Электронный транспорт в гетероструктурах на основе широкозонных полимерных материалов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Салихов, Ренат Баязитович

• Салихов, Ренат Баязитович
• доктор физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Салихов, Ренат Баязитович

Введение

Глава 1. Транспорт заряда в тонких пленках органических диэлектриков

1.1. Проводимость неупорядоченных систем

1.2. Прыжковый транспорт носителей заряда

1.3. Модели переноса заряда через ловушки

1.4. Перенос носителей заряда через границу электрод - полимерная пленка

1.5. Перенос носителей заряда по состояниям в середине запрещенной зоны

1.6. Транспорт заряда вдоль границы двух тонких диэлектрических пленок

Глава 2. Объекты и методы их исследования

2.1. Полиариленфталиды и их свойства

2.2. Изготовление многослойных пленочных образцов

2.3. Методы исследований

2.4. Анализ ошибок измерений

Глава 3. Электрофизические свойства тонких пленок полидифениленфталида

3.1. Определение основных параметров носителей заряда вблизи порога переключения аналитическим методом

3.2. Определение параметров носителей заряда вблизи порога переключения по давлению времяпролетным методом

3.3. Влияние избыточного давления на дрейфовую подвижность носителей заряда в пленках полидифениленфталида

Глава 4. Оптические свойства тонких пленок полидифениленфталида

4.1. Исследование оптических свойств пленок полидифениленфталида методом модуляционной спектроскопии

4.2. Влияние примесей на модуляционный спектр полимера

4.3. Электронная структура полидифениленфталида

Глава 5. Особенности транспорта носителей заряда в полимерных пленках

5.1. Влияние температуры на перенос носителей заряда в тонких полимерных пленках

5.2. Изучение механизмов переноса носителей заряда в гетероструктурах металл - полимер

5.3. Влияние химической структуры полимера на параметры переноса заряда в гетероструктурах

Глава 6. Транспортный слой на границе раздела двух полимерных пленок

6.1. Исследование транспорта заряда вдоль границы раздела двух полимерных пленок

6.2. Подвижность носителей заряда вдоль границы раздела полимер - полимер

6.3. Свойства транспортного слоя

Глава 7. Возможности практического использования свойств транспортного слоя

7.1. Гетероструктуры на основе полимерных пленок и кремния

7.2. Полевой эффект на интерфейсе полимер - полимер

7.3. Влияние допирования на проводимость вдоль границы раздела полимер - полимер

7.4. Сенсорные свойства транспортного слоя 221 Заключение 228 Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронный транспорт в гетероструктурах на основе широкозонных полимерных материалов»

Актуальность исследования транспортных"свойств: полимерных пленок во многом связана с быстрым и все ускоряющимся переходом, полимерной электроники из сферы исключительно; фундаментальных и прикладных исследований в область коммерческих приложений; В электронном словаре даже появилось новое слово политроника У^олгшер + электроника), как короткое: название для этой быстро- развивающейся; отрасли технологии. Элементы политроники содержат такие компоненты,;как электролюминесцентные диоды, полевые транзисторы, датчики, гибкие батареи, дисплеи, устройства памяти и логики. Полимерная электроника представляет интерес как возможная дешевая и гибкая альтернатива неорганическим приборам.

В подавляющем большинстве случаев.внимание исследователей и,разработчиков направлено на использование органических соединений с сопряженной системой валентных 7г-электронов. Однако следует заметить,: что в. последнее время в этой области наметились,непреодолимые проблемы, связанные с низкой подвижностью носителей заряда и их: невысокой концентрацией./Кроме того, используемые органические кристаллы и полимеры, как правило^ обладают слабой устойчивостью к внешним-условиям и плотностям токов^ необходимым для практических применений.

Перед исследователями поставлена, задача поиска новых физических явлений и новых органических соединений, позволяющих достичь как резкого улучшения электрофизических (транспортных) параметров, так и стабильных эксплуатационных свойств.

Одним из перспективных объектов исследований является новый класс полимеров — полиариленфталидов, обладающих высокой термостойкостью, химической инертностью и хорошимишленкообразующими свойствами. Эти полимеры, по всем признакам являются диэлектрическими материалами, обладая несопряженной системой валентных 71-электронов. Однако в тонких субмикронных пленках их отличают нетипичные электрофизические характеристики, приводящие к возникновению высокой металлоподобной проводимости без использования методов химического допирования. Переключение в высокопроводящее состояние (ВПС) можно рассматривать как электронный фазовый переход, в результате которого осуществляется переход от изотропной полимерной, диэлектрической матрицы к анизотропной электропроводящей структуре, в которой высокопроводящие наноразмерные каналы, окружены диэлектрической средой: Предполагается, что ВПС характеризуется когерентным транспортом носителей заряда по узкой зоне электронных состояний. При этом до настоящего времени практически отсутствует информация о тех электронных состояниях в,запрещенной зоне полимерного материала, которые являются ответственными за возникновение высокой проводимости.

Поскольку ВПС наблюдается в токопленочных полимерных образцах с толщиной меньше некоторой критической, то следует ожидать влияния поверхностных эффектов на процессы, переключения и параметры транспорта заряда. Также очевидно, что это влияние самым существенным образом должно сказываться на роли границ раздела: металл-полимер, полимер-полупроводник и полимер-полимер и зависеть от параметров потенциального барьера на этих границах. Однако- этот важный вопрос до сих пор не был изучен. Также до сих пор остается непонятным физический смысл пороговой толщины полимерной пленки - толщины, при превышении которой эффекты электронного переключения исчезают, а высокая электропроводность не возникает. Вопросы, связанные с определением условий возникновения проводящего состояния* в тонких пленках широкозонных полимерных диэлектриков, с релаксацией избыточного заряда и механизмами его переноса, представляют большой интерес как с фундаментальной, .так и практической точек зрения. При этом эти вопросы остаются на данный момент наименее исследованными.

В связи с этим проведение комплексного исследования электронных транспортных свойств широкозонных органических диэлектриков в виде тонких пленок полиариленфталидов является весьма актуальным. Для понимания процессов электронного переключения в ВПС необходимо разностороннее исследование транспорта заряда в полимерных пленках в предпере-ходной области, т.е. в условиях, когда переключение в ВПС еще не произошло. Кроме того, требуется тщательное изучение проблемы, связанной с условиями формирования узкой зоны электронных состояний внутри запрещенной зоны. В рамках существующего подхода к транспорту носителей заряда через многослойную гетероструктуру типа металл - полимер - металл с учетом размерных эффектов возникает вопрос о применимости подобных представлений к латеральному транспорту вдоль органического слоя. И главное; существует ли возможность практической реализации такого транспорта? Решение последней задачи является частью общей проблемы исследования высокой проводимости интерфейсов диэлектрических материалов.

Цель работы

Исследование электрофизических (транспортных) свойств широкозонных органических диэлектриков в виде тонких пленок полиариленфталидов в области, предшествующей их электронному переключению.

Для осуществления указанной цели ставились следующие задачи:

1. Изучение влияния избыточного одноосного механического давления на дрейфовую подвижность носителей заряда в пленках полидифениленфта-лида в предпороговой области.

2. Экспериментальное исследование механизмов переноса носителей заряда в структурах металл - полимер - металл, металл - полимер - полупроводник.

3. Выяснение энергетического распределения электронных состояний в запрещенной зоне полимера.

4. Определение основных электронных характеристик транспортного слоя, образованного вдоль интерфейса двух полимерных пленок.

5. Исследование полевого эффекта на интерфейсе полимер - полимер и изучение сенсорных свойств этого интерфейса.

Научная новизна

Все полученные в диссертационной работе результаты являются новыми. В работе впервые:

Экспериментально показано, что в пленочных образцах полидифени-ленфталида, имеющих толщину меньше пороговой, происходит смена носителей заряда, и основными носителями становятся электроны.

Установлено, что перенос заряда через границу металл - широкозонный полимер характеризуется высотой барьера, определяемой разностью работ выхода электрона из металла и полимера.

Разработан метод создания органических полимерных пленочных структур с электронным типом проводимости.

Экспериментально доказано, что вдоль границы раздела двух полимерных пленок формируется квазидвумерный слой, обладающий повышенной по сравнению с объемной подвижностью электронов.

Установлено, что транспортом носителей заряда вдоль границы раздела двух пленок полимера можно управлять электрическим полем и изменением условий окружающей среды.

Новое научное направление

Транспорт носителей заряда в тонких пленках неупорядоченных органических широкозонных материалов.

Практическая значимость работы

Предложен метод создания нового класса пленочных структур на основе широкозонных полимерных материалов с электронным типом проводимости.

Аномально высокая селективность и чувствительность проводимости вдоль интерфейса двух полимерных пленок к внешним условиям и разным веществам позволяет создавать наноразмерные датчики физических величин, химические и биологические сенсоры.

Обнаруженные высокие подвижности электронов в исследованных полимерных пленочных структурах предполагают возможность создания полевых транзисторов с улучшенными частотными характеристиками.

Использованные в работе физические подходы и модели для описания транспорта носителей заряда в исследованных полимерах носят достаточно общий характер, поэтому полученные результаты могут быть использованы для построения общей теории переноса заряда в тонких пленках неупорядоченных органических диэлектриков.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 45 работ. Основные результаты диссертации содержатся в 25 статьях в российских и зарубежных рецензируемых журналах.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Салихов, Ренат Баязитович

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Увеличение одноосного механического давления в системе металл -полимер - металл приводит к изменению условий инжекции носителей заряда в полимерную пленку, в результате чего вблизи уровня Ферми образуется узкая зона электронных состояний, перенос электронов по которой приводит к значительному увеличению их подвижности.

2. В пленках полиариленфталидов, которые имеют толщину меньше пороговой, с повышением давления подвижность электронов увеличивается, в результате чего происходит смена носителей, и основными носителями заряда в полимерной пленке становятся электроны.

3. Методом модуляционной спектроскопии электропоглощения установлено наличие глубоких электронных состояний, расположенных в запрещенной зоне полимера вблизи уровня Ферми и ответственных за транспорт носителей заряда.

4. Основными механизмами переноса заряда в гетероструктурах на основе полиариленфталидов в предпороговой области являются: прыжковый транспорт по ловушечным уровням, термоэлектронная эмиссия Шоттки и полевая туннельная эмиссия.

5. Перенос заряда через границу металл - полимер во всех исследованных широкозонных полимерах с разными функциональными группами характеризуется высотой барьера, определяемой разностью работ выхода электрона из металла и полимера.

6. Вдоль границы двух полимерных пленок происходит формирование транспортного слоя, обладающего повышенной подвижностью носителей зао о ряда (около 4-10"" см~/В-с). Выдвинута гипотеза о том, что транспортный слой на границе раздела двух полимерных пленок представляет собой область с плотной упаковкой фталидных группировок, в которой возможно формирование квазидвумерного электронного газа.

7. Транспортный канал, сформированный вдоль границы раздела двух диэлектрических полимерных пленок, обладает электронным типом проводимости, величиной которой можно управлять внешним электрическим полем.

8. Управление проводимостью вдоль границы раздела двух полимерных пленок возможно путем изменения внешних условий, включая воздействие на образец различных химических веществ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В заключении* приведены основные результаты, полученные в ходе выполнения диссертационной работы, и сформулированы основные выводы.

Увеличение одноосного давления- в системе металл-полимер-металл приводит к изменению инжекции носителей заряда в полимерную пленку. Этот процесс, по-видимому, происходит в результате разрушения соответствующих поверхностных электронных состояний, что приводит к повышению уровня инжекции. Избыточный заряд в результате взаимодействия с макромолекулой может создавать глубокие ловушечные состояния, в результате чего вблизи уровня Ферми'образуется узкая зона ловушечных состояний, перенос по которой приводит к значительному увеличению подвижности носителей зарядов и переходу полимерной пленки в высокопроводящее состояние.

Существование локализованных электронных состояний внутри запрещенной зоны было проверено с помощью оптических методов. Появление особенностей в^модуляционном спектре электропоглощения в структуре ІТО - полидифениленфталид - ІТО в области 500 и 590 нм обусловлено изменением степени заселенности электронных состояний, расположенных в запрещенной зоне полимера, при периодической инжекции заряда из электродов в полимерную пленку.

Анализ экспериментальных данных с учетом проведенного квантово-химического моделирования взаимодействия избыточного электрона с полимерной молекулой в пределах одного мономерного звена показал, что результатом такого взаимодействия может быть появление новых глубоких электронных состояний вблизи уровня Ферми.

Измерения подвижности времяпролетным методом без приложения механического давления выявили, что подвижность инжектированных дырок гораздо больше подвижности электронов. В исследованных пленках несопряженных полимеров, толщина которых не превышает пороговую с приложением давления подвижность электронов возрастает с 6-10"6 до 6,6-10"5 см2/В-с, тогда как подвижность.дырок - с 1,6-10"5 до 3,9-1073 см2/В"-с. Данный факт говорит о том, что при приложении механического давления* происходит смена основных- носителей* заряда, и- основными носителями- при дальнейшем увеличении давления становятся-электроны. Пороговая толщина полимерной пленки - толщина, при превышении которой-эффекты электронного переключения исчезают, а высокая электропроводность не возникает.

Сопоставление результатов, полученных из времяпролетного эксперимента (метод прямого определения подвижности), с результатами- анализа вольтамперных характеристик инжекционного тока (косвенный метод) подтверждает существующие представления о возможностях и ограничениях этих методов. Меньшее на порядок величины значение дрейфовой подвижности электронов по сравнению с подвижностью дырок при отсутствии избыточного давления означает, что в диэлектрическом состоянии основными носителями служат дырки, что типично для полимеров. Несмотря на разные условия проведения экспериментов, соответствующие им модельные представления дают одинаковые значения-подвижности.

В пленочных образцах, имеющих толщину больше пороговой, имеет место недисперсионный вид транспорта и при приложении механического давления не происходит сменьь носителей заряда, как это происходит при толщинах меньше или сопоставимых с пороговой, и основными носителями заряда остаются дырки.

Изучение вольтамперных характеристик, измеренных в различных диапазонах температур, позволило установить, что транспорт носителей заряда лимитируется разными процессами на границах раздела металл - полимер. При 250-300 К доминирующим механизмом является термоэлектронная эмиссия Шоттки. При температурах 100-200 К, преобладает механизм кван-тово-механического туннелирования на ловушечные уровни вблизи уровня Ферми. Величина потенциального барьера на границе раздела металл - поли-дифениленфталид определяется как разница работ выхода электрона из металла и полимера. В объеме полимерной пленки преобладает прыжковый транспорт носителей-зарядов по ловушечным состояниям.

Оказалось, что термоэлектронная эмиссия Шоттки через границу: металл - полимер» происходит во всех исследованных пленочных образцах широкозонных полимеров с разными функциональными группами-и характеризуется. высотой барьера, определяемой разностью работ выхода металла- и полимера.

Проведенные исследования показали, что на границе двух полимерных пленок возможно формирование транспортного слоя, обладающего повышенной электропроводностью. Согласно температурным измерениям особенности переноса1 заряда по этому слою можно охарактеризовать в рамках моделей термоэлектронной эмиссии и прыжкового транспорта по ловушечным уровням.

Выдвинута гипотеза, согласно которой транспортный слой на* границе раздела двух полимерных слоев представляет собой слой с плотной упаковкой фталидных. группировок. Оценка эффективной подвижности электронов вдоль такого слоя дает аномально высокие значения, которые на несколько-порядков превосходят объемную подвижность электронов.

Подвижность носителей заряда вдоль транспортного слоя составила

3.76-10"2 см2/В-с. Полученное значение является чрезвычайно высоким для такого типа материалов. Например, объемная подвижность носителей заряда

6 2 в пленках ПДФ не превышает 10" см /В-с. Полученное выше значение подвижности близко к максимальным значениям для органических материалов, в частности, металлоорганических соединений, таких как фталоцианины {¡л ~ 0.4 - 1 см2/В-с). Окончательного объяснения этому факту в данной работе не дано, так как требуется масштабное дополнительное исследование.

Влияние электрического поля на транспорт носителей заряда вдоль границы раздела двух пленок несопряженного полимера было исследовано в конфигурации полевого транзистора. Установлено, что канал проводимости, сформированный границей раздела двух диэлектрических пленок, обладает электронным типом проводимости. Показана возможность применения одной из пленок полимера в качестве подзатворного диэлектрика, а границы полимер - полимер в качестве транспортного слоя.

Путем воздействия на образец различных химических веществ была обнаружена возможность эффективного управления проводимостью вдоль границы раздела полимерных пленок. Используя уникальную чувствительность транспортного слоя к гидроксильной группе, полученные экспериментальные образцы можно использовать как многоразовые датчики для определения относительной влажности воздуха, концентрации паров этилового спирта и водородного показателя (рН-метры), что было проверенно экспериментально.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Салихов, Ренат Баязитович, 2011 год

1. Weaire D., Thorpe M.F. Electronic Properties of an Amorphous Solid. I. A Simple Tight-Binding Theory // Phys. Rev. В -1971-V. 4. P. 2508-2520.

2. Hadziioannou G., van Hutten P.F. Semiconducting Polymers. Chemistry, Physics and Engineering. -WILEY-VCH Verlag GmbH, 2000. 613 p.

3. Блайт Э.Р., Блур Д. Электрические свойства полимеров. Пер. с англ. М.: Физматлит, 2008. - 376 с.

4. Поуп М., Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах. В 2-х т. Т.2. Пер. с англ. М.: Мир, 1985. - 464 с.

5. Schmechel R. and Seggern Н. Electronic traps in organic transport layers // Phys. stat. sol. (a) -2008. -V. 201. No. 6. -P. 1215-1235.

6. Monro D. Hopping in Exponential Band Tails // Phys. Rev. Lett. -1985.-V.54. -P. 146-149.

7. Baranovskii S.D., Cordes H., Hensel F. and Leising G. Charge-carrier transport in disordered organic solids // Phys. Rev. В -2001.-V. 62. -P. 7934-7938.

8. Arkhipov V.I., Emelianova E.V., Adriaenssens GJ. and Bassler H. Equilibriumcarrier mobility in disordered organic semiconductors // J. Non-Cryst. Solids -2001.-V. 299-302.-P. 1047-1051.

9. Arkhipov V.I., Emelianova E.V., Adriaenssens GJ. Effective transport energy versus the energy of most probable jumps in disordered hopping systems // Phys. Rev. В —2001 -V. 64. -P. 125125 (6 pages).

10. Schmechel R. Hopping transport in doped organic semiconductors: A theoretical approach and its application to p-doped zinc-phthalocyanine //J. Appl. Phys. -2003.-V. 93.-P. 4653.

11. Sworakowski J. Effect of polar molecules on the transport and localization of charge carriers in molecular materials // Braz. J. Phys. 1999. -V.29. -N.2. -P.318-331.

12. Von Malm N., Schmechel R. and von Seggern H. Trap engineering in organic hole transport materials // J. Appl. Phys. -2001. -V. 89. -P. 5559-5563.

13. Heeger J., Kivelson S., Schrieffer J. and Su W.-P. Solitons in conducting polymers // Rev. Mod. Phys. -1988. -V. 60. -P. 781-850.

14. Townsend P.D. and Friend R.H. Photo excitation in Durham-route polyacety-lene: Self-localization and charge transport // Phys. Rev. В -1988. V. 40. - P. 3112-3120.

15. Anderson P.W. Absence of Diffusion in Certain Random Lattices // Phys. Rev. -1958.-V. 109.-P. 1492-1505.

16. Гантмахер В.Ф. Электроны в неупорядоченных средах. -М.: Физматлит, 2003.- 176 с.

17. Miller A., Abrahams Е. Impurity Conduction at Low Concentrations // Phys. Rev. -1960.-V. 120.-P. 745-755.

18. Cohen M.H., Fritzsche H., Ovshinsky S.R. Simple band model for amorphous semiconducting alloys // Phys. Rev. Lett. -1969.-V. 22. P. 1065-1068.

19. MottN.F. The electrical properties of liquid mercury // Philos. Mag. -1966-V. 13.-Is.125.-P. 989-1014.

20. Cohen M.H. Review of the theory of amorphous semiconductors // J of Non-Cryst. Sol. -1970. -V. 4. P. 391-409.

21. Davis E.A., Mott N.F. Conduction in non-crystalline systems Y. Conductivity, optical absorption and photoconductivity in amorphous semiconductors // Philos. Mag. -1970. -V.22. -Is. 179. -P.903-922.

22. MottN.F. Evidence for a pseudogap in liquid mercury // Philos. Mag. -1972. -V.26. -Is.3. -P.505-522.

23. Marshall J.M., Owen A.E. Drift mobility studies in vitreous arsenic triselenide // Philos. Mag. -1971. -V.24. -Is.192. -P. 1281-1305.

24. Spear W.E. Drift mobility techniques for the study of electrical transport properties in insulating solids // J of Non-Cryst. Sol. -1969. -V.l.-P. 197.

25. Mott N.F. III. Locallized states in a pseudogap and near extremities of conduction and valence bands // Philos. Mag. -1969. -V.19. Is. 160. -P. 835-852.

26. Pike G.E., Seager C.H. Percolation and conductivity: A computer study. I // Phys. Rev. В -1974. -V.10. -P.1421-1434.

27. Pfister G., Grffiths C.H. Temperature Dependence of Transient Hole Hopping Transport in Disordered Organic Solids: Carbazole Polymers // Phys. Rev. Lett. -1974.-V.40.-P. 659-662.

28. Pfister G., Scher H. Time-dependent electrical transport in amorphous solids: As2Se3. //Phys. Rev. В -1974. -V.15. P. 2062-2083.

29. Scher H., Montroll E.W. Anomalous transit-time dispersion in amorphous solids // Phys. Rev. В -1975. -V.12. -P. 2455-2477.

30. Pfister G., Grammatica S., Mort J. Trap-Controlled Dispersive Hopping Transport // Phys. Rev. Lett. -1976. -V.37. -P. 1360-1363.

31. Marshall J.M. A trap-limited model for dispersive transport in semiconductors //Phil. Mag. -1976. —V.24-Is.4.-P. 959-975.

32. Silver M., Cohen L. Monte Carlo simulation of anomalous transit-time dispersion of amorphous solids // Phys. Rev. В -1976. -V.15. -P. 3276-3278.

33. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. -М.: Наука, 1979. — 416с.

34. Mott N.F. Conduction in glasses containing transition metal ions// J. Non-Cryst. Sol. 1968. - V.l. -Is.l. -P.l-17.

35. Arnold E. Disorder-induced carrier localization in silicon surface inversion layers // Appl. Phys. Lett. -1974.-V.25. -P. 705.

36. Mott N.F., Pepper M., Pollitt S:, Wallis R.H., Adkins S.J. The Anderson Transition//Proc. R. Soc. A-1975. V. 345. -P. 169-205.

37. Mansfield R., Abboudy S., Foozoni F. Hopping conduction in n-type indium phosphide // Philos. Mag. В 1988 - V.57 (6). - P. 777-789.

38. Rentzsch R., Friedland K.J., Ionov A.N., Matveev M.N., Shlimak I.S., Gladun C., Vinzelberg H. Variable-Range Hopping in Neutron-Transmutation-Doped Gallium Arsenide // Phys. Stat. Sol. (b) 1986. -V.137. - P. 691-700.

39. Shafarman W.N., Koon D.W., Castner T.G. dc conductivity of arsenic-doped silicon near the metal-insulator transition // Phys. Rev. В 1989. - V. 40. - P. 1216-1231.

40. Massey J.G., Lee M. Direct Observation of the Coulomb Correlation Gap in a Nonmetallic Semiconductor, Si: B // Phys. Rev. Lett. 1995. - V. 75. - P. 42664269.

41. Dai P., Zhang Y., Sarachik M.P. Low-Temperature Transport in the Hopping Regime: Evidence for Correlations Due to Exchange // Phys. Rev. Lett. — 1992. -V.69.-P. 1804.

42. Hori M., Yonezawa F. Theoretical approaches to inhomogeneous transport in disordered media // J. Phys. C 1977. - V. 10. - P. 229-248.

43. Movaghar B., Griinewald M., Ries B., Bassler H., Wiirtz D. Diffusion and relaxation of energy in disordered organic and inorganic materials // Phys. Rev. B -1986. V.33. -P. 5545-5554.

44. Movaghar B., Ries B., Griinewald M. Diffusion and relaxation of energy in disordered systems: Departure from mean-field theories // Phys. Rev. B — 1986. -V.34. -P. 5575-5582.

45. Bottger H., Bryksin V.V. Effective medium theory for the hopping conductivity in high electrical fields // Phys. Stat. Sol. (b) 1979. - V.96.- Is.l. -P. 219-224.

46. Movaghar B., Schirmacher W. On the theory of hopping conductivity in disordered systems//! Phys. C- 1981.-V.14.-P. 859-880.

47. Griinewald M., Pohlmann B., Movaghar B., Wiirtz D. Theory of non-equilibrium diffusive transport in disordered materials // Philos. Mag. B 1984. -V.49. -Is.4. -P. 341-356.

48. Parris P.E., Bookout B.D. Effective-medium theory for the electric-field dependence of the hopping conductivity of disordered solids // Phys. Rev. B 1996. -V.53.-P. 629-635.

49. Fishchuk I. On the theory of hopping transport in organic solids with superimposed disorder and polaron effects // Philos. Mag. B 1996. - V.81. - Is.6. - P. 561-568 .

50. Fishchuk I., Hertel D., Bassler H., Kadashchuk A. Effective-medium theory of hopping charge-carrier transport in weakly disordered organic solids //Phys. Rev. B 2002. - V.65. -P. 125201 (8 pages).

51. Bassler H. Localized states and electronic transport in single component organic solids with diagonal disorder // Phys. Status Solidi (b) 1981. -V.107. -Is.l.-P. 9-54.

52. Bassler H. Charge transport in molecularly doped polymers // Philos. Mag. B — 1984. V.50. - Is.3. - P.347-362.

53. Richert R., Pautmeier L., Bassler H. Diffusion and drift of charge carriers in a random potential: Deviation from Einstein's law // Phys. Rev. Lett. 1989. -V.63. -P. 547-550.

54. Pautmeier L., Richert R., Bassler H. Hopping in a Gaussian distribution of energy states: Transition from dispersive to non-dispersive transport // Philos. Mag. Lett. 1989.-V.59.-Is.6-P. 325-331.

55. Pautmeier L., Richert R., Bassler H. Poole-Frenkel behavior of charge transport in organic solids with off-diagonal disorder studied by Monte Carlo simulation // Synth. Metals. 1990. -V. 37. - P. 271-281.

56. Pautmeier L., Richert R., Bassler H. Anomalous time-independent diffusion of charge carriers in a random potential under a bias field // Philos. Mag. B 1991. -V.63. - Is.3. -P. 587-601.

57. Schein L.B. Comparison of charge transport models in molecularly doped polymers // Philos. Mag. B 1992. -V.65. - Is.4. -P. 795-810.

58. Borsenberger P.M., Pautmeier L., Bassler H. Charge transport in disordered molecular solids // J. Chem. Phys. 1991. -V. 94. - P. 5447-5454.

59. Abkowitz M.A. Electronic transport in polymers // Philos. Mag. B 1992. -V. 65.-Is.4.-P. 817-829.

60. Borsenberger P.M., Pautmeier L., Bassler H. Hole transport in bis(4-N,N-diethylamino-2-methylphenyl)-4-methylphenylmethane // J. Chem. Phys. 1991. -V. 95.-P. 1258-1265.

61. Abkowitz M.A., Bassler H., Stolka M. Common features in the transport behaviour of diverse glassy solids: Exploring the role of disorder // Philos. Mag. B -1991.-V. 63.-Is.l.-P. 201-220.

62. Лифшиц И.М., Гредескул С.Л., Пастур Л.А. Введение в теорию неупорядоченных систем. М.: Наука, 1982. - 360 с.

63. Займам Дж. Модели беспорядка. Пер. с англ. -М.: Мир, 1982.- 592 с.

64. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер Р., Миронов Л.Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981.-384 с.

65. Scher Н., Lax М. Stochastic Transport in a Disordered Solid. I. Theory // Phys. Rev. B. -1973. -V. 7. -P. 4491-4502.

66. Scher H., Lax M. Anomalous transit-time dispersion in amorphous solids // Phys. Rev. В -1973. -V. 7. -P. 4502-4519.

67. Scher H., Monlroll E.W. Anomalous transit-time dispersion in amorphous solids //Phys. Rev. В -1975. -V.12. P. 2455-2477.

68. Пекар С.И. Исследования по электронной теории кристаллов М.: Гос-техиздат, 1951.-256 с.f

69. Пекар С.И. Некоторые вопросы теории полупроводников и диэлектриков и пути дальнейшего развития теории // УФН-1956. -Т. 60(10) С. 191-212.

70. Мясников Э.Н., Мясникова А.Э. Об условиях существования поляронов Ландау-Пекара // ЖЭТФ -1999.-Т.116.-В.4. С.1386-1397.

71. Давыдов А. С. Теория молекулярных экситтонов // УФН -1964. Т.82. -В.З. - С.393-448.

72. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. Пер. с англ. М.: Наука,1978.-792 с.

73. Holstein Т. Studies of polaron motion : Part II. The "small" polaron // Ann. of Phys. -1959. -V. 8. -P. 343-389.

74. Schein L.B., Mack J.X. Adiabatic and non-adiabatic small polaron hopping in molecularly doped polymers // Chem. Phys. Lett. -1988. -V. 149. P. 109-112.

75. J.X.Mack, L.B.Schein, A.Peled. Hole mobilities in hydrazone-polycarbonate dispersions // Phys. Rev. В -1988. -V.39. -P. 7500-7508.

76. Scott J.C., Pautmeier L.Th., Schein L.B. Mean mobilities of charge carriers in disordered media // Phys. Rev. В -1992. -V.46. P.8603.

77. Фирсов Ю.А. Поляроны. -М.: Наука, 1975. 344 с.

78. Зырянов П.С., Клингср М.И. Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках. М.: Наука, 1976. — 480 с.

79. Клингер М.И. Автолокализованные состояния электронов и дырок // УФН. -1985. -Т. 146. В.1. -С. 105-142.

80. Kenkre V.M., Dunlap D.H. Charge transport in molecular solids: dynamic and static disorder // Philos. Mag. В -1992. -V.65. Is.4. -P. 831-841.

81. Bassler H. Charge Transport in Disordered Organic Photoconductors a Monte Carlo Simulation Study // Phys. Status Solidi (b) -1993. -V.175. -Is.l. -P. 15-56.

82. Emin D. In: Electronic and Structural Properties of Amorphous Semiconductors. Academic Press, New York, 1973. - Ch. 7.

83. Schein L.B., Peled A., Glatz D. The electric field dependence of the mobility in. molecularly doped polymers // J. Appl. Phys. -1993. -V. 66. -P. 686-692.

84. Тюрин А.Г., Дубенсков П.И., Журавлева T.C, Царевский А.В., Ванников А.В. Влияние добавки родамина 6Ж на транспорт носителей заряда в пленках поли-М-эпоксипропилкарбазола//Хим. физика 1987-Т. 6.-С. 1236-1242.

85. Vannikov A.V., Kryukov A.Yu., Tyurin A.G., Zhuravleva T.S. Influence of the medium polarity on electron transport in polymer systems // Phys. Status Solidi (a) -1989. -V.115. Is.l. -P. K47-K51.

86. Крюков А.Ю., Саидов А.Ч., Ванников А.В. Влияние полярности среды на транспорт носителей заряда в поли-£\Г-эпоксипропилкарбазоле // Хим. физ-1991-Т. 10. -С. 567-571.

87. Marcus R.A. On the Theory of Oxidation-Reduction Reactions Involving Electron Transfer. I // J. Chem. Phys. -1956. -V. 24. P. 966-978.

88. Marcus R.A. Electron transfer reactions in chemistry. Theory and experiment // Rev. Mod. Phys. -1993. -V. 65. -P. 599-610.

89. Fishchuk I., Kadashchuk A., Bassler H., Nespurek S. Nondispersive polaron transport in disordered organic solids // Phys. Rev. В -2003. -V. 67. -P. 224303 (10 pages).

90. Parris P.E., Kenkre V.M., Dunlap D.H. Nature of Charge Carriers in Disordered Molecular Solids: Are Polarons Compatible with Observations? // Phys. Rev. Lett. -2001. -V. 87. -P. 126601 (4 pages).

91. Schein L.B., Glatz D., Scott J.C. Observation of the transition from adiabatic to nonadiabatic small polaron hopping in a molecularly doped polymer // Phys. Rev. Lett. -1990. -V. 65. -P. 472-475.

92. Schein L.B. Comparison of charge transport models in molecularly doped polymers // Philos. Mag. B -1992. -V. 65.- Is.4. -P. 795-810.

93. Dunlap D.H., Kenkre V.M. Disordered polaron transport: a theoretical description of the motion of photoinjected charges in molecularly doped polymers //Chem. Phys. -1993. -V.178. -P. 67-75.

94. Emin D. Low-temperature ac conductivity of adiabatic small-polaronic hopping in disordered systems // Phys. Rev. B -1992. -V.46. -P. 9419-9427.

95. Bassler H., Schweitzer B. Site-Selective Fluorescence Spectroscopy of Conjugated Polymers and Oligomers // Acc. Chem. Res. -1999. -V.32. -P. 173.

96. Mahrt R.F., Bassler H. Light and heavy excitonic polarons in conjugated polymers // Synth. Met. -1991. -V.45. -P. 107-117.

97. Silinsh E.A., Capek V. Organic Molecular Crystals: Interaction, Localization, and Transport Phenomena. AIP Press, New York, 1994. - 402 p.

98. Mahrt R.F., Yang J., Bassler H. Spectroscopic assessment of the role of disorder and polaron formation on electronic transport in molecularly doped polymers // Chem. Phys. Lett. -1992. -V.192. -P. 576-580.

99. Heun S., Bassler H., Borsenberger P. The spectral assessment of the origin of the polaronic contribution to charge transport in a highly conjugated triarylamine donor molecule // Chem. Phys. -1995. -V.200. -P. 265.

100. Shuai Z., Bredas J.L., Su W.P. Nature of photoexcitations in poly(paraphenylenevinylene) and its oligomers // Chem. Phys. Lett. -1994. -V.228.-P. 301-306.

101. Beljonne D., Cornil J., Bredas J.L., Friend R.H. Theoretical investigation of the lowest singlet and triplet excited states in oligo(phenylenevinylene)s and oli-gothiophenes // Synth. Met. -1996. -V.76. -P. 61.

102. Frenkel J. On Pre-Breakdown Phenomena in Insulators and Electronic Semiconductors // Phys. Rev. -1938. —V.54. -P. 647- 648.103*. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Кн. 1. Пер: с англ. М.: Мир, 1984. - 456с.

103. Sze S.M. Current Transport and Maximum Dielectric Strength of Silicon Nitride Films // J. Appl. Phys. -1967. -V.38. -P. 2951-2956.

104. Simmons J.G. Poole-Frenkel Effect and Schottky Effect in Metal-Insulator-Metal Systems // Phys. Rev. -1967. -V.155. -P. 657-660.

105. Okamoto K. Photocurrent and spectral characteristics of field-induced junctions//Solid-State Electronics.-1974.-V. 17.-Is. 11.-P. 1155-1161.

106. Stolka M., Abkowitz M.A., Knier F.E. Weagley R.J., McGrane K.M. Manifestation of glass transition in electronic charge transport in Si and Ge Backbone polymers // Synth. Met. -1990. -V.37. Is.1-3. - P.295-303.

107. Abkowitz M.A., Rice M.J., Stolka M. Electronic transport in silicon.back-bone polymers // Philos. Mag. B-1990.-V. 61. Is. 1. -P. 25-57.

108. Bassler H., Schonherr G., Abkowitz M., Pai D.M. Hopping transport in prototypical organic glasses // Phys. Rev. В -1990. -V.26. -P. 3105-3113.

109. Pai D.M., Yannis J. F., Stolka M., Renfer D., Limburg W.W. Hole transport in solid solutions of substituted triarylmethanes in bisphenol-A-polycarbonate // Philos. Mag. В -1983. -V.48. -Is. 6. -P. 505-522.

110. Muller-Horsche E., Haarer D., Scher H. Transition from dispersive to non-dispersive transport: Photoconduction of polyvinylcarbarzole // Phys. Rev. В — 1987.-V.35.-P. 1273-1280.

111. Santos Lemus S.J., Hirsch J. Hole transport in. isopropyl carbazole-polycarbonate mixtures //Philos. Mag. В -1986. -V.53. -Is. 1. -P. 25-39.

112. Peled A., Schein L.B. Hole mobilities that decrease with increasing electric fields in molecularly doped polymer//Chem. Phys. Lett.-1988.-V.153.-P.422-424.

113. Gill W.G. Drift mobilities in amorphous charge-transfer complexes of trini-trofluorenone and poly-rc-vinylcarbazole // Appl. Phys.-1972.-V.43.-P.5033-5040.

114. Vannikov A.V., Kryukov A.Yu., Horhold H.H. Photoelectric properties of polyarylenevinylenes // Synth. Metals-1991.-V. 41-43. P. 331-334.

115. Vannikov A.V., Saidov A.C. Charge Carrier Transport in Conjugated Polymers // Mol. Cryst. Liq. Cryst. -1993.-V. 228. Is.l. -P. 87-92.

116. Abkowitz M.A., McGrane K.M., Knier F.E., Stolka M. Electronic Transport in Si and Ge Backbone Polymers-Effect of Thermal Transitions // Mol. Cryst. Liq. Cryst. -1990.-V.183. -P. 2157.

117. Abkowitz M.A., Stolka M. Electronic transport in aliphatic polysilylenes and polygermylenes // Solid State Commun. -1990.-V.78. -P. 269-271.

118. Borsenberger P.M. Hole transport in mixtures of 1,1 -bis(di-4-tolylamino-phenyl) cyclohexane and bisphenol-A-polycarbonate // J. Appl. Phys. -1990-V.68. -Pi 5682.

119. Abkowitz M.A., Stolka M., Morgan M. Behavior of the drift mobility in the glass transition region of some hole-transporting amorphous organic films // J. Appl. Phys. -1981.-V.52. -P. 3453-3457.

120. Новиков С. В., Ванников А. В. Влияние электрического поля на подвижность зарядов в полимерах // Хим. физика. -1991. Т. 10. - N 12. - С. 1692-1698.

121. Novikov S. V., Vannikov А. V. Field dependence of charge mobility in polymer matrices // Chem. Phys. Lett. -1991. -V. 182. -P. 598-602.

122. Новиков С. В., Ванников А. В. Эффект электрического поля на подвижность зарядов в полимерах. Исследование динамики выхода носителя заряда из дипольной ловушки методом Монте Карло // Хим. физика. -1993. Т. 12.-N1.-C. 90-103.

123. Ванников А. В., Гришина А.Д., Новиков С. В. Электронный транспорт и электролюминесценция в полимерных слоях // Успехи химии. -1994. — Т.63(2). -С. 107-129.

124. Duke C.B. and Fabish T.J. Charge-Induced Relaxation in Polymers // Phis. Rev. Lett. 1976. -V. 37. - P. 1075-1078.

125. Поуп M., Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах-. в 2-х т. Т.1. Пер. с англ. М.: Мир. -1985. -544с.

126. Pfister G., Scher Н. Dispersive (non-Gaussian) transient transport in disordered solids // Adv. Phys. 1978. - V.27. - Is.5. -P. 747-798.

127. Marshall J.M. Carrier diffusion in amorphous semiconductors // Rep. Prog. Phys. 1983. - V.46. -P. 1235-1282.

128. Гольданский В.И., Трахтенбсрг Л.И., Флеров B.H. Туннельные явления в химической физике. М.: Наука, 1986. - 296 с.

129. Montroll E.W., Scher Н. Random walks on lattices. IV. Continuous-time walks and influence of absorbing boundaries // J. Stat. Phys. 1973. - V.9. - P. 101-135.

130. Scher H., Lax M. Stochastic Transport in a Disordered Solid. II. Impurity Conduction // Phys. Rev. В 1973. - V.7. - P. 4502-4519.

131. Scher H., Montroll E.W. Anomalous transit-time dispersion in amorphous solids // Phys. Rev. В 1975. -V. 12. - P. 2455-2477.

132. Klafter J., Silbey R. Derivation of the Continuous-Time Random-Walk Equation // Phys. Rev. Lett. 1980. - V.44. -P. 55-58.

133. Rudenko A. I. Theoiy of trap-controlled transient current injection // J. Non-Cryst. Solids 1976.-V.22.-P. 215-218.

134. Pollak M. On dispersive transport by hopping and by trapping // Philos. Mag. 1977. - V. 36. -Is.5. -P. 1157-1169.

135. Schmidlin F.W. Theory of trap-controlled transient photoconduction // Phys. Rev. В 1977.-V. 16.-P. 2362-2385.

136. Rudenko A.I., Arkhipov V.I. Drift and diffusion in materials with traps I. Quasi-equilibrium transport regime // Philos. Mag. В 1982. - V.45. - Is.2. - P. 177-187.

137. Arkhipov V.l., Rudenko A.I. Drift and diffusion in materials with traps II. Non-equilibrium transport regime // Philos. Mag. В -1982. -V.45. Is.2. - P. 189207.

138. Jakobs A.A., Kein K.W. Theory and.simulation of multiple-trapping transport through a finite slab // Phys. Rev. В -1993. -V.48. P. 8780-8789.

139. Чопра K.JI. Электрические явления в тонких пленках. Пер. с англ. М.: Мир, 1972.-434 с.

140. Simmons J.G. Potential Barriers and Emission-Limited Current Flow Between Closely Spaced Parallel Metal Electrodes // J. Appl. Phys. -1964. -V. 35. -P. 2472-2481.

141. Gundlach K.H. Zur Berechnung des thermischen Elektronenstroms durch dünne dielektrische Schichten//Phys. Stat. Sol. (b)-1964. -V.4. -P. 527-532.

142. Rideout V.L. A review of the theory, technology and applications of metal-semiconductor rectifiers // Thin Solid Films -1978. -V.48. -P. 261.

143. Fowler R.H., Nordheim L. Electron emission in intense electric fields // Proc. R. Soc. Lond. A-1928. —V.l 19. -P. 173-181.

144. Parker I.D. Carrier tunneling and device characteristics in polymer light-emitting diodes // J. Appl Phys. -1994. -V.75. P. 1656-1966.

145. Heeger A.J., Parker I.D., Yang Y. Carrier injection into semiconducting polymers: Fowler-Nordheim field-emission tunneling // Synth. Metals. -1994. -V. 67. -P. 23-29.

146. Vestweber H., Pommerehne J., Sander R., Mahrt R.F., Greiner A., Heitz W., Bassler H. Majority earner injection from ITO anodes into organic light-emitting diodes based upon polymer blends // Synth. Metals. -1995. -V. 68. -P. 263-268.

147. Davids P.S., Kogan Sh.M., Parker I.D., Smith D.L. Charge injection in organic light-emitting diodes: Tunneling into low mobility materials // Appl. Phys. Lett. -1996. -V. 69. -P. 2270-2272.

148. Abkowitz M.A., Mizes H.A., Facci J.S. Emission limited injection by thermally assisted tunneling into a trap-free transport polymer // Appl. Phys. Lett. -1995. -V. 66. E.M. -P.1288-1290.

149. Gamstein Yu.N., Conwell E.M. Field-dependent thermal injection into a disordered molecular insulator // Chem. Phys. Lett. -1996. -V. 255. -P. 93-98.

150. Bassler H. Charge Transport in Disordered Organic Photoconductors a Monte Carlo Simulation Study // Phys. Stat. Sol. (b) 1993. -V.175. -P. 15-56.

151. Arkhipov V.I., Emelianova E.V. Talc Y.H., Bassler H. Charge injection into light-emitting diodes: Theory and experiment // J. Appl. Phys. 1998. -V.84. - P. 848-856.

152. Chiang C.K., Ficher Jr.C.R., Park Y.W., Heeger A.J., Shirakawa H., Louis E.J., Gau S.C., McDiarmid A.G. Electrical Conductivity in Doped Polyacetylene // Phys. Rev. Lett. 1977.-V. 39. - P. 1098-1101.

153. Ениколопян H.C., Берлин Ю.А., БешенкоС.И., Жорин В.А. Аномально низкое электрическое сопротивление тонких пленок диэлектриков. // Письма вЖЭТФ.-Т. 33.-Вып. 10.-С. 508-511.

154. Ениколопян Н.С., Берлин Ю.А., Бешенко С.И., Жорин В.А. Новое вы-сокопроводящее состояние композиций металл полимер. // ДАН СССР, сер. Физ.химия, - 1981. - Т. 258. - В. 6. - С. 1400-1403.

155. Берлин Ю.А., Бешенко С.И., Жорин В.А., Овчинников А.А., Ениколопян Н.С. О возможном механизме аномально высокой проводимости тонких пленок диэлектриков. // ДАН СССР, сер. Физ. Хим., 1981. - С. 1386-1390.

156. Гутман Ф., Лайонс JI. Органические полупроводники. -М.: Мир, 1970. -696 с.

157. Архангородский В.М., Гук Е.Г., Ельяшевич A.M., Ионов А.Н., Тучке-вич, В.М., Шлимак И.С. Высокопроводящее состояние в пленках окисленного полипропилена. // ДАН СССР. 1989. - Т. 309. -№3. - С. 603-606.

158. Ельяшевич A.M., Ионов А.Н., Ривкин М.М., Тучкевич В.М. Эффект переключения с памятью и проводящие каналы в структурах металл-полимер-металл. // Физика твердого тела. 1992. - Т. 34. - №11. - С. 3457-3464.

159. Kost J., Narkis М., Foux A. Quantitative model relating electrical resistance, strain, and time for carbon black-loaded silicone rubber // Polymer Engineering and Science. 1994.-V. 34(21)-P 1628-1634.

160. Etemad S., Quan X., Sanders N.A. Geometry-defined electrical interconnection by a homogeneous medium //Appl.Phys.Lett. 1986 - V.48 - P. 607-610.

161. Sakai Y., Sadoaka Y., Okada G. Switching in poly-N-vinylcarbazole thin films //Polymer J. 1983 -V. 15. -N 3. - P. 195-199.

162. Bogomolov V.N., Kolla E.V., Kumzerov Yu.A. Determinatrion on critical temperature of the ultrathin metals filaments superconducting transition and its dependence on the filament diameter // Sol.State Commun. 1983. — V. 46. - N5. -P.383-385.

163. Mott N.F., Twose W.D., The theory of impurity conduction. // Adv. Phys. -1961. V.10. -N38. -P. 107-163.

164. Скалдин O.A., Жеребов A. ., Лачинов A.H., Чувыров A.H., Делеев В.А. Зарядовая неустойчивость в тонких пленках органических полупроводников// Письма в ЖЭТФ. 1990. - Т. 51. - В. 3. - С. 141-144.

165. Костылев С.А., Шкут В.А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. Киев: Наук. Думка, 1978. - 203 с.

166. Johansson A., Stafstom S. Interchain charge transport in disordered n-conjigated chain systems // Phys.Rev. B. 2002. - V. 66. - P.085208 (6 pages).

167. Su W. P., Schrieffer J. R, Heeger A. J. Soliton excitations in polyacetylene.// Phys.Rev. B. 1980. - V. 22. - P. 2099-2111.

168. Su W.P.,. Schrieffer J.R., Heeger A.J. Solitons in Polyacetylene // Phys.Rev. Lett. 1979.-V. 42.-P. 1698-1701.

169. Zimbovskaya N.A., Johnson A.T., Pinto N.J. Electronic transport mechanism in conducting polymer nanofibers // Phys.Rev. В 2005. - V. 72. - P. 024213 (4 pages).

170. Лачинов А.Н., Корнилов В.М., Загуренко Т.Г., Жеребов А.Ю. К вопросу о высокой проводимости несопряженных полимеров // ЖЭТФ. 2006. -Т.129.-В:3.-С.1-7.

171. Дирнлей Дж., Стоунхэм А., Морган Д. Электрические явления в аморфных пленках окислов //УФН. -1974. Т.112. -В.1. -С.83-128.

172. Welch D.O. HTSC for newcomers. // Science.-1992. -V.258. -P.l672-1673.

173. Ежовский Ю.К. Поверхностные наноструктуры,- перспективы синтеза и использования // Соросовский образоват. журнал. -2000. №1. - С. 56-63.

174. Hickmott T.W. Low-frequency negative resistance in thin anodic oxide films // J. Appl. Phys. -1962. -V. 33. -P. 2669.

175. Simmons J.G., Verdeber R.R. New conduction and reversible memory phenomena in thin insulating films // Proc. Roy. Soc. A. -1967. -V.301.-P. 77-102.

176. Остин И, Илуэлл Д. Магнитные полупроводники // УФН. -1972. -Т.106. -В.2. С.337-364.

177. Эсаки Л. Молекулярно-лучевая эпитаксия и развитие технологии полупроводниковых сверхрешеток и.структур с квантовыми ямами // Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Под ред. Л. Ченга, К. Плога. М.: Мир, 1989.-С. 7-36.

178. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки.- М.: Мир, 1989. 240 с.

179. Силин А. П. Полупроводниковые сверхрешетки // УФН. -1985. -Т. 147. -В.З.-С. 485-521.

180. Бастар Г. Расчет зонной структуры сверхрешеток методом огибающей функции // Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Под ред. Л. Ченга, К. Плога. -М.: Мир, 1989. -С.312-347.

181. Демарина Н. В. Перспективы использования GaAs/AlGaAs сверхрешеток с оптически возбужденными носителями заряда для экспериментальногонаблюдения ТГц излучения // Труды научной конференции по радиофизике. Н. Новгород, 2005. - С. 42-44.

182. Киселев В. Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики твердого тела. -М.: Изд-во Московского университета. Физ. факультет МГУ, 1999. -284с.

183. Ахманов С.А., Емельянов В.И., Коротеев Н.И., Семиногов В.Н. Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и металлов: нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика //УФН. -1985.-Т.147.-№12. -С.263-291.

184. Шик А.Я. Квантовые нити // Соросовский образовательный журнал. -1997.-№5.-С. 87-92.

185. Корнилов В.М., Лачинов А.Н. Модификация поверхности системы Si-8Ю2-полимер с помощью сканирующего туннельного микроскопа // Микросистемная техника. -2003. -№ 3. С. 78-83.

186. Ионов А.Н., Лачинов А.Н., Ренч Р. Сверхпроводящий ток в полифтали-дилиденбифенилена // Письма в ЖТФ. 2002. -Т. 28 .- В. 14. - С.69-76.

187. Baraff G.A., Appelbaum J.A., Hamann D.R. Self-consistent calculation of the electronic structure at an abrupt GaAs-Ge interface. Phys. Rev. Lett. -1977. -V. 38.-P. 237-240.

188. Harrison W.A., Kraut E.A., Waldrop J.R., Grant R.W. Polar heterojunction interfaces. Phys. Rev. В -1978. -V.18. -P.4402-4410.

189. Kroemer H. Polar-on-nonpolar epitaxy. J. Cryst. Growth-1987. -V.81. -P.193-204.

190. Bednorz J.G., Mueller K.A. Possible high-Tc superconductivity in the Ba-La-Cu-0 system.// Z. Phys. В -1986.-V.81. P. 189-193.

191. Park B.H. et al. Lanthanum-substituted bismuth titanate for use in nonvolatile memories //Nature. -1999. -V.401. -P. 682-684.

192. Ohtomo A., Hwang H.Y. A high-mobility electron gas at the LaA103/SrTi03 heterointerface // Nature. -2004. -V.427. -P. 423-426.

193. Thiel S., Hammerl G., Schmehl A., Schneider C.W., Mannhart J. Tunable quasi-two-dimensional electron gases in oxide heterostructures // Science. —2006. — V.313.-P. 1942-1945.

194. Pentcheva R., Pickett W.E. Charge localization or itineracy at LaA103/SrTi03 interfaces: Hole polarons, oxygen vacancies, and mobile electrons // Phys. Rev. В -2006.-V.74.-P. 035112.

195. Brinkman A. et al. Magnetic effects at the interface between non-magnetic oxides // Nat. Mater. -2007. -V.6. P. 493.

196. Koerting V., Yuan Q., Hirschfeld P.J., Корр T., Mannhart J. Interfacemediated pairing in field effect devices // Phys. Rev. В -2005. -V.71- P. 104510 .

197. Pavlenko N., Корр T. Electrostatic interface tuning in correlated superconducting heterostructures // Phys. Rev. В -2005. -V.72. -P. 174516.

198. Березинский В. Jl., Разрушение дальнего порядка в одномерных и двумерных системах с непрерывной группой симметрии // ЖЭТФ -1971. -Т. 61. -В. З.-С. 1144-1156.

199. Kosterlitz J.M., Thouless D.J. Long range order and metastability in two dimensional solids and superfluids (Application of dislocation theory) // J. Phys. С -1972. -V.5. — P. L124.

200. Schneider C.W., Thiel S., Hammerl G., Richter C., Mannhart J. Microlitho-graphy of electron gases formed at interfaces in oxide heterostructures // Appl. Phys. Lett. -2006. -V.89. P. 122101.

201. Ohtomo A., Muller D.A., Grazul J.L., Hwang H.Y. Artificial chargemodulation in atomic-scale perovskite titanate superlattices // Nature. -2002. -V.419.-P. 378-380.

202. Cen G., Thiel S., Hammerl G., Schneider C.W., Andersen K.E., Hellberg C.S., Mannhart J., Levy J. Nanoscale control of an interfacial metal-insulator transition at room temperature // Nature Mater. -2008. -V.7. P. 298-302.

203. Caviglial D., Garigliol S., Reyrenl N., Jaccardl D., Schneider Т., Gabay M., Thiel S., Hammerl G., Mannhart J., Trisconel J.-M. Electric field control of the LaA103/SrTi03 interface ground state // Nature Lett. -2008.-V. 456. P.624-627.

204. Alves H., Molinari A.S., Xie H., Morpurgo A. F. Metallic conduction at organic charge-transfer interfaces //Nature Mater. -2008. -V. 7-P. 574-580.

205. Ando Т., Fowler A.B., Stern F. Electronic properties of two-dimensional systems // Rev. Mod. Phys. 1982. -V.54.- P. 437-672.

206. Endo A., Iye Y. Dependence of Modulation Amplitude on Electron Density in Unidirectional Lateral Superlattices: The Effect of the Thickness of the Two-dimensional Electron Gas // J. Phys. Soc. Jpn. -2005. -V. 74.-P. 1792-1799.

207. Никитенко B.P., Тамеев A.P., Ванников A.B. Механизм металлической проводимости вдоль границы раздела органических диэлектриков // ФТП -2010. Т.44. -В.2. - С. 223-229.

208. Lindell L., Unge М., Osikowich W., Staftstrom S., Salaneck W.R., Crispin X., de Jong M.P. Integer charge transfer at the tetrakis(dimethylamino) ethylene /Au interface // Appl. Phys. Lett. -2008. -V. 92.- P. 163302.

209. Arkhipov V.I., Emelianova E.V., Heremans P., Bassler H. Analytic model of carrier mobility in doped disordered organic semiconductors // Phys. Rev. В -2005. -V. 72.-P. 235202 (5 pages).

210. Nikitenko V.R., Tameev A.R., Vannikov A.V., Lachinov A.N., Bassler H. Bipolar space charge formation and switching effect in thin polymer films // Appl. Phys. Lett. -2008. -V. 92.-P. 153307 (3pages).

211. Божович И. Эксперименты с атомарно гладкими тонкими пленками сверхпроводящих купратов: сильное электрон-фононное взаимодействие и другие сюрпризы //УФН-Т.178. -№2- С.179-190.

212. Popovic S.Z. et al. On the Origin of the 2DEG Carrier Density at the LaA103

213. SrTi03 Interface //http://arxiv.org/pdF0811.1624v3. '

214. Nakagawa N., Hwang H.Y., Muller D.A. Why some interfaces cannot be sharp //Nature Mat. -2006. -V. 5.-P. 204-209.

215. Pauli S.A. and Willmott P. R. Conducting interfaces between polar and nonpolar insulating perovskites // J. Phys.: Condens. Matter. -2008.-V.20 P. 264012.

216. Золотухин М.Г., Ковардаков B.A., Салазкин C.H., Рафиков С.Р. Некоторые закономерности синтеза полиариленфталидов гомополиконденсацией п-(З-хлоро-З-фталидил)-бефинила. //Высокомолек. Соед. -1984. -Т. А26. —№6-С. 1212-1217. •

217. Zolotukhin M.G., Skirda V.D., Sedova Е. A., Sundukov V. I., Salazkin S.N., Gelation in the homopolycondensation of 3-arel-3-clorphtalides. // Macromol. Chem. -1993. -V.194. -№2-P. 543-549.

218. A. C. 734989 СССР. Полигетероарилены для изготовления термостойких материалов и способ их получения. / Рафиков С.Р., Толстиков Г.А., Салазкин С.Н., Золотухин М.Г. Б.И. - 19891. -№20.

219. Новоселов-И.В. Взаимодействие полиариленфталидов и их аналогов с иодом. // Канд. дисс. ИОХ УНЦ РАН. -Уфа, 1996.

220. Салазкин С.Н., Золотухин М.Г., Ковардаков В., Дубровина JI.B., Гладкова Е.А., Павлова С.С., Рафиков >С.Р. Молекулярно-массовые характеристики полиариленфталида // Высокомолек. соед. 1987. -Т. А29. - №7. - С. 14311436.

221. Wu C.R., Johansson N., Lachinov A.N., Stafstrom S., Kugler Т., Rasmusson J., Salaneck W.R. The chemical and electronic structure of the conjugated polymer poly(3.3-phthalidyliden-4.4-bihenylilene) // Synth. Metals. 1994. - V. 67. - P. 125-128

222. Салихов Р.Б. Экспериментальная физика. Обработка результатов измерений и электроизмерительные приборы. Уфа: Изд-во БГПУ, 2003. - 60 с.

223. Лачинов А. Н., Жеребов А. Ю., Корнилов В. М. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении // Письма в ЖЭТФ -1990. Т. 52. -В. 2. -С. 742-745.

224. Zykov B.G., Baydin V.N., Bayburina Z.Sh. et al. // Journal of Electron Spectroscopy and Rel. Phenomena- 1992. V.61. -P.123-129.

225. Moses D., Feldblum A., Ehrenfreund., Heeger A. J., Chug Т., MacDiarmind A.G. // Pressure dependence of the photoabsorption of polyacetylene. // Phys.Rev. В 1982. - V. 26. - P. 3361-3369.

226. Park Y.W., Heeger A.J. Electrical Transport in Doped Polyacetylene // Chem. Phys. 1980. - V.73. - P. 946-957.

227. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. Пер. с англ. -М.: Мир, 1973.-416 с.

228. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. В 2-х т. Т.1. Пер. с англ. -М.: Мир, 1984. -350 с.

229. Лачинов А.Н., Загуренко Т.Г., Корнилов В.М., Фокин А.И., Александров И.В., Валиев Р.З. Перенос заряда в системе металл полимер - нанокрис-таллический металл // ФТТ. - 2000. - Т. 42. - В. 10. - С. 1882-1888.

230. Zherebov A., Lachinov A., Kornilov V., Metal phases in electroactive polymer induced by traps ionization. // Synth. Metals. 1997. -V. 84. -P.917-920.

231. Архипов В.И., Руденко А.И., Андриеш A.M., Иову М.С., Шутов С.Д. Нестационарные инжекционные токи в неупорядоченных твердых телах. Кишинев: Штиинца, 1983. -176 с.

232. Pfister. G. Hopping transport in a molecularly doped organic polymer. // Phys. Rev. В 1977. -V. 16. - P. 3676-3687.

233. Тамеев A.P., Лачинов A.H., Салихов Р.Б., Бунаков А.А., ВанниковА.В., Подвижность носителей заряда в тонких пленках полидифениленфталида. // Журнал физической химии. 2005. - Т.79. - №12. - С. 2266-2269.

234. Тютнев А.П., Саенко B.C., Пожидаев Е.Д., Костюков Н.С. Диэлектрические свойства полимеров в полях ионизирующих излучений. — М.: Наука, 2005.-453с.

235. Никитенко В.Р., Тютнев А.П. Переходный ток в тонких слоях неупорядоченных органических материалов в режиме неравновесного транспорта носителей заряда. // ФТП. 2007. - Т. 41. - В. 9. - С. 1118-1125.

236. Schweitzer В., Arkhipov V.I., Bassler H. Field-induced delayed photoluminescence in a conjugated polymer //Chem. Phys. Lett.-1999.-V. 304. -P. 365-370.

237. Juang X., Harima Y., Yamashita K., Tada Y., Ohshita J., and Kunai'A. Dop-ing-induced change of carrier mobilities in poly(3-hexylthiophene) films with different stacking structures // Chem. Phys. Lett. 2005. - V. 364. -P.616.

238. Bozovic I. Low-energy collective electronic excitations in a polaron gas // Phys. Rev. В -1993. -V.48. Is.2. -P. 876-880.

239. Кардона M. Модуляционная спектроскопия. M.: Мир, 1974. - 414 с.

240. Лачинов А.Н., Жеребов А.Ю., Корнилов В.М. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении // Письма в ЖЭТФ. — 1990. Т. 52. - В. 2. - С. 742-745.

241. Корнилов В.М, Лачинов А.Н., Электронностимулированный переход диэлектрик металл в электроактивных полимерах // Письма в ЖЭТФ. — 1995. - Т.61. - В.6. - С. 504-507.

242. Kornilov V. М., Lachinov А. N. Electron-microscopic analysis of polymer thin films capable of switching to conductive state // Synth. Metals 1993. - V.53. -N.1.-P.1-6.

243. Питер Ю., Кардона M. Основы физики полупроводников. М.: Физмат-лит, 2002. - 560 с.

244. Бразовский С.А., Кирова Н.Н. Экситоны, поляроны и биполяроны в проводящих полимерах. // Письма в ЖЭТФ. -1981. Т.ЗЗ. - №1. - С.6-10.

245. Johansson N., Lachinov A., Stafstrom S., Kugler Т., Salaneck W.R. A theoretical study of the chemical structure of the non-conjugated polymer poly(3,3'-phthalidylidene-4,4'-biphenylene) // Synth. Metals. 1994. - V. 67. - P. 319-322.

246. Dewar M.J.S., Zoebish E.J., Healy R.F., Stewart J.J.P. A new general purpose quantum mechanical molecular model // Am. Chem.Soc. —1985. V.107. - P. 3902-3909.

247. Bredas J.L., Chance R.R., Silbey R., Nicolas G., Durand Ph. A nonempirical effective Hamiltonian technique for polymers: Application to polyacetylene and polydiacetylene // J. Chem. Phys. 1981. - V.75. -P.255-267.

248. Лачинов А.Н., Жданов Э.Р., Рахмеев Р.Г., Салнхов Р.Б., Антипин В.А. Модуляция оптического поглощения пленок полидифениленфталида вблизи порога переключения // Физика твердого тела. 2010-Т.52.-В.1. -С.181-186.

249. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г. О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний полимер - металл // Физика и техника полупро-водников-2007. -Т.14. -В. 10, с.1182-1186.

250. Zherebov A., Lachinov A., Genoe J., Tameev A. Polyheteroarylene films with intrinsic switching mechanism for nonvolatile memory applications // Appl. Phys. Lett. -2008. -V.92. P. 193302 (3 pages).

251. Ильясов B.X., Лачинов A.H., Мошелев A.B., Пономарев А.Ф. Оценка параметров носителей заряда полимера вблизи порога термостимулированного переключения // ФТТ. -2008.- Т.50. В.З. - С. 547-551.

252. Ebisawa F., Kurokawa Т., Nara S. Electrical properties of polyacetylene/ polysiloxane interface // J. Appl. Phys. 1983. - V.54. - P. 3255.

253. Tsumura A., Koezuka H., Ando T. Macromolecular electronic device: Field-effect transistor with a polythiophene thin film // Appl. Phys. Lett. 1986, -V.49. -P.1210.

254. Halik M., Klauk H., Zschieschang U. et al. Low-voltage organic transistors with an amorphous molecular gate dielectric // Nature. -2004-V.431. P.963-966.

255. Salleo A., Chen T.W., Volkel A.R. et al. Intrinsic hole mobility and trapping in a regioregular poly(thiophene) // Phys. Rev. В -2004. -V.70. P. 115311.

256. Musa I., Eccleston W., Electrical properties of polymer/Si heterojunctions // Thin solid films 1999. - V. 343-344. - P. 469-475.

257. Ionov A.N., Lachinov A.N., Rivkin M.M. and Tuchkevich V.M. Low-resistance state in Polydiphenylenephthalide at low temperatures // Sol. St. Com-raun. -1992. -V.82. -P. 609-61L

258. Novikov S.V., Vannikov A.V. Field dependence of charge mobility in polymer matrices, Monte Carlo simulation of the escape of a charge carrier from a dipole trap // Chem. Phys. 1993. - V. 169. - P. 21-33.

259. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т.1. Пер. с англ. -М.: Мир, 1982. 368 с.

260. Zolotukhin M.G., Panasenko А.А., Sultanova V.S., Sedova E.A., Spirikhin L.V., L.M. Khalilov L.M., Salazkin S.N., Rafikov S.R. NMR study of poly(phthalidylidenearylene)s // Makromol. Chem. -1985. -V.186. -P. 1747-1753.

261. Бунаков A.A., Лачинов A.H., Салихов Р.Б. Исследование вольтампер-ных характеристик тонких пленок полидифениленфталида // ЖТФ. -2003. -Т.73. -В.5. Р.104-109.

262. Musa I., Munindrasdasa D.A.I., Amaratunga G.A.J. et al. Ultra-low-threshold field emission from'conjugated polymers //Nature. -1998. -V.395. -P. 362-365.

263. Лачинов A.H., Ковардаков B.A. Чувыров A.H. Влияние объемного заряда на электронное переключение в полупроводниковых полимерах // Письма в ЖТФ. 1989. - Т. 15. - В.7. - С.24-29

264. Park Y.D., Lim J.A., Lee H.S., Cho К. Interface engineering in organic transistors.// Materials Today. 2007. - V. 10. -N.3. - P.46-54.

265. Avilov I., Cornil J. Quantum-chemical investigation of the electronic structure of organic/organic interfaces. In: Nanomeeting-2007, Minsk. 2007 - P. 110.

266. Vazquez H., Gao W., Flores F., Kahn A. Energy level alignment at organic heterojunctions: Role of the charge neutrality level // Phys. Rev. B. 2005. - V.71. -P. 41306.

267. Компанеец A.C. Теоретическая физика. M.: ГИТТЛ, 1957. - 563 с.

268. Scheffold F, Budkowski A, Steiner U, Eiser E, Klein J, Fetters L.J Surface phase behavior in binary polymer mixtures. II. Surface enrichment from polyolefin blends // J. Chem. Phys. 1996. -V.104. - P. 8795(1-12).

269. Hariharan A., Kumar SK., Russell TP. Reversal of the isotopic effect in the surface behavior of binary polymer blends // J. Chem. Phys. 1993. - V.98. -P. 4163(1-11).

270. Hariharan A., Kumar SK., Russell TP. A lattice model for the surface segregation of polymer chains due to molecular weight effects // Macromolecules. -1990.-V. 23.-P. 3584.

271. Walton D.G., Mayes A.M. Entropically driven segregation in blends of branched and linear polymers // Phys. Rev. E 1996 . -V. 54. - P. 2811-2815.

272. Mayes A.M., Kumar SK. Tailored Polymer Surfaces //MRS Bulletin, January. -1997. -V.22. -No 1. -P. 43.

273. Wu D.T., Fredrickson G.H. Effect of Architecture in the Surface Segregation of Polymer Blends // Macromolecules. 1996. - V.29. - P.7919.

274. Walton D.G., Soo P.P., Mayes A.M., et al: Creation of Stable Poly(Ethylene Oxide) Surfaces on Poly(Methyl Methacrylate) Using Blends of Branched and Linear Polymers // Macromolecules. 1997. - V.30. - P. 6947.

275. Yethiraj A., Kumar S., Hariharan A., Schweizer K.S. Surface segregation in polymer blends due to stiffness disparity // J. Chem. Phys-1994- V.100. -P.4691.

276. Cohen S., Muthukumar M. Critical wetting in two-component polymer blends // J. Chem Phys. 1989. -V. 90. -P.5749.

277. Fredrickson G.H., Donley J.P. Influence of broken conformational symmetry on the surface enrichment of polymer blends // J: Chem. Phys. 1992. -V.97. - P. 8941

278. Donley J.P., Fredrickson G.H. Influence of conformational asymmetry on the surface enrichment of polymer blends II // J. Polym. Sci. Part B: Polymer Physics. -1995.-V.33.-P.1343.

279. Yethiraj A. Entropic and Enthalpic Surface Segregation from Blends of Branched and Linear Polymers// Phys Rev Lett. 1995. - V.74. -P. 2018.

280. Kumar S., Yethiraj A., Schweizer K.S., Leermakers F.A.M., The effects of local stiffness disparity on the surface segregation from binary polymer blends // J. Chem. Phys. 1995. -V.103. -P. 10332.

281. Симон Ж., Андре Ж.-Ж. Молекулярные полупроводники. М.: Мир, 1988.-344 с.

282. Лачинов А.Н., Воробьева Н.В., Электроника тонких слоев широкозонных полимеров // УФЫ -2006. -Т.176. -Р. 1249.

283. Zhong Zh. and Kelly J.P. Electronic-structure-induced reconstruction and magnetic ordering at the LaA103|SrTi03 interface //Europhys. Lett. -2008. -V.84. -N. 2-P. 27001.

284. Caviglia A.D., Gariglio S., Reyren N. et al. Electric field control of the LaA103/SrTi03 interface ground state //Nature. -2008. -V.456. -P. 624-627.

285. Kirtley J.R. and Mannhart J. When TTF met TCNQ. // Nature Mater. 2008. -V.7.-P. 520-521.

286. Fischer D.A., Mitchell G. E., Yeh A.T., Gland J.L. Functional group orientation in surface and bulk polystyrene studied by ultra soft X-ray absorption spectroscopy // Appl. Surf. Sci. -1998. -V.133. -P. 58-64.

287. Hellemans A. Insulator Gives Plastic Transistors a Boost // Science. -1999. -V.283. P.771-772.

288. Dimitrakopoulos D. and Malenfant P.R.L. Organic Thin Film Transistors for Large Area Electronics // Adv. Mater. -2002. V. 14. -N.2. -P. 99-117.

289. Nakayama K., Fujimoto S., Yokoyama M. Charge-injection-controlled organic transistor // Appl. Phys. Lett. -2003. -V.82. -P. 4584-4586.

290. Horowitz G. Organic Field-Effect Transistors // Adv. Mater. V.10. -P. 365377.

291. Гадиев P.M., Лачинов A.H., Корнилов B.M., Салихов Р.Б., Рахмеев Р.Г., Юсупов А.Р. Аномально высокая проводимость вдоль интерфейса двух полимерных диэлектриков // Письма в ЖЭТФ- 2009.-Т. 90.- В. 11.- С. 821-825.

292. Лачинов А.Н., Золотухин М.Г., Жеребов А.Ю., Салазкин С.Н., Валеева И.Л., Чувыров А.Н. Биполяронная проводимость полимера, стимулированная аномальной термической поляризуемостью молекулы // Письма в ЖЭТФ. -1986. Т.44. -В.6. -С.272-276.

293. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Бунаков А.А. Перенос заряда в тонких полимерных пленках полиариленфталидов // ФТТ. 2007. -Т. 49. -В. 1. - С. 179-182.

294. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г. Транспортный слой на границе раздела двух полимерных пленок // Письма в ЖТФ. 2008. -Т. 34. -В. 11.— С. 88-94.

295. Список публикаций, в которых изложены основные результаты диссертации

296. Бунаков А. А., Лачинов А. Н., Салихов Р. Б. Исследование вольт-амперных характеристик тонких пленок полидифениленфталида // ЖТФ.2003.-Т. 73,-В. 5. С.104-108.

297. Bunakov A.A., Lachinov A.N., Salikhov R.B. Current-voltage characteristics of thin poly(biphenyl-4-ylphthalide) films // Macromolecular Symposia.2004. V.212. - Is.l. - P. 387-392.

298. Lachinov A.N., Salikhov R.B., Bunakov A.A., Tameev A.R. Charge carriers generation in thin polymer films by weak external influences // Nonlinear Optics, Quantum Optics. 2004. -V.32. - P. 13-20.

299. Бунаков A.A., Лачинов A.H. Салихов Р.Б. Особенности вольтамперных характеристик тонких пленок полидифениленфталида // Химия и компьютерное моделирование. Бутлеровские сообщения-2002 -Т.З, №11- С. 64-67.

300. Тамеев А.Р., Лачинов А.Н., Салихов Р.Б., Бунаков А.А., Ванников А.В. Подвижность носителей заряда в тонких пленках полидифениленфталида // Журнал физической химии. 2005. - Т.79, №12. - С.2266-2269.

301. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Бунаков А.А. Перенос заряда в тонких полимерных пленках полиариленфталидов // ФТТ.-2007.-Т.49.-В.1.- С.179-182.

302. Лачинов А.Н., Салихов Р.Б., Бунаков А.А. Механизмы переноса заряда в тонких полимерных пленках // Известия РГПУ им. А.И.Герцена. — 2005. -№5(13). С.80-91.

303. Salikhov R.B., Lachinov A.N., Rakhmeyev R.G. Electrical properties of het-erostructure Si/poly(diphenylenephthalide)/Cu // J. Appl. Phys. 2007. - V.101. -P. 053706 (5 pages).

304. Салихов Р.Б., Лачинов A.H., Рахмеев Р.Г. О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний- полимер-металл // ФТП. 2007. — Т. 14. - В. 10. — С.1182-1186.

305. Salikhov R.B., Lachinov A.N., Rakhmeyev R.G. Mechanisms of conductivity in metal-polymer-Si thin film structures // Molecular Crystals and Liquid Crystals. 2007. - V.467. - P. 85-92.

306. Салихов Р.Б., Лачинов A.H., Рахмеев P.F. Транспортный слой на границе раздела двух полимерных пленок // Письма в ЖТФ. 2008. - Т.34. - B.l 1. -С. 88-94.

307. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Бунаков А.А. Наноструктурные гетеропереходы на основе полимеров для управления током // Нанотехника. 2008. -№2(14).-С. 43-46.

308. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н. Нанообъекты с узкой проводящей зоной на основе диэлектрических пленок полиариленфталидов // Нанотехнологии: наука и производство. 2008. - №4. - С.61-75.

309. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Корнилов В.М., Рахмеев Р.Г. Свойства транспортного слоя, сформированного на границе раздела двух полимерных пленок // ЖТФ. 2009. - Т.79. - В.4. - С. 131-135.

310. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н. Наноструктурированные пленки полиариленфталидов и их применение // Нанотехника -2009. № 1(17).С. 35-39.

311. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г., Гадиев Р.М., Юсупов А.Р., Салазкин С.Н. Химические сенсоры на основе нанополимерных пленок // Измерительная техника. 2009. — №4. - С. 62-64.

312. Юсупов А.Р., Лачинов А.Н., Салихов Р.Б., Рахмеев Р.Г., Гадиев Р.М. О транзисторном эффекте в вертикальной структуре с несопряженным полимером в качестве транспортного слоя // ФТТ. -2009 Т.51 - В. 11.- С.2265-2268.

313. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н. К вопросу об узкой проводящей зоне в на-ноструктурированных полимерных пленках // Нанотехника. 2009. - № 4(20).-С. 24-30.

314. Гадиев Р.М., Лачинов А.Н., Корнилов В.М., Салихов Р.Б., Рахмеев Р.Г., Юсупов А.Р. Аномально высокая проводимость вдоль интерфейса двух полимерных диэлектриков // Письма в ЖЭТФ.- 2009.- Т.90 В.11- С.821-825.

315. Лачинов А.Н., Жданов Э.Р., Рахмеев Р.Г., Салихов Р.Б., Антипин В.А. Модуляция оптического поглощения пленок полидифениленфталида вблизи порога переключения // ФТТ. 2010. -Т.52. -В.1. - С. 181-186.

316. Салихов Р.Б. Особенности переноса заряда в полимерных пленках // Нанотехнологии: наука и производство. 2010. - №1(6). - С.36-47.

317. Рахмеев Р.Г., Лачинов А.Н., Гадиев Р.М., Салихов Р.Б., Юсупов А.Р., Галиев А.Ф., Гарифуллин Н.М. Полевой эффект на интерфейсе полимер/полимер //Нанотехнологии: наука и производство.-2010.-№1(6).-С.48-52.

318. Быковский Ю.А., Салихов Р.Б., Николаев Л.И., Воскрекасенко Л.С. СКа-спектры и межатомная связь в углеродных пленках // Металлофизика. -1986.- Т.8, №5. С. 107.

319. Bakhtizin R.Z., Ratnikova Е.К., Salikhov R.B. Auger- and SIM-spectroscopy of photosensitive semiconductor multi-point arrays // Communication of the Department of Chemistry of the Bulgarian Academy of Sciences. 1989. -V. 22. -N. 3/4. - P. 397-401.

320. Bunakov A.A., Lachinov A.N., Salikhov R.B. Current-voltage characteristics of thin polymer films // Electrical and Related Properties of Polymers and Other Organic Solids: 9th International Conference ERPOS, Prague, 14-18 July, 2002.-P.41.

321. Lachinov A.N., Salikhov R.B., Bunakov A.A. Nanostructuring Si-polymer-metal heterojunctions for current control // Structuring of Polymers: COST PI2, First Workshop, Naples, Italy, 27-30 October, 2004. P. 92.

322. Salikhov R.B., Lachinov A.N., Bunakov A.A. Charge cariers transport in organic-inorganic multilayer thin films // Electrical and Related Properties of Organic Solids and Polymers: 10th International Conference ERPOS, Cargese, 10-15 July, 2005.-P. В183.

323. Лачинов A.H., Салихов Р.Б., Бунаков A.A. Механизмы переноса заряда в тонких полимерных пленках // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2004): Материалы X Международной конференции. СПб: Изд-во РГПУ им. А.И.Герцена, 2004. - С. 33-35.

324. Лачинов А.Н., Салихов Р.Б., Бунаков А.А. Электрические свойства гетеропереходов типа электроактивный полимер / кремний // Пленки-2004: Материалы Международной научной конференции, 7-10 сентября 2004 г., г. Москва. М.: МИРЭА, 2004. -4.1. - С. 151-152.

325. Салихов.Р.Б., Лачинов А.Н., Бунаков А.А., Рахмеев Р.Г. Наностуктур-ные гетеропереходы полимер/Si // Пленки-2005: Материалы Международной научной конференции, 22-26 ноября 2005 г., г.Москва. М.: МИРЭА, 2005. -4.2. - С. 82-84.

326. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н: Исследование свойств тонких полимерных пленок полидифениленфталида // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: Сборник трудов V Международной конференции СПб: Изд-во Политехнического университета, 2006. - С. 91-92.

327. Салихов Р.Б., Лачинов A.H. Электронные явления в полиариленфтали-дах // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: Сборник трудов VII Международной конференции СПб: Изд-во Политехнического университета, 2010. - С. 177-178.

328. Салихов Р.Б., Лачинов A.H. Транспорт носителей заряда в полимерных пленках // Полимеры 2010: Материалы пятой Всероссийской Каргинской конференции. М.: Изд-во МГУ, 2010. - С. 279.