Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Патаридзе, Зураб Гивиевич

• Патаридзе, Зураб Гивиевич
• кандидат технических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат технических наук Патаридзе, Зураб Гивиевич

Введение.

Глава 1. Обзор литературы и постановка задачи исследования.

1.1. Твердые растворы AlGaAs, свойства, особенности диаграммы состояния.

1.2. Жидкофазная эпитаксия в однородном температурном поле

1.3. Зонная перекристаллизация градиентом температуры твердого и порошкообразного источников.

1.4. Жидкофазная эпитаксия со снижением температуры в поле температурного градиента.

1.5. Гомогенная кристаллизация в объеме жидкой фазы и ее роль в процессах жидкофазной эпитаксии.

1.6. Постановка задачи исследования.

Выводы.

Глава 2. Теоретический анализ жидкофазной эпитаксии с подпиткой кристаллическим источником.

2.1. Формирование материала-источника.

2.2. Модель образования гомогенных зародышей в жидкой фазе

2.3. Расчет пересыщений, возникающих при смешении растворов-расплавов различных составов.

2.4. Жидкофазная эпитаксия с регенерацией раствора-расплава

2.4.1. Сущность способа.

2.4.2. Расчет распределения компонентов эпитаксиальных слоев, полученных на горизонтально расположенной подложке.

2.4.3. Расчет распределения компонентов эпитаксиальных слоев, полученных на вертикально расположенной подложке.

Выводы.

Глава 3. Аппаратурно-методические особенностями оформления процесса жидкофазной эпитаксии с подпиткой кристаллическим источником.

3.1. Аппаратура.

3.2. Методика проведения процесса жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента.

3.3. Методика проведения процесса жидкофазной эпитаксии с регенерацией раствора-расплава в однородном температурном поле на горизонтально расположенных подложках.

3.4. Методика проведения процесса жидкофазной эпитаксии с регенерацией раствора-расплава в однородном температурном поле на вертикально расположенных подложках.

Выводы.

Глава 4. Состав и структурное совершенство слоев,' полученных методом жидкофазной эпитаксии с подпиткой кристаллическим источником.

4.1. Распределение компонентов в твердых растворах AlxGai.xAs, полученных методом зонной перекристаллизации градиентом температуры кристаллического источника.

4.2. Распределение компонентов в твердых растворах AlxGaixAs, полученных методом жидкофазной эпитаксии с регенераци ей раствора-расплава на горизонтально расположенных подложках.

4.3. Распределение компонентов в твердых растворах AlxGaixAs, полученных методом жидкофазной эпитаксии с регенера цией раствора-расплава на вертикально расположенных подложках.

Выводы.

Глава 5. Прикладные возможности метода жидкофазной эпитаксии с регенерацией раствора-расплава.

5.1. Сверхяркие светодиоды красного цвета свечения.

5.1.1. Особенности формирования светоизлучающих многопроходных гетероструктур.

5.1.2. Конструкция и принципы работы кассеты для изготовления многопроходных гетероструктур в едином технологическом цикле.

5.1.3. Электрооптические характеристики многопроходных гетероструктур и светодиодов, полученных методом ЖЭ с регенерацией раствора-расплава.

5.2. Перспективы использования метода ЖЭ с регенацией раствора-расплава для формирования гетероструктур AHIBV с прецизионным управлением компонентами.

5.2.1. Инфракрасные лазеры с электронной накачкой на основе твердых растворов InAsSb.

5.2.2. Двойная гетероструктура светоизлучающего диода на базе пятикомпонентного твердого раствора

Inx А1 у Ga 1 x.yPz As i z.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником»

Актуальность работы

Прогресс современной электронной техники связан с развитием технологии эпитаксиального наращивания полупроводниковых материалов. При этом значительный интерес представляет метод жидкофазной эпитаксии (ЖЭ), так как он позволяет получать материалы с высоким кристаллическим совершенством. Достаточно отметить, что все многообразие светоизлучающих диодов (СИД) и инжекционных лазеров на основе твердых растворов AlxGa^xAs изготавливают с помощью этого метода.

Вместе с тем, проблема технологии выращивания толстых (^100 мкм) квазиоднородных слоев AlxGai.xAs, необходимых для многих перспективных оптоэлектронных приборов и оптических интегральных схем, до сих пор не решена.

В частности, перспективным направлением повышения эффективности излучения красных СИД на основе твердых растворов AlxGai.xAs, является использование эффекта многопроходности [1], который заключается в многократном переизлучении в активной области структуры света, отражающегося от внутренней поверхности структуры. В целях обеспечения механической прочности, химической стабильности и прозрачности для рабочего излучения, часть структуры (эмиттер) должна быть толщиной не менее 80-100 мкм и содержанием AlAs 0,6 ±0,1 мольных долей.

При получении эпитаксиальных слоев (ЭС), используемых в качестве эмиттера, методом ЖЭ, ограниченный запас кристаллизуемого вещества и высокий коэффициент распределения алюминия в этой системе, приводят к необходимости многократного повторения процесса со сменой растворов-расплавов [2], что не экономично и не технологично.

Перекристаллизация монолитного источника через жидкую фазу в поле температурного градиента в принципе позволяет решить эту задачу [3-7]. Однако, приготовление такого источника среднего заданного состава

- сложная и еще нерешенная технологическая проблема.

Поэтому разработка надежных методов выращивания таких слоев, не требующих больших расходов материалов и вместе с тем сохраняющих достоинства традиционной ЖЭ и возможность использования стандартного технологического оборудования - актуальна.

Совершенно очевидна необходимость подпитывать жидкую фазу расходуемыми компонентами. Такая подпитка может быть достигнута при использовании нетрадиционного источника - гомогенные кристаллы твердого раствора среднего заданного состава, создаваемые в объеме жидкой фазы. Создание и перекристаллизация такого источника требуют последовательного или одновременного сочетания различных методов ЖЭ: зонной перекристаллизации градиентом температуры (ЗПГТ), жидкофазной эпи-таксии с принудительным охлаждением (ЖЭ), изотермической жидкофазной эпитаксии, что само по себе может расширить возможности управления распределением основных и примесных компонентов, условиями роста, повысить производительность процесса, упростить технологию.

Диссертация является частью выполнения НИОКР по заданию ВНИИМЭТ г. Калуга и ИРЭ г. Фрязино на хоздоговорной основе и работ по основным направлениям НИР ЮРГТУ(НПИ) 1985-2001 гг.

Цель работы:

- предложить исследовать новые модификации ЖЭ, отличающиеся от известных экономичностью, возможностью использования стандартного технологического оборудования и позволяющие выращивать квазиоднородные толстые слои AlxGaixAs;

- разработать, на базе наиболее эффективного варианта ЖЭ, основы технологичного процесса формирования таких слоев и апробировать их на примере многопроходных сверхярких светоизлучающих диодов.

В связи с этим решались следующие задачи:

1. Предложить оптимальные способы формирования источника заданного состава в объеме раствора-расплава.

2. Разработать способы осуществления подпитки раствора-расплава данным источником.

3. Использовать комбинированные процессы ЖЭ (последовательное или одновременное сочетание традиционных методов ЖЭ), включающие в себя создание источника в объеме жидкой фазы и его перекристаллизацию на подложку в едином технологическом цикле.

4. Разработать основы технологии воспроизводимого получения толстых ЭС твердого раствора AlxGaixAs квазиоднородного состава.

5. Разработать аппаратурно-методическое оформление технологического процесса на примере формирования эмиттерных слоев многопроходной двойной гетероструктуры (МДГС) на основе твердых растворов AlxGaixAs для сверхяркого светодиода.

Научная новизна:

- впервые предложено и осуществлено создание кристаллического источника путем изотермического смешения растворов-расплавов различных составов;

- экспериментально обнаружено существенное влияние методики формирования источника на кристаллическое совершенство ЭС;

- развита методика расчета параметров материала-источника, образованного путем понижения температуры и смешением расплавов;

- установлено влияние на морфологию и распределение компонентов ЭС характера расположения подложки в гравитационном поле при росте из расплава, содержащего плавающий кристаллический источник;

- предложен способ ЖЭ с регенерацией раствора-расплава в однородном температурном поле путем циклического повышения и понижения температуры;

- разработана методика расчета и оптимизации процесса ЖЭ с регенерацией раствора-расплава;

- достигнута возможность управления составом ЭС без использования внешнего источника и при фиксированной (оптимальной) скорости понижения температуры.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Смешение недосыщенных растворов-расплавов различных составов в системе Al-Ga-As приводит к кристаллизации частиц твердого раствора AlxGaixAs воспроизводимого заданного состава в объеме расплава.

2. При перекристаллизации источника на подложку в температурном поле с градиентом, противоположным направлению силы тяжести, происходит непланарная кристаллизация с углублением посередине подложки, в температурном поле с градиентом соноправленным силе тяжести, процесс ЗПГТ самопроизвольно переходит в кинетический режим с последующей блокировкой роста.

3. Наибольшая скорость роста наблюдается при одновременном воздействии на жидкую фазу, содержащую материал-источник, градиента температуры и программируемого понижения температуры.

4. Толстые ЭС AlxGai.xAs с высокой планарностью, необходимой для оптоэлектронных устройств, достижимы при использовании ЖЭ в однородном температурном поле при условии регенерации раствора-расплава.

Практические возможности

1. Разработаны физико-технические основы процесса ЖЭ с регенерацией раствора-расплава и нестандартное оборудование для формирования толстых ЭС твердых растворов AlxGaixAs с требуемым распределением компонентов и высоким кристаллическим совершенством.

2. Показаны возможности применения разработанного метода для создания оптоэлектронных приборов на примере красного сверхяркого светодиода.

Апробация работы

Основные результаты доложены и обсуждены на:

- Пятой Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (г. Калуга, 1990 г.);

- Первой Всероссийской научно-технической конференции по актуальным проблемам твердотельной электроники и микроэлектроники (г. Таганрог, 1994 г.);

- Второй Всероссийской научно-технической конференции с международным участием (г. Дивноморское, 1995 г.);

- Четвертой международной научно-технической конференции по актуальным проблемам твердотельной электроники и микроэлектроники (г. Дивноморское, 1997 г.);

- научных конференциях и сессиях НПИ и НГТУ;

- научных семинарах кафедры физики и научно-исследовательской лаборатории.

Публикации

По результатам диссертации опубликовано 15 работ, включая 3 авторских свидетельства на изобретения.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Патаридзе, Зураб Гивиевич

Выводы

1. Установлено, что разработанный метод значительно удешевляет процесс изготовления гетероструктур многопроходных светодиодов (за счет сокращения потребления дорогостоящего галлия в 2-2,5 раза) и совместим со стандартным технологическим оборудованием, используемым в групповой технологии производства полупроводниковых материалов.

2. Сконструирована кассета, позволяющая изготовлять структуру многопроходного светодиода (пассивную и активную части) в едином технологическом цикле.

3. На светодиодах из гетероструктур, изготовленных предложенным методом, достигнута эффективность излучения 10-12%, сила света 200 мКД.

4. Показаны возможности применения данного метода и оборудования для формирования гетероструктур InAsi.xSbx монотонно изменяющегося состава, используемых для изготовления эффективных инфракрасных лазеров с электронной накачкой.

5. Показаны перспективы данного метода для формирования пятиком-понентных структур InxAlYGaix-YPzAsi z , используемых для создания красных светодиодов диодов, излучающих на длине волны 0,62 мкм.

145

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Анализ литературных данных показал, что задача выращивания толстых квазиоднородных эпитаксиальных слоев твердых растворов AlxGai.xAs актуальна и еще до конца не решена. В настоящей работе решение этой практически важной задачи получено на базе методов, использующих подпитку жидкой фазы кристаллическим источником, создаваемым в объеме самой жилкой фазы. Основные результаты исследований можно сформулировать в виде следующих выводов:

1. Предложены, обоснованы и исследованы новые варианты ЖЭ, использующие подпитку жидкой фазы расходуемыми компонентами и позволяющие расширить возможности управления распределениями основных и примесных компонентов и, в частности, выращивать толстые квазиоднородные ЭС твердых растворов AlxGai.xAs. Такая подпитка может быть достигнута при использовании нетрадиционного источника -гомогенные кристаллы твердого раствора среднего заданного состава, создаваемые в объеме жидкой фазы. Такие варианты имеют единый алгоритм решения: первый этап - создание материала-источника, второй этап - его перекристаллизация на подложку и различаются способами реализации каждого из этапов. Для первого этапа (создание материала-источника) - понижение температуры насыщенного раствора-расплава или смешение растворов-расплавов различных составов. Для второго этапа (рост эпитаксиального слоя) — перекристаллизация материала-источника на подложку в поле температурного градиента или в однородном температурном поле (ЖЭ с регенерацией раствора-расплава). В работе детально исследованы (теоретически и экспериментально) все возможные комбинации вариантов и указаны оптимальные из них. Новые модификации ЖЭ исследованы на примере тройных твердых растворов AlxGaixAs. Продемонстрированы также возможности их применения в системах InAsi.xSbx и InxAlYGai.x.YPzAsi.z

2. Теоретический анализ метода ЖЭ с подпиткой кристаллическим источником представлен двумя самостоятельными блоками теоретических исследований: формирование материала-источника; рост ЭС твердого раствора с использованием подпитки кристаллическим источником. Развита методика расчета количества и состава образующегося источника, позволяющая просто выполнить анализ в первом приближении различных вариантов кристаллизации источника. В основу теоретического расчета положена конечно-разностная аппроксимация линий ликвидуса равновесной фазовой диаграммы состояния и количество формируемого в жидкой фазе источника, в пересчете на толщину ЭС, площадью равной площади сечения ячейки жидкой фазы, рассчитывается из уравнений материального баланса. Установлен критерий применимости такой методики - переохлаждение А Г в жидкой фазе не должно превышать 150-200 К. Установлено, что при таких переохлаждениях максимальное отклонение состава гомогенных частиц, кристаллизующихся в виде шара, от состава в пересчете на плоский слой, не превышает 0,5-0,7%. Оценена величина переохлаждения (соответственно вероятность спонтанной кристаллизации) в различные моменты времени на различных расстояниях от плоскости контакта смешиваемых растворов-расплавов и установлено, что непревышение значений АТ =150-200 К возможно при непревышении количества А1 в одном из смешиваемых расплавах 15-20 весовых процентов.

3. Разработан способ ЖЭ с регенерацией раствора-расплава, главными достоинствами которого является возможность создания материала-источника и его перекристаллизация на подложку в однородном температурном поле и управление составом и толщиной выращиваемых ЭС. Проведен анализ различных модификаций процесса ЖЭ с регенерацией раствора-расплава, отличающихся способом приготовления материала-источника, месторасположением источника во время цикла эпитаксии, расположением затравочной подложки (вертикально или горизонтально относительно вектора силы тяжести). Установлено, что во всех случаях достигается в среднем меньший спад концентрации AlAs в направлении роста, чем при традиционной ЖЭ и наиболее эффективным (наибольшая толщина ЭС с допустимым изменением состава) является вариант с использованием источника, полученного методом смешения растворов-расплавов различных составов с вертикально расположенными подложками.

4. Разработана методика и аппаратура для проведения ЖЭ с подпиткой кристаллическим источником. Сконструирована и изготовлена установка, позволяющая проводить процесс ЗПГТ с изменяемым направлением градиента температуры относительно вектора силы тяжести. Сконструированы и изготовлена кассета, позволяющая производить процесс смешения растворов-расплавов одновременно по всей площади контакта растворов-расплавов. Сконструирована и апробирована аппаратура для проведения процесса ЖЭ с регенерацией раствора-расплава. Основной рабочий орган такой аппаратуры - кассета, которая позволяет осуществлять подпитку раствора-расплава в процессе эпитаксии. Кассета данной конструкции позволяет регулировать толщину жидкой фазы в интервале от 0,05 мм до 4 мм., удалять, на этапе эпитаксиального наращивания, часть объема жидкой фазы, содержащей материал-источник, из зоны эпитаксии. Разработанная аппаратура позволила реализовать экспериментальную часть исследования: создание источника путем понижения температуры или смешением растворов-расплавов; ЗПГТ источников обоих типов; сочетание ЗПГТ и ЖЭ с контролируемым снижением температуры; проведение процессов ЖЭ с регенерацией растворов-расплавов.

5. Отработана методика изготовления многопроходной двойной гетерост-руктуры, на основе AlxGaixAs, в едином технологическом процессе.

6. Установлена принципиальная возможность совмещения стадии образования гомогенного материала-источника и его перекристаллизацию на подложку в поле температурного градиента. Наилучшие результаты достигнуты при одновременном воздействии на жидкую фазу ЗПГТ и ЖЭ с контролируемым снижением температуры. Получены ЭС А1-xGaixAs толщиной 100-150 мкм, содержанием AlAs - 0,6-0,8 мол.долей, разброс по толщине ЭС не более 10%, скорость роста ЭС -2,5-10"6 см/с. Обнаружено, что при использовании подложек площадью более 3 см2, оказалось невозможным обеспечить однородность поля температурного градиента и, как следствие, изменение толщины ЭС от максимума в центре подложки до нуля на периферии.

7. Установлена практическая возможность реализации метода ЖЭ с регенерацией раствора-расплава содержащего материал-источник. Использование источника, образованного понижением температуры насыщенного раствора-расплава, не позволяет достичь требуемой толщины ЭС с заданными параметрами, а использование горизонтально расположенных подложек, приводит к низкой эффективности эпитаксии на подложку - 20-30 % и разбросу по толщине ЭС - 50-100 %. Наиболее оптимальным и адекватным теоретической модели являются эксперименты с использованием вертикально расположенных подложек и источником, образованным смешением растворов-расплавов различных составов. Выращены ЭС AlxGaixAs толщиной 90-120 мкм, содержанием AlAs 0,5-0,7 мольных долей, разброс по толщине ЭС менее 10%, поверхность зеркальная, плотность дислокаций не более 5-104 см"2.

8. На основе изученных возможностей, предложенного в работе метода ЖЭ с регенерацией раствора-расплава, найдено: а) метод ЖЭ с регенерацией раствора-расплава может быть рекомендован для выращивания толстых квазиоднородных слоев AlxGai.xAs, необходимых в качестве эмиттеров сверхмощных светодиодов красного цвета свечения. б) разработанный метод значительно удешевляет процесс изготовления гетероструктур многопроходных светодиодов (в 2-2,5 раза) и совместим со стандартным технологическим оборудованием, используемом в групповой технологии производства полупроводниковых материалов. в) на светодиодах, использующих гетероструктуры изготовленные предложенным методом, достигнута эффективность 10-12%, сила света составила 200 мКД.

9. Показаны возможности применения данного метода и оборудования для формирования гетероструктур InAsj.xSbx заданного состава, используемых для изготовления инфракрасных лазеров с электронной накачкой и формирования пятикомпонентных структур InxAlyGai.x-YPzAsi.z , используемых для создания красных светодиодов, излучающих на длине волны 0,62 мкм.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Патаридзе, Зураб Гивиевич, 2003 год

1. Коган Jl. М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды.-М.: Энер-гоатомиздат, 1983.- 208 с.

2. Романенко В.Н. Получение однородных полупроводниковых кристал-лов.-М.: Металлургия, 1966. 182 с.

3. Лозовский В.Н., Попов В.П., Лунин Л.С. Зонная перекристаллизация AlxGai.xAs градиентом температуры // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз.сб.науч.тр.-Новочеркасск: НПИ, 1975.-С.90-92

4. Получение толстых эпитаксиальных слоев AlxGaixAs методом перекристаллизации градиентом температуры / В.И.Буддо, В.Н.Лозовский, Л.С.Лунин, И.Е.Марончук, Б.И.Масенко // Микроэлектроника.- 1978.-Т.7,вып.1.- С.70-73.

5. Выращивание однородных эпитаксиальных слоев при постоянной температуре кристаллизации / В.Н.Лозовский, В.П.Попов, И.П.Папков, Н.В.Власенко // Изв.АН СССР. Неорг.материалы.- 1974.-Т.10, №5.-С.815-818.

6. Попов В.П. Кинетика неконсервативной жидкофазной эпитаксии полупроводников // Изв. Вузов. Физика. -1988.- № 8.- С. 15-19

7. Крессел Г., Нельсон Г. Свойства и применение пленок соединений элементов групп Ш v V, полученных эпитаксией из жидкой фазы// Физика тонких пленок/ Пер. с англ. Под ред. В.Б. Сандомирского, А.Г. Ждана.-М.: Мир,1977.- Т.7.-С.133-283.

8. Справочник по электротехническим материалам / Под ред. В.М. Ко-рицкого.-Л.: Энергатомиздат, 1983.-Т.3.-472 с.

9. Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения ALUBV: Справочник,-М. :Металлургия , 1984.-110 с.

10. Физика полупроводниковых лазеров/ Пер. с яп. Под ред. Х.Такумы. -М.: Мир, 1989.- 180 с.

11. Излучающие диоды на основе ДТС CaAs/AlGaAs/ Г.И.Захарова, А.М.Кухма, И.В.Нефедцова, Е.Т.Поспелова, Т.А.Купцова, А.А.Вилисов // Тез. докл. V-й Всесоюз. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах.-Калуга, 1990.-Т.П.-С.239-240.

12. Берг А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир,1979.- 686с.

13. Светоизлучающие динисторы и тиристоры зеленого и красного цветов свечения / В.П.Сушков, Р.С.Игнаткина, И.Д.Гудков, А.А.Егорова // Электронная техника. Сер.2.Полупроводниковые приборы.-1980, вып.З (138). С.117-125.

14. Ж.И.Алферов История и будущее полупроводниковых гетероструктур //Физика и техника полупроводников.- 1998.- Т. 32, №1.- С.3-18.

15. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике.-М.: Наука, 1986.- 144 с.

16. Панши М.Б.,Илегемс М. Фазовые равновесия в тройных системах АШВ\// Материалы для оптоэлектроники.- М.: Мир, 1976. -С. 39-90.

17. Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров Б.А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М.: Металлургия.- 1974.- 102 с.

18. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Энергоатомиздат, 1975.-250 с.

19. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. радио, 1988.- 266 с.

20. Многопроходные гетероструктуры / Ж.И.Алферов, В.Г.Агафонов, Д.З.Гарбузов // 4.II. Внешний квантовый выход излучения.- ФТП.-1976.- Т.10, вып.8.-С. 1497-1506.

21. Излучательный диод на основе гетероструктуры в системе AlAs-GaAs для оптоэлектронных устройств / У.А.Бекирев, А.В.Емельянов,

22. B.П.Лаврищев, Э.А.Полтарацкий// Микроэлектроника.-1974.-Т.З, вып.5.- С.453-458.

23. Nelson Н.- S. Of Grystal Growth.- 1974.-V.27, №i. p.i-5.

24. Материалы для оптоэлектроники / Пер. с англ. Под ред. Гиварчидова,

25. C.И.Горина.- М.:Мир, 1976.- 405 с.

26. Vilms 1., Garrett S.//Solid State Electronics.- 1972.- V.15.- 443 p.

27. Черняев B.H., Кожитов Л.В. Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и прибора на их основе.- М.: Энергия, 1974.-232 с.

28. Некоторые особенности получения нелегированных тонких слоев арсенида галлия методом жидкостной эпитаксии. / Ю.Б.Болховитянов, В.И.Болховитянова, Е.И.Гуторов, П.Л.Мельников // Электронная техника. Сер. Материалы.-1972.- Вып.2. С.54-57.

29. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии.-М.: Металлургия, 1983.- 272 с.

30. Александров Л.Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок.- Новосибирск : Наука, 1978.-224 с.

31. Кузнецов В.В, Москвин П.П., Сорокин B.C. // Термодинамика и материаловедение полупроводников :Тез. докл. III Всесоюз. конф.- М.: МИЭТ.- 1986.- Т.2.- С.277-278

32. Ferd M, Cook L.V., Tashima M.M., Stillman G.E. // J. Electron. Mater. -1980.- V.9, №2.- P.241-295.

33. Cook L.V., Tashima M.M., Stillman G.E. // J. Electron. Mater.- 1981.- V.9, №1.- P.l 19-140.

34. Лозовский В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. М.: Металлургия, 1972. - 240 с.

35. Лодиз Р., Паркер Р. Рост кристаллов: Пер. с англ. М.: Мир, 1974. -540 с.

36. Долгиков Л.М., Нашельский А.Я. Зонная плавка с градиентом температуры и ее применение в технологии полупроводниковых приборов. -М.: Цветметинформация, 1966. 36 с.

37. Вольф Г.А., Млавский А.И. Рост кристаллов : Пер с англ. М.: Мир, 1977. - С.244-296.

38. Лозовский В.И., Лукин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия ,1987. - 233 с.

39. Нашельский А.Я., Гнилов С.В. Расчеты процессов выращивания легированных монокристаллов. М.: Металлургия, 1981. - 91 с.

40. Вигдорович В.Н. Совершенствование зонной перекристаллизации. -М.: Металлургия, 1974. 200 с.

41. Нашельский А.Я., Гнилов С.В. //Теоретические основы химической технологии. 1982. - Т. 16, №3. - С.325-330.

42. Лозовский В.Н., Лунина О.Д. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы.-1980. Т.16, вып.2. - С.213-215.

43. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Николаева Е.А. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1975. - T.l 1, №7. - С.1165-1168.

44. Получение толстых эпитаксиальных слоев А1 Gal-x методом зонной перекристаллизации градиентом температуры / В.И.Буддо, В.Н. Лозовский, Л.СЛунин, И.Е.Марончук, Б.П.Масенко // Микроэлектроника.- 1978. -Т.7, вып. 1.-С.70-73.

45. Лозовский В.Н., Попов В.П., Лунин Л.С. Кристаллизация и свойства кристаллов. - Новочеркасск : НПИ, 1975. - Вып.2. - С.90-92.

46. Попов В.П., Папков И.П., Зотов Л.П. Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск : НПИ, 1978. - Вып.5. - С.11-15.

47. Диршке Э.Г., Стоун Л.Э. Свойства слоев AlGaAs, выращенных жидко-фазной эпитаксией с температурным градиентом // Материалы для оп-тоэлектроники.- М.: Мир, 1976. С.102-111.

48. Нишизава D., Окуно Н., Сого Т. Эпитаксиальный рост соединений AmBv из жидкой фазы методом температурного градиента при контролируемом давлении пара // Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1987.- Ч. 1. - С.204-209.

49. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и металловедение .- М.: Металлургия, 1973. 496 с.

50. Гладков В.М., Чижевская С.И., Глаголева Н.Н. Жидкие полупроводники." М.: Наука, 1967.- 244 с.

51. Шахпаронов М.И. Введение в современную теорию растворов.- М.: Высшая школа, 1976.- 296 с.

52. Small М.В., Grosly I. J. Cryst. Grouth.- 1974.- V.27, №1.- P.35-48.

53. Болховитенов Ю.Б. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники.- Новосибирск : Наука, 1977.- С. 170-196.

54. Галченков Д.В., Попов В.П., Зотов Л.П. Роль объемной кристаллизации при изотермическом смешении растворов-расплавов // Электронная техника. Сер.Материалы.-1987. Вып.3(224). - С.39-41.

55. Bolhovitianov Yu.B. The peculiarities of isothermal contact of liquid and solid phase during the LPE of A3B5 compounds. // J. Crystal Growth.-1981.- V. 55.- P.591-598

56. A 1 1380302 СССР, МКИ С ЗОВ 19/06 Способ жидкофазной эпитаксии толстых слоев AlGaAs / З.Г.Патаридзе ,С.А. Бондарь ,Д.В. Галченков , В.П.Попов.-1987

57. Выращивание квазиоднородных слоев AlxGaj.xAs жидкофазной эпи-таксией с регенерацией раствора-расплава / З.Г. Патаридзе, В.П. Попов, Б.М. Гуров, Р.В. Демьян. Новочеркасск: Изд-во "НАБЛА", 1996. - С.26-30.

58. А1 1762593 СССР, МКИ С ЗОВ 19/04. Способ получения эпитаксиаль-ного слоя твердого раствора AlxGaj.xAs /З.Г.Патаридзе ,Д.В. Галченков Л.П.Зотов ,В.П. Попов . 1992

59. А1 1408817 SV, 4с ЗОв 19/06. Кассета для жидкофазной эпитаксии / З.Г.Патаридзе ,В.П. Попов ,Л.П. Зотов . 1988

60. Малинин А.Ю., Невекий О.Б. Изв. АН СССР. Неорг. материалы. -1978. Т.14, №10 - С.1774-1781.

61. Вайнгард У. Введение в физику кристаллизации металлов. М.: Мир, 1967.- 166 с.

62. Ландау Л., Лифшиц Е. Курс теоретической физики. М.: Наука, 1988

63. Кузнецов В.В., Москвин Н.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкофазной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. -М.: Металлургия, 1991. 175 с.

64. Попов В.П., Овчаренко А.Н., Патаридзе З.Г., Гомогенное зародышеоб-разование в переохлажденных растворах-расплавах систем АШВУ // Изв. Вузов. Сев. Кавк. Регион. Техн. Науки.- 2002.- Спецвып. С.96-98.

65. Патаридзе З.Г., Попов В.П., Телков А.С. Особенности формирования источника AlxGai.xAs смешением расплавов для эпитаксии с регенерацией жидкой фазы // Изв. Вузов. Сев. Кавк. Регион. Техн. Науки.-2002.- Спецвып. С.87-89.

66. Особенности диффузионного смешения растворов-расплавов полупроводников А3В5 / З.Г. Патаридзе, Д.В. Галченков, Л.П. Зотов, В.П. Попов // Кристаллизация и свойства кристаллов : Межвуз. сб. науч. тр. -Новочеркасск, 1991. С. 64-69.

67. Грачев В.М., Сабанова Л.Д. Методы и аппаратура жидкофазной эпи-таксии.- М.: Цветметинформация, 1971.-41 с.

68. Rezek Е.А., Vojak В.A., Chin R. J. Electron. Mater.- 1981.- V.10, №1.-P.255-285.

69. Патаридзе З.Г., Попов В.П. Выращивание толстых эпитаксиальных слоев AlGaAs из жидкой фазы в поле градиента температуры. // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск : НПИ, 1987. - С.10-15.

70. Кашельский А.Я. Монокристаллы полупроводников. М.: Металлургия, 1987.-200 с.

71. Патаридзе З.Г., Ефремова Н.П., Попов В.П. Очистка арсенида галлия от олова зонной кристаллизацией градиентом температуры линейными зонами // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НПИ, 1985. - С.37-43.

72. Луфт Б.Д., Перевощиков В.А., Возмилов Л.Н. / Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. М.: Радио и связь, 1982.- 137 с.

73. Обработка полупроводниковых материалов: Сб. ст. / Под. ред.Н.В. Новикова ,В. Бартольди . Киев: Наукова думка, 1982. - 256 с.

74. Бликов И.Г., Кожитов Л.В. Оборудование полупроводникового производства. М.: Машиностроение, 1986. - 260 с.

75. Совершенство эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов, применяемых для акустических преобразователей / Л.С. Лунин, В.Н.Тапоненко, О.Д. Лунина, В.И. Ратушный // Материалы I Всесоюз. конф. Ростов-н /Д, 1984. - 17 с.

76. Совершенство эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных в поле температурного градиента / Л.С. Лунин, В.Н.Тапоненко, О.Д. Лунина, В.И. Ратушный // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1985. -Т.21, №11. - С.1839-1842.

77. Распределение легирующих примесей в варизонных слоях AlxGai.xAs, выращенных в поле температурного градиента / В.Н.Лозовский, Л.С.Лунин, О.Д.Лунина, В.А.Наугольнов, В.И.Ратушный // Изв. АН СССР. Неорг. материалы.-1985.- Т.21, № 2.- С.189-193

78. Пихтин А.Н., Клот Б., Светодиоды: Состояние и перспективы // Петербургский журнал электроники.- 1997. -№ 1.- С.3-12.

79. Коган Л.М. Светодиоды нового поколения для светосигнальных и осветительных приборов.-М.: Светотехника, 2003.- № 5.-С. 16-20

80. Юнович А.Э. Свет из гетеропереходов.- Природа.-2001.- № 6

81. Жидкостная эпитаксия структур с гетеропереходами в системе Al-Ga-As / Ж.И.Алферов ,В.М. Андреев ,С.Г. Костиков, В.Р.Ларионов //Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок.- Новосибирск : Наука, 1977.- Ч.1.- С.209-214

82. Dawson L.R. High-efficiency graded-band-gap AlxGa!.xAs light-emitting diods // Journal of Applied Physics.- 1977.- Vol.48, № 6.- P. 2485-2492

83. Wada О. Sanada Т., Hamaguchr Н. Monolithic integration of a double het-erostructure light emitting diode and a fieldeffect transistor ampliffier using molecular beam grown AlGaAs/GaAs. // Ibid. -1983.- № 43,- P. 345-348

84. Эффективные двухслойные гетероструктуры в системе GaAs-AlAs для ИК излучателей с активной областью, легированной Ge и Zn

85. Д.В.Галченков, Л.М.Коган, С.А.Бондарь, Н.И.Ковырева // Дальнейшее развитие оптоэлектроники :Аннот. и тез. докл. Всесоюз. науч.-техн. совещ.- М., 1977.- С.36-36

86. Мощные светодиоды с двумя гетеропереходами в системе AlAs-GaAs / Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов и др. // Журнал технической физики. 1975.- Т. XLV, вып.2. - С.374-381.

87. Богданкевич О.В., Даранюк С.А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры. -М., 1976. 416 с.

88. Cheung D.T., Andrews A.N.,Gertner F.R., Williams C.S. etal. Sackside -illuminated InAs).xSbx-InAs narrowand // Ibid.- 1977.30.11.587.

89. Лозовский B.H., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений AmBv //Актуальные проблемы науки. СКНЦ.- Ростов-н/Д: Изд-воРГУ, 1992.-192 с.

90. Власенко И.В., Попов В.П. Выращивание эпитаксиальных слоев InAsixSbx методом зонной перекристаллизации в поле градиента температуры // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск, 1993. - С.70-75.

91. Жидкофазная эпитаксия неизопериодических варидонных слоев трой3 5ных твердых растворов типа А В /Л.П. Зотов, Г.А. Пирог, В.П. Попов, А.Т. Козаков, С.И.Шевцова // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск, 1987. - С.92-96.

92. Stringfellow G.B., Greene Р.Е. Liguid Phase epitaxial grouth of InAs,. xSbx//Y.Electrochem. Soe.- 1971.- V.l 18, №5.-805 P.

93. Лунин Л.С., Овчинников В.А., Разумовский П.И., Столяров С.М. Особенности технологии получения многослойных гетероструктур на3 5основе соединений А В .// Изв. вузов. Сер. Техн. науки.- 1997. -№2. -С.93-95.

94. Хансперджер Р. Интегральная оптика: Теория и Технология. М.: Мир, 1985.-384 с.

95. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами: Дис. . канд. техн. наук.- Новочеркасск: ЮРГТУ(НПИ). 1998. 148 с.

96. Пихтин А.Н., Яськов А.Д. Рефракция света в полупроводниках (обзор). ФТП.- 1988.- Т.22, вып.6. - С. 969-991.

97. Вигдорович В.Н., Семин А.А., Шутов С.Г. Моделирование процесса жидкофазной эпитаксии многокомпонентных твердых растворов // Теоретические основы химической технологии. — 1981. -Т. 15, №6.-С.1235-1242.

98. Голец И.С. Жидкофазная эпитаксия многокомпонентных твердых растворов типа А3В5 для эффективного красного светодиода: Дипломная работа. Новочеркасск: ЮРГТУ (НПИ), 1999. - 100 с.