Особенности транспорта носителей зарядов вдоль границы раздела двух органических диэлектриков тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Гадиев, Радик Мансафович

• Гадиев, Радик Мансафович
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Гадиев, Радик Мансафович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Размерные эффекты и двумерные электронные системы.

1.2. Проводящий интерфейс между полярными и неполярными изоляторами.

1.2.1 Электронная реконструкция.

1.2.2 Электронный газ высокой подвижности.

1.2.3 Основные теоретические модели.

1.3. Металлоподобная проводимость в органических интерфейсах.

1.4. Строение поверхности полимерных пленок, обусловленное ориентацией структурных элементов.

1.5. Особенности границы раздела полимер/полимер.

ГЛАВА 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Полидифениленфталид и его свойства.

2.2. Изготовление пленочных образцов.

2.3. Методика измерения зависимостей вольтамперных характеристик от температуры.

2.4. Методика измерения зависимостей вольтамперных характеристик от влажности.

2.5. Методика измерения проводимости четырехзондовым методом для образца произвольной формы.

2.6. Методика измерения влияние внешнего поля на проводимость структуры.

2.7. Метод атомно-силовой микроскопии.

2.8. Анализ ошибок измерений.

2.8.1 Прямые измерения.

2.8.2 Косвенные измерения.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНСПОРТА ЗАРЯДОВ ВДОЛЬ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА ДВУХ ОРГАНИЧЕСКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ.

3.1. Вклад интерфейса в проводимость и влияние материала электрода.

3.2. Температурная зависимость проводимости: инжекционная модель.

3.3. Оценка реальной проводимости структуры.

ГЛАВА 4. СТРУКТУРА ИНТЕРФЕЙСА И РОЛЬ СТРУКТУРЫ ПОЛИМЕРОВ

4.1. Исследование границы раздела полимер/полимер методом АСМ.

4.2. Роль полидифениленфталида.

4.3. Роль боковых дипольных групп.

ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНЕГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ И ПАРАМЕТРОВ ВНЕШНЕЙ СРЕДЫ.

5.1. Влияние внешнего поля.

5.2. Влияние параметров внешней среды.

5.3. Обсуждение результатов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности транспорта носителей зарядов вдоль границы раздела двух органических диэлектриков»

Актуальность темы.

Целью многих практических разработок на основе полимеров была комбинация их электрических и оптических свойств полупроводника или металла с механическими свойствами (легкость и пластичность) и с преимуществами связанными с более простой технологий приготовления (низкая температура приготовления и в результате более дешевое сырьё).

Ясно, что область применения полимеров в электронике зависит от их проводящих свойств. Сильнолегированные квазиметаллические полимеры находят применение в качестве различных антистатических покрытий, электромагнитных экранов, в литографических процессах и др. В химически легированных полимерах процесс легирования и делегирования может управляться внешним напряжением, что используется для создания легких аккумуляторных батарей и различных медицинских приборов.

С другой стороны, нелегированные полимеры обладают полупроводниковыми свойствами, в них можно инжектировать носители заряда из электродов. Уже создан полностью полимерный (а значит гибкий) полевой транзистор, полимерные фотоприемники, солнечные элементы. Разрабатываются полностью полимерные интегральные схемы, которые могут заменить в некоторых случаях (например, в кодовых электронных замках) кремниевые микросхемы. К «ярким» применениям можно отнести бурно развивающееся в настоящее время направление — полимерные светодиоды (LED). Рынок полимерной электроники один из самых бурно -развивающихся рынков в мире. По оценкам независимых компаний величина инвестиций в эту область, в будущем году превысят 300 млрд. долларов.

Компанией Philips уже изготовлен полностью полимерный чип площадью 27 мм2 с минимальным размером деталей 5мкм. Скорость обработки информации с помощью таких интегральных схем составляет 10100 бит/с. Этот параметр пока мал, чтобы использовать такие схемы в компьютерах, однако достаточен для использования в кодовых замках, электронных ярлыках для товаров в магазинах и др.

Увеличение скорости работы органических транзисторов одно из приоритетных направлений развития. В основном работа в этой области направлена на синтез новых полимерных материалов или разработки новых легирующих примесей. Однако ведутся работы по созданию органических транзисторов использующих в качестве транспортного канала не сам материал, а лишь небольшую квантоворазмерную область, сформированную на границе раздела двух органических материалов. Этот принцип используется во всех современных высокочастотных полупроводниковых транзисторах. Широкие возможности химической промышленности и уникальные свойства полимерных материалов позволяют прогнозировать возможность таких устройств. Которые могут серьезно ослабить позиции полупроводниковых транзисторов на рынке высокочастотной электроники.

Цель работы.

Диссертационное исследование посвящено экспериментальному исследованию особенностей транспорта носителей заряда вдоль границы раздела двух органических диэлектриков.

Для осуществления указанной цели решались следующие задачи:

1. Разработка методики изготовления образцов для исследования транспорта носителей зарядов вдоль границы раздела двух полимерных пленок

2. Исследование электрофизических свойств структуры различными методами при различных температурах и различных материалах электродов.

3. Исследование влияния молекулярной структуры полимеров на электрофизические свойства границы раздела.

4. Исследование влияния электрического поля и внешних воздействий на транспорт носителей зарядов вдоль интерфейса полимер/полимер.

5. Экспериментальная оценка возможностей практического применения полученных результатов.

Научная новизна:

Установлена возможность формирования транспортного слоя вдоль границы раздела двух полимерных пленок, обладающего аномально высокой проводимостью и подвижностью носителей зарядов.

Обнаружена металлоподобная температурная зависимость проводимости границы раздела двух полимерных диэлектриков.

Продемонстрирована определяющая роль структуры используемого полимера, в частности, наличие боковых фрагментов с большим дипольным моментом.

Обнаружена полевая зависимость параметров носителей заряда вдоль границы раздела полимерных пленок

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Гадиев, Радик Мансафович

Основные результаты и выводы

1. На границе раздела двух диэлектрических полимерных пленок формируется область толщиной менее 15 нм, обладающая высокой по сравнению с объемной электропроводностью.

2. Граница раздела двух полимерных диэлектриков имеет металлический тип проводимости.

3. Возникновение высокопроводящей области на границе раздела, обусловлено слоем упорядоченных боковых групп на поверхности пленки первого материала.

4. Установлено, что носителями зарядов в исследованной структуре являются электроны, подвижность которых достигает рекордных для органических электропроводящих материалов значений 4-10"2 см2-В" ■•с-').

5. Экспериментально доказана принципиальная возможность использования границы раздела двух диэлектрических полимерных пленок в качестве транспортного канала полевого транзистора и чувствительного элемента химического сенсора.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Гадиев, Радик Мансафович, 2011 год

1. Тавгер Б. А., Демиховский В .Я. Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и полуметаллических пленках. // Успехи физических наук. - 1968.-Т.68.-В.1.-С.61-85.

2. Sommer W. Т. Liquid Helium as a Barrier to Electrons. // Phys. Rev. Lett. — 1964. — V.12. — P.271-273.

3. Reed M.A., Randall J.N., Aggarwal R.J., Matyi R.J., Moore T.M., Wetsel A.E. Observation of discrete electronic states in a zero-dimensional semiconductor nanostructure. // Phys. Rev. Lett. 1988. - V.60. -1.6. - P.535-537.

4. Klitzing K.V., Dorda G., Pepper M. New Method for High-Accuracy Determination of the Fine-Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance. // Phys. Rev. Lett. 1980. - V.45. -1.6. - P.494-497.

5. Tsui D.C., Stormer H.L., Gossard A.C. Two-dimensional magnetotransport in the extreme quantum limit. // Phys. Rev. Lett. 1982. - V.48. -1.22. - P. 15591562.

6. McCray W.P. MBE Deserves a Place in the History Books. // Nature Nanotechnology. 2004. - V.2. -1.5. - P.2-4.

7. Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Физика низкоразмерных систем. // С.-П.: Наука. 2001. - С.5-19.

8. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники.//М.: Физматкнига. -2006. С.494.

9. Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. //М.: Мир.- 1985.-С.416.

10. Павлов П. В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. // М.: Высшая школа. -2000.-С.497.

11. Мурзин С.С., Долгополов В.Т., Квантовые осцилляции проводимости вблизи поверхности висмута. // Письма в ЖЭТФ. 1983. - Т.37. - В. 12. -С.584—586.

12. Filatov O.N., Karpovich L.A. Dependence of the width of the forbidden band of indium antimonide films on the thickness. // Fiz. Tverd. Tela. 1969. -V.ll. -P.805-806.

13. Filatov, O.N., Karpovich L.A. Dependence of the width of the forbidden band of indium antimonide films. // Fiz. Tverd. Tela. 1969. - V.ll. - P. 16401642.

14. Salashchenko V.N., Zvonkov B.N., Filatov O.N., Karpovich I.A. Quantum size effect in thin films of lead telluride. // Fiz. Tverd. Tela. 1975. - V. 17. -P.3641-3643.

15. Иорданский С.В., Кашуба А., Мультикомпонентный двумерный электронный газ как модель для кремниевых гетероструктур. // УФН. 2006. -В.176.-Т.2. -С.219-222.

16. Groove A.S. Physics and Technology of semiconductor devices. // NY.: Whiley. 1967. - P.214.

17. Shokley W. and Pearson G.L. Modulation of conductance of thin films of semi-conductors by surface charges. // Phys. Rev. 1948. - V.74. - 1.2. - P.232-233.

18. Sze S.M. Physics of semiconductor devices. //NY.: Whiley 1981. - 2nd ed. -P.450.

19. Torres J., Nouvel P., Akwoue-Ondo A., Chusseau L., Teppe F., Shchepetov A., Bollaert. S. Tunable plasma wave resonant detection of optical beating in high electron mobility transistor. // Appl. Phys. Lett. 2006. - V.89. -1.201101.

20. Knap W., Deng Y., Rumyantsev S., L.u J.-Q., Shur M.S., Saylor C.A., Brunei L.C. Resonant detection of subterahertz radiation by plasma waves in a submicron field-effect transistor. // Appl. Phys. Lett. 2002. - V.80. -1.3433.

21. Van Ruyven L.J., Bluyssem H.J.A. and Williams F. Physics of semiconductors. // Bristol: Institute of physics. 1979. - P.769-772.

22. Fitzgerald. E.A. GeSi/Si Nanostructures. // Annual Review of Materials Science. 1995.- V.25. - P.417-454.

23. Xie Y.H., Fitzgerald E.A., Monroe D., Silverman P.J., Watson G.P. Fabrication of high mobility two-dimensional electron and hole gases in GeSi/Si. // Journal of Appl. Phys. 1993. - V.73. -N.12. -P.8364-8370.

24. Dong Pan, Jifeng Liu, Kimerling L.C., McMillan J.F., Sockin M.D., Chee Wei Wong. Ultrafast Ge/Si resonator-based modulators for optical data communications in silicon photonics. // Patent International Application. 2007. -No.: PCT/US2007/001310.

25. Soref R.A., Friedman L.R. Silicon based strain symmetrized Ge/Si quantum laser. // United States Patent 2000. - No.: 6154475.

26. Bednorz J.G, and Muller K.A. Possible high Tc superconductivity in the Ba-La-Cu-0 system. // Zeitschrift fur Physik B. 2000. - V.64. - P. 189-193.

27. Mott N.F. Metal-insulator Transitions. // London: Taylor and Francis. -1990. 2nd ed.-P. 199-209.

28. Jin S., Tiefel T. H., McCormack M., Fastnacht R.A., Ramesh R. and Chen L. H. Thousand fold change in resistivity in magnetoresistive La-Ca-Mn-O films. // Science 1994. - V.264. -1.5157. - P.413-415.

29. Salamon M. B. and Jaime M. The physics of manganites: structure and transport. // Rev. Mod. Phys. 2001. - V.73. -1.3. - P.583- 628.

30. Ahn C.H., Rabe K.M. and Triscone J.M. Ferroelectricity at the nanoscale: local polarization in oxide thin films and heterostructures. // Science. 2004. -V.303. - N.5657. - P.488-491.

31. Fong D.D., Stephenson G.B., Streiffer S.K., Eastman J.A., Auciello O., Fuoss P.H. and Thompson C. Ferroelectricity in ultrathin perovskite films. // Science. 2004. - V.304. -1.5677. - P. 1650-1653.

32. Tokura Y. Correlated-electron physics in transition-metal oxides. // Phys. Today. 2003. - V.56. - N.7. - P.50-55.

33. Inoue I.H. Electrostatic carrier doping to perovskite transition-metal oxides. // Semicond. Sei. Technol. 2005. - V.20. - N.4. - P.9.

34. Willmott P.R. and Huber J.R. Pulsed laser vaporization and deposition. // Rev. Mod. Phys. 2000. - V.72. -1.1. - P.315-328.

35. Willmott P.R. Deposition of complex multielemental thin films. // Prog. Surf. Sei. 2004. - V.76. -1.6-8. - P. 163-217.

36. Chambers S.A. Epitaxial growth and properties of thin film oxides. // Surf. Sei. Rep. -2000. -V.39. -1.5-6. P. 105-180.

37. Ohtomo A., Muller D. A., Grazul J. L. and Hwang H. Y. Artificial chargemodulation in atomic-scale perovskite titanate superlattices. // Nature. 2002. -V.419. -P.378-380.

38. Shibuya K., Ohnishi T., Kawasaki M., Koinuma H. and Lippmaa M. Metallic LaTi03/SrTi03 superlattice films on the SrTi03 (100) surface. // Japan. J. Appl. Phys. 2004. - V.43. - P. LI 178-L1180.

39. Tokura Y., Taguchi Y., Okada Y., Fujishima Y., Arima T., Kumagai K. and lye Y. Filling dependence of electronic properties on the verge of metal-Mott-insulator transition in Sri— x Lax Ti03. // Phys. Rev. Lett. 1993. - V.70. -1.14. -P. 2126-2129.

40. Okamoto S. and Millis A.J. Electronic reconstruction at an interface between a Mott insulator and a band insulator. // Nature. 2004. - V.428. - P. 630-633.

41. Okamoto S. and Millis A.J. Theory of Mott insulator-band insulator heterostructures. // Phys. Rev. B. 2004. - V.70. -1.7. - P.075101-1.

42. Okamoto S. and Millis A.J. Spatial in homogeneity and strong correlation physics: a dynamical mean-field study of a model Mott-insulator-band-insulator heterostructure. // Phys. Rev. B. 2004. - V.70. -1.24. - P.241104-1.

43. Popovic Z.S. and Satpathy S. Wedge-shaped potential and Airy-function electron localization in oxide superlattices. // Phys. Rev. Lett. 2005. - V.94. -1.17. -P.176805-1.

44. Thulasi S. and Satpathy S. Jellium model of the two-dimensional Airy electron gas at the perovskite titanate interface. // Phys. Rev. B. 2006. - V.73. -1.12. -P.125307-1.

45. Hamann D.R., Muller D.A. and Hwang H.Y. Lattice-polarization effects on electron-gas charge densities in ionic superlattices. // Phys. Rev. B. 2006. - V.73. -1.19. -P.195403-1.

46. Okamoto S., Millis A.J. and Spaldin N.A. Lattice relaxation in oxide heterostructures: LaTi03/SrTi03 superlattices. // Phys. Rev. Lett. 2006. - V.97. -1.5. -P.056802-1.

47. Ohtomo A. and Hwang H.Y. A high-mobility electron gas at the LaA103/SrTi03 heterointerface. // Nature. 2004. - V.427. - P.423-426.

48. Noguera C. Polar oxide surfaces. // J. Phys.: Condens. Matter. 2006. -V.12. -N.31 — P.R367-R410.

49. Tufte O.N. and Chapman P.W. Electron mobility in semiconducting strontium titanate. // Phys. Rev. 1967. - V.155. -1.3. - P.796-802.

50. Siemons W., Koster G., Yamamoto H., Harrison W. A., Geballe T.H., Blank D.H. and Beasly M.R. Origin of the unusual transport properties observed at hetero-interfaces of LaA103 on SrTi03. // Preprint Cond. Mat. 2006. - 0603598.

51. Siemons W., Koster G., Yamamoto H., Harrison W. A., Lucovsky G., Geballe T. H., Blank D. H. A. and Beasley M. R. Origin of charge density at

52. A103 on SrTi03 heterointerfaces: possibility of intrinsic doping. // Phys. Rev. Lett. 2007. - V.98. -1.19. - P.196803-1.

53. Siemons W., Koster G., Yamamoto H., Geballe T.H., Blank D.H.A. and Beasley M. R. Experimental investigation of electronic properties of buried heterointerfaces of LaA103 on SrTi03. // Phys. Rev. B. 2007. -V.76 - 1.15 -P.155111.

54. Kalabukhov A., Gurmarsson R., Boijesson J., Olsson E., Claeson T. and Winkler D. Effect of oxygen vacancies in the SrTi03 substrate on the electrical properties of the LaA103/SrTi03 interface. // Phys. Rev. B. 2007. - V.75. -1.12. -P.R121404-R1211408.

55. Brinkman A., Huijben M., van Zalk M., Huijben J., Zeitler U., Maan J. C., van der Wiel W. G., Rijnders G., Blank D. H. A. and Hilgenkamp H. Magnetic effects at the interface between non-magnetic oxides. // Nat. Mater. 2007. - V.6. -P.493-496.

56. Tasker P. W. The stability of ionic crystal surfaces. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1979. - V.12. - P.4977-4984.

57. Harrison W.A., Kraut E.A., Waldrop J.R. and Grant R.W. Polar heterojunction interfaces. // Phys. Rev. B. 1978. -V. 18. -1.8 - P.4402-4410.

58. Baraff G.A., Appelbaum J.A. and Hamann D.R. Self-consistent calculation of the electronic structure at an abrupt GaAs-Ge interface. // Phys. Rev. Lett. -1977. V.38. -N.5. - P.237-240.

59. Kroemer H. Polar-on-nonpolar epitaxy. I I J. Cryst. Growth. — 1987. -V.81. -1.1-4-P. 193-204.

60. Nakagawa N., Hwang H.Y. and Muller D.A. Why some interfaces cannot be sharp. // Nat. Mater. 2006. - V.5. -1.3. - P.204-209.

61. Thiel S., Hammerl G., Schmehl A., Schneider C.W. and Mannhart J. Tunable quasi-two-dimensional electron gases in oxide heterostructures. // Science.- 2006. V.313. - N.5795. - P. 1942-1945.

62. Schneider C.W., Thiel S., Hammerl G., Richter C. and Mannhart J. Microlithography of electron gases formed at interfaces in oxide heterostructures. // Appl. Phys. Lett. 2006. - V.89 -1.12. - P. 122101-1.

63. Huijben M., Rijnder G., Blank D. H. A., Bals S., Van Aert S., Verbeeck J., Van Tendeloo G., Brinkman A. and Hilgenkamp H. Electronically coupled complementary interfaces between perovskite band insulators. // Nat. Mater.2006. — V.5. P.556-560.

64. Park M.S., Rhim S.H. and Freeman A.J. Charge compensation and mixed valency in LaA103/SrTi03 heterointerfaces studied by the FLAPW method. // Phys. Rev. B. 2006. - V.74. -1.20. - P.205416.

65. Vonk V., Huijben M., Driessen K.J.I., Tinnemans P., Brinkman A., Harkema S. and Graafsma H. Interface structure of SrTi03/LaA103 at elevated temperatures studied in situ by synchrotron x rays. // Phys. Rev. B. 2007. - V.75. -1.23. -P.235417.

66. Fitting Kourkoutis L., Muller D.A., Hotta Y. and Hwang H.Y. Assymetric interface profiles in LaV03/SrTi03 heterostructures grown by pulsed laser deposition. // Appl. Phys. Lett. 2007. - V.91. -1.16. - P. 161301.

67. Hotta Y., Susaki T. and Hwang H.Y. Polar discontinuity doping of the LaV03/SrTi03 interface. // Phys. Rev. Lett. 2007. - V.99. -1.23. - P.236805.

68. Pentcheva R. and Pickett W.E. Charge localization or itineracy at LaA103/SrTi03 interfaces: hole polarons, oxygen vacancies, and mobile electrons. // Phys. Rev. B. 2006. - V.74. -1.3. - P.035112.

69. Reyren N., Thiel S., Caviglia A.D. et al. Superconducting interfaces between insulating oxides. // Science. -2007. -V.317. -N.5842. P. 1196-1199.

70. Berezinskii V.L. Destruction of long-range order in one-dimensional and two-dimensional systems possessing a continuous symmetry group, ii. Quantum systems. // Sov. Phys. JETP. 1972. - V.34. - P.610.

71. Kosterlitz J.M. and Thouless D.J. Long range order and metastability in two-dimensional solids and superfluids. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1972. -V. 5. -N.ll. — P.L124.

72. Chiang C.K., Heeger A.J., Shirakawa H. et al. Electrical conductivity in doped polyacetylene. // Phys.Rev.Lett. 1977. - V.39. - P.1098-1101.

73. Haddon R.C., Hebard A.F., Rosseinsky M.J., Murphy D.W. et al. Conducting films of C60 and C70 by alkali-metal doping. // Nature. 1991. -V.350. - P.320-322.

74. Hebard A.F., Rosseinsky M.J., Haddon R.C. et al. Superconductivity at 18K in potassium-doped C60. // Nature. 1991. - V.350. - P.600-601.

75. Jerome D. and Schulz H.J. Organic conductors and superconductors. // Adv. Phys. 1982. - V.31. -P.299-490.

76. Calhoun M.F., Sanchez J., Olaya D., Gershenson M.E. and Podzorov V. Electronic functionalization of the surface of organic semiconductors with self-assembled monolayers. // Nature Mater. 2008. - V.7. - P.84-89.

77. Ferraris J., Walatka V., Perlstei J.H. and Cowan D.O. Electron-transfer in a new highly-conducting donor—acceptor complex. // J. Am. Chem. Soc. 1973. -V.95. - P.948-949.

78. Jerome D. Organic conductors: from charge density wave TTF-TCNQ to superconducting (TMTSF) 2PF6. // Chem. Rev. 2004. - V.104. - P.5565-5591.

79. Ishiguro T., Yamaji K. and Saito G. Organic superconductors. // Springer: Berlin. 1998.-P.300.

80. Kistenmacher T.J., Phillips T.E. and Cowan D.O. The crystal structure of the 1:1 radical cation-radical anion salt of 2-20-bis-l,3-dithiole(TTF) and 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (TCNQ). // Acta. Crystall ogr. B. 1974. - V.30. -P.763-768.

81. Cooper W.F., Kenny N.C., Edmonds J.W. , Nagel A., Wudl F. and Coppens P. Crystal and molecular structure of aromatic sulphur compound 2,20-bi-l,3-dithiole—evidence for d-orbital participation in bonding. // J. Chem. Soc. D. -1971. V.16. - P.889-890.

82. Long R.E., Sparks R.A. and Trueblood K.N. The crystal and molecular structure of 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane. // Acta. Crystall ogr. 1965. -V.18. -P.932-939.

83. Alves H., Molinari A., Xie H. and Morpurgo A.F. Metallic conduction at organic charge-transfer interfaces. // Nature Materials. 2008. - V.7. - P.574-580.

84. Silinsh E.A. and Capek V. Organic Molecular Crystals. // NY.: American Institute of Physics. 1994. - P.29.

85. Horowitz G., Gamier F., Yassar A., Hajlaoui R. & Kouki F. Field-effect transistor made with a sexithiophene single crystal. // Adv. Mater. 1996. - V.8. -P.52-54.

86. Sundar V.C., Zaumseil J., Podzorov V., Menard E., Willett R.L., Someya T., Gershenson M.E., Rogers J.A. Elastomeric transistor stamps: Reversible probing of charge transport in organic crystals. // Science. 2004. - V.303. - P. 1644— 1646.

87. Molinari A., Gutierrez I., Hulea I.N., Russo S. and Morpurgo, A.F. Bias-dependent contact resistance in rubrene single-crystal field-effect transistors. // Appl. Phys. Lett. -2007. -V.90. -P.212103.

88. Takahasi T., Takenobu T., Takeya J. and Iwasa Y. Ambipolar organic field-effect transistors based on rubrene single crystals. // Appl. Phys. Lett. 2006. -V.88.-P.033505.

89. Takeya J., Yamagishi M., Tominari Y. and Nalcazawa Y. Gate dielectric materials for high-mobility organic transistors of molecular semiconductor crystals. // Solid State Electron. -2007. -V.51. -P.1338-1343.

90. Menard E., Marchenko A., Podzorov V., Gershenson M.E., Fichou D., Rogers J.A. Nanoscale surface morphology and rectifying behavior of a bulk single-crystal organic semiconductor. // Adv. Mater. — 2006. V.18. - 1.12. — P.1552—1556.

91. Gershenson M.E., Podzorov V. and Morpurgo A.F. Electronic transport in single-crystal organic transistors. // Rev. Mod. Phys. 2006. - V.78. - P.973-989.

92. Hulea I.N., Russo S., Molinari A. and Morpurgo A.F. Reproducible low contact resistance in rubrene single-crystal field-effect transistors with nickel electrodes. // Appl. Phys. Lett. 2006. - V.88. - P.l 13512.

93. Guo D., Sakamoto K., Miki K., Ikeda S. and Saiki, K. Orientation control of pentacene and transport anisotropy of the thin film transistor by photo aligned polyimide film. Appl. Phys. Lett. 2007. - V.90. - P. 102117.

94. Lee P.A. and Ramakrishnan T.V. Disordered electronic systems. // Rev. Mod .Phys. 1985.-V.57. -P.287-337.

95. Fratini S., Xie H., Hulea I.N. Ciuchi S. and Morpurgo A.F. Current saturation and Coulomb interactions in organic single-crystal transistors. // New J. Phys. 2008. - V.10. - P.033031.

96. Jerome D., Rice T.M. and Kohn, W. Excitonic insulator. // Phys. Rev. -1976.-V.158. -P.462^75.

97. Wu S.H. Polymer interface and adhesion. //NY.: Marcel Dekker. 1982.

98. Brandrup J., Immergut E.H. Grulke E.A. Polymer Handbook. // NY.: Wiley. 1999.-P.l 121.

99. Schubert D.W., Stamm M., Muller A.H.E. Neutron reflectometry studies on the interfacial width between polystyrene and various poly(alkylmethacrylates). // Polym. Eng. Sci. 1999. - V.39. -1.38 - P. 1501-1507.

100. Brown H.R. Chain pullout and mobility effects in friction and lubrication. // Science. 1994. -V.263. -N.5152. - P.1411-1413.

101. Lin W.Y., Blum F.D. Segmental dynamics of interfacial poly(methyl acrylate)-d3 in composites by deuterium nmr spectroscopy. // J. Am. Chem. Soc. -2001. V.123. - P.2032-2037.

102. Hillman A.R., Saville P.M., Glidle A., Richardson R. M., Roser S. J. et al. Neutron reflectivity determination of buried electroactive interface structure: PBT/PPy and PBT/PXV Bilayers. // J. Am. Chem. Soc. 1998. - V.120. - 1.49. -P.12882-12890.

103. Dai C.A., Dair B.J., Dai K.H., Ober C.K., Kramer E. J. et al. Reinforcement of polymer interfaces with random copolymers. // Phys. Rev. Lett. -1994. V.73. -1.18. - P.2472-2475.

104. Horiuchi S., Hanada T., Yase K., Ougizawa T. Analysis of an interface between an immiscible polymer pair by electron spectroscopic imaging. // Macromolecules. 1999. - V.32. -1.4. - P. 1312-1314.

105. Sikka M., Pellegrini N.N., Schmitt E.A., Winey K.I. Modifying a polystyrene/poly(methyl-methacrylate) interface with poly(styrene-co-methyl methacrylate) random copolymers. // Macromolecules. 1997. - V.30. - 1.3. -P.445-455.

106. Bernard B., Brown H.R., Hawker C.J., Kellock A.J., Russell, T.P. Adhesion of polymer interfaces reinforced with random and diblock copolymers as a function of geometry. // Macromolecules. 1999. - V.32. -1.19. - P.6254-6260.

107. Kulasekere R., Kaiser H., Ankner J.F., Russell T.P., Brown H.R. et al. Neutron reflectivity measurements of homopolymer interfaces reinforced with random copolymers. // Physica B 1996. - V.221. -1.1-4. - P.306-308.

108. Russell T.P. On the reflectivity of polymers: Neutrons and X-rays. // Physica B. 1996. - V.221. -1.1-4. - P.267-283.

109. Schulze J.S., Moon B., Lodge T.P., Macosko C.W. Measuring copolymer formation from end-functionalized chains at a PS/PMMA interface using FRES and SEC. // Macromolecules 2001. - V.34. -1.2. - P.200-205.

110. Pellegrini N.N., Sikka M., Satija S.K., Winey K.I. Segregation of a random copolymer from miscible blends. // Macromolecules. 1997. - V.30. -P.6640-6644.

111. Rharbi Y., Yekta A., Winnik M.A., DeVoe R.J., Barrera D. Energy transfer studies of interpenetrating polymer networks: Characterizing the interface in polyacrylate-polyurethane IPNs. // Macromolecules 1999. - V.32. - N.10. -P.3241-3248.

112. Kim S.H., Jo W.H. A Monte Carlo simulation of polymer/polymer interface in the presence of block copolymer. I. Effects of the chain length of block copolymer and interaction energy. // J. Chem. Phys. 1999. - V. 110. - P. 1219312201.

113. Li X.F., Denn M.M. Influence of Bulk Nematic Orientation on the interface between a liquid crystalline polymer and a flexible polymer. // Phys. Rev. Lett. 2001. - V.86. -1.4. - P.656-659.

114. Natarajan U., Misra S., Mattice W.L. Atomistic simulation of a polymerpolymer interface: Interfacial energy and work of adhesion. // Comput. Theor. Polym. Sci. 1998. - V.8. - P.323-329.

115. Israels R., Jasnow D., Balazs A.C., Guo L., Krausch G., Sokolov J. Rafailovich M. Compatibilizing A/B blends with AB diblock copolymers: Effect of copolymer molecular weight. // J. Chem. Phys. 1995. - V.102. - 1.20. -P.8149-8157.

116. Shen Y.R. The Principles of nonlinear optics. //NY.: Wiley. 2003. -P.67-86.

117. Wei X., Zhuang X.W., Hong S.C., Goto T., Shen Y.R. Sum-Frequency Vibrational spectroscopic study of a rubbed polymer surface. // Phys. Rev. Lett. -1999. V.82. - P.4256-4259.

118. Walker R.A., Gruetzmacher J.A., Richmond G.L. Phosphatidylcholine monolayer structure at a liquid-liquid interface. // J. Am. Chem. Soc. 1998. -V.120. -1.28. - P.6991-7003.

119. Chen Z., Shen Y.R., Somorjai G.A. Studies of polymer surfaces by sum frequency generation vibrational spectroscopy. // Ann. Rev. Phys. Chem. 2002.- V.53. P.437-465.

120. Kim J., Cremer P.S. R-Visible SFG investigations of interfacial water structure upon polyelectrolyte adsorption at the solid/liquid interface. // J. Am. Chem. Soc. 2000. - V.122. -1.49. - P.12371-12372.

121. Su X.C., Cremer P.S., Shen Y.R., Somorjai G.A. Pressure dependence (10" ,0-700 torr) of the vibrational spectra of adsorbed co on pt(l 11) studied by SFG. // Phys. Rev. Lett. 1996. - V.77. -1.18. - P.3858-3860.

122. Briggman K.A., Stephenson J.C., Wallace W.E., Richter LJ. Absolute molecular orientational distribution of the polystyrene surface. // J. Phys. Chem. B.- 2001. V.105. -1.14. - P.2785-2791.

123. Clarke M.L., Chen C., Wang J. and Chen Z. Molecular level structures of poly(n-alkyl methacrylate)s with different side chain lengths at the polymer/air and polymer/water interfaces. // Langmuir. 2006. - V.22. - N.21. - P.8800-8806.

124. Wang J. Chen C., Buck S.M. and Chen Z. Molecular chemical structure on poly(methyl methacrylate) (pmma) surface studied by sum frequency generation (sfg) vibrational spectroscopy. // J. Phys. Chem. B. 2001. - V.105. - N. 48. -P.12118-12125.

125. Sivaniah E., Hayashi Y., lino M. and Hashimoto T. Observation of perpendicular orientation in symmetric diblock copolymer thin films on rough substrates. // Macromolecules. 2003. - V.36. -N.16. - P.5894-5896.

126. Gautam K.S. and Dhinojwala A. Molecular structure of hydrophobic alkyl side chains at comb polymer-air interface. // Macromolecules. 2001. - V.34. -N.5. -P.1137-1139.

127. Zhang D., Dougal S. M., Yeganeh M. S. Effects of uv irradiation and plasma treatment on a polystyrene surface studied by invisible sum frequency generation spectroscopy. // Langmuir. 2000. - V.16. - N.10. - P.4528.

128. Gautam K.S., Schwab A.D., Dhinojwala A., Zhang D., Dougal S.M., Yeganeh M.S. Molecular structure of polystyrene at air/polymer and solid/polymer interfaces. // Phys. Rev. Lett. 2000. - V.85. -1.18. - P.3854-3857.

129. Yongsok S., Im J-H.,Lee J-S.,and Kim J-H. Aggregation behaviors of a polystyrene-b-poly(methyl methacrylate) diblock copolymer at the air/water interface. // Macromolecules. 2001. - V.34. - N.14. - P.4842-4851.

130. Oh-e M., Hong S.C., Shen Y.R. Orientations of phenyl sidegroups and liquid crystal molecules on a rubbed polystyrene surface. // Appl. Phys. Lett. -2002. -V.80.-1.5. -P.784.

131. Clancy T.C., Hwan Jang J., Dhinojwala A., Mattice W.L. Orientation of phenyl rings and methylene bisectors at the free surface of atactic polystyrene. // J. Phys. Chem. B. 2001. - V. 105. -1.46. - P. 11493-11497.

132. Chen C., Wang J., Even M.A. and Chen Z. Sum frequency generation vibrational spectroscopy studies on "buried" polymer/polymer interfaces. // Macromolecules. 2002. - V.35. - N.21. - P.8093-8097

133. Gautam K.S. and Dhinojwala A. Melting at alkyl side chain comb polymer interfaces. // Phys. Rev. Lett. 2002. - V.88. -1.14. - P.145501-145505.

134. Wang J., Paszti Z., Even M. A., Chen Z. Measuring polymer surface ordering differences in air and water by sum frequency generation vibrational spectroscopy. // J. Am. Chem. Soc. 2002. - V. 123. - N.24. - P.7016-7023.

135. Opdahl A. and Somorjai G.A. Solvent vapor induced ordering and disordering of phenyl side branches at the air/polystyrene interface studied by SFG. //Langmuir.-2002.-V. 18.-N.24. -P.9409-9412.

136. Vazquezu H., Gao W., Flores F. et al. Energy level alignment at organic heterojunctions: Role of the charge neutrality level. // Phys. Rev. B. 2005. -V.71. -1.4. - P.041306.

137. Avilov L., Cornil J. Quantum-chemical investigation of the electronic structure of organic/organic interfaces. // Int. Conf. Nanomeeting-2007. Minsk. -2007. -P.384-387.

138. Компанеец А.С. Теоретическая физика. // М.: ГИТТЛ. 1957. -С.563.

139. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г. Транспортный слой на границе раздела двух полимерных пленок. // Письма в ЖТФ. 2008. - Т.34. -В.11. - С.88-94.

140. Салазкин С.Н. Ароматические полимеры на основе псевдохлорангидридов. // Высокомолекулярные соединения Б. 2004. - Т.46. -С. 1244.

141. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. // М.: Мир. 1984. -Кн.1. - С.456.

142. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. // М.: Мир. 1982. - T.l. - С.252.

143. Schefefold F., Budkowski A., Steiner U. et al. Surface phase behavior in binary polymer mixtures. I. Miscibility, phase coexistence, and interactions in polyolefin blends. // J. Chem. Phys. 1996. - V.104. -1.21. - P.8687-8795.

144. Johansson N., Lachinov A.N., Stafstrom S., Salaneck W.K. A theoretical study of the chemical structure of the non-conjugated polymer poly(3,3'-phthalidylidene-4,4'-biphenylene). // Synth. Metals. 1994. - V.67. - 1.1-3. -P.319-322.

145. Лачинов A.H., Загуренко Т.Г., Корнилов B.M. и др. Перенос заряда в системе металл-полимер-нанокристаллический металл. // ФТТ. 2000. - Т.42. -В.10. - С.1882-1888.

146. Лачинов А.Н., Воробьева Н.В. Электроника тонких слоев широкозонных полимеров. // Успехи Физических Наук. 2006. - Т. 176. -№.12. - С.1249-1266.

147. Золотухин М.Г., Ковардаков В.А., Салазкин С.Н., Рафиков С.Р. Некоторые закономерности синтеза полиариленфталидов гомополиконденсацией п-(3-хлоро-3-фталидил)-бефинила. // Высокомолек. Соед. 1984. - Т.26а. - №6. - С.1212-1217.

148. Zolotukhin M.G., Skirda V.D., Sedova E. A., Sundukov V. I., Salazkin S.N. Gelation in the homopolycondensation of 3-arel-3-clorphtalides. // Macromol. Chem. 1993. - V.94. - N.2. - P.543-549.

149. Рафиков C.P., Толстиков Г.А., Салазкин C.H., Золотухин М.Г. Полигетероарилены для изготовления термостойких материалов и способ их получения. // А.С. 734989 СССР. Б.И. - 19891. - №20.

150. Новоселов И.В. Взаимодействие полиариленфталидов и их аналогов с иодом. // Канд. дисс., ИОХ УНЦ РАН, Уфа 1996.

151. Салазкин С.Н., Золотухин М.Г., Ковардаков В., Дубровина Л.В., Гладкова Е.А., Павлова С.С., Рафиков С.Р. Молекулярно-массовые характеристики полиариленфталида. // Высокомолек. соед. 1987. - А29. -№7. — С.1431-1436.

152. Wu C.R., Johansson N., Lachinov A.N., Stafstrom S., Kugler Т., Rasmusson J., Salaneck W.R. The chemical and electronic structure of the conjugated polymer poly(3.3-phthalidyliden-4.4-bihenylilene). // Synth. Metals. -1994.-V. 67. P.125-128.

153. Dewar M.J., Zoebisch E.G., Healy E.F., Stewart J.J.P. Development and use of quantum mechanical molecular models. 76. AMI: a new general purpose quantum mechanical molecular model. // J. Am. Chem. Soc. 1985. - V.107. -N.13. — P.3902-3905.

154. Bredas J.L., Chance R.R., Silbey R., Nicolas G. and Durand Ph. A nonempirical effective Hamiltonian technique for polymers: Application to polyacetylene and polydiacetylene. // J. Chem. Phys. 1981. - V.75. — 1.1. -P.255-268.

155. Антипин B.A., Валеева И.JI., Лачинов А.Н. Электролюминесценция в тонких пленках полимеров, обладающих аномально высокой проводимостью. // Письма в ЖЭТФ. 1992. - Т.55. - В.9. - С.526-529.

156. Лачинов А.Н. Электроника несопряженных полимеров: Электропроводящие полимеры. // Вест. АН Респ. Башкортостан. 2005. -В.10.-Т.З.-С.5.

157. Ионов А.Н., Лачинов А.Н., Ренч Р. Сверхпроводящий ток в тонкой пленке полифталидилиденбифенилена. // Письма в ЖТФ. 2002. - Т.28. -В.14.-С.69-76.

158. Lachinov A.N., Kornilov V.M., Yumaguzin Yu.M. and Tchurlina E.E. Electron emission from polymer films under electric-field influence. // J. Soc. Inform. Display. 2004. - V. 12. -1.2. - P.149-151.

159. Лачинов A.H., Жеребов А.Ю., Корнилов B.M. Высокопроводящее состояние в тонких пленках полимеров. // ЖЭТФ. 1992. - Т. 102. - С. 187193.

160. Лачинов А.Н., Жеребов А.Ю., Корнилов В.М. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении. // Письма в ЖЭТФ.- 1990. -Т.52. В.2. - С.742-745.

161. Lachinov A.N., Zherebov A.Yu. and Zolotukhin M.G. Thermostimulated switching in thin polymer films. // Synth. Metals. 1993. - V.59. - 1.3. - P.377-386.

162. Ionov A.N., Lachinov A.N., Rivkin M.M. et al. Low-resistance state in polydiphenyelenephthalide at low temperatures. // Solid State Communs. 1992. — V.82. —1.8. - P.609-611.

163. Салихов Р.Б., Бунаков А.А., Лачинов A.H. Особенности переноса заряда в многослойных пленочных структурах Si/полимер/металл/полимер/металл. // В сб. Материалы Международной научной конференции «Тонкие пленки и наноструктуры». 2004. -С. 16-17.

164. Бунаков А.А., Лачинов А.Н., Салихов Р. Б. Исследование вольт-амперных характеристик тонких пленок полидифениленфталида // ЖТФ,-2003. Т.73. - В.5. - С. 104-108.

165. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. // М.:"Мир". 1973. - С.416.

166. Bunakov А.А., Lachinov A.N. and Salikhov R.B. Current-voltage characteristics of poly(diphenylenephthalide) thin films // Tech. Phys. Journal. -2003. V.48. -1.5. - P.626-630.

167. Tameev A.R., Lachinov A.N., Salikhov R.B. et al. Mobility of Charge Carriers in Thin Poly(diphenylene phthalide) Films. // Russian Journal of Physical Chemistry. 2005. - Y.79. -1.12. - P.2025-2038.

168. Krigbaum W.R., Roig A. Dipol moment of atactic and isotactic polystyrene. // Journal of Chemical Physics. 1959. - V.31(2). - P. 544-545.

169. Molina M.S., Barrales-Rienda J.M. and Riande E. Dipole Moments of Poly (N-vinylcarbazole). // Macromolecules. 1984. - V.17. - P.2728-2731.

170. Салихов Р.Б., ЛачиновА.Н.,Корнилов В.М.,Рахмеев Р.Г. Свойства транспортного слоя, сформированного на границе раздела двух полимерных пленок. // ЖТФ. 2009. - Т.79. - В.4. - С.131-135.

171. Гадиев P.M., Корнилов В.М., Салихов Р.Б., Юсупов А.Р., Рахмеев Р.Г., Лачинов А.Н. Аномально высокая проводимость вдоль интерфейса двух полимерных диэлектриков. // Письма в ЖЭТФ. 2009. - Т.90. - B.l 1. - С.821-825.

172. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г., Гадиев P.M., Юсупов А.Р., Салазкин С.Н. Химические сенсоры на основе нанополимерных пленок. // Измерительная техника. 2009. - №.4. - С.62-64.

173. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г., О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний-полимер-металл Физика и техника полупроводников. 2007. - Т.41. - В. 10. - С. 1182-1186.

174. Tameev A.R., Lachinov A.N., Salikhov R.B. et al. Mobility of Charge Carriers in Thin Poly(diphenylene phthalide) Films. // Russian Journal of Physical Chemistry. 2005. - V.79. -1.12. - P.2025-2038.

175. Krigbaum W.R., Roig A. Dipol moment of atactic and isotactic polystyrene. // Journal of Chemical Physics. 1959. - V.31(2). - P. 544-545.

176. Molina M.S., Barrales-Rienda J.M. and Riande E. Dipole Moments of Poly (N-vinylcarbazole). // Macromolecules. 1984. - V.17. - P.2728-2731.

177. Салихов Р.Б., ЛачиновА.Н.,Корнилов В.М.,Рахмеев Р.Г. Свойства транспортного слоя, сформированного на границе раздела двух полимерных пленок. // ЖТФ. 2009. - Т.79. - В.4. - С. 131-135.

178. Гадиев P.M., Корнилов В.М., Салихов Р.Б., Юсупов А.Р., Рахмеев Р.Г,, Лачинов А.Н. Аномально высокая проводимость вдоль интерфейса двух полимерных диэлектриков. // Письма в ЖЭТФ. 2009. - Т.90. - В.11. - С.821-825.

179. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г., Гадиев P.M., Юсупов А.Р., Салазкин С.Н. Химические сенсоры на основе нанополимерных пленок. // Измерительная техника. 2009. - №.4. - С.62-64.

180. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г., О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний-полимер-метапл Физика и техника полупроводников. 2007. - Т.41. -B.10.-C.il82-1186.