Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5: оптические и магнитотранспортные свойства тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Моисеев, Константин Дмитриевич

• Моисеев, Константин Дмитриевич
• доктор физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Моисеев, Константин Дмитриевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Гетеропереходы II типа в полупроводниках А3В5.

1.1. Типы энергетических диаграмм гетеропереходов в полупроводниках А3В5.

1.2. Ступенчатые гетероструктуры II типа в системе AlGaAsSb-InAs.

1.3. Разъединенные гетеро структуры II типа в системе GaSb-InAs.

1.4. Ступенчатые гетеропереходы II типа GalnAsSb/GaSb.

1.5. Разъединенные гетеропереходы II типа InGaAsSb/GaSb.

ГЛАВА 2. Изготовление гетеропереходов II типа GalnAsSb/InAs и установление зонной энергетической диаграммы.

2.1. Выращивание эпитаксиальных слоев в системе четверных твердых растворов GalnAsSb, изопериодных с подложкой InAs, методом жидкофазной эпитаксии.

2.1.1. Расчет термодинамических диаграмм фазовых равновесий расплав-твердое тело для системы Ga-In-As-Sb.

2.1.2. Эпитаксиальные слои твердого раствора GalnAsSb, обогащенного GaSb, изопериодные с подложкой InAs.

2.1.3. Одиночные гетероструктуры II типа GalnAsSb/InAs с резкой планарной границей раздела.

2.2. Исследование комбинационного рассеяния в эпитаксиальных слоях четверных твердых растворов GaixInxAsSb, изопериодных с InAs, для составов х<0.22.

2.3. Фотолюминесцентные свойства четверных твердых растворов GalnAsSb, изопериодных с InAs.

2.3.1. Зависимость ширины запрещенной зоны эпитаксиального слоя GalnAsSb, изопериодного с InAs, от состава твердого раствора.

2.3.2. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны твердого раствора GalnAsSb, изопериодного с подложкой InAs.

2.3.3. Примесные уровни в запрещенной зоне твердого раствора GalnAsSb, обогащенного GaSb.

2.3.4. Природные дефекты в твердом растворе GalnAsSb, полученном из расплава, обогащенного атомарным индием.

2.3.5.Афмфотерная примесь Sn в твердом растворе GalnAsSb, полученном из расплава, обогащенного атомарным индием.

2.4. Определение зонной энергетической диаграммы разъединенных ф гетеропереходов II типа GalnAsSb/InAs.

2.4.1. Экспериментальное определение типа гетероперехода и величины разрыва энергетических зон на гетерогранице GalnAsSb/InAs.

2.4.2. Особенности зонной энергетической диаграммы разъединенного гетероперехода II типа p-GalnAsSb/p-InAs.

ГЛАВА 3. Электронный канал на одиночной разъединенной гетерогранице II типа GalnAsSb/p-InAs и изучение его магнитотранспортных свойств в слабых магнитных полях.

3.1. Обнаружение электронного канала с высокой подвижностью на разъединенной гетерогранице II типа p-GalnAsSb/p-InAs.

3.2. Магнитотранспорт в электронном канале в одиночных гетеро-структурах II типа p(n)-GaInxAsySb/p-InAs с различным типом и уровнем легирования четверного твердого раствора.

3.3. Истощение электронного канала на разъединенной гетерогранице

II типа p-GalnAsSb/p-InAs. Роль неоднородности гетерограницы.

3.4. Магнитотранспорт в электронном канале в одиночных гетероструктурах II типа p-GaInxAsySb/p-InAs с различным составом твердого раствора 0.03<х<0.22.

3.5. Переход от ступенчатого гетероперехода II типа к разъединенному в гетероструктурах Ga(In)AsSb/InAs(GaSb) в зависимости от состава твердого раствора.

3.6. Отрицательное магнитосопротивление в разъединенных гетероструктурах GaInxAsySb/p-InAs с большим содержанием Мп в подложке InAs.

ГЛАВА 4. Квантовый магнетотранспорт электронном канале на одиночной разъединенной гетерогранице II типа ♦ p(n)-GaInAsSb/p-InAs.

4.1. Двумерный электронный канала на одиночной разъединенной гетерогранице II типа p-GalnAsSb/p-InAs.

4.2. Энергетические подзоны в полуметаллическом канале на гетерогранице p-GalnAsSb/p-InAs.

4.3. Квантовый эффект Холла в двумерном электронном канале на гетерогранице II типа p(n)-GaInAsSb/p-InAs.

4.4. Особенности энергетического спектра двумерного электронного канала в присутствии дырочной системы.

4.5. Квантовый магнитотранспорт в электронном канале на разъединенной гетерогранице II типа в зависимости от легирования твердого раствора.

4.6. Циклотронно-резонансное поглощение света в двумерном электронном канале на одиночной разъединенной гетерогранице

II типа p(n)-GaInxAsySb/p-InAs.

4.7. Магнитофотолюминесценция в двумерном электронном канале на одиночной разъединенной гетерогранице II типа n-GalnAsSb/p-InAs

ГЛАВА 5. Интерфейсная электролюминесценция на одиночной гетерогранице II типа p(n)-GaInAsSb/p-InAs.

5.1. Электролюминесценция в одиночном разъединенном гетеропереходе p-GaIno.i6Aso.22Sb/p-InAs.

5.2. Механизм излучательной рекомбинации на одиночной разъъединенной гетерогранице II типа.

5.3. Электролюминесценция в одиночном разъединенном гетеропереходе p-GaIno.i6Aso.22Sb/p-InAs в магнитном поле.

5.4. Электролюминесценция на гетерогранице II типа p-GaIno.17Aso.22Sb/n-GaIno.83Aso.80Sb.

ГЛАВА 6. Лазеры для среднего ИК-диапазона 3-4 мкм на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb-InAs.

6.1. Туннельно-инжекционный лазер с p-GaIno.17Aso.22Sb/p-InGao.17AsSbo.20 гетеропереходом в активной области.

6.2. Туннельно-инжекционный лазер с улучшенной температурной характеристикой.

6.3. Поляризационные характеристики туннельно-инжекционных лазеров.

6.4. Температурные характеристики порогового тока лазерной структуры и подавление Оже-рекомбинации на разъединенной гетерогранице II типа.

ГЛАВА 7. Асимметричные лазерные структуры, полученные комбинированной технологией. Сравнительные исследования.

7.1. Модель асимметричной гетероструктуры.

7.2. Асимметричная лазерная структура AlGaAsSb/InGaAsSb, полученная методом жидкофазной эпитаксии.

7.3. Асимметричная гибридная лазерная структура

AlGaAsSb/InAsSb/CdMgSe, полученная комбинированным методом моллекулярно-пучковой эпитаксии.

7.4. Асимметричная гибридная лазерная структура InAsSbP/InAsSb/CdMgSe, полученная комбинированным методом моллекулярно-пучковой эпитаксии и жидкофазной эпитаксии.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5: оптические и магнитотранспортные свойства»

В последние годы гетеропереходы II типа привлекают пристальное внимание исследователей не только своими уникальными физическими свойствами, но и широким использованием их для создания целого ряда новых электронных и оптоэлектронных приборов (малошумящие транзисторы с высокой подвижностью электронов, высокочастотные полевые транзисторы, инфракрасные лазеры, светодиоды и фотодиоды).

Фундаментальное свойство гетероперехода II типа заключается в том, что электроны и дырки пространственно разделены на гетерогранице. Это позволяет в широких пределах управлять оптическими и транспортными * свойствами таких гетероструктур и определяет в значительной степени параметры электронных и оптоэлектронных приборов, созданных на их основе. Пространственное разделение носителей в гетеропереходах II типа дает возможность получить излучение с энергией фотона, много меньшей ширины запрещенной зоны каждого из полупроводников, образующих гетеропереход, как было показано впервые Г. Кремером и Г. Грифитсом [1].

Первая реализация квантово-размерного лазера на основе гетероперехода II типа GalnAsSb/GaSb была продемонстрирована сотрудниками ФТИ им. А.Ф. Иоффе в 1986 г. [2]. Это открыло широкие перспективы для создания эффективных когерентных источников света в среднем инфракрасном оптическом диапазоне (2-5 мкм). Данный спектральный диапазон актуален для решения задач лазерной диодной спектроскопии газов и молекул, систем лазерной дальнометрии, инфракрасных волоконных линий связи, а также медицинских применений и задач экологического мониторинга [3-6]. Однако широкое практическое использование гетероструктур II типа на основе узкозонных % полупроводников А3ВЭ до сих пор лимитируется недостаточным пониманием их фундаментальных свойств и ограниченным числом экспериментально исследованных систем [7]. В настоящей диссертационной работе предпринята попытка, в определенной мере, восполнить этот пробел.

Известно, что гетероструктуры II типа в системе твердых растворов Ga-In-As-Sb могут образовывать гетеропереходы со ступенчатым и разъединенным расположением зон на границе раздела [8-10]. Если в гетеропереходе I типа узкозонный полупроводник как бы «вставлен» в широкозонный, и при этом скачки потенциала на гетерогранице направлены в разные стороны, то в ступенчатом гетеропереходе II типа скачки потенциала в зоне проводимости и валентной зоне на границе раздела направлены в одну сторону, и гетероструктура образует «ступеньку».

Фундаментальное отличие разъединенного гетероперехода II типа от * ступенчатого выражается в таком расположении энергетических зон на гетерогранице, при котором потолок валентной зоны одного полупроводника расположен по энергии выше дна зоны проводимости другого благодаря большой разнице в величинах электронного сродства этих материалов [11]. В данном случае эта разница превышает ширину запрещенной зоны широкозонного полупроводника, как это было обнаружено впервые на примере системы бинарных соединений GaSb-InAs, где энергетический зазор на гетерогранице составил А=150 мэВ [12].

К моменту начала настоящей работы основные фундаментальные свойства ступенчатых гетеропереходов II типа GaSb/GalnAsSb на основе широкозонных твердых растворов, обогащенных GaSb, были ранее достаточно хорошо изучены [10,13-15]. В то же время, физические свойства разъединенных гетеропереходов II типа GalnAsSb/InAs вообще мало исследованы. До настоящего времени оптические и электрические свойства разъединенных гетеропереходов II типа исследовались только на одиночных изопериодных гетероструктурах GaSb/InAs0.9iSb0 09 [16-19] или ф неизопериодных гетероструктур AlGaSb/InAs [20-22], а изучение магнитотранспорта было возможно только на структурах с квантовыми ямами или сверхрешетками на основе напряженных гетеропереходов Ga(Al)Sb-InAs [23-25].

В настоящей диссертации были проведены детальные экспериментальные и теоретические исследования фундаментальных (оптических, электрических и магнитотраспортных) свойств разъединенных гетеропереходов II типа, обусловленных особенностями гетерограницы, на примере одиночных изопериодных гетероструктур GalnAsSb/InAs с резкой планарной границей раздела.

Впервые обнаружен электронный канал с высокой подвижностью

2 1 1 носителей (цн~50000-70000 см В" с" при 77 К) на одиночной разъединенной гетерогранице II типа p-GalnAsSb/p-InAs, образованной двумя * полупроводниками с дырочным типом проводимости [26*]. Особенности магнитотранспорта в электронном канале в слабых и сильных магнитных полях были исследованы в широком интервале температур (2-300 К). В нашей работе было обращено внимание на тот факт, что существует переход от полуметаллического типа проводимости к полупроводниковому для одиночной гетероструктуры в зависимости от положения уровня Ферми относительно энергетического зазора на разъединенной гетерогранице II типа. Показана возможность управления свойствами электронного канала, вплоть до его истощения, в зависимости от состава и уровня легирования твердого раствора [27*,28*].

Изучение квантового магнитотранспорта и резонансного циклотронного поглощения в одиночных гетероструктурах II типа р(п)-GalnAsSb/p-InAs в сильных магнитных полях до 18 Т при низких температурах Т<2 К позволило установить параметры двумерного электронного канала на гетерогранице и определить параметры двумерных носителей в самосогласованных квантовых ямах. Это было первое ф наблюдение целочисленного квантового эффекта Холла для электронов на одиночной разъединенной гетерогранице II типа в присутствии дырочной подсистемы [29*].

Обнаружена интенсивная интерфейсная электролюминесценция в разъединенном гетеропереходе II типа p-GalnAsSb/p-InAs в спектральном диапазоне 0.3-0.4 эВ в интервале температур 77-100 К, обусловленная туннельными излучательными переходами электронов через гетерограницу и их последующей рекомбинацией с дырками, локализованными на стороне твердого раствора [30*]. Это позволило предложить и реализовать новый туннельно-инжекционный лазер с разъединенным гетеропереходом II типа в активной области [31*]. Особенностью такого лазера является слабая температурная зависимость порогового тока и значительное подавление <1 безызлучательной Оже-рекомбинации на гетерогранице II типа, предсказанное ранее Г.Г. Зегря [32].

В настоящей работе была также проанализирована важная роль высоты барьеров на гетерогранице II типа и учтено ее влияние на вероятность интерфейсных рекомбинационных процессов через границу раздела, что позволило предложить использование асимметричных гетероструктур II типа с различной высотой барьеров на гетерогранице для создания квантово-размерных лазеров на основе системы твердых растворов AlGa As S Ь/InGaAs S b/In As SbP.

Актуальность темы связана с интересом к фундаментальным свойствам гетеропереходов II типа и перспективой использования такого типа структур в электронных и оптоэлектронных приборах. Физические явления, обусловленные пространственным разделением носителей и их локализацией в самосогласованных квантовых ямах на одиночной разъединенной гетерогранице II типа, представляют большой интерес для исследователей. (Щ Средний ИК диапазон в настоящее время является предметом интенсивных исследований для решения задач экологии, медицинских и военных применений, диодно-лазерной спектроскопии высоко разрешения, в областях телекоммуникаций и связи.

Целью работы является исследование фундаментальных свойств (оптических, люминесцентных и магнитотраспортных) разъединенных гетеропереходов II типа, обусловленных особенностями гетерограницы, на примере системы GaInAsSb/InAs(GaSb) и создание лазеров для среднего инфракрасного диапазона.

Объекты и методы исследования. Объектом исследования является система твердых растворов GaSb-InAs, которая позволяет создавать как И ступенчатые, так и разъединенные гетеропереходы в зависимости от состава твердого раствора. Выбор для исследования одиночной гетерограницы обусловлен тем, что в такой системе можно наблюдать квантовые эффекты, обусловленные только взаимодействием электронов и дырок с гетерограницей и неискаженные влиянием других гетерограниц.

Научная новизна работы состоит в обнаружении и исследовании целого ряда новых физических эффектов, оптических и магнитотранспортных, в том числе в сильных магнитных полях, обусловленных особенностями разъединенной гетерограницы II типа. В работе предлагается новый физический подход к созданию лазеров для среднего инфраркасного диапазона 3-4 мкм, а именно туннельно-инжекционных лазеров на основе разъединенных гетеропереходов II типа, где излучательная рекомбинация обусловлена главным образом непрямыми (туннельными) оптическими переходами на гетерогранице II типа. ф Научная и практическая значимость. Все полученные автором научные результаты, вынесенные на защиту, являются новыми. Совокупность решенных в работе проблем сформулирована как решение важной научной и практической задачи - исследование фундаментальных свойств гетеропереходов II типа на основе узкозонных полупроводников A3BD, обусловленных особенностью их гетерограницы, а также и перспективность их использования для создания электронных и оптоэлектронных приборов нового поколения. Разработка технологии создания гетероструктур II типа с совершенной гетерограницей и иследование широкого класса оптических и магнито-транспортных явлений на примере системе GaSb-InAs позволили получить убедительные доказательства локализации носителей на гетерогранице II типа и определить параметры энергетического спектра двумерных носителей в самосогласованных квантовых ямах. Детальное I* исследование электронного канала с высокой подвижностью носителей в дырочной системе p-GalnAsSb/p-InAs и изучение его свойств в зависимости от уровня легирования и состава твердого раствора GalnAsSb определили условия перехода от полуметаллической к полупроводниковой проводимости. Наблюдение интенсивной интерфейсной электролюминесценции, обусловленной непрямыми (туннельными) излучательными переходами через гетерограницу II типа, позволило предложить и реализовать туннельно-инжекционный лазер на разъединенной гетерогранице II типа в активной области, работающий в спектральном диапазоне 3-4 мкм. Результаты исследований квантового магнитотранспорта в сильных магнитных полях и обнаружение квантового эффекта Холла в одиночных изопериодных гетероструктурах GalnAsSb/InAs открывают возможность создания инфракрасного лазера, управляемого магнитным полем.

Результаты исследований, выполненных в диссертационной работе, представляют фундаментальный интерес и могут быть использованы при ф разработке новых приборов оптоэлектроники, а также при фундаментальных исследованиях других гетероструктур II типа, в том числе наноструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками. Результаты исследований могут быть использованы в различных организациях Российской Академии наук (ФТИ им.А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург; ФИАН им.Лебедева, Москва; ИФТТ, Черноголовка; ИПП, Новосибирск; Институт физики микросструктур, Нижний Новгород; Институт общей физики, Москва; ИРЭ, Москва), в ГОИ им. С.В.Вавилова, Санкт-Петербург, в Санкт-Петербургском Техническом университете, в Санкт-Петербургском Техническом университете и др.

Диссертация состоит из введения, семи глав и заключения.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Моисеев, Константин Дмитриевич

Выводы к главе 7

В данной главе обсуждены некоторые аспекты создания лазерных структур с асимметричными потенциальными барьерами для инжектируемых носителей заряда на границе активной области, которая сочетает в себе преимущества гетеропереходов I и II типа. В данной гетероструктуре узкозонный слой, выступающий в качестве активной области, помещен между широкозонными накрывающими слоями и образует с ними гетеропереход I типа, при этом энергетическое расположение широкозонных слоев друг относительно друга образует ступенчатый гетеропереход II типа.

Продемонстрирована возможность лазерной генерации на длине волны Х=2.775 мкм в интервале температур 80-115 К с характеристической температурой Т0=34 К при инжекционной накачке двойной гибридной гетероструктуры (Al,Ga)SbAs/InAs/(Cd,Mg)Se с гетеровалентным

3 5 2 6 интерфейсом А В /А В на границе InAs активной области, полученная с использованием двухстадийной молекулярно-пучковой эпитаксией.

Кроме того, было обнаружено интенсивное стимулированное излучение на длине волны А,=3.46 мкм при Т=77 К в двойной гибридной лазерной гетероструктуре InAsSbP/InAsSb/(Cd,Mg)Se при инжекционной накачке с гетеровалентным интерфейсом А3В3/А2В6 на границе активной области, полученной методом гибридной технологии с использованием двух раздельных установок эпитаксиального роста жидкофазной эпитаксии и молекулярно-пучковой эпитаксии.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В заключении отметим, что в настоящей диссертации проведены детальные экспериментальные и теоретические исследования фундаментальных (оптических, электрических и магнитотраспортных) свойств разъединенных гетеропереходов II типа, обусловленные особенностями гетерограницы, на примере одиночных изопериодных гетероструктур GaInAsSb/InAs(GaSb).

Впервые обнаружен электронный канал с высокой подвижностью носителей на одиночной разъединенной гетерогранице II типа p-GalnAsSb/p-InAs и определены параметры двухмерных электронов и дырок, локализованных в самосогласованных квантовых ямах. Исследованы особенности квантового магнитотранспорта на одиночной разъединенной гетерогранице II типа GalnAsSb/p-InAs в сильных магнитных полях.

Обнаружена интенсивная интерфейсная электролюминесценция в разъединенном гетеропереходе II типа p-GalnAsSb/p-InAs в спектральном диапазоне 0.3-0.4 эВ в интервале температур 77-100 К, обусловленная туннельными излучательными переходами электронов через гетерограницу и их последующей рекомбинацией с дырками, локализованными на стороне твердого раствора. Был предложен новый физический подход к созданию полупроводникового диодного лазера для среднего ИК-диапазона и реализована лазерная структура, в которой используется туннельная инжекция носителей через границу II типа в одиночном разъединенном гетеропереходе p-GalnAsSb/p-InAs.

В заключении приведем наиболее важные результаты, полученные в диссертации:

1. Предложена технология выращивания, позволяющая получать ненапряженные изопериодные эпитаксиальные слои в системе твердых растворов Ga-In-As-Sb, и впервые созданы гетероструктуры II типа GalnAsSb/InAs с резкой планарной границей раздела с переходным слоем в 12 А методом жидкофазной эпитаксии. При этом, если широкозонный слой наращивается на узкозонную подложку, то интерфейс обогащен тяжелыми ростовыми компонентами (In и Sb), а тип связи на границе раздела подобен InSb (InSb-like).

2. Показано, что гетеропереход GaixInxAsySbiy/InAs в интервале составов твердых растворов 0.03<х<0.22 и у=0.922х+0.076 является разъединенным гетеропереходом II типа, при этом потолок валентной зоны широкозонного твердого раствора GalnAsSb находится по энергии выше дна зоны проводимости InAs на величину ДЕ=40-80 мэВ.

3. Установлено, что в гетероструктурах II типа Gaj.JnxAsySbi.y/GaSb при изменении состава твердого раствора наблюдается переход от ступенчатого гетероперехода к разъединенному, при этом гетерограница является ступенчатой при х<0.85, а при х>0.85 - разъединенной.

4. При исследовании магнитотранспорта в слабых магнитных полях (В<2 Т) в одиночных разъединенных гетероструктурах II типа p-GaixInxAsySbi.y /р-InAs был обнаружен электронный канал с высокой подвижностью носителей (5-7х104 cm^'V1 при Т=4-100 К) на гетерогранице со стороны узкозонного полупроводника. Продемонстрирована возможность управления свойствами электронного канала путем изменения типа и уровня легирования и состава четверного твердого раствора.

5. Установлено, что наличие электронного канала с высокой подвижностью носителей на одиночной разъединенной гетерогранице II типа p-GaInAsSb/p-InAs:Mn при концентрации магнитной примеси в InAs до р>5х1018 см"3 вызвало проявление в слабых магнитных полях (до 3 Т) аномального характера зависимости коэффициента Холла от температуры и магнитного поля и появление большого отрицательного магнитосопротивления, обусловленное обменным s-p взаимодействием. Полученное значение магнитного момента в электронном канале |i=200jiB позволило оценить величину магнитной восприимчивости %=Ю~ , что на три порядка выше, чем в объемном p-InAs.

6. При изучении квантового магнитотранспорта и циклотронного резонанса в сильных магнитных полях (до 18 Т) при низких температурах (Т<2 К) установлен энергетический спектр двумерных носителей в самосогласованных ямах на гетерогранице с двумя электронными подзонами Е, and Е2 и одной дырочной подзоной. Были оценены эффективные массы для каждой электронной подзоны mi=0.041m0 и m2=0.027m0, соответственно и определены двумерные концентрации

112 12 2 электронов и дырок ns=3-9x10 см" ир8~1хЮ см".

7. Установлено, что для одиночных разъединенных гетероструктур II типа p(n)-GaInAsSb/p-InAs в сильных магнитных полях (В>9 Т) при низких температурах (Т<2 К) на кривых холловского сопротивления существуют плато целочисленного квантового эффекта Холла с факторами заполнения v=2, 3 и 6 в ультраквантовом пределе для подзоны Е|, при этом квантовый эффект Холла наблюдается в присутствии дырочной подсистемы.

8. Обнаружена интерфейсная электролюминесценция на одиночной разъединенной гетерогранице II типа p-GalnAsSb/p-InAs, обусловленная непрямыми (туннельными) излучательными переходами через гетерограницу электронов, локализованных в квантовой яме на стороне узкозонного полупроводника, с дырками, локализованными вблизи гетерограницы на стороне широкозонного твердого раствора. Спектры электролюминесценции при Т=4-100 К содержали две четко выраженные полосы излучения с энергиями фотона в максимуме hvA=0.314 эВ и hvb=:0.378 эВ, и при увеличении тока через структуру наблюдался голубой» сдвиг второй полосы в область больших энергий фотона. При сильном уровне инжекции появлялась третья, высокоэнергетическая полоса hvc=0.633 эВ, которая была обусловлена рекомбинацией Оже-электронов из квантовой ямы с объемными дырками твердого раствора GalnAsSb.

9. Была предложена структура на основе р-n гетероперехода II типа в системе GalnAsSb/InAs, в которой было достигнуто повышение эффективности ограничения носителей за счет увеличения потенциальных барьеров как для электронов, так и для дырок (AEV>0.38 эВ и АЕС>0.6 эВ) и уменьшения токов утечек через р-р гетерограницу II типа, вызванных безызлучательными процессами. В структуре р-n удалось повысить интенсивность электролюмиисцнции при меньших значениях тока накачки по сравнению с р-р структурой. Демонстрация интенсивной электролюминесценции при Т=300 К для полосы А в гетероструктуре р-GalnAsSb/n-InGaAsSb убедительно показала перспективность создания эффективных излучающих приборов на основе разъединенных гетеропереходов II типа, работающих при температурах, близких к комнатной.

10. Предложен и реализован туннельно-инжекционной лазер на основе гетероперехода II типа p-GalnAsSb/p-InAs в активной области, при этом генерация когерентного излучения происходит за счет заполнения пространственно-разделенных самосогласованных квантовых ям для электронов и дырок на гетерогранице с последующей излучательной рекомбинацией за счет туннелирования носителей через гетеробарьер II типа. Такой лазер излучал в одномодовом режиме на длине волны А.=3.2 мкм с пороговой плотностью тока jth—400 А/см при Т=77 К и демонстрировал слабую температурную зависимость порогового тока с характеристической температурой То=53 К в интервале рабочих температур до 160 К, при этом максимальная рабочая температура Ттах=195 К была достигнута в импульсном режиме.

11. Предложена модель асимметричной лазерной структуры, в которой узкозонная активная область заключена между двумя широкозонными ограничительными слоями, образующими между собой гетеропереход II типа с высотой гетеробарьера на границе раздела ДЕс,АЕу>:>Ес(активной области). При этом обеспечивается хорошее удержание (ограничение) электронов и дырок, а излучательная рекомбинация происходит в узкозонной активной области как в гетеропереходе I типа.

12. Экспериментально рассмотрены некоторые аспекты создания асимметричных лазерных структур II типа AlGaAsSb/InGaAsSb/InAsSbP, в том числе полученные с использованием комбинированной технологией выращивания методами ЖФЭ, МПЭ и МОГФЭ.

Работа выполнена в Физико-Техническом институте им. А.Ф.Иоффе в лаборатории Инфракрасной оптоэлектроники.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность Михайловой М.П. за плодотворное сотрудничество, неоценимую помощь и постоянную поддержку в период всей работы. Я глубоко благодарен Яковлеву Ю.П. внимание к работе и неизменную поддержку на всех ее этапах.

Мне хотелось бы выразить искреннюю признательность и благодарность Парфеньеву Р.В. и Березовцу В.А. за плодотворное творческое сотрудничество и полезные обсуждения при исследовании квантового магнитотранспорта.

Считаю своим приятным долгом поблагодарить Брункова П.Н., Именкова А.Н. и Зегря Г.Г. за неоднократные полезные консультации и ценные замечания.

Я также искренне признателен Ворониной Т.И., Лагуновой Т.С. за полезное многолетнее сотрудничество и Иванову Э.В. за помощь в проведении электролюминесцентных исследований.

Я благодарен Иванову С.В. за помощь и поддержку при исследовании свойств гибридным лазерных структур.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Моисеев, Константин Дмитриевич, 2005 год

1. Н. Rroemer, G. Griffiths, Staggered-lineup heterojunctions as sources of tunablebelow-gap radiation: operating principle and semiconductor selection // IEEE Electr. Dev. Lett. 1983, v.EDL-4, pp. 20-26

2. A.H. Баранов, Б.Е. Джуртанов, A.H. Именков, A.A. Рогачев, Ю.М.

3. Шерняков, Ю.П. Яковлев, Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе // ФТП, 1986, т.20, с.2217-2221

4. A.I. Nadezhdinslcy, A.M. Prokhorov, Modern Trends in Diode Laser

5. Spectroscopy//Proc. SPIE, 1992, v. 1724, p.2-24

6. A.H. Именков, H.M. Колчанова, П. Кубат, К.Д. Моисеев, С. Цивиш, Ю.П.

7. Яковлев, Перестраиваемые током лазеры на 3.3 мкм с узкой линией излучения // ФТП, 2001, т.35, 375-379

8. М. Kavaya, Coherent Laser Radar Provides Eye-Safe Operation // Laser Focus1. World, 1991, v.l, p.27

9. J. Lucas, Infrared Fibers // Infrared Phys., 1985, v.25, p.277

10. Ж.И. Алферов, Нобелевская лекция по физике 2000 // Успехи Физ. Наук,2002, т. 172, с.1068-1086

11. Н. Salcalci, L.L. Chang, R. Ludelce, C.A. Chang, G.A. Sai-Halasz, L. Esalci, Inj.xGaxAs-GaSbi„yAsy heterojunctions by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1977, v.31,pp. 211-213

12. M. Nalcao, S. Yoshida, S. Gonda, Heterojunction band discontinuities ofquaternary semiconductors alloys // Sol. St. Commun., 1984, v.49, pp. 663666

13. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov, Type II heterojunctions in the GalnAsSb/GaSbsystem// Semicond. Sci. Technol., 1994, v.9, p.1279-1295

14. G.A. Sai-Halasz, L. Esalci, W.A. Harrison, InAs-GaSb superlattice energystructure and its semiconductor-semimetal transition // Phys. Rev. B, v. 18, 1978, pp.2812-2818

15. G.A. Sai-Halasz, R. Tsu, L. Esalci, A new semiconductor superlattice // Appl.

16. Phys. Lett., 1977, v.30, pp. 651-653

17. N. Kobajashi, J. Horikoshi, C. Uemura, // Jpn. J. Appl. Phys Lett., 1979, v.22,pp.1459

18. E.A. Бочкарев, JI.M. Долгинов, A.E. Дракии, JI.B. Дружинина, П.Г.

19. Елисеев, Б.Н. Свердлов, В.А. Скрипкин, // Квант. Электрон., 1986, т. 16, с,1937

20. А.Н. Титков, В.Н. Чебан, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, Ю.П. Яковлев,

21. Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II типа GalnAsSb/GaSb // ФТП, 1990, т.24, с. 1056-1061

22. E.R. Gertner, A.M. Andrews, L.O. Bubulac, D.T. Cheung, M.J. Ludowise,

23. R.A. Riedel, Liquid phase epitaxial growth of InAsixSbx layers on GaSb // J. Elecrton. Mat, 1979, v.8, p.545

24. A.K. Srivastava, J.L. Zyskind, R.M. Lum, B.V. Dutt, J.K. Klingert, Electricalcharacteristics of InAsSb/GaSb heterojunctions // Appl. Phys. Lett, 1986, v.49, pp.41-43

25. M. Mebarki, A. Cadri, H. Mani, Electrical characteristics and energy bandoffsets in n-InAso.89Sbo.11/n-GaSb heteroj unctions grown by the liquid phase epitaxy technique // Sol. St. Commun, 1989, v.72, p.795-798

26. Y. Mao, A. Krier, Energy-band offsets and electroluminescence in n-InAs|xSbx/N-GaSb heterojunctions grown by liquid phase epitaxy // J. Cryst. Growth, 1994, v.23, pp.503-507

27. Ж.И. Алферов, М.З. Жингарев, В.И. Корольков, Н.И. Мурсакулов, Л.Д.

28. Праматарова, Д.Н. Третьяков, Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов InAs-AlxGaixSb // ФТП, 1978, т.12, с.312-318

29. K.B. Wong, G.K.A. Gopir, H.P. Hagon, M.Jaros, Absorption coefficient andelectric-field-induced localization in InAs-AlGaSb multi-quantum well structures // Semicond. Sci. Technol., 1994, v.9, pp.2210-2216

30. H. Munekata, T.P. Smith, L. Esaki, L.L. Chang, Electrons and holes in InAs

31. Ga(Al)Sb(As) quantum wells // J de Phys Coll. C5 Suppl., 1987, v.C5, pp.151-154

32. H. Munekata, E. Mendez, Y. Iye, L. Esaki, Densities and mobilities ofcoexisting electrons and holes in GaSb/InAs/GaSb quantum wells // Surf. Sci., 1986, v.174, pp.449-453

33. L.L. Chang, L. Esaki, Electronic properties of InAs-GaSb superlattices // Surf.

34. Sci., 1980, v.98, pp.70-89

35. K. Takashima, R.J. Nicholas, B. Kardynal, N.J. Mason, D.K. Maude, J.C.

36. G.G. Zegrya, A.D. Andreev, Mechanism of suppression of Augerrecombination processes in type-II heterostructures // Appl. Phys. Lett., 1995, v.67, pp.2681

37. Ж.И. Алферов, B.M. Андреев, В.И. Корольков, E.JI. Портной, Д.Н.

38. Третьяков, Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs // ФТП, 1968, т.2, с. 1545

39. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Ю.В. Жиляев, Е.П. Морозов,

40. E.JI. Портной, В.Г. Трофим, Исследование влияния параметров гетеростуктуры в системе AlAs-GaAs на пороговый ток лазеров и получение непрерывного режима генерации при комнатной температуре //ФТП, 1971,т.4, с. 1826

41. Г. Крёмер, Нобелевская лекция по физике 2000 // Успехи Физ. Наук, 2002,т.172, с.1091-1101

42. А. Милне, Д. Фойтх, Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник

43. Москва, Мир, 1979, 432 стр.

44. В. Wilson, Carrier dynamics and recombination mechanisms in staggeredalignment heterostructures // IEEE J. Quant. Electron., 1988, v.QE-24, pp. 1763-1777

45. H. Kroemer, The 6.1 A family (InAs, GaSb, AlSb) and its heterostructures: aselect review//Physica E, 2004, v.20, pp. 196-203

46. J.R. Skelton, J.R. Knight, // Sol. St. Electron., 1985, v.28, pp.1166-1170

47. H. Mani, A. Joullie, J. Bhan, С. Shiller, J. Primot, // J. Elecrton. Mat., 1987, v.16, p.289

48. В.Ф. Дворянкин, С.В. Коковихин, А.А. Телегин, А.Б. Ормонт,выращивание слоев GaAsxSb.x на подложках InAs методом жидкофазной эпитаксии // Изв. АН СССР, Неорг. Мат., 1981, т. 17, с.783-785

49. Н. Mani, A. Joullie, F. Karota, С. Schiller, Low-temperature phase diagram of

50. Ga-As-Sb system and liquid-phase-epitaxial growth of lattice-matched GaAsSb/InAs on (100) InAs substrate // J. Appl. Phys., 1986, v.59, pp.27282734

51. J. DeWinter, M. Pollak, A. Srivastava, J. Zuskind, Liquid phase epitaxial

52. GaxInAsSby lattice-matched to (100) GaSb over 1.71 to 2.33 pm wavelengthrange // J. Electron. Mater., 1985, v. 14, p.729-747

53. M. Astles, H. Hill, A.J. Williams, P.J. Wright, M.L. Young, Studies of the Ga^xInxAsi„ySby quaternary alloy system I. Liquid phase epitaxial growth and assessment. //J. Electron. Mat., 1986, v.15, p.41-49

54. Ф.Э. Бочкарев, B.H. Гульгазов, Ф.М. Долгинов, A.A. Селин,

55. Кристаллизация твердых растворов GaJn^As^Sb на подложках из GaSb и InAs. //Изв. АН СССР, Неорг. Мат., 1987, т.23, с.1610

56. А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, И.Н. Тимченко, З.И.

57. Чугуева, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев // ФТП, 1989, т.23, с.780-786

58. М.И. Афраилов, А.Н. Баранов, А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, Ю.П.

59. Сморчкова, И.Н. Тимченко, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев, И.Н. Яссиевич, Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs. // ФТП, 1990, т.24, с.1397-1406

60. A. Nakagawa, Н. Kroemer, J.H. English, Electrical properties and band offsetsof InAs/AlSb n-N isotype heterojunctions grown on GaAs // Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, pp.1893-1895

61. T. Mimura, S. Hiyamuzu, T. Fujii, K.A. Nanbu, // Jpn. J. Appl. Phys., 1980,v.19, pp.L225

62. A. Furukawa, Dependence of electron accumulation in AlSb/InAs quantumwell on thin surface materials of InAs and GaSb // Appl. Phys. Lett., 1993, v.62, pp.3150-3152

63. K. Ohtani, H. Ohno, Mid-infrared intrsubband electroluminescence in

64. As/GaSb/AlSb type-II cascade structures // Physica E, 2000, v.7, pp.80-83

65. C. Becker, I. Prevot, X. Marcadet, B. Vinter, C. Sirtori, InAs/AlSb quantumcascade light-emitting devices in 3-5 pm wavelength region // Appl. Phys. Lett., 2001, v.78, pp. 1029-1031

66. R. Teissier, D. Barate, A. Vicet, D.A. Yarekha, C. Alibert, A.N. Baranov, X.

67. Marcadet, M. Garcia, C. Sirtori, InAs/AlSb quantum-cascade lasers operating at 6.7 pm // Electron. Lett., 2003, v.39, pp.

68. F. Fuchs, U. Weimer, W. Pletschen, J. Schmitz, E. Ahlswede, M. Walther, J.

69. Wagner, P. Koidl, High performance InAs/Ga!xInxSb superlattice infrared photodiodes //Appl. Phys. Lett., 1997, v.71, pp.3251-3253

70. R.C. Hughes, III-V compound semiconductor superlattices for infraredphotodetector applications // Opt. Eng., 1987, v.26, pp.249-255

71. J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivko, A.L. Hutchinson, A.J. Cho, Quantum cascadelaser // Science, 1994, v.264, pp.553-556

72. J. Kono, B.D. McCombe, J.-P. Cheng, I. Lo, W.C. Mitchel, C.E. Stutz, Farinfrared magneto-optical study of two-dimensional elelctons and holes in InAs/AlxGa,.xSb quantum wells // Phys. Rev. B, 1997, v.55, 1617-1637

73. A.F.M. Anwar, RT. Webster, Energy dandgap of AlxGaixAsiySby andconduction band discontinuity of AlxGaixAsiySby/InAs and AlxGabxAs|. ySby/InGaAs heterostructures // Sol. State Electron., 1998, v.42, p. 2101-2104

74. Landolt-Bornstein, Handbook//Numerical Data, Ser. Ill, Springer, Berlin,

75. Heidelberg, 1982, v. 17a, (O. Madelung, ed.) p.264; 1987, v.22a (K.-H. Hellwege, ed.) p.305

76. G.H. Dohier, Electron-hole subbands at the GaSb-InAs interface // Surf. Sci.,1980, v.98, pp.108-116

77. G. Bastard, E.E. Mendez, L.L. Chang, L. Esalci, Self-consistent calculations in

78. J.C. Maan, Y. Guldner, J.P. Vieren, P. Voisin, M. Voos, L.L. Chang, L. Esalci,

79. Three-dimensional character of semimetallic InAs-GaSb superlattices // Sol. State Comm., 1981, v.39, pp.683-686

80. L.L. Chang, N.J. Kawai, E.E. Mendez, C.A. Chang, L. Esalci, Semimetallic

81. As-GaSb superlattices to the heterojunction limit // Appl. Phys. Lett, 1981, v.38, pp. 30-32

82. M. Altarelli, Electronic structure and semiconductor-semimetal transition in

83. GaSb-InAs superlattices // Phys. Rev. B, 1983, v.28, pp.842-845

84. H. Salcaki, L.L. Chang, G.A. Sai-Halasz, C.A. Chang, L. Esalci, Twodimensional electronic structure in InAs-GaSb superlattices // Sol. State Comm., 1978, v.26, pp. 589-592

85. N.J. Kawai, L.L. Chang, G.A. Sai-Halasz, C.A. Chang, L. Esalci, Magneticfield-induced semimetal-to-semiconductor transition in InAs-GaSb superlattices //Appl. Phys. Lett, 1980, v.36, pp.369-371

86. J. Beerens, G. Gregoris, S. Ben Amor, J.C. Portal, E.E. Mendez, L.L. Chang,

87. Esalci, Pressure-induced elimination of the hole gas in semimetallic GaSb-InAs-GaSb heterostructures // Phys. Rev. B, 1987, v.35, pp.3039-3042

88. Y. Guldner, J.P. Vieren, P. Voisin, M. Voos, L.L. Chang, L. Esaki, Cyclotronresonance and far-infrared magneto-absorption experiments on semimetallic InAs-GaSb superlattices // Phys. Rev. Lett, 1980, v.45, pp. 1719-1722

89. P. Voisin, G. Bastard, C.E.T. Gongalves da Silva, M. Voos, L.L. Chang,

90. Esalci, Luminescence from InAs-GaSb superlattices // Sol. State Commun, 1981, v.39, pp.79-82

91. S. Washburn, R.A. Webb, E.E. Mendez, L.L. Chang, L. Esaki, New

92. Shubnikov-de Haas effects in a two-dimensional electron-hole gas // Phys. Rev. B, 1985, v.31, pp.1198-1201

93. D.J. Barnes, R.J. Nicholas, R.J. Warburton, N.J. Mason, P.J. Walker, N. Miura,

94. Observation of magnetic-field-induced semimetal-semiconductor transitions in crossed-gap superlattices by cyclotron resonance // Phys. Rev. B, 1994, v.49, pp.10474-10483

95. M. Altarelli, J.C. Maan, L.L. Chang, L. Esaki, Electronic states and quantum

96. Hall effect in GaSb-InAs-GaSb quantum wells // Phys. Rev. B, 1987, v.35, pp.9867-9870

97. A.S. Chaves, H. Chacham, Negative photoconductivity in semiconductorheterostructures // Appl. Phys. Lett., 1995, v.66, pp.727-729

98. E.E. Mendez, L.L. Chang, C.A. Chang, L.F. Alexander, L. Esaki, Quantized

99. Hall effect in single quantum wells of InAs // Surf. Sci., 1984, v.142, pp.215219

100. E.E. Mendez, L. Esaki, L.L. Chang, Quantum Hall effect in a two-dimensionalelectron-hole gas // Phys. Rev. Lett.,1985, v.55, pp.2216-2219

101. M.S. Daly, K.S.H. Dalton, M. Lakrimi, N.J. Mason, R.J. Nicholas, M. van der

102. Burgt, P.J. Walker, D.K. Maude, J.C. Portal, Zero-Hall-resistance state in a semimetallic InAs/GaSb superlattices // Phys. Rev. B, 1996, v.53, pp.R10524-R10527

103. M. Mebarki, D. Boukredimi, S. Sadik, J.L. Lazzari, Electrical determination ofband offsets in ap-Gao.77Ino.23Aso.20Sbo.80/n-GaSb type II heterojunction // J. Appl. Phys., 1993, v.73, p.2360-2363

104. A.H. Баранов, А.А. Гусейнов, А.А. Рогачев, A.H. Титков, B.H. Чебан,

105. Ю.П. Яковлев, Локализация электронов на гетерогранице II типа // Письма в ЖЭТФ, 1988, т.48, с.342-348

106. A.N. Titkov, Yu.P. Yakovlev, A.N. Baranov, V.N. Cheban, Spontaneousluminescence in a type II GalnAsSb/GaSb heterojunction // Proc. SPIE, 1990, v.1361, pp.669-676

107. M.C. Бреслер, О.Б. Гусев, А.Н.Титков, B.H. Чебан, Ю.П. Яковлев, Э.

108. Гулициус, И. Освальд, И. Панграц, Т. Шимечек, Излучательная рекомбинация на гетеропереходе II типа n-GalnAsSb/n-GaSb // ФТП, 1993, т.27, с.615-621

109. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, М.Р. Mikhailova, А.А. Rogachev, A.N. Titkov,

110. Yu.P. Yakovlev, Stagged-lineup heterojunction in the system of GaSb-InAs // Superlatt. Microstr., 1990, v.8, p.375

111. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн, Электронные свойства двумерных систем //

112. Москва, Мир, 1985, 416 стр.

113. Н.С. Аверкиев, А.Н. Баранов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.П. Яковлев,

114. Поляризация излучения в квантово-размерном лазере на одном гетеропереходе // Письма в ЖЭТФ, 1987, т. 13, с.332-337

115. А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.П.

116. Яковлев, Неинжекционный квантово-размерный лазер на одном гетеропереходе GalnAsSb/GaSb // Письма в ЖЭТФ, 1986, т.З, с. 1036-1038

117. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская, В.В.

118. Шерстнев, Ю.П. Яковлев, Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInAsSb:Mn // ФТП, 1991, т.25, с.276-282

119. В.М. Андреев, JI.M. Долгинов, Д.Н. Третьяков, Жидкостная эпитаксия втехнологии полупроводниковых приборов // М.: Сов. Радио, 1975, 238 с.

120. К. Nakajima, К. Osamura, К. Yasuda, Y. Murakami, The pseudoquaternaryphase diagram of the Ga-In-As-Sb system // J. Cryst. Growth, 1977, v.41, p.87-92

121. X. Gong, H. Kan, Т. Yamaghuchi, Т. Yamada, I. Suzuki et.al., Liquid phaseepitaxial growth of high-quality GalnAsSb/InAs // Jpn. J. Appl. Phys., 1993, v.32, p.711-719

122. M. Ilegems, A.S. Jordan, Solid-liquid equilubria for quaternary solid solutionsinvolving compounds semiconductors in regular solution approximation // J. Phys. Chem. Sol., 1975, v.36, p.329

123. A.H. Баранов, A.M. Литвак, T.B. Чернева, B.B. Шерстнев, С.Г. Ястребов,

124. Анализ фазовых равновесий в системе In-As-Sb с использованием модели квазирегулярных ассоциированных растворов // Изв. АН СССР Неорг. мат., 1990, т.26, с.2021

125. R.Sharma, Т. Ngai, Y. Chang, Thermodynamic analysis and phase equilibriafor In-Sb and Ga-Sb systems // J. Electron. Mater., 1987, v. 16, p.307

126. M.B. Panish, M. Ilegems, Phase equilibria in ternary III-V systems // Progressin Sol. State Chem., 1972, v.77, p.39

127. G.B. Sringfellow, P.Greene, Calculation of III-V ternary phase diagrams: In

128. Ga-As and In-As-Sb // J. Phys. Chem. Solids, 1969, v.30, p. 1779

129. G.B. Sringfellow, P. Greene, Liquid phase epitaxial growth of InAsi.xSbx // J.

130. Electrochem. Soc., 1971, v.l 18, p.805

131. M. Gratton, J. Wooley // J. Electron. Mater., 1973, v.2, p.455

132. E.A. Guggenhim, In mixtures // London Oxford University Press, 1952, 267 p.

133. N. Kobayashi, Y. Horikoshi, Pseudoquatemary phase diagram calculation of1.i.xGaxAsiySby quaternary system // Jpn. J. Appl. Phys., 1982, v.21, p.201

134. A.M. Литвак, H.A. Чарыков, Новый термодинамический метод расчетафазвый равновесий расплав твердое тело. Системы А В // ЖФХ, 1990, т.64, с.2331-2337

135. А.Н. Баранов, A.M. Литвак, К.Д. Моисеев, Н.А. Чарыков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев, О построении кривых кристаллизации в четырехкомпонентных полупроводниковых А^3 системах In-Ga-As-Sb и In-As-Sb-P //ЖПХ, 1990, т.63, в.5, с.976-981

136. Ф 101*. А.Н.Баранов, А.М.Литвак, К.Д.Моисеев, В.В.Шерстнев, Ю.П.Яковлев, Получение твердых растворов In-Ga-As-Sb/GaSb и In-Ga-As-Sb/InAs в области составов, прилегающих к InAs // ЖПХ, 1994, т.67, с.1951-1956

137. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич, Полупроводниковая электроника//Киев: Наукова думка, 1975, 704 с.

138. С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев, Соединения А3В5 // М.: Металлургия, 1984, 144с.

139. R. Sanlcaran, G.A. Antypas, Liquid-phase epitaxial growth of InGaAsSb on (lll)B InAs // J. Cryst. Growth, 1976, v.36, p. 198-204

140. D.H. Law, Y.T. Cheng, G.B. Stringfellow, Long-wavelength lattice dynamics of GaxIni„xAsySbiy quaternary alloys // J. Appl. Phys., 1989, v.66, pp. 1965* 1969

141. Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/Galno.nAso^Sb с резкой планарной границей раздела // ФТП, 2000, т.34, с.1438-1442

142. Н. Kroemer, Barrier control and measurement. Abrupt semiconductor heterojunctions // J. Vac. Sci. Technol. B, 1984, v.2, p.422-439

143. H.A. Берт, A.O. Косогов, Ю.Г. Мусихин // Письма в ЖТФ, 1991, т. 17, 3944

144. В.Г. Груздов, А.О. Косогов, Н.Н. Фалеев // Письма в ЖТФ, 1996, т.20, 16

145. G. Lucovslcy, M.F. Chen, Long wave optical phonons in the alloy systems: Ga.xInxAs, GaAs.xSbx and InAs,.xSbx // Sol. St. Commun., 1970, v.8,pp.1397-1401

146. D. Serries, M. Peter, N. Herres, K. Winkler, J. Wagner, Raman and dielectric function spectra of strained GaAsixSbx layers on InP // J. Appl. Phys., 2000, v.87, pp.8522-8526

147. M.H. Brodsky, G. Lucovslcy, Infrared reflection spectra of GaixInxAs: a new type of mixed-crystal behavior // Phys. Rev. Lett., 1968, v.21, pp.990-993

148. G. Lucovslcy, K.Y. Cheng, G.L. Pearson, Study of the long-wavelength optic * phonons in Ga,.xAlxSb // Phys. Rev. B, 1975, v.12, pp.4135-4141

149. Y.T. Cheng, M.J. Jou, H.R. Jen, G.B. Stringfellow, Raman scattering in GaPi„ xSbx // J. Appl. Phys., 1988, v.63, pp.5444-5446

150. P. Kleinet, A theoretical study of the vibrational properties of InxGa^As^ySby quaternary alloys //phys. stat. sol. (b), 1985, v.130, pp.489-495

151. B. Jusserand, J. Sapriel, // Phys. Rev. B, 1981, v.24, 7194

152. M.H. Brodsky, G. Lucovslcy, M.F. Chen, T.S. Plaskett, Infrared reflectivity spectra of the mixed crystal system Ga,.xInxSb // Phys. Rev. B, 1970, v.2, pp.3303-3311

153. J. A. van Vechten, Т.К. Bergstresser, Electronic structures of semiconductor alloys // Phys. Rev B, 1970, v. 1, pp.3351-3358

154. A.G. Thompson, J.C. Wooley, Energy-gap variation in mixed III-V alloys // Can. J. Phys., 1967, v.45, p.255-262

155. S. Adachi, Band gaps and refractive indices of the 2-4 jum optoelectronic * device applications // J. Appl. Phys., 1987, v.61, p.4869-4872

156. K. Shim, H. Rabitz, P. Dutta, Band gap and lattice constant of GaxIni.xAsySbi y // J. Appl. Phys, 2000, v.88, pp.7157-7161

157. H. Mani, A. Joullie, A.M. Joillie, B. Girault, C. Alibert, Band-gap and spin-splitting of the lattice-matched GaAsSb/InAs system // J. Appl. Phys, 1987, v.61, pp.2101-2103

158. S. Iyer, S. Hegde, A. Abu-Fadl, K.K. Bajaj, W. Mitchel, Growth and photoluminescence of GaSb and Ga^JnxASySbi.y grown on GaSb substrates by liquid-phase electroepitaxy // Phys. Rev. B, 1993, v.47, pp.13329-1339

159. K. Nakajima, Electrical and optical studies in gallium antimonide // Jap. J. Appl. Phys, 1981, v.20, pp.1085-1094

160. Y.P. Varsnhi, //Physica, 1967, v.34, 149

161. Z.M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Jaw, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow, Photoluminescence of InSb, InAs and InAsSb grown by organometallic vapour phase epitaxy // J. Appl. Phys, 1990, v.67, pp.7034-7039

162. S.С. Chen, Y.K. Su, Photoluminescence study of gallium antimonide grown by liquid-phase epitaxy // J. Appl. Phys, 1989, v.66, pp.350-353

163. S. Iyer, S. Hegde, K.K. Bajaj, A. Abu-Fadl, W. Mitchel, Photoluminescence study of liquid-phase electroepitaxially grown GalnAsSb on (100)GaSb // J. Appl. Phys, 1993, v.73, pp.3958-3961

164. M.-C. Wu, C.-C. Chen, Liquid-phase epitaxial growth of GalnAsSb with application to GalnAsSb/GaSb heterostructure diodes// J. Appl. Phys, 1992, v.71, 6116-6120

165. M. Ichimura, K. Higuchi, Y. Hattori, T. Wada, N. Kitamura, Native defects in the AlxGaixSb alloy semiconductors // J. Appl. Phys, 1990, v.68, pp.61536158

166. С. Anayama, T. Tanahashi, H. Kuwatsuka, S. Nishiyama, S. Isozumi, K. Nakajima, High-purity GaSb epitaxial layers grown from Sb-rich solutions // Appl. Phys. Lett, 1990, v.56, pp.239-240

167. W. Jakovetz, W. Ruhle, K. Breuninger, M. Pilkuhn, Luminescence and photoconductivity of undopedp-GaSb //Phys. St. Sol. (a), 1975, v.12, 169174

168. A. Bignazzi, E. Grilli, M. Guzzi, M. Radice, A. Bossacchi, S. Franchi, R. Magnanini, Low temperature photoluminescence of tellurium-doped GaSb grown by molecular beam epitaxy // J. Cryst. Growth, 1996, v. 169, pp.450456

169. А. А. Лебедев, И.А. Стрельникова, О природе эффективного центра излучательной рекомбинации в GaSb и твердых растворах на его основе //ФТП, 1979, т.13, с.389-391

170. А .Я. Вуль, Г. Л. Бир, Ю.В. Шмарцев, Донорные состояния серы в антимониде галлия // ФТП, 1970, т.4, с.2331-2347

171. А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Н.С. Зимогорова, Л.М. Канская, Ю.П. Яковлев, Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев антимонида галлия, выращеннх из расплавов, обогащенных сурьмой // ФТП, 1985, т.19, с.1676-1679

172. А.С. Кюгерян, И.К. Лазарева, В.М. Стучебников, А.Э. Юнович, Фотолюминесценция антимонида галлия при большом уровне возбуждения // ФТП, 1972, т.6, с.242-247

173. А.Н. Баранов, А.Н. Дахно, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев, Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GalnAsSb // ФТП, 1990, т.24, с.98-103

174. H. Barry Bebb, E.W. Williams, Semiconductors and semimetals (ed. R.K. Willardson and A.C. Beer) // Academic, New York, 1972, v.8, p.238

175. P. Gladkov, E. Monova, J. Weber, Photoluminescence characterization of Te-doped GaSb layers grown by liquid-phase epitaxy from Bi melts // Semicond. Sci. Technol., 1997, v.12, pp.1409-1415

176. Y.M. Sun, M.C. Wu, Y.T. Ting, Low concentration GaSb grown from Sb-rich solutions by liquid phase epitaxy in the presence of erbium // J. Cryst. Growth, 1996, v.158, pp.449-454

177. L. Lacroix, C.A. Tran, S.P. Watkins, L.W. Thewalt, Low-temperature photoluminescence of epitaxial InAs // J. Appl. Phys., 1996, v.80, pp.64166424

178. O. Madelung, Physics of III-V Compounds, // NY, 1964, p.455

179. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич, // Полупроводниковая электроника, Киев, 1975.

180. М.-С. Wu, С.-С. Chen, Photoluminescence of high-quality GaSb grown from Ga- and Sb-rich solutions by liquid-phase epitaxy // J. Appl. Phys., 1992, v.12, pp.4275-4280ф 157*. М.П.Михайлова, И.А.Андреев, К.Д.Моисеев, Т.И.Воронина,

181. Т.С.Лагунова, Ю.П.Яковлев, Гетеропереходы II типа GalnAsSb/InAs // ФТП, 1995, т.29, с. 678-686

182. R.L. Anderson, Experiments on Ge-GaAs heterojunction // Sol. St. Electron., 1962, v.5, pp.341-365

183. W.R. Frensley, H. Kroemer, Theory of the energy-band lineup at an abrupt semiconductor heterojunction // Phys. Rev. B, 1977, v. 16, pp.2642-2652

184. W.A. Harrison, Elementary theory of heterojunctions // J. Vac. Sci. Technol., 1977, v.14, pp.1016-1021

185. M.P.C.M. Krijn, Heterojunction band offsets and effective masses in III-V quaternary alloys // Semicond. Sci. Technol., 1991, v.6, pp.27-31

186. S.R. Forrest, Heterojunction band discontinuities: Physics and deviceapplications // (ed. F. Capasso and G. Margaritondo), Amsterdam, North Holland, 1987, p.537

187. D.C. Tsui, H.L. Stormer, A.C. Gossard // Phys. Rev. Lett., 1982, v.48, pp.1559-1563

188. Т.И. Воронина, T.C. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, С.А. Обухов, Ю.П. Яковлев, Свойства электронного канала в одиночных гетероструктурах GalnAsSb/p-InAs // Письма в ЖТФ, 1997, т.23, с. 1-6

189. H. Reisinger, H. Schaber, R.E. Doezema, Magnetoconductance study of accumulation layers on n-InAs // Phys. Rev. B, 1981, v.24, pp.5960-5969

190. М.И. Иглицын, E.B. Соловьева, Электрофизические свойства компенсированного арсенида индия // ФТП, 1967, т.1, с.72-73

191. J.R. Meyer, С.A. Hoffman, F.J. Bartoli, D.J. Arnold, S. Sivananthan, J.P. Faurle, Methods of magnetotransport characterization of IR detector materials // Semicond. Sci. Technol., 1993, v.8, pp.805-823

192. F.F. Fang, A.B. Fowler, Transport properties of electrons in inverted silicon 4 surface//Phys. Rev., 1968, v. 169, pp. 619-631

193. П.С. Копьев, C.B. Иванов, H.H. Леденцов, Б.Я. Мельцер, М.Ю. Надточий, В.М. Устинов, Получение методом молекулярно-пучкой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb // ФТП, 1990, т.24, с.717-719

194. J.R. Meyer, D.J. Arnold, С.A. Hoffman, F.J. Bartoli, Interface roughness limited electron mobility in HgTe-CdTe superlattices // Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, pp.2523-2525

195. J.M. Kuo, B. Lalevic, T.Y. Chang, Molecular-beam epitaxial growth and characterization of pseudomorphic GalnAs/AlInAs modulation-doped heterostructures // J. Vac. Sci. Technol. B, 1987, v.5, pp. 782-784

196. Д.Г. Андрианов, В.В. Каратаев, Г.В. Лазарева, Ю.Б. Муратов, А.С. Савельев, О взаимодействии носителей заряда с локализованными магнитными моментами в InSb<Mn> и InAs<Mn> // ФТП, 1977, т.11, с.1252-1259

197. Э.М. Омельяновский, В.И. Фистуль, Примеси переходных металлов в полупроводниках//М, Металлургия, 1983, 523 с.

198. В.В. Воронков, Е.В. Соловьева, М.И. Иглицын, М.Н. Пивоваров, Аномальный эффект Холла в арсениде индия // ФТП, 1968, т.2, с. 18001808

199. Д.Г. Андрианов, Г.В. Лазарева, А.С. Савельев, В.И. Фистуль, Аномалии эффекта Холла в InSb<Mn> // ФТП, 1976, т. 10, с.568-570

200. А.И. Елизаров, Л.П. Зверев, В.В. Кружаев, Г.М. Миньков, О.Е. Рут, // ФТП, 1983, т.17, с.459-464

201. Э.И. Заварицкая, И.Д. Воронова, Н.В. Рождественская, // ФТП, 1972, т.6, с. 1945

202. H.L. Stormer, R. Dingle, А.С. Gossard, W. Wiegmann, M.D. Sturge, Two-dimensional electron gas at a semiconductor-semiconductor interface // Sol. St. Commun, 1979, v.29, pp.705-709

203. D. Tsui, A.C. Gossard, Resistance standard using quantization of the Hall resistance of GaAs-AlxGa^As heterostructures // Appl. Phys. Lett, 1981, v.38, pp.550-552

204. R. Dingle, H.L. Stormer, A.C. Gossard, W. Wiegmann, // Appl. Phys. Lett, 1978, v.33, pp.665-667

205. D.C. Tsui, R.A. Logan, Observation of two-dimensional electrons in LPE-grown GaAs-AlxGaj.xAs heterojunctions // Appl. Phys. Lett, 1979, v.35, pp.99-101

206. J.C. Portal, RJ. Nicholas, M.A. Brummell, A.Y. Cho, K.Y. Cheng, T.P. Pearsall, Quantum transport in GalnAs-AlInAs heterojunctions, and the influence of intersubband scattering // Sol. St. Commun, 1982, v.43, pp.907911

207. H.L. Stormer, A.C. Gossard, W. Wiegmann, K. Baldwin, Dependence of electron mobility in modulation-doped GaAs-(AlGa)As heterojunction interfaces on electron density and A1 concentration // Appl. Phys. Lett, 1981, v.39, pp.912-914

208. H.L. Stormer, W.T. Tsang, Two-dimensional hole gas at a semiconductor heterojunction interface // appl. Phys. Lett, 1980, v.36, pp.685-687

209. H.L. Stormer, Z. Schlesinger, A. Chang, D.C. Tsui, A.C. Gossard, W. Wiegmann, Energy structure and quantized Hall effect of two-dimensional holes // Phys. Rev. Lett, 1985, v.51, pp.126-129

210. L.L. Chang, N.J. Kawai, G.A. Sai-Halasz, R. Ludeke, L. Esaki, Observation of semiconductor-semimetal transition in InAs-GaSb superlattices // Appl. Phys. Lett, 1979, v.35, pp. 939-941197*. M.P.Mikhailova, K.D.Moiseev, R.V.Parfeniev, N.L.Bazhenov,

211. V.A.Smirnov, Yu.P.Yakovlev, Interface-induced phenomena in type II antimonide-arsenide heterostructures // IEE Proc.-Optoelectron, 1998, v. 145, pp. 268-274198*. V.A.Berezovets, M.P.Mikhailova, K.D.Moiseev, R.V.Parfeniev,

212. К. v.Klitzing, The quantized Hall effect // Rev. Mod. Phys, 1986, v.58, pp.519-531

213. К. v.Klitzing, G. Dogda, M. Pepper, New method for high-accuracy getermination of the fine-structure constant based on quantized Hall resistance // Phys. Rev. Lett., 1980, v.45, pp.494-497

214. Y. Guldner, J.P. Vieren, P. Voisin, M. Voos, J.C. Maan, L.L. Chang, L. Esaki, Observation of double cyclotron resonance and interband transitions in InAs-GaSb vulti-heterojunctions // Sol. State Comm., 1982, v.41, pp.755-758

215. G.M. Sundaram, R.J. Warburton, R.J. Nicholas, G.M. Summers, N.J. Mason, P.J. Walker, Cyclotron resonance in InAs/GaSb heterostructures // Semicond. Sci. Technol., 1992, v.7, pp. 965-993

216. S.F. Tsay, J.C. Chiang, Z.M. Chau, I. Lo, k-pfinite-difference method: Band structures and cyclotron resonance of AlxGaixSb/InAs quantum wells // Phys. Rev. B, 1997, v.56, pp. 13242-13251

217. A.J.L. Poulter, J. Zeman, D.K. Maude, M. Potetmski, G. Martinez, A. Riedel, R. Hey, K.J. Friedland, Magneto infrared absorption in high electron density GaAs quantum wells // Phys. Rev. Lett., 2001, v.86, pp. 336-339

218. P. Bruelemans, P. Janssen, H. Schets, G. Borghs, J. Witters, Far-infrared study of an InAs-GaSb quantum well // Sol. St. Commun., 1998, v. 105, pp. 513-515

219. И.В. Кукушкин, В.Б. Тимофеев, Прямое определение плотности состояний двумерных электронов в поперечном магнитном поле // Письма в ЖЭТФ, 1986, т.43, с.387-389

220. A. Nazimov, Е. Cohen, A. Ron, В.М. Ashkinadze, Е. binder, Excitons in GaAs/AlGaAs quantum wells containing two-dimensional electron gas // J. Lumin., 2000, v.85, pp. 301-307

221. R.D. Grober, H.D. Drew, J.I. Chyi, S. Kalem, H. Morkoc, Infrared photoluminescence of InAs epilayers grown on GaAs and Si substrates // J. Appl. Phys., 1986, v.65, pp. 4079-4081

222. P.J.P. Tang, C.C. Phillips, R.A. Stradling, Excitonic photoluminescence in high-purity InAs MBE epilayers on GaAs substrates // Semicond. Sci. Technol., 1993, v.8, pp. 2135-2142

223. V.I. Ivanov-Omskii, I.A. Petroff, V.A. Smirnov, Sh.U. Yuldashev, I.T. Ferguson, P.J.P. Tang, C.C. Phillips, R.A. Stradling,

224. Я Magnetophotoluminescence of MBE-grown InSb and InAs // Semicond. Sci.

225. Technol, 1993, v.8, pp.276-282

226. J. Christen, D. Bimberg, Line shapes of intersubband and excitonic recombination in quantum wells: Influence of final-state interaction, statistical broadening and momentum conservation // Phys. Rev. B, 1990, v.42, pp.72137219

227. A. Manassen, E. Cohen, A. Ron, E. Linder, L.N. Pfeiffer, Exciton and trion spectral line shape in the presence of an electron gas in GaAs/AlGaAs quantum wells // Phys. Rev. B, 1996, v.54, pp. 10609-10613

228. М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев, П.С.Копьев, Электролюминесценция квантово-размерных структур на основе гетеропереходов II типа InAs/GaSb //Письма в ЖТФ, 1998, т.24, с. 50-56

229. Щ 227*. Н.Л.Баженов, Г.Г.Зергя, М.П.Михайлова, К.Д.Моисеев, В.А.Смирнов,

230. G.G. Zegrya, M.Yu. Mikhailov, Effect of heteroboundary on the indirect transitions in semiconductor quantum structures // Abstracts of 2nd Intern. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, 20-26 June, 1994, p.100

231. А.Д. Андреев, Г.Г. Зегря, Механизм подавления процессов оже-рекомбинации в гетероструктурах II типа // Письма в ЖЭТФ, 1995, т.61, с.749-754

232. Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря, Температурная зависимость пороговой плотности тока инжекционного гетеролазера// ФТП, 1991, т.25, с. 20192023

233. D.W. Stokes, L.J. Olafsen, W.W. Bewley, I. Vurgaftman, C.L. Felix, E.H. Aifer, J.R. Meyer, M.J. Yang, Type-II quantum-well "W" lasers emitting at A,=5.4-7.3 pm // J. Appl. Phys, 1999, v.86, pp.4729-4733

234. J.T. Olesberg, M.E. Flatte, T.C. Hasenberg, C.H. Grein, Mid-infrared InAs/GalnSb separate confinement heterostructure laser diode structures // J. Appl. Phys, 2001, v.89, pp.3283-3289

235. J.G. Kim, L. Shterengas, R.U. Martinelli, G.L. Belenky, D.Z. Garbuzov, W.K. Chan, Room-temperature 2.5 pm InGaAsSb/AlGaAsSb diode lasers emitting 1W continuous waves // Appl. Phys. Lett, 2002, v.81, pp.3146-3148

236. P. Christol, ME1 Gazouli, P. Bigenwald, A. Joullie, Performance simulation of 3.3 mm interband laser diodes grown on InAs substrate // Physica E, 2002, v.14, pp.375-384

237. R.Q. Yang, J.L. Bradshaw, J.D. Bruno, J.T. Pham, D.E. Wortman, Room temperature type II interband cascade laser // Appl. Phys. Lett, 2002, v.81, pp.397-399

238. С Mermeistein, J. Schmitz, R. Kiefer, M. Walter, J. Wagner, Interband type-II miniband-to-bound state diode lasers for the midinfrared // Appl. Phys. Lett, 2004, v.85,pp.537-539

239. A.Joullie, M.E.Skouri, M. Garcia, P.Grech, A.Wilk, P.Christol, A.N.Baranov,

240. A. Behres, J. Kluth, A. Stein, K. Heime, M. Heuken, S. Rushworth, E. Hulicius, T. Simecek, InAs(PSb)-based "W" quantum well laser diodes emitting near 3.3 pm // Appl. Phys. Lett, 2000, v.76, pp.2499-2501

241. В.А.Соловьев, М.П.Михайлова, К.Д.Моисеев, М.В.Степанов,

242. B.В.Шерстнев, Ю.П.Яковлев, Растровая электронная микроскопия длинноволновых лазерных структур // ФТП, 1998, т.32, с. 1312-1320

243. Дж. Гоулдстейн, Д. Ньюбери, П. Эчлин, Д. Джой, Ч. Фиори, Э. Лифшин, Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ // М.:Мир, 1984, Кн.1, 303с.

244. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, Н.А. Прокофьева, Т.Б. Попова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев, Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растовров InAsSbP // ФТП, 1991, т.25, с.1639-1645

245. В.В. Романов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, К.Д. Моисеев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев, Светодиоды на основе твердых растворов InAsSbP предельного состава для спектрального диапазона 2.6-2.8 мкм // Письма в ЖТФ, 2001, т.27, с.80-87

246. Yu.P. Yakovlev, T.N. Danilova, A.N. Imenkov, M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, O.G. Ershov, V.V. Sherstnev, Mid-infrared diode laser based on III-V compounds for the spectral range 3-4 pm // IOP Conf. series, 1996, v. 155, pp.551-556

247. A. Krier, D.A. Wright, V.J. Ellarby, V.V. Sherstnev, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev, Type II diode lasers based on interface recombination at 3.3 pm // SPIE Proc, 2002, v.4651, pp.193-202

248. K.D. Moiseev, A. Krier, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, Interface luminescence and lasing at a type II single broken-gap heterojunction // SPIE Proc, 2003, v.5023, pp.340-351

249. Ж.И. Алферов, С.А. Гуревич, А.Г. Забродский, Е.Л. Портной, О поляризации излучения в инжекционных гетеролазерах // ФТТ, 1966, т.8, с.1638-1641

250. Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, Е.П. Морозов, Е.Л. Портной, Диагональное туннелирование и поляризация в гетеропереходах AlxGa,. xAs-GaAs и р-п-переходах в GaAs // ФТП, 1969, т.З, с. 1054-1057

251. О.В. Константинов, В.И. Перель, Б.В. Царенков, О причинах поляризации спонтанного рекомбинационного излучения полупроводников типа арсенида галлия в электрическом поле // ФТП, 1969, т.З, с.1039-1041

252. X. Кейси, М. Паниш, Лазеры на гетероструктурах // Москва, Мир, 1981, 423 стр.

253. Yu. Yakovlev, К. Moiseev, М. Mikhailova, A. Monakhov, A. Astakhova, V. Sherstnev, High power mid-infrared lasers based on type II heterostructures with asymmetric band offset confinement // SPIE Proc., 2000, v.3947, pp. 144153

254. O.V.Andreychuk, N.D.Stoyanov, Yu.P.Yakovlev, Electroluminescence and lasing in type II Ga(Al)Sb/InGaAsSb heterostructures in the spectral range 3-5 pm // Appl. Surf. Sci, 1998, v.252, pp. 257-261

255. Н.Д.Стоянов, Ю.П.Яковлев, Бистабильность электролюминесценции вvf, двойной гетероструктуре II типа AlGaAsSb/InGaAsSb // ФТП, 1999, т.ЗЗ,с. 357-361

256. D. Wu, В. Lane, Н. Mosheni, J. Diaz, М. Razeghi, High power asymmetrical InAsSb/InAsSbP/AlAsSb double heterostructure lasers emitting at 3.4 pm // Appl. Phys. Lett, 1999, v.74, pp. 1194-1196

257. Solov'ev, I.V. Sedova, Ya.V. Terent'ev, A.A. Toropov, M.P. Mikhailova, B.Ya. Meltser, P.S. Kop'ev, Novel hybrid III-V/II-VI mid-infrared laser structures with high asymmetric band offset confinements // SPIE Proc, 2002, v.4651, pp.203-210

258. B.A. Соловьев, И.В. Седова, A.A. Торопов, Я.В. Терентьев, С.В. Сорокин, Б .Я. Мельцер, С.В. Иванов, П.С. Копьев, // ФТП, 2001, т.35, с.431

259. S. Ivanov, S. Sorokin, K. Moiseev, V. Solov'ev, V. Kaygorodov, Ya. Terent'ev, B. Meltzer, A. Semenov, M. Mikhailova, Yu. Yakovlev and P. Kop'ev, // MRS Proc, 2002, v.692, pp.H8.8.1-6

260. С.В. Иванов, К.Д. Моисеев, B.A. Кайгородов, B.A. Соловьев, С.В. Сорокин, Б.Я. Мельцер, Е.А. Гребенщикова, И.В. Седова, Я.В.

261. N. Samarth, H. Luo, J.K. Furdyna, S.B. Qadri, Y.R. Lee, A.K. Ramdas, N. Otsuka, // Appl. Phys. Lett, 1989, v.54, pp.2680-2682