Содержание и форма присутствия примесей кислорода и углерода в изотопно обогащенном и поликристаллическом кремнии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат химических наук Котерева, Татьяна Владимировна

• Котерева, Татьяна Владимировна
• кандидат химических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат химических наук Котерева, Татьяна Владимировна

КРЕМНИИ.

Специальность: 02.00.01 - неорганическая химия)

Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук

Научный руководитель: доктор химических наук Гусев А.В.

Нижний Новгород

СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

БЗП - бестигельная зонная плавка

МГВГТ — метод вакуумного или газового плавления

НАА - нейтронно-активационный анализ

ЗЧАА - активационный анализ с использованием заряженных частиц ТД - термодоноры

ЭПР - электронно-парамагнитный резонанс МСВИ — масс -спектрометрия вторичных ионов ЛМС - лазерная масс -спектрометрия TJIMP - тандемный масс- рефлектрон ИКС - инфракрасная спектроскопия ФА - функция аподизации ПО - предел обнаружения

Oj - кислород в положении внедрения (interstitial) Cs- углерод в положении замещения (substitution)

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ПРИМЕСИ КИСЛОРОДА И УГЛЕРОДА В КРЕМНИИ

И МЕТОДЫ ИХ ОПРЕДЕЛЕНИЯ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).

1.1. Кислород и углерод в кристаллическом кремнии.

1.1.1. Свойства и форма присутствия примеси кислорода в кремнии.

1.1.2. Свойства и форма присутствия примеси углерода в кремнии.

1.2. Методы определения кислорода и углерода в кремнии.

1.2.1. Высокотемпературная вакуумная экстракция.

1.2.2. Метод рентгеновской дифракции.

1.2.3. Активационный анализ

1.2.4. Определение содержания кислорода по сопротивлению растекания.

1.2.5. Исследование методом ЭПР с использованием диффузии 1л.

1.2.6. Масс-спектрометрия вторичных ионов.

1.2.7. Времяпролетная лазерная масс-спектрометрия на ТЛМР.

1.2.8. Абсорбционная ИК-спектроскопия.

1.3. Задачи исследования.

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И

АНАЛИТИЧЕСКИЕ МЕТОДИКИ.

2.1. Технология получения высокочистого изотопно обогащенного кремния.

2.2. Характеристика исследованных образцов. 40 2.3 ИК-спектрометры для регистрации спектров пропускания кремния. 41 2.3.1 Фурье-спектрометр №8-1 13у (Вгикег) с приставкой для измерений при температурах 16-ЗООК.

2.3.2. Оптическая система ИК- Фурье спектрометра IRPrestige-21 (ЗИклас^и). 47 2.4. ИК -спектроскопические методики определения примесей кислорода и углерода в природном монокристаллическом кремнии.

2.4.1. Абсолютный и дифференциальный способы определения примесей по спектрам ИК пропускания.

2.4.2. Характерный ИК спектр монокристаллического природного кремния.

2.4.3. Проверка правильности используемых ИК-спектроскопических методик.

Выбор образца сравнения

2.4.4. Определение градуировочного коэффициента для примеси кислорода при Т=16К.

2.4.5. Погрешность измерений.

ГЛАВА 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ КИСЛОРОДА И УГЛЕРОДА В КРЕМНИИ, ОБОГАЩЕННОМ ИЗОТОПАМИ 2881, 29 И 308ь

3.1. Изучение влияния изотопного обогащения на фононный и примесный спектр кремния.

3.2. Основные параметры полос поглощения кислорода и углерода в изотопно обогащенном кремнии.

3.2.1. ИК- спектр примеси углерода в изотопно обогащенном кремнии.

3.2.2. ИК- спектр примеси кислорода в изотопно обогащенном кремнии.

3.3. Влияние температуры на спектры поглощения примесей в кремнии-28 . Определение градуировочного коэффициента для линии

1136 см-1 в 2881 при Т=16К.

3.4. Обсуждение результатов.

ГЛАВА 4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ КИСЛОРОДА И УГЛЕРОДА

В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ МЕТОДОМ Ж- СПЕКТРОСКОПИИ.

4.1. Характеристика образцов поликристаллического кремния.

Условия экспериментов.

4.2. Вид спектров поглощения образцов поликристаллического кремния различного происхождения.

4.3. Определение градуировочного коэффициента для линии углерода

1205 см'1.

4.4. Сопоставительное исследование содержания примесей кислорода и углерода в поликристаллическом кремнии.

4.5. Исследование поликристаллических образцов с низким содержанием примесей С и О.

4.6. Влияние высокотемпературной термической обработки поликристаллических образцов на результаты анализа.

4.7. Обсуждение результатов.

5. ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Содержание и форма присутствия примесей кислорода и углерода в изотопно обогащенном и поликристаллическом кремнии»

Актуальность.

Высокочистый кремний широко применяется в различных областях электронной промышленности и одновременно является объектом новейших технологических разработок и фундаментальных исследований [1,2]. Газообразующие примеси, такие как кислород и углерод, существенно влияют на его свойства, поэтому контроль их содержания в кремнии всегда остается актуальным.

Несмотря на то, что обе примеси не являются электроактивными, информация о форме их нахождения и концентрации очень важна как для организации контролируемого роста кристаллов кремния, так и с точки зрения применения кремния для изготовления полупроводниковых структур [2,3,4]. Кроме того, даже в высокочистых кристаллах кремния присутствующие на уровне 3-1015см"3 примеси кислорода и углерода также вызывают определенное искажение кристаллической решетки, что может быть существенным при прецизионных измерениях ее параметров [5].

Наиболее часто используемым методом исследования состояния и определения содержания примесей кислорода и углерода в кремнии является ИК- спектроскопия. Его преимуществом является то, что он бесконтактный, неразрушающий и работает в достаточно широком диапазоне концентраций. Особенности полос поглощения кислорода и углерода в кремнии при различных температурах и различных концентрациях примесей подробно обсуждаются в литературе (см., например, обзоры [6,7]). На основе этих данных были разработаны стандарты ИК спектроскопического определения примесей кислорода и углерода в кремнии природного изотопного состава [8,9,10] .

В последние годы возник большой интерес к изотопно-чистым модификациям кремния [11,12]. При создании технологии получения таких материалов необходим контроль над поведением примесей кислорода и углерода. В тоже время сложности, возникающие при применении стандартных ИК спектроскопических методик определения этих примесей в изотопно обогащенном кремнии, связаны с тем, что при переходе к изотопно-чистым модификациям кремния, вследствие изменения параметров решетки и фононного спектра происходят изменения спектральных характеристик полос поглощения кислорода и углерода. Поэтому для применения метода ИК спектроскопии к исследованию изотопно обогащенного кремния требуются дополнительные исследования спектров поглощения примесей кислорода и углерода.

При анализе монокристаллических образцов в основном используется метод абсорбционной ИК спектроскопии. Это связано с тем, что хорошо изучены условия получения монокристаллов, при которых примеси С и О находятся в положении замещения и внедрения соответственно, и известны условия термообработки приводящие эти примеси в оптически активное состояние [13,14]. Развитие в технологии получения высокочистого

ОЯ ■)() ^л обогащенного изотопами и поликристаллического и монокристаллического кремния привело к необходимости разработки высокоточных методов, обеспечивающих контроль его примесного состава. Одним из таких методов явился метод ИКС. Данные по применению метода ИКС при анализе поликристаллического кремния немногочисленны [8,105,106], существует ряд проблем, связанных с многообразием форм нахождения С и О в поликристаллическом кремнии, полученном по различным технологиям. В тоже время контроль за поведением примесей О и С в поликристаллическом изотопно обогащенном кремнии, так и в кремнии природного изотопного состава, также крайне важен.

Из вышеизложенного следует, что развитие метода ИК спектроскопии для исследования примесей кислорода и углерода в кремнии, в т.ч. в изотопно обогащенном и поликристаллическом является актуальной задачей

Целью работы было исследование форм нахождения примесей кислорода и углерода, развитие ИК- спектроскопических методик их количественного определения в образцах высокочистого поли- и монокристаллического кремния природного изотопного состава и

28 29 30 обогащенного изотопами 81, 81 и 81. Для этого было необходимо решить следующие задачи:

- определить спектральные характеристики фононного спектра и линий поглощения С и О в спектрах всех изотопных разновидностей кремния в сравнении с кремнием природного изотопного состава;

- изучить формы нахождения и возможности количественного определения кислорода и углерода в поликристаллическом кремнии методом ИКС;

- разработать методики ИК спектроскопического определения содержания углерода и кислорода в кремнии различных изотопных разновидностей с пределами обнаружения на уровне п- 1015 см3;

- определить значения градуировочных коэффициентов для определения примесей О и С в кремнии 2881 и кремнии природного изотопного состава.

Научная новизна.

- Определены частоты полос поглощения фононов в образцах

28 • монокристаллического кремния, обогащенного изотопами 81 ( обогащение 99,994%), 2981 и 3081 (с обогащением 99,86 и 99,74% соответственно).

- Впервые измерены спектры ИК-поглощения примесей О и С в образцах монокристаллического кремния, обогащенного изотопами " 81 , " 81 и 3081 и установлены положение и форма полос поглощения этих примесей.

Установлены формы нахождения примесей О и С в монокристаллическом изотопно обогащенном кремнии и в поликристаллическом кремнии природного изотопного состава, полученного различными способами происхождения.

- Определено содержание примесей О и С в наиболее чистых образцах кремния, обогащенного изотопом 2881.

Практическая ценность.

Разработаны методики определения примесей О и С в монокристаллическом кремнии, обогащенном изотопами 2881 , 2981 и 3081 с пределами обнаружения до 5" 1015 см"3 для примеси углерода и до 2 '1014 см"3 для примеси кислорода.

Разработаны методики определения С и О в образцах поликристаллического кремния, полученного при охлаждении расплава и

15 3 осаждением из силана, с пределами обнаружения' примеси углерода 5-10 см" , кислорода - 8-1015 см"3. Применение данных методик позволило контролировать содержание примесей углерода и кислорода при разработке технологии получения высокочистого изотопно обогащенного кремния.

Диссертационные исследования проводили в рамках программы фундаментальных исследований ПРАН «Разработка методов получения химических веществ и создание новых материалов» (проект: «Получение монокристаллов высокочистого моноизотопного кремния и исследование его оптических и теплофизических свойств») и программы ОХНМ РАН «Создание эффективных методов химического анализа и исследования структуры веществ и материалов» (проект: «Разработка методов анализа твердых высокочистых простых веществ и материалов сложного состава в интервале концентраций 10~8 - 100% »), а также в соответствии с проектами Международного научно-технического Центра №1354 "Разработка методов получения и изучение свойств изотопно-чистых полупроводниковых материалов для использования в современных технологиях" и №2630 «Оптимизация опытной технологии получения высокообогащенных изотопов кремния для выращивания кристаллов полупроводникового качества», и в рамках международного проекта "Авогадро".

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Результаты определения спектроскопических параметров фононного спектра, линий поглощения кислорода и углерода в изотопно обогащенном кремнии.

2. Методика определения содержания примесей О и С в изотопно обогащенном кремнии.

3. Методика определения содержания примесей углерода и кислорода и изучение форм их нахождения в образцах поликристаллического кремния, полученного различными методами.

Апробация работы и публикации

Результаты работы докладывались и обсуждались на II Международном совещании «Моноизотопный -2003» (Нижний Новгород, 2003), III Всероссийской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на его основе (Москва, 2003), XII и XIII конференциях "Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение." (Нижний Новгород, 2004, 2007), IV Научной школе для молодых ученых «Высокочистые моноизотопные вещества» Нижний Новгород 2006 год, городском семинаре по химии высокочистых веществ (2006), опубликованы в работах [113-123].

Структура и объем работы Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка литературы (129 наименований) и содержит 36 рисунков и 20 таблиц. Первая глава представляет собой литературный обзор о свойствах и формах нахождения примесей кислорода и углерода и методах их определения в кремнии. Вторая глава посвящена характеристике исследуемых образцов кремния, описанию спектральной и криогенной аппаратуры, экспериментальных методик спектральных и аналитических измерений. В третьей главе приводятся результаты исследования ИК-спектров собственного поглощения кристаллической решетки, а также примесей кислорода и углерода и методики их количественного определения, в кремнии, обогащенном изотопами 2881, 298! и

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Котерева, Татьяна Владимировна

5. ВЫВОДЫ

1. В области 550 - 2000 см"1 впервые изучены ИК спектры кремния

Ой 'IQ обогащенного изотопами Si (с обогащением 99,994%), Si и Si (с содержанием < основного изотопа 99,86% и 99,74% соответственно).

Определено положение полос поглощения фононов в изотопно обогащенном

98 29 20 кремнии ~ Si, Si и Si. Разработаны методики ИК спектроскопического определения содержания углерода в положении замещения и кислорода в положении внедрения в монокристаллическом кремнии различных изотопных

28 разновидностей. Наиболее низкие пределы обнаружения достигнуты для Si и

1 1Л15 "3 О 1Л14 "3 составили для углерода Г10 см и для кислорода 2-10 см 1

2. Определены спектральные характеристики полосы Si- С в области 605 см"1, соответствующей углероду в форме замещения в спектрах

28 29 30 монокристаллического кремния, обогащенного изотопами Si, Si и Si. Измерены ее изотопические сдвиги для 29Si и 30Si по отношению к 28Si, составляющие 1,9+0,1 см"1 и 4,8±0,1 см"1 при Т=300К, и 2,1+0,1 см"1 и 3,9+0,1 см"1 при Т=16К.

3. Определены спектральные характеристики полосы поглощения Si-160-Si в области 1136 см"1, соответствующей кислороду в форме внедрения при Т=16К

ЛО в спектрах монокристаллического кремния, обогащенного изотопами Si, Si и 30Si. Изотопический сдвиг составляет 3,8 см"1 при переходе от 28Si к 29Si и 7,4 см"1 при переходе от 28Si к 30Si. При Т=300К аналогичный изотопический сдвиг полосы при 1107 см"1 составляет 3,9 см"1 и 7,8 см"1. В спектрах изотопных разновидностей кремния обнаружена серия слабоинтенсивных линий, соответствующих колебанию связи Si-l60-Si. Выявлена природа линии поглощения кислорода при 1748 см"1.

4. Определены градуировочные коэффициенты для линий кислорода 1136 см 1 при Т=16К и углерода 1205 см 1 при Т=300К, равные (1,21±0,15)' 1016 см " и

19 -2

1,95±0,48)-10 см соответственно. Установлено, что градуировочные коэффициенты для кислорода в кремнии, обогащенном изотопом 81 и в кремнии природного состава, совпадают в пределах погрешности. Использование линии 1205 см'1 для углерода позволило расширить диапазон определяемых содержаний до 1018 см"3 в поли- и монокристаллическом кремнии.

5. Установлено, что в поликристаллических образцах, полученных кристаллизацией из расплава, кислород находится в основном в междоузельном

1 о о положении, а углерод в положении замещения до концентраций ~10 см" , а в

1 £\ Ч образцах полученных осаждением из силана до п-10 см" . Разработаны методики определения содержания кислорода и углерода в поликристаллическом кремнии. Предел обнаружения примеси кислорода составил 8-1015 см"3, примеси углерода 5-Ю15 см"3.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Котерева, Татьяна Владимировна, 2008 год

1. М. Cardona, М. L. W. Thewalt. Isotope effects on the optical spectra of semiconductors // Reviews of modern physics. 2005. V. 77. N.4. P.X 173-1224.

2. Э.С. Фалькевич, Э.О. Пульнер, И.Ф. Червонный. «Технология полупроводникового кремния». Москва: Металлургия, 1992. 408 с.

3. Г.Г. Девятых, Ю.А. Карпов, Л.И. Осипова. «Выставка-коллекция веществ особой чистоты». М.: Наука. 2003. 236 с.

4. H.Foll, В.О. Kolbesen, Н. Huff and Е. Sirte. Semiconductor Silicon// The Electrochemical Society Softbound Proceedings Series. Princeton, NJ 1977. P.565.

5. P. Becker, H. Bettin, L .Kolnders, J. Martin, A. Nicolaus, S. Rottger. The silicon path to the kilogram // PTB-Mitteilungen. 1996. V.106. P. 321.

6. Fumio Shimura. «Oxygen in Silicon» New York: Academic Press Inc., 1994. Vol.42. 680 p.

7. B.O. Kolbesen, T. Kladenovic. Determination of carbon in silicon by infrared absorption spectroscopy a comparison of room and low temperature measurement// Kristal und Technic. 1980. V 15. No 1. K1-K3.

8. DIN 50 438. Part 1, pp. 809, (Testing of Materials for Semiconductor Technology Determination of Impurity Content in Semiconductors by Infrared Absorption Oxygen in Silicon), 1993.

9. ASTM F 1391-93, pp. 515, (Standard Test Method for Substitutional Atomic Carbon Content of Silicon by Infrared Absorption).

10. ASTM F 1188-93a, pp. 438, (Standard Test Method for Interstitial Atomic Oxygen Content of Silicon by Infrared Absorption).

11. E.E. Haller. Isotopically enjeneered semiconductors. // Appl. Phys. 1995. V.77. N.7. P.2857.

12. E.E. Haller. Isotopically controlled semiconductors. // Solid State Communications. 2005. V.133. P.693-707.

13. B.C. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. «Дефекты в кремнии и на его поверхности». Москва: Наука. 1990. 216 с.

14. M. Porrini, I. Crossmann, M.G. Pretto, R. Scala, R.Wolf. Improved Measurement of Carbon in Poly- and CZ Crystal Silicon by Means jf Low Temperature FTIR.// Solid State Phenomena. 2005. V.108-109. P.591-596.

15. W. Kaizer, P.H. Keck, C.R. Lange Infrared Absorption and Oxygen Content in Silicon and Germanium// Phys. Rev. 1956. V.101. №4. P.1264-1268.

16. H.J. Hrostovski, R.H.Kaiser. Infrared Absorption of Oxygen in Silicon // Phys. Rev. 1957. V107. №4. P.966-971.

17. R.C. Newman, R.S. Smith . Vibrational absorption of carbon and carbon-oxygen complexes in silicon //J. Phys.Chem. Sol. 1969. V.30. P.1493-1505.

18. D.R.Bosomworth, W. Hays, A. R.L. Spray. G. D. Watkins et. al. Absorption of Oxygen in Silicon in the Near and the Far Infrared // Proc. Roy. Soc. 1970. V. A317. P.133-152.

19. R.C. Newman. «Infrared Studies of Crystal Defects».London: Taylor and Fransis, 1973.

20. В. Волькенштейн, М.Я. Ельяшевич, Б.И. Степанов. «Колебания молекулы». T.I и И. М.: Гостехиздат. 1949.

21. Т. Лаппо, В.Д. Ткачев. // ФТП. 1970. Т.4. №3 С. 502-506.

22. B.Pajot, E.Artacho, С.А. Ammerlaan and J-M Spaeth. Interstitial О isotope effects in silicon // J. Phys.:Condens. Matter. 1995. V.7. N.35. P. 7077-7085.

23. K.Pyoo, H.Kim, J.S. Koh et. al. Fine structure of oxygen absorption bands in Si at low temperature // J. Appl. Phys. 1992. V.72. N.ll. P.5393-5396.

24. J. Kato, K.M. Itoh, H. Yamada- Kaneta, H.-J. Pohl. Host isotope effect on the localized vibrational modes of oxygen in isotopically enriched Si, Si and Si single crystals // Physical Review B. 2003. V.68. 035205.

25. H. Yamada-Kaneta. Vibrational energy levels of oxygen in silicon up to one-A2u-phonon plus one-Ajg-phonon states.// Physica B. 2001. V.172. P.302-303.

26. J.C. Mikkelson. // MRC Symp.Proc. Ed. J.C. Mikkelson, S.J. Pearton, J.W. Corbett e.a. // Pittsburg, Pennsylvania, 1986, P.19-30.

27. J. C.Mikkelsen. Diffusity of Oxygen in Silicon During Steam Oxidation // Appl.Phys. Lett. 1982. V.40, N 4. P. 336-337.

28. J.Gass, H. H. Muller, Н. Stussi, S. Schweitzer Oxygen Diffusion in Silicon and the influence of Different Dopants // J. Appl. Phys. 1980. V.51. N 4. P. 2030-2037.

29. Y. Takano, M Maki. Diffusion of Oxygen in Silicon // in: Semiconductor Silicon 1973, edited by H.R.Huff and R.R.Burgess (Electrochemical Society, Pennington, 1973) P. 469-477.

30. A. Bagydadi, W.M. Bullis e.a. Interlaboratory determination of the Calibration factor for measurement of the interstitial oxygen content of silicon by infrared absorption// J. Electrochemical Society. 1989. V.136. N7. P. 2015-2024.

31. Lee S.-Tong, Nichols D. Diffusivity and Diffusion Mechanism of Oxygen in Silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1986. V.59. P. 31-37.

32. R.C. Newman. Oxygen diffusion and precipitation in Czochralski silicon // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. V.12. N.25-26. R335-R365.

33. А.М.Полянский. «Обзоры по электротехнике». 1981. Сер.6. Вып. 9.-М.: ЦНИИ «Электроника».

34. Г.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. «Структурные дефекты в полупроводниках». М.: Металлургия, 1986. 256 с.

35. J.R. Patel. Computer-simulation methods in X-ray topography// Acta Cryst. 1979. A35. P. 21-28

36. M. А. Ильин, В. Я. Коварский, А.Ф. Орлов. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии оптическим методом.// Заводская лаборатория. 1984. Т.50. N 1. С. 24.

37. В. Pivac. A determination of the oxygen concentration in SILSO poly-Si. // J. Phys. D: Appl.Phys. 1988. V.21. P.1241.

38. Wen Lin. The Incorporation of oxygen into silicon crystals //Semiconductors and semimetals ed. F. Shimura New York 199. Vol. 42. P. 9-53.

39. B.O.Kolbesen, A. Muhbauer. Carbon in silicon: properties and impact on devices // Sol. Stat. Electr. 1982. V.15. P.759-775.

40. K.L. Benton, A.S. Oats, F.M. Livingston. Self-interstitials and thermal donor formation in silicon: new measurements and a model for the defects // J. Phys. C. 1983. V.16. P.1667-1670.

41. А. Марадудин. «Дефекты и колебательный спектр кристаллов». М.: Мир. 1968. 432 с.

42. Xiao Yan Zhu , Seung Mi Lee , Jae Yon Kim ,Young HeeLee, Dong-ChulChung and Thomas Frauenheim. Structural and vibrational properties of carbon impurities in crystalline silicon // Semicond. Sci. Technol. 2001. V.16. P. 41—49.

43. J.L. Mc Afee, S.K. Estreicher Structural and vibrational properties of Cs and {Cs, H,H} complexes in Si // Physica B. 2003. V.340-342. P. 637-640.

44. Gordon Davies , Shusaku Hayama , Shiqiang Hao, Jose Coutinho , S.K.Estreicher ,M.Sanati and Kohei M. Itoh. Lattice isotope effects on the widths of optical transitions in silicon // J. Phys.: Condens. Matter. 2005. V.17. N. 22. S2211-S2217.

45. K.Hoshikawa, H. Kouda, K. Ikuta. // Jap. J Appl. Phys. 1981. V.20 Suppl. 20-1.

46. N. Inoue, T. Arai et. al. High reliability infrared measurements of oxygen and carbon in silicon // Emerging Semiconductor Technology, ASTM STP 960, D.C. Gupta and P.H. Langer, eds, ASTM. 1987. pp. 365-377

47. K. Graff, E. Grallath, S. Ades et.al. Bestimmung von parts per billion sauerstoff in silizium durch eichung der IR-absorption bei 77°K // Sol. St. Electr. 1973. V.16. N.8. P. 887-893.

48. Sugita Y., Kawata H., Nakamichi S., Okabe Т., Watanabe Т., Yoshikawa S., Iton Y.,Nozaki T. Measurement of the Out-Diffusion Profile of Oxygen in Silicon // Jap. J. Appl. Phys. 1986. V. 25. N.10. P. L859-L861.

49. К.Вандерстеле. «Активационный анализ с использованием заряженных частиц». М.: Мир. 1991. 208 с.50. «Аналитическая химия. Проблемы и подходы». Под ред. акад. Ю.А. Золотова. Т.2. М.: Мир. 2004. С.92.

50. Y. Yatsurugi, N. Akiyama, Y. Endo, Т. Nosaki. Concentration Solubility and Equilibrium Distribution Coefficient of Nitrogen and Oxygen in Semiconductor Silicon // J. Electrochem. Soc. 1973. V. 120. N. 7. P. 975-979.

51. C. Gross, G. Gaetano, T. N. Tucker, J. A. Baker. Comparison of Infrared and Activation Analysis results in Determining the Oxygen and Carbon Content in Silicon // J. Electrochem. Soc. 1972. V.119. N. 7. P. 926-929.

52. B.Pajot. Spectroscopic measurements of residual impurities in silicon and application to the measurement of local lattice distortion // Metrología. 1994. V.31. P. 263-267.

53. Fukuda Т., A. Ohsawa. Mechanical strength of Czochralski silicon crystals with1 г лcarbon concentrations at and below 10 cm // J. Appl. Phys. 1993. V.73. P.112-117.

54. B.M. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. «Кислород в монокристаллах кремния» Киев: Интерпресс ЛТД . 1997. 240 с.

55. В. Л. Винецкий, Ю. В.Данковский, В. Н.Мордкович, Г. А. Холодарь. Образование кислород-кремниевых комплексов при термообработке кремния // Вестник Киевского университета. Сер. Физика. 1977. Вып. 18. С. 118- 124.

56. М. И. Иглицын, Г. П. Кекелидзе, Г. В. Лазарева. Определение содержания кислорода в кремнии методом диффузии лития // ФТП. 1964. Т. 6. Вып. 10. С. 3148-3150.

57. Jr. J. С. Mikkelsen. The Metallurgy of Oxygen in Silicon // J. Metals. 1985. V.37. N. 5. P. 51-54.

58. D. Briggs, A. Brown, J.C. Vickerman. // Handbook of Static Secondary Low Mass Spectrometry. Chichester: Willy . 1989.

59. E. Niehuis, P.N.T Van Valzen, J. Lub, T. Heller, A. Benninghoven. High mass resolution time-of-flight secondary ion mass spectrometry. Application to peak assignments // Surf. Interface Anal. 1989. No.14. P.135.

60. H. Van der Wei, J.Lub, P.N.T. Van Velsen, A. Bennighoven. Surface and interface analysis // Mikrochim. Acta. 1990. V.2. P. 3.

61. M. Grasserbauer and G. Stingeder. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) of silicon // Vacuum. 1989. V.39. P. 1077-1087.

62. В. Черняков, Л.П. Шпак, В.И. Белоусов. Возможности лазерного масс-спектрометра ЭМАЛ-2 при определении газообразующих примесей // Высокочистые вещества. 1987. №2. С.168-171.

63. И.Д. Ковалев, К.Н. Малышев, П.А. Шмонин. Тандемный лазерный масс-рефлектрон для определения газообразующих примесей в твердых веществах устройство и принцип работы. //ЖАХ. 1998. Т.53. N1. С.38.

64. В. В. Безруков, И. Д.Ковалев, К. Н. Малышев, Д. К. Овчинников. Определение водорода углерода и кислорода в халькогенидных стеклах на тандемном лазерном масс- рефлектроне. //ЖАХ. 2002. Т.57. N4. С.723.

65. W.M. Bullis. Oxygen concentration measurement //«Semiconductors and semimetals» ed. F. Shimura New York. 1994. Vol. 42. P.136.

66. W. Kaiser, P.H. Keck and C.F. Lange. Infrared absorption and oxygen content in silicon and germanium // Phys. Rev. 1956. V.101. N.4. P.126.

67. D. R. Bosomworth, W.Hayes, A.R.L. Spray and G.D. Watkins. Absorption of oxygen in silicon in the near and far infrared. // Proc. Roy. Soc. London. Ser. A. 1970. V.317. P.133-152.

68. R.C. Newman and J. B. Willis. Vibrational absorption of carbon in silicon // J. Phys. Chem. Solids. 1965. V. 26. P.371-379.

69. B. Pajot. Characterization of oxygen in silicon by infrared absorption. // Analusis. 1977. V.5. N7. P.293.

70. D. Warren Vidrine. Room temperature carbon and oxygen determination in single-crystal silicon // Anal. Chem. 1980. V52. P.52-96.

71. P. Wagner. Infrared absorption of interstitial oxygen in silicon at low temperature. //Appl. Phys. 1991. V.A 53. P.20-25.

72. E. Simoen , R Loo, C. Claeys, O.De Gryse et. al. Optical spectroscopy of oxygen precipitates in heavily doped p-type silicon // J. Phys.rCondens. Matter. 2002. V.14. P.13185-13193.

73. R.C. Newman. Oxygen diffusion and precipitation in Czochralski silicon. // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. V.12. P.335-365.

74. A. Sassella. Measurement of interstitial oxygen concentration in silicon below 1015 atoms/cm3// Appl. Phys. Letters. 2001.V.79. N.26. P.4339-4341.

75. O. De Gryse and P. Clauws. Quantification of the low temperature infrared vibration modes from interstitial oxygen in silicon. // J. Appl. Phys. 2000. V87. N7 P.3294—3300.

76. P. Дж. Белл. «Введение в фурье-спектроскопию». M.: 1975. 380 с.

77. Г. Девятых, А.Д. Буланов, А.В. Гусев, П.Г. Сенников, A.M. Прохоров, Е.М. Дианов, Х.-Й. Поль. Получение высокочистого моноизотопного кремния-28 //Доклады РАН. 2001. Т.376. N4. С.492- 493.

78. A.D. Bulanov, G.G. Devyatych, A.V. Gusev, P.G, Sennikov, H.-J.Pohl, H. Riemann, H. Schilling, P. Becker. The Highly Isotopic Enriched (99.9%), HighPure 28Si Single Crystal // Cryst. Res. Technol. 2000. V.35. N9. P. 1023- 1025.

79. B. Pajot. «Properties of Crystalline Silicon» // Ed. B.L. Weiss, EMIS Datareviews Series, 1998, No. 20, P.479.

80. Г. Д. Бурдук, Б. H. Марков. «Основы метрологии»// М., Издательство стандартов, 1975, 336 с.

81. О.Н.Годисов, А.К.Калитеевский, А.Ю.Сафронов, В.И.Королев, Б.Я.Бер и др. Получение изотопно-чистых слоев кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии// ФТП. 2002. Т. 36. Вып.12. С.1486-1488.

82. А.Д. Буланов, А.В. Гусев. Высокочистые изотопные разновидности кремния 28, 29, 30 // Неорганические материалы. 2008. в печати.

83. Девятых Г.Г., Дианов Е.М., Буланов А.Д., Трошин О.Ю., Балабанов В.В., Пряхин Д.А. Получение высокочистого моноизотопного силана: 28SiH4, 29SiH4,30SiH4. //ДАН. 2003. Т.391. №5. С.638.

84. И.Д. Ковалев, A.M. Потапов и А.Д. Буланов. Измерение изотопного состава изотопно обогащенного кремния и его летучих соединений методом лазерной масс-спектрометрии // Масс-спектрометрия. 2004. Т.1. №1. С.37.

85. М. Cardona. Semiconductots crystals with tailor-made isotopic composition, in Festkorperprobleme / Advanced in Solid State Physics, Ed. by R. Helbig, (Vieweg, Braunschweig / Wiesbaden). 1994. V. 34, P. 35-50

86. T. Ruf, H.D. Fuchs und M. Cardona. Von federn und massen: physik isotopenreiner halbleiter // Phys. В 1.1996. V.52. N.ll. P. 1115-1120.

87. Изотопы: свойства получение применение // Под ред. В.Ю. Баранова М.: ИздАт. 2000. 704 с.

88. Дж. Поллард. Справочник по вычислительным методам статистики. Пер. с англ. B.C. Занодворова, // Под ред. Е.М. Четыркина. М., Финансы и статистика, 1982, 344 с.

89. В. Pajot, H.J. Stain, B.V. Cales, С. Naud. Quantitative spectroscopy of interstitial oxygen in silicon // J. Electochem. Soc.:Solid-State and technology. 1985 V.132. No.12. P.3034.

90. Г.Г. Девятых, А.Д. • Буланов, A.B. Гусев и др. Высокочистый монокристаллический моноизотопный кремний -28 для уточнения числа Авогадро.// ДАН. 2008. Т.421. №1 С.61-64.

91. P.Becer, D.Scheiel, H-J. Pohl. А.К. ICaliteevski, O.N. Godisov , M. F. Churbanov, A. V. Gusev,et.al. Large-scale production of highly enriched 28Si for the precie determination of the Avogadro constant. // Meas. Sci. Technol. 2006, V.17. P.1854-1870

92. О H. Годисов, А. К. Калитеевский, В. И. Королев, Б. Я. Бер, В. Ю. Давыдов и др. Получение изотопно-чистого поликристаллического кремния и исследование его свойств // ФТП. 2001. Т.35.В. 8. С. 913-915

93. Шульпяков Ю. Ф., Витман Р. Ф., Лебедев А. А., Дремин А. Н. Влияние пластической деформации на состояние кислорода и углерода в кремнии // ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 6. С. 982-986.

94. Stavola M., Patel J. R., Kimerling L. C., Freeland P. E. Diffusivity of Oxygen in Silicon at the Donor Formation Temperature // Appl. Phys. Lett. 1983. V.42. N 1. P.73-75.

95. В.В.Емцев, T.B. Машовец. «Примеси и точечные дефекты в полупроводниках» // М. Радио и связь. 1981. 248 с.

96. Д. Ю. Налуда, В. В. Емцев, П. Д. Кервалишвили, В.И. Петров, К. Шмальц. Влияние термообработки на перестройку кислородсодержащих дефектов в кремнии // ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 7. С.1283-1288.

97. A. Leroueille. Relationship Between Carbon and Oxygen Nucleation in Cz Silicon// Phys. Stat. Sol. (a). 1982. V.74. N 2. P. K159-K163.

98. P. Wagner and J. Hage. Thermal double donors in silicon. // Appl. Phys. A 1989. V.49. P.123.

99. R. C. Newman, M. J. Binns, W. P. Brown, F. M. Livingston, S. Messoloras, R. J. Stewart, J. G. Wilkes. Precipitation of Oxygen in Silicon: Kinetics, Solubility, Diffusivity and Particle Size // Physica B. 1983. V.116. N.l-3. P. 264-270.

100. K.V. Ravi. The growth of EFG silicon ribbons. // J. Crystal Growth. 1979. V.39. P. 1-16.

101. К. Рейви. «Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии». Москва: Мир. 1984. 475 с.

102. Sridhar К. IYA. Production of ultra-high-purity polycrystalline silicon// J. of Crustal Growth. 1986. V.75. No.l. P.88.

103. Jastrebski L., Zanzucchi P., Thebault D., Lagowski J. Method to Measure the Precipitated and Total Oxygen Concentration in Silicon // J. Electrochem. Soc. 1982. V.129. N.7. P.1638-1641.

104. L. Hwang, J. Bucci, J.R. McCormik. Measurement of carbon concentration in polycrystalline silicon using FTIR // J. Elecrtochem. Soc. 1991. V.138. N.2. P.576.

105. Sumino К. H.R. Huff, R.J. Kriegler and Y. Takkeishi. Semiconductor silicon //1981, Pennington: The Electrochem. Soc., p. 208

106. M. Stavola and Snyder L.C. Defects in Silicon. // ed. Murray Bulis and L.S. Kimerling The Electrochem. Soc., 1983 p. 61

107. Bean A. R., Newman R. C. The Solubility of Carbon in Pulled Silicon Crystals // J. Phys. Chem. Solids.l 971.V.32, N 6. P. 1211-1219.

108. D. G. Mead, S. R. Lowry. Evaluation of Carbon and Oxygen Content of Silicon Wafers Using Infrared Absorption // Applied Spectroscopy. 1980. V.34. N.2. P.167-171.

109. P.G. Sennikov, T.V. Kotereva, A.G. Kurganov, B.A. Andreev ,H. Niemann ,

110. D.Schiel, V.V. Emtsev, H.-J.Pohl. Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon and oxygen impurities in isotopic enriched silicon 28 Si, 29 Si and 30 Si. // ФТП. 2005. T.39. B.3. C.320-326.

111. И.Д. Ковалев, Т.В. Котерева, A.B. Гусев, В.А. Гавва, Д.К. Овчинников Определение примесей кислорода и углерода в поликристаллическом кремнии методом ИК- спектроскопии. // ЖАХ 2008. Т.63. №3. С.274-278.

112. Ковалев И.Д., Потапов A.M., Котерева Т.В., Овчинников Д.К. Аналитический контроль получения высокочистого моноизотопного кремния. // IV Научная школа для молодых ученых «Высокочистые моноизотопные вещества». Н.Новгород 11 13 сентября 2006 г. С.15.

113. Девятых Г.Г, Иконников В.Б., Львов А.Ю., Михеев B.C., Прончатов А.Н. Изменение концентрации кислорода в расплаве кремния при его контакте с кварцевым стеклом.// Высокочистые вещества. 1993. №1. С.108.

114. В. Pajot. Properties of Crystalline Silicon //ed. Weiss В L, EMIS Data reviews Series 1998. No. 20. P. 496.

115. B.O. Kolbesen, "Semiconductor Silicon", Editors H. Huff and E. Sirte, // The Electrochemical Society Softbond Proceedings Series, Princeton, 1977. N.l. P.565.

116. Corbett J. W., McDonald R. S., Watkins G. D. The Configuration and Diffusion isolated Oxygen in Silicon and Germanium // J. Phys. Chem. Solids. 1964. V.25. N. 8. P. 873.

117. Кузакова Н.И., Немчинова H.B., Красин B.A. Изучение макро и микроструктуры кремния. //Современные проблемы науки и образования. 2007. №6. 4.3.