Влияние химической структуры полиариленфталидов на транспорт носителей заряда тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат физико-математических наук Юсупов, Азат Равилевич

• Юсупов, Азат Равилевич
• кандидат физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Юсупов, Азат Равилевич

СОДЕРЖАНИЕ.

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ:.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Общие сведения об электропроводящих полимерах.

1.2. Основные механизмы транспорта носителей заряда в полимерных материалах.

1.2.1. Прыжковая проводимость.

1.2.2. Прыжки на ближайшие центры.

1.2.3. Прыжки с переменной длиной прыжка.

1.2.4. Прыжковый транспорт по центрам с гауссовым распределением энергетических уровней.

1.2.5. Эффект Пула-Френкеля.

1.2.6. Модель дипольных ловушек.

1.3. Транспорт носителей заряда в несопряженных системах.

1.4. Транспорт носителей в трехэлектродных вертикальных структурах. 36 1.4.1. Теоретическая модель полимерного сеточного триода (РОТ).

1.5. Управление транспортом носителей заряда в многослойных гетероструктурах.

1.5.1. Органический транзистор с металлической базой.

1.5.2. Вертикальный органический полевой транзистор.

1.5.3. Полимерный сеточный триод.

1.5.4. Органическим вертикальный транзистор.

ГЛАВА II. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1 Полиариленфталиды и их свойства.

2.2. Изготовление пленочных образцов.

2.3. Методика измерения вольтамперных характеристик структур металл/полимер/металл.

2.4. Методика измерения подвижности носителей заряда методом СЕЫУ

2.5. Методика измерения подвижности носителей заряда времяпролетным методом.

2.6. Методика измерения вольтамперных характеристик в вертикальной трехэлектродной структуре.

2.7. Методика измерения проводимости четырехзондовым методом для образца произвольной формы.

2.8. Анализ ошибок измерений.

2.8.1. Прямые измерения.

2.8.2. Косвенные измерения.

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНСПОРТА ЗАРЯДОВ ВДОЛЬ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА ДВУХ ОРГАНИЧЕСКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ.

3.1 Кинетические свойства однослойных пленок полидифениленфталида.

3.2. Электрофизические свойства границы раздела.

3.3. Исследование дрейфовой подвижности носителей заряда в многослойной пленочной структуре.

3.4. Исследование транспорта носителей заряда в полимерной пленке методом CELIV.

3.5. о механизме проводимости вдоль границы двух органических диэлектриков.

Выводы к третьей главе.

ГЛАВА IV. ОСОБЕННОСТИ ТРАНСПОРТА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТРЕХЭЛЕКТРОДНОЙ ВЕРТИКАЛЬНОЙ СТРУКТУРЕ.

4.1. Исследование транспорта носителей в структуре вертикального транзистора.

4.2. Исследование влияния структуры среднего электрода на транспорт носителей заряда.

4.3. Нарушение аддитивности сопротивлений структуры металл/полимер/металл/полимер/металл.

4.4. Влияние потенциальных барьеров на транспорт носителей заряда.

4.4.1 Потенциальный барьер на границе металл/полимер.

4.4.2 Влияние химической структуры полимера на величину потенциального барьера на границе металл/полиариленфталид.

4.4.3 Роль потенциальных барьеров в структуре из двух слоев полимера.

Выводы к четвертой главе.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние химической структуры полиариленфталидов на транспорт носителей заряда»

Актуальность темы:

Все достижения в органических электропроводящих материалах связаны с возможностью изменения их химической структуры. В настоящее время таким магистральным направлением органической электроники считается синтез новых и модификация имеющихся органических материалов. В этой связи изучение закономерностей взаимосвязи химической структуры и физических свойств полимерных материалов является важным.

В настоящее время наиболее изученными и нашедшими применение в органической электроники являются полимеры с ненасыщенными (сопряженными) химическими связями, основная цепь которых состоит из последовательности я-связей. Связано это, прежде всего с тем, что в этих полимерах возможен электронный транспорт. Так за последние 30 лет двадцатого столетия установлено, что электропроводность полимеров может изменяться достаточно в широких пределах 10"9-106 Ом"'м-1. Однако, несмотря на это, подвижность носителей заряда в проводящих л-сопряженных полимерах значительно ниже, чем в неорганических полупроводниках. Общим для электрических свойств полимеров является их зависимость от воздействия электрического поля, в то же время эта зависимость может быть обусловлена весьма различными молекулярными механизмами. Отсутствие единой точки зрения на проблему переноса носителей заряда в л-сопряженных полимерах является серьезной проблемой, поскольку наличие носителей заряда вызывает значительные локальные деформации молекулярной структуры, которые существенно больше чем в неорганических полупроводниках. Однако существующие теоретические модели транспорта носителей заряда в полимерных материалах позволяют решать определенный круг задач, что позволяет эффективно конструировать на основе л-сопряженных полимерах электронные устройства (органические светоизлучающие диоды, транзисторы, сенсоры и т.д.)

Отсутствие проводимости в объемных полимерных диэлектриках позволяет обнаружить в них ряд более тонких электрических эффектов. Так в 80-х годах в полимерных диэлектриках были обнаружены новые эффекты электронного переключения, электрические параметры которого сильно зависели от внешних условий (температуры, давления, толщины, величины электрического поля и т.д.). Подобные эффекты наблюдаются и достаточно хорошо экспериментально исследованы в широкозонных несопряженных полимерах из класса полиариленфталидов. Однако до сих пор остается вопрос, каким образом в этих материалах, в которых должна отсутствовать высокая концентрация свободных носителей заряда могут возникать высокие значения электропроводности, близкие к металлическим, без введения каких-либо допантов. Модели, предложенные для описания транспорта носителей заряда, часто носят частный характер и не дают полного описания явлений. Например, нет качественного объяснения зависимости критической толщины (толщины, при которой еще наблюдаются переход в высокопроводящее состояние) от внешних воздействий и структуры исследуемого образца. Не ясны источники носителей заряда в полимерной пленке при различных способах генерации

Т)Т ТЛЛТСЛТТЛЛЛЛ ТТГТТТТОТ-ТЧ Л/\ЛТ/ЛГТТТТ1ГТ 13 ТА лтла ттглл» <гст лттилоттпа ТТО ТТТ/"Ч ТТО ОЛ ЯТ IV эффектов сводится к сложным процессам на границах металл/полимер, полимер/полупроводник и полимер/полимер, которые до сих пор полностью не изучены. Поняв эти физико-химические процессы, можно приблизиться к созданию физической модели, которая адекватно опишет процесс генерации и переноса носителей заряда в объеме полимерной диэлектрической пленки, и позволит найти широкое применение обнаруженным физико-химическим явлениям в органической электронике в качестве активной элементной базы.

Цель работы:

Целью работы явилось изучение закономерностей влияния химической структуры полиариленфталидов и изготовленных на их основе многослойных гибридных металл - полимерных систем на электронные транспортные свойства.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследование проводимости вдоль границы раздела двух полимерных пленок.

2. Изучение транспорта неравновесных и равновесных носителей заряда в многослойных структурах при наличии границы раздела двух полимерных пленок.

3. Исследование особенностей транспорта носителей заряда в многослойной трехэлектродной структуре металл/полимер/металл/ полимер/металл.

4. Исследование влияния структуры полимера на величину потенциального барьера на границе металл/полимер.

Научная новизна:

Установлена новая возможность создания органических систем на основе несопряженных полимеров класса полиариленфталидов с высокими значениями электропроводности путем формирования области двумерного электронного газа вдоль границы раздела двух полимерных материалов.

Впервые показана возможность управления проводимостью в многобарьерной структуре на основе широкозонных полимеров. Выявлена роль химической структуры полимеров в формировании потенциальных барьеров на границе метал л/полимер.

Установлен нетривиальный вклад химической структуры, формирующейся вдоль интерфейса полимер/полимер, на перенос пакета носителей заряда во времяпролетном эксперименте.

Практическая значимость:

Установлена возможность улучшения кинетических характеристик носителей заряда в многослойных металл - полимерных структурах путем создания двумерной области вдоль границы раздела двух полимерных материалов.

Показана возможность управления проводимостью в широких пределах в многобарьерной структуре на основе широкозонного полимера. Полученная таким образом система может быть использована для проектирования вертикальных транзисторов с наноскопической длиной базы и с малыми значениями входных параметров.

Исследованные структуры могут быть использованы для создания электронных устройств, таких как органические транзисторы, сенсоры, электронные ключи, элементы памяти.

Установлена возможность прогнозирования электрофизических свойств барьерных металл/полимерных структур путем выбора подходящих химических структур полимеров.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Юсупов, Азат Равилевич

Выводы к четвертой главе.

1. Величина потенциального барьера на границе металл/полимер зависит от химической структуры полимера. Изменение скелетной части полимерной молекулы может приводить к существенному изменению величины потенциального барьера. В частности при изменении скелетной части от дифениленсульфида до дифениленоксида изменяется потенциальный барьер на 0.1 эВ (от 0.23 эВ до 0.33 эВ). Тем самым появляется возможность целенаправленного управления электронными параметрами интерфейса металл/полимер путем изменения химической структуры полимера. Использование методов квантово-химического моделирования электронной структуры полиариленфталидов позволяет прогнозировать относительные изменения потенциального барьера на границе раздела металл/полимер, что может иметь большое значение при проектировании приборов молекулярной электроники.

2. Анализ полученных результатов измерений на многослойной трехэлектродной структуре позволяет сделать вывод, что действительно возможно управление проводимостью в тонких полимерных пленках, входящих в многослойную структуру, путем изменения потенциала на среднем электроде. Тем самым показана возможность использования несопряженного полимера из класса полиариленфталидов в устройствах типа тонкопленочного вертикального транзистора.

3. Установлено, что в многослойных (трехэлектродных) вертикальных структурах наблюдается нарушение аддитивности сопротивлений структуры (металл/полимер/металл/полимер/металл). В частности, сумма сопротивлений слоев экспериментальных структур в 5-7 раз превышает общее сопротивление всей структуры. Данный эффект может быть объяснен на основе представлений о квантоворазмерных эффектах с использованием модели многобарьерной системы, в которой наблюдается резонансное туннелирование носителей заряда обусловленное интерференцией волн де Бройля.

Заключение и основные выводы.

1. Величина потенциального барьера на границе металл/полимер зависит от химической структуры полимера. Изменение скелетной части полимерной молекулы приводит к существенному изменению величины потенциального барьера. В частности при изменении скелетной части от дифениленсульфида до дифениленоксида потенциальный барьер изменяется на 0.1 эВ (от 0.23 эВ до 0.33 эВ) Тем самым появляется возможность прогнозирования и управления электронными параметрами интерфейса металл/полимер.

2. В многослойной трехэлектродной структуре металл/полимер/ металл/полимер/металл изменение проводимости происходит за счет перераспределения параметров, входящих в структуру потенциальных барьеров при изменении потенциала на среднем электроде. Одним из следствий этого эффекта является нарушение принципа аддитивности сопротивлений в такой структуре. В частности сумма сопротивлений слоев экспериментальных структур в 5-7 раз превышает общее сопротивление всей структуры.

3. Установлено, что вдоль интерфейса между двумя пленками несопряженного полимера полидифениленфталида возникает аномально

2 2 11 высокая проводимость и подвижность (// ~ 3.76-10" см В" с") носителей заряда, значительно превышающие объемные параметры (// ~ 5-10"6 см2-В"'-с1') материала.

4. Установлен разный вклад равновесных и неравновесных носителей заряда на транспортные свойства тонких многослойных пленок, в частности: а) параметры неравновесных носителей заряда изменяются таким образом, что уменьшается характерное время спада переходного тока при увеличении числа интерфейсов. Таким образом, при толщине монослойной пленки толщиной ~2 мкм Т,= 5 мс, соответственно для двухслойной толщиной ~4 мкм Т(=4 мс и трехслойной толщиной ~6 мкм Т,= 1 мс. б) параметры равновесных носителей заряда слабо зависят от количества интерфейсов. При этом наблюдается тенденция уменьшения подвижности носителей заряда.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Юсупов, Азат Равилевич, 2013 год

1. Блайт Э.Р., Блур Д. Электрические свойства полимеров. // М.:Физматлит - 2008. - 378С.

2. Szent-Gyorgyi The study of energy levels in biochemistry A. // Nature. -1941. - V.148. -P.157-159.

3. Shirakawa H., Louis E.J., MacDiarmid A.G., Chiang C.K., Heeger. A. // J. Chem. Soc. Chem. Commun. -1977. P.578.

4. Jozefowicz M., Yu L. Т., Belorgey G., Perichon J., Buvet R. // J. Polym. Sci. C.- 1965.-V. 16.-P.2943.

5. Jen K.J., Miller G.C, Elsenbaumer R.L. // J. Chem. Soc. Chem. Commun. -1986.-P.1346.

6. Pope M., Swenberg Ch.E., Electronic Processes in Organic Crystals and Polymers, second edition // New York, Oxford, Oxford University Press, -1999.-P.1328.

7. Звягин И.П. Кинетические явления, в неупорядоченных полупроводниках. // М.: Изд-во Моск. ун-та. 1984. - 192С.

8. Fritzsche Н., Guevas М., Impurity Conduction in Transmutation-Doped p-Type Germanium // Phys. Rev. 1960. - V. 119. - P. 1238-1245.

9. Mansfield R., Abboudy S., Foozoni F., Hopping conduction in n-type indium phosphide // Philos. Mag. В 1988 - V.57 (6) - P.777-789.

10. Massey J. G., Lee. M., Direct Observation of the Coulomb Correlation Gap in a Nonmetallic Semiconductor, Si: В // Phys. Rev. Lett. 1995. - V. 75. - P. 4266-4269.

11. Bassler H., Localized states and electronic transport in single component organic solids with diagonal disorder// Phys.Status Solidi (B). 1981. - B. 107.-P.9-54.

12. Bassler H. Charge transport in disordered organic photoconductors. A Monte Carlo simulation study.// Phys.Status Solidi (B). 1993. - V. 175. - N. 1. -P.15-56.

13. Richert R., Pautmeier L., Bassler H., Diffusion and drift of charge carriers in a random potential: Deviation from Einstein's law // Phys.Rev .Lett. 1986. - V. 63.-P. 547-550.

14. Richert R., Pautmeier L., Bassler H., Hopping in a Gaussian Distribution of Energy States: Transition from Dispersive to Non-Dispersive Transport // Philos .Mag. Lett. 1989. - V.59. - P.325-331.

15. Richert R., Pautmeier L., Bassler H., Poole-Frenkel Behavior of Charge Transport in Organic-Solids with Off-Diagonal Disorder Studied by Monte-Carlo Simulation // Synth. Metals. 1990. - V. 37. - P.271-281.

16. Richert R., Pautmeier L., Bassler H. Anomalous Time-Independent Diffusion of Charge Carriers in a Random Potential under a Bias Field // Philos.Mag.B.1ПГЛ1 \7 СП Г) COT С(\Л 1УУ1,— V. UJ. r.JO/-Ul/i.

17. Borsenberger P.M., Pautmeier L., Bassler H., Charge transport in disordered molecular solids // J. Chem. Phys. 1991. - V. 94. - P.5447-5454.

18. Abkowitz M.A., Eelctronic transport in polymers // Philos.Mag.B. 1992. - V. 65. - N 4. - P.817-829.

19. Bassler H., Charge Transport in Disordered Organic Photoconductors a Monte Carlo Simulation Study // Phys.Status Solidi (B). 1993. - В 175.- P.15-56.

20. Borsenberger P.M., Bassler. H., The Role of Polar Additives on Charge Transport in Molecularly Doped Polymers. // Phys.Status Solidi (B). 1992. -B. 170. -P.291-302.

21. Шкловский Б.И, Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников // М.:Наука. 1979. - С.416.

22. Лифшиц И.М., Гредескул С.А., Пастур Л.А. Введение в теориюнеупорядоченных систем // М.:Наука. 1982. - С.360.25.3айман Дж., Модели беспорядка // М.:Мир. 1982. - С.591.

23. Бонч-Бруевич B.JI., Звягин И.П, Кайпер Р., Миронов А.Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., // Электронная теория неупорядоченных полупроводников, М.:Наука.- 1981.-С.383.

24. Borsenberger P.M., Pautmeier L., Bassler H., Nondispersive-to-dispersive charge-transport transition in disordered molecular solids // Phys.Rev.B. -1992. V.46. - P.12145-12153.

25. Frenkel J., On Pre-Breakdown Phenomena in Insulators and Electronic Semiconductors // Phys.Rev. 1938. - V. 54. - P. 647-648

26. Новиков C.B., Ванников A.B. Влияние электрического поля на подвижность зарядов в полимерах //Хим.Физика. 1991. - Т. 10. - С. 1692.

27. Schein L.B., Peled A., Glatz D. The electric field dependence of the mobility in molecularly doped polymers // J.Appl.phys. 1989. - V.66 - P.686

28. Салихов Р.Б., Лачинов A.H., Рахмеев Р.Г. О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний-полимер-металл. // Физика и техника полупроводников 2007. - т. 41. - вып. 10. - С. 1182-1186

29. Лачинов А.Н., Ковардаков В.И., Чувыров А.Н., Влияние объемного заряда на электронное переключение в полупроводниковых полимерах. // Письма в ЖТФ. 1989. - Т. 15.- - В.7. - С.24-29.

30. Ebisawa F., Kurokawa Т., Nara S. Electrical Properties of Polyacetylene/Polysiloxane Interface // J. Appl. Phys. 1983. - V.54. -P.3255.

31. Koezuka H., Tsumura A., Ando T. Field-effect transistor with polythiophene thin film // Synth. Met. 1987. - V.18. - P.699.

32. Halik M., Klauk H., Zschieschang U. et al. Low-voltage organic transistors with an amorphous molecular gate dielectric // Nature. 2004. - V.14 (9). -P.2987

33. Salleo A., Chen T.W., Volkel A.R. et al. Intrinsic hole mobility and trapping in a regioregular poly(thiophene) // Phys. Rev. B. 2004. - V.70. P.311.

34. Musa I., Eccleston W. Electrical properties of polymer/Si heterojuctions // This solid films 1999. V.343-344. - P.469-475.

35. Лачинов A.H., Жеребов А.Ю., Корнилов B.M. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении. // Письма в ЖЭТФ -1990. Т.52. - В.2. - С.742-745.

36. Ionov A.N., Lachinov A.N., Rivkin М.М., Tuchkevich V.M., Low-resistance state in polydiphenilenephthalide at low temperatures. // Solid State Communs. 1992. - V.82. - №8. - P.609-611.

37. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах // М:. Мир. 1982. - т.1. - С.252.

38. Gill W. G., Drift mobilities in amorphous charge-transfer complexes of trinitrofluorenone and poly-n-vinylcarbazole. // Appl. Phys. 1972. - V. 43. -P.5033-5040.

39. Pfister. G., Hopping transport in a molecularly doped organic polymer. // Phys. Rev. В. 1977-V. 16.-P. 3676-3687

40. Richert R., Pautmeier L., Bassler H. Hopping in a Gaussian Distribution of Energy States: Transition from Dispersive to Non-Dispersive Transport //1. Toff 1Q8Q V «1 llj IVV V • XJVlli^ 1У . V • V/«S • JL . I / .

41. Duke C.B. and Fabish T.J., Charge-Induced Relaxation in Polymers. // Phis. Rev. Lett. 1976. - V.37. - P.1075-1078

42. Лачинов A.H., Корнилов B.M., Загуренко Т.Г., Жеребов А.Ю., К вопросу о высокой проводимости несопряженных полимеров // ЖЭТФ. 2006, -т. 129. - вып.4. - С.728-734.

43. Hickmott T.W. Potential distribution and negative resistance in thin oxide films. // J. Appl. Phys. 1964. - V.35. - P.2679.

44. McElvain J., Heeger A.J. An analytic model for the polymer grid triode// J. Appl. Phys. 1996. - V.80. - P.4755

45. Fowler R.H. and Nordheim L., Electron Emission in Intense Electric Fields // Proc. R. Soc. London, Ser. A. 1928 - V.l 19 - P.l73-181.

46. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. // М.: Мир. 1984. - Кн.1. -С.456.

47. Simmons J.G., Generalized Formula for the Electric Tunnel Effect between Similar Electrodes Separated by a Thin Insulating Film // J. Appl. Phys. -1963.-V.34.-P.1793.

48. Yang Y. and Heeger A.J., A new architecture for polymer transistors // Nature 1994. - V.372, - P.344.

49. Spangenberg K.R.Vacuum Tubes // McGraw-Hill, New York, 1948.

50. Ken-ichi Nakayama, Shin-ya Fujimoto, and Masaaki Yokoyama, Charge-injection-controlled organic transistor. // Appl. Phys. Lett. 2003. - V.82. -P.4584.

51. Ken-ichi Nakayama, Shin-ya Fujimoto, Masaaki Yokoyama, High-current and low-voltage operation of metal-base organic transistors with LiF/Al emitter // Appl. Phys. Lett. 2006. - V.88. - P. 153512.

52. Sheng-Han Li, Zheng Xu, Guanwen Yang, Liping Ma, and Yang Yanga, Solution-processed poly(3-hexylthiophene) vertical organic transistor // Appl. Phys. Lett. 2008. - V.93. - P.213301.

53. Jinying Huang, Minguong Yi, Dongge Ma, Ivo A. Humrnelgen, Vertical structure p-type permeable metal-base organic transistors based on N,N'-diphentyl-N,N'-bis(l -naphthylphenyl)-1,1 '-biphenyl-4,4'-diamine // Appl. Phys. Lett. 2008. - V.92. - P.232111.

54. McElvain J., Keshavarz M., Wang H., Wudl F., Heeger A.J., Fullerene-based polymer grid triodes //J. Appl. Phys. 1997. - V.81. - №9. - P.6468.

55. Sheng-Han Li, Zheng Xu, Liping Ma, Chih-Wei Chu, Yang Yang, Achieving ambipolar vertical organic transistors via nanoscale interface modification // Appl. Phys. Lett. 2007. - V.91. - P.083507.

56. Chuan-Yi Yang, Tzu-Min Ou, Shiau-Shin Cheng, Meng-Chyi Wu, Shih-Yen Lin, I-Min Chan, Yi-Jen Chan, Vertical organic triodes with a high current gain operated in saturation region // Appl. Phys. Lett. 2006. - V.89. -P.183511.

57. Shiau-Shin Cheng, Chuan-Yi Yang, You-Che Chuang, Chun-Wei Ou, Meng-Chyi Wu, Shih-Yen Lina,Yi-Jen Chan, Influence of thin metal base thickness on the performance of CuPc vertical organic triodes // Appl. Phys. Lett. -2007. V.90. -P.153509.

58. Liping Ma, Yang Yang, Solid-state supercapacitors for electronic device applications // Appl. Phys. Lett. 2005. - V.87. - P. 123503.

59. Liping Ma, Yang Yang, Unique architecture and concept for highperformance organic transistors // Appl. Phys. Lett. 2004. - V.85. - P.5084.

60. Yi M., Yu S., Ma D., Feng C., Zhang Т., Meruvia M.S., Hummmelgen I.A., // J. Appl. Phys. 2006. - V.99. - P. 106102.

61. Yi M., Yu S., Ma D., Feng C., Zhang Т., Meruvia M.S., Hummmelgen I.A., // Org. Electron. 2007. - V.8. - P.311.

62. Feng C., Yi M., Yu S., Hummelgen I. A., Zhang Т., Ma D., // J. Nanosci. Nanotechnol. 2008. - V.8. - P.2037.

63. Yi M., Huang J., Ma D., Hummmelgen I.A., // Org. Electron. 2008. - V.9. -P. 539.

64. Салазкин C.H. Ароматические полимеры на основе псевдохлоракгидридов. // Высокомолекулярные соединения Б. 2004. -Т.46. - С. 1244.

65. Новоселов И.В. Взаимодействие полиариленфталидов и их аналогов с йодом. // Канд. дисс., ИОХ УНЦ РАН, Уфа 1996.

66. Салазкин С.Н., Золотухин М.Г., Ковардаков В., Дубровина J1.B., Гладкова Е.А., Павлова С.С., Рафиков С.Р.,Молекулярно-массовые характеристики полиариленфталида. // Высокомолек. соед. 1987. - А29. -№ 7. -С.1431-1436.

67. Wu C.R., Johansson N., Lachinov A.N., Stafstrom S., Kugler Т., Rasmusson J., Salaneck W.R., The chemical and electronic structure of the conjugated polymer poly(3,3'-phthalidyliden-4,4'-biphenylilene). // Synth. Metals 1994. - V.67. - P.125-128.

68. Тамеев А. Р., Лачинов А. Н., Салихов Р. Б., Бунаков А. А., ВанниковА. В., Подвижность носителей заряда в тонких пленках полидифениленфталида. // Журнал физической химии. 2005. - Т.79. -№12.-С. 2266-2269.

69. Тамеев А.Р., Рахмеев Р.Г., Никитенко В.Р., Салихов Р.Б., Бунаков А.А., Лачинов А.Н., Ванников А.В., Влияние избыточного давления на дрейфовую подвижность носителей заряда в пленках полидифениленфталида //ФТТ. 2011. - Т.53. - С.182.

70. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах // М.: Мир. -1973 С.416.

71. Novikov S.V., Dunlap D.H., Kenkre V.M. and Vannikov A.V., Computer simulation of photocurrent transients for charge transport in disordered organic materials containing traps // II Proc. SPIE. 1999. - V. - 3799. - P.94-101.

72. Ионов А.И., Ланинов A.H., Ренч P., Сверхпроводящий ток в тонкой пленке полифталидилиденбифенилена // Письма в ЖТФ. 2002. - Т.28. -№ 14.-С.69.

73. Nikitenko V.R., Tameev A.R., Vannikov A.V., Lachinov A.N., and Bassler H.,----„1----- „„„<-,• „„ —л „и:— и.r:i---- //jjipuiai apav^c cuaigc юииаиии anu swindling сиси ill unii puiyinci linns //

74. Applied Physics Letters 2008. - V.92. - № 15. - P. 153307.

75. Tameev A.R., Kozlov A.A., Vannikov A.V., Lunina E.V., Berendyaev V.I., Kotov B.V. // Charge Carriers Transport In Polyimides Based On 9,10-Bis(p-Aminophenyl)Anthracene // Polymer International 1998, - V.47, - № 2, -P. 198-202.

76. Barry, P.R., Peumans, P., and Forrest, S.R., Long-range absorption enhancement in organic tandem thin-film solar cells containing silver nanoclusters // J. Appl. Phys. 2004. - V.96. - P.7519-7527.

77. Bunakov A.A., Lachinov A.N., Salihov R.B. Investigation current-voltage characteristic of thin films of polymer.// Journal of technical physics 2003. -V.73, -N5, - P.104-109.

78. Tameev A.R., Lachinov A.N., Salihov R.B., Bunakov A.A., Vannikov A.V. Charge carrier mobility in thin films of polydifenilenphtalid. // Journal of physical chemistry. 2005. - V.79, - №12. - P.2266-2269.

79. Тютнев А.П., Саенко B.C., Пожидаев Е.Д., Костюков H.C., Диэлектрические свойства полимеров в полях ионизирующих излучений. //М.: Наука-2005.-453С.

80. Тамеев А.Р., Журавлева Т.С., Ванников А.В., Сергеев В.А., Неделькин В.И., Арнаутов С.А. Фотопроводимость допированного полифенилен-сульфида. // Хим. Физика. 1986. - Т.5, - С.106

81. Stolka М., Yanus J.F., Pai D.M. Hole transport in solid solutions of a diamine in polycarbonate // J.Phys.Chem. 1984. - V.88. - P.4707.

82. Гадиев P.M., Лачинов A.H., Салихов Р.Б., Корнилов B.M, Рахмеев Р.Г., Юсупов А.Р.// Письма в ЖЭТФ. 2009. - Т.90. - С.821.

83. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. В двух частях. Часть 1.//М.: Мир. 1984.-С.352.

84. Гадиев P.M. Особенности транспорта носителей зарядов вдоль границы раздела двух органических диэлектриков: Дис. . к.ф.-м.н. 2011.-145 с.

85. Juska G., Ariauskas К., Viliunas М. Extraction Current Transients: New Method of Study of Charge Transport in Microcrystalline Silicon // Phys. Rev. Lett. 2000. - V.84, № 21. - P.4946-4949.

86. H. Shimotani, G. Diguet, Y. Iwasa. Direct comparison of field-effect and electrochemical doping in regioregular poly(3-hexylthiophene) // Appl. Phys. Lett. 2005. - V.86. - P.022104-022107.

87. Panzer, M.J., Frisbie, C.D., High Carrier Density and Metallic Conductivity in Poly(3-hexylthiophene) Achieved by Electrostatic Charge Injection // Adv. Funct. Mater. 2006. - V. 16. - P. 1051.

88. Fratini S., Xie H., Hulea I.N. Ciuchi S. and Morpurgo A.F. Current saturation and Coulomb interactions in organic single-crystal transistors. // New J. Phys. 2008. - V.10. - P.033031.

89. Alves H., Molinari A., Xie H. and Morpurgo A.F. Metallic conduction at organic charge-transfer interfaces. // Nature Materials. 2008. - V.7. - P. 574580.

90. Gershenson M.E., Podzorov V. and Morpurgo A.F. Electronic transport in single-crystal organic transistors. // Rev. Mod. Phys. 2006. - V.78. - P.973-989.

91. Hulea I.N., Russo S., Molinari A. and Morpurgo A.F. Reproducible low contact resistance in rubrene single-crystal field-effect transistors with nickel electrodes. // Appl. Phys. Lett. 2006. - V.88. - P.l 13512.

92. Ferraris J., Walatka V., Perlstei J.H. and Cowan D.O. Electron-transfer in a new highly-conducting donor-acceptor complex. // J. Am. Chem. Soc. 1973.- V.95. P.948-949.

93. Shein L.B., LaHa M., Novotny D., Theory of insulator charging // Phys. Lett. A. 1992-V.167.-P.79.

94. Lindell L., Unge M., Osikowich W., Stafström S., Salaneck W.R., Crispin X., M.P. de Jong. Integer charge transfer at the tetrakis(dimethylamino)ethylene/Au interface. // Appl. Phys. Lett. 2008. -V.92. - P. 163302.

95. Fahlman M., Crispin A., Crispin X., Henze S.K.M., M.P. de Jong, Osikowicz W., Tengstelt C., Salaneck W.R. // J. Phys.: Condens. Matter. 2007. - V.19. -P. 183202.

96. Никитенко B.P., Тамеев A.P., Ванников A.B., Механизм металлической проводимости вдоль границы раздела с участием органических диэлектриков // Письма в ЖТФ. 2009. - Т.35. - В.15. - С.81-88.

97. Никитенко В.Р., Тамеев А.Р., Ванников A.B., Механизм металлической проводимости вдоль границы раздела органических диэлектриков // ФТП.- 2010. Т.44. - В.2. - С.223-229.

98. Bassler Н. Charge transport in disordered organic photoconductors. A Monte Carlo simulation study. // Phys.Status Solidi (B). 1993. V. 175. - N.l. -P. 15-56.

99. Novikov S.V., Malliaras G.G., Energetic disorder at the metal-organic semiconductor interface. // Nonlinear Opt., Quant. Opt. 2007 - V.37. -P.239.

100. Иванов В.Ф., Грибкова О.JI., Ванников А.В., Регулирование в широких пределах проводимости полианилина при межфазном допировании полианилинового слоя // Электрохимия. 2006. - Т.42. -С.304-309.

101. Kim S.H., Jo W.H. A Monte Carlo simulation of polymer/polymer interface in the presence of block copolymer. I. Effects of the chain length of block copolymer and interaction energy. // J. Chem. Phys. .1999. - V.110. -P.12193-12201.

102. Li X.F., Denn M.M. Influence of Bulk Nematic Orientation on the Interface between a Liquid Crystalline Polymer and a Flexible Polymer. // Phys. Rev. Lett. 2001. - V.86. -1.4. - P.656-659.

103. Natarajan U., Misra S., Mattice W.L. Atomistic simulation of a polymer-polymer interface: Interfacial energy and work of adhesion. // Comput. Theor. Polym. Sci. 1998. - V.8. - P.323-329.

104. Israels R., Jasnow D., Balazs A.C., Guo L., Krausch G., Sokolov J. Rafailovich M. Compatibilizing A/B blends with AB diblock copolymers: Effect of copolymer molecular weight. // J. Chem. Phys. 1995. - V.102. -1.20. - P.8149-8157.

105. Shen Y.R. The Principles of Nonlinear Optics. //NY.: Wiley. 1984.

106. Wei X., Zhuang X.W., Hong S.C., Goto Т., Shen Y.R. Sum-Frequency Vibrational Spectroscopic Study of a Rubbed Polymer Surface. // Phys. Rev. Lett. 1999. - V.82. - P.4256-4259.

107. Walker R.A., Gruetzmacher J.A., Richmond G.L. Phosphatidylcholine Monolayer Structure at a Liquid-Liquid Interface. // J. Am. Chem. Soc. -1998. V.120. -1.28. - P.6991-7003.

108. Chen Z., Shen Y.R., Somorjai G.A. Studies of polymer surfaces by sum frequency generation vibrational spectroscopy. // Ann. Rev. Phys. Chem. -2002. V.53. - P.437-465.

109. Kim J., Cremer P.S. R-Visible SFG Investigations of Interfacial Water Structure upon Polyelectrolyte Adsorption at the Solid/Liquid Interface. // J. Am. Chem. Soc. 2000. - V.122. -1.49. - P.12371-12372.

110. Su X.C., Cremer P.S., Shen Y.R., Somorjai G.A. Pressure Dependence ( 10-10-700 Torr) of the Vibrational Spectra of Adsorbed CO on Pt(lll) Studied by Sum Frequency Generation. // Phys.Rev. Lett. 1996. - V.77. -1.18. - P.3858-3860.

111. Briggman K.A., Stephenson J.C., Wallace W.E., Richter L.J. Absolute Molecular Orientational Distribution of the Polystyrene Surface. // J. Phys. Chem. B. 2001. - V.105. -1.14. - P.2785-2791.

112. Baldo M., Peumans P., Forrest S., Kim C. // US Patent No.6,884,093 B2 (2005).

113. Зеегер К., Физика полупроводников // М.:Мир. 1977. - С.615.

114. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В. А., Основы наноэлектроники. // М.: Физматкнига. 2006. - С.496.