Аномалии ионной электропроводности и температурные фазовые переходы в суперионных проводниках семейства Ag/4 Rb I/5 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Деспотули, Александр Леонидович

• Деспотули, Александр Леонидович
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Деспотули, Александр Леонидович

1. ВВЕДЕНИЕ.

2. ЗАВИСИМОСТЬ ИОННОЙ ЭЛЖТРОПРОВОДНОСТИ СУПЕРИОННЫХ ПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ

2.1. Объекты исследования: краткая характеристика

2.2. Суперионные проводники: структура и динамика, фазовые переходы.

2.3. Ионная электропроводность суперионных проводников

2.4. Аномалии ионной электропроводности

2.5. Экспериментальные методы и методики определения ионной электропроводности

2.6. Ионная электропроводность суперионных проводников семейства

2.7. Некоторые задачи физики суперионных проводников. Объекты исследования

2.8. Цель и задачи работы

3. ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ

ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ ЯЧЕЙКИ

3.1. Разработка новой конструкции измерительной ячейки

3.2. Техника изготовления ячейки и ее элементов

3.3. Частотная зависимость модуля импеданса ячеек с

R6 Г5 . Влияние состояния образца на воспроизводимость экспериментальных данных по температурной зависимости ионной электропроводности

3.4. Выводы.

4. ОБНАРУЖЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ АНОМАЛИЙ ИОННОЙ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ В СУПЕРИОННЫХ ПРОВОДНИКАХ СЕМЕЙСТВА

4.1. Экспериментальная установка.

4.2. Экспериментальные методики

4.3. Обнаружение и исследование аномалии ионной электропроводности в Л^^Ь I

4.4. Обнаружение и исследование аномалий ионной электропроводности в К* I

4.5. Обнаружение и исследование аномалий ионной электропроводности в твердых растворах ty4^-*-^5*^5 •

4.6. Обнаружение и исследование аномалий ионной электропроводности в твердых растворах на основе Л^ч К и в .III

4.7. О практическом применении твердых растворов на основе

4.8. Выводы

5. ИНДУЦИРОВАННЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕГЛ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОД В СУПЕРИОННОЕ СОСТОЯНИЕ

5.1. Теоретические представления об индуцированных электрическим полем фазовых переходах в суперионное состояние.

5.2. Экспериментальные данные о влиянии внешнего электрического поля на состояние ряда ионных проводников

5.3. Некоторые задачи физики суперионных проводников

5.4. Цель и задачи работы

6. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ J^^Is И ЛЦаКЛ5 ВО ВНЕШНИХ СТАЦИОНАРНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ НАПРЯЖЕННОСТЬЮ ДО Ю6 В/ М

6.1. Экспериментальные методики и объекты исследования

6.2. Проверка применимости закона Ома для в электрических полях напряженностью до 10^ В/м. Определение характерного времени релаксации температуры образца

6.3. Исследование влияния внешнего электрического поля на поведение ионной электропроводности и температуру суперионных фазовых переходов К15 и

6.4. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Аномалии ионной электропроводности и температурные фазовые переходы в суперионных проводниках семейства Ag/4 Rb I/5»

Актуальность теш. В последние годы интенсивно исследуются свойства полуупорядоченных твердых тел, обладающих высокой ионной электропроводностью (ИЭ). В литературе такие вещества называют твердыми электролитами, оптимальными ионными проводниками, быстрыми ионными проводниками, сверхионными или суперионными проводниками (СИП). Согласно классификации [I] понятия твердый электролит и СИП отличаются. Твердые электролиты - это вещества, в которых ИЭ превышает электронную электропроводность. С позиций физики твердого тела такие вещества являются электронными диэлектриками. Под СИП понимаются вещества, с быстрым ионным переносом, обусловленным определенными структурными свойствами.

Твердые фазы с ИЭ были обнаружены еще в прошлом веке. Однако пристальное внимание они привлекли только в последние 20 лет в связи с потребностями элементной базы техники, которая нуждается в веществах с разнообразными физическими свойствами. В настоящее время исследования в области физики СИП дают имеющую фундаментальное значение информацию об особенностях поведения таких твердых тел, которые находят практическое применение в некоторых областях новейшей техники. Обнаружение новых явлений, связанных с движением подвижных ионов в кристаллических решетках, и использование эффектов, возникающих при электрическом перемещении ионов в твердых слоистых структурах ( микроионика [ 143]), должно привести к расширению этих областей. Работы в области физики СИП имеют также большое мировоззренческое значение, поскольку изменение свойств кристаллов при переходе к данному классу веществ иллюстрирует общую материалистическую идею эволюции и качественных изменений материи

На практике СИП долго не могли конкурировать с жидкостными системами из- за своей%сравнительно малой|ИЭ. Одним из крупнейших достижений в рассматриваемой области стало открытие в 1966 году [2-5] ряда изоморфных кристаллов (М К ) , чья униполярная ИЭ (подвижны ионы) при 300 К сравнима с ИЭ концентрированных водных растворов сильных электролитов и соле -вых расплавов и сочетается с электронно- дырочной электропроводностью,которая характерна для диэлектриков. В литературе сообщалось, что СИП •• .:: •. A^iMls находит практическое применение при серийном изготовлении сверхьемких, до & Ю Ф/см3 конденсаторов- ионисторов,может быть использован в электрохимических пре -образователях энергии и информации [29]. По- видимому,возможны и другие применения СИП семейства J^KGIj

Уникальные физические свойства твердых тел, находящихся в суперионном состоянии, обусловлены одновременным существованием дальнего и ближнего порядков в расположении ионов разных сортов, наличием связной сетки каналов проводимости в структуре,а также сложной динамикой движения ионов [б] . В случае подвижных ионов понятие точечных дефектов не имеет глубокого физического смысла: благодаря большому избытку незанятых кристаллографических позиций и малой высоте потенциальных барьеров ( ^0,1 эВ) .разделяющих позиции, все ионы одного сорта ( ^ Ю^-Ю^см3 ) могут быть разупорядочены и находиться в подвижном состоянии. Такие ионы сильно взаимодействуют 'друг с другом и с остальными ионами, которым можно сопоставить пространственную решетку. Указанные обстоятельства обуславливают возникновение значительных теоретических сложностей при постановке и решении задач физики СИП.

При построении теорий ионного транспорта СИП возникает задача об аналитическом выражении для температурной зависимости (ТЗ ) ИЭ. Ионная электропроводность (#) СИП имеет термоактива-ционный характер. Согласно существующим представлениям [7,8] вне области фазовых переходов (ФП) температурная зависимость ИЭ удовлетворяет соотношению

Т"резср(-Е/к&Т ) , (I.I) где энергия активации Е = const (т) , а параметр р = 1/2 или I (т.е. возможные различия невелики).

Определение ТЗ ионной электропроводности СИП связано с известными экспериментальными трудностями. Высокая ИЭ обуславливает значительный вклад импеданса электродных процессов в экспериментально измеряемый импеданс твердотельных электрохимических ячеек, куда помещают образцы СИП [7] . Как показывает анализ экспериментальных исследований, применяемые ныне способы и методы учета электродного импеданса ( выделения активного сопротивления образца СИП) не позволяют получать такие экспериментальные данные, которые были бы достаточно точны для проверки аналитических выражений,предложенных для описания температурного пове -дения ИЭ.

Проблемы ФП и суперионной проводимости являются ключевыми в физике СИП. Эти проблемы взаимосвязаны, поскольку во многих твердых телах именно при структурных Ш возникает состояние с высокой ИЭ. В течении последнего десятилетия было предложено много моделей ФП, учитывающих структурные и динамические особенности СИП. В рамках этих моделей получен ряд интересных результатов (см., например, обзор [91) .В частности, в [ю] показана возможность существования связи между корреляциями смещений ионов решетки СИП и корреляциями локальной плотности в подсистеме подвижных ионов. В случае возникновения нестабильности в подсистеме подвижных ионов (перераспределений подвижных ионов между кристаллографически и энергетически неэквивалентными позициями разных типов) указанная связь должна привести к структурным изменениям в СИП. Перераспределения подвижных ионов будут тогда происходить особенно быстро в области существования метастабильных состояний. Можно предположить, что нестабильность в подсистеме подвижных ионов должнфроявляться в виде аномалий 13 ионной электропроводности ( отклонений ТЗ ионной электропроводности от (I.I) ) . Возможные причины таких аномалий - . изменение положений энергетических уровней и частот колебаний подвижных ионов в потенциальных ямах. Экспериментальное доказательство существования аномалий ИЭ позволит развить теоретические представления, уточнить механизмы и модели ФП, а также накопить новый фактический материал по связи строения и химического состава с температурным поведением СИП, необходимый для целе -направленного научно обоснованного использования СИП.

ФП 1-го рода в СИП часто сопровождаются температурным гистерезисом в поведении различных физических величин, в частности ИЭ, что указывает на реализацию метастабильных состояний. Только в нескольких работах высказаны предположения о причинах появлений таких состояний в СИП. В этих работах, однако, не были намечены пути экспериментальной проверки высказанных предположений. В этой связи представляется интересной работа [12] , где в рамках феноменологического рассмотрения показано, что скачкообразное изменение параметров решетки и возникающие при этом в твердом теле упругие поля могут существенно определять картину ФП 1-го рода типа беспорядок- порядок. Именно: i) благодаря стрик-ционному эффекту в некоторой окрестности точки ФП (иногда вплоть до границы лабильности) метастабильные состояния не могут разрушаться посредством образования зародышей новой фазы внутри образца (т.н. стрикционная блокировка неоднородного состояния твердого тела) ; 2) ситуация при прямом и обратном ФП может быть различной [при прямом ФП реализуются неоднородные состояния, а при обратном они не возникают) . По- нашему мнению, в условиях стрикционной блокировки перераспределения подвижных ионов , предшествующие ФП, могут приводить к асимметрии температурного гистерезиса ИЭ. Указанная асимметрия может возникнуть за счет отличий в разных температурных модишикадиЁХ аномалий ИЭ и различной степени близости достижимых состояний к границам лабильности.

Согласно [13-15] внешнее электрическое поле ( ЭП) может индуцировать ФП в суперионное состояние, Характеризующееся высокой ИЭ. Следует отметить, что во всех известных случаях (их несколько) переходы в низкоомное состояние, индуцированные ЭП, наблюдались в веществах, где в исходном состоянии наряду с ионной имелась заметная электронная составляющая электропроводности. Однако, как теоретически показано в [14] , в зависимости от соотношения концентраций электронных и ионных носителей тока могут быть различными механизмы ФП, индуцированных ЭП. В то же время, в литературе не описаны эксперименты, в которых стацио

4 fi нарные ЭП напряженностью 10 - 10 В/м и выше создавались бы в объеме образцов СИП с малой электронной электропроводностью. Соответственно отсутствуют и экспериментальные данные о влиянии внешнего ЭП на ИЭ (отклонения от закона Ома) и температуру ФП таких СИП. Причина сложившегося положения, на наш взгляд, заключается в том, что в твердотельных электрохимических ячейках известной конструкции плотность ионного тока в объеме образца СИП лимитируется величиной плотности тока на границе СИП-электрод. В свою очередь, поляризация границы/ и, в этих условиях, разложение слоя СИП сильно ограничивают допустимое значение граничной плотности ионного тока.

К настоящему времени довольно высокая ИЭ обнаружена у многих твердофазных материалов: бинарные и многокомпонентные кристаллы и стекла, стехиометрические и нестехиометрические соединения и твердые растворы. СИП семейства Jl^&Is относятся к одним из самых изученных. Б физике суперионных проводников они являются классическими объектами исследования в том смысле, в каком классическими объектами являются Ge и Si в физике полупроводников или feaTiOj в физике сегнетоэлектриков. Получение оригинальных результатов на подобных объектах всегда имеет большое значение как для развития теории, так и для практических приложений. Поэтому СИП семейства JtyjK&Is продолжают привле -кать интерес исследователей в связи с возможными новыми техническими применениями и решением ряда задач физики СИП. Б лите -ратуре отсутствовали какие- либо сведения о ФП между низкотемпературными модификациями твердых растворов типа ^^Мх I5 (м , М1 =&6,Cs'»K,Ce) . Мы полагали, что данные о поведении ИЭ в этих и в некоторых других твердых растворах, отражающие взаимосвязь строения и химического состава с ИЭ и особенностями ФП, могут помочь раскрыть закономерности и механизмы суперионных ФП, а также дадут возможность построить общую картину низкотемпературных ФП в СИП семейства Aju^Is

Цель работы состояла в обнаружении и исследовании аномальных изменений ИЭ ( связанных с ФП ) , возникающих при изменении температуры, химического состава и напряженности внешнего ЭП в СИП семейства |Ца№15

Б связи с этим необходимо было решить следующие задачи: I. Разработать конструкцию твердотельной, ячейки, позволяющей выявлять и исследовать аномалии ионной электропроводности СИП, а также исследовать поведение СИП с малой электронной электропроводностью во внешних стационарных ЭП напряженностью Ю4- Ю6 В/м.

2. Провести прецизионное исследование 13 ионной электропроводности СИП семейства A^Mls в широких температурных интервалах, а также детально изучить особенности поведения. ИЭ в области температурных ФП I ;

3. Определить ТЗ ионной электропроводности низкотемпературных модификаций СИП семейства А^ДИи ;

4. Исследовать влияние внешнего ЭП на ИЭ и на температуру суперионных ФП р И A^KIg ;

5. Проанализировать полученные экспериментальные данные и провести сопоставление экспериментальных результатов с выводами известных экспериментальных и теоретических работ.

На защиту выносятся следующие научные положения.

1. В изоморфных СИП семейства низкотемпературные ФП р^й 1-го рода имеют разную степень близости к ФП 2-го рода. Степень близости характеризуется шириной петли гистерезиса и величиной скачка ИЭ. Степень близости возрастает при увеличении значений отношения Q средних ионных радиусов атомов щелочных металлов и галогенов. В ФП pi? 8 1-го рода весьма близки к критической точке, где происходит смена рода ФП, а в А^К15 имеют место хорошо выраженные ФП 1-го рода.

2. Низкотемпературные Й-модификации и А^К 15 устойчивы в сильных внешних ЭП и неустойчивы относительно изменений химического состава (морфотройная суперионная неустойчивость) .

3. Аномально быстрое изменение ИЭ возникает за десятки градусов от областей ФП 1-го рода Aqa^Is и А$аК Is р , и » ).

Научная новизна. В работе впервые: - обнаружено неизвестное ранее явление асимметричного температурного гистерезиса ИЭ и установлена связь асимметрии ТЗ ГО в области ФП Я СИП семейства Is с величиной отношения 0. ;

- обнаружено закономерное изменение характера ТЗ ИЭ (Т < 122 К) при изменении О. в твердых растворах Гs и установлено существование критических точек на фазовых диаграммах х - Т

А^Дб^Лз И А^Дб се* ;

- показана возможность морфотропной суперионной неустойчивости ;

- показана возможность возникновения в СИП аномально быстрого изменения ИЭ за десятки градусов от областей ФП 1-го рода ;

- показана возможность исследования поведения СИП с малой электронной электропроводностью во внешних стационарных ЭП напряженностью

A ft до 10-10 В/м (проверена выполнимость закона Ома и получены оценки влияния поля на температуру суперионных ФПЯ-*^ A^^Is и A^KI5)j

- показана эффективность экспериментальной методики, заключающейся в том, что при изучении аномалий температурной зависимости ИЭ в СИП исследуется температурное поведение производной в

-к6Т)~1 широких температурных интервалах ;

- показана возможность использования СИП с асимметричным температурным гистерезисом ИЭ в качестве терморезистивных материалов ;

- установлено существование высокой ИЭ при Т < 120 К (рекордно высокие значения 8) в твердых растворах h<^M{-1(Cs1cls , полученных методом твердофазной реакции ;'

- разработана оригинальная конструкция твердотельной измерительной ячейки (а.с. 940037 )

- показана необходимость введения новых терминов таких, как асимметричный температурный гистерезис ионной электропроводности и морфотропная суперионная неустойчивость (термины введены автором в работах [23,24] ) .

Практическая ценность. Диссертационные исследования являются частно НИР, выполняемых на кафедре математического анализа Ростовского госпединститута по проблеме: "Приложение математических методов к решению некоторых задач теоретического и прикладного естествознания" (тема № ГР 79049991). Эти исследования являются также частью работ, выполняемых на кафедре технологии электрохимических производств Новочеркасского политехнического института в соответствии с т^ой НИР (№ IP 77073060).

Практическое значение работы состоит в разработке методик и экспериментальных средств, которые позволяют выявлять весьма слабые аномалии 13 ионной электропроводности СИП и проводить исследование поведения СИП в некоторых экстремальных условиях: малые размеры образцов (обьем 10~® см®)' малое характерное время теплообмена образца с окружающей средой 5*10"^ с), сильные (до 10® Б/м ) стационарные ЭП в объеме образцов с малой электронной электропроводностью. Б работе показана возможность использования твердотельной ячейки с конструкцией по а.с. 940037 в качестве переключателя, у которого электрическое сопротивление рабочего элемента - СИП, находящегося вблизи области температурного суперионного ФП, может быть изменено на 1-2 десятичных порядка за счет теплового разогрева электрическим током.

Обнаруженные в работе особенности ТЗ ионной электропроводности твердых растворов на основе А^ К. 15 указывают на возможность использования этих СИП в качестве терморезистивных материалов, удельное сопротивление которых вблизи 140 К может обратимо изменяться, примерно, в 10 раз при изменении температуры на I К.

В работе установлено, что в интервале температур 90-120 К твердые растворы ^Д^ЛС5Х15 (сс - 0,2), полученные методом твердоФазного синтеза, имеют наиболее высокую ИЭ ~ среди всех других известных стехиометрических СИП. Эти твердые растворы могут найти применение при изготовлении приборов и устройств, предназначенных для работы в области температур 90-120 К.

Обнаруженная в работе возможность управления величинами скачков и шириной петли гистерезиса ИЭ, вплоть до получения вблизи критической точки плавного и безгистерезисного изменения ИЭ, открывает перспективы практического использования СИП семейства hfy^Is в различных областях приборостроения.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на Ш Уральской конференции по высокотемпературной физической химии и электрохимии (Свердловск,1981), на У1 Всесоюзной конференции по физической химии и электрохимии ионных расплавов и твердых электролитов (Ленинград,1983). Основные результаты обсуждались также" на кафедре технологии электрохимических производств №1 (1980-1984), на объединенном семинаре кафедры физики полупроводников и отдела полупроводников НИШ, в теоретическом отделе НИИФ (Ростовский госуниверситет, 1983), в Ногинском научном центре АН СССР (Институт физики твердого тела, Институт новых химических проблем, Отделение■института химической физики, Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов, 1983-1984 ) , в отделе физики полупроводников Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе АН СССР (1983), в лаборатории колебаний института . общей физики АН СССР (1983).

Публикации и вклад автора. По результатам диссертационных исследований опубликовано 10 печатных работ и получено I авторское свидетельство на изобретение (см. [16-25,160]). Основные результаты диссертации получены лично автором. В [16] : Деспотули А.Л. выдвинул и обосновал идею работы, принял основное участие в разработке

ID формулы изобретения, поставил эксперимент, составил текст описания изобретения; Кукоз Ф.И., Коломоец A.M. и Ущеповский А.А. приняли участие в уточнении значений параметров, фигурирующих в отличительной части формулы изобретения. Б [17] : Деспотули А.Л. выдвинул и обосновал идею работы, принял участие в разработке методики эксперимента и получил экспериментальные данные, составил текст работы; Кукоз Ф.И. корректировал ход исследования; Авдеев Н.Я. принял участие в обосновании методики эксперимента. Б [18-23J : Деспотули А.Л. выдвинул и обосновал идеи работ, получил экспериментальные данные, написал тексты работ; Кукоз Ф.И. принял участие в обсуждении резуль татов. Работы [24,25] выполнены лично Деспотули А.Л. В [160] : Деспотули А.Л. выдвинул и обосновал идею работы,синтезировал образцы методом твердофазной реакции, получил экспериментальные данные по поведению ИЭ образцов при Т< 300 К,составил текст работы; Личкова Н.В. и Загороднев В.Н. синтезировали образцы методом зонного плавления и измерили ИЭ при Т = 300 К; Кукоз Ф.И. принял участие в обсуждении результатов работы.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения (в котором обсуждается актуальность темы, сформулированы цель и задачи исследования, научные положения, выносимые на защиту, указаны научная новизна и практическая значимость полученных результатов, показаны апробация работы, публикации и вклад автора), пяти глав (выводы в конце каждой главы) и заключения, в котором дана общая характеристика работы и приведены общие результаты и выводы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Деспотули, Александр Леонидович

7. ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОД!

Настоящая диссертационная работа является экспериментальным исследованием в области физики СИП. Работа преследовала двоякую цель. Во-первых, была сделана попытка выявить связь ИЭ, которая для СИП является важнейшей физической характеристикой, с особенностями температурных ФП (во многих случаях именно посредством ФП достигается суперионное состояние, характеризующееся высокой ИЭ") . Факт существования указанной связи может быть важен для понимания природы ФП в СИП и решения проблемы суперионной проводимости. Здесь, по-видимому, полезно провести аналогию с ФП в сег-нетоавктриках, которым, как известно, предшествует быстрое изменение статической диэлектрической проницаемости. Во-вторых, в связи с появлением ряда работ, в которых делается вывод о возможности индуцирования внешним ЭП фазовых переходов в суперионное состояние, представлялось интересным и необходимым получить экспериментальные данные о поведении ИЭ суперионных проводников с малой электронной электропроводностью во внешних стационарных ЭП напряженностью 104-106 В/м. Такие данные в литературе отсутствовали, а они могли бы прояснить не вполне ясную ситуацию, относящуюся к индуцированным ЭП фазовым'переходам. Помочь ,например выявить у СИП с различным соотношением концентраций электронных и ионных носителей тока различие в' механизмах указанных ФП. Следует также отметить, что в случае СИП с малой электронной электропроводностью применимость закона Ома в ЭП напряженностью I04

Ю6 В/м не была подтверждена экспериментально.

В качестве объектов экспериментального исследования наш были выбраны СИП семейства А^ч № Is , имеющие в температурном интервале 122-400 К рекордно высокую ИЭ, что очень важно для практических приложений. СИП семейства интенсивно исследуются уже, примерно, в течение 15 лет и являются в настоящее время одними из наиболее хорошо изученных. Вместе с тем, какие-либо тонкие или специфические особенности поведения ИЭ, которые можно было бы сопоставить с особенностями температурных ФП суперионных проводников ( предсказываемых в теоретических работах ) в предшествующих исследованиях не были выявлены. Поэтому новый фактический материал, полученный в работе, должен оказаться полезным для дальнейшего развития теоретических представлений.

Для получения точных экспериментальных данных по ТЗ ионной электропроводности и. для создания в объеме образцов СИП с малой электронной электропроводностью сильных стационарных внешних ЭП необходимы соответствующие экспериментальные средства - твердотельные электрохимические ячейки. Многое зависит также от пра -вильного выбора методик измерения ИЭ и методик обработки экспериментальных данных. В литературе не были описаны специальные конструкции твердотельных ячеек, которые соответствовали бы цели и задачам, поставленным в диссертационной работе. В связи с этим была разработана новая конструкция твердотельной ячейки ( а.с. 940037], и отработана техника ее изготовления. С помощью ячеек такой конструкции получено большинства экспериментальных результатов работы.

При выявлении сравнительно слабых аномальных изменений какой-либо физической величины полезным является исследование поведения производной этой величины при изменении независимой переменной в достаточно широком интервале. Такой подход применим и является стандартным в тех случаях, когда точность эксперименталь* ных данных достаточно высока. В настоящей работе впервые (для случая СМ ) исследовано в широких температурныфнтервалах поведение ТЗ производной с|и(б'т)/а(-к»тум z ^ , которая (согласно существующим предетавлениям ) вне области ФП суперионных проводников должна быть постоянной или. слегка возрастать при повышении-температуры.

В работе получены следующие ооновные результаты, и выводы ;

1. Обнаружено, что аномально быстрое изменение ионной электропроводности возникает за десятки градусов от областей температурных фазовых переходов ^*- р , р —* X и —, f^V A^KXs .

2. Обнаружено неизвестное ранее явление, которое заключается в том, что скачек ионной, электропроводности при суперионном фазовом переходе значительно меньше скачка ионной электропроводности при обратном фазовом переходе (асщмегричный .температурный гистерезис ионной электропроводности в твердых растворах на основе

А^а К I s ) . Показана связь асимметрии температурной зависимости ионной электропроводности с величиной отношения средних ионных радиусов атомов щелочных металлов и галогенов в кристаллах семейства 'Ад^Шs ♦ Дано объяснение обнаруженного явления»

3. Обнаружено закономерное изменение характера температурной зависимости ионной электропроводности (Т < 122 К) при изменении концентрации цезия в твердых растворах Ахлора в твердых растворах А^ДШ* Установлено существование 1фитичееких точек на фазовых диаграммах X - Т A^R^Cs Д5 и

Полученные результаты цодтверадают предположение автора о том, что нищо.^емпературнце фазовые переводы р^Х 1-го рода в суперионных проводниках семейства A^a^Xs имеют разную,степень близости к фазовым переходам 2-го рода. Степень близости возрастает при увеличении отношения средних ионных радиусов атомов щелочных металлов и галогенов. В fyMls фазовые переходы 1-го рода весьма близки к критической тощее, где происходит смена рода фазовых переходов, а в A^KIS имеют место хорошо всаженные фазовые переходы 1-го рода.

4-. Впервые исследовано поведение суперионных проводников с малой электронной элещопррводностью во внеших стационарных электрических: полях нащ>яженно.стъю. до I06 В/м. В . поле- « IQ5 В/м отклонение ионной,электрощоводности от закона Ома у -если.и:имеет место, то не превышает;# 10%. В ноле 104-10? В/м отклонение ионной электропроводности от закона Ома у X -A$<,Kls если и имеет место , то не превышает # 10%. У Ас^К 15 смещение области.фазового перехода в поле если и имеет место, то не превышает Ю""3 К при напряженности поля « 5? Ю4 В/м и «0,5 К при напряженности # Ю6 В/м. У A^Rfel^ смещение области фазового перехода в поле напряженностью # Ю5 В/м не превосходит; £ 5*10"^ ^Данные о влиянии электрического поля на температуру суперионных фазовых переходов A^Rfclg- и не противоречат оценкам,. которые можно сделать, на, основании результатов известных теоретических работ, исходящих: из возможности появ-ленияв ионном кристалле шщуцированных полем дипольннх моментов р, уменьшения энергии. образования междоузельного иона на величину рЕ и понижения, вследствие этого, температуры фазового перехода на величину

5. Обнаружена возможность изменения ионной электропроводности кристаллической модификации в 10-1000, раз щ>и замещении 1% ионов тела (морфотропная суперионная неустойчивость в t -модификациях кристаллов семейства A^R&Is) .

6. Разработаны новые методики выявления и исследования аномалий температурной зависимости ионной электропроводности и исследования поведения ионной электропроводности суперионных цроводни-ков с малой электронной электропроводностью во внешних стационарных электрических полях-напряженностью до ^ I06 В/м. Разработана оригинальная- конструкция твердотельной измерительной ячейки (а.с. 940037).

7. Показана возможность использования суперионных проводников с асимметричным температурным гистерезисом ионной электропроводности в качестве терморезистивных материалов (новый класс тер-морезистивных материалов с обратимым по, температуре температурным коэффициентом сопротивления [рекордно большие значения]].

8. Установлено существование высокой ионной электропроводности цри Т< 120 К (рекордно высокие значения) в твердых растворах A^R&t-jcCsД$-, полученных методом твердофазной реакции.

9. В работе введены новые термины: асимметричный температурный гистерезис ионной электропроводности, морфотропная суперионная неустойчивость.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Деспотули, Александр Леонидович, 1984 год

1. Science, <967, tf. <5 7, p. 305-310.

2. Укше Е.А., Букун Н.Г. Твердые электролиты.- М.: Наука , 1977.- 176 с.

3. Pardee W. J.y Макай, G-.Я). disorder and conic potarons in, solid etldrotytes. ~ J. Solid Stale Che^., ^75 } V. 15 , p. b\0-32*t.

4. Гуревич Ю.Я., Харкац Ю.И. Особенности термодинамики суперионных проводников.- УФЕ, 1982, т.136, № 4, с.693-728 .

5. Барьяхтар В.Г., Витебский И.М., Яблонский Д.А. Особенности образования зародышей в твердых телах вблизи критических точек фазового перехода.- ФТТ, 1981, т.23, № 5,с. I448-1455.

6. Валюкенас В.И., Орлюкас А.С., Сакаяас А.П., Миколайтис В.А. Влияние внешнего электрического поля на электропроводность кристаллов фТТ, 1979, т.21, № 8,с. 2449-2450 .

7. А.с. 940037 (СССР). Ячейка для измерения температурной зависимости электропроводности твердых электролитов „Ф.И. Ку-коз, А.Л. Деспотули, A.M. Коломоец, А.А. Ущеповский

8. Опуб. в Б.И., 1982, В 24, с. 231.

9. Кукоз Ф.И., Деспотули А.Л., Авдеев Н.Я. Температурная зависимость ионной проводимости ^ .-В кн.: Тез. докл. Ш Уральской конференции по высокотемпературной физической химии и электрохимии. Свердловск, 1981, с. 213 .

10. Кукоз Ф.И., Деспотули А.Л. Температурная зависимость ионной электропроводности ^ ^ Известия СКНЦ ВШ, сер. Естеств. науки , 1983, № I, с. 72-74.

11. Кукоз Ф.И., Деспотули А.Л. Аномалии ионной электропроводности и температурные фазовые переходы А^R6в кн.: Химические источники тока. Новочеркасск, Изд. НПИ, 1982 , с. 106-109 .

12. Кукоз Ф.И., Деспотули А.Л. Аномалии ионной электропроводности и температурные фазовые переходы A^R&Is ФТТ , 1982, т.24, №8, с. 2491-2492.

13. Деспотули А.Л., Кукоз Ф.И. Аномалии ионной электропроводности и температурные фазовые переходы (М = к,МО

14. В кн.: Тез. докл. УШ Всесоюзн. конф. по физической химии и электрохимии ионных расплавов и твердых электролитов. Ленинград, 1983, т.Ш, с. 59-60.

15. Кукоз Ф.И., Деспотули А.Л. Ионная электропроводность и разрушение метастабильных состояний в суперионном проводнике

16. К 15 в нн. Химические источники тока. Новочеркасск, Изд. ИЛИ, 1983, с. 40-46.

17. Кукоз Ф.И., Деспотули А.Л. Ионная электропроводность и разрушение метастабильных состояний в суперионном проводнике

18. A^Klg .-ФТТ, 1983, т.25, F7, с.2187-2188 .

19. Деспотули А.Л. Ионная электропроводность и фазовые переходы в A^R&<-*CsxIs .- ФТТ, 1983, т.25, й 10,с. 3155-3157 .

20. Деспотули А.Л. Ионная электропроводность твердого электролита A^Rfels в области р"—"И фазовых переходов.- В кн.: Тез. докл. У1 Всесоюзн. конф. по электрохимии. Москва , 1982, т.Ш, с. 198.

21. Атовмян Л.О., Ткачев В.В., Пономарев В.И., Укше Е.А. Исследование кристаллической структуры суперионного проводника А^в температурном интервале -45 -г 135 °С.-S. структур, химии, 1979, т.20, № 5, с.940-942.

22. Uliiiask v., muJortKcwft hi. Аи order-disorder theory oj Cu&Cc -trigonal phase. tranbiilou. ih a «buperuowi-c- conductor R.6A^IS

23. Pfu.*.5o6.3pn,., WZ.,0.51, л/а, p. 497-501.

24. Чеботин B.H., Перфильев M.B. Электрохимия твердых электролитов.- M.: Химия, 1978.- 312 с.

25. Загороднев В.Н., Личкова Н.В. Получение твердого электролита i&A^Is из расплава при направленной кристаллизации.-Изв. АН СССР, сер. Неорган, матер., 1983, т. 19, № 6,с; I03I-I033.

26. Мищенко А.В., Иванов-Шиц А.К., Гоффман В.Г., Боровков B.C. Выращивание и свойства монокристаллов твердого электролита

27. RGA^ls .II.- Электрохимия, 1977, т. 13, Jfc 12, c.I858-1859 .35. btniU SiIver Mansion in kc^la-conductCoit^ solid electro-tfarJ. AppC- Ptys.,466*, p. Чоъ<ь-Ноь&.

28. Кукоз Ф.И., Коломоец A.M., Швецов B.C. Проводимость поликристаллического твердого электролита Rfe . II. Измерение электронной проводимости.- Электрохимия, 1977, т.13, й I, с.92-95 .

29. Вершинин Н.Н., Дерманчук Е.П., Дукун Н.Г., Укше Е.А. Импеданс ячеек с твердым электролитом .-Электрохимия, 1981, т.17, № 3, с.383

30. ScUte Н. iuKer V. Н. Stuctij of ionic. conductors x-io^ c^d neutron olifjraciCoH.-'Do^ol State Ionics, A931, 0.5, p. k\-A6.gg Caua "SK-Huse oc- ta^ and neutron scattering studies j-cx^i Сои. conductors.- GoCcd State Ionics, 0.5, p. 47- 52.

31. Парсонидж H., Стейвли Л. Беспорядок в кристаллах. ч.1.-М.: Мир, 1982.- 434 с.

32. SUteus Bo^ce, l.fc. tVUkKeUen TJ.C. R$T bodies, O^- -fcWe Supgfiomc conductor RfeA^Ts usfug EXAFS.- "bo-tcd Sbxte Co^^un.^ 4979, 0.5-1, tig, p. SbS

33. С-аШ^сГ Ъ. A.,KCein, Ш. 0. Raman, -scatter^ &tac*te<=> in so€cd еЫго^ъ of the Ubfrls -famigg. Р^б. Re0.,B, 1979, p.Azsi48. бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл полупроводник и его применение.- Л.: Наука, 1979, 1Й с.

34. SKetrtcli/ W., Gtlbzi Т., Ре$ске1 Г. Scattering ol, (i^Wt and neutrons Си, a илосМ for supertoniC/ conductors. zE. Pk^K , £>, 1973, 0.29,л/ f, p. 5-12.

35. Bogse Hu^erwan &. A- Superionuc conductors : transitions , structure , d^amtcs. Rept., 1979, i). 51, V 4, p. - 265.

36. Саламон М.Б. Фазовые переходы в ионных проводниках.

37. Б кн.: Физика суперионных проводников. Рига, Зинатне , 1982, с. 224-253 .

38. Looser н., ЬгСиК 1маии Я., taalv'M., Rose, D. The, interdependedwwbiU dud bkahioMry Low 1И RfeA^ly Си л/MR cnoe<bti-<jatCon,.- Siait Ionic*, л/ 5, p. 4S5-48&.57. ^apiro m., д/еикш scatter^ <>tuclij tke.

39. H., Gordon /Ц Steiniti f-n.O., Wei£ ft. Апо*лл1ои<ьexpansion/ ptase, transition Ag^Rfcls.— ЗДб Comwlm,. , 14H , 0.40, a/3, p. ZSb-ZSH.

40. WKcforitawa Is^tGaslu К Termat expansion сf л super lohtc conductor Is crystal at "temperature*.

41. J. Php. 6c*. i). W, fliZ, p. 3S37-3S35.

42. Андреев B.H., Гоффман В.Г., 1>рьянов А.А., Захарченя Б.П., Чудаовский Ф.А. Температурный гистерезис и скрытая теплота при фазовом переходе 208 К в суперионном проводнике RfeA^ly.-Письма в ЖЭТФ, 1982, т.36, й 3, с.61-63.

43. Сахненко В.П., Таланов В.М. Деформационные фазовые переходы в кристаллах кубических классов. Деформации сдвига.- ФТТ, 1980, т.22, № 3, с.785-792 .

44. G-Af С»-piai sWW of the. Solid dectro^fc, R&A34I5.-'эссеисс , 0. <57, p- 3<2.64. (jefttr Low Wptraturfc p^ts of the sottd cMro^fo PU^s. b, <976, 0.14, p. 4*45-4*55.

45. Наплои, M. Ь. JaU-Tethr- Uu y*oi<L 20S-K pUse Wn<bitсок/ Си tU etalrotyto Rft^Is. Pla^. Reo., b, 4977,0.15, ti-h, p. 22Ъ6 22.^.

46. Иванов-Шиц А.К., Боровков B.C., Мищенко А.В., Гоффман В.Г. Электропроводность и фазовые переходы в твердом электролите

47. Uk^ls .- ДАН СССР, 1976, т.228, 1Ь 6, с.1376-1379.

48. О'Rtitt»| m.6. A pNenomewoCo^ica^ thco^ ft>ir сои-Сс. eonducttoit^ in SoCcdt eWro&jtes,- Q, <<31S, 0. p. MM-^e.

49. HosUo 5., SelCuvna T,; Puju V. Existence o{ tk order-p^e in ЬиреЛои'к: conductor ApSI-- 3. Soc. Jpn., , ,v2, p, ws-m.

50. Kawatoura 5kimoji YYl.} Ionic iian$X)irt Си . Sofrd Sfctfe Ionics, <951, 0.3, p.70. ^OHfl Т., krodwln, m., Shrider Юле Ошвлг J. Г- Ionic Conduction and -die^etrce- reparation, of tUe superiomc conductor AgzHgl^.ioU Яак Ionics, Ш4, 0. 3,лМ , p. 55-56.

51. Стефанович С.Ю., Калинин В.Б. Ионная проводимость сегнето-электрика .- ФТТ, 198Г, т.23, № II, с.3509-3511.

52. Баранов А.И., Шувалов Л.А., Шагина Н.М. Суперионная проводимость и фазовые переходы в кристаллах И n^sHS&он Письма в ЖЭТФ, 1982, т.36, с.381-384 .

53. Ftym. С. P. a^uiion and cortdactco^ Cva suptrtowvG сWiacW. W tou -tianspoft Cw 6MrocUs and eiaetro^Us. Proc. Conf. ,

54. UU Geneva, Wcsc., ь!ы fttfk xe-a. p. SS<b-5(>J>.

55. Hice Rollv W.L. Ionic Transport in <ы*рег tonic conductors: A ttaor<>tica& улоЫ.~ "3. Ялс( <btaU С^еги. , >1972, 0.4 , V 2)p. я^-мо.

56. НчЬегплаи В.А., беи P.AT. ^рвизд of a superiomo слиЛисЬг.- PKjjs. ftea. Uei, «74, о. i* , а/аъ,p. IVH> А ъ&г.7A bruesck P. bira^erS.yldHzjcHX. Ргвцдеис^-2kpen<Un£i d • j .couetttciiJ^jj and die&ctrte ^nctcoa o^ supeaomo conductors.

57. Fu^lce K.^^avWc cc^e Cftett : co^pa fcetu/eew,awcl ol-A^I. Past ion, transport to «fcectrode* a*diMro^tc*. Proc. iKt.CDv.^., LaKe Gc^eoa, \A/csc., Ш9, Л/ew York ,e.a. ,4979, p. 609-612.

58. Wong Т. 7 fcrodwUv №. SKeGecbic relocation, pUewowvtwa

59. AssotiaWl witL koppifcg >5' lonte conWUoH. SoCU ^bte Commune, «80 ,0. Ьб , p. £05 -50$.

60. Iskci Т. Theory of Conic conductio^ in s otieL die. ct routes. -Sofcfll State То^Ссб, a/4, p. 25-27.

61. SHeterCdt, W. Theory °f ki^U, L-onic conductivity Ы Sc&cds."

62. ЪсШ Siate lonicb , O.S p. 21-26.

63. BrucUer H.J.} Hoemer H., UnruL H.&. Condnctioi-^ of-the so&dvjte R&A^Is lv\ -the. miCroujq.Ce retjCow. в-U-te Oowmun,,19*4, 0.49, a/2, p. m-<Si.

64. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела.- М.: Наука, 1978.- 792 с.

65. Jacohoyi S., N'dian Д., Ratner Щ, Charge earrter coirreXatcoiAS •framework so&d e&etro^fcs. Io^cs,0. 5", p, <2.5 123.

66. A<^t fni?cect cr^tats 3. РИ^. Chew,okdi, 49S2, 0.45, A/ 8, p- Ш-llt.

67. Укше E.A. Объемное и поляризационное сопротивление твердых электролитов.- Москва, 1977.- Рукопись представлена редколлегией журнала Электрохимия. Деп. ВИНИТИ 21.07.77,3014-77 .

68. Грилихес-М.С., Филановский Б.К. Контактная кондуктометрия: Теория и практика метода,- Л.: Химия, 1980.- 176 с.

69. TakataeWl Т., Yavwaiwcffco 0., Ikeda 6>, £tzotricab conductCol^ o^ toCicl didrotyil ( xl) on RSA^Ts.-Юел»1с1 kagaku, 4969, 0.Ь7, aM2,p. tkh- 847,

70. Кукоз Ф.И., Коломоец A.M., Выборнов В.Ф. Измерение контактного сопротивления границы раздела электрод твердый электролит МАфД® Труды Новочеркасского политехнического института, 1976, т.322, с.78-83 .

71. Bradfeg Lb., Мипго Я),С., Mi Тk properhes cWuc-icuj iodides, ai к'ф pressure and fempernWe. 1. fcMrtcat prop^rtces. — tewpeirobfts Hi^lv Pressures., WW, о.{, а/p. 4оъ ioa.

72. Owa^ 6.6. , Ar^ue, & Hi^k coudncicoi^ «ьоЫ е/eciro^te- s^e-U™ HI Ajl. - Л. еСм^госЖгю. Soc.,1970, «Ш, a/?, p. 598-^00.

73. P^kasfv VadaO R.A., Chandra 6. Studies on cat Со киса^ц disordered compounds. Ц. £?ectrica£ eoududioi^ and dLtfadric, constant of KA^Is. Pfoc. Alud. Pkys.and So&d Sbte Pkijs. S^p., , 1972, O.M.C, S.4, <*72; p. -46S.

74. Е!укун Н.Г., Михайлова A.M. Импеданс границы Дд /ИЬА^ I5 .Электрохимия, 1973, т.9, №12, с.1872-1874.103. h^tratun and pressure on conductance of solid didrotytz , J- Cliew. (915, 0. 20, /М, p. 356 559 .

75. Иванов-Шиц А.К., Боровков B.C. Использование электродов из сусального серебра для измерения проводимости монокристаллов твердого электролита .- Электрохимия, 1975, т* II, В 9, с.1451 .

76. Иванов-Шиц А.К., Боровков B.C. К вопросу о природе фазовых переходов в твердых электролитах.- ДАН СССР, 1976, т.226, I 2, с.380-381 .

77. Иванов-Шиц А.К., Боровков B.C., Мищенко А.В., Гоффман В.Г. Электропроводность и фазовые переходы в твердом электролите т<ьч Is ДАН СССР, 1976, т.228, Jfc 6, с.1376-1379.

78. Иванов-Шиц А.К. Исследование ионной и электронной проводимости монокристаллов твердого электролита А<^ч Is #: Автореф. дис. кан. хим. наук.- Свердловск, 1978,- 22 с.

79. Кукоз Ф.И., Коломоец A.M., Выборнов В.Ф. Проводимость поликристаллического твердого электролита RfcA^Is Электрохимия, 1977, т.13, 16 7, с.1035-1039.

80. K*oteK. Щ, L. 7 Sealer С.И. The- a псе о^- a meaeura&Ce ЦаДОin, {lie. Supersonic conductor PvkAg<<ts.~ GoCiol State Comvwun., 1977, 0.21, a/7, p. 625- 627.

81. А^еи P.C., Laiaf^s Я). Cfjeo't of pressure on ionic- couductioit^ a* vn&idium bLCoer iodide, and 'bitoe.r iodidz. ^ 6>,

82. J. 17, а/ H, p. 19ЧЬ 1<32i.

83. J.PK^s. 4340, О.А^л/S, b85-LS°>.

84. Hariha ran K. ttetftricafc ionic, couductioibj aud optical a&sorptlow

85. Studies, on SuperConic cowipouwd IU Afy,-*^*^? -fita . —. ^otid Chew,., 19S0, , л/5, p. 355 ЗАО.

86. Л/. TUer*v\od^v\a\nit stafeitifcation of -fcUe <botid гЬгЖсо

87. Avai^an IS., Utar^ Я. <bcCucr cm4 m <>l£jtr todide.- РЦ*. Reo.} Ь, Ш ,0.2b, /J 27 p.G40

88. Гоффман В.Г., Букун Н.Г., Укше Е.А. Импеданс ячеек с монокристаллическим твердым электролитом A^Rtls Электрохимия, 1981, т.17, № 7, с.1098-1102.

89. Загороднев В.Н., Личкова Н.В., Якимов Е.Б. Влияние меди на электропроводность твердого электролита RkA<j»,Is Электрохимия, 1982, т.18, 12, с.1650-1653.

90. Д^кун Н.Г., Укше Е.А., Гоффман В.Г. Комплексное сопротивление границы графит / твердый электролит A^Rfels Электрохимия, 1982, т.18, № 5, с.653-656.

91. ЗЗукун Н.Г., Гоффман В.Г., Укше Е.А. Импеданс обратимой границы серебро / монокристаллический твердый электролит

92. A^Rfcr* Электрохимия, 1983, т.19, В 6, с.731-736.

93. WH A.Y., StadeK А. V. Thermal *а:раи$их^ in ъирочокСс. £o&d Stale. Comwuw., 1980, О.Ь67 p. 54- 54.

94. Grakaw ЬД.С^ак^ R. TemperaWe, pressure dependence, of the elastic properties of RM^I?. J. App&. Ркц*., 1975, 0.46,а/67 p4гт-гнъг.

95. Кардашов Д.А. Конструкционные клеи.- М.: Химия, 1980.-288с.

96. Видинеев Ю.Д., Кабанов В.И. Элементы радиотехнических устройств при низких температурах,- М.: Связь, 1980.- 96 с.

97. AppC. СгрШо^г., «7Г, i). <0, л/ 5, p. 20b 2.05.

98. Оделевский В.И. Расчет обобщенной проводимости гетерогенных систем, I. Матричные системы.- К. техн. физики, 1951, т.21, В 6, с.667-677.

99. Scheldt З.А., WMm^tta R.fc.P. Influence, of Cs^ to*.on -tl\e CO-tonic, conductioi^ vv\ "tlae ~CuT «Ьо&А 4оЫ 5bk Tomes, «82, 0. 6 , p. in 173.

100. Выборнов В.Ф., Коваленко H.A., Колошец A.M. Фазовый анализ в системе - .-Тр. Новочеркасского политехнического института, 1976, т.322, с.125-129.

101. Д/a^ao К., КоиЫа Т. U£tY»**mic, attenuation, of ^itoer c.ons Си, Mkfy I? single. cr^Wj . Reo., S>, wis, о. л. &,p. 2U1 Z?46.

102. Волков A.A., Козлов Г.В., Мирзоев Г.И., Гоффман В.Г. Субмиллиметровые колебательные, спектры суперионного проводника .- Письма в ЖЭТФ, 1983, т.38, 4, с. 182-185.

103. Qrureoidb Yu.Ус*., KkxvKcxb Уи.Г. A&rapt ckai^t о^ Юл1с condUcti.-. oify cwducd ^ an didnc fie£dl воЫ £>Ы-е Covn^w,Шо,лЭ. 35, p. H005 -1005.

104. Харкац Ю.И. 0 механизме индуцированного электрическим полем разупорядочения катионной подрешетки в суперионном цровод-нже,- Электрохимия, 1981, т. 17, № 10, с.1557-1585.

105. Харкад Ю.И. Переход в состояние суперионной проводимости, индуцированный электрическим полем.- ФТТ, 1981, т.23,7, с.2190-2192.

106. Харкад Ю.И. К теории индуцированного электрическим полем скачкообразного изменения проводимости в суперионных про -водниках.- Электрохимия, 1982, т.18, № I, с.51-58.

107. Харкад Ю.И. Индуцированные электрическим полем полиморфные переходы в ионных кристаллах, сопряженные с разупорядоче-нием.- Электрохимия, 1982, т.18, 3, с.326-330.

108. СоботФаи/ P.,Ve£aseo G-. Ui wicroiotuc^ue-, иие- oiui/e approcU de,ib wuniaWi&ation . U Reckcrcke, ШЬ, л/ f p,

109. Лидоренко H.C., Зильберварг Б.Е., Нагаев Э.Л. Диэлектрическая проницаемость твердых электролитов и переход в сверхионное состояние.- ЖЭТФ, 1980, т.78, № I, с.180-188.

110. Валюкенас В.И., Яшинскайте Р.И., Орлюкас А.С., Сакалас А.П. Шщуцированнью электрическим полем аномалии электрофизических свойств в кристаллах <* Лит. физ. сб., 1980, т.20, В I, с.49-54.

111. Орлюкас А.С., Валюкенас В.И., Григас И.П., Буцко Н.И., Хвойницкий 3.3. Аномальные электрофизические свойства в поликристаллической системе A^S -A^SbS* Лит. физ.сб., 1980, т.20, В 3, с.73-79.

112. Алексеева З.М., Цивилева И.М. Соотношение электронной и ионной компонент проводимости в пираргирите.- 7Ш, 1977, т.22, & 8, с.1382-1384.

113. Скрицкий В.Л., Самуленис В.И., Тельнова Г.В. Эффект аномального затухания ультразвука под действием электрического поля в суперионных кристаллах.- Письма в КЭТФ, 1983, т.37, № I, с.33-35.

114. Валюкенас В.И., Микугенис В.Ф., Брилингас А.И., Орлюкас А.С. Скрицкий В.Л. Нелинейные электрофизические свойства кристаллов <*.- и р AgSfc $2. .- В кн.: Новые материалы для радио - опто и акустоэлектроники . Красноярск, 1982,с.16-26.

115. G-otU т.е., CWa, J, A. The theriMai conductivity of Sifoer iodidor $ойс( fctate Coviomun, .j mZ,d.Hi,A/H, p. 29Ъ 295.

116. H., Und6er$ G-.W,. Hmf capacity t.rans-•formalioK/ and HermaC disorder in "Hie ^cfro^te RtA^Is." J. (W РЦ*. , 1969, 0. 51, А/ 9, p. 573 9 574 7.

117. Квист А. Электропроводность твердых электролитов.- В кн.: Физика электролитов. М., Мир, 1978, с.336-365.

118. Деспотули А.Л., Личкова Н.В., Кукоз Ф.И., Загороднев В.Н. Ионная электропроводность и низкотемпературные фазовые переходы в суперионных проводниках твердых растворах семейства A^ftUs ФТТ, 1984, т.26, JS 7, с.2214-2216.

119. Шефтель И. Т. Терморезисторы.- М.: Наука, 1973.- 416 с.

120. Т., ICondo V., Катк Т. Phase transition And soiid ihcJtroty-tes\ two slattice model . So&d SWe Tonics, 4981,aIS, p, №--И2.

121. Arntson K.6., Lang?^ ип.6, Д РИеиомекю^с^ theory |or hjfs-tere sis in the ionic ecudkctioity o{ sotid ztedtrofyies. -Phgs.Stat. , a, <9*2,0.69, /М, p. W-492.

122. Бокий Г.Б. Кристаллохимия.- М.: Наука, 1971.- 400 с,

123. Mnobi vj. t philips J. С. Microscopic. Spherical xJotriationAl YYiodih of agl ("Cm ha&de) based solid eJedcolyhc,. -Phgs. ReO.,6, 0. 25, a/ 12, p. 64 56- G475. .