Механическое двойникование и его влияние на электрические свойства висмута и его сплавов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Ланкин, Сергей Викторович

• Ланкин, Сергей Викторович
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Ланкин, Сергей Викторович

Содержание

Введение

Глава I. Кристаллическая структура и электрические свойства кристаллов висмута и его сплавов

§1.1. Структура кристаллов типа висмута

§ 1.2. Зонная структура висмута

§1.3. Электронные явления переноса в висмуте и его сплавах

Глава II. Методика изучения двойникования и электрических свойств кристаллов

§2.1. Технология приготовления бездефектных кристаллов висмута и

его сплавов

§ 2.2. Методика получения двойникованных образцов

§ 2.3. Технология выращивания бикристалла и изготовления из него

термоэлемента

§ 2.4. Методика измерения электрических свойств кристаллов

§ 2.5. Экспериментальные ошибки

Глава III. Механическое двойникование кристаллов

§ 3.1. Механическое скольжение в кристаллах

§ 3.2. Модель и профиль двойника

§ 3.3. Дислокационное описание двойника

§ 3.4. Гистерезис при двойниковании

Глава IV. Кристаллографические угловые закономерности двойников в кристаллах со структурой висмута

§ 4.1. Определение положения плоскостей двойникования относительно кристаллографических осей кристалла

§ 4.2. Ориентация двойников в образцах висмута

§ 4.3. Определение направления силового воздействия при введении

двойников в висмут

§ 4.4. Кинематические характеристики роста и энергия выхода двойника

Глава V. Явления переноса в двойникованных кристаллах висмута и его сплавов

§ 5.1. Исследование процесса двойникования с помощью электрических измерений

§ 5.2. Комплекс электрических свойств двойникованных образцов висмута

§ 5.3. Диаграммы вращения магнетосопротивления и магнетотермо-

ЭДС двойникованных образцов висмута

§ 5.4. Комплекс электрических свойств двойникованных образцов сплавов висмута с сурьмой, теллуром, оловом и свинцом

Глава VI. Расчет кинетических коэффициентов кристаллов висмута

§ 6.1. Выбор модели для расчета кинетических коэффициентов двойникованных кристаллов висмута

§ 6.2. Расчет составляющих тензора удельного сопротивления двойникованных образцов висмута

§ 6.3. Расчет составляющих тензора коэффициента Холла двойникованных образцов висмута

§ 6.4. Расчет составляющих тензора коэффициента термоЭДС двойникованных образцов висмута

§ 6.5. Описание угловых диаграмм магнетосопротивления двойникованных образцов висмута

§ 6.6. Кинетические параметры носителей заряда в двойникованных кристаллах висмута

Глава VII. Направления практического использования двойникованных кристаллов типа висмута

§ 7.1. Влияние двойников на ЭДС анизотропного термоэлемента. 212 § 7.2. Слоистый термоэлемент из единого двойникованного

кристалла

§ 7.3. Термоэлемент из бикристалла висмута

Заключение

Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Механическое двойникование и его влияние на электрические свойства висмута и его сплавов»

Введение

Актуальность темы. Современное развитие твердотельной электроники, приборостроения и точного машиностроения требует внедрения новых высокоэффективных материалов, надежно работающих в сложных экстремальных условиях при воздействии на них высоких температур, механических напряжений, вакуума, радиации самых различных видов и ин-тенсивностей. Поэтому одной из важнейших проблем физики полупроводников и диэлектриков и материаловедения является необходимость прогнозирования изменения свойств материалов при внешних воздействиях, вызывающих образование дефектов кристаллической структуры.

Обзор периодической и патентной литературы показывает, что полуметаллы типа висмута привлекают внимание физиков и материаловедов в связи с их практическим применением в анизотропных датчиках различного назначения, усилителях звука, болометрах, тензометрах, термоэлементах и других приборах. Благодаря своему кристаллическому строению полуметаллы имеют сложную зонную структуру, обуславливающую малые энергетические расстояния между экстремума зон и уровнем Ферми, малые концентрации и высокую подвижность носителей заряда и значительную анизотропию электрофизических свойств. При внешних воздействиях, вызывающих пластическую деформацию, в кристаллах полуметаллов возникают дефекты кристаллической структуры, связанные со скольжением и двойникованием.

Аномальные свойства полуметаллов со структурой висмута, связанные с ярко выраженной анизотропией многих физических свойств, а также высокой чувствительностью к присутствию легирующих примесей и внешним воздействиям, проявляются в том, что они занимают промежуточное положение между металлами и полупроводниками и являются модельными

материалами для решения многих вопросов современной физики полупроводников и твердого тела.

Создание и совершенствование электронных приборов на основе висмута и его сплавов (анизотропные термоэлементы, датчики, преобразователи энергии и т. д.) требуют разработки методов получения сравнительно крупных монокристаллов как чистого висмута, так и легированного примесями 1У-ой и У1-ой групп периодической системы Д. И. Менделеева, а также изовалентной примесью сурьмы. Однако полуметаллы типа висмута проявляют склонность к сравнительно легкому двойникованию. Двойники в висмуте и его сплавах могут возникнуть в процессе роста кристаллов, при нагревании деформированных образцов при отжиге и закалке, а также под влиянием механических воздействий в процессе технологической обработке монокристаллов при изготовлении из них приборов.

Явление двойникования кристаллов, заключающееся в образовании в одном твердом теле двух одинаковых структур, связанных определенным преобразованием симметрии, изучается сравнительно давно, но многие аспекты этого явления до сих пор остаются малоизученными и спорными. Двойники (вернее двойниковые прослойки) являются одним из распространенных видов дефектов кристаллической структуры, возникающих под воздействием механических и термических напряжений, и, несмотря на большие успехи, достигнутые в физикой твердого тела в изучении механического двойникования, до сих пор это фундаментальное явление недостаточно изучено даже в металлах и полупроводниках, не говоря уже о полуметаллах. Наиболее слабо изучено влияние двойников на электрические свойства материалов.

Поскольку двойники резко изменяют анизотропию кристаллов, а висмут и его сплавы применяются для изготовления рабочих элементов различных технических устройств именно благодаря большой анизотропии кинетических эффектов в них, то исследование влияния двойниковых про-

слоек на электрические свойства кристаллов наиболее актуально, т. е. без учета влияния двойников на полуметаллы невозможно говорить о практическом применении не только двойникованных кристаллов, но и судить о свойствах бездвойникованных материалов. Введение остаточных двойниковых прослоек позволяет создать специфическую гетерогенную среду, обусловленную анизотропией явлений переноса полуметаллов и изучать свойства этой среды, сравнивая теоретические положения с опытом. Эти искусственно созданные слоистые структуры открывают новые перспективы практического использования полуметаллов и полупроводников.

Все вышесказанное определяет актуальность проблемы исследования в новом по сути направления механического двойникования в полуметаллах со структурой висмута и учета влияния этого двойникования на электрические свойства кристаллов и его сплавов.

Цель работы заключалась в выявлении закономерностей механического двойникования в висмуте и его сплавах с элементами IV (8п, РЬ) и VI (Те) групп таблицы Д. И. Менделеева, а также сплавов висмут-сурьма, и влияния двойниковых прослоек на электрические и гальваномагнитные свойства исследуемых материалов.

Для достижения этой цели в работе решались следующие основные задачи:

1) выявление условий образования и развития механических двойников в кристаллах со структурой висмута;

2) изучение кинетики развития упругих двойников и условий их перехода в остаточные двойниковые прослойки;

3) изучение закономерностей образования двойниковых прослоек в кристаллах висмута с целью разработки способов введения в кристаллические материалы двойников одной ориентации;

4) оценка энергии механического двойникования полуметаллов на основе модельных представлений процесса двойникования;

5) экспериментальное изучение влияния двойников на комплекс электрических и гальваномагнитных свойств висмута и его сплавов с сурьмой, теллуром, оловом и свинцом;

6) отыскание аналитических выражений, связывающих измеряемые составляющие тензора кинетических эффектов с долей объема кристалла, занимаемого остаточными двойниками и анизотропией.

Научная новизна работы заключается в том, что в результате комплексного изучения механического двойникования полуметаллических кристаллов получены новые сведения, существенно расширяющие знания о процессах образования и кинетике развития двойниковых прослоек в этих материалах.

Экспериментальное исследование влияния искусственно введенных двойников на электрические и гальваномагнитные свойства висмута и его сплавов с теллуром, оловом, свинцом (до 0,3 ат. %) и сурьмой (до 5 ат. %) в интервале температур 90-540К позволило уточнить ранее полученные результаты как для двойникованных, так и для бездвойниковых кристаллов.

Получена новая воспроизводимая качественная информация о зависимости кинетических коэффициентов от объемного содержания двойников в кристаллах типа висмута. При этом показано, что двойниковые остаточные прослойки существенно изменяют анизотропию эффекта Холла, магнетосопротивления, термоЭДС.

Экспериментально установлено, что изменения электрических и гальваномагнитных свойств связано с введением двойников одной ориентации, а равномерное введение двойников всех трех ориентаций слабо изменяет эти свойства, о чем свидетельствуют диаграммы вращения кинетических эффектов.

На основе феноменологической теории явлений переноса в полуметаллах предложена модель для расчета кинетических коэффициентов в двойникованных кристаллах висмута и его сплавов, представляющих со-

бой гетерогенные системы, с учетом объема и ориентации двойниковых прослоек и не учитывающая влияния границ двойников.

Показано, что при температуре выше 120К кинетические коэффициенты двойникованных кристаллов вполне удовлетворительно апроксимиру-ются в рамках предложенной модели.

Экспериментальные результаты и разработанная модель двойниковой перестройки кристаллической решетки позволили провести оценку изменения эффективных подвижностей носителей заряда от содержания двойниковых прослоек в объеме монокристаллических образцов висмута, а также полуэмпирически экстраполировать значения кинетических коэффициентов, измеренных на двойникованных образцах, на кристаллы без двойников.

Практическая значимость результатов, полученных в диссертации, состоит в том, что они существенно расширяют и уточняют представление о кинетике процесса механического двойникования и могут быть рекомендованы для разработки методов контролируемого изменения свойств кристаллов с помощью направленного двойникования.

Установка для контролируемого введения двойников и предложенный метод введения двойников выбранной ориентации, используемая в лаборатории полуметаллов БГПУ и лаборатории физических методов исследования АмурКНИИ ДВО РАН, могут быть рекомендованы для разработки технологий получения кристаллов с заданными свойствами.

Рассмотренные закономерности механического двойникования в полуметаллах позволяют прогнозировать вероятность образования двойников при выращивании монокристаллов и их технологической обработке и могут служить руководством для правильной постановки экспериментов при научных исследованиях, а также учитываться при разработке технологии обработки кристаллов для изготовления физических приборов. На их основе можно прогнозировать деградационные процессы при эксплуата-

ции твердотельных приборов на основе полуметаллов, обусловленные развитием дефектных структур при работе приборов за счет внешних воздействий и внутренних механических, термических напряжений, вызывающих образование двойников.

Полученные экспериментальные результаты по влиянию двойников на электрические и гальваномагнитные свойства висмута и его сплавов, указывающие на существенные изменения кинетических коэффициентов при двойниковании кристаллов по сравнению с исходными «чистыми» (недвойникованными) монокристаллами, позволяют правильно оценивать свойство бездвойниковых кристаллов. Это особо важно при разработке теории электронных явлений переноса и расчетах зонной структуры полуметаллов.

Разработанные в процессе исследований методические подходы изучения механического двойникования могут быть рекомендованы для использования при исследовании мартенситных превращений кристаллов.

Метод выращивания кристаллов от двойникованной механически затравки, позволивший выращивать бикристаллы с двойниковой ориентацией блоков, предложен для получения анизотропных термоэлементов особого вида и защищен авторской заявкой «Термоэлемент и способ его получения» № 1141955 МКИ НО 17/00 (Заявлено 23.06.83).

Совокупность приведенных в диссертации результатов экспериментальных и теоретических исследований процессов механического двойникования и влияния двойниковых прослоек на электрические и гальванические свойства висмута и его сплавов может быть использовано при чтении курсов лекций по физике полупроводников, физике твердого тела и физическому материаловедению в высших учебных заведениях.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Результаты изучения механического двойникования висмута и его сплавов с сурьмой (до 5 ат. %), теллуром, оловом и свинцом (до 0,3 ат. %),

позволившие установить, что в полуметаллах этого типа наиболее вероятно образование двойников в трех ориентаций (110), (011), (101), образующих в монокристаллах устойчивые двойниковые прослойки, которые в малых количествах (до 3 объемных %) возникают уже в процессе кристаллизации.

2. При пластической деформации монокристаллов висмута и его сплавов возможно введение двойниковых прослоек одного направления, занимающих до 50% от объема кристалла.

3. Легирование висмута примесями олова и свинца снижает необходимые внешние напряжения для начала двойникования, а примеси сурьмы и теллура увеличивают механические напряжения, вызывающие появление двойниковых прослоек. Скорости роста двойников в легированном висмуте уменьшаются независимо от легирующего элемента.

4. Введение в монокристаллические образцы висмута и его сплавов системы двойников одного выбранного направления приводит к изменению величины кинетических коэффициентов по сравнению с кинетическими коэффициентами в бездвойниковых образцах, происходящему за счет изменения анизотропии кристаллов.

5. Модель, построенная на основе феноменологического подхода к оценке влияния двойников на явления переноса носителей заряда в анизотропных материалах типа висмута для гетерогенных систем двойникован-ных кристаллов при пренебрежении рассеянием носителей заряда на границах двойников, позволяет проводить расчеты компонентов тензора обобщенного магнетосопротивления.

6. Возможность создания анизотропного термоэлемента из единого двойникованного материала, используя сильную анизотропию термоЭДС исследованных полуметаллов и взаимную ориентацию блоков (под углом двойникования 73°56') в бикристаллах выращенных от двойниковой затравки.

Достоверность результатов исследования и обоснованность выводов диссертации определяются логикой проведения этапов исследования. В первую очередь изучены закономерности механического двойникования и физические основы процессов образования и развития двойников (вернее двойниковых прослоек) как макроскопических дефектов кристаллической структуры. Затем проведены экспериментальные исследования (возможными современными способами) процессов двойникования и влияния двойниковых прослоек на электрические и гальваномагнитные свойства висмута и его сплавов.

Во-вторых достоверность результатов обусловлена использованием исходных монокристаллов высокого качества, специальных (неоднократно проверенных) методов введения двойников в монокристаллы, наиболее совершенных методов контроля параметров двойников и установлением границ применимости моделей, используемых для интерпретации полученных результатов.

Основные результаты, изложенные в диссертации, в основном получены автором, а в некоторых случаях в соавторстве с ведущими специалистами (ЛГПИ им А. И. Герцена, Амур КНИИ ДВО РАН, ДАльГАУ), что отражено в совместных публикациях.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на Международных конференциях, школах, симпозиумах и семинарах: «Реальная структура и свойства акцентричных кристаллов» (Александров, 1995, 1997 гг.), «Физика и химия твердого тела» (Благовещенск - 1991, 1994 гг.), Всесоюзных симпозиумах по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам (Львов - 1984, 1980 гг.), Межвузовских конференциях (Барнаул - 1984, 1990, 1994, 1996 гг., Хабаровск - 1986, 1993 гг., Благовещенск - 1990-1997 гг.), Совещаниях-семинарах преподавателей физики ВУЗов Урало-Сибирского региона (Курган - 1973 г., Нижний Тагил - 1974

г., Омск - 1975 г., Новосибирск - 1976 г., Свердловск - 1979 г., Челябинск -1983 г.).

Текущие результаты исследования обсуждались на семинарах кафедры общей и экспериментальной физики Российского педагогического университета (Санкт-Петербург - 1973 - 1984 гг.), а также на семинарах кафедры общей физики БГПУ и конференциях АмурКНИИ ДВО РАН (Благовещенск - 1985-1997 гг.).

По материалам диссертации опубликовано 54 работы, получено авторское свидетельство № 1141955 и написан отчет по теме 1.3.3.3 «Реальная структура и физические свойства кристаллов» по разделу II «Явления переноса в двойникованных полуметаллах».

Разработанные в процессе выполнения работы установки внедрены в практику научных исследований в БГПУ, АмурКНИИ, РГПУ, КГПУ.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Ланкин, Сергей Викторович

Заключение

Основная задача, которая ставилась при написании настоящей работы, состояла в том, чтобы показать и оценить влияние двойников на электрические свойства висмута и его сплавов. Практическое решение этих задач, как видно из работы, было связано с выполнением комплекса методических, экспериментальных и теоретических исследований. Результаты этих исследований состоят в следующем:

1. Изучены общие закономерности двойникования и рассмотрены возможные модели двойников со структурой висмута. Проведен расчет положения двойниковых прослоек по отношению к главным осям симметрии в монокристаллических образцах висмута. Расчетные данные подтверждены экспериментально.

2. Разработан и реализован способ механического введения в кристаллы висмута и его сплавов двойников заданного направления. Сконструирована установка для наблюдения процесса механического двойникования, движения двойников, изменений электрических свойств полуметаллов и измерения скоростей движения двойников при деформации кристаллов. Проведена оценка энергии двойника, равная 0,14 эВ/ат.

3. Проведено экспериментальное изучение влияния примесей на процесс двойникования висмута. Обнаружено, что легирование висмута примесями олова, свинца увеличивает, а сурьмы, теллура - уменьшает склонность к двойникованию. При равных значениях температуры, механических напряжений на кристалле, увеличение концентрации примесей приводит к уменьшению скоростей удлинения и расширения двойников.

4. Сравнительный анализ статистических кривых в зависимости количества двойников от механического напряжения на кристалле позволил установить процесс насыщения двойниковыми прослойками (около 50 об.%) образцов висмута, прекращающийся после образования двойников в объеме кристалла.

5. Экспериментально проведено комплексное исследование влияния искусственно введенных двойников на электрические, гальваномагнитные и термоэлектрические свойства монокристаллов висмута и его сплавов с сурьмой (3 и 5 ат.%), теллуром (0,05 и 0,1 ат.%), оловом (0,05 и 0,1 ат.%), свинцом (0,3 ат.%) в интервале температур 90-540К в области слабых магнитных полей, показывающее, что наличие двойников одного направления искажает по величине кинетические коэффициенты относительно кристалла, не имеющего двойников, понижая анизотропию и симметрию диаграмм вращения. При равномерном введении двойников всех трех направлений уменьшается анизотропия эффектов, а симметрия диаграмм вращения сохраняется, но уменьшается их амплитуда. С ростом объема двойников в кристаллах искажения явлений переноса увеличиваются.

6. На основе феноменологической теории явления переноса в полуметаллах типа висмута и модельных представлений процесса двойникования получена полуэмпирическая формула, позволяющая по измеряемой величине кинетического коэффициента и объема двойников в образце висмута определить величину этого же коэффициента для образца, не содержащего двойников.

7. Введение двойников в кристаллы позволяет создать гетерогенную систему, обусловленную анизотропией свойств материала. В связи с этим в рамках разработанной модели показано, что выше температуры 120К кинетические свойства двойникованных кристаллов висмута могут быть рассчитаны по формулам для гетерогенных систем, исходя из феноменологических и модельных представлений, учитывая объем двойников и пренебрегая рассеянием носителей зарядов на границах двойников. При более низких температурах границы двойников вносят существенный вклад в рассеяние, нарушая соответствие эксперимента с расчетом.

8. На основе экспериментальных данных, неизменности зонной структуры и модели двойникования проведена оценка изменения эффективных подвижностей носителей заряда в зависимости от роста и объема двойников в кристаллах висмута.

9. Разработанная технология выращивания бикристалла с двойниковым расположением кристалла позволила предположить практическое применение двойникованных кристаллов для изготовления термоэлементов и конструирования термобатарей на их основе. Проведенные расчеты оптимальных параметров слоистого термоэлемента из единого двойнико-ванного материала показали возможность создания таких термоэлементов при дальнейших работах.

Затронутые в диссертационной работе вопросы относятся к бурно развивающемуся разделу физики полупроводников и диэлектриков и физического материаловедения, а поэтому их изложение в значительной степени является описанием свежих впечатлений о новых интересных результатов и не может претендовать на полноту или завершения выводов.

В заключение выражаю искреннюю благодарность моему учителю профессору Георгию Александровичу Иванову, научному консультанту профессору Юрию Тимофеевичу Левицкому, а также Нелли Васильевне Левицкой за интерес и дружескую поддержку всех моих начинаний в бесконечных беседах и спорах с которыми сформировалась диссертационная работа. Я благодарен своим друзьям единомышленникам Налетову Владимиру Лукичу, Овсянову Виктору Михайловичу, Дивину Николаю Петровичу, Башмакову Виктору Ивановичу и за оформление диссертации Прикота Алексею Владимировичу.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Ланкин, Сергей Викторович, 1998 год

Литература

1. Ормонт Б. Ф. Структура неорганических веществ. М., JL: Гостехиздат, 1950. 968 с.

2. Willson А. Н. The Theory of Metals. Cambrigge. 1954. 198 p.

3. Вигдорович В. И., Ухминов Г. А., Доминская Н. Ю., Марычев В. В. Исследование условий получения монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма // Изв. АН СССР. Металлы. 1973, № 6. С. 57-63.

4. Гицу Д. В., Голбан И. М., Канцер В. Г., Мунтяну Ф. М. Явления переноса в висмуте и его сплавах. Кишинев: Штиинца. 1983. 266 с.

5. Грабко Д. 3., Боярская Ю. С., Дынту М. П. Механические свойства полуметаллов типа висмута. Кишинев: Штиинца. 1982. 134 с.

6. Лейтвейн Ф., Зоммер-Кулачевски Ш. Кристаллография. М.: Высшая школа. 1968. 378 с.

7. Фальковский J1. А. Физические свойства висмута // УФН. 1968. Т. 94, в. 1.С. 3-41.

8. Шубников А. В., Флинт Е. Е., Бокий Г. Б. Основы кристаллографии. М., Л.: АН СССР. 1940. 487 с.

9. Bovle W. S., Smith G. Е. Bismuth // Prog, in semicond. 1963. V. 7, N 11. P. 3-31.

10. Isse I. P. Low Temperature Transport Properties of the Group 5 Semimet-als // Aust. J. Phys. 1979. V. 32, N 6. P. 585-625.

11. Goldsmid H. I. Transport effects semimetals and narrow-gap semiconductor // Adv. Phys. 1965. V. 14, N 55. P. 273-326.

12. Гицу Д. В. Комплексное исследование явлений переноса в висмуте и сплавах висмут-сурьма, легированных донорными и акцепторными примесями. //Автореф. дис... д-ра физ.-мат. наук. Кишинев. 1972. 33 с.

13. Гицу Д. В., Голбан И. М., Канцер В. Г. Явления переноса в полуметаллах в диффузионном приближении // Препринт ИПФ АН МССР. Кишинев. 1982. 50 с.

14. Келли А., Крове Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах. М.: Мир. 1974. 496 с.

15. Кребс Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений. М.: Мир. 1971.303 с.

16. Широких В. Д., Кента В. Ф. Упругие свойства висмута, сурьмы и мышьяка // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и мат. н. 1975, № 1. С. 5661.

17. Гицу Д. В., Иванов Г. А. О плотности электронных состояний в зоне проводимости // ФТТ. 1963. Т. 5, в. 5. С. 1406-1411.

18. Гицу Д. В., Лукашенко Е. Ф., Чебан А. Г. Расчет угловых диаграмм гальваномагнитных коэффициентов висмута // Физические свойства сложных полупроводников. Кишинев: Штиинца. 1973. С. 135-143.

19. Юм-Розери В. Атомная теория для металлургов. М.: Металлургиздат. 1955. 332 с.

20. Иванов Г. А., Грабов В. М. Физические свойства полуметаллов типа висмута // ФТП. 1995. Т. 29, в. 5. С. 1040-1050.

21. Эдельман В. С. Свойства электронов в висмуте // УФН. 1977. Т. 123, в. 2. С. 257-287.

22. Абрикосов А. А., Фальковский Л. А. Теория электронного энергетического спектра металлов с решеткой типа висмута // ЖЭТФ. 1962. Т. 43, в. 9. С. 1089-1101.

23. Аскеров Б. М. Электронные явления переноса в полупроводниках. М.: Наука. 1985. 320 с.

24. Волков Б. А., Фальковский Л. А. Электронная структура полуметаллов V группы//ЖЭТФ. 1983. Т. 85, в. 6. С. 2135-2151.

25. Брант Н. Б., Разуменко М. В. К вопросу о влиянии примесей на энергетический спектр электронов у висмута // ЖЭТФ. 1960. Т. 39, в. 8. С. 276-284.

26. Брант Н. Б., Чудинов С. М. Электронная структура металлов. М.: МГУ. 1973. 273 с.

27. Брант Н. Б., Кульбачинский Б. А., Минина Н. Я. Изменение энергетического спектра висмута при сильном одноосном сжатии // ФТТ. 1976. Т. 18., в. 7. С. 1829-1833.

28. Брандт Н. Б., Чудинов С. М., Караваев В. Г. Исследование бесщелевого состояния индуцированного магнитным полем в сплавах висмут-сурьма // ЖЭТФ. 1976. Т. 70, в. 6. С. 2296-2317.

29. Jones Н. Applications of the Bloch Theory to the Study of Alloys of the Properties if Bismuth // L. Proc. Roy. Soc. 1934. А. У. 147. N 86. P. 396417.

30. Jones H. The Theory of galvanomagnetic Effects in Bi // Proc. Roy. Soc. 1936. А. У. 156. N 886. P. 653-663.

31. Jones H. The Theory of Brillouin Zones and Electronic Stares in Cristals. Amsterdam. 1960. 200 p.

32. Cucka P., Barrett C. S. The crystal structure of Bi and solid solutions of Pb, Sn, Sb and Те in Bi // Acta Cryst. 1962. V. 15, N9. P. 865-872.

33. Falikow L. M., Lin P. J. Band Structure and Fermi Surface of Antimony; Pseudopotenzial Approash // Phys. Rev. 1966. V. 144, N 2. P. 562-567.

34. Okada Т. I. The Phenomenological Theory of the Galvanomagnetic Effects // Memoirs Faculty Sci. Kynshu Univ. 1955. V, IB, N 5. P. 157-168.

35. Okada Т. I. The Ellipsoid-model of Galvanomagnetic Effects in Semiconductors // Memoirs Faculty Sci. Kynshu Univ. 1955. V. IB, N 5. P. 168-181.

36. Okada Т. I. The Measuremements of Galvanomagnetic Tensors of Bismuth //J. Phys. Soc. Japan. 1957. V. 12,N 12. P. 1327-1337.

37. Schoenberg D., Uddin M. Z. Magnetische properies in Bistmuth // L. Proc. Roy. Soc. 1936. A. V. 156, N 887. P. 687-701.

38. Schoenberg D. The magnetic properties of Bismuth // L.: Roy. Soc. 1939. A. V. 170, N942. P. 341-364.

39. Kaye G. W. The thermal and electrical resistance of Bismuth single crystals. The Effects of temperature and magnetic fields // L. Proc. Roy. Soc. 1939. A. V. 170, N942. P. 561-583.

40. Chandrasernar B. S. The Seebeck Coefficient of Bismuth singlle Crystals // J. Phys. Chem. Sol. 1959. V. 11, N 3. P. 268-273.

41. Cohen M. H. Energy Bandsimin Bismuth Structure // Phys. Rev. 1951. V. 121, N121. P. 387-395.

42. Colin S. Bandstructure of Bismuth; Pseudopotenzial Approach // Phys. Rev. 1968. V. 166, N 3. P. 643-551.

43. Colin S. Band Model for Bismuth-Antimony Allows // Phys. Rev. 1968. У. 176, N3. P. 830-832.

44. Lax В., Mavroides I. G., Zeiger H. J., Keyes H. I. Imfrared magnetoreflec-tion in Bijsmuth // Phys. Rev. Letters. 1960. V. 5, N 6. P. 241-246.

45. Harman Т. C., Honig I. M., Tarny В. M. Galvanotermomagnetic effects in semiconductors and semimetals. 3. The standart and Kane bands models // J. Rhys. Chem. Sol. 1963. V. 24, N 7. P. 835-850.

46. Abrikosov A. A. Cappless States of Bismuth Type Semimetals // J. Low. Temp. Phys. 1972. V. 8, N 1/2 (7). P. 315-338.

47. Бенеславский С. Д., Фальковский JI. А. Об инвертировании близких зон магнитным полем // ФТТ. 1974. Т. 16, в. 5. С. 1360-1368.

48. Гицу Д. В., Канцер В. Г., Леляков И. А. Электронные состояния в слоистых структурах на основе узкозонных полупроводников // Препринт ИПФ АН МССР № 4. Кишинев: Штиинца. 1988. 39 с.

49. Drable J. R., Wolfe R. Anisotropy Galvanomagnetische Effects in Semi-condustors // Proc. Phys. Sov. 1956. В. V. 60, N 403. P. 1101-1108.

50. Dugue M. Properties electigues des solitions solides bismuth-antimony // Phys. Stat. Sol. 1956. V. 11, N1. P. 149-158.

51. Erth M. E., Rahman I. U. Effects of uniaxial compression on the thermo-magnetic effects in bismuth // Phys. Stat. Sol. 1971. V. 45, N 1. P. 85-90.

52. Gallo C. F., Chandrasekhar B. S., Sutter P. H. Transport properties of bismuth single crystals // J. Appl. Phys. 1963. V. 34, N 1. P. 144-152.

53. Иванов Г. А., Попов A. M. Электрические свойства сплавов висмут-сурьма // ФТТ. 1963. Т. 5, в. 9. С. 2409-2419.

54. Левицкий Ю. Т., Иванов Г. А. Высокотемпературные исследования электрических и гальваномагнитных свойств сплавов Bi-Sb // ФММ. 1969. Т. 28, в. 5. С. 804-812.

55. Левицкий Ю. Т., Иванов Г. А. Электрические свойства сурьмы при температурах 300-750К // ФММ. 1969. Т. 27, в. 4. С. 598-602.

56. Анатычук Л. И. Термоэлементы и термоэлектрические свойства: Справочник. - Киев: Наук. Думка. 1979. 768 с.

57. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников: М.: Наука. 1978. 615 с.

58. Voigt W. Lehrbuch der Krista physik. Leipzick. 1929. 955 s.

59. Гольцман Б. M., Кудинов Б. А., Смирнов И. А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе В1гТез. М.: Наука. 1972. 320 с.

60. Най Дж. Физические свойства кристаллов. М.: Мир. 1967. 385 с.

61. Иванов Г. А. Электрические свойства двойных сплавов висмута // ФТТ. 1959. Т. 1, № 10. С. 1600-1608.

62. Иванов Г. А. О связи электрических и гальваномагнитных свойств монокристаллических и поликристаллических образцов // Вопросы кристаллизации и физики твердого тела. Л.: ЛГПИ. 1965. Т. 265. С. 193-204.

63. Иванов Г. А., Колпачников Г. Н., Налетов В. JL, Яковлева Т. А. Электрические и гальваномагнитные свойства сплавов Bi-Sb в интервале температур 77-293 К // Уч. зап. ЛГПИ им. А. И. Герцена. Л.: ЛГПИ. 1968. Т. 384, №4. С. 39-47.

64. Иванов Г. А., Левицкий Ю. Т. Электрические свойства висмута при температурах от 300-540К. /ЛРММ. 1967. Т. 24, в. 2. С. 253-259.

65. Иванов Г. А. Левицкий Ю. Т. Об изменении концентрации и подвижности носителей тока в полуметалла Bi и Sb при изменении температуры. // Полуметаллы. Л.: ЛГПИ. 1968. С. 21-30.

66. Jain A. L. Temperature Dependence of the Electrical Properties of Bismuth-Antimony Allows // Phys. Rev. 1959. V. 114, N 6. P. 1518-1628.

67. Smith G. E., Wolfe R. Thermoelectric properties of bismuth antimony alloys // J. Appl. Phys. 1962. V. 33, N 3. P. 841-846.

68. Lerner L. S., Cuff К F., Wiilams L. R. Energy - Band Parameters and Relative Band - Dage Motions in the Bi-Sb Allows System near the Semimetals-Semiconductor // Rev. Mod. Phys. 1968. V. 40, N 4. P. 770-775.

69. Lukosz W. Geschlossenelektrische Strome in thermoelektrischanisotropen Kristallen // Z. Naturforsch. 1964. Bd. 19. A, N14. S. 1599-1610.

70. Goldsmid H. I. Bismuth-antimony alloys // Phys. Stat. Sol. 1970. A. V. 1, N l.P. 7-28.

71. Mase S. Electronic structure od bismuth type crystals // J. Phys. Soc. Japan. 1957. V. 13, N5. P. 434-445.

72. Motohashi Y., Shibata Т., Otalce S. Mechanical and electrical properties of latice defects in bismuth crystal // J. Fac. Eng. Ibaraki Univ. 1974. V. 22. P. 39-48.

73. Schurchi O., Noashi M., Shigetoshi K. Effect of temperature gradient annealing on bismuth single crystals // Jap. J. Appl. Phys. 1975. V. 14, N 7. P. 923-927.

74. Таиров Б. А., Алиев С. А., Акперов М. А. Гальваномагнитные свойства и энергетический спектр носителей заряда в висмуте, сурьме и их твердых растворов. Препринт. АН АзССР. Иф. 1991. № 387. С. 1-27.

75. Равич Ю. И., Рапопорт А. В. Температурная зависимость подвижно-стей и концентрации носителей тока в висмуте // ФТТ. 1992. Т. 34, № 6. С. 1801-1806.

76. Abeles В., Melboom S. Galvanomagnetic Effects in Bismuth // Phys. Rev. 1956. V. 101, N2. P. 544-550.

77. Гицу Д. В., Иванов Г. А. Электрические свойства монокристаллов висмута и его сплавов // ФТТ. 1960. Т. 2, в. 7. С. 1464-1476.

78. Гицу Д. В., Иванов Г. А. Анизотропия гальваномагнитных свойств висмута и его сплавов с теллуром // Вопросы физики полупроводников и диэлектриков. Д.: ЛГПИ. 1961. С. 13-29.

79. Гицу Д. В., Иванов Г. А. К расчету анизотропии гальваномагнитных свойств монокристаллов висмута // Изв. АН МССР. 1962. № 5. С. 8391.

80. Гицу Д. В., Иванов Г. А., Попов А. М. О термоэлектродвижущей силе в висмуте и его сплавах с теллуром // ФТТ. 1962. Т. 4, в. 1. С. 22-28.

81. Иванов Г. А., Левицкий Ю. Т., Ланкин С. В., Налетов В. Л. Влияние двойников на электрические и гальваномагнитные свойства висмута // ФТТ. 1973. Т. 15, в. 8. С. 2547-2549.

82. Иванов Г. А., Левицкий Ю. Т., Ланкин С. В., Налетов В. Л. К вопросу о изучении влияния двойников в динамическом режиме на электрические параметры кристаллов висмута //Полуметаллы и полупроводники. Л.: ЛГПИ. 1975. С. 35-37.

83. Иванов Г. А., Левицкий Ю. Т., Ланкин С. В. Дифференциальные тер-моЭДС сплавов висмут-сурьма при высоких температурах. Л.: ЛГПИ. 1975. С. 85-88.

84. Иванов Г. А., Левицкий Ю. Т., Ланкин С. В., Налетов В. Л. Влияние двойников на явления переноса в висмуте // ФММ. 1976. Т. 41, в. 4. С. 763-768.

85. Иванов Г. А., Левицкий Ю. Т., Ланкин С. В., Налетов В. Л. Диаграммы вращения магнетосопротивления и магнетотермоЭДС двойнико-ванных кристаллов висмута // ФММ. 1981. Т. 52, в. 1. С. 200-203.

86. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Электрические свойства механически двойникованных кристаллов сплавов висмута с оловом и теллуром // Физика твердого тела: Тез. докл. межвузовской науч. конф. Борнаул.: БГПИ. 1984. С 49.

87. Левицкий Ю. Т., Ланкин С. В. Изменение электрических свойств пластически деформированных кристаллов висмута / АмурКНИИ. ДВНЦ АН СССР. Благовещенск. 1987. 12 с. Рук. деп. в ВИНИТИ. 30.03.87. № 2283 В. 87.

88. Левицкий Ю. Т., Ланкин С. В. Электрические свойства двойникованных кристаллов висмута, легированных оловом и теллуром // ФММ. 1987. Т. 64, в. 4. С. 730-734.

89. Ланкин С, В., Левицкий Ю. Т. Влияние двойников на коэффициенты Холла и термоЭДС кристаллов висмута и его сплавов // Физика твердого тела: Сб. науч. трудов / Благовещенск. АмурКНИИ ДВО АН СССР. 1988. С. 59-69.

90. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Эффекты переноса в двойникованных кристаллах сплавов висмут-сурьма // Керамические и композиционные материалы и их свойства: Сб. науч. трудов / Благовещенск. АмурКНИИ ДВО АН СССР. 1989,-С. 106-114.

91. Бочегов В. И., Иванов К. Г., Родионов Н. А. Выращивание монокристаллов висмут-сурьма от охлаждаемой затравки // ПТЭ. 1980. № 2. С. 218.

92. Колпачников Г. Н., Налетов В. J1. Выращивание монокристаллов методом зонной перекристаллизации // Полуметаллы. Л.: ЛГПИ. 1968. С. 3-6.

93. Pfan W. G. Principles of Zone-Melting //J. Metals. 1952. V. 4, N 7. P. 747753.

94. Процессы роста и выращивание монокристаллов / Под ред. Шефталя Н. Н. М.: ИЛ. 1963. 530 с.

95. Тегарт В. Электрическое и химическое полирование металлов. М.: ИЛ. 1957. 180 с.

96. Юшко С. А. Методы лабораторного исследования руд. М.: Недра. 1971.344 с.

97. Павлов Л. П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. 1975. 206 с.

98. Косевич В. М. Выявление дислокационных дефектов в сурьме методом травления // Кристаллография. 1960. Т. 5, № 5. С. 749-756.

99. Косевич В. М. О канавках травления на плоскости (111) монокристаллов сурьмы // Кристаллография. 1961. Т. 6, в. 3. С. 475-480.

100. Сойфер Л. М., Щеголева 3. А. Природа и механизм возникновения фона в кристаллах сурьмы и висмута // ФММ. 1967. Т. 23, в. 4. С. 727728.

101. Сойфер Л. М., Щеголева 3. А. Размножение дислокаций в сурьме и висмуте // ФММ. 1967. Т. 24, в. 1. С. 140-149.

102. Бойко В. С., Гарбер Р. Н., Кривенко Л. Ф. Динамика образования макроскопического скопления дислокаций в неоднородном поле и ее приложение к анализу звуковых импульсов // ФТТ. 1974. Т. 16, № 5. С. 1451-1457.

103. Бойко В. С., Гарбер Р. Н., Кившик В. Ф. Динамика развития двойника под сосредоточенной нагрузкой // ФТТ. 1975. Т. 17, №. 12. С. 36553657.

104. Бойко В. С. Гарбер Р. Н. Косевич A.M. Обратимая пластичность кристаллов. М.: Наука. 1991. 280 с.

105. Классен-Неклюдова М. В. Механическое двойникование кристаллов. М.: АН СССР. 1960. 262 с.

106. Шмид Е., Боас В. Пластичность кристаллов, в особенности металлических. М., Л.: НКТП. 1938. 316 с.

107. Смирнов Б. И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. Л.: Наука. 1981.236 с.

108. Никаноров С. П., Кардашев Б. К. Упругость и дислокационная неупругость кристаллов. М.: Наука. 1985. 250 с.

109. Frenkel J. Zur Theorie der Elastitatsgrenze und der Festigkeit Kristallinischer Korper // Zs. f. Phys. 1926. Bd. 37, H. 7-8. S. 239-254.

110. Конторова Т. А., Френкель Я. И. К теории пластической деформации и двойникования // 5КЭТФ. 1938. Т. 8, в. 12. С. 1340-1358.

111. Гарбер Р. И. Образование упругих двойников при двойниковании кальцита // ДАН СССР. 1938. Т. 21, № 6. С. 233-235.

112. Косевич В. М., Башмаков В. И. Исследование двойникования металлических кристаллов с помощью сосредоточенной нагрузки // ФММ. 1960. Т. 9, в. 2. С.288-293.

113. Williams A. I., Cahn R. W. Deformation Twinning. N. Y. L.: 1964. 192 p.

114. Башмаков В. И., Савенко В. С. Двойникование кристаллов висмута при сложно-напряженном состоянии // Физические свойства газов и твердых тел: Сб. науч. трудов МГПИ. Минск. 1978. С. 113-118.

115. Башмаков В. И., Савенко В. С. Изучение электромеханического эффекта при двойниковании кристаллов висмута в интервале температур 77-500 К // Изв. вузов. Физика. 1980, № 7. С. 29-33.

116. Башмаков В. И., Чикова Т. С. Изменение формы клиновидных двойников в кристаллах висмута при длительных выдержках под нагрузкой // ФММ. 1980. Т. 49, №. 2. С. 443-445.

117. Башмаков В. И., Чикова Т. С. Двойникование кристаллов висмута при термоциклировании // Инженерно-физ. журнал. 1980. Т. 39, № 1. С. 148-149.

118. Gilman J. J. Dislocations Source in Crystals // J. Appl. Phys. 1959. V. 30, N. 10. P. 1684-1594.

119. Gilman J. J. Direct measurements of the surface energies of crystals // J. Appl. Phys. 1960. V. 31, N. 12. P. 2208-2218.

120. Cooper R. E. Kinetics of elastic twinning in calcite // Proc. Soc. A. 1962. V. 270, N. 1343. P. 525-537.

121. Кравченко В. Я. О возможности наблюдения движения дислокаций в проводящих кристаллах по электрическим эффектам // ФТТ. 1967. Т. 9, №. 4. С. 1050-1057.

122. Старцев В. И., Солдатов В. П., Бродский М. М. Температурная зависимость скорости роста двойниковой прослойки в монокристаллах висмута//ФММ. 1968. Т. 25, в. 6. С. 111-115.

123. Нацик В. Д. Излучение звука дислокацией, выходящей на поверхность кристалла // Письма в ЖЭТФ. 1968. Т. 8, №. 6. С.324-328.

124. Нацик В. Д., Чишко К. А. Звуковое излучение при аннигаляции дислокаций//ФТТ. 1972. Т. 14, №. 11. С. 3126-3132.

125. Gilman J. J. Hardness of pure alkalihalides // J. Appl. Phys. 1973V. 44, N3. P. 982-985.

126. Левицкий Ю. Т., Ланкин С. В. Практическое использование кристаллов висмута с дефектами // Аморфные, дисперсные и дефективные материалы: Сб. науч. трудов / Благовещенск: ДВО АН СССР. 1988.- С. 32-40.

127. Иванов Г. А., Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т., Налетов В. Л. Термоэлемент и способ его получения // А. С. № 1144 955 СССР. МКИ НО 17/00. Л.: ЛГПИ им. А. И. Герцена- № 3611807. Заявлено 23.06.83.

128. Борн М., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток: Пер. с англ. / Под. ред. И. М. Лифшица. М.: ИЛ. 1958. 448 с.

129. Косевич А. М. Теория кристаллической решетки. Харьков: Вища школа: ХГУ. 1988. 304 с.

130. Groves G. W., Kelly A. Independent Slip Systems in Crystals // Phil. Mag. 1963. V. 8, N6. P. 877-907.

131. Бернер P., Кронмюллер Г. Пластическая деформация монокристаллов. М.: Мир. 1969. 272 с.

132. Ван Бюрен X. Г. Дефекты в кристаллах: Пер. с англ. М.: ИЛ. 1952. 584 с.

133. Van Bueren Н. G. Theory of the Formation of lattice Defects During Plastic strain // Acta Met. 1956. V. 3, N 6. P. 519-524.

134. Cahn R. W. Twinned crystals // Adv. Phys. 1954. V. 3. P. 353-385.

135. Frank F. C., Vander Merve I. H. One-dimensional dislocations. 1. Static Theory // Proc. Roc. Soc. 1949. A. V. 198, N 1053. P. 205-216.

136. Boiling G. P., Richman R. M. Continual mechanical twinning //Acta-Met. 1965. V. 13, N7. P. 709-757.

137. Isaburo T. Twinning in fan-type microcrystals of Zn and Cd // Jap. J. Appl. Phys. 1974. V. 13, N 1. P. 1893-1897.

138. Man Y. H., Wei С. T. Twinning in Zinc by indelation // J. Appl. Phys. 1967. V. 38, N. 7. P. 1974-2976.

139. King A. H. Step heights associated with grain boundary dislocations in cubic crystals // Acta Met. 1982. V. 30, N 2. P. 419-427.

140. Steegmuller C., Daniel I. S. Slip in Bismuth // J. Less. Com. met. 1972. V. 27,N1.P. 81-85.

141. Shan B. S. A note an the plastic deformation of bismuth single crystals // Curr. Sci. (India). 1972. V. 41, N 17. P. 632-633.

142. Motohashi J. Elastic energy, stability and intaraction of slip dislocation and the choice of slip systems in rhombonedral crystals Bi, Sb, As and Hg // Phys. Stat. Sol. A. 1978. V. 50, N 1. P. 335-347.

143. Holl E. O. Twinning and Diffusionless Transformations in Metals. L. 1954. 181 p.

144. Iohnsen A. A. Atombewegengen in Bi // Zbl. Mineral. Geol. und Palantal. 1916. A. 385 s.

145. Сойфер Jl. M., Старцев В. Н. О некоторых явлениях, наблюдаемых при деформации монокристаллов сурьмы // ДАН СССР. 1960. Т. 134, №4. С. 795-798.

146. Сойфер Л. М., Старцев В. Н. Движение дислокаций в кристаллах сурьмы//ДАН СССР. 1961. Т. 138, №5. С. 1084-1087.

147. Wagner R. S., Brown Н. Growth of bismuth crystals from the melt by a twin plane mechanism // Trans. Metal. Soc. AIME. 1962. V. 24, N 6. P. 1185-1188.

148. Dislocation Etoh Rits in Antimony // J. Appl. Phys. 1958. V. 29, N 7. P. 1013-1018.

149. Yoshikoba M., Otake Syniche. Plastic deformation and dislocation eth-pitdistrobution due to the {001} <110> glide system for bismuth single crystals // J. Jap. Inst. Metals. 1973. V. 37, N 9. P. 978-985.

150. Shunya I. High speed dislocation and twinning // Sol. Stats. Phys. 1975. V. 10, N 11. P. 589-595.

151. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Механическое двойникование кристаллов типа висмута. Препринт. Благовещенск: АмурКНИИ ДВО РАН. 1996. 26 с.

152. Бойко В. С., Гарбер Р. Н., Кривенко Л. Ф. Силы сопротивления движению двойникующих дислокаций // Динамика дислокаций. Харьков: ФТИНТАНУССР. 1968. С. 173-183.

153. Косевич А. М. Дислокации в теории упругости. Киев: Наукова думка. 1978.220 с.

154. Башмаков В. И., Чикова Т. С. Кинетика образований клиновидных двойников в кристаллах висмута // ФММ. 1981. Т. 51, № 5. С. 10661072.

155. Башмаков В. И., Чикова Т. С. Новый вид взаимодействия двойнико-вания и скольжения // ДАН СССР. 1981. Т. 259, № 3. С. 582-583.

156. Башмаков В. И., Чикова Т. С., Юдин М. Д. Роль стопоров в развитии клиновидных двойников в металлических кристаллах / Ред. журн. «Изв. АН БССР. Сер. физ-мат. наук. Минск. 1983. 11 с. Рук. деп. в ВИНИТИ. 20.05.83. № 2728-83.

157. Amelinckx S. The direkt abservation of dislocations // New-York-London: Acad. Press. 1964. 484 p.

158. Bnatt V. P., Vyas A. R., Pandya G. R. Reactivity of some dislocations eti-hants on the clevage plane of Bi, Sb and Bi-Sb alloy single cristals // Inian. J. Pure and Appl. Phys. 1974. V. 12, N 12. P. 807-810.

159. Корнюшин Ю. В. Теория подвижности, эффекта Холла и магнетосо-противления в металлах с краевыми дислокациями // Несовершенства кристаллического строения. Киев: Наукова думка. 1968. С. 21-26

160. Кравченко В. Я. К теории электросопротивления металлов, обусловленного дислокациями // ФТТ. 1967. Т. 9, № 3. С. 836-841.

161. Канер Э. А., Фельдман Э. П. Влияние дислокаций на электропроводимость и гальваномагнитные эффекты в металлах // ФТТ. 1968. Т. 10, № 10. С. 3046-3052.

162. Прокошин В. И. Изменение электрического сопротивления висмута различной чистоты при пластической деформации и отжиге // ФММ. 1965. Т. 20, №5. С. 697-701.

163. Прокошин В. И. Изменение термоэлектродвижущей силы и коэффициента Холла висмута с примесью свинца при пластической деформации // ФММ. 1956. Т. 22, № 2. С. 199-203.

164. Прокошин В. И., Маскалик В. И., Анищик В. М. Изменение электрических и гальваномагнитных свойств монокристаллов висмута при пластической деформации // Вест. Белорус, ун-та. Сер. 1.1971. № 2. С. 67-70.

165. Прокошин В. И., Шепелевич В. Г. Изменение электросопротивления и дифференциальной термоЭДС поликристаллов висмута при пластической деформации // Вест. Белорус, ун-та. Сер. 1. 1972. № 3. С. 53-55.

166. Прокошин В. И., Шепелевич В. Г. Изменение свойств переноса висмута и его сплавов при пластической деформации // Полуметаллы и полупроводники с узкой запрещенной зоной. Львов: ЛГУ. 1973. С. 122124.

167. Прокошин В. И., Шепелевич В. Г. Изменение электрических и гальваномагнитных свойств сплава ВьТе при пластической деформации // Изв. вузов. Физика. Томск. 1974. 9 с. Рук. деп. в ВИНИТИ. № 219374 Д.

168. Прокошин В. И., Шепелевич В. Г. Изменение термоЭДС висмута и его сплавов при пластической деформации // Вест. Белорус, ун-та. Сер. 1. 1975. №3. С. 56-59.

169. Прокошин В. И., Шепелевич В. Г. Изменение электрических и гальваномагнитных свойств монокристаллов сплава ВьТе при пластической деформации // Изв. АН БССР, сер. физ-тех. наук. 1975. № 4. С. 24-26.

170. Прокошин В. И., Шепелевич В. Г. Термоэлектрический коэффициент мощности висмута и его сплавов // Вест. Белорус, ун-та. Сер. 1. 1978. № 3.С. 68-71.

171. Шепелевич В. Г. Исследование структуры и процессов переноса в висмуте и его сплавах при пластической деформации: Дис... канд. физ.-мат. наук. Минск: БГУ. 1976. 140 с.

172. Жукова С. Н. Влияние структурных несовершенств на электрические свойства и процессы ползучести кристаллов висмута: Дис... канд. физ.-мат. наук. Минск: БГУ. 1983. 207 с.

173. Якутович М., Яковлева Э. О кинетике механического двойникования //ЖЭТФ. 1935. Т. 5, № 7. С. 1171-1177.

174. Лифшиц И. М. О макроскопическом описании явления двойникования кристаллов // ЖЭТФ. 1948. Т. 18, в. 42. С. 1134-1143.

175. Старцев В. И., Косевич В. М., Томенко Ю. С. Изучение пересечения двойниковых прослоек в монокристаллах сурьмы, висмута и цинке // Кристаллография. 1956. Т. 1, № 4. С. 401-417.

176. Старцев В. И., Бенгус В. В., Комник С. Н., Лаврентьев Ф. Ф. Взаимодействие дислокаций при двойниковании кристаллов // Кристаллография. 1963. Т. 8, № 4. С. 632-640.

177. Косевич А. М., Бойко В. С. Дислокационная теория упругого двойникования кристаллов //УФН. 1971. Т. 104, в. 2. С. 201-254.

178. Косевич А. М., Бойко В. С. Дислокационная теория двойникования кристаллов// Косевич А. М. Дислокационная теория упругости. Киев: Наукова думка. 1978. С. 127-177.

179. Левицкий Ю. Т. Макроскопические дефекты кристаллической структуры и свойства материалов. М.: Наука. 1988. 200 с.

180. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир. 1974. 463 с.

181. Старцев В. И., Косевич В. М. Об упругом двойниковании металлов // ДАН СССР. 1955. Т. 101, № 5. С. 851-864.

182. Старцев В. И., Косевич В. М. О рельефе, создаваемом двойниковыми прослойками на плоскости спайности Bi, Sb, Zn // ФММ. 1956. T. 2, в. 2. С. 320-327.

183. Лаврентьева Ф. Ф., Старцев В. И. О структуре области аккомодации в монокристаллах цинка и висмута // ФММ. 1962. Т. 13, в. 3. С. 441-450.

184. Лаврентьев Ф. Ф. Взаимодействие дислокаций в цинке, висмуте и сурьме при двойниковании // ФММ. 1964. Т. 18, в. 3. С. 428-435.

185. Гарбер Р. И. Отжиг двойникованных кристаллов кальцита и натриевой селитры // ЖЭТФ. 1947. Т. 17, № 1. С. 63-67.

186. Гиндин И. А., Старцев В. М. О двойниковании висмута // ЖЭТФ. 1950. Т. 20, № 20, в. 8. С. 738-741.

187. Райе Г. Б. К вопросу о существовании переходного слоя в механически двойникованных кристаллах // ДАН СССР. 1956. Т. 106, № 5. С. 101104.

188. Гарбер Р. И. Механические свойства единичных двойниковых прослоек//ФТТ. 1959. Т. 1, № 5. С. 814-835.

189. Гарбер Р. И., Степина Е. И. Фигуры травления заклинившихся упругих двойников // Кристаллография. 1960. Т. 5, № 5. С. 811-813.

190. Косевич В. М., Башмаков В. И. Исследования упругих стадий двойни-кования в монокристаллах // Кристаллография. 1959. Т. 4, в. 5. С. 749755.

191. Косевич В. М. О взаимодействии двойниковых прослоек с препятствиями // Кристаллография. 1960. Т.54, в. 6. С. 917-923.

192. Гарбер Р. Н., Степина Е. И. Дефекты на границах двойниковых прослоек // ФТТ. 1961. Т. 3, № 2. С. 514-519.

193. Гарбер Р. Н., Неклюдов H. М., Перунина Л. М. Упрочнение висмута при программном нагружении//ФММ. 1961. Т. 11,№1.С. 108-114.

194. Гарбер Р. Н., Степина Е. И. Скорость исчезновения упругих двойников в кальците // ФТТ. 1965. Т. 7, № 1. С. 161-166.

195. Солдатов В. П., Старцев В. И. Об упругом двойниковании кристаллов висмута//ФТТ. 1964. Т. 6, в 6. С. 1671-1675.

196. Солдатов В. П., Старцев В. И. Начальная стадия развития двойников в металлических кристаллах // Физическая природа пластической деформации. Киев: Наукова думка. 1966. С. 30-48.

197. Солдатов В. П., Старцев В. И. О равновесной форме двойника, затормозившегося у препятствий // ДАН СССР. 1966. Т. 166, № 3. С. 588591.

198. Солдатов В. П. Изучение механизма распространения упругих двойников в металлах // ФММ.1966. Т. 22, в. 6. С. 925-930.

199. Башмаков В. И., Солдатов В. П. Некоторые свойства границ остаточных двойниковых прослоек // ФММ .1963. Т. 16, №. 5. С. 768-775.

200. Башмаков В. И., Яковенко Н. Г. Экспериментальное исследование гистерезисных свойств остаточных двойниковых прослоек в кристалле висмута // ФММ .1968. Т. 26, №. 4. С. 606-609.

201. Башмаков В. И., Яковенко Н. Г., Заровная Л. Ф. Влияние примесей на гистерезисные свойства остаточных двойниковых прослоек в кристаллах висмута // ФММ .1970. Т. 29, №. 5. С. 947-951.

202. Башмаков В. И., Бродский М. М. Кинетика двойникования и раздвой-никования кристаллов висмута // Кристаллография. 1972. Т. 17, № 4. С.833-836.

203. Башмаков В. И., Бродский М. М. Влияние закалки, легирования и окисления поверхности кристаллов висмута на скорость двойникования//ФММ. 1973. Т. 35, №. 1. С. 163-168.

204. Владимирский К. В. О двойниковании кальцита // ЖЭТФ. 1947. Т. 17, в. 6. С. 530-536.

205. Косевич А. М., Пастур Л. А. Соотношение между дислокационной теорией двойников и макроскопической теорией Лифшица // ФТТ. 1963. Т. 5, №. 7. С. 1970-1978.

206. Лифшиц И. М., Обреимов И. В. Несколько соображений о двойнико-вании СаСОз // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1948. Т. 12, № 2. С. 65-80.

207. Конторова Т. А. К вопросу о существовании переходных зон в двой-никованных кристаллах // ЖЭТФ. 1942. Т. 12, № 12. С. 58-78.

208. Степанов А. В. О влиянии механического двойникования // ЖЭТФ. 1947. Т. 17, в. 8. С. 713-723.

209. Косевич А. М., Пастур Л. А. О дислокационной модели двойника // ФТТ. 1961. Т. 3, № 4. С. 1290-1297.

210. Косевич А. М., Пастур Л. А. Форма тонкого двойника, расположенного под углом к поверхности // ФТТ. 1961. Т. 3, № 6. С. 1871-1875.

211. Косевич А. М., Пастур Л. А. Тонкий двойник у плоской поверхности анизотропного тела // ФТТ. 1962. Т. 4, № 6. С. 1679-1680.

212. Косевич А. М. Некоторые вопросы дислокационной теории двойников // ФТТ. 1962. Т. 4, № 5. С. 1103-1112.

213. Бродский М. М., Солдатов В. П., Старцев В. И. Некоторые характеристики процесса размножения двойникующих дислокаций // Динамика дислокаций. Харьков. АН УССР. 1968. С. 252-261.

214. Бойко В. С., Гарбер Р. И., Петров Н. Н., Соловьев А. В. Математическое моделирование двойникующей дислокации // ФТТ. 1976. Т. 18, № 10. С. 3113-3115.

215. Бойко В. С., Гарбер Р. И., Петров Н. Н., Соловьев А. В. Математическое моделирование линейных и поверхностных дефектов // ФТТ. 1977. Т. 19. № 1.С. 148-151.

216. Бойко В. С., Гарбер Р. И., Стольник А. И., Федорова Л. И. Форма конца свободного упругого двойника // УФЖ. 1979. Т. 24, № 9. С. 1399-1401.

217. Бойко В. С. Дислокационное описание движения границы остаточного двойника//ФТТ. 1980. Т. 22, №4. С. 1066-1071.

218. Косевич А. М. Физическая механика реальных кристаллов. Киев: Нау-кова думка. 1981. 328 с.

219. Гарбер Р. И., Гиндин И. А. Физика прочности кристаллических тел // УФН. 1960. Т. 70, № 1. С. 57-100.

220. Старцев В. И. Упрочнение и двойникование кристаллов // Физика деформационного упрочнения монокристаллов . Киев: Наукова думка. 1972. С. 215-228.

221. Башмаков В. И., Босин М. Е., Пахомов П. JI., Шинкаренко С. П. Количественное описание циклического упрочнения клиновидных двойников в металлических кристаллах // УФЖ. 1973. Т. 18, № 3. С. 397403.

222. Башмаков В. И., Босин М. Е., Варик В. И. Влияние нейтронного облучения на свойства клиновидных двойников в кристаллах висмута // Проблемы прочности. 1973, № 4. С. 80-82.

223. Башмаков В. И., Босин М. Е., Шинкаренко С. П. Зависимость подвижности некогерентных двойниковых границ от амплитуды пульсирующих напряжений // УФЖ. 1973. Т. 18, № 6. С. 1025-1027.

224. Башмаков В. И., Босин М. Е., Шинкаренко С. П. Единичные двойники и хрупкое разрушение металлических кристаллов // Проблемы прочности. 1973, №12. С. 44-49.

225. Башмаков В. И., Босин М. Е., Лаврентьев Ф. Ф., Паниров И. И. Влияние легирования на дуформационные упрочнения двойниковых прослоек в кристаллах висмута и бериллия при пульсации напряжений // Проблемы прочности. 1974, № 1. С. 80-84.

226. Косевич В. М., Башмаков В. И. Изучение отдыха двойникованных монокристаллов//ФММ. 1961. Т. 11, в. 1. С. 100-107.

227. Startsev V. I., Soldatov V. P., Brodsky M. M. The rate of twin Layer growth in bismuth single crystals // Phys. Stat. Sol. 1966. V. 18, N 2. P. 863871.

228. Башмаков В. И. Физические закономерности механического двойни-кования гексагональных и ромбоэдрических металлических кристаллов под действием статических переменных и импульсных нагрузок. Автореф. дис... доктора физ.-мат. наук. Киев. 1987. 33 с.

229. Башмаков В. И., Яковенко Н. Г. Эффект Баушингера при двойникова-нии кристаллов висмута и цинка // Изв. вузов. Физика. 1969. № 1. С. 48-51.

230. Башмаков В. И., Яковенко Н. Г. Эффект Баушингера на разных границах двойников в кристаллах висмута и цинка // УФЖ. 1969. Т. 14, № 7. С. 1195-1200.

231. Башмаков В. И., Скалько Л. А., Яковенко Н. Г. Проявление эффекта Баушингера при упругом расширении клиновидных двойников // ФММ. 1969. Т. 28, № 5. С. 936-940.

232. Башмаков В. И., Яковенко Н. Г. Баушингеровское упрочнение двойниковых границ в кристаллах висмута и цинка // УФЖ. 1970. Т. 15, № 5. С. 775-779.

233. Башмаков В. И., Лященко Т. И., Яковенко Н. Г. Влияние амплитуды напряжений на гистерезис единичных двойников в сплавах висмута // ФММ. 1971. Т. 31,№6. С. 1306-1307.

234. Башмаков В. И., Неклюдов И. М., Яковенко Н. Г. Прямое и возвратное двойникование кристаллов при различных скоростях нагружения // ФММ. 1971. Т. 31, № 3. С. 595-599.

235. Башмаков В. И., Яковенко Н. Г. Изменение эффекта Баушингера при отдыхе сдвойникованных кристаллов // Изв. вузов. Физика. 1971, № 4. С. 113-117.

236. Башмаков В. И., Босин М. Е. Разупрочнение двойниковых границ в кристаллах висмута и цинка при повторных нагрузках // УФЖ. 1071. Т. 15, №6. С. 1036-1038.

237. Башмаков В. И., Босин М. Е. Свойства единичных двойников в металлических кристаллах при пульсирующих нагрузках // ФТТ. 1971. Т. 13, № 8. С. 2475-2477.

238. Башмаков В. И., Босин М. Е., Пахомов П. JI. Феноменологическое описание эффекта Баушингера на единичных двойниках в металлических кристаллах // УФЖ. 1971, № 12. С. 2202-2209.

239. Башмаков В. И., Шинкаренко С. П. Движение границ некогерентных двойников при циклировании // Изв. вузов. Физика. 1972, № 9. С. 125127.

240. Башмаков В. И., Босин М. Е., Лаврентьев Ф. Ф. Исследование взаимодействия двойникующих дислокаций с дислокациями леса в кристаллах цинка // Проблемы прочности. 1972, № 12. С. 74-78.

241. Bashmakov В. I., Bosin М. I., Lavrentiev F. F. The Inffuence of Forest Dislocations on the Mobility of Twin Baundaries in Zn Crystals // Phys. Stat. Sol. 1974, Ser. A. V. 22. P. 305-314.

242. Налетов В. Л., Ланкин С. В., Николаев В. И. О Двойниковании монокристаллов висмута: Тез. докл. 3 симпозиума по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны / Львов: ЛГУ АН УССР. 1974. С. 61.

243. Грабов В. М., Иванов Г. А., Ланкин С. В., Налетов В. Л., Овсянов В. М. Двойникование кристаллов типа висмута в процессе выращивания и при механических воздействиях и влияние двойников на физические свойства кристаллов // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы / Мат. 5 Всесоюзного симпозиума. Ч. 2. Львов: ЛГУ. 1980. С. 263.

244. Грабов В. М., Иванов Г. А., Налетов В. Л., Овсянов В. М., Парахин А. С. Блочная структура кристаллов висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма, выращенных методом зонной перекристаллизации // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1982. Т. 18, № 1. С. 33-38.

245. Грабов В. М., Налетов В. Л., Овсянов В. М. О двух типах двойников в кристаллах висмута и сплавах висмут-сурьма // Физика твердого тела / Тез. докл. к межвуз. науч. конф. Барнаул: БГПИ. 1982. С. 111-112.

246. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Влияние примеси на движение двойников и явления переноса в двойникованных кристаллах висмута // Полуметаллы и сегнетоэлектрики . Л.: ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1977. С. 46-48.

247. Ланкин С. В., Суворовцев А. Н. Определение содержания двойников в висмуте и его сплавах с помощью магнитной восприимчивости // Полуметаллы и сегнетоэлектрики. Л.: ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1977. С. 59-52.

248. Ланкин С. В. К вопросу об изучении влияния двойников на электрические параметры кристаллов: Материалы совещания-семинара зав. каф. физики ВУЗов Урала-Сибирского региона. Свердловск: УрГУ. 1980. С. 44-45.

249. Иванов Г. А., Ланкин С. В. Ориентация двойников в монокристаллических образцах висмута // Электронные возбуждения и структурные дефекты в кристаллах. Хабаровск: ХГПИ. 1986. С. 22-26.

250. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т., Налетов В. Л. Кристаллографическая ориентация двойников в полуметаллах типа висмута / АмурКНИИ ДВНЦ АН СССР. Благовещенск. 1987. 10 с. Рук. дел. в ВИНИТИ. 27.03.87. №2241 В87.

251. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т., Ситников А. В. Расчет пространственной ориентации двойниковых прослоек в кристалле висмута // Науч.-тех. конф. по проблемам текстильной и легкой промышленности, механике, строительства и энергетике: Тез. докл. / Благовещенск: БПИ. 1993. 4.2. С. 56.

252. Левицкий Ю. Т., Палаженко В. И., Ланкин С. В. Мартенситные превращения в полуметаллах типа висмута // Электрификация технологи-

ческих процессов в АПК: Сб. науч. трудов. В. 2 / Благовещенск. Даль-ГАУ, 1995. С. 22-25.

253. Панкин С. В., Медовой А. И., Ситников А. В. Ориентация двойников в ромбоэдрических кристаллах типа висмута // Труды 2 международной конф. «Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов» / Александров. ВНИИСИМС. 1995. С. 426-433.

254. Ланкин С. В., Барышников С. В. Температурная зависимость скорости движения двойников в сплавах висмута // Физика твердого тела: Тез. докл. межвузовской науч. конф. / Барнаул: БГПИ. 1990. С. 20.

255. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Температурная зависимость скорости движения двойников в сплавах висмута // Физика и химия твердого тела: Тез. докл. международной школы-семинара / Благовещенск. АмурНЦ ДВО АН СССР. 1991. С. 207.

256. Ланкин С. В. Упрочнение кристаллов висмута механическим двойни-кованием // Модификация поверхности конструкционных материалов с целью повышения износостойкости и долговечности деталей машин: Тез. докл. регион, науч.-тех. семинара / Благовещенск. БТИ. 1992. С. 8.

257. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Кинетические характеристики роста двойников в сплавах висмута // Металлофизика. 1993. Т. 15, № 7. С. 8487.

258. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т., Ситников А. В. Энергетические характеристики роста двойников в сплавах висмута // Физика твердого тела: Тез. докл. межвузовской науч. конф. / Барнаул. БГПУ. 1994. С. 23-24.

259. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. , Медовой А. И. Кинематика роста двойников в сплавах висмута // Преподавание медико-биологических основ в вузе: Сб. науч. докл. Благовещенск: БГМИ. 1994. С. 75-82.

260. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Энергия двойника в полуметаллах типа висмута // Электрификация технологических процессов в АПК: Сб. науч. трудов. В. 3. Благовещенск: ДальГАУ. 1997. С. 77-79.

261. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. , Медовой А. И. Расчет энергии двойника кристаллов висмута // Труды 3 Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров ВНИИСИМС. 1997. Т. 2. С. 132-136.

262. Налетов В. Л., Овсянов В. М. Дифрактометрические исследование двойников в монокристаллах висмута // Итоги хоз. договорных исследований/ Сб. науч. работ. Курган: КГПИ. 1983. С. 56-59.

263. Налетов В. Л., Овсянов В. М. Кристаллографические системы координат в кристаллических решетках со структурой висмута // Итоги хоз договорных исследований / Сб. науч. работ. Курган: КГПИ. 1983. С. 60-64.

264. Налетов В. Л., Овсянов В. М. Возможности дифрактометрического исследования микродвойниковых прослоек в монокристаллах висмута и сплавов висмут-сурьма // Физика и химия твердого тела. Тез. докл. 2 Дальневосточной школы-семинара. Т. 1. Благовещенск: АмурКНИИ. 1988. С. 160-162.

265. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Развитие двойников в кристаллах висмута // Электрификация технологический процессов в АПК: Сб. науч. трудов. В. 2. Благовещенск: ДальГАУ. 1995. С. 30-32.

266. Мамулов С. А. Способ вычисления энергии решетки кристаллов. Ста-линск. НИГИ. 1961. 191 с.

267. Иванов Г. А., Ланкин С. В. Удельное электросопротивление двойни-кованных кристаллов висмута / МВ и ССО СССР. Ред. ж. «Известия вузов. Физика». Томск. 1985. 14 с. Рук. деп. в ВИНИТИ 22.04.85. № 2665-85Д.

268. Иванов Г. А., Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Дифференциальная тер-моЭДС двойникованных кристаллов висмута // Физика и химия твердого тела: Тез. докл. школы-семинара. Благовещенск: ДВНЦ АН СССР. 1985. С. 75-77.

269. Иванов Г. А., Панкин С. В. Левицкий Ю. Т. Влияние скольжения на электрические свойства висмута // Физика и химия твердого тела: Тез. докл. школы-семинара. Благовещенск: ДВНЦ АН СССР. 1985. С. 8182.

270. Иванов Г. А., Ланкин С. В. Эффект Холла в двойникованных кристаллах висмута / МВ и ССО СССР. Ред. ж. «Известия вузов. Физика». Томск. 1986. 18. с. Рук. деп. в ВИНИТИ. 23.06.86. № 4566-86В.

271. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Влияние двойникования на термоЭДС висмута // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. Т. 23, № 11. С. 1851-1857.

272. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Влияние двойников на кинетические свойства сплавов висмут-свинец // Физика и химия твердого тела: Тез. докл. школы-семинара. Благовещенск: АмурКНИИ ДВО АН СССР. 1988. Т. 1.С. 78-80.

273. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Насыщение двойниковыми прослойками кристаллов висмута // Физика и химия твердого тела: Тез. докл. школы-семинара. Благовещенск: АмурКНИИ ДВО АН СССР. 1988. Т. 1.С. 104-106.

274. Ланкин С. В. Механическое двойникование и влияние двойников на эффект Холла в кристаллах висмута: Сб. докл., посвященный 80-летию со дня рождения член.-кор. АН СССР, лауреата Гос. премии СССР Г. А. Смоленского. Благовещенск: БГПИ. ДВО АН СССР. 1990. С. 24-30.

275. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т., Левицкая Н. В. Влияние двойников на эффекты переноса в кристаллах со структурой висмута. Препринт. Благовещенск: АмурКНИИ ДВО РАН. 1996. 33 с.

276. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т., Левицкая Н. В. Термоэлектрические свойства двойникованных кристаллов висмута и их применение. Препринт. Благовещенск: АмурКНИИ ДВО РАН. 1997. 26 с.

277. Бойко В. С., Гарбер Р. И., Кривенко JT. Ф., Кривуля С. С. Звуковое излучение двойникующих дислокаций при выходе из кристалла // ФТТ. 1969. Т. 11, №12. С. 3624-3626.

278. Бойко В. С., Кривенко J1. Ф. Исследование пространственного распределения звукового излучения при пересечении поверхности скоплением дислокаций // ЖЭТФ. 1981. Т. 80, № 1. С. 255-261.

279. Бойко В. С., Кившик В. Ф., Кривенко JI. Ф. Условия регистрации импульсов акустической эмиссии, генерируемых при выходе на поверхность отдельных дислокаций // ЖЭТФ. 1982. Т. 82, № 2. С. 504-508.

280. Жданова В. В., Иванов Г. А., Инюткин И. А., Налетов В. Д., Николаев В. И., Регель А. Р., Сергеев В. П. Влияние двойниковых прослоек на тепловое расширение висмута и его сплавов с сурьмой // ФТТ. 1971. Т. 13, в. 1.С.-199-204.

281. Богод Ю. А., Веркин Б. И., Красовицкий В. Б., Цвинский С. В. Влияние двойников на магнетосопротивление Sb // Письма в ЖЭТФ. 1971. Т. 13, в. 9. С. 491-495.

282. Bogod Yu. A. Krasovitskii V. В. On the effects of single twinning interlay-ers on the electric conductivity and magnetoresistance of antimony single crystals // Phys. Stat. Sol. 1974 (В). V. 65, N 1. K1-K3.

283. Фискинд E. Э. Исследование кинетических явлений в гетерогенных слоистых средах и преобразователей энергии на их основе: Дис... канд. физ.-мат. наук. JI.: ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1981. 144 с.

284. Гуткин Т. С., Фискинд Е. Э. Термоэлектрические, гальвано и термомагнитные свойства гетерогенных слоистых сред (ГСС) // ФТП. 1984. Т. 18, №2. С. 234-237.

285. Оделевский В. И. Расчет обобщенной проводимости гетерогенных систем: 1. Матричные двухфазные системы с невытянутыми включениями. 2. Смеси. 3. Поликристаллы // ЖЭТФ. 1951. Т. 21, в. 6. С. 667685. С. 1379-1382.

286. Шкловский Б. И., Эфрос A. J1. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред // УФН. 1975. Т. 117, в. 3. С. 401-435.

287. Балагуров Б. Я. О проводимости анизотропных неоднороднох сред // ЖЭТФ. 1982. Т. 82, в. 6. С. 2053-2056.

288. Балагуров Б. Я. К теории проводимости анизотропных двухкомпо-нентных сред // ФТТ. 1985. Т. 27, № 8. С. 2376-2382.

289. Балагуров Б. Я. О проводимости неоднородных сред с малой концентрацией включений // ЖЭТФ. 1985. Т. 82, в. 5. С. 1796-1809.

290. Гандмахер Ф. Ф. Теория матриц. М.: Наука. 1988. 552 с.

291.Bogod Yu. A., Krasovitskii V. В. Experimental studies of magnetoresistance tensor components in bismuth of low temperatures // Phys. Status. Sol. (B). 1974. V. 65, N 2. P. 847-856.

292. Epstein S., De Bretteville A. Elastic constant of and wave propagation in antimony and bismuth // Phys. Rev. 1965. V. 148, N ЗА. P. 771-779.

293. Вустер У. Применение тензоров и теории групп для описания физических свойств кристаллов. М.: 1977. 384 с.

294. Левицкий Ю. Т. Явления переноса в пластически деформированных кристаллах сурьмы // АмурКНИИ ДВО АН СССР. Благовещенск 1989. 13 с. Рук. деп. в ВИНИТИ 06.02.89. № 771-В89.

295. Левицкий Ю. Т. Кинетические параметры носителей тока в двойнико-ванном висмуте и сурьме // АмурКНИИ ДВО АН СССР. Благовещенск: 1989. 14 с. Рук. деп. в ВИНИТИ 06.04.89. № 2243-В89.

296. Левицкий Ю. Т. Влияние двойников на явления переноса в сурьме // Керамические и композиционные материалы и их свойства. Благовещенск: ДВО АН СССР. 1989. С. 74-86.

297. Ланкин С. В., Худолеева Е. В. Подвижности носителей заряда двойни-кованных кристаллов висмута // Науч.-тех. конф. по проблемам текстильной и легкой промышленности, механике, строительства и энергетики: Тез. докл. Благовещенск: БПИ. 1983. Ч. 2. С. 58.

298. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Подвижности носителей заряда двой-никованных висмута и сурьмы // Оптические и электрические свойства конденсированных систем: Межвузовский сб. науч. трудов. Хабаровск: ХГПИ. 1993. С. 72-78.

299. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Влияние двойников на рассеяние носителей заряда в висмуте // Физика твердого тела: Тез. докл. межвузовской науч. конф. Барнаул: БГПУ. 1994. С. 21-22.

300. Ланкин С. В., Левицкий Ю. Т. Время релаксации носителей заряда в двойникованном висмуте // Физика и химия твердого тела: Сб. докл. международной школы-семинара. Благовещенск: АмурНЦ ДВО РАН. 1994. С. 13-20.

301. Дивин Н. П., Иванов Г. А., Левицкая Н. В., Левицкий Ю. Т. Микрокалориметры на анизотропных термоэлементах. Препринт. Владивосток: ДВО АН СССР. 1987. 28 с.

302. Ланкин С. В., Левицкая Н. В. ЭДС анизотропного термоэлемента, содержащего двойник // Электрификация технологических процессов в АПК: Сб. науч. трудов. В. 3. Благовещенск: ДальГАУ. 1997. С. 74-76.

303. Пилат И. М., Чайка С. В., Пироженко С. И., Круглова Н. В. Анизотропия термоЭДС в магнитном поле монокристаллов висмута // ФТТ. 1975. Т. 17, в. 5. С. 1442-1445.

304. Круглова Н. В. Влияние двойников в монокристаллах висмута на маг-нетотермоЭДС и гальваномагнитное охлаждение // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы. Львов: ЛГУ. 1975. Ч. 4. С. 47-50.

305. Пилат И. М., Круглова Н. В., Чайка С. В., Пироженко С. И. Влияние двойниковых прослоек на магнетотермоЭДС монокристаллов висмута // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. Т. 15, № 2. С. 188-192.

306. Новикова Т. А. Влияние двойниковых прослоек в монокристаллах висмута на анизотропию кинетических коэффициентов // Полупро-

водники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы. Львов: ЛГУ. 1980. Ч. 2. С. 223-226.

307. Хайкин М. С., Хлюстиков И. Н. Плоскость двойникования металлического кристалла - двумерный сверхпроводник // Письма в ЖЭТФ. 1981. Т. 33, № 3. С. 167-170.

308. Хайкин М. С., Хлюстиков И. Н. Сверхпроводимость слоя микроскопических кристаллов - двойников // Письма в ЖЭТФ. 1981. Т. 34, № 4. С. 207-211.

309. Хлюстиков И. Н., Буздин А. И. Локализованная сверхпроводимость в двойникованных металлических кристаллах // УФН. 1988. Т. 155, № 1. С. 47-88.

310. Хлюстиков И. Н. Влияние дефектов на кристаллические параметры сверхпроводимости плоскости двойникования // ЖЭТФ. 1989. Т. 96, № 6. С. 2073-2081.

311. Hirose A. Mathematical theory of multi-dimensional thermaelectricity with some experimental profs. // J. Inst. Electr. Eng. Jap. 1950. V. 74, N 9. P. 1056-1062.

312. Harman Т. C., Honig J. M. Theory of galvano-thermomagnetic energy conversion on devices. 3. Generator constructed from anisitropic materials //J. Appl. Phys. 1963. V. 34, N 1. P. 189-194.

313. Samoilovich A. G., Nitsovich M. V., Nitsovich V. M. On the theory of anisotropic thermoelectric power in semiconductors // Phys. Status. Solidi. 1966. V. 16, N2. P. 459-465.

314. Wadso J. Design and testing of a micro reaction calorimeter // Acta chem. scand. 1968. V. 22. P. 927-937.

315. Jones R. W., Knap G. S., Veal B. W. A new differential calorimetry technique // Rev. Sci. Instrum. 1973. V. 44, N 7. P. 807-810.

316. Мунтяну Ф. М., Дубковецкий щении поверхности Ферми в тройного полуметалла // ФТТ.

Ю. А., Ким С. Ф., Киоссе Г. А. О вра-переходном слое бикристаллов анизо-1997. Т. 39, в. 10. С. 1713-1716.