Получение варизонных твердых растворов InSbBi и InAsSbBi методом температурного градиента и исследование их свойств тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Кодин, Валерий Владимирович

• Кодин, Валерий Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кодин, Валерий Владимирович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ.

1.1. Жидкофазные методы получения варизонных эпитаксиальных слоев.

1.2. Физико-химические основы кристаллизации твердых растворов InSbBi и InAsSbBi из раствора-расплава.

1.3. Особенности поведения компонентов и примесей и свойства твердых растворов InSbBi и InAsSbBi.

1.4. Постановка задачи исследования.

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 2. ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ КИНЕТИКИ И ФАЗОВЫХ

ПЕРЕХОДОВ В ПОЛЕ ТЕМПЕРАТУРНОГО ГРАДИЕНТА.

2.1. Фазовые равновесия в гетеросистемах InSbBi и InAsSbBi.

2.2. Управление профилями распределения компонентов в варизонных эпитаксиальных слоях.

2.3. Стабилизация состава эпитаксиальных варизонных слоев при градиентной жидкофазной кристаллизации.

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 3. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ВАРИЗОННЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ InSb,.xBix И InAsi.x.ySbxBiy МЕТОДОМ ГРАДИЕНТНОЙ ЖИДКОФАЗНОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ.

3.1. Аппаратурное оформление процесса получения и подготовка необходимых материалов, методика получения твердых растворов InSbi.xBix и InAsi.x.ySbxBiy.

3.2. Методика формирования жидких зон.

3.3. Прикладные возможности метода градиентной жидкофазной кристаллизации.

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССА РОСТА

ИЗ РАСТВОРОВ-РАСПЛАВОВ И СВОЙСТВА ВАРИЗОННЫХ

СЛОЕВ InSb,.xBix и InAs,.x.ySbxBiy.

4.1. Экспериментальное исследование процесса роста варизонных слоев InSbi.xBix и InAsi.x.ySbxBiy.

Ф 4.2. Влияние условий роста на структуру, распределение компонентов и примесей в эпитаксиальных слоях InSbi.xBix и InAsi.x.ySbxBiy при однократном и возвратно-поступательном проходе жидкой зоны.

4.3. Электрофизические свойства варизонных слоев InSbi.xBix и InAsi-x.ySbxBiy.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение варизонных твердых растворов InSbBi и InAsSbBi методом температурного градиента и исследование их свойств»

Эпитаксиальные структуры из антимонида индия и многокомпонентных твёрдых растворов (МТР) на его основе используются в различных областях электроники[1-5]. Особенности зонной структуры этих материалов позволяют создать ряд приборов, которые не могут быть изготовлены на элементарных полупроводниках[ 1,3-5].

Широкое применение в новых конструкциях оптоэлектронных приборов находят гетероструктуры (ГС) на основе МТР АП1ВУ с координатно зависимой шириной запрещённой зоны (Eg) в т.н. варизонных слоях. Интерес к таким структурам вызван возможностью существенного улучшения параметров оптоэлектронных приборов [1,4-6], в частности, фотоэлектрических датчиков и фотодиодов[3-6]. Наряду с этим и введение висмута в МТР aihbv позволяет эффективно управлять многими параметрами МТР[3,7

4 2 11

17]. Самая высокая подвижность электронов (<7.7-10 см В" с" [18]) и наименьшая ширина запрещенной зоны Eg(T) = 0.24-6-КГ4 -Т2 /(Г + 500)эВ (0<Т<300К)[\9]

Eg(Т) = 0.25 - 2.8 • 10"4 • Г эВ (80<Т<300К)[20]) среди бинарных соединений позволяют значительно повысить пороговую чувствительность и быстродействие фотоприборов на основе изопериодных InSb TP, а также расширить спектральный диапазон

Л» ^ (мкм), т.е. приблизительно 6.1 < Я < 13мкм с учетом упругих Ея(эВ) напряжений [3,12,15].

Технологическим методом получения многих оптоэлектронных приборов на основе МТР a'"bv в силу сравнительной простоты, функциональности и дешевизны является жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ). Однако, несмотря на широкий фронт работ по совершенствованию традиционный методов жидкофазной эпитаксии и разработку новых методов, до последнего времени крайне затруднительно воспроизводимое выращивание совершенных слоев InSbBi/InSb и InAsSbBi/InSb с увеличивающейся шириной запрещенной зоны к поверхности в широком диапазоне толщин. Это связано с основными особенностями распространенных методов ЖФЭ. К ним относятся, например, существенная величина концентрационного переохлаждения в варианте метода ЖФЭ с изотермическим смешиванием расплавов, невозможность осуществления равновесной подпитки при неизотермических условиях пересыщения раствора-расплава и другие.

Перспективным, но для висмутсодержащих гетеросистем изученным еще недостаточно, методом ЖФЭ является градиентная жидкофазная кристаллизация (ГЖК)[3]. Одно из важных преимуществ ГЖК перед другими методами ЖФЭ (помимо изотермичности и квазиравновесности условий на фронте кристаллизации, контролируемости роста, относительно малой величины концентрационного переохлаждения и др.) заключается в том, что перекристаллизацию заданной области кристалла можно при необходимости повторить, не прерывая процесса. Этот вариант ГЖК - способ возвратно-поступательного движения зоны[3,88] - не нашёл, однако, до сих пор применения в связи с его недостаточной изученностью, несмотря на простоту его осуществления и широкие возможности.

К началу выполнения данной работы в литературе имелась информация об эпитаксиальных варизонных слоях (ЭВС) элементарных и бинарных полупроводников, технологии получения и характеристиках приборов на их основе[2-7,21-29]. Эти сведения весьма ограничены для трех- (ТТР) и практически отсутствуют для четырехкомпонентных (ЧТР) TP AinBv. Для висмутсодержащих TP AnIBv, получаемых из растворов-расплавов методами ЖФЭ, подобных сведений практически нет. В связи с этим тема данной работы научно нова и практически значима.

Цель и задачи исследования

Целью работы является теоретическое и экспериментальное исследование ГЖК в варианте возвратно-поступательного движения жидкой зоны применительно к получению варизонных слоев InSbi.xBix, InAsi.x.ySbxBiy и структур на их основе, выяснение возможности контролируемого изменения состава по толщине, проведение комплексных исследований электрических свойств и совершенства полученных слоёв.

Для реализации поставленной цели решались следующие задачи:

- теоретическое моделирование и экспериментальное исследование закономерностей роста ЭС и ЭВС TP InSbi.xBix и InAsi.x.ySbxBiy из расплавов в процессе однократного и возвратно-поступательного движения жидкой зоны;

- анализ распределения компонентов и (пере)распределения примесей в ЭС (ЭВС) InSbi.xBix и InAsi.x.ySbxBiy,

- исследование структурного совершенства и электрофизических свойств полученных варизонных слоев;

- разработка технологического оформления получения ЭВС TP InSbi.xBix и InAsi.x. ySbxBiy методом градиентной жидкофазной кристаллизации (ГЖК);

- разработка практических рекомендаций по оптимизации технологических режимов получения ЭВС InSbi.xBix и InAsi.x.ySbxBiy.

Научная новизна диссертационного исследования

1. Проведено теоретическое моделирование роста варизонных слоев TP InSb/.xBix и InAsi.x.ySbxBiy и ожидаемого распределения компонентов TP и примесей при ЖФЭ (ГЖК) в случае одно- и многократного прохода жидкой зоны.

2. Экспериментально получены зависимости роста варизонных слоев InSbi.xBix и InAs/.x.ySbxBiy от различных факторов в поле температурного градиента.

3. Исследованы структурные и электрофизические свойства полученных ЭС (ЭВС).

4. Исследованы особенности ЖФЭ (ГЖК) для получения ЭВС InSb/.xBix и lnAsi.x. ySbxBiy, разработана оптимальная технологическая оснастка и режимы.

5. Установлены области приложений, где использование ЭВС будет являться эффективным техническим решением.

Практическая значимость

1. В рамках используемого метода получены экспериментальные зависимости роста ЭВС InSbi.xBix и InAsi.x.ySbxBiy от различных факторов при ЖФЭ (ГЖК) при однократном и возвратно-поступательном движении жидкой зоны.

2. Исследованы ожидаемые свойства ЭС (ЭВС) InSbi.xBix и InAsi.x.ySbxBiy, полученных с использованием различных технологических режимов;

3. Разработаны рекомендации по оптимизации оснастки и технологических режимов получения требуемых профилей и совершенства варизонных слоев TP InSbi.xBix и InAs ,.x.ySbxBiy,

4. Результаты работы могут быть использованы для получения ЭВС InSbj.xBix и InAsi.x.ySbxBiy с заданными свойствами и оптоэлектронных приборов на основе антимонида индия.

Достоверность научных положений и результатов исследования

Достоверность результатов обеспечивается использованием хорошо зарекомендовавших себя аналитических и численных методов математики, физики, физической химии, строгой обоснованностью приближений в применяемых моделях описания твердых растворов, использованием чувствительных методов исследования (рентгеноструктурный и рентгеноспектральный анализ).

Основные научные положения выносимые на защиту:

1. Метод градиентной жидкофазной кристаллизации в цикле возвратно-поступательного движения жидкой зоны позволяет получать эпитаксиальные (варизонные) слои, обладающие как прямым, так и обратным концентрационным профилем. При этом возможно получение эпитаксиальных слоев с практически однородным распределением компонентов по толщине слоя путем вариации основных технологических параметров: температуры процесса, градиента температуры, толщины жидкой зоны, вида и состава источника.

2. Согласно результатам рентгеноструктурных исследований, подтвержденным расчетом фазовых равновесий

- твердый раствор InSbi.xBix образуется вплоть 0<х<0,05, при дальнейшем увеличении х резко меняется характер структуры;

- твердый раствор InAsi.x.ySbxBiy образуется при 0<у<0,04; х >0.8.

3. Оптимальные величины переохлаждений при выращивании эпитаксиальных слоев твердых растворов InSb/.xBix и InAs/.x.ySbyBix лежат в интервале 3 -г-25 К.

4. Обнаружено влияние направления движения зон (прямое и обратное) на скорость кристаллизации при прочих равных условиях. Для обратного процесса зависимость скорости от толщины зоны не монотонна и имеет три характерные области: возрастания, убывания и стационарности. Кроме того, обнаружен эффект ускорения зон в определенном диапазоне их толщин на этапе перехода из InSb в варизонные слои. Для прямого движения, а также для х=0 (InSbi.xBix), область убывания не обнаружена, но наблюдается эффект блокировки тонких зон на старте. Область уменьшения скорости обратного движения с уменьшением толщины жидкой зоны обусловлена преобладающей ролью межфазных кинетических эффектов вблизи границ зоны.

5. Добавление висмута увеличивает, а мышьяка уменьшает скорость движения жидких зон при прочих равных условиях.

6. Изменение параметра решетки в указанной области образования твердых растворов (положение 2) близко к линейному, получение существенно упругонапряженных слоев возможно при содержании висмута в твердом растворе более 0,03 мольной доли.

7. Изменение типа проводимости, наблюдаемое для твердого раствора InSbBi, связано с изменением соотношения между основными и неосновными акцепторными и донорными примесями.

Аиробация работы

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Восьмой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморское, ТРТУ, 2002), Международной Научной Конференции «Кристаллизация в наносистемах» (Иваново, 2002), межвузовских научно-технических конференциях, а также на конференциях, совещаниях, семинарах лаборатории физики полупроводников ВИ ЮРГТУ и кафедры физики ЮРГТУ.

Работа проводилась в рамках научного направления, принятого на кафедре: «Кристаллы и структуры для приборов твердотельной электроники».

Достоверность результатов обеспечивается применением проверенных и хорошо зарекомендовавших себя точных и приближенных методов математики, физики, физической химии, обоснованностью приближений в моделях, согласием теоретических и экспериментальных результатов работы между собой и с результатами других авторов.

Публикации и вклад автора

По результатам исследований опубликовано 9 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав и выводов, содержит 131 печатных страниц текста, 59 иллюстраций, 9 таблиц. Список литературы включает 101 наименование.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Кодин, Валерий Владимирович

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Обзор проблематики работы по литературным данным показал, что использование в МТР AHIBV обеспечивает ряд преимуществ - такие, как улучшение морфологической стабильности фронта кристаллизации; уменьшение отклонения состава соединений А3В5 от стехиометрии.

Выбор висмута в качестве компонента, замещающего сурьму в базовом материале -антимониде индия обоснован с точки зрения эффективности формирования заданной энергетической структуры кристалла и управления морфологическими и фотоэлектрическими характеристиками как узкозонных, так и широкозонных МТР. Самая высокая подвижность электронов и наименьшая ширина запрещенной зоны (среди бинарных соединений) у InSb позволяют значительно повысить пороговую чувствительность и быстродействие фотоприемников, созданных на основе твердых растворов, изопериодных InSb, а также расширить спектральный диапазон, что определило выбор объектов для исследования.

Показано, что, так как ввиду особенностей, присущих распространённым методам ЖФЭ, получение с их помощью совершенных ЭС InSbi.xBix и InAsi.x.ySbxBi с обратным профилем в широком диапазоне составов и толщин, затруднительно, данная задача может быть решена методом ГЖК с возвратно-поступательным движением жидкой зоны.

2. Проведено экспериментальное исследование элементов фазовых диаграмм систем In-Sb-Bi и In-As-Sb-Bi (Г«670-750К), непосредственно отражающих связь между составами жидкой фазы и изопериодными с антимонидом индия составами ТТР и ЧТР.

3. Показано, что, используя известные из литературы зависимости коэффициентов распределения компонентов от состава жидкой фазы, невозможно получить удовлетворительное количественное согласование расчетных и экспериментальных результатов. Указанные расхождения определяются необходимостью пересыщения (переохлаждения) расплавов для исключения подрастворения неравновесной подложки антимонида галлия. Экспериментально определенные величины требуемых переохлаждений лежат в пределах 3-^25 К при выращивании ТТР InSbi.xBix (0<*<0,05) ЧТР InAs/.x.ySbyBix (0 <^<0,04; 0.8<ос).

4. Показано, что определенным сочетанием таких параметров, как начальное содержание висмута в зоне, толщина зоны при прямом и обратном проходе, температура процесса и градиент температуры, длина пути, пройденного зоной в каждом конкретном цикле ее возвратно-поступательного движения, и число проходов зоны, можно получить требуемый варизонный или выровненный, однородный на уровне растворимости висмута в твердой фазе с образованием монокристалла при данной температуре концентрационный профиль как по всему объему, так и в части гетероструктуры. Подобный способ может быть использован для получения простейших сверхрешеток.

5. Рассмотрен эффект стабилизации периода решетки, который является универсальным эффектом, в той или иной степени присущим любым TP при гетероэпитаксии на неизопериодических подложках. Необходимое условие его проявления - когерентность границы раздела ЭС и подложки. Показано, что стабилизацию не следует воспринимать как полное отсутствие реакции гетерогенной системы на изменение условий кристаллизации, а лишь как более плавное изменение дилатационного несоответствия в гетероструктуре при изменении состава кристаллизационной среды по сравнению с изменениями, предсказываемыми равновесной фазовой диаграммой.

6. Анализ рентгеноструктурных данных показал, что предел растворимости висмута в твердой фазе не превышает 5 ат. % (InSbBi/InSb) и 4 ат. % - в InAsSbBi/InSb. Жидкая же фаза, обогащенная висмутом до 75-80 мол. дол., является оптимальным компонентом ростовой системы. Проведенные рентгеноструктурные исследования показали улучшение структурного совершенства ЭС TP InSbi.xBix в цикле возвратно-поступательного движения жидкой зоны в поле температурного градиента до третьего прохода включительно. При большем числе проходов ширина и интенсивность дифракционных пиков практически не изменялись.

7. Исследования распределения компонентов твёрдого раствора InSbi.xBix в прямом профиле показывает преимущественное осаждение висмута на расстоянии до 35 мкм от подложки, на котором расходуется до 90% Bi, содержащегося в зоне. Значение градиента ширины запрещенной зоны VEg в диапазоне от 0.1 эВ до ~1.5-104 эВ/см можно регулировать выбором толщины зоны /, получение которой практически возможно без блокировки зоны на старте. Таким образом, задавая толщину зоны, её исходный состав и температуру процесса, можно получить при однократном проходе в процессе ЗГПТ варизонный слой InSb/.xBix требуемой толщины с заданным распределением концентрации InBi, возрастающей в направлении роста, с необходимым градиентом ширины запрещенной зоны. Однако ни при каких вариациях Xеви Т, I при однократном проходе зоны невозможно получить убывающее от подложки распределение концентрации InBi. Расчёты показывают, что такой вид профиля должен всегда наблюдаться, если проводить перекристаллизацию прямого профиля в обратном направлении (см. 2-ю и 4-ю главы).

8. Плотность дислокаций в ЭС TP InSbi.xBix и InAs/.x.ySbxBiy, выращенных из жидкой фазы в поле температурного градиента, в условиях стабильного роста меньше, чем в подложке и, в общем случае, зависит от устойчивости фронта кристаллизации и температурных условий процесса. С увеличением доли висмута до jc<0.04 (ТТР) и у<0.03 (ЧТР) наблюдается некоторое уменьшение плотности дислокаций в стабильных условиях роста. С увеличением доли арсенида в ЧТР дефектность структуры несколько снижается, что объясняется частичным уменьшением деформации решетки.

9. Разработаны практические рекомендации по получению совершенных ЭВС. Особенностью технологии получения МТР на основе InSb является низкая температура плавления антимонида индия, это способствует устранению диффузионной разгонки, но и ухудшает процесс гомогенизации расплава, проводимой в одном технологическом цикле с перекристаллизацией твердого источника. Низкотемпературный режим процесса накладывает ограничение на возможность варьирования температурного градиента (максимальное значение градиента, соответствующее рабочим температурам 690-725К, G=20 град/см). Применение индий-висмутовых зон (до 60% Bi) позволяет немного увеличить градиент температуры (а, следовательно, и скорость роста) до 30 град/см. за счет уменьшения теплопроводности расплава (коэффициент теплопроводности Я£я,<Л,£/и). Поэтому целесообразно разделение этапов гомогенизации и ГЖК. Гомогенизация рекомендуется осуществлять при 850-950К в отсутствие подложек InSb, а рост ГС - при 690-720К. При этом для ЧТР (наличие мышьяка) процесс следует проводить при больших температурах, используя в качестве источника ТТР InAsSb согласно фазовой диаграмме данного твердого раствора (см. литобзор). Рекомендуется применение технологических кассет закрытого типа во избежание активного испарения летучих компонентов (сурьма и мышьяк) и отклонения состава выращиваемых ЭС данных твердых растворов от расчетных. Определение коэффициентов распределения компонентов для специфических условий рекомендуется проводить согласно методике, описанной в главе 2.

Список используемых сокращений

ГЖК - градиентная жидкофазная кристаллизация;

ГС - гетероструктура;

ГФЭ - газофазная эпитаксия;

ЖФЭ - жидкофазная эпитаксия;

ЗПГТ - зонная перекристаллизация градиентом температуры;

ИК или ик - инфракрасный;

КСП - контрольно-следящие приборы;

КТР - коэффициент теплового расширения;

МТР - многокомпонентные твердые растворы;

ОН - области несмешиваемости;

ПТР - пятикомпонентный твердый раствор;

ТВР - температурно-временной режим;

TP - твердые растворы;

ТТР - трехкомпонентный твердый раствор;

ЧТР - четырехкомпонентный твердый раствор;

ЭЖЭ - электрожидкостная эпитаксия;

ЭВС - эпитаксиальный варизонный слой (слои);

ЭС - эпитаксиальные слои; г

AnlBv или А3В5 - полупроводниковые соединения элементов третьей (А) и пятой (В) групп периодической таблицы Д.И. Менделеева.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кодин, Валерий Владимирович, 2004 год

1. Алферов Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. Т.32. № 1.С. 3-19.

2. Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. / пер. с англ. И.И. Ретиной под ред акад. Б.П. Захарчени. М.: Физматлит, 2002. 560 е.: ил.

3. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Благин А.В. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. — Ростов-на-Дону: изд-во СКНЦ ВШ, 2003. 376 е.: ил.

4. Карих Е.Д. Оптоэлектроника. Минск: изд-во БГУ, 2000. 263 е.: ил.

5. Курбатов Л.Н. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра. -М.: Изд-во МФТИ, 1999. 320 е.: ил.

6. Привалов В. И., Тихоненко О.Я. Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках. Минск: Высшая школа, 1981. 391 е.: ил.

7. Андреев В.Ы., Грилихес В.А., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. JI.: Наука, 1989. 310 с.: ил.

8. Фальковский Л.А. Физические свойства висмута. // УФН. 1968. Т.94. №1. С. 3—41.

9. Акчурин Р.Х., Комаров Д.В. Формирование многослойных упругонапряженных гетерокомпозиций методом жидкофазной эпитаксии. I. Теоретические аспекты проблемы и расчетная модель. // ЖТФ. 1997. Т.67. №7. С.42-50.

10. Дейбук В.Г., Виклюк Я.И., Раренко И.М. Расчет зонной структуры твердого раствора InSbBi. // ФТП. 1999. Т.ЗЗ. Вып.З. С.289-292.

11. Акчурин Р.Х., Сахарова Т.В. Получение узкозонных твёрдых растворов InAs/.x. ySbxBiy методом жидкофазной эпитаксии. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 10. С. 16-20.

12. Волошин А.Э., Вермке А., и др. Влияние условий эпитаксиального роста на характер твёрдого раствора, образующегося в слоях InSb<Bi>. II Изв. РАН. Серия Неорганические материалы. 1991. Т.27. № 3. С.451-456.

13. Марончук И.Е., Шутов С.В., Кумоткина Т.Ф. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия из раствора в расплаве висмута. // Изв. РАН. Серия Неорганические материалы. 1995. Т.31. №12. С.1520-1522.

14. Акчурин Р.Х., Акимов О.В. Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAsixySbxBi/InSb: расчет некоторых физических параметров. // ФТП. 1995. Т.29. Вып.2. С.362-369.

15. Акчурин Р.Х., Зиновьев В.Г., Кузъмичева Г.М., Уфимцев В.Б. Кристаллохимический аспект легирования антимонида индия висмутом в условиях жидкофазной эпитаксии. // Кристаллография. 1982. Т.27. Вып.З. С.561-565.

16. Акчурин Р.Х. Сахарова Т.В., Тарасов А.В., Уфимцев В.Б. Эпитаксиальный рост InAs/.x.ySbxBiy на подложках InSb из висмутовых растворов. // Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. 1992. Т.28. №3. С.502-506.

17. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений AMIBV. (Новые материалы оптоэлектроники) Ростов-на-Дону: изд-во РГУ, 1992. 193 е.: ил.

18. Littler С. L., Seller D.G. Appl. Phys. Lett. 1985. V.46. №10. P.986-988.

19. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. / пер. с англ. под ред. Б.И. Болтакса. М.: Мир, 1967. 479 е.: ил.

20. Глазов В.М., Земское B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. М.: изд-во Наука, 1967.

21. Пфанн ВДж. Зонная плавка. М.: Мир, 1970. 366 е.: ил.

22. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974. 540 е.: ил.

23. У ханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977.

24. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987.

25. Овсиенко Д.Е. Зарождение и рост кристаллов из расплава. / АН Украины, Институт металлофизики. Киев: Наукова Думка, 1994. 254 е.: ил.

26. Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. и др. Современная кристаллография (в четырех томах). М.: Наука, 1980.

27. Хеерман М. Полупроводниковые сверхрешетки / пер. с англ. М.: Мир, 1989. 582 е.: ил.

28. Нашельский А.Я. Производство полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1982. 309 е.: ил.

29. Падалко А.Г., Перри Ф.С., Лазарев В.Б. Фотоэлектрические свойства неохлаждаемых детекторов на основе тонких пленок антимонида индия. // Изв. АН РФ. Неорганические материалы. 1994. Т. 30. №2. С. 156-163.

30. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975.

31. Nelson Н. RCA Rev. 1963. V.24. №4. Р.603-605.

32. Алферов Ж.И., Конников С.Г., Никитин В.Г., Третьяков Д.Н. В сб. «Свойства некоторых новых полупроводниковых материалов и приборов». Кишинев: Штиинца, 73, 1974.

33. Никишин С.А., Синявский Д.В. Кристаллизация арсенида галлия из перемешиваемого раствора-расплава при малых (10"3-10"' с) временах контактирования с подложкой. // Кристаллография. 1990. Т.35. Вып.4. С.985-989.

34. Абрамов А.В., Дерягин Н.Г., Третьяков Д.Н. Применение сверхбыстрого охлаждения раствора-расплава в жидкофазной эпитаксии полупроводников. // ФТП. 1999. Т.ЗЗ.Вып.9. С. 1130-1133.

35. Карпов С.Ю., Никишин С.А., Мильвидский М.Г., Портной Е.Л., Фронц К. VI Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Тезисы докладов. 1982. Т.2. С.314.

36. Геворкян В.А., Голубев Л.В., Петросян С.Г., Шик А.Я., Шмарцев Ю.В. Электрожидкостная эпитаксия // ЖТФ. 1977. Т.47. Вып.6. С. 1306-1318.

37. Барчук А.Н., Иващенко А.И., Копанская Ф.Я., Кузьменко Г.С. VI Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Тезисы докладов. 1982. Т.2. С.314.

38. Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых слоев. М.: Металлургия, 1978.

39. Болховитянов Ю.Б., Болховитянова Р.И., Мельников П.Л. В кн. «Процессы поста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок». Новосибирск: Наука, 1975. 4.2. С. 285.

40. Сысоев И.А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных соединений АШВУ: Дис на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. Новочеркасск, 1993.

41. Попов В.П. Неконсервативная жидкофазная эпитаксия полупроводников: Дис. на соиск. уч. степ. докт. техн. наук. Новочеркасск, 1987.

42. Woodall J.M. J. Electrochem. Soc. 1971. V.118. P.l.

43. Woodall J.M. J. Cryst. Crowth. 1972. V.12. P.32.

44. Konagai M., Takahashi K. J. Appl. Phys. 1975. V.46. P.3542.

45. Лозовский В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. М.: Металлургия, 1972. 240 е.: ил.

46. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. -М.: Металлургия, 1987.

47. Материалы, используемые в полупроводниковых приборах / под ред. КХогарта, пер. с англ. под ред. В.П.Жузе. М.: Мир, 1968.350 е.: ил.

48. Goldbery Yu.A. Handbook Series on Semiconductor Parameters / V.l, M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur. London: World Scientific, 1996. P.191-213.

49. Гусейнов A.A., Джуртанов Б.Е., Литвак A.M. и dp. Высокоточный метод расчета диаграмм плавкости в полупроводниковых AinBv системах // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. №12. С. 67-73.

50. Уфимцев В.Б., Зиновьев В.Г., Раухман М.Р. Гетерогенные равновесия в системе In-Sb-Bi и жидкофазная эпитаксия твердых растворов на основе InSb. II Неорг. материалы. 1979. Т.15. №10. С.1740-1743.

51. Jean-Louis A.M., Натоп С. Phys. St. Sol. 1969. V.34. P.329.

52. Jean-Louis A.M., Ayrault В., Vargas J. Phys. St. Sol. 1969. V.34. P.341.

53. Jean-Louis A.M., DuraffourgG. Phys. St. Sol. (b) 1973. V.59. P.495.

54. JoukoffB., Jean-Louis A.M. J. Cryst. Crowth. 1972. V.12. P.169.

55. Раухман M.P., Земское B.C., Харахорин Ф.Ф., Бояринцев П.К., Лаптев А.В., Янкаускас С.М. В сб. «Свойства легированных полупроводников». М.: Наука, 1977. С.62.

56. Peretti Е.А. Trans. AIME. 1958. V.212. Р.79.

57. Peretti Е.А. Trans. ASM. 1961. V.54. Р.12.

58. Свелин Р.А. Термодинамика твердого состояния. М.: Металлургия, 1968.

59. Евгенъев С. Б. Тепловые эффекты фазовых превращений в системах Ga-Sb-Bi и In-Sb-Bi. II Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. 1988. Т.24. №4. С. 546-549.

60. Lee J.J., Kim J.D., Razeghi М. Room temperature operation of 8-12 fjm InSbBi infrared photodetectors on GaAs substrates. // Appl. Phys. Lett. 1998. V.73. №5. P.30.

61. Onabe К Thermodynamics of type Ai.xBxCi.yDy III-V quaternary solid solutions // J. Phys. Chem. Solids. 1982. V.43. №11. P. 1071-1086.

62. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1991. 175 е.: ил.

63. Литвак A.M., Чарыков Н.А. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb. II Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. 1991. Т.27. №2. С.225-230.

64. Булярский С.В., Львов П.Е., Светухин В.В. Влияние кластеризации на процесс плавления полупроводниковых соединений. А3В5. // ЖТФ. 2001. Т.71. Вып.9. С.9-14.

65. Акчурин Р.Х., Сахарова Т.В., Жегалин В.А. Исследование условий формирования гетероструктур InAsi.x.ySbxBi/InSb методом ЖФЭ. // Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. 1995. Т.31. №10. С.1431-1436.

66. Акчурин Р.Х., Жегалин В.А., Сахарова Т.В. Анализ фазовых равновесий в системе In-As-Sb-Bi в связи с жидкофазной эпитаксией твердых растворов InAsj.x.ySbxBiy II Изв. вузов. Сер. Цв. металлургия. 1995. №7. С. 12-16.

67. Stringfellow G.B., Greene Р.Е. Liqued Phase Epitaxial Growth of InAsi.xSbx И J. Electrochem. Soc. 1971. V.l 18. P.805-810.

68. Abrokwar J. K„ Gershenzon M. Liqued Phase Epitaxial Growth and Characterization of InAs,.xSbx and In,.yGaySb on (111) В InSb substrates // J. Electron. Mater. 1981. V.l0. P.379-421.

69. Mullin J.В., Hulme K.F. J. Phys. Chem. Solids. 1960. V.17. P.l and 1961. V.19. P.352.

70. Merten U., Hatcher A.P. J. Phys. Chem. Solids. 1962. V.23. P.533.

71. Казаков А.И., Мокрицкий В.А., Романенко В.Н., Хитова Л. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах. М.: Металлургия, 1987.

72. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. / Собр. избран, тр. JI.: Наука,1975.

73. Чалмерс Б. Теория затвердевания. / пер. с англ. В.А. Алексеева, под ред. д.т.н. М.В. Приданцева. М.: Металлургия, 1968.

74. Физико-химические свойства элементов. Справочник. / под ред. чл.-корр. АН УССР Г.В.Самсонова. Киев: Наукова думка, 1965. 806 с.

75. Глазов В.М, Чижевская С.Н., Глаголева Н.Н. Жидкие полупроводники. М.: Наука, 1967.

76. Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения А3В5: Справочник. М.: Металлургия, 1984. 144 с.

77. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник. / под ред. B.C. Земскова. - М.: Наука, 1978. 197 е.: ил.

78. Orders P.J., Usher B.F. Determination of critical layer thickness in JnxGai.xAs/GaAs heterostructures by X-ray diffraction. // Appl. Phys. Lett. 1987. V.50. №15. P.980-982.

79. Афиногенова M.A., Благин A.B., Благина Л.В., Баранник А.А. Исследование механизмов роста макроступеней кристаллов при градиентной кристаллизации твердых растворов. // Кристаллизация и свойства кристаллов. Межвуз. сб. науч. тр. -Новочеркасск, 2002.

80. Лунин Л.С., Благин А.В., Овчинников В.А., Баранник А.А. Исследование влияния условий кристаллизации в поле температурного градиента на дислокационную структуру висмутидов. // Изв. вузов Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2002. - № 1. - С. 72-76.

81. Селин А.А., Вигдорович В.Н., Ханин В.А. Оценка устойчивости кристаллов при контакте с неравновесной жидкой фазой. ДАН СССР. 1983. Т.271. №5. С. 1174-1178.

82. Вигдорович В.Н„ Селин А.А., Шутов С.Г„ Батура В.П. Термодинамический анализ устойчивости кристаллов соединений AIIIBV в четырехкомпонентной жидкой фазе. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1981. Т.17. №1. С.10-13.

83. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Николаева Е.А. // Изв. АН СССР: Неорган. Материалы. 1975. Т.11 С.7.

84. Лозовский В.Н., Лунина О.Д. Эпитаксия варизонных слоев AlxGa/.xAs в поле температурного градиента // Изв. АН СССР: Неорган, материалы. 1980. Т. 16. №2. С. 213216.

85. Лунина ОД. Варизонные гетероструктуры AlxGa/-xAs/GaAs, выращенные в поле температурного градиента, и их свойства: дис. . канд. ф.-м. наук. Новочеркасск, 1982.

86. Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых кристаллов. М.: Металлургия, 1976, 368 с.

87. Благин А.В. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных гетеросистемах на основе антимонида индия: Дис. на соиск. уч. степ, к.т.н. Новочеркасск, 1996.

88. Акчурин Р.Х. Евгеньев С.Б., Зиновьев В.Г. и др. Гетерогенные равновесия в системах A1" Bv // Электронная техника. Сер. Материалы. 1984. №10. С. 62-65.

89. Москвин П.П., Сорокин B.C. //ЖФХ. 1983. Т.57. Вып.7. С. 1684-1689.

90. Пригожий И., Дэфэй Р. Химическая термодинамика. Новосибирск: Наука, 1966, 509 с.

91. Киреев Е.И. Исследование кинетики зонной плавки с градиентом температуры в системах кремний—золото, кремний—алюминий, кремний—алюминий—золото: Дис. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 1974. 192 с.

92. WernickJ.H. J. Chem. Phys. 1956, V.25. №1. P.49.

93. Чернов A.A. О движении включений в твердых телах // ЖЭТФ. 1956. Т.31. №5. С.709-804.

94. Гегузин Я.Е., Кривоглаз М.А. Движение микроскопических включений в твердых телах. М.: Металлургия, 1971. 344 е.: ил.

95. Вигдорович В.Н. и др. Заводская лаборатория. 1970. №11. С.1350.

96. Фишер КЗ. Статическая теория жидкостей. М.: Физматгиз, 1961.

97. Ioyce R.A., Weaver I.C., Maulc. B.I. J.Electrochem. Soc. 1965. V.l 12. P.l 100.

98. Абдулаев Г.Б., Джафаров Т.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. — М.: Атомиздат, 1980.