Рост и структура барьерных слоев MgO и YSZ для ориентированных пленок ВТСП тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Исаев, Александр Юрьевич

• Исаев, Александр Юрьевич
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Исаев, Александр Юрьевич

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОРИЕНТИРОВАННЫЙ РОСТ ПЛЕНОК (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)

1.1. Ориентированный рост на поверхности монокристаллов

1.1.1. Общие закономерности сопряжения кристаллических решеток и ориентация пленок

1.1.2. Природа множественности ориентаций

1.1.3. Пути подавления сопутствующих ориентаций

1.2. Ориентированный рост на неориентирующих аморфных подложках

1.2.1. Природа аксиальных текстур

1.2.2. Искусственная эпитаксия

1.2.3. Облучение растущей пленки пучком ионов с низкой энергией (1В АО-метод)

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ГЛАВА 2. СПОСОБЫ (МЕТОДЫ) ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ

ОБРАЗЦОВ, МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И МАТЕРИАЛЫ

2.1. Методы нанесения пленок

2.1.1. Термическое испарение

2.1.2 Электронно-лучевое испарение

2.1.3. Лазерное испарение

2.1.4. Осаждение тонких пленок при одновременном облучении подложки ионным пучком (1ВАЕ))

Мишень

Держатель подложек

Параметры осаждения

2.2 Методы исследования

2.2.1 Просвечивающая электронная микроскопия

2.2.2. Подготовка образцов для просвечивающей электронной микроскопии

Подготовка "plan view" образцов

Подготовка "cross-section" образца

2.2.3. Рентгеновская дифракция

9-29-сканирование

а-сканирование

ф-сканирование

Измерение биаксиальной текстуры с помощью 4-х кругового дифрактометра

2.2.4. Исследование сверхпроводящих свойств

2.3. Используемые материалы

2.3.1. Подложки

3.2.2. Электрохимическая полировка никелевых лент

2.3.3. Оксид циркония, стабилизированный оксидом иттрия (YSZ)

2.3.4. YBa2Cu307-x

ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

ЗЛ. Ориентация, морфология и субструктура пленок MgO на поверхностях (001) и (11 l)Si

3.2. Ориентация, морфология и субструктура пленок MgO на монокристаллических фольгах (001) Ni

3.3. Рост пленок YSZ с двухосной текстурой

3.3.1. Пленки YSZ на неориентирующих подложках

3.3.2. Влияние типа подложки на азимутальную текстуру пленок YSZ

3.3.3. Рост пленок YSZ на монокристаллических поверхностях YSZ

3.4. Обсуждение результатов исследования роста пленок YSZ при IBAD

3.4.1. Гомоэпитаксиальный рост пленок

3.4.2. Образование зародышевого слоя на начальной стадии роста пленки

3.4.3. Селективный рост зерен

3.5. Механизм образования биаксиальной текстуры в пленках

У8г

3.6. Пленки УВаСиО на текстурированных барьерных слоях МДО иУ8г

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Рост и структура барьерных слоев MgO и YSZ для ориентированных пленок ВТСП»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Интерес к исследованию высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) связан с перспективами их практического применения в таких областях как микроэлектроника /1, 2/ и энергетика /3, 4/. Исследования направлены как на поиск новых материалов с более высокой критической температурой (Тс), так и на изучение свойств уже полученных соединений с целью достижения наивысших значений плотности критического тока (7С). Всего на сегодняшний день известно более 100 соединений ВТСП, среди которых наиболее распространенными являются УВа2Си307_х (УВСО, Тс = 92 К) и соединения висмута В128г2Са1Си208+х (2212 В8ССО, Тс = 86 К) и (В1, РЬ)28г2Са2Си301(*х (2223 ВР8ССО, Тс= 110 К), на которых, в основном, и основаны разработки устройств микроэлектроники и сильноточной техники.

Анизотропия структуры ВТСП приводит к анизотропии как микроскопических, так и макроскопических свойств: плотность критического тока (1с), верхнее критическое поле (Нс2), пиннинговые характеристики. К совершенству структуры пленок ВТСП и, соответственно, к материалу подложек предъявляются специфические требования, соблюдение которых необходимо для достижения требуемых значений Наличие в пленках ВТСП болыпеугловых границ зерен с разориентацией > 10° снижает плотность критического тока, например, в УВСО, на 90 % /5/. Другое ограничение связано со свойством ВТСП как сверхпроводника 2-го рода. Поэтому, высоких значений плотности транспортного критического тока удается достигнуть только в эпитаксиальных пленках ВТСП. Например, в пленках УВСО с биаксиальной текстурой, в которых ось с направлена

7 2

перпендикулярно поверхности, достигнуты значения ~ 10 А/ см /6/.

Проблема получения эпитаксиальных пленок УВСО на целесообразных с точки зрения практического применения подложках, таких как кремний или металл, связана с активным взаимодействием на межфазной

границе. Один из эффективных путей его устранения — нанесение буферного слоя, исключающего реакцию, но обеспечивающего, в свою очередь, ориентированную кристаллизацию пленок YBCO.

Для изготовления проводников электрического тока на основе ВТСП необходимо разработать технологический процесс осаждения эпитаксиаль-ных пленок YBCO на гибких металлических подложках длиной от нескольких метров до одного километра. Один путь решения этой проблемы связан с разработкой способов создания текстурированных металлических фольг и последующим эпитаксиальным наращиванием барьерного слоя, второй — с разработкой способов выращивания биаксиально текстурированных барьерных слоев на поликристаллических подложках.

Структура и, соответственно, сверхпроводящие свойства пленок YBCO зависят от типа барьерного слоя и совершенства его текстуры. Например, плотность критического тока имеет почти экспоненциальную зависимость от угла азимутальной разориентации с-ориентированных зерен /5/. Таким образом, более высокие плотности критического тока в пленках YBCO могут быть достигнуты за счет улучшения текстуры барьерных слоев.

Цель работы — установление закономерностей формирования

барьерных слоев MgO и YSZ для выращивания эпитаксиальных пленок

6 2

YBCO с плотностью критического тока, превышающей 10 А/см .

Для ее достижения решали следующие задачи:

1. Исследование ориентированной кристаллизации пленок при электронно-лучевом испарении и конденсации MgO в вакууме.

2. Разработка способа получения длинномерных (до 50 мм) монокристаллических фольг Ni ориентации (001).

3. Исследование ориентированного роста пленок MgO на (001)Ni и разработка способа получения одноориентационных эпитаксиальных слоев MgO.

4. Исследования ориентационных и субструктурных превращений при росте пленок YSZ методом ионно-лучевого активированного осаждения (Ion

Beam Assisted Deposition — IBAD) на подложках различных типов и ориентации:.

5. Исследование критических параметров пленок YBaCuO на сформированных текстурированных барьерных слоях.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования были выбраны MgO и YSZ, как оптимальные материалы барьерных слоев, и YBCO, как материал ВТСП. Выбор этих материалов обусловлен следующими причинами. MgO относится к немногочисленной группе материалов на которых возможен ориентированный рост пленок YBCO с высокими критическими параметрами и формированием четкой межфазной границы. Однако, данные по ориентированной кристаллизации пленок MgO на кремнии или других подложках, используемых для выращивания пленок YBCO, практически отсутствуют. Наибольший экспериментальный материал по осаждению пленок с биаксиальной текстурой методом IBAD получен для YSZ. В то же время не исследованы закономерности формирования двухосных текстур YSZ.

Научная новизна. Основные результаты экспериментальных исследований ориентированной кристаллизации пленок MgO, YSZ и YBaCuO получены автором впервые и заключаются в следующем:

1. Показан эффект ювенильной поверхности Si в снижении температуры эпитаксиального роста пленок MgO при электронно-лучевом испарении и конденсации в вакууме.

2. Установлена природа многоориентационного зарождения пленок MgO на поверхности (OOl)Ni. Предложен способ получения одноориентационных эпитаксиальных пленок MgO на (OOl)Ni, основанный на уменьшении величины размерного несоответствия на межфазной границе путем конденсации тонкого (менее 50 нм) слоя Pd.

3. При ионно-лучевом осаждении пленок YSZ методом IBAD на неподогреваемых подложках YSZ обнаружен эффект гомоэпитаксии.

4. Установлены закономерности формирования биаксиальной текстуры [100]У82 на поверхностях УЪХ различных ориентаций.

5. Обнаружено образование зародышевого слоя в пленках УВСО. С учетом неоднородности субструктуры по толщине показано, что реально достижимая плотность критического тока в основном проводящем слое пленки УВСО превышает значения, рассчитываемые исходя из предположения однородной структуры.

Практическая значимость. Полученные в работе новые результаты углубляют знания о закономерностях процессов ориентированной кристаллизации пленок при осаждении, как на монокристаллических, так и на неориентирующих подложках. Установленные в работе закономерности роста эпитаксиальных пленок могут быть использованы при разработке технологического процесса создания приборов микроэлектроники и проводников электрического тока на основе пленок ВТСП.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. При электронно-лучевом испарении и конденсации в вакууме пленок М^О на ювенильную поверхность 81 реализуется совершенная параллельная ориентация пленок.

2. Размерный критерий ориентированной кристаллизации применим к парам материалов с различным типом связи: многоориентационная эпитаксия М^О на (001)№ (/0 = 0,17) и одноориентационная для М^О на Рё/(001)№ (/о = 0,08).

3. Формирование биаксиальной текстуры [100]У82 при осаждении пленок ионно-лучевым распылением с применением метода 1ВАБ на поверхностях YSZ других ориентаций происходит в результате непрерывного ориентационного превращения при превышении некоторой критической толщины гомоэпитаксиального слоя. Для заданной ориентации ионного пучка к текстуре [100], 1ВАБ подавляет гомоэпитаксиальный рост на поверхностях (110) и (111)У82.

4. Образование конечной биаксиальной текстуры [100]У82 не зависит от типа подложки.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Международных и Всероссийских научных конференциях, таких как Электронные материалы (Новосибирск, 1992 г.), 1СЕС-1СМС (Киев, 1992 г.), XIV конференция по тепловой микроскопии (Воронеж, 1992 г.), Европейская конференция по прикладной сверхпроводимости (Геттинген, 1993 г., Эдинбург, 1995 г. и Айновен, 1997 г.), III Вакуумная конференция (Харьков, 1993г.), 7-ой и 8-ой международные семинары по критическим токам в сверхпроводниках (Альпбах, 1994 г. и Китакуши, 1996 г.), Ежегодный физический семинар (Мюнстер, 1997 г. и Регенсбург, 1998 г.), Второй всероссийский семинар "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, 1999 г.).

Публикации. По материалам диссертации опубликованы 22 работы.

Личный вклад автора. Лично автором проведены эксперименты по подготовке образцов М§0/Б1 и MgO/Ni, а также все электронно-микроскопические исследования. Автор принимал непосредственное участие в экспериментах по осаждению пленок УБ2 и УВаСиО и анализе результатов рентгеноструктурных исследований.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, трех глав, основных результатов и выводов, списка цитируемой литературы. Весь объем составляет 138 страниц, включая 56 рисунков и 10 таблиц. В списке используемых источников 132 наименования.

Диссертация выполнена на кафедре физики ВГТУ в соответствии с планом работ по теме г/б 4.96 "Перспективные тонкопленочные материалы". Образцы \BAD-YSZ, УВаСиОЛЖ и УВаСиО/№ подготовлены в Центре функциональных материалов, электронно-микроскопические исследования проведены в институте металлофизики, рентгеноструктурные исследования проведены в институте кристаллографии г. Геттинген (Германия).

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Исаев, Александр Юрьевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. При наращивании пленок М^О методом электронно-лучевого испарения и конденсации в вакууме на ювенильную поверхность (111)81 реализуется параллельная ориентация, что показывает принципиальную возможность использования М§0 в качестве барьерного слоя для выращивания пленок ВТСП на кремнии. Эффект ювенильной поверхности проявляется также в снижении температуры эпитаксиального роста.

2. Установлено, что в системе М§0-(001)№ хорошо проявляется размерный критерий смены ориентаций с увеличением несоответствия параметров кристаллических решеток.

3. В соответствии с размерным критерием ориентированной кристаллизации происходит многоориентационное зарождение М§0 на (001)№, что затрудняет прямое использование в качестве эпитаксиального буферного слоя для ориентированного наращивания пленок ВТСП на №.

4. Для формирования одноориентационных пленок М^О на (001 )№ предложена модификация N1 тонким эпитаксиальным слоем Рс1 для обеспечения между решетками ГУ^О и металла размерного несоответствия /о < 0,1. При этом установлено, что вследствие преобладающей диффузии № в Рс1, высокое структурное совершенство пленок М^;0 может быть достигнуто при толщине слоя Р<1 около 50 нм.

5. На сформированной гетероэпитаксиальной структуре (001)№-Рё-М§0 получены ориентированные сверхпроводящие пленки УВа2Си307.х с Тс = с 'у

85 К и 1с = 5x10 А/см в нулевом магнитном поле.

6. Методами ПЭМ, ВРЭМ и микродифракции исследованы субструктурные и ориентационные изменения при росте пленок YSZ на различных подложках в процессе 1ВАЕ). Экспериментально показана возможность получения пленок с биаксиальной текстурой <100> на неориентирующих подложках. При этом установлено, что степень размытия азимутальной текстуры уменьшается постепенно с увеличением толщины пленки и достигает своего наименьшего значения (Афш = 5-7°), связанного с дивергенцией ионного пучка, при толщинах около 3 мкм.

7. Установлено, что образование биаксиальной текстуры (001)У82 при 1ВАБ не зависит от материала подложки, за исключением подложек из поликристаллических лент и монокристаллов на которых происходит эпитаксиальный рост пленок YSZ.

8. При ГОАБ УБг на поверхностях (110) и (111)У82 формирование конечной (биаксиальной) текстуры [100] происходит в результате непрерывного ориентационного превращения с увеличением толщины пленки от параллельной ориентации гомоэпитаксиального слоя, толщина которого не превышает 25 нм.

9. На пленках YSZ с биаксиальной текстурой получены эпитаксиальные пленки УВаСиО с высокими значениями плотности критического тока 1с =

Г л

1,2-2x10 А/см на технических поликристаллических подложках. Различные значения 1С отдельных пленок УВаСиО связаны с разной степенью азимутальной разориентации зерен. Более высокие плотности критического тока могут быть достигнуты за счет улучшения текстуры барьерных слоев У82.

10.В пленках УВаСиО, полученных методом импульсного лазерного испарения, обнаружено образование переходного (зародышевого) слоя, 1с которого на несколько порядков ниже по сравнению с основным (верхним) эпитаксиальным слоем. Соответствующий перерасчет плотности критического тока только для основного эпитаксиального слоя дает

6 2 значение 1-, большее чем 3-4x10 А/см .

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Анализ состояния проблемы ориентированной кристаллизации пленок при росте из паровой фазы показывает, что к настоящему времени, не только накоплен обширный экспериментальный материал для различного рода систем пленка-подложка, но и достаточно полно сформулированы критерии, позволяющие прогнозировать кристаллографические соотношения при росте пленок. Разработаны способы стимулирования ориентированного роста. Это позволяет осуществлять целенаправленный выбор как компонентов проектируемых; гетероструктур для обеспечения соответствующих взаимных ориентаций фаз, так и способов, позволяющих выращивать пленки необходимого материала с заданной ориентацией. В то же время, в связи с развитием исследований в области высокотемпературной сверхпроводимости обострилась актуальность проблемы получения пленок ВТСП с высокими критическими параметрами на подложках разного типа (металл, кремний). Проблема осложняется тем, что в большинстве случаев сложные оксиды активно взаимодействуют с металлами и кремнием. Поэтому необходима реализация соответствующих способов подавления этого взаимодействия с одновременным обеспечением возможности ориентированного роста пленок ВТСП.

ГЛАВА 2. СПОСОБЫ (МЕТОДЫ) ПОЛУЧЕНИЯ ГГ5!ЁШ1НЫХ

ОБРАЗЦОВ, МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И МАТЕРИАЛЫ

2.1. Методы нанесения пленок

К моменту открытия ВТСП были уже хорошо разработаны различные методы тонкопленочной технологии, применяемые в микроэлектронике. И на сегодняшний день ВТСП пленки с высокими критическими параметрами могут быть получены с помощью различных методов осаждения. Выбор одного из них определяется конкретными задачами, стоящими перед исследователем.

В данной работе пленки УВаСиО получали методом импульсного лазерного испарения. Монокристаллические никелевые фольги толщиной до 30 мкм, которые в дальнейшем использовали в качестве подложек для пленок УВаСиО, промежуточные слои палладия и барьерные слои М§0 выращивали методом электронно-лучевого испарения. Пленки Аи и Р1 для модификации поверхности монокристаллических никелевых фольг осаждали методом термического испарения. Барьерные слои У82 получали ионно-лучевым распылением с использованием метода 1ВАЕ). Ниже дается краткое описание каждого из этих методов.

2.1.1. Термическое испарение

Важным моментом при получении пленок методом термического испарения является выбор материала испарителя. Для избежания загрязнения осаждаемых пленок, вещество испарителя должно иметь при рабочей температуре незначительную упругость пара. Материалами, отвечающими этим требованиям, являются тугоплавкие металлы и окислы. Дальнейший выбор определяется учетом вероятности образования сплавов и возможности возникновения реакций между веществом испарителя и испаряемым веществом. Образование сплава часто сопровождается значительным уменьшением температуры плавления, что может привести к быстрому разрушению испарителя. В результате химических реакций образуются легко испаряющиеся соединения, которые загрязняют пленку. К дополнительным факторам, влияющим на выбор материала испарителя, относятся: возможность получения требуемой формы (проволоки, широкой ленты или тигля) и возможность его нагрева различными способами. В данной работе для испарения Аи и Р1 применяли проволочные испарители. Золото хорошо смачивает вольфрам и не взаимодействует с ним, поэтому для осаждения Аи использовали испаритель в виде корзиночки. Платина, как известно, образует сплавы с вольфрамом. В этом случае количество испаряемого вещества должно быть мало по сравнению с массой нити испарителя. Если расплавленное испаряемое вещество сосредотачивается в одном месте испарителя, то последний быстро разрушается. Поэтому для осаждения Р1 использовали испаритель в виде спирали. Платиновую проволоку раскатывали до тонкой фольги, короткие лепестки которой равномерно распределяли по всей длине испарителя. Температура № подложки, при нанесении на нее слоев Аи и Р1 составляла Тп = 770 К, а давление остаточных паров в вакуумной камере - 1,33х10"4 Па.

2.1.2 Электронно-лучевое испарение

В данной работе для испарения материалов использовалась электронная пушка с изгибом траектории электронного пучка. Такая конструкция позволяет эффективно разделить на малом расстоянии электронную пушку и источник паров. Поперечное магнитное поле создавали электромагнитом. Фокусировку пучка осуществляли с помощью фокусирующих электродов, на которые подавался отрицательный потенциал. Специальная конструкция водоохлаждаемой медной подставки для испаряемого вещества позволяла проводить последовательное осаждение нескольких материалов (например, Рс1 и ]У^О) без нарушения вакуума в рабочем объеме. Практическое преимущество метода электронного испарения заключается в возможности получения пленок высокой чистоты в случае испарения тугоплавких (как, например, 1^0) или реактивных (как, например, N1) материалов, если отсутствует подходящее вещество для испарителя.

С учетом необходимости получения свободных фольг образцы размером 50x5 мм и толщиной 20 мкм получали методом электроннолучевого испарения при рабочем давлении 1,33x10"4 Па на поверхности монокристалла ЫаС1 соответствующего размера при температуре подложки Тп = 673-773 К. Фольги выращивали как на свежесколотой, так и на полированной поверхности.

Для уменьшения величины несоответствия между кристаллическими решетками и N1 (17,8 %) на поверхности никелевой фольги, находящейся при Тп = 770 К, осаждали тонкий слой различных металлов с промежуточными величинами параметра кристаллической решетки по сравнению с № и (табл. 2.1).

При осаждении пленок Рс1 температуру № фольги изменяли от комнатной до 770 К.

С целью исследования влияния толщины промежуточного слоя Рс1 на структуру и ориентацию пленок М^О толщину пленок Рс1 изменяли от 10 нм до 50 нм.

Пленки М£,0 выращивали электронно-лучевым испарением и конденсацией в вакууме 1,33x10"4 Па при Тп = 773 К.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Исаев, Александр Юрьевич, 1999 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Mannhart J., Bednorz J. D., Catana A., Gerberg C. and Schlom D. G. Materials and Crystallographic aspects of High-Tc Supercocductivity / Edited by Kaldis E. V. 263.- 1993.-P. 453-459.

2. Kratz H. A. Applications of High Temperatuer Superconductors in Real Time Signal Processing // Applied Superconductivity / Editor H. C. Freyhardt- DGM Iformationsgesellschaft Verlag, 1993 .-P. 1553-1562.

3. Ashworth S. P. and Slaughter R. J. The Technical and Economic Feasibility of High Temperatuer Superconducting Power Transmission Cables // Applied Superconductivity / Editor H. C. Freyhardt - DGM Iformationsgesellschaft Verlag, 1993.-P. 879-891.

4. Papst G. Present and Futuer Applications of HTS Wire // Applied Superconductivity / Editor H. C. Freyhardt - DGM Iformationsgesellschaft Verlag, 1993.-P. 155-164.

5. Dimos D., Chaudhari P. and Mannhart J. Superconducting transport propoties of grain boundaries in УВа2Си307 bicrystals // Physical Review В.- V. 41.- № 7-1990.-P. 4038-4049.

6. Kromann R., Bilde-Sorensen J. В., de Reus R., Andersen N. H., Vase P., Freltoft T. Relation between initial current densities and epitaxy of YBa2Cu307 thin films on MgO (100) and SrTi03 (100) // J. Appl. Phys.- V. 71.- 1992.- P. 3419-3425.

7. Pashley D. W., The nucleation, growth, structure and epitaxy of thin surface films // Adv. Phys.- V. 14.- 1965.- P. 327-410.

8. Палатник Л. С., Папиров И. И. Ориентированная кристаллизация - М.: Металлургия, 1964.-408 с.

9. Палатник Л. С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки- М.: Металлургия, 1971.-408 с.

10. Палатник JI. С., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок - М.: Наука, 1972 - 320 с.

11. Иевлев В. М., Трусов Л. И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках.- М.: Металлургия, 1988 - 326 с.

12. Кузнецов А. В., Семилетов С. А. и Чаплыгин Г. В. Ориентация нитрида галлия на сапфире // Рост кристаллов - М.: Наука - т. 15 - 1986 - С. 14-23.

13. Иевлев В. М., Кущев С. Б., Комбаров В. В. Электронно-микроскопическое исследование закономерностей ориентированной кристаллизации пленок Мо на флюорите // Изв. АН СССР. Сер. физич.-1980.-т. 44.-№6.-С. 1253-1256.

14. Бугаков А. В., Иевлев В. М., Иевлев В. П. Ориентационные соотношения на границе раздела эпитаксиальных пленок // ФММ- 1980-т. 50.- Вып. 2.- С. 427-430.

15. Иевлев В. М., Бармина Н. В., Аммер В. А. Ориентация и структура пленок Au на ювенильной поверхности (11 l)Bi //Кристаллография - 1982-т. 27.-Вып. 6.-С. 1200-1203.

16. Bollmann W. Crystal Defects and Crystalline Interfaces - Berlin: Springer Verlag, 1970.-270 p.

17. Иевлев В. M., Бугаков А. В., Бармина Н. В. Применение теории 0-решетки к анализу ориентационных соотношений на межфазной границе подложка-пленка // Поверхность. Физика, химия, механика - 1984.-№ 5 - С. 21-28.

18. Иевлев В. М., Бугаков А. В. Межфазные границы совпадения в системе золото-кремний // ФТТ.- 1977 - т. 19.- С. 3128-3130.

19. Бармина Н. В., Иевлев В. М. Ориентация и структура пленок висмута на ювенильной поверхности цинка // ФММ - 1983.- т. 56 - Вып. 2- С. 413416.

20. Бугаков А. В., Иевлев В. М., Ирхин Б. П. Энергия и релаксированная атомная структура межфазных границ в металлических системах с ГЦК-

решеткой: энергия границ различных ориентаций // Поверхность. Физика, химия, механика - 1983 .-№ 2 - С. 97-105.

21. Иевлев В. П. Ориентация, структура и субструктура двухслойных металлических пленок (системы Au-Ni, Au-Fe, Au-Cr, Ni-Fe, Ni-Cr, Au-Co) : Автореф. дис.... канд. физ.-мат. наук-Воронеж, 1997 .- 16 с.

22. Иевлев В. М., Даринский Б. М., Бугаков А. В. Ориентационные соотношения при эпитаксиальном росте металлических пленок на мусковите и фторфлогопите // ФММ.- 1976.- Т. 42.- С. 1236-1240.

23. Markov J, Kashchiev D. The effect of substrate inhomogeneity on the kinetics of heterogeneous nucleation from vapours // Thin Solid Films - 1973- V. 15.-P. 181-189.

24. Иевлев В. M., Бугаков А. В. Ориентированная кристаллизация пленок-Воронеж: Изд-во ВГТУ, 1998.-216 с.

25. Kotze I. A., Lombaard J. С., Henning С. А. О. The accomodation of epitaxial metal embryos on virgin alkali halide surfaces // Thin Solid Films-1974.- V. 23.-P. 221-232.

26. Точицкий Э. И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок-Минск: Наука и техника - 1976 - 376 с.

27. Чопра К. JI. Электрические явления в тонких пленках: Пер. с англ.- М.: Мир, 1972.-435 с.

28. Олыпанецкий Б. 3. Структурные переходы на чистых поверхностях однокомпонентных полупроводников. Препринт ИФПП СО АН СССР-Новосибирск, 1970 - 10 с.

29. Метьюз Дж. У. // В кн.: Физика тонких пленок. Т. 4: Пер. с англ.- М.: Мир, 1979.-С. 167-227.

30. Постников В. С., Иевлев В. М., Аммер В. А. и др. // В кн.: Ядерно-радиационная физика и технология.- Тула: ТПИ, 1976- С. 69-74.

31. Росляков Т. Л., Гусев О. В., Шоршоров М. X. // В кн.: Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Материалы V Всесоюзн. Конф.- Минск, 1979.-С. 175-178.

32. Постников В. С., Моргунов В. Н., Золотухин И. В. О зародышеобразовании золота на ионных кристаллах // ФТТ- 1970 - Т. 12-С. 2974-2976.

33. Постников В. С., Иевлев В. М., Моргунов В. Н., Золотухин И. В. Влияние ионизации молекулярного пучка на ориентированный рост металлических пленок // Нитевидные кристаллы и тонкие пленки. Ч. 2-Воронеж: Изд. ВПИ, 1970.-С. 87-93.

34. Постников В. С., Иевлев В. М., Моргунов В. Н., Золотухин И. В. Рост металлических пленок при конденсации из пучка, облученного электронами // ФММ.- 1970.- Т. 29.- С. 441-442.

35. Дистлер Г. И., Власов В. П., Герасимов Ю. М., Кобзарева С. А., Кортукова Е. И., Лебедева В. Н., Москвин В. В., Шенявская Л. А. Декорирование поверхности твердых тел - М. Наука, 1976.

36. Stenzel Н., Bethge Н. An investigation of heterogeneous nucleation on point defects // Thin Solid Films.- V. 32.- 1976.- P. 267-270.

37. Нитевидные кристаллы и тонкие пленки. Ч. 2: Матер. II Всесоюзн. Конф.-Воронеж: ВПИ.-1975.

38. Власов В. П., Дистлер Г. И. Отсутствие эпитаксии первичных зародышей при эпитаксиальном росте AgCl и PbS // ФТТ - Т. 17 - 1975 - С. 1183-1185.

39. Chopra К. L. Growth of thin metal films under applied electric field // Appl. Phys. Lett.-V. 7.- 1965.-P. 140-142.

40. Chopra K. L. Influence of electric field on the gowth of thin metal films // J. Appl. Phys.-V. 37.- 1966.-P. 2249-2254.

41. Messier R. and Yehoda J. E. Geometry of thin-film morphology // J. Appl. Phys.-V. 58.- 1985,- P. 3739-3746.

42. Lichter S. and Chen J. Model for columnar microstructure of thin solid films // Phys. Rev. Lett.-V. 56.- 1986,- 1396-1399.

43. Givargisov E. I. Highly-Anisotropic Crystals, Reidel, Dordrecht, 1987.

44. Adamczewska J. and Budzynski T. Stress in chemically vapour-deposited silicon films // Thin Solid Films.- V. 113.- 1984.- P. 271-285.

45. Bityurin Y. A., Gaponov S. V., Gudkov A. A. and Mironov V. L. Artificial epitaxy in an elastic strain field // J. Cryst. Growth.- V. 73.- 1985.- P. 551-557.

46. Cahn R. W. Recovery and recrystallization, in Physical Metallurgy, Cahn R. W. and Haasen P., Noth-Holand, Amsterdam, 1983.- P. 1595-1671.

47. Sheftal N.N. and Bouzynin N.A. Preferred orientation of crystallites on the substrate and effect of scratches // Вести. Моск. Унив., Сер. Геолог - 1972 - V. 27.- №3.- Р. 102-104.

48. Sheftal N.N. Trends in real crystal formation and some principles of for single crystal growth//Growth of Crystals, New York, 1976.-V. 10.-P. 185-210.

49. Klykov V.I., Sheftal N.N. and Hartmann E. Artifitial epitaxy (diataxy) of silicon and germanium // Acta Phys. Acad. Sci. Hung - 1979 - V. 47 - P. 167-183.

50. Givargisov E.I., Sheftal N.N. and Klykov V.I. Diataxy (graphoepitaxy) and other approaches to oriented crystallization on amorphous substrates // Curr. Top. Mater. Sci.- 1982.-V. 10.-P. 1-53.

51. Smith H.I., Flanders D.C. Oriented of crystal growth on amorphous substrates using artificial surface-relief gratings // Appl. Phys. Lett- 1978 - V. 32.-P. 349-350.

52. Bland R.D., Kominiak G.J. and Mattox M. Effect of ion bombardment during deposition on thick metal and ceramic deposits // J. Vac. Sci. Technol-1974.-V. ll.-№ 4.-P.671-674.

53. Bunshah R.F. Deposition technologies for films and coatings. Park Ridge, NJ, Noyes Publications. 1982.

54. Yu L.S., Harper J.M.E., Cuomo J.J., Smith D.A. Alignment of thin films by glancing angle ion bombardment during deposition // Appl. Phys. Lett - 1985 - № 47. P.932-933.

55. Iijima Y., Onabe K., Futaki N., Tanabe N., Sadakata N., Kohno O., Ikeno Y. In-plane texturing control of Y-Ba-Cu-O thin films on polycrystalline substrates by ion-beam-modified intermediate buffer layers // IEEE Trans. Applied Superconductivity.- 1993.-V. 3.-№ l.-P. 1510-1515.

56. Dobrev D. Ion-beam-induced texture fomation in vacuum-condensed thin metal films // Thin solid films.- 1982.- V.92.- P.41-47.

57. Yu L.S., Harper J.M.E., Cuomo J.J., Smith D.A. Control of thin film orientation by glancing ion bombardment during growth // J. Vac. Sci. Technol-1986.-V.A4.- P. 443-447.

58. Sonnenberg N., Longo A.S., Cima M.J., Ressler K.G., Mclntyre P.C., Liu Y.P. Preparation of biaxially aligned cubic zirconia films on pyrex glass substrates using ion-beam assisted deposition // J. Appl. Phys- 1993- V. 74- № 2 - P. 1027-1034.

59. Roosendaal M.T. Topics in Applied Physics 47, Spattering by Particle Bombardment I. Springer Verlag, Berlin, 1981.

60. Фельдман Д., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М. Мир, 1989. 344 С.

61. Feldmann L.C., Mayer J.W.,Picraux S.T. Materials Analysis by Ion Channeling. Academic Press, New York, 1982.

62. Robinson M. T. Topics in Applied Physics, v. 47, Sputtering by Particle Bombardment I, Herausg.: Springer Verlag, Berlin, 1981.

63. Elich J. J., Roosendaal H. E., Onderdelinden D. Precision measurement on angular and temperature dependens of sputtering // Radiat. Eff- V. 14 - 1972 - P. 93-98.

64. Usoskin A., Freyhardt H.C. und Neuhaus W., Patentschrift: Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats unter Verwendung einer gepulsten Quelle, Aktenzeichen P 42 28 573.9-45, Deutsches Patentamt, München (1992).

65. Maul M., Eckhardt H., Adrian H., Steinborn T. and Fuess H. Thin Films on Metallic Substrates with Biaxially Aligned Buffer Layers Made by Ion Beam Assisted Deposition // Applied Superconductivity- V. 1- DGM Informationsgesellschaft, Oberursel.- 1993.- P. 521 -528.

66. Betz V., Holzapfel В., Schultz L. In situ reflection high energy electron bombardment analysis of biaxially oriented yttria-stabilized zirconia thin film growth on amorphous substrates // Thin Solid Films - V. 301- 1997a - P. 28-34.

67. Iijima Y., Tanabe N., Kohno O. and Ikeno Y. In-plane aligned YBa2Cu307_x thin films deposited on polycrystalline metallic substrates // Appl. Phys. Lett - V. 60.-№ 6.- 1992.- P. 769-771.

68. Хирш П., Хови А., Николсон П., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов.- М: Мир, 1968 - 274 с.

69. Томас Г., Гориндж М. Дж. Просвечивающая электронная микроскопия материалов // М. Наука, 1983 - 320 с.

70. Спенс Дж. Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения // М. Наука, 1986.- 320 с.

71. Neff Н., Grundlagen und Anwendung der Röntgen-Feinstrukturanalyse, R.01denbourg, München. 1962.

72. Kleber. K. Kristallographie. 7. Auflage VEB Berlin, 1963.

73. Tietz Lisa A., and Carter Barry C. Crystallography of УВа2Си306+х thin film-substrate interfaces // J. Mater. Res.- V. 4.- № 5.- 1989.- P. 1072-1081.

74. Fenner D.B., Viano A.M., Fork D.K., Connell G.A.N., Boyce J.B., Ponce F.A. and Tramontana J.C. Reaction at the interface of thin films of Y-Ba-Cu- and Zr- oxides with Si substrates // J. Appl. Phys.- 1991.- V. 64.- № 4.- P. 2176-2182.

75. Schlom D. G., Hellman E. S., Hartford E. H., Eom С. B. and Jr., Clark J. C., and Mannhart J. Origin of the ф ~ ± 9° peaks in YBa2Cu307_5 films grown on cubic zirconia substrates // J. Mater. Res - 1996.- V. 11.- № 6.- P. 1336-1348.

76. Copetti C.A., Soltner H., Schubert J., Zander W., Hollricher О., Buchal Ch., Schulz H., Tellman N. and Klein N. High quality epitaxy of YBa2Cu307-x on silicon-on-sappfire wiht the multiple buffer layer YSZ/Ce02 // Appl. Phys. Lett-1993.-V. 63.-№ 10.-P. 1429-1431.

77. Pechen E.V., Schoenberger R, Brunner В., Renk K.F., Sidorov M.V., and Oktyabrsky S.R. Epitaxial growth of YBa2Cu307_5 films on oxidized silicon with yttria- and zirconia-based buffer layers // J. Appl. Phys - 1993- V. 74- № 5 - P. 3614-3616.

78. Bardal A., Eibl О., Matthee Th., Friedl G. and Wecker J. High-resolution electron nicroscopy of epitaxial YBC0/Y203/YSZ on Si(001) // J. Mater. Res.-1993.- V. 4.- № 9.- P. 2112-2127.

79. Goyal A., Norton D.P., Budai J.D., Paranthaman M., Specht E.D., Kroeger D.M., Christen D.K., He Q., Saffian В.,List F.A., Lee D.F., Martin P.M., Klabunde C.E., Hartfield E., and Sikka V.K. High critical current density superconducting tapes by epitaxial deposition of YBa2Cu3Ox thick films on biaxially textured metals // Appl. Phys. Lett.- 1996.- V. 69.- P. 1795-1804.

80. Усоскин А. И., Цуканова И. H. Проблемы получения текстурированных ВТСП пленок методом лазерного импульсного осаждения // Физика низких температур.- 1992.- Т. 18.- № 4,- С. 342-349.

81. Tegart W. G. The electrolytic and chemical polishing of metals - 1959.

82. Вайнер Я. Технология электорохимических покрытий - 1976.

83. Garcia-Moreno F., Sievers S., Issaev A., Pieper W., Dzick J., Wiesmann J., Hoffmann J., Heinemann K., Usoskin A., und Freyhardt H.C. Laserdeposition von HTSL-Filmen auf langen metallischen Bändern und Rohren // Physikertagung, Regensburg, 1998.- S. 235.

84. Scott M. G. Phase relationships in the Zirconia-Yttria system // J. Mater. Sci.- 1975-№ 10.-P. 1527-1532.

85. Pies Weis Landolt Bornstein Data III/7bl. 1976.

86. Stubican V. S., Hink R. C., Ray S. P. // J. Am. Ceram. Soc.- 1978.- V. 61.-P. 18-23.

87. Hund F. // Z. f. Elektrochemie.- 1951.- V. 55.- P. 365-371.

88. Bell A. M. Calculated x-ray powder diffraction patterns and theoretical densities for phases encountered in investigationes of Y-Ba-Cu-O superconductors // Supercond. Sci.Technol - V. 3.- 1990.- P. 55-61.

89. Высокотемпературные сверхпроводники / А. У. Слейт, P. П. Мессмер,

V

Р. Б. Мерфи и др.; Под ред. Д. Нелсона- М.: Мир, 1988 - 400 с.

90. Иевлев В.М., Исаев А.Ю., Рубцов В.И. Эффект ювенильной поверхности при росте плёнок MgO на (111) Si // Поверхность. Физика, химия, механика - 1993.-№ 2-С. 63-66.

91. Иевлев В.М., Исаев А.Ю., Тураева Т.Л., Ермолов С.Н. Получение ориентированных барьерных слоев на кремнии для выращивания эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников // Тез. докл. конф. по электронным материалам. Новосибирск, 1992 - С. 181.

92. Постников B.C., Иевлев В.М., Моргунов В.Н., Золотухин И.В. Декорирование золотом различных граней кристаллов NaCl и КС1 // Кристаллография.- 1971,-Т. 16.-С. 971-977.

93. Ievlev V.M., Isaev A.Yu., Ermolov S.N. Superconducting УВа2Сиз07.х films on metal substrate // Proceeding of the European Conference on Applied Superconductivity. Gottingen, 1993-P. 525-528.

94. Иевлев B.M., Исаев А. Ю., Ермолов С.Н. Получение ориентированных барьерных слоев на металлических подложках для выращивания плёнок ВТСП // Тез. докл. XIV конф. по тепловой микроскопии. Воронеж, ВПИ, 1992.-С. 148.

95. Бугаков A.B., Иевлев В.М. Закономерности ориентированной кристалли- зации для систем с большим несоответствием // Рост и структура тонких пленок и нитевидных кристаллов. Воронеж, 1989 - С. 10-16.

96. Пайдасси Ж. Окисление никеля // Окисление металлов. Под ред. Ж.Бенаре. В 2-х томах. Т.2. М. Металлургия, 1969.- С. 107-117.

97. Барабаш О. М., Коваль Ю. Н. Структура и свойства металлов и сплавов - Киев: Наукова думка, 1986 - 698 с.

98. Ievlev V. М., Isaev A. Y. Heteroepitaxial structures for the growth of HTSC films // Proceedings of the 7-th International Workshop on Critical Currents in superconductors- Alpbach, 1994-P. 633-638.

99. Иевлев B.M., Исаев А.Ю. Гетероэпитаксиальные структуры для выращивания плёнок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) на металлических и полупроводниковых подложках // Научные труды III Вакуумной конференции. Харьков, 1993- С. 4.

100. Иевлев В. М., Исаев А. Ю. Гибкая композиционная подложка для ориентированной кристаллизации пленок ВТСП // Тонкие пленки и нитевидные кристаллы: Межвуз. сб. науч. тр.- Воронеж: ВПИ, 1993- С. 38-41.

101. Wiesmann J. Herstellung und Charakterisierung von texturierten Ce02 und YSZ Pufferschichten auf technischen Substraten: Diplomarbeit- Institut für Metallphysik, Universität Göttingen, 1994 - 98 s.

102. Ressler K. G., Sonnenberg N. and Cima M. J. Ion Beam-Assisted Deposition of Diaxially Aligned Ce02 and Zr02 Thin Films on Amorphous Substrates // Materials Research Society Symposium Proceedings - V. 316 - 1994- P. 83-89.

103. Knierim A. Untersuchungen zur Texturierung von Zirkonoxid-Schichten auf untexturierter Unterlage durch die ionenstrahlunterstützte Deposition — Herstellung von YBa2Cu307.x Filmen hoher kritischer Stromdichte auf Metallsubstraten // Diss. Dr. der Naturwissenschaft - Fakultät für Physik, Karlsruhe, 1997 - 118s.

104. Rao M. S. R, D'Souza C. P., Apte P. R., Pinto R., Gupta L. C., Sronovas S. and Bhatnagar A. K. Microstructural study of yttria stabilised zirconia buffered sapphir for YBa2Cu307-§ thin films // J. Appl. Phys.- V. 79.- 1996.- P. 940-947.

105. Koch T., Ziemann P. Effects of ion-beam-assisted deposition on the growth of zirconia films // Thin Solid Films.- V. 303.- 1997.- P. 122-129.

106. Sonnenberg N., Longo A. S., Cima M. J., Chang B. H., Ressler K. G., Mclntyre P. C. and Liu Y. P. Preparation of biaxially aligned cubic zirconia films on pyrex glass substrates using ion-beam assisted deposition // J. Appl. Phys - V. 74.-№ 2.- 1993.-P. 1027-1034.

107. Wu X D., Foltun S. R., Arendt P., Townsend J., Adams C., Campbell I. H., Tiwari P., Coulter Y. and Peterson D. E. High current YBa2Cu307.§ thick films on flexible nickel substrates with textured buffer layers // Appl. Phys. Lett - V. 65-№ 15.-1994.-P. 1961-1963.

108. Mao Y. J., Ren C. X, Yuan J., Zhang F., Liu X H. and Zou S. C. Study on the growth of biaxially aligned yttria-stabilized zirconia films during ion beam assisted deposition // J. Vac. Sei. Technol. A.- V. 15.- № 5.- 1997 - P. 26872698.

109. Iijima Y., Hosaka M., Tanabe N., Sadakata N., Saitoh T., Kohno O. and Takeda K. Processing and Transport Characteristics of YBCO Tape Conductors Formed by IBAD Method // Applied Superconductivity, Special Issue: YBCO Conductor Development for Large Scale Applications - 1998 - P. 17-26.

110. Smidt F. A. Use of ion beam assisted deposition to modify the microstructure and properties of thin films // International Materials Reviews - V. 35.-№2.- 1990.-P. 61-128.

111. Wiesmann J. Wachstum von biaxial texturierten YSZ-Diinnfilmen mittels ionenstrahlunterstützter Deposition: Diss. Dr. der Naturwissenschaft - Institut fur Metallphysik-, Universität Göttingen, 1998 - 120 s.

112. Je J. H., Noh D. Y., Kim H. K., Liang K. S. The crossover of preferred orientation in TiN film growth: A real time x-ray scattering study // J. Mater. Res - V. 12.- 1997.-P. 9-16.

113. Ying F., Smith R. W., Srolovitz D. J. The mechanism of texture formation during film growth: The roles of preferential sputtering and shadowing // Appl. Phys. Lett.- V. 69.- № 20.- 1996.- P. 3007-3009.

114. Bradley R. M., Harper J. M. E., and Smiht D. A. Theory of thin-film orientation by ion bombardement during deposision // J. Appl. Phys- V. 601986.- P. 4160-4167.

115. Berti M., Drigo A. V., Cohen C., Siejka J., Tosic M. M. Channeling in virgin and Yb implanted Yttria Stabilized Zirconia Crystals // Nuclear Instruments Methods B.- V. 199.- 1982.- P. 605-611.

116. Geerk J., Linker G., Meyer O. // Materials Science Report - V. 4 - 1989 - P. 193-197.

117. Bell A.M.T. Calkulated X-ray powder diffraction patterns and theoretical densities for phases ecountered in investigations of Y-Ba-Cu-O superconductors // Supercond. Sci. Technol- 1990,-№ 3.-P. 55-61.

118. Skofronick G. L., Carim A. H., Foltun S. R., Muenchausen R. E. Orientation of YBa2Cu307^ films on unbuffered and Ce02-buffered yttria-stabilized zirconia substrates // J. Appl. Phys.-. 1994.- V. 76.- № 8.- P. 4753-4760.

119. Vuchic B., Merkle K. L., Char K., Buchholz D. B., Chang R. P. H., Marks L. D. Bi-epitaxial grain boundaries in YBa2Cu307_x thin films prepared by pulsed laser deposition and pulsed organometallic beam epitaxy: Direct comparison of properties and grain boundary structure // J. Mater. Res - 1996 - V. 11- № 10 - P. 2429-2439.

120. Schlom D. G., Hellman E. S., Hartford E. H., Eom Jr., Eom C. B., Clark J. C., Mannhart J. Origing of the <j) ~ ± 9° peaks in YBa2Cu307-8 films grown on cubic zirconia substrates // J. Mater. Res.- 1996.- V. 11- № 10.- P. 1336-1348.

121. Skofronick G. L., Carim A. H., Foltun S. R., Muenchausen R. E. Interfacial reaction products and film orientation in YBa2Cu307.;r on zirconia substrates with and without Ce02 buffer layers // J. Mater. Res.- 1993.- V. 8.- № 11.- P. 27852798.

122. Broorsson G., Olsson E., Ivanov Z. G., Stepantsov E. A., Alarco J. A., Boikov Yu., Berastegui P., Langer V., Lfgren M. // J. Appl. Phys. -.1994- V. 75.-№4.-P. 7958-7963.

123. Usoskin A. I., Freyhardt H. C., Garcia Moreno F., Sievers S., Popova O., Heinemann K., Hoffmann J., Wiesmann J. and Isaev A. Growth of HTSC films with high critical current on polycrystalline technical substrates. // Applied Superconductivity, IOP Conference Series № 148, IOP Publishing, Bristol, 1995, P. 499-452.

124. Garcia-Moreno F., Usoskin A., Freyhardt H.C., Issaev A., Wiesmann J., Dzick J., Hoffmann J., and Heinemann K. High critical current densities in YBCO films on technical substrates // Applied Superconductivity, IOP Conference Series № 158, IOP Publishing, Bristol, 1997.- P. 111.

125. Garcia-Moreno F., Usoskin A., Issaev A., Wiesmann J., Dzick J., Hoffmann J., Heinemann K., und Freyhardt H.C. Hohe kritische Stromdichten in YBCO-Filmen auf polykristallinen technischen Substraten // Frühjahrstagung, Münster.-1997.-S. 1011.

126. Ermolov S.N., Bliznyk V.A., Ievlev V.M., Isaev A.Yu., Lykhin V.A.. YBCO thin films current-carrying elements on metallic substrate // IEEE Trans, of Appl. Superconductivity.- 1995.- V.5.- №2.-P.1929-1931.

127. Bliznyuk V.A., Ermolov S.N., Ievlev V.M., Isaev A.Yu. and Lykhin V.A. Crystallisation of YBa2Cu307.x films on metal substrates // Prociding of the JCEC-JCMC. Kiev, 1992.-P. 32-36.

128. Freyhardt H.C., Hoffmann J., Wiesmann J., Dzick J., Heinemann K., Isaev A., Usoskin A., Garcia-Moreno F. Y-123 Films on Technical Substrates // Applied

Superconductivity, Special Issue: YBCO Conductor Development for Large Scale Applications, 1998.- P. 435-446.

129. Freyhardt H. C., Hoffmann J., Wiesmann J., Dzick J., Heinemann K., Isaev A., Garcia-Moreno F., Sievers S., Usoskin A. YBaCuO thick films on planar and curved technical substrates // IEEE Trans, on Appl. Superconductivity - 1997 - V. 7.-P. 1426-1432.

130. Garcia-Moreno F., Usoskin A., Issaev A., und Freyhardt H.C. Ungewöhnliche Nukleationsschicht von YBCO-Filmen auf polykristallinen technischen Substraten // Frühjahrstagung, Münster, 1997 - S. 974.

131. Usoskin A.I., Garcia Moreno F., Freyhardt H.C., Jockel D., Wiesmann J., Heinemann K., Isaev A., Dzick J. and Hoffmann J. Observation and investigations of a nucleation layer in high-Jc YBCO films deposited on polycrystalline substrates // Applied Superconductivity, IOP Conference Series № 158, IOP Publishing, Bristol, 1997.-P. 1085-1091.

132. Issaev A., Garcia-Moreno F., Usoskin A., Wiesmann J., und Freyhardt H.C. TEM-Untersuchung von HTSL YBaCuO-Filmen auf keramischen YSZ-Bändern // Frühjahrstagung, Münster, 1997 - S. 974.