Влияние примесей редкоземельных элементов и распределения компонентов на кинетические свойства и термоэлектрическую эффективность сплавов висмут-сурьма тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Марков, Олег Иванович

• Марков, Олег Иванович
• доктор физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Марков, Олег Иванович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СПЛАВОВ ВИСМУТ-СУРЬМА

1.1. Кристаллическая структура монокристаллов типа висмута

1.2. Энергетический спектр электронов в кристаллах типа висмута

1.3. Теория явлений переноса в висмуте и его сплавах

1.4. Явления переноса в сплавах висмут-сурьма

1.5. Физические принципы оптимизации свойств термоэлектрических материалов

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВИСМУТ-СУРЬМА

2.1. Методика получения монокристаллических сплавов висмут-сурьма

2.2. Методы контроля состава и качества монокристаллических сплавов висмут-сурьма

2.3. Методика исследования монокристаллов висмут-сурьма с помощью АСМ

2.4. Техника измерений гальвано - термомагнитных эффектов термоэлектрических материалов

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВИСМУТА И СПЛАВОВ ВИСМУТ-СУРЬМА

3.1. Металлографические исследования монокристаллов сплавов висмут-сурьма

3.2. Исследование сплавов висмут-сурьма методами СЭМ

3.3. Энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия сплавов Bi-Sb

3.4. Исследование монокристаллов Bi-Sb методами ACM

ГЛАВА 4. КИНЕТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СПЛАВОВ ВИСМУТ -СУРЬМА 128 4.1. Эффект Шубникова-де Гааза в сплавах Bi-Sb-Gd

4.2. Удельное сопротивление тройных сплавов Bi-Sb-Gd и четверных сплавов Bi-Sb-Te-Gd и Bi-Sb-Sn-Gd

4.3. Эффект Холла тройных сплавов Bi-Sb-Gd и четверных сплавов Bi-Sb-Te-Gd и Bi-Sb-Sn-Gd

4.4. Дифференциальная термоэдс тройных сплавов Bi-Sb-Gd и четверных сплавов Bi-Sb-Te-Gd, Bi-Sb-Sn-Gd

4.5. Теплопроводность тройных сплавов Bi-Sb-Gd и четверных сплавов Bi-Sb-Te-Gd

4.6. Удельное сопротивление тройных сплавов Bi-Sb-Gd и четверных сплавов Bi-Sb-Te-Gd и Bi-Sb-Sn-Gd в магнитном поле

4.7. Продольный эффект Нернста - Эттингсгаузена тройных сплавов Bi-Sb-Gd и четверных сплавов Bi-Sb-Te-Gd и Bi-Sb-Sn-Gd

ГЛАВА 5. РАСЧЕТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ 177 5.1 Расчеты характеристик носителей заряда тройных сплавов Bi-Sb-Gd и четверных сплавов Bi-Sb-Te-Gd

5.2. Общие оценки возможностей повышения термоэлектрической эффективности

5.3. Термоэлектрическая эффективность тройных сплавов Bi-Sb-Gd и четверных сплавов Bi-Sb-Te-Gd

5.4. Термоэлектрическая эффективность тройных сплавов Bi-Sb-Gd и четверных сплавов Bi-Sb-Te-Gd в магнитном поле

5.5. Термоэлектрическая эффективность вдоль слоев гетероструктуры на базе висмута

ГЛАВА 6. ОПТИМИЗАЦИЯ СВОЙСТВ ТЕРМОЭЛЕКТРИКОВ В ЦЕЛЯХ ИХ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ

6.1. Постановка задачи об оптимизации термоэлектрических свойств полупроводников

6.2. Оптимизация термоэлектрических свойств сплавов Bi-Sb-Gd, Bi-Sb-Gd-T, Bi-Sb-Gd-Sn в условиях максимального перепада температуры

6.3. Моделирование физических процессов в комбинированной «ячейке Пельтье»

6.4. Оптимизация концентрации носителей тока невырожденного термоэлектрика

6.5. Оптимизация концентрации носителей тока вырожденного термоэлектрика

6.6. Влияние линейного распределения концентрации невырожденных носителей заряда на теплофизические процессы в термоэлектрике

6.7. Влияние вида распределения концентрации вырожденных носителей заряда на теплофизические процессы в термоэлектрике

6.8. Термоэлектрическая эффективность градиентно - неоднородных и «градиентно - варизонных» сплавов висмут-сурьма

6.9. Моделирование процессов термоэлектрического преобразования тепловой энергии в электрическую с учетом температурной зависимости кинетических коэффициентов

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние примесей редкоземельных элементов и распределения компонентов на кинетические свойства и термоэлектрическую эффективность сплавов висмут-сурьма»

Актуальность проблемы. Совершенствование методов прямого преобразования энергии с использованием твердых тел является одной из прикладных задач физики конденсированного состояния. В последнее время значительно усилился интерес к широким возможностям термоэлектрического преобразования энергии. Единственным препятствием к более широкому распространению термоэлектрических преобразователей при их практическом использовании является их сравнительно невысокая эффективность. Поэтому исследование материалов, обладающих высоким значением параметра термоэлектрической эффективности 2 = а2сг1х (а и % - удельные электро - и теплопроводность, а - дифференциальная термоэдс), в настоящее время особенно актуально.

В твердых растворах висмут-сурьма с изменением соотношения компонентов происходит плавная перестройка энергетического спектра. Сплавы висмут-сурьма в полупроводниковой области состояния являются одними из самых эффективных низкотемпературных термоэлектриков. Узкозонные полупроводники и полуметаллы, к которым относятся сплавы висмут-сурьма, отличает высокая чувствительность физических свойств к внешним воздействиям: изменению температуры, давления, магнитного поля. Все это делает их прекрасным модельным материалом, имеющим как фундаментальный, так и прикладной интерес. Еще одной возможностью широкого варьирования свойств сплавов висмут-сурьма является применение примесей. Легирование активными (донорными и акцепторными) примесями позволяет, изменяя уровень химического потенциала, делать актуальными те или иные группы носителей заряда и тем самым достичь оптимальной концентрации носителей с точки зрения максимальности термоэлектрической эффективности. Однако при введении этих примесей могут изменяться механизмы рассеяния носителей заряда, что сказывается на их подвижности, причем чаще всего это происходит нежелательным образом.

Можно предположить, что изменить соотношение вкладов различных групп носителей заряда, можно добавлением пассивных примесей, вносящих конкурирующий механизм рассеяния носителей. Введение, например, в полупроводник магнитных примесей повлияет на изменение подвижностей, вызывая спин - зависимое рассеяние. Кроме того, присутствие магнитных примесей приведет к тому, что зависимость свойств сплавов висмут-сурьма от внешних магнитных полей еще более усилится, это открывает еще один путь повышения термоэлектрической эффективности. Незаполненные ё-оболочки переходных и Г-оболочки редкоземельных элементов (РЗЭ) также могут вести себя как эффективные ловушки электронов проводимости, что тоже повлияет на вклады в перенос различных групп носителей заряда. Другой возможностью изменения механизма рассеяния является введение в матрицу наноразмерных дефектов, которые инициируют селективное рассеяние отдельных групп носителей заряда, изменяя их вклад в явления переноса. Практический интерес представляют воздействия примесей, приводящие к росту термоэлектрической эффективности. С целью исследования реализации этих идей было решено использовать добавки РЗЭ в твердых растворах висмут-сурьма. С момента начала работ, результаты которых представлены в настоящей диссертации, и по настоящее время проблема влияния примесей РЗЭ на кинетические, в том числе термоэлектрические свойства сплавов висмут-сурьма еще никем не разрабатывалась и, поэтому такие исследования становятся актуальными, делающими их привлекательными как для фундаментальных исследований, так и практических приложений.

Понимание связей состав—энергетическая структура—свойства открывает путь управления физическими характеристиками твердых растворов висмут-сурьма с помощью изменения состава сплава. В области гелиевых температур зонная структура сплавов висмут-сурьма в зависимости от состава исследована довольно подробно резонансными и осцилляционными методами. В результате движения зон с ростом температуры в узкозонных полупроводниках происходит значительная перестройка зонной структуры, которая исследована еще недостаточно. Имеются значительные разногласия в экспериментальных значениях величин подвижностей, концентраций и эффективных масс плотности состояний носителей заряда. Практически единственным методом изучения зонной структуры в интервале температур 77-300К является использование комплекса кинетических эффектов. Поэтому по-прежнему актуально исследование кинетических эффектов сплавов висмут-сурьма, уточнение параметров зонной структуры и характеристик носителей заряда и их изменений с температурой. Движение энергетических зон, вносящих основной вклад в явления переноса и положение уровня Ферми в сплавах висмут-сурьма при изменении состава и температуры, оказывает влияние на эффективность термоэлектрического преобразования энергии, что нуждается в дополнительном исследовании.

Другой аспект работы посвящен вычислительному эксперименту. Общепринятое использование в качестве критерия эффективности термоэлектрического преобразования параметра Д предполагает его всемерное повышение. При таком подходе упускаются из виду собственно теплофизические процессы, происходящие при преобразовании энергии. С точки зрения практического использования необходимо эти процессы организовать (оптимизировать) так, чтобы достичь максимального эффекта (максимального перепада температур, максимального теплового потока, максимальной эффективности преобразования энергии и т. д.). Поэтому на первом этапе вычислительного эксперимента строится точная математическая модель теплофизических процессов, сопровождающих термоэлектрическое преобразование энергии. Она основана на решении граничной задачи, описывающей теплофизические процессы в термоэлектрике с распределенными источниками тепла (эффекты Пельтье, Джоуля, Томсона и распределенный или объемный эффект Пельтье). Такая модель позволяет выделить парциальные вклады отдельных эффектов и проанализировать их взаимное влияние. На втором этапе модель подвергается оптимизационному исследованию, для чего устанавливаются количественный критерий, на основе которого проводится анализ вариантов с целью выявления «наилучшего» (в данном случае максимального) и производится выбор переменных. Одной из простейших задач является определение максимального перепада температур в термоэлектрике с конкретными температурными зависимостями кинетических коэффициентов. В этой модели характеристическим критерием является перепад температур, независимой переменной - величина электрического тока. Более сложная модель используется для нахождения оптимальной концентрации носителей заряда, при этом добавляется новая переменная. Такая модель использует кинетические коэффициенты, рассчитываемые методами теории переноса. При расчете можно пользоваться как классической, так и квантовой статистикой носителей заряда с различными законами дисперсии, учесть трансформацию зонной структуры термоэлектрика, вызванную изменением состава и температуры и т.д. Проведенный вычислительный эксперимент делает данную работу логически завершенной и практически полезной. Используемые модели позволяют перейти от общепринятого «оценочного» метода расчета термоэлектрической эффективности термоэлектрика на основе полуклассических выражений к строгим математическим процедурам, допускающим формулирование количественно обоснованных заключений и провести оценку степени их достоверности. Степень разработанности проблемы численного моделирования и оптимизации теплофизических процессов при термоэлектрическом преобразовании энергии на базе решения граничной задачи крайне низка. Непосредственно по проблеме численного моделирования термоэлектрического преобразования энергии в полупроводнике на базе уравнения теплового баланса известно небольшое число публикаций (Иванова К.Ф. и Ривкин A.C., Тахистов Ф.Ю.). В частности в работах Ивановой и Ривкина используется линеаризированное уравнение стационарной теплопроводности при слабой зависимости кинетических коэффициентов от температуры и, поэтому не учитывается эффект Томсона, а статистика носителей заряда предполагается классической. В работах Тахистова рассчитывается температурное поле в термоэлектрике при протекании тока с учетом температурной зависимости коэффициентов. Таким образом, нельзя говорить о разработанности теоретической модели оптимизации термоэлектрических процессов. Другой аспект проблемы оптимизации процесса термоэлектрического преобразования, связанный со статистикой носителей заряда и зонной структурой полупроводника вообще не обсуждался.

Предмет и объект исследования. Предметом исследования являются теплофизические явления при термоэлектрическом преобразовании энергии. Объектом - новые низкотемпературные полупроводниковые материалы -сплавы висмут-сурьма, легированные РЗЭ, градиентно-неоднородные и «градиентно - варизонные» сплавы висмут-сурьма.

Целью работы является поиск новых подходов повышения эффективности термоэлектрического преобразования энергии, состоящий в изучении: а) влияния добавок неактивных примесей (на примере редкоземельных элементов) на явления переноса монокристаллов сплавов висмут-сурьма и их термоэлектрическую эффективность; б) влияния перестройки зонной структуры в сплавах висмут-сурьма, вызванной градиентным изменением состава и/или температуры, на повышение термоэлектрической эффективности сплавов висмут-сурьма; в) математической модели теплофизических процессов в термоэлектриках различной зонной структуры с учетом эффектов Пельтье, Джоуля, Томсона и распределенного эффекта Пельтье.

Задачи исследования:

1. Методом горизонтальной зонной перекристаллизации вырастить монокристаллы с добавками редкоземельных элементов: тройных В1-5Ь-Ос1, В1-БЬ-Бт и четверных сплавов В1-$Ъ-Сй-Те, В1-8Ъ-Ос1-8п.

2. С помощью измерения угловых зависимостей эффекта Шубникова-де Гааза определить параметры поверхности Ферми монокристаллов сплавов В^фЬ\2Тех с добавками гадолиния.

3. Определить элементный состав выращенных сплавов висмут-сурьма с различными примесями и провести картирование элементов методом энергодисперсионного анализа.

4. Провести исследование морфологии поверхности скола монокристаллов с примесями РЗЭ методами оптической микроскопии, атомно-силовой микроскопии (АСМ) и сканирующей электронной микроскопии (СЭМ). Исследовать дефектность кристаллов.

5. Провести комплексное исследование температурных и магнито -полевых зависимостей кинетических коэффициентов в широком интервале температур и магнитных полей. На основе полученных данных определить параметры зонной структуры и носителей заряда (ширина запрещенной зоны, подвижность носителей тока, эффективная масса плотности состояний).

6. Провести математическое моделирование теплоэнергетических процессов, происходящих в термоэлектрике при прохождении тока, разработать расчетные схемы оптимизации кинетических процессов. Используя разработанную методику, выяснить возможности повышения термоэлектрической эффективности сплавов висмут-сурьма.

7. Провести оценки термоэлектрической эффективности для низкоразмерных систем на основе висмута с использованием кинетических коэффициентов, полученных решением кинетического уравнения Больцмана для носителей заряда.

8. Спроектировать и создать вакуумную установку для измерения электропроводности, теплопроводности, термоэдс и эффекта Холла монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма с добавками РЗЭ в интервале температур Т=77-300Ки магнитных полей 5=0-17л.

9. Дать физическое обоснование и проведением прямых экспериментальных исследований доказать увеличение термоэлектрической эффективности монокристаллов сплавов висмут-сурьма с использованием добавок РЗЭ, градиентно-неоднородных и «градиентно - варизонных» составов.

Научная новизна.

1. Впервые методом горизонтальной зонной перекристаллизации выращены монокристаллы сплавов висмут-сурьма с добавками РЗЭ следующих составов £¿8 А2^0,01 >2^0,03 »^88^12^0,1 >^88^12^0,01 2^,0001» ^8^ 2^0,003^4),01' ^^8^2^0,005^0,01>^^8^2^3,01^0,01' ^88^12^0,001^0,01» ^г88^12^0,005^0,01'^г88^12^0,о 1^0,01 • Методом энергодисперсионного рентгеновского флуоресцентного анализа установлено наличие добавок РЗЭ в полученных сплавах. Впервые наблюдались микро- и нановыделения в сплавах висмут-сурьма при введении добавок РЗЭ в количестве, не превышающем 0,1 ат.%.

2. Определены параметры поверхности Ферми монокристаллов сплавов 82 6Ц) 0, Тех методом измерения угловых зависимостей экстремальных сечений поверхности Ферми с помощью эффекта Шубникова-де Гааза. Установлено, что добавки гадолиния не оказывают существенного влияния на параметры зонной структуры сплавов висмут-сурьма. В рамках моделей закона дисперсии Лэкса и Макклюра рассчитаны энергии Ферми и концентрации носителей заряда четверных сплавов ${Гех.

3.В интервале температур 77-300^ и магнитных полей 0-1 Тл изучено влияние примесей редкоземельных элементов на гальваномагнитные, термоэлектрические и термомагнитные свойства монокристаллов В1-8Ь-0(Л, Вг-БЬ-Бт, Вг-ЗЬ-Ос1-Те, В1-8Ь-Сс1-8п. Показано, что добавки гадолиния и самария приводят к увеличению модуля дифференциальной термоэдс области азотных температур. Добавка 0,1 ат.% Сс1 увеличивает модуль дифференциальной термоэдс (со значения аи = -\60мкВ-К~х до -200мкВ-К~]). В магнитном поле 0,4 Тл модуль дифференциальной термоэдс аи сплава 2?/885Ъ12С7<^01 увеличивается почти в два раза.

4. Показано, что добавки гадолиния и самария в количестве 0,01 ат.% приводят к увеличению термоэлектрической эффективности материала и-типа проводимости. Установлено, что добавка 0,1 ат.% Сс1 увеличивает термоэлектрическую эффективность до значения2Хх =5,3-Ю-3 К~[. В магнитном поле эффективность возрастает до значений ги2 = 6,6-1 (Г3 К~] в поле 5=0,05 Тл и 7332 = 13,86-Ю-3 К~1 в поле £=0,4 Тл при Т= 80 К.

5. В рамках модели Лэкса проведено численное моделирование температурной перестройки зонной структуры сплавов £/88^12^0,01 и расчет температурной зависимости подвижности носителей заряда. Показано, что в интервале температур 77-120 К ширина запрещенной зоны уменьшается с 12 мэВ до 11 мэВ.

6. Впервые изучены физические возможности повышения термоэлектрической эффективности «градиентно - варизонных» сплавов Щоо-х^х за счет перестройки энергетического спектра носителей тока. Установлено, что термоэлектрическая эффективность «градиентно варизонных» сплавов Вц00х8Ьх (12<х<16 ат.%) возрастает на 17%, что подтверждается экспериментальными исследованиями.

7. Впервые на основании теоретического анализа и компьютерного моделирования полупроводниковых систем пониженной размерности изучены возможности повышения термоэлектрической эффективности висмута вследствие перестройки зонной структуры при размерном квантовании носителей заряда с квадратичным законом дисперсии. Показано, что компонента тензора термоэлектрической эффективности может достигать значения 2ЪЪ = 3,2 • 10"3К~х при азотной температуре.

8. Разработана методика численного расчета термоэлектрической эффективности полупроводника, основанная на математической модели, описывающей теплофизические процессы при термоэлектрическом преобразовании энергии в единичном объеме полупроводника. Математическая модель включает эффекты Пельтье, Джоуля, Томсона распределенный эффект Пельтье и позволяет использовать экспериментальные температурные и концентрационные зависимости кинетических коэффициентов.

9. Впервые моделирование теплофизических процессов в полупроводнике при термоэлектрическом преобразовании энергии (включая объемный эффект Пельтье и эффект Томсона) основывалось на вычислениях кинетических коэффициентов с использованием квантовой статистики носителей заряда, с учетом температурной зависимости подвижности носителей заряда и решеточной составляющей теплопроводности термоэлектрика. В качестве характеристических критериев использовались перепад температур и тепловой поток, которые необходимо было максимизировать. Проведенная оптимизация теплофизических процессов позволила определить оптимальные значения концентрации носителей заряда, оптимальные значения электрического тока, характерные для каждого теплового режима.

10. Математическая модель теплофизических процессов в комбинированном (составном) термоэлектрике, состоящем из двух последовательно соединенных полупроводников одного типа проводимости, но различной термоэффективности, позволила выявить физические причины роста термоэлектрической эффективности и найти оптимальное соотношении длин термоэлектриков. Для комбинированного термоэлектрика, «низкотемпературная» часть которого из термоэлектрика 5г'885,612 а «высокотемпературная» из теллурида висмута оптимальное соотношение длин составляет приблизительно 4: 1.

11. На основе анализа математической модели теплофизических процессов в градиентно-неоднородном термоэлектрике при термоэлектрическом преобразовании энергии показана возможность роста термоэлектрической эффективности по сравнению с однородным термоэлектриком. Определены оптимальные градиенты концентраций носителей заряда, необходимые для достижения максимального перепада температур. Установлены физические причины того, что линейное распределение концентрации носителей заряда не является оптимальным, как это считалось ранее. Физически обоснована возможность повышения термоэлектрической эффективности материалов с концентрацией носителей, меняющейся вдоль направления тока по экспоненциальной зависимости.

Теоретическая и практическая значимость.

В работе впервые предложены и выращены трехкомпонентные сплавы висмут-сурьма с добавками РЗЭ и четырехкомпонентные с добавками РЗЭ, а также активных примесей теллура и олова. Решена научная задача физики конденсированного состояния: развиты новые представления о механизмах влияния структуры твердых тел на термоэлектрические процессы (повышение термоэлектрической эффективности с помощью неактивных примесей; оптимизации свойств термоэлектриков с использованием представлений о зонной структуре и теплофизических процессов в термоэлектриках). Внесен существенный вклад в исследование физических свойств низкотемпературных термоэлектриков висмут-сурьма. Разработан подход к решению оптимизационной задачи повышения эффективности термоэлектрического преобразования энергии на базе стационарного уравнения теплопроводности с распределенными источниками теплоты (эффекты Пельтье, Джоуля, Томсона, распределенный эффект Пельтье).

Практическая значимость результатов диссертационного исследования заключается в разработке метода влияния структуры термоэлектриков на термоэлектрические процессы, а также способов получения высокоэффективных термоэлектриков. Реализация полученных в работе результатов позволяет осуществлять выращивание монокристаллов термоэлектриков с оптимальными свойствами. Такой комплексный подход в создании термоэлектриков высокой эффективности должен включать в себя поэтапно: исследование зонной структуры термоэлектрика; оптимизацию термоэлектрических свойств с учетом перестройки зонной структуры при изменении состава и температуры и, наконец, программируемое выращивание монокристалла уже с оптимальным распределением примесей и компонентов состава.

Рассмотренные в работе термоэлектрики и физические аспекты работы низкотемпературных термоэлектрических преобразователей могут представлять интерес в связи с потребностью в низкотемпературных охлаждаемых приемниках излучения, используемых во внеатмосферной астрономии, при зондирования в ИК-диапазоне поверхности Земли и других планет.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Примеси РЗЭ в количестве до 0,01 ат.% не оказывают заметного влияния на качество осцилляций Шубникова-де Гааза и параметры зонной структуры сплавов 0 {Тех, что позволяет моделировать кинетические эффекты с использованием зонной структуры сплавов

2. Примеси гадолиния и самария в сплавах висмут-сурьма не проявляют ни донорные, ни акцепторные свойства, поскольку они лишь незначительно уменьшают удельное сопротивление и модуль постоянной Холла сплавов В^ЗЬ\2 • Примеси Од, и Бт образуют в межслоевом пространстве кристаллической решетки висмут-сурьма кластеры размером 50-150 нм.

3. Примеси РЗЭ влияют на кинетические эффекты сплавов ,

А2^0,03 > ^88^12^0,1 > ^88^12^0,01 > ^88^12^0,01^ ' ^88^12^0,01^ • Наблюдаемый рост модуля дифференциальной термоэдс (на 25% при 78К) в монокристаллах сплавов 2?/885Ъ125т0 01 при Т<\20К обусловлен изменением соотношения парциальных вкладов электронов и дырок в полную термоэдс. Уменьшение удельного сопротивления и увеличение модуля дифференциальной термоэдс в сплавах В18&8ЬиСс10^по сравнению с

88^12 приводят к значительному росту термоэлектрической эффективности птипа (с ги = 2,8-КГ3 А"-1 до Zn = 5,3-Ю-3 Я-1 при Г=801С)-4. В монокристаллах сплавов 01и Вг%%ЗЬпЗт00[в области азотных температур наблюдается аномальный рост модуля дифференциальной термоэдс в магнитном поле по сравнению со сплавами В^БЬп • Уменьшение удельного сопротивления и увеличение модуля дифференциальной термоэдс при азотной температуре приводят к значительному росту термоэлектрической эффективности в магнитном поле сплавов 5/885,612 с примесями гадолиния и самария. Максимальная термоэлектрическая эффективность сплава возрастает до значений 2Х12 = 6,6 • 10-3 К~х в поле 0,05 Тл при Т=80К.

5.Каждому тепловому режиму с соответствующим температурным полем в однородном полупроводнике в процессе термоэлектрического преобразования энергии отвечает определенная концентрация носителей заряда, определяемая распределением температуры. Поэтому оптимальное значение концентрации носителей заряда следует определять не из максимума параметра термоэлектрической эффективности 2 в данном интервале температур (как это обычно делается), а непосредственной оптимизацией теплофизических процессов при решении граничной задачи по расчету температурного поля в термоэлектрике. При одном и том же перепаде температур, но отличающихся распределениях температуры оптимальная концентрация носителей заряда может отличаться в 2 и более раз.

6. Распределенный (объемный) эффект Пельтье в градиентно-неоднородных полупроводниках в процессах термоэлектрического преобразования энергии позволяет, управляя тепловым потоком, регулировать температурное поле. Установлены физические причины того, что линейное распределение концентрации носителей заряда не является оптимальным для эффективного преобразования энергии. Физически обосновано, что экспоненциальное распределение концентрации носителей позволяет повысить эффективность термоэлектрического охлаждения (численный эксперимент показывает увеличение максимального перепада температур в 1,2-1,5 раза).

7. Анализ математической модели комбинированного (составного) термоэлектрика, состоящего из двух или более последовательно соединенных полупроводников одного типа проводимости, но разной эффективности, расположенных так, что в каждом интервале температур достигается максимум термоэлектрической эффективности расположенного в этой области полупроводника, позволил выявить физические причины повышения термоэлектрической эффективности по сравнению с однородными термоэлектриками. Для комбинированного термоэлектрика на основе сплава висмут-сурьма и теллурида висмута вычислительный эксперимент устанавливает увеличение эффективности на 15-35% в зависимости от температуры при соотношении длин 4: 1.

8. На базе монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма получены «градиентно - варизонные» структуры с изменяющейся шириной запрещенной зоны, формирующие градиент концентрации носителей заряда. Физически обоснована причина увеличения эффективности термоэлектрического преобразования энергии в «градиентно - варизонных» структурах. Вычислительный эксперимент показал рост термоэлектрической эффективности на 17% при использовании «градиентно - варизонного» полупроводника на основе сплавов 12 < * < 16. Повышение термоэлектрической эффективности «градиентно - варизонных» сплавов подтверждено экспериментально.

Достоверность и обоснованность результатов, полученных в данной работе обеспечивается применением многократно проверенной методики исследования кинетических свойств низкотемпературных термоэлектриков, использованием высококачественных монокристаллов висмут-сурьма и воспроизводимостью экспериментальных данных. Полученные результаты соответствуют экспериментальным данным и теоретическим моделям, опубликованным в литературе. Точность результатов, полученных в ходе математического моделирования, определяется тем, что в основу положены уравнения теплопереноса, полученные на основе закона сохранения энергии, а также сопоставлениями результатов теоретических и экспериментальных исследований, показавшими удовлетворительное согласие теории и эксперимента.

Личный вклад автора. Основные результаты диссертации получены лично автором. При этом диссертанту принадлежит постановка задачи исследования и осуществление эксперимента по измерению кинетических эффектов в широком интервале температур и магнитных полей. Выращивание высококачественных монокристаллов сплавов висмут-сурьма, легированных донорными и акцепторными примесями теллура и олова и редкоземельными элементами и измерение явлений переноса осуществлялось автором в лаборатории полуметаллов РГПУ им. А.И.Герцена. Проведение исследований осцилляций Шубникова-де Гааза реализовывалось автором на установке, находящейся на кафедре Физики низких температур и сверхпроводимости МГУ им. М.В.Ломоносова. Автором осуществлена разработка математической модели теплофизических процессов при термоэлектрическом преобразовании энергии, сделан выбор методов ее решения и выполнено ее исследование.

Соответствие диссертации паспорту научной специальности. Диссертационное исследование соответствует следующим пунктам паспорта специальности 01.04.07 — «Физика конденсированного состояния»: п. 1 «Теоретическое и экспериментальное изучение физической природы свойств металлов и их сплавов, неорганических и органических соединений, диэлектриков и в том числе материалов световодов, как в твердом, так и в аморфном состоянии в зависимости от их химического, изотопного состава, температуры и давления», поскольку проведено экспериментальное изучение физических свойств сплавов висмут-сурьма в зависимости от химического состава и температуры; п.5 «Разработка математических моделей построения фазовых диаграмм состояния и прогнозирование изменения физических свойств конденсированных веществ в зависимости от внешних условий их нахождения», т.к. в рамках математической модели теплофизических процессов при термоэлектрическом преобразовании энергии и проведено прогнозирование изменения физических свойств термоэлектриков в зависимости от температуры и магнитного поля; п.6 «Разработка экспериментальных методов изучения физических свойств и создание физических основ промышленной технологии получения материалов с определенными свойствами», в соответствии которому разработаны физические основы технологии получения термоэлектриков с определенными термоэлектрическими свойствами; п. 7 «Технические и технологические приложения физики конденсированного состояния», поскольку разработан метод моделирования и оптимизации термоэлектрических преобразователей.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались и обсуждались на: IV Всесоюзном симпозиуме «Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы» (Львов, 1975), XIV-Международном форуме по термоэлектричеству (Москва, 2011), Международном семинаре «Полупроводниковые материалы для термоэлектрических устройств и солнечной энергетики» (Москва, 2002); VIII, IX, X,XI,XII Межгосударственных семинарах «Термоэлектрики и их применения» (Санкт - Петербург, 2002, 2004, 2006, 2008. 2010); V Международной конференции «Неразрушающий контроль и техническая диагностика в промышленности» (Москва, 2006); XIV Международном симпозиуме «Тонкие пленки в оптике и электронике» (Харьков, 2002); IX Международном симпозиуме «Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы» (Харьков, 2003); IV, V, VII, X Международных конференциях «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2004, 2005, 2007, Ставрополь, 2010); IV Международной научно-технической конференции «Компьютерное моделирование 2003» (Санкт -Петербург, 2003 ); IX Международном симпозиуме «Методы дискретных особенностей в задачах математической физики» (Орел, 2000); XXII Симпозиуме «Современная химическая физика». (Туапсе, 2010), III, IV, V Международных научно-практических конференциях «Человек и космос» (Днепропетровск, 2001, 2002, 2003); Международной научной конференции «Современные методы физико-математических наук» (Орел, 2006), 50 Международном симпозиуме « Актуальные проблемы прочности» (Витебск, 2010), VI Международной научной конференции «Прочность и разрушение материалов и конструкций» (Оренбург, 2010), II

Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы химической науки, практики и образования» (Курск, 2011), XI Международном семинаре МНТ-Х1 «Структурные основы модифицирования материалов» (Обнинск,2011), IX Международной конференции ВИТТ-2011 (Минск,2011), I Всероссийской научной конференции «Методы исследования состава и структуры функциональных материалов» (Новосибирск, 2009), Всероссийской научной конференции «Физика полупроводников и полуметаллов» (Санкт-Петербург, 2002); III Всероссийской конференции «Состояние и перспективы развития термоэлектрического приборостроения». (Махачкала, 2007), Всероссийской научно-практической конференции «Физические явления в конденсированном состоянии вещества» (Чита, 2009);), II Всероссийской научно-практической конференции «Системы обеспечения тепловых режимов преобразователей энергии и системы транспортировки теплоты». (Махачкала, 2010), IV Всероссийской конференции по наноматериалам (Москва, 2011), ХЬУН Всероссийской конференции по проблемам физики частиц, физики плазмы и конденсированных сред, оптоэлектроники (Москва,2011), научно-технической конференции «Перспективные материалы твердотельной электроники» (Минск, 1990); 53 научной конференции МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук». (Москва, 2010), III региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» (Благовещенск, 2002), Всероссийском межвузовском семинаре «Неравновесные явления в узкозонных полупроводниках и полуметаллах» (Елец, 2004); Всероссийской научно-практической конференции «Неравновесные процессы в природе» (Елец, 2009), XIII зимней школе по механике сплошных сред (Екатеринбург, 2003); Международных школах-семинарах «Методы дискретных особенностей в задачах математической физики» (Орел, 2002 - 2005, 2007, 2009,2010), II, III региональных семинарах «Компьютерное моделирование и проектирование микро - и наноэлектроники и микроэлектромеханических систем» (Орел, 2010,

2011), ежегодных научно-практических конференциях в Орловском государственном университете с 1976 по 2011 гг.

Публикации. По основным результатам исследований, вошедших в диссертацию, автором опубликовано 70 работ, в том числе 27 статей в ведущих рецензируемых изданиях (из них 21 в списке ВАК), 43 публикации в сборниках материалов и тезисов докладов на Международных, Всесоюзных, Всероссийских и региональных конференциях.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка цитируемой литературы и 4 приложений. Материал изложен на 361 странице, содержит 171 рисунок и 4 таблицы. Список литературы содержит 338 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Марков, Олег Иванович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Представленное исследование является комплексным, включающим разработку методов выращивания и выращивание кристаллов сплавов висмут-сурьма с добавками РЗЭ, исследование их характерных дефектов, влияния легирующих примесей, экспериментальное исследование явлений переноса, ос-цилляционных и других свойств, установление закономерностей энергетического спектра и характеристик носителей заряда, а так же практических приложений исследованных сплавов висмут-сурьма. Далее приводятся основные результаты и выводы. Они сводятся к следующему:

1. Методом горизонтальной зонной перекристаллизации выращены монокристаллы твердых растворов Bi^Sb^d^Q^Bi^Sb^dQ^, BissSbuGd0],

88^12^0,01' ^8^2^3,001^0,01 > 2^0,003^0,01 > Щ^^И?\005^4), 01 >

2^),001' 2^0,001^0,01 > 2^0,005^0,01 > ^88^12^0,01^0,01 •

88^2^0,001^0,015 ^88^2^0,003^0,01 > ^88^ 2^0,005^0,0 Ь ^88^2^0,01^0,01> 5/88^2^0,001^0,01 > Bi%8Sbl2Sn0i005GdQ;оь 5'88^i25"o,oi^o,oi • На основе проведенных исследований методами металлографического анализа, АСМ и СЭМ:

- показана возможность выращивания монокристаллов висмут-сурьма с добавками редкоземельных примесей методом зонной перекристаллизации высокого качества, однородных по основным компонентам;

- исследованы количество и ориентация дислокаций в монокристаллах сплавов висмут-сурьма, показано, что добавки РЗЭ в сплавы висмут-сурьма не приводят к увеличению плотности дислокаций, которая не превышала значения^ <10Зсм~2;

- установлено, что примеси РЗЭ в сплавах висмут-сурьма образуют кластеры или нано - и микровключения с латеральными размерами 50-150 нм, откладывающиеся обычно в слоистых кристаллах в вандерваальсовых щелях, что обусловлено их плохой растворимостью в сплавах висмут-сурьма;

2. В сплавах В^^Теь,001^,01» в^5Ь12ТеЬ,ооз°^,ои

-^48^2^0,01^0,01' ^¿88^12^0,001^0,01 > ^88^12^0,005^0,01> 2*^0,01^0,01 проведено исследование эффекта Шубникова-де Гааза, которое позволило определить вид поверхности Ферми, циклотронные эффективные массы электронов, концентрации носителей заряда, температуру Дингла. На основании полученных результатов:

- установлено, что добавки гадолиния не оказывают существенного влияния на амплитуду осцилляций Шубникова-де Гааза, что объясняется высоким качеством монокристаллов;

- показано, что примеси гадолиния не влияют на параметры зонной структуры сплавов висмут-сурьма;

- показано, что концентрация носителей заряда определяется примесями теллура или олова, а не добавками гадолиния, что указывает на то, что гадолиний при гелиевых температурах не является ни донором, ни акцептором.

3. В результате проведенного комплексного исследования электропроводности, теплопроводности, термоэдс и эффекта Холла монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма с добавками РЗЭ в интервале температур Т-77-300К и магнитных полей В=0-1Тл: установлено, что примеси гадолиния и самария в сплавах висмут-сурьма в интервале температур Т=77-300К не проявляют ни донорные, ни акцепторные свойства:

- показано, что примеси РЗЭ оказывают сильное влияние на температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов монокристаллов сплавов Ви8Ь-Ос1, В1-8Ъ-8т, В1-8Ь-Сй-Те, В1-8Ъ-Сс1-8п в интервале 77-ЗООК, что обусловлено появлением нового механизма рассеяния носителей заряда:

- определены параметры электронного спектра в интервале температур 77-120К, уменьшение ширины запрещенной зоны, вызванное тепловым расширением решетки:

- установлено, что добавки Ос1 и Бт значительно увеличивают модуль дифференциальной термоэдс монокристаллов В^81\2Сс1хк В^8Ь[28тх при температурах вблизи точки кипения жидкого азота (при 80К до 25%), что вызвано уменьшением парциального вклада дырок в полную термоэдс за счет уменьшения отношения подвижностей дырок и электронов:

- обнаружено аномальное повышение модуля дифференциальной термоэдс в монокристаллах В^88Ь]2Сс10 ]При 7НЮЛГ до значений ~400мкВ/К в магнитном поле 0,4 Тл, что связано с подавлением магнитным полем подвижности дырок.

4. Исследована возможность повышения термоэлектрической эффективности сплавов Вг'-8Ь в области низких температур с использованием добавок РЗЭ:

- показано, что добавка РЗЭ повышает термоэлектрическую эффективность сплавов висмут-сурьма, что обусловлено ростом модуля дифференциальной термоэдс и небольшим уменьшением удельного сопротивления, так добавка 0,1 ат.% (/¿/ увеличивает термоэлектрическую эффективность с

2Х! = 2,8 • 10-3 К~] до значения 2Х х = 5,3 • 10"3 Я"1:

- показана возможность значительного увеличения магнитотермоэлектри-ческой эффективности сплавов висмут-сурьма, так в магнитном поле 5=0,05 Тл термоэффективность возрастает до величины= 6,6-Ю--3К~1, а компонента

Л |

2332до величины 2332 =13,86-Ю-"3К" (Z7M.11) в поле 5=0,4 Тл, что обусловлено существенным ростом модуля дифференциальной термоэдс и умеренным ростом удельного сопротивления.

5. Исследована возможность создания эффективных термоэлектриков р- типа на базе сплавов висмут-сурьма с добавками РЗЭ. Показано, что добавки РЗЭ в четверных сплавах£/885Ь]25и0)001£я?0;0] ,В^8Ь128п0 005Оат, В1и8Ь128п() 0]Са0 0] не приводят к повышению термоэлектрической добротности р - типа, что связано с уменьшением подвижности дырок.

6. Математическое моделирование теплофизических процессов в однородном полупроводнике в процессе термоэлектрического преобразования энергии:

- показано, что рассчитанная оптимальная концентрация носителей заряда может отличаться в 2 и более раз от концентрации, определенной из условия максимального параметра термоэлектрической эффективности Ъ, потому, что зависит от распределения температуры в термоэлектрике, а не только от интервала температур, как принято считать;

- показано, что во всем рассматриваемом интервале температур 11-ЪООК носители заряда являются вырожденными, поэтому при моделировании тепло-физических процессов в термоэлектриках кинетические коэффициенты необходимо рассчитывать с помощью квантовой статистики.

7. Проведенное математическое моделирование комбинированного (составного) термоэлектрика позволило выявить физические закономерности, определяющие причины роста эффективности комбинированной системы по сравнению с эффективностью каждой из ее составляющих. Для «низкотемпературного» термоэлектрика Ы%%8Ь\2 и «высокотемпературного» на основе теллурида висмута оптимальное соотношение длин составляющих приблизительно равно 4:1, а рост термоэлектрической эффективности составляет 15-35% .

8. Анализ физических закономерностей влияния перестройки зонной структуры, связанной с изменением состава твердого раствора и температуры на термоэлектрическую эффективность сплавов висмут-сурьма показал возможность повышения термоэлектрической эффективности. В результате численного и экспериментального исследования теплофизических процессов, протекающих в градиентно-неоднородном сплаве Вц%8Ь]2Теу (0<у<0,002) и «градиентно - варизонном» кристалле ^'(юо-*)^* 12<х<16, показано, что использование такой ветви позволяет повысить ее термоэлектрическую эффективность сплавов на 17% за счет распределенного эффекта Пельтье.

9. Проведенное математическое моделирование теплофизических процессов, протекающих в градиентно-неоднородном полупроводнике в процессе термоэлектрического преобразования энергии, обнаружило физические закономерности того, что линейное распределение концентрации носителей заряда вдоль направления тока не является оптимальным, как это считалось ранее. Устранение этих причин в процессе вычислительного эксперимента показало, что экспоненциальное распределение носителей заряда приводит к значительно большему росту термоэлектрической эффективности.

10. Проведенный физический анализ и математическое моделирование влияния размерного квантования энергетического спектра висмута при понижении размерности до 2Б термоэлектрического объекта показал появление в энергетическом спектре висмута энергетического зазора, что позволяет ожидать повышения термоэлектрической эффективности вдоль гетероструктуры из широкозонного полупроводника и висмута до 2ЗЪ = 3,2-10"3 Л--1 при толщине слоя висмута 14 нм.

11. Проведенное математическое моделирование термоэлемента с активной «-ветвью на основе сплава висмут-сурьма:

- показано, что при отсутствии низкотемпературной р-ветви, она может быть заменена без заметного снижения термоэлектрической эффективности и-ветви пассивной сверхпроводящей ветвью на основе висмутовой керамики определенной длины. Термоэффективность может быть еще более увеличена, если вместо пассивной сверхпроводящей ветви использовать комбинированную сверхпроводник - термоэлектрик;

- показано, что при отсутствии низкотемпературной р - ветви она может быть заменена и пассивной железной ветвью эффективность такого термоэлемента в магнитном поле, может превышать эффективность термоэлементов, изготовленных из низкотемпературных соединений теллурида висмута.

12. Проведенное математическое моделирование низкотемпературного совмещенного термоэлемента типа «генератор-холодильник», представляющего термоэлектрический холодильник, электропитание которого осуществлялось с помощью термоэлектрического генератора, показало возможность функционирования такой системы. Экспериментальные результаты исследования модели устройства генератор-холодильник находятся в удовлетворительном согласии с теоретическими выводами.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Марков, Олег Иванович, 2011 год

1. Ормонт, В.Ф. Структуры неорганических веществ Текст./ В.Ф. Ормонт. -М.: Гостехиздат, 1950.- 968 с.

2. Boyle, W.S. Bismuth Text./ W.S. Boyle, G.E. Smith // Progress in Semiconductors. -London, 1963. -Vol.7. P. 1-44.

3. Юм Розери, В. Атомная теория для металлургов Текст./ В. Юм - Розери. -М.: Металлургиздат, 1955. -332 с.

4. Сюше, Ж.П. Физическая химия полупроводников Текст./ Ж.П. Сюше. М.: Металлургия, 1969.-224с.

5. Cucka, P. The Crystal Structure of Bi and Solid Solution Pb, Sn, Sb and Те in Bi Text./P.Cucka, C.S. Barret// Acta Cryst. -1962. Vol.15. № 9. - P.865-872.

6. Джонс, Г. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах Текст./Г. Джонс. М.: Мир, 1968. - 264с.

7. Jones, Н. Applications of the Bloch Theory to the Study of Alloys and the Properties of Bismuth Text./H. Jones// Proc. Roy. Soc. A. 1934. - Vol. 15. № 86. -P.396-417.

8. Jones, H. The Theory of Galvanomagnetic Effects in Bismuth Text./ H. Jones // Proc. Roy. Soc.A. 1936. - Vol.155. № 886. - P.653-663.

9. Mase, S. Electronic Structure of Bismuth Type Crystals Text./S.Mase// J. Phys. Soc. Japan. 1958. - Vol.13. № 5. - P.434-445.

10. Cohen, M.H. Electronic Structure of Bismuth Type Crystals Text./ M.H. Cohen// Phys. Rev. 1961. - Vol.121. № 2.- P.387-395.

11. Абрикосов, А.А. Теория электронного энергетического спектра металлов типа висмута Текст./ А.А. Абрикосов, Л.А. Фальковский //ЖЭТФ.-1962.- Том 43. Вып.3/9/.- С. 1089-1101.

12. Фальковский, Л.А. Физические свойства висмута Текст./ Л.А. Фальковский // УФН,-1968,- Том 94. Вып.1. С.3-41.

13. Golin, S. Band Structure of Bismuth Pseudopotential Approach Text./S. Golin// Phys. Rev. -1968. Vol.166. № 3. -P.643-651.

14. Ferreira, L.G. Band Structure calculation for Bismuth Comparison with experiment Text./ L.G. Ferreira// J. Phys. Chem. Solids. 1968.-Vol.29. - P.357-365.

15. Брандт, Н.Б. Электронные переходы у сплавов висмут-сурьма с высокой концентрацией сурьмы в сильных магнитных полях Текст./ Н.Б. Брандт, Е.А. Свистова, М.В. Семенов // ЖЭТФ. 1970.- Том 59. Вып. 2/8/. - С.434-444.

16. Dhillon, J.S. The de Haas van Alphen Effect. III Experiments at Field up to 32 kG Text./ J.S. Dhillon, D. Shoenberg// Phys. Trans. Roy. Soc. of London. 1955. -Vol.248. № 937.-P. 1-21.

17. Kao, Y.H. Shubnikov-de Haas Effect and Cyclotron Resonans in a Dilute Bi-Sb Text./ Y.H. Kao, R.D. Brown, R.L. Hartman // Phys. Rev. -1964. Vol.136. № ЗА. -P.858-862.

18. Брандт, Н.Б. Исследование квантовых осцилляций магнитной восприимчивости висмута при сверхнизких температурах Текст./ Н.Б. Брандт, А.Е. Дубковская, Г.А. Кытин// ЖЭТФ.- 1959.- Том 37. Вып.2/8/.- С. 572-581.

19. Брандт, Н.Б. О дырочной части поверхности Ферми у висмута Текст./ Н.Б. Брандт//ЖЭТФ. -I960.- Том 38. Вып.4. С. 1355-1360.

20. Брандт, Н.Б.Исследование эффекта де Газа ван Альфена у висмута при сверхнизких температурах Текст./ Н.Б. Брандт, Т.Ф. Долголенко, H.H. Ступоченко // ЖЭТФ. -1963.- Том 45. Вып.5/11/. - С.1319-1326.

21. Брандт, Н.Б. Исследование частотной модуляции квантовых осцилляций магнитной восприимчивости у висмута Текст./ Н.Б. Брандт, Л.Г. Любутина// ЖЭТФ. -1964.-Том 47. Вып.5/11/. С.1711-1715.

22. Giura, М. Singularities Fermi Surface of Bi Text./ M. Giura, R. Markon, T. Papa, F. Wanderlingh // Phys. Rev. -1969. Vol. 179. №.3. - P.645-655.

23. Архипов, Р.Г. Об одном неравенстве для эффективной массы в металлах с малой концентрацией носителей тока Текст./ Р.Г. Архипов// ЖЭТФ.- 1962.-Том 43. Вып.1.- С.340-351.

24. Келдыш, JI.B. Возможная неустойчивость полуметаллического состояния относительно кулоновского взаимодействия Текст./Л.В. Келдыш, Ю.В. Копаев// ФТТ.- 1964.- Том 6. Вып. 9. С.2791-2798.

25. Kane, Е.О. Band Structure of Indium Antimonide Text./ E.O. Kane// J. Phys. Chem. Solids. 1957. - Vol.1. - P.249-261.

26. Lax, B. Band Structure of Indium Antimonide Text./ B. Lax// Rev. of Mod. Phys. 1958. - Vol. 30. № 1. - P.122-154.

27. Bhargava, R.N. De Haas-van Alphen and galvanomagnetic effect in Bi and Bi-Pb alloys Text./ R.N. Bhargava//Phys. Rev. 1967. - Vol.156. № 3. - P.785-797.

28. Brown, R.H. Magnetoreflection in bismuth Text./ R.H. Brown, J.G. Mavroides, B. Lax//Phys. Rev. -1963. -Vol.129. № 5. P.2055-2061.

29. Maitz, M. Magnetoreflection Studies in Bismuth Text./ M. Maitz, M.S. Dresselhaus // Phys. Rev. B. 1970. - Vol.2. № 8. - P.2877-2887.

30. Брандт, Н.Б. Исследование энергетического спектра в BiSb Текст./ Н.Б. Брандт, Л.Г.Любутина, Н.А.Крюкова//ЖЭТФ. 1977.- Том 53. № 1.- С. 134-141.

31. Chu, Н.Т. Shubnikov-de Haas effect in dilute bismuth-antimony alloy. 1. Quantum oscillations in low magnetic field Text./ H.T. Chu, Y.-H. Kao //Phys. Rev. B. 1970. - Vol.1. №.6.- P.2369-2376.

32. Миронова, Г.А. Исследование закона дисперсии носителей тока у полупроводниковых сплавов BixxSbx (0,08<х<0,12) Текст.: автореф. дис.канд. физ. мат. наук/Миронова Галина Александровна; МГУ. М. 1979. -23с.

33. Пономарев, Я.Г. Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах Текст.: автореф. дис. .д-ра физ. мат. наук/Пономарев Ярослав Георгиевич; МГУ.- М. 1983. -55с.

34. McClure, J.W. The Energy Band Model for Bismuth: Resolution of a Theoretical Discrepancy Text./ J.W. McClure//J. Low Temp. Phys. 1976. - Vol.25. № 5 (6). -P.527-540.

35. McClure, J.W., Choi K.N. Energy Band Model and Properties of Electron in Bismuth Text./ J.W. McClure, K.N. Choi//Sol. State. Comm. 1977. - Vol.21. -P.1015-1018.

36. Ancliffe, G.A. Band structure of Bi0^Sb0 l2 Text./ G.A. Ancliffe //Phys. Lett. -1969. Vol. 28A. № 9. - P.601-602.

37. Schneider, D. Schubnikow-de Haas Effect und Bandstruktur- Untersuchungen in Bi-Sb Legirungen Text./ D. Schneider HZ. Naturforschung. 1972. - Bd.27A. № 2,-S.250-270.

38. Мюллер, P. Исследование закона дисперсии носителей тока в висмуте Текст.: автореф. дис. .канд. физ. мат. наук/Мюллер Роланд; МГУ. М. 1979. -14с.

39. Буянова, Е.П.Определение параметров закона дисперсии носителей у полупроводниковых сплавов ßz^S^n-THna Текст./Е.П. Буянова, В.В.Евсеев, Г.А.Иванов, Г.А.Миронова, Я.Г.Пономарев//ФТТ. -1978.- Том 20. №7. -С. 19371946.

40. Миронова, Г.А.Исследование зонной структуры полупроводниковых сплавов /^^¿^ТекстуГ.А.Миронова, М.В.Судакова, Я.Г.Пономарев //ЖЭТФ. -1980.- Том 78. №5,- С. 1832-1851.

41. Миронова, Г.А. Закон дисперсии носителей в сплавах BixxSbx Текст./ Г.А. Миронова, М.В.Судакова, Я.Г. Пономарев //ФТТ. -1980. -Том 22. №12.- С.3628-3634.

42. Hebel, L.C. Interband Transition and Band Structure of a BiSb Alloy Text./ L.C. Hebel, G.E. Smith //Phys. Lett. -1964. Vol. 10. № 3. - P.273-275.

43. Eilet, M. Shubnikov- de Haas virestigation of the BixxSbx (0<x<0.3) system Text./ M. Eilet, R. Horst, L. Williams, R. Cuff //J. Phys. Soc. Japan. -1966. -Vol.21. Suppl. P.666-671.

44. Jain, A.L. Temperature Dependence of the Electrical Properties of Bismuth-Antimony Text./ A.L. Jain //Phys. Rev. 1959. - Vol.114. № 6. - P.1518-1528.

45. Иванов, Г.А. Электрические свойства сплавов висмут-сурьма Текст./ Г.А.Иванов, A.M. Попов //ФТТ. -1963.- Том 5. № 9. -С.2409-2419.

46. Брандт, Н.Б.Исследование перехода полупроводник металл в магнитном поле у системы висмут-сурьма Текст./ Н.Б.Брандт, Е.А.Свистова, Р.Г.Валеев //ЖЭТФ. -1968. - Том 55. Вып.2(8).- С.469-485.

47. Golin, S. Band Model for Bismuth-Antimony Alloys Text./ S. Golin //Phys. Rev.- 1968. Vol.176. № 3. - P.830-832.

48. Lerner, L.S.Energy-Band Parameters and Relative Band-Edge Motions in the Bi-Sb Alloy System near the Semimetal-Semiconductor Transition Text./ L.S. Lerner , K.F. Cuff, L.R. Williams //Rev. of Modern Phys. 1968.- Vol.40. № 4. - P.770-775.

49. Tichovolsky, E.J. Magnetoreflection Studies on the Band Structure of Bismuth-Antimony Alloy Text./ E.J. Tichovolsky, J. G. Mavroides //Sol. State Comm.- 1969.- Vol.7. -P.927-931.

50. Брандт, Н.Б. Исследование бесщелевого состояния индуцированного магнитным полем в сплавах висмут-сурьма Текст./ Н.Б.Брандт, С.М.Чудинов, В.Г. Караваев //ЖЭТФ.- 1976,- Том 70. № 6.- С.2296-2317.

51. Лифшиц, Т.М. Оптическое пропускание полупроводникового твердого раствора BixxSbx Текст./ Т.М. Лифшиц, А.Б.Ормонт, Е.Г.Чиркова, А .Я. Шульман //ЖЭТФ. -1977.-Том 72. №3. -С. 1130-1139.

52. Алексеева, В.Г.Зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниковых твердых растворах Bi-Sb от концентрации сурьмы Текст./ В.Г. Алексеева, Н.Ф.Заец, А.А.Кудряшев, А.Б.Ормонт //ФТП. -1976.- Том 10. №12. С.2243-2246.

53. Oelgart, G. The Semiconductor-Semimetal Transition in BixxSbxText./ G. Oelgart, C. Schneider, W. Kraak, R. Herrmann //Phys. Stat. Sol. (b). 1976. - Vol.74. № 1. -P.K75-K77.

54. Kraak, W. The Semiconductor-Semimetal Transition in BixxSbx alloy with x>0.22 Text./ W. Kraak, G. Oelgart, C. Schneider, R. Herrmann // Phys. Stat. Sol. (b). 1978. - Vol.88. № 1. - P.105-110.

55. Брандт, Н.Б. The Semiconductor-Semimetal Transition in BixxSbx alloy with х>0.22Текст./ Н.Б. Брандт, Б.А.Корчак, А.М.Чесноков, С.М. Чудинов //ФТТ,-1977.- Том 19. №7.- С.2107-2115.

56. Брандт, Н.Б. Электронные переходы у сплавов висмут-сурьма в сильных магнитных полях Текст./ Н.Б. Брандт, Е.А.Свистова, М.В. Семенов //ЖЭТФ. -1970.- Том 59. №2.- С.434-444.

57. Родионов, Н.А. Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в твердых растворах на основе висмута Текст.: дис. .д-ра физ. мат. наук/Родионов Николай Антонович,- ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. СПб.: 2004. -450с.

58. Кондаков, О.В. Магнитооптический эффект в кристаллах висмута Текст.: автореф. дис. .д-ра физ. мат. наук/Кондаков Олег Викторович; РГПУ им. А.И. Герцена.- СПб., 2003. -32с.

59. Кондаков, О.В. Междузонные переходы электронов в висмуте Текст./ О.В. Кондаков. Елец: ЕГУ им. И.А. Бунина, 2001. -174 с.

60. Кондаков, О.В. Магнитооптический эффект в висмуте Текст./ О.В. Кондаков. СПб.: РГПУ им. А.И.Герцена, 2002. - 249 с.

61. Buot, F.A. Theory of diamagnetism of Bi-Sb alloys Text./ F.A. Buot//The physics of semimetals and narrow gap semiconductors. Oxford: - 1971. - P. 99-112.

62. Ravindra, N.M. Temperature dependence of the energy gap in Bi-Sb systems Text./ N.M. Ravindra , V.K. Srivastava //J. Phys. Chem. Sol. 1980. - Vol.1. №11. - P.1289-1290.

63. Иванов, Г.А. Электрические свойства монокристаллов твердых растворов теллура в висмуте в интервале температур 77-300 К Текст./ Г.А. Иванов //ФТТ.- 1963.- Том 5. №11. С.3173-3178.

64. Vecchi, М.Р. Temperature dependence of the band parameters of bismuth Text./ M.P. Vecchi, M.S. Dresselhaus //Phys. Rev. B. 1974. - Vol.10. № 8. - P.771-724.

65. Vecchi, M.P. Temperature dependence of the band parameters in Bi and BixxSbx alloys Text./ M.P. Vecchi, E. Mendez, M.S. Dresselhaus//Proc. International conference on the physics of semiconductors. Rome. 1976. - P.459-462.

66. Эдельман, B.C. Электроны в висмуте Текст./ B.C. Эдельман //Электроны проводимости. М.: 1985. - С.229-253.

67. Okada, Т. Temperature dependence of the band parameters in Bi and Bi}xSbx alloys Text./ T. Okada // Memoirs of the Faculty of Science, Kyus'yn University. -1955. Ser.B. Vol.1. №5. - P.157-168.

68. Гицу, Д.В. К расчету анизотропии гальваномагнитных свойств монокристаллов висмута Текст./Д.В. Гицу, Г.А.Иванов//Изв. АН МССР.-1962.- №5.- С.83-91.

69. Гицу, Д.В.Электрические свойства монокристаллов висмута и его сплавов Текст./Д.В. Гицу, Г.А.Иванов //ФТТ.- I960.- Том 2. №7. С.1464-1476.

70. Ландау, Л.Д. Электродинамика сплошных сред Текст./ Л.Д.Ландау, Е.М.Лифшиц.- М.: Наука, 1982. 620с.

71. Явления переноса в висмуте и его сплавах Текст./ Д.В. Гицу, И.М. Голбан, В.Г.Канцер, Ф.М. Мунтяну.- Кишинев: Штиинца, 1983. 266с.

72. Най, Дж. Физические свойства кристаллов Текст./ Дж. Най.- М.: ИЛ, 1960. -385с.

73. Akdöz, Y.C. Space-time symmetry restrictions on the form of transport tensors: I Galvanomagnetic effects Text./ Y.C. Akdöz, G.A. Saunders //J.Phys.C. -1975. -Vol.8. № 9. P.1387-1396.

74. Akdöz, Y.C. Space-time symmetry restrictions on the form of transport tensors: II Thermomagnetic effects Text./ Y.C. Akdöz, G.A. Saunders //J.Phys.C. -1975. -Vol.8. №18. P.2962-2970.

75. Grüneisen, E. Untersuchungen in wismutkristallen.2.Anderung der Termokraft in transversalen Magnetfeldern Text./ E. Grüneisen, J. Gielessen //Ann. Phys. 1967. -Bd.27. № 2. - S.243-255.

76. Jones, H. The Theory of the Galvanomagnetic effects in Bismuth Text./ H. Jones, H.H. Wills//Proc.Roy.Soc. -1936. -Vol.155. № 886. P.653-663.

77. Zitter, R.H. Small-field galvanomagnetic tensor Of Bi at 4.2K. Text./ R.H. Zitter //Phys. Rev. 1962. - Vol.127. № 5.- P.1471-1480.

78. Иванов, Г.А. Электрические и гальваномагнитные свойства висмута и его сплавов (твердые растворы) в широком температурном интервале Текст.: дис. .д-ра физ. мат. наук/Иванов Георгий Александрович.- ЛГПИ им. А.И.Герцена. -Л. 1964. -241с.

79. Займан, Дж. Электроны и фононы Текст./Дж. Займан.- М.: ИЛ, 1962. -488с.

80. Ансельм, А.И. Введение в теорию полупроводников Текст./А.И.Ансельм.-М.: Наука. 1978.-615с.

81. Блат, Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах Текст./ Ф. Блат.- М.: Мир. 1971. -470с.

82. Аскеров, Б.И. Электронные явления переноса в полупроводниках Текст./ Б.И. Аскеров,- М.: Наука. 1985. -320с.

83. Kolodzijczak, J. On the transport theory for semiconductors with warped energy surfaces Text./ J. Kolodzijczak, S. Zukotinsky //Acta Phys. Polon. 1963. - Vol.23. № 6.-P.783-794.

84. Kolodziejczak, J. Galvano-and Thermomagnetic Effects in Semiconductors with Non-Spherical and Non-Parabolic Energy Band Text./ J. Kolodzijczak, S. Zukotinsky //Phys. Stat. Sol. 1964. Vol.5. № 1,- P.145-158.

85. Драбл, Дж. Теплопроводность полупроводников Текст./ Дж. Драбл, Г. Голдсмид.- М.: ИЛ. 1963. -266с.

86. Abeles, В. Galvanomagnetic Effects in Bismuth Text./ В. Abeles, S. Meiboom //Phys. Rev. -1956. Vol.101. № 2. - P.544-560.

87. Tanuma, S. Semiconducting properties of Bi-Sb Alloys Text./ S. Tanuma //J. Phys. Soc. Japan. -1959. Vol.14. № 9. - P. 1246-1247.

88. Tanuma, S. Thermoelectric power of bismuth-antimony alloys Text./ S. Tanuma //J. Phys. Soc. Japan. 1961. - Vol.16. № 11. - P.2354-2355.

89. Иванов, Г.А. Электрические свойства сплавов висмут-сурьма Текст./Г.А.Иванов, А.М.Попов//ФТТ. -1963.- Том 5. №9. -С.2409-2419.

90. Грабов, В.М. Исследование теплопроводности и термоэдс висмута и его сплавов Текст.: дис. .канд. физ. мат. наук/Грабов Владимир Минович.- J И'ИИ им. А.И.Герцена.- Л., 1967. -203с.

91. Налетов, В.Л. Электрические, тепловые и термоэлектрические свойства сплавов висмут-сурьма различной степени неоднородности Текст.: дис. .канд. физ. мат. наук /Налетов Владимир Лукич.- ЛГПИ им. А.И.Герцена. Л.-1969.- 148с.

92. Колпачников, Г.Н. Изучение явлений переноса в сплавах висмут-сурьма, легированных теллуром, в интервале температур 77-300К Текст.: дис. .канд. физ. мат. наук /Колпачников Г.Н.- ЛГПИ им. А.И.Герцена.- Л.-1970.- 142с.

93. Понарядов, B.C. Термоэдс и теплопроводность сплавов висмут-сурьма Текст.: дис. .канд. физ. мат. наук/ Понарядов В.С.-ЛГПИ им. А.И.Герцена.-Л.-1970.- 132с.

94. Худякова, И.И. Изучение валентной зоны сплавов висмут-сурьма методом варьирования химического потенциала путем легирования сплавов оловом. Текст.: дис. .канд. физ. мат. наук/ Худякова Инна Ивановна.- ЛГПИ им. А.И.Герцена.- Л.-1970.- 160с.

95. Гицу, Д.В. Комплексное исследование явлений переноса в висмуте и сплавах висмут-сурьма, легированных донорными примесями Текст.: дис. .д-ра физ. мат. наук/ Гицу Дмитрий Васильевич.- ЛГПИ им. А.И.Герцена.- Л.-1973,- 438с.

96. Урюпин, О.Н. Термоэлектрические явления в кристаллах системы висмут-сурьма в широком интервале температур Текст.: дис. .канд. физ. мат. наук/ Урюпин Олег Николаевич,- ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН.- СПб.- 1996.- 178с.

97. Грабов, В.М.Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма Текст.: дис. .д-ра физ. мат. наук/Грабов Владимир Минович.- СПбГТУ.-СПб.- 1999.-603с.

98. Smith, G.E. Thermoelectric Properties of Bismuth- Antimony Alloys Text./ G.E. Smith, R. Wolfe //J. Appl. Phys. -1962. -Vol.33. № 3. P. 841-846.

99. Гольцман, Б.М.Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Вг2Те3 Текст./Б.М.Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов// М: Наука. 1972. -320 с.

100. Yasaki, Т. Thermal Conductivity of Bismuth- Antimony Alloy Single Crystals Text./ T. Yasaki //J. Phys. Soc. Japan. -1968,- Vol.25. №4. P. 1054- 1060.

101. Yasaki, T. Galvanomagnetic investigations of the BitxSbx (0 <x <0.15) System at 77°K Text./ T. Yasaki, Y.Abe //J. Phys. Soc. Japan. 1968. - Vol.24. №2. - P.290-295.

102. Wolf, R. Effects of the magnetic Field on the Thermoelectric Properties of a Bismuth- Antimony Alloy Text./ R. Wolfe, G.E. Smith //Proceedings of the International conference on the physics of semiconductors.- Exeter- London. 1962. -P.771-776.

103. Wolf, R. Effects of the magnetic Field on the Thermoelectric Properties of a Bismuth- Antimony Alloy Text./ R. Wolfe, G.E. Smith //Appl. Phys. Lett.- 1962,-Vol.l. №1. P.5-7.

104. Thomas, C.B. Lange magnetoseebeck effect in an extrinsic Bi-Sb Alloy Text./ C.B. Thomas, H.J. Goldsmid //J. Phys. Lett. 1968. -Vol.27A. №6. - P.369-370.

105. Земсков, B.C. Термоэлектрические свойства твердых растворов BiSb Текст./ В.С.Земсков, А.Д. Белая, С.А. Рослов, П.Г. Бородин //Изв. АН СССР. Металлы. 1978. №1. - С.73-77.

106. Земсков, В.С.Термоэлектрические свойства твердых растворов BiSb Текст./ В.С.Земсков, А.Д. Белая, С.А. Заякин //Высокочистые вещества. -1987. №5. С.52-53.

107. Земсков, B.C. Термоэлектрическая добротность твердых растворов висмута с сурьмой, легированных оловом Текст./ В.С.Земсков, А.Д. Белая, С.А. Заякин, Н.А. Булетова //Изв. АН СССР. Металлы.- 1987. №2.- С.166-168.

108. Zemskov, V.S. Growth and investigation of thermoelectric properties of Bi-Sb alloy single crystals Text./ V.S. Zemskov , A.D. Belaya , U.S. Beluy , G.N. Kozhemyakin // J. Cryst. Growth. -2000. Vol. 212. P.161-166.

109. Lenoir, B. Bi-Sb Alloys: an Update Text./ B. Lenoir, A. Dauscher, X. Devaux, R. Martin-Lopez, Yu. I. Ravich, H. Scherrer, S. Scherrer // Proceedings of the XV Int. Conf. on Thermoelectrics. Pasadena, CA USA. 1996. - P. 1-13.

110. Lenoir, B. Transport properties of Bi-rich Bi-Sb alloys Text./ B. Lenoir, M. Cassart, J.-P. Michenaud, H. Scherrer, S. Scherrer //J. Phys. and Chem. Solids. -1996. Vol.57.-№l.P.89-99.

111. Lenoir, B. Transport properties of Bi-rich Bi-Sb alloys Text./B. Lenoir, A. Dauscher, M. Cassart, Yu. I. Ravich, H. Scherrer // J. Phys. and Chem. Solids. 1998. Vol.59. №1.-P.129-134.

112. Lenoir, B. Electron and hole transport in undoped Bi096Sb0M alloys Text./ B. Lenoir, M. O. Selme, A. Demouge, H. Scherrer, Yu. V. Ivanov, Yu. I. Ravich, //Phys. Rev. B. -1998. Vol.57. №18. - P.l 1242-11250.

113. Редько, Н.А. Влияние легирования сплавов висмут-сурьма на термоэлектрическую добротность Текст./Н.А. Редько, Н.А. Родионов, В.И.Польшин, О.В. Зотова // Доклады VII Межгосударственного семинара

114. Термоэлектрики и их применения».- СПб. ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН. 2000. -С.68-71.

115. Red'ко, N.A. Thermoelectric efficiency of semiconducting Bi-Sb alloys Text./ N.A. Red'ko // Proceedings of the XIV Int. Conf. on Thermoelectrics. -St.-Petersburg, Russia. 1995.- P. 82-84.

116. Редько, H.A. Электронные и фононные явления переноса в полуметаллических и полупроводниковых сплавах висмут-сурьма Текст.: дис. . .д-ра физ. мат. наук/ Редько Николай Андреевич,- ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН.-СП6.-1998.- 465с.

117. Родионов, H.A. Явления переноса в сплавах висмут-сурьма р- типа при низких температурах Текст.: дис. .канд. физ. мат. наук/ Родионов Николай Антонович.- ЛГПИ им. А.И.Герцена.- Л.-1983.- 205с.

118. Грабов, В.М. Исследование явлений переноса в кристаллах висмута на основе закона дисперсии Мак Клюра и квадратичного закона дисперсии Текст./В.М. Грабов, В.А.Куликов, А.С.Парахин, Г.А. Сангаджиева,

119. A.В.Сидоров // Доклады IX Межгосударственного семинара «Термоэлектрики и их применения»,- СПб.- ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН. 2004,- С.125-130.

120. Грабов, В.М.Явления переноса в кристаллах с произвольным законом дисперсии носителей заряда в произвольном магнитном поле Текст./В.М. Грабов, А.С.Парахин// Изв. Рос. гос. пед. ун-та. Сер. Естествен, и точ.н. СПб.-2005. №5. -С.137-146.

121. Dey, К. К. Explanation of the temperature variation of Hall coefficient of doped bismuth Text./ К. K. Dey, D. Banerjee, R. Bhattacharya // J. Phys. and Chem. Solids.- 2003,- Vol.64. № 5. -P.793-800.

122. Hasegawa, Y. Numerical calculation of magneto-seebeck coefficient of bismuth under a magnetic field Text./ Y. Hasegawa , T. Komine , Y. Ishikawa , A. Suzuki , H. Shirai //Jap. J. Appl. Phys. 2004. - Vol. 43. № 1. -P. 35-42.

123. Hofmann, Ph. Electronic structure and Fermi surface of Bi (100) Text./ Ph. Hofmann, J. E. Gayone, G. Bihlmayer, Yu. M. Koroteev, E. V. Chulkov // Phys. Rev.

124. B. -2005. Vol.71. № 19. -РЛ95413/1-195413/7.

125. Fukuyama, H. Inter-band effects of magnetic field on orbital susceptibility and Hall conductivity case of bismuth Text./ H. Fukuyama // Ann. Phys. -2006.-Vol.15. № 7-8. - P.520-525.

126. Hamabe, M. Negative longitudinal magnetoresistance of bulk bismuth in low temperature Text./ M. Hamabe, S. Yamaguchi, I. Yonenaga , M. Sato // Annu. Rept Nat. Inst. Fusion Sci. 2005. - P. 247.

127. Teramoto, T. Numerical analysis of the magneto-Seebeck effect of bismuth with anisotropic band structure Text./ T. Teramoto, T. Komine, M. Kuraishi , R. Sugita, Y. Hasegawa, H. Nakamura // J. Appl. Phys. 2008. -Vol.103. № 4.- P.043717/1-043717/6.

128. Ando, N. Thermoelectric and transport properties of semiconducting BimSbn alloy Text./ N. Ando, T. Kiyabu, H. Kitagawa, M. Itoh, Y. Noda//Physica. B. -2003. Vol.329-333. - P.1540-1541.

129. Muntyanu, F. M. Peculiarities of thermomagnetic effects at semiconductor-semimetal transition in ultraquantum magnetic fields Text./ F. M. Muntyanu, Yu. A. Dubkovetskii, A. Gilewski// Rom. J. Phys. 2004. - Vol.49. № 3-4. - P.295-298.

130. Goldsmid, H. J. The thermal conductivity of inhomogeneous thermoelectric materials Text./ H. J. Goldsmid, J. W. Sharp // Phys. status solidi. B. 2004. -Vol.241. № 11.- P.2571-2574.

131. Cadavid, D. Thermoelectric properties of Bi-Sb samples grown by mechanical alloy Text./ D. Cadavid, J. E. Rodriguez // Phys. status solidi. C. -2005. Vol.2. № 10. - P.3677-3680.

132. Yamashita, O. Enhancement of the thermoelectric figure of merit in M/T/M (M=Cu orNi and T =BiouSbon) composite materials Text./ O. Yamashita, K. Satou, H. Odahara, S. Tomiyoshi // J. Appl. Phys. -2005. Vol.98. № 7. - P.073707/1-073707/8.

133. Liu, H. J. High-pressure preparation and thermoelectric properties of Bi0MSb0A5 Text./ H. J. Liu, L. F. Li, D. Shi //Robotica. -2006. Vol.24. № 2. -P.L7-L10.

134. Liu, H.J. Thermoelectric properties of Bi09Sb0A prepared by high pressure Text./ H.J. Liu, Y.L. Wu, R.J. Huang , C.M. Song , L.F. Li // J. Phys. and Chem. Solids.- 2006. Vol.67. № 7. - P. 1492-1495.

135. Liu, H. J. Processing method dependency of thermoelectric properties of Bi0i5Sb0ls alloys in low temperature Text./ H. J. Liu, Ch. M. Song , S. T. Wu, L. F. Li // Cryogenics . -2007. -Vol.47. № 1. P.56-60.

136. Noguchi, H. Processing method dependency of thermoelectric properties of Bi0%5Sb015 alloys in low temperature Text./ H. Noguchi, H. Kitagawa, T. Kiyabu, K.

137. Hasezaki, Y. Noda // J. Phys. and Chem. Solids . 2007. -Vol.68. № 1. - P.91-95.

138. Бочегов, В.И. Влияние плавной неоднородности состава на гальвано- и термомагнитные свойства сплава висмут-сурьма Текст.: автореф. дис. . канд. физ. мат. наук/Бочегов Василий Иванович. - ЛГПИ им. А.И.Герцена.- JL-1981.-15 с.

139. Парахин, А.С. Влияние плавной неоднородности состава и магнитного поля на явления переноса в монокристаллах висмут-сурьма Текст.: автореф. дис. . канд. физ. мат. наук/Парахин А.С. -ЛГПИ им. А.И. Герцена.- Л.- 1982.-15 с.

140. Иванов, Г.А. Влияние неоднородных внешних условий на кинетические свойства полупроводников Текст./ Г.А. Иванов, В.И.Бочегов, А.С. Парахин // Тезисы докладов к межвузовской научной конференции «Физика твердого тела».- Барнаул, БГПИ. 1982,- С.27.

141. Парахин, А.С.Термоэлектрическая добротность неоднородных полупроводников Текст./А.С. Парахин, Г.А. Иванов //Тезисы докладов II Всесоюзного семинара «Материалы для термоэлектрических преобразователей». Л.: ФТИ им. А.Ф.Иоффе. 1987,- С. 137-138.

142. Mallik, R. С. Study of structural-, and thickness-dependent thermoelectrical and electrical properties of Bi„Sb7 alloy thin films Text./ R. C. Mallik, V. D. Das//J. Appl. Phys. -2005. Vol.98. №2. -P.023710/1-023710/8.

143. Rogacheva, E.I. Quantum-size effects in n-type bismuth thin films Text./ E.I. Rogacheva, S.N. Grigorov, O.N. Nashchekina, S. Lyubchenko, M.S. Dresselhaus //Appl. Phys. Lett. -2003. Vol.82. №16. - P.2628-2630.

144. Heremans, J. Thermoelectric power of bismuth nanowires Text./ J. Heremans, C.M. Thrush //Phys. Rev. B. -1999.-Vol.59. №19. -P.12579-12583.

145. Dresselhaus, M.S.Low dimensional thermoelectric materials Text./ M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, X. Sun , Z. Zhang , S.B. Cronin , T. Koga //ФТТ.1999. Tom 41. №5. C.755-758.

146. Sun, X. Theoretical modeling of thermoelectricity in Bi nanowires Text./ X. Sun, Z. Zhang, M.S. Dresselhaus //Appl. Phys. Lett. 1999. - Vol.74. №26. - P.4005-4007.

147. Lin, Yu-Ming. Theoretical investigation of thermoelectric transport of cylindrical Bi nanowires Text./ Yu-Ming Lin, X. Sun, M.S. Dresselhaus // Phys. Rev. B. 2000. Vol.62. №7. - P.4610-4623.

148. Lin, Yu-Ming. Transport properties of Bi nanowire arrays Text./ Yu-Ming Lin, S.B. Cronin, J. Y. Ying , M.S. Dresselhaus , J.P. Heremans //Appl. Phys. Lett.2000,- Vol.76. №26. P.3944-3946.

149. Zhang, Z.Electronic transport properties of single-crystal bismuth nanowire arrays Text./ Z. Zhang , X. Sun , M.S. Dresselhaus, J.Y. Ying , J. Heremans//Phys. Rev. B. -2000. Vol.61. №7. -P.4850-4861.

150. Lin, Yu-Ming. Thermoelectric properties of superlattice nanowires Text./ Yu-Ming Lin, M.S. Dresselhaus //Phys. Rev. B. -2003. Vol.68. №7. - P.075304/1-075304/14.

151. Rabin, О. Anomalously high thermoelectric figure of merit in BixxSbx nanowires by carrier pocket alignment Text./ O. Rabin, Yu-Ming Lin, M.S. Dresselhaus//Appl. Phys. Lett.- 2001.- Vol.79. №1. P.81-83.

152. Lin, Yu-Ming. Semimetal-semiconductor transition in Bi^xSbx alloy nanowires and their thermoelectric properties Text./ Yu-Ming Lin, O. Rabin, S.B. Cronin , J. Y. Ying , M.S. Dresselhaus // Appl. Phys. Lett.- 2002,- Vol.81. №13. P.2403-2405.

153. Lin, Yu-Ming. Transport properties of BixxSbx alloy nanowires synthesized by pressure injection Text./ Yu-Ming Lin, S.B. Cronin, O. Rabin, J. Y. Ying, M.S. Dresselhaus//Appl. Phys. Lett. 2001.-Vol.79. №5. -P.677-679.

154. Goldsmid, H.J. The Thermoelectric Materials of the Future? Text./H.J. Goldsmid // Proceedings of the XXV Int. Conf. on Thermoelectrics. Wien. Austria. 2006.-P.5-10.

155. Иоффе, А.Ф.Термоэлектрическое охлаждение Текст./ А.Ф. Иоффе, JI.C. Стильбанс, Е.К. Иорданишвили, Т.С.Ставицкая // М.-Л.: Изд. АН СССР. 1956. -180 с.

156. Ure, R.W. Jr. Theory of materials for thermoelectric and thermomagnetic devices Text./R.W. Ure Jr. //Proc. JEEE. 1963. - Vol.51. №5. - P.699-713.

157. Chasmar, R.P. The thermoelectric figure of merit and its relation to thermoelectric generators Text./ R.P. Chasmar, R. Stratton //J. Electronics Control. -1959.-Vol.7. №1.- P.52-72.

158. Power, M. Generalized calculation of thermoelectric efficiency Text./ M. Power, R.A. Handelsmann//Adv. Energy Conversion. 1961. - Vol.1. №1/4. - P.45-60.

159. Simon, R. Thermoelectric figure of merit of two-band semiconductors Text./R. Simon//J. Appl. Phys. 1962. - Vol.33. №5. -P. 1820-1841.

160. Simon, R. Maximum figure of merit of thermoelectric materials Text./R. Simon //Adv. Energy Conversion. 1963. - Vol.3. №2. -P.515-520.

161. Miller, R.C. Dependence of the thermoelectric figure of merit on energy bandwidth Text./ R.C. Miller, R.R. Heikes, A.E. Fein //J. Appl. Phys.- 1962,-Vol.33. №6.- P.1928-1932.

162. Littman, H. Thermoelectrical bound on the thermoelectric figure of merit from irreversible thermodynamics Text./ H. Littman , B. Davidson //J. Appl. Phys. -1961.- Vol.32. №2. -P.217-218.

163. Littman, H. A clarification of the thermoelectrical upper bound on the thermoelectric "figure of merit" derived from irreversible thermodynamics Text./ H. Littman //J. Appl. Phys. 1962. - Vol.33. №8. -P.2655-2656.

164. Rittner, E.S. On the theory of the Peltier heat pump Text./ E.S. Rittner//J. Appl. Phys. 1959. - Vol.30. №5. - P.702-707.

165. Ritther, E.S. Theoretical bound on the thermoelectric figure of merit of two-band semiconductors Text./ E.S. Rittner, G.E. Neumark //J. Appl. Phys. -1963.-Vol.34. №7.-P.2071-2077.

166. Goldsmid, H.J. Comparison of Peltier- Seebeck and Nernst Ettingshausen energy converter in intermediate magnetic fields Text./ H.J. Goldsmid, C.B. Thomas //Adv. Energy Conversion. -1967. - Vol.7. №1. - P.33-41.

167. Панарин, А.Ф. Физические принципы оптимизации термоэлектрических параметров сплавов на основе висмут сурьмы Текст.: дис. канд. физ. - мат. наук/ Панарин Александр Федорович. - ЛГПИ.- Л.- 1976.-144 с.

168. Шраймер, X. Получение термоэлектрических материалов методом порошковой металлургии Текст./ X. Шраймер// Сб. «Прямое преобразование тепловой энергии в электрическую». Информ. Бюл.- М., Изд-во АН СССР, 1964. вып.5. -С.76-80.

169. Оделевский, В.И. Расчет обобщенной проводимости гетерогенных систем. 1. Матричные двухфазные системы с невытянутыми включениями Текст./В.И. Оделевский// ЖТФ.- 1951. Том 21. №6,- С.667-677.

170. Оделевский, В.И. Расчет обобщенной проводимости гетерогенных систем.З.-Поликристалл Текст./ В.И. Оделевский // ЖТФ.- 1951.Том 21. №11.-С.1379-1382.

171. Абдинова, Т.Д. Магнитотермоэлектрический материал на основе экструдированных образцов BiS5Sbl5 Текст./ Г.Д. Абдинова, М.М. Тагиев // Доклады VIII Межгосударственного семинара «Термоэлектрики и их применения». СПб. ФТИ им. А.Ф.Иоффе. 2002.- С. 189-192.

172. Мойжес, Б.Я. Влияние температурной зависимости параметров материала на эффективность термоэлектрических генераторов и холодильников Текст./ Б .Я. Мойжес //ФТТ. 1960. Том 2. №4. - С.728-737.

173. Borrego, J.M. Carrier concentration on optimization in semiconductor thermoelements Текст./ J.M. Borrego//JEEE Trans. Electron devices. 1963. -Vol.10. №6. -P.364-370.

174. Самойлович, А.Г. Современное состояние теории термоэлектрических и термомагнитных явлений в полупроводниках. 4.1.// УФН. -1953. Том 49. Вып.2,- С.243-272.

175. Domenicali, С.А. Irreversible Thermodynamics of Thermoelectricity Text./ С.A. Domenicali // Rev.Mod.Phys. 1954. -Vol.26. №2.- P.237-275.

176. Анатычук, Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Справочник Текст./ Л.И. Анатычук// Киев. Наукова думка. 1979. -766 с.

177. Термоэлектрические охладители/ Под. ред. A.JI. Вайнера. Текст./ М.: Радио и связь. 1983. -177 с.

178. Булат, Л.П. Предельная термоэлектрическая добротность полупроводниковых кристаллических материалов Текст./ Л.П. Булат, B.C. Закордонец//ФТП.- 1995. Том 29. Вып. 10. -С.1743-1749.

179. Вайнер, А.Л. К теории составного термоэлемента Текст./ А.Л. Вайнер, Н.В. Коломоец Н.В., Э.М.Лукишкер, В.М.Ржевский // ФТП.- 1977. №3. С.546-552.

180. Семенюк, В.А. Возможности повышения эффективности термоэлектрического охлаждения при использовании неоднородных термоэлементов Текст./ В.А. Семенюк/ЛГеплофизика и теплотехника.- 1978. Вып.35. -С.80-84.

181. Иванова, К.Ф. Оптимальное распределение концентрации носителей тока вдоль высоты ветвей термоэлемента Текст./ К.Ф. Иванова, А.С. Ривкин //ЖТФ. -1982. Том 52. Вып. 7. -С. 1406-1411.

182. Агеев, Ю.И. Об эффективности термоэлектрического охлаждения при переменной концентрации носителей тока вдоль ветви термоэлемента Текст./Ю.И.Агеев, К.Ф.Иванова, М.А.Каганов, Л.С.Стильбанс, Э.М.Шер //ЖТФ.- 1985. Том 55, Вып. 11.- С.2266-2269.

183. Muller, Е. Optimization strategies for segmented Peltier coolers Text./ E. Muller, S. Walczak, W. Seifert //Phys. Status Solidi. A. -2006. Vol.203. №8. -P.2128-2141.

184. Buist, R.J. The extrinsic Thomson effect (ETE) Text./ R.J. Buist// Proceedings of the XIV Int. Conf. on Thermoelectrics.-St. Petersburg. Russia. 1995. -P.301-304.

185. Ball, C.A. The distributed Peltier effect and its influence on cooling devices Text./ C.A. Ball, W.A. Jesser, J.R. Maddux // Proceedings of the XIV Int. Conf. on Thermoelectrics. -St. Petersburg. Russia. 1995. P.305-309.

186. Anatychuk, L.I. Functional-gradient materials for thermoelectric energy converters Text./ L.I. Anatychuk, L.N. Vikhor, A.V. Kuznetsov, S.D. Letiuchenko//

187. Proceedings of the XIV Int. Conf. on Thermoelectrics. -St. Petersburg. Russia. 1995. P.7-9.

188. Semeniouk, V.A. Single stage thermoelectric coolers with temperature difference of 80 К Text./ V.A. Semeniouk, Т.Е. Svechnikova, L.D. Ivanova// Proceedings of the XIV Int. Conf. on Thermoelectrics.- St. Petersburg. Russia. 1995. -P.485-489.

189. Kaliazin, A.E. Rigorous calculations related to functionally graded and segmented thermoelements. Text./ A.E. Kaliazin, V.L. Kuznetsov, D.M. Rowe // Proceedings of the XX Int. Conf. on Thermoelectrics. -Beijing. Chine. 2001. -P.286-291.

190. Dashevsky, Z. Optimization of thermoelectric efficiency in graded materials Text./ Z. Dashevsky, Y. Gelbstein, I. Edry, I. Drabkin, M.P. Dariel// Proceedings of the XX Int. Conf. on Thermoelectrics. -La Grande Motte. France. 2003. P.421-424.

191. Иванова, Л.Д. Градиентные монокристаллы для различных каскадов термоэлектрических преобразователей Текст./ Л.Д. Иванова, Л.И. Петрова, Т.Е. Свечникова, М.А. Коржуев, Ю.В. Гранаткина, B.C. Земсков // Доклады X

192. Межгосударственного семинара «Термоэлектрики и их применения».- СПб. ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН. 2006,- С.230-235.

193. Коржуев, М.А. О достижении «безджоулева» режима работы неоднородного термоэлемента Текст./ М.А. Коржуев, В.Ф. Банкина, Н.Х. Абрикосов //ФТП. -1985. Том19. №5.- С.929-930.

194. Федоров, М.И. Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния Текст.: автореф. дис. .д-ра физ.-мат. наук/Федоров Михаил Иванович ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН.- СПб.-2007-32с.

195. Scherrer, Н. Effect of one-dimensional electrical conduction on the thermoelectric figure of merit Text./ H. Scherrer, S. Scherrer, A. Casian, L. Sur, A. Sandu//Phys. Low-Dimens. Struct. 1997. - Vol.10. - P.77-84.

196. Lu, X. Modification of the lattice thermal conductivity in semiconductor rectangular nanowires Text./ X. Lu, J. H. Chu, W.Z. Shen//J. Appl. Phys.- 2003.-Vol.93. №2. P. 1219-1229.

197. Nishio, Y. Improvement of the efficiency of thermoelectric energy conversion by utilizing potential barriers Text./ Y. Nishio, Tohru Hirano // Jap. J. Appl. Phys. -1997. Vol.36. №1 la. -P.170-174.

198. O'Dwyer, M.F. Concert study for a high-efficiency nanowire based thermoelectric Text./ M.F. O'Dwyer, T.E. Humphrey, H. Linke //Nanotechnology.-2006. Vol.17. №11. -P.S338-S343.

199. Hicks, L.D. Experimental study of the effects of quantum-well structures on the thermoelectric figure of merit Text./ L.D. Hicks, T.C. Harman , X. Sun , M.S. Dresselhaus //Phys. Rev. B. -1996,- Vol.53. №16. P.R10493-R10496.

200. Broido, D.A. Thermoelectric transport in quantum well superlattices Text./ D.A. Broido, T.L. Reinecke //Appl. Phys. Lett.- 1997,- Vol.70. №21. -P.2834-2836.

201. Broido, D.A. Thermoelectric power factor in superlattice system Text./ D.A. Broido, T.L. Reinecke //Appl. Phys. Lett. -2000. Vol.77. №5. - P.705-707.

202. Koga, T. Mechanism of the enhanced thermoelectric power in (11 l)-oriented n-type PbTe /Pbi-x.Eu[x]Te multiple quantum wells [Text]/ T. Koga, T.C. Harman, S.B. Cronin, M.S. Dresselhaus //Phys. Rev. B. 1999.-Vol.60. №20. - P.14286-14293.

203. Broido, D.A. Theory of thermoelectric power factor in quantum well and quantum wire superlattices Text./ D.A. Broido, T.L. Reinecke //Phys. Rev. 2001. -Vol.64. №4. - P.045324/1-045324/10.

204. Venkatasubramanian, R. Thin-film thermoelectric devices with high room-themperature figure of merit Text./ R. Venkatasubramanian, E. Silivola, T. Collpitts, B. O'Quinn //Nature.- 2001. Vol.413. 11 OCTOBER. - P.597-602.

205. Antonyuk, V.B. Thermoelectric figure of merit for parallel transport in superlattices Text./ V.B. Antonyuk, A.G. Mal'shukov, Zhongshui Ma, K. A. Chao //Appl. Phys. Lett. 2001. - Vol.79. №23. - P.3791-3793.

206. Gurevich, V.L. Conductance and thermoelectric effect in a two-dimensional collisionless electron gas Text./ V.L. Gurevich, A. Thellung //Phys. Rev. B. -2002. -Vol.65. №15. P. 153313/1-153313/3.

207. Singh, M.P. Thermoelectric properties of bismuth telluride quantum wiresText./ M.P. Singh , C.M. Bhandari //Solid State Commun. 2003. - Vol.127. №9-10.-P.649-654.

208. Chao, K.A. Energy transport in one-dimensional thermoelectric systems Text./ K.A. Chao, M. Larsson //Solid State Commun. -2006. Vol.139. №9. -P.490-492.

209. Дмитриев, A.B. Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов Текст./А.В. Дмитриев, И.П.Звягин//УФН.-2010. Том 180. №8. С.821-838.

210. Иванов, К.Г. Выращивание монокристаллов висмут-сурьма Текст./К.Г. Иванов, А.С.Крылов, И.К. Калугина //ГТГЭ. 1975. №2.- С.225-226.

211. Пфан, У.Г. Зонная плавка Текст./У.Г. Пфан//- М.: Мир. 1970. 336с.

212. Лодиз, Р. Рост монокристаллов Текст./Р. Лодиз, Р.Паркер// М.: Мир. 1974. -540с.

213. Физическое металловедение/Под ред. Р. Кана. Вып.ЩТекст./.- М.: Мир. 1968.- 490с.

214. Колпачников, Т.Н. Выращивание монокристаллов Bi-Sb методом зонной перекристаллизации Текст./Г.Н. Колпачников, В.Л. Налетов //Ученые записки J11 ИИ им. А.И. Герцена «Полуметаллы»,- Л., ЛГПИ им. А.И. Герцена. 1968. -С.3-6.

215. Вол, А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем. Том 2. Текст./А.Е.Вол//- М.: ГИФМЛ. 1962. -982с.

216. Земсков, B.C. Распределение Sb и Sn между жидкой и твердой фазами при кристаллизации сплавов Bi-Sb-Sn Текст./ B.C. Земсков, А.Д. Белая, С.А. Рослов, А.В. Чани, У.Ф. Першина//Изв. АН СССР. Неорганические материалы.-1976. Том 12. №5. С.805-809.

217. Комаров, Г.В. О причине возникновения колебаний границы между твердой и жидкой фазами висмута Текст./Г.В.Комаров, А.Р.Регель//ФТТ.-1964. Том 6. №1.- С.334.

218. Bhatt, V.P. Origin of the Transverse Striations in Bi-Sb Single Crystals Text./ V.P. Bhatt, G. R. Pandya, R.D. Rao//J. Cryst. Growth. -1972.- Vol.16. №3. P.283-286.

219. Иванов, Г.А. Коэффициенты сегрегации теллура и олова в сплавах Bi-Sb, богатых висмутом Текст./Г.А.Иванов, Г.Н. Колпачников, И.И. Фадеева //Изв. АН СССР. Неорганические материалы.- 1971. Том 7. №1. С. 171-172.

220. Келли, А.Кристаллография и дефекты в кристаллах. Текст./А. Келли, Г.Гровс// М.: Мир. 1974. 496с.

221. Физическое металловедение/Под ред. Р. Кана. Вып.Ш. Текст./ М.: Мир. 1968.- С.484с.

222. Современная кристаллография (в четырех томах). Том 4.Физические свойства кристаллов/ Шувалов Л.А., Урусовская A.A., Желудев И.С. и др. Текст./ М.: Наука. 1981. -496с.

223. Коттрел, А. Теория дислокаций. Текст./ А. Коттрел//- М.: Мир. 1969. -96с.

224. Приборы и методы физического металловедения./Под ред. Ф. Вейнберга. Вып.1. Текст./ М.: Мир. 1973. -427с.

225. Физическое металловедение/Под ред. Р. Кана. Вып.П. Текст./ М.: Мир. 1968.- 490с.

226. Панченко, Е.В. Лаборатория металлографии. Текст./ Е.В. Панченко, Ю.А. Скаков, К.В. Попов, Б.Н. Арсентьев, Я.Д. Хорин//- М.: ГНТИЛЧЦМ. 1957. -695с.

227. Коваленко, B.C. Металлографические реактивы. Справочник. Текст./ B.C. Коваленко// М. Металлургия. 1972. - 110с.

228. Пантелеев, В.Г. Компьютерная микроскопия. Текст./ В.Г. Пантелеев, О.В. Егорова, Е.И. Клыкова //- М.: Техносфера. 2005. 304 с.

229. Брандон, Д. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля. Текст./ Д. Брандон, У. Каплан //- М.: Техносфера. 2006. 377 с.

230. Приборы и методы физического металловедения/ Под ред. Ф. Вейнберга. Вып.2. Текст./ М.: Мир. 1974. -364с.

231. Брандт, Н.Б.Электронная структура металлов. Текст./Н.Б. Брандт, С.М. Чудинов// М.: Изд. МГ^. 1973.- 332с.

232. Воров, Ю.Г. Определение содержания сурьмы в сплаве висмут-сурьма методом гидростатического взвешивания Текст./Ю.Г.Воров, В.Л.Налетов // Общая и теоретическая физика: сб. науч. статей.- Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена. 1968.- С.39-42.

233. Налетов, В.Л.Выращивание монокристаллов сплавов BiSb и контроль их состава Текст./В.Л. Налетов, В.И. Николаев, Г.А.Иванов//Материалы симпозиума по низкотемпературным термоэлектрическим материалам. -Кишинев: РИО АН МолдССР. 1968.- С.49-51.

234. Пинес, Б.Я. Острофокусные рентгеновские трубки и прикладной рентгеноструктурный анализ. Текст./ Б.Я. Пинес// М.: ГИТТЛ. 1955. - 267с.

235. Синдо, Д.Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия. Текст./ Д. Синдо, Т. Оикава//- М.; Техносфера. 2006.- 256с.

236. Криштал, М.М.Сканирующая электронная микроскопия и рентгено -спектральный микроанализ в примерах практического применения. Текст./ М.М. Криштал, И.С. Ясников, В.И. Полунин, A.M. Филатов, А.Г. Ульяненков // М.: Техносфера.2009.- 208с.

237. Иванов, Г.А.Электрические свойства тройных сплавов висмута в интервале температур 77-450К Текст./Г.А.Иванов, Б.И.Чистяков //ФММ,- 1963. Том 6. №6. С.848-855.

238. Бондаренко, М.Г. Эффективность примеси олова в висмуте Текст./М.Г. Бондаренко, В.М. Грабов, Г.А. Иванов //Сб. науч. статей «Физика твердого тела».- Барнаул. БГПИ. 1984. С.43-45.

239. Иванов, Г.А. Особенности поведения примесей олова, теллура и сурьмы в сплавах с висмутом Текст./Г.А. Иванов, Д.А. Скрипин// Сб. науч. статей «Физика твердого тела».- Барнаул. БГПИ. 1984. С.6-7.

240. A.Ф.Иоффе РАН. 1995,- С.74-76.

241. Грабов, В.М. Магнитная восприимчивость сплавов висмут-сурьма, легированных оловом Текст./ В.М. Грабов, К.Г. Иванов//Сб. науч. статей «Полуметаллы и сегнетоэлектрики».- JI. ЛГПИ им. А.И.Герцена. 1976.- С. 2730.

242. Киселев, И.Ф. Основы физики поверхности твердого тела. Текст./ И.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев,- М.: МГУ. 1999. 287 с.

243. Быков, В.А. Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей Текст.: дис. .д-ра тех. наук/ Быков В.А.- ГНИИФП им. Ф.В.Лукина.- М.-2000. -393с.

244. Миронов, В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Текст./

245. B.Л.Миронов// М.: Техносфера. 2004. - 143 с.

246. Миронов, В.Л. Сканирующая зондовая микроскопия твердотельных наноструктур Текст.: автореф. дис. .д-ра физ.-мат. наук/ Миронов В.Л.-ИФМ РАН.- Н. Новгород. 2009. -34с.

247. Park, S. Tunneling Microscopy of Graphite in Air Text./ S. Park, C.F. Quate// Appl. Phys. Lett. -1986.-Vol.48 (2).-P.l 12-114.

248. Binnig, G. Atomic force microscope Text./ G. Binnig, C.F. Quate, Ch. Gerber //Phys. Rev. Lett. 1986. -Vol.59. №9.-P.930-933.

249. Woodward, J. T. Precision height measurements of freeze fracture replicas using the scanning tunneling microscope Text./ J. T. Woodward, J. A. N. Zasadzinski, P. K. Hansma//J. Vac. Sci. Technol.B.-1991,- Vol.9. №2,- P. 1231-1235.

250. Гицу, Д.В. Микротвердость сплавов висмут-сурьма и ее связь с электрическими характеристиками этих сплавов Текст./ Д.В. Гицу, Г.А.Иванов, В.Г.Лужковский//Ученые записки ЛГПИ им. А.И.Герцена. Л. 1961. Том 207.-С. 45-50.

251. Данлэп, У. Введение в физику полупроводников. Текст./ У. Данлэп// М.: ИИЛ. 1959. -430с.

252. Харман, Т.Измерение параметров, характеризующих термоэлектрические свойства Текст./Т.Харман// В сб. «Термоэлектрические материалы и преобразователи».- М.: Мир.1964.-С.92-105.

253. Кайданов, В.И. К вопросу об определении гальвано- и термомагнитных явлений в полупроводниках Текст./ В.И. Кайданов, И.С. Лискер //ИФЖ.- 1965. Том 8. №5. -С.661-665.

254. Методы измерения характеристик термоэлектрических материалов и преобразователей. Текст./ М.: Наука. 1974. -167 с.

255. Кайданов, В.И. Метод измерения изотермического поперечного эффекта Нернста Эттингсгаузена в термоэлектрических полупроводниковых материалах Текст./ В.И. Кайданов, И.А. Черник //ФТТ. -1967. Том 1. №9.-С.1394-1399.

256. Кучис, Е.В. Методы исследования эффекта Холла Текст./Е.В. Кучис//.-М.: Советское радио. 1974. -328с.

257. Уайт, Г.К. Экспериментальная техника в физике низких температур. Текст./ Г.К. Уайт// М.: ГИФМЛ. 1961. -368 с.

258. Грабов, В.М. Об измерении теплопроводности и термоэдс в сплавах висмута с теллуром и оловом Текст./ В.М. Грабов// Сб. науч. статей «Полуметаллы». Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена.- Л. 1968.- С.67-72.

259. Стронг, Д. Техника физического эксперимента Текст./Д. Стронг//.- Л.: ЛГЖИКИ. 1948,- 662с.

260. Ангерер, Э. Техника физического эксперимента Текст./Э. Ангерер//.- М.: ГИФМЛ. 1962.-450с.

261. Зимин, B.C. Стеклодувное дело и стеклянная аппаратура для физико-химического эксперимента. Текст./В.С.Зимин//- М.: Химия. 1974. -299с.

262. Хряпин, В.Е. Справочник паяльщика. Текст./В.Я. Хряпин, A.B. Лакедемонский// М.: Машиностроение. 1974. -326с.

263. Кэй, Д. Справочник физика-экспериментатора. Текст./Д. Кэй, Т. Лэби// -М.: ИЛ. 1949.-300с.

264. Любалин, М.Д. Рост кристаллов в расплаве. Кристаллографический анализ и эксперимент. Текст./ М.Д. Любалин//- СПб.: Наука. 2008.-391 с.

265. Пунин, Ю.О. Автодеформационные дефекты кристаллов Текст./ Ю.О. Пунин, А.Г. Штукенберг// СПб.: Изд-во СПб ун-та. 2008.- 318с.

266. Бондарев, Ю.М. Процессы дефектообразования в твердых растворах Bi-Sb Текст./ Ю.М. Бондарев, Е.В. Бирючинский, Е.Г. Гончаров //Вестник ВГУ. Серия химия, биология, фармация. Воронеж. 2003. № 1. -С. 5-8.

267. Бондарев, Ю.М.Экстремумы свойств в системе висмут-сурьма Текст./ Ю.М. Бондарев, Е.Г. Гончаров, И.В. Миллер //Вестник ВГУ. Серия химия, биология, фармация. Воронеж. 2004. № 1. -С. 16 - 20.

268. Луцкий, Д.В.Исследование плотности дислокаций в монокристаллах твердых растворов сурьма-висмут Текст./ Д.В. Луцкий, Г.Н. Кожемякин // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2006. №2. - С. 68 - 71.

269. Амелинкс, С. Методы прямого наблюдения дислокаций. Текст./С. Амелинкс// -М.: Мир. 1968.-440 с.

270. Сангвал, К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение. Текст./К. Сангвал//-М.: Мир. 1990.- 496 с.

271. Чернобай, В.И. Идеальная и дислокационная структура кристаллов висмута Текст./ В.И. Чернобай, Г.А. Иванов , Г.Б. Багдуев, Т.В. Чернобай //В сб. «Полуметаллы и полупроводники». Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена. 1975. -С.37-43.

272. Чернобай, В.И. Взаимодействия дислокаций в кристаллах висмута Текст./ В.И. Чернобай, Г.А. Иванов, Г.Б. Багдуев, Т.В. Чернобай//В сб. «Полуметаллы и сегнетоэлектрики». Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена. 1976. - С.9-19.

273. Ланкин, C.B. Механическое двойникование и его влияние на электрические свойства висмута и его сплавов Текст.: автореф. дис. .д-ра физ.-мат. наук/ Ланкин Сергей Викторович.- АмурКНИИ ДВО РАН.-Благовещенск. 1998. -34с.

274. Офицеров, A.B. Исследование электронных свойств поверхности висмута методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии Текст.: дис. .канд. физ.-мат. наук/ Офицеров A.B.- ИФП РАН,- М. 2004. -120с.

275. Smith, G.E. Effective g-factor of electrons and holes in bismuth Text./ G.E. Smith, G.A. Baraff, J.M. Rowell //Phys.Rev.A.-1968.-Vol.4.-P.l 118-1124.

276. Smith, A.W. Hall-effect in Alloys Text./ G.E. Smith // Phys. Rev. -1911-Vol.32. P.178-200.

277. Thompson, N. The Electrical Resistance of Bismuth Alloys Text./ N. Thompson //Proc. Of the Royal Soc. A. 1936. - Vol.155. N88(4). - P.l 11-123.

278. Lehnefmke, W. Die elektrischen Transportgrößen von dotiertem Big&Sbl2 Text./ W. Lehnefmke, G. Schneider//Z. Naturforsch. A.-1969. -Bd.24.-S.1594-1601.

279. Neisecke, J. Elektrischen Transportgrößen von BimxSbx -Legirungen (x<40%) Text./ J. Neisecke, G. Schneider//Z. Naturforsch. A.-1971. Bd.26.-S.1309-1315.

280. Равич, Ю.И.Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. Текст./ Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов// М.:Наука.1968.- 383с.

281. Иванов, Г.А.Электрические и гальваномагнитные свойства висмута и его сплавов с сурьмой, легированных оловом Текст./ Г.А. Иванов, Г.Н. Колпачников, И.И. Фадеева //Ученые записки ЛГПИ им. А.И.Герцена «Полуметаллы». J1. Том 384. Вып.4.- С.48-53.

282. Грабов, В.М. К определению параметров сплавов Bi-Sb Текст./ В.М. Грабов, Г.А. Иванов, A.M. Попов, Т.А. Яковлева // Ученые записки «Проблемы теоретической и экспериментальной физики». Том 303. JI. ЛГПИ им. А.И.Герцена. 1966.-С. 193-203.

283. Fay, В. Anisotropie galvanomagnetischer und thermomagnetischer Effekte in verschieden dotiertem BiuSbnText./ B. Fay, G. Schneider // Z. Naturforsch. A.-1971. Bd.26.-S.1459-1471.

284. Yim, W.M. Bi-Sb Alloys for magnetothermoelectric and thermomagnetic Cooling Text./ W.M. Yim, A. Amith //Solid State Electr.- 1972,- Vol. 15,- №10.-P.l 141-1165.

285. Yasaki, T. Thermal Conductivity of Bismuth- Antimony Alloy Single Crystals Text./ T. Yasaki//J. Phys. Soc. Japan. 1968.-Vol.25.-№4.-P.1054-1060.

286. Wagner, N. Bandstruktur und thermoelektrische Eigenschaften von WismutAntimon- Legierungen Text./N. Wagner, O. Brümmer// Kristall und Technik.-1973. Bd.8.-№6.-S.729-742.

287. Wagner, N. Untersuchungen zur Wärmeleitfähigkeit von Bi-Sb Einkristallen Text./ N. Wagner , O. Brümmer, H.R. Pietzsch // Kristall und Technik.-1974,- Bd.9.-№10.-S.1153-1165.

288. Wolf, R. Experimental Verification of the Kelvin Relation of Thermoelectricity in a magnetic Field Text./ R. Wolf , G.E. Smith // Phys. Rev. -1963.- Vol. 1219.-P.1086-1087.

289. Охрем, В.Г. Исследование влияния инверсии магнитного поля на термоэдс

290. Текст.: автореф. дис.канд. физ. мат. наук/ Охрем В.Г.- ЧТУ.- Черновцы.1972.-11 с.

291. Бойко, М.П. Особенности явлений переноса в чистых и легированных сплавах висмут-сурьма Текст.: дис. . канд. физ. мат. наук/ Бойко М.П.-ИПФ АН МССР. - Кишинев,-1986.184 с.

292. Грабов, В.М. Переход полуметалл-полупроводник в сплавах висмут-сурьма Текст./ В.М. Грабов, Г.А. Иванов, B.J1. Налетов, B.C. Понарядов, Т.А. Яковлева//ФТТ.-1969. Том 11. Вып.12.-С.3653-3655.

293. Goldsmid, H. J. Bismuth-Antimony Alloys Text./ H. J. Goldsmid // Physica Status Solidi (a). -1970.-Vol.l.-№l.-P.7-28.

294. Martin, B.G. Band-Edge Calculations for Bismuth and Bismuth-Antimony Alloys Text./ B.G. Martin, L.S. Lerner //Phys.Rew.B.-1972.-Vol.6.- №8.- P. 30323044.

295. Цидильковский, И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. Текст./ И.М. Цидильковский//-М.: Наука, 1972.-640с.

296. Брандт, Н.Б.Переход полупроводник «квазиметалл» - полупроводник в сплавах BilxSbx под действием давления Текст./ Н.Б. Брандт, X. Диттманн, Я.Г. Пономарев, С.М. Чудинов //Письма в ЖЭТФ.- 1970.- Том 11, Вып.5.-С.250-253.

297. Физические величины: Справочник./ Под ред. И.С.Григорьева, Е.З. Мейлихова. Текст./-М.: Энергоатомиздат. 1991.-1232с.

298. Воров, Ю.Г. Сравнение действий сурьмы и давления на зону Бриллюэна для висмута Текст./ Ю.Г. Воров, З.Я. Ворова, A.M. Джумиго// Тезисы докладов межвузовской научной конференции «Физика твердого тела». Барнаул.-1982.- С.52-53.

299. Тавгер, Б.А. Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и полуметаллических пленках Текст./ Б.А. Тавгер, В.Я. Демиховский //УФН. -1968,- Том 96. Вып.1.-С.61-86.

300. Самойлович, А.Г. Термоэлектрические и термомагнитные методы превращения энергии. Текст./ А.Г. Самойлович// М.: ЛКИ. 2007.- 224 с.

301. Бурштейн, А.И. Физические основы расчета полупроводниковых термоэлектрических устройств Текст./А.И. Бурштейн//. М.: Физматгиз. 1962. 136 с.

302. Anatychuk, L.I. Optimal functions as an effective method for thermoelectric devices designText./ L.I. Anatychuk, O.J. Luste, L.N. Vikhor// Proceedings of the XV Int. Conf. on Thermoelectrics. -Pasadena. CA USA. 1996. P.223-226.

303. Boerijk, A.H. Zero-first and second order theories of a general thermocouple Text./ A.H. Boerijk// J. Appl. Phys. 1961. - Vol.32.-№8.- P.1584-1589.

304. Жукова, Н.М. Об оптимизации концентрации носителей в полупроводниковых термоэлементах Текст./ Н.М. Жукова, А.П. Кашин, М.З. Максимов, О.В. Марченко// ФТП.- 1989. Том 23. Вып.Ю. -С.1908-1910.

305. Кузнецов, В.Л. Исследование предельных возможностей термоэлектрического охлаждения при температуре жидкого азота Текст./ В.Л. Кузнецов, М.В. Ведерников, П. Яндль, У. Бирхгольц //Письма в ЖТФ. -1994. Том 20. Вып. 18 . -С. 75-80.

306. Родионов, Н.А.Кинетические явления в сплавах Bi0MSb012с малым содержанием дырок зоны Ls Текст./ Н.А. Родионов, Н.А. Редько, Г.А. Иванов // ФТТ. -1979.-Том 21. №9,- С.2556-2562.

307. Кириченко, Ю.А. Теплопроводность высокотемпературных сверхпроводников Текст./ Ю.А. Кириченко, К.В. Русинов, Е.Г. Тюрина // Сверхпровод, физ. хим. тех. -1990 .- Том 3. №7. -С. 1385-1409.

308. Лукьянова, Л.Н. Гальваномагнитные и термоэлектрические свойства твердых растворов р Bi2xSbxTe3ySey в низкотемпературной области220К) Текст./ Л.Н. Лукьянова, В.А. Кутасов, В.В. Попов, П.П. Константинов // ФТТ.- 2004,- Том 46. Вып. 8. С. 1366-1371.

309. Коленко, Е.А. Термоэлектрические охлаждающие приборы Текст./ Е.А. Коленко//М.-Л.: Изд. АН СССР. 1963. -191 с.

310. Помазанов, И.Н. Термоэлектрический холодильник, действующий за счет тепловой энергии Текст./ И.Н. Помазанов, П.Л. Тихомиров// Холодильная техника,- 1961.-№4-С.24-27.

311. Помазанов, И.Н. Полупроводниковый тепловой насос на принципе комбинированного использования термоэлектрических эффектов Текст./ И.Н. Помазанов, П.Л. Тихомиров // Известия ЛЭТИ. -1963. -Вып. 51-С.94-106.

312. Помазанов, И.Н. Термоэлектрическое охлаждение за счет тепла от низкопотенциальных источников Текст./ И.Н. Помазанов, П.Л. Тихомиров // Сб. «Термоэлектрические свойства полупроводников». М.-Л.: Изд. АН СССР. 1963- С.138-145.

313. Абдуллаев, Г.Б. Полупроводниковый термоэлектрический трансформатор тепловой энергии Текст./ Г.Б. Абдуллаев, А.З. Кулиев, Ю.Н. Малевский, П.Р. Файзиев // Гелиотехника. -1967.- №6-С.3-8.

314. Lehman, G. Zur Stromversorgung thermoelektrischer Kuhlelement mit Hilfe von Thermogeneratoren Text./ G. Lehman // Wiss. Zeit. der Elektrotechnik. -1967. -Bd.8.№3-S.168-183.

315. Foster, F.R. Thermoelectric generator-refrigerator Text./ F.R. Foster, A. Yamamure // ASHRAE Trans. -1970. -Vol.76. pt.2-P.157-163.

316. Calligaris, F. On a cooling device employing thermoelectric generators Text./ F. Calligaris, P. Ciuti //Nucl. Instrum. and Meth. -1971. -Vol.93. №3-P.577-580.

317. Бабин, В.П. Об оптимизации режима работы совмещенного термоэлемента генератор-холодильник Текст./ В.П. Бабин, Е.К. Иорданишвили// Электротехническая промышленность. Сер. хим. физ. источники тока.-1972.-№1 (10).-С.13.

318. Иванов, Г.А. К статье В.П. Бабина и Е.К. Иорданишвили: «Об оптимизации режима работы совмещенного термоэлемента типа генератор-холодильник» Текст./ Г.А. Иванов, О.И. Марков// Сб. «Полупроводники и диэлектрики». Л. ЛГПИ им. А.И.Герцена.- 1974-С.З-7.

319. Марков, О.И. Низкотемпературный совмещенный термоэлемент Текст./О.И.Марков // Сб. «Полуметаллы и полупроводники». Л. ЛГПИ им. А.И.Герцена.- 1975. -С.98-100.341