Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов AIIIBV: Термодинамика, получение, свойства и применение тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Ратушный, Виктор Иванович

• Ратушный, Виктор Иванович
• доктор физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Ратушный, Виктор Иванович

Введение

1. Четверные и пятерные твердые растворы соединений AinBv -материалы для полупроводниковой оптоэлектроники ИК-области спектра

1.1. Закономерности изменения основных электрических свойств в зависимости от состава для четверных и пятерных твердых растворов.

1.2. Четверные и пятерные гетеросистемы, полученные на бинарных подложках GaAs, InP, InAs, GaSb.

1.2.1. Гетеросистемы AlGaPAs (GaAs), AlGalnPAs (GaAs).

1.2.2. Гетеросистемы GalnPAs (InP), GalnPAsSb (InP).

1.2.3. Гетеросистемы InPAsSb (InAs), GalnPAsSb (InAs).

1.2.4. Гетеросистемы GalnAsSb (GaSb), GalnPAsSb (GaSb).

1.3. Основные термодинамические модели растворов. Ограничения на получение твердых растворов

1.4. Постановка задачи исследования.

Выводы.

2. Термодинамика пятикомпонентных изоморфных твердых растворов AinBv.

2.1. Гетерогенные равновесия в пятикомпонентных твердых растворах.

2.2. Расчет областей несмешиваемости в пятикомпонентных твердых растворах.

2.3. Когерентная диаграмма состояния пятикомпонентных систем.

2.4. Влияние кристаллографической ориентации подложки на состав твердых растворов при жидкофазной эпитаксии.

2.5. Эффект стабилизации периода решетки в пятикомпонентных системах.

2.6. Ограничение по плавкости в пятикомпонентных системах.

Выводы.

3. Кинетическая модель роста пятикомпонентных твердых растворов.

3.1. Кинетическая модель роста пятикомпонентных твердых растворов из полубесконечной жидкой фазы

3.2. Модель полного перемешивания жидкой фазы.

3.3. Кинетические особенности жидкофазной эпитаксии пятерных твердых растворов.

Выводы.

4. Аппаратурное оформление, способы получения и методики исследования эпитаксиальных слоев многокомпонентных твердых растворов соединений AinBv и гетерокомпозиций на их основе.

4.1. Аппаратурное оформление процессов эпитаксии из жидкой фазы многокомпонентных твердых растворов, контроль температурно-временного режима эпитаксии.

4.1.1. Устройства для жидкофазной эпитаксии.

4.1.2. Аппаратурное и методическое оформление процесса ЗПГТ.

4.2. Подготовка исходных материалов и расплава к процессу эпитаксии.

4.3. Определение температуры ликвидуса и величины критического переохлаждения жидкой фазы с помощью визуально-термического анализа.

4.4. Методы получения эпитаксиальных структур многокомпонентных твердых растворов.

4.4.1. Жидкофазная эпитаксия многокомпонентных твердых растворов.

4.4.2. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных твердых растворах.

4.4.3. Новый метод получения многокомпонентных твердых растворов, совмещающий в себе жидкофазную эпитаксию и зонную перекристаллизацию градиентом температуры.

4.5. Методы анализа кристаллического совершенства многокомпонентных твердых растворов

Выводы.

5. Получение и свойства эпитаксиальных слоев соединений АШВУ

5.1. Твердые растворы на основе InP.

5.1.1. Твердые растворы GalnAs, GalnPAs и эпитаксиальные слои InP на основе монокристаллической подложки InP, полученные методом зонной перекристаллизации градиентом температуры.

5.1.2. Твердые растворы GalnPAs, GalnPAsSb на монокристаллических и пористых подложки InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии.

5.2. Твердые растворы AlGaAs, AlGaPAs, AlGalnPAs на основе GaAs.

5.3. Твердые растворы InPAsSb, GalnPAsSb на основе InAs.

5.4. Твердые растворы GalnPAsSb на основе GaSb.

5.5 Получение гетероструктур GaAs/Ge методом быстрого охлаждения раствора-расплава.

Выводы.

6. Применение многокомпонентных твердых растворов соединений АШВУ для приборов ИК-диапазона спектра.

6.1. Фотоприемники на длину волны 1,06 мкм на основе гетероструктуры GalnPAs/InP.

6.2. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур InPAsSb/InAs, GalnPAsSMnAs.

6.3. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктуры GaAs/Ge.

6.4. СВЧ-диоды Шоттки на основе структуры InP/InP (нанопористая подложка).

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов AIIIBV: Термодинамика, получение, свойства и применение»

Актуальность темы. Сейчас трудно представить современную физику твердого тела без полупроводниковых гетероструктур [1]. Успехи микроэлектроники, новых информационных технологий базируются, прежде всего, на достижениях электронного материаловедения и физики твердого тела. Именно эти достижения и обуславливают прогресс в области современных высоких технологий. Интерес твердотельной электроники к материалам на основе соединений AIHBV и, в особенности, к четверным (ЧТР) [2,3] и пятерным твердым растворам (ПТР) [4,5], гетероструктурам на их основе, определяется возможностью независимого управления фундаментальными физическими параметрами - шириной запрещенной зоны, периодом кристаллической решетки, а для пятерных систем и коэффициентом термического расширения (КТР). Указанные возможности открывают принципиально новые перспективы для создания оптоэлектронных гетероструктур, плавно перекрывающих практически весь спектральный диапазон доступный соединениям AinBv.

К моменту начала настоящей работы были известны преимущества твердых растворов на основе соединений AIHBV, на которых эпитаксиальными методами и, прежде всего, жидкостной гетероэпитаксией получены эффективные фото- и светодиоды, первые гетеролазеры, сформировался целый класс твердотельных приборов и устройств, определивших новое направление - оптоэлектроника [1].

Ярким подтверждением приоритета развития этого направления явилось присуждение Нобелевской премии академику РАН Ж.И. Алферову в 2000 году.

Одним из наиболее доступных методов получения гетероструктур продолжает оставаться эпитаксия из жидкой фазы (ЖФЭ). [6,7,8] Преимуществами этого метода являются: дешевизна и конструктивная простота технологического оборудования, а, следовательно, и всего технологического цикла, низкая температура роста, восстановительная среда и, как следствие, технологическая чистота, многофункциональность, связанная с возможностью одновременного проведения процессов эпитаксии и легирования. Несмотря на устойчивый интерес к многокомпонентным твердым растворам и имеющиеся достижения в создании приборов на основе полупроводниковых гетероструктур, описания процессов эпитаксии из жидкой фазы не носят законченного характера. Поэтому в технологии обычно преобладает эмпирический подход, который нельзя признать наиболее эффективным для многопараметрического процесса. Отсутствие четкой концепции прогнозирования как изменения физических свойств, так и технологических режимов получения твердых растворов усложняет обоснование и выбор параметров гетероэпитаксии. В то же время установление природы гетерофазных равновесий, учет кинетических аспектов кристаллизации дает технологу реальный механизм управления основными параметрами технологического процесса.

Таким образом, разработка методологии получения многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов и новых гетероструктур на их основе, установление фундаментальных связей между термодинамическими параметрами компонентов, составляющих твердый раствор, применение новых комплексных термодинамических подходов к исследованию, прогнозирование свойств многокомпонентных твердых растворов, получение фотоприемников, термофотоэлектрических (ТФЭ) преобразователей - все это и определяет актуальность настоящей работы.

Диссертация представляет собой научную систематизацию завершенных научно-исследовательских работ, проводившихся как непосредственно автором, так и под его руководством.

Целью работы является разработка физических принципов формирования гетероструктур на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений АШВУ для излучающих и фотоприемных приборов ИК-диапазона спектра.

Реализацию поставленной цели осуществляли путем:

- комплексного анализа зависимостей от состава фундаментальных физических параметров многокомпонентных твердых растворов АШВУ (с числом компонентов от четырех и выше) и математического моделирования их фазовых диаграмм;

- разработки методик расчета фазовых диаграмм пятерных систем на основе соединений АШВУ в условиях деформационного поля (когерентные фазовые диаграммы);

- исследования поверхностей ликвидуса в широком диапазоне температур и составов методом визуально-термического анализа (ВТА) в многокомпонентных системах на основе соединений АШВУ;

- разработки физико-технологических принципов получения гетероструктур на основе многокомпонентных твердых растворов с использованием методик ЖФЭ и зонной перекристаллизации градиентом температуры (ЗПГТ);

- исследования особенностей формирования гетероструктур методами ЖФЭ на пористых подложках фосфида индия и изучения их физических свойств;

- исследования влияния условий получения гетероструктур на основе многокомпонентных твердых растворов АШВУ на их структурные, электрофизические, люминесцентные свойства.

Научная новизна. Наиболее существенными новыми научными результатами являются:

1. Результаты теоретических и экспериментальных исследований гетерофазных равновесий и физических свойств широкого класса пятерных систем на основе соединений АШВУ.

2. Результаты исследования эффекта дилатационной стабилизации периода кристаллической решетки в пятерных твердых растворах соединений AniBv.

3. Определение термодинамических ограничений на получение пятерных твердых растворов соединений AmBv из жидкой фазы (математическая модель).

4. Определение методом визуально-термического анализа поверхности ликвидуса системы In-Ga-P-As-Sb в заданных интервалах составов и температур.

5. Разработка технологии синтеза гетероструктур пятерных твердых растворов AIHBV для оптоэлектронных приборов спектрального диапазона 600-3000 нм.

6. Определение условий проведения процесса ЖФЭ на пористых подложках фосфида индия по получению твердых растворов GalnPAs, GalnPAsSb. Сравнительные характеристики с аналогичными твердыми растворами, полученными на монокристаллической подложке InP.

Основные положения, вносимые на защиту:

- Изменения кривизны зависимости свободной энергии пятерного твердого раствора от состава вблизи областей нестабильности определяют отрицательные значения величины контактного переохлаждения и фактора стабилизации. При этом протяженность областей термодинамической нестабильности пятерных твердых растворов соответствует протяженности областей отрицательных значений указанных параметров.

- Упругая составляющая свободной энергии системы, вызванная дилатационной реакцией кристаллической решетки твердого раствора, изменяет область действия ограничения по плавкости в зависимости от знака рассогласования параметров решеток слоя и подложки: отрицательное значение рассогласования расширяет область действия ограничения.

- В пятерных системах на основе соединений АШВУ ограничение по плавкости становится существенным, когда содержание компонента-растворителя в жидкой фазе снижается до 0,5 ат. дол., а концентрация одного из металлоидных компонентов увеличивается примерно до 0,5 ат. дол.

- Введение галлия до 8 ат % в четверной твердый раствор InPAsSb при соблюдении условия изопериодности подложке InAs приводит к повышению кристаллического совершенства полупроводникового материала и снижению вероятности безизлучательных рекомбинационных процессов. Сравнение люминесцентных свойств четверных и пятерных твердых растворов с равными значениями ширины запрещенной зоны (Eg) показывает, что при прочих равных условиях интенсивность фотолюминесценции GalnPAsSb выше, чем у четверных твердых растворов InPAsSb.

- Свободная энергия гетероструктуры включает межфазную поверхностную составляющую, обусловленную кристаллографической ориентацией подложки и влияющую на состав формируемого твердого раствора. Для твердых растворов InPxAsix.ySby изменение состава по компоненту Y при переходе от ориентации подложки InAs (100) к (111)А достигает 22%.

- Пассивация поверхности германия тонким слоем арсенида галлия в качестве "широкозонного окна" приводит к снижению скорости поверхностной рекомбинации, улучшает основные характеристики термофотоэлемента на основе германия и повышает эффективность преобразования инфракрасного излучения с 11% до 16%.

Практическое значение проведенных исследований состоит в том, что их результаты дают возможность разрабатывать и создавать эффективные полупроводниковые приборные структуры на основе многокомпонентных твердых растворов. Основными практическими результатами являются:

1. Технологические режимы получения гетероструктур для оптоэлектронных приборов спектрального диапазона 600-3000 нм на основе четверных и пятерных твердых растворов AnIBv (AlGaAsP (GaAs), AlGalnAsP (GaAs), InPAsSb (InAs), GalnPAs (InP), GalnPAsSb (InAs,InP, GaSb));

2. Новые экспериментальные данные по гетерогенным равновесиям в системе Ga - In - Р- As - Sb в широком температурном диапазоне;

3. Новый способ получения многокомпонентных твердых растворов соединений AInBv, основанный на симбиозе принципов жидкофазной эпитаксии и метода зонной перекристаллизации градиентом температуры;

4. Материалы и способы их получения для приборов ИК-области спектра. Гетероструктуры типа Ge-GaAs, InP-GalnPAs (А-=1,06 мкм, 1,3 мкм) InAs-InPAsSb (к=2,1 мкм);

5. Гомоэпитаксиальная структура InP-InP, гетероструктуры GalnPAs/InP, GalnPAsSb/InP, полученные на монокристаллических и пористых подложках InP (технологические режимы синтеза пористых подложек InP, гетероструктур на их основе, сравнительные структурные и люминесцентные свойства);

6. Результаты исследования структурных, электрофизических и люминесцентных свойств гетероструктур на основе четверных и пятерных твердых растворов АШВУ. Отмечено улучшение люминесцентных характеристик пятерных твердых растворов по сравнению с четверными твердыми растворами (для равных значений Eg);

7. Реализация:

-фотоприемников на длину волны Х,=1,06мкм на основе гетероструктур GalnPAs/InP, абсолютная чувствительность S=0,47±0,06A/Bt, быстродействие т=10 не.

- СВЧ-диодов Шоттки, полученных на основе структуры InP-InP на пористых подложках (Барьер Шоттки фв=0,54В, 1обр=0,ЗнА (при V=10B), напряжение лавинного пробоя Vnp=27 В), значение обратных токов (при V=10B) в 20 раз меньше, чем для СВЧ-диодов Шоттки полученных на монокристаллических подложках)

- термофотоэлементов на основе гетероструктур Ge-GaAs (КПД -14% при АМО, А>900 нм)

- термофотоэлементов на основе гетероструктур InPAsSb/InAs (с полосой фоточувствительности от 0,5 до 2,7 мкм и внутренним квантовым выходом 50-90% в интервале длин волн 550-2500 нм)

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на физических чтениях СКНЦ ВШ (1983-1986г.г.), на I Всесоюзной конференции «Акустическая эмиссия материалов и конструкций» (г. Ростов - на - Дону, 1984г.), на IV, V Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых структурах (г. Минск, 1986г., г. Калуга, 1990г.), VII конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (г. Новосибирск, 1986г.), Всесоюзном совещании «Физика и технология широкозонных полупроводников» (г. Махачкала, 1986г.), II Всесоюзной конференции по моделированию роста кристаллов (г. Рига, 1987г.), VII Всесоюзной конференции по методам получения и синтеза высокочистых веществ (г. Горький, 1988г.), VIII Всесоюзной конференции по росту кристаллов (г. Москва, 1988г.), I Всесоюзной конференции «Физические основы твердотельной электроники» (г. Ленинград, 1989г.), Всесоюзном семинаре «Физико-химические свойства многокомпонентных полупроводниковых систем» (г. Одесса, 1990г.), XI Всесоюзном симпозиуме по механохимии и механоэмиссии (г. Чернигов, 1990г.), II Всесоюзной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (г. Ашхабад, 1991г.), на Всероссийских научно-технических конференциях с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморское, 1995, 1996, 1997, 1999, 2000 г.г.), Международной научно-практической конференции «Пьезотехника-95» (г. Ростов, 1995г.), Международной научно-технической конференции «Прогрессивные технологии в машиностроении и современность» (Севастополь, 1997, 1998, 2000,2001 г.г.), Российской научно-технической конференции «Новые материалы и технологии» (г. Москва, 1997, 1998 г.г.), International Conference on Intermolecular Interaction in Matter (Gdansk-Poland, 1997, Lublin -Poland, 1999, Gdansk-Poland, 2001, Miedzyzdroje-Poland, 2003), Inst. Phys. Conf. Paper presented at 23-rd Int. Compound Semiconductors" (St.-Petersburg, 1997), LDS'99 The Third International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (Antalia, Turkey, 1999), Международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах» (г. Ульяновск, 2000г.), Международной конференции «Оптика полупроводников» (г. Ульяновск, 2000г.), IX,X национальных конференциях по росту кристаллов НКРК-2000, 2002 (г. Москва, 2000г., г. Москва, 2002г.), Single crystal growth and heat & mass transfer: Proceeding of the Fourth International Conference (Obninsk, 2001), The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy ICCG-13/ICVGE-ll (Kyoto, Japan, 2001), 47 Internationales Tecknische Wissenschaftliches Kolloquium (Ilmenau, Germany, 2002), а также на научно-практических конференциях региона, области, Южно-Российского Государственного Технического Университета.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 90 работ, в основном в центральных, региональных и зарубежных изданиях, в том числе монография «Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений АШВУ» в соавторстве с д.ф.-м.н., проф. Кузнецовым В.В и д.ф.-м.н., проф. Луниным JI.C.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, общих выводов, списка литературы и приложений. Объем работы составляет 418 страниц текста, включая 182 рисунка, 24 таблицы и список использованных источников из 379 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Ратушный, Виктор Иванович

Основные результаты и выводы

1. Представлено физико-технологическое обоснование процессов эпитаксии из жидкой фазы при получении гетероструктур на основе многокомпонентных твердых растворов соединений АШВУ (с числом компонентов от четырех и выше), которое позволяет прогнозировать многопараметрический процесс, разрабатывать методологию получения твердых растворов и новых гетероструктур на их основе с целью создания эффективных оптоэлектронных устройств.

2. Предложены гетероструктуры для оптоэлектронных приборов в ранее не исследованных интервалах спектрального диапазона 600-3000 нм, в том числе гетероструктуры InPAsSb/InAs, AlGaPAs/GaAs, GalnPAs/InP, AlGalnPAs/GaAs, GalnPAsSb/GaSb, GalnPAsSb/InAs, GalnPAsSb/InP.

3. Сформулированы критерии выбора материалов и предложены способы их получения для приборов ИК-диапазона на основе гетероструктур InPAsSb-InAs (к=2,7 мкм), GalnPAs-InP (1=1,06 мкм, 1,3 мкм) (на монокристаллических и пористых подложках), InP-InP (на пористых подложках), Ge-GaAs.

4. В рамках модели простых растворов получено выражение для активности компонентов в упруго-напряженной твердой фазе пятерного твердого раствора. Проведен анализ корректности возможных допущений при вычислении коэффициентов активности в твердой фазе пятерного раствора. Проведен расчет контактного переохлаждения ряда пятерных систем А3В5 вблизи изопериодов бинарных подложек.

5. Показано, что положение границ термодинамической стабильности пятерных твердых растворов характеризуется отрицательным значением величины контактного переохлаждения и фактора стабилизации. Это обусловлено изменением кривизны зависимости свободной энергии твердого раствора от его состава в указанных областях.

6. Представлены результаты экспериментального исследования гетерофазных равновесий широкого класса пятерных систем на основе соединений AinBv. Исследованы поверхности ликвидуса методом прямого визуально-термического анализа и величины критического переохлаждения в пятикомпонентных жидких фазах на основе соединений АШВУ.

7. Разработан новый метод, сочетающий жидкофазную эпитаксию и зонную перекристаллизацию градиентом температуры в едином процессе, позволяющий получать однородные изопериодические эпитаксиальные слои широкого класса четверных- и пятерных твердых растворов соединений АШВУ.

8. Определены условия проведения ЖФЭ на пористых подложках фосфида индия по получению твердых растворов GalnPAs и GalnPAsSb. Исследованы сравнительные характеристики аналогичных твердых растворов, полученных на монокристаллических подложках InP.

9. Исследованы структурные, электрофизические, люминесцентные свойства гетероструктур на основе четверных и пятерных твердых растворов, а также особенности дефектообразования, на основе которых происходит коррекция технологических режимов получения структур.

10. Комплексное решение проблем по теме диссертации позволило (по заказам отраслевых организаций) разработать образцы следующих приборов:

- р-n фотодиоды на длину волны 1,06 мкм на основе гетероструктур GalnPAs-InP (S=0,47A/Bt, т=10нс);

- СВЧ-диоды Шоттки на основе структур InP-InP (на пористых подложках) (Барьер Шоттки фв=0,54В, 1обр=0,ЗнА (при V=10 В), напряжение лавинного пробоя Упр=27 В);

- термофотоэлементы на основе гетероструктур Ge/GaAs (КПД -14% при АМО, А>900 нм);

- термофотоэлементы на основе гетероструктур InAs-InPAsSb с красной границей чувствительности 2,7 мкм и внутренним квантовым выходом 50-90% в интервале длин волн от 550 до 2200 нм.

Заключение

В настоящей работе были решены задачи прогнозирования свойств пятерных твердых растворов и рассмотрены особенности физико-химических равновесий в четверных и пятерных твердых растворах, что позволило решить вопросы разработки методов гетероэпитаксиального роста из жидкой фазы четверных и пятерных твердых растворов заданного состава и получить гетероструктуры для оптоэлектронных приборов в спектральном диапазоне от 1 до 3 мкм.

Проведенные исследования электрических люминесцентных и оптических свойств эпитаксиальных слоев и особенностей дефектообразования в гетероструктурах позволили корректировать технологические режимы получения гетероструктур, применяемых к конкретным приборным реализациям и создать эффективные оптоэлектронные приборы в спектральном диапазоне от 1 до 3 мкм, в том числе:

1. Фотоприемники инфракрасной области спектра на основе гетероструктур GalnPAs - InP, впервые полученные методом ЗПГТ (длина волны Х= 1,06 мкм, абсолютная спектральная чувствительность S=0,47±0,06 А/Вт, быстродействие т=10 не.

2. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктуры GaAs/Ge.

Впервые методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксией получены слои GaAs на подложках германия, это позволило создать ТФЭ преобразователи с КПД -14% (АМО, А>900 нм), что является лучшим из опубликованных в мире результатов для термофотоэлектрических преобразователей на основе германия.

3. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктуры InAsSbP/InAs.

Внутренний квантовый выход реализованной приборной структуры p-InAsSbP/n-InAsSbP/n-InAs с учетом потерь на отражение составляет 50-90% в интервале длин волн от 550 до 2500 нм. Измеренные значения спектральной чувствительности позволяют говорить о перспективности их использования для создания ТФЭ генераторов, работающих при пониженных температурах эмиттера (до 1273 К).

4. СВЧ-диоды с барьером Шоттки.

На основе структур эпитаксиального фосфида индия, полученного на пористой подложке InP, сформированы диоды с барьером Шоттки, имеющие минимальные значения величин обратных токов во всем диапазоне измеряемых напряжений вплоть до напряжения лавинного пробоя Vnp (барьер Шоттки фв=0,54 В, 1обр=0,3 нА (при V=10 В), напряжение лавинного пробоя Vnp=27 В).

5. Впервые получены ПТР GalnAsSbP, изопериодные подложкам InAs, InP, GaSb и ПТР AlGalnAsP, изопериодный подложке GaAs в ранее не исследованных диапазонах составов.

Перспективы дальнейших исследований четверных и пятерных твердых растворов связаны с созданием гетероструктур для таких приборов как, например, эффективные спектрально-согласованные светодиоды и фотоприемники в спектральном диапазоне от 2 до 5 мкм, перспективные для использования в приборах газового анализа, экологического и медицинского мониторинга, системах BOJIC, а так же других приборах для СВЧ-фотоники и фотопреобразователей.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Ратушный, Виктор Иванович, 2004 год

1. Алферов Ж.И., История и будущее полупроводниковых гетероструктур// Физика и техника полупроводников.- 1998.-Том 32, №1.- С.- 3-18.

2. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Исмаилов И. Инжекционные излу-чательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов: Итоги науки и техники. -М., 1980. Т -21. - С.З - 115.-(Сер. «Радиотехника»)

3. Уфимцев ВБ., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии.- М., 1983. -С. 221.

4. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые раство3 5ры соединений А В (новые материалы оптоэлектроники). Ростов н/Д: Изд-во Ростовского ун-та, 1992, 193 с.

5. Кузнецов В.В., Москвин П.Н., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. -М.: Металлургия, 1991.-175с.

6. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах. //Квантовая электроника. -1976. -Т. 8, №7. -С. 1381-1383.

7. Андреев ВМ., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитак-сия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1975.328 с.

8. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии: Учебник.- М.: МИСиС, 1995.- 492 с.

9. Милис А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник/ Под ред. B.C. Вавилова. М., 1975. - 432 с.

10. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы/ Под ред. Ю.В. Гуляева.- М., 1979. 227 с.

11. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники.- М.: Сов. радио, 1988.- 266 с.

12. Богданкевич О.В., Даранок С.А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры.-М., 1976. 416 с.

13. Вигдорович В.Н., Селин А.А., Ханин В.А. Анализ зависимости свойств от состава для пятикомпонентных твердых растворов // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1982.- Т. 18, № 10. - С. 1697-1699.

14. Н. Luquet, L. Gouskov, М. Perotin, A. Jean, A. Rjeb, Т. Zarouri and G. Bougnot. Liquid-phase-epitaxial growth of Ga0.96A10.04Sb: Electrical and photoelectrical characterizations. //J. Appl. Phys.-1986.- V. 60, №10.- P. 35823591.

15. Nakajima K., Kusunoki Т., Akita K., Kotani T. Phase diagram of the In-Ga-As-P quaternary System and LPE grouth conditions for lattice satching on InP substracos //J. Electrochem. Soc. -1978.- V. 128, №1.- P. 123-127.

16. Nacnor I.C., Antypas G.A., Edgecumbe I. Higt quantue - officiency photoemiscion from and InGaAsP photocathode. // Appl. Phys. Letters.- 1976.-. V.29, № 3.- P. 153.

17. Nahory R.E., Pollack M.A., DeWinter J.C. Growth and continuons compositional grading of GaAsix-ySbyPx by liquid phase epitaxy //J.Appl. Phys.-1977.-V. 48, №1.- P. 320-323.

18. Ilegems I., Panish M.B. Phasae Equilibra in III-V Quaternary Systems Application to Al-Ga-P-As //J. Phys. Chem. Solids.-1974.- V. 35, №3.- P. 409416.

19. Бирке JI.C. Рентгеновский микроанализ с помощью электронного зонда.-М.: Металлургия, 1966.-256с.

20. Батура В.П., Вигдорович В.Н., Селин А.А. Четырехкомпонентные твердые растворы соединений группы AIIIBV- перспективные материалы оп-тоэлектроники //Зарубежная электронная техника. -1988. №12.- С. 8-52.

21. Panish М.В., Ilegems I. Phase equilibria in ternary systems. //Progress in Solid State chemistry. N.Y.- 1972 .- V.7.-P. 39-83.

22. Onabe K. Unstable regions in III-V quarternary solid solutions compositions plane calculated with strictly regular solution approximation. //J. Appl.

23. Phys.- 1982. -V.21. №6.- С. 323-325.

24. Cho S., Kirn J., Oh K. et al. Enhanced optical coupling performance in an InGaAs photodiode integrated with wet-etched microlens //IEEE Photon. Tech-nol. Lett.-2002.- V. 14, n.3.- P. 378-380.

25. Williams K., Esman R., Dagenais M. Effects of high space-charge fields on the response of microwave photodetoctors /ЛЕЕЕ Photon. Technol. Lett.-1994.-V.6, №5.-P.639-641.

26. Matavulj P., Gvozdic D., Radunovic J. The influence of nonstationary carrier transport on the bandwidth of p-i-n photodiode //J. Lightwave Technol. -1997.-V.15, №12.-P.2270-2277.

27. Harari J., Jin G., Journet F. et al. Modeling of microwave top illuminated PIN photodetector under very high optical power //IEEE Trans. Microwave Theory Tech.-1996.- V.44, n.8.-p.l484-1487.

28. Huang Y., Sun C. Nonlinear saturation behaviors of high-speed p-i-n photodetectors //J. Lightwave Technol.-2000.- V.18, №2.-P.203-212.

29. Williams K., Esman R. Design considerations for high-current photodetectors //J. Lightwave Technol.-1999.- V.17, №8.-p. 1443-1454.

30. Liu P.L., Williams K., Frankel M., Esman R. Saturation characteristics of fast photodetectors //IEEE Trans. Microwave Theory Tech.-1999.- V.47, №2.-P. 1297-1303.

31. Williams K., Esman R. Photodiode DC and microwave nonlinearity at high currents due to carrier recombination nonlinearities //IEEE Photon. Technol. Lett.-1998.- V.10, №7.-p.l015-1017.

32. Hayes R., Persechini D. Nonlinearity of p-i-n photodetectors //IEEE Photon. Technol. Lett.-1993.- V.5, №l.-P.70-72.

33. Denlan M., de Cremoux B. Numerical simulation of the nonlinear response of a p-i-n photodiode under high illumination //J. Lightwave Technol.-1990.- V.8, №8.-P.l 137-1144.

34. Ma C., Deen M., Tarof L., Yu J. Temperature dependence of breakdown voltages in separate absorption, grading, charge, and multiplication

35. P/InGaAs avalanche photodiodes //IEEE Trans. Electron Devices.-1995.- V.42, №5.-P.810-818.

36. Ma C., Deen M., Tarof L. Device parameters extraction in separate absorption, grading, charge, and multiplication InP/InGaAs avalanche photodiodes //IEEE Trans. Electron Devices.-1995.- V.42, №12.-P.2070-2079.

37. Ma C., Deen M., Tarof L. Multiplication in separate absorption, grading, charge, and multiplication InP-InGaAs avalanche photodiodes //IEEE J. Quantum Electron.-1995.- V.31, №11.-P.2078-2089.

38. Weishu Wu, Hawkins A., Bowers J. Frequency response of avalanche photodetectors with separate absorption and multiplication layers //J. Lightwave Technol.-1996.- V.14, №12.-P.2778-2785.

39. Haralson J., Parks J., Brennan K. et al. Numerical simulation of avalanche breakdown within InGaAs-InP SAGCM standoff avalanche photodiodes //J. Lightwave TechnoL.-1997.- V.15, №11.-P.2137-2140.

40. Li K., Plimmer S., David J. et al. Low avalanche noise characteristics in thin InP p+-i-n+ diodes with electron initiated multiplication //IEEE Photon. Technol. Lett.- 1999.- V.l 1, №3.-P.364-366.

41. Banoushi A., Ahmadi V., Setayeshi S. An analytical approach to study the effect of carrier velocities on the gain and breakdown voltage of avalanche photodiodes //J. Lightwave Technol.- 2002.-V. 20, n. 4. P. 696-699.

42. Royter Y., Furuta Т., Ksdama S. el at. Integrated packaging of over

43. GHz bandwidth uni-traveling-carrier photodiodes //IEEE Electron Device Lett.- 2000.-V. 21, п. 4.-P. 158-160.

44. Shimizu N., Watanabe N., Furuta T. et al. InP-InGaAs uni-travel ing-carrier photodiode with improved 3-dB bandwidth of over 150 GHz //IEEE Photon. Technol. Lett.-1998.- V.10, №3.-P.412-414.

45. Ito H., Furuta Т., Kodama S., Ishibashi T. High-efficiency unitravel ing-carrier photodiode with an integrated total-reflection mirror //J. Lightwave Technol.- 2000.- V.18, №3.- P. 384-387.

46. Vaccaro K., Spaziani S., Martin E., Lorenzo J. Gigahertz InGaAs-based vertical Schottky diode optical detectors by substrate removal //IEEE J. Quantum Electron. -1998.- V.34, №6.- P. 991-999.

47. Dobrzanski L., Piotrowski J., Malyshev S. Technology and characterization of a fast MSM photodetector: Proc. 13th Intern. Conf. on Microwaves, Radar and Wireless Communications (MIKON-2000).- 2000.- V.2.- P. 404-406.

48. Xiao Y., Deen M. Frequency response and modeling of resonant-cavity separate absorption, charge, and multiplication avalanche photodiodes //J. Lightwave Technol.- 2001.-V. 19.- n. 7.- P. 1010-1022.

49. Fukano H., Matsuoka Y. A low-cost edge-illuminated refracting-facet photodiode module with large bandwidth and high responsivity //J. Lightwave Technol.- 2000 .- V. 18, n. 1.- P. 79-83.

50. Fukano H., Kozen A., Kato K., Nakajama O. High-responsivity and low-operation-voltage edge-illuminated refracting-facet photodiodes with large alignment tolerance for single-mode fiber //J. Lightwave Technol. -1997.-V. 15, n. 5.- P. 894-899.

51. Ohno Т., Fukano H., Muramoto Y. et al. Measurement of intermodu-lation distortion in a unitraveling-carrier refracting-facet photodiode and a p-i-n re-fracting-facet photodiode //IEEE Photon. Technol. Lett.- 2002.- V. 14, n. 3.- P. 375-377.

52. Kinsey G., Campbell J., Dentai A. Waveguide avalanche photodiode operating at 1.55 (im with a gain-bandwidth product of 320 GHz //IEEE Photon. Technol. Lett.- 2001.-V. 13, n. 8.- P. 842-844.

53. Kinsey G., Hansing C., Holmes A. et al. Waveguide InO.53GaO.47As In0.52A10.48As avalanche photodiode //IEEE Photon. Technol. Lett.- 2000.- V. 12, n. 4.- P. 416-418.

54. Tan I., Sun C., Giboney K. et al. 120-GHz long-wavelength lowcapacitance photodetector with an air-bridged coplanar metal waveguide //IEEE Photon. Technol. Lett.- 2002.- V. 14, n. 3.- P. 363-365.

55. Shi J., Chen K. et al. High-speed and high-power performances of LTG-GaAs based metal-semiconductor-metal travel ing-wave-photodetectors in 1.3 pm wavelength regime //IEEE Photon. Technol. Lett.- 1995.- V. 7, n. 12.- P. 1477-1479.

56. Shi J., Sun C. Design and analysis of long absorptionlength traveling-wave photodetectors //J. Lightwave Technol.- 2000.- V. 18, n. 12.- P. 2176-2187.

57. Lin L., Wu M., Itoh T. et al. High-power high-speed photodetectors -design, analysis, and experimental demonstration //IEEE Trans. Microwave Theory Tech.- 1997.-V. 45, n. 8. Part 2.- P. 1320-1331.

58. Алферов Ж.И. Физика и жизнь. Изд. 2-е, доп. - М., СПб.: Наука, 2001.-298 с.

59. Алферов Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниках. //Автореф. дис. докт. физ.- мат. наук, 1970.

60. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.М., Портной Б.Л., Третьяков Д.Н. Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs. //ФТП.- 1968.-Т. 2, №10.- С. 1545-5184.

61. Богатов А.В., Долгинов Л.М., Дружинина Л.В. и др. Гетеропереходы на основе твердых растворов GaJn^As^yPy и AlxGai.xSbyAsi.y/GaSb. //Квантовая электроника. -1974.- Т. 1, №10.- С. 2294-2297.

62. Богатов А.В., Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г., Свердлов Б.Н., Шевченко Е.Г. Излучательные характеристики лазерных гетероструктур на основе InP-GalnAsP. //ФТП.- 1975. -Т.9. №10. С. 1956-1961.

63. Miller СЛ., McFee J.N., Martin R.J., Tien Р.К. Room-temperature operation of lattice-matched InP/Gao.47lno.53As/InP double-heterostructure lasers growth by MBE. //Appl. Phys. Lett. -1987. -V.33. №1.-P. 44-46.

64. Oe K., Sugiyama K. GalnasP-InP double-heterostructure laser prepared by a new LPE apparatus. //J. Appl. Phys.- 1976. -V.15,№ 10.-P. 2003-2004.

65. Wakao K., Moriki K., Kombayshi Т., Iga K. GalnAsP/InP layes grown by nearly designed vertical LPE furnace. //Ibid. -1977. V. 16, №11. - P. 2073-2074.

66. Hsieh JJ. High-temperature on operation of GalnAsP/InP laser emitting at 1.55 pm.//Appl. Phys. Lett.-1980.-V. 37, № l.-P. 25-28.

67. Nishi H., Yane N., Nishitani Y., Akita Y. Takasagawa M. Self-aligned structure InGaAsP/InP DH lasers. //Ibid. 1979. - V. 35, № 3. - P.232-235.

68. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Елисеев П.Г., Лапшин А.Н., Мильвидский М.Г., Свердлов Б.Н. Инжекционный гетеролазер на основе че-тырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb. //Квантовая электроника.-1978 .- Т. 5, №3.- с.65-71.

69. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Мильвидский М.Г., Мухитдинов М., Мусаев Э.С., Рожков В.М., Шевченко Е.Г. Применение светодиодов на основе GalnAsSb для измерения влажности. //Измерительная техника. -1981.-№ 6.- С. 29-31.

70. Яковлев Ю.П. Инфракрасная оптоэлектроника на основе многокомпонентных твердых растворов антимонида галлия. //Автореф. дис. докт. физ.-мат.наук, 1995: 01.04.07.-Л., 1995.- 43с.

71. Ohmor Y., Tarucha S., Notikoshi Y., Okamoto H. //Jap. J of Appl. Phys. 1984.-V. 23, №2.- P. 94-96.

72. Баранов A.H., Джуртанов Б.Е., Именков A.H., Шерняков И.М., Яковлев Ю.П. Инжекционный лазер с двухканальным волноводом (1=2 мкм), работающий при комнатной температуре. //Письма в ЖТФ.- 1986.- Т. 12, №9.-С. 557-561.

73. Гельмонт Б.А., Зегря Г.Г. Температурная зависимость пороговой плотности тока инжекционного гетеролазера // ФТП. 1991. - Т. 25, № 11.1. С. 1381-1386.

74. Андреев B.M., Васильев В.И., Румянцев В.Д., Сорокина С.В., Хвостиков В.П. Однопереходные и тандемные GaSb/InGaAsSb термофотоэлементы. //Международная конференция «Physics at the Turn of the 21st Century», СПб, Россия.- 1998.-C.124

75. Барыбин A.A., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы электроники. СПб.: Изд-во «Лань», 2001. - 272 с.

76. Brattacharya Pallab К., Srinivasa S. The role of lattice strain in thephase eduilibria of III V ternary and quaternary semiconductors // J. Appl. Phys. - 1983. - V.54. - № 9. - P. 5090 - 5095.

77. Рубцов Э.Р. Особенности фазовых превращений в системах твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью //Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10- Л. 1994.-16с.

78. Kuznetsov V.V., Rubtsov E.R., Ratushny V.I., Lunin L.S. On the pre-dicion of properties of heterostructures based on quinary A3B5 solid solu-tions//Inst. Phys. Conf. Ser.No 155: Chapter 3.-1996.- P.335-338.

79. Рубцов Э.Р., Сорокин B.C., Кузнецов B.B. Прогнозирование свойств гетероструктур на основе пятикомпонентных твердых растворов АЗВ5 // Физическая химия. -1997.- Т.71.- № 3. С.411 - 416.

80. Гореленок А.Т., Дзигасов А.Г., Москвин П.П., Сорокин B.C., Тарасов И.С. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов GalnPAs //ФТП. 1981. - Т. 15 - № 12. - С.2410-2413.

81. Stringfellow G.W. Calculation of ternary and quaternary III-V phas diagrams //J. of Electronic Materials. 1981.- V.10.- P.919-936.

82. Ильин Ю.Л., Пичугин И.Г., Сорокин B.C. Полупроводниковые соединения АЗВ5 //Справочник по электротехническим материалам / Под ред. Корицкого Ю.В., Пасынкова В.В., Тареева Б.М. Л.: Энергоатомиздат, 1988. - Т.З, гл.20. - С.472-521.

83. Onabe К. Thermodynamics of type Al xBxCl yDy III-V quaternary solid solutions //J. Phys. Chem. Solids. 1982. - V.43.- №11.- P. 1071-1086.

84. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников.- М., 1985. С. 160.

85. Батура В.П., Вигдорович В.Н., Селин А.А. Изменение состава жидкой и твердой фаз в процессе жидкофазной эпитаксии четырехкомпо-нентных твердых растворов. //Физика и химия обработки материалов. 1984. -№1.-С. 81-87.

86. Болховитянинов Ю.Б. Жидкофазная эпитаксия полупроводниковых пленок AIIIBV//Semiconductor sources of electromagnetic radiation

87. Warszawa. 1976- P. 355-374.

88. Rozgonyi G.A., Vanish M.B. Stress compensation in GaxAlixAsvP|„y LPE layers on GaAs Substrates //Appl. Phys. Lett.-1973. -№23. -P.533-535.

89. Burnham B.D., Holonyak N.T., Soifres D.R. AlxGai.xAsi.yPy-GaAsi.yPy heterostructure laser and lamp junctions // Appl. Phys. Letters. -1970.- V. 17, №10. P. 456.

90. Huber D. Thermodynamics of III-V solutions with n-components//J.Phys.Chem.Solide.-1973.-V.54,№ 11. -P. 1859-1365.

91. Mayet L., Gavand M., et Langier A, Incorporation de l'aluminium, du phosphore et du zinc dans le heterojunctions AlxGal-xPyAsl-y GaAs realisees par epitaxie en phas liquide//3. Revuede physique applique. - 1979.- V.14.- P. 223229.

92. Petrof J.F., Sauvage M. Misfit dislocation characteristics in quaternary heterojunctions Gal-xAlxAsl-yPy/GaAs analyzed by synchrotron radiation white beam topography. J. Cryst. Growth. 1978.-V. 43, №5.- P. 628.

93. Лунин Л. С. Исследование жидкофазной эпитаксии AlxGai.xAs на основе зонной перекристаллизации градиентом температуры //Автореф.дис.канд.физ.-мат.наук:01.04.10.- Новочеркасск, 1972.- 29с.

94. Лунина О.Д. Выращивание варизонных гетероструктур методом зонной перекристаллизации градиентом температуры и их свойства. //Автореф.дис.канд.физ.-мат.наук: 01.04.07.-Новочеркасск, 1982. -21с.

95. Olsen G.H., Nuese C.J., Smith R.T. The effect of elastic strain on energy band gap lattice parameter in III-V compounds//.!. Appl. Phys.- 1978.- V.49, № 11.-P. 5523-5529.

96. Moon R., Antypas G. Surface irregularities due to spral-growth in LPE layers of InGaAsP //J. Cryst. Growth. -1973. V. 19, № 2.- P. 109.

97. Moon R., Antypas G., James L. Growth and characterisation of InP-InGaAsP lattice-matched heterojunction //J. Electron. Mater. 1974.- V.3, №3. -P.635.

98. Осинский В.И., Сирота Н.Н. Излучение р-n переходов на кристаллах твердых растворов фосфида индия-арсенида галлия. //Доклады АН СССР.- 1966. -Т. 171, №2.- С. 217.

99. V. Swaminathan and A.T. Machrander, in: Material Aspects of GaAs and InP Based Structures // Prentice Hall, Englewood Cliffs.- 1991.- P. 325.

100. J. Diaz, H.J. Yi, M. Razeghi, G.T. Burnham, Long term reliability of Al-free InGaAsP/GaAs (k = 808 nm) lasers at high-power hightemperature operation// Appl Phys Lett-1977.-V.71, №21.-P.3040-3044.

101. Альперович В.Л., Болховитянов Ю.Б., Чикичев С.И., Паулиш А.Г., Терехов А.С., Ярошевич А.С. Эпитаксиальиый рост, фотокатодные применения напряженных псевдоморфных эпитаксиальных слоев 1п-GaAsP/GaAs //ФТП. -2001.- Т.35, №9.-С. 1102-1110.

102. К. Nakajima. GalnAsP Alloy Semicond. ed. by T.P. Pearsall//J. Wiley & Sons, Ltd. London, 1982.-P.43.

103. V.L. Alperovitch, Yu.B. Bolkhovityanov, A.G. Paulish and A.S. Terekhov. Nucl. Instrum. Methods //A 340.-1994.- P.429.

104. Дионов E.M. Перспектива использования диапазона длин волн 11,6 мкм для осуществления волоконно-оптической связи// Квантовая электроника.- 1980.- Т.7, №3. С. 453.

105. J.K. Wade, LJ. Mawst, D. Botez, R.F. Nabiev, M. Jansen, 5 W continuous wave power 0.81- pm-emitting Al-free active region diode lasers. Appl Phys Lett. 1997,- V. 71, №2.- P.172-174.

106. Mukai S., Yajima H., Mitsuhashi Y., Yanagisawa S. Liquid phase epitaxial growth of AlGalnPAs lattice matched to GaAs //Appl. Phys. Lett.- 1984.-V.44, № 9.- P. 904-906.

107. Kawanishi H, Suzki T. Liquid phase epitaxial growth of (AlzGal z)xlnl xAsyPl у pentanary on (100) GaAs substrate using two-phase solution technique // Appl. Phys. Lett.-1984, V.45, № 5.- P. 560-562.

108. Z.L. Xu, W.J. Xu, L. Li, C.Q. Yang, R. Liu, H.D. Liu. Liquid phase epitaxial growth of AlGalnPAs on GaAs substrates//Thin Solid Films.- 1999.- V. 338.- P. 220-223

109. Panish M.B. and Sumski S. Ga-Al-As: phase, thermodynamic and optical properties. J.Phys. Chem. Solids //Pergamon Press.- 1969 .- V. 30.- P. 129137.

110. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Нинуа О.Ф., Трофим В.Г. Фотолюминесценция твердых растворов n-AlxGaixAs //ФТП.-1971.- Том 5, N6.- С. 1116-1121.

111. Аскаров П.А., Гутов В.В., Дмитриев А.Г., Именков А.Н., Царен-ков Б.В., Яковлев Ю.П. Координатное изменение люминесценции в варизон-ной GabxAlxAs:Si р-n структуре//ФТП.- 1974.- Том 8, N10.- С. 1913-1917.

112. Горшков Л.И., Коваленко В.Ф., Пека Г.П., Шепель Л.Г. Особенности поведения глубоких примесных центров и примесная фотолюминесценция в варизонных твердых растворах AlxGaj.xAs, легированных хромом// ФТП.- 1981.- T.15,N15.-C. 551-556.

113. Долгинов JI.M, Дружинина JI.В, Ибрагимов И., Рагулин В.Ю. Электролюминесценция гетеропереходов на основе AlyGaiyAsi.xSbx //ФТП.-1976.-Т. 10, №5.-С. 847.

114. Долгинов Л.М., Ибрахимов Н., Мильвидский М.Г. и др. Высокоэффективная электролюминисценция в GaxInixAsi.yPy. //ЛФТП.- 1975. Т. 9, №7.-С. 1319-1321.

115. W.G. Oldham, A.G. Milnes. Interface states in abrupt semiconductor heterojunction. //Sol. St. Electron.- 1964.- V.4, №2.- P.513-517.

116. Васильев М.Г., Вигдорович B.H., Селин А.А., Ханин В.А. Оценка положения фазовых границ «расплав-кристалл» в пятикомпонентных системах на примере системы Al-Ga-In-P-As //ЖФХ. 1983. - Т. 57, N10. - С. 24342435.

117. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Аскарян Т.А. Перспективы применения пятикомпонентных гетероструктур на основе соединений АШВУ в интегральной оптоэлектронике. //Тез. Докл. XII Всесоюзной конф. По микроэлектронике.- Тбилиси, 1987. Ч. 7.- С. 45-46.

118. Сорокин B.C., Рубцов Э.Р. Расчет спинодальных изотерм в пятикомпонентных твердых растворах АЗВ5//Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1993. - Т.29, №1. - С. 28-32.

119. Sankaren R., Antypas G.A., Moon R.L., Echer J.3., Janes L.M. Growth and characterisation of GalnAsP-InP Lattice matched heterojonction//J. Vac.Sci. Technol. 1976 .- V.13, №4. -P. 932-937.

120. Nakajina Kazuo, Kusunoki Toshehiro, Akito Kenzo InGaAsP phase diagram and LPE growth conditions for lattice matched on InP //Fujitsu Sci and Techn.j".- 1980.-V. 16, №4. -P. 59-83.

121. Tabatabaic Alavi К., Perea E.H., Pounstand G.E. Nearly equilibrium growth of In Ga. GaxIni.xAsyP!y (0<y<l) lattice-matched to (100) InP//J.Electron. Mater.- 1981. -V. 10, № 5.-P. 591-603.

122. Hsieh J.J. Phase diagram for LPE growth of GalnAsP layer lattice-matched to InP substrates //IEEE J. Quantum. Electron. -1931.- V. 17, n 2. P. 113

123. Kuznetsov V.V., Moskvin P.P., and Sorokin V.S. Coherent phase diagram and relaxation processes during LPE of AIIIBV solid Solutions //J. of Crystal Growth. 1980. -V. 88.-P.241-262.

124. Nakajima Kazuo and Tanahashi Toshiynki. Liquid phase epitaxial growth conditions of lattice-matched GaxInl-xAsyPl-y layers on (111) A and (111) В InP //J.Cryst.Growth.- 1985.-V.71 .-P.463-469.

125. Pollack K.A., Nahory R.E., Dewinter J.C. and Ballman A.A. Liquid phase epitaxial GaxInl-xAsyPl-y lattice matched to 100 InP over the complete weavelength range 0, 92<a<l, 65m //Appl. Phys. Lett. -1978.- V.33, №4.-P.314-316.

126. Venkrbec Jan. Phs.se diagran ond cristal growth //J.Cryst Growth.-1930.-V.48, № 4. P. 611-620.

127. Kikuchi Ryoichi. Theory of ternary III-V semiconductor phase dia-grams//Physica.-1981. -V. 103, №1. -P. 41-56.

128. Ernesto H. Per a and Cliston G. Fonstad. Phase diagram calculations for In GauInl-uAsvPl-v lattice matched to (III-B) InP, in the temperature rang 600-660°C //J. Appl.Phys.-1980.-V.51, №1.-P.331-335.

129. Гореленок A.T., Мдивани B.H., Москвин П.Г., Сорокин B.C., Усиков А.С. Исследование фазовых равновесий в системе Ga-In-As-p//OKOX.- 1982. Т. 56, № 10.- С. 2416-2421.

130. De Gremoux В. First order theory of diffusion, limited growth LPE : Phys., Gonf. Ser. - 1979.- № 45.-P. 52.

131. Казаков A.M., Мокрицкий B.A., Романенко B.H., Хитова JI. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах.- М., 1987.-С.137.

132. Пригожин и., Дефей Р. Химическая термодинамика / Пер. с англ.- Новосибирск: Наука, 1966. 357 с.

133. Глазов В.М., Павлова Л.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия .- М., 1981. 337 с.

134. Уфимцев В.Б., Лобанов А. А. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов. М., 1981. - 216 с.

135. Хачатурян А.Т. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов.- М: Наука, 1974. 284 с.

136. Батура В.П., Вигдорович В.Н., Селин А.А., Гераскин В.Н. Исследование поверхности ликвидуса в системе Ga-In-As-P //Полупроводниковые соединения.- М., 1981. С. 23-28.

137. Stringfellow G.B. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagram//J.Grist. Growth.- 1974. -V.27, N1.- P.21-34.

138. Паниш М.Б., Илегемс M. Фазовые равновесия в тройных системах Ш-У.//В кн. Материалы для оптоэлектроники.- М: Мир, 1976.-С. 39.

139. Nakajiraa К., Kuzunoki Т., Akita К., Kotani Т. Phase diagram of the In-Ga-As-P quaternary system and LPE growth conditions for conditions for lattice matched on InP substrates //J.Electroche-rn. Soc.-1973.-V.125, № 1 P.123-127.

140. Perea E.H., Fonstad G.G. Phase diagram calculation for GaxIni.xAsyPiy lattice matched to (III-B) InP in the temperature range 600-660 //Appl.Phys.-1980.-V. 51, № 1.- P.335-335

141. Гореленок А.Т. Проблемы технологии изопериодических многокомпонентных гетероструктур AIIIBV для фотоприемников спектрального диапазона 1, 1-1, 6 мкм //Фотоприемники и фотопреобразователи.- ЛД986. -С. 37-63.

142. Gorelenok A.I., Mdivani V.N., Moskvin P.P., Sorokin U.S., Usikov A.S. Phas equilibria in GalnPAs system //J. Cryst.Growth. -1982-V.60. P. 355552.

143. Кузнецов B.B., Москвин П.П., Ольховик Я., Сорокин B.C. Релаксационная изотермическая эпитаксия GaxInixAsyP.y/GaAs из жидкой фазы //Неорг.матер. 1986 - Т.22, № И. - С. 1773-1777.

144. Андреев В.М., Сулима О.В., Шмидт Н.М. Исследование диффузии цинка из газовой фазы в InP и твердые растворы InGaAs, InGaAsP./ЛГез.конф. Фосфид индия в полупроводниковой электронике.-Кишинев, 1985.- С. 57-58.

145. Feng M., Windnorh Т.Н., Tachima K.K., Stilman G.E. Liquid phase epitaxial growth of lattice-matched InGaAsP on (ICO)- InP for the 1, 15-1, 31m spectral region//Appl. Phys. Lett.-1973 V.32, N 11.- P. 758-761.

146. Берт H.A., Гореленок A.T., Дзигасов А.Г., Конников С.Г., Попова Т.Б., Тарасов И.О., Тибилов В.К. Твердые растворы InGaAsP изопериодиче-ские с InP. //Автометрия I960 - С. 11-21.

147. Sankaran R. et al. Growth and Characterization of InGaAsP-InP Lattice-Matched Heterojunctioris //J. Vac., Sci. Technol. 1976. -V.13, № 4.- P.932-937.

148. Батура В.П., Вигдорович B.H., Селин A.A. Методика определения температур ликвидуса полупроводниковых твердых растворов //Заводская лаборатория -1960. Т.47, №7.- С.39-41.

149. Ангина Н.Р., Арбенина В.В., Малинина Т.М. Четырехкомпонент-ные твердые растворы в системе InGaAsP новый материал электронной техники // Зарубежная электронная техника. -1983.-№ 8. - С. 3-81.

150. Small М.В. Chez Н., Renter W., Potemski R.M. Al diffusivity as a function of Growth rate during the formation of (GaAl) As heterojunction by LPE//J. Appl.Phys.-1981.-V.52, N 2.-P. 814-817.

151. Кузнецов B.B., Садовски В., Сорокин B.C. Когерентная диаграмма тройных систем на основе соединений АШ BV //Журн.физ. химии. -1985.-Т.59, № 2.-С. 322.

152. Onabe К. Unstable region of quaternary InGaAsSb calculated using strictly regular solution approximation //Jap. J. of Appl. Phys. 1982. - V. 21, № 6. - P. 964.

153. Айдаралиев M., Зотова H.B., Карандашев С.А., Матвеев и др. Изопериодные структуры GalnAsSbP/InAs для приборов инфракрасной опто-электроники//ФТП. 2002. - Т. 36, вып. 8. - С. 1010-1015.

154. Wilson M.R., Krier А., Мао Y. Phase Equilibria in InAsSbP Quaternary Alloys Grown by Liquid Phase Epitaxy //J. of Electronic Materials. 1996. -V. 25, №9.-P. 1439-1445.

155. Kobayashi N., Horikoshi Y., Liquid Phase Epitaxial Grown of InAsix. yPxSby on InAs Substrate//Jpn. J. Appl. Phys.-1981.-V.20.-P.2301.

156. Mani H., Joullie A., Karouta F., Shiller S., Low Temperature Phase Diagram of the Ga-As-Sb system and Liquid-Phase-Epitaxial Growth of Lattice-Matched GaAsSb on (100) InAs Substrates//J. Appl. Phys.-1986.-V.59.-P.2728.

157. Баранов A.H., Джуртанов Б.Е., Литвак A.M. и др. Об ограничениях на получение АЗВ5 твердых растворов //ЖНХ. 1990. - Т. 35, вып. 12. - С. 3008.

158. Chen L.C., Но W.J., Wu М.С. Growth and Characterization of High-Quality InAsSbP Alloy by Liquid Phase Epitaxy //Jap. J. of Appl. Phys. -1999.-V.38.-P.1314-1316.

159. Yongzhen W., Changchun J., Guijin L. Liquid-phase epitaxial growth of InAsSbP/InAs heterostructure //J. of Ciystal Growth.- 1998.-V.187.-P.194-196.

160. Krier A. Room-temperature InAsSbP light-emitting diodes for C02 detection at 4.2 \im //Appl. Phys. Lett. 1990. - V. 56, № 24. - P. 2428-2429.

161. Титков A.H., Илуридзе Т.Н., Миронов И.Ф., Чебан В.А. Межзонная оже-рекомбинация с участием спин-орбитального расщепления валентной зоны в кристаллах GaSb р-типа. //Физика и техника полупроводников.-1996.-Т. 20, вып. 1.-С. 25.

162. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Аскарян Т.Г. Термодинамический анализ устойчивости пятикомпонентных гетероструктур соединений АЗВ5 //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1989. - Т. 25. - С. 540-546.

163. Чарыков Н.А., Литвак A.M., Михайлова М.П. Яковлев Ю.П. Твердый раствор InxGai.xAsySbzPiy.z новый материал инфракрасной опто-электроники //ФТП. - 1997. - Т. 31, № 4. - С. 410-415.

164. Сторонкин А.В. Термодинамика гетерогенных систем. Л.: ЛГУ, 1967.-Ч.1.-С.467.

165. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Аскарян Т.Г. Термодинамический расчет фазовых равновесий в пятикомпонентных полупроводниковых системах на основе антимонида галлия //Изв. СКНЦ ВШ. Естеств. науки.- 1988.3.- С. 80-86.

166. Аннаев К., Атаджанов К., Буркелиев А., Мелебаев Д., Назаров Н. Фотопреобразователи на основе варизонных GaixAlxAs(Sb) структур //Солнеч. фотоэлектр, энерг. Ашхабад, 1983. С. 256-263.

167. Glisson Т.К., Hauser J.R., Littlejohn М.А. and Williams С.К. Energy band gap and lattice constant contours of III-V quaternary alloys. //J. Electron. Ma-ter.-1978.- V. 7, №1.- P. 1-16.

168. Stringfellow G.B. Miscibility gaps in quaternary III-V alloys. //J. Cryst. Growth.- 1982.-V. 58.- P. 194-202.

169. Pesseto J.R. and Stringfellow G.B. AlixGaxAsySbi.y phase diagram. //J. Cryst. Growth. 1983.- V. 62.- P. 1-6.

170. Cherng M.J., Stringfellow G.B., Kisker D.W., Stravastova A.K. and Ziskind J.L. GalnAsSb metastable alloys grown by organometallic vapor deposition. //Appl. Phys. Lett.- 1986.- V. 48, N6.-P. 419-421.

171. Баранов A.H., Гусейнов А.А., Литвак A.M., Попов А.А., Чарыков H.A., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Получение твердых растворов GalnAsSb, изопериодных с GaSb, вблизи границы области несмешиваемости //Письма в ЖТФ.- 1990.- Т. 16, №5.- С. 33-38.

172. Dewinter J.C., Pollack М.А., Srivastova А.К., Ziskind J.L. Liquid phase epitaxial Gal xlnxAsySbl у lattice-matched to(100) GaSb over the 1.71 to 2.33 pm wavelength range. //J. Electron. Mater.- 1985.- V. 14, N6.- P. 729-747.

173. Именков A.H., Капранчик О.П., Литвак A.M., Попов А.А., Чарыков H.A., Шерстнев B.B., Яковлев Ю.П. Длинноволновые светодиоды на основе GalnAsSb вблизи области несмешиваемости (2, 4-2, 6 мкм, Т=300 К). //Письма в ЖТФ.- 1990.- Т. 16, № 24.- С. 19-24.

174. Баранов А.Н., Литвак A.M., Моисеев К.Д., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Получение твердых растворов In-Ga-As-Sb/GaSb и In-Ga-As-Sb/InAs в области составов, прилегающих к InAs. //ЖПХ.- 1994.- Т. 67, № 12.-С.1951-1956.

175. Бочкарев А.Э., Гульгазов В.Н., Долгинов JI.M., Селин А.А. кристаллизация твердых растворов InixGaxAsySbi.y на подложках GaSb и InAs. //Изв. АН СССР, Неорганические материалы.-1987.- Т. 23, №1.- С. 1610-1614.

176. Васильев В.И., Кузнецов В.В., Мишурный В.А. Эпитаксия GaxInixAsySbi.y с использованием сурьмы в качестве растворителя// Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1990. - Т. 26, №1. - С. 23-27.

177. Nakajima К., Osamura К., Jasuda К., Murakami J. The pseudoquater-nary phase diagram of the Ga-In-As-Sb system. //J. Cryst. Growth.- 1977.- V. 41.-P. 87-92.

178. Dolginov L.M., Eliseev P.G., Lapshin A.N., Milvidskii M.G. A study of phase equilibria and heterojunctions in Ga-In-As-Sb quaternary system. //Kristall und Technik.- 1978.- V. 13, N6.- P. 631-650.

179. Joullie A., F. Jia Hua, Karouta F., Mani H. LPE growth of GalnAsSb/GaAs system: the importance of the sign of the lattice mismatch. //J. Cryst. Growth.- 1986.-V. 75.- P. 309-318.

180. Бочкарев А.Э., Долгинов JI.M., Дружинина JI.B., Мильвидский М.Г. Жидкофазная эпитаксия GaixInxAsySbiy. //Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1983.- Т. 19, №1.-С. 13-15

181. Капо Н., Niyazawa Sh., Suyiyama К. Liquid-phase epitaxy of GaixInxAsySbiy quaternary alloys on GaSb. //Jpn. J. Appl. Phys.- 1979.- V. 18, N11.- P. 2183-2184.

182. Kobayashi N., Horikishi Y., Uemura C. Liquid-phase epitaxial growth of InGaAsSb/GaSb and InGaAsSb/AlGaAsSb DH wafers. //Jpn. J. Appl. Phys.-1979.-V. 18, N11.-P. 2169-2170.

183. Shim K., Rabitz H. Electronic and structural properties of the pen-tanary alloy GaxIni.xPySbzAsi.y.z. //J. Appl. Phys.- 1999.- V. 85, N11.- P. 77057715.

184. Кузнецов B.B., Лунин Л.С., Ратушный В.И. Термодинамика и расчет фазовых диаграмм.- Новочеркасск: НПИ, 1991. 46 с.

185. Guggenheim Е.А. Thermodynamics, North-Holland, 3-th ed. Amsterdam. 1957. - P. 250.

186. Ilegems A.S. Activity coefficients for a regular multicomponent solution. //J. Electrochem. Soc. 1972. - V. 119, N1.- P. 123-126.

187. Кузнецов B.B., Сорокин B.C. О термодинамическом описании1 ствердых растворов на основе соединений А В //Изв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы. 1980. - Т. 16, № 12. - С. 2085 - 2089.

188. Jordan A.S., Ilegems М. Solid-liquid equilibria for quaternary solid solutions //J. Phys. Chem. Solids. 1975.- V. 36, № 4. - P. 329-342.

189. Кристиан Дж. Теория превращений в металлах и сплавах: Пер. с англ./Под ред. Ройтбурда. М.: Мир, 1978. - 806 с.

190. Рубцов Э.Р., Кузнецов В.В., Лебедев О.А. Фазовые равновесия пятерных систем из AIII и ВУ//Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1998.-Т.34, №5.- С.525 530.

191. Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетерогенных системах. Киев: Наукова думка, 1983. -304 с.

192. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Елисеев П.Г. Структурное совершенство эпитаксиальной гетерограницы GaAs-AlxGaixAs. //Научные труды ГИРедМета. М., 1974.- вып. 56.- С. 8.

193. Сорокин B.C., Рубцов Э.Р. Когерентная деформация псевдо-морфных слоев при жидкофазной гетероэпитаксии твердых растворов. //Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1992. - Т. 28, вып. 4. - С. 704-708.

194. Болховитянов Ю.Б. Контактные явления на границе раздела фаз перед жидкофазной гетероэпитаксией соединений AIIIBV //Препринт 2 82. - Новосибирск, 1982. - 51 с.

195. Bolkhovityanov Ju. В. The peculiarities of isothermal contact of liquid and solid phase during the LPE of AinBv compounds. //J. of Cryst. Growth.- 1981.-V. 55, N3.- P. 591.

196. Воронков B.B., Долгинов Л.М., Лапшин A.H., Мильвидский М.Г. Эффект стабилизации состава в эпитаксиальном слое твердого раствора //Кристаллография. 1977. - Т.22, вып.2. - С. 375 - 378.

197. Рубцов Э.Р., Кузнецов В.В., Ратушный В.И., Когновицкая Е.Л. Когерентная фазовая диаграмма пятерных систем на основе соединений A3 В 5//Физическая химия. 2003.- Т. 77, №1.- С. 250-254.

198. Kuznetsov V.V., Sadowski W., Sorokin V.S. The coherent phase diagram of A3B5 ternary system //Crystal Res. Technol. 1985. - V.20, № 10. - P. 1373- 1380.

199. Ратушный В.И., Олива Э.В. Влияние кристаллографической ориентации подложки на эпитаксиальный рост // Изв. ВУЗов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки-2001.-№2.- С.90-92.

200. Hsieh J.J. Phase diagram for LPE growth of GalnAsP layers lattice matched to InP substrates. //IEEE J. Quant. Electronics. 1981. - V. 17, N2. - P. 118-122.

201. Люпис К. Химическая термодинамика материалов/ Пер. с англ. -М.: Металлургия, 1989. 503 с.

202. U. Konig, W.Keck Contact angles between III-V melts and several substrates//J.Electrochem. Soc. -1983.-V.3.-P.685.

203. Кулиш У.М., Борликова Г.В. Смачивание сложных полупроводников металлическими расплавами //Адгезия расплавов и пайка материалов. -1989.-№22.-С.11-13.

204. Свелин Р.А. Термодинамика твердого состояния/Пер. с англ. -М.: Металлургия, 1968. 316 с.

205. Миссол В. Поверхностная энергия раздела фаз в металлах/Пер. с польск. М.: Металлургия, 1978.- 176 с.

206. Дохов M.JI. Рассчет межфазной энергии некоторых органических соединений на границе раздела монокристалл-расплав //ЖФХ. 1981. -Т. 55, №5.-С. 1324-1327.

207. Nakajima К., Ujihara Т. et al. Phase diagram calculations for epitaxial growth of GalnAs on InP considering the surface, interfacial and strain energies //J. of Crystal Growth.-2000.-V.220.-P.413.

208. U. Konig, W.Keck, A. Kriks Contact angles in the liquid phase epitaxy of InP, GalnAs and GalnAsP //J. Crystal Growth.-1984.- V.68.- P. 545.

209. Stringfellow G.B. The importance of lattice mismatch in growth of GaxInbxP epitaxial crystals //J. Appl. Phys.- 1972.- V.43, №8. P.3456 - 3460.

210. Сорокин B.C. Эффект стабилизации периода решетки в четырех-компонентных твердых растворах //Кристаллография. 1986. - Т.31, вып.5. -С. 844 - 850.

211. Кузнецов В.В., Рубцов Э.Р., Ратушный В.И., Когновицкая Е.А. Эффект стабилзации периода решетки в пятерных твердых растворах соединений АЗВ5//Физическая химия. 2003. - Т. 77, №3. - С. 250-254.

212. Ратушный В.И. Некоторые аспекты термодинамического описания эпитаксиальной кристаллизации пятерных систем АЗВ5// Изв. ВУЗов. Сев. Кавк. регион. Техн. науки. - 2003. - Прил. №3. - С. 112-114.

213. Литвак A.M. Термодинамическое моделирование жидкофазной эпитаксии многокомпонентных твердых растворов АЗВ5: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Л. - 1990.

214. Feng М., Cook L.W., Tashima М.М., Stillinan G.E. Lattice constant, bandgap, thickness, surface morphology of InGaAsP-InP layers growth //J. Electron. Mater. 1980. - V.9, №2.- P.241.

215. Кузнецов B.B, Москвин П.П, Срокин B.C. Диффузионные процессы при жидкофазной эпитаксии в системе Ga-In-P. //Изв. АН СССР Неорг. материалы. 1985.- Т. 21, №6. - С. 892-896.

216. Small М.В., Ghez R.S. Growth and dissociation cinetics of III-V het-erostructures formed by LPE.//J. Appl.Phys.-1979.-V.50, №8.- P.5322.

217. Москвин П.П., Сорокин B.C. Процессы массопереноса при получении эпитаксиальных слоев GaxInixPyAsi.y методом ступенчатого охлаждения. //ЖФХ.-1984. T.LVIII, №2. - С.422 - 427.

218. Kuznetsov V.V., Moskvin P.P., Sorokin V.S. Grows kinetics in LPE of the Ga-In-P-As system //J. Cryst. Growth. 1984. - V.66. - P. 562 - 574.

219. Tiler W.A., Kang С. On the growth rate of crystal from solution //J.Cryst. Growth. 1968. - V.2, №6. - P.345 - 355.

220. Ратушный В.И. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в четверных системах на основе фосфида индия и арсенида галлия. Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Р-н/Д. - 1989.-19с.

221. Gorelenok А.Т., Kuznetsov V.V., Moskvin P.P., Sorokin V.S. Peculiarities of LPE in GalnAsP/InP lattice matched heterostructure //J. Crystal Growth. - 1987. - V.80. -P.298.

222. Takahei K., Nagai H. Low-temperature liquid phase epitaxy growth for room-temperature ow operation of 1.55 mm InGaAsP/InP double heterostructure lasers //Jap. J. Appl. Phys. - 1981. - V.20, №4 - P.L313 - L316.

223. Осинский В.И., Привалов В.И., Тихоненко О.Я. Оптоэлектрон-ные структуры на многокомпонентных полупроводниках. Минск: Наука и техника, 1981. - С. 208.

224. Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых слоев.-М., 1978.- С. 191.

225. Паниш М.Б., Илегемс М. Материалы для оптоэлектроники/ Пер. с англ.- М., 1976.

226. Кресел Г., Нельсон Г. Физика тонких пленок. Т. VII/Пер с англ. М.: Мир, 1977.-С. 133-283.

227. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Larionov V.R. et al. Tandem GaSb/InGaAsSb Thermophotovoltaic cells //Conference Record 26-th IEEE PVSC. Anaheim, 1997. - P.935-939.

228. Лозовский B.H., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. -М., 1987. -232 с.

229. Гершанов В.Ю., Гармашов С.Н. К методике исследования кинетики кристаллизации методом ЗПГТ при снижении температуры с постоянной скоростью // Кристаллизация и свойства кристаллов.- Новочеркасск, 1985.-С. 66-72.

230. Буддо В.И. Физико-технические основы технологии получения толстых полупроводниковых слоев для твердотельной электроники методом зонной перекристаллизации градиентом температуры.//Дис. канд. техн. наук. Таганрог.-1982 С.205.

231. Гершанов В.Ю. Исследование зонной плавки градиентом температуры в квазибинарных системах на основе кремния.//Дис. канд. физ.-мат.наук: 01.04.10.- Ростов н/Д 1969 .-29с.

232. Сысоев И.А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений АЗВ5 //Кандидатская диссертация. Новочеркасск, 1993. 246 с.

233. Стрельченко С. С., Лебедев В. В. Соединения АЗВ5: Справочник М: Металлургия, 1984. 144 с.

234. Арсентьев ИН., Лунин Л.С., Вавилова Л.С., Ратушный В.И., Шишков М.В. СВЧ диоды с барьером Шотки на напористых подложках// Изв. ВУЗов. Сев. Кавк. регион. Техн. науки. - 2003. - № 2.- С.97-99.

235. Ратушный В.И. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в четверных твердых растворах на основе фосфида индия// Изв. Сев.-Кавк. науч. центра высш. шк.- Ростов н/Д, 1988.-С.1-15.- Деп. в ВИНИТИ 08.06.88, № 4049- В88.

236. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Ратушный В.И., Лунина О.Д. Влияние условий выращивания на плотность дислокаций в гетероструктурах GalnAsP/InP// Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1989.-Т.25, №2.- С. 195197.

237. Ратушный В.И., Мышкин А.Л. Особенности технологии получения многокомпонентных твердых растворов AlGaPAs и AlInGaPAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры// Изв. вузов Сев.-Кавк. регион. Техн. науки 2001.- №2 - С.86-88.

238. Ратушный В.И., Олива Э.В., Шишков М.В., Уелин В.В, Левченко

239. Е. Г. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов GalnAsSbP на подложках InAs и InP// Изв. ВУЗов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки-2002.- Спецвып-С.99-102

240. Ратушный В.И., Трипалин Н.С., Мышкин A.JI. Особенности получения пятикомпонентных твердых растворов AlInGaPAs и InGaPSbAs на подложке GaAs в поле температурного градиента// Изв. ВУЗов. Сев. Кавк. регион, техн. науки. - 2003. - Пр. №3. - С. 105-111.

241. Ратушный В.И. Гетероэпитаксия четырех-, пятикомпонентных твердых растворов соединений АЗВ5 для целей термофотопреобразования// Изв. ВУЗов. Сев. Кавк. регион, техн. науки. - 2003. - № 3. - С. 56-59.

242. Hsieh J.J. Measured compositions and laser emission wavelengths of InixGaxAsyPiy LPE lavers Lattice-matched to InP substrates. //J.Electron.Hater.-1978.-V.8, N 1. -P.31-37.

243. Cook L.W., Tashima and Stillman G.E. Effects of a finite melt on the thickness and composition of Liquid phase epitaxial InCaAsP and InGaAs layers grown by the diffusion-limited step-cooling techniques//Appl.Phys.Lett.-1980.-V.56, №11.-P.904-907.

244. Quillec, J.L Benchmol, Slempkes S. and Launois H. High mobility in liquid phase epitaxial InGaAsP free of composition modulations //Appl.Phys.Lett.-1983.-V.4,№10.-P. 886-888.

245. Coleman J.J. Arsenic and gallium distribution coefficient in liqu.id-phase epitaxial GaxInixAsyPi.y //Appl. Phys.Lett.-1978-v.52.6- p.588-590.

246. Лозовский B.H. Зонная плавка с градиентом температуры. -М. 1972.-С.240.

247. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Благин А.В. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. -Ростов н/Д: Изд-во СКНЦ ВШ, 2003.- 376 с.

248. Методы анализа поверхности/ Под. Ред. А. Зандерны. М.: Мир, 1979.- 582 с.

249. Горелик С.С., Скаков Ю.А., Расторгуев JI.H. Рентгенографический и электронно-оптический анализ.- М.: «МИСИС», 2002. 306 с.

250. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур.- М.: Радио и связь, 1985. -264 с.

251. Исмаилов И. Оптоэлектронные излучательные приборы на основе фосфида индия и родственных материалов.-JI. 1986. -С. 206.

252. Лозовский В.Н., Гершанов В.Ю., Зурнаджан B.C. К вопросу об исследовании кинетики кристаллизации методом ЗПГТ.//Физика конденсированных сред. Новочеркасск, 1974 - Т. 287.- С.3-6.

253. Лозовский В.Н., Марьев В.Б. Кинетика роста эпитаксиальных слоев фосфида галлия при зонной перекристаллизации градиентом температуры //Изв. Высших учебных заведений. Физика. 1974. - №7. -С. 115-118.

254. Лунин Л.С., Ратушный В.И. Распределение арсенида галлия вэпитаксиальных слоях GaxInixAs, растущих на подложках из фосфида индия в поле температурного градиента //Известия ВУЗов. Физика. 1987. - № 12.-С. 89-91.

255. Лунин Л.С., Ратушный В.И. Особенности эпитаксии GaxInl-xAs на фосфиде индия в поле температурного градиента//Кристаллография. -1987. Т. 32, вып. 4. - С. 989-993.

256. Буддо В.И., Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Марончук И.Е., Масен-ко Б. П. Получение толстых эпитаксиальных слоев AlxGaixAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры //Микроэлектроника. -1978. Т.7, №1. - С.70-73.

257. Арсентьев И.Н. Получение и исследование твердых растворов в системе GalnAsP и создание инжекционных источников све-та//Автореф.дис.канд.техн.наук:01.04.10.- Воронеж, 1978 С. 19.

258. Дианов Е.М. Перспективы использования диапазона длин 1-1,6 мкм для осуществления волоконо-оптической связи (обзор) // Квантовая электроника. 1980. - Т.7, № 3. - С.453-463.

259. Лунин Л.С., Ратушный В.И. Аскарян Т.А., Гапоненко В.Н. Выращивание и свойства гетероструктур InP-GaxInl-xAsyPl-y //Изв. АН СССР. Неорг. материалы 1988. - Т. 24, № 2. - С. 207-210.

260. Налимов В.В., Чернова Н.А. Статистические методы планирования экстремальных экспериментов //М: Наука, 1965. С. 229.

261. Toshiro К., Kenzo A., Satochi К. and Yorimitsu N. The effect of growth, temperature and impurity doping on compositror of LPE InGaAsP on InP //J.Crystal. Growth. 1982.-V.58, N2.-P.387-392.

262. Benchinoi J.Z., Quillec M., Slempksi Б. Improved mobility in Gai.xInxAsyPi-y alloy using high temoerature liquid phase epitaxy //J. Cryst. Growth.-1933.-V.64, № 1. -P.96-100.

263. Frng M. The Influence of LPE Growht Techniques on the Alloy Composition of InGaAsP//Appl. Phys. Lett.-1979- V.34, №4. -P.292-294.

264. Burgeat J., Quillec J., Prinot G. Le Roux. end H.Lau-. nios. Observation of stepwise variations of the lattice parameter on GaxInl-xAsyPl-y layers growth by liquid phase epitaxy on (100) InP//Appl.Phys.Lett.-1981.-V.5, №7.-P. 542-544.

265. Берт H.A., Гореленок A.T., Дзигасов А.Г., Конников С.Г. и др. Твердые растворы InGaPAs изопериодические с InP. //Автометрия. 1980. -С. 11-21.

266. Москвин П.П., Овчинников С.Ю., Сорокин B.C. Расчет концентрации собственных дефектов и отклонения от стехиометрии в твердых растворах GaxInbxAsyPi.y. //Кристаллография. 1983. - Т. 28, №3.- С. 530-537.

267. Мильвидский М.Г., Долгинов JI.M. Дефектообразование в эпитаксиальных гетероструктурах и многокомпонентные твердые растворы полупроводниковых соединений. //Рост кристаллов. 1980. - №13.- С. 260-270.

268. Тихоненко О.Я., Манего С.А., Осинский В.И. Влияние флуктуа-ций гетерогенного потенциала на спектры краевой люминесценции соединений GaixInxAsi.yPy. // Прикладная спектроскопия.-1981.-Т. 34, вып.5.-С.229-231.

269. Лунин Л.С., Арсентьев И.Н., Ратушный В.И., Шишков М.В. Жидкофазная эпитаксия на подложках пористого фосфида индия. //Изв. вузов. Сев.-Кавк. Регион. Техн. Науки. 2003. - №4. - С. 75-79.

270. P.Schmuki, L.Santinacci, T.Djenzian and DJ.Lockwood. Pore formation on n-InP// Phys. Stat. Sol (a).- 2000.- V. 182, №51.- P. 51-61.

271. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. К.: "Наукова думка", 1975.- С. 318.

272. S.H.Groves, M.C.Plonko. "Liquid-phase epitaxial growth of InP and InGaAsP alloys"// J.Crystal Growth.- 1981.- V.54.- P.81.

273. Гапоненко B.H., Лунин Л.С., Ратушный В.И., Лунина О.Д. Планирование процесса выращивания совершенных варизонных гетероструктур AlxGaixAs. //Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1987.-Т. 23, № 7,- С. 10981102.

274. Ратушный В.И. Получение пятерных твердых растворов на основе арсенида галлия и их свойства// Изв. ВУЗов. Сев. Кавк. регион, техн. науки. - 2003. - Прил. №3. - С. 115-121.

275. Cheung D.T., Andrews A.N., Gertner F.R., Williams C.S. et al. Sack-side-illuminated InAsi.xSbx-InAs narrowband. //Ibid.- 1977.- V. 30, №11. P. 587.

276. Лунина О.Д., Лунин Л.С., Розенштейн Г.Е. Распределение арсе-нида алюминия в варизонных пленках AlxGaixAs, растущих в поле температурного градиента. //Изв. Вузов. СССР «Физика».- 1982.- №9. С. 111-113.

277. Лозовский В.Н., Лунина О.Д. Эпитаксия варизонных слоев AlzGal-zAs в поле температурного градиента //Изв. АН СССР Неорган, материалы. -1980. Т.16, № 2. - С. 213.

278. Hurl D.T., Kullin I.B., Pike E.R Thin Alloy Zone Crystallisa-tion//J.Mat.Sci.- 1967.-V.2, №1.-P. 4-6.

279. Лозовский B.H., Лунин Л.С., Марончук И.Е. и др. Влияние условий выращивания на совершенство толстых эпитаксиальных слоев AlxGaixAs //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1979. -Т. 15, № 4. с. 1913.

280. Александров Л.Н. Кинетика образования и структуры твердых слоев.- Новосибирск: Наука, 1972. 227 С.

281. Лунин Л.С., Ратушный В.И., Лунина О.Д. Кристаллическое совершенство и оптические свойства многослойных пятикомпонентных Соединений АЗВ5//Физические основы твердотельной электроники: Тез. докл. I Всесоюз. конф., 25-29 сент., 1989 г.-М., 1989.- С. 201.

282. Feng М., Cook L.W., Tashima М.М., Windhorn Т.Н., Stillman G.E. The influence of LPE growth techniques on the alloy composition of InGaPAs// Appl. Phys. Lett- 1979.- V. 34.- P. 292-295.

283. Лунин Л.С., Шевченко А.Г., Ратушный В.И., Казаков В.В. Пяти-компонентные твердые растворы//Фундаментальные проблемы пьезоэлек-троники: Сб. тр. Междунар. науч. практ. конф. «Ньезотехника-95».- Ростовн/Д: РГУ, 1995.- Т.1.- С.46-52.

284. Blondeel A., Clauws P., Depuydt В. Lifetime measurements on Ge wafers for Ge/GaAs solar cells chemical surface passivation //Materials Science in Semiconductor Processing.-2001.-V.4.- P. 301-303.

285. Popov A.S., Koinova A.M., Tzeneva S.L. The In-As-Sb phase diagram and LPE growth of InAsSb layers on InAs at extremely low temperatures //J. of Crystal Growth.-1998.- V.186.- P. 338-343.

286. Мильвидский М.Г., Долгинов JI.M. Гетерокомпозиции на основе многокомпонентных твердых растворов //Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1981. - С. 41-52.

287. V.A. Mishurnyi, F. de Anda, I.C. Hernandez del Castillo, A.Y. Gorbachev Temperature determination by solubility measurements and a study of evaporation of volatile components in LPE //Thin Solid Films.-1999.-V.340.-P.24-27.

288. Акчурин P.X., Берлинер Л.Б. Информационно-расчетная система для компьютерного моделирования процессов жидкофазной эпитаксии // Материалы электронной техники. 1998. - № 2. -С. 51-56.

289. Андрушко Л.М., Вознесенский В.А., Каток В.Б. Волоконно-оптические линии связи: Справочник. К.: Тэхника, 1988. - 239 с.

290. Кузнецов В.В., Лунин Л.С., Ратушный В.И., Олива Э.В. Твердые растворы GalnAsSbP на подложках InAsZ/Изв. ВУЗов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки-2002.-№ 4.- С.70-72.

291. Вигдорович В.И., Селин А.А., Шутов С.Г., Батура В.П. Термодинамический анализ устойчивости кристаллов соединений АЗВ5 в четырех-компонентной жидкой фазе //Неорг. материалы. 1981. - Т.17, № 7. - С. 10.

292. Кузнецов В.В., Стусь Н.М., Талалакин Т.Н., Рубцов Э.Р. Межфазное взаимодействие и гетероэпитаксия в системе InPAsSb //Кристаллография. 1992. - Т. 37, № 4. - С. 998-1002.

293. Болховитянов Ю.Б., Чикичев С.И. Устойчивость неравновесной границы раздела кристалл-расплав перед жидкофазной гетероэпитаксией соединений АЗВ5.- Новосибирск.- 1982.- 50 с.

294. Mahajan S., Brasen D., DiGiuseppe M.A., Keramidas V.G. et al. Manifestation of melt-carry-over in InP and InGaAsP layers grown by liquid phase epitaxy //Appl. Phys. Lett. 1982. - V.41, № 3. - P. 266-269.

295. Болховитянов Ю.Б., Юдаев В.И. Начальные стадии формирования новой фазы при жидкофазной гетероэпитаксии соединений АЗВ5. Новосибирск, 1986. -112 с.

296. Ратушный В.И., Разумовский П.И. Получение пятикомпонентных гетероструктур InxGaixAsySbzPi.y.z для инфракрасной оптоэлектрони-ки//Оптика полупроводников: Тр. междунар. конф.- Ульяновск: Изд-во Ул-ГУ, 2000.-С. 150.

297. Разумовский П. И. Получение пятикомпонентных гетероструктур InxGal-xAsySbzPl-y-z для инфракрасной оптоэлектроники/Юптика полупроводников: Тр. междунар. конф.- Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000. С. 150.

298. Лунин Л. С., Овчинников В. Н., Столяров С. М., Разумовский П.И. Особенности технологии получения многослойных гетероструктур на основе соединений АЗВ5//Изв. вузов. Сев.- Кавк. регион. Техн. науки.-. 1997.-№2.-С. 93-96.

299. Ратушный В.И., Мышкин А.Л., Разумовский П.И. Твердые растворы InGaAsSbP на подложках антимонида галлия//1Х национальная конференция по росту кристаллов НКРК-2000: Тез. докл. Все союз, конф., Москва, 16 окт., 2000 г.- М.: ИКРАН, 2000.- С.231.

300. Kurz S.R., Myers D., Olson J.M. Projected performance of three- and four-junction devices using GaAs and GalnP// 26-th IEEE PVSC. Anaheim, 1997.-P.875-878.

301. Karam H.N., King R.R., Cavicchi B.T. et al. Development and Characterization of High-Efficiency GaO.5InO.5P/GaAs/Ge Dual- and Triple-Junction Solar Cells // IEEE Trans, on Electron Dev. 1999. - V. 46, № 10. - P. 2116-2123.

302. Wojtczuk S., Tobin S., Sanfacon M. et al. Monolithic two-terminal GaAs/Ge tandem space concentrator cells // IEEE Electron Dev. Lett. 1991.-V.ll, №8.-P. 73-79.

303. Fan C.J., Bozler C.O., Palm B.J., Calculated and Measured Efficiencies of Thin-Film Shallow-Homojunction GaAs Solar Cells on Ge Substrates// Appl. Phys. Lett. 1979. - V.35, № 11. - P. 875-878.

304. Nagashima Т., Okumura K., Murata K. Carrier recombination of germanium for three-terminal tandem solar cells // Proc. of the 17-th European PV Solar Energy Conference. Munich, 2001. - P. 321-325.

305. Мокрицкий B.A., Шобик B.C. Возможности гетероэпитаксии в системе Sn-Ge-GaAs // Электронная техника, сер. Материалы.- 1978.- Вып.8.-С. 70-72.

306. Александров JI.H. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Н.: Наука, 1978. - 271 с.

307. Kazam H.N., King R.H., Cavicch B.T. et al. Development and characterization of High-Efficiency Gao.5lrio.5P/GaAs/Ge Dual and Triple solar cells. //IEEE Trans, on Electron. Dev. 1999. - V. 46, №10. - P. 2116-2123.

308. Immorlica, A., Ludington, Jr. and Burt. Diffusion coefficient and solubility of Ge and GaAs in Pb and application to LPE growth of Ge on GaAs // J. of Crystal Growth.-1981.-V.51.- P. 131-139.

309. Горелик C.C., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М: Металлургия, 1988. - 574 с.

310. Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Куницына Е.В. и др. Роль свинца при выращивании твердых растворов GalnAsSb методом жидкофазной эпитаксии //ФТП. 2001. - Т. 35, вып.8. - С. 941-948.

311. Хвостиков В.П., Лунин Л.С., Ратушный В.И., Олива Э.В., Шварц М.З., Хвостикова В.П. Фотопреобразователи на основе GaAs-Ge гетероструктур, полученных методом низкотемпературной ЖФЭ//Письма ЖТФ.- 2003.Т. 29, вып. 14. С. 46-49.

312. Малышев С.А., Чиж А.Л. Высокоскоростные фотодиоды на основе соединений AIIIBV для волоконно-оптических линий связи. //Изв. ВУЗов. Сев. Кавк. регион. Техн. науки. - 2002. - Спецвып. - С. 5-21.

313. Seeds A. Microwave photonics //IEEE Microwave Theory and Techn.- 2002.- V.50, №3.- P. 877-887.

314. Kato K. Ultrawide-band/high-frequency photodetectors //IEEE Trans. Microwave Theory Techn.-1999.- V. 47, №7.- P. 1265-1281.

315. Абдаралиев M., Зотова H.B., Карандашев С.А., Матвеев Б.А. и др. Изопериодные структуры GalnPAsSb/InAs для приборов инфракрасной опто-электроники. //ФТП. 2002. - Т. 36, вып.8. - С. 1010-1015.

316. Смирнов В.М. Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой. Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук:01.04.07. СПб. - 2000.-19с.

317. Осинский В.И., Малышев С.А. Разработка эпитаксиально-планарных технологических процессов создания оконечных элементов интегральной оптики на основе соединений AIIIBV //Отчет о НИР ДСП.- Гос. per. 01820069583. инв. № 0286002819.-Мн., 1985.-Т. 1.-250с.

318. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Ратушный В.И., Лунина О.Д.и др. Селективные фотоприемники на основе гетероструктур GalnAsP-InP, полученные из жидкой фазы в поле температурного градиента//Электронная техника. Сер. Материалы.- 1991.- Вып.З.- С.54-58.

319. ГОСТ 17772-79. Приемники излучения и устройства приемные полупроводниковые фотоэлектрические. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик.

320. D.L. Chubb. Reappraisal of solid selective emitters //Proceedings of the 21-st IEEE Photovoltaic Specialists Conference. 1990. - P. 1326-1342.

321. Timothy J. Coutts. An overview of thermophotovoltaic generation of electricity. //Solar Energy Materials & Solar Cells.- 2001.- V.66 .- P. 443-452.

322. D.C. White, B.D. Wedlock., J. Blair. Recent advance in thermal energy conversion //Proceedings of the 15th Annual Power Sources Conference. -1961.-P. 125-132.

323. J.P. Benner, T.J. Coutts and D.S. Giley. Proceedings of the Second NREL//Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity. Colorado Springs: The American Institute of Physics.- 1995.-P.110.

324. T.J. Coutts, J.P. Benner and C.S. Allman. Proceedings of the Fourth NREL Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity. Denver: The American Institute of Physics.- 1998.-P.115.

325. Fraas L., Ballantyne R., Hui S. et al. Commercial GaSb cells and circuit development for the Midnight Sun TPV stove //Proc. 4-th NREL conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity. Denver, 1998. - P. 480-487.

326. Sulima O.V., Bett A.W. Fabrication and simulation of GaSb thermophotovoltaic cells //Solar Energy Materials & Solar Cells.-2001.-V.66.- P.533-540.

327. C.W. Hitchcock, R.J. Gutmann, H. Ehsani, I.B. Bhat, C.A. Wang, M.J. Freeman, G.W. Charache. Ternary and quaternary antimonide devices for thermophotovoltaic applications //Journal of Crystal Growth.-1998.-V.195.-P.363-372.

328. Wang C.A., Choi H.K., Ransom S.L. High-quantum-efficiency 0.5 eV GalnAsSb/GaSb thermophotovoltaic devices //Appl. Phys. Letters. 1999. -V.75, №9.- P. 1305-1309.

329. Mauk M.G., Shellenbarger Z.A., Cox J.A. et al. Liquid-Phase Epitaxy of Low-Bandgap III-V Antimonides for Thermophotovoltaic Devices //J. of Crystal Growth.-2000.-V.211 .-P. 189-193.

330. Fonash S.J. Solar Cell Device Physics. New York.- Academic Press.-1981.- P. 53.

331. Хвостиков В.П., Лунин Л.С., Кузнецов В.В., Ратушный В.И., Олива Э.В., Шварц М.З., Хвостикова В.П. Многокомпонентные твердые растворы на основе InAs для термофотоэлектрических преобразовате-лей//Письма ЖТФ. 2003.- Т. 29, вып.20.- С. 33-37.

332. O.V. Sulima, R. Beckert, A.W. Bett. InGaAsSb photovoltaic cellswith enhanced open-circuit voltage //Proc. of the Third International Conference Mid-infrared Optoelectronics: Materials and Devices. Aachen, 1999. - P. 94.

333. B.M. Андреев, B.A. Грилихес, В.Д. Румянцев. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. Л.: Наука, 1989.- С. 52.

334. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.Н. Чикичев. Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур//Успехи физических наук.-1998.- Т. 171, №7. С. 689-715.

335. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.-Т.1.

336. Цель испытаний: исследование возможности создания фотоприемников на длину волны 1,06 мкм на гетероэпитаксиальных структурах In i-xGax ASyP i .у -InP.

337. Время и место испытаний: ИЭ НАНБ, апрель 2003 г.

338. Участники испытаний: старший научный сотрудник Емельяненко Ю.С. и научный сотрудник Андриевский В.Ф.

339. Условия испытании: температура 20-г22°С, давление 760±10 мм.рт.ст., относительная влажность 75±5%.

340. Программа и методики испытаний:

341. Измерение параметров эпитаксиальных гетероструктур проводилось по методикам, изложенным в технических условиях ДХТ 0.032.005 ТУ.

342. Изготовление фотоприемников осуществлялось по лабораторной технологии ИЭ НАНБ, по технологическим картам, по п.2.

343. Измерение параметров фотоприемников проводится в соответствии с ГОСТ 17772-88.7. Результаты испытаний.

344. Параметры эпитаксиальных слоев:партий Концентрац. активной примеси, см"3 Состав х/у молъ% Максимум полосы фотолюм., 300К, эВ Полуширина полосы фото люминесц. 300К, мэВ Диффузионная длина носителей, мкм

345. ВЗП-Ю 1,5-2-1017 0,1-0,22 1,03±0,03 50±2 2,0±0,3

346. ВЗПО-5 8,5-9-1016 0,11-0,24 1,11±0,01 45±2 2,5±0,372. Параметры фотоприемников:партий Максимум спектральной чувствит., мкм Полоса спектрал. чувствит. по уровню 0,5 Абсолютная спектральная чувствит., А/Вт Темновой ток при U=3 В, А/см"2

347. ВЗП-10 1,05 0,67-1,15 0,43±0,05 4,5-10"5

348. ВЗПО-5 1,07 0,71-1,14 0,47±0,06 3,8-10"5

349. Старший научный сотрудник, к.ф.-м.н. Емельяненко Ю.С.

350. Цель испытаний: исследование возможности создания фотоэлектрических преобразователей и фотоприемников на гетероэпитак-сиальных структурах InAs t xySbyPx-InAs.

351. Объект испытаний: эпитаксиальные гетероструктуры

352. As 1 xySbyPx-InAs и фотоэлектрические преобразователи, изготовленные по лабораторной технологии ВИ(Ф)ЮРГТУ (НПИ) и в лаборатории фотоэлектрических преобразователей ФТИ им. Иоффе.

353. Время и место испытаний: декабрь 2003 г., ФГУП «Hi 111 Квант»

354. Участники испытаний: нач.отд., к.т.н. Милованов А.Ф., нач.лаб., к.т.н. Нуллер Т.А.5. Методики испытаний:

355. Измерение параметров эпитаксиальных гетероструктур проводилось по методикам, изложенным в технических условиях.

356. Изготовление фотоэлектрических преобразователей осуществлялось по лабораторной технологии ФТИ.им.А.Ф.Иоффе.

357. Измерение параметров фотоэлектрических преобразователейпроводилось в соответствии с ГОСТ 17772-88. 6. Результаты испытаний. 6.1. Параметры эпитаксиальных слоев:

358. Концентрация активной примеси, см'3 Состав х/у моль % Максимум полосы фотолюм., 77К, эВ Полуширина полосы фотолюминисц., 77К, эВ Рассогласование, а/а,%6,5-7- 10" 0,3-0,14 0,51±0,02 34±2. 0,15

359. Параметры фотоэлектрических преобразователей:

360. Область спектральной чувствит.по уровню 0,5 мкм Максимум спектральной чувств ИТ., мкм Внешний квантовый выходе диапазоне 0,6-2,3 мкм Ток короткого замыкания, мА Напряжение холостого хода, В0,49-2,4 0,65 0,4-0,6 20 0,12

361. Цель испытаний: исследование возможности создания фотоэлектрических преобразователей на гетероэпитаксиальных структурах GaAs-Ge.

362. Объект испытаний: фотоэлектрические преобразователи, изготовленные по лабораторной технологии в ФТИ им. А.Ф. Иоффе и ВИ (ф) ЮРГТУ (НПИ)3. Время и место испытаний:организация месяц, год

363. Участники испытаний: . ^т^. JjO Л^и^*^должность, ФИО должность, ФИО

364. Условия испытаний: температура 20-22 °С, давление 760±10 мм.рт.ст., относительная влажность 75±5 %.

365. Программа и методики испытаний:

366. Изготовление фотоэлектрических преобразователей осуществлялось по лабораторной технологии ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

367. Измерение параметров фотоприемников проводилось по методикам в соответствии с ГОСТ 17772-88.

368. Результаты испытаний для спектра АМО: Параметры фотоэлектрических преобразователей:

369. Область спектральной чувствит. по уровню 0,5, мкм Внешний квантовый выход в диапазоне 0,9-1,55, мкм Ток короткого замыкания, мА/см2 Напряжение холостого хода, В Фактор заполнения нагрузочной характеристики КПД, %0,7-1,58 0,85-90 27,7 0,32 0,69 5

370. Цель испытаний: исследование возможности создания СВЧ диодов Шотткина основе гомоэпитаксиальных структур InP-InP (пористая подложка),

371. Объект испытаний: эпитаксиальные гомоструктуры, полученные в ВИ (ф) ЮРГТУ (НПИ) и диоды Шоттки, изготовленные по лабораторной технологии. ^

372. Время и место испытаний: Т» &&организация. месяц, год4. Участники испытаний:должность, ФИО должность, ФИО

373. Условия испытаний: температура 20-22 °С, давление 760±10 мм.рт.ст., относительная влажность 75±5 %.

374. Программа и методики испытаний:

375. Измерение параметров эпитаксиальных структур проводилось по методикам, изложенным в технических условиях ДХТ 0.032.005 ТУ.

376. Изготовление диодов Шоттки осуществлялось по лабораторной технологии ГНИИ «Орион».

377. Измерение параметров диодов Шоттки проводится в соответствии с ГОСТ 19656.0-74. (СТСЭВ 1-622-79)7. Результаты испытаний.

378. Параметры эпитаксиальных слоев:партии Концентрация активной примеси, см"3 Максимум полосы фотолюм., 77К, эВ Полуширина полосы фотолюм., 77К, эВ Подвижность носителей, cm2BV'

379. ВЗП-5* 1-ЗхЮ16 1,41 16,2 4000

380. ВЗМ-5* 1-ЗчЮ10 1,41 17,4 3000

381. ВЗП-5 эпитаксиальные слои на пористых подложках * ВЗМ-5 - эпитаксиальные слои на монокристаллических подложках72. Параметры диодов Шоттки.партии Барьер Шоттки, В Максим. Напряжение

382. Обор.ток, при 4В, пробоя, ВнА1. ВЗП-5 0,55 1 201. ВЗМ-5 0,54 20 27

383. Результаты диссертационной работы Ратушного В.И. были использованы для корректировки режимов выращивания н легирования эпитаксиашиых слоев AlxGai.xAs для источников ИК-нзлучення.

384. Начага>ннк производственн ого отдела1. Начальник цехаХ® 71. АБ. Потапенко1. А.Н. Бережной