Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Когновицкая, Елена Андреевна

• Когновицкая, Елена Андреевна
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Когновицкая, Елена Андреевна

Введение.

Глава 1. Получение, основные свойства и применение многокомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5 (обзор литературы).

1.1. Закономерности изменения основных свойств многокомпонентных твердых растворов.

1.2. Термодинамика многокомпонентных твердых растворов.

1.2.1. Особенности термодинамического описания фазовых диаграмм изоморфных многокомпонентных твердых растворов.

1.2.2. Определение границ существования многокомпонентных твердых растворов.

1.2.3. Межфазная поверхностная энергия границы раздела «жидкость - твердое».

1.3. Геропереходы I и II рода на основе многокомпонентных антимонидов.

1.4. Применение гетероструктур на основе изоморфных многокомпонентных твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью.

Выводы к главе 1.

Глава 2. Фазовые превращения при жидкофазной эпитаксии пятерных твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью.

2.1. Проектирование эпитаксиальных гетероструктур на основе многокомпонентных твердых растворов с заданными свойствами.

2.2. Когерентная диаграмма состояния пятерных систем.

2.3. Стабилизирующее влияние упругих напряжений на период решетки пятерных твердых растворов.

2.4. Термодинамические ограничения при получении полупроводниковых изоморфных систем пятерных твердых растворов.

Выводы к главе 2.

Глава 3. Особенности кристаллизации многокомпонентных твердых растворов А3В5.

3.1. Анализ фазовых равновесий в системе Са-1п-Р-А5-8Ь.

3.2. Определение температуры ликвидуса пятерных систем на основе соединений А3В5.

3.3. Методы исследования гетероструктур многокомпонентных антимонидов А3В5.

3.4. Жидкофазная гетероэпитаксия многокомпонентных твердых растворов антимонидов.

3.4.1 Получение эпитаксиальных слоев из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой.

3.4.2 Получение эпитаксиальных слоев из растворов-расплавов, обогащенных индием.

Вывод к главе 3.

Глава 4. Исследование свойств твердых растворов многокомпонентных * антимонидов.

4.1. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава (GalnAsSb).

4.2. Структурное совершенство эпитаксиальных слоев.

4.3. Фотолюминесцентные свойства твердых растворов GalnPAsSb, изопериодных GaSbHlnAs.

4.4. Электролюминесценция гетероструктур GalnPAsSb/InAs.

4.4.1. Электролюминесценция изотипного Р-р гетероперехода.

4.4.2. Электролюминесценция изотипного N-n гетероперехода.

4.4.3. Электролюминесценция гомо р-n перехода в объеме твердого раствора.

4.4.4. Фотоответ roMO-P-N-перехода в объеме твердого раствора.

Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью»

Разработка волоконно-оптических линий связи третьего поколения на основе флюоридных волокон с минимальной дисперсией и минимальными оптическими потерями [1] диктует необходимость освоения средней ИК - области спектра (2-5 мкм). В этой спектральной области располагается большинство линий поглощения промышленных и природных газов, т.е. этот спектральный диапазон становится наиболее перспективным для создания медицинских приборов [2], систем лазерной спектроскопии и локации [3, 4], аппаратуры экспресс-мониторинга окружающей среды [5, 6] и т.д.

Перспективными материалами для разработки оптоэлектронной элементной базы в диапазоне 2 - 5-мкм являются узкозонные твердые растворы (TP) на основе соединений

О с

А В . К ним, прежде всего, относятся четырехкомпонентные твердые растворы GalnAsSb и InPAsSb. Характерной их особенностью является возможность широкого варьирования фундаментальными, а, следовательно, и функциональными свойствами в зависимости от состава и условий синтеза. Существенно меньше внимания уделяется исследованию и получению пятикомпонентных твердых растворов (ПТР), в частности GalnPAsSb, хотя их несомненное достоинство - возможность независимого изменения трех параметров: ширины запрещенной зоны, периода кристаллической решетки и коэффициента термического расширения - является определяющим при выборе материалов гетеропары для формирования гетероперехода со свойствами идеального контакта.

К началу выполнения настоящей работы в литературе имелась ограниченная

Ч в информация по ПТР А В в основном теоретического характера. Противоречивы и неполны сведения по термодинамике ПТР, закономерностям изменения их электрофизических свойств. Широкая область термодинамической нестабильности ПТР вносит серьезные ограничения на возможность их синтеза в заданном диапазоне составов. В диссертационной работе установлены взаимосвязи между термодинамическими параметрами компонентов, составляющих твердый раствор, фазовыми границами, условиями синтеза, исследованы закономерности эпитаксиального роста при получении гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5.

Цель работы: разработка методики получения пятикомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5 с заданными свойствами и новых гетероструктур Са1пРАз5Ь/Са5Ь,

Оа1пРА55Ь/1пА$ для формирования оптоэлектронных приборов (светодиодов, фотодиодов) в спектральном диапазоне 2-5 мкм.

Достижение поставленной цели осуществляли посредством:

1. Применения корректной термодинамической модели описания фазовых диаграмм ПТР;

2. Разработки термодинамического описания упругодеформированных метастабильных

9 г систем на основе ПТР А В и прогнозирования их параметров;

3. Исследования фазовых равновесий в системе Оа-1п-Р-А$-5Ь;

4. Анализа распределения компонентов в эпитаксиальных гетероструктурах Са1пРА55ЬЮа5Ь, Оа1пРА85Ь/1пА8;

5. Экспериментального исследования спектральных характеристик гетероструктур Са1пРА55Ь/Са8Ь, Са^РАзБЬЛпАз;

Научная новизна

1. В рамках модели простых растворов выведены уравнения когерентной диаграммы состояния для пятерных изоморфных систем на основе соединений А3В5;

2. Рассчитано ограничение по плавкости для твердых растворов GaxIni.xPyAszSbi.y-z — изопериодных ваЗЬ, 1пАз и А1хСау1п1.х.уА5г5Ь1.2/Оа5Ь;

3. Рассмотрено стабилизирующее влияние упругих напряжений на период кристаллической решетки ПТР;

4. Выведено выражение для фактора стабилизации ПТР типа АхВ1.хСу02Е].у2 и проведен его расчет для Са1пРА55Ь и АЮа1пРАз, изопериодных СаБЬ и ¡пАб;

5. Обнаружено смещение максимума фотолюминесценции на 110 мэВ в сторону меньших энергий (Ьу = 580 мэВ) для Сао,921по.о8Ро,05А5о,о85Ьо,87, легированного теллуром, по сравнению с нелегированным твердым раствором, что связано с переходами «зона проводимости - двукратно ионизированный акцептор».

Практическая ценность работы

1. Разработано программное обеспечение для расчета параметров технологического процесса жидкофазной эпитаксии многокомпонентных систем А3В5;

2. Получены эпитаксиальные слои твердых растворов Gaxlni.xPyAszSbi.y.z изопериодные с: GaSb(lOO) в диапазоне составов 0.03 <х <0.05, 0.03 < у <0.1, 0.74 <z< 0.83 при Т = 838 -f- 873К и InAs (111) при Т = 920-^925К в области составов 0.91 <х <0.92, 0.01 < у < 0.05, 0.15 < z < 0.16 и 0.07 < х < 0.1, 0.07 < у < 0.13, 0.77 < z < 0.81.

3. В структуре Gao.92In0.08Po.o5As0.08Sb0.87/InAs реализован гетеропереход II рода. На основе указанной системы разработана гетероструктура с максимумом интенсивности излучения и фоточувствительности в области 1,9 мкм.

Научные положения, вносимые на защиту

1. Протяженность областей термодинамической нестабильности пятерных твердых растворов симбатна областям протяженности отрицательных значений величин контактного переохлаждения и фактора стабилизации, что определяется изменением кривизны зависимости свободной энергии пятерного твердого раствора от состава.

2. Область действия ограничения по плавкости изменяется в зависимости от знака упругой составляющей свободной энергии гетеросистемы. Отрицательное значение дилатационной реакции кристаллической решетки твердого раствора в системе «пленка-подложка» расширяет область действия ограничения;

3 5

3. Ограничение по плавкости в пятерных системах на основе антимонидов А В становится существенным, когда содержание металлического компонента (А3) в жидкой фазе снижается до 0.5 ат. дол., а концентрация одного из металлоидных компонентов (В5) увеличивается до 0.5 ат. дол.

Апробация работы

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на II Городской научной конференции студентов и аспирантов по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике Санкт-Петербург, 1998 г., 12th, 14th - International Conference on Crystal Growth - Jerusalem - Israel, 1998 г., Grenoble - France, 2004 г., 5th, 6th - International Conference on Intermolecular Interactions in Matter Lublin. - Poland, 1999 г., Gdansk - Poland, 2001 r. Third

International Conference Mid-infrared Optoelectronics materials and Device (MIOMD) Aachen. — Germany, 1999 г., 2ой научной молодежной школе «Поверхность и границы раздела структур микро- и наноэлектроники», Санкт-Петербург - 1999 г., Third International Workshop on Modeling in Crystal Growth. New York. - USA, 2000 г., IX, X, XI - Национальной конференции по росту кристаллов. Москва - 2000 г., 2002 г., 2004 г., 7th International Conference on Intermolecular and Magnetic Interactions in Matter. Miedzyzdroje - Poland, 2003 г., IV Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» Кисловодск-Ставрополь, 2004 г.

Публикации

По материалам диссертации опубликована 21 печатная работа, из них - 4 статьи, тезисы к 16-ти докладам на международных, российских научно-технических конференциях, 1 учебное пособие.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения, списка литературы, включающего 225 наименований. Основная часть работы изложена на 139 страницах машинописного текста. Работа содержит 47 рисунков и 9 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Когновицкая, Елена Андреевна

Выводы к главе 4

1. Проведено математическое моделирование ширины запретной зоны в зависимости от состава для системы Ga-In-As-Sb. Рассчитаны параметры нелинейности интерполяционной зависимости Eg(x,y).

2. Показано, что интенсивность излучения ПТР GalnPAsSb/GaSb заметно превышает таковую для полученных ранее четверных TP GalnAsSb, имеющих близкие значения ширины запрещенной зоны. Улучшение люминесцентных свойств ПТР связано с подавлением процессов CHHS оже - рекомбинации за счет изменения зонной структуры. Это обусловлено тем, что константа спин-орбитального расщепления Aso в этих структурах больше ширины запрещенной зоны Eg. При этом процесс оже-рекомбинации с участием so-дырок подавлен. В результате резко возрастает внутренний квантовый выход излучения.

3. Данные двухкристальной рентгеновской дифрактометрии показали, что поверхность полученных эпитаксиальных слоев твердых растворов GalnPAsSb, AlGaAsSb, AlInGaAsSb, изопериодные GaSb, была зеркально-гладкой, а сами гетероструктуры, имели хорошее кристаллическое совершенство.

4. Показано, что максимум фотолюминесценции ПТР Gao,92lno,o8Po,05Aso,o8Sbo,87^nAs, легированного теллуром, сдвигается в сторону меньших энергий (hv = 580 мэВ) по сравнению с нелегированным ПТР на 110 мэВ, что связано с переходами «зона проводимости - двукратно ионизированный акцептор»;

5. Исследования электролюминесценции в гетероструктурах: n-InAs/P-GalnPAsSb/N-GalnPAsSb показали, что вольтамперные характеристики р-Р, p-N, n-N и n-Р структур слабо изменяются в интервале температур 77-ЗООК, что указывает на туннельный механизм протекания тока.

6. В структуре Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87/InAs реализуется разъединенный гетеропереход II рода. Об этом свидетельствует отсутствие в данной Р-n структуре выпрямляющих вольтамперных характеристик и сигнала ЭЛ в интервале температур 77-ЗООК.

7. На основе системы Ga0.92In0.08P0.05As0.0sSb0.87/InAs разработана гетероструктура с максимумом интенсивности излучения и фоточувствительности в области 1,9 мкм.

Заключение

1. Предложена методика проектирования эпитаксиальных гетероструктур на основе многокомпонентных твердых растворов соединений А3В5.

2. Выведены уравнения когерентной фазовой диаграммы и получено выражение для фактора стабилизации изоморфных твердых растворов типа AxBi.xCyDzEi.y-z. Проведен расчет величин контактного переохлаждения и фактора стабилизации для систем Са^РАвБЬ, АЮа1пАз5Ь, изопериодных ¡пАв и ва5Ь в диапазоне температур и составов гетероэпитаксиального процесса. Показано, что значительную часть фазового пространства занимают области отрицательных значений величин контактного переохлаждения, положение которых совпадает с положением областей термодинамической неустойчивости пятикомпонентных твердых растворов, в которых фактор стабилизации также отрицателен. Это связано с изменением кривизны зависимости свободной энергии от состава твердого раствора.

3. Анализ диапазона составов, на который распространяется ограничение по плавкости, проведенный для систем Са1пРА55Ь/Са5Ь (¡пАб) и АЮа1пА58Ь/Оа8Ь показал, что с ростом температуры область составов на которую, накладывается указанное ограничение, расширяется, а диапазон составов термодинамической неустойчивости сужается. Ограничение по плавкости может проявляться при температурах ниже температуры плавления самого легкоплавкого компонента твердого раствора, что подтверждает положение изотермы солидуса в системе АЮаТпАэЗЬ/ОаЗЬ (Т=793). Знак упругой составляющей влияет на диапазон составов твердых растворов, на который действует ограничение по плавкости: при отрицательном рассогласовании в гетеропаре Г < 0 - диапазон составов сужается, а при положительном - { >0 расширяется.

4. В рамках модели простых растворов для системы Оа-1п-Р-А5-8Ь осуществлен анализ фазовых равновесий в диапазоне температур и составов гетероэпитаксиального процесса. Рассчитаны температуры и составы ликвидуса и солидуса вдоль изопериодов 1пА$ и ваБЬ. Проведено экспериментальное исследование поверхности ликвидуса указанной системы, получено хорошее соответствие расчетных и экспериментальных данных. ф 5. Правила сингулярной полиэдрации многокомпонентных систем позволяют формировать твердые растворы Са^АвБЬ, АЮаАвЗЬ, АЮа1п8ЬА8, Са1пРА88Ь на подложке ваБЬ из растворов - расплавов, обогащенных сурьмой и твердые растворы Оа!пРА55Ь/1пА5 из растворов-расплавов, обогащенных индием. Смену области фазового пространства, из которой осуществляли кристаллизацию проводили с целью увеличения термодинамической устойчивости гетерограницы «многокомпонентный раствор -расплав - бинарная подложка».

6. Проведено математическое моделирование ширины запретной зоны в зависимости от состава для системы Са1пАз8Ь/Оа8Ь при температурах 77 и 300К. Рассчитаны параметры нелинейности интерполяционной зависимости Её(х,у).

7. В гетероструктурах Са1пРА88Ь/Са8Ь интенсивность фотолюминесценции превышает аналогичную для полученных ранее гетероструктур на основе четверных твердых растворов СаЬАзБЬ/СаЗЬ, имеющих близкие значения ширины запрещенной зоны. Улучшение люминесцентных свойств ПТР связано с подавлением процессов СННБ оже -рекомбинации за счет изменения зонной структуры.

8. Исследования фотолюминесценции пятерного твердого раствора Оао,921по,о8Ро,05А5о,о83Ьо,87/1пА8 показали, что при легировании теллуром максимум излучения сдвигается в сторону меньших энергий по сравнению с нелегированным ПТР на 110 мэВ, что связано с переходами «зона проводимости - двукратно ионизированный акцептор».

9. Исследованы процессы электролюминесценции как для гетеропереходов подложка (1пАз) - эпитаксиальный слой (Са1пРА88Ь), так и структур с гомо- р-п переходами в объеме твердого раствора: п-1пА5/Р-Оа1пРА58Ь/К-Оа1пРА58Ь. Вольтамперные характеристики р-Р, р-И, п-И и п-Р структур, слабо изменялись в интервале температур 77-300К, что говорит о туннельном механизме протекания тока.

10. В Р-п гетероструктуре Gao.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87/InAs реализован разъединенный гетеропереход II рода, на что указывают вид вольт-амперных характеристик и отсутствие сигнала электролюминесценции в интервале температур 77-300К. На основе указанной системы разработана гетероструктура с максимумом интенсивности излучения и фоточувствительности в области 1,9 мкм.

В заключении мне бы хотелось выразить благодарность за руководство и помощь на всех этапах работы моему научному руководителю, профессору Кузнецову В.В.

Настоящая работа была бы невозможна без участия доц. Рубцова Э.Р., внесшего неоценимый вклад в разработку интерфейсов программного обеспечения.

Хочется выразить благодарность с.н.с. Васильеву В.И. за помощь в проведении экспериментов и обсуждении результатов.

Искренне признательна научной группе лаборатории инфракрасной оптоэлектроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе - с.н.с. Матвееву Б.А., Стусю Н.М. и В.В. Шустову за совместную работу и помощь в обсуждении полученных результатов.

Я весьма признательна проф. Зегре Г.Г. за полезные обсуждения результатов диссертации.

Благодарю всех своих коллег за техническую и моральную поддержку в процессе работы над диссертацией.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Когновицкая, Елена Андреевна, 2005 год

1. D.C. Tran, G.H. Sigel and B. Bendow Heavy metal fluoride glasses and fibers: A Review. // J. of Lightwave Technology. - 1984. - v.2 - N 5. - p. 566 - 586.

2. Lucas J. Infrared fibers // Infr. Phys. 1985. - v.25. - N 1/2. - p. 277 - 281.

3. Kavaya M. Coherent laser radar provides eye-safe operation. // Laser Focus World. 1991. -N 1. - p. 27-28.

4. Andreev O.I., Lukin A.B., Lubchenko V.V. et al. Multipurpose miniature solid-state lasers. // J. of Optics. 1995. - № 7. - p. 71 - 77.

5. Martinelli R.U. Mid-infrared wavelengths enhance tragegas sensing. // Laser Focus World. -1996. v.32. - N 3. - p. 77-81.

6. Popov A.A., Sherstnev V.V., Yakovlev Yu.P., Baranov A.N. and Alibert C. Powerful mid-infrared light emitting diodes for pollution monitoring. // Electr. Lett. 1997. - v. 33, N 1. - p. 86 -88.

7. Курнаков H.C. Введение в физико-химический анализ. М.: Л.: Изд-во АН СССР, 1990. -420 с.

8. Вигдорович В.Н., Селин А.А., Ханин В.А. Анализ зависимости свойств от состава для пятикомпонентных твердых растворов // Неорг. материалы. 1982. - т. 18. - № 10. - с. 16971699.

9. B.C. Сорокин, Э.Р. Рубцов Расчет спинодальных изотерм в пятикомпонентных твердых растворах А3В5 // Неорг. материалы. 1993. - т. 29. - № 1. - с. 28 - 32.

10. Захаров A.M. Многокомпонентные металлические системы с промежуточными фазами. -М.: Металлургия, 1985. 129 с.

11. П.Захаров A.M. О полиэдрации многокомпонентных систем с изоморфными промежуточными фазами. // ЖФХ. 1978. - т. 52. - № 10. - с. 2467.

12. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. Радио, 1975 - 223 с.

13. Васильев В.И., Кузнецов В.В., Мишурный В.А. Эпитаксия GaxIni.xAsySbi.y с использованием сурьмы в качестве рестворителя // Неорг. материалы. 1990. - т. 26. - № 1.-с. 23 - 27.

14. Vasil'ev V.I., Deryagin A.G., Kuchinskii V.I. et. al. Low-threshold lasers based on GaSb/GalnAsSb/AlGalnAsSb double heterostructures prepared by liquid-phase epitaxy from antimony-rich fluxes //Tech. Phys. Lett. 1996. - v. 22. - p. 52 - 53.

15. Васильев В.И., Дерягин А.Г., Кучинский В.И. и др. Свойства твердых растворов GalnAsSb в области спинодального распада, полученных из сурьмянистых растворов-расплавов методом жидкофазной эпитаксии // Письма в ЖТФ. 1998. - т. 24. - № 6. - с. 58 -62.

16. Долгинов J1.M., Елисеев П.Г., Исмайлов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов. / Итоги науки и техники ВИНИТИ. Сер. Радиотехника, Москва. 1980. - т.21. - с. 3 - 115.

17. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия. - 1991. - 176 с.

18. Рубцов Э.Р., Сорокин B.C., Кузнецов В.В. Прогнозирование свойств гетероструктур на основе пятикомпонентных твердых растворов А3В5. // ЖФХ. 1997. - т.71. - N 3. - с. 415420.

19. Adachi S. Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GalnAsSb and InPAsSb: Key properties for a variety of the 2 4 цш optoelectronic device applications // J. Appl. Phys. - 1987.-v. 61.-N10.-p. 4869-4876.

20. Гореленок A.T., Москвин П.П., Сорокин B.C. и др. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов. // ФТП. 1981. - т.15. - N 12. - с. 2410 - 2413.

21. Dutta P.S. and Bhat H.L. The physics and technology of gallium antimonide: An emerging optoelectronic material // J. Appl. Phys. 1997. - v. 81. - N9. - p. 5821 - 5870.

22. Mikhailova M.P., Titkov A.N. Type II heterojunction in the GalnAsSb/GaAs system. // Sem.Sci.Techn. 1994. - v.9. - p. 1279-1295.

23. Долгинов JI.M., Дракин A.E., Дружинина Л.В. и др. Инжекционные лазеры на основе гетероструктур AlGaAsSb/GaSb и InGaAsSb/GaSb. // Труды ФИАН. 1983. - т.141. - с. 46-61.

24. Воронина Т.И., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С. и др. Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GalnAsSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава // ФТП. 1998. -т.32. - N3. - с. 278 - 284.

25. Kranzer D. Mobility of holes of Zine-Blende III-V and II-VI compounds // Phys.Stat.Solidi (a). -1974.-v.26.-Nl.-p. 11-52.

26. Jakovetz W., Ruhle W., Breeuningen K., et. al. Luminescence and photoconductivity of undoped p-GaSb // Phys.Stat.Sol.(a). 1980. - v. 12. - N 1. - p. 169 - 174.

27. Brigss AG., Challis LJ. Photon scattering by acceptor defects in GaSb and GaSb-InSb alloys // J.Phys.C.Sol.St.Phys. 1969. - v.2. - N 7. - p. 1353 - 1356.

28. Van der Meulen Y.J. Growth properties of GaSb: the struture of the residual centers 11 J.Phys.Chem.Sol. 1967.- v.28. - N 1. - p. 25 - 32.

29. Chidley E.T., Hauwood S.К., Henriques А.В. et al. Photoluminescence of GaSb grown by metalorganic vapour phase epitaxy // Semicond.Sci.Technol. -1991. v.6. - № 1. - p. 45 - 53.

30. Effer D.E., Effer P.J. Investigation into the apparent purity limit in GaSb // J.Phys.Chem.Sol. -1964.-v. 25.-p. 451 -460.

31. Nakashima K. Electrical and optical studies in gallium antimonide // Jap J.Appl.Phys. 1981. -v.20. - №4.-p. 1085- 1094.

32. Ichimura M., Higuchi K., Wada T. et. al. Native defects in the AlxGaixSb alloy semiconductor // J Appl.Phys. 1990. - v.68. - № 12. - p. 6153 - 6158.

33. Акчурин P.X., Жегалин B.A., Чалдышев ВВ. Электрические и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb<Bi> и GaSb<Bi,Sn>, полученных из висмутовых растворов // ФТП. 1992. - т.26. - вып.8. - с. 1409 - 1414.

34. Ruble W., Bimberg D. Linear and quadratic Zeeman effect of excitons bound to neutral acceptors in GaSb // Phys.Rev.B. 1975. - v. 12. - № 06. - p. 2382 - 2390.

35. Johnson EL, Fan H.Y Impurity and exiton effects on the infrared absorption edges of III-V compounds // Phys.Rev.A.- 1965. v.139. - № 6. - p. 1991 - 2001.

36. Guggenheim E.A. Thermodynamics. North-Holland. 3-th ed. Amsterdam.- 1957. p. 250.

37. Дедегкаев T.T., Крюков И.И., Лидейкис Т.П. и др. Фазовая диаграмма Ga-In-Sb для жидкостной эпитаксии. // ЖТФ. 1978. - т.48. - в.З. - с. 599 - 605.

38. Jordan A.S., Ilegems M. Solid-liquid equilibria for quaternary solid solutions involving compound semiconductors in the regular solution approximation. // J. Phys. Chem. Solids. 1975. -v.36. - N 14. - p. 329 - 342.

39. Blom G.M., Plaskett T.S. Indium-gallium-antimonide ternary phase diagram. // J. Electrochem. Soc.- 1971.-V.118.-N ll.-p. 1831 1834.

40. Stmgfellow G.B. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagrams. // J. Cryst. Growth. 1974. - v.27. - p. 21-34.

41. Wu T.Y., Pearson G.L. Phase diagram, crystal growth and band structure of InxGaixAs. // J. Phys. Chem. Solids. 1972. - v.33. - N 2. - p. 409.

42. Dolginov L.M., Eliseev P.G., Lapshin A.N. et. al. A study of phase equilibria and heterojunction in Ga-In-As-Sb quaternary system // Krist. und Technik. 1978. - v. 13. - N6. - p. 631.

43. Jordan A.S. Activity coefficients for a regular multicomponent solution // J. Electrochem. Soc. 1972. - v. 119. - N. 1. - p. 123 - 124.

44. Sankaran R., Antypas G.A. Liquid phase epitaxial growth of GalnAsSb on (111) GaSb // J. Cryst. Growth. 1976. - v. 36. - N.l. - p. 198.

45. Капо Н., Miyzawa S., Sugiyama К. Liquid-phase epitaxy of GaiyInyAsxSbi.x quaternary alloyson GaSb //Jap. J. Appl. Phys. 1979. - v. 18. - N. 11. - p. 2183.

46. Kabayashy N., Horikoshy, J. Uemura C. Liquid phase epitaxial growth of InGaAsSb/GaSb and InGaAsSb/AlGaAsSb DN wafers // Jap. J. Appl. Phys. 1979. - v.l8. - N. 11. - p. 2169 - 2170.

47. Бочкарев А.Э., Гульгазов B.H., Долгинов JI.M. и др. Кристаллизация твердых растворов GaxIm.xAsySbi.y на подложках из GaSb и InAs // Неорг. материалы. 1987. - т. 23. - № 10. - с. 1610-1614.

48. Баранов А.Н., Литвак A.M., Чернева Т.В. и др. Анализ фазовых равновесий в системе 1п-As-Sb с использованием модели квазирегулярных ассоциированных растворов // Неорг. материалы. 1990 - т. 26. - № 10. - с. 2021 - 2025.

49. Литвак A.M., Чарыков Н.А. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb. // Неорг. материалы. 1991. - т. 27. -№2.-с. 225-230.

50. Antypas G.A., Edgecumbs J. Distribution coefficientes of Ga, As and P during growth of InGaAsP laers by liquid-phase epitaxy. // J. Cryst. Growth. 1976. - v.34. - p. 132.

51. Astles M., Hill H., Williams A.J. et. al. Studies of the InxGai.xSbyAsi.y quaternary alloy system. Liuid-phase growth and assessment. // J. Electr. Mater. 1986. - v.15. - N 1. - p. 41 - 49.

52. Литвак A.M., Чарыков Н.А. Новый термодинамический метод расчета фазовых1 сравновесий расплав-твердое тело системы А В // ЖФХ. 1990. - т.64. - № 9. - с. 2331 - 2337.

53. Гусейнов А.А., Джуртанов Б.Е., Литвак A.M. и др. Высокоточный метод расчета фазовых равновесий расплав твердое тело в системах А3В5 (на примере In-Ga-As-Sb) // Письма в ЖТФ. - 1989. - т. 15. - № 12. - с. 67 - 72.

54. Баранов А.Н., Литвак A.M., Моисеев К.Д. и др. Получение твердых растворов InGaAsSb/GaSb и InGaAsSb/InAs в области составов, прилегающих к InAs // ЖПХ. 1994. -т. 67.-В12.-с. 1951-1956.

55. Баранов А.Н., Литвак A.M., Моисеев К.Д. и др. Фазовые равновесия расплав твердое тело в четырехкомпонентных системах In-Ga-As-Sb и In-As-P-Sb // ЖФХ. - 1990. - т. 64. -В.б.-с. 1651-1654.

56. Рубцов Э.Р., Кузнецов В.В., Лебедев О.А. Фазовые равновесия пятерных систем из А3В5. // Неорг. материалы. 1998. - т.34. - N 5. - с. 525 - 530.

57. Селин А.А., Ханин В.А. Метод расчета составов равновесных жидких и твердых фаз в многокомпонентных полупроводниковых системах // ЖФХ. 1979. - т. 53. - № 11. - с. 2734 -2740.

58. Muller Е.К., Richards J.L. Miscibility of III-V semiconductors studied by flash evaporation. // J. Apll. Phys. 1964. - v.35. - № 4. - p. 1233.

59. Cratton M.F., Wooley J.C. Phase diagram and lattice parameter data for GaAsySbiy system. // J. of Electr. Mater. 1973. - v.2. - № 3. - p. 455 - 463.

60. Cratton M.F., Goondchild R.C., Juravel L.Y., Wooley J.C. Miscibility gap in the GaAsySbi.y system. // J. of Electr. Mater. 1979. - v.8. - № 1. - p. 25.

61. Lazzari J.L., Tournie E., Piterd F. at. al. Growth limitations by the miscibility gap in liquid phase epitaxy of Gai.xInxAsySbi.y on GaSb // Meteríais Science and Engineering. 1991. - B9. - p. 125 -128.

62. J.L.Lazzari, J.L. Lecberc, P. Grunberg at. al. Liquid phase epitaxial growth of AlGaAsSb on GaSb // J. Cryst. Growth. 1992. - v. 123. - p. 465 - 478.

63. Onabe K. Unstabe regien quaternary InxGai.xAsySbi.y calculated using strictby regular solution approximation. // Japan J. Apll. Phys. 1982. - v.21. - № 6. - p. 964.

64. Stringfellow G.B. Calculation of ternary phase diagrams of III-V systems // J.Phys.Chem.Solids.- 1972. -v.33. № 3. - p. 665 - 667.

65. Stringfellow GB. Immiscibility and spinodal decomposition in III/V alloys // J.of Crystal Growth. 1983. - v.65. - p. 454 - 462.

66. Stringfellow G.B. Miscibility gaps and spinodal decomposition in III-V quaternary alloys of the type AxByCi.x.yD //J. Appl.Phys. 1983. - v.54. - №1. - p. 404 - 409.

67. Karouta F., Marbeuf A., Joullie A. et. al. Low temperature phase diagram of the Gai.xInxAsySbi.y system // J. Crystal Growth. 1986. - v.79. - p. 445 - 450.

68. Stringfellow G.B. Miscibility gaps in quaternary III-V alloys. // J. Cryst. Growth. 1982. -v.58. - p. 194 - 202.

69. Pesseto J.R. and Stringfellow G.B. AlxGai.xAsySbi.y phase diagram. // J. Cryst. Growth. 1983.- v.62. № l.-p. 1 -6.

70. Nakajama K., Osamura K., Yasuda K. et. al. The pseudoquaternary phase diagram calculation of Gai.xInxAsySbi.y quaternary system // J. Cryst. Growth. 1977. - v. 41. - N 1. - p. 87 - 92.

71. Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Литвак A.M. и др. Получение твердых растворов InGaAsSb, изопериодных с GaSb, вблизи границы области несмешиваемости // Письма в ЖТФ. 1990. -т. 16.- №5.-с. 33-38.

72. Именков А.Н., Капранчик О.П., Литвак A.M. и др. Длинноволновые светодиоды на основе GalnAsSb вблизи области несмешиваемости (А=2.4-2.6 мкм, Т=300 К). // Письма в ЖТФ. 1990. - т.16. - в.24. - с. 19 - 24.

73. Ипатова И.П., Малышкин В.Г.,.Щукин В.А Спинодальный распад полупроводников А3В5 в упругоанизотропных эпитаксиальных пленках // Известия АН физическая серия. 1994. -т.58. - №7. - с. 105 -117.

74. Литвак A.M., Чарыков НА. Экстремальные свойства молекулярных твердых растворов, находящихся в равновесии с расплавами молекулярного состава // ЖФХ. 1992. - т.66. - В.4. - с. 923 - 929.

75. Малышкин В.Г., Щукин В.А. Развитие неоднородностей состава при послойном росте эпитаксиальной пленки твердого раствора полупроводников А3В5 // ФТП. 1993. - т.27. -№.11/12.-с. 1932- 1943.

76. Sorokin V.S., Sorokin S.V., Semenov A.N et. al. Novel approach to the calculation of instability regions in GalnAsSb alloys // J. of Crystal Growth. 2000. - v. 216. - p. 97 - 103.

77. Panish M.B., Ilegems M. Progress in Solid State Chemistry, eds H. Reiss, J.O. McCalolin.: Pergamon Press. 7. 1972. - 39 p.

78. Asomoza R., Elyukhin V.A., Pena-Sierra R. Spinodal decomposition in the Ахш quaternary alloys // J. of Crystal Growth. 2001. - v. 222. - p. 58 - 63.

79. Dewinter J.C., Pollack M.A., Srivastava A.K. et. al. Liquid phase epitaxial InxGai-xAsySbi.y lattice-matched to (100) GaSb over the 1.71 to 2.33 цт wavelength range. // J. Electr. Mater. -1985. v. 14. - N 6. - p. 729 - 747.

80. Tournie E., Lazzari J.-L., Pitard F. et. al. 2.5 цт GalnAsSb lattice-matched to GaSb by liquid phase epitaxy. // J. Apll. Phys. 1990. - v.68. - № 11. - p. 5936 - 5938.

81. Tournie E., Pitard F., Joullie A. et. al. High temperature liquid phase epitaxy of (100) oriented GalnAsSb near the miscibility gap boundary. // J. Cryst. Growth. 1990. - v. 104. - p. 683 - 694.

82. Васильев В.И., Ахмедов Д., Дерягин А.Г. и др. Гетероструктуры GalnAsSb/GaSb, выращенные в области спинодального распада методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов, обогащенных Sb // ФТП. 1999. - т. 33. - вып. 9.-е. 1134 - 1136.

83. Пригожин И.Р., Дефей Р. Химическая термодинамика. Новосибирск: Наука, 1966. - 509 с.

84. Alperovich V.L., Bolkhovityanov Yu.B., Chikichev S.I. at. al. Strained Pseudomorphic InGaAsP/GaAs Layers: Epitaxial Growth, Electronic Properties and Photocathode Applications //

85. P and Related Compounds Materials, Applications and Devices. (Optoelectronic properties of semiconductors and superlattices: v.9-ISSN 1023-6619, edited by M.O. Manasreh, University of New mexico, Albuquerque, USA). - 2000. - p. 652 - 723.

86. Ilegems M., Panish M.B. Phase equilibria in III V quaternary systems application to Al-Ga-As-P. // J. Phys. Chem. Solids. - 1974. - v. 35. - N 2. - p. 409 - 420.

87. Onabe K. Thermodynamics of the type AixBxCi.yDy III V quaternary solid solutions // J. Phys. Chem. Solids.- 1982. - v. 43. - N 11. - p. 1071 - 1086.

88. Nahory R.E., Pollack M.A., Beebe E.D. at. al. // J. Electrochem. Soc.- 1978. v. 125. - p. 1053 -1058.

89. Bhattacharya P.B., Srinivasa S. The role of lattice straine in the phase equilibria of III V ternary and quaternary semiconductirs // J. Appl. Phys. - 1983. - v. 54. - N 9. - p. 5090 - 5095.

90. J. du Plessis, G. N. van Wyk, A model for surface segregation in multicomponent alloys part I: equilibrium segregation // J. Phys. Chem. Solids. - 1988. - v.49. - N 12. - p. 1441 - 1450.

91. J. du Plessis, G. N. van Wyk, A model for surface segregation in multicomponent alloys part II: comment on other segregation analyses // J. Phys. Chem. Solids. - 1988. - V. 49. - N 12. - p. 1451 - 1458.

92. Русанов А.И. Фазовые равновесия и поверхностные явления. : JL, Химия, - 1967.

93. Tmar M., Gabriel A., Chatillon С. et. al. Critical analysis and optimization of the thermodynamic properties and phase diagrams in the III V compounds: the In - P and Ga - P systems // J. Crystal Growth. - 1984. - v. 68. - p. 557 - 580.

94. Tmar M., Gabriel A., Chatillon C. et. al. Critical analysis and optimization of the thermodynamic properties and phase diagrams in the III V compounds II. The Ga - As and In -As systems // J. Crystal Growth. - 1984. - v. 69. - p. 421 - 441.

95. Oscherin B.N. On surface energies of ANB8"N semiconducting compounds // Phys. Stat. Sol (a). 1976. - v. 34. - K181 - K186.

96. Ашхотов О.Г., Здравомыслов M.B. Поверхностное натяжение сплавов галлий висмут // Поверхность. - 1996. -№ 11. - с. 15 - 19.

97. Konig U., Keck W., Less J. Measurement of the surface tension of gallium and indium in a hydrogen atmosphere by the sessile drop method // Common Metals. 1983. - v. 90. - p. 299 - 303.

98. Rearsall T.P. (ed) GalnAsP Alloy semiconductors. 1982. - New York: Wiley

99. Haase M., Emanuel M.A., Smith S.C. et. al. Band discontinuities in GaAs/AlxGai.xAs heterojunction photodiodes // Appl. Phys. Lett. 1987. - v. 50. - p. 404.

100. Wilson В., Carrier dynamics and recombination mechanisms on staggered-alignment heterostructures // IEEE J. Quantum. Electron. 1988. - v. 24. - p. 1763.

101. Мельникова Ю.С. // ФТП. 1980. - т. 14. - с. 357.

102. Kroemer Н. and Griffits G. // Electron Device Lett. 1983. - v. 4. - p. 20.

103. Dohler G. Electron-hole subbands at the GaSb InAs interface // Surf. Sci. - 1980. - v. 98. -p. 108-116.

104. Caine E.Y., Subbana H., Kromer H. et. al. Staggered-lineup heterojunctions as sources of tunable below-gap radiation: Experimental verification // Appl. Phys. Lett. 1984. - v. 45. - p. 1123.

105. Титков A.H., Чебан B.H., Баранов A.H. и др. Природа спонтанной электролюминесценции гатероструктур II типа GalnAsSb/GaSb // ФПТ. 1990. - т. 24. - с. 1056-1061.

106. Baranov A.N., Imenkov A.N., Mikhailova М.Р. et. al. Staggered-lineup heterojunction in the system of GaSb InAs // Superlatt. Microstruct. - 1990. - v. 8. - p. 375.

107. Баранов A.H., Джуртанов Б.Е., Именков A.H. и др. Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе // ФТП. 1986. - т. 20. - в. 12. - с. 2217-2221.

108. Андаспаева А, Баранов А.Н., Гусейнов А. и др. Высокоэффективные светодиоды на основе InGaAsSb (к = 2,2 мкм, ц = 4 %, Т = 300К) // Письма в ЖТФ. 1988. - т. 14. - в. 9. - с. 845 - 849.

109. Dawson P., Wilson В.А., Tu C.W at. al. Staggered band alignments in AlGaAs heteroj unctions and the determination of valence-band offsets // Appl. Phys. Lett. 1986. - v. 48 (8). - p. 541 - 543.

110. Lugagne-Delpon E., Voisin P., Voos M. et. al. Observation of laser emission in an InP -AlInAs type II superlattice // Appl. Phys. Lett. 1992. - v. 60. - p. 3087.

111. Oho H, Esaki L., Mendez E.E. Optoelectronic devices based on type II polytype Tunnel heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1992. - v. 60. - p. 3153.

112. Lui L., Lee G.S., Marshak A.N. Band structure of InAsSb strained-layer superlattices // J. Appl. Phys. 1992. - v. 71. - p. 1842.

113. Афраилов M.A., Баранов A.H., Дмитриев А.П. и др. Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs // ФТП. 1990. - т. 24. - в. 8. - с. 1397 - 1406.

114. Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Рогачев А.А. и др. Локализация электронов на гетерогранице второго типа // Письма ЖЭТФ. 1988. - т.48. - В.6. - с. 342 - 344.

115. Андреев И.А., Баранов А.Н., Мирсагатаров М.А. и др. Усиление фототока в изотипной структуре n-n GaSb-GalnAsSb // Письма ЖТФ. 1988. - т. 14. - В.5. - с. 389 - 393.

116. Sai-Halasz G.A., Esaki L., Harrison W. InAs-GaSb superlattice energy structure and 1st semiconductor semimetal transition// Phys. Rev. 1978. - v. 18. - N6. - p. 2812 - 2816.

117. Sasaki H., Chang L.L., Ludeke R., at. al. Ini.xGaxAs-GaSbi.yAsy heterojunction by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1977. - v. 31. - N3. - p. 212 - 213.

118. Nakao N., Yoshida S., Gonda S Heterojunction band discontinuities of quaternary semiconductor alloys // Solid.State Commun. 1984. - v. 49. - N7. - p. 663 - 666.

119. Srivastava A.K., Zyskind J.L., Lum R.M. et. al. Electrical characteristics of InAsSb/GaSb heterojunctions // Appl. Phys. Lett. 1986. - v. 49. - N.2. - p. 41 -43.

120. Esaki L. A bird's-eye view on the evolution of semiconductor superlattices and quantum wells // IEEE J. Quantum Electron. 1987. - v. 22. - p. 1611 - 1624.

121. Munekata H., Mendez E.E., lye Y. at. al. Densities and mobilities of coexisting electrons and holes in GaSb/InAs/GaSb quantum wells // Surf. Sci. 1986. - v. 174. - p. 449.

122. Baranov A.N., Imenkov A.N., Sherstnev V.V., at. al. 2,7 3,9 цт InAsSb(P)/InAsSbP low threshold diode lasers // Appl. Phys. Lett. - 1994. - v. 64. - p. 2480 - 2482.

123. Воронина Т.И., Лагунова T.C., Михайлова М.П. и др. «Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GalnAsSb/p-InAs» // ФТП. 1996. - т. 30. - в. 6. - с. 985 - 991.

124. М.Р. Mikhailova, K.D. Moiseev, G.G. Zegrya et. al. Interface electroluminescence of confined carried in type-II broken-gap p-GalnAsSb/p-InAs single heterojunction // Sol. St. Electron. 1996. - v. 40. - № 1. - 8. - p. 673 - 677.

125. Choi H.K., Turner C.W., Liau Z.L. 3,9-|im InAsSb/AlAsSb double-heterostricture diode lasers with high output power and temperature characteristics // Appl. Phys. Lett. 1994. - 65. - p. 2251.

126. Zegrya G.G., Andreev A.D. Mechanism of suppression of Auger recombination processes in type-II heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1995. - v. 67. - p. 2681 - 2683.

127. Meyer J.R., Hoffman C.A., Bartoli at. al. Type-II quantum-well lasers for the mid-wavelength infrared // Appl. Phys. Lett. 1995. - v. 67. - p. 757 - 759.

128. Зегря Г.Г., Михайлова М.П., Данилова Т.Н. и др. Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и InAs/GalnAsSb // ФТП. 1999. - т. 33. - в. 3. - с. 351 - 356.

129. Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А. и др. Механизмы излучательной рекомбинации в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP, работающих в диапазоне 3,0-3,6 мкм. // ФТП. 1999. - т. 33. - в. 2. - с. 233 - 238.

130. Bazhenov N.L., Zegrya G.G., Mikhailova M.P. et. al. Numerical analysis of the energy-band diagram of type-II p-GalnAsSb/p-InAs heterojunction and size-quantization levels at the interface // Semicond. Sci. Technol. 2001. - v. 16. - p. 812 - 815.

131. Moiseev K.D., Krier A., Mikhailova M.P. at. al. Interface-induced electroluminescence in the type II P-Gao.84Ino.i6Aso.22Sbo.78/n-Ino.83Gao.17Aso.82Sbo.i8 single heterojunction // J. Phys. D: Appl. Phys. -2002. v. 35 - p. 631 - 636.

132. Кейси X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1981. - т. 1, 2.

133. Аарик Я.А., Долгинов JI.M., Дракин А.Е. и др. Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1.4 1.68 мкм. // Квантовая электроника. -1980. - т.7. - с. 91 - 96.

134. Акимова Н.В., Бочкарев А.Э., Долгинов JI.M. и др. Инжекционные лазеры спектрального диапазона 2.0-2.4 мкм, работающие при комнатной температуре. // ЖТФ. -1988. т.58. - в.4. - с. 701 - 707.

135. Лебедев А.И., Стрельников И.А., Юнович А.Э. Исследование фотолюминесценции тройных твердых растворов Gai.xInxSb. // ФТП. 1977. - т.11. - в.11. - с. 2123 - 2127.

136. Caneau С., Srivastava J.L., Sulhoff J.W. et. al. 2.2 цт GalnAsSb/AlGaAsSb injection lasers with low threshold current density. // Appl. Phys. Lett. 1987. - v.51. - N 10. - p. 764 - 766.

137. Joullie A., Alibert C., Mani H. et. al. Characteristic temperature to of Gao.83Ino.17Aso.15Sbo.85/Alo.27Gao.73Aso.02Sbo.98 injection lasers. // Electr. Lett. 1988. - v.24. - N 17. - p. 1076 - 1077.

138. Choi H.K. and Eglash S.J. Room temperature cw operation at 2.2 jxm of GalnAsSb/AlGaAsSb diode lasers growth by molecular beam epitaxy. // J. Appl. Phys. Lett. 1991 -v.59.-N 10.-p. 1165- 1166.

139. Caneau C., Srivastava A.K., Dentai A.G. at. al. Reduction of threshold current density of 2.2 цт GalnAsSb/AlGaAsSb injection lasers. // Electr. Lett. 1986. - v.22. - p. 992 - 993.

140. Brosson P., Benoit J., Joullie A. Sermage Analysis of threshold current density in 2.2 Jim GalnAsSb/AlGaAsSb DH lasers. // Electr. Lett. 1987 - v.23. - p. 418 - 419.

141. Grunberg P., Baranov A., Fouilant G. et. al. High-power low-threshold Gao.88ln0.12As0.10Sb0.90/Al0.47Gao.53As0.04Sb0.96 double heterostructure lasers grown by liquid phese epitaxy. // Electr. Lett. 1994. - v.30. - p. 312 - 314.

142. Morosini M., Herrera-Peres J.-L., Loural M. et. al. A Low-threshold GalnAsSb/AlGaAsSb double heterostructure lasers grown by LPE. // IEEE J. Quantum Electron. 1993. - v.29. - p. 2103 -2108.

143. Баранов А.Н., Джуртанов Б.Е., Именков А.Н. и др. Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом // Письма в ЖТФ, 1986, т.12, в. 11, с. 664 668.

144. Lee Н., York Р.К., Menna R.J., et. al. Connolly Room-temperature 2.78 цт AlGaAsSb/GalnAsSb quantum-well lasers. // J. Appl. Phys. Lett., 1995, v.66, N 15, pp. 1942-1944.

145. Андаспаева A.A., Баранов A.H., Гусейнов A.A. и др. Высокоэффективные светодиоды на основе GalnAsSb для спектрального диапазона 1.8-2.5 мкм. // Письма в ЖТФ. 1989. -т.15.-в.18.-с. 71 -75.

146. Скрытников Г.В., Зегря Г.Г., Пихтин Н.А. и др. О внутреннем квантовом выходе стимулированного излучения InGaAsP/InP гетеролазеров (к = 1,55 мкм) // ФТП. - 2003. - т. 37.-в. 2.-с. 243-248.

147. Malinen J., Kansakoski М., Rikola R. et. al. LED-based NIR spectrometer module for handheld and process analyzer applications // Sensors and Actuators B. 1998. - v. 51. - p. 220 - 224.

148. McCabe S., MacCraith B.D. Novel mid-infrared LED as a source for optical fiber gas sensing//Electron Lett. 1993. - v. 29. - p. 1719-1721.

149. Aldridge P.K. Noninvasive monitoring of bulk polymerization using short-wavelength near-infrared spectroscopy// Anal. Chem. 1993. - v. 65. - p. 3581 - 3585.

150. Mikhailova M.P., Litvak A.M., Andreev I.A et. al. Novel portable optical analyzers based on light emitting diodes and photodiodes in the 2-5 |im spectral range// SPIE. 1994. - v. 2504. - p. 571 -576.

151. Андаспаева A.A., Баранов A.H., Гусейнов A.A. и др. Природа спонтанной электролюминесценции в гетеропереходах на основе GalnAsSb для спектрального диапазона 1,8-2,4 мкм // ФПТ. 1990. - т. 24.-в. 10.-с. 1708-1714.

152. Попов А.А., Степанов М.В., Шерстнев В.В. и др. Светодиоды, излучающие на 3,3 мкм для измерения метана// Письма в ЖТФ. 1997. - т. 23. - стр. 24-31.

153. Krier A., Gao Н.Н., Sherstnev V.V. et. al. High power 4.6 |im light emitting diodes for CO detection //J. Phys. D.: Appl. Phys. 1999. - v. 32. - p. 3117 - 3121.

154. Krier A., Sherstnev V.V. Powerful interface light emitting diodes for methane detection // J. Phys.D: Appl. Phys. 2000. - v. 33. - p. 101 -106.

155. Gong X.Y., Kan H., Makino T. et. al. Yamaguchi Room temperature mid-infrared light emitting diodes from liquid-phase epitaxial InAs/InAso.89Sbo.n/InAso.8oPo.i2Sbo.o8 heterostrucrures // Japan J. Appl. Phys. 2000. - v. 39. - p. 5039 - 5043.

156. Зотова H.B., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А. и др. Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полупроводник/воздух // ФПТ. 2004. - т. 38. - вып. 10. - с. 1270 - 1274.

157. Васильев В.И., Дерягин А.Г., Кучинский В.И. и др. Низкопороговые лазерные двойные гетероструктуры GaSb/GalnAsSb/AlGalnAsSb, полученные методом ЖФЭ из сурьмянистых растворов-расплавов. // Письма в ЖТФ. — 1996. т.22. - в.2. - с. 15 -18.

158. Tomasseta L.R., Law H.D., Nakano К. et. al. 1.0-1.4 jxm high speed avalanche photodiodes. //J. Appl. Phys. Lett. 1978. - v.33. - p. 416 - 417.

159. Андреев И.А., Афраилов M.A., Баранов A.H. и др. Особенности лавинного умножения фототока в диодных структурах на основе GalnAsSb. // Сб. "Полупроводники и гетеропереходы". Таллин. - 1987. - с. 51 - 53.

160. Андреев И.А., Афраилов М.А., Баранов А.Н. и др. Фотодиоды на основе твердых растворов GalnAsSb/GaAlAsSb.//Письма в ЖТФ. 1986.-т.12.-в.21.-с. 1311 - 1315.

161. Baranov A.N., Imenkov A.N., Mikhailova М.Р. et. al. Lasers and avalanche photodiodes for IR fiber optic in the spectral range 2.0-2.5 цт. // Proc. SPIE. 1989. - v. 1048. - p. 188 - 194.

162. Андреев И.А., Афраилов M.A., Баранов A.H. и др. Сверхбыстродействующий p-i-n фотодиод на основе GalnAsSb для спектрального диапазона 1.5-2.3 мкм. // Письма в ЖТФ. -1989. т.15. - в.7. - с. 15-19.

163. Baranov A.N., Imenkov A.N., Mikhailova М.Р. et. al. Type II heterojunctions in GaSb-InAs solid solutions: physics and applications. // Proc. SPIE. 1990. - v. 1361. - p. 675 - 685.

164. Андреев И.А., Баранов A.H., Михайлова М.П. и др. Длинноволновое излучение в фотодиодах InGaAsSb/AlGaAsSb. // Письма в ЖТФ. 1992. - т.18. - в. 17. - с. 50 - 54.

165. Kuznetsov V.V., Rubtsov E.R., Kognovitskaya Е.А. Methodology of formation of epitaxial heterostricture with given properties // The 12th International Conf. on Crystal Growth. 1998. -Jerusalem. - 1998.-p. 480.

166. Люпис К. Химическая термодинамика материалов. М.: Металлургия, 1989.

167. Кристиан Дж. Теория превращений в металлах и сплавах: Пер. с англ./ Под ред. А.Л. Ройтбурта. М.: Мир. - 1978, 806 с.

168. Sonomura Н., Uda Н., Suqimura A. Acorrelation between the enthalpy of mixing and the internal strain energy in the III -V alloy semiconductor system // J. Appl. Phys. 1987. - v. 62. - N 70. - p. 4142.

169. Martin R.M. Elastic properties of ZnS structure semiconductors //Phys. Rev.В. 1970. -v.l.-NlO.-p. 4005-4011.

170. Mattews J.W., Mader S., Light T.B. Accommodation of misfit across the interface between crystals of semiconducting elements or compounds // J. Appl. Phys. 1970. - v. 41. - N9. - p. 3800 - 3804.

171. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Когерентная диаграмма состояния четырехкомпонентных систем на основе соединений А3В5 // ЖФХ. № 6. - 1986. - с. 1376 -1381.

172. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Взаимосвязь моделей массопереноса при жидкофазной эпитаксии твердых растворов // Неорган, материалы. 1988. - т.24. - № 11.-е. 1773 - 1777.

173. Small М.В., Chez R. Growth and dissolution kinetics of ternary III-V heterostructures formed by LPE // J, Appl. Phys. - 1979. - v.50. - N8. - p. 5322 - 5330.

174. Kuznetsov V.V., Rubtsov E.R., Ratushny V.I. et. al. On the prediction of properties of heterostructures based on quinary A3B5 solid solutions. // 23rd Int. Symp. Compound Semiconductors. 1996. St Petersburg. - 1997 IOP Publishing Ltd. - P. 335 - 338.

175. Kuznetsov V.V., Moskvin P.P., Sorokin V.S. Coherent phase diagram and interface relaxation processes during LPE of A3B5 solid solutions // J. of Crystal Growth. 1988. - v.88. - p. 241.

176. Кузнецов В.В., Рубцов Э.Р., Ратушный В.И., Когновицкая Е.А. Фазовые равновесия пятерных систем А3В5 с упруго-напряженной твердой фазой / Тез. докл. десятой нац. конф. по росту кристаллов. Москва. - 2002. - с. 541.

177. Кузнецов В.В., Рубцов Э.Р., Ратушный В.И., Когновицкая Е.А. Фазовые равновесия пятерных систем А3В5 с упруго напряженной твердой фазой. // Кристаллография. 2004. - т. 49. - №2. - с. 249 - 252.

178. Рубцов Э.Р., Кузнецов В.В., Ратушный В.И., Когновицкая Е.А. Когерентная фазовая диаграмма пятерных систем на основе соединений А3В5 // ЖФХ. 2003. - т. 77. - № 2. - с. 250-254.

179. Chen А.В., Sher A., Berding М.А. Semiconductor alloy theory: internal train energy and bulk modulus. // Phys. Rev. B. 1988. - v.37. - N11. - p. 6285 - 6289.

180. Воронков В.В., Долгинов JI.M., Лапшин А.Н. и др. Эффект стабилизации состава в эпитаксиальном слое твердого раствора. // Кристаллография. 1977. - т.22. - в.2. - с. 375 -378. ^

181. Сорокин B.C. Эффект стабилизации периода решетки в четверных твердых растворах. // Кристаллография. 1986. - т.31. - в.5. - с. 844 - 850.

182. Кузнецов, Э.Р. Рубцов, Е.А. Когновицкая Эффект стабилизации периода решетки в пятерных твердых растворах А3В5 / Тез. докл. одиннадцатой нац. конф. по росту кристаллов. Москва. - 2004. - с. 432.

183. Болховитянов Ю.Б. Контактные явления на границе раздела фаз перед жидкофазной эпитаксией соединений А3В5. // Препринт 2-82. Новосибирск. - 1982. - 51 С.

184. Кузнецов В.В., Рубцов Э.Р., Парфенова И.И. Определение областей нестабильности в пятерных твердых растворах на основе соединений типа А3В5// Известия ВУЗов. Цветная металлургия. 1997. - №3. - с. 57 - 62.

185. Кузнецов В.В., Когновицкая Е.А., Рубцов Э.Р. и др. Моделирование эпитаксии из жидкой фазы пятерных твердых растворов // Тез. докл. девятой нац. конф. по росту кристаллов. Москва. - 2000. с.236.

186. Kuznetsov V.V., Kognovitskaya Е.А., Rubtsov E.R. et. al. Modeling of epitaxial crystallization of GalnPAsSb quinary solid solutions // Third International Workshop on Modeling in Crystal Growth. New York. - 2000. - p. 98.

187. Kognovitskaya E.A., Kuznetsov V.V. Features of the thermodynamic description of the isomorphic A3B5 solid solutions // 7th International Conference on Intermolecular and Magnetic Interactions in Matter. Miedzyzdroje. - 2003. - p. 8.

188. Кузнецов В.В., Рубцов Э.Р. Эпитаксия из жидкой фазы в системе AlGalnAsSb/GaSb // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 1998. - N2. - с. 48 - 51.

189. Паниш М.Б., Илегемс М. Фазовые равновесия в тройных системах III-V/ Материалы для оптоэлектроники, М.: Мир, 1976. с. 39 - 92.

190. DeWinter J.C., Pollack М.А. Liquidus measurement of Ga-Sb and In-As in the 375-650°C// J. Appl. Phys. 1986. - v. 59. - N10. - p. 3593 - 3595.

191. Баранов A.H., Кузнецов В.В., Яковлев Ю.П. и др. Жидкофазная эпитаксия изопериодических гетероструктур GaxIni.xAsySbi.y/GaSb // Неорган, материалы. 1991. т. 27. - № 4. - с. 684 - 687.

192. Dolginov М., Druzhinina L.V., Eliseev P.G. at al // J. Quant. Electron. 1976. - v. 6. - p. 507.

193. Кузнецов, В.В., Рубцов Э.Р., Когновицкая E.A Введение в физико-химический анализ: учебное пособие / СПб.: Изд-во СПбГЭТУ (ЛЭТИ), 1998. 44 с.

194. Батура В.П., Вигдорович В.Н. и др. Методика определения температуры ликвидуса полупроводниковых твердых растворов. // Заводе, лаборатория. 1981. - т. 47. - № 6. - с. 62 -63.

195. Кузнецов В.В., Ольховик Я., Сорокин B.C. Установка для прецизионного определения температуры ликвидуса в условиях жидкофазной эпитаксии // Электронная техника, сер. 6. Материалы. 1986. - вып. 4 (215) - с. 59 - 61.

196. Абрамов А.В., Арсентьев И.Н., Мишурный В.А. и др. Люминесцентные свойства и некоторые особенности выращивания из растворов-расплавов твердых растворов GaxIni.xP. // Письма в ЖТФ. 1976. - т. 2. - вып. 5. - с. 204 - 207.

197. Skelton J.К., Knight J.R. Liquid-phase epitaxy of In(As, Sb) on GaSb substrates using antimony-rich melts. // Sol. St. Electron. 1985. - v. 28. - p. 1166 - 1168.

198. Баграев H.T., Баранов A.H., Воронина Т.И. и др. Подавление природных акцепторов в GaSb. // Письма в ЖТФ. 1985. - т. 11. - вып. 2. - с. 117 - 121.

199. Васильев В.И., Когновицкая Е.А., Кучинский В.И., и др. Получение эпитаксиальных слоев пятикомпонентных твердых растворов GalnAsSbP изопериодических с GaSb / IX Национальная конференция по росту кристаллов, тез. докл. Москва. - 2000. - с. 109.

200. Kuznetsov V.V., Kognovitskaya Е.А., Rubtsov E.R. About heteroepitaxial crystallization of solid solutions GalnPAsSb / 6th International Conference on Intermolecular Interactions in Matter -Gdansk.-2001.-p. 3.

201. Васильев В.И., Гагис Г.С., Когновицкая Е.А. и др. Смирнов Получение эпитаксиальных слоев пятикомпонентных твердых растворов GalnAsPSb изопериодических с GaSb // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. -№3.-с. 81-87.

202. Кузнецов В.В., Ольховик Я., Соловьев И.В., Сорокин B.C. Кинетика гомогенного зародышеобразования в растворе-расплаве системы In-P // Неорган, материалы. 1988. - т 24. - № 5. - с. 859 - 860.

203. Когновицкая Е.А., Кузнецов В.В., Рубцов Э.Р., Стусь Н.М. Особенности эпитаксии из жидкой фазы GalnPAsSb на подложках InAs и GaSb / IX Национальная конференция по росту кристаллов, тез. докл. Москва. - 2000. - с. 349.

204. Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А. и др. Изопериодные структуры GalnPAsSb/InAs для приборов ИК оптоэлектроники // ФТП. 2002. - т.36. - вып.8. - с. 1010 -1015.

205. Когновицкая Е.А., Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов Gai.xInxASySbi-y/GaSb/ 2я Научная молодежная школа «Поверхность и границы раздела структур микро- и наноэлектроники»:тез. докл. Санкт-Петербург. - 1999. - с. 36.

206. Akhemedov D., Deryagin A.G., Karandashov S.A. et. al. GalnAsSb/ GaSb double heterostructure light emitting diodes fabricated by LPE from Sb-rich melts // Ninth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices. Delhi. - 1997. - pp. 65

207. Karouta F., Mavi H., Bhan J., et. al. // Revue Phys. Appl. 1987. - v. 22. - p. 1459 - 1467.

208. Akhmedov D., Deryagin A.G., Karandashov S.A et al. // Proc.SPIE. 1998. - v. 3316. - p. 162.

209. Agrawal G.P., Dutta N.K. Long-Wavelength Semiconductor Lasers. Van Nostrand Reinhold, N.Y. - 1993.

210. Quantum Well Lasers, ed. By P.S. Zory, Jr. Academic Press, Inc. - 1993.

211. Абакумов B.H., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безизлучательная рекомбинация в полупроводниках: СПб, Изд-во ПЙЯФ РАН. 1997. - 375 с.

212. Takeshima М. // Phys. Rev. В. 1983. - v. 28. - p. 2039.

213. Зегря Г.Г., Полковников А.С. Механизмы оже-рекомбинации в квантовых ямах // ЖЭТФ. 1998. - т. 113.-в. 4.-с. 1491- 1521.

214. Dutta N.K., Nelson R.J. The case for Auger recombination in Ini.xGaxAsyPj.y // J. Appl. Phys. 1982.-53.-p. 74-92.

215. Mikhailova M.P., Moiseev K.D., Berezovets Y.A. et. al. // IEEE Proc. Optoelectron. 1998. -v. 145.-p. 269.

216. Моисеев К.Д., Торопов A.A., Терентьев Я.В. и др. Фотолюминесценция твердых растворов Gai.xInxAsySbi-y (0.08<х<0.22), изопериодных с InAs // ФТП. 2000. - т.34. - в. 12. -с. 1432 - 1437.

217. Chang C.L., Esaki L. // Surf. Sci. 1980. - v. 98. - p. 70.

218. Михайлова М.П., Зегря Г.Г., Моисеев К.Д. и др. Обнаружение электролюминесценции локализованных носителей в одиночных разъединенных гетеропереходах II типа р-Оа1пА83Ь/р-1пА5 // ФТП. 1995- т.29. - в. 4. - с. 687 - 696.