Разделение изотопов кремния методом химического обмена с термическим обращением потоков между SiF4 и его комплексными соединениями донорно-акцепторного типа тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.17.01, кандидат технических наук Чередниченко, Сергей Анатольевич

• Чередниченко, Сергей Анатольевич
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Чередниченко, Сергей Анатольевич

Введение.

1. Литературный обзор.

1.1. Свойства и перспективы использования изотопов кремния.

1.1.1. Изотопный эффект в теплопроводности кремния и его возможное применение в микроэлектронике.

1.1.2. Другие области возможного применения изотопов кремния.

1.1.3. Перспективы развития технологии кремния.

1.2. Физические методы разделения изотопов кремния.

1.2.1. Разделение изотопов кремния методом термодиффузии.

1.2.2. Лазерное разделение изотопов кремния.

1.2.3. Газоцентробежная технология.

1.3. Физико-химические методы разделения изотопов кремния.

1.3.1. Ректификация кремнийсодержащих соединений.

1.3.2.Разделение изотопов кремния при химическом изотопном обмене.

1.4. Свойства SiF4 и его комплексных соединений.

1.4.1. Физические свойства SiF4.

1.4.2. Взаимодействие SiF4 с водой.

1.4.3. Комплексообразующая и каталитическая способности SiF4.

1.4.4. Физико-химические свойства комплексных соединений SiF4.

1.5. Выводы из литературного обзора, цель и задачи работы.

1.5.1. Выводы.

1.5.2. Цель работы и задачи исследования.

2. Исследование физико-химических свойств комплексов SiF4 с различными классами органических соединений.

2.1. Предварительная подготовка реактивов.

2.1.1. Порядок подготовки комплексообразователей.

2.1.2. Определение концентрации воды в органических растворителях.

2.1.3. Методика осушки алифатических спиртов на цеолитах.

2.2. Определение величины мольного отношения в различных классах органических соединений.

2.2.1. Экспериментальное оборудование и методика измерения мольного отношения.

2.2.2. Определение мольного отношения в различных классах органических соединений.

2.2.3. Определение мольного отношения для алифатических спиртов.

2.3. Расчёт энтальпии образования комплексных соединений SiF4 с алифатическими спиртами.

2.4. Определение плотности, вязкости и показателя преломления комплексных соединений SiF4 с алифатическими спиртами.

2.4.1. Измерение плотности комплексов SiF4-2ROH.

2.4.2. Измерение вязкости комплексов SiF4-2ROH.

2.4.3. Измерение показателя преломления комплексов SiF4'2ROH.

2.5. Обобщение полученных экспериментальных данных.

3. Определение коэффициента разделения изотопов кремния в системах

SiF4 (г) - SiF4 • 2ROH (ж) методом однократного уравновешивания.

3.1. Изотопный анализ тетрафторида кремния.

3.1.1. Масс-спектрометрический метод анализа.

3.1.2. Особенности масс-спектрометрического анализа SiF4.

3.2. Однократное уравновешивание как метод исследования изотопного равновесия в системах жидкость - пар (газ).

3.3. Экспериментальная установка для измерения коэффициента разделения однократным уравновешиванием и методика проведения исследований.

3.3.1. Схема и описание установки.

3.3.2. Методика проведения и обработки экспериментов.

3.4. Результаты определения коэффициента разделения изотопов кремния в системах SiF4 (г) - SiF4 • 2ROH(5K).

3.5. Сравнение полученных результатов.

4. Обращение потоков, гидродинамика и массообмен в системах SiF4(r)

SiF4 ■ 2ROH (Ж).

4.1. Исследование процесса обращения потоков.

4.1.1. Назначение и суть процесса обращения потоков.

4.1.2. Изучение процесса десорбции SiF4 в статических условиях

4.1.3. Установка для исследования процесса обращения потоков в динамических условиях и методика исследований.

4.1.4. Изучение процессов, происходящих в узлах обращения потоков, в динамических условиях.

4.2. Исследование гидродинамики в системах SiP4 (г) - SiF4 • 2ROH (ж) на основе бутанола, пентанола и гексанола.

4.2.1. Установка для исследования гидродинамики и массообмена в системах SiF4(r) - SiF4 • 2КОН(ж).

4.2.2. Определение удерживающей и пропускной способностей насадки.

4.2.3. Определение гидравлического сопротивления насадочного слоя.

4.3. Изучение массообменных характеристик процесса разделения изотопов кремния в системах SiF4 (r) - SiF4 • 2ROH (ж).

4.3.1. Методика определения массообменных характеристик.

4.3.2. Предварительные исследования процесса разделения изотопов кремния в колонне.

4.3.3. Влияние природы комплексообразователя на массообмен в системах SiF4 (г) - SiF4 • 2ROH (ж) на основе спиртов гомологического ряда бутанол-1 - гексанол-1.

4.3.4. Влияние потока газа на массообмен в системе SiF4 (г) - SiF4 • 2ROH (Ж) на основе пентанола-1.

4.3.5. Оценка предельно допустимой величины отбора для систем SiF4(r)-SiF4-2ROH(3K).

4.3.6. Разделение изотопов кремния в условиях циркуляции комплексообразователя.

4.4. Сравнение полученных результатов с литературными данными, выводы.

5. Сравнение способов разделения изотопов кремния.

5.1. Постановка задачи и особенности расчета.

5.2. Экономические оценки физико - химических способов разделения изотопов кремния.

5.3. Сравнение физико - химических способов разделения с газоцентробежной технологией.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разделение изотопов кремния методом химического обмена с термическим обращением потоков между SiF4 и его комплексными соединениями донорно-акцепторного типа»

Кремний (от лат. silicis - кремень) - 14-ый элемент таблицы Менделеева, открытый в 1824 г. Й. Берцелиусом (Стокгольм, Швеция), является одним из наиболее распространённых элементов на планете (земная кора на 27,7 % состоит из кремния). Кремний имеет 11 изотопов (с учётом ядерных изомеров). Диапазон изотопных масс: 24 -» 34. Перечень и свойства основных изотопов кремния представлены в табл. 1 [1]. При этом, природный кремний представляет собой смесь трёх стабильных изотопов (28Si, 29Si и 30Si).

Таблица 1

Основные изотопы кремния

Нуклид Атомная масса Распространённость в природе, % Период полурас-пада, Tl/2 Тип и энергия распада,МэВ Ядерный спин, L Ядерный магнитный момент, ji

Si 27,976927 92,23 стабилен 0

29Si 28,976495 4,67 стабилен 1/2 + 0,5553

3USi 29,973770 3,10 стабилен 0 +

32Si 31,974148 0 ~ 710 лет Г (0,227); нет у 0 +

Кремний является одним из основных полупроводниковых материалов, используемых в электронике. Приборы на его основе могут работать при температуре до 200 °С. Его используют для изготовления интегральных схем, силовых элементов для энергетики, диодов, транзисторов, солнечных батарей, фотоприемников, различных огггоэлектронных и телекоммуникационных устройств, датчиков температуры и давления, детекторов частиц и ионизирующих излучений в ядерной физике, а также линз в приборах ИК техники.

Активное использование кремния в электронике предопределило интерес к его теплофизическим свойствам и, в частности, к теплопроводности и влиянию на величину теплопроводности различных факторов (температуры, деформаций, внешнего облучения и др.) [2-10].

В последние годы проявляется повышенный интерес к высокообогащенным по одному из изотопов и одновременно высокочистым и совершенным монокристаллам диэлектриков и полупроводников, что связано с перспективами их использования для решения ряда фундаментальных задач физики твердого тела, а также с различными принципиально новыми практическими приложениями. Теоретические оценки показывают, что рассеяние фононов на изотопах с различной атомной массой оказывает значительное влияние на величину теплопроводности: уменьшение рассеяния вследствие изотопного обогащения может вызывать ее резкое увеличение. Применение изотопночистых материалов в некоторых случаях может улучшить характеристики существующих полупроводниковых приборов, а также способствовать созданию принципиально новых технологий и методик.

Дальнейшее развитие микроэлектроники на данный момент существенно ограничивается проблемой отвода тепла от микросхем с высокой плотностью размещения элементов, работающих на больших частотах. Процессоры бытовых персональных компьютеров требуют принудительного охлаждения. Дальнейшая миниатюризация элементов микросхем, повышение плотности компоновки и повышение рабочей частоты ограничиваются переносом тепла внутри кристалла микросхемы. Увеличение теплопроводности кремния вследствие изменения его изотопного состава может стать одним из возможных путей решения данной проблемы.

Указанные обстоятельства приводят к тому, что становится актуальной задача разработки и создания крупномасштабной технологии высокочистого монокристаллического моноизотопного кремния. Такая технология включает в себя различные стадии: стадию синтеза кремнийсодержащих соединений, пригодных для последующих стадий очистки кремния от всевозможных химических примесей, и стадии разделения его изотопов, различные стадии перевода кремния из одной химической формы в другую, стадии роста изотопных монокристаллов кремния. Каждая стадия требует создания соответствующих аналитических методик.

Следует сразу отметить, что при разработке и создании технологии высокочистого изотопного монокристаллического кремния на первое место выходит вопрос о цене на такой материал, которая и определит спрос на этот перспективный с технической точки зрения продукт. Одной из составляющих себестоимости изотопного кремния являются затраты на собственно процесс разделения его изотопов. Вследствие этого становится актуальной задача создания доступной и экономичной технологии разделения изотопов кремния, пригодной для крупномасштабного производства.

Среди различных методов разделения изотопов физико-химические методы разделения характеризуются высокой пропускной способностью по рабочему веществу и особенно экономически эффективны при больших объёмах производства. Согласно имеющимся сведениям весьма привлекательным для промышленной реализации является процесс разделения изотопов кремния методом химического обмена между SiF4 и его комплексными соединениями с термическим обращением потоков фаз. Исследованию данного процесса и посвящена настоящая работа.

Заключение диссертации по теме «Технология неорганических веществ», Чередниченко, Сергей Анатольевич

ВЫВОДЫ

1. В результате проведённых исследований показано, что наиболее подходящими комплексообразователями для проведения процесса разделения изотопов кремния методом химического изотопного обмена являются представители класса алифатических спиртов.

2. Определены физико-химические свойства (мольное отношение, вязкость, плотность) комплексных соединений SiF4 с алифатическими спиртами ряда этанол - октанол-1 в интервале температуры 278 - 355 К.

3. При температуре 293 К измерены значения коэффициентов разделения изотопов кремния в системах SiF4(r) - SiF4-2R0Hw, (ROH = бутанол-1, пентанол-1, гексанол-1, октанол-1). Установлено, что для перечисленных ROH коэффициент разделения с^-зо = (1,017 -1,019).

4. На спирально-призматической насадке 1x1x0,2 мм для систем SiF4(r) -SiF4"2ROH(JK), на основе трёх алифатических спиртов (ROH = бутанол-1, пентанол-1, гексанол-1) при 293 К определены значения удельного гидравлического сопротивления и удерживающей способности по жидкости; и для системы на основе пентанола-1 определена пропускная способность насадки.

5. При 293 К определены значения высоты эквивалентной теоретической ступени при разделении изотопов кремния в системах SiF4(r) -SiF4-2ROH(K), (ROH = бутанол-1, пентанол-1, гексанол-1), находящиеся в интервале 5 - 11 см, и установлено, что эффективность массообмена снижается с ростом числа атомов углерода в молекуле ROH.

6. На примере пентанола-1 изучено влияние потока SiF4 на массообмен. Установлено, что при 293 К лимитирующей стадией массообмена является реакция химического изотопного обмена.

7. На примере пентанола-1 определены последовательность действий и условия подавления побочных реакций, приводящих к разложению SiF4. Данный факт позволяет утверждать о принципиальной возможности получения высококонцентрированного изотопа 28Si методом химического изотопного обмена в системе SiF4(r) - SiF4-2ROH^) на основе пентанола-1. 8. По результатам сравнительной экономической оценки процесса разделения изотопов кремния различными методами показана конкурентоспособность процесса изотопного обмена в системах SiF4(Г) -SiF4-2ROH(,K) на примере комплексообразователя пентанола-1.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Чередниченко, Сергей Анатольевич, 2006 год

1. Эмили Д. Элементы. М.: Мир, 1993. - 256 с. - С. 91-92.

2. Suzuki К., MikoshibaN. Low-temperature thermal conductivity of p-type Ge and Si // Phys. Rev. В (Solid State).- 1971,- 3,- № 8,- P. 2550-2556.

3. Sawides N., Goldsmid H.J. Effect of Boundary Scattering on the High-Temperature Thermal Conductivity of Si // J. Physics С (Solid State Physics).-1973.-6,-№10,-P. 1701-1708.

4. Dubey K.S. Phonon Conductivity of Si // Indian J. Pure Appl. Phys.- 1977.— 15,-№7,-P. 455-461.

5. Singh D.P., Joshi Y.P. Directional Dependence of Boundary-Scattering Mean Free Path of Phonons in Germanium and Silicon // Phys. Rev. В (Cond. Matter).- 1979.-19,-№ 6,-P. 3133-3136.

6. Baranskii P.I., Kogutyuk P.P., Sabyak V.V. Thermal Conductivity of n -Type Germanium and Silicon Under Strong Uniaxial Elastic Deformation // Sov. Phys. Semicond.- 1981,- 15.-№ 9,-P. 1061-1062.

7. Seyfert P. Influence of neutron irradiation at 80 К on the thermal conductivity of silicon// Compt. Rend. Acad. Sci. -1967,-265,-№ 10,-P. 609-612.

8. Volz S., Saulnier J.B., Chen G., Beauchamp P. Computation of thermal conductivity of Si/Ge superlattices by molecular dynamics techniques // Microelectronics Journal.- 2000.-31,- № 9.-P. 815-819.

9. Volz S., Feng X., Fuentes C., Guerin P., Jaouen M. Thermal conductivity measurements of thin amorphous silicon films by scanning thermal microscopy // Int. J. of Thermophysics.- 2002,- 23,- № 6,-P. 1645-1657.

10. Volz S., Chen G. Heat conduction in silicon nanowires // Heat and Technology.-2000,- 18,-№ SUppl. 1,- P. 37-42.

11. Klemens P.G. Thermal Conductivity of Pure Monoisotopic Silicon // Int. J. Thermophys.- 1981.-2.- № 4,- P. 323-330.

12. Olson J. R., Pohl R. O., Vandersande J. W., Zoltan A., Anthony T.R., Banholser W.F. Thermal conductivity of diamond between 170 and 1200 Кand the isotope effect // Physical Review. B. (Condensed Matter). 1993. - 47. -№22.- P. 14850-14856.

13. Asen-Palmer M., Bartkowski K., Gmelin E., CardonaM., Zhernov A.P. et. al. Thermal conductivity of germanium crystals with different isotopic compositions //Phys. Rev. B. 1997. - 56. -№ 15. -P. 9431-9447.

14. Capinski W. S., Maris H. J., Bauser E., Siller I., Asen-Palmer M., Ruf Т., Cardona M., Gmelin E., Thermal conductivity of isotopically enriched silicon // Applied Physics Letters. 1997. - 71. - № 15. - P. 2109-2111.

15. Bulanov A.D., Devyatych G. G., Gusev A. V., Sennikov P. G., Pohl H. J., Riemann H., Schilling H., Becker P. The highly isotopic enriched (99,9 %) high-pure 28Si single crystal // Crystal Research and Technology 2000 - 35-№9.-P. 1023 - 1026.

16. Девятых Г. Г., Буланов А. Д., Гусев А. В., Сенников П. Г., Прохоров А. М., Дианов Е. М., Поль Х.-Й. Получение высокочистого моноизотопного кремния-28 // Доклады Академии Наук,- 2001.- 376 № 4.- С. 492-493.

17. Ruf Т., Henn R.W., Asen-Palmer М, Gmelin Е., Cardona М., Pohl H.-J., Devyatych G. G., Sennikov P.G. Thermal conductivity of isotopically enriched silicon // Solid State Communications.- 2000,- 115 № 5,- P. 243-247.

18. Gusev A.V., Gibin A.M., Morozkin O.N., Gawa V.A., Mitin A.V. Thermal conductivity of 28Si from 80 to 300 К // Inorganic Materials 2002. - 38. -№ п. p. 1100-1102.

19. Ruf Т., Henn R.W., Asen-Palmer M„ Gmelin E., Cardona M„ Pohl H.-J., Devyatych G. G., Sennikov P.G. Erratum to Thermal conductivity of isotopically enriched silicon // Solid State Communications 2003 - 127 - № 3.-P. 257.

20. Komarov P.I., Burzo M.G., Kaytaz G., Raad P.E. Transient thermo-reflectance measurements of the thermal conductivity and interface resistance of metallized natural and isotopically silicon // Microelectronics Journal 2003-34-№ 12-P. 1115-1118.

21. Taguchi Y., Nagasaka Y., Thermal diffusitivity measurement of isotopically enriched 28Si single crystal by dynamic grating radiometry // Int. J. of Thermophysics. 2004. - 25. - № 2. - P. 459-472.

22. Kremer R.K., Graf K., Cardona M. et al., Thermal conductivity of isotopically enriched 28Si: revisited // Solid State Commun. 2004. - 131. - № 8. - P. 499-503.

23. Cahill D.G., Fumiya W. Thermal conductivity of isotopically pure and Ge-doped Si epitaxial layers from 300 to 550 К // Phys. Rev. B. 2004. - 70. -№23.-P. 1-3.

24. W. S. Capinski, H. J. Marris, S. Tamura Analysis of the effect of isotope scattering on the thermal conductivity of crystalline silicon // Phys. Rev. B-1999.- 59. -№15. -P.10105-10110.

25. Voltz S.G., Chen G. Molecular-dynamics simulation of thermal conductivity of silicon crystals // Phys. Rev. B. 2000. - 61. - № 4. - P. 2651-2656.

26. Итох K.M., Такиу К. // Яп. журнал прикл. физики. 2001. - 70. - С. 10 (яи.).

27. Murakawa A., Ishii Н., Kakimoto К. An investigation of thermal conductivity of silicon as a function of isotope concentration by molecular dynamics // J. Crystal Growth. 2004. - 267. - № 3. - P. 452 - 457.29.www.isonics.com

28. Ерыкалов A. H., Игнатенко E. И., Кожух M. JL, Литовченко А. В., Марков Ю. В., Петров Ю. В. Нейтронное легирование кремния на РБМК-1000 // Атомная энергия,- 1988,- 65,- № 1.- С. 24-28.

29. Харченко В.А. Алхимически чистый кремний // Химия и жизнь 1986-№Ю.-С. 26-31.

30. Chumakov А. I., Ruffer R., Leupold О., Barla A., Thiess Н., Asthalter Т., Doyle В. P., Snigirev A., Baron A. Q. R. High-energy resolution х ray optics with refractive collimators // Applied Physics Letters - 2000 - 77 - № 1- P. 31-33.

31. Kuijer P. The ALICE silicon strip detector system // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A.- 2000.- 447.- № 1-2,- P. 251 256.

32. Kane В. E. A silicon-based nuclear spin quantum computer //Nature 1998393 -№ 6681. -P.133-137.

33. Квантовый компьютер? Уже сегодня! // Компьютерра (раздел "Новости").- 2002,- № 25,- С. 13.

34. Tarbeyev Yu. V., Kaliteyevsky А. К., Sergeyev V. I., Smirnov R. D., Godisov O. N. Scientific, Engineering and Metrological Problems in Producing Pure 28Si and Growing Single Crystals // Metrologia.- 1994- 31.- № 3,- C. 269273.

35. Pat. № 6146601 USA, МПК7 С 01 G 17/04. Enrichment of silicon or germanium isotopes / Abesadze Teimuraz, Saunders William E., Wachs Marrin Y., Manning Dennis K. (USA). 2000.

36. Буланов А. Д., Трошин О. Ю., Балабанов В. В., Моисеев А. Н. Синтез и глубокая очистка моноизотопного силана // Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение; Тез. докл. XII конф. 31 мая-3 июня 2004 г.- Нижний Новгород, 2004 С. 14-15.

37. Котков А. П., Гришнова Н. Д., Адамчик С. А., Салганский Ю. М. Очистка моносилана методом криофильтрации // Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение; Тез. докл. XII конф. 31 мая-3 июня 2004 г.-Нижний Новгород, 2004,- С. 68-70.

38. Поль Х.-Й. Монокристаллы 28Si для международного проекта Авогадро // Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение;

39. Тез. докл. XII конф. 31 мая-3 июня 2004 г.- Нижний Новгород, 2004- С. 9.

40. Девятых Г. Г., Гусев А. В. Высокочистый моноизотопный кремний: получение, свойства, применение // Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение; Тез. докл. XII конф. 31 мая-3 июня 2004 г.- Нижний Новгород, 2004 С. 10.

41. Созонов Е. А., Казимиров А. Ю., Кон В. Г., Zegenhagen J. Изотопный состав и параметр решётки Ge, Si // Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение; Тез. докл. XII конф. 31 мая-3 июня 2004 г.- Нижний Новгород, 2004,- С. 15-16.

42. Кварцхели Ю. К., Свидерский М. Ф. О развитии работ по солнечной энергетике в Минатоме России // Конверсия в машиностроении 1999-№3-4,-С. 44-48.

43. Джонс К., Ферри В. Разделение изотопов методом термодиффузии. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1947. -168 с.

44. Девятых Г.Г., Борисов Г.К. Разделение изотопов кремния в моносилане методом термодиффузии // Докл. Акад. Наук СССР. 1963. - 149. - № 6. - С. 1293 - 1294.

45. Девятых Г.Г., Борисов Г.К. Термодиффузионное разделение изотопов кремния в моносилане // Ж. Физ. Химии. 1963. - 37. - № 9. - С. 1985 -1988.

46. Brunken R. Anreicherung der schweren silizinmisotope bei der thermodiffusion in methylsilan // Z. Phys. Chem. Neue Folge- 1966 48 - № 1 - 2.- S. 123-125. (нем.)

47. Carlos E., Carjuzaa Carlos R. Ensayo de separasion de Si30 por defusion termica // Informe. Comis. nas. energia atom. 1961. - № 52. - p. 7. (исп.)

48. Изотопы / под ред. Баранова В.Ю. М.: ИздАт, 2000. - 703 с. - С. 291390.

49. Noda Т., Suzuki Н., Araki Н., Okada М. Si isotope separation for low activation // Journal of Nuclear Materials.- 1996 233-237,- part II,- P. 14961499.

50. Okada Y., Takeuchi K. Infrared laser isotope separation of silicon with molecular beam of hexafluorodisilane // J. Nucl. Sci. and Technol- 1997-34-№ 4-P. 413 -415.

51. Sugimoto S., Kawanishi A., Isomura A,, Ikawa Т., Arai S. Separation of silicon isotopes by infrared multiple decomposition method. Separation of 28Si // JAERI - Rev.- 1997,- № 97 - 004,- P. 23-24.

52. Noda T.} Suzuki H., Araki H. Silicon isotope enrichment for low activation // Fusion Engineering and Design.- 1998.-41.-№ 1 4,-P. 173-179.

53. Lyman J. L., Newnam В. E., Noda Т., Suzuki H. Enrichment of silicon isotopes with infrared free electrons laser radiation // J. Phys. Chem. A-1999.- 103,- № 21 - P. 4227-4232.

54. Makowe J., Boyarkin O.V., Rizzo T. R. Collision-free infrared multiphoton dissociation of silane // J. Phys. Chem. A.- 2000,- 104.- № 49,- P. 1150511511.

55. Makowe J., Boyarkin O.V., Rizzo T. R. Isotopically selective infrared multiphoton dissociation of vibrationally excited SiH4 // J. Phys. Chem. A-2002,- 106,- №21.- P. 5221-5229.

56. Апатин В.М., Лаптев В.Б., Рябов Е.Л. Ж лазерная фотохимия трихлорсилана // Физико химические процессы при селекции атомов и молекул : Сборник докл. VII Всеросс. (междунар.) научной конф. 30 сентября - 4 октября 2002 г.- Звенигород - С. 168-171.

57. Nomaru К., Chernyshev A.V., Petrov А.К., Kuroda Н. Novel process of isotope separation of silicon by use of IR FEL // Nuclear Instruments and Methods in Physics research A.-2003.- 507,- № 1 2,- P. 552-555.

58. Изотопы / под ред. Баранова В.Ю. М.: ИздАт, 2000. - 703 с. - С. 121146.

59. Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Королёв В.И, Бер Б.Я., Давыдов В.Ю., Калитеевский М.А., Копьёв П. С. Получение изотопно-чистого поликристаллического кремния и исследование его свойств // Физика и техника полупроводников- 2001 35- № 8-С. 913-915.

60. Королёв В.А., Маширов Л.Г., Перепеч К.В., Поляков М.С., Шильников А.Ю., Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Бер Б.Я., Коварский А.П.

61. Получение изотопов кремния по тетрафторид-моносилановой технологии // Неорган, материалы. 2002. - 38. - № 6. - С. 659-661.

62. Бабичев А.П., Жернова З.Я., Курочкин А.В., Мишачев А.А., Попов Г.Э., Рудиев А.И., Тихомиров А.В. Получение изотопа 28Si с использованием трихлорсилана // Неорган, материалы. 2002. - 38. - № 5. - с. 524-526.

63. Изотопы / под ред. Баранова В.Ю. М.: ИздАт, 2000. - 703 с. - С. 167218.

64. Девятых Г. Г., Борисов Г.К., Павлов A.M. О разделении изотопов кремния ректификацией моносилана // Доклады Академии Наук СССР-1961,- 138,-№2,-С. 402-404.

65. Орлов В.Ю., Жаворонков Н.М. О разделении изотопов кремния методом ректификации SiCU // Журнал Прикладной Химии 1956 - 29 - № 6 - С. 959-960.

66. Brunken R., Lentz. Н., Schneider G., Wagner H.Gg. Anreicherung der schweren siliziumisotope durch destination von siliziumtetrachlorid // Z. Phys. Chem. Neue Folge.- 1966,- 48,- № 1 2,- S. 120-122. (нем.)

67. Thomas R. Mills Silicon isotope separation by distillation of silicon tetrafluoride // Separation Science and Technol- 1990 25 - № 3 - P. 335345.

68. Hanschmann G. Reduzierte zustandssummenverhaltnisse isotoper molekule auf quantenchemischer grundlage // Isotopenpraxis- 1982 18 - № 6 - S. 203-207. (нем.)

69. Кузнецова Е.М., Грязнова З.В., Панченков Г.М. Расчёт коэффициента однократного разделения некоторых реакций химического обмена // Докл. Акад. Наук СССР. 1963. - 148. -№ 1. - С. 144-147.

70. Egiazarov A., Abzianidze Т., Razmadze A. Separation of silicon isotopes by chemical isotopic exchange method // Synthesis and applications of isotopically labelled compounds. edited by Pleiss U., Voges R. - 2001. - 7. - P. 25-28.

71. Боресков Г. К. , Катальников С. Г. Технология процессов химического изотопного обмена / Конспект лекций. М.: МХТИ, 1974. - 224 с. - С. 128-148.

72. Katalnikov S.G. Physico-chemical and engineering principles of boron isotopes separation by using BF3 anisole-BF3 system // Separation Science and Technol- 2001 -36 - № 8-9,-P. 1737-1768.

73. Agraval J.P. Fractionation of oxygen 18 and carbon - 13 isotopes by chemical exchange of carbon dioxide with amine carbamates // Separation Science and Technol- 1971.-6,-№ 6,-P. 819-829.

74. Agraval J.P. Enrichment of carbon 13 by chemical exchange of carbon dioxide with amine carbamates in nonaqueous so vents // Separation Science and Technol - 1971.- 6 - № 6 - P. 831-839.

75. Хорошилов A.B., Лизунов A.B., Чередниченко C.A. Разделение изотопов углерода карбаматным способом : свойства пар амин-растворитель и коэффициент разделения в системе С02 карбамат ДЭА в толуоле // Хим. пром. сегодня - 2004 - № 5 - С. 30 - 41.

76. Девятых Г. Г., Пряхин Д. А., Буланов А. Д., Балабанов В. В. Диаграмма состояния тетрафторида кремния // Докл. Акад. Наук. 1999. - 364. - № 1.-С. 75-76.

77. Морачевский А. Г., Сладков И. Б. Физико-химические свойства молекулярных неорганических соединений. С-Пб.: Химия, 1996. -311с.

78. Рысс И.Г. Химия фтора и его неорганических соединении. М.: Гос. науч.-техн. изд-во хим. лит-ры, 1956. - 718 с. - С. 301.

79. Гельмбольт В.О., Эннан А.А., Фторокомплексы кремния (IV) с кислородосодержащими донорными лигандами // Координационная химия. 1983. - 9. - № 5. - С. 579-588.

80. Эннан А.А., Гаврилова Л.А., Гельмбольт В.О. Дегидрофторирование комплексов тетрафторида кремния с азот- и кислородсодержащими донорными лигандами // Успехи химии. 1986. - 55. - № 9. - С. 1480 -1494.

81. Топчиев А.В., Богомолова Н.Ф. Каталитические свойства четырёхфтористого кремния // Докл. Акад. Наук СССР. 1953. - 88. - № З.-С. 487-489.

82. Химическая энциклопедия. В 5 т. - М.: науч. изд-во Большая росс, энциклопедия, 1992. - т. 2. - С. 520.

83. Рысс И.Г. Химия фтора и его неорганических соединений. М.: Гос. науч.-техн. изд-во хим. лит-ры, 1956. - 718 с. - С. 305.

84. Коган В. Б., Фридман В. М., Кафаров В. В. Справочник по растворимостям: В 3 т. т. 1 - кн. 1. - Москва - Ленинград: Изд-во академии наук СССР, 1961. - 960 с. - С. 874 - 875.

85. Митчелл Дж., Смит Д. Акваметрия. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1952. -426 с.

86. Жданов С.Н., Егорова Е.Н. Химия цеолитов. Л.: Наука, 1968. - 158 с.

87. Боресков Г.К., Катальников С.Г. Технология процессов химического изотопного обмена / Конспект лекций. М.: МХТИ им. Д.И. Менделеева, 1974.- 185 с.-С. 131.

88. Итоги науки и техники / Радиохимия, ядерная технология. ~ т. 2. -Разделение и использование стабильных изотопов бора. М.: ВИНИТИ, 1990.-194 с.-С. 49-61.

89. Рабинович В.А., Хавин В.Я. Краткий химический справочник. JL: Химия, 1991.-432 с.

90. Барр Г. Вискозиметрия. Ленинград-Москва: Гл. ред. хим. лит-ры, 1938.-274 с.

91. Равдель А.А., Пономарёва A.M. Краткий справочник физико-химических величин. С.-Пб.: Спец. лит-ра, 1999. - 217 с.

92. Рид Р., Праусниц Дж., Шервуд Т. Свойства газов и жидкостей. Л.: Химия, 1982,- 592 с.

93. Справочник химика. т. I. - Л.: Гос. науч.-тех. изд-во хим. лит-ры, 1963. -1072 с.

94. Изотопы / под ред. Баранова В.Ю. М.: ИздАт, 2000. - 703 с. - С. 37 -43.

95. Масс-спектрометр МИ-1201 / Руководство по эксплуатации. ПФЗ 394.018. Р.Э.- 1977.-228 с.

96. Gonfiantini R., Valkiers S., Taylor P., Bievre P. Adsorption in gas mass spectrometry. I. Effects on the measurement of individual isotopic species // Int. J. of Mass Spectrometry and Ion Processes. 1997. - 163. - P. 207-219.

97. Gonfiantini R., Valkiers S., Taylor P., Bievre P. Adsorption in gas mass spectrometry. II. Effects on the measurement of isotope amount ratios // Int. J. of Mass Spectrometry and Ion Processes. -1997. 171. - P. 231-242.

98. Cooper L., Rennie E.E., Shpinkova L.G., Holland D.M.P., Shaw D.A. A photoionisation mass spectrometry study of the fragmentation of silicon tetrafluoride, tetrachloride and tetrabromide // Int. J. of Mass Spectrometry. -2002.-220.-№3.-P. 359-374.

99. Будзикевич Г., Джерасси К., Уильяме Д. Интерпретация масс-спектров органических соединений. М.: Мир, 1966. - 323 с. - С. 44 - 68.

100. Бейнон Д. Масс-спектрометрия и ее применение в органической химии.-М.: Мир, 1964.-701 с.-С. 351 -361.

101. Андреев Б.М., Полевой А.С. Методы исследования процессов изотопного обмена / Учебное пособие. М.: МХТИ им. Д.И. Менделеева, 1987.-79 с.-С. 33-41.

102. Андреев Б.М., Магомедбеков Э.П., Райтман А.А., Розенкевич М.Б., Сахаровский Ю.А., Хорошилов А.В. Разделение изотопов биогенных элементов в двухфазных системах. М.: ИздАт, 2003. - 375 с.

103. Николаев Д.А., Филиппов Г.Г. Графическое определение равновесного обогащения ректификационной колонки // Заводская лаборатория. -1966. -32.-№10.-С. 1288-1289.

104. Парцахашвили Г.Л. Расчёт числа теоретических тарелок (ЧТТ) установки для разделения трёхкомпонентной изотопной смеси // Известия Акад. Наук Грузинской ССР. 1982. - 8. - № 4. - С. 323 - 325.

105. Бахвалов Н.С. Численные методы . М.: Изд-во Наука, гл. ред. физ,-мат. лит-ры, 1975. - 632 с. - С. 447 - 534.

106. Боресков Г.К., Катальников С.Г. Технология процессов химического изотопного обмена / Конспект лекций. М.: МХТИ им. Д.И. Менделеева, 1974.-185 с.-С. 155 - 156.

107. Катальников С.Г., Хорошилов А.В., Соболев А.С., Тимашёв А.П. Оптимальная температура и оптимальный относительный отбор в процессах разделения изотопов // Isotopenpraxis- 1982- 18- № 6-С.208-211. (рус.)

108. Буланов А. Д. Получение высокочистых моноизотопных силанов 28SiH4,29SiH4 и 30SiH4: Автореф. дисс. д-ра хим. наук. -Н. Новгород: 2005. -48 с.