Импульсное лазерное напыление эпитаксиальных пленок ZnO n- и p- типа при легировании элементами III и V группы тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.03, кандидат физико-математических наук Паршина, Любовь Сергеевна

• Паршина, Любовь Сергеевна
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Паршина, Любовь Сергеевна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИД ЦИНКА.

1.1. Общая характеристика оксида цинка.

1.2. Методы получения эпитаксиальных пленок.

1.2.1. Молекулярно - лучевая эпитаксия.

1.2.2. Метод газофазной эпитаксии.

1.2.3. Магнетронное распыление.

1.2.4. Метод импульсного лазерного напыления.

1.3. Получение легированных пленок ZnO п - типа.

1.4. Получение легированных пленок ZnO р - типа.

1.5. Методы исследования тонких пленок.

1.5.1. Исследование морфологии пленок методом атомно-силовой микроскопии.

1.5.2. Исследование морфологии пленок методом электронной микроскопии.

1.5.3. Рентгенодифракционный анализ тонких пленок.

1.5.4. Определение состава пленок методом фотоэлектронной спектроскопии.

1.5.5. Фотолюминесценция пленок в диапазоне температур от 10 К до 300 К.

1.5.6. Исследование электрических свойств тонких пленок.

1.6. Гомо- и гетеро- р- п- переходы на основе оксида цинка.

1.7. Выводы.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Экспериментальная установка для выращивания эпитаксиальных пленок оксида цинка методом импульсного лазерного напыления.

2.2. Методика изготовления керамических мишеней.

2.3. Подготовка и исследование подложек для получения пленок ZnO.

2.4. Получение нелегированных пленок ZnO.

2.4.1. Влияние типа подложки на спектры фотолюминесценции нелегированных пленок ZnO.

2.4.2. Влияние параметров осаждения ИЛН на спектры фотолюминесценции нелегированных пленок ZnO.

2.4.3. Влияние отжига на спектры фотолюминесценции нелегированных пленок ZnO.

2.5. Выводы.

ГЛАВА 3. ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ ОКСИДА ЦИНКА, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО

НАПЫЛЕНИЯ.

3.1. Эпитаксиальные пленки оксида цинка п- типа, легированные элементами III группы.

3.1.1. Исследование пленок оксида цинка, легированных галлием.

3.1.1.1. Скорость роста пленок ZnO:Ga.

3.1.1.2. Морфология пленок ZnO:Ga.

3.1.1.3. Кристалличность пленок ZnO:Ga.

3.1.1.3.1. Влияние легирования галлием на структурные характеристики пленок ZnO при осаждении на монокристаллы ZnO.

3.1.1.3.2. Влияние давления буферного газа на параметры решетки пленок ZnO:Ga.

3.1.1.3.3. Влияние плотности энергии на мишени на параметры решетки пленки ZnO:Ga.

3.1.1.3.4. Влияние температуры подложки на кристаллографические параметры пленок ZnO:Ga.

3.1.1.4. Фотолюминесценция пленок ZnO:Ga.

3.1.1.5. Оптические характеристики пленок ZnO:Ga.

3.1.1.5.1. Управление величиной запрещенной зоны пленок ZnO при легировании галлием.

3.1.1.5.2. Зависимость поглощения пленок ZnO в РЖ области от уровня легирования галлием.

3.1.1.6. Электрические свойства пленок ZnO:Ga.

3.1.2. Свойства пленок оксида цинка, легированных алюминием.

3.1.3. Создание и исследование металлических контактов на пленках оксида цинка п- типа.

3.2. Эпитаксиальные пленки оксида цинка р- типа, легированные элементами V группы.

3.2.1. Свойства пленок оксида цинка, легированных азотом.

3.2.1.1. Морфология пленок ZnO:N.

3.2.1.2. Кристалличность пленок ZnO:N.

3.2.1.3. Фотолюминесценция пленок ZnO:N.

3.2.1.4. Электрические свойства пленок ZnO:N.

3.2.1.5. Активация акцепторных центров в пленках ZnO:N термическим отжигом.

3.2.2. Свойства пленок оксида цинка, солегированных галлием и азотом.

3.2.2.1. Кристаллические свойства пленок ZnO:(Ga,N).

3.2.2.2. Оптические свойства пленок ZnO:(Ga,N).

3.2.2.3. Ренгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок ZnO:(Ga,N).

3.2.2.4. Электрические свойства пленок ZnO:(Ga,N).Ill

3.2.2.5. Морфология пленок ZnO:(Ga,N).

3.2.3. Свойства пленок оксида цинка, легированных фосфором.

3.2.4. Создание и исследование металлических контактов на пленках оксида цинка /?-типа.

3.3. Выводы

ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ

СВОЙСТВА р- п- ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА.

4.1. Гетеропереходы п-ЪпО/р-^х и р-ХпО/п-&'\.

4.2. Гетеропереходы п-ТпО/р-ОъЫ.

4.3. Гомопереходы п-ЪЮ/р-ЪпО.

4.4. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Импульсное лазерное напыление эпитаксиальных пленок ZnO n- и p- типа при легировании элементами III и V группы»

Диссертационная работа посвящена отработке технологии получения методом импульсного лазерного напыления тонких пленок оксида цинка п- и р- типа, легированных элементами III и V группы, и исследованию характеристик полученных пленок, представляющих большой интерес для создания материалов элементно-узловой базы квантовой электроники (диодов и лазеров УФ диапазона).

Актуальность работы. Разработка и исследование новых тонкопленочных материалов диктуется потребностями быстро прогрессирующих современных нанотехнологий. Широкозонные полупроводниковые материалы привлекательны для создания тонкопленочных коротковолновых светоизлучающих диодов и лазеров. Неослабевающий интерес к проблеме создания различных полупроводниковых устройств на основе оксида цинка вызван тем, что этот материал обладает рядом существенных достоинств. Оксид цинка имеет рекордную среди бинарных полупроводников энергию связи экситона -60 мэВ. Это является предпосылкой для создания устройств, эффективно работающих при температурах до 700 °С. Оксид цинка обладает высокой радиационной* стойкостью по сравнению с другими полупроводниковыми материалами (арсенид и нитрид галлия, карбид кремния, кремний), поэтому он может работать в открытом космосе и в ядерных реакторах. Кроме того, ZnO податлив к химическому травлению, безвреден и относительно недорог, что делает его привлекательным для создания материалов элементно-узловой базы квантовой электроники.

Создание светоизлучающих УФ полупроводниковых структур на основе оксида цинка необходимо для нового поколения оптических систем записи и хранения информации, для дисплеев, осветительных устройств. Источники излучения ближнего УФ диапазона найдут применение в качестве эффективных дезинфицирующих средств в медицине и сельском хозяйстве.

Для создания стабильных и надежных устройств на основе оксида цинка необходимы эпитаксиальные пленки предельно высокого качества с максимальной фотолюминесценцией (ФЛ), минимальным удельным сопротивлением, минимальной шероховатостью поверхности, высоким кристаллическим совершенством, достаточной концентрацией и подвижностью носителей заряда. Самой главной проблемой к настоящему времени остается получение р- типа проводимости пленок ZnO. Сложность процесса легирования для получения проводимости р- типа заключается в том, что оксид цинка обладает большим количеством природных точечных дефектов, обуславливающих проводимость п- типа. Эту природную электронную проводимость очень трудно подавить, так как при легировании ХпО акцепторные примеси проявляют естественную тенденцию связываться с собственными дефектами кристалла или имеющимися включениями, чтобы* сформировать электрически неактивные комплексы. Для того чтобы получить пленки оксида цинка с- дырочным типом* проводимости, необходимо, во-первых, ввести в пленку достаточное количество акцепторных примесей, во-вторых, активировать их, и, в-третьих, обеспечить их временную стабильность.

Для получения пленок оксида цинка используются различные методы: молекулярно-лучевая эпитаксия, магнетронное распыление, осаждение из газовой фазы, включая металлоорганику и импульсное лазерное напыление (ИЛН). ИЛН имеет ряд преимуществ перед остальными методами. Благодаря высокой энергии частиц в> лазерной плазме, температура кристаллизации пленок оказывается ниже, по сравнению с другими методами, и существенно упрощается технология введения легирующих добавок. Импульсный характер метода дает высокую плотность частиц в, факеле и высокую степень ионизации, что позволяет равномерно напылять пленки малых толщин. Высокая скорость частиц позволяет повысить предел растворимости труднорастворимых компонент в ZnO. ИЛН является одним из перспективных методов современных нанотехнологий, расширяющих круг материалов, обеспечивающих совершенствование устройств квантовой электроники в вычислительной технике, оптических линиях связи и других отраслях науки и техники.

Разработка технологий получения тонкопленочных материалов на базе оксида цинка методом импульсного лазерного напыления позволяет создавать широкий спектр тонкопленочных структур, как для научных исследований, так и для практических приложений. Поэтому, представляется актуальной разработка метода импульсного лазерного напыления тонкопленочных материалов на базе оксида цинка и исследование характеристик тонких пленок оксида цинка п- и р- типа, легированных элементами III и V группы.

Целью работы является получение эпитаксиальных пленок ZnO п- и р- типа методом импульсного лазерного напыления, обеспечивающих создание материалов элементно-узловой базы квантовой электроники (диодов и лазеров УФ диапазона) и исследование оптических, структурных и электрических характеристик полученных пленок с целью оптимизации их параметров.

Для достижения намеченных целей были поставлены следующие-задачи:

1. Разработка и создание экспериментальной установки для получения эпитаксиальных пленок ZnO методом ИЛН.

2. Отработка технологии легирования элементами III и V группы для получения эпитаксиальных пленок ZnO п- и р- типа методом ИЛН (концентрация примеси, тип и давление буферного газа, температура подложки и плотность энергии на мишени, режимы отжига).

3. Исследование оптических, структурных и электрических свойств пленок оксида цинка для оптимизации их параметров (фотолюминесценция, удельное сопротивление, шероховатость, кристаллическое совершенство, концентрация и подвижность носителей).

4. Получение методом ИЛИ р- п- переходов на основе оксида цинка и исследование ВАХ и электролюминесценции. Научная новизна результатов, полученных в ходе выполнения диссертационной работы, состоит в следующем:

1. Впервые установлено, что при напылении пленок ZnO методом ИЛН параметры кристаллической решетки пленки зависят от давления буферного газа и плотности энергии на мишени.

2. Впервые обнаружен и объяснен эффект немонотонной зависимости интенсивности спектров ФЛ и удельного сопротивления пленок ZnO от концентрации легирующей примеси Ga, наблюдаемый в пределах от О до 5 ат. %.

3. При оптимальных условиях осаждения (давление кислорода 3 х Ю" Topp, плотность энергии на мишени 5 Дж/см , концентрация-галлия в мишени 0,125 ат. %, температура подложки 400 °С) получены высококачественные эпитаксиальные пленки ZnO:Ga с высокими морфологическими характеристиками и рекордно низким значением удельного сопротивления 1,1 х 10"4 Омхсм.

4. Экспериментально установлено, что при изменении концентрации галлия в пленках ZnO от 0 до 5 ат.% ширина запрещенной зоны изменяется от 3,4 до 3,8 эВ, параметр с кристаллической решетки возрастает от 0,5202 до 0,5263 нм. При этом* пропускание пленок в ИК области спектра от 1,5 до 3,0 мкм снижается на порядок, что позволяет количественно определить концентрацию носителей Ga в пленке оптическим методом.

5. Разработаны методы введения азота или фосфора в пленку из твердой и газовой фазы для получения эпитаксиальных пленок ZnO р- типа. Достигнуты рекордные уровни легирования эпитаксиальных пленок ZnO азотом и фосфором с предельной концентрацией азота 7,5 ат. %, и фосфора 2 ат. %. Получены высококачественные эпитаксиальные пленки ZnO:N р- типа со значением удельного сопротивления

1,2 Омхсм и эпитаксиальные пленки ZnO:P р- типа со значением удельного сопротивления 1,9 Омхсм. Определена энергия активации акцепторных центров азота и фосфора, которая составляет 0,083 эВ и 0,068 эВ соответственно. Практическая значимость работы заключается в разработке и реализации оптимальных режимов метода импульсного лазерного напыления для получения эпитаксиальных пленок ZnO п- и р- типа с воспроизводимыми электрофизическими и оптическими характеристиками с целью решения задачи создания высококачественных р- п- переходов на базе ZnO для расширения материалов элементно-узловой базы квантовой электроники. Основные положения, выносимые на защиту:

1. Удельное сопротивление и интенсивность фотолюминесценции легированных пленок оксида цинка, выращиваемых методом-импульсного- лазерного напыления, немонотонно зависят от концентрации легирующей примеси ва. Минимальное значение удельного сопротивления пленок ZnO:Ga и максимальная» интенсивность фотолюминесценции достигается при концентрации галлия,в пленках ZnO 0,125 ат. %.

2. При увеличении концентрации галлия в пленках ХпО ширина запрещенной зоны и параметр с кристаллической решетки возрастают, а пропускание пленок ZnOг в ИК области спектра от 1,5'до 3,0 мкм снижается:

3. Легирование азотом или фосфором, а также солегирование азотом и галлием, позволяет получать методом- импульсного лазерного напыления пленки ZnO с дырочной проводимостью. Энергия активации акцепторных центров азота и фосфора в» пленках ZnO составляет 0,083 эВ и 0,068 эВ соответственно.

4. Метод импульсного лазерного напыления позволяет создать гомогенный р- п- переход на ЪаО, демонстрирующий выпрямляющую ВАХ и светоизлучающий гетеропереход п-ХпО/р-ОаН.

Апробация результатов работы. Материалы диссертационной работы докладывались на следующих всероссийских и международных конференциях: the International Conference ICONO/LAT St. Petersburg 2005, Belarus 2007, Kazan 2010; International Conference "Laser and Laser-Information Technologies: Fundamental Problems and Applications" (ILLA), Bulgaria, 2006, 2009; International Conference ICMNE-2007, Moscow Region, Zvenigorod, 2007; International Conference ALT, Hungary 2008, Turkey 2009, the Netherlands 2010; X International Conference "Fundamentals of Laser Assisted Micro- & Nanotechnologies (FLAMN'10), St. Petersburg-Pushkin, 2010; XII Международной научной конференции «Физико-химические процессы при селекции атомов и молекул в, лазерных, плазменных и нано - технологиях», г. Звенигород, 2008; Международном форуме по нанотехнологиям, г. Москва, 2008; VI, VII, VIII, IX и X Межвузовских научных школах молодых специалистов «Концентрированные потоки энергии в космической технике электронике, экологии и медицине», г. Москва, 2005 - 2009; Четырнадцатой Всероссийской научной конференции ктудентов-физиков и молодых ученых, г. Уфа, 2008; 2-й Всероссийской научной школе для молодежи «Концентрированные потоки энергии в индустрии наносистем, материалов.и живых систем», МИЭМ, г. Москва, 2009; 2-й международной конференции/молодежной школе-семинаре «Современные нанотехнологии и нанофотоника для науки и производства», г. Владимир, 2009; XIII Школе молодых ученых «Актуальные проблемы физики» и IV Школе-семинаре «Инновационные аспекты фундаментальных исследований», г. Звенигород 2010; Научных семинарах ИПЛИТ РАН под руководством академика В.Я. Панченко и профессора B.C. Голубева, г. Шатура, 2005 - 2010.

Работа была выполнена в соответствии с планами работ: по программе фундаментальных исследований ОИТВС РАН «Организация вычислений с использованием новых физических принципов» в рамках проекта «Разработка технологии и создание светоизлучающих полупроводниковых устройств синего и ближнего УФ диапазонов (лазеров и светодиодов) на базе оксида цинка», по программе фундаментальных исследований ОНИТ РАН «Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, микросистемная техника, твердотельная электроника» в рамках проекта «Формирование низкоразмерных структур полупроводников и металлов методом импульсного лазерного напыления для устройств наноэлектроники и спинтроники», по проекту МНТЦ № 3294 «Создание излучающих в синей и ближней УФ области спектра пленочных структур на основе оксида цинка», по Государственному контракту от 20 апреля 2007 г. № 02.513.11.3169 «Разработка методов создания полупроводниковых наноматериалов для высокоэффективных лазеров и светодиодов в спектральной области 0,38-1,54 мкм. Работа поддерживалась грантами РФФИ, проекты 09-02-01298-а, 09-02-00366-а, 09-07-00208-а, 09-08-00291-а, 09-02-12108-офим, 09-07-12151 -офим.

Достоверность полученных и представленных в диссертации результатов подтверждается использованием апробированных и обоснованных физических методик, работоспособностью созданных установок, af также общим согласованием с результатами других исследователей. Анализ* экспериментальных данных проведен с соблюдением критериев достоверности статистических испытаний и физических измерений. Личный вклад автора. Лазерный напылительный стенд создан совместно с соавторами опубликованных работ при непосредственном участии соискателя. Высококачественные эпитаксиальные тонкие пленки ZnO п- и р-типа получены автором лично. Исследования. характеристик высококачественных эпитаксиальных тонких пленок ZnO п- и р- типа проведены автором. Постановка задач исследований, определение методов, их решения и интерпретация результатов выполнены под руководством к.ф.-м.н. Новодворского O.A.

Публикации. Основное содержание диссертационной работы отражено в 15 научных работах, в числе которых 6 статей в издани$гх, рекомендованных ВАК для публикации основных результатов диссертации. Структура и объём диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав и заключения. Материал работы изложен на 146 страницах, включающих 83 иллюстрации. Список цитируемой литературы содержит 147 наименований.

Заключение диссертации по теме «Квантовая электроника», Паршина, Любовь Сергеевна

Основные результаты и выводы можно сформулировать следующим образом:

1. Оптимизирована технология импульсного лазерного напыления эпитаксиальных пленок ZnO п- и р- типа проводимости при легировании элементами III и V группы (Ga, Al, N, Р), представляющих большой интерес для создания материалов элементно-узловой базы квантовой электроники (диодов и лазеров УФ диапазона).

2. Получены эпитаксиальные пленки ZnO:Ga п- типа с рекордно низким значением удельного сопротивления 1,1 х 1С)"4 Омхсм, концентрацией носителей заряда 2,3 х ю20 см"3, подвижностью 22 см2/Вхс. Условия осаждения: давление кислорода 3 х Ю"3 Topp, плотность энергии на мишени 5 Дж/см, концентрация галлия в мишени 0,125 ат. %, температура подложки 400 °С.

3. Обнаружена зависимость оптических и структурных параметров легированных галлием пленок ZnO от концентрации галлия в пленке. С увеличением концентрации галлия в пленках ZnO от 0 до 5 ат.% ширина запрещенной зоны возрастает от 3,4 до 3,8 эВ, параметр с кристаллической решетки возрастает от 0,5202 до 0,5263 нм, а пропускание пленок ZnO в ИК области спектра от 1,5 до 3,0 мкм снижается на порядок.

4. Методом импульсного лазерного напыления достигнуты максимальные уровни легирования эпитаксиальных пленок ZnO азотом и фосфором с предельной концентрацией азота 7,5 ат. % и фосфора 2 ат. %. Получены пленки с дырочным типом проводимости: ZnO:N с удельным сопротивлением 1,2 Омхсм, концентрация и подвижность носителей заряда пленок ZnO:N составляют 2,8 х Ю18 см"3 и 12 см 2/Вхс; ZnO:(Ga,N) с удельным сопротивлением 1 Омхсм, концентрация и подвижность носителей заряда пленок ZnO:(Ga,N) составляют 2,7 х Ю18 см"3 и 15 см /Вхс; ZnO:P с удельным сопротивлением 1,9 Омхсм, концентрация и подвижность носителей заряда пленок ZnO:P составляют 9 х 1018 см"3 и 2,3 см 2/Вхс.

5. Отработаны режимы активации акцепторных центров в пленках, легированных азотом и фосфором, методом термического отжига. Определены энергии активации азота и фосфора в пленках ZnO, которые составляют 0,083 эВ и 0,068 эВ соответственно.

6. На основе пленок ZnO п- и р- типа методом импульсного лазерного напыления созданы гетерогенные переходы p-ZnO/n-Si, n-ZnO/p-Si, л-ZnO/p-GaN и гомогенный переход n-ZnO/p-ZnO, демонстрирующие выпрямляющий характер ВАХ. На гетеропереходе и-ZnO/p-GaN получена электролюминесценция в УФ области при комнатной температуре.

Искренне благодарна своему научному руководителю к.ф.-м.н. Олегу Алексеевичу Новодворскому, под руководством которого была выполнена диссертационная работа.

Благодарю за помощь в проведении экспериментов и обсуждении результатов сотрудников лаборатории Наноструктур и тонких пленок ИПЛИТ РАН: к.х.н., с.н.с. О. Д. Храмову, м.н.с. А. А. Лотина, м.н.с. Д. А. Зуева, м.н.с. В. В. Рочеву, к.ф.-м.н., м.н.с. Е. В. Хайдукова. Выражаю искреннюю благодарность сотрудникам МИСиС, ИРЭ, ФИАН и IHM TU Dresden за неоценимую помощь в работе.

Многие исследования оказались бы невозможными без интеллектуальной и технической поддержки сотрудников подразделений ИПЛИТ РАН, которым я также выражаю свою признательность.

Искренне признательна д.ф.-м.н., проф. Лебедеву Ф.В. за ценные советы и интерес к работе.

Приношу глубокую благодарность академику В.Я. Панченко за поддержку и внимание к работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Паршина, Любовь Сергеевна, 2011 год

1. Landolt-Bornstein. Springer-Verlag. Berlin/Heidelberg/New York, 1980. New Series. 1.I/22a.

2. Кузьмина И. П., Никитенко В. А. Окись цинка. Получение и оптические свойства. М. : Наука, 1984. 167 с.

3. First-principles study of native point defects in ZnO / Kohan A. F., Ceder G., Morgan D., Van de Walle C. G. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61. P. 15019.

4. Look D. C., Hemsky J. W., Sizelove J. R. Residual native shallow donor in ZnO // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 82. P. 2552-2555.

5. Electrical properties of bulk ZnO / Look D. C., Reynolds D. C., Sizelove J. R., Jones R. L., Litton C. W., Cantwell G. and Harsch W. C. // Solid State Comm. 1998. Vol. 105. P. 399.

6. Zhang S. В., Wei S.-H., Zunger A. Intrinsic n-type versus p-type doping asymmetry and the defect of ZnO // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 63. P. 75205.

7. Van de Walle C. G. Hydrogen as a cause of doping in zinc oxide // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 85. P. 1012-1015.

8. Van de Walle C. G. Defect analysis and engineering in ZnO // Physica B. 2001. Vol. 308-310. P. 899-903.

9. Hydrogen: a relevant shallow donor in zinc oxide / Hofmann D. M., Hofstaetter A., Leiter F., Zhou H., Henecker F., Meyer В. K., Orlinskii S. В., Schmidt J., Baranov P. G. // Phys. Rev. Lett. 2002. Vol. 88. P. 45504-45507.

10. Thermal stability of implanted hydrogen in ZnO / Ip K, Overberg M. E., Heo Y. W., Norton D. P., Pearton S. J., Kucheyev S. O., Jagadish C., Williams J. S., Wilson R. G., and Zavada J. M. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81. P. 3996-3998.

11. Infrared spectroscopy of hydrogen in ZnO / Cluskey M. D. Mc., Jokela S. J., Zhuravlev К. K., Simpson P. J., Lynn K. G. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81. P. 3807-3809.

12. Electrical and optical properties of defects and impurities in ZnO / Look D. C., Coskun C., Claflin B. and Farlow G. C. // Physica В : Condensed Matter. 2003. Vol. 340-342. P. 32-38.

13. Production of nitrogen acceptors in ZnO by thermal annealing / Garces N. Y., Giles N. C., Halliburton L. E., Cantwell G., Eason D. В., Reynolds D. C., Look D. C. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. P. 1334-1336.

14. The path to ZnO devices: donor and acceptor dynamics / Look D. C., Jones R. L., Sizelove J. R., Garces N. Y., Giles N. C., and Halliburton L. E. // Phys. Stat. Solidi (a). 2004. Vol. 195. P. 171-177.

15. Exciton spectrum of ZnO / Park Y. S., Litton C. W., Collins Т. C., and Reynolds D. C. // Phys. Rev. 1966. Vol. 143. P. 512-519.

16. Введение в физику поверхности / К. Оура и др.. М. : Наука, 2006. 490 с.

17. Sigmund P. Mechanisms and theory of physical sputtering by particle impact // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1987. Vol. 27, № 1. P. 1-20.

18. Гапонов С. В., Салащенко Н. Н. // Электронная промышленность. 1976. № 1.С. 11-20.

19. Калюжный Д. Г., Зонов Р. Г., Михеев Г. М. Использование сканирующего устройства для напыления углеродных нанопленок методом лазерной абляции // Нанотехника. 2010. №2. С. 52-54.

20. Калюжный Д. Г., Зонов Р. Г., Михеев Г. М. Установка для напыления углеродных пленок методом абляции сканирующим лазерным лучом // Приборы и техника эксперимента. 2010. № 5. С. 167-168.

21. Однозеркальная электромеханическая система сканирования луча лазера / Михеев Г. М., Калюжный Д. Г., Могилева Т. Н., Попов А. Ю. // Приборы и техника эксперимента. 2003. № 5. С. 124-126.

22. Гапонов С. В., Клюенков Е. Б., Нестеров Б. А. и др. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 52. С. 1584.

23. Афанасьев Ю. В., Крохин О. Н. Газодинамическая теория воздействия излучения лазера на конденсированные среды // Труды ФИ АН СССР. 1970. Т. 52. С. 118-170.

24. Pulsed laser deposition of quantum size bismuth films / Shubnii G.Yu., Zherikhin A. N., Prokopov E. V., Panchenco V. Ya., Golubev V. S. // Proceedings of SPIE. 1999. Vol. 3688. P. 330-334.

25. Жерихин A. H. Лазерное напыление тонких пленок. Итоги науки и техники. Серия: Современные проблемы лазерной физики. М. : ВИНИТИ, 1990. 107 с.

26. Role of energetic atoms and ions in Та films grown by different physical vapor deposition methods / Roy R. A., Catania P., Saenger K. L., Cuomo J. J., Lossy R. L. J. // Vac. Sci. Technol. B. 1993. Vol. 11. P. 1921.

27. Saenger K. L. On the origin of spatial nonuniformities in the composition of pulsed-laser-deposited films //J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70. P. 5629.

28. Низкотемпературная эпитаксия пленок конденсированных из лазерной плазмы / Гапонов С. В., Лускин Б. М., Нестеров Б. А., Салащенко Н. Н. // Письма в ЖТФ. 1977. Т. 3, № 12. С. 573-576.

29. Characterization of erosion plume after ablation of copper and tantalum targets by Excimer laser irradiation / Novodvorsky O. A., Khramova O. D., Wenzel C., Bartha J. W., Filippova E. O. // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 94, №5. P. 3612.

30. Никитенко В. А. Люминесценция и ЭПР оксида цинка // ЖПС. 1992. Т. 52. С. 367-385.

31. Transparent conductive oxide semiconductor ZnO:Al films produced by magnetron reactive sputtering / Chen M., Pei Z., Xi W., Sun C., and Wen L. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2001. Vol. 666. P. F1.2.

32. Highly conductive and transparant Ga-doped epitaxial ZnO films on sapphire by CVD / Ataev В. M., Bagamadova A. M., Djabrailov A. M., Mamedov V. V., Rabadanov R. A. // Thin Solid Films. 1995. Vol. 260. P. 19-22.

33. Growth and characterization of Ga-doped ZnO layers, on a-plane sapphire substrates grown by molecular beam epitaxy / Kato H., Sano M., Miyamoto K. and Yao T. // J. Cryst. Growth. 2002. Vol. 237-239. P. 496-499.

34. Ga-doped ZnO films grown on GaN templates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy / Ко H. J., Chen Y. F., Hong S. K., Wenisch H., Yao Т., and Look D. C. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. P. 3761-3763.

35. Highly conductive and transparant thin ZnO films prepared in situ in low pressure system / Ataev В. M., Bagamadova A. M., Mamedov V. V., Omaev A. K., Rabadanov R. A. // J. Cryst. Growth. 1999. Vol. 198-199. P. 1222-1225.

36. Transparent thin film transistors using ZnO as an active channel layer and their electrical properties / Masuda S., Kitamura K., Okumura Y., Miyatake S., Tabata H., and Kawai T. // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 93. P. 1624-1630.

37. Hoffman R. L., Norris B. J., Wager J. F. ZnO-based transparent thin-film transistors // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 82. P. 733-735.

38. Thin film transistor of ZnO fabricated by chemical solution deposition / Ohya Y., Niwa Т., Ban T. and Takahashi Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. Vol. 40. P. 297-298.

39. Transparent p-n heterojunction thin film diodes (n-Zn0/p-CuY02:Ca) / Jayaraj M. K., Draeseke A. D., Tate J., Hoffman R. L., and Wager J. F. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2001. Vol. 666. P. F4.1.

40. Fabrication of Zr-N codoped p-type ZnO thin films by pulsed laser deposition / Kim H., Cepler A., Osofsky M. S., Auyeung R. C. Y., and Pique A. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 203508.

41. Люминесценция монокристаллических слоев окиси пинка п- и р- типа проводимости / Бутхузи Т. В., Георгобиани А. Н., Зада-Улы Е., Эльтазаров Б. Т., Хулордава Т. Г. // Труды ФИАН, 1987. Т. 182, С. 140.

42. The regulation of defect concentrations by means of separation layer in wideband II-VI compounds / Butkhuzi Т. V., Sharvashidze M. M.,

43. Gamkrelidze N. M., Gelovani Kh. V., Khulordava T. G., Kekelidze N. P., and Kekelidze E. E. // Semicond. Sci. Technol. 2001. Vol. 16. P. 575-580.

44. Структуры ZnO/ZnSe, полученные методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии / Георгобиани А. Н., Котляровский М. Б., Кидалов В. В., Рогозин И. В. // Неорганические материалы. 1997. Т. 33, № 2. С. 232-235.

45. Growth of p-type zinc oxide films by chemical vapor deposition / Minegishi K., Koiwai Y., Kikuchi Y., Yano K., Kasuga M. and Shimizu A. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. Vol. 38, № 2. P. L1453-L1456.

46. Synthesis of p-type ZnO films / Ryu Y. R., Zhu S., Look D. C., Wrobel J. M., Jeong H. M. and White H. W. // J. Cryst. Growth. 2000. Vol. 216. P. 330-333.

47. Guo X.-L., Tabata H. and Kawai T. Pulsed laser reactive deposition of p-type ZnO film enhanced by an electron cyclotron resonance source // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 223. P. 135-138.

48. Characterization of homoepitaxial p-type ZnO grown by molecular beam epitaxy / Look D. C., Reynolds D. C., Litton C. W., Jones R. L., Eason D. В., and Cantwell G. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81. P. 1830-1832.

49. Formation of p-type ZnO film on InP substrate by phosphor doping / Bang К. H., Hwang D.-K., Park M.-C., Ко Y.-D., Yun I., and Myoung J.-M. // Appl. Surf. Sci. 2003. Vol. 210. P. 177-182.

50. Ryu Y. R., Lee T. S., and White H. W. Properties of arsenic-doped p-type ZnO grown by hybrid beam deposition // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. P. 87-89.

51. Realization of p-type ZnO thin films via phosphorus doping and thermal activation of the dopant / Kim K.-K., Kim H.-S., Hwang D.-K., Lim J.-H., and Park S.-J. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. P. 63-65.

52. Deposition and electrical properties of N-In codoped p-type ZnO films by ultrasonic spray pyrolysis / Bian J. M., Li X. M., Gao X. D., Yu W. D., and Chen L. D. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84. P. 541-543.

53. Interactions between gallium and nitrogen dopants in ZnO films grown by radicalsource molecular-beam epitaxy / Nakahara K., Takasu H., Fons P., Yamada A., Iwata K., Matsubara K., Hunger R., and Niki S. // Appl. Phys. Lett.2001. Vol. 79. P. 4139.

54. Nitrogen-induced defects in ZnO:N grown on sapphire substrate by gas source MBE / Iwata K.3 Fons P., Yamada A., Matsubara K. and Niki S. // J. Cryst. Growth. 2000. Vol. 209. P. 526-529.

55. Guo X.-L., Tabata H. and Kawai T. Epitaxial growth and optoelectronic properties of nitrogen-doped ZnO films on A1203 substrate // J. Cryst. Growth.2002. Vol. 237-239. P. 544-547.

56. Yamauchi S., Goto Y., Hariu T. Photoluminescence studies of undoped and nitrogen-doped ZnO layers grown by plasma-assisted epitaxy // J. of Cryst. Growth. 2004. Vol. 260. P. 1-6.

57. Ryu M. K., Lee S. H., and Jang M. S. Postgrowth annealing effect on structural and optical properties of ZnO films grown on GaAs substrates by the radio frequency magnetron sputtering technique // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 92. P. 158.

58. Spectroscopy of excitons, bound excitons and impurities in h-ZnO epilayers / Morhain C., Teisseire M., Verzian S., Viguer F., Raymond F., Lorenzini P.,

59. Guion J., Neu G., and Faurie J.-P. // Phys. Stat. Solidi B. 2002. Vol. 229, № 2. P. 881-885.

60. Transport properties of phosphorus-doped ZnO thin films / Heo Y. W., Park S. J., Ip K., Pearton S. J., and Norton D. P. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83, P. 1128-1130.

61. Compensation mechanism for N acceptors in ZnO / Lee E.-Ch., Kim Y.-S., Jin Y.-G., and Chang K. J. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64. P. 85120-85125.

62. Look D. C. Recent advances in ZnO materials and devices // Materials Science and Engineering B. 2001. Vol. 80. P. 383-386.

63. Park C. H., Zhang S. B., and Wei S.-H. Origin of p-type doping difficulty in ZnO: The impurity perspective // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66. P. 73202-73207.

64. Yan Y., Zhang S. B., Pantelides S. T. Control of doping by impurity chemical potentials: predictions for p-type ZnO // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 86. P. 5723-5726.

65. First principles study of the compensation mechanism in N-doped ZnO / Lee E.-Ch., Kim Y. -S., Jin Y.-G. and Chang K. J. // Physica B. 2001. Vol. 308310. P. 912-915.

66. Yamamoto T. and Katayama-Yoshida H. Solution using a codoping method to unipolarity for the fabrication of p-type ZnO // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. Vol. 38, № 2. P. L166-L169.

67. Yamamoto T. and Katayama-Yoshida H. Physics and control of valence states in ZnO by codoping method // Physica B. 2001. Vol. 302-303. P. 155-162.

68. Growth of epitaxial i?-type ZnO thin films by codoping of Ga and N / Kumar M., Kim T.-H., Kim S.-S., and Lee B.-T. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. P. 112103.

69. Binnig G., Quate C. F., Gerber Ch. Atomic force microscope // Phys. Rev. Lett. 1986. Vol. 56, № 9. P. 930-933.

70. Meyer E., Heinzelmann H. Scanning force microscopy // Scanning tunneling microscopy II / Ed. by R. Wiesendanger, H.-J. Guntherodt. Heidelberg : Springer, 1992. 99-149 p.

71. Atomic force microscopy for the study of tribology and adhesion / Meyer E., Heinzelmann H., Grutter P., Jung Т., Hidber H.-R., Rudin H., and Guntherodt H.-J. // Thin Solid Films. 1989. Vol. 181, № 1. p. 527-544.

72. Стоянова И. Г., Анаскин И. Ф. Физические основы методов просвечивающей электронной микроскопии. М. : Наука, 1972. 371 с.

73. Щербачев К. Д., Бублик В. Т. К методике измерения диффузного рассеяния рентгеновских лучей на трехкристальном рентгеновском дифрактометре // Заводская лаборатория. 1994. Т. 60, № 8. С. 28-32.

74. Jiang Н. G., Ruhle М., Lavernia Е. J. On the applicability of the X-ray diffraction line profile analysis in extracting grain size and microstrain in nanocrystalline materials // J. Mater. Res. 1999. Vol. 14. P. 549.

75. Лазерное напыление пленок ZnO на кремниевые и сапфировые подложки / Жерихин А. Н., Худобенко А. И., Вилльямс Р. Т., Вилкинсон Д.,

76. Усер К. Б., Хионг Г., Воронов В. В. // Квантовая электроника. 2003. Т. 33, № 11. С. 975-980.

77. Chen Y., Bagnall D., Yao Т. ZnO as a novel photonic material for the UV region // Mater. Sci. Eng. B. 2000. Vol. 75. P. 190-198.

78. Pulsed laser deposition of ZnO thin films for applications of light emission / Bae S. H., Lee A. Y., Jin B. J., Im S. // Appl. Sur. Sci. 2000. Vol. 154 -155. P. 458-462.

79. Sun X. W., Kwok H. C. Optical properties of epitaxially grown zinc oxide films on sapphire by pulsed laser deposition // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 86. P. 408-411.

80. Lokhande B. J., Patil P. S., Uplane M. D. Studies on structural, optical and electrical properties of boron doped zinc oxide films prepared by spray pyrolysis technique // Physica B. 2001. Vol. 302-303. P. 59-63.

81. Characterization of ZnO:N films prepared by annealing sputtered zinc oxynitride films at different temperatures / Zhang J. P., Zhang L. D., Zhu L. Q., Zhang Y., Liu M., Wang X. J., He G. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 102, № 11. P. 114903.

82. Frank К. H., Karlson U. sp-metals // Electronic structure of solids: Photoemission spectra and related data / Ed. by A. Goldmann, E. E. Koch. Heidelberg : Springer, 1989. 285 p.

83. Wertheim G. K. Electron and ion spectroscopy of solids. N. Y. : Plenum press, 1989. 192 p.

84. Layer-by-layer growth of ZnO epilayer on Al203(0001) by using a MgO buffer layer / Chen Y., Ко H.-J., Hong S.-K., Yao T. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76, №5. P. 559-561.

85. Emission from the higher-order excitons in ZnO films grown by laser molecular-beam epitaxy / Tsukazaki A., Ohtomo A., Kawasaki M., Makino Т., Chia С. H., Segawa Y., and Koinuma H. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84, № 19. P. 3858.

86. Stimulated emission and time-resolved photoluminescence in rf-sputtered ZnO thin films / Ozgur U., Teke A., Liu C.5 Cho S. J., Morkoc H., Everitt H. O. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84, № 17. P. 3223-3225.

87. Effect of MgZnO-layer capping on optical properties of ZnO epitaxial layers / Makino T., Tamura K., Chia C. H., Segawa Y., Kawasaki M., Ohtomo A., Koinuma H. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81, № 12. P. 2172.

88. Photoluminescence properties of ZnO epilayers grown on CaF2(lll) by plasma assisted molecular beam epitaxy / Ko H. J., Chen Y. F., Zhu Z., Yao T., Kobayashi I., and Uchiki H. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76, № 14. P. 1905.

89. Effects of growth temperature on the characteristics of ZnO epitaxial films deposited by metalorganic chemical vapor deposition / Zhang B. P., Wakatsuki K., Bihn N. T., Usami N. and Segawa Y. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 449. P. 12-19.

90. Optical properties of thin films of ZnO prepared by pulsed laser deposition / Sans J. A., Segura A., Mollar M. and Mari B. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 453-454. P. 251.

91. MgxZni.xO as a II-VI widegap semiconductor alloy / Ohtomo A., Kawasaki M., Koida T., Masubuchi K., Koinuma H., Sakurai Y., Yoshida Y.,

92. Yasuda Т., and Segawa Y. // Appl. Phys. Lett. Vol. 1998. Vol. 72, № 19. P. 2466.

93. Кучис E. В. Методы исследования эффекта Холла. М. : Сов. радио, 1974. 328 с.

94. ZnO devices: Photodiodes and p-tipe field-effect transistors / Ryu Y. R., Lee T. S., Lubguban J. A., White H. W., Park Y. S., Youn C. J. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 87. P. 153504.

95. Next generation of oxide photonic devices: ZnO-based ultraviolet light emitting diodes / Ryu Y. R., Lee T. S., Lubguban J. A., White H. W., Kim W. J., Park Y. S., and Youn C. J. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 241108.

96. Wide band gap oxide alloy: BeZnO / Ryu Y. R., Lee T. S., Lubguban J. A., Corman А. В., White H. W., Leem J. H., Han M. S., Youn C. J., and Kim W. J. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 052103.

97. Ryu Y., White H. Technology optoelectronics: ZnO-based LEDs begin to show full-color potential // Compound Semiconductor. 2006. V.12. P. 16-18.

98. ZnO Based Light Emitting Diodes Growth and Fabrication / Pan M., Rondon R., Cloud J., Rengarajan V., Nemeth W., Valencia A., Gomez J., Spencer N., Nause J. // Proc. of SPIE. 2006. Vol. 6122. P. 61220M-1.

99. Ryu Y. R., Kim W. J. and White H. W. Fabrication of homostructural ZnO P

100. N junctions // J. Cryst. Growth. 2000. Vol. 219. P. 419-422.i

101. Fabrication of homostructural ZnO p-n junctions and ohmic contacts to arsenic-doped /Муре ZnO / Ryu Y. R., Lee T. S., Leem J. H. and White H. W. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. P. 4032 -4034.

102. Aoki Т., Hatanaka Y. and Look D. C. ZnO diode fabricated by excimer-laser doping // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol.76. P. 3257-3258.

103. Optical and structural properties of ZnO films deposited on GaAs by pulsed laser deposition / Ryu Y. R., Zhu S., Budai J. D., Chanrasekhar H. R., Miceli P. F., White H. W. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 288. P. 201-204.

104. Драпак И. Т. Видимое излучение гетероперехода Zn0-Cu20 // ФТП. 1967. Т. 2. С. 614-616.

105. Инжекционная электролюминесценция в гетеропереходах n- ZnO р-ZnTe / Цуркан А. Е., Федотова Н. Д., Кичерман JL В., Пасько П. Г. // ФТП. 1975. Т. 6. С. 1183-1185.

106. Photovoltaic properties of ZnO/CdTe heterojunctions prepared by spray pyrolysis / Aranovich J. A., Golmayo D., Fahrenbruch A. L., and Bube R. H. // J. Appl. Phys. 1980. Vol. 51. P. 4260-4268.

107. Near-UV emitting diodes based on a transparent p -n junction composed of heteroepitaxially grown p-SrCu202 and n-ZnO / Hosono H., Ohta H., Hayashi K., Orita M. and Hirano M. // J. Crystal Growth. 2002. Vol. 237-239. P. 503-506.

108. Фотоэлектрические явления в гетероструктурах ZnO:Al p-Si / Никитин С. Е., Николаев Ю. А., Полушина И. К., Рудь В. Ю., Рудь Ю. В., Теруков Е. И. // ФТП. 2003. Т. 37. С. 1329.

109. Jeong I.-S., Kim J.-H., and Im S. Ultraviolet-enhanced photodiode employing n-ZnO/p-Si structure // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. P. 2946-2948.

110. Spectral responsivity and quantum efficiency of n-ZnO/p-Si photodiode fully isolated by ion-beam treatment / Park С. H., Jeong I. S., Kim J. H., and Im S. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 82. P. 3973-3975.

111. Особенности получения и некоторые свойства гетероперехода п-ZnO:Ga/p- GaN:Mg/a- А1203 / Атаев Б. М., Аливов Я. И., Мамедов В. В., Махмудов С. Ш., Магомедов Б. А. // ФТП. 2004. Т. 38. С. 699-671.

112. Investigation of RF and DC plasma jet system during deposition of highly oriented ZnO thin films / Cada M., Hubicka Z., Adamek P., Ptacek P., Sichova H., Sicha M., Jastrabik L. // Surface and Coatings Technology. 2003. Vol. 174-175. P. 627-631.

113. Ryu Y. R., Lee T. S., White H. W. A technique of hybrid beam deposition for synthesis of ZnO and other metal oxides // J. of Crystal Growth. 2004. Vol. 261. P. 502-507.

114. Band gap engineering based on MgxZn!xO and CdyZni.yO Ternary alloy films / Makino Т., Segawa Y., Kawasaki M., Ohtomo A., Siroki R., Tamura K., Yasuda Т., Koinuma H. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78, № 9. P. 1237.

115. S doping in ZnO film by supplying ZnS species with pulsed-laser-deposition method / Yoo Y.-Z., Jin Zh.-W., Chikyow Т., Fukumura Т., Kawasaki M., and Koinuma H. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81, № 20. P. 3798.

116. Optical and structural characteristics of ZnO films doped with gallium / Novodvorsky O. A., Panchenko V. Ya., Khramova O. D., Gorbatenko L. S., Butorina Ye. A., Wenzel C., Bartha J. W. // Proc. of SPIE. 2006. Vol. 6161. P. 124-133.

117. Gallium concentration dependence of room-temperature near-band-edge luminescence in n-type ZnO:Ga / Makino Т., Segawa Y., Yoshida S., Tsukazaki A., Ohtomo A., Kawasaki M. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85, №5. P. 759-761.

118. Srikant V., Clarke D. R. Optical absorption edge of ZnO thin films: The effect of substrate // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. P. 6357.

119. Photoluminescence behaviors in ZnGa204 thin film phosphors deposited by a pulsed laser / Bae J. S., Moon В. K., Choi В. C., Jeong J. H., Yi S. S., Kim I. W. and Lee J. S. // Thin Solid Films. 2003. Vol. 424. P. 291-295.

120. Optical properties of Si-doped GaN / Schubert E. F., Goepfert I. D., Grieshaber W., and Redwing J. M. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. P. 921.

121. Optical properties of ZnO:Al epilayers: observation of room-temperature many-body absorption-edge singularity / Makino Т., Tamura K., Chia С. H., Segawa Y., Kawasaki M., Ohtomo A., and Koinuma H. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65, № 12. P. 121201(R)l-4.

122. Well-width dependence of radiative and nonradiative lifetimes in ZnO-based multiple quantum wells / Makino Т., Chia С. H., Segawa Y., Ohtomo A.,

123. Tamura К., Kawasaki M., and Koinuma H. // Phys. Status Solidi B. 2002. Vol. 229, № 2. P. 853-857.

124. Photoluminescence characterization of nonradiative recombination in carbon-doped GaAs / Carderon L., Lu Y., Shen H., Pamulapati J., Yang M. L. W., and Wright P. D. // Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 60. P. 1597.

125. Fabrication of transparent p-n hetero-junction diodes by p-diamond film and n-ZnO film / Wang С. X., Yang G. W., Zhang Т. C., Liu H. W., Han Y. H., Luo J. F., Gao, С. X. and Zou G. T. // Diamond and Related Materials. 2003. Vol. 12. P.1548.