Влияние градиентной неоднородности на физические свойства и явления переноса в кристаллической бинарной системе Bi-Sb тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Бочегов, Василий Иванович

• Бочегов, Василий Иванович
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Бочегов, Василий Иванович

Введение 5

Глава 1. Анализ литературных данных по исследованию свойств кристаллов висмута и его сплавов с сурьмой и представленных в литературе материалов о влиянии неоднородности на свойства твердых тел 32

1.1. Кристаллическая структура и симметрия кристаллов висмута и сурьмы 32

1.2. Зависимость параметров кристаллов висмута и сурьмы от температуры 35

1.3. Упругие свойства кристаллов висмута и его сплавов с сурьмой 37

1.4. Зона Бриллюэна и диаграмма энергетического спектра носителей заряда в кристаллах сплавов висмут-сурьма 39

1.5. Закон дисперсии носителей заряда в кристаллах висмута, сурьмы и их сплавов 43

1.6. Особенности явлений переноса в кристаллах сплавов висмут-сурьма 44

1.6.1. Феноменологическое описание явлений переноса в кристаллах сплавов висмут-сурьма 45

1.6.2. Краткий обзор экспериментальных данных по явлениям переноса в кристаллах сплавов Б11-Х-БЬХ 48

1.7. Эффект Борелиуса 55

1.8. Некоторые эффекты в твердых телах связанные, с направленной, в том числе градиентной неоднородностью 58

1.8.1. Термоупругие напряжения 5 8

1.8.2. Функционально-градиентные материалы в термоэлектричестве 58

1.8.3. Гальваномагнитные явления в образцах 1п8Ь с переменной концентрацией носителей заряда в направлении первичного тока 59

1.9. Ликвация, концентрационное переохлаждение при направленной кристаллизации. Условия снятия концентрационного переохлаждения и получения гомогенных кристаллов системы висмут сурьма 59

1.10. Выводы к главе 1 62 Глава 2. Кристаллизация сплавов висмут сурьма и управление распределением их состава 64

2.1. Термодинамическое равновесие жидкой и кристаллической фазы сплавов висмут-сурьма. Равновесный и неравновесный коэффициенты распределения 64

2.2. О распределении компонентов бинарной системы по объёму при направленной кристаллизации 69

"4

2.3. Подготовка материала для получения монокристаллов системы висмут-сурьма и технология их выращивания. Зонная очистка 77

2.3.1. Технология получения кристаллов 77

2.3.2. Некоторые аспекты зонной очистки материала 79

2.4. О качестве получаемых кристаллов 86

2.5. Выводы к главе 2 90 Глава 3. Термоупругое состояние градиентно-неоднородных кристаллов сплавов системы висмут-сурьма 93

3.1. Термоупругие напряжения в приближении тонкой прямоугольной пластины 93

3.2. Экспериментальное исследование поля термических деформаций и расчет полей термоупругих напряжений при сонаправленных и противоположно направленных векторах градиентов температуры и концентрации сурьмы в кристаллах системы

Б1100-сЗЬс 102

3.3. Выводы к главе 3 113 Глава 4. Явления переноса в градиентно-неоднородных кристаллах системы В1100-С8ЬС, гальвано- и термомагнитные явления 114

4.1. Гальваномагнитные свойства градиентно-неоднородных кристаллов системы В1ю0-сЗЬс 114

4.1.1. Использование условий компенсации гальваномагнитного вихря для расчета движения экстремумов в кристаллах В1100-СБЬС в интервале 12 < С < 25 126

4.1.2. Оценка изменения магнитотермоэлектрической эффективности за счет влияния

ГН на магнитосопротивление 127

4.1.3. Выводы по пункту 4.1 128

4.2. Магнитотермоэлектрические свойства градиентно-неоднородных кристаллов системы В1100-ХБЬХ 129 4.2.1. Выводы по пункту 4.2 137

4.3. Выводы к главе 4 138 Глава 5. Теплопроводность градиентно-неоднородных кристаллов системы В1100-СБЬС 140 5.1. Теплопроводность градиентно-неоднородных кристаллов системы В1100-СБЬС в полуметаллической области состава (3 < С < 11) 141 5.2 Теплопроводность градиентно-неоднородных кристаллов системы В1ю0-с§Ьс в полупроводниковой области состава (11 < С < 20) 149 5.3. Расчетная модель для оценки эффекта полярности теплопроводности градиентно-неоднородных монокристаллов системы В1100-с8Ьс полупроводниковой области состава

(11 < С < 20) "4 154

5.4. Вывод к главе 5 163

Глава 6. Динамическая тепловая неоднородность в эффекте Борелиуса. 164

6.1. Выводы к главе 6 171

Глава 7. Техника эксперимента 172

7.1. Приготовление образцов для исследования 172

7.2. Измерение распределения концентрации сурьмы С по длине слитка выращенного кристалла системы Б1100-С8ЬС 176

7.3. Измерение параметров явлений переноса 177

7.3.1. Измерение гальваномагнитных эффектов 181

7.4. Некоторые теоретические и технологические основы прямого измерения теплопроводности 183

7.4. 1. Компенсация оттока тепла от градиентного нагревателя помимо исследуемого образца 184

7.4.2. Учёт теплопритоков из атмосферы при измерении теплопроводности 188

7.4.3. Измерение теплопроводности материалов с учётом теплопотерь на излучение 193

7.5. Методика измерения термоупругих деформаций 197

7.6. Выводы к главе 7 200 Заключение 202 Список использованной литературы 206 Приложение 227

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние градиентной неоднородности на физические свойства и явления переноса в кристаллической бинарной системе Bi-Sb»

Исследование свойств вещества в кристаллическом состоянии на протяжении последнего столетия дали новые знания, позволившие в течение нескольких десятилетий совершить технологическую революцию буквально во всех областях человеческой деятельности. В основе элементной базы любых электронных устройств и приборов, в частности, лежат уникальные свойства полупроводников, обладающих направленной неоднородностью Ф-п переход). Это одно из ярких проявлений градиентной неоднородности (ГН) в веществе. Актуальность исследования определяется тем, что во многих случаях специально созданная неоднородность материалов обеспечивает повышение функциональных качеств приборов и устройств на основе таких материалов.

Мы будем называть градиентно-неоднородной (ГН) среду, в которой в макроскопическом объеме где г - какой-либо параметр,

определяющий свойства среды, например, состав многокомпонентной кристаллической системы, энергетический спектр электронов среды или среду, находящуюся в макроскопически неоднородном поле, например, температурном (%гайТ силовом электрическом Е(хьх2,х3), магнитном В(х1,х2,хз), где х{ - координаты.

Висмут и его сплавы с сурьмой занимают промежуточное место между металлами и полупроводниками. При некоторых соотношениях компонентов системы Bi100-cSbc это вещество ведет себя, как металл при высоких температурах, но как полупроводник при низких. В интервале от С ~ 4 ат% до С ~ 22 ат% кристаллы висмут-сурьма являются узкозонными полупроводниками с высокой подвижностью электронов. В силу такой специфики этих материалов они являются очень чувствительными к легирующим добавкам и к изменениям внешних условий: температуры, магнитного поля, механического воздействия и т.д. Атомы этих веществ обладают не очень высокой энергией связи в конденсированном состоянии и, как следствие, невысокой температурой кристаллизации. Сплавы шстемы

Bi100-cSbc дают непрерывный ряд твердых растворов, как в жидкой, так и в твердой фазе. Кроме того, кристаллы этих материалов являются существенно анизотропными по всем свойствам. Эти особенности кристаллов висмута и его сплавов с сурьмой делают данный материал модельным при изучении ряда фундаментальных свойств конденсированного состояния вещества.

Кристаллы системы Bi100-cSbc являются наиболее эффективными термоэлектрическими материалами при температурах ~ 100 К. Функционирование термоэлектрических преобразователей энергии (ТПЭ) всегда происходит при наличии ГН по температуре. Это приводит к тому, что свойства материалов, используемых в ТПЭ, меняются вдоль направления изменения температуры. Такое изменение свойств может оказывать негативное влияние на термоэлектрическую добротность (ТЭД) преобразователей энергии. Интерес к термоэлектрическому преобразованию энергии, как в сфере энергетики, так и в сфере использования ТПЭ в качестве датчиков тепловых процессов не только не ослабевает, но наоборот, возрастает. Это обусловлено главным образом тем, что, несмотря на сравнительно невысокое КПД этих устройств, они, в большинстве случаев, являются более предпочтительными с точки зрения интересов экологического характера. Поэтому вопросами исследования ТПЭ и поиском новых материалов для них занимаются ведущие исследовательские коллективы, как за рубежом, так и в Российской Федерации. В России это такие ведущие исследовательские учреждения как: ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова, Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого и ряд других учреждений.

Поскольку ТПЭ находят все более широкое применение, то постоянно ведется поиск путей повышения их ТЭД, в том числе, и путем использования ГН материалов. Учитывая все это, можно сказать, что актуальность исследования определяют следующие обстоятельства:

1. Эксплуатация и функционирование твердотельных приборов всегда происходит в условиях наличия ГН. 4

2. Твердые тела в неравновесных тепловых процессах обязательно имеют температурную ГН.

3. Неоднородные электрические и магнитные поля создают полевую ГН в кристаллических телах.

4. Неравномерная механическая нагрузка тел создает механическую ГН

в них.

5. В многокомпонентных сплавах, в силу кристаллизационной сегрегации, всегда присутствует в большей или меньшей степени ГН состава.

6. Последние пятнадцать - двадцать лет во всем мире ведутся активные теоретические и экспериментальные исследования по применению функционально-градиентных термоэлектрических материалов с целью повышения эффективности термоэлектрического преобразования энергии. Под функционально-градиентными материалами здесь понимаются в основном термоэлементы с секционно меняющимися свойствами воль градиента температуры в них. В этом направлении достигнуты заметные успехи. Вследствие этого некоторым авторам удалось повысить эффективность термоэлектрических преобразователей на 8-13 %. Однако ряд вопросов о свойствах градиентно-неоднородных (ГН) сред (см. определение выше) остаётся открытым.

Поэтому изучение процессов в твердых телах при наличии ГН представляется актуальным.

В данной работе мы не касаемся хорошо изученных вопросов, связанных с p-n переходом или запорным слоем, т. е. со скачкообразным изменением механизма проводимости в тонком слое. Мы исследуем нетривиальные изменения процессов (в основном процессов переноса) для случая плавного изменения параметров вещества по всему его объему, в том числе и при наличии поперечного магнитного поля по отношению к направлению градиентов этих параметров. Этот аспект особенно важен для вопросов прогнозирования повышения термоэлектрической добротности материалов и устройств в магнитном поле. Автор считает, что только с учетом

детального изучения влияния изменения концентрации и подвижности носителей вдоль направления первичного потока (энергии или заряда) на процессы переноса в поперечном магнитном поле можно осуществлять более точный прогноз о термоэлектрической эффективности материалов и приборов и находить пути её повышения. В этом заключается актуальность и практическая значимость исследования.

Предмет и объект исследования. Предметом исследования являются процессы, определяющие влияние направленной градиентной неоднородности различной природы на физические свойства, процессы и явления в конденсированном веществе. Объектом исследования являются кристаллы нелегированных сплавов висмут-сурьма.

Целью работы является экспериментальное и теоретическое исследование изменения свойств вещества в конденсированном состоянии и процессов, протекающих в нем, под влиянием стационарной и динамической направленной макронеоднородности любой природы, на примере системы Б^Ь в рамках технических возможностей, имеющихся у автора.

Задачи исследования:

1. По известным литературным источникам изучить особенности свойств висмута и его сплавов с сурьмой, теорию термоупругого состояния твердых неоднородных структур, теорию кристаллизации в квазиравновесном приближении, известные теоретические, экспериментальные и практические результаты влияния градиентной неоднородности на свойства и процессы в твердом теле.

2. На основе фундаментальных теоретических посылов по термодинамике квазиравновесного и неравновесного процесса кристаллизации создать и экспериментально апробировать технологию получения градиентно-неоднородных по составу кристаллов системы Б^Ь с возможностью управления неоднородностью состава, главным образом методом зонной перекристаллизации или его сочетанием с методом направленной кристаллизации. 4

3. Вырастить серию градиентно-неоднородных кристаллов системы висмут-сурьма с заданной кристаллографической ориентацией, заданной градиентной неоднородностью состава. С применением методов рентгеноструктурного и рентгеноспектрального анализа произвести экспериментальное определение кристаллографической ориентации выращенных слитков и распределение компонентов твердого раствора висмут-сурьма по объему. Подготовить соответствующие требованиям эксперимента образцы для исследования термоупругого состояния и явлений переноса.

4. На основе фундаментальных знаний решить задачу термоупругости для градиентно-неоднородных по составу кристаллов системы Bi-Sb, разработать на основе голографического метода экспериментальную установку и определить термические деформации указанных кристаллов и на основании сравнения расчетов с экспериментом сделать оценку термоупругих напряжений градиентно-неоднородных по составу кристаллов системы Bi-Sb.

5. Спроектировать и создать технические устройства для экспериментального исследования влияния ГН на гальваномагнитные, термоэлекрические свойства и теплопроводность кристаллов системы Bi-Sb.

6. Экспериментально и теоретически исследовать влияние ГН на гальваномагнитные и магнито-термоэлектрические свойства кристаллов системы Bi-Sb.

7. Экспериментально и теоретически исследовать влияние ГН на теплопроводность кристаллов системы Bi-Sb.

8. Экспериментально и теоретически исследовать влияние динамической температурной ГН на анизотропную термоэдс кристаллов системы Bi-Sb (в эффекте Борелиуса).

9. Сформировать практические рекомендации на основе полученных элементов новых знаний.

Научная новизна

1. Впервые определены и реализованы условия выращивания кристаллов твердых растворов висмут-сурьма с контролируемой (управляемой) градиентной неоднородностью. Показано, что с помощью комбинации нормальной кристаллизации с различными скоростями и последующей зонной перекристаллизации сплава висмут-сурьма можно получить распределение концентрации сурьмы по длине слитка равного сечения близкое к линейному в широком интервале значений концентрации с возможностью регулирования градиента этой концентрации. (См. рис. 2.6). (Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2015613883; Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2015613883; АС СССР № 957585; ПАТЕНТ РФ № 2552463; АС СССР № 1319638; № 1322717; ПАТЕНТ РФ № 2554190; Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2015614168).

2. Произведено совершенствование экспериментальных методов исследования физических свойств кристаллов системы Б^Ь. Показано, что:

- использование автоматической стабилизации температуры горячего и холодного термостатов, создающих температурную неоднородность в исследуемом образце, позволяет проводить непрерывное измерение всех кинетических параметров с изменяющимися внешними условиями (в изменяющемся магнитном поле) с записью сигналов на самопишущем измерительном приборе при измерении гальваномагнитных параметров;

- использование электронного ключа позволяет автоматически исключать влияние сигналов термоэлектрической природы на сигнал падения напряжения и холловский сигнал;

- использование нагревателя, автоматически компенсирующего отток тепловой мощности от печи, создающей градиент температуры в исследуемом образце, практически полностью исключает систематическую погрешность в определении теплового потока, проходящего через поперечное сечение

образца, за счет чего уменьшается погрешность измерения теплопроводности прямым методом;

- использование бокового фонового экрана, повторяющего температурное поле в образце, снижает погрешность измерения теплопроводности, вызываемую оттоком тепла с боковой поверхности образца за счет излучения и атмосферной теплопроводности;

- использование радиоизотопного рентгенофлуоресцентного способа обнаружения микротрещин после электроискровой обработки на поверхности градиентно-неоднородных образцов кристаллов системы Bi-Sb позволяет практически полностью избавляться от этих микротрещин методом химического травления, и уменьшать тем самым вероятность их разрушения за счет термомеханических напряжений.

3. Впервые определены условия существования и определены закономерности термоупругих напряжений в кристаллах системы висмут-сурьма. Показано, что при температурах ниже температуры Дебая кристаллы висмута и сплавов висмут-сурьма становятся термонапряженными, если vt ф 0 . В неоднородных по составу кристаллах системы Bi100-cSbc при температурах ниже температуры Дебая термические напряжения, связанные с наличием V7' ф О, будут либо усиливаться за счет VC ф 0, либо ослабляться в зависимости от взаимного направления векторов V'/' и VC.

4. Впервые установлены закономерности влияния градиентной неоднородности состава и температуры на гальваномагнитные явления в кристаллах твердых растворов висмут-сурьма. Показано, что:

- при наличии градиентной неоднородности V7V 0 и (или) VC ф О в кристаллах системы Bi100-cSbc, помещенных в поперечное магнитное поле при протекании тока в направлении градиентной неоднородности, возникает стационарный гальваномагнитный вихрь вектора плотности тока rot j ф 0 . Критерием, определяющим величину и наличие градиентной неоднородности,

1 дп 1

следует считать параметр к =---= — ■

п дх п

/ _ ^ _ \

дп дЕ дп

g ■ V С + — -VT

. дЕ дС х дТ

V g

, который

называют коэффициентом неоднородности;

- стационарный гальваномагнитный вихрь тока приводит к дополнительному приросту сопротивления < р> (помимо эффекта магнетосопротивления) в соответствии с выражением <р>=р(В)-(у/2)-соШ(у/2) , где р(В) - величина магнетосопротивления

материала при данных условиях, но если бы отсутствовал вихрь, у - это параметр, связанный с коэффициентом неоднородности К, тангенсом угла Холла в и шириной прямоугольного образца а следующим образом у=Кав-

- гальваномагнитный вихрь и дополнительный прирост сопротивления, связанный с ним, может усиливаться совместным влиянием неоднородности температуры и неоднородности состава либо ослабляться вплоть до полного

исчезновения эффекта, что зависит от взаимного направления градиентов VXC

hV/.

- определена быстрота изменения ширины запрещенной зоны 5 = д.]Eg/дС c увеличением концентрации сурьмы С системы Bi100-cSbc в

интервале 12 < С < 25 (Ô = 2,23 мэВ/ат%) при средней температуре Т ~ 90 К. На основе этого вычислено значение концентрации сурьмы, при которой сплав переходит из полупроводникового в полуметаллическое состояние (Спер = 22,8 ат%) вблизи температуры Т ~ 90 К.

5. Впервые установлены закономерности влияния градиентной неоднородности состава и температуры на магнитотермоэлектрические и термомагнитные явления в кристаллах твердых растворов висмут-сурьма. Установлено, что:

- в градиентно-неоднородных по температуре и (или) по составу кристаллах системы Bi100-cSbc, помещенных в поперечное магнитное поле,

появляется стационарный термомагнитный вихрь плотности тока j (rot7 ф 0 );

- стационарный термомагнитный вихрь плотности тока может усиливаться или ослабляться вплоть до полного исчезновения в зависимости от величины и взаимного направления градиентов температуры V Т и состава V/' при некоторых значения величины индукции поперечного магнитного поля.

6. Впервые экспериментально обнаружено ранее не известное

явление зависимости теплопроводности от взаимного направления вектора

градиента температурыVХТ и вектора градиента концентрации сурьмы V/' в

системе В^оо^Ьг. Это означает, что теплопроводность при

угТТус отличается от теплопроводности при (теплопроводность становится полярной). Создана расчетно-теоретическая модель полярности теплопроводности в градиентно-неоднородных по составу монокристаллических образцах

системы Biloo-cSbc в полупроводниковой области состава. Показано, что наименьшее значение теплопроводности соответствует параллельной ориентации градиентов ширины запрещенной зоны и температуры.

7. Впервые показано, что установленные закономерности влияния градиентной неоднородности состава ветвей термоэлемента и внешних полей на прочностные и гальванотермомагнитные явления следует учитывать при определении величины оптимальной градиентной неоднородности, обеспечивающей повышение параметра термоэлектрической эффективности ZT в реальных условиях работы термоэлемента.

8. Быстродействие датчиков на основе эффекта Борелиуса можно увеличить помимо уменьшения толщины термоэлементов датчика: 1) за счет уменьшения размеров клеевых изоляционных прослоек; 2) за счет увеличения их температуропроводности, т.е., например, с применением теплопроводящих паст (свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2015661629).

Научная и практическая значимость

Решенная задача расчета зависимости равновесного и не равновесных коэффициентов распределения на границе жидкой и твердой фазы системы Б1100-С8ЬС от концентрации компонентов сплава в жидкой фазе позволяет более точно рассчитывать сегрегацию компонентов этой системы при направленной кристаллизации, что важно, как в практическом, так и в научном плане. Обнаруженный экспериментально факт того, что характер сегрегации существенно изменяется вследствие изменения размера расплавленной зоны при зонной перекристаллизации, также важен и с научной и с практической точки зрения.

Созданная методика управления распределением состава сплава висмут-сурьма по объему позволит создавать оптимальное для повышения ТЭД распределение этого состава, а также позволяет регулировать их прочностные свойства, ослабляя термомеханические напряжения. Это, безусловно, важно для практического применения кристаллов висмут-сурьма в качестве термоэлектрических материалов.

Обнаруженные и теоретически описанные стационарные вихри плотности тока гальвано- и термомагнитной природы предполагают безусловный их учет при проектировании, создании и практическом использовании ТПЭ особенно в свете активных исследований, направленных на увеличение эффективности ТПЭ за счет применения так называемых градиентно-функциональных материалов.

Экспериментально обнаруженный эффект зависимости теплопроводности от взаимного направления градиентов температуры и состава, созданная автором предварительная теоретическая модель этого эффекта для полупроводниковой области состава градиентно-неоднородных по составу С кристаллов системы Б1100-сЗЬс также представляет интерес и с научной и с практической точки зрения.

Полученные новые данные о закономерностях явлений переноса в градиентно-неоднородных материалах представляют собой существенный

вклад в развитие физики градиентно-неоднородных материалов, для термоэлектрического материаловедения.

Для теплометрии и радиационной термометрии важным является вывод о возможности увеличения быстродействия градиентных тепломеров на основе эффекта Борелиуса.

Выполненные оценки повышения термоэлектрической эффективности ветви термоэлемента на основе варизонных кристаллов висмут-сурьма в полупроводниковой области составов с учетом полученных закономерностей может составить около 10 % по сравнению с однородными кристаллами среднего по величине состава.

И наконец, теоретически обоснованная и практически проверенная методика прямого измерения теплопроводности твердых тел также может быть практически использована, как при научных исследованиях, так и в создании измерительных приборов для теплометрии.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Установленные закономерности зависимости эффективного коэффициента распределения сурьмы от параметров процессов направленной кристаллизации и зонной перекристаллизации обеспечивают возможность управления пространственным распределением компонентов кристалла, возможность получения кристаллов висмут-сурьма высокого совершенства, имеющих заданное распределение компонентов по длине слитка, близкое к линейному, gradCsb = const.

2. При температурах ниже температуры Дебая кристаллы висмута и его сплавов с сурьмой становятся термонапряженными, если VT ф 0 . В кристаллах системы Bi100-cSbc с градиентной неоднородностью термические напряжения, связанные с наличием vt ф 0, будут либо усиливаться за счет VC ф 0, либо ослабляться в зависимости от взаимного направления векторов

УГи VC.

3. Гальваномагнитный вихрь и эффект дополнительного прироста сопротивления, связанный с ним, может усиливаться совместным влиянием неоднородности температуры и неоднородности состава либо ослабляться вплоть до полного исчезновения эффекта, что зависит от взаимного

направления градиентов VXC и V Т.

4. В градиентно-неоднородных по температуре и (или) по составу кристаллах системы Bi100-cSbc, помещенных в поперечное магнитное поле, формируется стационарный термомагнитный вихрь плотности тока j

(rot j ф 0 ), который может усиливаться или ослабляться вплоть до полного

исчезновения в зависимости от величины и взаимного направления

градиентов температуры УТ и состава VXC.

5. Теплопроводность ГН образцов системы Bi100-cSbc является полярной (изменяется по величине при смене направления теплового потока по

отношению к направлению градиента состава VC), величина установленного различия определяется зависимостью энергетического спектра носителей заряда как от состава, так и от температуры, т.е. определяется только электронной составляющей теплопроводности. Наименьшее значение теплопроводности соответствует параллельной ориентации градиентов ширины запрещенной зоны и температуры.

6. Время установления стационарного состояния явлений переноса в термоэлектрических устройствах существенным образом определяет температуропроводность материалов конструкции. Быстродействие реальных конструкций датчиков на основе эффекта Борелиуса можно увеличить более чем на порядок за счет увеличения температуропроводности монтажных материалов.

Достоверность и обоснованность результатов, полученных в данной работе, обеспечивается:

- разработкой научно обоснованных методов изготовления монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма с заданной градиентной неоднородностью состава по длине выращиваемого слитка;

- применением современных методов исследования состава и структуры, кристаллов, распределения компонентов твердого раствора вдоль слитка, наличия и величины термоупругих напряжений (термических деформаций) в кристаллах системы Biloo-cSbc при наличии градиента температуры и состава;

- применением традиционной методики исследования кинетических свойств низкотемпературных термоэлектриков.

При этом методика эксперимента усовершенствована рядом устройств, автоматически исключающих систематические ошибки, которые раньше исключались вручную или не учитывались вовсе. Кроме того, точность измерений теплопроводности, которая традиционно была всегда ниже измерений электрических параметров, была существенно повышена за счет применения, разработанных и обоснованных теоретически, новых приемов и устройств, отмеченных в главе 7.

Достоверность полученных результатов и обоснованность выводов также подтверждается согласием полученных всех расчетно-теоретических результатов с экспериментальными результатами.

Личный вклад автора

Лично автором были сформулированы цели и задачи исследования, идеи и принципы конструкций технических средств эксперимента, а также осуществлена материальная реализация этих средств, созданы устройства по выращиванию градиентно-неоднородных кристаллов висмут-сурьма и ряд технологических устройств, направленных на повышение качества этих кристаллов. Получены все экспериментальные результаты и результаты

численного моделирования явлений переноса в градиентно-неоднородных кристаллах висмут-сурьма. Установлены закономерности формирования стационарных явлений переноса в градиентно-неоднородных кристаллах висмут-сурьма. Определены условия повышения термоэлектрической эффективности и компенсации факторов, ее уменьшающих в градиентно-неоднородных кристаллах при действии градиента температуры и поперечного магнитного поля. Приоритет автора зафиксирован в четырех патентах, в четырех авторских свидетельствах и в четырех программах для ЭВМ, имеющих государственную регистрацию и обеспечивающих численное моделирование экспериментально обнаруженных автором новых явлений в градиентно-неоднородных кристаллах (см. Приложение 3).

Соответствие диссертации паспорту научной специальности

Диссертационное исследование соответствует:

п. 1 паспорта специальности 01.04.07 - «Физика конденсированного состояния»: «Теоретическое и экспериментальное изучение физической природы свойств металлов и их сплавов, неорганических и органических соединений, диэлектриков и в том числе материалов световодов, как в твердом, так и в аморфном состоянии в зависимости от их химического, изотопного состава, температуры и давления». Диссертационная работа соответствует этому пункту, поскольку проведено экспериментальное изучение физических свойств кристаллов сплавов висмут-сурьма в зависимости от химического состава и температуры;

п. 5 паспорта специальности 01.04.07 - «Физика конденсированного состояния»: «Разработка математических моделей построения фазовых диаграмм состояния и прогнозирование изменения физических свойств конденсированных веществ в зависимости от внешних условий их нахождения». Диссертационная работа соответствует этому пункту, т. к. в рамках математической модели теплофизических процессов при термоэлектрическом преобразовании энергии проведено прогнозирование

изменения физических свойств термоэлектриков в зависимости от температуры и магнитного поля;

п. 6 паспорта специальности 01.04.07 - «Физика конденсированного состояния»: «Разработка экспериментальных методов изучения физических свойств и создание физических основ промышленной технологии получения материалов с определенными свойствами». В соответствии с этим пунктом паспорта специальности разработаны физические основы технологии получения термоэлектриков с определенными термоэлектрическими свойствами, также существенно усовершенствована методика и техника экспериментального исследования кинетических свойств кристаллических тел.

Апробация работы

Материалы диссертации докладывались и обсуждались на: IV Всесоюзном симпозиуме «Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы» (Львов, 1975). Межвузовской конференции «Физика твёрдого тела», (Барнаул, 1982, 1984, 1990, 1994). Всесоюзной конференции «Материалы для термоэлектрических преобразователей» (Ленинград, 1985, 1987, 1995). Всесоюзный семинар «3-я школа по актуальным вопросам физики полупроводников с узкой запрещенной зоной и полуметаллов» (Тирасполь, Кишинёв, 1990). Региональная конференция «Датчики и средства первичной обработки информации» (Курган, 1990). Международная конференция «XIV International Conference on Thermoelectrics, 1995» (Санкт -Петербург, 1995). Межгосударственная конференция «Математические модели и методы их исследования» (Красноярск, 1997). Всероссийской научной конференции «Физика полупроводников и полуметаллов» (Санкт-Петербург, 2002). VIII, IX, X, XI, XII, XIII, XIV, XV Межгосударственных семинарах «Термоэлектрики и их применения» (Санкт-Петербург, 1998, 2000,2002, 2008, 2010, 2012, 2014, 2016). Всероссийская научно-практическая конференция «Физические явления в конденсированном состоянии вещества» (Чита, 2009).

Публикации. По основным результатам исследований, вошедших в диссертацию, автором опубликованы 55 работ.

В соответствии с положением о присуждении ученых степеней, утвержденном постановлением правительства РФ № 842 от 24.09.2013, пункт 13, количество публикаций по основным результатам исследований, вошедших в диссертацию, и удовлетворяющих требованиям ВАК, - 20, из них: 8 статей в журналах, входящих в базы SCOPUS и (или) WOS; 4 патента РФ; 4 программных продукта, имеющих государственную регистрацию РФ.

Количество статей, опубликованных в прочих научных журналах - 10. Описания изобретений к авторским свидетельствам СССР - 3. Остальные 22 публикаций - материалы докладов международных, всесоюзных, региональных и межвузовских научных конференций и семинаров, а также публикации в сборниках научных трудов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения, списка цитируемой литературы и приложения. Материал изложен на 226 страницах, содержит 85 рисунков и 15 таблиц. Список литературы содержит 183 наименования.

Основные результаты исследования отражены в следующих работах:

1. Бочегов В.И., Иванов Г.А. Определение ширины запрещенной зоны в зависимости от состава сплава висмут-сурьма. / В.И. Бочегов, Г.А. Иванов. // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Материалы всесоюзной конференции. — Львов.— 1980. — С. 226. (0,134 п.л / 0,068 п.л.)

2. Бочегов В.И., Налетов В.Л. Способ получения термоэлектрических бинарных сплавов. //Описание изобретения АС № 957585. — СССР. — 1980.

3. Бочегов В.И., Иванов К.Г., Родионов Н.А. Выращивание монокристаллов висмут-сурьма от охлаждаемой затравки.

/ В.И. Бочегов, К.Г. Иванов, Н.А. Родионов. // Приборы и техника эксперимента. — 1980. — №2. — С. 218. (0,538 п.л. / 0,358 п.л.; Импакт-фактор — 0,357)

4. Бочегов В.И., Иванов Г.А., Парахин А.С. Влияние неоднородности внешних условий на кинетические свойства полупроводников. / В.И. Бочегов, К.Г. Иванов, А.С. Парахин. // Физика твёрдого тела: Доклады межвузовской научной конференции. — Барнаул. — 1982. — С. 27. (0,134 п.л. / 0,045 п.л.)

5. Бочегов В.И., Иванов Г.А., Парахин А.С. Влияние неоднородности состава и магнитного поля на термоэлектрические эффекты. / В.И. Бочегов, Г.А. Иванов, А.С. Парахин. // Полупроводниковые материалы для термоэлектрических преобразователей: Доклады Всесоюзного семинара. Ленинград. — 1985.— С. 28. (0,134 п.л. / 0,045 п.л.)

6. Бочегов В.И., Родионов Н.А. Радиатор для отвода тепла от затравки. // Описание изобретения АС №1319638. — СССР. — 1986.

7. Бочегов В.И., Родионов Н.А. Способ крепления затравки для выращивания монокристаллов висмута и его сплавов. // Описание изобретения АС № 13222717. — СССР. — 1986.

8. Бочегов В.И. О возможности уменьшения температурных напряжений в элементах термоэлектрических приборов в стационарных режимах. В.И. Бочегов // Полупроводниковые материалы для термоэлектрических преобразователей: Доклады II Всесоюзного семинара. — Ленинград. — 1987. — С. 149. (0,134 п.л.)

9. Бочегов В.И., Иванов Г.А., Парахин А.С. Оценка параметров зонной структуры методом неоднородности полупроводников. / В.И. Бочегов, Г.А. Иванов, А.С. Парахин. // Сб. «3-я школа по актуальным вопросам физики полупроводников с узкой запрещенной зоной и полуметаллов». — Тирасполь. — Кишинёв. — 1990. — С.6. (0,134 п.л. / 0,045 п.л.)

10. Бочегов В.И. Радиационный пирометр на основе анизотропного термоэлектричества. / В.И. Бочегов. // Датчики и средства первичной обработки информации: Материалы конференции. — Курган. — 1990. — С. 20. (0,134 п.л.)

11. Бочегов В.И. Теоретические предпосылки ослабления тепловых напряжений в тонких прямоугольных пластинах. / В.И. Бочегов. // Физика твёрдого тела: Доклады межвузовской научной конференции. — Барнаул. — 1990. — С. 15-16. (0,269 п.л.)

12. Бочегов В.И. О термоупругих напряжениях в тонкой прямоугольной анизотропной пластине на примере монокристаллического сплава висмут-сурьма. // Проблемы прочности. —1993. — №8. — С 59 - 64. (0,672 п.л). Переводная версия: Bochegov V.I. Thermoelastic stresses in a thin rectangular anisotropic plate in the example of a monocrystalline bismuth-antimony alloy. / V.I. Bochegov. // Strength of Materials. Springer. — 1993. — V. 25. — N. 8. — P. 593-597. (0,672 п.л.; Импакт-фактор - 0,376).

13. Бочегов В.И., Парахин А.С. Влияние вихревых потоков в коммутационных пластинах на добротность охладителя Пельтье. / В.И. Бочегов, А.С. Парахин. // Материалы для термоэлектрических преобразователей: Доклады IV Межгосударственного семинара. — ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. — Санкт-Петербург. — 1994. — С. 120-122. (0,403 п.л. / 0,202 п.л.).

14. Бочегов В.И. Расчет деформации поля потенциала термоэлектрического эффекта в неоднородном анизотропном образце в квадратичном приближении. / В.И. Бочегов. // Материалы для термоэлектрических преобразователей: Доклады IV Межгосударственного семинара. — ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. — Санкт-Петербург. — 1994. — С. 117-119. (0,403 п.л.).

15. Bochegov V.I., Experimental testing of the defomation of thermoelektronical in anisotropic inhomogeneous semiconductors. / V.I. Bochegov // XIV Intnational Conference on Thermoelectrics. — 1995. — Р. 81. (0,403 п.л.).

16. Bochegov V.I., Podgorbunskih S.A., Ovsjanov V.M. Programing of the distribution impurity in the continuum of semiconductors by the cristallisation. // XIV Intnational Conference on Thermoelectrics. — 1995. — P. 86. (0,403 п.л. / 0,134 п.л.).

17. Бочегов В.И., Дензанова Т.В. Голографическая экспериментальная установка для проверки математических моделей полей термодеформаций в твердых телах. / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова. // Математическое и программное обеспечение научных исследований и обучения: Сборник научных трудов. — Курган — КГУ. — 1999. — С. 40. (0,403 п.л. / 0,202 п.л.).

18. Боченин В.И., Бочегов В.И. Радиационный рентгенофлуоресцентный способ диагностики участков коррозионного поражения. / В.И. Боченин, В.И. Бочегов. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. — 2001. — №8. — С. 40-43. (0,538 п.л. / 0,269 п.л.; Импакт-фактор - 0,239).

19. Бочегов В.И., Дензанова Т.В. Коэффициенты теплового расширения висмута и сурьмы. / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова. // Физика полупроводников и полуметаллов: Доклады Всероссийской научной конференции. — Санкт-Петербург. — 2002. — С. 87-89. (0,403 п.л. / 0,202 п.л.).

20. Бочегов В.И., Дензанова Т.В., Метод измерения поля термодеформаций. / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова. // Физика полупроводников и полуметаллов: Доклады Всероссийской научной конференции. — Санкт-Петербург. — 2002. — С. 86-87. (0,269 п.л. / 0,135 п.л.).

21. Бочегов В.И., Дензанова Т.В. Использование анизотропных термоэлектрических материалов для дистанционной термометрии. / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова. // Термоэлектрики и их применения: Доклады VIII межгосударственного семинара. — Санкт-Петербург. —

2002. — С. 114-117. (0,538 п.л. / 0,269 п.л.).

22. Бочегов В.И., Дензанова Т.В. Радиационный термометр с термодатчиком из анизотропного материала. / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова // Приборы и техника эксперимента. — 2003. — N2. — С. 156-157. (0,672 п.л. / 0,336 п.л.; Импакт-фактор - 0,357). Переводная версия: Bjchegov V.I. A radiation thermometer with a temperature sensor of anisotropic material. // Instruments and Experimental Techniques. March

2003, Volume 46, Issue 2, pp. 285-287. (0,672 п.л. / 0,336 п.л.; Импакт-фактор - 0,437).

23. Бочегов В.И., Дензанова Т.В. Формирование начальной итерации для получения устойчивой сходимости с максимальной скоростью при численном решении задачи переноса энергии и заряда в неоднородной среде. / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова. // Образование, наука и техника, XXI век: Сборник трудов. — Вып.2. — Ханты-Мансийск. — 2004. — С. 155. (0,134 п.л. / 0,067 п.л.).

24. Бочегов В.И., Дензанова Т.В. О численном методе решения гальваномагнето-термоэлектрической задачи с переменными кинетическими коэффициентами. / В.И Бочегов, Т.В. Дензанова. // Термоэлектрики и их применения: Доклады XI Межгосударственного семинара. — Санкт-Петербург. — 2008. — ФТИ им. А Ф. Иоффе РАН. — С. 205-207. (0,403 п.л. / 0,204 п.л.).

25. Бочегов В.И., Нечаев И.А., Стрелкова Д.Б. Расчёт деформации термоэлектрического поля в градиентно-неоднородных полупроводниковых образцах, помещённых в поперечное магнитное поле. / В.И. Бочегов, И.А. Нечаев, Д.Б. Стрелкова. // Физические явления в конденсированном

состоянии вещества: сборник материалов Всероссийской научно-

практической конференции. — Чита: Забайкальский гос. гум.-пед. университет. — 2009.— С. 69-73. (0,538 п.л. / 0,179 п.л.).

26. Бочегов В.И., Дензанова Т.В., Нечаев И.А. Расчет параметра диффузии и эффективного коэффициента распределения сурьмы в висмуте. / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова, И.А. Нечаев. // Физические явления в конденсированном состоянии вещества: сборник материалов Всероссийской научно-практической конференции. — Чита: Забайкальский гос. гум.-пед. университет. — 2009.— С. 73-76. (0,336 п.л. / 0,112 п.л.).

27. Бочегов В.И., Дензанова Т.В. Измерение теплопроводности твердых тел с компенсацией оттока тепла. // Физические явления в конденсированном состоянии вещества: сборник материалов Всероссийской научно-практической конференции. — Чита: Забайкальский гос. гум.-пед. университет. — 2009.— С. 66-69. (0,47 п.л. / 0,236 п.л.).

28. Бочегов В.И., Парахин А.С. Измерение теплопроводности с учетом влияния атмосферы. / В.И. Бочегов, А.С. Парахин. // Физические явления в конденсированном состоянии вещества: сборник материалов Всероссийской научно-практической конференции. — Чита: Забайкальский гос. гум.-пед. университет. — 2009.— С. 61-65. (0,739 п.л. / 0,369 п.л.).

29. Бочегов В.И., Дензанова Т.В., Парахин А.С. Четыре варианта нуль-индикатора «паразитного» оттока тепла при прямом измерении теплопроводности твёрдых тел. / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова, А.С. Парахин. // Вестник Курганского государственного университета: Серия «Естественные науки»: Вып. 2. — 2009. — №1 (15). — С. 35-37. (0,941 п.л. / 0,47 п.л.).

30. Бочегов В.И., Парахин А.С. Учет теплопритоков из атмосферы при измерении теплопроводности твердых тел. / В.И. Бочегов, А.С. Парахин. // Вестник Курганского государственного университета: Серия

«Естественные науки»: Вып. 2. — 2009. — №1 (15).— С. 37-39. (1,21 п.л. / 0,605 п.л.).

31. Бочегов В.И., Дензанова Т.В. Тепловое расширение и тензор Грюнайзена слоистых кристаллов гексагональной сингонии. / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова. // Вестник Курганского государственного университета.: Серия «Естественные науки»: Вып. 2. — 2009. — №1 (21). — С. 39-42. (1,075 п.л. / 0,538 п.л.).

32. Бочегов В.И., Парахин А.С. Измерение теплопроводности твердых тел с учетом теплопотерь на излучение. / В.И. Бочегов, А.С. Парахин. // Вестник Курганского государственного университета: Серия «Естественные науки»: Вып. 2. — 2009. — №1 (15). — С. 42-43. (0,874 п.л. / 0,437 п.л.).

33. Бочегов В.И., Дензанова Т.В., Нечаев И.А. Влияние продольной градиентной неоднородности в полупроводниках на явления переноса в поперечном магнитном поле. / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова, И.А. Нечаев. // Термоэлектрики и их применения: Доклады XII Межгосударственного семинара (ноябрь 2010 г). — Санкт-Петербург : УРАН ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН : Изд. ПИЯФ РАН. — 2010.— С. 190-193. (0,054 п.л. / 0,027 п.л.)

34. Бочегов В.И., Дензанова Т.В. Явления переноса в поперечном магнитном поле в продольно-неоднородных полупроводниках. / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова. // Вестник Курганского государственного университета.: Серия «Естественные науки».: Вып.4. — 2011. — №2 (15). — С. 84-85. (0,941 п.л. / 0,471 п.л.).

35. Бочегов В.И., Парахин А.С. Расчет распределения примеси после нескольких проходов зоны. / В.И. Бочегов, А.С. Парахин. // Вестник Курганского государственного университета: Серия «Естественные науки».: Вып. 5. — 2009. — №3 (25). — С. 83-88. (0,38 п.л. / 0,25 п.л.).

36. Бочегов В.И., Грабов В.М., Дензанова Т.В., Комаров В.А., Парахин А.С. Расчет и экспериментальная проверка распределения

компонентов при направленной кристаллизации в бинарных системах типа Bi-Sb с учетом зависимости коэффициента распределения от скорости кристаллизации и состава жидкой фазы. / В.И. Бочегов, В.М. Грабов, Т.В. Дензанова, В.А. Комаров, А.С. Парахин. // Термоэлектрики и их применения: Доклады XIII Межгосударственного семинара (ноябрь 2012 г). — Санкт-Петербург: ФБГУН ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН: Изд. ФГБУ «ПИЯФ». — 2013.— С. 192-197. (0,739 п.л. / 0,185 п.л.)

37. В.И. Бочегов, В.М. Грабов, В.А. Комаров, А.С. Парахин. Сегрегация при направленной кристаллизации бинарных систем типа Bi-Sb, расчет и экспериментальная проверка. // Расплавы. — 2014. — №3. — С. 85-92. (2,03 п.л. / 0,676 п.л.; Импакт-фактор - 0,252)

38. Бочегов В.И., Парахин А.С. Аналитический и численный расчет очистки простых кристаллических веществ методом зонной плавки с конечным размером слитка (на примере висмута). // Расплавы. — 2014. — №4. — С. 87-96. (2,016 п.л. / 1,008 п.л.; Импакт-фактор - 0,252)

39. Бочегов В.И., Грабов В.М., Парахин А.С. Технические средства для прямого измерения теплопроводности твердых тел. // Измерительная техника. Теплофизические измерения. — 2014. — №4. — С. 22-26. (2,15 п.л. / 0,72 п.л.; Импакт-фактор - 0,320). Переводная версия: Bochegov V.I., Grabov V.V., Parakhin A.S. Technical Devices for the Direct Measurement of the Thermal Conductivity of Solids. // Measurement Techniques. July, 2014, Vol. 57, No 4, pp. 401-408. (2,15 п.л. / 0,72 п.л.; Импакт-фактор - 0,290).

40. Бочегов В.И., Парахин А.С. Предельное распределение примеси при зонной очистке. // ПЖТФ. — 2014. — Т. 40. — Вып. 11. — С. 17-22. (1,0 п.л. / 0,5 п.л.; Импакт-фактор - 0,496). Переводная версия: Bochegov V.I., Parakhin A.S. Limiting impurity distribution during zone refining. // Technical Physics Letters. June 2014, Volume 40, Issue 6, pp. 460-461. (1,0 п.л. / 0,5 п.л.; Импакт-фактор - 0,771). 4

41. Бочегов В.И., Грабов В.М. Влияние гальваномагнитного стационарного вихревого тока на магнито-термоэлектрическую добротность градиентно-неоднородных сплавов висмут-сурьма. // ПЖТФ. — 2014. — Т. 40. — Вып. 20. — С. 29-38. (1,344 п.л. / 0,672 п.л.; Импакт-фактор - 0,496). Переводная версия: Bochegov V.I., Grabov V.M. The influence of a galvanomagnetic stationary vortex current on the magneto-thermoelectric figure of merit of graded inhomogeneous bismuth-antimony alloys. // Technical Physics Letters. June 2014, Volume 40, Issue 10, pp. 897900. (1,344 п. л. / 0,672 п.л.; Импакт-фактор - 0,771).

42. Бочегов В.И., Грабов В.М., Парахин А.С. Кинетические свойства градиентно-неоднородных сплавов Bi-Sb в поперечном магнитном поле. (магнетосопротвление). / В.И. Бочегов, В.М. Грабов, А.С. Парахин. // Термоэлектрики и их применения: Доклады XIV Межгосударственного семинара (ноябрь 2014 г). — Санкт-Петербург : ФБГУН ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН : Изд. ФГБУ «ПИЯФ». — 2015. C. 179-185. (0,941 п.л. / 0,314 п.л.)

43. Бочегов В.И., Грабов В.М., Куликов В.А., Парахин А.С. Кинетические свойства градиентно-неоднородных сплавов Bi-Sb в поперечном магнитном поле. (магнетотермоэдс). / В.И. Бочегов, В.М. Грабов, В.А. Куликов, А.С. Парахин. // Термоэлектрики и их применения: Доклады XIV Межгосударственного семинара (ноябрь 2014 г). — Санкт-Петербург: ФБГУН ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН: Изд. ФГБУ «ПИЯФ». — 2015. C. 186191. (0,806 п.л. / 0,202 п.л.)

44. Бочегов В.И., Комаров В.А., Суслов А.В., Распределение сурьмы в сплаве Bi-Sb при нормальной кристаллизации. // Термоэлектрики и их применения: Доклады XIV Межгосударственного семинара (ноябрь 2014 г). — Санкт-Петербург : ФБГУН ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН: Изд. ФГБУ «ПИЯФ». — 2015. C. 347-351. (0,672 п.л. / 0,224 п.л.).

45. Бочегов В.И., Грабов В.М., Куликов В.А., Нечаев И.А. Влияние градиентной неоднородности на термомагнитные свойства сплавов висмут-сурьма. // ПЖТФ. — 2015. — Т. 41. — Вып. 12. — С. 64-73. (1,344 п.л. / 0,336 п.л.; Импакт-фактор - 0,496). Переводная версия: Bochegov V.I., Grabov V.M., Kulikov V.A., Nechaev I.A. The influence of graded inhomogeneity on the thermomagnetic properties of bismuth-antimony alloys. // Technical Physics Letters. June 2015, V. 41, Issue 6. -pp. 595-598. (1,344 п.л. / 0,336 п.л.; Импакт-фактор - 0,771)

46. Бочегов В.И. Способ крепления затравки при выращивании монокристаллов методом направленной кристаллизации из расплава в горизонтальном стеклянном вакуумированном контейнере. // Патент на изобретение РФ № 2552463, 06.05.2015.: Приоритет от 21.05.2014.: Зарегистрировано в Государственном реестре изобретений 0.6.05.2015.: Описание изобретения опубликовано 10.06.2015 : Бюл. № 16. (0,806 п.л.)

47. Бочегов В.И. Радиатор для отвода тепла от затравки при выращивании монокристаллов в вакууммированной стеклянной ампуле. // Патент на изобретение РФ № 2554190.: Приоритет от 21.05.2014.: Зарегистрировано в Государственном реестре изобретений РФ 27.05.2015.: Описание изобретения опубликовано 27.06.2015.: Бюл. № 18. (0,941 п.л.)

48. Бочегов В.И. Способ получения длинномерного слитка постоянного сечения из термоэлектрических бинарных сплавов типа висмут-сурьма. // Патент на изобретение РФ № 2570607.: Приоритет от 21.05.2014.: Зарегистрировано в Государственном реестре изобретений РФ 12.11.2015.: Описание изобретения опубликовано 10.12.2015.: Бюл. № 34. (1,882 п.л.)

49. Бочегов В.И. Программа расчета зависимости коэффициента сегрегации от соотношения состава расплава бинарных систем с неограниченной растворимостью (типа Bi-Sb) и распределения по

объему компонентов таких систем после направленной нормальной кристаллизации с учетом этой зависимости. // Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2015613883.: Зарегистрировано в Государственном реестре РФ программ для ЭВМ 30.03.2015.: Опубликовано 20.04.2015: Бюл. № 4.: Язык программирования Mathcad.: Объём программы 298 Кб.

50. Бочегов В.И., Парахин А.С. Программа расчета предельного распределения примеси при зонной очистке материала. // Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2015614168. Зарегистрировано в Государственном реестре РФ программ для ЭВМ 08.04.2015.: Опубликовано 20.05.2015: Бюл. № 5.: Язык программирования Объект Pascal (в среде Delphi).: Объём программы 406 Кб.

51. Бочегов В.И. Программа расчета поля термоэлектрического потенциала и плотности тока в прямоугольном градиентно-неоднородном образце материала при наличии поперечных эффектов Холла и Нернста-Эттинсгаузена. // Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ РФ №2015614174.: Зарегистрировано в Государственном Реестре программ для ЭВМ 08.04.2015.: Опубликовано 20.05.2015: Бюл. № 5.: Язык программирования Mathcad.: Объём программы 480 Кб.

52. Бочегов В.И. Программа расчета зависимости сигнала от времени для датчика теплового потока на основе эффекта Борелиуса при наличии изоляционно-клеевой прослойки между датчиком и термостатом. // Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ РФ № 2015661629. Зарегистрировано в Государственном Реестре программ для ЭВМ 02.11.2015. Язык программирования Mathcad.: Объём программы 480 Кб.

53. Бочегов В.И., Парахин А.С. Охлаждающее устройство. // Патент на изобретение РФ № 2576414.: Приоритет от 21.05.2014.: Зарегистрировано в Государственном реестре изобретений РФ 05.02.2016.: Описание изобретения опубликовано 10.03.2016.: Бюл. № 7. (2,689 п.л./1,344 п.л.)

54. Бочегов В.И., Грабов В.М., Дивин Н.П., Парахин А.С. Расчет и экспериментальная проверка быстродействия измерительных преобразователей теплового потока на основе анизотропных термоэлементов Борелиуса. // Измерительная техника. - 2017. - № 1. -С. 31-33. (0,687 п.л. / 0,516 п.л.; Импакт-фактор - 0,320). Переводная версия: Bochegov V.I., Grabov V.M., Divin N.P., Parakhin A.S. Calculation and Experimental Check of the Speed of Thermal Flow Sensors Based on Borelius Anisotropic Thermoelements. Measurement Techniques. April 2017. Volume 60, Issue 1, pp. 42-45. . (0,687 п.л. / 0,516 п.л.; Импакт-фактор - 0,290).

55. Бочегов В.И., Грабов В.М. Теплопроводность градиентно-неоднородных ветвей термоэлементов при рабочем перепаде температур. // ФТП. - 2017. - т. 51. - вып. 7. - С. 912-913. (0,437 п. л. / 0,219 п. л.; Импакт-фактор - 0,818). Переводная версия: Bochegov V.I., Grabov V.M. On the thermal conductivity of the gradient-inhomogeneous branches of thermoelements at a difference in the operating temperature. // Semiconductors. July 2017, Volume 51, Issue 7, pp 874-875. . (0,437 п. л. / 0,219 п. л.; Импакт-фактор - 0,602).

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Бочегов, Василий Иванович

В заключении проведем вкратце некоторые обобщенные выводы по проведенному исследованию.

1. Определены и реализованы условия выращивания кристаллов твердых растворов висмут-сурьма с контролируемой (управляемой) градиентной неоднородностью. Показано, что с помощью комбинации нормальной кристаллизации с различными скоростями и последующей зонной перекристаллизации сплава висмут-сурьма можно получить распределение концентрации сурьмы по длине слитка равного сечения близкое к линейному в широком интервале значений концентрации с возможностью регулирования градиента этой концентрации.

2. Выращены серии градиентно-неоднородных кристаллов системы висмут-сурьма с заданными кристаллографической ориентацией, заданной градиентной неоднородностью состава, с применением методов рентгеноструктурного и рентгеноспектрального анализа экспериментально определены кристаллографические ориентации выращенных слитков и распределение компонентов твердого раствора висмут-сурьма по объему, подготовлены соответствующие требованиям эксперимента образцы для исследования механических деформаций и явлений переноса.

3. Решена задача термоупругости для градиентно-неоднородных по составу кристаллов системы БьБЬ, разработана на основе голографического метода установка и экспериментально определены термоупругие деформации указанных кристаллов и на основании сравнения расчетов с экспериментом произведена оценка термоупругих напряжений градиентно-неоднородных по составу кристаллов системы БьБЬ. Показано, что при температурах ниже температуры Дебая кристаллы висмута и сплавов висмут-сурьма становятся термонапряженными, если УТ ф 0. В неоднородных по составу кристаллах системы Б1100-С8ЬС при температурах ниже температуры Дебая термические напряжения, связанные с наличием У Т ф 0 либо усиливаются за счетУ С ф 0,

либо ослабляются в зависимости от взаимного направления векторов VT и

VC.

4. Теоретически и экспериментально показано, что при наличии

градиентной неоднородности V7V0 и (или) VC #0 в кристаллах системы Bii00-cSbc, помещенных в поперечное магнитное поле, при протекании тока в направлении градиентной неоднородности возникает стационарный

гальваномагнитный вихрь вектора плотности тока rot j ф О . При этом

критерием, определяющим величину и, собственно, наличие градиентной

неоднородности следует считать параметр

/ _ ^ _ \

к=~ дп-1

п дх п

дп дЕ дп

g-VC + — • V T

. дЕ дС х дТ

V S

который называют

коэффициентом неоднородности.

5. Теоретически и экспериментально показано, что стационарный гальваномагнитный вихрь тока приводит к дополнительному приросту сопротивления < р > (помимо эффекта магнетосопротивления) в соответствии с выражением <р>=р(в)-(г/2)- соШ(у/2) , где р(В) -

величина магнетосопротивления материала при данных условиях, но если бы отсутствовал вихрь, у - это параметр, связанный с коэффициентом неоднородности, тангенсом угла Холла в и шириной прямоугольного образца следующим образом у=Ка@.

6. Показано, что гальваномагнитный вихрь и дополнительный прирост сопротивления, с ним связанный, может усиливаться совместным влиянием неоднородности температуры и неоднородности состава либо ослабляться вплоть до полного исчезновения эффекта, что зависит от

взаимного направления градиентов VХС и V,7'.

7. С использованием условий взаимной компенсации неоднородности состава и температуры вычислена быстрота изменения

ширины запрещенной зоны 8 = dEg jdC c увеличением концентрации сурьмы

С системы Bi100-cSbc в интервале 12 < С < 25 ¿=2,23мэВ/ат%. На основе этого вычислено значение концентрации сурьмы Спер, при которой сплав переходит из полупроводникового в полуметаллическое состояние при температуре около 90 К составляет величину Спер=22,8 ат%.

8. Теоретически и экспериментально установлено, что в градиентно-неоднородных по температуре и (или) по составу кристаллах системы Biioo-cSbc, помещенных в поперечное магнитное поле, появляется стационарный термомагнитный вихрь плотности тока j, rot / ф 0.

9. Теоретически и экспериментально установлено, что стационарный термомагнитный вихрь плотности тока может усиливаться или ослабляться вплоть до полного исчезновения в зависимости от величины и

взаимного направления градиентов температуры V.7' и состава V..C при

некоторых значения величины индукции поперечного магнитного поля.

10. Обнаруженный экспериментально эффект изменения теплопроводности при смене направления теплового потока в системе Bi100-cSbc с переменным по объему материала параметром С (составом) определяется тем, что энергетический спектр носителей заряда зависит, как от состава, так и от температуры, т.е. определяется только электронной составляющей теплопроводности, при этом наименьшее значение теплопроводности соответствует параллельной ориентации градиентов ширины запрещенной зоны и температуры, а фононная составляющая теплопроводности вклада в данный эффект не вносит.

11. Сочетание взаимных направлений градиентов температуры Vv7' и состава VXC , дающих минимум теплопроводности, соответствует сочетанию этих взаимных направлений, дающих максимум величины (а2 а), а это, в свою очередь, обеспечивает дополнительное повышение

термоэлектрической эффективности градиентно-неоднородных материалов висмут-сурьма по сравнению с однородными кристаллами с усредненным составом.

12. Время установления стационарного состояния явлений переноса в термоэлектрических устройствах существенным образом определяется температуропроводностью материалов конструкции. Быстродействие реальных конструкций датчиков на основе эффекта Борелиуса можно увеличить более чем на порядок за счет увеличения температуропроводности используемых материалов.

13. Важнейшим, с нашей точки зрения, выводом является то, что наличие направленной неоднородности в объеме твердого тела создает физически обусловленное направление в его объеме. В связи с наличием физического направления, изменение практически всех свойств градиентно-неоднородных тел невозможно описать за счет только усреднения параметров свойств по объему тела.

14. И наконец, обобщающий тезис: учет всех полученных в работе результатов обеспечит повышение эксплуатационных характеристик градиентно-неоднородных (функционально неоднородных) материалов. Например, по сравнению с однородными материалами висмут-сурьма применение градиентно-неоднородных материалов может обеспечить повышение термоэлектрической эффективности в поперечном магнитном поле примерно на 10%.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Бочегов, Василий Иванович, 2018 год

1. Грабов В.М. Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма : дис. ... доктора физ.-мат. наук: 01.04.10., физика полупроводников и диэлектриков. / В.М. Грабов; РГПУ им. А.И. Герцена. -Санкт-Петербург. - 1998. - 603 с.

2. Фальковский Л.А. Физические свойства висмута / Л.А. Фальковский // УФН. - 1968. - Т.94, № 1. - C. 3-41.

3. Boyle W.S. Bismuth / W.S. Boyle, G.E. Smith // Progress in Semiconductors. - 1963. - № 7. - P. 1-44.

4. Goldsmid H.J. Transport Effect in Semimetals and Narrow-gap Semiconductors / H.J. Goldsmid // Adv.Phys. - 1965. - V.14, № 55. - P. 273-326.

5. Костов И. Кристаллография. / И. Костов // М.: Мир. - 1965. -

528 с.

6. Кребс Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений. / Г. Кребс // М.: Мир. - 1971. - 304 с.

7. Ерофеев Р.С. Особенности химической связи в элементах V и VI групп и их соединениях со структурой тетрадимита / Р.С. Ерофеев // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1978. - Т.14, № 8. -С. 1365-1369.

8. Cucka P. The Crystal Structure of Bi and of Solid Solutions of Pb, Sn, Sb and Te in Bi / P. Cucka, C.S. Barret // Acta Cryst. - 1962. - V.15, № 9. -P. 865-872.

9. Налетов В.Л. Выращивание монокристаллов сплавов Bi-Sb и контроль их состава /В.Л.Налетов, В.И.Николаев, Г.А.Иванов // Материалы симпозиума по низкотемпературным термоэлектрическим материалам: Кишинев, 1968 год. - М.: Изд. АН СССР. - 1968. - С. 49-51.

10. Norin B. Temperature and Pressure Dependence of the Band Structure in Bi / B. Norin // Physica Scripta. - 1977. - V.15, № 5/6. - P. 341-348. 4

11. Бриджмен П.Б. Физика высоких давлений. / П.Б. Бриджмен // М.: ОНТИ. - 1935. -402 с.

12. Федоров Ф.И. Теория упругих волн. / Ф.И. Ведоров // М.: Наука. -1965.- 386 с.

13. Eckstein J.I. Elastic Constants of Bismuth / J.I. Eckstein, A.W. Lawson, D.H. Reneker // J. Appl. Phys. -1960. - V.31, № 9. - P. 1534-1538.

14. Epstein S. Elastic constants and wave propagation in antimony and bismuth / S. Epstein, A.P. de Bretteville. // Phys.Rev. - 1965. - V.138, № 3A. -P. A771-A778.

15. Lichnowscki A.J. The elastic constants of Bismuth-Antimony Alloy Single Crystals / A.J. Lichnowscki, G.A. Saunders // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. -1976. - V.138, № 6. - P. 927-938.

16. Миронов Ю.П. Влияние давления на упругие свойства монокристаллов сплавов висмут-сурьма: Дис. ... канд. физ.-мат.наук. / Ю.П. Миронов; Л.: ЛГПИ, 1984. - 130 с.

17. Грабов В.М. Упругие свойства и силы связи в полуметаллах V группы и их сплавах / В.М. Грабов, С.Ю. Давыдов, Ю.П. Миронов, А.М. Джумиго // ФТТ. - 1985. - Т.27, № 7. - С. 2017-2024.

18. Воров Ю.Г. Распространение упругих волн в образцах малых размеров в условиях гидростатического давления / Ю.Г. Воров, В.М. Грабов, А.М. Джумиго, Ю.Т. Левицкий, Ю.П. Миронов // Препринт Амур КНИИ ДВНЦ АН СССР. - Владивосток. - 1985. - 44 с.

19. Джумиго А.М. Скорости ультразвука и модули упругости сплавов висмут-сурьма / А.М. Джумиго, Г.А. Иванов // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Материалы V Всесоюз.симпоз. - Львов. - 1980. - 4.II. - С. 243-244.

20. Займан Дж. Принципы теории твердого тела. / Дж. Займан // М.: Мир.- 1974. - 472 с.

21. Джонс Г. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах. / Г. Джонс // М.: Мир.- 1968. - 264 с. 4

22. Macfarlane F.E. Lattice Dynamics of Bismuth / F.E. Macfarlane // J. Phys. Chem. Sol. - 1971. - V.32, Suppl. № 1. - P. 989-995.

23. Эдельман В.С. Свойства электронов в висмуте / В.С. Эдельман // УФН. - 1977. - Т. 123, № 2. - С. 257-287.

24. Гицу Д.В. Явления переноса в висмуте и его сплавах / Д.В. Гицу, И.М. Голбан, В.Г. Канцер, Ф.М. Мунтяну. // Кишинев: Штиинц. - 1983. -266 с.

25. Соболев В.В. Энергетическая структура узкозонных полупроводников / В.В. Соболев. - Кишинев: Штиинца. - 1983. - 288 с.

26. Алексеевский Н.Е. Электроны проводимости / Н.Е. Алексеевский, Ю.П. Гайдуков, З.С. Грибников и др.: Под ред. М.И. Каганова и В.С. Эдельмана. // М.: Наука. - 1984. - 416 с.

27. Cohen M.H. Crystal chemistry and band structures of the group V semimetals and the IV-VI semiconductors. / M.H. Cohen, L.M. Falicov, S. Golin // IBM J. Res. and Develop. - 1964. - V.8, № 3. - P. 215-227.

28. Mavroides J.H. Magneto-optics / J.H. Mavrodes // High Magnetic Fields and their Application. - Nottidham. - 1969. - P. 16-70.

29. Goldsmid H.J. Bismuth-antimony alloys / H.J. Goldsmid // Phys. Stat. Sol. (a). - 1970. - V.1, № 1. - P. 7-28.

30. Dresselhaus M.S. Electronic Properties of the group V semimetals / M.S. Dresselhaus // J. Phys. Chem. Solids. - 1971. - V.32, Suppl. 1. - P. 3-33.

31. Lovett D.R. Semimetals and Narrow Band Gap Semiconductors. / D.R. Lovett // London: Point Limited. - 1977. - 256 p.

32. Issi J.P. Low temperature transport properties of the group V semimetals / J.P. Issi // Australien J.Phys. - 1979. - V.32, №6. - P. 585-628.

33. Holl I.J. Transport Properties and Band Structure in Bi, Sb and Bi-Sb Alloys / I.J. Holl, S.H. Koenig // IBM J. Res. Dev. - 1964. - V.8, № 3. - P. 241246.

34. Шенберг Д. Магнитные осцилляции в металлах / Д. Шенберг // М.: Мир.- 1986. - 680 с. 4

35. Хейне В. Теория псевдопотенциала / В. Хейне, М. Коэн, Д. Уэйр. // М.: Мир. - 1973. - 577 с.

36. Крэкнелл А., Уонг К. Поверхность Ферми / А. Крэкнелл, К. Уонг // М.: Атомиздат. - 1978. - 350 с.

37. Шенберг Д. Электронная структура. Экспериментальные результаты / Д. Шенберг // Физика металлов : Под ред. Дж.Займана. -М.: Мир - 1972. - С. 75-128.

38. Harrison W.A. Bismuth Fermi surface / W.A. Harrison // J. Phys. Chem. Solids. - 1960. - V.17, № 1/2. - P. 171-173.

39. Каганов М.И. Электронная теория металлов и геометрия / М.И. Каганов, И.М. Лифшиц // УФН. - 1979. - Т. 129, № 3. - С. 487-530.

40. Dresselhaus M.S. Magnetoreflection Studies of Antimony / M.S. Dresselhaus, J.G. Mavroides // Optical Properties and Electronic Structure of Metals and Alloys. ed. F. Abeles (North Holland): Amsterdam. - 1966. -P. 508-525.

41. Windmiller L.R. De Haas-van-Alphen Effect and Fermi Surface in Antimony / L.R. Windmiller // Phys. Rev. - 1966. - V. 149, № 2. - P. 472-484.

42. Брандт Н.Б. Исследование эффекта де Гааза-ван-Альфена у сурьмы при сверхнизких температурах / Н.Б. Брандт, Н.Я. Минина, Чжу-чжэнь-ган // ЖЭТФ. - 1966. - Т. 51, № 1. - С. 108-117.

43. Грабов В.М. Магнитная восприимчивость сплавов висмут-сурьма и висмута, легированных оловом и свинцом / В.М. Грабов, Г.А. Иванов, К.Г. Иванов, А.Н. Суровцев // Полупроводники с узкой запрещенной зоной: Материалы IV Всесоюз.Симпоз. - Львов: Львовский гос. ун-т. - 1975. -4.IV. - С.31-35.

44. Cohen M.H. Energy band in the Bismuth Structure. I. A Nonellipsoidal Model for Electron in Bi / M.H. Cohen // Phys. Rev. - 1961. - V. 121, № 2. -P. 387-395.

45. Kane E.O. Band Structure of indium antimonide / E.O. Kane // J. Phys. Chem. Solids. - 1957. - V. 1, № 4. - P. 249-261. 4

46. Lax B. A simple nonparabolic model for electrons in bismuth / B. Lax // Bull. Am. Phys. Soc. - 1960. - V.5. - P. 167.

47. Грабов В.М. О поведении дифференциальной термоэдс в сплавах висмута / В.М. Грабов, Г.А. Иванов // ФТТ. - 1966. - Т.8, № 8. - С. 2460-2461.

48. Lax B. Infrared Magnetoreflection in Bismuth. I. High Fields / B. Lax, J.G. Mavroides, U.J. Zeiger, R.J. Keyes // Phys. Rev. Lett. - 1960. - V. 5, № 6. -P. 241-243. Infrared Magnetoreflection in Bismuth. II. Low Fields / R.N.Brown, J.G.Mavroides, M.S.Dresselhaus, B. Lax // Phys. Rev. Lett. - 1960. - V.5, № 6. -P. 243-246.

49. Brown R.N. Magnetoreflection in Bismuth / R.N. Brown, J.G. Mavroides, B. Lax // Phys. Rev. - 1963. - V. 129, № 5. - P. 2055-2061.

50. Engeler W.E. Magnetoreflection and the band gap of Bi / W.E. Engeler // Phys. Rev. - 1963. - V. 129, № 4. - P. 1509-1511.

51. Maltz M. Magnetoreflection studies in bismuth / M. Maltz, M.S. Dresselhaus // Phys. Rev. B. - 1970. - V. 2, № 8. - P. 2877-2887.

52. Vecchi M.P. Magnetic Energy Levels of Bismuth in the Low-Quantum-Number limit / M.P. Vecchi, M.S. Dresselhaus // Phys. Rev. B. - 1974. -V. 9, № 8. - P. 3257-3265.

53. Smith B.T. Determination of the hole band gap in bismuth by the far-infrared magnet-transmission / B.T. Smith, A.J. Sievers // Phys. Lett. - 1975. -V. 51A, № 5. - P. 273-274.

54. Verdun H.R. Far-infrared magnetospectroscopy of the hole pocket in bismuth. I. Band-structure effects / H.R. Verdun, H.D. Drew // Phys. Rev. B. -1976. - V. 14, № 4. - P. 1370-1394.

55. Vecchi M.P. Anomalies in the magnetoreflection Spectrum of Bismuth in the low-quantum-number limit / M.P. Vecchi, J.R. Pereira, M.S. Dresselhaus // Phys. Rev. B. - 1976. - V. 14, № 2. - P. 298-317.

56. Vecchi M.P. Temperature Dependence of the Band Parameters of Bismuth / M.P. Vecchi, M.S. Dresselhaus // Phys. Rev. B. - 1974. - V. 10, № 2. -P. 771-774. "4

57. Аскеров Б.И. Электронные явления переноса в полупроводниках / Б.И. Аскеров // М.: Наука. - 1985. - 320 с.

58. Kolodziejczak J. Galvano- and Thermomagnetic Effects in Semiconductors with Non-Spherical and Non-Parabolic Energy Bands / J. Kolodziejczak, S. Zukotyntski // Phys. Stat. Sol. - 1964. - V.5, № 1. - P. 145158.

59. Buot F.A. Theory of Diamagnetism of Bismuth / F. A. Buot, J.W. McClure // Phys. Rev. - 1972. - V. 6, № 12. - P. 4525-4533.

60. Buot F. A. Theory of diamagnetism of Bi-Sb alloys / F. A. Buot // J. Phys. Chem. Sol. - 1971. - V. 32. (Suppl.). - P. 99-111.

61. McClure J.M. The Energy Band Model for Bismuth: Resolution of Theoretical Discrepancy / J.M. McClure // J. Low Temp. Phys. - 1976. - V. 25, № 5/6. - P. 527-540.

62. McClure J.M. Energy Band Model and Properties of Electrons in Bismuth / J.M. McClure, K.H. // Solid State Commun. - 1977. - V. 21, № 11. -P. 1015-1018.

63. Абрикосов А.А. Новые состояния вещества / А.А. Абрикосов, Н.Б. Брандт // Вестник АН СССР. - 1973. - № 2.- C. 3-13.

64. Абрикосов А.А. Некоторые вопросы теории полуметаллов / А.А. Абрикосов // ЖЭТФ. - 1973. - Т. 65, № 5. - С. 2063-2074.

65. Абрикосов А.А. Теория электронного энергетического спектра металлов с решеткой висмута / А.А. Абрикосов, Л.А. Фальковский // ЖЭТФ. - 1962. - Т. 43, № 3(9). - С. 1089-1101.

66. Иванов Г.А. Физические свойства кристаллов типа висмута / Г.А. Иванов, В.М. Грабов // ФТП. - 1995.- Т. 29, № 5/6. - С. 1040-1050.

67. Пригожин И. Введение в термодинамику необратимых процессов. / И. Пригожин // М.: ИЛ. - 1960. - 127 с.

68. Самойлович А.Г. Современное состояние теории термоэлектрических и термомагнитных явлений в полупроводниках

/ А.Г. Самойлович, И.Я. Коренблит // УФН. - 1953. - Т. 49, № 2. - С. 214-271; № 3. - С. 338-383.

69. Ансельм А.И. Основы статистической физики и термодинамики / А.И. Ансельм // М.: Наука. - 1973. - 423 с.

70. Хаазе Р. Термодинамика необратимых процессов / Р. Хаазе // М.: Мир. - 1967. - 544 с.

71. Най Дж. Физические свойства кристаллов / Дж. Най // М.: Мир. -1967. - 385 с.

72. Cucka P. The Crystal Structure of Bi and of Solid Solutions of Pb, Sn, Sb and Te in Bi / P. Cucka, C.S. Barret // Acta Cryst. - 1962. - V. 15, № 9. -P. 865-872.

73. Pietsch U. The Validity of Vegard's Rull for the Solid Solution System Bi-Sb / U. Pietsch // Phys. Stat. Sol. (b). - 1982. - V. 110, № 1. - P. k5-k9.

74. Валиев А.А. Температурная зависимость упругих постоянных сурьмы / А.А. Валиев, Ю.А. Буренков, С.П. Никаноров, А.В. Степанов // ФТТ. - 1971. - Т.13, № 10. - С. 3098-3100.

75. Немов С.А. Тензор Нернста-Эттингсгаузена в монокристалле Sb2Te3 / С.А. Немов, Г.Л. Тарантасов, В.И. Прошин и др. // ФТП 2009. -Т. 43, вып. 12. - С. 1629-1633.

76. Grüneisen E. Untersushungen an wismutkristallen. 2. Änderung der Termokraft in transversalen Magnetfeldern / E. Grüneisen, J. Gielessen // Ann. Phys. - 1967. - V. 27, № 2. - Р. 243-255.

77. Иванов Г.А. Электрические и гальваномагнитные свойства висмута и его сплавов (твердые растворы) в широком температурном интервале: Дис. ... доктора физ.-мат. наук. / Г.А. Иванов // Л.: ЛГПИ. - 1964.241 с.

78. Гицу Д.В. Комплексное исследование явлений переноса в висмуте и сплавах висмут-сурьма, легированных донорными примесями: Дис. ... доктора физ.-мат.наук. / Д.В. Гицу // Л.: ЛГПИ. - 1973. - 438 с.

79. Пономарев Я.Г. Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах: Дис. ... доктора физ.-мат.наук. / Я.Г. Пономарев // М.: МГУ. - 1984. - 605 с.

80. Налетов В.Л. Электрические, тепловые и термоэлектрические свойства сплавов висмут-сурьма различной степени неоднородности: Дис. ... канд.физ.-мат.наук. / В.Л. Налевто // Л.: ЛГПИ. - 1969. - 148 с.

81. Куликов В.А. Исследование зоны проводимости сплавов висмут-сурьма с концентрацией сурьмы 0-22 ат%, легированных теллуром и селеном, по явлениям переноса в интервале температур 77-300 К: Дис. ... канд.физ.-мат.наук. / В.А. Куликов // Л.: ЛГПИ. - 1970. - 132 с.

82. Худякова И.И. Изучение валентной зоны сплавов висмут-сурьма методом варьирования уровня химического потенциала путем легирования сплавов оловом: Дис. ... канд.физ.-мат.наук. / И.И. Худякова // Л.: ЛГПИ. -1970. - 149 с.

83. Яковлева Т.А. Исследование электрических и гальваномагнитных свойств сплавов висмут-сурьма с концентрацией сурьмы до 22 ат% в интервале температур 77-300 К: Дис. ... канд.физ.-мат.наук. / Т.А. Яковлева // Л.: ЛГПИ. - 1971. - 130 с.

84. Урюпин О.Н. Термоэлектрические явления в кристаллах системы висмут-сурьма в широком интервале температур: Дис. ... канд.физ.-мат.наук. / О.Н. Урюпин // СПб.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. - 1996. - 178 с.

85. Земсков В.С. Термоэлектрическая и магнитотермоэлектрическая добротности висмута и растворов системы висмут-сурьма / В.С. Земсков, А.Д. Белая, П.Г. Бородин //Неорганические материалы. - 1982. - Т. 18, № 7. -С. 1154-1157.

86. Земсков В.С. Термоэлектрические свойства сплавов Bi-Sb в магнитном поле / В.С. Земсков, В.П. Гусаков, А.Д. Белая, С.А. Рослов. // Металлы. - 1975. № 3. - С. 198-203.

87. Дивин Н.П. Физические основы управляемого выращивания монокристаллов висмута для анизотропных термоэлементов их

применения: Дис. ... канд. физ.-мат.наук. / Н.П. Дивин // Л.: ЛГПИ. - 1982. -173 с.

88. А.с. 245859 СССР. Материал для анизотропных термоэлементов /А.Р. Регель, Г.А. Иванов, В.М. Грабов, Л.И. Анатычук, О.Я. Лусте; ЛГПИ им. А.И.Герцена; Заявл. 03.04.69.

89. Грабов В.М. Быстродействие анизотропного термоэлемента. / В.М. Грабов, Н.П. Дивин, В.А. Комаров, А.С. Парахин // Термоэлектрики и их применения : Доклады VII Межгосударственного семинара. - Санкт-Петербург : ФТИ им А.Ф. Иоффе. - 2000. - С. 369-374.

90. Сапожников С.З. Измерение нестационарных тепловых потоков градиентными датчиками на основе анизотропных кристаллов висмута. / С.З. Сапожников, В.Ю. Митяков, А.В. Митяков. // ЖТФ. - 2004. - Т.74, вып. 7. - С. 114-120.

91. Подстригач Я. С. Термоупругость тел неоднородной структуры. / Подстригач Я. С., Ломакин В А., Коляно Ю. М - М.: Наука. - 1984. - 368 с.

92. Анатычук Л.И. Термоэлектричество. Том IV. Функционально -градиентные термоэлектрические материалы / Л.И. Анатычук, Л.Н. Вихор // Черновцы : Институт термоэлектричества. - 2012. - 182с.

93. Булат Л.П. О создании функционально-градиентных термоэлектриков методом искрового плазменного спекания. / Л.П. Булат, И.А. Драбкин, А.В. Новотельнова, В.Б. Освенский, Ю.Н. Пархоменко, Д.А. Пшенай-Северин, А.И. Сорокин, И.А. Нефедова // ПЖТФ. - 2014. -Т. 40, вып. 21. - С. 79-87.

94. Bate R.T. Influence of conductivity gradients on galvanomagnetic effects in indium antimonide / R.T. Bate, A.C. Beer // J. Appl. Phys. - 1961 -V. 32 - P. 800-806.

95. Вайнгард У. Введение в физику кристаллизации металлов / У. Вайнгард // М.: Мир. - 1967. - 160 с.

96. Колпачников T.H. Выращивание монокристаллов Bi-Sb методом зонной перекристаллизации / T.H. Колпачников, В.Л. Haлетов // Полуметаллы: Сб. науч. статей. - Л.: ЛГПИ. - 196s. - С. 3-б.

97. Hикитинa Г.В. О скорости выращивания кристаллов системы Bi-Sb / Г.В. ^китина, В.Н Романенко // Изв. AH СССР. ^органические материалы. - 1972. - Т. 8, № 5. - С. 812-S14.

9S. Комаров Г.В. Об условиях возникновения колебаний границы между твердой и жидкой фазами висмута / Г.В. Комаров, AP. Регель // ФТТ. - 1963. - Т.5, № 3. - С. 773-777.

99. Комаров Г.В. О причине возникновения колебаний границы между твердой и жидкой фазами висмута / Г.В. Комаров, AP. Регель // ФТТ. - 1964. - Т.6, № 1. - С. 334.

100. Yim W.M. Transverse Striations in Bi-Sb alloy Single Crystals / W.M. Yim // Trans. Metallurg. Soc. AIME. - 1966. V. 236. - P. 474-4S2.

101. Bhatt V.P. Origin of the Transverse Striations in Bi-Sb Single Crystals / V.P. Bhatt, G.R. Pandya, R.D. Rao // J. Cryst. Growth. - 1972. - V.16, № 3. -P. 283-286.

102. Иванов К.Г. Выращивание монокристаллов висмут-сурьма высокого качества / К.Г. Иванов, A.Q Крылов // Полуметаллы и полупроводники: Сб.научн.статей. - Л.: ЛГПИ. - 1975. - С.24-28.

103. Диаграммы состояния двойных металлических систем. Справочник. Т. 1 / Под ред. НП. Лякишева. - М.: Машиностроение. - 1996. -992 с.

104. Пфан В.Зонная плавка / В. Пфан // М.: «Мир».- 1970. - 366 c.

105. Бартон ДжА. Технология полупроводников // ДжА. Бартон, У.П. Шлихтер // М.: «Оборониздат». - 1961.

106. Физические величины. / Справочник, под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Е. З. - М.: Энергоиздат. - 1991.

107. Бочегов В.И., Налетов В.Л. Способ получения термоэлектрических бинарных сплавов. Описание изобретения к АС №957585, 1980.

108. Бочегов В.И. Сегрегация при направленной кристаллизации бинарных систем типа Ы-БЬ, расчет и экспериментальная проверка. / В.И. Бочегов, В.М. Грабов, В.А. Комаров, А.С. Парахин. // Расплавы. -2014. - №3. - С. 85-92.

109. Бочегов В.И. Программа расчета зависимости коэффициента сегрегации от соотношения состава расплава бинарных систем с неограниченной растворимостью (типа БьБЬ) и распределения по объему компонентов таких систем после направленной нормальной кристаллизации с учетом этой зависимости. // Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ РФ, №2015613883, 30.03.2015.

110. Бочегов В.И. Способ крепления затравки при выращивании монокристаллов методом направленной кристаллизации из расплава в горизонтальном стеклянном вакуумированном контейнере. // Описание изобретения.: Патент РФ, №2552463, 06.05.2015.

111. Бочегов В.И. Радиатор для отвода тепла от затравки при выращивании монокристаллов в вакууммированной стеклянной ампуле. // Описание изобретения.: Патент РФ, №2554190, 27.05.2015.

112. Бочегов В.И. Аналитический и численный расчет очистки простых кристаллических веществ методом зонной плавки с конечным размером слитка (на примере висмута) / В.И. Бочегов, А.С. Парахин // Расплавы. - 2014, №4. - С. 87-96.

113. Бочегов В.И. Предельное распределение примеси при зонной очистке / В.И. Бочегов, А.С. Парахин // ПЖТФ. - 2014. - т. 40, вып. 11. -С. 17-22.

114. Бочегов В.И. Программа расчета предельного распределения примеси при зонной очистке / В.И. Бочегов, А.С. Парахин // Свидетельство о

государственной регистрации программы для ЭВМ РФ, №2015614168, 08.04.2015.

115. Бочегов В.И. Расчет распределения примеси после нескольких проходов зоны / В.И. Бочегов, А.С. Парахин // Вестник Курганского государственного университета.: Серия «Естественные науки». - 2012. -вып. 5. - С. 83-87.

116. Bochegov V.I. Thermoelastic stresses in a thin rectangular anisotropic plate in the example of a monocrystalline bismuth-antimony alloy / Bochegov V.I. // Strength of Materials. Springer. - 1993. - V. 25. - N. 8. - Р. 593-597.

117. Бочегов В.И. О возможности уменьшения температурных напряжений в элементах термоэлектрических приборов в стационарных режимах / В.И. Бочегов // Термоэлектрические преобразователи.: Материалы конференции. Ленинград. - 1987. - С. 149.

118. Бочегов В.И. Теоретические предпосылки ослабления тепловых напряжений в тонких прямоугольных пластинах / В.И. Бочегов // Физика твёрдого тела.: Тезисы докладов к межвузовской научной конференции. -Барнаул: БГПИ; Горно-Алтайский ГПИ. - 1990. - С. 15-16.

119. Бочегов В.И. Голографическая экспериментальная установка для проверки математических моделей полей термодеформаций в твердых телах / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова // Математическое и программное обеспечение научных исследований и обучения.: Сб. научных трудов. -Курган: КГУ. - 1999. - С. 40.

120. Бочегов В.И. Коэффициенты теплового расширения висмута и сурьмы / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова // Физика полупроводников и полуметаллов.: Всероссийская научная конференция.: Тезисы докладов. -Санкт-Петербург. - 2002. - С. 87 - 89.

121. Бочегов В.И. Метод измерения поля термодеформаций / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова // Физика полупроводников и полуметаллов.: Всероссийская научная конференция: Тезисы докладов. - Санкт-Петербург. -2002. - С. 86 - 87. "4

122. Сергеев В.П. Тепловое расширение полупроводниковых кристаллов при наличии дефектов : Автореферат дис. ... канд. физ.-мат наук. / В.П. Сергеев // Л. - 1972. - 23 с.

123. Дензанова Т.В. Тепловое расширение и термоупругие напряжения в градиентно-неоднородных монокристаллах висмут-сурьма.: Дис. ... канд. физ.-мат.наук. / Т.В. Дензанова // Курган : Курганский государственный университет. - 2002. - 124 с.

124. Новикова С.И. Тепловое расширение твердых тел / С.И. Новикова // М. - 1975. - 416 с.

125. Лифшиц И.М. О тепловых свойствах цепных и слоистых структур при низких температурах / И.М. Лифшиц // ЖЭТФ. - 1952. - 22, вып. 4. -С. 475.

126. Пригоровский Н.И. Методы и средства определения полей деформаций и напряжений / Н.И. Пироговский //М.: Машиностроение. -1983. - 248 с.

127. Hormann M.N. An application of wavefront reconstruction to interferometry / M.N. Hormann // Appl. Opt. - 1965. - vol. 4. - pp. 333 - 336.

128. Марков О.И. Зависимость эффективности ветви термоэлемента от распределения концентрации носителей / О.И. Марков // ЖТФ. - 2005. -Т. 75, Вып. 2. - С. 62-66.

129. Марков О.И. Об оптимизации концентрации носителей заряда ветви охлаждающего термоэлемента / О.И. Марков // ЖТФ. - 2005. - Т. 75, Вып. 6. - С. 132-133.

130. Бочегов В.И. Определение ширины запрещенной зоны в зависимости от состава сплава висмут-сурьма / В.И. Бочегов, Г.А. Иванов // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Материалы всесоюзной конференции. - Львов - 1980. - С. 226.

131. Бочегов В.И. Влияние неоднородности внешних условий на кинетические свойства полупроводников. / Г.А. Иванов, В.И. Бочегов,

А.С. Парахин // Физика твёрдого тела: тезисы докладов к межвузовской научной конференции. - Барнаул. - 1982. - С. 27.

132. Бочегов В.И. Оценка параметров зонной структуры методом неоднородности полупроводников / В.И. Бочегов, Г.А. Иванов, А.С. Парахин // 3-я школа по актуальным вопросам физики полупроводников с узкой запрещенной зоной и полуметаллов.: Сб. научных трудов. - Тирасполь, Кишинёв. - 1990, - С. 6.

133. Бочегов В.И. Влияние вихревых потоков в коммутационных пластинах на добротность охладителя Пельтье / В.И. Бочегов, А.С. Парахин // Материалы для термоэлектрических преобразователей: Тезисы докладов IV Межгосударственного семинара (ноябрь 1994). - Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. - 1995. - С. 120-122.

134. Бочегов В.И. О численном методе решения гальвано-магнето-термоэлектрической задачи с переменными кинетическими коэффициентами / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова // Термоэлектрики и их применения.: Тезисы докладов XI Межгосударственного семинара (ноябрь 2008 г.). - Санкт-Петербург: ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. - С. 205 - 207.

135. Бочегов В.И. Влияние гальваномагнитного стационарного вихревого тока на магнито-термоэлектрическую добротность градиентно-неоднородных сплавов висмут-сурьма / В.И. Бочегов, В.М. Грабов // ПЖТФ. - 2014. - Т. 40, вып. 20. - С. 29-38.

136. Бочегов В.И., Грабов В.М., Парахин А.С. Кинетические свойства градиентно-неоднородных сплавов Ы-БЬ в поперечном магнитном поле. (магнетосопротвление). / В.И. Бочегов, В.М. Грабов, А.С. Парахин. // Термоэлектрики и их применения: Доклады XIV Межгосударственного семинара (ноябрь 2014 г). — Санкт-Петербург: ФБГУН ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН : Изд. ФГБУ «ПИЯФ». — 2015. С. 179-185.

137. Стильбанс Л.С. Физика полупроводников / Л.С. Стильбанс // М.: Советское радио. -1967. 452 с.

138. Бочегов В.И. Расчет деформации поля потенциала термоэлектрического эффекта в неоднородном анизотропном образце в квадратичном приближении / В.И. Бочегов // Материалы для термоэлектрических преобразователей : Тезисы докладов IV Межгосударственного семинара (ноябрь 1994). - Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. - 1995. - С. 117-119.

139. Bochegov V.I. Experimental testing of the defomation of thermoelektronical in anisotropic inhomogeneous semiconductors / V.I. Bochegov // XIV Intnational Conference on Thermoelectrics. - 1995. - p. 81.

140. Bochegov V.I., Podgorbunskih S.A., Ovsjanov V.M. Programing of the distribution impurity in the continuum of semiconductors by the cristallisation / V.I. Bochegov, S.A. Podgorbunskih, V.M. Ovsjanov // XIV Intnational Conference on Thermoelectrics. - 1995. - p. 86.

141. Бочегов В.И., Численное решение совместной задачи о переносе энергии и заряда в среде с переменными тензорами кинетических коэффициентов и при наличии их не диагональных компонент в двумерной прямоугольной области / В.И. Бочегов // Математические модели и методы их исследования: Тезисы докладов международной конференции. -Красноярск: КрасГУ. - 1997. - С. 121-122.

142. Бочегов В.И. Формирование начальной итерации для получения устойчивой сходимости с максимальной скоростью при численном решении задачи переноса энергии и заряда в неоднородной среде. / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова// Образование, наука и техника: XXI век (сб. трудов). -Вып.2. - Ханты-Мансийск. - 2004 - С. 155.

143. Бочегов В.И. Расчёт деформации термоэлектрического поля в градиентно-неоднородных полупроводниковых образцах, помещённых в поперечное магнитное поле / В.И. Бочегов, И.А. Нечаев, Д.Б. Стрелкова // Физические явления в конденсированном состоянии вещества.: Всероссийская научно-практическая конференция. - Чита: Забайкальский гос. гумм.-пед университет им. Н.Г. Чернышевского. - 2009.- С. 69-73 .»4

144. Бочегов В.И. Явления переноса в поперечном магнитном поле в продольно-неоднородных полупроводниках / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова // Вестник Курганского государственного университета. Серия «Естественные науки». - 2011, вып.4. - С. 84.

145. Бочегов В.И. Влияние продольной градиентной неоднородности в полупроводниках на явления переноса в поперечном магнитном поле / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова, И.А. Нечаев // Термоэлектрики и их применения: Доклады XIV Межгосударственного семинара (ноябрь 2010 г). — Санкт-Петербург : ФБГУН ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН.: Изд. ФГБУ «ПИЯФ». — 2010. C. 190-193.

146. Бочегов В.И. Влияние градиентной неоднородности на термомагнитные свойства сплавов висмут-сурьма / В.И. Бочегов,

B.М. Грабов, В.А. Куликов, И.А. Нечаев // ПЖТФ. - 2015. - т. 41, вып. 12. -

C. 64-73.

147. Бочегов В.И. Кинетические свойства градиентно-неоднородных сплавов Bi-Sb в поперечном магнитном поле. (магнетотермоэдс) / В.И. Бочегов, В.М. Грабов, В.А. Куликов, А.С. Парахин. // Термоэлектрики и их применения: Доклады XIV Межгосударственного семинара (ноябрь 2014 г). — Санкт-Петербург : ФБГУН ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН : Изд. ФГБУ «ПИЯФ». — 2015. C. 186-191.

148. Бочегов В.И. Программа расчета поля термоэлектрического потенциала и плотности тока в прямоугольном градиентно-неоднородном образце материала при наличии поперечных эффектов Холла и Нернста-Эттингсгаузена. // Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ РФ, №2015614174, 08.04.2015.

149. Бочегов В.И. Измерение теплопроводности твердых тел с компенсацией оттока тепла / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова // Физические явления в конденсированном состоянии вещества.: Всероссийская научно-практическая конференция. - Чита: Забайкальский гос. гумм.-пед университет им. Н.Г. Чернышевского. - 2009.- С. 66-69 4

150. Бочегов В.И. Измерение теплопроводности с учетом влияния атмосферы / В.И. Бочегов, А.С. Парахин // Физические явления в конденсированном состоянии вещества.: Всероссийская научно-практическая конференция. - Чита: Забайкальский гос. гумм.-пед университет им. Н.Г. Чернышевского. - 2009.- С. 61-66

151. Бочегов В.И. Четыре варианта нуль-индикатора «паразитного» оттока тепла при прямом измерении теплопроводности твёрдых тел / В.И. Бочегов, Т.В, Дензанова, А.С. Парахин // Вестник Курганского государственного университета. Серия «Естественные науки», вып.2. -2009. - С. 35-37.

152. Бочегов В.И. Учет теплопритоков из атмосферы при измерении теплопроводности твердых тел / В.И. Бочегов, А.С. Парахин // Вестник Курганского государственного университета. Серия «Естественные науки», вып.2. - 2009. - С. 37-39.

153. Парахин А.С. Измерение теплопроводности твердых тел с учетом теплопотерь на излучение / А.С. Парахин, В.И. Бочегов // Вестник Курганского государственного университета. Серия «Естественные науки», вып.2. - 2009. - С. 42-43.

154. Бочегов В.И. Технические средства для прямого измерения теплопроводности твердых тел / В.И. Бочегов, В.М. Грабов, А.С. Парахин // Измерительная техника. - 2014, №4. - С. 22-26.

155. Бочегов В.И. Использование анизотропных термоэлектрических материалов для дистанционной термометрии. / В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова // Термоэлектрики и их применения.: Тезисы докладов VIII Межгосударственного семинара (ноябрь 2002 г.). - Санкт-Петербург: ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. - С..: Тезисы докладов Межгосударственного семинара (ноябрь 2002). - 2002. - С. 270-274.

156. Бочегов В.И., Дензанова Т.В. Радиационный термометр с термодатчиком из анизотропного материала // В.И. Бочегов, Т.В. Дензанова // Приборы и техника эксперимента. - 2003, N2. - С. 156-157. 4

157. Боченин В.И. Радиационный рентгенофлуоресцентный способ диагностики участков коррозионного поражения / В.И. Боченин, В.И. Бочегов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2001, №8. - С. 40-43.

158. Драйбл Дж. Теплопроводность полупроводников. / Дж. Драйбл, Г. Голдсмит// М.: Иностранная литература. - 1963. - 266 с.

159. Глазов В.М. Методы исследования термоэлектрических свойств полупроводников / В.М. Глазов, А.С. Охотин, Р.П. Боровикова, А.С. Пушкарский // М.: Атомиздат. - 1969. - 275 с.

160. Анатычук Л.И. О современном состоянии и актуальных проблемах развития термоэлектричества / Л.И. Анатычук // Термоэлектричество. - 2012, №3. - С. 5-20.

161. Anatychuk L.I. Design and technology of generator modules of segmented thermoelements based on Bi-Те, / L.I. Anatychuk, L.N. Vikhor, I.Yu. Ludchak, I.S. Termena // J. of Thermoelectricity. - 2010, N1. - Р. 58-69.

162. Anatychuk L.I. Segmented Generator Modules Using Bi2Te3-based Materials / L.I. Anatychuk, L.N. Vikhor, L.T. Strutynska, I.S. Termena // J. of Electrinic Materials. - 2011, V. 40, (6). - Р. 957-961.

163. Anatychuk L.I. Computer designing and test results of automotive thermoelectric generator. Thermoelectrics goes automotive / L.I. Anatychuk, R.V. Kuz // Berlin: Expert Verlag. - 2011. - Р. 191-208,

164. Иванова Л.Д. Градиентные монокристаллы твердых растворов Bi05Sb15 Te3. / Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина, Л.И. Петрова // Термоэлектрики и их применения.: Тезисы докладов IX Межгосударственного семинара (ноябрь 2004). - Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. - 2004. - С. 51 -56.

165. Иванова Л.Д. Монокристаллы твердого раствора системы Bi0,sSb15Te3 -Bi2Se3 (4 мол.% Bi2Se3) с градиентом концентрации носителей тока / Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина, Л.И. Петрова, М.А. Коржуев // Неорганические материалы. 2005. - Т. 41, №10. - C4 1200-

166. Иванова Л.Д. Получение и исследование электрофизических свойств кристаллов твердых растворов халькогенида висмута и сурьмы с градиентом концентрации носителей тока / Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина, Л.И. Петрова, М.А. Коржуев, В.С. Земсков // ФТТ 2005. Актуальные проблемы физики твердого тела.: Сб. докладов международной научной конференции. - Минск. - 2005. - С. 501-503,

167. Свечникова Т.Е. Градиентные монокристаллы твердых растворов на основе Bi2Te3, полученные методом Чохральского / Т.Е. Свечникова, В.С. Земсков // Термоэлектрики и их применения.: Тезисы докладов IX Межгосударственного семинара (ноябрь 2004). - Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. - 2004. - С. 57-62.

168. Иванова Л.Д. Низкотемпературные термоэлектрические микрохолодильники, использующие распределенный эффект Пельтье // Л.Д. Иванова, М.А. Коржуев, Л.И. Петрова, Т.Е. Свечникова, Ю.В. Гранаткина, В.С. Земсков // Термоэлектрики и их применения.: Тезисы докладов IX Межгосударственного семинара (ноябрь 2004). - Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. - 2004. - С. 422-427.

169. Иванова Л.Д. Повышение эффективности термоэлектрического охлаждения при температурах ниже 200 К / Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина, И.А. Сидоренко // Термоэлектрики и их применения.: Тезисы докладов VIII Межгосударственного семинара (ноябрь 2002). - Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. - 2002. - С. 18-23.

170. Свечникова T.E. Выращивание кристаллов и термоэлектрические свойства слоистых тетрадимитоподобных халькогенидов и твердых растворов (Bi2 TesV^S^Tes^S^Ses^. / Т.Е. Свечникова, Л.Е. Шелимова, П.П, Константинов, М.А. КРетова, Е.С. Авилов, В.С. Земсков, Х. Штиве, Е. Мюллер // Неорганические материалы. - 2006. - Т. 42, вып. 12. - С. 14371444.

171. Zeng G. Power generator modules of segmented Bi2Te3 and ErAs:

(InGaAs)^ (InAlAs)x, / G. Zeng, J. Bahk, J. Bowers et al. // J. of Electronic Materials. - 2008. - V. 37 (12). Р. 1786-1792.

172. Grane D.T. Modeling the building blocks of a 10% koefficient segmented thermoelectric power generator / D.T. Grane, D. Kossakovski, L.E. Bell // J. of Electronic Materials. - 2009. - V. 38 (7). - P. 1382-1386.

173. Cheung T. Application of a Genetic Algorithm to Optimize in the Zone Refining Process Purification / T. Cheung et al. // Materials and Manufacturing Processes. - 2011. - № 26. - P. 493-500.

174. Cheung T. Application of an Artificial Intelligence Technique to Improve / T. Cheung et al. // Journal of Electronic Materials. - 2010. - Vol. 39, No. 1. - P. 49-55.

175. Price P. Ambipolar thermodiffusion of electrons and holes in semiconductors //Philosophy Magazine. - 1955. - Vol. 46. - pp. 1252-1260.

176. Давыдов Б.И. Теория электронных полупроводников / Б.И. Давыдов, И.М. Шмушкевич // Успехи физических наук. - 1940, Т. 24, вып. 1, С. 21 - 67.

177. Предельное распределение. Бочегов В.И., Парахин А.С. - 2013. [Электронный ресурс] Режим доступа:

http: //infima.kgsu.ru/index.php?option=com content&view=article&id= 102:2013-07-26-06-19-29&catid=34:2013-07-26-05-54-26&Itemid=38, свободный. -Заглавие с экрана.

178. Теплопроводность пластиков и пластмасс, плотность пластмассы — физические свойства полимеров [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://thermalinfo.ru/publ/tverdye_veshhestva/plastmassa_i_plastik/svojstva_polim erov/15-1-0-289, свободный. - Заглавие с экрана.

179. Бочегов В.И. Лабораторный практикум по физике твердого тела [Электронный ресурс] / В.И. Бочегов, Т.В, Дензанова. - Курган. - 2004. Режим доступа: http://studopedia.info/1-36613.html, свободный. - Заглавие с экрана.

180. Wang S. Conductivity-Limiting Bipolar Thermal Conductivity in Semiconductors [Электронный ресурс] / S. Wang et al. Scientific Reports 5 (2015): 10136. Режим доступа:

https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4650813, свободный. - Заглавие с экрана.

181. Бочегов В.И. Теплопроводность градиентно-неоднородных ветвей термоэлементов при рабочем перепаде температуры / В.И. Бочегов, В.М. Грабов // ФТП. 2017, Т. 51, вып. 7. С. 912-913.

182. Бочегов В.И. Расчет и экспериментальная проверка быстродействия измерительных преобразователей теплового потока на основе анизотропных термоэлементов Борелиуса / В.И. Бочегов, В.М. Грабов, Н.П. Дивин, А.С Парахин // Измерительная техника. - 2017. -№ 1. - С. 31-33.

183. Бочегов В.И. Программа расчета зависимости сигнала от времени для датчика теплового потока на основе эффекта Борелиуса при наличии изоляционно-клеевой прослойки между датчиком и термостатом. // Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ РФ № 2015661629. Зарегистрировано в Государственном Реестре программ для ЭВМ 02.11.2015. Язык программирования Mathcad.: Объём программы 480 Кб.