Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов AIIIBV тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат технических наук Пигулев, Роман Витальевич

• Пигулев, Роман Витальевич
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Пигулев, Роман Витальевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Обзор литературы и постановка задачи исследования.

1.1 Свойства и применение многокомпонентных твердых растворов на основе AmBv.

1.2 Гетеропереходы П-го типа.

1.3 Фазовые равновесия в многокомпонентных гетеросистемах на основе AinBv.

1.4 Термодинамическая устойчивость и ограничения многокомпонентных твердых растворов.

1.5 Распределение компонентов в твердых растворах, формируемых методом ГЖК.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1.

ГЛАВА 2. Технология и аспекты процессов получения и исследования многокомпонентных твердых растворов.

2.1 Аппаратурно-методическое оформление ГЖК многокомпонентных твердых растворов на основе АШВУ.

2.2 Аппаратурно-методическое оформление ЖФЭ тонких многослойных ПТР на основе соединений AmBv.

2.3 Поверхностно-чувствительные методы, применяемые для анализа пятикомпонентных гетероструктур на основе АШВУ.

2.3.1 Метод оже-спектроскопии (ЭОС).

2.3.2 Метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС).

2.3.3 Метод масс-спектрометрии вторичных нейтральных частиц.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2.

ГЛАВА 3. Модель EFLCP в описании интерфазных взаимодействий

ПТР, и моделирование зонных диаграмм гетероструктур Н-го типа.

3.1 Диаграммы плавкости систем на основе AmBv.

3.2. Термодинамическая модель расчета фазовых равновесий ПТР.

3.2.1 Термодинамическая модель EFLCP для системы AxB|.xCyDzEi.y.z.

3.2.2 Термодинамическая модель EFLCP для системы AxByC|.x.yDzE]z.

3.3 Расчет энергетических диаграмм гетероструктур П-го типа.

3.3.1 Определение параметров ПТР.

3.3.2 Модель расчета энергетических диаграмм исследуемых гетероструктур П-го типа.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3.

ГЛАВА 4. Исследование полученных гетероструктур на основе

ПТР AmBv, изопериодных подложкам GaSb и In As.

4.1 Обоснование выбора гетероструктур на основе пятикомпонентных твердых растворов.

4.2 Особенности получения пятикомпонентных твердых растворов на основе AniBv.

4.3 Гетероструктуры на основе ПТР AmBv, изопериодные подложкам GaSb и InAs.

4.3.1 Однослойные гетероструктуры на основе ПТР GalnPAsSb, изопериодные подложкам GaSb и InAs.

4.3.2 Однослойные гетероструктуры на основе ПТР AlGalnAsSb, изопериодные подложкам GaSb.

4.3.3 Многослойные гетероструктуры на основе ПТР GalnPAsSb и AlGalnAsSb, изопериодные подложкам GaSb.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов AIIIBV»

Одной из важнейших составляющих современного развития микроэлектроники является разработка теоретических представлений и эффективных технологий получения совершенных полупроводниковых материалов и приборов на их основе.

Несмотря на устойчивый интерес к многокомпонентным твердым растворам и имеющиеся достижения в этой области, описание процессов из жидкой фазы носит эмпирический характер. Отсутствует четкая концепция прогнозирования как свойств, так и технологических режимов получения твердых растворов, изопериодных подложкам.

Поэтому актуальным является разработка методологии получения многокомпонентных твердых растворов с заданными свойствами, установление фундаментальных связей между термодинамическими параметрами компонентов, составляющих твердый раствор, и применение новых комплексных теоретических и экспериментальных подходов к исследованию и прогнозированию их свойств.

Цель и задачи диссертационного исследования

Целью данной диссертационной работы является разработка и получение пятикомпонентных твердых растворов на основе соединений AniBv методами градиентной жидкофазной кристаллизации (ГЖК) и жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ), а также комплексное теоретическое и экспериментальное исследование полученных гетероструктур. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- расчет фазовых равновесий. на основе термодинамической модели «Избыточные функции как линейные комбинации химических потенциалов» (EFLCP);

- разработка математической модели расчета энергетических диаграмм и ее программная реализация;

- выбор и разработка технологии создания гетероструктур из пятикомпонентных твердых растворов на подложках антимонида галлия и арсенида индия;

- разработка технологии и получение многослойных гетероструктур;

- исследование составов полученных твердых растворов методами масс-спектрометрии вторичных нейтральных частиц (МСВН), оже-электронной спектроскопии (ЭОС) и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС).

Научная новизна диссертационного исследования

1. Разработана термодинамическая модель расчета фазовых равновесий пятикомпонентный твердый раствор - пятикомпонентный жидкий раствор в рамках модели «Избыточные функции - линейные комбинации химических потенциалов» (EFLCP).

2. Разработана и программно реализована модель расчета энергетических диаграмм гетеропереходов И-го рода на основе пятикомпонентных твердых растворов, позволяющая связать параметры структуры ' (состав слоев, уровень легирования) с электрофизическими характеристиками.

3. На основе совместного анализа энергетических диаграмм и условий фазовых равновесий были определены составы, рекомендуемые для получения однослойных и многослойных структур с гетеропереходами П-го типа на основе пятикомпонентных твердых растворов GalnPAsSb, AlGalnAsSb изопериодных GaSb и GalnPAsSb изопериодных InAs.

4. Получены эпитаксиальные слои пятикомпонентных твердых растворов GalnPAsSb на подложках антимонида галлия и арсенида индия методами ГЖК и ЖФЭ, а также методом ЖФЭ - широкозонные эпитаксиальные слои пятикомпонентного твердого раствора AlGalnAsSb изопериодного GaSb и многослойные структуры GaSb/GalnPAsSb/GaSb, AlGalnAsSb/GalnPAsSb/ GaSb.

5. Впервые методами масс-спектрометрии вторичных нейтральных частиц, оже- и фотоэлектронной спектроскопии исследован элементный состав синтезированных структур. На основе полученных концентрационных профилей элементов по глубине предложен оптимальный состав гетероструктур.

Практическая значимость результатов исследования

1. Представленная в диссертационной работе методика расчета гетерогенных равновесий, а также компьютерное моделирование эксперимента позволяют прогнозировать результаты эпитаксии многокомпонентных твердых растворов соединений АШВУ, проводить корректировку и оптимизацию технологического процесса формирования полупроводниковых гетероструктур.

2. Разработанная методика выращивания эпитаксиальных слоев пятикомпонентных твердых растворов GalnPAsSb на подложках антимонида галлия и арсенида индия методами ГЖК и ЖФЭ, а также методика выращивания многослойных гетероструктур транзисторного типа GaSb/GalnPAsSb/GaSb, AlGalnAsSb/GalnPAsSb/GaSb на подложках антимонида галлия методом ЖФЭ могут найти применение в технологии изготовления свето- и фотодиодных структур.

3. Разработанная программа для обработки электронных спектров нашла применение на кафедре электроники и микроэлектроники, кафедре химии ГОУ ВПО «СевКавГТУ» (подтверждено актом внедрения) и может применяться для решения любых задач дисперсионного анализа.

Достоверность научных положений и результатов исследования

Достоверность результатов обеспечивается использованием хорошо зарекомендовавших себя аналитических и численных методов математики, физической химии, физики твердого тела, строгой обоснованностью приближений в описании моделей твердого раствора и зонных диаграмм, использованием поверхностно-чувствительных методов исследования (масс-спектрометрии вторичных нейтральных частиц, оже- и фотоэлектронной спектроскопии), согласованием экспериментальных результатов с предсказанными теоретически, в том числе и других авторов.

Основные научные положения, выносимые на защиту; 1. Термодинамическое описание фазового равновесия на основе модели «Избыточные функции - линейные комбинации химических потенциалов» (eflcp), позволяющее определить исходные данные для получения твердых растворов требуемых составов методами, использующими жидкую фазу.

2. Модель расчета энергетических диаграмм гетеропереходов Н-го рода на основе пятикомпонентных твердых растворов, связывающая параметры структуры (состав слоев, уровень легирования) с электрофизическими характеристиками.

3. Теоретическое и экспериментальное обоснование положения о том, что метод ГЖК оказывается предпочтительней при получении однослойных структур GalnPAsSb/GaSb и GalnPAsSbAnAs, как обеспечивающий меньший разброс отклонений от заданного состава и более высокое кристаллическое совершенство. Для получения более тонких эпитаксиальных слоев необходимо применять метод ЖФЭ, использующий способ быстрого протаскивания подложки под ростовым расплавом, помещенным в узкую вертикальную щель. Метод ЖФЭ является единственным методом, обеспечивающим удовлетворительный результат при получении многослойных структур транзисторного типа GaSb/GalnPAsSb/GaSb, AlGalnAsSb/GalnPAsSb/GaSb на подложках антимонида галлия.

4. Свойства пятикомпонентных гетероструктур, привлекательных с точки зрения их применения, по данным концентрационных профилей определяются топологией структур, формируемых в процессе ГЖК или ЖФЭ: состоянием и протяженностью межслойных границ, концентрацией элементов, величиной упругих напряжений на границах.

Апробация и внедрение результатов исследования Основные результаты работы докладывались и обсуждались на ежегодных семинарах кафедры физики ГОУ ВПО «СевКавГТУ» и кафедры физики ГОУ ВПО «ВИЮРГТУ», а также ежегодных научно-технических конференциях по результатам работы ППС аспирантов и студентов СевКавГТУ, на десятой научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов «Вакуумная наука и техника» (Судак, 2003 г.), на первой международной научно-технической конференции

Инфотелекоммуникационные технологии в науке, производстве и образовании» (Ставрополь 2004), на V международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск 2005).

Работа проводилась в рамках научного направления, принятого на кафедре: «Исследование межфазных границ раздела в системах различной химической природы», номер договора С53/31.

Публикации

По результатам исследований получено одно свидетельство об официальной регистрации программы, опубликовано 15 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации, в том числе 7 статей, из них 2 опубликованы в реферируемых изданиях, а именно: 1 статья в Известиях Вузов, Северо-Кавказский регион. Технические науки, Новочеркасск; 1 статья в Известиях Вузов «Физика», Томск. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

Структура и объем работы

Диссертация изложена на 177 печатных страницах текста, состоит из введения, четырех глав, заключительных выводов, списка используемой литературы из 155 наименований и трех приложений. Диссертация содержит 50 рисунков и 6 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Пигулев, Роман Витальевич

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ РАБОТЫ

1. На основе термодинамической модели «Избыточные функции -линейные комбинации химических потенциалов» (EFLCP) построена математическая модель расчета фазовых равновесий для систем AxB].xCyDzEj.y.z, AxByCi.x.yDzE]z. Модель учитывает все парные и тройные, дополнительные к парным, межатомные взаимодействия в расплаве и позволяет достаточно точно описывать диаграммы многокомпонентных систем. Алгоритм программы реализован на языке Borland С++ Builder 6.0.

2. Разработана и реализована в программно-ориентированной среде Delphy 7.0 модель расчета энергетических диаграмм, позволяющая связать параметры структуры (состав слоев, уровень легирования) с их электрофизическими характеристиками. Подсистема визуализации данных процесса моделирования позволяет анализировать структурные и физико-химические характеристики в ходе компьютерного эксперимента, а также строить модели гетеропереходов. Варьируя состав твердого раствора GalnPAsSb, изопериодного GaSb или InAs, можно изменять степень перекрытия зон на гетерогранице и получать как ступенчатые, так и разъединенные гетеропереходы П-го типа.

3. По результатам теоретических расчетов определены наиболее предпочтительные однослойные и многослойные структуры на базе гетеропереходов П-го типа для практического применения в ИК диапазоне. Таковыми являются: GaojIno.9Po.1Aso.673Sbo.227/GaSb; Gao JnojPo.osAso.uSbojs/InAs; GaSb/Ga0 ,In0.9P0. iAs0. rmSb 0.227/GaSb; A l0.2Ga0. eslno. 12^0. ngSbom/ Ga0. jln0.9P0.1 Aso.673Sbo.227/Gao.5Sbo.5

4. Разработана технология получения пятикомпонентных твердых растворов на основе соединении AIHBV методами ГЖК и ЖФЭ. Выбраны оптимальные температурно-временные режимы получения ПТР. Получены однослойные и многослойные фосфор- и алюминийсодержащие гетероструктуры изопериодные подложкам из арсенида индия и антимонида галлия: GalnPAsSb/GaSb, GaInPAsSb/InAs,AlGaInAsSb/GaSb, GaSb/ GalnPAsSb/GaSb, AlGalnAsSb/GalnPAsSb/GaSb.

5. Проведена модернизация комплекса поверхностно-чувствительных методов внедрением цифро-аналогового комплекса и программного обеспечения. Это позволило значительно повысить точность измерений, упростить и облегчить процесс обработки данных.

6. Впервые методами масс-спектрометрии, оже-спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии получены концентрационные профили распределения элементов по глубине синтезированных гетероструктур, что позволило определить составы структур и толщины гетеропереходов. По результатам экспериментальных данных выявлено различие в характере отклонения от предполагаемого состава в зависимости от метода получения. Это сказалось на ширине запрещенной зоны полученных пятикомпонентных твердых растворов, что подтвердилось смещением пиков в спектрах люминесценции.

160

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Пигулев, Роман Витальевич, 2007 год

1. Алферов, Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур / Ж.И. Алферов // ФТП. 1998. - Т. 32. - Вып. 1. - С. 3-18.

2. Алферов, Ж.И. Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике, электронике и технологии / Ж.И. Алферов // УФН. 2002. - Т. 172. -Вып 9. - С. 1068-1087.

3. Алферов, Ж.И. Физика и жизнь. / Алферов Ж.И. Изд. 2-е, СПб. : Наука, 2001.

4. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Под ред. Д. Бриггса, М.П. Сиха. М.: Мир, 1987. - 600 с.

5. Анализ фазовых равновесий в системе In-As-Sb с использованием модели квазирегулярных ассоциированных растворов / А.Н. Баранов, A.M. Литвак, Т.В. Чернева, С.Г. Ястребов // Известия АН СССР Неорганические материалы. -1990.-Т. 26.-Вып. 10.-С. 2021-2025.

6. Аскарян, Т.Г. Термодинамический анализ устойчивости пятикомпонентных гетероструктур соединений АШВУ / Т.Г. Аскарян, В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин // Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1989. -Т. 25.-С. 540-546.

7. Атлас оже-спектров чистых материалов / Горелик В.А., Протопопов О.Д. и др.-НИИ, 1984.-64 с.

8. Барыбин, А.А. Физико-технологические основы электроники. / А.А. Барыбин, В.Г. Сидоров СПб.: Изд-во Лань, 2001. - 267с.

9. Благин, А.В. Низкоразмерные структуры AlxGaI.x.yInySb, кристаллизующиеся в гетеросистеме Al-Ga-In-Sb-Bi / А.В. Благин // Изв. Вузов Сев.-Кав. регион. Естеств. науки. 2002. - № 1. - С. 80-84.

10. Благин, А.В. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов / А.В. Благин,

11. B.Н. Лозовский, Л.С. Лунин. Ростов н/Д : СКНЦ ВШ, 2003. - 376 с.

12. Благина, Л.В. Кристаллизация твердых растворов InSbBi, AlInSbBi и AlGalnSbBi с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента : автореф. дис. канд. техн. наук / Благина Лариса Васильевна. — Новочеркасск, 2001. 24 с.

13. Буддо В.И. Физико-технические основы технологии получения толстых полупроводниковых слоев для твердотельной электроники методом зонной перекристаллизации градиентом температуры : автореф. дис. кан. техн. наук / Буддо В.И. Таганрог, 1982. - 22 с.

14. Валюхов, Д.П., Звеков В.Ю., Хабибулин И.М. Рентгеноэлектронный спектрометр, управляемый цифроаналоговым комплексом на базе IBM PC/AT / Д.П. Валюхов, В.Ю. Звеков, И.М. Хабибулин // ПТЭ. 1998. - № 2.1. C. 162-163.

15. Вигдорович, В.Н. Термодинамический расчет фазовых равновесии для многокомпонентных твердых растворов с эквиатомным катионно-анионным соотношением / В.Н. Вигдорович, А.А. Селин, В.А. Ханин // Докл. АН СССР. — I960. Т. 252. - Вып. 2. - С. 406-410.

16. Высокоэффективные светодиоды на основе InGaAsSb (к=2.2 мкм., г|=4 %, Т=300 К) / А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, А.Н. Именков,

17. A.M. Литвак, Г.М. Филаретова, Ю.П. Яковлев // Письма в ЖТФ. 1988. - Т. 14. -Вып. 9.-С. 845-849.

18. Высокоэффективные концентраторные (2500 солнц) AlGaAs/GaAs -солнечные элементы / В.М. Андреев, В.П. Хвостиков, В.Р. Ларионов,

19. B.Д. Румянцев, Е.В. Полева, М.З. Шварц // ФТП. 1999. - Т. 33. - Вып. 9.1. C. 1070-1072.

20. Высокоэффективные светодиоды на 3.4-4.4 цгп на основе p-AlGaAsSb/ n-InGaAsSb/n-AlGaAsSb, работающие при комнатной температуре / Б.Е. Журтанов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, А.Е. Розов,

21. Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев // Письма в ЖТФ. 2001. - Т. 27. - Вып. 5. -С. 1-7.

22. Гармашов, С.Н. К методике исследования кинетики кристаллизации методом ЗПГТ при снижении температуры с постоянной скоростью / С.Н. Гармашов, В.Ю. Гершанов // Кристаллизация и свойства кристаллов, Новочеркасск 1985. - С. 66-72.

23. Гетеропереходы AlxGai.xAs-GaAs: Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов / Ж.И. Алферов, В.М. Андреев,

24. B.И. Корольков, E.JI. Портной, Д.Н. Третьяков; Отв. ред. С.М. Рыбкин, Ю.В. Шмарцев; Л. : 1969. С. 260-267.

25. Гнилов, С.В. Расчет распределения примеси и условий выращивания однородно легированных кристаллов / С.В. Гнилов, А.Я. Нашельский // Теоретические основы химической технологии. 1982. - Т. 16. - № 3.1. C.325-330.

26. Гусейнов, А.А. Высокоточный метод расчета фазовых равновесий расплав-твердое тело системы АШВУ (на примере In-Ga-As-Sb) / А.А. Гусейнов, Б.Е. Джуртанов, A.M. Литвак // Письма в ЖТФ. 1989. - Т. 15. - Вып. 12. -С. 67-72.

27. Долгинов, Л.М. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах / Л.М. Долгинов, П.Г. Елисеев, М.Г. Мильвидский // Квантовая электроника. 1976. - Т. 8. - Вып. 7. -С. 1381-1383.

28. Дуров, В.А. К термодинамической теории идеальных ассоциированных растворов / В.А. Дуров // ЖФХ. 1980 - Т. 54. - Вып. 8. - С. 2126-2129.

29. Дэфэй, Р. Химическая термодинамика / Р. Дэфэй, И. Пригожин -Новосибирск, 1966. 509 с.

30. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов GalnPAs / А.Т. Гореленок, А.Г. Дзигасов, П.П. Москвин и др. // Физика и техника полупроводников. 1981. - Т. 15. - Вып. 12. - С. 2410-2413.

31. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов. В 2 т. / С. Зи М. : Мир, 1984.

32. Изучение свойств твердых растворов InGaSbBi/InSb методом минимума энергии Гиббса / Д.П. Валюхов, С.В. Лисицын, Р.В. Пигулев, И.М. Хабибулин // Вестн. СевКавГТУ. Сер, Физико-химическая. Ставрополь, 2004. № 1(8). -С. 31-38.

33. Илегемс, М. Фазовые равновесия в тройных системах III-V. Материалы для оптоэлектроники. / М. Илегемс, М.Б. Паниш М., 1976. - С. 39.

34. Исследование фазовых равновесий в системе Ga-In-As-P / А.Т. Гореленок,

35. B.Н. Мдивани, П.Г. Москвин и др. // Журн. физич. химии. 1982. - Т. 56. -Вып. 10.-С. 2416-2421.

36. Исследование многокомпонентных висмутсодержащих гетероструктур на1 соснове соединений А В / А.В. Благин, Д.П. Валюхов, А.Э. Зорькин, С.В. Лисицын, Р.В. Пигулев, И.М. Хабибулин // Изв. вузов «Физика» Томск. -2003. -№ 11.-С. 57-60.

37. Казаков А.И. Критические явления в четырехкомпонентных системах / А.И. Казаков, И.Н. Кишмар // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. -Т. 23.-№ 1.-С. 12-15.

38. Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГС лазеры с >.=1,3 мкм (Jnop=410 А/см2, Т=23 °С) / Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, С.В.Зайцев, А.Б. Нивин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов // ФТП. 1987. - Т. 21. - Вып. 5. -С. 824-829.

39. Киреев, П.С. Физика полупроводников / П.С. Киреев М. : Высшая школа, 1978.

40. Когерентная фазовая диаграмма пятерных систем на основе соединений А3В5 / E.JI. Когновицкая, В.В. Кузнецов, В.И. Ратушный, Э.Р. Рубцов // ЖФХ. -2003. Т. 77. - Вып 1. - С. 250-254.

41. Колесниченко, А.И. Исследование коэффициентов распределения алюминия в системе Si-Au-Al / А.И. Колесниченко, В.Н. Лозовский // Изв. АН СССР: Неорган, материалы. 1981. - Т. 17. - № 4. - С. 737-738.

42. Корицкий, Ю.В. Справочник по электротехническим материалам. В 3 т. Т. 3. / Ю.В. Корицкий, В.В. Пасынков, Б.М. Тареев. Л. : Энергоатомиздат, 1988.- 153 с.

43. Кристаллизация твердых растворов GaJn^AsySbi.y на подложках из GaSb и InAs / А.Э. Бочкарев, В.Н. Гульгазов, Л.М. Долгинов, А.А. Селин // Известия АН СССЗ Неорганические материалы. 1987. - Т. 23. - Вып. 10. -С. 1610-1614.

44. Кристиан, Дж. Теория превращения в металлах и сплавах / Дж. Кристиан; пер. с англ. под. ред. Д. Ройтбурда. М.: Мир, 1978. - 327 с.

45. Кузнецов, В.В. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений . АШВУ / В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный Ростов н/Д.: Изд-во СКНЦ ВШ, 2003. - 376 с.

46. Кузнецов, В.В. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. / В.В. Кузнецов, П.Н. Москвин, B.C. Сорокин.-М. 1991.- 175 с.

47. Кузнецов, В.В. Прогнозирование свойств гетероструктур на основе3 5пятикомпонентных твердых растворов А В / В.В. Кузнецов, Э.Р. Рубцов, B.C. Сорокин //Журн. Физ. химии. 1997. - Т. 71. - Вып. 3. - С. 411-416.

48. Кузнецов, В.В. Термодинамика и расчет фазовых диаграмм: Учеб. пособ. / В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный Новочеркасск. : Изд-во ЮРГТУ (НПИ), 1991.-82 с.

49. Кузнецов, В.В. Фазовые равновесия пятерных систем из Аш и Bv / В.В. Кузнецов, О.А. Лебедев, Э.Р. Рубцов // Неорганические материалы. 1998. -Т. 34. - Вып. 9. - С. 525-530.

50. Кузнецов В.В., Сорокин B.C. О термодинамическом описании твердых растворов на основе соединений А3В5 // Изв. Ан СССР. Сер. Неорг. Материалы- 1980.-Т. 16.-Вып. 12.-С. 2085-2089.

51. Лебедев, В.В. Соединения А3В5: Справ. / В.В. Лебедев, С.С. Стрельченко.- М.: Металлургия, 1984. 144 с.

52. Литвак, A.M. Новый термодинамический расчет фазовых равновесий расплав-твердое тело системы AmBv / A.M. Литвак, А.Н. Чарыков // ЖФХ. -1990. Т. 64. - Вып. 9. - С. 2331-2337.

53. Литвак, A.M. Новый термодинамический расчет фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb / A.M. Литвак, А.Н. Чарыков // Известия АН СССР Неорганические материалы. 1991. - Т. 15. -Вып. 12.-С 67-72.

54. Лозовский, В.Н. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов / В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов -М.: Металлургия, 1987.-232 с.

55. Лозовский, В.Н. Пятикомпонентные твердые растворы соединений А3В5 -Новые материалы оптоэлектроники / В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин. Ростов-н/Д : СКНЦ ВШ, 1992.-192 с.

56. Лозовский, В.Н. Эпитаксия варизонных слоев AlxGai.x As в поле температурного градиента / В.Н. Лозовский, О.Д. Лунина // Изв. АН СССР: Неорган, материалы. 1980. - Т. 16. -№ 2. - С. 213-216.

57. Магнитотранспортные свойства гетеропереходов II типа на основе GalnAsSb/InAs и GalnAsSb/GaSb / Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, А.Ф. Липаев, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев // ФТП. 2006. - Т. 40. - Вып. 5. -С. 519-535.

58. Мак-Хью, И.А. Вторично-ионная масс-спектрометрия // Методы анализа поверхности / И.А. Мак-Хью : пер. с англ. М.: Мир, 1979. - С.276-342.

59. Милне Ф. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник / Ф. Милне, Т.Д. Фойхт М.; Мир, 1.979.

60. Мощные лазеры (А,=3,3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP / М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин // ФТП. 2001. -Т. 35. - Вып. 10.-С. 1261-1265.

61. Неохлаждаемые фотодиоды для спектрального диапазона 1,5-4,8 мкм. на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/GalnAsSb / И.А. Андреев, О.В. Андрейчук, М.А. Афраилов, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Н.Д. Стоянов,

62. Ю.П. Яковлев // XVI Международная конференция по фотоэлектрике и приборам ночного видения. Москва. 2000. - С. 112-113.

63. Нефедов, В.И. Рентгено-электронная спектроскопия химических соединений / В.И. Нефедов М.: Химия, 1984. - 182 с.

64. Низкопороговые InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения с Х,=1,3 и 1,55 мкм (600-700 А/см) / Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, А.Б. Кижаев, А.Б. Нивин, С.А Никишин, А.В. Овчинников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов,

65. A.В. Чудинов // Письма ЖТФ. 1986. - Т. 12. - Вып. 4. - С. 210-214.

66. Низкопороговые лазерные двойные гетероструктуры GaSb/GalnAsSb/AlGalnAsSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии из сурьмянистых растворов-расплавов / В.И. Васильев, А.Г. Дерягин,

67. B.И. Кучинский и др. // Письма в ЖТФ. 1996. - Т. 22. - Вып. 2. - С. 15-18.

68. Перестраиваемый лазер на основе InAsSb/InAsSbP с высокой направленностью излучения в плоскости р-п-перехода / А.П. Астахова, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колганова, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев // ФТП. 2000. - Т. 34. - Вып. 9. - С. 1142-1144.

69. Получение и исследование пятикомпонентных гетероструктур InGaAsSbBi/InSb на подложках антимонида индия / А.В. Благин, П.А. Константинов, Л.С. Лунин, В.А. Овчинников, // Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск. 1996. - С. 30-34.

70. Попов, В.П. Неконсервативная жидкофазная эпитаксия полупроводников: автореф. дис. докт. техн. наук. / Попов В. П. Новочеркасск, 1987. - 50 с.

71. Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II типа GalnAsSb/GaSb / А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, А.Н. Титков, В.Н. Чебан, Ю.П. Яковлев // ФТП. 1990. - Т. 24. - С. 1056-1061.

72. Пфанн, В.Дж. Зонная плавка / В.Дж. Пфанн М.: Мир, 1970. - 366 с.

73. Разумовский, П.И. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента : автореф. дис. канд. техн. наук / Разумовский Павел Иванович -Новочеркасск, 2000. 23 с.

74. Разъединенный гетеропереход в системе p-GaSb-n-InAs.xSbx (0<х<0.18) / С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Н.В. Зотова, Е.А. Гребенщикова, Ю.П. Яковлев, Е. Hulicius, К. Melichar, J. Pangrac, Т. Simicek // Письма в ЖТФ. 2001. - Т. 27. -Вып. 22.-С. 66-72.

75. Расчет состава фаз четырехкомпонентных систем с помощью ЭВМ (на примере InGaAsSb) / С.В. Вигдорович, Л.М. Долгинов, А.Ю. Малинин, А.А. Селин // Докл. АН СССР. 1978. - Т. 243. -Вып 1. - С. 125-128.

76. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах /

77. A.И. Казаков, В А. Мокрицкий, В.Н. Романенко, Л.М. Хитова : под. ред.

78. B.Н. Романенко М. : Металлургия. - 1987. - 136 с.

79. Расчет фазовых равновесий в трех- и четырехкомпонентных гетеросистемах с висмутом. / А.А. Баранник, А.В. Благин, С.В. Лисицын,

80. M.JI. Лунина, P.B. Пигулев, А.С. Севостьянов // Изв. вузов. Сев-Кавк. Per. Техн. науки. Спец. вып. 2005. - С. 50-68.

81. Ратушный, В.И. Гетероэпитаксия четырех-, пятикомпонентных твердых растворов соединений А3В5 для целей термофотопреобразования /

82. B.И. Ратушный // Изв. Вузов. Сев.гКав. регион. Техн. науки. 2003. - № 3.1. C. 56-59.

83. Ратушный, В.И. Некоторые аспекты термодинамического описания3 5эпитаксиальной кристаллизации пятерных систем А В /В.И. Ратушный // Изв. Вузов. Сев.-Кав. регион. Техн. науки. Приложение. 2003. - № 3. - С. 112-114.

84. Романенко, В.Н. Управление составом полупроводниковых кристаллов /

85. B.Н. Романенко М. : Металлургия, 1976. - 368 с.

86. Романенко, В.Н. Управление составом полупроводниковых слоев / В.Н. Романенко М.: Металлургия, 1978. - 192 с.

87. Рубцов, Э.Р. Расчет спинодальних изотерм в пятикомпонентных твердых-1 срастворах А В / Э.Р. Рубцов, B.C. Сорокин // Неорган, материалы. 1993. -Т. 29.-Вып. 1.-С. 28-32.

88. Рубцов, Э.Р. Особенности фазовых превращений в системах твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью: автореф. дис. канд. физ.-мат. наук / Рубцов Э.Р. Л., 1994. - 24 с.

89. Рябин, В.А. Термодинамические свойства веществ : справ. / В.А. Рябин, Т.Ф Свит, М.А. Остроумов. Л.: Химия, 1977. - 389 с.

90. Светодиоды на основе твердых растворов GaSb для средней инфракрасной области спектра 1,<?+4,4 мкм / Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев // ФТП. 2005. - Т. 39. - Вып. 11. - С. 1281-1311.

91. Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1,94 мкм / Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Шленский // ФТП. 2006. - Т. 40. - Вып. 3.1. C. 356-361.

92. Свид. 2005611210 Российская Федерация. Программа обработки рентгеновских фотоэлектронных спектров / Зубрилов В.Г., Крикун С.А.,

93. Твердый раствор InxGai.xAsySbzPiyz новый материал инфракрасной оптоэлектроники / М.П. Михайлова, A.M. Литвак, Н.А. Чарыков, Ю.П. Яковлев // ФТП. - 1997. - Т. 31. - Вып. 4. - С. 410^15.

94. Термодинамический расчет фазовых равновесии в пятикомпонентных полупроводниковых системах на основе антимонида галлия / В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.Г. Аскарян // Изв. СКНЦ ВШ. Естеств. науки. 1988. - № 3. -С. 80-86.

95. Технология получения гетероструктур InGaAsSbBi/InSb для фотоприемных устройств / А.В Благин, Л.С.Лунин, В.А. Овчинников,

96. B.П. Попов // Изв. Вузов. Сев.-Кав. регион. Техн. науки. 1997. - № 2.1. C. 89-93.

97. Физико-химические равноверия в системе In Ga - As - Sb - Bi / Д.Л. Алфимова, А.В. Благин, Л.С. Лунин, В.А. Овчинников и др. // Изв. вузов. Сев. - Кавк. регион. Техн. науки. - 1998. - № 3. - С. 69-73.

98. Фотолюминесценция твердых растворов Gai.xInxAsySb|.y (0.08<х<0.22), изопериодных InAs / М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Я.В. Терентьев, А.А. Торопов, Ю.П. Яковлев // ФТП. 2000. - Т. 34. - Вып. 12. - С. 1432-1437.

99. Фотопреобразователи на основе варизонных Gai.xAlxAs(Sb) структур / К. Аннаев, К. Атаджанов, А. Буркелиев, Д. Мелебаев, Н. Назаров // Сб. науч. тр. / Ашхабад. 1983. - Солнечная фотоэлектрическая энергия - С. 256-263.

100. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел / Под ред. Дж. Вэнника, В. Декейсера и Л. Фирмэнса : пер с англ. М.: Мир, 1981.

101. Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInSbAs:Mn / Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев // ФТП. 1991. - Т. 25. -Вып. 2. - С. 276-282.

102. Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GalnAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава / Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов,

103. Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев // ФТП. 1998. -Т. 32. - Вып. 3.-С. 278-284.

104. Яковенко, А.В. Сглаживание спектров с использованием информации о частотном составе шума / А.В. Яковенко // ПТЭ. 1991. - № 5. - С. 91-94.

105. A compact polarimetric glucose sensor using a high-performance fibre-optic Faraday rotator / T. Kenmochi, Y. Sato, I. Yamaguchi, M. Yokota, T. Yoshino // Meas. Sci. Technol. 2004. - Vol. 15. - P. 143-147.

106. Andreev, A.D. Mechanism of suppression of Auger recombination processes in type-II heterostructures / A.D. Andreev, G.G. Zegrya // Appl. Phys. Lett. 1995. -V. 67 (18).-P. 2681-2683.

107. A study of phase equilibria and heterojunctions in Ga-In-As-Sb quaternary system / L.M. Dolginov, P.G. Eliseev, A.N. Lapshin, M.G. Milvidskii // Kristall and Tecnik. 1978. - V. 13. - № 6. - P. 631-650.

108. Band discontinuities in GaAs/AlxGai.xAs heterojunction photodiodes / J.J. Coleman, M.A. Haase, S.C. Smith, G.E. Stillman // Appl. Phys. Lett. 1987. -Vol. 50-P. 404.

109. Banna M. S., ShirlettD. A. // Chem. Phys. Lett. 1975. - V. 33. - P. - 441.

110. Chan, Y.A. Thermodynamic analysis and phase equilibia calculation for the InSb and GaSb system / Y.A. Chan, T. Leo-Ngai, R.C. Sharma // J. Electr. Mater. -1987.-V. 16.-№5.-P. 307-314.

111. Charykov, N.A. General theory of multy-phase melt crystallization / N.A. Charykov, A. Krier, V.V. Sherstnev // J. of Cryst. Growth. 2002. - V. 234. -P. 762-772.

112. Densities and mobilities of coexisting electrons and holes in GaSb/InAs/GaSb quantium wells / L.Esaki, Y. Iye, E.E. Mendez, H. Munekata, // Surf. Sci. 1986. -Vol. 174.-P. 449.

113. Dohler, G. Electron-hole subbands at the GaSb-InAs interface / G. Dohler // Surf. Sci. 1980. - Vol. 98. - P. 108-116.

114. Electroluminescence and lasing in type II Ga(Al)Sb/InGaAsSb heterostructure in the spectral range 3-5 цт / O.V. Andreychuk, T.I. Voronina, M.P. Mikhailova,

115. K.D. Moiseev, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev, B.E. Zhurtanov // Appl. Surf. Sci. -1999. Vol. 142.-P. 257-261.

116. Esaki, L. A bird's-eye view on the evolution of semiconductor superlattices and quantum wells / L. Esaki // IEEE Quantum. Electron. 1986. - Vol. 22. - P. 1611-1624.

117. Esaki, L. InAs-GaSb superlattice energy structure and 1st semiconductor semimetal transition / Esaki, L. Harrison W., Sai-Halasz C.A.H., // Phys. Rev. -1978. Vol. 18 -№ 6. -P. 2812.

118. Esaki, L. Optoelectronic devices based on type II polytype tunnel heterostructures / L. Esaki, E.E. Mendez, H. Ohno // Appl. Phys. Lett. 1992. - Vol. 60.-P. 3153.

119. ESCA: Atomic, Molecular and Solid State Structure Studied by Means of Electron Spectroscopy / K. Siegbahn et al. // Almqvist and Wiksells, Uppsala, 1967. (Имеется перевод: К. Зигбан и др. Электронная спектроскопия. -М.: Мир, 1971).

120. Feucht, D.L. Heterojunctios and Metal-Semiconductor Junctions / D.L. Feucht, A. Milnes New York: Academic, 1972. - 127 p.

121. Fabrication details of GalnAsSb-based photodiode heterostructures / I.A. Andreev, E.V. Kunitsyna, M.P. Mikhailova, Ya. A. Parkhomenko, Yu. P. Yakovlev // Proc. SPIE. 2000. - V. 4340. - P. 244-253.

122. Goodman, A.M. Metod for measurements of minority carrier diffusion length in semiconductors / A.M. Goodman // J. Appl.Phys. 1961. - v.32. - p. 2550.

123. Guggenheim, E.A. Thermodinamics / E.A. Guggenheim 3-th ed. Amsterdam, 1957.-250 p.

124. Handbook of Auger Electron Spectroscopy, / Davis L.E., MacDonald N.C. et al. 2nd edition, Physical Electronics inc., Eden Prarie, Minn, 1976. - 336 c.

125. Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy / L.E. Davis, C.D. Wagner et al. Perkin-Elmer Corporation, Physical Electronics Division, Eden Prarie, Minnesota, - 1978.

126. Ilegems, M. Solid-liquid equilibria for quaternary solid solutions / M. Ilegems, A.S. Jordan // J. Phys. Chem. Sol. 1975. - V. 36. - № 4. - P. 329-342.

127. Jordan, A.S. Activity coefficients for a regular multicomponent solution / A.S. Jordan//J. Electrochem. Soc. 1972. - V. 119.-№1.-P. 123-126.

128. Jotaro, M. Experiments ant calculation of the AlGaSb ternary phase diagram / Jotaro M., Kazno, N Kozo O. // J. Electrochem Soc. 1979. - V. 126. - № 11. -P. 1992-1997.

129. Kroemer H., Griffths G. // Electron Device left. 1983. - Vol. 4. - P. 20.

130. LED-based NIR spectrometer module for hand-held and process analyzer application / C. Eddison, M. Kansakoski, J. Malinen, R. Rikola // Sensors and Actuators B. 1998. - Vol. 51. - P. 220-224.

131. Lee, G.S. Band structure of InAsSb strained-layer superlattices / G.S. Lee, L. Liu, A.H. Marshak // Appl. Phys. 1992. - Vol. 71. - P. 1842-1845.

132. Liquid phase epitaxial growth of AlGalnPAs lattice matched to GaAs / S. Mukai, H. Jajima, J. Mitsuhashi, S. Janagisawa, N. Kutsuwada // Appl. Phys. Lett. 1984. - V. 44. - № 9. - P. 904-906.

133. Melnikova Yu.S. // Fiz. Tekh. Poluprovodn. 1980. - Vol. 14. - P. 1763.

134. Mikhailova M.P. Type II heterojunctions in the GalnAsSb/GaSb system / M.P. Mikhailova, A.N. Titkov // Semicond. Sci. Technol. 1994. - № 9. -P.1279-1295.

135. On the prediction of properties of heterostructures based on quinary1. A3BJ solidsolutions / V.V. Kuznetsov, L.S. Lunin, V.I. Ratushny, E.R. Rubtsov // Inst. Phys. Conf. Ser. No 155:- 1995.-Chapter 3. L. P. 335-338.

136. Onabe, К. Thermodinamics of type. Ai.xBxCi-yDy III-V quoternary solid solutions / K. Onabe // J. Phis. Chem. Solids. 1982. - V. 43. - № 11. -P. 1071-1086.

137. Pearsall, T.P. GalnAsP Alloy Semiconductors / T.P. Pearsall New York: Willey, 1982.-73 p.

138. Schwarze, H. Continuous fat analysis in the meat industry / H. Schwarze // Proc. Cont. Qual. 1997. - Vol. 9. - P. 133-138.

139. Staggered-lineup heterojunction in the system of GaSb-InAs / A.N. Baranov, A.N. Imenkov, M.P. Mikhailova, A.A. Rogachev, A.N. Titkov, Yu.P. Yakovlev // Superlatt. Microstruct. 1990. - Vol. 8. - № 4. - P. 375.

140. Stringfellow, G.B. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagram / G.B. Stringfellow//J. Crist. Growth. 1974. -V. 27. -№1. -P. 21-34.

141. Willson, B. Carrier dynamics and recombination mechanisms in staggered-alignment heterostructures / B. Willson // IEEE Quantum. Electron. 1988. -Vol. 24.-P. 1763-1777.