Нанокристаллический сульфид свинца: синтез, структура и свойства тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.21, кандидат химических наук Садовников, Станислав Игоревич

• Садовников, Станислав Игоревич
• кандидат химических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат химических наук Садовников, Станислав Игоревич

ВВЕДЕНИЕ

1. СТРУКТУРА, СВОЙСТВА И ПОЛУЧЕНИЕ СУЛЬФИДА СВИНЦА

1.1. Фазовые равновесия в системе свинец — сера (РЬ — 8)

1.2. Кристаллическая структура РЬЭ

1.3. Фазовые превращения в сульфиде свинца РЬБ

1.4. Термическая стабильность РЬБ

1.4.1. Теория окисления РЬ

1.4.2. Температура воспламенения РЬ

1.4.3. Возможные реакции окисления РЬ

1.5. Оптические и полупроводниковые свойства нанокристаллического РЬ

1.6. Методы получения нанопленок и нанопорошков РЬ8 3О

1.6.1. Физическое осаждение

1.6.2. Химическое осаждение

1.6.3. Химическое осаждение из водных растворов

1.7. Применение нанокристаллического РЬ

1.8. Постановка цели и задач диссертационной работы

2. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ

2.1. Получение нанопорошков и нанопленок сульфида свинца

2.2. Рентгеноструктурные методы исследования нанопорошков и тонких пленок РЬ

2.3. Оптическая и сканирующая элекгронная микроскопия

2.4. Оптические измерения

2.5. Микроинтерферометрия

2.6. Отжиг сульфида свинца

2.6.1. Отжиг нанопорошков РЬ8 на воздухе

2.6.2. Вакуумный отжиг нанопорошков РЬ

2.6.3. Получение тонких пленок методом вакуумного испарения и конденсации

2.6.4. Пошаговый отжиг нанопленок PbS с промежуточным охлаждением

2.6.5. Ступенчатый in-situ отжиг тонких пленок сульфида свинца

2.6.6. Кинетический in-situ отжиг тонких пленок PbS 65 2.7. Дилатометрия и термическая стабильность подложек.

3. АНАЛИЗ ИОННЫХ РАВНОВЕСИЙ В СВИНЕЦ-СО ДЕРЖАЩИХ ВОДНЫХ РАСТВОРАХ И СИНТЕЗ КОЛЛОИДНОГО РАСТВОРА

СУЛЬФИДА СВИНЦА

3.1. Анализ ионных равновесий в системе «РЬ -Cit "-0Н"-Н20»

3.2. Анализ ионных равновесий в системе «Pb2+-Cit3'-0H"-N2H4CS-H20»

3.3. Синтез наночастиц сульфида свинца методом химической конденсации

4. МИКРОСТРУКТУРА, НАНОСТРУКТУРА И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА СУЛЬФИДА СВИНЦА

4.1. Оптическая и электронная микроскопия PbS

4.1.1. Тонкие пленки

4.1.2. Отожженные нанопорошки

4.2. Определение размера наночастиц методом рентгеновской дифракции 101 4.2.1. Размер наночастиц и толщины пленок

4.2.3. Размер наночастиц в порошках

4.3. Кристаллическая структура наночастиц PbS

4.3.1. Кристаллическая структура наночастиц PbS в порошках

4.3.2. Кристаллическая структура наночастиц PbS в тонких пленках

4.3.3. Заполнение тетрамеждоузлий в синтезированных пленках PbS

4.3.4. In-situ рентгеноструктурное исследование кристаллической структуры тонких пленок PbS в процессе отжига

4.4. Моделирование ближнего порядка в плоских квадратной и гексагональной решетках на основе сульфида свинца

5. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА PbS

5.1. Оптические свойства в видимом р ближнем ИК диапазонах

5.2. Оптические свойства в широком ,ИК диапазоне

5.3. Рассеяние света наночастицами

5.4. Окисление сульфида свинца в наносостоянии на воздухе

5.5. Рекристаллизация и термическая стабильность наносостояния сульфида свинца в вакууме

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Нанокристаллический сульфид свинца: синтез, структура и свойства»

Актуальность темы. Сульфид свинца широко применяется в инфракрасной технике, микро- и оптоэлеюгронике. Его электронные свойства, как и свойства других полупроводников, существенно меняются при переходе из крупнокристаллического состояния- в наноструктурированное. Это открывает новые возможности применения оптических свойств наноструктурированного РЬБ в видимом и инфракрасном диапазонах спектра. Наноструктурированный сульфид свинца, преимущественно в виде пленок, может использоваться для расширения спектрального диапазона ИК-фотоприемников, и детекторов, предназначенных для обнаружения тепловых источников, в фотоумножителях и приборах ночного видения, в солнечных батареях и оптических переключателях.

Новые данные рентгеновской дифракции нанокристаллических пленок РЬ8 показывают, что их структура не совпадает со структурой крупнокристаллического сульфида свинца. Для расширенного применения наноструктурированного сульфида свинца нужно знать его устойчивость, к окислению и термическую стабильность, а эти сведения либо отсутствуют, либо весьма ограничены и неполны.

Актуальность выполненных исследований подтверждается их включением в. координационные планы Российской Академии наук на 2004-2006 гг. в рамках темы "Синтез, исследование строения и свойств нестехиометрических соединений (карбидов, нитридов, оксидов и сульфидов) в состояниях с разной степенью порядка и разным масштабом микроструктуры; моделирование ближнего и даль1 него порядка" (Гос. регистрация № 01.0.40 0 02314), на 2007-2009 гг. в рамках темы "Разработка методов синтеза и- исследование соотношений состав-струкгура дисперсность-свойство в областях гомогенности нестехиометрических соединений (карбидов, нитридов, оксидов переходных металлов, сульфидов тяжелых металлов); разработка методов расчета фазовых диаграмм систем с нестехиометрией, замещением и упорядочением" (Гос. регистрация № 01.2.007 05196) и на 20102012 гг. в рамках темы "Синтез, структура, свойства и термодинамика фазовых равновесий наноструктурированных нестехиометрических соединений переходных и тяжелых металлов с углеродом, кислородом и серой" (Гос. регистрация № 01.2.010 54461). Выполненные исследования соответствуют приоритетному направлению развития науки, технологий и техники в Российской Федерации "3. Индустрия наносистем и материалов" (распоряжение Президента РФ от 21.05.2006), критической технологии РФ "7. Нанотехнологии и технологии создания наноматериалов" (распоряжение Правительства РФ № 1243-р от 25.08.2008) и основным направлениям фундаментальных исследований РАН (распоряжение Президиума РАН № 10103-30 от 22.01.2007) по пунктам "2.2. Физическое материаловедение: новые материалы и структуры" и "5.2. Современные проблемы химии материалов".

Выполненная работа поддержана проектом № 09-П-23-2001 "Создание нано-размерных органических и гибридных материалов для техники и медицины" программы № 27 "Основы фундаментальных исследований нантехнологий и наноматериалов" Президиума РАН, межрегиональным проектом УрО РАН - СО РАН № 09-С-3-1014 "Дизайн наноструюурированных оксидных, карбидных и сульфидных материалов широкого функционального назначения" и проектом РФФИ № 11-0800314 "Аномальная зависимость между размером наночастиц сульфида свинца РЬБ и химическим сродством реакции его образования".

Рентгено-дифракционное изучение структуры исходных нанопорошков РЬБ и т-эИи исследование структуры тонких пленок выполнено в Институте кристаллографии и структурной физики Университета Эрланген-Нюрнберг (Германия, Эрланген). Часть электронно-микроскопических исследований проведена в Институте физики металлов УрО РАН. Синтез всех исследованных образцов осуществлен в Институте химии твердого тела УрО РАН.

Не ль работы. Синтез сульфида свинца в виде порошков и пленок с размером частиц от 10 до 100 нм, определение их кристаллической структуры, оптических свойств в видимом и ИК диапазонах, особенностей окисления нанопорошков и нанопленок РЬБ и термической стабильности.

Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи:

- с учетом многоядерных гидроксокомплексов РЬ провести анализ ионных равновесий и рассчитать концентрационные 'области образования PbS в виде порошков и пленок в водных щелочных растворах солей свинца и N2H4CS;

- установить экспериментальные условия синтеза порошков и тонких пленок сульфида свинца с размером частиц менее 100 нм;

- определить кристаллическую структуру сульфида свинца в нанопорошках и на-нопленках в температурном диапазоне от 293 до 930 К;

- установить соотношение между корреляциями во взаимном расположении атомов серы и вакансий в квадратной, и гексагональной решетках, которые образуются при разной кристаллографической ориентации осажденных пленок PbS;

- изучить оптические свойства нанокристаллических пленок PbS в видимом и ИК диапазонах излучения, оценить ширину запрещенной зоны нанокристаллического сульфида свинца и выявить влияние размера частиц PbS на ее величину;

- изучить особенности окисления нанопорошков и нанопленок сульфида свинца на воздухе и вакууме и определить температуру начала их окисления;

- определить температуру начала рекристаллизации нанокристаллического сульфида свинца для установления области его термической стабильности в вакууме.

Научная новизна. Впервые концентрационная область- образования сульфида свинца в водных растворах N2H4CS рассчитана с учетом не только одноядерных, но и многоядерных гидроксокомплексов свинца.

Обнаружена новая кристаллическая кубическая (пр. гр. Fm3m) структура г типа D03 тонких пленок PbS, отличающаяся от общепринятой структуры В1 расположением атомов серы S не только в октаэдрических позициях 4(6), но и в тет-раэдрических позициях 8(с). В этой структуре узлы 4(6) и 8(с) образуют гране-центрированную и простую кубические неметаллические подрешетки, соответственно, причем атомы S занимают только часть узлов 4(6) и 8(с), остальные узлы вакантны. Таким образом, в обнаруженной кубической структуре нанопленок PbS реализуется скрытое нестехиометрическое распределение атомов S и вакансий по двум неметаллическим подрешеткам. С учетом такого распределения атомов S I формула сульфида свинца в нанопленках имеет вид PbS^Sf^.

Впервые установлено соотношение между корреляциями во взаимном расположении атомов серы Б и вакансий в первой и более удаленных координационных сферах плоских дефектных квадратной и гексагональной решеток.

Установлена более высокая устойчивость к окислению нанопленок сульфида свинца по сравнению с нанопорошками РЬБ с размером частиц 10-100 нм.

Практическая ценность работы. Методика расчета концентрационной области образования сульфида свинца в водных растворах ^ЕЦСБ с учетом одноядерных и многоядерных гидроксокомплексов свинца может использоваться для уточнения областей образования сульфидов других металлов и определения начальных концентраций реагентов. 5

Уточнение области образования5 гидрооксида свинца особенно важно для направленного получения тонких пленок сульфида свинца.

Обнаруженный эффект просветления стекла в диапазоне длин волн от 2500 до ЗЗОО нм, наблюдаемый при осаждении на него пленки в течение 10-30 минут, может использоваться в производстве приборов и систем инфракрасной техники с пониженным коэффициентом отражения ИК-излучения. На защиту выносятся: '

1. Условия синтеза сульфида свинца в виде порошков и пленок с размером частиц от 10 до 100 нм, его кристаллическая структура и микроструктура:

2. Анализ ионных равновесий в водных щелочных растворах солей свинца и тио-мочевины с учетом многоядерных гидроксокомплексов свинца.

3. Оптические свойства нанокристаллических пленок РЬБ и влияние размера частиц в нанопленках на ширину запрещенной зоны сульфида свинца.

4. Термическая стабильность фазового состава и размера частиц нанопорошков и нанопленок сульфида свинца на воздухе и вакууме.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на следующих научных конференциях: VII отчетная конфеI ренция молодых ученых ГОУ ВПО УГТУ-УПИ (Екатеринбург, 2004 г.); VI Всероссийская студенческая научно-практическая конференция "Химия и химическая технология в XXI веке" (Томск, 2005 г.); Демидовские чтения на Урале (Екатеринбург, 2006 г.); 9-й Международный симпозиум ОМА-9 "Упорядочение в металлах и сплавах" (Ростов-на-Дону — Лоо, 2006 г.); IV международная научная конференция "Кинетика и механизм кристаллизации, нанокристаллизация, биокристаллизация" (Иваново, 2006 г.); пятый и шестой семинары СО РАН - УрО РАН по термодинамике и материаловедению (Новосибирск, 2005 г.; Екатеринбург, 2006 г.); II Всероссийская конференция по наноматериалам «НАНО-2007» (Новосибирск, 2007 г.); XVI International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia — RCCT-2007 (Suzdal, 2007); XX Всероссийское совещание по темпера-туроустойчивым функциональным покрытиям (Санкт-Петербург, 2007 г.); Jahrestagung der Deutschen Gesellschaft fiir Kristallographie (Erlangen (Germany), 2008); Russian-German travelling seminar 2008 "Nanotechnology in German Universities and scientific research centers" (Frankfurt am Main-Karlsruhe-Stuttgart-Munchen-Erlangen-Wurzburg (Germany)', June 2008); Всероссийская конференция "Химия твердого тела и функциональные материалы" (Екатеринбург, 2008 г.); II Всероссийская научно-техническая конференция-симпозиум — XII школа молодых ученых «Безопасность критичных инфраструктур и территорий» (Екатеринбург, 2008 г.); International Conference "Nanomeeting-2009" (Minsk, Belarus, 26-29 I

May 2009); Russian-German Travelling' Summer School - 2009 (Hamburg, Berlin,

Dresden, Erlangen, Regensburg, München (Germany), 2009); Международный форум по нанотехнологиям RusNanoTech-2010 (Москва, 2010 г.).

Личный вклад автора. Все результаты, приведенные в диссертационной работе, получены самим автором или при его непосредственном участии. В частно1 сти, автором установлены экспериментальные условия синтеза и получены нано-порошки и тонкие пленки PbS с размером частиц менее 100 нм, определены их кристаллическая структура и температуры начала рекристаллизации и окисления, измерены спектры оптического поглощения пленок PbS и определена ширина запрещенной зоны. Автором обобщены экспериментальные результаты, сформулированы основные положения и выводы диссертации. t

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 27 печатных работах, в том числе в 11 статьях в рецензируемых научных журналах.

Заключение диссертации по теме «Химия твердого тела», Садовников, Станислав Игоревич

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Впервые с учетом многоядерных гидроксокомплексов свинца проанализированы ионные равновесия в системах "РЬ2+-Си3~-0Н~-Н20" и "РЬ2+-СИ;3--ОН~-1\Г2Н4С8-Н20", определены условия образования гидроксида и сульфида свинца, рассчитана область устойчивого образования осадка РЬ(ОН)2 и уточнена "гидро-ксидная" область для растворов, содержащих гидроксокомплексы и цитратные комплексы свинца. Уточнение указанных областей важно для определения состава реакционных смесей, используемых в синтезе тонких пленок сульфида свинца.

2. Синтезированы нанокристаллические порошки РЬБ с размером частиц от 10 до 20 нм и тонкие нанокристаллические пленки сульфида свинца с размером частиц 40-80. нм и толщиной от 80-120 до 400 нм.

3. Показано, что нанокристаллические пленки-РЬБ имеют кубическую (пр. гр. РтЪт) структуру типа £>0з с неупорядоченным размещением атомов серы в октаэдрических позициях 4(6) и в тетраэдрических позициях 8 (с), которые с веро ятностями у и (1 -у)/2, соответственно, заняты атомами Б. В результате в кубической структуре нанопленок РЬ8 реализуется>нестехиометрическое распределение атомов Б и вакансий по гранецентрированной и простой кубическим неметаллическим подрешеткам. В нанопленках с учетом их структуры сульфид свинца имеет химическую формулу РЬБ^Б^ или, в общем виде, РЬЯ^6^!.^.

4. Установлено соотношение между корреляциями во взаимном расположении атомов в первой и более удаленных (вплоть до девятой) координационных сферах плоских дефектных квадратной и гексагональной решеток. Эти решетки могут образовываться при разной кристаллографической ориентации осажденных пленок сульфида свинца с нестехиометрическим распределением атомов серы по 1 двум неметаллическим подрешеткам.

5. На основе данных о спектральном пропускании пленок с размером нано-частиц РЬБ 40-80 нм определена ширина запрещенной зоны -Е^ нанокристалличе-ского сульфида свинца, составляющая от -0.85 до 1.50 эВ и показано, что при уменьшении размера наночастиц имеется тенденция к увеличению ширины зоны, т. е. наблюдается синее смещение полосы оптического поглощения.

6. Эффект просветления стекла в диапазоне длин волн от 2500 до 3300 нм, наблюдаемый при осаждении на него пленки в течение 10-30 минут, означает, что в начальный момент осаждения на поверхности подложки образуется гидроксид свинца, который далее в результате сульфидизации переходит в сульфид свинца.

7. Окисление нанопорошков и нанопленок PbS согласуется с сульфатной теорией окисления. Окисление нанопорошков при размере наночастиц 10-80 нм начинается при температуре, которая на 450 К ниже температуры начала окисления обычного (bulk) сульфида свинца,' равной 870 К. Нанопленки PbS более устойчивы к окислению по сравнению с нанопорошками и стабильны на воздухе вплоть до температуры 573 К.

8. Температура рекристаллизации нанопорошков PbS в вакууме равна 700 К, что составляет около половины температуры плавления сульфида свинца и свидетельствует о повышенной термической стабильности размера частиц нанопорошков.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Сульфид свинца является одним из полупроводниковых материалов, широко используемых в современных оптических устройствах, работающих в инфракрасном диапазоне. В.последние 10-20 лет в связи с перспективами применения нанокристаллических полупроводниковых материалов вырос интерес к получению нанопорошков и тонких пленок с частицами нанометрового размера.

В данной работе с учетом не только одноядерных, но и многоядерных гид-роксокомплексов свинца уточнены концентрационные области образования сульфида свинца в виде порошков и пленок в водных щелочных растворах ацетата свинца и N2H4CS, подробно изучены кристаллическая структура, микроструктура, оптические свойства и окисление пленок и порошков сульфидов свинца, полученных химическим осаждением из указанных водных растворов. Полученные нанопорошки PbS имеют повышенную относительную температуру рекристаллизации Грекр ж 0.5ГплаВл и отличаются большей термической стабильностью размера частиц и, соответственно, большей стабильностью свойств в сравнении со многими другими наноматериалами. Нанокристаллические пленки сульфида" свинца устойчивы к окислению на воздухе вплоть до температуры 573 К, что позволяет использовать их в создании новых инфракрасных детекторов и датчиков теплового излучения, предназначенных для применения в более широком температурном1 интервале. Эффект просветления стеклянной подложки в диапазоне длин волн от 2500 до 3300 нм, наблюдаемый на первичных стадиях осаждения на неё пленки сульфида свинца, может использоваться для производства приборов инфракрасной техники с пониженным коэффициентом отражения ИК-излучения.

Изучение кристаллического строения пленок сульфида свинца обнаружило, что структура PbS в'пленках не так проста, как предполагалось в литературе. Для решения фундаментальных и практических задач в дальнейшем необходимо установить микроскопические причины найденного скрытого нестехиометрическо-го распределения атомов серы по октаэдрическим и тетраэдрическим междоузлиям подрешетки свинца. Дальнейшее уточнение структуры PbS в пленках и выяснение пределов её стабильности будет задачей последующих исследований.

Автор благодарен своему научному руководителю члену-корреспонденту РАН профессору доктору физико-математических наук Андрею Андреевичу Рем-пелю и консультанту кандидату химических наук Наталье Сергеевне Кожевниковой за предложенную тему исследования и большую помощь в ее выполнении на всех этапах.

Автор признателен профессору, доктору физико-математических наук Александру Ивановичу Гусеву за постоянный интерес и поддержку в работе.

Автор искренне благодарит профессора А. Магерля (Институт кристаллографии и структурной физики, Университет Эрланген-Нюрнберг, Германия) за предоставленную возможность экспериментального исследования тонких пленок и нанопорошков PbS методами рентгеновской дифракции, в особенности in situ i методом.

Автор признателен, руководителю центра электронной микроскопии Института физики металлов УрО РАН доктору физико-математических наук В. Г. Пушину за помощь в помощь в электронно-микроскопических исследованиях.

Автор благодарен сотрудникам лаборатории структурного и фазового анализа ИХТТ УрО РАН за съемку рентгеновских дифракционных спектров образцов, сотрудникам лаборатории физико-химических методов анализа ИХХТ УрО РАН за проведение химического и масс-спектрометрического анализа образцов. Автор признателен своим ближайшим коллегам по лаборатории нестехиометриI ческих соединений ИХТТ УрО РАН к.ф.-м.н. Курлову А. С., к.х.н. Давыдову Д. А., Макаровой О. В. за помощь в экспериментах и полезное обсуждение результатов работы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Садовников, Станислав Игоревич, 2011 год

1. Edelstein A.S., Cammarata R.C. Nanomaterials: Synthesis, Properties and Applications. - Bristol: 1.P, 1996. - 596 p.

2. Гусев А.И., Ремпель A.A. Нанокристаллические материалы. М.: Физматлит, 2000.-224 с.

3. Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии / Изд. 3-е. М.: Физматлит, 2009. 416 с.

4. Гусев А.И. Эффекты нанокристаллического состояния в компактных металлах и соединениях // Успехи физ. наук. 1998. - Т.168, № 1. - С.55-83.

5. Хайрутдинов Р.Ф. Химия полупроводниковых наночастиц // Успехи химии. — 1998. Т.67, № 1. - С.125-139.

6. Bredberg В. G. Ueber die chemische Zusammensetzung der bei Schmelzprozessen im Grossen sich bildenden Schwefelmetall — Verbindungen // Annalen der Physik. — 1829. — V.93, No 10. — P.268-295.

7. Friedrich K., Leroux A. Blei und Schwefel // Metallurgie. 1905. - V.2, No 22. -P.536-539.

8. Kullernd G. The Lead-sulfur system // American Journal of Science, Schairer. -1969. — V.267A, No 2. — P.233-256. '

9. Lin J.C., Sharma R.C., Chang Y.A. Pb-S (Lead-Sulfur). In: "Binary Alloy Phase Diagrams", 2nd ed. / Ed. T.B. Massalski. Materials Park (Ohio): ASM Intern. Publ., 1990. - V.3. - P.3005-3009. '

10. Landolt-Börnstein Group IV Physical Chemistry. - Vol.5I. Ni-Np - Pt-Zr. -Springer-Verlag, - 1998.

11. Eric R.H., Timucin M. Phase equilibria and thermodynamics in the lead-lead sulphide system // J. S. Afr. Inst. Min. Metall. 1988. - V.88, No.l 1. -P.353-361.

12. Lin J.C., Sharma R.C., Chang Y.A. The Pb-S (Lead-Sulfur) System // Bulletin Alloy Phase Diagrams 1986. -V.7, No 4. -P.374-381.

13. Структура типа галенита / В кн.: Минералы. Справочник, т.1. / Под ред. Ф. В. Чухрова. М.: Изд-во АН СССР, 1960. - С.182-190.174 Iл

14. Чижиков Д.М. Металлургия свинца. — М.: Гос. научно-техническое издательство литературы по черной и цветной металлургии. 1944. 399 с.

15. Чижиков Д.М. Гидроэлектрометаллургия сульфидных сплавов и штейнов. М.: Издательство Академии наук СССР, 1962. 206 с.

16. Боярская Ю. С. Исследование анизотропии твердости монокристаллов PbS методом царапания // Кристаллография. 1957. - Т.2, №-5. - С.709-712.

17. Чудинов А. А. Зависимость скорости ультразвука от температуры в монокристаллах PbS в интервале 80-640 К // ФТТ. 1963. - Т.5, № 5. - С. 1458-1460.

18. Harman Т.С., Melngailis I. Narrow gap semiconductor in applied solid state science // In: Applied-Solid State Science / Ed. R. Wolfe. London: Academic Press, 1974. - V.4. - P. l-94l

19. Новикова С. И., Абрикосов Н.Х. Исследование теплового расширения халь-когенидов свинца// ФТТ. 1963. -Т.5, № 7. -С.1913-1916.

20. Strauss A.J., Harman»Т.С. Pseudobinary phase diagram and existence regions for-PbSi-xSe* // J. Electron. Mater. 1973. - V.2, No 1. - P.71-85.

21. Леушина А.П., Симонова M.B. К вопросу о применении метода электродвижущих сил для исследования чисел переноса диодида свинца и отклонения от стехиометрии в халькогенидах свинца // Ж. физической химии. — 1974. Т.48, №5.-С.1187-1189.

22. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Пер. с англ. под ред. О.М.

23. Полторака. -М.: Мир, 1969. 654 с.1

24. Угай Я. А. Особенности химии немолекулярных (координационных) структур // Соровский образовательный'журнал. 1996. - Т.2, № 3. - С.28-33.

25. Temperature dependence of atomic thermal parameters of lead chalcogenide, PbS,

26. PbSe, and PbTe / Noda Y., Masumoto K., Ohba S., Saito Y., Toriumi K., Iwata Y.,i

27. Shibuya K. // Acta Crystallogr. C. 1987. - V.C43, No 8. - P.1443-1445.

28. Charge distribution and atomic thermal parameters of lead chalcogenide crystals / Noda Y*., Ohba S., Sato S., Saito Y. // Acta Crystallogr. B. 1983. - V.B39, No 3. -P. 312-317. ,

29. Гусев А.И., Ремпель A.A. Нестехиометрия, беспорядок и порядок в твердом теле. Екатеринбург: УрО РАН, 2001. - 580 с.

30. Бокий Г.Б. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971. —400 с.

31. Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1984. - 376 с.

32. Atomic geometry of the PbS (100) surface / Kendelewicz Т., Liu P., Brown G.E., Nelson E.J. // Surface Science. 199S!. - V.395, No 2-3. - P.229-238.

33. Mondal A., Mukheijee N. Cubic PbS thin films on TCO glass substrate by galvanic technique // Materials Letters. 2006. - V.60, No 21-22. - P.2672-2674.

34. Pressure induced structural transitions in nanometer size particles of PbS / Qadri

35. B., Yang J., Ranta B.R., Skelton E.F., Hu J.Z. // Appl. Phys. Lett. 1996. - V.69, No 15. — P.2205-2207.

36. Knorr K., Ehm L., Hytha M., Winkler В., Depmeier W. The high-pressure a/pphase transition in-lead sulphide (PbS) // Eur. Phys. J. B. 2003. - V.31, No 3. i1. P.297—303. :

37. Qadri S.B., Singh A., Yousuf M. Structural stability of PbS films as a function of temperature // Thin Solid Films. 2003. - V.431-432. - P.506-510.

38. Гофман Г.О. Металлургия свинца. M.: Цветметиздат, 1932. — 683 с.

39. Смирнов В.И. Шахтная плавка в металлургии цветных металлов. Свердловск: Металлургиздат, 1955. — 530 с.

40. Gardner D. Oxidation of Lead Sulfide // Mining Congress J. 1945. - No 9. - P.36-42.i

41. Vander Poorten H., Meumier L. Les reaction d'oxydation du sulfure de plomb*// Metallurgie (Belg.). 1962. -V.3, No 1. -P.15-25.

42. Палзухин В. А. О природе основных явлений при медной плавке // Сборник научных трудов Московского института цветных металлов и сплавов. — 1955. № 25. - С.134-144.

43. Цефт A. JL, Абдеев М. А. Об условных скоростях окисления сульфидов металлов // Труды Уральского индустриального инс-та. — 1944. №18. С.33-43.

44. Freidrich К. Thermische Daten zu den Rostprozessen // Metallurgie. 1909. - No6.-P.169-182.

45. Freidrich K. Thermische Daten zu den Rostprozessen // Metallurgie. 1910. - No 3. -P.79-89.i

46. О температурах воспламенения сульфидов / Смирнов В.И:, Абдеев М.А., Худяков И.Ф., Клюева А.В. // Цветные металлы. 1953. - № 6. - С.24-29.

47. Пензимонж И.И. Воспламенение сульфидов тяжелых металлов. Алма-Ата: Изд-во АН КазССР, 1959. - 94 с. .

48. Френц Г.С. Окисление сульфидов металлов. — М.: Наука, 1964. — 191 с.1

49. Чижиков Д.М., Френц Г.С., Трацевицкая Б.Я. Механизм и кинетика окисления сульфида свинца кислородом // Изв. АН СССР, ОТН. 1949. - №9. -С.1352-1961.

50. Чижиков. Д.М., Балихина Г.С. Окисление сульфидов свинца и цинка чистым кислородом // Цветные металлы. 1937. - № 4. - С.72-74.

51. Уразов Г. Г., Эдельсон JI. Р. Материалы по металлургии цветных металлов. -JL: ОНТИ," 1932. —474 с.

52. Френц Г.С. Обжиг сульфидных- концентратов тяжелых цветных металлов // Металлургия СССР (1917-1957) / под ред. акад. И.П. Бардина. М.: Гос.-техн. изд-во лит-ры по черной и цв. металлургии, 1958. - Т.1. — С.497-507.

53. Gibson A.F. The Absorption Spectra of Solid Lead Sulphide, Selenide and Telluride // Proc: Phys. Soc. (London). 1950. Y.B63, No 10. -P.756-767.

54. Chasmar R. P. High-Frequency Characteristics of Lead Sulphide and Lead Selenide Layers //Nature. 1948. - V.161. -P.281-282.

55. Sosnowski A., Starkiewicz J., Simpson O; Lead Sulphide Photocon-Ductive Cells // Nature. 1948. - V.159. - P.818-819.

56. Moss T.S. The temperature variation of the long-wave limit of infra-red photoconductivity in lead sulphide and similar substances // Proc. Phys. Soc. B. 1949. -Y.62, No 11.-P.741-748.

57. Gibson A.F. The absorption spectra of single crystals of lead sulphide, selenide and telluride //Proc. Phys. Soc. (London).'- 1952. V.B65, No 5. - P.378-388.

58. Avery D.G. Further measurements on the optical properties of lead sulphide, selenide and telluride //Proc. Phys. Soc. (London). 1954. - V.B67, No 1. - P.2-8.

59. Scanion W.W. Intrinsic optical absorption and the radiative recombination lifetime in PbS // Phys. Rev. 1958. - V. 109, No 1. - P.47-50.

60. Cardona M., Greenaway D.L. Optical Properties and Band Structure of Group IV-VI and Group V Materials // Phys. Rev. 1964. - V.133, No 6A. - P.1685-1697.

61. Moss T.S. Optical Properties of Semiconductors / Ed.: С. A. Hogarth. London: Butterworths Scientific Publication, Ltd., 1959. - 279 pp.

62. Уханов Ю. И. Экспериментальное исследование оптических и магнитооптических свойств полупроводников // Дисс. . доктора физ.-мат. наук. — Л.: Ле-нинградск. политехи, инст., 1966. -320 с.

63. Scanion W.W. Recent advances in the optical and> electronic properties of PbS, PbSe, PbTe and their alloys // J. Phys.! Chem. Solids.- 1959.- V.8, No 1. P.423-428.

64. Schoolar R.B., Dixon J.R. Optical constants of lead sulfide in the fundamental absorption edge region // Physical Review. 1965: - V.137, No 2A. - P.667-670.

65. Zemmel1 J.N., Jensen J.D., Schoolar R.B. Electrical and optical properties of epitaxial films of PbS, PbSe, PbTe and SnTe//Phys. Rev.- 1965.- V.140, No 1A. P.330-342.

66. Landolt-Börnstein: Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften und Technik Neue Serie/Grouppe П1: Kristall- und Festkörperphysik. Berlin1- Heidelberg -New York - Tokyo: Springer-Verlag, 1983. - Band 17, Teilband f. - P.155-162.

67. Оптические материалы для инфракрасной техники. / Воронкова Е.М., Гречу шниковБ.Н, Дистлер Г.И:, Петров И.П: — М.: Наука, 1965. — 335 с.

68. Optical and conductivity properties of PbS nanociystals in amorphous zirconia solgel films / Sashchiuk A., Lifshitz E., Reisfeld R., Saraidarov Т., Zelner M., Willenz A. // J. Sol-Gel Science and Technology. 2002. - V.24, NoT. P.31-38.

69. Yang Y.J., He L.Y., Zhang Q.F. A cyclic voltametric synthesis of PbS nanopar-ticles // Electrochemistry Communications. 2005. - V.7, No 4. - P.361-364.

70. Optical nonlinear properties of PbS nanoparticles studied by the Z-scan technique / Baolong Yu, Guosheng Yin, Congshan Zhu, Fuxi Gan // Optical Materials. 1998. - V.ll, No 1.-P.17-21.

71. Optical and dielectric properties of PVA capped nanocrystalline PbS thin films synthesized by chemical bath deposition / Jana S., Thapa R., Maity R., Chattopadhyay K.K. // Physica E. 2008. - V.40, No 10. -P.3121 - 3126.

72. Brus L.E. Electron-electron and electron-hole interactions in small semiconductor crystallites: The size dependence of the lowest excited electronic state // J. Chem. Phys. 1984. - V. 80, No. 9. - P. 4403-4409.

73. Wang Y., Herrón N. Nanometer-sized semiconductor clusters: materials synthesis, quantum* size effects, and photophysical properties // J. Chem. 1991. - V.95, No 2. - P.525-532.

74. Nonlinear optical properties of PbS nanoparticles under CW laser illumination / Yu B., Gu Y., Mao Y., Zhu C., Gan F. // Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials. 2000.- - V.9, No 1. - P. 117-12Í

75. Optical and electrical properties of PbS + In; thin films subjected to thermaliprocessing / Parra R.S., George P.J., Sánchez G.- G., Jiménez González A. E., BañosLL., Nair P. K. // J. Phys. Chem. Solids.- 2000. V.61, No 5. -P.659-668.

76. Optical properties of PbS thin films cíiemically deposited at different temperatures / Valenzuel-Jaureguia J.J., Ramirez-Bon R., Mendoza-Galvan A., Sotelo-Lerma M. // Thin Solid Films. 2003. - V.441. -P. 104-110.

77. Optical properties of thin solid films of lead sulfide / Najdovski M., Minceva-Sukarova B., Drake A., Grozdanov I., Chunnilall C. J. // Journal' of Molecular Structure. 1995. - V.349, No 1. - P.85-88.

78. Growth and characteristics of lead sulfide nanocrystals produced by the porous alumina membrane / Jung-Hsuan Chen; Chuen-Guang Chao, Jong-Chyan Ou, Tzeng-Feng Liu // Surface Science. 2007. - V.601, No 22, - P.5142-5147.

79. Peterson J. J., Krauss T.D.' Fluorescence Spectroscopy of Single Lead Sulfide Quantum Dots // Nano Lett. 2006. V.6, No 3. - P.510-514.

80. Yongbin Zhao, Jianhua Zou, Wenfang Shi; In situ synthesis and characterization of lead sulfide nanocrystallites in the modified hyperbranched polyester by gamma-ray irradiation // Mater. Sci. Engineer. B. 2005. - V.121, No 1-2. P.20-24.

81. Studies on thin films of lead chalcogenides / Kumar S., Khan Z. H., Majeed Khan M.A., Husain M. // Current Applied Physics. 2005. - V.5, No 6. - P.561-566.

82. Combined chemical-physical methods for enhancing IR photoconductive properties of PbS thin films / Pentia E., Pintilie L., Matei I., Botila T., Pintilie I. // Infrared Physics & Technology. 2003. - V.44, No 3. - P.207-211.

83. Холленд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме / Пер. с англ. М.-Л.: Гос-энергоиздат, 1963. —608 с.

84. PKotoaccelerated chemical! deposition of PbS thin films: novel applications in decorative coatings andimaging; techniques,/NairPK, Garcia V M, Hernandez A B-Nair M.T.S. //J. Phys. D: Appl. Phys.- 1991; V.24, No 8.-P. 1466-1472.

85. A novel aqueous-phase route to prepare flower-shaped PbS micron-crystals;Yong-hong Ni, FeiWang, Hongjiang Liu, Gui-Yirij Jianming Hong, Xiang Ma, Zheng Xu // J. Cryst; Growth. 2004. - V.262, No 1-4. - P.399-402.

86. Synthesis of lead sulfide nanocrystals via microwave and sonochemical methods / Yu Zhao, Xue-Hong Liao, Jian-Mini Ilong, Jun-Лё Zhu // Mater. Chem. Phys. -2004. V.87, No 1.-P. 149-153. ; , :

87. Growth of ultra ,thin PbS films by SILAR technique / Puiso J., Lindroos S., Tamu-levicius S:, Leskela Mi,.Snitka V. // ThiirSolidiFilms. 20031- V.428. - P:223-226.

88. Пауэл К.Ф., ОкслиД.Н.,Блотчер, Д.М. Осаждение из газовой фазы / Пер. с.англ. Юрченко М:И:-М:: Атомиздат, 1970: 471 с.

89. Growth of PbS and CdS thin films Ь^ low-pressure ,chemical;vapour deposition-using dithiocarbamates / Fainer N.Ii, Kosinova M.E., Rumyantsev Yu.M:, Salman E. G., Kuznetsov F. A. // Thin Solid Films. 1996. - V.280, No/1-2. - P. 16-19:

90. Formation of lead sulfide nanoparticles via Langmuir-Blodgett technique / Limei Xu, Xiao Chen, Luyan Wang, Zhenming Sui, Jikuan Zhao, Baolin Zhu // Colloids and Surfaces A: Physicochem. Eng. Aspects. 2005. - V.257-258. - P.457-460.

91. Chamberlin R.R., Sharman J.S. Chemical spray deposition process for inorganic films//J. Electrochem. Soc. 1966. - V.113, No 1.-P.86-89.

92. Thangaraju В., Kaliannan P. Polyciystalline lead tin chalcogenide thin films grown by spray pyrolysis // Crist. Res. Techriol. 2000. - V.35, No 1. - P.71-75.

93. Семенов B.H., Наумов A.B. Процессы направленного синтеза пленок сульфидов металлов из тиокарбамидных координационных соединений // Вестник ВГУ. Серия химия, биология. 2000. - С.647-652.

94. Electrodeposition of lead sulphide in acidic medium / Maheshwar Sharon,* Ramaia-ha K. S., Mukul Kumar, Neumann-Spallart M., Levy-Clement C. // J. Electroanal. Chem. 1997. - V.436. - P.49^-52.

95. Saloniemi H. Electrodeposition of PbS, PbSe and PbTe Thin Films // In: VTT Pubilications. V.423". / Ed. L. Ukskoski. - Espoo: Technical Research Center of Finland, VTT, 2000. - 82 pp.

96. Electrochemical quartz crystal microbalance study on cyclic electrodeposition of PbS thin-films / Saloniemi H., Kemell M., Ritala M., Leskela M. // Thin Solid Films.- 2001. -V.386.-P.32-40. ;

97. Yu Jun Yang. A novel electrochemical preparation of PbS nanoparticles // Materials Science and Engineering B. 2006. - V.131, No 1-3. - P.200-202.

98. Nicolau Y. F. Solution Deposition of Thin Solid Compound Films by a Successive Ionic-Layer Adsorption and Reaction Process // Applied Surface Science. 1985. -V.22/23. -P.1061-1074

99. Nicolau Y. F., Menard J. C. Solution growth of ZnS, CdS and Zn^Cd^S thin films by the successive ionic-layer adsorption and reaction process; growth mechanism // J. Cryst. Growth. 1988. - V.92, No 1-2. - P. 128-142.

100. Nicolau Y. F., Menard J. C. Procedure for solution growth of ZnS, CdS andi

101. Zn^Cd^S thin films by- successive ionic-layer adsorptions and reactions // J. Appl. Electrochem. 1990. - V.20, No 6. -P.1063-1066.

102. Nicolau Y. F. Process and apparatus for the deposition on a substrate of a thin film of a compound containing at least one cationic constituent and at least one anionic constituent // US Patent, 4675207. 1987. - P. 1-3.

103. Китаев Г.А., Урицкая А.А., Мокрушин С.Г. Условия химического осаждения.сульфида кадмияна твердой поверхности // Журн. физ. химии. 1965. -Т.39, № 8. - С.2065-2066.

104. Лундин А.Б., Китаев Г.А. Кинетика осаждения тонких пленок селенида свинца // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1965. - Т.1, № 12. - С.1201-1207.i

105. Марков« В.Ф., Маскаева* JI.H., Иванов П.Н. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент. — Екатеринбург: УрО РАН, 2006.-217 с.

106. Кожевникова Н.С., Ремпель А.А. Физическая химия водных растворов. Теоретические основы и синтез перспективных полупроводниковых' оптических материалов. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ; 2006. - 148 с.

107. Gaiduk А. P., Gaiduk P.I., Larsen A.N. Chemical bath deposition of PbS nano-crystals: Effect of substrate // Thin Solid Films. -2008. -V.516. P.3791-3795.

108. Yu Jun Yang, Shengshui Hu. The deposition of highly uniform and adhesive nano-crystalline PbS film from solution // Thin Solid Films.- 2008i- V.516. P.6048-6051.

109. Characterization of PbS nanoparticles synthesized by chemical bath deposition / Kumar D., Agarwal G., Tripathi В., Vyas Di, Kulshrestha V. // J. Alloys Сотр. -2009. V.484, No 1-2. - P.463-466.

110. Towards particle size regulation of chemically deposited lead sulfide (PbS) Rempel A.A., Kozhevnikova N.S., Leenaers A.J.G., Berghe S. // J. Cryst. Growth. 2005. - V.280, No 1-2. - P.300-308.

111. Structural characterization of chemically deposited PbS thin films / Fernandezt1.ma F.A., Gonzalez-Alfaro Y., Larramendi E.M., Fonseca Filho H.D., Maia da

112. Costa M.E.H., Freire Jr.F.L., Prioli R., R.R. de Avillez, E.E. da Silveira, Calzadilla O., O. de Meló, Pedrero E., Hernández E. // Materials Science and Engineering B. 2007. - V. 136, No 2-3.-P. 187-192.

113. Synthesis and; characterization of PbS crystals via a solvothermal route / Fei Li, Xintang Huang,- Tao Kong, Xueqin Liu, Qinghua Qin and Zhen Li // J. Alloys Comp. -2009: V.485, No. 1-2. - P.554-560. '

114. Synthesis of PbS nanocrystallites by electron beam irradiation / Minghong Wu,. Haijian Zhong, Zheng Jiao, Zhcn Li, Yufei Sun // Colloids and Surfaces A: Physi-cochem. Eng. Aspects. 2008. - V.3 Í3—314. - P.35-39:

115. Ghamsari M. S., Araghi M.K., Farahani S.J. The influence of hydrazine hydrate on the photoconductivity of PbS thin film // Materials Science and Engineering B.- 2006. V.133, No 1-3. - P.l 13-116.

116. Effect of thickness on the thermoelectric properties of PbS thin films / Rogache-va E.I., Nashchekina O.N., Vekhov Y.O., Dresselhaus M.S., Cronin S.B. // Thin Solid Films. 2003. - Y.423. - P. 115-118.

117. Hawaldar R.R., Umarji G.G., Ketkar S.A. Nanoscale multilayer PbS thin films fabricated by liquid—liquid interface reaction technique for solar photovoltaic applications // Materials Science and Engineer. B. 2006. - V.132, No 1-2. - P.170-173.

118. Фотоэлектрические свойства слоев сульфида свинца, полученных методами химического осаждения и пульверизации / Алешин А.Н., Бурлак А.В., Мандель В.Е., Пастернак В.А., Тюрин А.В., Цукерман В.Г. // Фотоэлектроника. 1999.-В.8. - С.111-114.

119. Григорьев Е.И., Завьялов С.А., Чвалун С.Н. ГПП синтез поли-я-ксилилен-металл (полупроводник) нанокомпозиционных материалов для химических сенсоров. // Российские нанотехнологии. 2006. - Т.1, № 1-2. - С.58-70.

120. Левченко А., Леонова Л., Добровольский Ю. Твердотельные электрохимические сенсоры активных газов. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. -2008.-№ 1.-С.66-71.

121. Photovoltaic lead-chalcogenide on silicon infrared sensor arrays / Hans Zogg, Alexander Fach, Clau Maissen, Jiri Masek, and Stefan Blunier // Opt. Eng. 1994.- V.33, No 5. P.1440-1449.

122. Structural and optical properties of PbS thin films obtained by chemical deposition / Ileana Pop, Cristina Nascu, Violeta Ionescu, E. Indrea, I. Bratu // Thin Solid Films. 1997. - V.307, No 1-2. - P.240-244.

123. Prospects of chemically deposited metal chalcogenide thin films for solar control applications / Nair P K, Nair M T S, Fernandez A, Ocampo M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1989. - V.22, No 6. - P.829-836.

124. Bauer G., Clemens H. Physics and Applications of IV-VI Compound Quantum Well and Superlattice Structures // Semicond. Sci. Technol. 1990. - V.5, No 3S. -P.S122-S130.

125. Preier H. Physics and applications of IV-VI compound semiconductor lasers // Semicond. Sci. Technol. 1990. - V.5, No 3S. - P.S12-S20.

126. Ремпель А. А. Нанотехнологии, свойства и применение наноструктурированных материалов // Успехи химии. 2007. - Т.76, № 5. - С.474-500.t

127. Vibronic quantum beats in PbS microcrystallites / Machol J.L., Wise F.W., Patel R.C., Tanner DIB: // Phys. Rev. Bs 1993. - V.48; No 4. - P.2819-2822.

128. Femtosecond nonlinear optical properties of PbS nanoparticles / Dan Li, Chunjun1 Liang, Ye Liu, Shixiong Qian // J. Luminescence. 2007. - V.122-123. - P.549-551.

129. Reisfeld R. Structure and Bonding / In: New Materials for Nonlinear Optics -Berlin: Springer-Verlag, 1996. - V.85. -P.99-149.

130. Ekimov A.I., Efros A.L., Onushchenko A.A. Quantum size effect in semiconductor microciystals // Solid1 State Commun. 1985. - V.56, No 11. - P.921-924.

131. Chemically preparedsnanociystalline PbS-thin films / Pentia E., Pintilie L., Matei I., Botila Т., Ozbay E. // J. Optoelectrpn; Adv. Mater. 2001.- V.3, No 2.- P.525-530:

132. The luminescence of PbS nanoparticles embedded in sol-gel silica glass / Ping Yang, Chun Feng Song, Meng Kai Lu, Xin Yin, Guang Jun Zhou, Dong Xu, Duo Rong Yuan // Chem. Phys. Letters. 2001. - V.345, No 5-6. - P.429-434.

133. Hirata H., Higoshiyama K. Analytical Study of the Lead Ion-selective Ceramic Membrane Electrode // Bull. Chem. Soc. Jpn. 1971. - V.44, No 9. - P.2420-2423.

134. Nair P.K., Nair M.T.S. PbS solar control coatings: safety, cost and optimisation // J. Phys. D: Appl. Phys. 1990. - V.23, No 2i - P. 150-155.

135. Chaudhuri Т.К. A solar thermophotovoltaic converter using PbS photovoltaic cells // Int. J. Ener. Res. 1992. - V.16, No 6. - P.481-487.

136. Microstructural and nonlinear optical properties of silica-titania sol-gel film doped with PbS quantum dots / Martucci A., Fick J., Schell J., Battaglin G., Gug-lielmi M. // J. Appl. Phys. 1999. - V.86, No 1. - P.79-87.

137. Окисление GaAs со слоем PbS на его поверхности / Миттова И.Я., Пухова В.В., Семенов В.Н., Веревкина Ж.А. // Неорганические материалы. — 1987. -Т.23, № 5. С.717-720.

138. Пришибл P. Аналитические применения этилендиаментетрауксусной кислоты / Пер. с англ. А.И. Волкова- М.: Мир. 1975. - 531 с.

139. Пришибл Р. Комплексоны в химическом анализе / Пер. с чешс. Ю.И. Вайн-штейн. Под ред. Ю.Ю. Лурье. М.: Изд. иностр. литературы. - 1960. - 580 с.

140. Шарло Г. Методы аналитической химии. Количественный анализ неорганических соединений. Часть 1. / Под ред. Ю.Ю. Лурье. М.: Химия. - 1989.' - 448 с.

141. Коростылев П. П. Приготовление растворов для химико-аналитических работ. М.: Изд-во АН-СССР. - 19621 - 311 с.153. ' Юнгерс Ж., Салюс Л. Кинетические методы, исследования химических процессов. Л.: Химия. - 1972. -422 с.

142. Philips Analytical X'Celerator // J. Appl. Ciystallogr. 2001.- V.34, No 4,- P.538.

143. Managing background profiles using a new X'Celerator detector / Morton R. W., Simon D. E., Gislason J. J., Taylor S. // Advances in X-ray Analysis. 2003. -V.46, No 1. —P.80-85.

144. X'Pert Plus Version 1.0. Program for Crystallography and Rietveld analysis Philips Analytical В. V. © Koninklijke Philips Electronics N. V.

145. Structural characterization* of nanometer-sized crystalline Pd by X-Ray-diffraction techniques / Fitzsimmons M.R., Eastman J.A., Muller-Stach M., Wallner G. // Phys. Rev. B. 1991. - V.44, No 6. - P.2452-2460.l

146. Александров И.В., Валиев Р.З. Исследование нанокристаллических материалов методами рентгеноструктурного анализа//ФММ.-1994.-Т.77, № 6,- С.77-87.

147. Курлов A.C., Гусев А.И. Определение размера частиц, микронапряжений и степени негомогенности в наноструктурированных веществах методом рентгеновской дифракции // Физ. химия стекла. 2007. - Т.ЗЗ, № 3.- С.383-392.

148. Гусев, А. И. Курлов А. С. Аттестация нанокристаллических материалов по размеру частиц (зерен)-// Металлофизика и новейшие технологии. — 2008. Т.30, № 5. С.679-694.I

149. Cullity B.D. Elements of X-ray diffraction. London: Addison-Wesley Publ., 1978:-555 p.

150. Scherrer P. Bestimmung der Grosse und- der inneren struktur von Kolloidteilchen mittels Röntgenstrahlen // Nachr. Ges. Wiss. Gottingen, Math.-Ohys. Kl. -1918. -Bd.2. S.98-100.

151. Джеймс Р. Оптические принципы'дифракции рентгеновских лучей. — М.: Изд-во иностр. Лит-ры, 1950. 572 с.

152. Warren-B.E., Averbach B.L., Roberts B.W. Atomic size effects in the X-ray scattering by alloys // J. Appl. Phys. 1951. - V.22, No 12. -P.1493-1496.

153. Rietveld H.M. A Profile refinement'method for nuclear and magnetic structures // J. Appl. Cryst. 1969: - V.2, No 2. - P.65-71.

154. Hall W.H. X-ray line broadending in metals // Proc. Phys. Soc. London.Sect. A. 1949. - V.62, No 359A. — P.741-743.

155. Hall'W.H., Williamson G.K. The diffraction pattern of cold worked metals: L The nature of extinction // Proc. Phys. Soc. London. Sect. B. - 1951. - V.64, No 383B. - P.937-946. 1

156. Williamson G.K. Hall W.H. X-ray line broadening from filed aluminium and wolfram // Act. Metal. 1953. - V. 1, No 1. - P.22-31.

157. Кривоглаз M.A. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. М. Наука, 1967. - 336 с.

158. Gusev A.I., Rempel A.A., Magerl А.Disorder and Order in Strongly Nonstoi-chiometric Compounds: Transition Metal Carbides, Nitrides and Oxides. — BerlinHeidelberg: Springer, 2001. 607 p. ,

159. Гусев А.И., Ремпель C.B. Рентгеновское исследование наноструктуры распадающихся твердых растворов (ZrC)!^(NbC)x // Неорган, материалы. — 2003. Т.39, № 1.-С.1-5.

160. UV WinLab Version 3.00.03 Program for use with your Lambda spectrometer © PerkinElmer, Inc. 2000.

161. Рогельберг И.Л., Бейлин B.M. Сплавы для термопар. M.: Металлургия. -1983.-360 с.

162. Чечерников В.И. Магнитные измерения. -М.: Изд. МГУ, 1969. 387 с.

163. Macor. Corning Incorporated Lighting and Materials. New York: Corning Inc. - 7 pp

164. Мокрушин С.Г., Ткачев Ю.Д. Образование ультратонких пленок сульфида кадмия на границе раздела фаз твердое тело — раствор // Колл. журн. — 1961. — Т.23, № 4. — С.438—441.

165. Китаев Г.А., Мокрушин С.Г., Урицкая A.A. Условия образования тонких пленок сульфида кадмия на поверхности стекла // Колл. журн. — 1965: — Т.27, № 1. -С.51-56.

166. Froment M., Lincot D. Phase transformation processes in solution at the atomic level: Metal chalcogenide semiconductors // Electrochemica Acta. 1995. - V.40, NolO. - P.1293-1303.

167. Юсупов P. А., Абзалов P. Ф., Смердова С. Г., Гафаров M. Р. Сложные гете-рофазные равновесия в системе "Pb(II) вода - КОН"// Химия и компьют. моделирование. Бутлеровские сообщения. - 2000. - №. 3. - С.29-36.

168. Семенов В. Н., Овечкина H. М., Ховив Д. А. Влияние гидроксокомплексов на процесс осаждения и фазовый состав пленок SnS и PbS // Вестник Воронеж. гос. ун-та. Сер.: Химия, биология, фармация. 2007. - № 2. - С.50-55.

169. Osherov A., Ezersky V., Golan Y. The role of solution composition in chemical bath deposition of epitaxial thin films of PbS on GaAs(l 0 0) // J. Cryst. Growth. -2007. V.308, No 2. - P.334-339.

170. Ворох А.С., Кожевникова H.C. Гетеронаноструктура Cd(OH)2/CdS типа ядро-оболочка//Докл. Акад. наук. 2008. - Т.419, № 1. - С.58-64.

171. Марков В. Ф., Маскаева JI. H., Иванов П. Н. Расчет условий образования твердой' фазы халькогенидов металлов при гидрохимическом осаждении // Конденс. среды и межфазн. гран. 2004. - Т.6, № 4. - С.374-380.

172. Wang Y., Chai L.,Chang H., Peng X., Shu Y. Equilibrium of hydroxy 1 complex ions in Pb2+ H20 system // Trans. Nonferrous Met. Soc. China. - 2009. - V.19, No 2. - P.458-462.

173. Solution Equilibria: Principles and Applications (for Windows 95, 98). Academic Software and K. J. Powell. Release 1.04. 2000.189: Справочник химика. / Под ред. Б.П.Никольского: М.-Л.: Химия, 1964.- Т. III.- 1008 е.; T. IV.-920 с.

174. Lange's Handbook of Chemistry' / Ed. J.N. Dean. 15th ed. New York: McGraw-Hill, 1998. - 1424 pp.

175. Patnaik P. Dean's Analytical Chemistry Handbook. 2nd ed. New York: McGraw-Hill, 2004. - Table 4.2. - 1280 pp.

176. Kawai T., Ishiguro Shin-ichi, OhtakiH. A Thermodynamic Study on Hydrolytic Reactions of Lead(II) Ion in an Aqueous Solution and Dioxane-Water Mixtures. I. Potentiometric Study //Bull. Chem. Soc. Japan. 1980. - V.53, No 8. - P.2221-2227.

177. Sylva R. N., Brown P.L. The hydrolysis of metal ions. Part 3. Lead(II) // J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1980. -V.9, No 9. -P.1577-1581.

178. Полянский Н.Г. Свинец. M.: Наука, 1986. - 357 с.

179. Rickard D.T., Nriagu J.O. in The Biogeochemistry of Lead in the Environment, Part A / ed. Nriagu J.O. // Amsterdam: Elsevier, 1978. -P.219-285.

180. Perera W.N., Hefter G., Sipos P.M. An Investigation of the lead(II)-Hydroxide System // Inorg. Chem. 2001. - V.40, No 16. - P.3974-3978.

181. Cruywagen J .J., van de Water R.F. The hydrolysis of lead(II). A potentiometricand enthalpimetric study // Talanta. 1993. - V.40, No 7. - P. 1091-1095.

182. Батлер Дж.Н. Ионные равновесия (математическое описание) / Пер. с англ.

183. B.А.Станкевича и С.П.Бардеевой. — Л.: Химия, 1973. —448 с.

184. IUPAC Stability Constants Database (SC-Database for Windows' 95/97). Academic Software and K. J. Powell. Version 5. Sourby Old'Farm Timble - Ottley -Yorks, 2003 <[e-mail]>.

185. SigmaPlot 11 © 2008 Systat Software, Inc.

186. Назаренко B.A., Антонович В.П., Невская E.M. Гидролиз ионов металлов в разбавленных расторах. М.: Атомиздат, 1979. - С.108. .

187. Бетенеков Н.Д., Медведев В.П., КитаевГ.А. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. 1. Осаждение пленок сульфида кадмия из растворов на поверхности стекла // Журн. радиохимии. 1978. - Т.20, №.3.1. C.431-437. •

188. O'Brien P., Saeed Т. Deposition and' characterization of cadmium sulfide thin films by chemical bath deposition // J. Cryst. Growth. 1996. - V.158, No 4. -P.497-504.

189. O'Brien P., McAleese J. Developing an understanding of the processes controlling the chemical bath deposition of ZnS and CdS // J. Mater. Chem. 1998. - V.8, Noll. - P.2309-2314.

190. Тихонов А.С. Исследование лимоннокислых комплексных соединений свинца в зависимости от рН водной среды // Труды Воронежского гос. ун-та. — 1958. — Т.49. — С.23—24.

191. Лурье Ю.Ю. Справочник по аналитической химии. М.: Химия, 1989. - 448 с.

192. Пригожин И., Дефэй Р. Химическая термодинамика / Пер. с англ. под ред. В.А. Михайлова. Новосибирск: Наука, сиб. отд-ние, 1966. - 509 с.

193. Болыцикова Т.П. Использование тиомочевины для осаждения из растворов осадков и пленок сульфидов серебра и меди: Дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук Свердловск: Урал, политехи, ин-т им. С.М. Кирова, 1969; - 163 с.

194. Synthesis and structural characterization of II—VI semiconductor nanocrystallites (quantum dots) / Murray C.B., Nirmal M., Norris D.J:, Bawendi M.G. // Zeitschrift ffirPhysikD: Atoms, Molecules and'¿lusters. 1993. - V.26, suppl.l. -P.231-233.

195. Murray C.B., Norris D.J., Bawendi M.G. Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE (E = sulfur, selenium, tellurium) semiconductor nanocrystallites // J. Am. Chem. Soc. 1993. - V.l 15, No>19. - P.8706-8715.

196. Yin Y., Alivisatos A.P. Colloidal nanocrystal synthesis and'the organic-inorganic interface // Nature. 2005. - V.437, No 7059. - P.664-670.

197. Шереметев А.Б. Однореакторный ("one-pot") синтез 3-амино-арил- и 3-ами-но-4-гетарилфуразанов //Изв. РАН! Сер. хим. 2005. - Т.54, № 4.- С.1030-1032.I

198. Аминокислоты в каталитическом синтезе а-аминофосфонатов / Матвеева Е.Д., Подругина Т.А., Присяжной М.В., Зефиров Н.С. // Вест. Моск. ун-та. -2007. Т.48, № 5. - С.333-336. j

199. One-pot synthesis, of Fe304 nanoprisms with controlled electrochemical properties / Zeng Y., Hao R., Xing B:, Hou Y., Xu Z. // Chem. Commun. 2010. -V.46, No 22. - P. 3920-3922:

200. One-pot synthesis of highly luminescent CdTe/CdS core/shell nanocrystals in aqueous phase / Gu Z., Zou L., Fang Z., Zhu W., Zhong X. // Nanotechnology. -2008. V.19, No 13. - P.135604-1 - 135604-7.

201. Shape control of CdS nanocrystals in one-pot synthesis / Yong K.-T., Sahoo Y., Swihart M.T., Prasad P.N. // J. Phys. Chem. C. 2007. - V.l 11, No 6. - P.2447-2458.

202. Kairdolf B.A., Smith A.M., Nie S. One-pot synthesis, encapsulation, and solubilization of size-tuned quantum dots with amphiphilic multidentate ligands // J. Am. Chem. Soc. 2008. V.130, No 39. - P.12866-12867.

203. One-pot synthesis and self-assembly of colloidal copper(I) sulfide nanocrystals / Tang A., Qu S., Li K., Hou Y., Teng F., Cao J., Wang Y., Wang Z. // Nanotechnology. 2010. - V.21, No 28. - P.285602-1 - 285602-9.

204. Фридрихсберг Д.А. Курс коллоидной химии. Л.: Химия, 1984. - 368 с.

205. Alivisatos A.P. Semiconductor clusters, nanocrystals and quantum, dots // Science. 1996. - V.271', No 5251. - P.933-937.

206. Nelson J. В., Riley D. P. An experimental investigation of extrapolation metodsiin the derivation of accurate unit-cell dimensions of crystals // Proc. Phys. Soc. London. 1945. - V.57, part 3, No 321. -P.160-177.

207. James R. W. The Optical Principles of the Diffraction of X-rays. London: Bell & Sons Ltd, 1954. - 624 pp.i

208. Ремпель А. А. Физика твердого тела. Екатеринбург: УГТУ-УПИ, 2007. -174 с.

209. Миркин JI. И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. -М.: Гос. изд-во физ.-мат. литгры, 1961. — 863 с.

210. International Tables for;X-ray Crystallography. Vol. С. Mathematical, Physical and Chemical Tables / Ed. A. J. C. Wilson. Kliiwer Academic Publishers, Dordrecht-Boston-London, 1992. 883 pp.

211. Садовников С.И., Ремпель А.А. Нестехиометрическое распределение атомов серы в структуре сульфида свинца // Докл. Акад. наук. 2009. - Т.428, № 1. - С.48-52. , ' ■ ,

212. Гусев А.И, Садовников С.И., Ремпель А:А. Новая кристаллическая фаза в ; тонких пленках сульфида свинца // Письма в ЖЭТФ. 2009. - Т.89, № 5. -С.279-284. ! ' . .

213. Садовников С.И., Ремпель А.А. Кристаллическая структура нанострукту-рированных пленок PbS при температурах 293-423 К // Физика твердого тела.2009. - Т.51, № 11. - С.2237-2245.

214. Sharma S. S. Thermal expansion of crystals // Proceedings Mathematical Sciences. 1951. - V.34, No 2. - P.72-76.

215. Гусев А. И., Давыдов Д. А. Тетрагональная сверхструктура V52064sкубического монооксида ванадия с вакансиями ; в металлической подрешетке // Письма в ЖЭТФ. 2008. - Т.88, № 2. - С.119-125.

216. Давыдов Д: А:, Гусев А: И. Превращение:беспорядок-порядок в кубическом монооксиде ванадия с вакансиями: в металлической подрешетке // ЖЭТФ. -2009. — Т.135, № 2. — С.301-313. ;

217. PaulingL. The Nature ofthe Chemical Bond and the Structure of Molecules and Crystals: An introduction to Modern .Structural Chemistry / 3rd edit. — Ithaca: Cornell University Press, 1960. 433 pp.

218. Ремпель А. А., Гусев А. И. Соотношение ближнего и дальнего порядка в упорядочивающихся сплавах//ФММ. 1985. Т.60. № 5. С.847-854:

219. Kikuchi R. Theory of cooperative phenomena // Phys Rev. 1951. - V.81, No 6. - P.988-1003.

220. Hijmans J., de Boer J. Approximation method for order-disorder problem // Phy-sica. 1955. - V.21, No 6. - P.471-516.

221. Ремпель А. А., Гусев А. И. Ближний порядок в упорядоченных сплавах и фазах внедрения // ФТТ. 1990. - Т.32, № 1. - С. 16-24.

222. Bragg W. L., Williams Е. J. The effect of thermal agigation on atomic arrangement in alloys // Proc. Roy. Soc. A. 1934. - V.145, No 855. - P.699-730.

223. Cowley J. M. An approximate theory of order in alloys // Phys. Rev. 1950. -V.77, No 5. - P.669-675.

224. Бэкстер P. Точно решаемые модели в статистической механике. М.: Мир, 1985.-486 с.

225. Гусев А. И. Парные корреляции и вероятности многочастичных фигур в • плоской треугольной решетке // ФТТ. 2006. - Т.48, № 5: - С.613-621.

226. Гусев А. И. Области допустимых значений парных корреляций невероятности многочастичных фигур // Письма в ЖЭТФ. 2007. - Т.86, № 2. - С. 1-1-7-123.

227. Гусев А. И. Тройные корреляций в твердом растворе А^В с плоской гексагональной решеткой // Письма в ЖЭТФ. 2008. - Т.87, № 5. - С.296-300.

228. Гусев А. И. Соотношение между тройными и двойными корреляциями в твердом растворе А^Зьу с плоской гексагональной решеткой // ФТТ. 2008. -Т.50, № 12. - G.2160-2164'.

229. Ремпель А. А. Эффекты упорядочения в нестехиометрических соединениях внедрения. Екатеринбург: УИФ "Наука", 1992. -232 с.

230. Упорядоченные массивыквантовых точек в полупроводниковых матрицах / Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Иванов С.В., Мельцер Б.Я:, Максимов М. В., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И. // УФН.- 1996.- Т.166, № 4.- С.423-428.

231. Bertram D., Weller Н. Zwischen Molekul und Festkorper // Physik Journal. -2002. Bd.l, No 2. S.47-52.

232. PbS in polymers. From molecules to bulk solids / Wang Y.,. Suna A., Mahier W., Kasowski R. // Ji Chem. Phys. 1987. - V.87, No 12. - P.7315-7322.

233. Mozer F., Urbach F. Optical absorption of pure silver halides / Phys. Rev. — 1956. V. 102, No 6. - P. 1519-1523.

234. Эфрос Ал. Д., ЭфросА. Л. Межзонное поглощение света в полупроводниковом шаре // Физ. техн. полупроводн. 1982. - Т.16, № 7. - С.1209-1214.

235. Hybrid electronic properties between the molecular and solid state limits: Lead sulfide and silver halide crystallites / Rosetti R., Hull R., Gibson J. M.', Brus L. E. // J. Chem. Phys. 1985. - V.83, No 3. - P.1406-1410J

236. Brus L. Electronic wave functions in semiconductor clusters: experiment and theory // J. Phys. Chem. 1986. V.90, No 12. - P.2555-2560.

237. Kayanuma Y. Quantum-size effects of interacting electrons and holes in semiconductor microcrystals with spherical shape // Phys. Rev. B. 1988. - V'.38, No 14. - P.9797-9805.

238. Екимов А. И'., Онущенко А. А. Квантовый размерный эффект в оптических спектрах полупроводниковых кристаллов // Физ. техн. полупроводн. 1982. -Т.16, № 7. - С.1215-1219.

239. Горелик С. С. Рекристаллизация металлов и сплавов. М.: Металлургия, 1967. 404 с.

240. On the structure and' strength of ultrafine-grained copper produced by severe plastic deformation / Gertsman V. Y., Birringer R., Valiev R. Z., Gleiter H. // Scr. Met. Mat. 1994. - V.30, No 2. - P.229-234.

241. Валиев P. 3., Александров И. В. Наноструктурные материалы, полученные интенсивной пластической деформацией. М.: Логос, 2000: — 272 с.

242. High-resolution electron microscopy of interfaces in nanocrystalline materials / Ishida Y., Ichinose H., Kizuka Т., Suenaga K. // Nanostruct. Mater. 1995. - V.6, No 1-4.-P.l 15-124.

243. СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ, В КОТОРЫХ ИЗЛОЖЕНО ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

244. Садовников С. И. Моделирование ближнего порядка в квадратной решетке // Научные труды УП отчетной конференции молодых ученых ГОУ ВПО УГТУ-УПИ (сборник статей). Екатеринбург: УГТУ-УПИ, 2005. 4.2. - С.259-260.

245. Садовников С. И. Нестехиометрия и ближний > порядок в квадратной решетке: особенности моделирования // В кн.: Демидовские чтения на Урале / тезисы докладов (2-3 марта 2006 г., Екатеринбург). Екатеринбург: УрО РАН, 2006. -С.197-198.

246. Садовников С. И., Ремпель А. А. Ближний порядок и парные корреляциив бинарном твердом растворе с квадратной решеткой // Физика твердого тела. -2007. Т.49, № 8. - С. 1470-1474.

247. Садовников С. И., Ремпель А. А. Моделирование ближнего порядка в дефектной квадратной решетке // Известия РАН. Серия физическая. 2007. - Т.71, № 8. - С.1207-1211.

248. Садовников С. И., Ремпель А. А. Моделирование парных и трехчастичных корреляций в бинарном твердом растворе с гексагональной решеткой // Физика твердого тела. 2008. - Т.50, № 6. - С.1085-1089.

249. Садовников С. И., Кожевникова Н. С., Ремпель А. А. Термическая стабильность нанокристаллических пленок сульфида свинца // Физика и химия стекла. 2009. - Т.35, № 1. - С.74-82.

250. Садовников С. И., Русев А. И., Ремпель, А. А. Новая кристаллическая фаза в тонких пленках сульфида свинца // Письма в ЖЭТФ. 2009. - Т.89, № 5. -С.279-284.

251. Кожевникова H. С., Садовников С. И., Ремпель А. А. Термическая, стабильность PbS рабочего материала для высокоэффективных квантовых детекторов тепла и света // Пожаровзрывобезопасность. - 2009. - Т. 18, № 5. - С.48-51.

252. Садовников С. И., Ремпель А. А. Нестехиометрическое распределение атомов серы в структуре сульфида свинца //' Доклады Академии наук (физическая химия). 2009. - Т.428, № 1. - С.48-52.

253. Садовников С. И., Ремпель А. А. Кристаллическая структура наноструктури-рованных пленок PbS при температуре 293-423 К // Физика твердого тела. -2009. Т.51, № И. - С.2237-2245.к

254. Садовников С. И., Ремпель А. А. Корреляции атомов серы в неметаллических плоскостях нанопленок сульфида свинца со структурой ZX)3 // Физика твердого тела. 2010. - Т.52, № 12. - С.2299-2306.

255. Садовников С. И., Кожевникова Н. С., Ремпель А. А. Структура и оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида свинца // Физика и техника полупроводников. 2010. - Т.44, № 10. - С.1394-1400.

256. Садовников С. И., Кожевникова Н. С., Ремпель А. А. Стабильность и рекристаллизация наночастиц PbS // Неорганические материалы: 2011. - Т.47, № 8. -С.929-935.1. J »