Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Грабов, Владимир Минович

• Грабов, Владимир Минович
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Грабов, Владимир Минович

Глава 1. МОНОКРИСТАЛЛЫ ВИСМУТА, СУРЬМЫ И СПЛАВОВ

ВИСМУТ-СУРЬМА И ИХ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

1.1. Структура кристаллов типа висмута

1.2. Выращивание монокристаллов висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма

1.3. Методы контроля и основные показатели качества монокристаллов висмута, сурьмы и их сплавов

1.4. О поведении легирующих примесей в кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма

1.5. О влиянии легирукщих примесей на энергетический спектр носителей заряда в кристаллах типа висмута

1.6. Приготовление образцов для исследования 7 О

1.7. Распространение упругих волн, модули упругости и силы связи в кристаллах системы висмут-сурьма

1.8» Выводы к главе

Глава 2. ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА В КРИСТАЛЛАХ ТИПА ВИСМУТА

2.1. Феноменологическое описание явлений переноса в кристаллах типа висмута

2.2. Описание явлений переноса в кристаллах типа висмута методаьм физической кинетики

2.3. Методика и техника экспериментального исследования явлений переноса в кристаллах типа висмута

2.4. Магнитоплазменные волны, геликоны, в кристаллах типа висмута

2.5. Выводы к главе

Глава 3. ЗОННАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ ВИСМУТА,

СУРЬМЫ И СПЛАВОВ ВИСМУТ-СУРЬМА

3,1. Зонная структура висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма в окрестности энергии Ферми при низких температурах

3.2. Температурная зависимость энергетических параметров зонной структуры в монокристаллах висмута, сурьмы и их сплавов

3.3, Магнитная восприимчивость и зонная структура кристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма

3.4. Явления переноса и зонная структура монокристаллов висмута, сурьмы и их сплавов, легированных донорными и акцепторными примесями

3.5, Выводы к главе

Глава 4. ЗАКОН ДИСПЕРСИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ^ЭКСТРЕМУМОВ В КРИСТАЛЛАХ ВИСМУТА И СПЛАВОВ В^Ь*, 0 < х < 0.

4.1, Модели закона дисперсии носителей заряда в кристаллах типа висмута

4.2, Оптические свойства кристаллов типа висмута, обусловленные взаимодействием электромагнитного излучения с носителями заряда

4.3, Методика и техника измерения спектров отражения кристаллов типа висмута в инфракрасной области

4.4, Особенности спектров плазменного отражения анизотропных кристаллов типа висмута

4.5, Анализ экспериментальных спектров

4.6, Плазменное отражение и закон дисперсии носителей заряда Ь-экстремумов зоны проводимости в кристаллах висмута и сплавов висмут-сурьма

4.7, Выводы к главе

Глава 5. ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА И МЕХАНИЗМЫ РЕЛАКСАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КРИСТАЛЛАХ ТИПА ВИСМУТА

5.1, Введение

5.2, Основные закономерности рассеяния носителей заряда на фононах в металлах и полупроводниках

5.3, Температурная зависимость удельного сопротивления кристаллов типа висмута

5.4. Роль межэкстремумных переходов носителей заряда с участием фононов в явлениях переноса в кристаллах типа висмута

5.5. Ойще закономерности процессов релаксащ-ш с участием фононов в кристаллах типа висмута

5.6. О природе общих закономерностей в явлениях переноса в кристаллах типа висмута

5.7. Вывода к главе

Глава 6. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ ВИСМУТ-СУРЬМА

6.1. Введение

6.2. Термоэлектрическая эффективность кристаллов BixxSbx в зависимости от состава и температуры

6.3. Влияние режимов выращивания и неоднородности распределения компонентов на термоэлектрические свойства кристаллов висмут-сурьма

6.4. Термоэлектрические свойства легированных монокристаллов висмут-сурьма

6.5. Термоэлектрические свойства поликристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма

6.6. Магнитотермоэлектрические свойства нелегированных и легированных монокристаллов висмут-сурьма

6.7. Анизотропия термоэлдс монокристаллов висмут-сурьма

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма»

Наука о полуметаллах, как отдельном классе веществ, сформировалась в последние четыре десятилетия. В этот период были исследованы характерные особенности полуметаллов, позволившие выделить их в особый класс веществ, промежуточных по своим свойствам между металлами и полупроводниками. Результаты исследования полуметаллов изложены в ряде монографий и обзоров [1-18]. Однако в настоящее время нет пока однозначного определения, какие вещества считать полуметаллами.

В предельном случае низких температур Т = О К, все твердые тела следует разделить на диэлектрики, для которых ширина запрещенной зоны ДЕ > 0, и металлы с перекрытием зон ДЕ < 0 и уровнем Ферми в зоне разрешенных энергетических состояний. Переходным между этими состояниями является состояние с нулевой запрещенной зоной, которое в случае, если оно реализуется в одной точке зоны Бриллюэна, получило название особого бесщелевого состояния вещества [1].

Таким образом, понятие «полуметаллы», так же как и «полупроводники», имеет смысл при Т > О К и область существования веществ с различными электрическими свойствами удобно изображать на двумерной диаграмме ДЕ(Т) (рис. В.1) . К полуметаллам целесообразно относить вещества с перекрытием зон или шириной запрещенной зоны, сравнимыми с кТ, рис. В.1. К полуметаллам примыкают узкозонные полупроводники (УЗПП), (кТ < ДЕ < ЮкТ) .

Из простых веществ к типичным полуметаллам относят элементы V группы таблицы Менделеева в кристаллическом состоянии: висмут, сурьму и мышьяк. Непрерывный ряд твердых растворов системы висмут-сурьма позволяет получить вещества с изменением ДЕ от перекрытия ДЕ = -43 мэВ в висмуте до запрещенной зоны ДЕ = 25 мэВ в сплаве Bio.85Sbo.15 и далее с перекрытием зон порядка 200 мэВ в чистой сурьме. К полуметаллам также можно отнести в некоторой

Рис. В. 1. Классификация твердых тел по электрическим свойствам в зависимости от энергетического зазора дЕ и температуры Т. области температур вещества, которые обычно относят к полупроводникам: соединение 1пЗЬ, определенный интервал составов системы Сс11-хНдхТе и др.

К характерным свойствам полуметаллов можно отнести следующие:

1. В полуметаллах концентрация носителей заряда на несколько порядков меньше, чем в типичных металлах, и существенно возрастает с повышением температуры, но она не является исчезаюце малой во всей области существования полуметаллического состояния для висмута при Т=4.2 К п=3*1023 м"3) .

2. Электропроводность полуметаллов на несколько порядков ниже, чем типичных металлов, сильно зависит от температуры, может иметь как возрастающие, так и падающие при повышении температуры участки, но не становится пренебрежимо малой во всей области существования полуметаллического состояния (для висмута при Т=300К р = 1. 2*1СГб Ом*м) .

3. Для полуметаллов характерна зонная структура, при которой вблизи уровня Ферми экстремумы валентной зоны и зоны проводимости в характерных точках зоны Бриллюэна разделены малым энергетическим зазором Ед > 0. Это приводит к малым эффективным массам (ш* ~ 1СГ2 то) и высоким значениям подвижностей носителей заряда (и - 102 м2 В"1 с"1 при Т=77 К, и - 104 м2 В"1 с-1 при Т = 4.2 К). Эффективные массы носителей заряда существенно зависят от Ед и энергии, закон дисперсии носителей заряда имеет сложный характер.

4. Малые значения Ед и эффективных масс носителей заряда приводят к аномально большим значениям высокочастотной диэлектрической проницаемости £«>, основной вклад в которую вносят электроны полностью или почти полностью заполненной о валентной зоны. Для висмута £«, ~ 10 , что существенно превышает диэлектрическую проницаемость типичных полупроводников (для германия е«, ~ 16) .

5. Полуметаллы являются диамагнетиками с аномально большой диамагнитной восприимчивостью, которая примерно на два порядка превышает восприимчивость типичного металла меди (ХшУХси) ~ Ю2.

Большая величина диамагнитной восприимчивости, так же как и е, обусловлена вкладом заполненных электронных состояний в экстремумах валентной зоны с малой эффективной массой.

6. Вследствие высоких значений диэлектрической проницаемости, малого радиуса экранирования примесные состояния донорного и акцепторного типа оказываются делокализованными. Они сливаются с основной зоной, не внося при этом заметных возмущений в энергетический спектр исходного полуметалла [19,20].

7. Малые эффективные массы связаны с низкими значениями плотности электронных состояний в окрестности экстремальных точек в валентной зоне и зоне проводимости. В сочетании с вышеуказанными особенностями поведения легирующих примесей, это дает возможность существенно (на сотни милиэлектронвольт) изменять энергию Ферми и на несколько порядков - концентрацию носителей заряда и тем самым создавать уникальные возможности для исследования энергетического спектра носителей заряда и электронных свойств полуметаллов при изменении энергии Ферми и концентрации носителей заряда в широких пределах.

8. Характерные свойства полуметаллов отражают специфику межатомных сил связи в кристаллах веществ этого типа. Энергия связи для кристаллов типичных полуметаллов оказывается незначительной. Для висмута температура плавления Т = 544 К, температура Дебая 9 = 120 К. Это приводит к сильному энгармонизму колебаний решетки, высокой сжимаемости, делает полуметаллы весьма чувствительными к внешним воздействиям (всестороннее сжатие, одноосная деформация и др.).

9. Полуметаллическое состояние обусловлено, как правило, понижением симметрии кристаллов по сравнению с высокосимметричной простой кубической «прафазой» [21] . Для кристаллов элементарных веществ (висмут, сурьма, мышьяк и их твердые растворы) понижение симметрии и полуметаллическое состояние связаны со слабым отклонением решетки от кубической, что приводит к значительной анизотропии энергетического спектра фононов и носителей заряда, а также сильной анизотропии механических, электрических, оптических, магнитных и других свойств.

10. Зонная структура полуметаллов типа висмута является сложной, с наличием вблизи уровня Ферми в валентной зоне и зоне проводимости как эквивалентных, так и неэквивалентных экстремумов. При легировании, изменении температуры или под воздействием давления в полуметаллах, вследствие малости характерных энергий, можно наблюдать электронно-топологические переходы, переходы полуметалл-полупроводник, переходы через бесщелевое состояние, что также обеспечивает широкие возможности исследования параметров носителей заряда и электронных свойств полуметаллов.

11. Малые эффективные массы и высокие подвижности носителей заряда в полуметаллах делают легко достижимыми предел классически сильных магнитных полей (В < 0.1 Тл) и ультраквантовый предел (В ~ 3 Тл) . Поэтому магнитные поля оказываются весьма эффективными при исследовании электронных свойств полуметаллов. Именно на висмуте были открыты многие гальванотермомагнитные эффекты [22], резонансные и осцилляционные эффекты [10].

Таким образом полуметаллы типа висмута сыграли выдающуюся роль в физике твердого тела, как модельный материал, при открытии и исследовании многих эффектов, а также установлении и экспериментальной проверке ряда фундаментальных положений физики твердого тела [10, 23-30].

Данная работа посвящена исследованию, главным образом, полуметаллов висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма, нелегированных и легированных донорными и акцепторными примесями, в широком интервале содержания легирующих примесей. Работа является частью комплексного исследования, выполняемого лабораторией полуметаллов кафедры общей и экспериментальной физики РГПУ им. А.И. Герцена в соответствии с планом Секции по физике узкозонных полупроводников и полуметаллов Научного Совета по физике и химии полупроводников АН СССР, в настоящее время - с планом секции термоэлектричества Научного Совета РАН по комплексной проблеме «Методы прямого преобразования видов энергии», и направленного на решение научной и практической задачи - установление физических механизмов и закономерностей, определяющих высокую термоэлектрическую эффективность и определение путей повышения термоэлектрической эффективности и оптимизации состава термоэлектрических материалов на основе висмута и сплавов висмут-сурьма. Именно этим направлением работ и определятся выбор объектов исследования - легированных полуметаллов: висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма, а также температурный интервал исследования, в основном 77 - 300 К, в котором для данных материалов достигаются максимальные значения термоэлектрической эффективности. Кроме того, выбор объектов исследования, температурного интервала, а также целей и задач работы определялся сложившейся в течение длительного времени координацией исследований между лабораторией полуметаллов кафедры общей и экспериментальной физики РГПУ им. А.И. Герцена и кафедрой физики низких температур МГУ им. М.В. Ломоносова по исследованию зонной структуры полуметаллов, лабораторией полуметаллов ИПФ АН Молдавии по исследованию явлений переноса в полуметаллах, лабораторией ИМЕТ им. A.A. Байкова по выращиванию монокристаллов полуметаллов, исследованию их термоэлектрических свойств, ФТИ им. А.Ф. Иоффе по низкотемпературным исследованиям явлений переноса.

Вследствие отмеченного поведения примесей в кристаллах типа висмута, их легирование является эффективным методом исследования свойств исходных кристаллов в широком интервале изменения концентрации и энергии носителей заряда [23,24,29,31].

Аюуальность выбранного направления исследований определятся значимостью для фундаментальной физики твердого тела проблемы изучения энергетического спектра (зонной структуры и закона дисперсии) носителей заряда в широком интервале изменения энергии и концентрации носителей заряда в кристаллах, закономерностей взаимодействия электромагнитного излучения с анизотропной плазмой носителей заряда в твердых телах, закономерностей явлений переноса и роли различных механизмов рассеяния носителей заряда, особенно связанных с межэкстремумными переходами, а также практической значимостью исследования условий, обеспечивающих высокую термоэлектрическую и магнитотермоэлектрическую эффективность материалов на основе полуметаллов, их перспектив, как оптических материалов. Актуальность работы особенно возросла в последний период в связи с исследованием возможности достижения термоэлектрическими методами температур перехода . в сверхпроводящее состояние высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) и применении (ВТСП) в качестве пассивных ветвей низкотемпературных термоэлементов в сочетании с кристаллами висмут-сурьма.

Объект исследования. Монокристаллы полуметаллов: висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма, нелегированные и легированные донорными и акцепторными примесями. Процессы роста и дефекты кристаллов, равновесные свойства, зонная структура, закон дисперсии носителей заряда, плазменные и магнитоплазменные явления, явления переноса и их особенности при электронно-топологических переходах, роль различных механизмов рассеяния, термоэлектрические свойства.

Цель работы.

Установление закономерностей в кристаллах типа висмута: энергетического спектра носителей заряда в широком интервале энергий, взаимодействия электромагнитного излучения с анизотропной плазмой носителей заряда, явлений переноса при изменении состава, содержания легирующих примесей, магнитного поля, температуры, гидростатического давления; особенностей поведения коэффициентов переноса в окрестностях электронно-топологических переходов, происходящих при изменении содержания легирующих примесей, температуры, гидростатического давления, вкладов различных механизмов рассеяния, связанных с межэкстремумными переходами носителей заряда с участием фононов, в процессы релаксации носителей заряда, влияния состава, структуры кристалла, легирующих примесей, температуры, магнитного поля на термоэлектрическую эффективность кристаллов типа висмута.

Методы исследования. Выращивание монокристаллов висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма высокого качества, легирование монокристаллов висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма донорными и акцепторными примесями в широких пределах, как метод изменения концентрации электронов и дырок в полуметаллах, а также энергии носителей заряда и энергии Ферми в зонах. Экспериментальное исследование явлений переноса: электропроводности, удельного сопротивления, термоэдс, эффекта Холла, магнитосопротивления, магнитотермоэдс, поперечных гальванотермомагнитных явлений. Исследование магнитной восприимчивости, плазменного отражения магнитоплазменных и магнитооптических явлений. Отдельные исследования работы выхода, упругих постоянных, в том числе под давлением, явлений переноса под давлением, дефектов в кристаллах висмута и т. д. Исследование термоэлектрической, магнитотермоэлектрической эффективности и анизотропной термоэлектрической эффективности кристаллов типа висмута.

В процессе выполнения работы решены следующие задачи:

1. Исследованы процессы кристаллизации и выращены методом горизонтальной зонной перекристаллизации монокристаллы висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма как нелегированные, так и легированные донорными (теллур, селен) и акцепторными (олово, свинец) примесями.

2. Разработаны методики и изготовлены экспериментальные установки по исследованию удельного сопротивления и гальваномагнитных явлений, а также термоэдс, теплопроводности и термомагнитных явлений в интервале температур 77 - 300 К, произведено экспериментальное исследование комплекса явлений переноса, дисперсии магнитоплазменных волн, магнитной восприимчивости.

3. Показано, что наиболее эффективным способом изучения закона дисперсии носителей заряда в легированных полуметаллах при температурах 77 - 300 К является экспериментальное исследование спектров плазменного отражения. Произведено систематическое исследование спектров отражения и их анизотропии для легированных и нелегированных монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма с применением спектральных приборов отечественного производства ИКС-14, ИКС-22В а также 1ЕЗ-ИЗУ фирмы «Брукер», ФРГ.

4. Получена информация о законе дисперсии Ь-электронов в широком интервале энергий и определены численные значения ряда ранее неизвестных параметров закона дисперсии.

5. Произведен анализ экспериментальных данных по явлениям переноса, позволивший получить численные значения параметров носителей заряда в висмуте, сурьме и сплавах висмут-сурьма, установить роль изменения концентрации и фононных механизмов рассеяния носителей заряда в явлениях переноса, в том числе при электронно-топологических переходах типа появления и исчезновения нового участка на поверхности Ферми в валентной зоне или зоне проводимости.

6. Исследована зонная структура и изменение вкладов носителей заряда различных экстремумов в электронные свойства полуметаллов: висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма при их легировании донорными и акцепторными примесями, изменении температуры, давления, при электронно-топологических переходах.

7. Исследовано влияние магнитного поля на явления переноса, наиболее детально, в области электронно-топологических переходов различного типа.

8. Произведен анализ условий, обеспечивающих высокие значения термоэлектрической, магнитотермоэлектрической и анизотропной термоэлектрической эффективности материалов на основе сплавов висмут-сурьма.

Наиболее существенные научные результаты и их новизна:

1. В процессе исследований экспериментально обнаружены:

1.1. Новая система двойникования в кристаллах типа висмута {00 1},<110>, в которой обшим элементом двух смежных псевдокубических ячеек является грань (а не ребро, как в известной системе {110},<00 1>) . Получены данные о существовании зеркально-поворотной системы двойникования (правовинтовая и левовинтовая ось С3) .

1.2. Различие в изменении анизотропии скоростей звука и упругих постоянных кристаллов висмут-сурьма при возрастании их абсолютных значений и уменьшении параметров ячейки вследствие возрастания (х) и под воздействием гидростатического сжатия.

1.3. Аномалии явлений переноса, включая двойное изменение знака термоэдс в кристаллах висмута, сурьмы, сплавов висмут-сурьма при изменении содержания легирующих примесей и температуры, под действием гидростатического давления, интерпретируемые как проявление сложной зонной структуры, изменения концентрации носителей заряда и рассеяния, обусловленного межэкстремумными переходами носителей заряда с участием фононов в окрестности электронно-топологических переходов.

1.4. Уменьшение различия подвижностей и более четкое проявление изменения концентрации носителей заряда в особенностях явлений переноса под действием внешнего магнитного поля в окрестности электронно-топологических переходов.

1.5. Существенный (до 20%) вклад биполярных процессов в теплопроводность полуметаллов типа висмута в условиях перекрытия валентной зоны и зоны проводимости, возрастающий при легировании, выравнивающем вклады электронов и дырок в кинетические явления.

1.6. Явление «двойного лучеотражения» при взаимодействии поляризованного и неполяризованного излучения с анизотропной плазмой оптически одноосных кристаллов типа висмута, заключающееся в наличии двух минимумов в спектрах плазменного отражения при к1С3.

1.7. Дополнительные минимумы и искажения в спектрах плазменного отражения, обусловленные влиянием прямых межзонных переходов в кристаллах висмут-сурьма при Ед+2ЕГ ~ /гсор и взаимодействием излучения с оптическими фононами при сор « сорЬ.

1.8. Общая закономерность в зависимости удельного сопротивления полуметаллов типа висмута от приведенной температуры (Т/9) при его практической независимости от концентрации носителей заряда в области преобладания рассеяния на фононах.

2. Впервые установлены новые физические закономерности, получены новые результаты и сделаны выводы:

2.1. Закономерности изменения анизотропии физических явлений в кристаллах типа висмута, обусловленные изменением зонной структуры и соотношения вкладов носителей заряда различных экстремумов в магнитную восприимчивость, явления переноса: термоэдс, теплопроводность, удельное сопротивление, гальваномагнитные и термомагнитные явления, в плазменное отражение кристаллов типа висмута при изменении состава, содержания легирующих примесей, давления, температуры.

2.2. Связь явления «невзаимности» распространения геликонов, при изменении направления внешнего постоянного магнитного поля на противоположное, с углом наклона осей вытянутости изоэнергетических поверхностей носителей заряда в кристаллах типа висмута и определение величины этого угла.

2.3. Обоснована возможность применения метода плазменного отражения для исследования энергетического спектра носителей заряда в полуметаллах в широкой области энергий. Впервые получены экспериментальные данные по анизотропии плазменного отражения монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма, легированных донорными и акцепторными примесями.

2.4. Установлено, что закон дисперсии носителей заряда Ъ-экстремумов зоны проводимости в пределе больших энергий и концентраций носителей заряда стремится к квадратичному. Наиболее адекватной моделью для описания закона дисперсии Ь-электронов в висмуте и сплавах висмут-сурьма в широкой области изменения их энергии является модель Макклюра и Чоя (полная модель Коэна) с отличными от нуля всеми параметрами ац, так что закон дисперсии имеет общий характер для широкого класса узкозонных полупроводников.

2.5. Получены численные значения параметров ац = 24 ± 2 и аэз = 12 ± 1 и показано, что они практически не зависят от содержания сурьмы в сплавах В11ХЗЬХ в интервале 0 < х < 0.22.

2.6. По данным исследований магнитной восприимчивости, явлений переноса, анизотропии плазменного отражения установлено энергетическое положение экстремумов валентной зоны и зоны проводимости вблизи уровня Ферми в висмуте, сурьме и сплавах висмут-сурьма, легированных донорными и акцепторными примесями, при температурах Т > 77 К. Обнаружены новые экстремумы, переходы полуметалл-полупроводник, электронно-топологические переходы.

2.7. Впервые установлена существенная роль междолинного, рекомбинационного и межзонного рассеяния (с участием фононов) носителей заряда валентной зоны и зоны проводимости в явлениях переноса в висмуте, сурьме и сплавах висмут-сурьма. Установлены общие закономерности этих видов рассеяния, объединенных под названием «межэкстремумное рассеяние».

2.8. Общая закономерность в зависимости удельного сопротивления полуметаллов типа висмута от приведенной температуры (Т/9) при его практической независимости от концентрации носителей заряда обусловлена преобладающим вкладом межэкстремумного рассеяния носителей заряда с участием фононов при возрастании его интенсивности обратно пропорционально концентрации носителей заряда.

2.9. Показано, что в гальванотермомагнитных явлениях магнитное поле приводит к сглаживанию аномалий коэффициентов переноса при электронно-топологических переходах, обусловленных межэкстремумным рассеянием, так как оно уменьшает и выравнивает эффективные подвижности отдельных групп носителей заряда, и к более заметному проявлению особенностей, обусловленных появлением нового участка поверхности Ферми и связанной с ними концентрации носителей заряда.

2.10. На основе анализа анизотропии и характерных для ЭТП особенностей явлений переноса, магнитной восприимчивости, спектров плазменного отражения впервые сделаны выводы о наличии новых экстремумов в валентной зоне и зоне проводимости кристаллов

В^-хБЬх во всем интервале составов, 0 < х < 1.

2.11. На основе полученных экспериментальных данных о явлениях переноса, зонной структуре, законе дисперсии носителей заряда, роли внутридолинного и межэкстремумного рассеяния в явлениях переноса, сделаны выводы об условиях, обеспечивающих высокую термоэлектрическую магнитотермоэлектрическую и анизотропную термоэлектрическую эффективность материалов на основе сплавов системы висмут-сурьма, определены основные пути их оптимизации.

Таким образом в диссертации впервые на основе полученных автором новых данных о закономерностях кристаллизации и свойствах кристаллов типа висмута: энергетическом спектре носителей заряда, взаимодействии электромагнитного излучения с анизотропной плазмой, существенной роли фононного механизма межэкстремумного рассеяния носителей заряда и закономерностей его изменения при изменении температуры, давления, уровня Ферми при легировании донорными и акцепторными примесями, при электронно-топологических переходах, произведено исследование комплекса физических явлений и их особенностей, что представляет собой новое научное направление в физике полуметаллов и узкозонных полупроводников.

В выполнении общего плана исследований автора по данному научному направлению принимали участие сотрудники, аспиранты и соискатели кафедры общей и экспериментальной физики [32-56] . Основные положения, выносимые на защиту:

1. В структуре кристаллов типа висмута реализуется ряд систем двойникования, которые следует учитывать при исследованиях и практических применениях кристаллов данного типа.

2. В кристаллах висмута и сплавов висмут-сурьма диэлектрическая проницаемость в инфракрасной области спектра, включающей край плазменного отражения, может быть, описана классической функцией Друде для свободных носителей заряда с зависящей от ширины зазора Ед высокочастотной диэлектрической проницаемостью. Отклонения имеют место для нелегированных и легированных кристаллов системы висмут-сурьма, для которых энергия плазменных возбуждений сравнима с энергией прямых межзонных переходов Ед+2Ен- « йсор или плазменная частота близка к частотам оптических фононов.

3. В кристаллах висмута и сплавов В11ХЗЬХ закон дисперсии носителей заряда Ъ-экстремумов в широком интервале энергии может быть, описан моделью Макклюра и Чоя (Волкова-Фальковского или полной моделью Коэна) с отличными от нуля ац и а33, равными для висмута ац = 24 ± 2, а3э = 12 + 1 и практически независящими от (х) в интервале 0 < х < 0.22.

4. В интервале температур 77 - 300 Кв явлениях переноса в висмуте, сурьме и сплавах висмут-сурьма существенную роль играет межэкстремумное рассеяние носителей заряда с участием фононов: междолинное, рекомбинационное, межзонное. Изменение его вкладов определяет поведение коэффициентов переноса и их сильное изменение (двойное изменение знака термоэдс) при электронно-топологических переходах типа появления или исчезновения нового участка поверхности Ферми вследствие легирования в зависимости от содержания легирующих примесей донорного и акцепторного типов, температуры, давления.

5. Внешнее магнитное поле сглаживает аномалии явлений переноса при электронно-топологических переходах, обусловленные межэкстремумным рассеянием носителей заряда, так как оно уменьшает и выравнивает эффективные подвижности носителей заряда различных групп и более четко проявляет особенности, обусловленные изменением при ЭТП концентрации носителей заряда.

6. В зависимости удельного сопротивления кристаллов типа висмута от приведенной температуры (Т/9) выполняется общая закономерность, при которой удельное сопротивление практически не зависит от концентрации носителей заряда, что обусловлено возрастанимем интенсивности межэкстремумного рассеяния носителей заряда с участием фононов пропорционально концентрации носителей заряда.

7. Изменение величины, анизотропии и характера зависимости от концентрации носителей заряда магнитной восприимчивости, спектров плазменного отражения и, особенно, явлений переноса при смещении уровня химического потенциала вглубь валентной зоны и зоны проводимости вследствие легирования акцепторными и донорными примесями, обусловлено вкладами дополнительных экстремумов валентной зоны и зоны проводимости висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма. Обнаружены новые экстремумы и произведена оценка их энергетического положения в зоне проводимости и валентной зоне ■кристаллов висмут-сурьма во всем интервале составов.

8. Высокая термоэлектрическая, магнитотермоэлектрическая и анизотропная термоэлектрическая эффективность материалов на основе сплавов висмут-сурьма определяется сложной структурой энергетического спектра и существенной релью межэкстремумного рассеяния носителей заряда с участием фононов в термоэлектрических явлениях. Установление закономерностей влияния магнитного поля, легирующих примесей, неоднородности распределения компонентов, дополнительных механизмов рассеяния носителей заряда обеспечивает возможность оптимизации термоэлектрической, магнитотермоэлектрической и анизотропной термоэлектрической эффективности низкотемпературных термоэлектрических материалов на основе кристаллов висмут-сурьма.

Научная значимость работы состоит в установлении характера закона дисперсии Ь-электронов зоны проводимости висмута и сплавов висмут-сурьма в широкой области изменения их концентраций и энергий, определении параметров ап и азз закона дисперсии, в экспериментальном обнаружении и всестороннем исследовании роли межэкстремумного (междолинного, рекомбинационного, межзонного) рассеяния с участием фононов в явлениях переноса, установлении его основных закономерностей, в том числе при электронно-топологических переходах, в уточнении зонной структуры, обнаружении новых экстремумов в зонах висмута, сурьмы и сплавов висзмут-сурьма.

Практическая значимость работы заключается в определении факторов, обеспечивающих высокую термоэлектрическую эффективность полуметаллов, путей оптимизации их термоэлектрических параметров, обосновании возможности их практического применения в качестве материалов для термоэлектрических преобразователей различного типа, а также возможности применения в инфракрасной технике.

Результаты, представляющие практический интерес, отражены в авторских свидетельствах и хоздоговорных работах [57-68]. Структура диссертации.

Во введении сформулированы основные цели и задачи работы, основные выводы и их новизна, защищаемые положения, научная и практическая значимость работы.

В первой главе дана общая характеристика объектов исследования монокристаллов висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма, описание методов выращивания монокристаллов, легирования монокристаллов донорными и акцепторными примесями, методов контроля и результатов исследования состава, структуры, степени дефектности, упругих свойств кристаллов, методика подготовки образцов к исследованиям. Приведены новые результаты исследования двойников и упругих свойств типа висмута.

Во второй главе обсуждены особенности явлений переноса в полуметаллах типа висмута и возможности их исследования с целью изучения зонной структуры и механизмов релаксации носителей заряда. Дано описание экспериментальных методов исследования явлений переноса, удельного сопротивления, гальваномагнитных явлений, термоэдс, теплопроводности и термомагнитных явлений, размерного резонанса геликонов, а также соответствующих экспериментальных установок. Дан краткий анализ основных ошибок эксперимента и обоснование эффективности применяемых экспериментальных методик для целей представленной работы. Приведены новые результаты исследования явлений переноса, размерного резонанса геликонов.

Третья глава посвящена исследованию зонной структуры висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма по экспериментальным результатам измерения явлений переноса, магнитной восприимчивости и других явлений в интервале температур 77 - 300 К. Основное внимание уделено обнаружению новых экстремумов при смещении уровня Ферми вследствие легирования полуметаллов донорными и акцепторными примесями, изменении температуры, давления, изменению параметров зонной структуры при повышении температуры в интервале 77 - 300 К.

В четвертой главе приведены результаты исследования закона дисперсии Ъ-электронов в висмуте и сплавах висмут-сурьма в широкой области изменения их концентрации и энергии при легировании донорными примесями. Показано, что наиболее эффективным методом изучения закона дисперсии Ъ-электронов, при температурах выше 77 К является метод экспериментального исследования плазменного отражения и его анизотропии. Дано описание принципов, экспериментальных методик, новых обнаруженных явлений. Изложены новые результаты измерения спектров плазменного отражения, их обработки и установленных закономерностей закона дисперсии носителей заряда.

В пятой главе основное внимание уделено экспериментальным результатам, в которых проявляется существенная роль межэкстремумного рассеяния в явлениях переноса. Обсуждены закономерности межэкстремумного рассеяния, которые следуют непосредственно из экспериментальных данных. Дано обоснование существенной роли межэкстремумного рассеяния в явлениях переноса в полуметаллах и основных его закономерностей, объяснение особенностей явлений переноса при электронно-топологических переходах. Приведены данные об установленной в работе общей закономерности в температурной зависимости удельного сопротивления полуметаллов.

Шестая глава посвящена анализу термоэлектрических явлений. Приведены новые данные о термоэлектрических свойствах кристаллов типа висмута. Основное внимание уделено получению наиболее надежных результатов, их систематизации и исследованию физических механизмов, обеспечивающих высокую термоэлектрическую эффективность, установлению влияющих на них факторов, что позволяет оптимизировать параметры материалов и планировать получение материалов с требуемыми термоэлектрическими свойствами.

Основные выводы работы, часть которых изложена в обзоре [69], приведены в заключении.

Структуру диссертации иллюстрирует следующая схема:

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Грабов, Владимир Минович

7.5. Результаты исследования термоэлектрических явлений использованы при разработке термоэлектрических преобразователей энергии различного типа и назначения, а также при разработке методики изложения темы «контактные и термоэлектрические явления» в вузовских курсах общей физики и физики твердого тела.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Представленное исследование является комплексным, включающим разработку методов выращивания и выращивание кристаллов типа висмута, исследование их упругих свойств и характерных дефектов, поведения легирующих примесей, экспериментальное исследование явлений переноса, тепловых, магнитных, оптических и других свойств, установление закономерностей энергетического спектра и процессов релаксации носителей заряда, которые могут быть отнесены к общим закономерностям физики твердого тела.

Ввиду комплексного характера работы основные результаты и выводы сгруппированы по разделам:

1. Структура и упругие свойства кристаллов типа висмута

1.1. Обнаружены ранее неизвестные системы двойникования, что имеет существенное значение, так как, вследствие сильной анизотропии кристаллов типа висмута, двойники являются дефектами, которые оказывают наибольшее влияние на свойства кристаллов типа висмута при Т >77 К.

1.2. Установлено, что под действием гидростатического давления и при возрастании (х) коэффициенты упругости кристаллов В11Х8ЬХ увеличиваются, но их анизотропия изменяется по разному. Она возрастает при увеличении (х) и уменьшается под действием гидростатического давления.

1.3. Скорости распространения ультразвука и коэффициенты упругости в кристаллах висмута и сплавов висмут-сурьма не зависят от концентрации носителей заряда, что подтверждает вьюод о преимущественно ковалентной природе химических связей в кристаллах типа висмута. Этот вывод подтверждается также результатами анализа изменения параметров упругости кристаллов типа висмута под воздействием гидростатического давления.

2. Явления переноса в кристаллах типа висмута

2.1. Выполнены систематические исследования явлений переноса в кристаллах висмута, сурьмы и сплавов В11ХЗЪХ/ 0 < х < 1, в зависимости от степени легирования донорными и акцепторными примесями, температуры, магнитного поля, в отдельных случаях, от давления.

2.2. Для бесконтактного измерения кинетических параметров кристаллов типа висмута использован метод размерного резонанса магнитоплазменных волн. Сочетание этого метода со стационарными является эффективным для выявления вкладов четных и нечетных по магнитному полю составляющих .гальваномагнитных коэффициентов, определения концентрации и подвижностей носителей заряда.

2.3. В кристаллах типа висмута впервые обнаружены аномалии, включая двойную смену знака термоэдс, которые обусловлены сложной зонной структурой и электронно-топологическими переходами (ЭТП). Выделены различные типы ЭТП в кристаллах с зонной структурой типа висмута и исследованы особенности явлений переноса при этих ЭТП при изменении температуры, давления, легирования, магнитного поля с целью исследования зонной структуры и механизмов релаксации носителей заряда.

2.4. Установлено, что при Т > 77 К особенности явлений переноса в кристаллах типа висмута при электронно-топологических переходах обусловлены изменением концентрации носителей заряда дополнительных экстремумов и межэкстремумными переходами носителей заряда с участием фононов.

2.5. Установлена существенная роль биполярных процессов: рождения, диффузии и рекомбинации пар носителей заряда в теплопроводности и других явлениях переноса в кристаллах типа висмута.

2.6. Установлена общая закономерность в зависимости удельного сопротивления кристаллов типа висмута от приведенной температуры (Т/0) при изменении подвижности носителей заряда примерно обратно пропорционально их концентрации.

3. Плазменные явления в кристаллах типа висмута

3.1» Установлено, что «невзаимность» распространения геликонов в кристаллах типа висмута обусловлена наклоном осей электронных поверхностей Ферми к базисной плоскости (111).

3.2. Обнаружено явление «двойного лучеотражения» в анизотропных кристаллах типа висмута и связь анизотропии спектров плазменного отражения с зонной структурой.

3.3. В спектрах отражения кристаллов типа висмута в инфракрасной области наряду с плазменным механизмом обнаружен вклад взаимодействия излучения с межзонными переходами носителей заряда и с оптическими фононами.

3.4. Из спектров плазменного отражения кристаллов Bi!xSbx получены данные о плазменных частотах, высокочастотной диэлектрической проницаемости, оптическом времени релаксации и закономерностях их концентрационной и температурной зависимости.

3.5. Установлена корреляция мевду высокочастотной диэлектрической проницаемостью и межзонным энергетическим зазором в кристаллах Bix-xSbx с выполнением соотношения е^Ед - const.

3.6. Установлено, что в кристаллах типа висмута характерное время релаксации уменьшается в ряду явлений: стационарные явления переноса, плазменное отражение, магнитоплазменное отражение, магнитооптические переходы между уровнями Ландау. Обнаружено «квазирезонансное» возрастание параметра затухания в спектрах плазменного отражения при Йсо « Ед, обусловленное взаимодействием плазменных возбуждений с межзонными переходами (процессами рождения и рекомбинации пар) носителей заряда. Установленные закономерности следует учитывать при исследовании механизмов релаксации фотопроводимости в кристаллах узкозонных полупроводников.

4. Зонная структура кристаллов типа висмута

4.1. По совокупности экспериментальных данных о явлениях переноса, магнитной восприимчивости, плазменном отражении, работе выхода в зависимости от содержания легирующих примесей температуры, давления обнаружены ранее неизвестные экстремумы и определено их энергетическое положение в валентной зоне и зоне проводимости кристаллов Bi]xSb>:, 0 < х < 1.

4.2. Установлены закономерности температурной зависимости энергетического положения экстремумов зон и энергетических зазоров в кристаллах висмута и Bi^-Sb^ в окрестности уровня химического потенциала.

4.3. Определена в координатах (х,Т) двумерная диаграмма существования термического энергетического зазора в кристаллах BiixSbx.

4.4. На основе комплекса экспериментальных данных получена наиболее полная информация о зонной структуре кристаллов системы BibxSbx, 0 < х < 1, в интервале около ± 0.25 эВ в окрестности уровня химического потенциала в температурной области 77 - 300 К.

5. Закон дисперсии носителей заряда L-экстремумов в кристаллах висмута и сплавов висмут-сурьма

5.1. Обоснована возможность и целесообразность использования плазменного отражения для исследования закона дисперсии носителей ■заряда в кристаллах типа висмута, особенно в легированных кристаллах при температурах 'Г > 77 К.

5.2. Закон дисперсии носителей заряда, разделенных малым энергетическим зазором L-экстремумов зон, в кристаллах типа висмута адекватно описывается моделью Макклюра и Чоя (Волкова-Фальковского) в широком интервале концентрации и энергии носителей заряда с отличными от нуля всеми коэффициентами аи, так что закон дисперсии оказывается качественно подобным для всех кристаллографических направлений.

5.3. В кристаллах висмута В1 и В±тхЗЬх/ . О < х < 0-.20, коэффициенты а-ц и а.33 практически не зависят от (х) и составляют а- 24 ± 2, а.-« 12 ± 1. В пределе больших энергий закон дисперсии приближается к квадратичному. Энергия перехода для различных направлений различна, однако зависимость энергии носителей заряда от волнового вектора является качественно подобной для всех его направлений .

5.4. Полученные результаты указывают на общий вид закона дисперсии носителей заряда для широкого класса полуметаллов и узкозонных полупроводников с валентной зоной и зоной проводимости, разделенными малым прямым энергетическим зазором.

6. Механизмы рассеяния носителей заряда в кристаллах типа висмута

6.1. В монокристаллах типа висмута, в том числе легированных, при Т > 77 К преобладает рассеяние на фононах. В монокристаллических пленках заметно проявляется рассеяние на границах, в поликристаллах и поликристаллических пленках - на дефектах структуры.

6.2. Вследствие особенностей энергетического спектра носителей заряда в кристаллах типа висмута - наличия в валентной зоне и зоне проводимости замкнутых участков изоэнергетических поверхностей носителей заряда с размерами, малыми по сравнению с размерами зоны Бригшюэна, и локализованными на расстояниях порядка размеров зоны Бриллюэна, сравнимых с радаусом сферы Дебая, а также сложности фононного спектра, существенную роль в процессах релаксации носителей заряда играют межэкстремумные переходы с участием фононов.

6.3. При электронно-топологических переходах в кристаллах типа висмута, в зависимости от соотношения эффективных масс носителей заряда основных и дополнительных экстремумов (масс динамических и масс плотности состояний для систем различных экстремумов), преобладает вклад дополнительного экстремума в проводимость через увеличение общей концентрации носителей заряда или в сопротивление через межэкстремумное рассеяние. В последнем случае при прохождении уровнем химического потенциала дополнительного экстремума сопротивление существенно возрастает, а резкое изменение энергетической зависимости времени релаксации носителей заряда приводит к минимуму термоэдс даже с изменением знака на противоположный.

6.4» В магнитных полях, приближающихся к классически сильным, различие между эффективными подвижностями носителей заряда различных групп уменьшается и при всех наблюдаемых типах ЭТП е кристаллах типа висмута преобладающим становится изменение концентрации носителей заряда. ч

6.5. В кристаллах типа висмута при температурах Т > преобладающий вклад межэкстремумных переходов с участием фононов в процессы рассеяния приводит к проявлению в этой области температур общей закономерности в температурной зависимости удельного сопротивления, которая при и ~ (1/п) отражает, в основном, температурную зависимость плотности участвующих в межэкстремумных перебросах акустических и ©птичесгазх фононов.

6.6. В кристаллах типа висмута межэкстремумные переходы носителей заряда, включая рождение и рекомбинацию пар электрон-дырка, вносят в процессы релаксации явлений переноса, в затухание плазменных, магнитоплазменных и магнитооптических явлений. Межэкстремумное время релаксации определяется плотностью конечных электронных состояний, фазовым объемом и вероятностью заполнения эффективных фононных состояний, а также правилами отбора, вытекающими из законов сохранения энергии и квазиимпульса и симметрии электронных и фононных состояний.

6.7. Именно закономерности межэкстремумных переходов носителей заряда с участием фононов существенным образом определяют наблюдаемые особенности кинетических явлений в кристаллах типа висмута, включая ЭТП различного типа, при температурах, превышающих характерные для внутридолинного рассеяния носителей заряда на фононах.

7. Термоэлектрические свойства кристаллов типа висмута

7.1. Проведены систематические исследования физической природы высокой термоэлектрической эффективности кристаллов В1г-хЗЬх и влияния на нее состава сплавов (х), легирующих примесей донорного и акцепторного типов, режимов выращивания и структуры кристаллов, магнитного поля и температуры в интервале 77-300К.

7.2. Установлены физические механизмы влияния состава, неоднородности распределения компонентов, легирующих примесей, температуры, магнитного поля, ограничения длины свободного пробега в пленках и поликристаллах на термоэлектрическую эффективность кристаллов висмут-сурьма и ее анизотропию.

7.3. На опыте с использованием оригинальной конструкции термоэлемента подтверждена целесообразность использования кристаллов висмут-сурьма в качестве п-ветвей низкотемпературных каскадов магнитотермоэлектрических охладителей.

7.4. Показано на опыте, что анизотропные термоэлектрические преобразователи энергии на основе анизотропных монокристаллов типа висмута являются уникальными по параметрам датчиками теплового потока, в том числе, для микрокалориметров, обеспечивающих измерение малых изменений теплоемкости, как в случае сверхпроводящих переходов высокотемпературных сверхпроводников.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Грабов, Владимир Минович, 1998 год

1. Вестник АН СССР. 1973. - № 2.- С. 3-13.

2. Фальковский JLAi Физические свойства висмута // УФН; 1968.- Т.94, № 1. С. 3-41.

3. Дконс Г. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах. М. ; Мир, 1968. - 264 с.

4. Абрикосов А. А. Некоторые вопросы теории полуметаллов

5. ЖЭТФ; 1973. - Т.65, № 5. - С. 2063-2074;

6. Эдельман В.С; Свойства электронов в висмуте // УФН; 1977.- Т.123, № 2. С. 257-287.

7. Соболев В.В. Энергетическая структура узкозонных полупроводников. Кишинев; Штиинца, 1983. - 288 с.

8. Электроны проводимости /Н.Е.Алексеевский, Ю.П.Гайдуков, 3.С.Грибников и др./ Под ред. М.И.Каганова и В.С.Эдельмана.- М.: Наука, 1984. 416 с.

9. Boyle WiSi, Smith G.E. Bismuth // "Progress in Semiconductors. 1963. - № 7. - P. 1-44.

10. Cohen M»H. et al. Crystal chemistry and band structures of the group V semimetals and the IV-VI semiconductors. /М.Н;Cohen, L.M.Falicov, S.Golin // IBM J; Res. and Develop.- 1964. V,8, № 3. - P. 215-227.

11. Mavroides J.H. Magneto-optics // High Magnetic Fields and their Application. Nottidham, 1969. - P. 16-70.14i Goldsmid H;J; Bismuth-antimony alloys // Phys. Stat. Sol. (a), 1970. - V.l, № 1. - P. 7-28.

12. Dresselhaus M.S. Electronic Properties of the group V semimetals // J. Phys. Chem. Solids. 1971. - V.32, Suppl. 1. - P. 3-33.

13. Lovett D.R. Semimetals and Narrow Band Gap Semiconductors. -London; Point Limited, 1977, 256 p.

14. Issi J.P. Low temperature transport properties of the group V semimetals // Australien J.Phys. 1979. - V.32, №6. - P. 585-628,

15. Holl I.J», Koenig S.H. Transport Properties and Band Structure in Bi,Sb and Bi-Sb Alloys // IBM J; Res. Dev. -1964. V,8, № 3. - P. 241-246.

16. Гельмонт Б. Jl. и др. Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников /Б.JI.Гельмонт, В.И;Иванов-Омский, И,М;Цидильконский // УФН. 1976. - Т.120, №3. - С. 337-362.

17. Шенберг Д. Магнитные осцилляции в металлах. М.; Мир, 1986,- 680 с.

18. Волков В.А. и др. Зонная структура полупроводников группы3 5

19. А В в приближениии сильной связи на р-орбиталях /В.А.Волков, О.А.Панкратов, А.В.Сазонов // ФТП. 1982. - Т.16, № 10. -С, 1734-1742.

20. Цидильковский И.М. Термомагнитные явления в полупроводниках.- М.; Физматгиз, 1960. 396 с.

21. Иванов Г.А. Электрические и гальваномагнитные свойства висмута и его сплавов (твердые растворы) в игроком температурном интервале: Дис. . докт. физ.-мат. наук. Л.: ЛПТИ, 1964.- 241 с.

22. Гицу Д.В. Комплексное исследование явлений переноса в висмуте и сплавах висмут-сурьма, легированных донорными примесями: Дис. . докт.физ.-мат.наук. Л.: ЛГПИ, 1973. - 438 с.

23. Эдельман B.C. Исследование свойств электронов в висмуте: Ав-тореф.дис. . докт. физ. -мат. наук. М. : ИФП АН СССР, 1975. - 24 с.

24. Фальковский JI.A. Электронные свойства полуметаллов: Авто-реф.дис. . докт. физ.-мат. наук. М. : ИПФ АН СССР, 1976. -24 с.

25. Чудинов С.М. Фазовые электронные переходы в магнитном поле: Автореф.дис. . докт.физ.-мат.наук.- М,: МГУ, 1979. 56 с.

26. Комник Ю.Ф. Физика металлических пленок. М.: Атомиздат, 1979. - 264 с.

27. Пономарев Я.Г. Энергетический спектр носителей заряда в уз-кощёлевых полупроводниках и полуметаллах: Дис. . докт,физ.-мат.наук. М.; МГУ, 1984, - 605 с.

28. Богод Ю.А. Влияние границ и внутренних возбуждений на кинетику электронов проводимости в полуметаллах: Автсреф. дос. . докт.физ.-мат.наук. Харьков: ФТИНТ АН УССР, 1984. - 301. С.

29. Грабов В.М. Исследование термоэдс и теплопроводности висмута и его сплавов: Дис. . канд. физ.-мат. наук. JI.: ЛИГИ, 1967. - 190 с,

30. Налетов В.Л. Электрические, тепловые и термоэлектрические свойства сплавов висмут-сурьма различной степени неоднородности: Дис. . канд.физ.-мат.наук.- Л.: ЛГПИ, 1969. -148 с.

31. Куликов В.А. Исследование зоны проводимости сплавов висмут-сурьма с концентрацией сурьмы 0-22 ат%, легированных теллуром и селеном, по явлениям переноса в интервале температур 77-300 К: Дис. . канд.физ.-мат.наук. Л.: ЛГПИ, 1970. -132 с.

32. Худякова И.И. Изучение валентной зоны сплавов висмут-сурьма методом варьирования уровня химического потенциала путем легирования сплавов оловом: Дис. . канд.физ.-мат.наук. -Л.: ЛГПИ, 1970. 149 с.

33. Яковлева Т.А. Исследование электрических и гальваномагнитных свойств сплавов висмут-сурьма с концентрацией суры»ы до 22 ат% в интервале температур 77-300 К: Дис. . канд.физ,-мат.наук. Л.: ЛГПИ, 1971. - 130 с.

34. Панарин А.Ф. Физические принципы оптимизации термоэлектрических параметров сплавов висмут-сурьма; Дис. . канд.физ.-мат.наук» Л.: ЛГПИ, 1976. - 144 с.

35. Дивин Н.П. Физические основы управляемого выращивания монокристаллов висмута для анизотропных термоэлементов и их применения: Дис. . канд.физ.-мат.наук. Л.: ЛГПИ, 1982. -173 с.

36. Комаров В.А. Исследование кинетических свойств пленок висмута на различных подложках: Дис. . канд.физ.-мат.наук. -Л.; ЛПМ, 1989. 117 с.

37. Понарядов B.C. Термоэдс и теплопроводность сплавов висмут-сурьма; Дис. . канд.физ.-мат.наук. Л.: ЛГПИ, 1970. - 164 с.

38. Михайличенко Т.В. Условия получения и электрические свойства пленок висмута: Дис. . канд. физ. -мат. наук. Л.: ЛГПИ, 1973. - 145 с.

39. Иванов К.Г. Использование анизотропии магнитной восприимчивости для анализа зонной структуры висмут-сурьма: Дис. канд.физ.-мат.наук. Л.: ЛГПИ, 1975. - 127 с.

40. Чувохин А. П. Исследование зонной структуры легированных сплавов висмут-сурьма при Т=90 К путем анализа плазменного отражения; Дис. . канд.физ.-мат.наук. Л.: ЛГПИ, 1978. -135 с.

41. Иноземцев В. А. Геликоны в легированных сплавах висмут-сурьма; Дне. . канд.физ.-мат.наук. Л.; ЛГПИ, 1978. - 151 с.

42. Бубнов Ю.А. Явления переноса в сурьме и сплавах сурьма -висмут, легированных теллуром и оловом, в интервале температур 77-300 К; Дис, . канд, физ. -мат. наук, -Л.; ЛГПИ,' 1979.- 189 с.

43. Мунтян С.П. Твердые растворы висмут-сурьма и термоэлектрическое охлаждение: Дис. . канд.физ.-мат.наук. Кишинев, ИПФ АН МССР, 1981. - 144 с.

44. Мальцев A.C. Анизотропия плазменного отражения и зонная структура висмута, легированного донорными и акцепторными примесями; Дис. . канд. физ.-мат. наук. Л. с ЛГПИ, 1983. -163 с.

45. Миронов Ю.П. Влияние давления на упругие свойства монокристаллов сплавов висмут-сурьма: Дис. . канд.физ.-мат.наук.- Л.; ЛГПИ, 1984. 130 с.

46. Кудачин В.В, Плазменное отражение и энергетический спектр электронов в сплавах висмут-сурьма, легированных донорными примесями; Дис. . канд.физ.-мат.наук. Л.; ЛГПИ, 1987. -153 с.

47. Овчаров A.B. Особенности явлений переноса при действии гидростатического давления в висмуте, легированном словом и свинцом; Дис* . канд.физ.-мат.наук. Л.; ЛГПИ, 1987. -200 с.

48. Бондаренко М.Г. Зависимость некоторых параметров зонной структуры и рассеяния электронов в висмуте в интервале 80 -280 К // Материалы для термоэлектрических преобразователей: Тез. докл. III Межгос. семинара. СПб.: ФТИ им. ,А.Ф. Иоффе, 1993. - С. 50-51.

49. Васькин М.С. Влияние взаимного положения экстремумов на явления переноса в сплавах висмут-сурьма: Дие. . канд.физ.-мат.наук. JT. : ЛГПИ, 1987. - 162 с.

50. A.c. 245859 СССР. Материал для анизотропных термоэлементов /А.Р.Регель, Г.А.Иванов, В.М.Грабов, Л.И;Анатычук, О.Я.Лусте; ЛГПИ им. А.И.Герцена/ Заявл. 03.04.69.

51. A.c. 884514 СССР. Ступенчатый термоэлектрический холодильник /1\А;Иванов, Ё;М/Грабов, К;Г.Иванов/ B.C.Корнилов/ Заявл. 21.07.81.

52. A.Ф.Панарин, Т.А.Яковлева, Т.В.Мкхайличенко, В.А.Комаров,1. B.М.Грабов.

53. Э. Разработка и изготовление датчика для контактного измерения температуры: Отчет о НИР /Ленингр.гос.пед.ин-т им.

54. A.И.Герцена/ Руководитель Г.А.Иванов.- № ГР 75038742/ Инв. № Б506813.- Л., 1976.- 17 с. Отв. исполн. Г.А.Иванов,

55. B.М.Грабов, Б.И.Чистяков, Н.П.Дивин.

56. Разработка пленочных термоэлементов на основе висмута: Отчет о НИР / Ленингр;гос,пед.ин-т им, А.И,Герцена; Руководитель В.М.Грабов.- № ГР 74023227; Инв. № Б615448,- Л., 1976.-24с.- Отв. ислолн. В.М. Грабов, В.А.Комаров, Т.В.Михайличенко, О.Н.Урюпин.

57. Создание и исследование термоэлектрических микроохладителей на диапазон до 100 К: Отчет о НИР / Ленингр;гос,пед.ин-т им.

58. A.И.Герцена; Руководитель Г.А.Иванов.- № ГР 75038741; Инв. № Б615449. Л., 1977.- 125 с. - Отв. исподн. Г.А.Иванов,

59. B.М.Грабов, С.В.Ольшанский, Т.А.Яковлева, К.Г.Иванов, В.Г.Лужковский, А.Ф.Панарин, В.И.Польшин, В.П.Нижегородов, В.С.Корнилов, И.К.Калугина.

60. Изучение явлений переноса в сплавах НдСсЗТе и висмут-сурьма: Отчет о НИР / Ленингр.гос^пед.ин-т им. А.И.Герцена; Руководитель В.М.Грабов.- № ГР 78004115; Инв. № Б765465.- Л., 1979.- 16 с. Отв. исполн. В.М.Грабов, К.Г.Иванов,

61. A.М.Джумиго, В.Н.Евсеев, А.А.Регель, И.К.Калугина.

62. B.В.Михеев, О.Н.Урюпин, В.А.Безгубова, О.Г.Блохина, М.Е.Баланова.

63. A.И.Герцена; Руководитель В.М.Грабов. № ГР 0183.0077648; Инв. № 0284.0042876. - Л., 1983. - 38 с.'

64. Разработка материалов на основе сплавов висмут-сурьма для низкотемпературных термоэлектрических охладителей : Отчет о НИР /Ленингр.гос.пед.ин-т им; А;И.Герцена; Руководитель

65. B.М,Грабов. № ГР 0184.0062300; Инв. № 0286.0049706. - Л., 1985. - 50 с. - Отв. испалн. В.М.Грабов, М.Г.Бондаренко, О.Н.Урюпин, М.Ю.Потапова, А.В.Лужковский.

66. Иванов Г.А., Грабов В.М. Физические свойства кристаллов типа висмута // ФТП; 1995.- Т.29, № 5/6: - С. 1040-1050.

67. Goldsmid H.J, Transport Effect in Semimetals and Narrow-gap Semiconductors // Adv:Phys. 1965. - V.14, № 55. - P. 273326.

68. Костов И. Кристаллография. M.; №ф, 1965. - 528 c.

69. Вайнштейн Б. К. Современная кристаллография: В 4 т. Т.1: Симметрия кристаллов. Методы структурной кристаллографии. М. : Наука, 1979. - 384 с.

70. Cucka P., Barret C.S. The Crystal Structure of Bi and of Solid Solution of Pb, Sn, Sb and Те in Bi // Acta Cryst. -1961. V. 121, № 2. - P. 387-395.7 4. Кребс Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений. -М.: Мир, 1971. 304 с.

71. Полупроводниковые вещества. Вопросы химической связи: Сб. статей /Пер. с англ.; Под ред В.П.Жузе; М: ИЛ, 1969; - 294 с.

72. Исследование условий получения монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма /В.Н.Вигдорович, Г:А:Ухлинов,

73. Н;Ю;Долинская, В.В.Марычев // Известия АН СССР, Металлы. -1973 № 6. - С. 57-63.

74. Жданов Г.С. Физика твердого тела. М. ; Изд. МГУ, 1961. -501 с.

75. Ерофеев Р.С. Особенности химической связи в элементах V и VI групп и их соединениях со структурой тетрадимита // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1978. -Т.14, № 8. -С. 1365-1369.

76. Enders Р» Structure and Bonding in Cubic IV-VI Crystals. I. Evidence for Covalent Bonding from LCAO Parameters // Phys.Stat.Sol. (b). 1983. - V.120, № 2. - P. 735-744.

77. Enders P. Structure and Bonding in Cubic IV-VI Crystals. II. Instability of the ТО(Г) Mode; Unified Universal Parameter Treatment of the Group-V Semimetals and Cubic IV-VI Semiconductors // Phys.Stat.Sol4 (b) 1984; - V;121, № 1. - P. 39-46.

78. Вонсовский С.В., Кацнельсон М.И. Квантовая физика твердого тела. М.; Наука, 1983. - 336 с.2i Хейне В; и др; Теория псевдопотенциала /В;Хейне, М,Коэн> Д.Уэйр. М.; Мир, 1973. - 577 с.

79. Evidence for Covalent Bonding in Crystalline and Amorphous As, Sb and Bi from valence Band Photoelectron Spectra /LiLey/ &;А,Ро11ак, SiP.Konakzyk, R.Mc.Eeely, D;A.Shirley // Phys, Rev. B. 1973. - V.8, № 2. - P. 641-642.

80. Cucka P.,Barret C.S. The Crystal Structure of Bi and of Solid Solutions of Pb, Sn, Sb and Те in Bi // Acta Cryst. -1962. V. 15, № 9. - P. 865-872.

81. Налетов В.Л. и др. Выращивание монокристаллов сплавов Bi-Sb и контроль их состава /В;Л;Налетов/ В,И;Николаев, Г;А.Иванов // Материалы симп; по низкотемпературным термоэлектрическим материалам, Кишинев, 1968 г. М.; Изд. АН СССР, 1968. - С. 49-51.

82. Pietsch U» The Validity of Vegard's Rull for thé Solid Solution System Bi-Sb // Phys* Stat; Sol; (b). 1982. -V.110, № 1. - P. k5-k9.

83. Norin B, Temperature and Pressure Dependence of the Band Structure in Bi // Physica Scripta; 1977. - V.15, № 5/6. -P. 341-348.

84. Бриджмен П.Б. Физика высоких давлений. М. : ОНТИ, 1935. -402 с,

85. Займан Дяс. Принципы теории твердого тела. М. : Мир, 1974. -472 с.

86. Macfarlane Р;Ё; Lattice Dynamics of Bismuth // J. Phys.

87. Maliszewski // Phys; Stat; Sol; (b); 1981; - V.104, № 1;- P. 97-100.

88. Коренблит И.Я. Теория термоэлектрических и термомагнитных свойств висмута при низких температурах // ФТТ; Т;2, № 10.- С» 1425-1435.

89. Кузнецов В.Д. Кристаллы и кристаллизация. М. : Гос. изд. технико-теор. лит., 1954. - 412 с,

90. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М. ; Мир, 1974. -540 с.

91. Романенко В.H. Получение однородных полупроводниковых кристаллов. М.: Металлургия, 1966. - 182 с.

92. Вигдорович В.Н. Совершенствование зонной перекристаллизации. М.; Металлургия, 1974. - 200 с.

93. Пфанн В. Зонная плавка. М.: Мир, 1970. - 368 с.

94. Тавадзе Ф.Н., Килиатури Т.И. Нормальный и дислокационный рост кристаллов некоторых цветных металлов. М. : Наука,1965. 160 с.

95. Новиков И.И., Золоторевский B.C. Дендритная ликвация в сплавах. М. ; Наука, 1966. 156 с.

96. Лаврентьев Ф.Ф, и др. Выращивание монокристаллов цинка и висмута заданной формы и кристаллографической ориентации /Ф.Ф Лаврентьев, В.П,Солдатов, Ю.ГЧКазаров // Рост и несовершенства металлических кристаллов. Киев.: Наукова думка,1966. С. 139-144.

97. Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых кристаллов, М.: Металлургия, 1976. - 368 с.

98. Вайнгард У. Введение в физику кристаллизации металлов. М. : Мир, 1967. - 160 с.

99. Маслов В.Н. Выращивание профильных полупроводниковых материалов. М. : Металлургия, - 1977. - 327 с.1.6, Brown D.M., Heumann F.К. Growth of Bismuth-Antimony Single Crystal Alloys // J, Appl, PhyS; 1964; - V;35, № 6. - P. 1947-1951.

100. Налетов В.Л,, Николаев В.И. Выращивание монокристаллов сплавов Bi-Sb и контроль их состава // Низкотемпературные термоэлектрические материалы,- Кишинев: АН МССР, 1970.- С. 15-17.

101. Иванов К»Г» и др. Выращивание монокристаллов висмут-сурьма /К»Г»Иванов, А»С.Крылов, И»К»Калугина // ПТЭ. 1975, № 2. -С. 225-226,

102. Бочегов В.И. и др. Выращивание монокристаллов висмут-сурьма от охлаждаемой затравки /В.И.Бочегов, К.Г.Иванов, Н.А.Родионов // ПТЭ.- 1980, № 2. С. 218.

103. Иванов Г.А. и др. О преимущественном направлении роста гомогенных монокристаллов системы висмут-сурьма /Г.А.Иванов,

104. A.С.Крылов, В.Л.Налетов. // Полупроводники и диэлектрики: Сб.науч.статей. Л.; ЛГПИ, 1974. - С. 43-47.

105. Овсянов В.М., Налетов В.Л. Вероятность блочной структуры монокристаллов висмута, выращенных от различно ориентированных затравок // Физика твердого тела: Тез. докл .межвуз.науч.конф. Барнаул: БГПИ, 1984. - С. 4-6.

106. Овсянов В.М., Налетов В.Л. О получении безблочных монокристаллов полуметаллов типа висмута. /Челяб.гос.пед.ин-т. Челябинск, 1986. 11 с. Деп. в ВИНИТИ 16.04.86, № 2720-В,

107. Вол А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем: В 4 т. Т.2. М.: Гос.изд.физ.-шт.лит., 1962. - 982 с»

108. Михайличенко Т.В. и др. Исследование диаграммы состояний сплавов висмут-сурьма, богатых висмутом /Т.В.Михайличенко,

109. B.Л.Налетов, В.В.Рошин // Полуметаллы: Сб.науч.статей; Л.: ЛГПИ, 1968. - С. 12-15.

110. Распределение БЬ и Бп между жидкой и твердой фазами при кристаллизации сплавов Вз-ЗЬ-5п /В.С.Земсков, А. Д. Белая,

111. C.А.Рослов, А.В.Чани, Е.Ф.Першина // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1976. - Т.12, № 5. - С. 805-809.

112. Никитина Г,В., Романенко В.Н. О скорости выращивания кристаллов системы В1-ЗЬ // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1972. - Т.8, № 5. - С. 812-814.

113. Комаров Г.В., Регель А,Р. Об условиях возникновения колебаний границы между твердой и жидкой фазами висмута // ФТТ.1963. Т.5, № 3. - С. 773-777.

114. Комаров Г.В., Регель А.Р. О причине возникновения колебаний границы между твердой и жидкой фазами висмута // ФТТ.1964. Т.6, № 1. - С. 334.

115. Bhatt V.P. et al. Origin of the Transverse Striations-in Bi-Sb Single Crystals /V;P.Bhatt, G.R.Pandya, R;D.Rao // J. Cryst. Growth. 1972. - V.16, № 3. - P. 283-286,

116. Иванов Г.А., Регель А.Р. Электрические свойства сплавов висмута // ЖТФ. 1955. - Т;25, № 1. - С.39-48.

117. Иванов Г.А., Регель А.Р. Электрические свойства сплавов висмута // ЖТФ: 1955; - Т;25/ № 1. - С. 49-65;

118. Эллиот Р.П. Структуры двойных сплавов; В 2 т. М.; Металлургия, 1970. - 226 с.

119. Земсков B.C. и др. Коэффициенты распределения сурьмы и теллура при кристаллизации расплавов Bi-Sb-Te /В.С;Земсков, А;Д;Белая/ Г.Н;Кожемякин // Изв; АН СССР; Металлы. 1980. -№ 3, - С. 122-123.

120. Земсков B.C. и др. Исследование слоистой неоднородности компонентов в монокристаллах сплавов Bi-Sb, (Bi-Sb)-Te. /В.С;Земсков/ А.Д.Белая, Г,Н.Кожемякин, Л;Г;Ковшова. // Изв. АН СССР. Металлы. 1985. - № 6. - С. 218-219.

121. Г.Н. Кожемякин. Процессы роста монокристаллов полупроводников в ультразвуковых полях: Автореф.дис. . докт.физ,-мат.наук, М.; Моск. Акад. тонкой хим. Технологии, 1994.47 с.

122. Исследование поведения примесей при зонной перекристаллизации висмута /В;А;Шавга, А;А;Селин/ В.Н;Вигдорович, В;В;Марычев // Изв; АН СССР; Металлы; 1971. - № 4; - С. 68-74.

123. Иванов Г.А. и др. Распределение примесей в висмуте при кристаллизации в электрических и магнитных полях /Г.А.Иванов,

124. A, С; Крылов, В.Л.Налетов // Полуметаллы и полупроводники: Сб.науч.статей. Л.; ЛГПИ, 1975. - С. 29-34.

125. Иванов Г.А., Крылов A.C. Легирование висмута и сплавов висмут-сурьма при кристаллизации в магнитном поле // Полуметаллы и сегнетоэлектрики: Сб.науч.статей. Л.: ЛГПИ, 1977. -С. 25—2 8.

126. Крылов A.C. и др. Равномерное легирование кристаллов на основе висмута /А.С.Крылов, Г.Н.Колпачников, А.Н. Суровцев // Полуметаллы и сегнетоэлектрики: Сб.науч.статей, Л.: ЛГПИ, 1977. - С. 29-33.

127. Грабов В.М. и др. О двух типах двойников в кристаллах висмута и сплавов висмут-сурьма /В.М;Грабов, В.Л.Налетов,

128. B.М.Овсянов // Физика твердого тела: Материалы межвуз. науч. конф. Барнаул.: БГПИ; АГУ, 1982. - С. 111,112.

129. Блочная структура кристаллов висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма, выращенных методом зонной перекристаллизации /В.МкГрабов, Г.А.Иванов, В.Л.Налетов, В.М.Овсянов,

130. A.С.Парахин // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1982. Т.18, № 1. - С. 33-37.

131. Влияние двойников на электрические и гальваномагнитные свойства висмута /Г.А.Иванов, Ю.Т.Левицкий, С.В.Ланкин,

132. B.Л.Налетов // ФТТ. 1973. - Т.15, № 8. - С. 2547-2548.

133. Шторм Г,Р. Теория вероятностей. Математическая статистика. Статистический контроль качества. М.: Мир, 1970.- 368 с.

134. Поворотный двойник в кристаллах висмута /ВГрабов, А;С¿Зайцев, В;Л¿Налетов, В.М;Овсянов // Физика твердого тела: Тез.докл.к межвуз.науч.конф. Барнаул: БГПИ, 1990, - С. 22-23,

135. Грабов В.М., Налетов В.Л. Теплопроводность и термоэдс гомогенных и гетерогенных кристаллов висмут-сурьма / / Вопросы методики преподавания физики в ВУЗе и ижоле: Сб.науч. статей. Омск: Омский ГПИ, 1969. - С. 141-145,

136. Налетов В.Л., Грабов В.М, Термоэлектрическая эффективность сплавов Bi-Sb различной степени неоднородности // Низкотемпературные термоэлектрические материалы. Кишинев: АН МССР, 1970. - С. 26-29.

137. Иванов Г,А, и др. Влияние качества пленок висмута на их гальваномагнитные свойства /ГИванов, В¿М;Грабов, Т;В;Михайличенко // Физика твердого тела: Сб;науч.статейi -Л.: ЛГПИ, 1973. С.68-72.

138. Иванов Г,А, и др. Влияние дефектов структуры на гальваномагнитные явления в пленках висмута /Г.А.Иванов/ В¡MiГрабов, Т; В.Михайличенко // ФТТ. 1973. - Т.15, № 2. - С; 573-575.

139. Поведение эффекта Холла на пленках висмута и висмут-сурьма в зависимости от толщины и условий получения /Г ¡А. Иванов, В. M .Грабов, Т.В.Михайличенко, В.А.Комаров // Полупроводники и диэлектрики: Сб.науч.статей. JI. : ЛГПИ, 1974. - С. 11-17.

140. Грабов В.М. и др. Термоэлектрические свойства монокристаллических пленок висмута /В.М.Грабов, Г.А.Иванов, В.А.Комаров // Материалы для термоэлектрических преобразователей: Тез.докл. IV межгосуд.семинара. СПб.: ФТИ ша. А.Ф. Иоффе РАН, 1995. - С. 63-65.

141. Жиляев И.Н., Межов-Деглин Л.П. Электропроводность и транспортные пробеги электронов в висмуте при низких температурах // ЖЭТФ. 1976. - Т.70, № 3. - С. 971-982.

142. Hartman R. Temperature Dependence of * Low-Field Galvanomagnetic Coefficients of Bismuth // Phys. Rev. -1969. V. 181, № 3. - P. 1070-1086.

143. Воров Ю.Г., Налетов B.Jl, Определение содержания сурьмы в сплаве висмут-сурьма методом гидростатического взвешивания // Общая и теоретическая физика: Сб.науч.статей; -Л.: ЛГПИ, 1968. С. 39-42.

144. Деркач В .П. и др. Электроннозондовые устройства /В.ШДеркач, Г.Ф.Кияшко, М.С.Кухарчук. Киев.; Наукова думка, 1974. -167 с.

145. Николаев В.И., Инюткин А,И. Рентгенографический анализ дендритной ликвации монокристаллов сплавов висмут-сурьма // Низкотемпературные термоэлектрические материалы. Кишинев: АН МССР, 1970. - С. 52-56.

146. Мокиевский Л.И., Иванов Г.А, Электрические свойства сплавов висмута. III. Тройные сплавы, "возвращенные" к свойствам висмута // ЖТФ. 1957. - Т.27, № 8. - С. 1695-1706.

147. Иванов Г.А. Электрические свойства сплавов висмута. IV. К расчету электрических свойств двойных сплавов висмута // ФТТ. 1959. - Т.1, № 10. - С. 1600-1608.

148. Иванов Г.А., Попов A.M. Электрические свойства сплавов висмут-сурьма // ФТТ. 1963. - Т.5, № 9. - С. 2409-2419.

149. Иванов Г.А. Электрические свойства монокристаллов твердых растворов теллура в висмуте в интервале температур 77-300 К // ФТТ. 1963. - Т.5, № 11. - С; 3173-3178.

150. Иванов Г.А. и др. Электрические свойства двойных сплавов Bi в широком температурном интервале. I. Твердые растворы Sn, Sb, Те в висмуте (поликристаллы) /Г; А; Иванов, А. М;Попов, Б.И.Чистяков // ФММ; 1963. - Т.16, № 2; - С. 184-192;

151. Иванов Г.А., Чистяков Б.И. Электрические свойства тройных сплавов висмута в интервале температур 77-450 К // ФММ. -1963. Т.16, № 6. - С. 848-855.

152. Волошин B.C. и др. Компенсация примесей IV и VI групп в висмуте /В.С.Волошин, Д.В.Гицу, А.С.Федорко // Исследование сложных полупроводников.- Кишинев: АН МССР, 1970.- С. 43-61.

153. Noothoven van Goor J.M. Charge-Carrier Dencities and Mobilities in Bi doped Sn // Phys. Letters; 1966. - V;21, № 6. - P. 603,604.

154. Shultz B.H., Noothoven van Goor J.M. Hall effect and Resistivity of Bismuth doped with Tellurium or Tin // Phil. Res. Rep. 1964. - V.19, №2. - P. 103-111.

155. Иванов Г.А., Скрипин Д.А. Особенности поведения примесей олова, теллура и сурьмы в сплавах с висмутом // Физика твердого тела; Сб.науч.статей. Барнаул; ВГПИ, 1984. - С. 6-7.

156. Гарабадаиу В.Ф. К теории примесных состояний в слабовырожденных системах // Материалы XXII Всесоюзiсовеиц по физике низких температур. Харьков, 1982. - 4.II. - С. 195-196.

157. Бодал П.П., Гарабадаиу В.Ф. Состояние примесей и их коэффициент эффективности в висмуте // Полуметаллы и узкозонные полупроводники» Кишинев; Штиинца, 1988. - С. 48-67.

158. Егоров Ф.А., Мурзин С,С. О неоднородной сверхпроводимости в висмуте, легированном оловом и свинцом // ФТТ; 1987. -Т.29, № 7. - С. 2140-2144.

159. Иванов Г.А., Суровцев А.Н. Сравнение действия олова и свинца на зонную структуру висмута // ФП\ 1973, - ТЛ5, '№ 11. -С. 3412-3413.

160. Грабов В.М., Иванов К.Г. Магнитная восприимчивость сплавов висмут-сурьма, легированных оловом // Полуметаллы и сегнето-электрики; Сб.науч.статей. Л.; ЛГПИ, 1976. - С. 27-30.

161. О.Иванов Г.А. и др. Коэффициенты сегрегации теллура и олова в сплавах Bi-Sb, богатых висмутом /Г.А.Иванов, Г.Н.Колпачников, И,И;Фадеева // Изв, АН СССР; Неорганические материалы. 1971. - Т.7, № 1. - С. 171-172.

162. Грабов В.М. и др. Коэффициенты отдачи Sn, Pb, Те и Se в висмуте /В;Mi, Грабов, К; Г i Иванов, Н. А; Родионов // Полуметаллы и полупроводники; Сб.науч.статей.- Л.; ЛГПИ, 1975.- С. 69-73.

163. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела» М» г Наука, 1981. - 574 с.

164. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С.Г» Физика полупроводников. -М.: Наука, 1990. 685 с.

165. Шкловский Б.И., Эфрос A.JT. Электронные свойства легированных полупроводников. М,; Наука, 1979. - 416 с.

166. Магнитное вымораживание в полупроводниковых сплавах Bi-Sb /С;Д;Бенеславский, H¿В.Брандт, Е:М;Галямина> С ¡^¿ Чудинов, Г;Д¿Яковлев // Письма в ЖЭТФ; 1974. - Ï419, № 5; - Ci 256260.

167. Брандт Н.Б, и др. Изменение связности электронной изоэнерге-тической поверхности у Bi под давлением /Ш Б. Брандт,

168. B. В ¿Мощалков, С ; M. Чудинов // Письма в ЮТФ; 1977. - Т. 25, № 8. - С. 361-365.

169. Переходы полупроводник-полуметалл у сплавов Bi-Sb с невысокой концентрацией Sb /Н.Б.Брандт, Б.А.Корчак, А.М;Чесноков,

170. C.М.Чудинов // ФТТ4 1911: - Т.19, № 7; - С; 2107-21l6i

171. Акимов Б.А. и др. Исследование эффекта Шубникова де Гааза в полуметаллических сплавах BiixSbx /Б. А ¿Акимов, В ¿В. Мощалков, С. M ¿Чудинов // ФНТ* 1978 i - Т.4, № Ь - С. 60-75;

172. Брандт H.Б. и др. Электронные фазовые переходы И.М. Лифшица у висмута /Н»В. Брандт, B-.Ä-. Ястребова, Я;Г\ Пономарев // ФТТ. 1974. - Т.16, № 1. - С. 102-109.

173. Брандт Н.Б» и др. Исследование закона дисперсии носителей в висмуте, легированном примесями акцепторного типа /Н;Б;Брандт, Р.Мюллер, Я »Г» Пономарев // ЖЭТФ; 1976; -Т.71, N» 6. - С. 2268-2376.

174. Брандт Н.Б. и др. Безщелевое состояние, возникающее в полупроводниковых сплавах BiixSbx под действием давления /Н.В;Брандт, Х;Диттманн, Я.ГПономарев // ФТТ; 1973; -Т.15, № 3. - С. 824-835.

175. Электронная поверхность Ферми у полуметаллических сплавов BiixSbx ( 0 ; 23 < х < 0.56) / H ; В ; Брандт, Р;Германн, Г.И.Голышева, Л.И.Девяткова, Д.Кусник, В.Краак, Я;Г.Пономарев // ЖЭТФ; 1982; - Т;83, № 6; - С; 2152-2169;

176. Переход полупроводник-"квазиметалл"-полупроводник в сплавах Bii-xSbx под действием давления /Н. В. Брандт, Х.Диттманн, Я;Г;Пономарев // Письма в ЖЭТФ; 1970; - ТЛ1, Вып;5; - С; 250-253.

177. Определение параметров закона дисперсии носителей полупроводниковых сплавов Bij-xSbx n-типа /Е;П;Буянова, В;В;Евсеев, Г»А;Иванов, Г;А;Миронова, Я; Г Пономарев // ФТТ; 1978; -Т.20, № 7. - С. 1937-1946.

178. Брандт Н.Б. и др. Электронные переходы у сплавов висмут-сурьма с высокой концентрацией сурьмы в сильных магнитных полях /Н;Б;Брандт, Е.А.Свистова, М.В;Семенов // ЖЭТФ; -1970. Т.59, № 8. - С» 434-443.

179. Brandt N.B., Svistova E.A. Electron Transintons in Strong Magnetic Fields // J. Low Temp; Phys. 1970; - V;2, № 1; -P. 1-35.

180. Брандт Н.Б», Семенов M.B. Особенности магнитной восприимчивости сплавов Bi-Sb в сильных магнитных полях // ЖЭТФ; -1975. Т.69, № 3. - С. 1072-1111,

181. Голубев В.Г, и др. Циклотронная масса электронов в сплавах висмут-олово /В.Г.Голубев, В.Н.Евсеев, К.Г.Иванов, В. И. Иванов-Омский, Л.К.Пашина // ФТТ. 1980. - Т.22, Вып.12. - С. 3433-3435.

182. Бодш П.П. и др. О "жесткости" энергетических зон висмута /П.П.Бодал, Д.В.Гиду, А.С.Федорко // ФТТ. 1969. - Т.11, № 2. - С. 491-492.

183. Бодал П.П., Гицу Д.В. Влияние акцепторных примесей на явления переноса в чистом висмуте // Физические свойства сложных полупроводников, Кишинев: Штиинца, 1973. - С» 42-60»

184. Крэкнелл А., Уонг К, Поверхность Ферми, М,; Атомиздат, 1978. - 350 с.

185. Brown R.N. et al, Tiltof the Electron Fermi Surface in Bi /k.fj. Brown, R.L.Hartman, S.H.Koenig // Phys.Rev. 1968. -V. 172, № 3. - P. 598-602.

186. Федоров Ф.И, Теория упругих волн. М,: Наука, 1965,- 386 с»

187. Гицу Д.В., Голбан И.М, Акустические волны в анизоторопных кристаллах висмута, сурьмы и мышьяка. Препринт /ИПФ АН МССР. 84-4, Кишинев, 1984. - 56 с.

188. Eckstein J.l. et al. Elastic Constants of Bismuth /J.i. Eckstein, A.W.Lawson, D.H.Reneker // J. Appl. Phys. 1960. - V.31, № 9. - P. 1534-1538.

189. Epstein S., A.P. de Bretteville. Elastic constants and wave propagation in antimony and bismuth // Phys.Rev. 1965. -V. 138, № ЗА. - P, A771-A778,

190. Lichnowscki A.J., Saunders G.A. The elastic constants of Bismuth-Antimony Alloy Single Crystals // J. Phys. C.: £ol. St. Phys. 1976. - V.138, № 6. - P, 927-938,

191. Mc Skimin H.J., Andeath P. Analysis of the pulse superposition method for measuring ultrasonic wave velosities as a function of temperature and pressure // J. Acoust. Soc. Amer. 1962» - V.34, № 5» - P. 609-615»

192. Упругие свойства и силы связи в полуметаллах V группы и их сплавах /В.М. Грабов, С.Ю.Давыдов, Ю.П.Миронов, А.М;Джумиго // ФТТ; 1985. - Т.27, № 7. - С. 2017-2024;

193. Распространение упругих волн в образцах малых размеров в условиях гидростатического давления /Ю.Г; Воров, В.М.Грабов,

194. A.М.Джумиго, Ю.Т.Левицкий, Ю.П.Миронов // Препринт Амур КНИИ ДВНЦ АН СССР. Владивосток, 1985» - 44 С.

195. Исследование влияния гидростатического давления на модули упругости сплавов висмут-сурьма /Ю.Г;Воров, А;М.Джумиго>

196. B.М.Грабов, Ю.П.Миронов // Физика твердого тела: Материалы межвуз.науч.конф» Барнаул: БГПИ; АГУ, 1982» - С» 100-101»

197. Упругие характеристики монокристаллов висмут-сурьма под гидростатическим давлением /Ю; Г .Воров, А.М.Джумиго, В ;М; Грабов* Ю.П.Миронов // Физика твердого тела: Материалы межвуз;конф; Барнаул: БГПИ, 1984. - С. 15-16.

198. Грабов В.М., Миронов Ю.П. Упругие свойства и силы связи в полуметаллах // Изв. вузов. Физика. 1985; - № 1; - С; 127;

199. Джумиго A.M., Иванов Г.А. Скорости ультразвука и модули упругости сплавов висмут-сурьма // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы; Материалы V Всесокв.симпоз , -Львов, 1980. 4.II. - С. 243-244.

200. Keating P.N. Effect of invariance requirement on the elastic strain energy of crystals with application to the diamond structure // Phys.Rev; 1966. - V.145, № 2; - P; 637-645;

201. Keating P.N. Relationship between the macroscopic and microscopic theory of crystal elasticity. I. Primitive cristals // Phys;Rev; 1966. - V.152, № 2; - P; 774-779.

202. Keating P.N, Relationship between the macroscopic and microscopic theory of crystal elasticity. I. Non-primitive cristals // Phys;Rev. 1968; - V;169, №3; - P4 758-766.

203. Guttman Lr», Rotstien J,A. Computation of elastic moduli from interatomic forces // Phys. Rev; B; 1979 - V;19, № 12. - P. 6062-6067.

204. Грабко Д.З. и др. Механические свойства полуметаллов типа висмута /Д;3;Грабко, Ю;С.Воярская> М;Н;Дынтуч Кишинев; Штиинца, 1982. - 134 с.

205. Brandt N,B, et al, Experiment and theory on the Magnetic Susceptibility of Bi-Sb Alloy /N.B.Brandt/ M.V:Semenov, L.A.Palcovsky // J; Low Temp. Phys. 1977. - V.27, № 1/2; -P. 75-90,

206. Пригожин И, Введение в термодинамику необратимых процессов. М.; ИЛ, 1960. - 127 с.

207. Самойлович А.Г., Коренблит И.Я. Современное состояние теории термоэлектрических и термомагнитных явлений в полупроводниках // УФН;- 1953;- Т;49, № 2.- С; 214-271/ № З.-С; 338-383;

208. Ансельм А.И, Основы статистической физики и термодинамики. -М.: Наука, 1973, 423 с.

209. Хаазе Р. Термодинамика необратимых процессов, М,; Мир, 1967. - 544 с.

210. Най Дк, Физические свойства кристаллов. М.; Мир, 1967,385 с.

211. Wolfe R. , Smith G.E. Experimental verification of the Kelvin relation of thermoelectricity on a magnetic field // Phys; Rev. 1963. - V.129, № 3. - P. 1086-1087.

212. Абрикосов А.А. Основы теории металлов. M,: Наука, 1987,-520 с.

213. Киттель Ч. Квантовая теория твердых тел. М,; Наука, 1967.- 491 с.

214. Akgoz Y.G., Saunders G.A, Space-time symmetry restrictions on'the form of transport tensors; I. Galvanomagnetic effects // J4 Phys4 0;: Solid State Phys; 19754 - V.%, № 94 - P. 1387-1396.

215. Akgoz Y,C., Saunders G.A. Space-time symmetry restrictions on the form of transport tensors; II, Termcmagnetic effects // J4 Phys4 C4: Solid State Phys4 19754 - V48, W 18i - P, 2962-2970.

216. Griineisen E., Gielessen J. Untersushungen an wismutkristallen. 2. Anderung der Termokraft in transversalen Magnetfeldern // АПП4 Phys4 19674 - V.27, № 2. - S. 243-255.

217. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках /П.И;Баранский, Й4С;Вуда, И4В4Даховский> В.В.Ксшомоец. Киев.; Наукова думка, 1977, - 270 с.

218. Баранский П.И. и др. Теория термоэлектрических и термомагнитных явлений в анизотропных полупроводниках /П4И;Баранский, И.С.Буда, И4В4ДаховскиЙ4 Киев: Наукова думка, 1987. - 272 с.

219. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.; Наука, 1978. - 615 с.

220. Аскеров Б.И. Электронные явления переноса в полупроводниках.- М. ; Наука, 1985. 320 с.

221. Блатт Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах. -М. ; Мир, 1971. 470 с.

222. Моделунг О. Теория твердого тела. М. г Наука, 1980. - 416 с.

223. Зеегер К, Физика полупроводников. М.; Мир, 1977. - 615 с.

224. Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках. Киев; Наукова думка, 1981. - 320 с.

225. Kolodziejczak J., Zukotyntski S. Galvano- and Thermomagnetic Effects in Semiconductors with Non-Spherical and Non-Parabolic Energy Bands // Phys/ Stat; Sol; 1964; - V;5, № 1. - P. 145-158.

226. Lax В» A simple nonparabolic model for electrons in bismuth. '// Bull; M; PhyS. SOC; 1960. - V.5. - P; 167;

227. Zitter R.H. Small-field galvanomagnetic tensor of Bi at 4.2 К // Phys* Rev. 1962; - V.127, № 5. - P; 1471-1480;252;Abeles B;, Meiboom S; Galvanomagnetic Effects in Bismuth // Phys. Rev. 1956. - V.101, № 2. - P. 544-550.

228. Гицу Д.В. и др. О термоэлектродвижущей силе в висмуте и его сплавах с теллуром /Д.В.Гицу, Г .А; Иванов, А. М; Попов // ФТТ; 1962. - Т.4, № 1. - С. 22-28.

229. Грабов В.М,, Фадеева И.И. О критериях применимости определенных зонных моделей и методов расчета концентраций и подвижностей в полуметаллах // XIX Герц, чтения; Физика;: Прогр. и крат.сод.докл. Л.; ЛГПИ, 1966. - С» 54-56.

230. Грабов В.М., Иванов Г.А. О поведении дифференциальной термо-эдс в сплавах висмута // ФТТ. 1966. - Т-.8, № 8; -С. 24602461.

231. Грабов В.М., Иванов Г.А. Исследование термоэдс в сплавах висмут-теллур // XXI Герценовские чтения. Общая и теоретическая физика. Л. : Изд, ЛГПИ им.А.И»Герцена, 1968. - С» 2224.

232. Самойлович А.Г., Клингер М.И. Влияние анизотропии монокристалла Bi2Te3 на рассеяние электронов акустическими фононами. // Физика твердого тела: Об.науч.статей. М.-Л;: АН СССР, 1959. - Ч.И. - С. 143-157.

233. Samoilovich A.G. et al. On the Theory of Anisotropic Thermoelectric Power in Semiconductors /A.G .Samoilovich, M.V.Nitsovich, V.M.Nitsovich // Phys. Stat. Sol; 1966. -V.16, № 2. - P. 459-465.

234. Gallo G.F. et al. Transport Properties of Bismuth Single Crystals /G.F.Gallo, B.S.Chandrasekhar, H.Sutter // J; Appl. Phys. 1963. - V.34, № 1. - P. 144-152.

235. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975. - 206 с.

236. Методы исследования термоэлектрических свойств полупроводников /В.М.Глазов, А.С.Охотин, Р.П.Боровикова, А.С.Пушкарский. М.; Атсмиздат, 1969. - 174 с.

237. Применение ЭВМ в учебных лабораториях по физике /В.М.Грабов/ А.С.Парахин, О.Н.Урюпин, И.А.Березовская // Электронно-вычислительная техника в преподавании диси^шдан физического цикла; Тез»докл»Всесоюз»науч.-практ.конф» Смск, 1987»

238. Ч»II» С. 97-99»; Грабов В.М», Урюпин 0»Н» Получение графических зависимостей в установке для измерения кинетических явлений с применением микроЭВМ // Физика твердого тела: Ма-тер.межвуз.конф. - Барнаул; БГПИ, 1984» - С» 19-20»

239. Грабов В.М. и др. Микроохладитель Нернста; /В.М;Грабов>

240. Galvanomagnetic Effect of Bismuth from 80 to 300 К /C;Q;Ma, P.K.Tseng, Y;S.Way, P.K.L;Chang; // Nuovo CimentO; 1974. -V, 21 В, № 1. - P. 117-128.

241. Коренблит И. Я. и др. Термоэдс и термомагнитные свойства висмута при низких температурах /И;Я.Коренблит, М.Е.Кузнецов, С.СМИальгг // ЖЭТФ. 1969. - Т.56, № 1. - С, 8-20.

242. Иванов Г.А., Колосов Г.Д. Электрические свойства чистого висмута и его сплавов с оловом в широком температурном интервале // Вопросы кристаллизации и физики твердого тела: Уч. зап. ЛГПИ им. А.И. Герцена Л.: ЛГПИ, 1965. - Т.265, -С, 205-213.

243. Иванов Г.А., Левицкий Ю.Т. Об изменении концентрации и подвижности носителей тока в полуметаллах Bi-Sb при изменении температуры // Полуметаллы: Сб. науч. статей : Л.: ЛГПИ, 1968. - С. 21-29.

244. Константинов О.В., Перель В.И, О возможности прохождения электромагнитных волн через металл в сильном магнитном поле // ЖЭТФ. 1960. - Т.38, № 1. -''С. 161-164.

245. Платцман Ф., Вольф П. Волны и взаимодействия в плазме твердого тела. М.; Мир, 1975. - 436 с.

246. Стил М., Вюраль В. Взаимодействие волн в плазме твердого тела. М.: Атомиздат, 1973. - 248 с.

247. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М. : Наука, 1977. - 368 с.

248. Владимиров В.В. и др. Плазма полупроводников /В.В.Владимиров, А.Ф.Волков, Е.З.Мейлихов. М. : Атомиздат, 1979. - 254 с.

249. Aigrain P. Les "helicons" dans les semiconducteurs: Proc.Int.Conf.Semicond., Prague, 1960. Prague: Czechoslovak Academy of Sciences, 1961. - P, 224,

250. Бразис P.C., Пожела Ю.К. Дисперсия геликонных волн в Bi-Sb // ФТП. 1971. - Т.5, Вып. 5. - С. 1008-1010.

251. Бразис Р., Пожела Ю. Гелиоконные резонансы в некоторых полупроводниковых соединениях // Лит. физ. сб. 1969. - Т.9, № 6. - С. 1111-1114.

252. Бразис Р.С. и др. Геликонные резонансы в области промежуточных магнитных полей при различных методах возбуждения и индикации /Р;С;Бразис, Ю.К.Пожела, Р.Б.Толутис // Лит, физ; сб. 1970. - Т.10, № 3. - С. 401-411.

253. Бразис Р.С. и др. Влияние структуры валентной зоны на дисперсию магнитоплазменных волн в Bi92Sbos /Р. С. Бразис, Ю.К;11ожела, Б.А.Таиров // ФТПТ. 1972. - Т,б, № 11. -С. 2278-2280.

254. Паулавичус В. А. и др. Влияние особенностей зонной структуры Bio.c9Sbo.11 на дисперсию распространяющихся в нем магнитоплазменных волн /В.А.Паулавичус, Ю;К;Пожела, Р.Б.Толутис // Лит. физ. сб. 1975. - Т.15, № 5 - С. 771-778.

255. Дисперсия магнитоплазменных волн в Bio.92Sbo.oo при всестороннем сжатии /Ю.К.Пожела, Б.Л.Ряука, Б,А.Таиров, Р.Б.Толутис // Лит, физ. сб; 1973. - Т;13,' № 4 - С. 535-543;

256. Brazis R. et al. Investigation of Magnetoplasma Wave Dispertion in Pure and Doped BiSb at Liquid Nitrogen Temperature /R.Brazis, J.Pozela, B;Tairov, M. Shakhtakhtinsckii // Phys. Stat. Sol. (b). 1974. - V.62, № 2. - P. 697-708.

257. Бразис P.G., Пожела Ю.К. Замечание к статье «Дисперсия магнитоплазменных волн в кристаллах типа висмута» // Лит. физ, сб. 1972. - Т.12, № 3. - С. 510.

258. Pozera R. et al. The Influence of Hydrostatic Pressure of the Effective Concentration and Cyclotron Mobility of Electron in Semiconducting Bi^Sb* Alloys /R. Pozera, A.Sutkus, R.Tolutis // Phys. Stat: Sol. (b)4 1983. -V. 120, № 1. - P. 165-171.

259. Пожера Р.Ю., Толутис P.Б. Влияние одноосного растяжения на электропроводность и подвижность электронов в полупроводниковых сплавах Bi^Sb* // ФТП. 1983. - Т. 17, № 8; -С. 15071509.

260. Бра-зис Р.С., Пожела Ю.К. Дисперсия магнитоплазменных воин в кристаллах типа висмута // Лит. физ. сб; 1972; - ТЛ2, № 1- С. 105-115.

261. Chambers R.G., Jones В.К. Measurement of the high-field Hall effect by an inductive method // Proc. Roy; SoC; -1962; V. A270. - P.417-434.

262. Penz P. A. Helicon type solution for an anisotropic magnetoresistivity tensor // J; Appl. Phys; 1967. - V4 38, № 10. - P. 4047-4050.

263. Грабов B.M., Иноземцев В.А. Геликоны в висмуте, легированном теллуром // Полуметаллы и сегнетоэлектрики: Сб; науч; статей;- Л.: ЛГПИ, 1976. С. 33-36.

264. Грабов В.М., Иноземцев В.А, Геликонные волны в висмут-сурьме // Полуметаллы и сегнетоэлектрики: Сб;науч.статей; JL : ЛГПИ, 1977. - С. 52-60.

265. Грабов В.М., Иноземцев В.А. Геликоны в легированных сплавах висмут-сурьма // Полуметаллы и сегнетоэлектрики: Сб.науч.статей. Л.: ЛГПИ, 1977. - С. 60-66.

266. Иноземцев В.А., Грабов В.М. Влияние наклона электронных эллипсоидов на дисперсию геликонов в Bi38Sbi2Te0.o5 // ФТТ; -1978. Т.20, № 5. - С. 1536-1537.

267. Толутис Р. Б., Пожела Ю.К. Размерные резонансы геликонных волн в n-InSb волноводе // Лит. физ. сб. 1968; - Т;8> № 3;- С. 379-387.

268. Gobrecht Н., Danckwerts J., Helikonwellen in Quecksilberselenid // Zeitschrift fur Physik; 1969. -Bd 218, Heft 2. - S. 181-189.

269. Jones H., Wills H.H. Application of the Bloch Theory to the Study of Alloys and the Properties of Bismuth // Proc. Roy; Soc. 1934. - V.A144, № 861. - P. 396-417.

270. Harrison W.A. Bismuth Fermi surface // J. Phys. Chem. Solids. 1960i - V.17, № 1/2. - P. 171-173,

271. Каганов М.И., Лифшиц И.М. Электронная теория металлов и геометрия // УФН; 1979; - Т;129, № 3; - С. 487-530;319» Шенберг Д. Электронная структура. Экспериментальные результаты // Физика металлов /Под ред» Дж;3аймана; М.: Мир, 1972» - С. 75-128»

272. Брандт Н.Б» и др. Исследование эффекта де Гааза-ван-Альфена у висмута при сверхнизких температурах /Н.Б;Брандт, Т;Ф.Долголенко, Н.М.Ступоченко // ЖЭТФ. 1963. - Т.45, № 5(11). - С. 1319-1335.

273. Altounian Z., Datars W.R. De Haas-van-Alphen Effect in Antimony-Tillurium Alloys // Can. J. Phys. 1975. - V.53, № 5. - P. 459-464.

274. Harte G.A. et al. The de Haas-van-Alphen Effect in Sb(Sn) and Sb(Те) Alloys /G.A.Harte, V.G.Priestly, J.J.Vnillemin // J. Low Temp. Phys. 1978. - V.31, № 516. - P, 897-909.

275. Ekstien Y., Ketterson J.B. Shubnikov de Haas Effect in Bismuth // Phys. Rev. 1965. - V.137, № 6A; - P. 1777-1780;

276. Antcliffe G.A., Bate R.T. Band Structure of doped bismuth using the Shubnikov de Haas Effect // Phys. Rev. 1967. -V.160, № 1. - P. 531-537.

277. Brown R.N. Shubnikov de Haas Measurement in Bismuth // Phys. Rev. 1970. - V.2, № 4. - P. 928-938.

278. Ketterson J.В., Ekstein Y. De Haas-Shubnikov effect in Sb // Phys. Rev. 1963. - V.132, № 5. - P. 1885-1891;

279. Shubnikov de Haas Investigations of the BiixSbx (0<x<0»3) System /M.R.Ellett, R.B.Horst, R.B.Williams, C.P;Cuff // J; Phys. Soc. Japan. 1966. - V.21, Suppl. -P. 666-672.

280. Брандт H.Б. и др. Исследование энергетического спектра электронов в сплавах BixxSbx /Н. Б. Брандт, Л.С.Любутина, H.A.Крюкова // ЖЭТФ. 1967. - Т.53, № 1(7). - С. 134-141.

281. Brandt N.B. et al. Investigation of the Gapless State in Bismuth-Antimony Alloys /N.B.Brandt, Y.G.Ponomarev, S.M.Chudinov // J. Low Temp. Phys. 1972. - V.8> № 5/6. -P. 369-420.

282. Гицу Д.В. и др. Эффект Шубникова де Гааза в сплавах Bi!xSbx (0 < х < 0.25) /Д.В.Гиду, Ф.М.Мунтяну, М.И.Ону // ФНТ. 1977. - Т.З, № 9. - С. 1149-1151.

283. Миронова Г.А. и др. Закон дисперсии носителей в сплавах BiixSbx /Г.А.Миронова, М.В.Судакова, Я.Г.Пономарев // ФТТ. -1980. Т.22, № 12. - С. 3628-3634.

284. Эдельман B.C. Форма электронной поверхности Ферми висмута // ЖЭТФ. 1973. - Т.64, № 5. - С. 1734-1745.

285. Эдельман B.C. Исследование висмута в квантующем магнитном поле // ЖЗТФ. 1975. - Т.68, № 1. - С. 257-272.

286. Oelgart G., Herrmann R. Cyclotron Resonance and the Quantum Oscillations of p-Type Semiconducting BiixSbx Alloys // Phys. Stat. Sol. (b). 1974. - V.61, № 1. -P. 137-146.

287. The Semiconductor-semimetal Transition in BiixSbx Alloys /G;Oelgart, G;Schneider, KLRraak, R;Herrmann // Phys; Stat; Sol. (b). 1976. - V.74, № 1. - P. k75-k78.

288. Oelgart G., Herrmann R. Non-ellipsoidal Fermi Surface in Semiconducting BiixSbx // Phys. Stat; Sol; (b) ; 1977; -V.81, № 1. - P. kl35-138.

289. Cyclotron Resonance and the Quantum Oscillations in Semimetallic Bismuth-Antimony Alloys with ¿=0 /W;Braune> G;Kuka, S.Hess, H.V.Müller, T.Jung // Phys; Stat; Sol; (b) ;- 1974. V.79, № 2. - P. 501-508.

290. Brown R;N. et al. Magnetoreflection in Bismuth /R.N.Brown, J.G.Mavroides, B.Lax // Phys. Rev. 1963; - V.129, № 5. -P. 2055-2061.

291. Smith B.T., Sievers A.J. Determination of the hole band gap in bismuth by the far-infrared magnet-transmission // Phys. Lett. 1975, - V.51A, № 5. - P. 273-274.

292. Verdun H.R., Drew H.D. Far-infrared magnetospectroscopy of the hole pocket in bismuth. I, Band-structure effects // Phys, Rev. B. 1976. - V.14, № 4. - P: 1370-1394;

293. Vecchi M.P. et al. Anomalies in the magnetoreflection Spectrum of Bismuth in the low-quantum-number limit /M.P.Vecchi, J.R.Pereira, M.S;Dresselhaus // Phys. Rev. B. -1976. V.14, № 2. - P. 298-317.

294. Vecchi M.P., Dresselhaus M.S. Temperature Dependence of the Band Parameters of Bismuth // Phys. Rev. B. 1974. - V;10> № 2. - P. 771-774.

295. Dresselhaus M.S., Mavroides J.G. Magnetoreflection Studies of Antimony // Optical Properties and Electronic Structure of Metals and Alloys, ed. F. Abeles (North Holland); Amsterdam, 1966. P. 508-525,

296. Tichovolsky E.J., Mavroides G. Magnetoreflection Studies of on the band structure of bismuth-antimony alloys. // Solid. State Commun. 1969. - V.7, № 13. - P. 927-931,

297. Vecchi M.P. et al. Temperature Dependence of the Band Parameters in Bi and Bii-xSbx Alloys /M;P;Vecchi, E,Mendez, M.S.Dresselhaus: Proc. 13th Internat, Conf, Phys, Semicond. Rome, 1976. - P. 459-462.

298. Fermi Surface and Helicons in Semiconducting BixxSbx Alloys /G.Oelgart, R.Herrmann, H,Krüger, R.Stegmann // Phys. Stat. Sol. (b). 1976. - V.73, № 2. - P. 615-624.

299. Microwave Spectroscopy in Semimetallic Bismuth-Antimony Alloys. /W;Braune, G;Kuka, H.J.Gollnest/ R.Herrmann 11 Phys; Stat. Sol. (b). 1978. - V.89, № 1. - P. 95-101.

300. Electron band model of bismuth by magnetic surface resonance /S.Takaoka, H.Kawamura, K.Murase, S;Takano // Phys. Rev; B; 1976. - V.13, № 4. - P. 1428-1433.

301. Isaakson R.T., Williams G.A. Alphen-wave propagation in Solid State Plasmas. III. Quantum oscillations of the Fermi surface of Bismuth // Phys. Rev. 1969; - V;185> № 2. - P; 682-688.

302. Anomalies in giant quantum attenuation of sound waves in Bi at High Magnetic Fields. II. Existance of extra attenuation peaks /S.Mase, M;Mori, T.Fukami, M-. Akinaga> T;Yamaguchi> N.Shitaishi // J. Phys; Soc. Japan. 1980; - V;48> № 4; -P. 1166-1169.

303. Mase S. Electronic Structure of Bismuth Type Crystals // J. Phys. Soc. Japan. 1957. - V.13, № 5. - P. 434-445. Mase S. The Band Structure of Bi // J; Phys; Soc. Japan; - 1959; -V. 14, № 2. - P. 534-542.

304. Харрисон Д. Псевдопотенциалы в теории металлов. М.; Мир, 1968. - 366 с.

305. Golin S. Band Structure of Bismuth Pseudopotential Approach // Phys. Rev. 1968. - V;166, № 3; - P; 643~651;

306. Falicov L.M, Lin P.J. Band Structure and Fermi Surface of Antimony: Pseudopotential Approach // Phys; Rev; 1966; -V. 141, № 2. - P. 562-567.377; Golin S; Band Model for Bismuth-Antimony Alloys // Phys; Rev. 1968. - V.176, № 3. - P. 830-832.

307. Абрикосов A.A., Фальковский Л.А. Теория электронного энергетического спектра металлов с решеткой висмута // ЖЭТФ. -1962. Т.43, № 3(9). - С. 1089-1101.

308. Umkehreffect and Crystal Simmetry of Bismuth /J4P.Michenaud, J.M.Streydio, J.P.Issi, A.Luyckx // Solid Stat. Commun. -1970. V.8, № 6. - P. 455-458.

309. Пономарев Я.Г.,Судакова М.В. Энергетический спектр сплавов Bi.;,Sbx // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Матер. VII Всес. симп. 4.11, - Львов, 1986. - С. 164-166.

310. Электрические свойства квазибинарных сплавов (Вд.-ЗЬ)-Те /Т.И.Глухова, В.М.Грабов, Г.А.Иванов, А.М.Попов // Вопросы кристаллизации и физики твердого тела: Ученые записки ЛГПИ им. А.И. Герцена. Т. 265. - Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена, 1965. - С. 234-241.

311. Грабов В.М., Иванов Г.А, О теплопроводности висмута и сплавов висмут-теллур // XVII Герценовские чтения. Физика. -Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена, 1965. С. 15-16.

312. Грабов В.М. О разделении решеточной и электронной теплопроводности в висмуте // XIX Герценовские чтения. Физика. Л.: ЛГПИ им. А.И, Герцена, 1966. - С. 52-54.

313. Грабов В.М., Иванов Г.А. О роли механизма биполярной диффузии в теплопроводности полупроводников и полуметаллов. // Материалы Докладов второй научно-технической конференции КПИ. Кишинев; Кишин, политехи, ин-т, 1966, - С, 123-124.

314. К определению параметров сплавов В1-ЗЬ. /В.М.Грабов, Г.А.Иванов, А.М.Попов, Т.А.Яковлева // Проблемы теоретической и экспериментальной физики; Ученые записки ЛГПИ им.

315. A.И. Герцена. Т.303. - Л.: ЛГПИ им. А,И. Герцена, 1966. -С. 193-203.

316. Грабов В.М., Яковлева Т.А. К расчету теплопроводности сплавов Вл—вЬ // Тезисы докладов на конференции по современной технике диэлектриков и полупроводников. -Л.: ЛЭТИ им. Ульянова-Ленина, 1966. С. 58-59.

317. Гальваномагнитные и термоэлектрические свойства сплавов В1-ЭЬ, легированных теллуром /В.М.Грабов, Г.Н.Колпачников,

318. B.П.Королевский, В.С.Понарядов // XXI Герценовские чтения. Общая и теоретическая физика, Л. г ЛГПИ им. А.И. Герцена, 1968. - С. 12-15.

319. Грабов В.М. и др. О теплопроводности и законе Видемана-Франца в квазибинарных сплавах (В1-ЗЬ)-Те /В.М.Грабов,

320. B. А,Куликов, В.С.Понарядов // XXI Герценовские чтения. Общая и теоретическая физика. Л.; ЛГПИ им. А.И. Герцена, 1968.1. C. 15-18.

321. Явления переноса в сплавах висмут-сурьма, легированных оловом /В.М.Грабов, Г.А.Иванов, В:С,Понарядов, Й,И,Фадеева // Симпозиум по низкотемпературным термоэлектрическим материалам; Тез. докл. М.: АН СССР, 1968. - С. 27-29.

322. Явления переноса в сплавах висмут-сурьма /Г,А.Иванов, В.М.Грабов, В.Л.Налетов, В.С.Понарядов, Т.А.Яковлева / / Симпозиум по низкотемпературным термоэлектрическим материалам: Тез. докл. М.; АН СССР, 1968. - С. 34-35.

323. Явления переноса в сплавах (Biö8Sbi2)-Те /В.М.Грабов, Г.Н.Колпачников, В.А.Куликов, B.C.Понарядов / / Исследование сложных полупроводников. Кишинев.: АН МССР, 1970. - С. 6170.

324. Переход полуметалл-полупроводник в сплавах висмут-сурьма. /В.М.Грабов, Г.А.Иванов, В.Л.Налетов, В.С.Понарядов, Т.А.Яковлева // ФТТ. 1969. - Т. 11, № 12. - С. 3653-3655.

325. Грабов В.М. и др. Термоэдс и теплопроводность сплавов висмут-сурьма, легированных теллуром /В.М.Грабов, Г.А.Иванов, В.С.Понарядов // ФТТ. 1970. - Т.12, № 1. - С. 267-272.

326. Грабов В.М. и др. Об аномалиях в поведении термоэдс сплавов висмут-сурьма, легированных теллуром /В.М.Грабов, Г.А.Иванов, В.С.Понарядов // Физическая электроника. 1971. - Вып. 4. - Львов.: Львовский гос. ун-т. - С. 48-51.

327. Грабов В.М., Понарядов B.C. Теплопроводность сплавов (Bi-Sb) -Те и новые экстремумы в зоне проводимости // XXIII Гер-ценовские чтения. Межвузовская конференция. Общая и экспериментальная физика. Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена, 1971. - С. 3-5.

328. Грабов В.М,, Понарядов B.C. Термоэдс сплавов висмут-сурьма, легированных оловом // XXIII Герценовские чтения. Межвузовекая конференция. Общая и экспериментальная физика. Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена, 1971. - С. 5-7.

329. Грабов В.М., Понарядов B.C. О вкладе биполярной диффузии в перенос тепла в сплавах Bi-Sb // XXIV Герценовские чтения. Общая и экспериментальная физика. Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена, 1971. - С. 92-94.

330. О движении экстремумов зон в сплавах висмут-сурьма /Г .А.Иванов, В.Л.Налетов, В.М. Грабов, Т;А.Яковлева,

331. Грабов В.М. м др. К вопросу о законе дисперсии носителей тока в зоне проводимости висмута и сплавов висмут-сурьма /В.М.Грабов, Г.А.Иванов, Т.А.Яковлева // Полуметаллы и полупроводники: Сб.науч.работ. Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена, 1975. - с. 43-48.

332. Схема движения экстремумов зон в висмуте при изменении температуры /В.М.Грабов, Ж.Баниакина, Г.А.Иванов, Т.А.Яковлева // Физика твердого тела: Материалы межвуз. науч.конф. Барнаул: БГПИ/ АГУ, 1982. - С. 25-26.

333. Расчет характеристик носителей заряда в висмуте в интервале температур 77-300 К /В.М.Грабов, В.А.Комаров, Т.В.Михайличенко, Т.А.Яковлева // Физика твердого тела: Материалы межвуз. конф. Барнаул: БГПИ, 1984. - С. 35.

334. Температурная зависимость параметров зонной структуры в полуметаллах и узкозонных полупроводниках /В.М.Грабов, Г.А.Иванов, Ю.В.Иванов, А» В.Лужковский, Т.А.Яковлева // Физика твердого тела: Тез.докл.межвуз.науч.конф. Барнаул: БГПИ, 1990. - С. 3-4.

335. Бондаренко М.Г. и др. Высокотемпературные особенности явлений переноса при электронно-топологических переходах в полуметаллах /М.Г.Бондаренко, В.М.Грабов, О.Н.Урюпин // Физика твердого тела: Тез.докл.межвуз.науч.конф. Барнаул: БГПИ, 1990. - С. 5-6.

336. Бондаренко М.Г., Грабов В.М. Поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена в монокристаллах сплавов висмут-сурьма

337. Физика твердого тела: Тез.докл.межвуз.науч.конф. Барнаул: БГПИ, 1990. - С. 7-8.

338. Иванов Г.А. К расчету концентрации и подвижности носителей тока в висмуте // ФТТ. 1964. - Т.б, Вып.З; - G. 938-940.

339. Иванов Г.А., Левицкий Ю.Т. Электрические свойства висмута при температурах от 300 до 540 К // ФММ-. 1967. -Т.24, № 2. - С. 253-259.

340. Иванов Г.А,, Левицкий Ю.Т. Электрические свойства сурьмы при температурах 300-750 К // ФММ. 1969 . - Т.27, № 4. -С.598-602.

341. Иванов Г.А., Левицкий Ю.Т. Об изменении концентрации и подвижности носителей тока в полуметаллах Bi и Sb при изменении температуры // Полуметаллы: Уч. зап. Л,: ЛГПИ, 1968. — Т.384. - Вып. 4. - С.21-29.

342. Давыдов А.С. Теория твердого тела.- М. : Наука, 1976.- 639 с.

343. Ravindra N.M., Srivastava V.K. Temperature Dependence of the Energy Gap in Bi-Sb System // J. Phys. Chem. Sol; -1980. V. 41, № 11. - P. 1289-1290 .

344. Фэн Г. Фотон-электронное взаимодействие в кристаллах. М. : Мир, 1969. - 127 с.

345. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М. : Наука, 1977. - 366 с.

346. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 640 с.

347. Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках. М. : Мир, 1986. - 304 с»

348. Saunders G.A., Ôktu О. The Seebeek coefficient and the Fermi surface of antimony single crystals // J. Phys. Chenu Sol. -1968. V.29, № 2. - P. 327-334.

349. Lucovsky G. et al. Structure, bonding and lattice dynamical properties of the IV-VI compounds /G.Lucovsky, 'R.V.Martin, Ë.Burstein // Journal of Nonmetals. -1973. -V. 1. -№2. P. 137-146.

350. Чайка М.П. Интерференция вырожденных атомных состояний. Л.: Изд. ЛГУ, 1975. 192 с.

351. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика; В 10-ти т. -Т.З. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. 4-е изд. исправл. - М.: Наука, 1989. - 767 с.

352. Вонсовский C.B. Магнетизм. М. : Наука. 1971. - 1032 с.

353. Goetz A., Focke A.B. The Crystaldiamagnetism of Bismuth Crystals // Phys. Rev. 1934.- V.45, № 1. - P. 170-199.

354. Shoenberg D., Uddin M.Z. The magnetic properties of antimony // Proc. Cambridge Phill. Soc. 1936. - V.32. -Part 3. -P. 499-502.

355. Брандт Н.Б., Разуменко М.В, К вопросу о влиянии примесей на энергетический спектр электронов у висмута // ЖЭТФ: I960; - Т.39. - Вып 2(8). - С. 276-284.

356. H., Wills H.H. Applications of the Bloch Theory of Alloys to the Study and of the Properties of Bismuth // Proc,

357. Roy. Soc. 1934. - V. 147, № 861. - P. 396-417»

358. Heine V; The Band Structure of Bismuth // £roo: PhyS: Soc: -1956. V.A69. - Part 7. - P. 513-519.

359. Adams E.N. Magnetic Susceptibility of a Diamagnetic Elecrton Gas; The Role of Small Effective Electron Mass // Phys: Rev. - 1953. - V.89, № 3. - P. 633-648.

360. Бенеславский С.Д., Фальковский JI»А. Особенности магнитной восприимчивости полуметаллов // ЖЭТФ; 1975; - i;69> № 3; -С. 1063-1071.

361. Брандт Н.Б., Семенов М.В. Особенности магнитной восприимчивости сплавов Bi-Sb в сильных магнитных полях // ЖЭТФ: -1975. Т.68, № 9. - С. 1072-1111.

362. McClure J.W., Shoenberg D. Magnetic properties of Bismuth of High Fields // J. Low Teitp. Phys, 1976: - V.22, № 3/4: -P. 233-255.

363. Brandt N.B. et al. Experiment and Theory on the Magnetic Susceptibility of Bi-Sb Alloys /N.B.Brandt, M.V.Semenov, L.A.Phalkovsky // J. Low Themp. Phys. 1977. - V.27, № 1/2. - P.75-90.

364. Cohen M.H., Blount E.I. The g-factor and de Haas-van Alphen Effect of Electrons in Bismuth // Phil. Mag. I960. - V.5, № 2. - P. 115-125.

365. Грабов В.М., Иванов К.Г. Магнитная восприимчивость сплавов висмут-сурьма, легированных оловом // ФТТ. 1974. -Т. 16, № 10. - С. 3153-3154.

366. Грабов В.М., Иванов К.Г. Качественная картина изменения зонной схемы Bi при легировании его Sb // Полуметаллы и полупроводники; Сб.науч.работ. Л.; ЛГПИ, 1975. - С. 52-55.

367. Smith G.E. et al. Effective g-factor of Electrons and Holes in Bi /G.E.Smith, G.A.Barraff, J.H.Rowell // Phys. Rev. -1964. V. 35, № 41. - P. 1118-1124.

368. Спектор С.А. Электрические измерения физических величин. -Л.; Энергоатомиздат, 1987. 320 с.

369. Коришев В.И., Лужковский В.Г. Установка для измерения магнитной восприимчивости. // XXIV Герц, чтения. Общая и экспериментальная физика. -Л.: ЛГПИ, 1971. С. 80-81.

370. Иноземцев В,А. и др. Автоматизация измерений магнитной восприимчивости /В.А.Иноземцев, В.М.Грабов, А.В.Лужковский // Физика твердого тела: Материалы межвуз.конф. Барнаул: БГПИ, 1984. - С. 18-19.

371. Работа выхода из сплавов висмут-сурьма, легированных оловом и теллуром и определение уровня Ферми /А.Н.Архипов,

372. B.М.Грабов, Г.А.Иванов, Т.А.Яковлева // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Материалы IV Всесо-юз.симпоз. Львов: Львовский гос. ун-т, 1975. - Ч. III1. C. 18-21.

373. Иванов Г.А., Чистяков Б.И. Электрические свойства двойных сплавов висмута с теллуром и оловом в широком температурном интервале // Вопросы кристаллизации и физики твердого тела: Уч. зап. ЛГПИ им. А.И. Герцена. Т.265. Л.: ЛГПИ, 1965. -С. 214-223.

374. Стильбанс Л.С. Физика полупроводников. М.: Советское Радио, 1967. - 452 с.

375. Борд Д., Албани Х.Ж. Дублетность валентной зоны и термоэлектрические свойства твердых растворов PbTe-SnTe // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и их применение. М.; Мир, 1969. - С. 132-135.

376. Каломоец Н.В. Влияние межзонных переходов на термоэлектрические свойства вещества // ФТТ. 1966. - Т.8, № 4. - С. 9971003.

377. Теплопроводность сильно легированного р-РЬТе /И.А.Смирнов, М.Н.Виноградова, Н.В.Коломоец, Л.М.Сысоева // ФТТ. 1967. -Т.9, № 9. - С. 2638-2645.

378. Кайданов В.И. и др. Исследование зонной структуры и механизма рассеяния носителей тока в теллуриде олова /В.И.Кайданов, И.А.Черник, Б.А.Ефимова // ФТП. 1967. - Т. 1, № 6. - С. 869-879.

379. Ерасова И,А., Кайданов В.И. Исследование коэффициента теплопроводности теллурида олова // ФТП. 1968. - Т. 2, № 1. - С. 34-36.

380. Лифшиц И.М. Об аномалиях электронных характеристик металла в области больших давлений // ЖЭТФ. i960; - Т;38, № 5. -С, 1569-1576.

381. Вакс В.Г. и др. Об особенностях электросопротивления и тер-моэдс при фазовых переходах 2.5 рода /В.Г.Вакс, А;В;Трофимов, С;В.Фомичев // ЮТФ. 1981. - Т.80, № 4; -С. 1613-1621.

382. Варламов A.A., Панцулая A.B. Об аномалиях кинетических свойств металлов вблизи топологического перехода Лифшица // ЖЭТФ, 1985. - Т.89, № 6. - С. 2188-2196.

383. Абрикосов A.A., Панцулая A.B. Об особенности термоэдс при топологическом переходе Лифшица // ФТТ. 1986. - Т.28, № 7. - С. 2140-2144.

384. Варламов A.A. и др. Аномалии свойств туннельных джозефсонов-ских контактов вблизи топологического перехода Лифшица /А.А;Варламов, A.B.Панцулая, М;В;Фистуль // ЮТФ; 1987. -Т.93, № 2. - С. 701-708.

385. B.И.Макаров, А.А.Юргенс // ЮТФ. 1988; - Т;94, №6.1. C. 344-357.

386. Особенности Лифшица в термоэдс у монокристаллов n-Bi0.9Sb0-i при переходе 2.5 рода под действием анизотропной деформации /В.С.Егорова, М.Ю.Лавренюк, Н.Я;Минина, А;М.Савин // Письма в ЖЭТФ. 1984. - Т.40, № 1. - С. 25-28.

387. Особенности термоэдс и сопротивления при топологических переходах в висмуте и его сплавах /Н.Б.Брандт, В.С.Егоров,

388. М.Ю.Лавренюк, Н.Я.Минина, А.М.Савин // ЖЭТФ; 1985. - Т.89, № б. - С. 2257-2269.

389. Thomas C.B., Goldsmid H.J. Large magneto-Seebeck effect in an extrinsic Bi-Sb alloys // Phys, Lett. 1968. - V.27A, № 6. - P. 369-370.

390. Неквадратичность зоны проводимости висмута и его сплавов с сурьмой /В » С. Волошин, Г.А.Иванов, В ь А; Куликов, Ю.Н. Сараев // ФТТ, 1969. - Т.11, № 7. - С. 1876-1880;

391. Вондаренко М.Г. и др. Влияние гидростатического давления на явления переноса в висмуте, /М.Г.Вондаренко, В,М;Грабов,

392. A.В.Овчаров; ЛГПИ им. А.И. Герцена. Л., 1986, - 29 с. -Деп. в ВИНИТИ 2.09.1986, № 6394 - В.4 90. Особенности явлений переноса при электронно-топологических переходах в полуметаллах /М.Г.Вондаренко, М.С.Васькин,

393. Особенности термоэлектрических явлений при электронно-топологических переходах в полуметаллах /М.Г,Вондаренко, М.С.Васькин, В.М.Грабов, А.В.Овчаров, О.Н.Урюпин

394. Бубнов Ю.А. и др. Теплопроводность чистых и легированных монокристаллов сурьмы /Ю.А.Бубнов, В.М.Грабов, В.С.Понарядов // Полупроводники и диэлектрики: Сб.науч.тр. Л.: ЛГПИ,1974. С. 7-11.

395. Бубнов Ю.А., Грабов В.М. Явления переноса в сурьме, легированной теллуром и оловом // Полупроводники и диэлектрики: Сб.науч.тр. Л.: ЛГПИ, 1974. - С. 47-52.

396. Бубнов Ю.А,, Грабов В.М. Явления переноса в сплавах висмут-сурьма, богатых сурьмой, легированных теллуром и оловом // Полуметаллы и полупроводники: Сб.науч.работ. Л.: ЛГПИ,1975. С. 73-79.

397. Бубнов Ю.А. и др, Явления переноса в сплаве В13:1ЗЬб9, чистом и легированном теллуром и оловом /Ю.А.Бубнов, В.М .Грабов,

398. Г;А.Иванов // Физика твердого тела. Владивосток: Дальневосточный гос. ун-т, 1975. - С, 41-55.

399. Бубнов Ю.А. и др. Явления переноса в сплаве Bi3iSb69f чистом и легированном теллуром и оловом /Ю.А. Бубнов, В .М. Грабов, Г.А.Иванов // Полуметаллы и сегнетоэлектрики: Сб.науч.работ. Л.; ЛГПИ, 1976. - С. 22-27.

400. Грабов В.М., Королевский Б,П. Межэкстремумное рассеяние носителей заряда в сплавах висмут-сурьма, легированных донор-ными примесями // Физика твердого тела: Материалы меж-вуз.конф, Барнаул.: БГПИ, 1984. - С. 64-65,

401. Morimoto Т. Heavy Electrons in Tellurium Doped Bismuth // J. Phys. Soc, Japan. 1966, - V. 21, № 5. - P, 1008-1012,

402. О зоне тяжелых электронов проводимости в висмуте /А.А.Аверкин, Ю.Г.Воров, Г.А.Иванов, В.И.Коришев, А.Р.Регель // ФТТ. 1972. - Т. 14, № 4. - С. 1136-1139.

403. Boiko M.P., Redko N.A. The Anomalies of Electronic and Lattice Properties of Highly Doped Bismuth. // Phys. Stat. Sol. (b), 1987, - V, 140, № 1, - P, K121-K124,

404. Примесный фазовый переход Лифшица в висмуте /М.П .Бойко, Н.А.Редько, В.И.Полыиин, Н.А.Родионов // Письма в ЖЭТФ. -1986, Т, 43, № 1. - С. 41-43,

405. Н.А.Родионов, Г.А.Иванов, Н.А.Редько // ФТТ. 1981.- Т. 23, № 7. - С. 2110-2115.

406. Влияние межзонного механизма рассеяния на кинетические явления в p-Bix-xSbx /О.С.Грязнов, Г.А.Иванов, Б.Я.Мойжес, 'В.Н.Наумов, В.А.Немчинский, Н.А.Родионов, Н;А;Редько // ФТТ.- 1982. Т. 24, № 8. - С. 2335-2343.

407. Родионов Н.А. Явления переноса в сплавах висмут-сурьма р-типа при низких температурах: Дис. . канд.физ.-мат. наук.- Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена, 1983. 195 с.

408. Кечин В.В. и др. Зависимость гальваномагнитных эффектов в Sb от температуры и давления /В.В.Кечин, А.И.Лихтер, Ю.А.Поспелов // ЖЭТФ. 1965. - Т. 49, № 1. - С. 36-46.

409. Бреслёр М.С., Редько Н.А. Гальваномагнитные явления в сурьме при низких температурах // ЖЭТФ. 1971. - Т. 61, № 1. - С. 287-300.

410. Freedman S.J., Juretske H.J. Galvanomagnetic Effects and Band Structure of Antimony. // Phys. Rev. 1961. - V. 124, № 5. - P. 1379-1386.

411. Epstein S., Juretske H.J. Galvanomagnetic Effects and Band Structure of Pure and Tin-Doped Single Crystal Antimony; // Phys. Rev. 1963. - V. 129, № 3. - P. 1148-1159.

412. Сидоров В.А. Кинетические явления и фазовые переходы в сурьме и теллуриде германия при гидростатическом давлении до 9 Гпа: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. М. ; МФТИ, 1987»- 19 с.

413. Khvostantsev L.G., Sidorov V.A. Influence of pressure up to 90 kbar on the thermoelectric properties of antimony; // Phys. Stat. Sol. (a) 1978. - V. 46, № 1. - P. 305-309.

414. Брандт Н.Б., Чудинов С.М. Экспериментальные методы исследования энергетических спектров электронов и фононов в металлах. М.; Изд. МГУ. - 1983. - 405 с.

415. Грабов В.М., Иванов Г.А. Об электронной теплоемкости полуметаллов. // Проблемы теоретической и экспериментальной физики: Уч.зап. ЛГПИ им. А.И. Герцена. Л.; ЛГПИ, 1966, - Т. 303. - С. 187-191.

416. Boyle W.S, Dielectric anomalies and cyclotron absorption in the infrared: Observation on bismuth /W;S.Boyle,

417. A.D.Brailsford, J.K; Gait // Phys. Rev; 1958. - V.109, № 5. - P. 1396-1398.

418. Boyle W.S., Brailsford A.D. Far infrared studies of bismuth // Phys. Rev. 1960. - V.120, № 6. - P. 1943-1949.

419. Спектр отражения висмута и сплавов висмута с сурьмой в далекой инфракрасной области /В;Д.Кулаковский/

420. B.В.Рождественская, А.Г.Белов, В.С.Вавилов, А.А.Гиппиус,

421. B. Д. Егоров, В; С; Земсков // ФТП. 1972; - Т. 6/ № 11.1. C. 2268-2270.

422. Кулаковский В.Д., Егоров В.Д. Исследование плазменного отражения в висмуте и сплавах висмут-сурьма // ФТТ; 1973. -Т.15, № 7. - С. 2053-2059.

423. Плазменное отражение в чистых и легированных сплавах висмут-сурьма /М.И.Беловолов, В.С;Вавилов/ В.Д.Егоров, В;Д.Кулаковский // Изв. высших учебных заведений; Физика.1976. № 2. - С. 5-20.

424. Dynamical conductivity and plasmon exitation in Bi /E.Gerlah, P:Grosse, M.Rautenberg, M.Senske // Phys. Stat. Sol.(b). 1976. - V.75, № 2. - P. 553-558.

425. Иванов Г.А. и др. Плазменное отражение в висмуте и сплавах висмут-сурьма/ легированных теллуром и селеном /Г.А.Иванов, В Грабов, А;П.Чувохин // Полуметаллы и полупроводники: Сб.науч.работ. J1. ; ЛГПИ им. А,И. Герцена, 1975. - С. 6469.

426. Чувохин А.П. и др. Исследование спектров отражения легированных сплавов Bi-Sb в инфракрасной области /А;П.Чувохин, ВГрабов, Г.А.Иванов // Полуметаллы и сегнетоэлектрики: Сб.науч.работ. Л.; ЛГПИ им. А.И. Герцена, 1977. - С, 7075.

427. Грабов В.М. и др. Плазменное отражение и закон дисперсии электронов в висмуте и сплавах висмут-сурьма, легированных теллуром /В.М; Грабов, А.Г.Комаров, А.П.Чувохин; ЛГПИ им. А.И. Герцена. Л. 1981. 13 с. - Деп. в ВИНИТИ 21.09.81, № 4545-81.

428. Плазменное отражение и зонная структура сплавов висмут-сурьма, легированных теллуром и оловом /М;И;Беловолов, А.Д.Белая, В.С.Вавилов, В.Д.Егоров, В.С.Земсков, С.А.Рослов // ФТП; 1976. - Т.10, № 7: - С. 1382 - 1384.

429. Исследование оптических, осцилляционных и гальваномагнитных эффектов у легированных полупроводниковых сплавов Bi!xSbx /М»И:Веловолов, Н.Б.Брандт, В.С.Вавилов, Я»Г»Пономарев // ЖЭТФ. 1977. - Т. 73. - Вып. 2(8). - С. 721-731.

430. Анизотропия плазменного отражения и зонная структура висмута, легированного донорными и акцепторными примесями /А.С»Мальцев, В.М.Грабов, М.Г.Бондаренко, К.Г»Иванов; ЛГПИ им. А,И. Герцена. Л., 1982. - 19 с. - Деп. в ВИНИТИ 12.11.82, № 5577-82 Деп.

431. Грабов В.М., Мальцев A.C. Изучение закона дисперсии L-электронов в висмуте, легированном теллуром, методом анизотропии плазменного отражения /ЛГПИ им: А;Й» Герцена» Л., 1982» - 19 с. - Деп. в ВИНИТИ 12.11.82, № 5576-82 Деп.

432. Грабов В.М. и др. Спектры плазменного отражения анизотропных кристаллов типа висмута в неполяризованном и поляризованном излучении /В.М.Грабов, А»А.Кухарский, А;С.Мальцев // Физикатвердого тела: Материалы межвуз.конф. Барнаул: БГПИ, 1984. - С» 39-40.

433. Мальцев A.C. и др. Особенности спектров плазменного отражения висмута, легированного оловом /А.С.Мальцев, А.П.Чувохин, В.М.Грабов // Физика твердого тела: Материалы межвуз.конф. -Барнаул; БГПИ, 1984. С. 42-43.

434. Мальцев A.C. и др. Особенности спектров плазменного отражения анизотропных кристаллов /А.С.Мальцев, В.М.Грабов,

435. A.A.Кухарский // Оптика и спектроскопия. 1985. - Т. 58, № 4. - С. 927-929.

436. Грабов В.М. и др. Плазменное отражение и энергетический спектр в сплавах висмут-сурьма, легированных донорными примесями /В.М.Грабов, В.В.Кудачин, Ю.В.Иванов; ЛГПИ им. А.И. Герцена.- Л., 1986. 31 с. - Деп. в ВИНИТИ. - 2.09.86. - № 6393-В.

437. Оптические свойства монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма, легированных акцепторными примесями /В.М.Грабов, Н.П.Степанов, А.С.Мальцев, В.В.Кудачин; ЛГПИ им. А.И. Герцена. Л., 1988. - 27 с. - Деп. в ВИНИТИ - 29.12,88. - № 9179-В88.

438. Степанов Н.П. и др. Влияние межзонных переходов на затухание плазменных колебаний в сплавах висмут-сурьма /Н.П.Степанов,

439. Диэлектрическая функция сплавов висмут-сурьма в дальней ИК-области /В.М.Грабов, Н.П.Степанов, Б.Е.Вольф, A.C. Мальцев // Оптика и спектроскопия. 1990. - Т. 69, № 1. - С. 134138.

440. Диэлектрическая проницаемость висмута и сплавов Bix-xSbx, легированных донорными и акцепторными примесями /В.М.Грабов В.В.Кудачин, А.С.Мальцев, Н.П.Степанов // Изв. высших учебных заведений. Физика. 1990. - № 3. - С. 76-79.

441. Степанов Н.П. и др. Плазмон-фононное взаимодействие в монокристаллах Bi-Sb / Н.П.Степанов, В.М.Грабов, И.Р. Алчинбаев // Человек и среда: Тез.докл. к науч.-практ.конф. молодых специалистов. Чита: ЧГПИ, 1991. - С. 61-64.

442. Степанов Н.П., Грабов В.М. Влияние -плазмон-фононного взаимодействия на оптические свойства висмута // Оптика и спектроскопия. 1998. - Т.84, № 4. - С. 581-583.

443. Мальцев A.C. и др. Расчет параметров свободных носителей заряда в L-зонах висмута по модели МакКлюра и Чоя /A.C. Мальцев, В.М.Грабов, Ю.В.Иванов // Физика твердого тела: Материалы межвуз.конф. Барнаул: БГПИ, 1984. - С. 30-31.

444. Мальцев A.C., Грабов В.М. К вопросу о расчете концентрации свободных носителей заряда в L-зонах висмута по модели МакКлюра и Чоя // Физика твердого тела: Материалы межвуз. конф. Барнаул: БГПИ, 1984. - С. 32-34.

445. Мальцев A.C., Грабов В.М. О возможности рассеяния носителей заряда в полупроводниках и полуметаллах на плазмонах // Физика твердого тела: Тез.докл. к межвуз.науч.конф. Барнаул, БГПИ, 1990. - С. 9-10.

446. Влияние межзонных переходов на спектры отражения кристаллов висмут-сурьма в области плазменных эффектов /Н.П.Степанов, В ¿Mi, Грабов, А.С.Мальцев, И. Р.Алчинбаев // Физика твердого тела: Тез.докл. к межвуз.науч.конф. Барнаул, БГПИ, 1990. -С.37-38.

447. Грабов В.М. и др. Магнитоотражение в сплавах висмут-сурьма /В.М.Грабов, О.В.Кондаков, К.Г.Иванов; ЛГПИ им. А.И. Герцена. Л., 1990. - 37 с. - Деп. в ВИНИТИ 01.08.90, № 4443-В90.

448. Слэтер Дж. Диэлектрики. Полупроводники. Металлы. М, ; Мир, 1969. - 647 с.

449. Левич В.Г. Курс теоретической физики. Т.1. М.; Наука, 1969. - 910 с.

450. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. В 10 т. Статистическая физика. -4.1. 4-е изд., испр. - М. : Наука, 1995. - 608 с.

451. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М. : Наука, 1973. - 720 с.

452. Александров А.Ф. и др. Основы электродинамики плазма / А.Ф.Александров, Л.С.Богданкевич, А.А.Рухадзе. М. : Высшая школа, 1978. - 407 с.

453. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука, 1977. - 367 с.

454. Гроссе П. Свободные электроны в твердых телах. М.; Мир, 1982. - 270 с.

455. Платцман Ф., Вольф П. Волны и взаимодействия в плазме твердого тела. М.: Мир, 1975. - 436 с.

456. Стил М., Вюраль Б. Взаимодействие волн в плазме твердого тела» М.: Атомиздат, 1973. - 249 с.

457. Владимиров В.В. и др. Плазма полупроводников /В.В.Владимиров, А.Ф.Волков, Е.З.Мейлихов. М. : Атомиздат, 1979. - 256 с.

458. Мосс Т. и др. Полупроводниковая электроника /Т.Мосс., Г.Баррелл, Б.Эллис. М.: Мир, 1965. - 382 с.

459. Пайнс Д. Элементарные возбуждения в твердых телах. М. : Мир, 1965. - 382 с.

460. Займан Дж. Современная квантовая теория. М. : Мир, 1971. -288 с.

461. Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения типа АШВУ) . М. : Мир, 1970. - 432 с.

462. Оптические свойства полупроводников: Справочник /Сост. В.И.Гавриленко, A.M. Грехов, Д.В.Корбутяк, В.Г.Литовченко. -Киев; Наукова думка, 1987. 607 с.

463. Инфракрасная спектроскопия высокого разрешения:Сборник статей. . М. : Шр, 1972. - 352 с.

464. Кардона М, Модуляционная спектроскопия. М. ; Мир, 1972. -416 с.

465. Белл Р.Дж. Введение в фурье-спектроскопию. М. ; Мир, 1975.- 380 с.

466. Лоудон Р. Квантовая теория света. М.: Мир, 1976. - 488 с.

467. Хадсон Р. Инфракрасные системы. М.; Мир, 1972. - 534 с.

468. Малышев В,И. Введение в экспериментальную спектроскопию. -М.: Наука, 1979. 478 с.

469. Пейсахсон И.В. Оптика спектральных приборов. М. : Машиностроение, 1975. - 312 с.

470. Толмачев Ю.А. Новые спектральные приборы. Принципы работы» -Л.: Изд. ЛГУ, 1976. 126 с.

471. Grynberg М. et al. Dielectric function in HgTe between 8 and 300 К /М.Grynberg, R.Le Toulles, M.Balkanski // Phys. Rev. 1974. - v.9, № 2. - p. 517-526.

472. Шукринов Ю.М., Ахмедов С.Ш. Зависимость квазиуровней Ферми от концентрации носителей заряда в полупроводниковом сплаве Bi—Sb» // Изв. АН Таджик. ССР. Отд» физ-мат», хим., геолог, наук. 1980. - № 2. - С. 86-88.'

473. О магнитоотражении в легированных сплавах висмут-сурьма / А.П.Чувохин, В.М»Грабов, Г.А.Иванов, В.Г»Лужковский // Полуметаллы и сегнетоэлектрики: Сб.науч.работ» Л.: ЛГПИ им.

474. Обухов Ю.В., Чиркова Е»Г. Фотопроводимость полупроводниковых твердых растворов BiixSbx // Письма в ЖЭТФ, 1978. - Т.28, № 6. - С. 401-404.600» Фотопроводимость и фотомагнитный эффект в n-Bi!-xSbx /

475. B.И.Трифонов, В.А.Матряхин, В.А.Стукан, Н.Ф»Заец // ФТП. -1978. Т.12, № 8. - С. 1641-1644.

476. Спектральные характеристики приемников дальнего ИК диапазона на основе узкозонного полупроводника BixxSbx /В.А» Матряхин,

477. A.Я. Олейников, А.Я.Смирнов, В.А.Стукан, В.И.Трифонов // ФТП. 1980. - Т.14, № 9. - С. 1716-1719.

478. Фотопроводимость сплавов Bii-^Sb* в дальнем инфракрасном диапазоне /Р.Мажейка, Р.Пожера, Э.Ширмунис, Р.А.Толутис // ФТП. 1986. - Т.20, № 4. - С. 765-767.

479. Huttington Н.В., Chan W.C. Transport in nearly-free-electron metals. // Phys. Rev. B. 1975. - V.12, №12. - P. 5423-5440.604» Займан Дж» Электроны и фононы. М.; ИЛ, 1962. - 488 с.

480. Лифшиц Й.М. и др. Электронная теория металлов /И.М. Лифшиц, М.Я.Азбель, М.И.Каганов. М.: Наука, 1971» - 415 с»

481. Ашкрофт Н,, Мермин Н. Физика твердого тела. М»; Мир, 1979.- Т.1. 399 с. - Т. 2. - 422 с.

482. Ravich Yu.I. et al. Scattering of Current Carriers and Transport Phenomena in Lead Chalcogenides /YU.I.Ravich,

483. B.A.Efimova, V. I .Tamarchenko //I Theory. - Phys. Stat. Sol. (b) . - 1971. - V.43, № 1. - P. 11-33. II - Experiment.- Phys. Stat. Sol. (b). 1971. - V.43, № 2» - P. 453-469»

484. Кайданов В»И., Немов С.А. Влияние примеси таллия на рассеяние дырок в теллуриде свинца // ФТП. 1981. - Т.15, № 3.- С. 542-550.

485. Влияние резонансного рассеяния носителей тока на кинетические коэффициенты в отсутствие магнитного поля /В.И.Кайданов, Е.К.Иорданишвили, В.Н.Наумов, С.А.Немов, Ю.И.Равич // ФТП. 1986. - Т.20, № 6. - С. 1102-1103.

486. Кайданов В»И» и др. Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках AIIXBV /В.И.Кайданов, С.А.Немов, Ю.И.Равич // ФТП» 1992. - Т.26, - № 2. - С. 201-222.

487. Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники. Эффект Ганна и его применение»* Сб. статей. М. »• Мир, 1968. - 376 с.

488. Грязнов О.С., Тамарченко В.И. Неупругое межзонное рассеяние на фононах в явлениях переноса // ФТП. 1976. - Т. 10, № 9.- С. 1664-1669.

489. Lopez A.A. Electron Hole Recombination in Bismuth // Phys. Rev. - 1968 - V. 175, № 3. - P. 823-836,

490. Грабов В.М. Явления переноса и межэкстремумное рассеяние носителей заряда в полуметаллах // Физика твердого тела: Материалы межвуз.науч.конф. Барнаул; БГПИ; АТУ, 1982, - С» 3134.

491. Грабов В.М., Яковлева Т.А. Рекомбинационное рассеяние и зависимость подвижностей носителей заряда в сплавах висмут-сурьма от их состава // Физика твердого тела: Материалы межвуз ,науч.конф. Барнаул; БГПИ; АГУ, 1982» - С. 36-37.

492. Воров Ю.Г. и др. Рекомбинационное рассеяние и зависимость подвижностей электронов и дырок в висмуте от давления /Ю.Г.Воров, В.М.Грабов, Г.А.Иванов // Физика твердого тела: Материалы межвуз.науч.конф. Барнаул: БГПИ; АГУ, 1982» - С. 38-39.

493. Грабов В.М., Комаров А.Г. К вопросу о температурной зависимости удельного сопротивления висмута // Физика твердого тела: Материалы межвуз.науч.конф. Барнаул; БГПИ; АГУ, 1982, - С. 39.

494. Грабов В.М. Температурная зависимость удельного сопротивления висмута // Физика твердого тела: Материалы межвуз. конф. Барнаул: БГПИ, 1984. - С. 28-29.

495. Бондаренко М.Г., Грабов В.М. Термоэдс в промежуточных магнитных полях в висмуте, легированном оловом // Физика твердого тела; Материалы межвуз.конф. Барнаул; БГПИ, 1984. -С. 47-48.

496. Бондаренко М.Г., Грабов В.М. Термоэлектрические свойства и механизмы рассеяния носителей заряда в монокристаллах висмута // Полупроводниковые материалы для термоэлектрических преобразователей. Л.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР, 1985. -С. 70-71.

497. Грабов В.М. Закономерности межэкстремумного рассеяния носителей заряда в полуметаллах // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Материалы VII Всесоюз. симпоз. -Львов, 1986. Часть 2. - С. 194-196.

498. Грабов В.М. Обшие закономерности в температурной зависимости удельного сопротивления полуметаллов // Материалы для термоэлектрических преобразователей: Тез.докл. III Межгос. семинара. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1993. - С. 42-43.

499. Transport phenomena peculiarities caused of intervalley scattering of charge carriers in bismuth type crystals. / M.G.Bondarenko, V.M.Grabov, YU.V.Ivanov, O.N.Uryupin // XIV International Conference on Thermoelectrics. Program and

500. Левицкий Ю.Т., Иванов Г.А. Высокотемпературные исследования электрических и гальваномагнитных свойств сплавов Bi-Sb // ФММ. 1969. - Т.28, № 3. - С. 804-812.

501. Равич Ю.И. и др. Термогальваномагнитные эффекты в висмуте /Ю.И.Равич, Ю.В.Иванов, А.В.Рапопорт // ФТП. Т.29, № 5/6. - С. 884-894.

502. Грабов В.М», Чистяков Б.И, О влиянии примесей на зависимость термоэдс висмута от поперечного магнитного поля // Тез.докл. на конференции по современной технике диэлектриков и полупроводников. Л.: ЛЭТИ им. Ульянова-Ленина, 1966. -С. 19-20.

503. Грабов В.М,, Михайличенко Т.В, О длине свободного пробега носителей тока в висмуте // XXIV Герценовские чтения; Общая и экспериментальная физика. Л.: ЛГПИ им. а.и. Герцена, 1971. - С. 96-99.

504. Грабов В.М. и др. Поведение термоэдс на пленках висмута / В;М;Грабов, Т;В;Михайличенко, В.А.Комаров // Полуметаллы и полупроводники: Сб.науч.работ. Л.: ЛГПИ им. а.И. Герцена, 1975. - С. 89-92.

505. Кузнецов М.Е. Некоторые аспекты фонон-электронного и фонон-фононного взаимодействия в висмуте; Дис. . канд. физ.-мат.наук. Л.; ЛГПИ, 1969, - 124 с.

506. Uher G., Pratt W»R» High-Precision Ultra-Low-Temperature Resistivity Measurements on Bismuth // PhySi Rev; Lett. -1977, V,39, № 8, - P. 491-494.

507. Сопротивление висмута при низких температурах /В»С.Винник, И » Я, Коренблит, Е.А»Охрем, А;1\Самойлович // ЖЭТФ. 1981. -Т.80, № 5. - С. 2031-2041.

508. Иванов Г.А., Попов A.M. О длине свободного пробега носителей тока в висмуте и его сплавах с сурьмой // ФТТ. Т.5/ № 5. -С. 1428-1429.

509. Голбан И.М. Анизотропное рассеяние носителей заряда на акустических фононах в висмуте, сурьме и мышьяке // Препринт ИПФ АН МССР. Кишинев, - 1987. - 49 с.

510. Голбан И.М. О механизмах рассеяния носителей заряда в полуметаллах VB группы // Препринт ИПФ АН МССР. Кишинев-. -1989. - 31 с.

511. А.Ф. Иоффе. Полупроводниковые термоэлементы. M.; Изд. АН СССР, 1956. - 104 с.

512. Поздняков Б.С., Коптелов Е.А. Термоэлектрическая энергетика.- М: Атомиздат, 1974. 263 с.

513. Ксшенко Е.А. Термоэлектрические охлаждающие приборы. Л. ; Наука, 1967. - 283 с.

514. Гольцман Б.М. и др. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 /Б.М. Гольцман, В.А.Кудинов, И.А.Смирнов. М.: Наука, 1972. - 320 с.

515. Термоэлементы и термоэлектрические устройства; Справочник /Сост. Л.И.Анатычук. Киев: Наукова думка, 1979. - 766 с.

516. Vedernikov M.V. et al. Anisotropic thermoelectric materials, properties and application /M.V.Vedernikov, A.T.Burkov,

517. A.Heinrich // Proceedings of the Thirteenth International Conference on Thermoelectrics. Kansas City. USA. New York.- American Institute of Physic. 1994. - P. 76-80.

518. Smith G.E., Wolfe R. Thermoelectric Properties of Bismuth-Antimony Alloys // J.Appl. Phys. 1962. - V.33, № 3. -P. 841-846.

519. Термоэлектрическая добротность чистых и легированных сплавов висмут-сурьма в магнитном поле /Г.А.Иванов, В.А.Куликов,

520. B.Л.Налетов, А.Ф.Панарин, А.Р.Регель // ФТП. -1972. Т.6, № 11. - С. 1296-1299.

521. Исследование предельных возможностей термоэлектрического охлаждения при температуре ямдкого азота /В.Л.Кузнецов, М.В.Ведерников, П.Яндль, У.Биркхольц // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20, № 18. - С. 75-80.

522. Налетов В.Л. О дендритной ликвации монокристаллов сплавов Bi-Sb // Полуметаллы. Л.: ЛГПИ. - 1968. - С. 7-11.

523. Голдсмид Г. Применения термоэлектричества. М. ; Физматгиз. -1963.- 104 с.

524. О явлениях переноса в сплавах Bi-Sb /В.JI.Налетов, Г.А.Иванов, Т.А.Яковлева, В.И.Николаев // Изв. АН СССР: Неорганические материалы. 1971. - Т.7, № 8» - С. 1321-1324.

525. Yim W-.M», Amith A. Bi-Sb alloys for magnetotermoelectric and termomagnetic cooling // Solid State Electronics: -1972. -V.15, № 10. C. 1141-1165.

526. Термоэлектрические свойства сплавов Bi-Sb в магнитном поле /В.С.Земсков, В.П.Гусаков, А.Д.Белая, С.А.Рослов // Изв. АН СССР. Металлы. 1975, № 3. - С. 189-203.

527. Г.Н.Кржемякин. М., 1980. - 52 с, - Деп. ВИНИТИ, № 4305-80»

528. Земсков B.C. и др. Термоэлектрическая и магнитотермоэлектри-ческая добротности висмута и твердых растворов системы висмут-сурьма /В.С.Земсков, А.Д.Белая, П.Г.Бородин // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1982. - Т. 18, № 6. - С. 1154-1157.

529. Земсков B.C. и др. Влияние неконтролируемых примесей в исходном висмуте на термоэлектрические свойства сплавов висмут-сурьма /В.С.Земсков, А.Д.Белая, Г.Н.Кожемякин // Изв. АН СССР. Металлы. 1984, № 5. - С» 194-195.

530. Магнитотермоэлектрическая добротность твердых растворов висмут-сурьма, легированных теллуром /В.С.Земсков, ВГусаков, С. А.Рослов, А.Д.Белая, Л.В.Рождественская // ДАН СССР. -1975. Т.222, № 2. - С. 316-318.

531. Получение висмута повышенной чистоты и приготовление монокристаллов на основе сплавов висмут-сурьма: Отчет о НИР /КГПИ/ Руководитель Куликов В.А. № ГР 79017516. - Курган, 1980. - 33 с.

532. Получение р-ветви на основе сурьмы и висмута: Отчет о НИР /КГПИ; Руководитель Куликов В.А. № ГР 81069649. - Курган, 1983. - 27 с.

533. Влияние магнитного поля на термоэлектрические свойства твердых растворов висмут-сурьма с 9 ат.% сурьмы, легированных оловом /В.С.Земсков, А.Д.Белая, С.А.Заякин, Н.А.Булатова // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1987. - Т.23, № 4. - С. 554-557.

534. Bergman D.J., Levy 0. Termoelectric properties of a composite medium // J. Appl. Phys. 1991. - V.70. -P. 6821-6833.

535. Грабов B.M., Иванов Г.А. О теплопроводности и законе Видема-на-Франца в полуметаллах // Физика: Докл. к XXIV науч.конф. ЛИСИ. Л.: ЛИСИ, 1966. - С. 23-25.

536. Грабов В.М. О теплопроводности сплавов Bi-Sn // Тез. докл. на конф. по современной технике диэлектриков и полупроводников. Л,: ЛЭТИ, 1966. - С. 4-6.

537. Налетов В.Л. и др. Термоэлектрическая эффективность сплавов Bi-Sb различной степени неоднородности /В.Л.Налетов, В.М.Грабов, Г.А.Иванов // Симпозиум по низкотемпературнымтермоэлектрическим материалам: Тез.докл. М.: АН СССР, 1968» - С. 46-48,

538. Предварительное термоэлектрическое охлаждение криоагента в баллонной дроссельной системе /М.Г.Бондаренко, В Грабов, С.Г.Овчинников, О.Н.Урюпин, С.А.Фоняков; ЛГПИ им. А.И. Герцена. Л., 1991. - 21 с. - Деп, в ВИНИТИ 08.02.91, № 659091.

539. Грабов В.М. и др. Магнетополевое влияние на анизотропию тер-моэдс в кристаллах висмута /В .МЛ paOou, А. Ф. Напарим, А.А.Корнилов // Человек и среда: Тез.докл; к науч.-практич.конф.молодых специалистов. Чита; ЧГПИ, 1991.1. С. 65-67.

540. Влияние неоднородности образца и флуктуации параметра порядка на теплоемкость YBa2Cu3Ox вблизи сверхпроводящего перехода /Ю» В.Иванов, Д.В»Петров, В;М.Грабов, А.В^Лужковский, А.Э.Гасумянц // СФХТ; 1994. - Т.7, №1. - С: 48 - 61.

541. Thermoelectric figure of merit of horisontal zone-leveling prepared bismuth-antimony single crystals /V.M.Grabov, G.A.Ivanov, V.L.Naletov, M.G.Bondarenko, O.N.Uryupin // Fourteenth International Conference on Thermoelectrics.

542. St.Petersburg; A.F. Ioffe Physical-Tecnical Institute, 1995. P. 115-118.

543. Грабов B.M., Панарин А.Ф. Анизотропия термоэдс монокристаллов висмут-сурьма в поперечном магнитном поле // Материалы для термоэлектрических преобразователей; Тез* докл. IV меж-государ.семинара. СПб.; ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1995. - С. 66-68.

544. Грабов B.M. и др. Влияние неоднородности на термоэлектрические свойства кристаллов висмут-сурьма /В.М.Грабов, О.Н.'Урюпин, В.JI.Налетов // Термоэлектрики и их применения: Докл.V Межгоеударст. семинара. СПб.: ФТИ им, А.Ф. Иоффе РАН. - 1997. - С. 78-81.

545. Аморфные и поликристаллические полупроводники /Хейванг В», Биркхолыд У», Айнцингер Р. и др./ Под ред. В» Хейванга, -М.; Мир, 1987. 160 с.

546. Вольф Р. Магнитотермоэлектричество // Над чем думают физики. Выл. 8. Физика твердого тела» Электронные свойства твердых тел. М.: Наука, 1972» - С, 30-44.