Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, доктор технических наук Сысоев, Игорь Александрович

• Сысоев, Игорь Александрович
• доктор технических наук
• 2010

Оглавление диссертации доктор технических наук Сысоев, Игорь Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. Исследование состояния проблемы и постановка задачи исследования.

1.1. Свойства и применение гетероструктур твердых растворов на основе соединений АШВУ.

1.2. Методы и способы получения гетероструктур твердых растворов на основе соединений АШВУ.

1.3. Механизмы формирования многокомпонентных полупроводниковых структур АШВУ в поле температурного градиента и особенности фазовых равновесий.

1.4. Формирование заданного профиля компонентов в твердых растворах соединений АШВУ при ЗПГТ.

1.5. Обоснование и постановка задачи исследования.

Выводы.

Глава 2. Теоретические основы градиентной эпитаксии многокомпонентных твердых растворов АШВУ в жидкой и газовой фазе.

2.1. Факторы, влияющие на процесс эпитаксиального роста в поле температурного градиента полупроводниковых твердых растворов АШВУ из жидкой фазы.

2.2. Особенности термодинамического анализа при Л- лШпУ массопереносе в газовой фазе твердых растворов А В в поле температурного градиента.

2.3. Влияние состава и структуры источника при перекристаллизации на распределение компонент и их свойств в твердых растворах АШВУ.

Выводы.

Глава 3. Технические аспекты получения многокомпонентных соединений АШВУ методом градиентной эпитаксии через тонкую жидкую и газовую зоны.

3.1. Технологическая оснастка и оборудование градиентной жидкофазной и газофазной эпитаксией.

3.2. Система управления технологическим процессом градиентной жидкофазной и газофазной эпитаксией.

3.3. Особенности программного обеспечения системы управления процессом градиентной жидкофазной и газофазной эпитаксией.

Выводы.

Глава 4. Перекристаллизация тонкопленочных многокомпонентных структур соединений АШВУ в поле температурного градиента через тонкую жидкую зону.

4.1. Исследование возможности получения непоглощающих окон при перекристаллизации двойных гетероструктур (ДГС).

4.2. Формирование жидких сверхтонких зон для перекристаллизации полупроводниковых пленок соединений AII]BV.

4.3. Получение каскадных гетероструктур с помощью перекристаллизации предварительно подготовленных многокомпонентных пленок соединений АШВУ.

Выводы.

Глава 5. Получение многокомпонентных твердых растворов соединений АШВУ градиентной эпитаксией через тонкую газовую зону.

5.1 Градиентная эпитаксия через тонкую газовую зону применительно к соединениям АШВУ.

5.2. Особенности получения многокомпонентных твердых растворов соединении АШВУ из порошкообразного источника градиентной эпитаксией через тонкую газовую зону.

5.3. Получение наноструктур многокомпонентных твердых растворов соединений АШВУ градиентной эпитаксией через тонкую газовую зону.

Выводы

Глава 6. Применение микро- и наногетероструктур, полученные градиентной эпитаксией в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии.

6.1. Использование варизонных гетероструктур соединений АШВУ, полученных градиентной эпитаксией для солнечных элементов.

6.2. Применение каскадных гетероструктур соединений полученных градиентной эпитаксией для солнечных элементов.

6.3. Получение солнечных элементов градиентной эпитаксией соединений АЮаАз, АЮаЫАх, АЮаРАя, АЮаЫРАя на подложке БаАя.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента»

Прогресс в области микро- и наноэлектроники в значительной степени определяется достижениями физики и технологии полупроводниковых материалов. К перспективным материалам относятся, в частности, полупроводниковые структуры на основе многокомпонентных твердых растворов (МТР) А ИВУ. Интерес к ним вызван возможностью формирования структурно совершенных гетеропереходов за счет одновременного согласования параметров решетки и коэффициентов термического расширения сопрягающихся материалов, а также возможностью формирования наноструктур при создании определенного уровня механических напряжений в получаемых структурах. Применение подобных микро- и наноструктур позволяет значительно улучшить параметры полупроводниковых и, в первую очередь, оптоэлектронных приборов самого различного назначения. Так, возможность получения кристаллических совершенных пленок позволяет увеличить чувствительность фотоэлементов, а получение наноструктур с квантовыми точками повысить КПД солнечных фотопреобразователей.

Направленностью экспериментальных исследований настоящей работы является получение МТР соединений АШВУ с помощью освоения новых недорогих технологических методов, что очень важно в настоящее время для изготовления полупроводниковых оптоэлектронных приборов с повышенными эксплутационными параметрами.

Существует возможность получения совершенных микро- и наноструктур МТР соединений АИ1ВУ из жидкой и газовой фазах с помощью градиентной эпитаксии (ГЭ). Особенностью технологии ГЭ, как в жидкой фазе, так и в газовой, при использовании твердого источника, является возможность получения 1\шкроструктур твердых растворов соединений АШВУ с заданным распределением компонентов, а также возможность формирования наноструктур необходимого размера.

К началу выполнения работы в литературе имелась ограниченная информация по технологическим особенностям ГЭ при получении микро- и наноструктур соединений А1ПВУ. Сообщений о получении в поле температурного градиента многокомпонентных каскадных и топкогшеночных наноструктур вообгце нет. Технологические основы градиентных методов эпитаксии многокомпонентных гетероструктур соединений АШВУ с единых позиций сформулированы недостаточно, поэтому тема диссертационной работы является актуальной как с научной, так и с прикладной точек зрения.

Целью настоящей работы является'

1. разработка основ ГЭ МТР соединений АШВУ с единых позиции в жидкои и в газовой фазах;

2. разработка технологической оснастки и цифровых систем управления для получения МТР соединений АШВУ в поле температурного градиента;

3. разработка технологии ГЭ МТР соединений АШВУ с заданным распределением элементов для получения микро- и наноструктур МТР соединений АШВУ с использованием в высокоэффективных солнечных элементах.

В связи с этим решались следующие задачи:

1) разработка технологической оснастки и высокоточных цифровых систем управления для получения в поле температурного градиента слоев твердых растворов соединений АШВУ\

2) проведение исследований кинетики кристаллизации твердых растворов А1хСа(1.х)Аз, А1хОа(1.х)РуА8(1.у), Сах1п(1х)РуА8(1.у), А1хСау1п(]х.у)Р:Аз(1.:) в поле температурного градиента в зависимости от температуры, температурного градиента, толщины и состава жидкой или газовой зон;

3) экспериментальные ' исследования распределения компонентов в эпитаксиальном слое (ЭС) и нахождение зависимости коэффициентов распределения компонентов соединений А1ИВУ от состава зоны и температуры процесса эпитаксии;

4) разработка технологических моделей ГЭ МТР гетероэпитаксиальных слоев твердых растворов А1хСа(1.х)Аз, А 1хОа0.х)Р}А8(1.У), Оах1п(1х)Р}Аз(1.у), А1хСау1п(1-ху)Р:Аз(12) на основе эмпирических зависимостей;

5) экспериментальное исследование процесса перекристаллизации лазерных структур на основе соединений А1хСа(1х)Аз с помощью сверхтонких линейных зон;

6) исследование особенностей технологии ГЭ при формировании микро- и наноструктурных элементов МТР А1хСа(1х}Аз, А 1хСа(1х)РуА$(1у), Сах1п(1.х)РуАз(1.у), А !хСау1п(¡ху)Р2А$а^ в жидкой и газовой зонах;

7) исследование электрофизических свойств МТР А^а^^Ая, А1хСа(1.х)РуАз(1.У), Сах1п(1х)РуА$(1у), А1хСау1п(1.х.у)Р:А5(¡^ и параметров оптоэлектронных приборов, изготовленных на их основе.

Научная новизна работы

1. Впервые разработаны технологические основы ГЭ МТР (А1хСа(1.Х)А8, А1хСа(].х)РуА8(1у), Оах1п(]х)Р}А5(1у), А1хСау1п(1ху)Р:Ахр^), позволяющие с единых позиций описать формирование микро- и наноструктур.

2. Исследована и обобщена кинетика кристаллизации МТР соединений АШВ\ и впервые экспериментально обнаружено, что с увеличением концентрации А1 и Р в пятикомпонентном твердом растворе (ПТР) А 1хСау1п(1.х.у)Р2Ан^^ уменьшается скорость роста слоя, а увеличение концентрации 1п и Са повышает скорость роста слоя при ГЭ в жидкой фазе.

3. Проведены исследования кинетики кристаллизации МТР соединений полученных методом химических транспортных реакций в условиях близкого переноса компонентов в газовой фазе, и впервые обнаружено уменьшение скорости роста слоя при увеличении ширины запрещенной зоны (Е^ источника.

4. Впервые экспериментально обнаружено аномальное поведение зависимости коэффициента распределения А1 от концентрации 1п в жидкой фазе, а именно, резкое снижение его при повышении концентрации 1п в жидкой фазе более 70 %.

5. Выявлены условия, обеспечивающие получение бездефектных варизонных и каскадных микро- и наногетероструктур А 1хОа(,х)А$/СаАз, А1хСа(]Х)РуАх(1у) /СаАх, Сах1п(1.х)Р}Ая(1у/СаАз, А 1хОау1п(]ху)Р:А$(1-:/СаАх.

6. Впервые предложен новый метод, основанный на использовании специально подготовленных источников массопереноса - тонкопленочных, многослойных поликристаллических или аморфных композитов для формирования необходимой геометрии эпитаксиальных слоев с заданным распределением компонентов в микро-и наноструктурах.

7. Разработана технологическая модель ГЭ МТР для получения микро- и наноструктур А1хСа(1.х)Аз, А1хСа(1х)РуА8(1.у), Оах1п(1.х)Р}Аз(1.У), А1хСауЬг(]х.у)Р~А5 (¡ф как в жидкой, так и в газовой зонах на основе эмпирических зависимостей скорости роста ЭС и коэффициентов распределения компонентов.

8. Исследования структурных и электрофизических параметров ПТР А1хСа}1п(}.х.у)Р:Аз(1.:), полученных с помощью ГЭ, впервые показали улучшение свойств этих микро- и наноструктур по отношению к трех- и четырехкомпонентным, что обеспечило рост характеристик, полученных на их основе фотоэлементов и солнечных фотопреобразователей.

Практическая значимость

1. Результаты научной работы, полученные в ходе проведения теоретических и экспериментальных исследований, позволили качественно и количественно описать процессы ГЭ применительно к жидкой и к газовой фазам с единых позиций, что позволило применить математический аппарат описания процессов распределения компонентов в ЭС МТР микро- и наноструктур соединений А1,1 Ву.

2. Для реализации возможности проведения ГЭ сконструированы: тепловой узел с заданным распределением температуры в технологической оснастке, технологические графитовые кассеты кругового типа с внутренним и внешним расположением ячеек для раствора-расплава для проведения ГЭ при получении эпитаксиальных микро- и наноструктур соединений А111 ВУ. Разработан и апробирован комплекс цифрового управления ГЭ в жидкой и газовой фазах, что позволило управлять температурой и температурным градиентом с точностью ±0,1 К в статическом режиме и ±1 К в переходном режиме. Это позволило улучшить качество и воспроизводимость экспериментальных результатов, при этом значительно сократилось: время исследований, расходные энергетические и материальные ресурсы.

3. В разработанных технологических кассетах реализованы: метод формирования композиции из двух подложек и раствора-расплава, метод формирования на полупроводниковой подложке системы жидкая зона и твердый источник для перекристаллизации, который позволяет значительно, в десятки раз, уменьшить расход материала и повысить воспроизводимость ГЭ МТР соединений АШВУ. Определены параметры, необходимые для роста МТР: температура процесса ГЭ в жидкой фазе изменяется от ГМИП=700°С до Гмах=900°С, температурный градиент изменяется от -100 К/см до 100 К/см, концентрация компонентов -0 < &А1 < 1 а1.%, 0 < &1а < 70 0 < С1 г < 1 аХ.%, 0 < Сьм. < 4 а1%. Получены варизонные слои и многослойные структуры А1хСар.х)Аз, А1хОа(1х)РуАз(1у), Сах1п(1-х)РуА8(1.у), А1хОау1п(1ху)Р-Аз(¡.ф толщиной до 50 мкм с заданным изменением Е& пригодные для изготовления фотодетекторов и солнечных элементов.

4. Разработана технология перекристаллизации лазерных гетероструктур А 1хСа(1-.х)Ая/СаАя с использованием сверхтонких, свинцовых и висмутовых линейных зон, которые позволяют получать непоглощающие широкозонные оптические окна.

5. Разработаны технологические маршруты ГЭ МТР: для микроструктур (с использованием жидких зон толщиной 100-^500 мкм); для наноструктур (при использовании жидких зон толщиной 1-И 5 мкм); для газового транспорта в условиях близкого переноса компонентов в поле температурного градиента толщиной зон до 5 мм. Разработан метод ГЭ в газовой фазе для формирования устойчивых наноразмерных структур соединений АШВУ, имеющих регулярный характер распределения их на поверхности, который отличается простой технологической оснасткой.

6. Разработана технология получения солнечных элементов на основе твердых растворов А^Сао.зЛя с ;/=24,5 %, А10п7Са01зР0,05^0,95 с //=26,6 %, А1о170ао1251Що5Р:0,1^о,9 с //=28,3 %, указывающие на рост эффективности при увеличении числа компонентов в полупроводниковой структуре соединений АП1ВУ.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Комплекс технологического оборудования для обеспечения получения МТР соединений АШВУ в поле температурного градиента со следующими данными: остаточное давление газа в реакционной камере от 1 Па до 2 МПа; температура в рабочей зоне технологической оснастки до Т~ 1300 К; осевой температурный градиент от Ст= -100 К/см до Ст= 100 К/см; радиальный температурный градиент не более 1 К/см.

2. Разработка цифровой системы автоматического регулирования и программного обеспечения для высокоточного управления температурным режимом ГЭ обеспечивает следующие параметры управления температурным режимом: точность поддержания температуры в статическом режиме не хуже ±0,1 К, точность поддержания температуры в динамическом режиме не хуже ±1 К. Разработка программы для формирования базы экспериментальных данных температурного режима ГЭ с целью использования в вычислительном эксперименте в среде МаЛСаё по расчету распределения компонентов в эпитаксиальном слое.

3. Эмпирические зависимости скорости роста в жидкой и газовой фазах, коэффициентов распределения в ПТР А1хОау1п(1.х.у)Р2Аз(1.:) от состава жидкой фазы и температуры для расчета распределения компонентов в эпитаксиальном слое при ГЭ.

4. Технология ГЭ для получения варизонных и каскадных микро- и наноструктур ПТР А 1хСау1п(1х.у)Р-Аз(1~) на основе перекристаллизации в жидкой фазе предварительно подготовленных тонкопленочных структур, микро- и наноструктур МТР АШВУ на основе химического транспорта из близко расположенного источника.

5. Методика получения сверхтонких линейных зон для перекристаллизации лазерных гетероструктур А1хСа(1Х)Аз/ОаА5 при получении непоглощающих широкозонных оптических окон.

6. Применение микро- и наноструктур МТР А1хСар.ху1ь\ А1хОа(1Х)РуАз (¡у), Сах1п (1х)Р}А8(1у), А 1хСау1п(1хУ)Р2Л5(1:) в высокочувствительных фотоприемных устройствах и высокоэффективных солнечных элементах.

Совокупность перечисленных положений и конкретных результатов исследований составляет основу научно обоснованных технических и технологических решений, внедрение которых вносит значительный вклад в развитие экономики страны: технология ГЭ МТР соединений АШВУ в тонкой плоской ростовой зоне с использованием многокомпонентных источников заданной конфигурации.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Сысоев, Игорь Александрович

Выводы

1. Для изготовления эффективного солнечного элемента необходимо использовать варизонные структуры, где ширина запрещенной зоны эпитаксиального слоя должна увеличиваться от подложки ОаАз до поверхности твердого раствора А1хСау1п1х.уР:Аз ¡.2.

2. Дозированное использование индия и фосфора позволяет значительно уменьшить механические напряжения в гетер о структуре, следовательно, и количество дислокаций, что, в конечном счете, улучшает структурное совершенство получаемого солнечного элемента.

3. Полученные расчетные и экспериментальные данные фотолюминесценции и количества дислокаций в твердых растворах АШВУ убедительно показывают, что увеличение числа компонентов до пяти улучшает качество гетероструктур, получаемые методом ГЭ при соблюдении минимальных механических напряжений на гетерогранице.

4. Методом ГЭ получены пятикомпонентные твердые растворы АЮаЫРАБ, которые позволяют расширить область спектральной чувствительности фотоэлемента по сравнению с трех- и четырехкомпонентными.

5. Увеличивается интенсивность фотолюминесценции при переходе от тройных к пятерным соединениям, выращенных на подложке арсснида галлия при согласовании параметра решетки и коэффициента термического расширения слоя и подложки.

6. Получены солнечные элементы на основе твердых растворов А10 7Са01зАз с 77=24,5 %, А1(иСа(1зР0()5А80195 с ¥¡=26,6 %, А1,к7Са()2Фч,05-Р:0,Фо,9 с ц— 28,3 %, подтверждающие рост эффективности при увеличении числа компонентов в полупроводниковом материале соединений АШВУ.

Заключение

В связи с тем, что основной задачей работы являлось: исследование получения многокомпонентных твердых растворов соединений АШВ1 в поле температурного градиента с заданным распределением компонент как с минимальными напряжениями на границе раздела для получения кристаллических совершенных гетероструктур, так и с заданным напряжением в эпитаксиалъном слое для синтеза наноразмерных активных структур, представляющие собой основу для получения высокоэффективных оптоэлектронных приборов, то ниже представлены ключевые результаты диссертационной работы, полученные при выполнении выше сформулированной задачи:

1) Впервые сформулированы с единых позиций технологические основы градиентных методов эпитаксии многокомпонентных гетероструктур соединений Ап,Ву> где основной движущей силой кристаллизации ЭС МТР является температурный градиент в плоской ростовой зоне. Так, вводится понятие приведенного коэффициента распределения компонентов в газовой фазе, что позволяет использовать математический аппарат зонной перекристаллизации, как в жидкой, так и в газовой зонах.

2) В результате анализа требований к технологическим условиям проведения процесса ГЭ были разработаны: а) технологическая оснастка, сконструированы и изготовлены графитовые кассеты кругового типа для получения эпитаксиальных гетеро - и наногетероструктур соединений АШВУ; б) высокоточная цифровая система управления (точность управления температурой и температурным градиентом в статическом режиме составляет ±0,1 К, в переходном режиме ±1 К) для получения в поле температурного градиента слоев твердых растворов соединений АШВУ.

3) Экспериментально исследована кинетика кристаллизации твердых растворов А1хОа(1Х)А8, А1хСа(1.Х)Р)АБ(1.у), Сах1п(1х)РуАз(1у), А1хОау1п(}.х.У)Р:А8(1.:) в зависимости от температуры, температурного градиента, толщины зоны между подложкой и источником, составами зон (жидкой или газовой) в результате было обнаружено: а) уменьшение скорости роста слоя при повышении концентрации А1 и Р в ПТР А1хСау1п(1х.у)Р:А5(12) во всем интервале исследуемых толщин зон, а повышение концентрации 1п и Са увеличивает скорость роста слоя при ГЭ в жидкой фазе; б) рост скорости ЭС до 80 мкм/час для всех исследуемых составов МТР при увеличении толщины жидкой зоны (/) до 300 мкм, и уменьшение скорости роста при дальнейшем увеличении толщины жидкой зоны до 4 мкм/ч при / = 450 мкм; в) уменьшение скорости роста слоя с увеличением источника многокомпонентных твердых растворов соединений АШВУ, полученных методом химических транспортных реакций в условиях близкого переноса компонентов в газовой фазе; г) максимальное значение скорости (до 20-30 мкм/час) переноса веществ бинарных соединений для ГЭ из близко расположенного твердого источника при температуре 7М040 К для ЬгАБ, Г=1055 К для 1пР, Т= 1120 К для ваАь' и Т= 1170 К для ОаР.

4) Впервые получено заданное распределение компонентов в твердых растворах А1хСа(!.ху45, А 1хОа(1х)РуАз(1у), Сах1п(1.х)РуАяру), А1хОау1п(1.х.у)РА5(1,:) при подпитке раствора-расплава из специально подготовленных источников массопереноса, где была проведена следующая работа: а) разработан метод формирования жидкой зоны с источником, уменьшающий расход материала и повышающий воспроизводимость получения ЭС, в котором используются специально подготовленные источники - тонкопленочные, многослойные составы для формирования необходимого распределения компонентов в микро- и наноструктурах; б) экспериментально исследованы зависимости коэффициентов распределения компонентов соединений АШВУ от состава жидкой зоны и температуры процесса эпитаксии, так было обнаружено снижение значения коэффициента распределения А1 вплоть до 0 при повышении концентрации 1п в жидкой фазе более 70 ат.%, что отличается от теоретических расчетов.

5) Выявлены условия, при которых получаются бездефектные варизонные и каскадные гетероструктуры, и указаны факторы, обеспечивающие формирование заданного размера наноструктур в гетероэпитаксиальных слоях: а) для формирования материалов с наноструктурами в условиях градиентной жидкофазной эпитаксии необходимо использование сверхтонких жидких зон (толщиной 1-^5 мкм); б) в условиях газового транспорта в поле температурного градиента толщина зоны может быть значительно больше (до 5 мм) при формировании наноструктур.

6) Разработана физико-математическая модель ГЭ многокомпонентных гетероэпитаксиальных слоев твердых растворов А1хСа(1.х)Аз, А1хОа(1.х)Р>Аз(1.у), Оах1п(1.Х)РуА$(1у), А1хСау1п(1ху)Р:Аз(12) на основе эмпирических зависимостей скорости роста эпитаксиальных слоев, коэффициентов распределения компонентов от состава зоны и температуры.

7) Впервые теоретически обоснована и практически реализована перекристаллизация лазерных гетероструктур в поле температурного градиента с заданным распределением алюминия в активной области твердого раствора А1хСа1.хАя, при этом была проведена следующая работа: а) разработана методика получения сверхтонких линейных жидких зон; б) исследованы металлы-растворители, с помощью которых реализован процесс перекристаллизации при температуре, не превышающей 1023 К и толщине жидкой зоны не более 15 мкм (в качестве растворителя использовался висмут).

8) С помощью технологии ГЭ в жидкой и газовой средах получены: а) гетероструктуры на подложке ОаАя ориентации (100) А 1хОа¡^Ая/СаА^ с х < 0,7; А 1хОа¡.хРуАя¡.уЮаАБ с х < 0,35; у <0,15; А1хОауЫ¡„хуР:Аз ¡^ваАз с х < 0,35; ^ < 0,9 и г < 0,12, которые можно использовать в качестве фоточувствительных элементов оптоэлектронных устройств в диапазоне 0,8 н- 1,4 мкм; б) наноструктуры твердых растворов ОаРхАз(1х), Сах1п([.х)РуАз(1ф А1Х С ау1п (/ ху) Р:А ¿у/ в поле температурного градиента в жидкой и газовой зонах, размеры (20^300 нм) которых соответствуют расчетным данным.

9) Получены солнечные элементы на основе твердых растворов А1о 7Са0 3Аз с //=24,5 %, А10,17Са0>3Р0,0^0,95 с /7=26,6 %, А10:7Са0,25^0^:0,1^0,9 с >7=28,3 %, подтверждающие рост эффективности при увеличении числа компонентов в полупроводниковом материале соединений АШВУ.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Сысоев, Игорь Александрович, 2010 год

1. Актуальные проблемы материаловедения / под редакцией Э. Калдиса. -М. : МИР, 1983. С. 274.

2. Андреев, В. М. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / В. М. Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьяков. М. : Сов. Радио, 1975. -328 с.

3. Андреев, В. М. Гетероструктурные солнечные элементы / В. М. Андреев // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. Вып. 9.

4. Аскарян, Т. А. Исследование фазовых равновесий в многокомпонентных гетеросистемах полупроводниковых твердых растворов А3В5 : дис. . кандидата физико-математических наук / Т. А. Аскарян. Новочеркасск, 1989. С. 234.

5. Влияние радиационного облучения на характеристики АЮоАб солнечных элементов / В. М. Андреев, А. А. Алаев, Г. М. Гусинский, Г. М. Григорьева, М. Б. Каган, В. С. Калиновский, В. Р. Ларионов, Г. А. Нуллер // Гелиотехника. 1989. №З.С. 3-6.

6. Вуль, А. Я. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы на основе твердых растворов соединений АШВУ для спектрального диапазона 1,0-1,5мкм / А. Я. Вуль // Зарубежная радиоэлектроника. 1979. № 9. С. 87 97.

7. Высокоэффективные двухпереходные Оа1пРЮаАз солнечные элементы, полученные МОС-гидридной эпитаксии / В. М. Лантратов, Н. А. Калюжный и др. // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. Вып. 6.

8. Гетеролазеры на основе твердым растворов А1х1п1.хАяуР¡.у и А^а^Ь^Ая .у / Л. П. Богатов, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинин, П. Г. Елисеев, В. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко //Квант, электрон. 1974. Т. 1. Вып. 10. С. 2294 2295.

9. Гетеролазеры непрерывного действия в системе ЫОаАзР ! Ж. И. Алферов,

10. A. Т. Гореленок, В. И. Колышкин, П. С. Коньев, В. Н. Мдивани, И. С. Тарасов,

11. B. К. Тибилов //Изв. АН СССР. Сер. «Физика». 1979. Т. 43. № 7. С. 1448 1450.

12. Гетеросветодиоды с внешним квантовым выходом = 40 % (300 К) / Ж.И.Алферов, В.М.Андреев, Д. 3. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, Б. В. Пушный, Л. Т. Чигуа//Письма в ЖТФ. 1977. Т. З.Вып. 14. С. 657-661.

13. Гетероструктуры в системе ЬгСаАяР, полученные жидкостной эпитаксией при легировании Ве / А. Т. Гореленок, А. Г. Дзигасов, И. С. Тарасов, В. К. Тибилов, А. С. Усиков, В. Г. Челноков // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. Вып. 23. С. 1435 1439.

14. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры / Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг // Обзор. ФТП. 1998. № 32 (4).

15. Гетерофотоэлементы с ультратонкими фронтальными р-АЮаАя и р+СаАя слоями / В. В. Журавлева, В. Р. Ларионов, В. Ю. Масленников, М. М. Миланова,

16. К. Я. Расулов, В. П. Хвостиков // Тез. докл. V Всесоюзная конф. по физ. процессам в полупр. гетеростр. 1990. Т. II. С. 110-111.

17. Готра, 3. Ю. Технология микроэлектронных устройств : справочник / 3. Ю. Готра. М. : Радио и связь, 1991. С. 528.

18. Грибковский, В. П. Полупроводниковые лазеры / В. П. Грибковский. -Минск : Университетское, 1988. С. 304.

19. Груздев, Ю. А. Металлографические исследования пополупроводниковых слоев InjcGaj.jfAsj.yPy, выращенные методом газотранспортных реакций / Ю. А. Груздев, О. Я. Тихоненко // Тез. докл. V Респ. конф. молодых ученых. Минск, 1978. С. 117.

20. Долгинов, Л. М. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов / Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, И. Исмаилов. М. : Итоги науки и техники, 1960. С. 3 - 116. Серия «Радиотехника».

21. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. М. : МИР, 1984. Т. 2. С. 455.

22. Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного раствора ¡пСаАзБЬ / Л. Н. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Л. Н. Лаптин, М. Г. Мильвидский, В. Н. Свердлов // Квант, электрон. 1978. Т. 5. № 3. С. 703 704.

23. Исследование зависимости параметров твердых растворов А1хОа.хАз от состава фотолюминесцентными методами / А. И. Базык, В. Ф. Коваленко, Г. П. Пека,

24. B. А. Петряков // ФТП. 1981. Т. 15. № 7. С. 1363 1367.

25. Исследование фотоэлектрических свойств каскадных и гибридных фотопреобразовательных систем на основе СаАз-АЮаАз и Бг с различными площадями составных элементов / М. Мирзабаев, К. Расулов, А. Комилов,

26. C. Т. Ташходжаева // Гелиотехника. 1991. № 1. С. 41 45.

27. Кейси, X. Лазеры на гетероструктурак / X. Кейси, М. Паниш. М. : Мир,1981.

28. Коваленко, В. Ф. Гетеропереходы в системе А1Аз-ОаАз и приборы на их основе / В. Ф. Коваленко // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1974. № 16. С. 12-27.

29. Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе АЫз-СаАз / Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, В. И. Корольков, Е. Л. Портной, Д. Н. Третьяков // ФТП. 1968. № 2. С. 1061, 1545.

30. Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе п-АЮаАз-рСаАз / Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, В. И. Корольков, Е. Я. Портной, Д. Н. Третьяков // ФТП. 1968. Т. 2. № 10. С. 1545 1550.

31. Колтун, М. М. Солнечные элементы / М. М. Колтун. М. : Наука, 1987. С. 190.

32. Координатное изменение люминесценции в варизонной Оа/.хА1хАз /57 р-п структуре / П. А. Аскаров, В. В. Гутов, А. Г. Дмитриев, А. Н. Именков, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев II ФТП. 1974. Т. 8. № 10. С. 1913 1917.

33. Крапухин, В. В. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов : учебник для вузов / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов. -М. : Металлургия, 1982. С. 352.

34. Кристаллическое совершенство и оптические свойства многослойных пятикомпонентных гетероструктур соединении АШВУI Л. С. Лунин, О. Д. Лунина, В.

35. A. Овчинников, В. И. Ратушный, И. А. Сысоев // Физические основы твердотельной электроники / Тезисы докладов I конференции. Т. А. Ленинград, 1989. С. 210 - 211.

36. Кузнецов, В. В. Особенности взаимодействия многокомпонентных расплавов Л1-Са-Р-Ая с бинарными подложками СаР и СаАх / В. В. Кузнецов,

37. B. Садовски // Тез. докл. VI конф. по процесс, роста и синтеза полупр. крист. и пленок. Т. 1. Новосибирск : Наука, 1982. - 132 с.

38. Куликов, И. С. Термодинамика оксидов / И. С. Куликов. М. : Металлургия, 1986. - 344 с.

39. Кулюткина, Т. Ф. Выращивание субмикронных слоев импульсным охлаждением насыщенного раствора-расплава / Т. Ф. Кулюткина, И. Е. Марончук,

40. A. В. Шорохов // Письма в ЖТФ. 1995. № 21 (20).

41. Литовск. физ. сборник. 1983. Т. 23. №3. С. 52-58 / К. Валацка, Э. Матуленис, П. Мишкинис, Г. Трейдерис.

42. Литовск. физ. сборник. 1982. Т. 22. №3. С. 57-63 / Р. Антанавичус, К. Валацка, П. Мишкинис, Г. Трейдерис.

43. Лозовский, В. Н. Зонная плавка с градиентом температуры /

44. B. Н. Лозовский ; под редакцией проф. докт. техн. наук В. Н. Вигдоровича. М. : Металлургия, 1972. - 240 с.

45. Лозовский, В. Н. Физико-химические равновесия в пятикомпонентных полупроводниковых системах из соединений АШВУ / В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Т. А. Аскарян // Известия АН СССР. Сер. «Неорганические материалы». 1989. Т. 25. № И. С. 1778- 1786.

46. Лозовский, В. Н. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов / В. II. Лозовский, Л. С. Лунин, В. П. Попов. М. : Металлургия, 1987. С. 232.

47. Лозовский, В. Н. Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1980. Т. 16. №5.

48. C. 922 923 / В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин.

49. Лозовский, В. Н. Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1972. Т. 8. №11. С. 2027 2028 / В. Н. Лозовский, А. И. Кеда, В. М. Бизина.

50. Лозовский, В. Н. Кристаллизация свойства кристаллов / В.Н.Лозовский,

51. B. П. Попов, Л. С. Лунин. Новочеркасск : НПИ, 1975. Вып. 2. С. 90 - 92.

52. Лозовский, В. Н. Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1975. Т.П. №7.

53. C. 1165 1168 / В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Е. А. Николаева.

54. Лозовский, В. Н. Изв. вузов. Физика. 1982. №7. С. 108-110 / В. Н. Лозовский, О. Д. Лунина.

55. Лозовский, В. Н. Пятикомпонентные твердые растворы соединений АШВУ. (Новые материалы оптоэлектроиики) / В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин. Ростов-на-Дону : РГУ, 1992. С. 192.

56. Лунин, Л. С. Исследование жидкофазной эпитаксии АЫЗаЬхАБ на основе зонной перекристаллизации градиентом температуры : дис. . кандидата физико-математических наук / Л. С. Лунин. Новочеркасск, 1972.

57. Лунин, Л. С. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов АЗВ5 в поле температурного градиента : дис. . доктора физико-математических наук / Л. С. Лунин. Кишинев, 1990.

58. Лунин, Л. С. Зонная перекристаллизация арсенида галлия линейными зонами в поле температурного градиента /• Л.С.Лунин, О.Д.Лунина // Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск : НПИ, 1974. Вып. 1. С. 79 -84.

59. Лунина, О. Д. Варизонные гетер оструктуры А 1хО а 1 -хА я/О а А я, выращенные в поле температурного градиента, и их свойства : дис. . канд. физико-математических наук / О. Д. Лунина. Новочеркасск, 1982. С. 164.

60. Марьев, В. Б. Кристаллография. 1974. Т. 19. №1. С. 193-194 / В. Б. Марьев, В. П. Попов.

61. Микроэлектроника. 1978. Т. 7. Вып. 1. С. 70-73 / В. И. Буддо,

62. B. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, И. Е. Марончук, Б. П. Масенко.

63. Мильвидский, М. Г. Гетерокомпозиция на основе многокомпонентных твердых растворов // М. Г. Мильвидский, Л. М. Долгинов // Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск : Наука, 1981. С. 41 - 52.

64. Многокомпонентные гетероструктуры АШВГ на 57-подложках / Л. С. Лунин, И. А. Сысоев и др. // Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах / Тезисы докладов V конференции. Т. II. Калуга, 1990. С. 41 - 42.

65. Нашельский, А. Я. Производство полупроводниковых материалов /

66. A. Я. Нашельский. М. : Металлургия, 1982. С. 309.

67. Некоторые аспекты применения фосфида индия в микроэлектронике / С. И. Радаудан, В. Д. Вернер, Е. В. Руссу, Г. И. Радауцан // Полупроводниковые материалы и приборы. Кишинев : Штиница, 1987. С. 3 - 29.

68. Нелегированные пленки арсенида галлия, выращенные методом молекулярной эпитаксии / В. И. Бударных, В. А. Иванченко, Л. М. Логвинский,

69. B. Э. Рябченко//Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. Вып. 1. С. 38-41.

70. Нуллер, Т. А. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук / Т. А. Нуллер. М., 1975.

71. Осинский, В. И. Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках / В. И. Осинский, В. И. Привалов, О. Я. Тихоненко. Минск : Наука и техника, 1981. С. 207.

72. Осинский, В. И. Оптоэлектронное преобразование в полупроводниках с градиентом запрещенной зоны / В. И. Осинский // ЖПС. 1974. Т. 21. № 5. С. 849 855.

73. Особенности выращивания волноводных гетероструктур А1хСа1.хАз с плавным изменением состава / В. А. Елюхин, С. Ю. Карпов, Е. Л. Портной, Д. Н. Третьяков // Письма в ЖТФ. 1978. Т. 4. Вып. 11. С. 629 633.

74. Особенности поведения глубоких примесных центров и примесная фотолюминесценция в варизонных твердых растворах А1хСа1хАя, легированных хромом / Л.И.Горшков, В.Ф.Коваленко, Г. П. Пека, Л. Г. Шепель // ФТП. 1981. Т. 15. № 15. С. 551 -556.

75. Оценка положения фазовых границ «расплав-кристалл» в пятикомпонентных системах на примере системы Al-Ga-In-P-As / М. Г. Васильев, В. Н. Вигдорович, А. А. Селин, В. А. Ханин // ЖФХ. 1983. Т. 57. № 10. С. 2434 3435.

76. Патент США 3995303, МКИ HOI 27/14, HOI 29/164.

77. Пека, Г. П. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов / Г. П. Пека, В. Ф. Коваленко,

78. B. Н. Куценко. Киев : Техника, 1986. С. 152.

79. Пичугин, И. Г. Технология полупроводниковых приборов / И. Г. Пичугин, Ю. И. Таиров. М. : Высшая школа, 1984. С. 288. .

80. Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaAs и AlxGaixAs / Ж. И. Алферов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, Г. М. Минчев // Письма в ЖТФ. 1981. Т. 7. Вып. 1. С. 3 5.

81. Получение низкоразмерных структур в системе Al-Ga-As методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава / И. Е. Марончук,

82. C. Ю. Ерохин, А. В. Калашников, Т. Ф. Кулюткина, В. В. Курак, А. Д. Кучерук, А. И. Марончук // Свойства тонких пленок : сб-к трудов конференции. Харьков, 2001. С. 377-382.

83. Получение толстых слоев AlxGaj.xAs методом ЗПГТ / В. И. Буддо, В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, И. Е. Марончук, Б. П. Масенко // Микроэлектроника. АН СССР. 1978. Т. 7. Вып. 1. С. 70 73.

84. Попов, В. П. Жидкофазная изотермическая эпитаксия GaAsxP.x / В. П. Попов, В. Б. Марьев, П. Л. Сарры // Межвуз. сборник. Новочеркасск. 1976. Вып. З.С. 49-55.

85. Попов, В. П. Кристаллизация и свойства кристаллов / В. П. Попов, И. П. Папков, Л. П. Зотов. Новочеркасск : НПИ, 1978. Вып.5. С. 11 - 15.

86. Разработка способа выращивания и исследования гетероструктур многокомпонентных твердых растворов АШВУ / Л. С. Лунин, О. Д. Лунина, И. А. Сысоев и др. // Отчет о НИР N 4170. Новочеркасск, 1989. - 144 с.

87. Расчет Фазовых равновесий в многокомпонентных системах /

88. A. И. Казаков, В. А. Мокридкий, В. Н. Романенко, Л. Хитова ; под ред.

89. B. Н. Романенко. -М. : Металлургия, 1987. С. 136.

90. Рекомбинационное излучение твердых растворов арсенид алюминия -арсенид галлия, легированных цинком / Ж. И. Алферов, Д. 3. Гарбузов, В. И. Клышкин, О. Ф. Нинуа, В. Г. Трофим // ФТП. 1971. Т. 5. № 7. С. 1405 1409.

91. Романенко, В. Н. Анализ элементов диаграммы состояния в системах Ga-Al-As-примесь с помощью жидкостной эпитаксии / В. Н. Романенко, B.C. Хейфец,

92. Т. Абдукаримов // Изв. АН Узбекской ССР. Сер. «Физ. мат. Наук». 1974. №4. С. 45-48.

93. Смирнов, А. Г. Квантовая электроника и оптоэлектроника / А. Г. Смирнов. -Минск : Вышэйшая школа, 1987. С. 194.

94. Смолин, А. Ю. Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур AlxGal-хАs/GaAs/Ge/SixGel-x/Si: дис. кандидата технических наук : 05.27.06 / А. Ю. Смолин. Новочеркасск, 2000.

95. Современные энергетические системы и комплексы, и управление ими / И. А. Сысоев, С. В. Русинов, М. В. Письменский, С. Ю. Газарян // Материалы IV Междунар. научно.-практ. конф. Ч. 2. г. Новочеркасск, 28 мая 2004 г. -Новочеркасск : ЮРГТУ, 2004. С. 30-33.

96. Солнечные преобразователи на основе гетеропереходов p-AlxGaj.xAs-n-GaAs / Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, М. Б. Каган и др. // Физика и техника полупроводников. 1970. Т. 4.

97. Стрельченко, С. С. Соединения АШВУ: справочник / С. С. Стрельченко, В. В. Лебедев. -М. : Металлургия, 1984. С. 144.

98. Сысоев, И. А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3В5 : дис. . кандидата технических наук / И. А. Сысоев. Новочеркасск,. 1993.

99. Твердые растворы в полупроводниковых системах : справочник / под ред. B.C. Земскова. -М. : Наука, 1978. С. 197.

100. Термические константы веществ. Справ, изд. : в 10-ти т. / под ред. В. П. Глушко, В. А. Медведева, Г. А. Бергмана и др.. Вып. 3. - М. : ВИНИТИ AIT СССР, 1968.-223 с.

101. Термические константы веществ. Справ, изд. : в 10-ти т. / под ред. В. П. Глушко, В. А. Медведева, Г. А. Бергмана и др.. Вып. 5. М. : ВИНИТИ АН СССР, 1968.-531 с.

102. Термические константы веществ. Справ, изд. : в 10-ти т. / под ред. В. П. Глушко, В. А. Медведева, Г. А. Бергмана и др.. Вып. 2. М. : ВИНИТИ АН СССР, 1968.-96 с.

103. Термические константы веществ. Справ, изд. : в 10-ти т. / под ред. В. П. Глушко, В. А. Медведева, Г. А. Бергмана и др.. Вып. 4. Ч. 1. М. : ВИНИТИ АН СССР, 1968.-511 с.

104. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справ, изд. : в 4-х т. / Л. В. Гурвич, И. В. Вейц, В. А. Медведев и др.. 3-е изд. - Т. III. Кн. 1. - М. : Наука, 1981.-472 с.

105. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справ, изд. : в 4-х т. / Л. В. Гурвич, И. В. Вейц, В. А. Медведев и др.. 3-е изд. - Т. III. Кн. 1. - М. : Наука, 1981.-472 с.

106. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справ, изд.: в 4-х т. / JI. В. Гурвич, И. В. Вейц, В. А. Медведев и др.. 3-е изд. - Т. III. Кн. 2. - М. : Наука, 1981.-400 с.

107. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справ, изд. : в 4-х т. / JI. В. Гурвич, И. В. Вейц, В. А. Медведев и др.. 3-е изд. - Т. II. Кн. 1. - М. : Наука, 1979.-440 с.

108. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справ, изд. : в 4-х т. / JT. В. Гурвич, И. В. Вейц, В. А. Медведев и др.. 3-е изд. - Т. II. Кн. 2. - М. : Наука, 1979.-344 с.

109. Токовое управление составом по толщине плавных гетероструктур AlxGat. xAs / С. Ю. Карпов, С. А. Никитин, Е. JI. Портной, К. Фронц // Письма в ЖТФ. 1981. Т. 7. Вып. 12. С. 715-718.

110. Фаренбрух, А. Солнечные элементы: теория и эксперимент /

111. A. Фаренбрух, Р. Бьюб ; пер. с англ. под ред. М. М. Колтуна. М. : Энергоатомиздат, 1987. С. 280.

112. Фотолюминесценция твердых растворов n-AlxGa}.xAs / Ж. И. Алферов, Д. 3. Гарбузов, О. Ф. Нинуа, В. Г. Трофим// ФТП. 1971. Т. 5. № 6. С. 1116 1121.

113. Фотолюминесценция твердых растворов арсенид алюминия арсенид галлия, легированный германием / Ж. И. Алферов, Д. 3. Гарбузов, О. Ф. Нинуа,

114. B. Г. Трофим //ФТП. 1971. Т. 5. №6. С. 1122- 1125.

115. Химическая энциклопедия: в 5 т.- Т. 1 : А Дарзана / ред. кол.: И. JI. Кнунянц (гл. ред.) и др. - М. : Сов. энцикл., 1988. - 623 с.

116. Шаскольская, М. П. Кристаллография / М. П. Шаскольская. М. : Высшая школа, 1976. С. 391.

117. Электронная техника. Полупроводниковые приборы. 1976. № 6. С. 57 60 / Н. В. Власенко, В. Н. Лозовский, В. Б. Марьев, В. П. Попов, В. П. Сушков.

118. Яворский, Б. М. Справочник по физике / Б.М.Яворский, А. А. Детлаф. -М. : Наука, 1990. С. 622.

119. Arthur, J. R. J. Vac. Sci. Technol. 1969. N 6. P. 213 / J. R. Arthur, J. J. Lapore.

120. Boucher, A. Electrochem. Soc. 1970. N 117. P. 923 / A. Boucher, L. J. Hollan.

121. Cho, A. J. Vjlecular beam epitaxy. Prog. / A. J. Cho, J. R. Arthur // Solid State Chem. 1975. V. 10. Pt 3. P. 157 191.

122. Coleman, J. J. Arsenic and gallium distribution coefficient in liquid-Phase epitaxial GaJn^P^As^ / J. J. Coleman // Phys. Lett. 1978. V. 32. N 6. P. 388 390.

123. Conditions of LPE grows for lattice matched GalnAsP/lnP DPI lasers with (100) substrate in the range of 1,2- 1,5 mkm / S. Arai, Y. Jtaya, Y. Suematsu, K. Kishino, S. Katayama// Appl. Phys. 1978. V. 17. N 11. P. 2067-2078.

124. Cook, L. Variation of the thickness and composition of LPE InGaAsP, InGaAs and InP layers growth from affinity melt by the step-cooling technique / L. Cook // Journal of Electronic Material. 1981. V. 10. N 1. P. 119 140.

125. Craford, M. G. Prog. Sol. /M. G. Craford// St. Chem. 1973. N 8. 127 p.

126. Daniel, J. J. Inst. Phys. Conf. Ser. Inst, of Physics. Bristol. 1975. N24. 155 p. / J. J. Daniel, C. Michel.

127. Donohue, J. A. Cryst. Growth. 1970. N 7. 221 p. / J. A. Donohue, H. T. Minden.

128. Driscoll, C. M. H. lust. Phys. conf. ser. / C. M. H. Driscoll, A. F. V. Willoughby, J. B. Mullin, B. W. Strongman. Bristol : Institute of Physics, 1975. N24.-275 p.

129. Dual-wave length demultiplexing InGaAsP photodiodes / J.C.Campbell, T. P. Lee, A. D. Dentai, C. A. Burrus // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. N 6. P. 401 402.

130. Hall, R. H. J. Eiectrohem. Soc. 1963. N 110. 385 p. / R. H. Hall.

131. Hamaker, R. W. J. Electrochem. Soc. 1969. V. 116. N4. P. 478-482 / R. W. Hamaker, W. B. White. .

132. Hayashi,I. Appl. Phys. 1974. N2. 1929 p. / I. Hayashi, M. B. Panich,1. F. K. J. Reinhart.

133. Hemment, P. L. F. Inst. Phys. Conf. Ser. Inst, of Physics. Bristol. 1976. №28. 44 p. / P. L. F. Hemment.

134. Hovel, FI. G. Gai,xAlxAs p-p-n heterojunction solar cells / FI. G. Flovel, J. M. Woodal // J. Electrochem. Soc. 1973. V. 120. N 9. P. 1246 1252.

135. Hsieh, J. J. Room-temperature cw operation of buries stripe clouble-heterostructure GalnAsP/InP diode-lasers / J. J. Hsieh, C. C. Shen // Appl. Phys. Lett. 1977. V.30.N8.P. 489-431.

136. Hunwits, C. E. GalnAsP/lnP avalanche photodiodes / C. E. Hunwits, J. J. Hsieh // Appl. Phys. Lett. 1978. V. 32. N 6. P. 487 489.

137. Flyder, S. B. Vapor-phase epitaxial growth of quaternary Ini.xGaxAsyP uy in the 0,75 1,35-eV band-gap range / S. B. Hyder, R. R. Saxema, C. C. Hooper // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. N 9. P. 584 - 566.

138. Inst, of Physics. Bristol. Inst. / T. Nosaki, M. Ogawa, H. Terao, H. Watanabe // Phys. Conf. Ser. 1975. N 24. P. 46.

139. Inst, of Phys. Conf. Ser. N 45 / J. Hallais, J. P. Andre, P. Bandet, D. Boccon-Gibod. Bristol : Inst, of Physics, 1979. - 361 p.

140. Intermediate Band Photovoltaics Overview / L. Cuadra, A. Marti, N. Lopez, A. Luque // 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, Japan May 11 18. 2003. PCD IPL-B2-01.

141. J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 2268.

142. Kawanishi, H. Liquid Phase epitaxial growth of (ALGai^Jn^AsyP¡.y pentanary on (100) GaAs substrate using two-phase solution technique / H. Kawanishi, T. SuzuKi // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 45. N 5. P. 560 562.

143. Kubaschewski, O. Metallurgical Thermochemistry / O. Kubaschewski, E. L. Evans, C. B. Alcock // 4Th ed. London et al. : Pergamon Press, 1967. - 495 p.

144. Lamorte, M. F. Analysis of AlGaAs-GalnAs Cascade Solar Cell under AMO -AM5 SpeKtra / M. F. Lamorte, D. Abbott // Solid State Electron. 1979. V. 22. P. 457.

145. Lee, C. H. Fall Metting of Electrochem. Soc. Cleveland / C. FI. Lee, FI. B. Pogge, B. M. Kemlage // Ohio. 1971. N 181.

146. Lee, T. P. InGaAsP/InP Photodiodes: microplasma-limited avalanche multiplication at 1-1,3 mkm. Wave-length. / T.P.Lee, C. A. Burrus, A. D. Dental // Quantum Electron. 1979. V. QE-15. N 1. P. 30 35.

147. Liquid Phase epitaxial growth of lattice-matched InGaAsP on (\00)-InP for the 1,15-1,131 mkm. spectral region. / M.Feng, T. H. Windhorn, M. M. Tashima,

148. G. E. Stilman // Appl. Phys. Lett. 1978. V. 32. N 11. P. 758-761.

149. Makoto, K. Graded-band-gap pGat.xAlxAs nGaAs heterojunction solar cells / K. Makoto, TaKahashi Kigoshi // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 46. N 8. P. 3542 - 3546.

150. Manasevit, H. M. J. Electrochem, Soc. 1969. N 116. 1725 p. / H. M. Manasevit, W. I. Simpson.

151. Mukai, S. Liquid phase epitaxial growth of AlGalnPAs lattice matched to GaAs / S. Mukai, H. Yajima, Y. Mitsuhashi, S. Yanagisawa // Appl. Fhys. Lett. 1984. V. 44. N 9. P. 904-906.

152. Nagai, H. InP-GaxIni.xASyPiy doable heterostructure for 1,5 mkm wavelength / H. Nagai, Y. Hoguchi // Appl. Phys. Lett. 1978. V. 38. N 4. P. 234 236.

153. NelsoH, H. Solid State Device Conf. Stanford. 1961 / H. NelsoH. Stanford,1961.

154. Olsen, G. H. The effect of elastic strain on energy band gap lattice parameter in III- V compounds / G. H. Olsen, C. J. Nuese, R. T. Smith // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. N 11. P. 5523 -5529.

155. Panish, M. B. Ga-Al-As\ phase, therModynamic and optical properties / M. B. Panish, S. Sumski // J. Phys. Chem. Solids. Pergamon Press. 1969. V. 30. P. 129137.

156. Phase diagram of the In-Ga-As-P quaternary system and LPE growth conditions for lattice matching on InP substrate / K. Nakajima, T. Kusinoki, K. Akita, T. Kotani // J. Electrohem. Soc. 1978. V. 125. N 1. P. 123 127.

157. Rode, D. L. Cryst. Growth. 1975. N 29. 61 p. / D. L. Rode, R. G. J. Sobers.

158. Shaw, D. W. Inst, of Physics, Bristol. Inst. / D. W. Shaw // Phys. Conf. Ser. N 7.1. P. 50.

159. Sukegame, J. High efficient p-GaSb-n-Ga1.xAlxSb photodiodes / J. Sukegame, J. Hiraguchi, A. Tanaica // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 32. N 6. P. 376 378.

160. The Journal of vacuum science and technology. 1971. V. 8. N5. P. 5-8 / J. J. Tietjen, V. S. Ban, R. E. Enstom, D. Richman.

161. Tietjen, J. J. The Preparation and Properties of Vapor Deposited Epitaxial GaAsP Using Arsine and Phosphine / J. J. Tietjen, J. A. AmicK // J. Electrochem. Soc. 1966. N 113. P. 724-728.

162. Willardson, R. K. F. Stern / R. K. Willardson, A. C. Beer // Semiconductors and Semimetals. 1966. V. 2. P. 371.

163. С5,, С11 концентрация /-того компонента в твердой и жидкой фазе соответственно;

164. X длина волны электромагнитного спектра;1. И постоянная Планка;

165. V частота электромагнитного спектра;

166. АМ условие освещенности солнечного света;

167. Ие количество дырок и электронов соответственно;п уровень легирования;1. От градиент температуры;ур, ук скорость перемещения растворяющейся и кристаллизующейся границы зоны; / - толщина зоны между подложкой и источником,

168. С°р, С°к равновесные концентрации атомов в расплаве на растворяющейся и кристаллизующейся границе зоны;

169. ДСк величина пересыщения перед фронтом кристаллизации; АТК - величина переохлаждения перед фронтом кристаллизации; 7\ - равновесная температура;

170. Р-ю И-р кинетический коэффициент кристаллизации и растворения соответственно; АГР - величина перегрева на фронте растворения; ДСр - скачек концентрации компонента на границе растворения; уд - скорость массопереноса;

171. ДСд перепад концентрации между растворяющейся и кристаллизующейся границе зоны;

172. Бк, ВР эффективные коэффициенты диффузии в жидкой многокомпонентной зоне в условиях ЗПГТ;

173. С11К, С?¡к концентрация /-того компонента соответственно в расплаве и в кристалле вблизи фронта кристаллизации;

174. СЬ1Р, концентрация /-го компонента соответственно в расплаве и в кристалле вблизи фронта растворения;

175. S' — площадь поверхности расплава, контактирующей с газообразной средой;1. S площадь подложки;

176. Yj скорость испарения /-того компонента;

177. CfPi концентрация примеси в расплаве при равновесии с газовой средой;- равновесное значение коэффициента распределения /-того компонента; а/ постоянная для /-того компонента;

178. CL°i исходная концентрация /-того компонента в жидкой фазе;z/C5;- изменение концентрации /-того компонента в твердой фазе;

179. АСх1, изменение концентрации /-того компонента в жидкой фазе;

180. АEg градиент ширины запрещенной зоны;тпр время проведения процесса в прямом направлении;тоб время обратного прохода зоны;8 средний размер площади сечения зерен источника;

181. АС11,-разность концентрации /-того компонента в соседних зернах источника; Qu коэффициент конденсации (испарения);

182. Р, Р0 равновесное и действительное давление пара при температуре зоны соответственно;

183. Sk площадь торца жидкой зоны между подложкой и источником; М - масса молекулы испаряющегося (конденсирующегося) вещества; к - постоянная Больцмана; г - радиус зоны, имеющую форму диска; рж - плотность жидкой фазы;

184. Ак, Вк, Q, Dh Ек эмпирические постоянные;а(Ац>), а(АШ), a(Gap), a(GaAs), a(InP), a(/nAs) параметры кристаллических решеток соответствующих бинарных полупроводников соединений1. У:

185. Еа рассогласование параметров решеток эпитаксиального слоя и параметра решетки подложки;

186. С11, С12 параметры механических напряжений в плоскости (100) соединениях АШВУ;

187. Оупр упругие механические напряжения в эпитаксиальном слое; ХуПр - параметр упругости эпитаксиального слоя;стрЕз результирующие механические напряжения в эпитаксиальном слое;

188. Es(ik) ширина запрещенной зоны бинарного соединения;

189. В(-ф параметр нелинейности в квазибинарной системе ij-ik;

190. Eg , Egx ширина запрещенной зоны с прямыми оптическими переходами инепрямыми оптическими переходами соответственно;

191. AG- изменение энергии Гиббса;

192. AG0 стандартное изменение энергии Гиббса;

193. КХр константа равновесия химической реакции; АСд-.р - свободная энергия Гиббса реакции;

194. АН У Г тепловой эффект реакции при определенной температуре Т;

195. А5Х1, изменение энтропии химической реакции; АНА.АНР- энтальпии образования веществ А.Е; . Бл.£Е - энтропии веществ А.Е;

196. АН0 стандартная энтальпия образования вещества (при Т=298К); С„(Т) - температурная зависимость изобарной теплоемкости; о - стандартная энтропия вещества (при Т=298 К); ат - ширина полосы графитового нагревателя; р г- удельное сопротивление графита;

197. Яг сопротивление нагревательного устройства из графита; Ьг - толщина графитового диска (нагревателя); гг - радиус графитового диска;

198. Рш максимальная удельная мощность, выделяемая СЭ;