Исследование влияния характера связи на структуру и ионно-электронный перенос в низкоразмерных соединениях CuCr1-x V x S2 (ОK| тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.14, кандидат физико-математических наук Габитов, Эльвир Венерович

• Габитов, Эльвир Венерович
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Габитов, Эльвир Венерович

Введение.

I. Обзор литературных данных по структуре и физико -химическим свойствам соединений МСгХ2 и 1ЧЬ3Х4 (М - Си, Ag; X - 8, ве, Те).

1.1. Структура слоистых дихалькогенидов переходных и тяжелых металлов.

1.2. Кристаллическая структура соединений МСгХ2.

1.3. Теоретические модели описания ионного переноса в суперионных проводниках.

1.4. Ионный и электронный перенос в соединениях МСгХ2.

1.5. Кристаллическая структура соединений №>3X4 (Х-8,8е.Те).

1.6. Электрофизические свойства соединений №3X4.

II. Синтез соединений СиСг^У^ (0<х<0.3) и Ах1ЧЬз8е4 (А-Н,Си). Методика экспериментальных исследований.

2.1. Синтез соединений СиСг1хУх82 и рентгеновский фазовый анализ.

2.2. Синтез соединений Ах№>38е4 (А-Н,Си).

2.3. Методика рентгеноструктурных исследований.

2.3.1. Методика расчета относительных интегральных интенсивностей.

2.4. Методика исследования магнитной восприимчивости слабомагнитных веществ.

2.5. Методика измерения ионной и электронной проводимости.

2.5.1.Экспериментальная установка для исследований ионного переноса.

III. Исследование кристаллической структуры и ионно-электрон-ного переноса в системе СиСг1хУх82.

3.1. Исследование кристаллической структуры соединений СиСгьхУА.

3.2. Исследование природы химической связи в соединениях СиСг^УА методом изучения магнитной восприимчивости.

3.3. Исследование ионной проводимости в системе СиСг1хУх82.

3.4. Исследование электрохимической ячейки С|Си|СиВг|СиСг1.хУх82.

3.5. ледование ионной термо-э.д встеме СиСг1хУх82.

3.6. ледование электронной проводими и термо-э.д системы СиСг1.хУх82.

IV. Исследование кристаллической структуры и электрофизических свойств соединений Ах]ЧЬ38е4 (А-Н,Си).

4.1. Исследование структурных особенностей №>з8е4.

4.2. Исследование фазовых соотношений в системе СихМЬ38е4.

4.3. Исследование структуры и электронной проводимости соединения М)38е4.

4.4. Исследование структуры и электронной проводимости соединений НхЫЬз8е4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование влияния характера связи на структуру и ионно-электронный перенос в низкоразмерных соединениях CuCr1-x V x S2 (ОK|»

Актуальность проблемы. Явление быстрого ионного переноса в твердых телах представляет собой одну из фундаментальных проблем физики конденсированного состояния. Научный интерес к этому явлению обусловлен его уникальностью и необычностью. Данная проблема тесно переплетается также и с проблемой биологии, связанной с изучением механизмов переноса различных ионов через мембраны. С практической точки зрения проблема быстрого ионного переноса в твердых телах является актуальной задачей энергетики и материаловедения в связи с созданием топливных элементов, энергоемких источников тока, датчиков состава и т.д. Современное состояние исследований в этой области характеризуется систематизацией экспериментальных данных и разработкой различных модельных представлений. Анализ состояния проблемы показывает, что явление быстрого ионного переноса в реальных твердых телах носит сложный характер. При определении параметров переноса важную роль играют как размеры и заряд подвижного иона, так и характер связи атомов и особенности кристаллического строения. Сложность изучаемого явления требует проведения экспериментальных и модельных исследований в соединениях с относительно простой структурой (квазиодномерные и квазидвумерные соединения).

В связи с вышеизложенным в данной работе в качестве объектов исследований выбраны квазидвумерные соединения СиСг,хУх82 (0<х<0.3) и квазиодномерные соединения Ах1чГЬ38е4 (А - Н, Си).

Соединения СиСг1хУх82 получены путем изоморфного замещения атомов Сг атомами V из медного дихалькогенида хрома СиСгёг- Соединение СиСг82 имеет слоистую структуру, состоящую из чередующихся слоев -8-Сг-8-Си-8~Сг-8-, перпендикулярных гексагональной оси "с" [1]. Считается, что атомы переходного металла М внутри тройных слоев МХ2 в подобных системах УМХ2 связаны с атомами халькогена X сильными ионно

- ковалентными связями. А тройные слои МХ2 связаны друг с другом слабыми Ван - дер - Ваальсовскими силами. Поэтому в промежутки между тройными слоями могут быть легко внедрены другие атомы. Внедренные атомы одновалентного металла А слабо связаны с кристаллической решеткой и проявляют в подобных структурах высокую подвижность в Ван - дер

- Ваальсовских щелях [2]. Несмотря на имеющиеся в литературе данные систематические исследования влияния характера связи на подвижность атомов проведены недостаточно. Так как Сг и V находятся рядом в периодической таблице элементов Д. И. Менделеева и имеют приблизительно одинаковые атомные размеры, замещение хрома ванадием в СиСг82 не должно приводить к сильным изменениям размеров элементарной ячейки. С другой стороны Сг и V имеют разные заряды ядра и разные степени электроотрицательности. Это, по нашему предположению, должно привести к изменению характера связи атомов внутри тройных слоев и параметров ионного переноса при замещении хрома ванадием. Таким образом, производя изоморфное замещение хрома в СиСг82 атомами ванадия мы можем менять характер связи атомов и изучить влияние этого на параметры ионного и электронного переноса.

Сложные соединения Ах№)38е4 (А - Н, Си) получены путем интерка-ляции атомов водорода и меди в селенид ниобия №>38е4. Селенид ниобия ]ЧЬ38е4 имеет квазиодномерную структуру, состоящую из цепочек ЫЬ - № и 8е - 8е, параллельных гексагональной оси "с"[3]. Атомы в цепочках связаны друг с другом сильнее, чем соседние цепочки между собой. Поэтому межатомные расстояния внутри цепочек меньше, чем расстояние между цепочками. Эти особенности приводят к сильной анизотропии физических свойств и позволяют внедрить чужеродные атомы в пространство между цепочками. Благодаря слабой связи внедренных атомов с матричным кристаллом они обладают высокой подвижностью. Несмотря на то, что одномерные соединения являются более удобными объектами для экспериментального и теоретического изучения ионного переноса, они остаются изученными в меньшей степени даже по сравнению с двумерными системами.

С практической точки зрения соединения, выбранные в качестве объектов исследований, являются электродными материалами для источников тока с высокой удельной емкостью, для датчиков концентраций, для топливных элементов, элементов памяти и т.д.

Таким образом, исследование быстрого ионного переноса в низкоразмерных соединениях является актуальной задачей как с научной точки зрения, так и в связи с перспективами технического применения данных материалов.

Цель работы. Целью данной работы является изучение взаимосвязи ионного и электронного переноса с особенностями кристаллического строения и характером связи атомов в соединениях с низкоразмерной структурой и разработка модельных представлений.

Задачи исследований.

1. Синтез и отработка технологии синтеза новых соединений СиСг1.хУх82, Сих№>38е4 и Нх№>38е4.

2. Изучение фазовых соотношений в исследуемых системах.

3.Исследование особенностей кристаллической структуры и кинетики распределения подвижных атомов по различным кристаллографическим позициям.

4. Изучение характера связи атомов в исследуемых системах.

5. Исследование ионного и электронного переноса и его связи с особенностями кристаллической структуры и характером связи атомов.

Научная новизна. Впервые синтезированы соединения СиСг1хУх82 с различным содержанием ванадия (х=0; 0.05; 0.10; 0.15; 0.20; 0.25; 0.3) и проведены структурные исследования.

Показано, что СиСг1хУх82 являются изоструктурными с СиСг82. В интервале содержания ванадия 0 < х < 0.15 получены однофазные образцы, а при 0.2 < х < 0.3 обнаружено появление слабых линий, принадлежащих фазе Си3У84. Установлено, что интенсивности линий фазы Си3У84 не меняются с изменением содержания ванадия и температуры.

Установлено, что атомы Си занимают три типа кристаллографических позиций - а, (3 и у. При комнатной температуре а - позиции заселены на 50%, у - 45%, остальные атомы меди находятся в (3 - позициях. При температуре ~ 400°С наблюдается скачкообразное увеличение заселенности |3 - позиций, заселенность а - позиций падает, у - позиций - практически не меняется.

Показано, что соединения СиСг1хУх82 в области исследуемых температур 20-г400°С являются парамагнетиками; показано, что в области низких температур имеет место антиферромагнитное или ферромагнитное взаимодействие в зависимости от состава соединений.

Показано, что связь между атомами в соединениях СиСг1.хУх82 преимущественно ионная. Атомы хрома связаны с атомами серы преимущественно двойной, атомы V - тройной, атомы Си - одинарной связью. Замещение хрома ванадием приводит к снижению энергии дефектообразо-вания в медной подрешетке и к росту степени окисления серы с 81" до 82".

Установлено, что соединения СиСг!хУх82 являются проводниками по катионам меди, причем увеличение содержания V приводит к росту ионной проводимости. Предложена модель, объясняющая увеличение ка-тионной проводимости.

Установлено, что соединения СиСг1.хУх82 являются п - типа электронными проводниками. Предложена схема зонной структуры, объясняющая рост электронной проводимости при замещении хрома ванадием.

По результатам исследований структуры, магнитных и транспортных свойств установлена связь параметров ионного переноса с характером связи атомов в двумерных соединениях СиСг^У^г.

Впервые электрохимическим способом получены тройные соединения Ах№>з8е4 (А=Си,Н), описаны фазовые соотношения в системе Сих№>38е4 и проведены исследования электронной проводимости.

Практическая ценность. Благодаря высокой ионной и электронной проводимости исследуемые соединения могут быть использованы в качестве электродных материалов различных электрохимических устройств. Полупроводниковый характер проводимости и возможность вариации электрофизических свойств в широких пределах путем контролируемого изменения состава позволяет использовать данные соединения в электронной технике.

Достоверность результатов исследований определяется тем, что они получены с использованием стандартных экспериментальных методов измерений и расчетов.

На защиту выносятся следующие основные положения :

1. Синтезированы новые соединения СиСг^У^, изоструктурные с СиСгёг- Исследованы фазовые соотношения в системе СиСг1.хУх82.

2. На основе сравнения расчетных значений интегральных интенсивностей с экспериментальными показано, что в исследуемых соединениях с изменением температуры происходит перераспределение подвижных атомов Си.

3. Экспериментально показано, что исследуемые соединения СиСг1хУх82 являются Си - катионпроводящими, замещение хрома ванадием приводит к росту Си+ - катионной проводимости.

4. На основе исследований магнитной восприимчивости сделано заключение о том, что в СиСг,.хУх82 сера находится в разных состояниях окисления 81" и 82", а ванадий проявляет более высокую степень окисления (У3+), чем (Сг2+). Предложена модель, объясняющая рост ионной проводимости при замещении хрома ванадием.

5.Синтезированы новые соединения Сих№>з8е4 электрохимическим способом. Установлены области существования фаз.

6. Синтезированы новые соединения НхМЬ38е4 электрохимическим способом. Установлены области существования фаз. Изучены электрофизические свойства.

Положения обоснованы экспериментальными данными и результатами расчетов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на 1-ой научной конференции молодых ученых-физиков республики Башкортостан (21-23 ноября 1994 г., г.Уфа); на X международной конференции по ионике твердого тела (3-8 декабря 1995 г., Сингапур); на научных конференциях по научно - техническим программам Госкомвуза России (1996 -1997 гг.), на Всероссийской научной конференции студентов - физиков (21 - 26 апреля 1996 г., г. Екатеринбург), на республиканской научной конференции студентов и аспирантов по физике и математике (25 - 26 апреля 1997 г., г. Уфа), на Всероссийской научной конференции "Физика конденсированного состояния" (22-25 сентября 1997 г., г. Стерлитамак), а также на семинарах кафедры общей физики физического факультета БашГУ (1994-1997 гг.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 27 работ [78-104].

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Она изложена на 127 страницах машинописного текста, включая 31 рисунок, 12 таблиц и список цитируемой литературы из 104 наименований.

Заключение диссертации по теме «Теплофизика и теоретическая теплотехника», Габитов, Эльвир Венерович

114 Заключение

В диссертационной работе представлены результаты систематических исследований структуры, природы химической связи, фазовых соотношений и особенностей ионного и электронного транспорта в соединениях СиСг1.хУх82 (0<х<0.3) и Ах№)38е4 (А - Н, Си). Основные результаты, полученные в работе, сформулированы в конце каждого параграфа, посвященного исследованию вышеуказанных соединений, поэтому здесь будут сформулированы лишь общие итоги. Основные результаты работы сводятся к следующему.

1. Впервые синтезированы соединения СиСг1хУх82 (х=0;0.05;0.1;0.15;0.2; 0.25;0.3), изоструктурные с СиСг82. В интервале содержания V 0<х<0.15 получены однофазные образцы. В области 0.2<х<0.3 установлено появление следов фазы Си3У84, содержание которой не меняется с изменением состава и температуры. Полученные соединения стабильны в исследуемом интервале температур 293-873 К.

2. Установлено, что зависимость параметров элементарной ячейки "а" и "с" от содержания ванадия слабая и носит линейный характер. Исходя из этого и из анализа интегральных интенсивностей сделано заключение об изоморфном замещении хрома ванадием.

3. Показано, что атомы Си занимают три типа кристаллографических позиций - а, (3 и у. При температуре ~ 670 К наблюдается скачкообразное перераспределение атомов меди по этим позициям; вероятность заселения а - позиций при этом падает с ~ 0.5 до ~ 0.3, |3 - позиций растет с ~ 0.07 до ~ 0.3, у - позиций - практически не меняется.

4. Установлено, что температурные зависимости параметров элементарной ячейки носят линейный характер. В районе ~ 670 К наблюдается скачок коэффициента термического расширения. Коэффициент термического расширения скачкообразно увеличивается вдоль оси "а" и уменьшается вдоль оси "с". Скачок к.т.р. обусловлен перераспределением атомов Си по кристаллографическим позициям. Сделано заключение, что размеры элементарной ячейки определяются обычным термическим расширением и процессом перераспределения подвижных атомов Си.

5. По результатам исследований магнитной восприимчивости установлено, что атомы серы, находящиеся выше и ниже Ван - дер - Ваальсовской ще

1 2 ли, проявляют разные степени окисления - 8 " и Б Ванадий проявляет более высокую степень окисления (V ), чем хром (Сг ). На основе анализа структурных данных сделано заключение о преимущественно ионном характере связей в СиСг^УА. Установлено, что замещение хрома ванадием приводит к повышению степени окисления серы с - 81' до 82". На основе модельных расчетов показано, что это приводит к снижению энергии де-фектообразования в Си - подрешетке и к росту Си - катионной проводимости.

6. Установлено, что соединения СиСг^У^ являются Си+ - катионпрово-дящими. В районе = 663 К энергия активации ионной проводимости скачкообразно падает, что связано с перераспределением атомов Си по а, р и у - позициям. Установлено, что энергия активации высокотемпературной фазы не зависит от состава, а энергия низкотемпературной фазы уменьшается с увеличением содержания V. Это подтверждает выводы, сделанные при исследовании магнитных свойств, о взаимосвязи параметров ионного переноса с характером химической связи.

Показано, что энергия активации низкотемпературной фазы включает энергию активации миграции и энергию дефектообразования в Си -подрешетке, в то время как энергия активации высокотемпературной фазы состоит, в основном, из энергии активации миграции.

7. Установлено, что соединения СиСг].хУх82 являются п - типа электронными проводниками. Значение электронной проводимости растет с увеличением содержания V. Предложена схема зон, позволяющая объяснить эту зависимость.

8. Синтезированы новые тройные соединения Сих№>з8е4. Установлено, что в интервале 0<х<0.2 существуют фазы СихМэ38е4, изоструктурные с №>38е4. При 0.2<х<0.45 обнаружена новая неописанная фаза. Установлено, что она относится к гексагональной системе. Определены параметры элементарной ячейки.

9. Синтезированы новые соединения Нх№)38е4, исследованы структурные особенности. Показано, что внедрение водорода сильно влияет на электронную проводимость, а ионы ЬГ вносят вклад в общую проводимость.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Габитов, Эльвир Венерович, 1998 год

1. Nagard N.Le., Collin G., Gorochov О. Etude structurale et propriétés physiques de CuCrS2 H Mat.Res.Bull.-1979.-Vol. 14.- № 11 .-P. 1411 -1417.

2. Bruesch P., Himba T. Dynamics of ions of the two dimensional superionic conductor AgCrS2 //Phys.Rev.B.-1983.-Vol.27-№8.-P.5052-5061.

3. Федоров B.E. Халькогениды переходных тугоплавких металлов. Квазиодномерные соединения. -Новосибирск: Наука, 1988. -223 с.

4. Liard W.Y. Electronic properties of transition metal dichalcogenides and their intercalation complexes //Intercalat.Layer.Mater. London, New York. -1986. -P.31-73.

5. Brec R., Rouxell J. Reactivity and phase transition in transition metal Dichalcogenides intercalation Chemistry //Intercalai. Layer. Mater. London, New York.-1986.-P.75-91.

6. Friend R.H., Yoffe A.D. Electronic properties of intercalation complexes of the transition metal dichalcogenides //Adv.Phys. -1987. -Vol.36.-№l. P. 1-94.

7. Wilson J.A., Yoffe A.D. The transition metal dichalcogenides //Adv.Phys. -1969. Vol.18. - №1. - P.193-337.

8. Hahn H., De.Lorent Ch. Uber ternare Chacogenide der Chroms mit einwertigen Kupfer und Silber //Z.Anorg.Allg.Chem. 1957. -B.290, №1.2. - S. 68-81.

9. Bongers P.F., van Brüggen C.F., Koopstra J., Omloo W.P.F.A.M., Wiegers G.A., Jellinek F. Structures and magnetic properties of some metal (I) chromium (III) sulphides and selenides //J.Phys.Chem.Solids. -1968. -v.29, №6. -P.977-984.

10. Engelsman F.M.R., Wiegers G.A., Jellinek F., van Laar В. Crystal structures and magnetic structures of some metal (I) chromium (III) sulphides and selenides //J.Solid State Chem. -1973. -Vol.6. -№6. -P.574-582.

11. Gerards A.G., Boucamp В. A., Wiegers G.A. Neutron difraction study of the order disorder transition in AgCrS2 //Solid State Ionics. -1983. -Vol.9-10.-P471-474.

12. Himba T. Structural aspects of monovalent cation intercalates of layered dichalcogenides //Intercalation Chemistry, edited by M.S.Vohihling and A.J.Jacobson. -Academic, New York. -1982. P.285-345.

13. Антропов B.M., Плещев В.Г., Конев В.Н., Кискнн С.М. Рентгенографические исследования фазовых переходов в AgCrS2, AgCrSe2, CuCrS2 //ФТТ.-1983. -Т.26, вып.9. С.2767-2769.

14. Якшибаев Р.А., Заболоцкий В.Н., Альмухаметов Р.Ф., Галиуллин P.P. Структурные особенности и ионно-электронный перенос в суперионном проводнике CuCrSe2 //ФТТ. -1987. -Т.29, вып.4. -С.1220-1222.

15. Yakshibayev R.A., Zabolotski V.N., Almukhametov R.F. Structural features and ionic transport in two-dimensional MxVSe2 (M=Cu, Ag; V=Cr,Nb) mixed conductors //Solid State Ionics. -1988. -Vol.31. -P. 1-4.

16. Якшибаев P.А., Надеждина А.Ф., Заболоцкий B.H. Характер термического разупорядочения ионов меди в CuCrSe2 //Изв.АН СССР. Неорган, матер. 1989. -Т.25, вып.8. - С.1390-1392.

17. Rouxell J., Brec R. Low dimensional chalcogenides as secondary catodic materials: some geometric and Electronic aspects //Ann.Rev.Mater.Sci.-1986. -Vol.16. -P. 137-162.

18. Himba T. The mixed conductor properties of AgCrS2 //Solid State Comm. -1980. Vol.33. -P.445-448.

19. Bronsema B.K., Wiegers G.A. Structure of a non-stoichiometric chromium silver sulphide //Acta Cryst. -1982. -Vol.28. -P.2229-2232.

20. Укше E.A., Букун Н.Г. Твердые электролиты. -Москва: Наука, 1977. -176 с.

21. Физика суперионных проводников /Под ред. М.Б. Соломона. Рига: Зинатне, 1982. -315 с.

22. Воусе J.B., Hiberman В.A. Superionic conductors: transition, structures, dynamics //Phys. Reports. -1979. -Vol.51. -№.4. -P. 189-265.

23. Dieterich W., Fulde P., Peschel I. Theoretical models for superionic conductors //Adv.Phys. -1980. -Vol.29. -№3. -P.527-605.

24. Rice M.J., Roth W.L. Ionic transport in superionic conductors: a theoretical model //J.Solid State Chem. -1972. -Vol.4. -№2. -P.294-310.

25. Shahi K. Transport studies on superionic conductors //Phys. Stat. Sol. -1977. -Vol.41 .-№ 1. P. 11 -44.

26. Lukas W.D., Peschel I. On the thermopower of superionic conductors //Z.Phys.B. -1982. -Vol.45. -№4. -P.283-287.

27. Kimball J.C., Adams L.W. Hopping conduction and superionic conductors //Phys.Rev.B. -1978. -Vol.18. -№10. -P.5851-5858.

28. Girvin S. Thermoelectric power of superionic conductors //J.Solid State Chem. -1978. -Vol.25. -№1. -P.65-76.

29. Ihle D. On the thermoelectric power of superionic conductors //Phys. Stat. Sol. B. -1979. -Vol.91. -№1. -P. K49.

30. Girvin S., Mahan G.D. //Thermoelectric power in half filled bands //Phys.Rev.B. -1979. -Vol.19. -№2. -P.1302-1303.

31. Dictterich W. Theory of high ionic conductivity in solids //Solid State Ionics. -1981. -Vol.5. -P.21-26.

32. Де Гроот C.P. Термодинамика необратимых процессов. -Москва: Гос-техиздат, 1956. -280 с.

33. Rickert Н., Wagner С. Stationare zustande und Stationare transportvorgange in silbersulfid in einem temperaturgefalle //Ber. Bunsenges. Phys. Chem. -1963. -B.67. -№7. -S.621-629.

34. Wagner С. The thermoelectric power of cell with ionic compounds involving ionic and electronic conduction //Prog. Solid State Chem.-1972.-Vol.7. -№l.-P.l-37.

35. Иванов Шиц A.K. Обнаружение фазовых переходов в суперионных проводниках группы Agl методом термо - э.д.с. //ФТТ. -1980. -Т.22. -№1. -С.40-43.

36. Гуревич Ю.А., Иванов Шиц А.К. Термоэлектрические эффекты в электрохимических ячейках с суперионными проводниками //ФТТ. -1982. -Т.24. -№3. -С.795-797.

37. Schiraldi A., Perrati Е., Baldini P. Thermoelectric power of the solid electrolyte Cu16Rb4l7Cl13 //Z.Phys.Chem.N.F. -1983. -B.135. -№2. -S.217-226.

38. Конев B.H., Фоменков С. А., Чеботин B.H. Термо диффузия атомов меди в нестехиометрических сульфиде и селениде меди //Изв. АН СССР. Неорг. материалы. -1985. -Т.21. -№2. -С.202-204.

39. Honders A., Hintzen A.J.H., Kinderen J.M., Wit J.H.W., Broers G.H.J. The termoelectric power in solid solution electrodes: a disregarded phenomenons? //Solid State Ionics. -1983. -Vol.9-10. -P.1205-1212.

40. Kawamyra J., Shimoji M., Hoshino H. The ionic conductivity and thermoelectric power of the superionic conductor Ag3SBr //J.Phys.Soc.Japan. -1981. -Vol.50. -№1. -P. 194-200.

41. Hibma Т., Bruesch P., Strassler S. Phase diagram of the partly silled 2d -hexagonal sublattice of conduction ions in compounds based on AgCrS2 //Solid State Ionics. 1981. -Vol.5. - P.481 - 484.

42. Boucamp B.A., Wiegers G.A. Ionic and electronic processe in AgCrS2 //Solid State Ionics. 1983. -Vol.9-10. -Pt.2. - 1193-1196.

43. Murphy D.W., Chen H.S., Tell B. Superionic conduction in AgCrS2 and AgCrSe2 //J. Electrochem.Soc. -1977.-Vol.124. -№8. P.1268-1271.

44. Hurd C.M. Temperature dependence of the ionic conductivity of a Agl and AgCrS2 //Phys. Rev. B. - 1985. - Vol.32. -№6. - P.4217-4219.

45. Антропов B.M., Конев B.H., Плещев В.Г., Рогаль Н.П. Ионная проводимость AgCrSe2 в области фазового перехода //ФТТ.-1985.- Т.26, вып.8. -С.2545-2547.

46. Антропов В.М. Ионный и электронный перенос в суперионном проводнике AgCrSe2: Дис. . канд.физ.-мат.наук. Свердловск, 1985.-146с.

47. Tanaka Т., Sharma N.L., Munera С.Н., Barry J.C. Theory of the dc conductivity for a two dimensional superionic conductor on the honeycomb lattice //Appl.Sulf.Sci. -1982. -Vol.11-12. -P.605-610.

48. Sharma N.F., Tanaka T. Superionics conduction in the solid solution electrode AgCrS2 //Phys.Rev.B.: Condens Matter. -1983. -Vol.28. -№4. -P.2146-2151.

49. Tanaka T. Theory of the dc conductivity for the two dimensional superionic conductor AgCrS2 //Phys.Rev.B. -1986. -Vol.34. -№6. -P.3773-3785.

50. Mahan G.D., Pardee M.J. Disorder and ionic polarons in solid electrolytes //J.Solid.Stat.Chem. -1975. -Vol.15. -№4. -P.310-324.

51. Mahan G.D. Lattice gas theory of ionic conductivity //Phys.Rev.B. 1976. -Vol.14. -№2. -P.780-793.

52. Антропов B.M., Плещев В.Г., Колотовкина T.A. Электронная и ионная термо эдс в суперионном проводнике AgCrSe2 //Четвертое Всес. совещ. по химии тв. тела: Тез. докл. Свердловск, 1985, ч.З. - С.4.

53. Physics and chemistry of materials with layered structures //Ed.F.Levy. -Dodrecht Holland: Reidel Publ. Сотр. - 1976. -Vol.4. -280 p.

54. Горбунов В.А. Ионный перенос в монокристаллах нестехиометриче-ских соединений Cu28X (X = S, Se): Автореф. . канд.физ.-мат.наук. -Свердловск, 1986. -16 с.

55. Huan G., Greenblatt M. New quasi one dimensional phases AxNb6X8 isostructural with Nb3Te4 //Mater.Res.Bull. -1987. -Vol.22. -№7. -P.943-949.

56. Пирсон У. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов. 4.2. -Москва: Мир, 1977. -470 с.

57. Materials for Solid State Batteries : Proc. Reg. Workshop, Singapore, 2-6 June 1986. / Ed. Chowdary B.V.R., Radhakrishna S. -Singapore: Word Sci.: Comm. Sci. and Technol. Dev. Countries, 1986. -502p.

58. Sekine Т., Kiuchi Y., Matsuura E., Uchinokura K., Yashizaki R. Change-density-wave phase transition in the quasy-one-dimensional conductor Nb3Te4 //Phys.Rev.B: Condens.Mater. -1987. -Vol.36. -№6. -P.3153-3160.

59. ASTM. Difraction data cards and Alpha betical and grouped numerical index of X-ray difraction data. -Philadelphia, 1977. -P.922.

60. Руководство по рентгеновскому исследованию минералов. /Под ред. Франк Каменецкого В.А. -Ленинград: Недра, 1975. - 400с.

61. Порай Кошиц М.А. Основы структурного анализа химических соединений. -Москва: Высшая школа, 1989. -192 с.

62. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. -Москва: Физматгиз, 1961. -864 с.

63. Вонсовский С.В. Современное учение о магнетизме. Москва: Гостех-издат, 1953. -440с.

64. Дорфман Я.Г. Диамагнетизм и химическая связь. -Москва: Физматгиз, 1961. -231с.

65. Вонсовский С.В. Магнетизм. -Москва: Наука, 1971. -1032 с.

66. Wagner С. Investigations on silver sulfide //J.Chem.Phys. -1953. -Vol.21. -№10. -P. 1819-1827.

67. Jokota J. On the theory of mixed conduction with special reverence to the conduction in silver sulphide group semiconductors //J.Phys.Soc.Japan. -1961. -Vol.16. -№11.-P.2213-2223.

68. Шьюмон П. Диффузия в твердых телах. -Москва: Металлургия, 1966.195 с.

69. Weis К. Untersucbungen am kubischen kupter sulfid (digenit) //Ber.Bunsenges.Phys.Chem. -1969. -B.73. -№4. -S.338.

70. Yakshibayev R.A., Akmanova G.R., Almukhametov R.F., Konev V.N. Ionic conductivity and diffusion in CuCrS2 AgCrS2 mixed conductors and their alloys //Phys.Stat.Sol.(a). -1991. -Vol.124. -P.417-426.

71. ASTM. Difraction data cards and Alpha betical and grouped numerical index of X-ray difraction data. -Philadelphia, 1977. -P.952.

72. Гороновский И.Т., Назаренко Ю.П., Некряч Е.Ф. Краткий справочник по химии. -Киев: Наукова Думка, 1987. -830 с.

73. Physics and chemistry of materials with layered structures //Ed.F.Levy. -Dodrecht Holland: Reidel Publ. Сотр. - 1979. -Vol.3. -474 P.

74. Чеботин B.H., Перфильев M.B. Электрохимия твердых электролитов. -Москва: Химия, 1978. -312 с.

75. Jokota J. On the electrical conductivity of cuprous sulfide: a diffusion theory//J.Phys.Soc.Japan. -1953. -Vol.8. -№5. -P.595-602.

76. Physics and chemistry of materials with layered structures //Ed.F.Levy. -Dodrecht Holland: Reidel Publ. Сотр. - 1976. -Vol.5. -370 P.

77. John G. Smeggil. Void channels in the Nb3Se4, Ta2S and Nb2Se structure types; The structure ofNb3Se4 //J. Solid State Chem. -1971. -Vol.3. -P.248-251.

78. Акманова Г.Р., Гафуров И.Г., Габитов Э.В. Химическая диффузия в твердых растворах CuCrS2 AgCrSe2 //Первая научная конференция молодых ученых-физиков Республики Башкортостан 21-23 ноября 1994 г.: Тез. докл. -Уфа: Баш. гос. ун-т, 1995. -С.81.

79. Альмухаметов Р.Ф., Якшибаев P.A., Габитов Э.В. Исследование электропроводности квазиодномерных соединений HxNb3Se4 //Научная конференция по научно-техническим программа Госкомвуза России: Сб. статей и тезисов. -Уфа: Баш.гос.ун-т, 1996. -С.64-65.

80. Альмухаметов Р.Ф., Якшибаев P.A., Габитов Э.В., Габитова Э.Я. Новые квазиодномерные соединения CuxNb3Se4 //Научная конференция по научно-техническим программам Госкомвуза России: Сб. статей и тезисов.-Уфа: Баш.гос.ун-т, 1996. -С. 107-108.

81. Габитов Э.В. Фазовые соотношения и ионный транспорт в двумерных суперионных проводниках CuCivxVxS2 //Вестник Башкирского университета.-1996. -№2(1). -С. 16-19.

82. Альмухаметов Р.Ф., Якшибаев P.A., Габитов Э.В. Исследование фазовых соотношений в системе CuxNb3Se4 //Вестник Башкирского университета. -1996. -№3(1). -С.45-46.

83. Альмухаметов Р.Ф., Якшибаев P.A., Габитов Э.В., Акманова Г.Р. Фазовые соотношения и ионный транспорт в двумерных суперионных проводниках CuCr,.xVxS2. Деп. в ВИНИТИ 07.05.96., №1496-В96, 6 с.

84. Альмухаметов Р.Ф., Якшибаев P.A., Габитов Э.В. Влияние водорода на проводимость соединения Nb3Se4/M>MM. -1997. -№4. -С.103-106.

85. Габитов Э.В. Рентгенографическое изучение фазового перехода в CuCrS2 //Республиканская научная конференция студентов и аспирантов по физике и математике 25-26 апреля 1997 г.: Тез.докл. -Уфа: Баш.гос.ун-т, 1997. -С.60-62.

86. Габитов Э.В., Габитова Э.Я., Аблеев И.Б. Структурные особенности Nb3Se4 //Республиканская научная конференция студентов и аспирантов по физике и математике 25-26 апреля 1997 г.: Тез.докл. -Уфа: Баш.гос.ун-т, 1997. -С.62-63.

87. Габитов Э.В., Абдуллин А.Р. Исследование структурных особенностей в системе CiiCr^V^ //Республиканская научная конференция студентов и аспирантов по физике и математике 25-26 апреля 1997 г.: Тез.докл. -Уфа: Баш.гос.ун-т, 1997. -С.64-65.

88. Альмухаметов Р.Ф., Якшибаев P.A., Габитов Э.В., Аблеев И.Б. Структурные особенности Nb3Se4 //Научная конференция по научно-техническим программам Министерства Образования России: Сб. статей и тезисов. -Уфа: Баш.гос.ун-т, 1997. -С.104-109.

89. Альмухаметов Р.Ф., Якшибаев P.A., Габитов Э.В. Исследование термического разупорядочения в суперионном проводнике CuCrS2 рентгенографическим методом //Вестник Башкирского университета. -1997. -№1(1). -С.49-50.

90. Габитов Э.В. Структурные особенности и ионный перенос в смешанных проводниках CuCri„xVxS2 //Вестник Башкирского университета. -1997. -№2(1,П). -С.34-35.

91. Almukhametov R.F., Yakshibayev R.A., Gabitov E.V. X-ray study of the superionic phase transition in CuCrS2 //Ionics. -1997. -№2. P. 171-173.

92. Almukhametov R.F., Yakshibayev R.A., Gabitov E.V., Ableev I.B. Structural studies and ionic conductivity of CuCrixVxS2 (0

93. Альмухаметов Р.Ф., Якшибаев P.А., Габитов Э.В. Синтез и рентгенографическое изучение фаз CuxNb3Se4 (0<х<0.45) //Неорганические материалы. -1998. -Т.34. -№4. -С. 1-3.

94. Альмухаметов Р.Ф., Якшибаев Р.А., Габитов Э.В. Изучение процессов разупорядочения в суперионных проводниках CuCri.xVxS2 //Вестник Башкирского университета. -1998. -№2(1). -С.23-26.