Получение высокочистых моноизотопных силанов 28SiH4, 29SiH4 и 30SiH4 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, доктор химических наук Буланов, Андрей Дмитриевич

• Буланов, Андрей Дмитриевич
• доктор химических наук
• 2005

Оглавление диссертации доктор химических наук Буланов, Андрей Дмитриевич

ВВЕДЕНИЕ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ. ЦЕЛИ И 6 ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ.

ГЛАВА 1. Основные физико-химические свойства, методы получения, глубокой очистки и анализа SiF4, SiH4 и СаН2 (литературный обзор).

1.1. Свойства тетрафторида кремния.

1.1.1. Химические свойства тетрафторида кремния.

1.1.2. Физико-химические свойства тетрафторида кремния.

1.2. Методы получения тетрафторида кремния.

1.3. Методы глубокой очистки тетрафторида кремния.

1.3.1. Химические методы очистки.

1.3.2. Сорбционные методы очистки.

1.3.3. Методы очистки диффузией через мембраны.

1.3.4. Очистка SiF4 дистилляцией и сублимацией.

1.4. Методы анализа тетрафторида кремния.

1.4.1. ИК-спектроскопия.

1.4.2. Газовая хроматография.

1.4.3. Масс-спектрометрия.

1.4.4. Атомно-эмиссионный анализ.

1.4.5. Методы изотопного анализа SiF4.

1.5. Методы разделения изотопов кремния.

1.5.1. Физико-химические методы.

1.5.2. Электромагнитный метод масс-сепарации.

1.5.3. Оптические методы.

1.5.4. Молекулярно-кинетические методы.

1.6. Способы выделения кремния из тетрафторида кремния.

1.7. Свойства моносилана.

1.7.1. Химические свойства моносилана.

1.7.2. Физико-химические свойства моносилана.

1.8. Методы глубокой очистки силана.

1.9. Методы анализа силана.

1.10. Методы получения гидрида кальция и его физико- 79 химические свойства.

1.11. Схема получения высокочистых моноизотопных 82 силанов.

ГЛАВА 2. Получение высокочистого тетрафторида кремния.

2.1. Получение тетрафторида кремния.

2.2. Глубокая очистка тетрафторида кремния.

2.2.1. Оценка значения коэффициента разделения для 87 основных примесей в тетрафториде кремния при равновесии жидкость-пар.

2.2.2. Экспериментальное определение коэффициента 93 разделения для примесей Si20F6 и SiOF2 в SiF4.

2.2.3. Глубокая очистка тетрафторида кремния методом 98 ректификации.

2.3. Определение некоторых физико-химических свойств высокочистого тетрафторида кремния.

2.3.1. Уравнение состояния высокочистого тетрафторида 104 кремния.

2.3.2. Изучение диаграммы состояния высокочистого 110 тетрафторида кремния.

ГЛАВА 3. Анализ тетрафторида кремния.

3.1. Определение примесей в тетрафториде кремния.

3.1.1. Масс-спектрометрический метод.

3.1.2. Химико-атомно-эмиссионный метод.

3.1.3. ИК-спектроскопический метод.

3.1.4. Газохроматографический метод.

3.2. Изотопный анализ тетрафторида кремния.

ГЛАВА 4. Получение высокочистого моноизотопного силана.

4.1. Получение высокочистого СаНг.

4.2. Получение силана по реакции тетрафторида кремния 156 с гидридом кальция.

4.2.1. Термодинамическая характеристика реакции.

4.2.2. Синтез силана в проточной системе.

4.3. Синтез силана в замкнутой системе.

4.3.1. Влияние начального давления тетрафторида кремния 172 в реакторе на степень превращения реагентов.

4.3.2. Влияние начальной температуры на степень превращения реагентов.

4.3.3. Влияние дисперсности гидрида кальция на степень превращения реагентов.

4.3.4. Влияние количественного соотношения реагентов на 177 степень превращения S1F4

4.3.5. Определение выхода силана в процессе синтеза.

4.4. Получение моноизотопных силанов 28SiH4, 29SiH4 и 30SiH4.

4.5. Глубокая очистка моноизотопных силанов 28SiH4, 186 29SiHt и 30SiH4 методом ректификации.

ГЛАВА 5. Анализ моноизотопного силана.

5.1. Определение примесей в моноизотопном силане.

5.1.1. Хроматографический метод.

5.1.1.1. Определение содержания неорганического фтора.

5.1.1.2. Определение содержания углеводородов.

5.1.2. Химико-атомно-эмиссионный метод.

5.1.3. ИК-спектроскопический метод.

5.1.4. Определение содержания взвешенных частиц.

5.2. Изотопный анализ силана.

ГЛАВА 6. Обсуждение результатов.

6.1. Степень чистоты моноизотопного тетрафторида 206 кремния и факторы, ее определяющие.

6.2. Особенности и достоинства процесса получения 207 силана взаимодействием SiF4 с СаН2. 6.3. Степень чистоты полученных моноизотопных силанов.

6.4. Применение высокочистого моноизотопного силана.

6.4.1. Получение моноизотопного кремния.

6.4.2. Получение покрытия из моноизотопного на поверхности кварцевого тигля.

ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение высокочистых моноизотопных силанов 28SiH4, 29SiH4 и 30SiH4»

Актуальность работы. В последние годы активно ведутся исследования в области получения изотопнообогащенных веществ. Заметно возрос интерес к моноизотопному кремнию. Природный кремний представляет собой смесь трех стабильных изотопов Si28, Si29 и Si в соотношении 92,28: 4,67: 3,05 % соответственно [1]. Ожидается, что свойства моноизотопного кремния могут заметно отличаться от свойств природного кремния. Изучение свойств отдельных изотопов откроет перспективы для их принципиально новых практических применений. Еще в 1942 году И. Померанчуком [2] и позже W. Capinski [3], А. Инюшкиным [4] и А. Жерновым [5] было показано, что рассеяние фононов на изотопах с различной массой оказывает значительное влияние на величину теплопроводности: уменьшение рассеяния вследствие изотопного обогащения должно вызвать ее увеличение. Экспериментально было подтверждено, что массивные 12 образцы изотопнообогащенного алмаза С (99,99%) [6, 7], германия 70Ge (99,99%) [8], а также пленка кремния 28Si (99,7%) [9] обладают более высокой теплопроводностью.

Кремний является материалом, наиболее широко используемым в современной полупроводниковой промышленности. Использование изотопно-чистого кремния-28 вместо природного кремния рассматривается как один из возможных путей увеличения теплоотвода с микросхем. Это может привести к дальнейшей миниатюризации элементов микросхемы и улучшению характеристик силовых полупроводниковых приборов.

Решение проблемы теплоотвода с использованием изотопно-чистого кремния-28 также позволит улучшить характеристики уонохроматоров синхротронного излучения [10] и детекторов элементарных частиц [11].

Высокочистые монокристаллы изотопных разновидностей

28 • 29 • 30 * кремния ( Si, Si и Si) представляют значительный интерес для создания эталона массы на базе совершенного кристалла Si и для решения задачи определения числа Авогадро с относительной Q погрешностью менее 5-10", что на порядок ниже достигнутой к настоящему времени величины. Постоянная Авогадро -фундаментальная физическая константа, которая связывает понятие количества вещества - «моль» с его массой. В Интернациональной Системе Единиц (СИ) единица «моль» определена как количество вещества, содержащее столько элементарных частиц, сколько атомов в

I "У

0,012 кг С. Таким образом, постоянная Авогадро может быть выражена следующим соотношением:

M(12Q nil7C) где т( С) - масса атома С. В настоящее время наиболее точное значение NA получено с использованием сферы кремния природного изотопного состава массой 1 кг. Кремний был выбран потому, что он может быть получен в виде высокочистого и совершенного монокристалла [12,13]. Кристалл кремния имеет кубическую симметрию с 8 атомами в гранецентрированной элементарной ячейке с длиной грани а. Тогда средняя масса атома кремния равна: т= ра/8 (2), и постоянная Авогадро может быть вычислена по формуле:

N М=Щр> А т а5

Для этого необходимо точное определение трех величин: а - параметра решетки, р - плотности и M(Si) - молярной массы. Для определения

ИА=~Ж: (D' параметра решетки используют рентгеновский метод, для измерения плотности - метод гидростатического взвешивания. Известно, что параметр решетки зависит от содержания примеси бора [14], замещенный углерод увеличивает, а внедренный кислород уменьшает плотность кристалла кремния [13]. Однако, для чистого кристалла кремния погрешность в определении NA будет главным образом определяться погрешностью в определении средней молярной массы:

М = f(2SSi) • M(2SSi) + f(29Si) • M(29Si) + /(%/) • M(30Si) (4), где f(Si) - изотопные распространенности. Поскольку атомные массы 28Si, 29Si и 30Si известны с погрешностью 8-10"9, определение средней молярной массы требует прецизионных измерений изотопных распространенностей.

Использование моноизотопного кремния Si имеет перспективы для повышения точности в измерении изотопного состава, а следовательно уменьшении погрешности в определении молярной массы M(Si). Первая попытка уточнения NA с использованием образца Si (99,02%) выполнена в [14]. Однако, снижения погрешности по сравнению с измерениями на кремнии природного изотопного состава достичь не удалось из-за недостаточной степени обогащения и чистоты

1 О 1 обогащенного кремния (примесь бора на уровне 10 см" ).

• 28

Монокристалл изотопно-обогащенного Si диаметром 4 мм и длиной 50 мм был выращен К. Ито [15]. Кристалл имел изотопный состав Si28(99,924%), Si29(0,073%), Si3°(0,003%), р-тип проводимости и

17 3 высокое содержание примеси алюминия ~5-10 см". Эпитаксиальный слой Si30 был выращен [16] методом газофазной эпитаксии с

30 • использованием изотопнообогащенного SiH4. Изотопный состав слоя ло лл д/л был следующий: Si: Si: Si= 0,05:0,07:99,88. Таким образом, для изучения свойств отдельных изотопов и их применения необходимы массивные образцы более высокой чистоты и с более высоким содержанием основного изотопа.

В нашей стране для разделения стабильных изотопов кремния развита центробежная технология. В качестве рабочего вещества в процессе разделения возможно использование SiF4 [17] и SiHCb [18]. Перспективно получение моноизотопного кремния методом, первой стадией которого является разделение изотопов кремния в виде его тетрафторида. Фтор имеет только один стабильный изотоп и его наличие в молекуле не мешает разделению изотопов основного элемента - кремния. Поэтому возможно получение всех трех изотопов кремния с обогащением выше 99%.

Наиболее чистый кремний получают гидридным методом, состоящим в синтезе летучего гидрида кремния - моносилана, его глубокой очистке и термическом разложении [19]. Преимущества гидридного метода, реализованного в промышленном масштабе, следующие:

• Силан содержит наиболее высокий процент кремния по-сравнению с галогенидами и галогенводородами.

• Силан и примеси имеют достаточные различия в физико-химических свойствах, так что силан легко может быть подвергнут глубокой очистке.

• В процессе термического разложения в качестве побочного продукта выделяется только водород.

По ряду причин, рассмотренных ниже, прямое применение гидридной технологии высокочистого кремния природного изотопного состава не решало задачу получения высокочистых моноизотопных разновидностей силана и кремния.

Цель работы. Целью исследования была разработка метода получения высокочистых гидридов моноизотопного кремния 28SiH4, 29SiH4, 30SiH4 для последующего выделения из них высокочистых моноизотопных 28Si, 29Si и 30Si. Достижение поставленной цели осуществлялось в рамках следующей схемы: получение высокочистого SiF4 для разделения изотопов; перевод моноизотопного SiF4 в моносилан; глубокая очистка моноизотопных моносиланов. При этом было необходимым решить следующие конкретные задачи:

- разработать методику получения и глубокой очистки тетрафторида кремния;

- исследовать свойства высокочистого тетрафторида кремния;

- разработать высокочувствительные методики анализа тетрафторида кремния;

- разработать методику синтеза моноизотопного силана из тетрафторида кремния без изменения изотопного состава и с высоким выходом;

- разработать методику глубокой очистки гидридов с сохранением изотопного состава;

- разработать высокочувствительный метод определения изотопного состава моноизотопных тетрафторида кремния и силана для его контроля в процессе получения моноизотопного кремния.

Научная новизна.

1. Проведено комплексное исследование процессов синтеза и глубокой очистки тетрафторида кремния. Установлен состав примесей в тетрафториде кремния, полученном термическим разложением гексафторсиликата натрия. Разработаны физико-химические основы глубокой очистки SiF4 методом низкотемпературной ректификации. Впервые экспериментально определены значения коэффициента разделения в системах SiF4-Si20F6 и SiF4-SiOF2 в интервале температур 185-257 К. Для примесей S02, СН4, HF, НС1, SiH4, SiF3H, SiF2H2, BF3, PF5 и C02 в тетрафториде кремния с применением обобщенной теории свободного объема проведена оценка коэффициентов разделения в интервале температур 188-203 К.

2. Впервые исследована диаграмма состояния высокочистого тетрафторида кремния, включая кривую фазового равновесия жидкость - твердое. Определены значения давления и температуры для тройной и критической точек тетрафторида кремния, значения теплоты сублимации, плавления и испарения . Определены параметры вириального уравнения состояния тетрафторида кремния в температурном интервале 260-360 К. Полученное уравнение позволяет описывать состояние SiF4 в области давлений до 50 атм.

3. Разработана методика атомно-эмиссионного определения нелетучих примесей в высокочистом тетрафториде кремния с концентрированием их отгонкой основы с пределами обнаружения 10"8-Ю"10% мае.

4. Разработан метод синтеза гидридов моноизотопного кремния путем восстановления тетрафторида кремния гидридом кальция с выходом 92-95%. Исследованы два варианта метода: проточный и статический при повышенном давлении тетрафторида кремния (до 30 атм). Впервые реализован процесс получения высокочистых моноизотопных силанов в количестве десятков

1Q 1Л ло граммов для SiH4 и SiH4 и килограммов для SiH4.

5. Разработана методика определения изотопного состава изотопнообогащенного тетрафторида кремния и силана. Установлено отсутствие статистически значимого эффекта изотопного разбавления на всех стадиях получения высокочистых моноизотопных силанов. и

Практическая ценность и реализация результатов.

1. Разработана методика получения высокочистого тетрафторида кремния с содержанием примеси гексафтордисилокеана равным 6-10"2 мол.% и суммарным содержанием примесей HF, Н20, С02, СО, СН4, SiF3OH и фторсиланов на уровне 10"3 мол.%. Высокочистый тетрафторид кремния был использован для изотопного обогащения в центрифугах (ОКБ ОАО «ГАЗ») и для легирования кварцевого стекла фтором и получения кварцевых волоконных световодов с изменяющейся по длине дисперсией (ИХВВ РАН).

2. Разработан метод синтеза высокочистых гидридов

28 • 29 in # моноизотопного кремния SiH», SiH», SiH» по реакции восстановления изотопнообогащенного тетрафторида кремния гидридом кальция с высоким выходом и без изотопного разбавления. ло

Изготовлены опытные партии высокочистых SiH4 с обогащением 99,99%; 29SiH4 с обогащением 99,49% и 30SiH, с обогащением 99,57%. Полученные высокочистые гидриды использованы для получения моноизотопного кремния и нанесения покрытий из моноизотопного диоксида кремния на поверхность кварцевых тиглей (ИХВВ РАН), а также для получения пленок кремния (ИХВВ РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе).

3. Термическим разложением высокочистых гидридов моноизотопного кремния получены опытные партии высокочистого

•28 .29 поликристаллического Si с обогащением 99,992%; Si с обогащением 99,49% и Si30 с обогащением 99,73%. Из образцов высокочистого поликристаллического моноизотопного кремния в Институте роста кристаллов (г. Берлин) выращены монокристаллы, охарактеризованные по составу. Монокристаллические образцы передавались заинтересованным организациям для исследования свойств.

Исследования проводились в рамках программы фундаментальных исследований РАН "Новые материалы и вещества -основа создания нового поколения техники, технологии и решения социальных задач" (Раздел "Высокочистые вещества и материалы на их основе"), а также в рамках проекта Международного научно-технического Центра №1354 "Разработка методов получения и изучение свойств изотопно-чистых полупроводниковых материалов для использования в современных технологиях" и в настоящее время проводятся в рамках международного проекта «Авогадро».

Положения, выносимые на защиту:

1. Физико-химические основы и метод получения высокочистых

Oft гидридов моноизотопного кремния SiH4 с обогащением 99,99%; 29SiH4 с обогащением 99,49% и 30SiH4 с обогащением 99,57% и содержанием примесей углеводородов на уровне 10"5-10"6% мол.

2. Методика получения высокочистого тетрафторида кремния.

3. Результаты исследования диаграммы состояния высокочистого тетрафторида кремния.

4. Методики и результаты определения изотопного и примесного состава тетрафторида кремния и силана, полученного восстановлением тетрафторида кремния.

5. Разработка методики синтеза моноизотопных моносиланов из тетрафторида кремния с высоким выходом и без изотопного разбавления целевого продукта.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на XI и XII Конференциях по химии высокочистых веществ (г. Нижний Новгород, 2000 и 2004 гг.), на I и II Всероссийском совещаниях "Высокочистый моноизотопный кремний. Получение, анализ, свойства и применение" (г. Нижний Новгород, 2001 и 2003 гг.), на Всероссийской конференции "Актуальные проблемы аналитической химии" (г. Москва, 2002г.), на III Международной конференции по неорганическим материалам (Konstanz, Germany, 2002г.), на Третьей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе "Кремний-2003" (г. Москва), на Международной конференции "Micro- and nanoelectronics-2003" (ICMNE-2003) (г. Звенигород).

Образцы высокочистого моноизотопного кремния Si28, Si29 и Si30 представлены на Постоянно действующую выставку - коллекцию веществ особой чистоты при ИХВВ РАН. Образцы высокочистого моноизотопного кремния и моноизотопных силанов экспонировались на международных и отечественных научно-технических выставках, в том числе на выставках "Промэкспо. Российский промышленник-99 и 2000" (г. Санкт-Петербург), на Международной выставке-ярмарке (г. Ганновер, Германия, 2000г.), на выставке «Инновация-2000. Новые материалы» (г. Москва), на выставке-конгрессе «Россия единая» (г. Нижний Новгород, 2000г.), на Международной выставке «Наука. Научные приборы-2000, 2001 и 2002» (г. Москва), на I, III, IV и V Международном салоне инноваций и инвестиций (г. Москва, 2001, 2003, 2004 и 2005гг.), на 11-ой и 12-ой Международной выставке ХИМИЯ (г. Москва, 2001, 2003гг.), на IV и VII Международном салоне промышленной собственности «Архимед» (г. Москва, 2001, 2004 гг.), на 50 юбилейном Всемирном салоне изобретений «Брюссель-Эврика 2001» (г. Брюссель), на 11-ой Международной выставке «Здравоохранение 2001» (г. Москва), на 3-ем Международном форуме «Высокие технологии оборонного комплекса» (г. Москва, 2002г.), на VI Международном форуме «Высокие технологии XXI» (г. Москва, 2005г.), на выставке «Промэкспо-2003» (г. Москва), на выставке

ХИМСПЕК Европа-2003» (г. Манчестер, Англия), на Российской национальной выставке (г. Киев, Украина, 2003г.) и были неоднократно отмечены дипломами и медалями.

Публикация результатов. Основное содержание работы опубликовано в 14 статьях в журналах и 16 тезисах международных и отечественных научных конференций, перечисленных выше. Результаты разработок защищены двумя Патентами Российской федерации: «Способ получения моноизотопного кремния Si » и «Способ получения высокочистого изотопно-обогащенного силана».

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 269 стр. машинописного текста, включая 44 рисунка, 70 таблиц и библиографию из 395 наименований.

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Буланов, Андрей Дмитриевич

выводы

1. Разработаны физико-химические основы, схема и метод получения высокочистых моноизотопных силанов 28SiH4, 29SitL| и 30SiH4 для последующего выделения из них высокочистых

28 .?9 .30 моноизотопных Si , Si и Si . Впервые получены и охарактеризованы опытные партии высокочистых моноизотопных силанов:

- килограммовые количества 28SiH4 с содержанием Si28 более 99,99 % ат., содержанием примесей углеводородов С1-С4 менее 310"6 мол. %, примесей металлов - менее З'Ю"6 мас.%, примеси общего неорганического фтора на уровне 10"4 мас.%;

OQ ло

- SiH4 в количестве десятков граммов с содержанием Si 99,49 % ат., содержанием примесей углеводородов С1-С4 менее 8'10"6 мол. %;

- 30SiH4 в количестве десятков граммов с содержанием Si30 99,57 % ат., содержанием примесей углеводородов С1-С4 на уровне 410"5 мол. %.

Суммарный выход при получении высокочистых моноизотопных ло лп e OQ силанов SiH4, SiH4 и SiFLi по моноизотопному кремнию составляет 75%.

Выявлены особенности процесса, обусловленные необходимостью исключить изотопное разбавление моноизотопных соединений, ограниченностью доступных количеств и высокой стоимостью моноизотопных веществ с высоким содержанием основного изотопа. Совокупность результатов работы представляет собой решение важной научной и прикладной задачи.

2. Разработан метод получения высокочистого тетрафторида кремния, включающий синтез SiF4 термическим разложением гексафторсиликата натрия и его низкотемпературную ректификацию в колонне со средним питающим резервуаром.

Экспериментально определен качественный и количественный состав примесей в тетрафториде кремния. Для равновесия жидкость пар экспериментально определены и рассчитаны значения коэффициента разделения примесей в тетрафториде кремния.

Получены опытные партии тетрафторида кремния в килограммовых количествах с содержанием гексафтордисилоксана Si20F6, равным 6-10' мол.%, и суммарным содержанием HF, СО2, СО, СН4, фторсиланов на уровне 10"3 мол.%, примесей металлов не более 3-10"7 мас.%.

3. Разработан метод синтеза гидридов кремния-28, 29 и 30 гидрированием тетрафторида кремния гидридом кальция в проточной системе в температурном интервале 180-200 °С. Выход силана по расходу тетрафторида кремния составил 88-92 %. Впервые установлен состав и содержание примесей в моносилане, получаемом таким способом. Суммарное содержание примесей углеводородов С1-С4 в полученных гидридах не превышает 610" мол. %. Содержание этилена — наиболее трудноудаляемой примеси при ректификационной очистке силана - не превышает 610"5 мол. %.

4. Разработана методика получения гидрида кремния гидрированием тетрафторида кремния гидридом кальция в замкнутой системе в температурном интервале 180-200 °С и начальном давлении тетрафторида кремния до 30 атм. Выход силана по расходу тетрафторида кремния достигает 95 %. Суммарное содержание примесей углеводородов С1-С4 в полученном силане находится на

3 5 уровне 810" мол. %. Содержание этилена не превышает 310" мол.%.

5. Показана необходимость использования особо чистого гидрида кальция при переводе моноизотопного SiF4 в моносилан для обеспечения высокого выхода продукта и низкого содержания примесей углеводородов. Разработана методика синтеза высокочистого гидрида кальция гидрированием металлического дистиллированного кальция водородом, очищенным фильтрацией через палладиевую мембрану с последующей отмывкой примесного углерода очищенным водородом.

6. Исследована диаграмма состояния тетрафторида кремния в интервале температур от 155 до 260 К. Впервые изучена зависимость температуры плавления SiF4 от давления. Определены параметры тройной и критической точек тетрафторида кремния, теплоты сублимации, испарения, плавления. Полученные значения укладываются в интервал, охваченный опубликованными справочными данными.

Из экспериментальных данных получена температурная зависимость второго и определено значение третьего вириальных коэффициентов. Полученное вириальное уравнение описывает состояние SiF4 в области давлений до 50 атм.

7. Разработана методика измерения изотопного состава высокочистых тетрафторида кремния и силана, обогащенных

ЛЛ <SQ 1Л изотопами Si, Si и Si. Методика предусматривает переведение проб в метасиликат калия и последующий изотопный анализ сухого концентрата методом лазерной масс-спектрометрии (JIMC). Достигнута точность определения изотопного состава на уровне тысячных долей абсолютного процента при степени обогащения более 99,9%. Предел обнаружения составляет 5-10"4%. Было установлено отсутствие статистически значимого эффекта изотопного разбавления в процессе превращения тетрафторида кремния в силан и далее в поликристаллический кремний.

8. Разработана методика анализа высокочистого тетрафторида кремния атомно-эмиссионным методом с предварительным концентрированием нелетучих примесей возгонкой матрицы. Предел обнаружения примесей в 40 граммах аналитической навески составил Ю"8 - Ю"10 мае. %. Определено содержание примесей в тетрафториде кремния на всех стадиях технологической цепочки получения высокочистого моноизотопного тетрафторида кремния.

9. Из моноизотопных силанов получены монокристаллические ло лп ЛЛ образцы изотопных разновидностей Si , Si и Si со степенью чистоты и электрофизическими свойствами, близкими к таковым для полупроводникового кремния природного изотопного состава.

Автор выражает сердечную благодарность академику Девятых Г.Г. за постановку задачи и постоянное внимание к работе в течение многих лет и сотрудникам ОКБ ОАО «ГАЗ», НТЦ «Центротех-ЭХЗ» (г. Санкт-Петербург), а также сотрудникам лабораторий веществ особой чистоты, полупроводниковых материалов, аналитической химии высокочистых веществ, физических методов исследования, летучих соединений металлов и технологии волоконных световодов Института химии высокочистых веществ РАН за помощь в выполнении работы.

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Буланов, Андрей Дмитриевич, 2005 год

1.Сиборг, Г. Таблица изотопов: пер. с англ. / Гленн Сиборг, И. Перлман.- М.: Изд. иностр. литер., 1951. - С. 8.

2. Померанчук, И .Я. О теплопроводности диэлектриков при температурах, меньших дебаевской / И.Я. Померанчук // Журнал экспериментальной теоретической физики.- 1942. № 12. - С. 245.

3. Capinski, W.S. Analysis of the effect of isotope scattering on the thermal conductivity of crystalline silicon / W.S. Capinski, H.J. Maris, S. Tamura // Phys. Rev. В.- 1999. V. 59. - № 15. - P. 10105-10110.

4. Инюшкин, A.B. Теплопроводность изотопно модифицированного кремния: современное состояние исследований / А.В. Инюшкин // Неорганические материалы.- 2002. Т. 38. - № 5. - С. 527-534.

5. Жернов, А.П. Влияние изотопического беспорядка на теплопроводность германия в области максимума / А.П. Жернов // Физика твердого тела.- 1999. Т. 41. - Вып. 7. - С. 1185-1189.

6. Olson, J.R. Thermal conductivity of diamond between 170 and 1200 К and the isotope effect / J.R. Olson, R.O. Pohl, J.W. Vandersande, A. Zoltan, T.R. Anthony, W.F. Banholzer//Phys. Rev. В.- 1993. V.47. -№22.-P. 14850-14856.

7. Lanhua, W. Thermal conductivity of isotopically modified single crystal diamond / W. Lanhua, P.K. Kuo, R.L. Thomas, T.R. Anthony, W.F. Banholzer // Phys. Rev. Lett.- 1993. V. 70. - № 24. - P. 3764-3767.

8. Capinski, W.S. Thermal conductivity of isotopically enriched Si / W.S. Capinski, H.J. Maris, E. Bauser, I. Silier, M. Asen-Palmer, T. Ruf, M.

9. Cardona, E. Gmelin // Appl. Phys. Lett.- 1997. V. 71. - № 15. - P. 21092111.

10. Chumakov, A.I. High-energy-resolution x-ray optics with refractive collimators / A.I. Chumakov, R. Ruffer, O. Leupold, A. Barla, H. Thiess, T. Asthalter, B.P. Doyle // Appl. Phys. Lett.- 2000. V. 77. - № 1. - P. 3133.

11. Rogers, C.S. / C.S. Rogers, A.T. Macrander // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A.- 1993. V. 335. - № 3. - P. 561.

12. Волков, Н.Ф. О решении некоторых проблем, связанных с уточнением числа Авогадро / Н.Ф. Волков, Ю.И. Трубняков // Тр. метрол. ин-тов СССР.- 1979. № 234/294. - С. 10-13.

13. USA. A Report to the Avogadro Working Group of the CCM. Determination of the molar volume of silicon crystals at the NRLM. Present state and the future / Kenichi Fujii // Washington D.C., 1998.

14. Takyu, K. Growth and characterization of the isotopically enriched Si bulk single crystal / K. Takyu, K.M. Itoh, K. Oka, N. Saito, V.I. Ozhogin //Jpn. J. Appl. Phys.- 1999. V. 38. - P. L1493-L1495.

15. Бабичев, А.П. Получение изотопа Si с использованием трихлорсилана / А.П. Бабичев, З.Я. Жернова, А.В. Курочкин, А.А. Мишачев, Г.Э. Попов, А.И. Руднев, А.В. Тихомиров // Неорганические материалы.- 2002. Т. 38. - № 5. - С. 524-526.

16. Lewis, С.Н. Preparation of high-purity silicon from silane / C.H. Lewis, N.C. Kelly, N.B. Guisto, S. Johnson // J. Electrochem. Soc.-1961.-V. 108.-№ 12.-P. 1114-1118.

17. Janai, M. The deposition of silicon films by pyrolytic decomposition of SiF2 gas / M. Janai, S. Aftergood, R.B. Weil, B. Pratt // J. Electrochem. Soc.- 1981. V. 128. - № 12. - P. 2660-2665.

18. Kana'an, Adli S. Evidence for the stability of complex-silicon-fluorine species at high temperatures / A. S. Kana'an, J.L. Margrave // Inorg. Chem.- 1964. V. 3. - № 7. - P. 1037-1038.

19. Ingle, W.M. Recent advances in solar silicon purification technology / W.M. Ingle // Photovoltaic Solar Energy Conf. Berlin. - 1979.

20. Fehlner, T.P. The photoelectron spectrum of SiF2 / T.P. Fehlner, D.W. Turner//Inorg. Chem.- 1974.-V. 13.-№3.-P. 754-755.

21. Пат. 4138509 США. Silicon purification process / W.M. Ingle, S.W. Thompson. 1979.

22. Исикаве, H. Фтор. Химия и применение: пер. с яп. / Нобуо Исикаве, Есиро Кобаяси. М.: Мир, 1987. - 280 с.

23. Пат. 2077483 Россия. Способ получения моносилана / JI.JI. Фадеев, Ю.К. Кварацхели, М.С. Жирков, A.M. Ивашин, В.В. Кудрявцев, А.В. Гришин, В.Т. Филинов.- 1997.

24. Пат. 0052808 Европа. Способ синтеза силана / Р.А. Lefrancois.-1984.

25. De Раре, R. Reduction of silicon tetrafluoride and boron trifluoride by calcium hydride / R. De Pape//Ann. Chim.- 1963. V. 8. - № 3-4. -P. 185-196.

26. Пат. 4847061 США. Process for preparation of silane / J.A. Bossier, D.M. Richards, L.T. Crasto. 1989.

27. Пат. 4632816 США. Процесс получения силана / М.М. Everett. -1986.

28. Opalovsky, A. A. DTA study of the reactions of non-metal fluorides with inorganic compounds/ A.A. Opalovsky, E.U. Labkov, S.S. Torosyan, A.A. Dzhambek // J. Therm. Anal.- 1979. V. 15. - № 1. - P. 67-77.

29. Печковский, B.B. Исследование взаимодействия SiF4 и HF с оксидом и фосфатами кальция / В.В. Печковский, Е.Д. Дзюба, Л.П. Валюкевич, М.Т. Соколов // Журнал прикладной химии.- 1980. Т. 53.-№5.-С.961-965.

30. Shinmei, М. Thermodynamic study of Si2OF6(g) from 723 to 1288 К by mass spectrometry / M. Shinmei, T. Imai, T. Ykokawa, C.R. Masson // J. Chem. Thermodyn.- 1986. V. 18. - № 3. - P. 241-246.

31. Некрасов, Б.В. Основы общей химии / Б.В. Некрасов.- М. : Химия, 1969.-Т. 2.-С. 90.

32. Kleboth, К. Semiempirische MO-berechnumgen an silicium-fluor-verbindungen und ihren hydrolyseprodukten / K. Kleboth, B.M. Rode // Monatsh. Chem.- 1974. V. 105. - № 4. - P. 815-821.

33. Рысс, И.Г. Химия фтора и его неорганических соединений / И.Г. Рысс. М.: Госхимиздат, 1956. - С. 307-313.

34. Goubeau, J. Uber fluorsiloxane / J. Goubeau, H. Grosse-Ruyken // Z. Anorg. Allg. Chem.- 1951. V. 264. - P. 230-248.

35. Jacob, E. Chemisches verhatten des siliziumoxidfluoride F3SiOSiF3/ E. Jacob // Z. Naturforsch.- 1980.- B. 35. № 9. - P. 1088-1095.

36. Раздорских, Jl.M. Влияние четырехфтористого кремния на ванадиевый катализатор / Л.М. Раздорских, Г.К. Боресков, Е.В. Гербурт // Химическая промышленность.- 1970. № 4. - С. 286-289.

37. Scarinci, G. Effects of treatment with fluorinating agents on the composition and surface structure of soda-lime glasses / G. Scarinci, V. Gottardi, G.P. Gambaretto, D. Rosa Festa // J. Non.- Cryst. Solids.- 1979. V. 34.-№3.-P. 371-380.

38. Гельмбольд, В.О. Фторокомплексы кремния (IV) с кислородсодержащими донорными лигандами / В.О. Гельмбольд, А.А. Эннан // Координационная химия.- 1983. Т. 9. - Вып. 5. - С. 579-588.

39. Зотов, Б.Г. Получение фтористого водорода методом направленного гидролиза четырехфтористого кремния / Б.Г. Зотов, В.А. Зайцев, Б.В. Громов // Химическая промышленность.-1973. № 6. - С. 445-447.

40. Гельмбольд, В.О. Тетрафторид кремния. Реакционная способность и практическое применение / В.О. Гельмбольд, А.А. Эннан // Деп. в ОНИИТЭхим, г.Черкассы, 22 нояб.- 1983 г. № 1151хп-Д83. 20 с.

41. Плахотник, Э.Г. Термодинамическая и кинетическая устойчивость гексафторокомплексов кремния и германия / Э.Г. Плахотник, А.А. Ярышкина // Координационная химия.- 1985. Т. П.-№6.-С. 761-765.

42. Hayek, E. Reasons for the solubility of silica in fluorosilicic acid / E. Hayek, K. Kleboth // Monatsh. Chem.- 1961. V. 92. - № .5. . p. Ю27-1033.

43. Gierit, A.A. / A.A. Gierit, F.J. Sowa, J.A. Niewland // J. Amer. Chem. Soc.- 1936.-V. 58.-P. 786.

44. Топчиев, A.B. Каталитические свойства четырехфтористого кремния. Присоединение метилового спирта к олефинам / А.В. Топчиев, Н.Ф. Богомолова // Доклады АН СССР.- 1953. Т. 88. -№ 3. - С. 487-489.

45. Guertin, J.P. The interaction of silicon tetrafluoride with methanol / J.P. Guertin, M. Onyszchuk // Canad. J. Chem.- 1963. V. 41. - №. 6. -P. 1477-1484.

46. Сахаров, A.B. Система тетрафторид кремния аммиак / А.В. Сахаров, В.Ф. Суховерхов, А.А. Эннан // VIII Всес. симп. по химии неорг. фторидов. 25-27 августа 1987 года: Тезисы докладов. -г. Полевской.- 1987. - С. 340.

47. Рупчева, В.А. Исследование термических превращений продуктов взаимодействия тетрафторида кремния с аммиаком / В.А. Рупчева, С.В. Островский, О.Б. Карпенко // Термический анализ и фазовые равновесия.- 1984. С. 48.

48. Пат. 80663 Финляндия. Способ получения растворенного или порошкообразного нитрида кремния / V.P. Judin, A. Hayha, Р. Koukkari, Оу Kemira. 1990.

49. Ebsworth, E.A.V. / E.A.V. Ebsworth, J.R. Hall, M.J. Mackillop // Spectrochim. Acta.- 1958. V. 13. - P. 202.

50. Kohler, J. Uber die kristallstruktur von GeF4 / J. Kohler, A. Simon // J. Less-Common Met.- 1988. V. 137. - P. 333-341.

51. Основные свойства неорганических фторидов / гл. ред. Н.П. Галкин. М.: Атомиздат, 1976. - 400 с.

52. Духняков, А.Ю. Тонкая структура рентгеновских спектров поглощения молекулы S1F4 и координационного соединения Na2SiF6 вблизи края атома фтора / А.Ю. Духняков, А.С. Виноградов // Оптика и спектроскопия.- 1982. Т. 53. - № 5. - С. 841-844.

53. Beagley, В. The Si-F length in SiF4. A new electron diffraction study / B. Beagley, D.P. Brown, J.M. Freeman // J. Mol. Struct.- 1973. V. 18.- № 2. P. 337-338.

54. Термодинамические свойства индивидуальных веществ: в 2 т. / гл. ред. В.П. Глушко.- М.: Изд-во АН СССР, 1962. Т. 1. - 1162 с.

55. Kolbjern, Н. Interatomic distances and rms amplitudes of vibration of gaseous SiF4 from electron difraction / H. Kolbjorn, H. Kenneth // J. Chem. Phys.- 1973. V. 59. - № 3. - P. 1549-1550.

56. Luck, R. Quantenchemische untersuchungen zur stabilitat von Si-F-speries / R. Luck, G. Scholz, L. Kolditz // Z. Anorg. und Allg. Chem.-1986. V. 538. - № 7. - P. 191-200.

57. Рид, P. Свойства газов и жидкостей / Р. Рид, Дж. Праусниц, Т. Шервуд.- JL: Химия, 1982. 592 с.

58. Справочник химика. Изд. 3-е испр.: в 6 т. / гл. ред. Б.П. Никольский. -JL: Химия, 1971. Т. 1. - 1072 с.

59. Синтезы неорганических соединений / под ред. У. Джолли.- М.: Мир, 1967.-Т. 2.-С. 307-311.

60. Pase, Е. Thermodynamics properties of silicon tetrafluoride from 15 К to its triple point. The entropy from molecular and spectrscopic data / E. Pase, J. Mosser//J. Chem. Phys.- 1963. V. 39. -№ 1. - P. 154-158.

61. Свойства неорганических соединений: справочник / Ф.Н. Ефимов, Л.П. Белорукова, И.В. Василькова и др.- JL: Химия, 1983. 392 с.

62. Fisher, W. / W. Fisher, W. Wiedeman // Z. anorg. allgem. Chem.- 1933.- V.213.-№ 1-2.-P. 106-114.

63. Кострюков, B.H. Термодинамические исследования при низких температурах. VII. Фазовые переходы в твердых BF3, CF4 и SiF4 /

64. В.Н. Кострюков, О.П. Саморуков, П.Г. Стрелков // Журнал физической химии.- 1958. Т. 32. - № 6. - С. 1354-1361.

65. Морачевский, А. Г. Физико-химические свойства молекулярных неорганических соединений: справочник / А.Г. Морачевский, И.Б. Сладков. JI.: Химия, 1987. - 187 с.

66. Брауэр, Г. Руководство по неорганическому синтезу: пер. с нем. / Георг Брауэр.- М.: Мир, 1985. Т. 1. - 320 с.

67. Ruff, О. / О. Ruff, E.Ascher // Z. Anorg. Allgem. Chem.-1931. -V. 196.-№4.-P. 431-420.

68. Booth, H. / H. Booth, C. Swinehart // J. Amer. Chem. Soc.- 1935. V. 57.-P. 1337-1342.

69. Сладков, И. Б. Соотношение между параметрами состояния неорганических соединений в критической точке и точке кипения / И.Б. Сладков // Деп. в ВИНИТИ, № 1209-76 Деп.:- М. 1976. - 11 с.

70. Michael, J.S. Dewar. AMI calculations for compounds containing silicon / Dewar J.S. Michael, Jie Caoxian // Organometallics.- 1987. -№6.-P. 1486-1490.

71. Wise, S.S. The heat of formation of silica and silicon tetrafluoride / S.S. Wise, J.L. Margrave, H.M. Feder, W.H. Hubbard // J. Phys. Chem.-1962.-V. 66.-№2.-P. 381.

72. Bousguet, J. Mise au point d'une installation de calorimetrigue de combustion dans le fluor / J. Bousguet, J. Carre, P. Claudy, J. Etienm, P. Provencal, J. Thourey, P. Bareeri // J. Chim. Phys. et Phys.-Chim. Biol.-1972. V. 69. - № 6. - P. 1065-1068.

73. Patnode, W. / W. Patnode, J. Papish // J.Chem.Phys.- 1930. V. 34. -№ 7. p. 1494-1496.

74. Le Boucher, L. / L. Le Boucher, W. Fischer, W. Biltz // Z. Anorg. und Allg. Chem.- 1932. V. 207. - P. 61-72.

75. Петропавлов, M.B. Изотопные эффекты в насыщенном парефторидов серы, углерода и кремния / М.В. Петропавлов, В.И. Устинов // Деп. В ВИНИТИ 10 июня 1976 г., № 2093-76 Деп.:- М. 1976. - 7 с.

76. Устинов, В.И. Масс-спектральный изотопный анализ углерода и кремния в газообразных фторидах / В.И. Устинов, М.В. Петропавлов// Вторая Всес. Конф. по масс-спектрометрии.: Тезисы докладов. Л.: Наука. - 1974. - С. 21-22.

77. Калиш, М.А. Давление насыщенных паров тетрафторида кремния / М.А. Калиш, А.Г. Табачников // Деп. в ОНИИТЭхим. г. Черкассы.- № 1022ХП-Д82.: Одесса. 1982. - 17 с.

78. Абдурахманов, Б.М. Определение теплопроводности паров тетрафторида кремния / Б.М. Абдурахманов, И.А. Полешко, В.В. Харченко // Доклады АН УзССР.- 1975. № 7. - С. 24-26.

79. Hamman, S.D. The forces between polyatomic molecules / S.D. Hamman, McManamey, J.F. Pearce // Trans. Faraday Soc.- 1953. V. 49.-№ 4.-P. 351-357.

80. De Rocco, A.G. Second virial coefficient for spherical shell potential / A.G. De Rocco, W.G. Hoovert // J. Chem. Phys.- 1962. V. 36. - № .4. -P. 916-926.

81. Takako, S. Intermolecular potential for silicon tetrafluoride / S. Takako // J. Phys. Soc. Jpn.- 1975. V. 38. - № 1. - P. 224-230.

82. Логинов, A.B. Тетрафторид кремния, свойства, получение и применение / А.В. Логинов, A.M. Гарбар // Высокочистые вещества.- 1989.-№5.-С. 27-34.

83. Medan, A. Properties of amorphous Si:F:H alloys / A. Medan, S.R. Ovshinsky // J. Non-Cryst. Solids.- 1980. V. 35/36. - P. 171-181.

84. Zischang, D. Preparation of amorphous Si-F alloys by RF glow-discharge / D. Zischang, W. Xinfang, J. Zhongbua, D. Yuguan // J. Non-Cryst. Solids.- 1982. V. 52. - № 1-3. - P. 497-502.

85. Заявка 59-227710 Япония. Получение тонкой пленки фторидакремния / Ф. Нобухиро, Й. Юкихиро. 1984.

86. Заявка 59-227711 Япония. Получение тонкой пленки фторида кремния / Ф. Нобухиро, Й. Юкихиро. 1984.

87. Заявка 59-227713 Япония. Получение тонкой пленки фторидаикремния / Ф. Нобухиро, И. Юкихиро. 1984.

88. Заявка 59-227712 Япония. Получение тонкой пленки фторида1. K.Jкремния / Ф. Нобухиро, И. Юкихиро. 1984.

89. Shimizu, I. Properties of a-Si based alloys prepared from fluorides and hydrogen / I. Shimizu, S. Oda, S. Ishihara, N. Shibata // J. Non-Cryst. Solids.- 1985. V. 77-78. - № 2. - P. 877-880.

90. Aulich, H.A. New methods to prepare high-purity silica / H.A. Aulich, K.H. Eisenrith, H.P. Urbach // J. Mater. Sci.- 1984. V. 19. - P. 17101717.

91. Заявка 431196 Швеция. Satt att g enom hydrolys av kiseltetrafluorid i en lada framstalla finfordelad kiseloxid / G.L. Flemmert. 1984.

92. Пат. 3661519 США. Hydrolysis of silicon tetrafluoride / R.E. Driscoll. -1972.

93. Пат. 3087787 США. Process for the production of hydrogen fluoride / G.L. Flemmert. 1963.

94. Пат. 3442700 США. Method the deposition of silica films / S.

95. Yoshioka, S. Takayanagi. 1969.

96. Tamura, A. SiFx and SFX molecular ion implantations into GaAs / A. Tamura, K. Inoue, T. Onuma // Appl. Phys. Lett.- 1987. V. 51. - № 9. -P. 1503-1505.

97. Kupper, D. Deposition of fluorine-doped silica layers a SiCVSiF^C^ gas mixture by the plasma-CVD method / D. Kupper, J. Koening, H. Wilson // J. Electrochem. Soc.- 1978. V. 125. - № 8. - P. 1298-1302.

98. Пат. 4812155 США. Method for production of glass preform for optical fibers / M. Kyoto, N. Yoshioka, G. Tanaka, H. Kanamori, M. Watanabe, M. Nakahara. 1989.

99. Оганесян, A.M. Влияние фтора на обезвоживание стеклообразу-ющих германатных расплавов / A.M. Оганесян, Н.М. Семенецкая, В.Д. Халилев // V Всес. симп. по химии неорг. фторидов, г. Днепропетровск.: Тезисы докладов. М.: Наука. - 1978. - С. 209.

100. Lim, S.W. Changes in orientational polarization and structure of silicon dioxide film by fluorine addition / S.W. Lim, Y. Shimogaki, Y. Nakano // J. Electrochem. Soc.- 1999. V. 146. - № 11. - P. 4196-4202.

101. Кварацхели, Ю.К. О развитии работ по солнечной энергетике в Минатоме России / Ю.К. Кварацхели, М.Ф. Свидерский // Конверсия в машиностроении,- 1999. № 3-4. - С. 44-47.

102. Аналитическая химия фтора / Н.С. Николаев, С.Н. Суворова, Е.И. Гурович и др. М.: Наука, 1970. - 196 с.

103. Johnson, G.K. The standard molar enthalpy of formation of SiF4(g) at 298,15 К by fluorine bomb calorimetry/ G.K.Johnson // J. Chem. Thermodyn.- 1986. V. 18. - № 8. - P. 801-802.

104. Rai-Choudhury, P. Sulfur hexafluoride as an etchant for silicon / P. Rai-Choudhury //J. Electrochem. Soc.- 1971. V. 118. - № 2. - P. 266-269.

105. Заявка№3841218 ФРГ. Verfahren zum herstellen von hochreinem siliciumtetrafluorid / R. Dotzer. 1990.

106. Tu Yung-Yi. Chemical sputtering of fluorinated silicon / Yung -Yi. Tu,

107. T.J. Chuang, H.F. Winters // Phys. Rev. B: Condens. Motter.- 1981. -V. 23. № 2. - P. 823-835.

108. Perrin, J. Mass spectrometric study of NH3 plasma etching of silicon / J. Perrin, J. Meot, J-M. Siefert, J. Schmitt // Plasma Chem. and Plasma Proc.- 1990. V. 10. - № 4. - P. 571-587.

109. Пат. 3674431 США. Generation of silicon tetrafluoride / R.E. Driscol, G.L.DeCuir.- 1972.

110. Пат. 2132427 ФРГ. Verfahren zur herstellung von siliciumtetrafluorid / R.E. Driscol, G.L. De Cuir, L. Monroe. 1978.

111. Пат. 4382071 США. Process of preparing silicon tetrafluoride by using hydrogen fluoride gas / T. Otsuka, N. Kitsugi, T. Fujinaga. 1983.

112. Lieser, K.H. Darstellung von siliciumtetrafluorid aus siliciumdioxid und bleifluorid / K.H. Lieser, I. Rosenbaum // Z. anorg. und allg. Chem. -1967. B. 351. - № 5-6. - S. 306-308.

113. Заявка №3841210 ФРГ. Verfahren zum herstellen von siliciumtetrafluorid / R. Dotzer. 1990.

114. Пат. № 2019504 Россия. Способ получения тетрафторида кремния / Ю.К. Кварацхели, М.Ф. Свидерский, В.П. Хватов, А.П. Паршин, М.А. Степанов, Н.П. Петранин. 1994.

115. Bruno, G. Inorganic volatile fluorides obtained from electrical decomposition of sulfur hexafluoride in a quarts tube / G. Bruno, P. Capezzuto, F. Cramarossa // J. Fluor. Chem.- 1979. V. 14. - № 2. - P. 115-129.

116. Green, P.J. Chemistry of chromyl fluoride. 51. New preparative routes to Cr02F2/ P.J. Green, G.L. Gard // Inorg. Chem.- 1977. V. 16. - № 5. - P. 1243-1245.

117. Заявка № 61-247625 Япония. Способ получения синтетического кварцевого материала / К.Тосиаки, О. Кацуми, И. Акира. 1986.

118. Заявка 57-17414Япония. Получение тетрафторида кремния/Т. Оцука, Н. Мокудзи, Т. Фудзинага. 1982.

119. Заявка 57-135711 Япония. Получение тетрафторида кремния. / Т. Оцука, Н. Кицуги, Т. Фудзинага. 1982.

120. Кварацхели, Ю.К. Синтез тетрафторида кремния при взаимодействии диоксида кремния с фторурансодержащими соединениями / Ю.К. Кварацхели, М.Ф. Свидерский, М.А. Степанов, Н.П. Петранин, О.Д. Хорозова// Высокочистые вещества. -1994. № 2.1. C. 102-109.

121. Харитонов, В.П. Исследование реакций в системе NaF-SiF4-Si02-Н20 / В.П. Харитонов, В.П. Демидов, Г.А. Власов // VIII Всес. симп. по химии неорг. фторидов. г.Душанбе. 1984: Тезисы докладов. М.: Наука. - 1984. - С. 332.

122. Padma, D.K. A new method for the preparation of silicon tetrafluoride /

123. D.K. Padma, A.R. Vasudeva Murthy // J. Fluor. Chem.- 1974. V. 4. -№2.-P. 241-242.

124. Boehm, P.H. Ein einfaches verfahren zur darstellung von siliciumtetrafluorid / P.H. Boehm // Z. anorg. und allg. Chem.- 1969. -B. 365.-№3-4.-S. 176-179.

125. Padma, D.K. Silicon tetrafluoride: preparation and reduction with lithium aluminium hydride / D.K. Padma, B.S. Suresch, A.R. Vasudeva Murthy // J. Fluor. Chem.- 1979. V. 14. - № 4. - P. 327-329.

126. Легасов, B.A. Взаимодействие дифторида ксенона с тетрахлоридами углерода, кремния, олова и титана / В.А. Легасов, А.С. Маринин//Журнал неорганической химии,- 1972. Т. 17. -№ 9. - С. 2408-2410.

127. Пономаренко, В.А. Химия фторкремний-органических соединений / В.А. Пономаренко, М.А. Игнатенко. М.: Наука, 1979. - С. 38.

128. Раков, Э.Г. Получение чистых фторидов переходных металлов III и IV групп / Э.Г. Раков // Всес. конф. «Химия и технол. редк., цв. мет. и солей»: Тезисы докладов.- г. Фрунзе.- 1986. С. 153.

129. Jongste, J.F. Influence of SiH2Cl2 on the kinetics of the chemicalvapor deposition of tungsten by SiHt reduction of WF6 / J.F. Jongste, T.G.M. Oosterlaken, G.C.A.M. Janssen, S. Radelaar // J. Electrochem. Soc.- 1999. V. 146. - № 1. - P. 167-169.

130. Заявка 1322843 Великобритания. Generation of silicon tetrafluoride / Cities Servic Company. 1973.

131. Stojakovic, D.R. The possibility of separating hydrogen fluoride from its gaseous mixture with silicon tetrafluoride / D.R. Stojakovic, S.D.V

132. Radosavljevic, Vera C. Scepanovic // J. Fluor. Chem.- 1973. V. 3. -№ l.-P. 117-118.

133. Троян, H.B. Об очистке кремнефтористоводородной кислоты кристаллическим фторидом натрия при получении фтористых солей / Н.В. Троян, А.С. Тимошенко, А.С. Шубин, А.С. Коробицын, И.В. Павлович, М.Н. Астафьева // Цветные металлы.-1985.-№ 12.-С. 38-40.

134. Заявка 3228177 ФРГ. Verfahren zur herstellung von silicium / К. Reuschel, M. Schnoller, W. Dietze. 1984.

135. Пат. 89581 ГДР. Способ сушки и (или) кальцинирования мелкокристаллических продуктов осаждения / К. Todtman, G. Marotz, G. Gommel, P. Glauert. 1972.

136. Борисов, B.M. Исследование равновесного состава газовой фазы в системе H3P04-H2SiF6-H20 / B.M. Борисов, С.В. Мельникова // Журнал прикладной химии.- 1984. Т. 57. - № 3. - С. 705-707.

137. Архипова, JI.H. Пути использования кремнефтористых продуктов производства минеральных удобрений / JI.H. Архипова, М.Н. Цыбина, А.Н. Дворяжкина // Деп. в ОНИИТЭхим. 13 ноября 1985 г. № Ц01 хн.:-М.- 1985.- 18 с.

138. Пат. 4470959 США. Continuous production of silicon tetrafluoride gas in a vertical column / Jaidev S. Talwar, J. Hedriskson. 1984.

139. Пат. 4900530 США. Process for the production of silicon tetrafluoride / G. Anania, A. Bianchi, V. Cultrera, F. Russo, G. Spagna. 1990.

140. Зайцев, В.А. Разложение кремнефтористых солей минеральными кислотами / В.А. Зайцев, JI.H. Архипова, А.А. Новиков, Т.Г. Репенкова, С.Е. Ефимов, В.И. Родин, Е.Д. Спицын, Ю.Ф. Коровин, Б.В. Громов // Химическая промышленность. 1974. - № 10. - С. 768-771.

141. Лобас, О.П. Термические методы исследования реакций фторидов / О.П. Лобас, В.П. Пищулин // 7 Всес. симп. по химии неорг. фторидов, г. Душанбе. 9-11 октября 1984 года: Тезисы докладов. -М.- 1984.-С. 210.

142. Пищулин, В.П. Взаимодействие кремнефторида натрия с серной кислотой / В.П. Пищулин, А.В. Кретов, И.Е. Рыжов // VIII Всес. симп. по химии неорг. фторидов, г. Полевской. 25-27 августа 1987 года: Тезисы докладов. 1987. - С. 313.

143. Заявка 3432678 ФРГ. Verfahren zur herstellung von siliciumtetra-fluorid / W. Porcham, A.T. Mils. 1986.

144. Заявка 3217074 ФРГ. Verfahren zur herstellung von technischen siliciumdioxid / K. Reuschel, M. Schnoller. 1983.

145. Заявка 63-74910 Япония. Получение тетрафторида кремния высокой чистоты / М. Хироюки, X. Исао, К. Нобухико, Т. Юкихиро. 1988.

146. А.с. 297578 СССР. Способ получения тетрафторида кремния / В.Ф. Багрянцев, Л.И. Седина. 1969.

147. Чернов, Р.В. Особенности термического разложения кремнефторида калия / Р.В. Чернов, Л.Д. Дюбова // 7 Всес. сим. по химии неорг. фторидов, г. Душанбе. 9-11 октября 1984 года: Тезисы докладов. М. - 1984. - С. 343.

148. Stodolski, R. Thermische zersetzung von K2SiF6: einflub von oberflache und wasserdampfpartialdruck / R. Stodolski, L. Kolditz // Z. Chem.- 1985. V.25. - № 5. - P. 190-191.

149. Kolditz, L. Zur bildung der phase K3SiF7 durch thermische zersetzungvon K2SiF6. / L. Kolditz, W. Wilde, U. Bentrup // Z. Chem.- 1983. -V. 23. № 7. - P. 246-247.

150. Chiotti, P. Dissociation pressure and thermodynamic properties of Na2SiF6 / P. Chiotti // J. Less Com. Met.- 1981. V. 80. - № 1. - P. 97104.

151. Chiotti, P. The pseudobinary system NaF-Na2SiF6 / P. Chiotti // J. Less Com. Met.-1981. V. 80. - № 1. - P. 105-113.

152. Чернов, P.B. Термическая диссоциация фторсиликата натрия в присутствии минеральных добавок / Р.В. Чернов, И.Г. Ковзун // Украинский химический журнал.- 1972. Т. 38. - № 4. - С. 318-323.

153. Пат. 4446120 США. Method of preparing silicon from sodium fluosilicate / F.A. Schmidt, D. Rehbein, P. Chiotti. 1984.

154. Sanjurjo, A. Silicon by sodium reduction of silicon tetrafluoride / A. Sanjurjo, L. Nanis, K. Sancier, R. Bartlett, V. Kapur // J. Electrochem. Soc.- 1981.-V. 128.-№ l.-P. 179-184.

155. Adams, G.P. Silicon-fluorine chemistry XII. Enthalpy of formation of polydifluorosilylene and the siliconsilicon bond energy / G.P. Adams, K.G. Sharp, P.W. Wilson, J.L. Margrave // J. Chem. Thermodyn.- 1970. V. 2. - № 3. - p. 439-443.

156. Заявка 58-26022 Япония. Очистка тетрафторида кремния от кислородсодержащих примесей / Н. Кицуги, Т. Фудзинага, Т. Оцука. 1983.

157. Эннан, А.А. Координационное соединение а-нафтиламина и тетрафторида кремния a-CioH7NH2-SiF4 / А.А. Эннан, Б.М. Кац, А.А. Новикова// Известия вузов. Химия и хим. технология.- 1969. -Т. 12.-№ 12.-С. 1630-1632.

158. Gutmann, V. Zur kenntnis von koordinationsverbindungen des silicium (IV)-fluorids / V. Gutmann, P. Heilmayer, K. Utvary // Monatsh. Chem. 1961. - V. 92. - № 2. - P. 322-329.

159. Новиков, В. Г. Изучение состава тетрафторида кремния методом ИК-спектроскопии / В.Г. Новиков, Н.В. Кривошеев, О.Г. Алексеев, Н.А. Керимбекова, А.В. Губарев // Сб. научных трудов ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ.- 1987. № 33. - С. 158-164.

160. Пат. 2078034 Россия. Способ получения высокочистого поликристаллического кремния / В.А. Карелин. 1997.

161. Заявка 3700244 ФРГ. Verfahren zur abstrennung von siliciumtetrofluorid aus gasformigen bortrifluorid / H.H. Reich, B. Leutner, F.L. Ebenhoech, A. Brunold. 1988.

162. Заявка 59-50016Япония. Очистка тетрафторида кремния/Т. Оцука, Т. Сайто. 1984.

163. Заявка 64-51314 Япония. Очистка тетрафторида кремния / М. Хироюки, X. Исао, К. Нобухико. 1989.

164. Пат. 4557921 США. Purification of halide / W.B. Kirsch, S.M. Laurent. 1985.

165. Заявка 57-156317 Япония. Очистка тетрафторида кремния / Т. Оцука, Н. Кицуги, Т. Фудзинага. 1982.

166. Пат. 2035397 Россия. Способ получения полпроводникового кремния / В.Д. Терешин, Д.С. Стребков. 1995.

167. Заявка 62-14381 Япония. Очистка тетрафторида кремния / X. Исао, X. Хироюки, К. Нобухико. 1987.

168. Тульский, М.Н. Мембранная технология в области разделения летучих фторидов / М.Н. Тульский, Д.М. Амирханов, А.А. Котенко // IX Всес. симп. по химии неорг. фторидов, г. Череповец. 3-6 июля 1990 года: Тезисы докладов.- 1990. Ч. 2. - С. 322.

169. Пат. 2046095 Россия. Способ получения тетрафторида кремния / В.И. Волк, Б.С. Захаркин, А.И. Карелин, С.Н. Веселов, Л.И Шкляр, Л.Б. Шпунт, А.В. Беляев, В.А. Карелин. 1995.

170. Заявка 64-52604 Япония. Способ очистки газообразного тетрафторида кремния / К. Нобухико, М. Хироюки, X. Исао, Т. Юкихиро. 1989.

171. Mills, T.R. Silicon isotope separation by distillation of silicon tetrafluoride /T.R. Mills // Separ. Sci. and Technol.- 1990. V. 25. - № 3.-P. 335-345.

172. Woltz,P.J.H. / P.J.H. Woltz, E.A.Jones, A.H. Nielsen//Phys. Rev. -1950.-V. 79.-P. 416.

173. Jones, E.A. / E.A. Jones, J.S. Kirby-Smith, P.J.H. Woltz, A.H. Nielsen //J. Phys. Chem. 1951. - V. 19. - P. 242.

174. Halonen, L. Stretching vibrational overtone and combination states in silicon tetrafluoride / L. Halonen // J. Mol. Spectrosc.- 1986. V. 120. -№ l.-P. 175-184.

175. Кузнецов, С.Л. Анализ переносимости силовых постоянных для галогенидов кремния, фосфора и серы / С.Л. Кузнецов, А.Ю. Цивадзе, Ю.Я. Харитонов // Журнал неорганической химии.-1986. Т. 31. - № 3. - С. 605-610.

176. McDowell, R.S. Infrared spectrum and potential constants of silicon tetrafluoride / R.S. McDowell, M.J. Reisfeld, C.W. Patterson, B.J. Krohn, M.C. Vasquez, G.A. Laguna // J. Chem. Phys.- 1982. V. 77.-№9.-P. 4337-4343.

177. Reents, W. D. Impurities in silicon tetrafluoride determined by infrared spectrometry and Fourier transform mass spectrometry / W. D. Reents, D.L. Wood, A.M. Mujsce // J. Anal. Chem.- 1985. V. 57. - № l.-P. 104-109.

178. Schettino, V. One- and two-phonon spectra of cristalline silicon tetrafluoride / V. Schettino // Chem. Phys. Lett.- 1973. V. 18. - № 4. -P. 535-539.

179. Durig, J.R. Spectra and structure of some silicon-containing compounds. VIII. Vibrational spectra of hexafluorodisiloxane / J.R. Durig, V.F. Kalasinsky, M.J. Flanagan // Inorg.Chem.- 1975. V. 14. -№ 11.-P. 2839-2845.

180. Sharp, K.G. Silicon-flurine chemistry. XV. Reaction of silicon difluoride with thionyl fluoride. Some new fluorosiloxanes / K.G. Sharp, J.L. Margrave // J. Inorg. Nucl.Chem.- 1971. V. 33. - № 9. -P. 2813-2818.

181. Свидерский, М.Ф. Исследование молекулярного состояния примесей в тетрафториде кремния / М.Ф. Свидерский, О.Д. Хорозова, Г.И. Довганич, В.А. Иванова // Высокочистые вещества,- 1994. № 1. - С. 130-133.

182. Свердлов, A.M. Колебательные спектры многоатомных молекул / А.М.Свердлов, М.А. Ковнер, Е.П. Крайнов. М.: Наука, 1970. -419 с.

183. Накомото, К. ИК спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений/ К. Накамото. М.: Мир, 1991.-530 с.

184. Новиков, В.Г. Хроматографическое определение тетрафторида кремния в газовоздушных потоках / В.Г. Новиков, К.Н. Никитин, А.В. Губарев и др. // Сб. науч. тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. 1987. № 33. - С. 164-165.

185. Пат. 3859417 США. Selective chromatographic separation/ A.J.1. Teller.- 1975.

186. Пат. 3932589 США. Selective chromatographic separation of sulfur dioxide with organic reagents / A.J. Teller. 1976.

187. Анваер, Б.И. Газовая хроматография неорганических веществ / Б.И. Анваер, Ю.С. Другов. М.: Химия, 1976. - 240 с.

188. Пат. 4407783 США. Production silane from silicon tetrafluoride / H.E. Ulmer, D. Pickens, F.J. Rahl. 1983.

189. Dudley, F.В. Negative ion mass spectra of various fluorine containing molecules / F.B. Dudley, G.H. Cady, A.L. Crittenden // Org. Mass Spectrom.- 1971. V. 5. - № 8. - P. 953-957.

190. Catrett, F.D. A new fluorsiloxane synthesis / F.D. Catrett, J.L. Margrave // Synth. Inorg. Metal-Org. Chem.- 1972. V. 2. - № 4. - P. 329-333.

191. Reents, W.D. Ion/molecular reaction of silicon tetrafluoride / W.D. Reents, A.M. Mujsce // Inter. J. Mass-Spectr. Ion Process.- 1984. V. 59.-№ l.-P. 65-75.

192. Новоселова, A.B. К вопросу о механизме образования силиката бериллия (Be2Si04) / A.B. Новоселова, Ю.В. Орлова, Б.П. Соболев, Л.Н. Сидоров // Доклады АН.- 1964. Т. 159. - № 6. - С. 1338-1341.

193. Herron, J.T. Mass spectrum and appearance potentials of tetrafluorohydrazine / J.T. Herron, V.H. Dibeler // J. Chem. Phys. -I960.-V. 33.-P. 1595-1596.

194. Mitchel, J.W. Chemical analysis of electronic gases and volatile reagents for device processing / J.W. Mitchel // Solid State Technology.- 1984. V. 28. - № 3. - P. 131-137.

195. Новоселова, A.B. Изучение равновесия в системе, содержащей окись бериллия, двуокись кремния и фторобериллат натрия / А.В. Новоселова, Ю.В. Ажикина // Известия АН СССР. Неорганические материалы.- 1966. Т. 2. - № 9. - С. 1604-1607.

196. Пат. 4442082 США. Process for obtaining silicon from fluosilicic acid1. А. Sanjurjo.- 1984.

197. Ando, Y. Thermal diffusion of silicon tetrafluoride and silane / Y. Ando, T. Tokuda // Z. Phys. Chem. (BRD).- 1973. V. 83. - № 1-4. - P. 153-163.

198. Kamioka, M. 29Si and 30Si enrichment by IR MPD of Si2F6 / M. Kamioka, S. Arai, Y. Ishikawa, S. Isomura, N. Takamiya // Chem. Phys. Lett.- 1985. V. 119. - № 4. - P. 357-360.

199. De Bievre, P. The importance of the Avogadro constant for amount-of-substance measurements / P. De Bievre, S. Valkier, P.D.P. Taylor // Fresenius J. Anal. Chem.- 1998. V. 361. - P. 227-234.

200. Сысоев, A.A. Изотопная масс-спектрометрия / A.A. Сысоев, В.Б. Артаев, В.В. Кащеев. М.: Энергоатомиздат, 1993. - 288 с.

201. Девятых, Г.Г. Термодиффузионное разделение изотопов кремния в моносилане / Г.Г. Девятых, Г.К. Борисов // Журнал физической химии.- 1963. Т. 37. - № 9. - С. 1985-1988.

202. Девятых, Г.Г. Разделение изотопов кремния в моносилане методом термодиффузии / Г.Г. Девятых, Г.К. Борисов // Доклады АН СССР.- 1963. Т. 149. - № 6. - С. 1293-1294.

203. Brunken, R. Anricherung der schweren siliziumisotope bie der thermodiffusion in methylsilan / R. Brunken // Z. Phys. Chem. (BRD). 1966. - V. 48. - № 1-2. - P. 123-125.

204. Espanol, C.E. / C.E. Espanol, C.R. Carjuzaa// Arg. Rep. Com. Nacl. Energia At.- 1961. № 52. - P. 3.

205. Meinrenken, J. Anreicherung naturlicher siliziumisotope mit dem trennrohr / J. Meinrenken // Z. Phys. Chem. Neue Folge.- 1969. Bd. 63. - P. 205-207.

206. Brunken, R./R. Brunken, W. Jost// Nachr. Akad. Wiss. Gottingen.-1962.-V. 4.-P. 123.

207. Девятых, Г.Г. О разделении изотопов кремния ректификацией моносилана / Г.Г. Девятых, Г.К. Борисов, A.M. Павлов // Доклады

208. АН СССР.- 1961. Т. 138. - № 2. - С. 402-404.

209. Орлов, В.Ю. /В.Ю.Орлов, Н.М. Жаворонков // Журнал прикладной химии.- 1956. Т. 29. - С. 959.

210. Brunken, R. Anricherung der schweren siliziumisotope durch destination von siliziumtetrachlorid / R. Brunken, H. Lentz, G. Schneider, H. Wagner // Z. Phys. Chem. (BRD).- 1966. V. 48. - № 1-2.-P. 120-122.

211. Newman, E. / E. Newman// National Academy Press. Washington, D.C.- 1982.-P. 45.

212. Tsubouchi, N. Epitaxial growth of pure Si thin films using isotopically purified ion beams / N. Tsubouchi, A. Chayahara, Y. Mokuno, A. Kinomura, Y. Horino // Jpn. J. Appl. Phys.- 2001. V. 40. -№ 12A. - P. L1283-L1285.

213. Карлов, H.B. Лазерное разделение изотопов / H.B. Карлов // Тр. Физ. ин-та АН СССР.- 1979. Т. 114. - С. 3-23.

214. Isenor, N.R. СОг laser-induced dissociation of SiF4 molecules into electronically excited fragments / N.R. Isenor, V. Merchant, R.S. Hallsworth, M.C. Richardson // Canad. J. Phys.- 1973. V. 51. - № 12. -P. 1281-1287.

215. Lyman, J.L. Enrichment of boron, carbon, and silicon isotopes by multiple-photon absorption of 10.6-pm laser radiation / J.L. Lyman, S.D. Rockwood // J. Appl. Phys.- 1976. V. 47. - № 2. - P. 595-601.

216. Гэндай, К. Лазерное разделение изотопов / К. Гэндай // Chem. Today.- 1986. № 188. - P. 8-9.

217. Kamioka, M. Isotope-selective infrared multipl photon decompositionof hexafluorodisilane / M. Kamioka, Y. Ishikawa, H. Kaetsu, S. Isomura, S. Arai // J. Phys. Chem.- 1986. V. 90. - № 22. - P. 57275730.

218. Изотопы: свойства, получение, применение / под ред. В.Ю. Баранова. М.: ИздАТ, 2000. - 704 с.

219. Виллани, С. Обогащение урана / С. Виллани; пер. с англ. И.К. Кикоина. М.: Энергоиздат. 1983. - 317 с.

220. Tarbeyev, Y.V. Scientific, engineering and metrological problems in producing pure Si-28 and growing single crystals / Y.V. Tarbeyev, A.K. Kaliteyevsky, V.I. Sergeyev, R.D. Smirnov, O.N. Godisov // Metrologia.- 1994. V. 31. - № 3. - P. 269-273.

221. Пат. 2172642 Россия. Способ разделения изотопов кремния / А.В. Тихомиров. 2001.

222. Пат. 2066296 Россия. Способ получения кремния из газообразного тетрафторида кремния и устройство для его осуществления / Ю.В. Тихомолов, Ю.Г. Афонин, Н.А. Шулешко, С.А Заинчковский, С.М. Кошелев. 1996.

223. Nutsukura, N. Изучение плазмы в SiF4 / N. Nutsukura, М. Ohughi, S. Saton, Y. Machi // J. Chem. Soc. Jap. Chem. Ind. Chem.- 1984. № 10. -P. 1608-1616.

224. Пат. 2137710 Россия. Способ получения моноизотопного кремния / В.А. Бардин, Н.П. Петранин, М.Ф. Свидерский. 1999.

225. Пат. 4529576 США. Process and apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid / K.M. Sancier. 1985.

226. Пат. 4655827 США. Process for the reduction of fluorides of silicon, titanium, zirconium or uranium / A. Sanjurjo, K.M. Sancier. 1987.

227. Пат. 4777030 США. Process for recovery of silicon from a reaction mixture / K.M. Sancier. 1988.

228. Пат. 4584181 США. Process and apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid / L. Nanis, A. Sanjurjo. 1986.

229. Пат. 4756896 США. Method of preparing silicon / A. Hayha. 1988.

230. Крылов, B.A. Газохроматографическое определение примесей углеводородов С1-С4 в тетрафториде кремния высокой чистоты / В.А. Крылов, Т.Г. Сорочкина // Журнал аналитической химии. -2005. Т. 60. - № 12. - С. 1262-1266.

231. Арсламбеков, В.А. Свойства пленок Si02 получаемых гидролизом SiF4 / В.А. Арсламбеков, К.Я. Горбунова, В.И. Каратеева, В.Я. Смущенко // Известия АН СССР. Неорганические материалы.-1973. Т. 9. - № 12. - С. 2120-2123.

232. Пат. 1515795 Россия. Способ получения кремния / Т.С. Назарова, Е.О. Бабичев, А.Г. Страшинский. -1991.

233. Пат. 2036143 Россия. Способ восстановления кремния /В.И. Размыслов. 1995.

234. Мурач, Н.Н. Получение кремния высокой чистоты термическим разложением силанов / Н.Н. Мурач // Известия высш. уч. завед. Цветная металлургия.- 1959. № 1. - С. 99-105.

235. Пат. 2050320 Россия. Способ получения моносилана / Д.И. Скороваров, Ю.Н. Туманов, Ю.К. Кварацхели, А.В. Иванов, Н.В. Цирельников, К.П. Андреев, В.И. Вандышев, М.В. Сапожников, М.С. Жирков. 1995.

236. Пат. 2933374 США. Process of treating fluorosilanes to form monosilane / N.C. Cook, J.K. Wolfe. 1960.

237. Пат. №862000 ФРГ. Получение силанов / G. Weissenberg. 1953.

238. Пат. 4374111 США. Production of silane / P.A. Lefrancois. 1983.

239. Пат. 5075092 США. Process for preparation of silane / J.E. Boone, D.M. Richards, J.A. Bossier III. 1991.

240. Пат. 2994586 США. Purification of diborane / G.F. Huff. 1961.

241. Пат. 3043664 США. Production of pure silane / R.W. Mason, D.H. Kelly. 1962.

242. Пат. 4623531 США. Process for production silane / W. Porcham.1986.

243. Заявка 3409172 ФРГ. Получение силана / W. Porcham, D. Swarovski. 1985.

244. Thiesen, J. Growth of epitaxial silicon at low temperatures using hotwire chemical vapor deposition / J. Thiesen, E. Iwaniczko, K.M. Jones, A. Mahan, R. Crandall // Appl. Phys. Lett.- 1999. V. 75. - № 7. . p. 992-994.

245. Пат. 885117 Англия. Improvements in or relating to the preparation of a solid element by thermal decomposition of its hydride / H.F. Sterling. 1961.

246. Klerer, J. On the mechanism of the deposition of silica by pyrolytic decomposition of silanes / J. Klerer// J. Electrochem. Soc.- 1965. V. 112.-№5.-P. 503-506.

247. Nolet, G. Kinetics of decomposition of silane (duluted in argon) in a low-pressure glow discharge / G. Nolet // J. Electrochem. Soc.- 1975. -V. 122.-P. 1030.

248. Пуга, В.А. Кинетика и механизм роста слоев поликристаллического кремния при пиролизе моносилана в аргоне / В.А. Пуга // Известия АН СССР. Неорганические материалы.- 1986. Т. 22. -№ Ю.-С. 1594-1598.

249. Akimasa, Y. A numerical study of gaseous reactions in silane pyrolysis / Y. Akimasa, M. Yasuji, T. Kunihide // Jap. J. Appl. Phys.1987. Pt. 1. - V. 26. - № 5. - P. 747-754.

250. Вотинцев, B.H. Кинетика и термохимия реакции термического разложения силана и германа / В.Н. Вотинцев, B.C. Михеев, В.Н. Смирнов // Высокочистые вещества.- 1988. № 1. - С. 17-28.

251. Joyce, B.A. Epitaxial growth of silicon from the pyrolysis of monosilane on silicon substrates / B.A. Joyce, R.R. Bradley // J. Electrochem. Soc.- 1963. V. 110. - № 12. - P. 1235-1240.

252. Piekarezyk, W. Получение кремния термическим разложением моносилана/ W. Piekarezyk//Przegl. Elektron.- 1963. V. 4. - JSfo 9. -P. 531-534.

253. Клещевникова, С.И. Получение чистого кремния термическим разложением силана / С.И. Клещевникова, Я.Е. Покровский, Е.И. Румянцева//Журнал технической физики.- 1957. Т. 27. - № 8. - С. 1645-1648.

254. А. с. СССР. 145224. Способ восстановления кремния / В.Г. Хребтищев, Я.Д. Калинбет, 3.J1. Гурович, A.M. Тузовский, B.C. Малороссиянов, А.Д. Бодров, С.А. Покровский. 1962.

255. Chu, T.L. Silica films by the oxidation of silane / T.L. Chu, J.R. Szedon, G.A. Gruber // Trans. Metallurg. Soc. AIME.- 1968. V. 242. -№ 3. - P. 532-539.

256. Hammond, M.L. Preparation and properties of Si02 films deposited from SiH4 and 02 / M.L. Hammond, G.M. Bowers // Trans. Metallurg. Soc. AIME.- 1968. V. 242. - № 3. - P. 546-550.

257. Takahashi, T. The effect of gas-phase additives C2H4, C2H6 and C2H2 on SiH4/02 chemical vapor deposition / T. Takahashi, K. Hagiwara, Y. Egashira, H. Kamiyama // J. Electrochem. Soc.- 1996. V. 143. - № 4. -P. 1355-1361.

258. Херд, Д. Введение в химию гидридов / Д. Херд.- М.: И.Л., 1955. -238 с.

259. Девятых, Г.Г. Летучие неорганические гидриды особой чистоты / Г.Г. Девятых, А.Д. Зорин. М.: Наука, 1974. - 207 с.

260. Ohmi, Т. Trace moisture analysis in specialty gases / T. Ohmi, M. Nakamura, A. Ohki, K. Kawada, K. Hirao // J. Electrochem. Soc.- 1992. -V. 139.-№9.-P. 2654-2658.

261. Armirotto, A.L. Silane. Review and applications / A.L. Armirotto // Solid State Technol.- 1968. V. 11. - № 10. - P. 43-47.

262. Watson, H.E. / H.E. Watson, G.G. Rao, K.L. Ramanskamy // Proc. Roy. Soc.- 1934. V. A143. - P. 558.

263. Moccia, R. One-center basis set SCF MO's. I. HF, CH4 and SiH, / R. Moccia // J. Chem. Phys.- 1964. V. 40. - № 8. - P. 2164-2176.

264. Gunn, S.R. The heats of formation of some unstable gaseous hydrides / S.R. Gunn, L.G.Green//J. Phys. Chem.- 1961. V. 65. -№ 5. - P. 779-783.

265. Saalfeld, F.E. The mass spectra of volatile hydrides. I. The monoelemental hydrides of the group IVB and VB elements / F.E. Saalfeld, H.J. Svec // Inorg. Chem.- 1963. V. 2. № 1. - P. 46-50.

266. Borreson, R.W. Physical and thermodynamic properties of silane / R.W. Borreson, C.L. Yaws, G. Hsu, R. Lutwack // Solid State Technol. 1978. - № 1. - P. 43-46.

267. Морозов, В.П. О некоторых вопросах теории колебательных спектров / В.П. Морозов, Г.И. Рибакова, Б.И. Наугольников, В.М. Хлебникова, Н.К. Морозова, Д.С. Ковальчук // Украинский физический журнал.- 1961. Т. 6. - № 6. - С. 728-730.

268. Зорин, А.Д. Давление пара жидкого моносилана и его смесей с этиленом / А.Д. Зорин, Г.Г. Девятых, Э.Ф. Крупнова, С.Г. Краснова // Журнал неорганической химии.- 1964. Т. 9. - № 10. -С. 2280-2283.

269. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е.П. Белов, Е.Н. Лебедев, Ю.П. Григораш и др. М.: НИИТЭХим., 1989.-61 с.

270. Жигач, А.Ф. Химия гидридов / А.Ф. Жигач, Д.С. Стасиневич. Л.: Химия, 1969. - 675 с.

271. Wolsey, G. The critical constants of the inert gases and of hydrogencompounds having the same number of electrons per molecule / G. Wolsey // J. Am. Chem. Soc.- 1937. V. 59. - № 8. - P. 1577-78.

272. Рабинович, В.А. Краткий химический справочник / В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Д.: Химия, 1978. - 392 с.

273. Зорин, А.Д. Плотность простейших летучих гидридов элементов III-VI групп / А.Д. Зорин, И.В. Руновская, С.Б. Ляхманов, JI.B. Юданова // Журнал неорганической химии.- 1967. Т. 12. - № 10. -С. 2529-2534.

274. Девятых, Г.Г. Поверхностное натяжение летучих неорганических гидридов элементов III-VI групп периодической системы элементов / Г.Г. Девятых, А.Д. Зорин, И.В. Руновская // Доклады АН.- 1969. Т. 188. - № 5. - С. 1082-83.

275. Руновская, И.В. Вязкость сжиженных летучих неорганических гидридов элементов III-VI групп периодической системы Д.И. Менделеева / И.В. Руновская, А.Д. Зорин, Г.Г. Девятых // Журнал неорганической химии.- 1970. Т. 15. - № 9. - С. 2581-82.

276. Власов, С.М. Вязкость и потенциал межмолекулярного взаимодействия некоторых летучих гидридов элементов III-VI групп / С.М. Власов, Г.Г. Девятых // Журнал неорганической химии.- 1966.-Т. 11.-№ 12.-С. 2681-84.

277. Заявка 59-162120 Япония. Очистка силана реакцией в газовой фазе / С. Ямадзаки. 1984.

278. Заявка 59-164616 Япония. Очистка силана / С. Ямадзаки. 1984.

279. Заявка 59-164615 Япония. Очистка силана / С. Ямадзаки. 1984.

280. Пат. 4532120 США. Silane purification process / I.L. Smith, G.E. Nelson. 1985.

281. Пат. 3041141 США. Process of purifying silane / C.E. Shoemaker, G. Sumrell. 1962.

282. Пат. 3232702 США. Selective removal of boron compounds from silane / E.G. Caswell, R. Lefever. 1966.

283. Пат. 3019087 США. Purification of silane / T.A. Jacob, N.R. Trenner. -1962.

284. Пат. 832570 Англия. Improvements in or relating to the purification of silane used in the production of silicon / E.L. Bush. 1960.

285. Пат. 3029135 США. Purification of gases used in the production of silicon / E.L. Bush. 1962.

286. Заявка 7341,439 Япония. Purification of monosilane useful as a raw material for semiconductors / T. Kuratomi, Y. Yatsurugi. 1973.

287. Заявка 7375,475 Япония. Improved 4A zeolite / Y. Yatsurugi, T. Kuratomi, T. Takaishi. 1973.

288. Пат. 2971607 США. Method for purifying silane / E.G. Caswell. -1961.

289. Заявка 59-30711 Япония. Очистка моносилана / К. Кавасаки, Т. Сёити. 1984.

290. Пат. 4976944 США. Purification of silane gas / В. Pacaud, J.-M. Popa, C.-B. Cartier. 1990.

291. Пат. 48-41437 Япония. Очистка моносилана/ Т. Курамото, И. Ятати. 1973.

292. Yusa, A. Ultrahigh purification of silane for semiconductor sulicon / A. Yusa, J. Jatsurudi, T. Takaishi // J. Electrochem. Soc.- 1975. V. 122. -№ 12.-P. 1700-1705.

293. Takaishi, T.T. Compact purifer for silane gas / T.T. Takaishi, Y. Gomi // Rev. Sci. Instrum.- 1976. V. 47. - № 3. - P. 303-305.

294. Заявка 7509,598 Япония. Purification of silane / M. Asano, T. Ohashi, Y. Numazawa. 1973.

295. Пат. 4554141 США. Gas stream purification / H.M. Scull, S.M. Laurent. 1985.

296. Пат. 5206004 США. Silane compositions and process / W.S. Park. -1993.

297. Пат. 5290342 США. Silane compositions and process / A.O. Wikman,1. W.S.Park. 1994.

298. Пат. 2987139 США. Manufacture of pure silicon / E.L. Bush. 1961.

299. Заявка 7344,199 Япония. Purification of silane / H. Muraoka, M. Asano, T. Ogura. 1971.

300. Пат. 5211931 США. Removal of ethylene from silane using a distillation step after separation using a zeolite molecular sieve / R.H. Allen, D.M. Richards. 1993.

301. А. заявка № 2334302 СССР. Способ очистки летучих неорганических гидридов / Г.Г. Девятых, В.В. Балабанов, В.И. Зверева. 1976.

302. Ливерко, В.Н. Глубокая очистка силана от примесей ограниченно растворимых вышекипящих веществ: дис. канд. хим. наук/ Ливерко Владимир Николаевич. Горький, 1983. - 141 с.

303. Пат. 5503657 США. Process for the separation of a gaseous hydride or a mixture of gaseous hydrides with the acid of a membrane/P. Bouard, P. Labrune, A. Villermet, M. Gastiger. 1996.

304. Hsien, S.-T. Separation of hydrogen from silane via membranes: A step in the production of ultra-high-purity silicon / S.-T. Hsien, G.E. Keller II // J. Membrane Sci.- 1992. V. 70. - P. 143-152.

305. Зверева, В.И. Повышение степени чистоты летучих неорганических гидридов и хлоридов путем их освобождения от витательных частиц: дис. канд. хим. наук / Зверева Валентина Ивановна. -Горький, 1978. 133 с.

306. Пат. 12061 Япония. Дистилляционная очистка силана, содержащего аммиак /X. Исидзука. 1967.

307. Петрик, А.Г. Особенности ректификации при образовании взвешенных частиц / А.Г. Петрик, Л.Я. Шварцман, А.И. Семенов, Г.Г. Макаров // Тр. по химии и хим. технол.- 1973. Вып. 4. - С. 34-35.

308. Девятых, Г.Г. К вопросу глубокой очистки веществ от взвешенных частиц методом ректификации / Г.Г. Девятых, А.В. Гусев, В.М. Воротынцев, Ю.Е. Еллиев // Доклады АН СССР.- 1977. -Т. 235.-№ 2.-С. 351-353.

309. А. с. СССР №1032708. Способ очистки летучих гидридов/Г.Г. Девятых, Н.Х. Аглиулов, М.Ф. Чурбанов, В.И. Калмыков, В.В. Балабанов, В.Н. Ливерко. 1983.

310. Пат. 2755824 ФРГ. Purification of silane / G. Tarancon. 1978.

311. Пат. 4099936 США. Process for the purification of silane/ G. Tarancon. 1978.

312. Крылов, B.A. Проблемы анализа высокочистых летучих агрессивных веществ / В.А. Крылов // Журнал Рос. хим. об-ва им. Д.И. Менделеева.- 2002. Т. 46. - № 4. - С. 71-75.

313. Крылов, В.А. Анализ высокочистых летучих веществ/ В.А. Крылов // Журнал аналитической химии. 2002. - Т. 57. - № 8. - С. 790-802.

314. Агафонов, И.Л. Масс-спектрометрический анализ микропримесей в моносилане / И.Л. Агафонов, Н.В. Ларин, Г.Г. Девятых // Тр. по химии и хим. технологии. Горький.- 1962. Вып. 2. - С. 327-335.

315. Ларин, Н.В. Количественный масс-спектрометрический анализмоносилана и моногермана / Н.В. Ларин, Г.Г. Девятых, И.Л. Агафонов // Журнал аналитической химии.- 1967. Т. 22. - № 2. -С. 285-288.

316. De Saint, Е. Gas phase impurities in silane determined by gas chromatography-mass spectrometry / E. De Saint, J. Mettes // Analyst.-1989.-V. 114. -№ 12.-P. 1649-1653.

317. Агафонов, И.Л. Масс-спектрометрическое определение суммарного содержания органических соединений в моносилане / И.Л. Агафонов, В.М. Павлуцкая // Журнал аналитической химии. -1968. Т. 23. - № 12. - С. 1878-1880.

318. Ежелева, А.Е. Газохроматографическое определение примесей неорганических веществ в силане / А.Е. Ежелева, Л.С. Малыгина, М.Ф. Чурбанов // Журнал аналитической химии.- 1980. Т. 35. - № 10.-С. 1972-1975.

319. Ежелева, А.Е. Применение пламенно-фотометрического детектора при хроматографическом анализе летучих неорганических гидридов особой чистоты / А.Е. Ежелева, Г.Е. Снопатин, Л.С. Малыгина//Журнал аналитической химии.- 1979. Т. 34. - № 12. -С. 2308-2311.

320. Иванова, Н.Т. Аналитический контроль производства гидридов As, Р, Si, В и смесей на их основе / Н.Т. Иванова, Н.А. Вислых, В.В. Воеводина // Высокочистые вещества.- 1989. № 6. - С. 102 -107.

321. Bradley, R.D. Analysis of silane for carbon monoxide, carbon dioxide, and methan / R.D. Bradley // Am. Lab.- 1987. V. 19. - № 2. - P. 228.

322. Shrewsbury, R.W. Silane impurity analysis: oxygen / R.W. Shrewsbury // Union Carbide internal report, March 29. 1985.

323. Ежелева, A.E. Хроматографический анализ фосфина на примеси органических и неорганических веществ / А.Е. Ежелева, JI.C. Малыгина, Г.Е. Снопатин // сб. Получение и анализ чистых веществ / под ред. А.Д. Зорина. Горький: ГГУ, 1977. - № 2. - С. 56-58.

324. Ливерко, В.Н. Газохроматографическое определение некоторых органических примесей в силане / В.Н. Ливерко, А.Е. Ежелева, Г.Г. Девятых // Журнал аналитической химии,- 1982. Т. 37. - №2. С. 357-358.

325. Девятых, Г.Г. Твердые взвешенные частицы в летучих неорганических гидридах/ Г.Г. Девятых, В.И.Зверева, В.В. Балабанов, В.Н. Шишов // Получение и анализ веществ особой чистоты / сост. Г.Г. Девятых. М.: Наука, 1978. - С. 161-165.

326. Девятых, Г.Г. Определение примесей в виде взвешенных частиц в летучих неорганических гидридах / Г.Г. Девятых, В.Н. Шишов, В.В.Балабанов, Н.В.Ларин, В.И.Зверева, В.И. Родченков // Журнал аналитической химии.- 1977. Т. 32. - № 8. - С. 1578-1582.

327. Taylor, Р.А. Purification techniques and analytical methods for gaseous and metallic impurities in high-purity silane / P.A. Taylor // J. Cryst. Growth.- 1988. V. 89. - № 1. - P. 28-38.

328. Hutton, R.C. Investigation into the direct analysis of semiconductor grade gases by inductively coupled plasma mass spectrometry / R.C. Hutton, M. Bridenne, E. Coffre, Y. Marot, F. Simondet // J. Anal. At. Spectrom.- 1990. V. 5. - P. 463-466.

329. Заявка 59-54604 Япония. Получение гидрида кальция / Т. Вакаяма, X. Ито, А. Ито, К. Цуцуми. 1984.

330. Заявка 61-178401 Япония. Получение гидрида кальция/ М. Фудзисигэ, X. Йокогава, С. Удзиэ, М. До кия. 1986.

331. Крестовников, Е.П. / Е.П. Крестовников // Труды УНИХИМ.- 1958.- № 5. С. 118.

332. Беляев, А.И. Физико-химические основы очистки металлов и полупроводниковых материалов / А.И. Беляев.- М.: Металлургия, 1973.-224 с.

333. Антонова, М.М. Свойства гидридов металлов / М.М. Антонова.-К.: Наукова думка, 1975. 728 с.

334. Термодинамические свойства неорганических веществ / под ред.

335. A.П. Зефирова. М.: Атомиздат, 1965. - 460 с.

336. Глинка, Н.Л. Общая химия: изд. 18-е испр. / Н.Л. Глинка. Л. : Химия, 1976.- 128 с.

337. Леонтьев, Е.А. Влагомер для экспресс-анализа влажности неводных жидкостей / Е.А. Леонтьев, А.И. Леонтьева // Деп. в ДНИИТЭИ приборостроения. 13 марта 1987 года. № 3713-пр87.- 1987.

338. Буланов, А.Д. Получение высокочистого тетрафторида кремния термическим разложением Na2SiF6 / А.Д. Буланов, Д.А. Пряхин,

339. B.В Балабанов // Журнал прикладной химии.- 2003. Т. 76. - Вып. 9.-С. 1433-1435.

340. Девятых, Г.Г. Равновесие жидкость-пар в сильно разбавленных растворах, образованных силаном с некоторыми углеродсодержа-щими веществами и летучими неорганическими гидридами / Г.Г. Девятых, А.Д. Зорин, В.В. Балабанов, В.М. Степанов, А.Н.

341. Гурьянов, В.М. Кедяркин // Известия АН СССР. Сер. Химическая. 1970.- №9.-С. 1950-1955.

342. Викторов, М.М. Методы вычисления физико-химических величин и прикладные расчеты / М.М. Викторов.- JL: Химия, 1977. 359 с.

343. Девятых, Г.Г. Определение коэффициента разделения для примесей Si2OF6 и SiOF2 в SiF4 / Г.Г. Девятых, Д.А. Пряхин, А.Д. Буланов // Неорганические материалы,-2001. Т. 37.-№ 4. - С. 498-500.

344. Девятых, Г.Г. Введение в теорию глубокой очистки веществ/ Г.Г. Девятых, Ю.Е. Еллиев.- М.: Наука, 1981. 320 с.

345. Буланов, А.Д. Получение и глубокая очистка SiF4 и SiH4 / А.Д. Буланов, В.В. Балабанов, Д.А. Пряхин, О.Ю Трошин // Неорганические материалы.- 2002. Т. 38. - № 3. - С. 356-361.

346. Гиршфельдер, Дж. Молекулярная теория газов и жидкостей / Дж. Гиршфельдер, Ч. Кертисс, Р. Берд. М.: HJI, 1961. - С. 141.

347. Scott, R.L. / R.L. Scott // Phys. Chem. Adv. Treatise.- 1973. V. 8. -Pt. A.-P. 21.

348. Пряхин, Д.А. Вириальное уравнение состояния тетрафторида кремния / Д.А. Пряхин, А.Д. Буланов, В.В. Балабанов, В.М. Степанов // Журнал физической химии.- 2000. Т. 74. - № 12. - С. 2265-2268.

349. Девятых, Г.Г. Диаграмма состояния тетрафторида кремния / Г.Г. Девятых, Д.А. Пряхин, А.Д. Буланов, В.В. Балабанов // Доклады РАН.- 1999. Т. 364. - № 1. - С. 75-76.

350. Новоселова, А.В. Методы исследования гетерогенных равновесий / А.В. Новоселова. М.: Высшая школа, 1980. - 166 с.

351. Таблицы физических величин: справочник / под ред. И.К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976. - 1008 с.

352. Буланов, А.Д. Определение содержания примесей в моноизотопном тетрафториде кремния / А.Д. Буланов, В.Г. Пименов //

353. Неорганические материалы.- 2004. Т. 40. - № 7. - С. 863-868.

354. Девятых, Г.Г. Спектральное определение микропримесей некоторых металлов в тетрахлориде титана особой чистоты / Г.Г. Девятых, В.Н. Шишов, В.Г. Пименов, А.Н. Егорочкин, Ю.В. Ревин // Журнал аналитической химии.- 1978. Т. 33. - № 3. - С. 464-467.

355. Гайворонский, П.Е. Установка для очистки жидкостей от нелетучих примесей / П.Е. Гайворонский, В.Г. Пименов // Заводская лаборатория.- 1984. Т. 50. - № 6. - С. 20-21.

356. Шишов, В.Н. Использование прикатодного эффекта плазмы дугового разряда для снижения абсолютного предела обнаружения атомно-эмиссионного анализа / В.Н. Шишов, В.Г. Пименов, A.M. Гордеев // Высокочистые вещества.- 1989. № 4. - С. 214-219.

357. Rothman, L.S. The HITRAN molecular spectroscopic database and HAWKS (HITRAN atmospheric workstation): 1996 edition / L.S. Rothman, C.P. Rinsland, A. Goldman // J. Quant. Spectrosc. Radiat. Transfer.- 1998. V. 60. - P. 667.

358. Ковалев, И.Д. Измерение изотопного состава изотопно обогащенного кремния и его летучих соединений методом лазерной масс-спектрометрии / И.Д. Ковалев, A.M. Потапов, А.Д. Буланов // Масс-спектрометрия.- 2004. Т. 1. - № 1. - С. 37-44.

359. Березин, С.В. Автоматизированный микрофотометр для обработки масс-спектров / С.В. Березин, В.И. Борисенков, Т.А. Бурмистрова, В.М. Ильин, И.Д. Ковалев, К.Н. Малышев // Высокочистые вещества.- 1987. № 5. - С. 182 - 187.

360. Рамендик, Г.И. Погрешности измерения изотопных отношений на лазерном масс-спектрометре с фоторегистрацией / Г.И. Рамендик, B.C. Севастьянов, Е.В. Фатюшина // Журнал аналитической химии.- 2000. Т. 55. - № 1. - С. 13-17.

361. Бугаевский, А.А. Об оценке погрешностей косвенно измеряемых величин / А.А. Бугаевский, А.Б. Бланк // Журнал аналитическойхимии.- 1971. Т. 26. - № 1. - С. 11-16.

362. Ковалев, И.Д. Изотопный анализ кремния, обогащенного 28Si, методом лазерной масс-спектрометрии / И.Д. Ковалев, К.Н. Малышев, A.M. Потапов, А.И. Сучков // Журнал аналитической химии.- 2001. Т. 56. - № 5. - С. 496-502.

363. De Bievre, P. IUPAC recommended isotopic abundances / P. De Bievre, P.D.P. Taylor // Int. J. Mass Spectrom. Ion Phys.- 1993. V. 123.-P. 149.

364. Изотов, В.П. Стабильность гидрида кальция при повышенном давлении водорода/ В.П.Изотов, Ю.В.Кузьмич, В.Н. Серба, А.Н. Штейнберг // Известия АН СССР. Металлы.- 1988. № 5. -С. 184-185.

365. Заявка 58-120511 Япония. Очистка силана / Г. Такахару, М. Иосио, Я. Нобуюки, И. Цутому. 1983.

366. Киреев, В.А. Методы практических расчётов в термодинамике химических реакций / В.А. Киреев. М. : Химия, 1970. - 520 с.

367. Ефремкин, В.В. / В.В. Ефремкин, Г.Ф. Фефелова // Труды УНИХИМ.- 1958. № 5. - С. 136.

368. Заявка 57-196701 Япония. Активация гидрида металла / У. Кэйсукэ, К. Иоси. 1982.

369. Крестовников, А.Н. Химическая термодинамика / А.Н. Крестовников, В.Н. Вигдорович. М. : Металлургиздат, 1962. -280 с.

370. Верятин, У.Д. Термодинамические свойства неорганических веществ: справочник / У.Д. Верятин.- М.: Атомиздат, 1965. 460 с.

371. Бланк, А.Б. О нижней границе определяемых содержаний и пределе обнаружения / А.Б. Бланк // Журнал аналитической химии. 1979.-Т. 34.-Вып. 1.-С. 5-9.

372. Закгейм, А.Ю. Введение в моделирование химико-технологических процессов. Математическое описание процессов / А.Ю.

373. Закгейм. М.: Химия, 1973. - 224 с.

374. Девятых, Г.Г. Получение металлов особой чистоты через летучие металлоорганические соединения / Г.Г. Девятых, А.С. Юшин, Л.И. Осипова // сб.: Металлы особой чистоты / Под ред. Ч.П. Конецкого. М.:Наука, 1976. - С.105-113.

375. Жук, Н.П. Курс коррозии и защиты металлов / Н.П. Жук. М.: Металлургия, 1968. - 408 с.

376. Девятых, Г.Г. Получение высокочистого моноизотопного силана: 28SiH4, 29SiH4 и 30SiH4 / Г.Г. Девятых, Е.М. Дианов, А.Д. Буланов, О.Ю. Трошин, В.В. Балабанов, Д.А. Пряхин // Доклады АН. 2003. -Т. 391.-№5.-С. 638-639.

377. Буланов, А.Д. Глубокая очистка моноизотопных силанов SiHj, 29SiH4 и 30SiH4 методом ректификации / А.Д. Буланов, А.Н. Моисеев, О.Ю. Трошин, В.В. Балабанов, Д.В. Исаев // Неорганические материалы.- 2004. Т. 40. - № 6. - С. 647-649.

378. Крылов, В.А. Определение неорганического фтора в силане высокой чистоты / В.А. Крылов, Е.А. Тихонова, О.Ю. Чернова, В.В. Балабанов, Н.В. Кулешова // Журнал аналитической химии. -2001. Т. 56. - № 10. - С. 1057-1061.

379. Крылов, В.А. Высокочувствительное определение примесей углеводородов в арсине методом реакционной газовой хроматографии / В.А. Крылов, О.Ю. Чернова, Ю.М. Салганский, JT.C. Малыгина, А.П. Котков // Журнал аналитической химии.- 2003. -Т. 58.-№8.-С. 842.

380. Девятых, Г.Г. Определение размера и состава взвешенных частиц в летучих неорганических гидридах / Г.Г. Девятых, В.В. Балабанов, В.И. Зверева, В.Н. Шишов, В.И. Родченков // Доклады АН СССР.- 1976. Т. 230. - № 2. - С. 342-343.

381. Flaherty, Е.Т. Particle and metal contamination in gas cylinders / E.T. Flaherty, L. Johns, A.F. Amato // Solid State Technol.- 1992. V. 35. -№ l.-P. S1-S6.

382. Девятых, Г.Г. Растворение кварцевого стекла в расплаве высокочистого кремния / Г.Г. Девятых, А.И. Еремин, А.Ю. Львов, B.C. Михеев, А.Н. Прончатов // Высокочистые вещества. 1993. -№ 5.- С. 7-14.