bahammam S. All screen-printed CdS/CuInSe2 // Japan. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. part 1. No 8. P. 1499-1503.

373. Junction formation and characteristics of CdS/CuInSe2/metal interfaces / Ashour S., Alkuhaimi S., Moutinho H., Matson R., Abou-Elfotouh F.// Thin Solid Films. 1993. V. 226. Iss. l.P. 129-134.

374. Joshi R.K., Kanjilal A., Sehgal H.K. Solution grown PbS nanoparticle films // Appl. Surf. Sci. 2003. V. 221. Iss. 1-4. P. 43-47.

375. Indrea E., A. Barbu A.Indirect photon interaction in PbS photodetectors // Appl. Surf. Sci. 1996. V. 106. P. 498-501.

376. Grozdanov I., Najdoski M. Optical and electrical properties of copper sulfide films of vriable composition // J. of Sol. State Chem. 1995. V. 114. Iss. 2. P.469-475.

377. Nanometer-scale switches using copper sulfide / T. Sakamoto, H. Sunamura, H. Kawaura, T. Hasegawa, T. Nakayama, M. Aono // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. № 18. P. 3932-3034.

378. Nair P.K, Nair M.T.S. Chemically deposited ZnS thin films: application as substrate for chemically deposited Bi2S3, CuxS and PbS thin films// Semicond. Sci. Technol. 1992. V. 7. P. 239-244.

379. Nair P.K, Nair M.T.S. Versatile solar control characteristics of chemically deposited PbS-CujS thin film combinations // Semicond. Sci. Technol. 1989. V. 41. P. 807-814.

380. Suarez R., Nair P.K. Co-Deposition of PbS-CuS thin films by chemical bath technique // J. Sol. State Chem. 1996. V. 123. Iss. 2. P. 296-300.

381. Shannon R.D., Prewit C.T. Effective ionic radii in oxides and fluorides. Acta cryst. 1969. B25. P. 925-946.

382. Brown I.D., Shannon R.D. Empirical bound-length curves for oxides //Acta cryst. 1973. A29. P. 266-282.

383. Gusev A. I., Rempel A. A., Magerl A. J. Disorder and Order in Strongly Nonstoichiometric Compounds. Transition Metal Carbides, Nitrides and Oxides. Springer. Berlin Heidelberg - New York. 2001. 607 pp.

384. Гусев А.И., Ремпель A.A. Нестехиометрия, беспорядок и порядок в твердом теле. Екатеринбург. УрО РАН, 2001. 580 с.

385. Krivoglaz М. A. Theory of X-ray and Thermal-Neutron Scattering by Real Crystals. Plenum Press. New York. 1969. 405 pp.

386. Ремпель А. А., Ремпель С. В., Гусев А. И. Количественная оценка степени гомогенности нестехиометрических соединений // Доклады Академии наук. 1999. Т. 369. № 4. С. 486-490.

387. Ремпель А. А., Гусев А. И. Получение и оценка гомогенности сильно нестехиометрических неупорядоченных и упорядоченных карбидов // Физика твердого тела. 2000. Т. 42. № 7. С. 1243-1249.

388. Hall W. Н. X-ray line broadening in metals // Proc. Phys. Soc. London. 1949. Sect. A. V. 62. part 11. No 359A. P. 741-743.

389. Hall W. H., Williamson G. K. The diffraction pattern of cold worked metals: I. The nature of extinction //Proc. Phys. Soc. London. 1951. Sect.B. V.64. part 11.1. No 383 B. P. 937-946.

390. Williamson G. K., Hall W. H. X-ray line broadening from filed aluminium and wolfram // Act. Metal. 1953. Vol. 1. No. 1. P. 22-31.W.H. Hall. Proc. Phys. Soc. London A 62, part 11 (1949) 741.

391. Китайгородский А. И. Рентгеноструктурный анализ мелкодисперсных и аморфных тел. M.-JL: Гос изд. технико-теорет. лит-ры. 1952. 588 с.

392. Кричмар С. И., Шепель А. Ю. Повышенная селективность системы с сульфидными электродами // Журн. аналит. химии 1996. Т. 51. № 3. С.298-300.

393. Никольский Б. П., Матерова Е. А. Ион-селективные электроды. Л.: Химия. 1980. 240 с.

394. Sadanaga R., Sueno S. X-ray study on the a ^transition of Ag20 // Mineralog. J. 1967. V. 5. P. 124-148. (in Japanese)

395. Dhumure S. S., Lokhande C. D. Chemical deposition of Ag2S films from acidic bath // Mater. Chem. Phys. 1991. V. 28. P. 141-144.

396. Dhumure S. S., Lokhande C. D. Studies on the preparation and characterization of chemically deposited Ag2S films from an acidic bath // Thin Solid Films. 1994. V. 240. P. 1-6.

397. Цидильковский И. M. Бесщелевые полупроводники новый класс веществ. М.: Наука. 1986. 238 с.

398. Blakemore J. S. Solid State Physics. Second Edition. Cambridge: Cambridge University Press. 1987. 506 pp.

399. Minceva-Sukarova В., Nodoski M., Chnnilall C. J. Raman spectra of thin films of metal sulfides // J. Molecular Str. 1997. V. 410-411. P. 267-270.

400. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / Мясников И. А., Сухарев В. Я., Куприянов JI. Ю., Завьялов С. А. // М.: Наука. 1991.327 с.

401. Головань Н. В., Смынтына В. А., Шмилевич А. М. Влияние адсорбции сернистого ангидрида на поверхностный потенциал сульфида кадмия П Журн. физич. химии. 1992. Т. 66. № 4. С. 1073-1075.

402. Полупроводниковый чувствительный элемент газоанализатора на основе сульфида кадмия / Головань Н. В., Гудис А. И., Смынтына В. А. // Журн. аналиг. химии. 1991. Т. 46. В. 12. С.2374-2379.

403. Марков В. Ф., Маскаева JI. Н., Уймин С .Н., Маркова Н. В., Китаев Г. А. Способ получения полупроводникового материала для селективного детектора оксидов азота. Патент РФ № 2143677 с приоритетом от 11.11.97.

404. Волькенштейн Ф. Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука. 1987. 345 с.

405. ИК-спектры поглощения и нормальные колебания металлов с тиомочевиной / Харитонов Ю. Я., Брега В. Д., Абилов А. В., Проскина Н. Н // Журн. неорган, химии. 1974. Т. 19. В. 8 С. 2166-2177

406. Головня В. А., Прокофьева И. В. К вопросу образования тиомочевинных комплексов металлов // Ин-т общей и неорган, химии. Сектор платины. 1952. № 27. С. 62-79.

407. Семенов В. Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений. Дис.док. хим. наук. Воронеж. 2002. 355 с.

408. Show W. Н. R., Walker D.G. The decomposition of thiourea in water solutions // J. Amer. Chem. Soc. 1956. V.78. No 22. P. 5769-5772.

409. Косарева Л.А., Лавренева Л.Г., Зегжда Т.В., Шульман В.М. Разложение тиомочевины в щелочных средах // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1968. В. 16. № 14. С. 57-63.

410. Heintze H.-U. Thiourea as addition agent in copper electrodeposition. Monreal. 1973.264 p.

411. Яковлев И. Я., Разумнова Г. И. Тиоацетамид заменитель сероводорода в анализе металлов. ГОНТИ. 1963. 158 с.

412. Булатов Н. К., Лундин А. Б. Термодинамика неравновесных процессов. М.: Химия. 1984. 336 с.

413. Расчет электронной структуры молекул тиомочевины и аллилтиомочевины/ Китаев Г. А., Макурин Ю. Н., Двойнин В. И., Миролюбов В. Р. // Журн. физич. химии. 1975. Т. 49. В. 4. С. 1011-1013.

414. Юсупов Р. А. Исследование кинетики и механизма реакции образования сульфидов свинца и таллия в щелочных растворах тиомочевины и тиосемикарбазида. Дис.канд. хим. наук. Казань. 1981. 165 с.

415. Скульский И. А., Жуковская А. С. Влияние гидролиза на адсорбируемость радиоизотопов //Радиохимия. 1971. Т. 13. № 2. С. 278-281.

416. Дамаскин Б. Б., Петрий О. А., Батраков В. В. Адсорбция органических соединений на электродах. М.: Наука. 1968. 333 с.

417. Китаев Г. А., Жуковская А. С. Исследование сорбционных процессов на пленках сульфида серебра //Журн. физич. химии. 1975. Т. 39. № 2. С. 478-480.

418. Исследование взаимодействия целлюлозы и диметилэтиленмочевины / Великанова И. М., Литовченко Г. Д., Костров Ю. А., Попков С. П. // Журн. приклад, химии. 1973. Т. 46. № 9. С. 2062-2066.

419. Адылов А. Исследование взаимодействия целлюлозы с метилтиомочевиной методом ИК-спектроскопии // Узбек, хим. журн. 1964. Т. 9. В. 1. С. 87-90.

420. Власов А.А. Статические функции распределения. М. :Наука. 1966. С. 324-356

421. Булах Б. М., Шефталь Н. Н. Механизм роста кристаллов сульфидов кадмия из газовой фазы. В кн. Рост кристаллов. М.: Наука. 1974. Т. 10. С. 115-134

422. Шефталь Н. Н. Закономерности реального кристаллообразования и некоторые принципы выращивания монокристаллов. В кн. Рост кристаллов. М.: Наука. 1974. Т. 10. С. 195-220.

423. Шефталь Н. Н., Будынин А. Н. К моделированию процесса роста кристаллов. В кн. Рост кристаллов. М.: Наука. 1974. Т. 10. С. 251-265.

424. Маскаева Л.Н., Китаев Г.А., Марков В.Ф. Оценка числа зародышей, образующихся по гомогенному механизму в объеме водного раствора. Красноярск. 1999. С. 42 ( Тр. Второй межрегион, конф. с межд. участием).

425. Dutt М., Kameshwari D., Subbarao D. Size of particle obtained by solution growth technique // Colloids and Surfaces. A. Physicochem. and Engineer.Acpects. 1998. V. 133. P. 8991.

426. Смирнов Б. M. Физика фрактальных кластеров. М.: Наука. 1991. 134 с.

427. Куликов Д. В., МекаловаН. В., Закирничная М. М. Физическая природа разрушения. Уфа: 1999.

428. Пелегов Д. В. Исследование фрактального формализма для описания кинетики фазовых превращений в конечных системах. Дис. канд. физ.-мат.наук. Уральск. Гос. ун-т. Екатеринбург. 2001. 133 с.

429. Адамсон А. Физическая химия поверхности. М.: Мир. 1979. 568 с.

430. Ефремов И. Ф. Периодические коллоидные структуры. Л.: Химия. 1971. 192 с.

431. Панин В. Е., Лихачев В. А. Структурные уровни деформации твердых тел. Новосибирск: Наука. 1985. 229 с.

432. Влияние надмолекулярных структур на фильтрацию нефти в пористой среде / Гальцев В. Е., Ахметов И. М., Дзюбенко Е. М., Кузнецов А. М., Ковалев А. Т., Сальников Д. И. // Коллоид, журн. 1995 . Т. 57. № 5. С. 660-665.

433. Веснин Ю. И. Вторичная структура и свойства кристаллов. Новосибирск. Препринт 93-01: Институт неорган, химии СО РАН. 1994. 31 с.

434. Федер Е. Фракталы. М.: Мир. 1991. 254 с.

435. Шредер М. Фракталы, хаос, степенные законы. Миниатюры из бесконечного рая. Ижевск: НИЦ Регулярная и хаотическая динамика. 2001. 528 с.

436. Саввакин Г. И., Трефилов В. И. Проявление принципа самоорганизации в процессах кристаллизации метастабильных фаз в сильнонеравновесных условиях // Доклады АН СССР. 1987. Т. 293. № 1. С. 91-94.

437. Уваров Н. Ф., Болдырев В. В. Размерные эффекты в химии гетерогенных систем // Успехи химии. 2001. Т. 70. С. 307-329.

438. Хайрутдинов Р. Ф. Химия полупроводниковых наночастиц // Успехи химии. 1998. Т. 67. №2. С. 125-139