Структурно-фазовые превращения на поверхностях ионных кристаллов, обусловленные совместным действием электрического и нестационарного теплового полей тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Стерелюхин, Андрей Александрович

• Стерелюхин, Андрей Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Стерелюхин, Андрей Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ДИЭЛЕКТРИКАХ.

1.1. Ионные проводники.

1.1.2. Зонная теория.

1.1.3. Дефекты кристаллических структур.

1.1.4. Ионная проводимость.

1.2. Электрические разряды в газах и твердых телах.

1.3. Электрические эффекты в диэлектриках.

1.3.1. Поляризация диэлектриков.

1.3.2. Электрострикция.

1.3.3. Пьезоэффект.

1.3.4. Пироэффект.

1.3.5. Сегнетоэлектрики.

1.3.6. Электретный эффект.

1.3.7. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена.

1.3.8. Электропластический эффект.

1.4. Фотоэффект в диэлектриках.

1.4.1. Фотоэлектронная эмиссия.

1.4.2. Внутренний фотоэффект в диэлектриках.

1.4.3. Фотостимулированная кристаллизация.

1.5. Цель и задачи исследования.

ГЛАВА 2. ВЛИЯНИЕ ВЕЛИЧИНЫ НАГРЕВА НА ПРОЦЕССЫ, ПРОТЕКАЮЩИЕ НА ПОВЕРХНОСТЯХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ.

2.1. Материалы и методика эксперимента.

2.2. Влияние величины нагрева на плотность ионного тока.

2.3.Определение активационных характеристик проводимости кристаллов.

2.4. Влияние величины нагрева на величину электрической индукции в межэлектродном промежутке.

2.5. Влияние нагрева и полярности исследуемой поверхности на величину поверхностной плотности электрического заряда.

2.6. Измерение величины поверхностного заряда в ионных кристаллах при термоэлектрическом воздействии.

2.6.1. Результаты эксперимента.

2.7. Обсуждение результатов.

2.8. Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3. СТРУКТУРНО-ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТЯХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ РАЗЛИЧНОЙ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ ПРИ НАГРЕВЕ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ.

3.1. Поверхностные изменения в ионных кристаллах при термоэлектрическом воздействии.

3.2. Химическое травление.

3.3.Масс-спектрографическое и рентгеноструктурное исследования вещества новообразований.

3.4. Микроиндентирование вещества новообразований.

3.5. Кристаллизация новообразований на поверхностях щелочногалоидных кристаллов различной кристаллографической ориентации.

3.6. Структурные изменения поверхностей ионных кристаллов под действием потенциала внешнего электрического поля приложенного к поверхности при нагреве.

3.7. Обсуждение результатов.

3.8. Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. СТРУКТУРНО-ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ НА КОНТАКТИРУЮЩИХ ПОВЕРХНОСТЯХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ВОЗДЕЙСТВИИ И ИХ РОЛЬ В ВОССТАНОВЛЕНИИ СПЛОШНОСТИ.

4.1. Фазовые превращения на контактирующих поверхностях разнородных ионных кристаллов при термоэлектрическом воздействии.

4.1.1. Материалы и методика эксперимента.

4.1.2. Результаты эксперимента.

4.1.3. Обсуждение результатов.

4.2. Поведение несплошностей, ограниченных поверхностями однородных ионных кристаллов различной кристаллографической ориентации при термоэлектрическом воздействии.

4.2.1. Материалы и методика эксперимента.

4.2.2. Результаты эксперимента.

4.2.3. Обсуждение результатов.

4.3. Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структурно-фазовые превращения на поверхностях ионных кристаллов, обусловленные совместным действием электрического и нестационарного теплового полей»

Исследование поведения диэлектрических материалов при различных внешних энергетических воздействиях, является одним из значимых направлений развития физики диэлектриков, которое входит составной частью в фундаментальные исследования физики конденсированного состояния, направленные на решение важной задачи - установление взаимосвязи физических свойств, процессов и явлений со структурой материалов, ее особенностями и дефектами.

Ряд ионных кристаллов, особенно галогениды щелочных металлов, имеют большое значение при выполнении научных исследований, так как они позволяют изучать явления в твердых телах, которые трудно изучать на кристаллах других типов.

Широкое использование диэлектриков в электронной промышленности, радио-, СВЧ- и лазерной технике в качестве активных и пассивных элементов, потребность в создании новых материалов с конкретными заранее заданными свойствами требуют определения общих закономерностей поведения диэлектриков при воздействии на них электрического поля в комплексе с другими внешними энергетическими воздействиями. Комплексное внешнее энергетическое воздействие проявляется зачастую при работе элементов оптики, электроники в экстремальных условиях, например, одновременного воздействия тепловых и электрических полей [1], силовых и магнитных [2, 3] и т.д.

Электрофизические свойства диэлектрика, такие как проводимость, электретный эффект, диэлектрические потери, отражающие возможность использования его для конкретных практических целей в тех или иных условиях эксплуатации, во многом определяет релаксационная поляризация, механизм возникновения которой зависит от структуры диэлектрика.

Процессы медленной релаксационной поляризации представляют интерес, так как они переводят диэлектрик в качественно новое, электретное, состояние, при котором в пространстве его окружающем, создается квазидипольное, достаточно длительно сохраняющееся во времени электрическое поле.

Постоянная внутренняя поляризация Р встречается у некоторых кристаллических веществ. В таких кристаллах каждая элементарная ячейка решетки обладает одним и тем же постоянным дипольным моментом [4]. Все диполи направлены в одну сторону даже в отсутствии электрического поля. Дипольные моменты могут измениться вследствие теплового расширения -это пироэлектрик, или под воздействием механического нагружения -пьезоэлектрик [5].

Некоторые кристаллы имеют внутренние дипольные моменты, и вращение их также вносит вклад в поляризацию. В ионных кристаллах, таких, как NaCl, возникает также ионная поляризуемость. Определенный вклад в поляризацию ионных кристаллов дают примесные и собственные точечные дефекты, которые в различных температурных интервалах могут приводить к примесной и собственной проводимости. В этом случае следует отметить ионно-релаксационную и миграционную поляризации [6]. Эти виды поляризации являются релаксационными явлениями, поэтому параметры, характеризующие поляризацию, релаксируют, т.е. постепенно изменяются и затем устанавливаются постоянными.

Наличие ионов проводимости неизбежно сопровождается взаимодействием их с дефектами кристаллической решетки ионного диэлектрика, такими как дислокации, границы субзерен, микро- и макротрещины. Последние оказывают существенное влияние на прочностные характеристики кристалла, его оптические свойства. Взаимодействие ионов проводимости с такими нарушениями регулярности решетки может приводить к их залечиванию вследствие массопереноса и восстановлению механических свойств. Кроме того, в интервалах температур собственной проводимости возможно накопление зарядов в поверхностных слоях диэлектрика. Это обстоятельство неизбежно приводит к изменению стехиометрического состава и, как следствие к изменению физических свойств кристалла. Последнее представляет самостоятельный интерес, так как может встречаться при эксплуатации оптических элементов из щелочногалоидных кристаллов (ЩГК) в экстремальных условиях: высокие температуры, воздействие электрических и магнитных полей, что имеет место в лазерных устройствах ультрафиолетового и инфракрасного диапазонов.

В настоящей работе экспериментально исследованы структурно-фазовые превращения на поверхностях различной кристаллографической ориентации ионных кристаллов при одновременном воздействии на них нагрева и электрического поля, ориентированного нормально к поверхности.

Установлены механизмы перераспределения ионного заряда на поверхностях ЩГК в электрическом поле при нагреве, отличающиеся для положительно и отрицательно заряженных поверхностей тем, что в первом случае заряд обусловлен накоплением междоузельных ионов металла, а во втором, наоборот, обеднением поверхностных слоев более подвижными ионами металла. В связи с этим основной причиной более низких пробивных напряжений при отрицательно заряженной поверхности является кулоновское взаимодействие, способствующее разрушению обедненной ионами металла решетки кристалла.

Экспериментально установлено, что при термоэлектрическом воздействии на ЩГК на поверхностях различной кристаллографической ориентации появляются структурные изменения в виде новообразований аморфного вещества. Проведенными масс-спектроскопическими исследованиями и рентгеноструктурным анализом установлено аморфно-кристаллическое строение новообразований и отмечено увеличение межионного расстояния. Основной причиной образования ионных кристаллов в аморфном состоянии является нарушение стехиометрии.

Появление аморфного вещества изменяет оптическую прозрачность кристалла и физические свойства его поверхности, в связи с чем необходимы ограничения по температуре и величине электрических полей допускаемых при эксплуатации оптических элементов из ЩГК.

В веществе новообразований наблюдается рост кристаллов в виде игл в результате локального воздействия оптического излучения или значительно более медленный при вылеживании в темноте при комнатной температуре.

При термоэлектрическом воздействии на контактирующие поверхности различных кристаллов, например пара LiF:NaCl обнаружено образование соединений типа NaF и LiCl, с нарушенным стехиометрическим составом. Показано, что эти соединения при охлаждении до комнатной температуры также представляют собой аморфное вещество.

Совокупность экспериментальных результатов по исследованию свойств и поведения новообразований позволяет трактовать наблюдаемое явление как структурно-фазовое превращение, связанное с нарушением стехиометрического состава. Изменение стехиометрии обусловлено ионной проводимостью кристаллов при достижении определенной температуры.

Исследована также возможность схватывания поверхностей металлических образцов при комплексном воздействии нагрева или электрического тока и одноосного сжатия. Предложена модель аналитической оценки сил взаимодействия атомных плоскостей в металлах, что позволило установить влияние на качество восстановления сплошности рельефа поверхности и взаимной ориентации зерен в месте контакта.

Работа выполнена в рамках научных исследований, проводимых в Тамбовском государственном университете им. Г.Р. Державина по теме «Дефекты кристаллических структур: механизмы образования и поведения в условиях внешних энергетических воздействий» и поддержана грантами Российского Фонда Фундаментальных Исследований (грант № 02-01-01173, грант №05-01-00759).

Актуальность работы

Исследования любых сложных процессов проводят обычно на наиболее простых в структурном отношении и достаточно хорошо изученных материалах, так называемых модельных. К ним относятся ионные кристаллы. Исследование свойств ионных кристаллов в электрических полях ведется на протяжении многих лет. Однако интерес к этим материалам как модели диэлектрика с ионной связью не ослабевает, так как дальнейшие перспективы практического применения материалов на основе ионных и суперионных проводников определяются глубиной понимания природы формирования физико-химических свойств, выявлением закономерностей изменений последних в кристаллических соединениях, нахождением возможности их целенаправленного модифицирования.

Развитие науки и техники привело к расширению области применения диэлектриков. Во многих устройствах используются диэлектрические материалы, которые длительное время должны работать в условиях нагрева и значительных электрических полей. При этом в диэлектриках протекают физические процессы, приводящие к изменению структуры вещества и ухудшению эксплуатационных свойств. Поэтому изучение процессов, происходящих в диэлектриках при нагреве в электрических полях, является одной из актуальных практических задач.

Научная новизна

1. Установлено, что величина ионного тока в ионных кристаллах при нагреве в электрическом поле зависит от ретикулярной плотности поверхностей, ориентированных нормально линиям электрической индукции и от массы катионов.

2. Показано, что с увеличением ретикулярной плотности поверхностей ионных кристаллов, ориентированных нормально к электрическому полю, снижаются значения энергии активации процесса проводимости как в примесном так и в собственном температурном интервале проводимости. Увеличение массового числа катиона вызывает обратный эффект.

3. Установлено, что накопление поверхностного заряда в ионных кристаллах происходит преимущественно при температурах, соответствующих собственной ионной проводимости, зависящих от ретикулярной плотности поверхностей кристалла. Накопление нескомпенсированного заряда сопровождается появлением на поверхности ионных кристаллов новообразований в виде аморфного вещества или жидкости с высокой вязкостью.

4. Впервые показано, что по совокупности признаков (наличие границы раздела, иные физические свойства, существование температуры начала превращения) появление новообразований можно трактовать как структурно-фазовое превращение на поверхностях ионных кристаллов, обусловленное образованием структур типа АВ(А+) или АВ(В') с отличающимся от исходных кристаллов стехиометрическим составом.

5. Показано, что охлаждение кристаллов после термоэлектрического воздействия, при измененном направлении поля на противоположное, приводит к полному исчезновению новообразований, обусловленному обратным фазовым превращением.

6. Установлено, что при нагреве в постоянном электрическом поле композиции состоящей из двух однородных или разнородных кристаллов на контактирующих поверхностях также протекают структурно фазовые превращения, сопровождающиеся в случае однородных кристаллов процессами рекомбинационной кристаллизации или в случае разнородных кристаллов образованием новых ионных соединений за счет обмена катионами.

Практическая значимость работы

1. Полученные в работе экспериментальные данные, свидетельствующие о структурно-фазовых изменениях поверхностей ионных кристаллов при термоэлектрическом воздействии, могут быть полезны при установлении режимов эксплуатации изделий оптики из ионных кристаллов, работающих в условиях тепловых и электрических полей.

2. Обнаруженное состояние кристалла с локализованным в поверхностных слоях зарядом при «замораживании», подобное электретному эффекту, можно использовать в качестве источника постоянных электрических полей.

3. На основе полученных результатов возможно разработать способ и р технологию получения бикристаллов как из однородных, так и из разнородных ионных кристаллов с заданной разориентировкой.

На защиту выносятся следующие положения

1. Результаты исследований зависимостей плотности тока в ионных кристаллах и энергии активации процесса проводимости от ретикулярной плотности поверхностей нормальных к электрическому полю и от массового числа катионов.

2. Результаты исследований поверхностной плотности заряда в ионных I кристаллах в температурном интервале собственной проводимости за счет образования структур типа АВ(А+) или АВ(В") и влияния на его величину ретикулярной плотности поверхности, а также оценка средней величины накопленного заряда на одну элементарную ячейку.

3. Механизм структурно-фазового превращения, протекающего на поверхностях ионных кристаллов и обусловленного нарушением стехиометрического состава при нагреве ионных кристаллов в электрическом поле, а также результаты по влиянию ретикулярной плотности поверхностей кристалла на температуру начала превращения.

4. Впервые обнаруженное при комнатной температуре явление фотостимулированной обратимой кристаллизации фазы, образующейся при нагреве в электрическом поле кристаллов LiF на поверхностях {350} и {110}, вызванной сфокусированным излучением видимого диапазона.

5. Структурно-фазовые превращения на контактирующих поверхностях композиции, составленной из двух кристаллитов: однородных кристаллов с различной кристаллографической ориентировкой и разнородных кристаллов, контактирующих плоскостями с одинаковыми индексами, а также возможность получения однородных и разнородных бикристаллов с заданной разориентировкой.

Публикации. Содержание диссертации опубликовано в 21 работе. Работа поддержана Российским Фондом Фундаментальных Исследований (гранты № 02-01-01173 и 05-01-00759).

Апробация работы

Результаты исследований были представлены и обсуждались на следующих научных конференциях и семинарах: III Международная конференция "Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений" на базе XLI семинара "Актуальные проблемы прочности" MPFP-2003 (Тамбов, 2003 г.); V Международная конференция "Single Crystal Growth and Heat & Mass Transfer" (Обнинск 2003); II Международная конференция по физике кристаллов "Кристаллофизика 21-го века", посвященная памяти М.П. Шаскольской (Москва, 2003 г.); II Всероссийская научно-техническая конференция «Физические свойства металлов и сплавов» (Екатеринбург, 2003 г.); Eighth International Workshop on "New Approaches to High-tech: Nondistructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering" (Санкт-Петербург, 2004 г.); XI национальная конференция по росту кристаллов (Москва, 2004 г.); XLII Международная конференция «Актуальные проблемы прочности» (Калуга, 2004 г.); 10 Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых

Москва, 2004 г.); 4-я Международная научная конференция «Современные достижения физики и фундаментальное физическое образование» (Казахстан, Алматы, 2005 г.); II международная школа «Физическое материаловедение», XVIII Уральская школа металловедов-термистов «Актуальные проблемы физического материаловедения сталей и сплавов» (Тольятти, 2006 г.); XVI Петербургские чтения по проблемам прочности, посвященные 75-летию со дня рождения В.А. Лихачева (Санкт-Петербург, 2006 г.); научные конференции преподавателей и сотрудников ТамбГУ (Державинские чтения, 2003-2006 гг.).

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, приложения, выводов по работе и библиографического списка. Она изложена на 151 странице машинописного текста, содержит 53 иллюстрации и 9 таблиц. Библиографический список содержит 148 наименований работ отечественных и зарубежных авторов.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Стерелюхин, Андрей Александрович

5.5. Выводы

1. Показано, что при восстановлении сплошности в металлах сжатием контактирующих поверхностей существуют некоторые эффективные напряжения, при которых наблюдаемое восстановление прочностных характеристик максимально.

2. Одновременный со сжатием проворот контактирующих плоскостей относительно друг друга приводит к разрушению поверхностных окисных пленок. Вскрывающиеся при этом поверхности металлов ювенильны, что обеспечивает восстановление сплошности и прочностных характеристик.

3. Дополнительный нагрев соединяемых образцов или пропускание электрического тока во время сжатия и проворота поверхностей t относительно друг друга приводят к увеличению прочности соединяемых участков до -40% и -60% от табличной, соответственно.

4. Моделированием, основанном на расчете сил взаимодействия поверхностей через экранированный потенциал рассмотрено влияние относительного сдвига поверхностей (при их развороте) и расстояния между ними на восстановление сплошности.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Стерелюхин, Андрей Александрович, 2006 год

1. Най Дж. Физические свойства кристаллов. М.: Иностранная литература, 1960.-385 с.

2. Головин Ю.И. Магнитопластичность твердых тел. М.: Машиностроение1,2003.-108 с.

3. Фейнман Р., Лептон Р., Сэндс М. Фейнмановские лекции по физике. М.: Мир, 1977.-Т.5.-300 с.

4. Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1984. - 376 с.

5. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков. -М.: Наука, 1968.

6. Чеботин В.Н., Перфильев М.В. Электрохимия твердых электролитов. М. 1978.i 8. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. - 792 с.

7. Брандт Н.Б., Чудинов С.М. Электроны и фононы в металлах. М.: Изд-во МГУ, 1990.

8. Займан Дж. Принципы теории твердого тела. М.: Мир, 1966

9. Дурнова О.Ю., Калякин А.С., Кузьмин В.В. // Электрохимия. 1997. Т. 33, №9. С. 1060.

10. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с.

11. Предводителев А.А., Тяпунина Н.А., Зиненкова Г.М., Бушуева Г.В. Физика кристаллов с дефектами. М.: Изд-во МГУ, 1986. - 240 с.

12. Болтакс Б.Н. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972.384 с.

13. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Иностранная литература, 1969.

14. Булярский С.В., Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1997.-352 с.

15. Косевич A.M. Физическая механика реальных кристаллов. Киев: Наукова думка, 1981.

16. Moelwyn-Hughes Е.А. Physical Chemistry. Oxford: Pergamon Press, 1964. -P. 857-917.

17. Lide D.R. Handbook of Chemistry and Physics. 72nd ed. - CRC Press, 1991-1992.-P. 5-96.

18. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. М.: Высшая школа, 1993. - 352 с.

19. Маделунг О. Физика твердого тела. Локализованные состояния: пер. с нем. и англ./Под ред. В.М. Аграновича. М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1985. - 184 с.

20. Лидьярд А., Ионная проводимость кристаллов. М.: Иностранная литература, 1962. - 222 с.

21. Бюрен Ван. Дефекты в кристаллах. М.: Иностранная литература, 1962.-584 с.

22. Иванов-Шиц А.К., Демьянец Л.Н. Материалы ионики твердого тела // Природа.-2003.-№12.

23. Кадргулов Р.Ф., Якшибаев Р.А., Особенности ионного переноса в твердом электролите с двумя сортами подвижных катионов // Вестник Башкирского университета. -2001. -№ 3. С. 13-14.

24. Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука: Главная редакция физ.-мат. литер., 1991.-248 с.

25. Луфт Б.Д. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. М. 1982.

26. Баранов А.В., Воробьев Г.А. Исследование токов автоэлектронной эмиссии и ударной ионизации в щелочно-галоидных кристаллах // Радиотехника и электроника. 1965. №11. С. 2072-2074.

27. Иванов-Шиц А.К. Исследование ионной и электронной проводимости монокристаллов твердого электролита RbAg4l5: Канд. Дис. Свердловск, 1978.

28. Иванов-Шиц А.К., Боровков B.C. // Электрохимия. 1975. Т. 11, №9. С. 1451.

29. Reid W.B., Lachowsky Е.Е., West A.R. // Phys. Chem. Glasses. 1990. Vol. 31, № 3. P. 103.

30. Owen J.R., Maskell W.C., Steel B.C.H. e.a. // Solid State Ionics. 1984. Vol. 13, №4. P. 329.

31. Hsueh L., Bennion D.N.//J. Electrochem. Sos. 1971. Vol. 118, №7. P. 1128.

32. Armstrong R.D., Dickinson Т., Turner J. // J. Electrochem. Sos. 1971. Vol. 118, №7. P. 1135.

33. Налбандян В.Б, Медведева Л.И., Сударгин Н.Г., Медведев Б.С. // Электрохимия. 1993. Т. 29, № 11. С. 1380.

34. Sinclair D.C., Marrison P.B., Velasco F., West A.R. // Solid State Ionics. 1990. Vol. 37, № 4. P. 295.

35. Райзер Ю.П. Физика газового разряда: учебное руководство. М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1987. - 592 с.

36. Коробейников С.М. Диэлектрические материалы: Учеб. пособие. -Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. 67 с.

37. Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область сильных полей). -М.: ГИФМЛ, 1958.-908 с.

38. Волькенштейн Ф.Ф. Электропроводность полупроводников. -М.: ГИТТЛ, 1947.-325 с.

39. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов. М.: Энергия, 1982.-320 с.

40. Гурский А.Л. Кристаллографическая ориентация неполного электрического пробоя в CdS, CdSe, ZnO, LiNbCb, ТеОг и его использование для получения генерации света: Автореф. дисс. канд.физ.-мат. Наук: 01.04.07. -Минск, 1988. -19 с.

41. Франц В. Пробой диэлектриков. М.: Иностранная литература, 1961.-208 с.

42. Whitehead S. Dielectric breakdown of Solids. Oxford, 1951.

43. Вершинин Ю.Н. Термодинамические уравнения пробоя диэлектриков // ДАН СССР. 1984. - Т. 279. - №4. - С. 880-882.

44. Баранов А.В. Пробой диэлектрикови полупроводников. Сб. докладов IV межвузовской конференции по пробою диэлектриков и полупроводников. Изд. Энергия, 1964, стр. 188.

45. Воробьев А.А., Воробьев Г.А. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1958. - Т. 22, №4 - С. 397-400.

46. Куликов В.Д. Исследование механизма электрического пробоя ионных кристаллов в наносекундном диапазоне // ЖТФ. 2003. - Т. 73. Вып. 12.-С. 26-30.

47. Рожков В.М. Длительность стадии формирования разрядного канала при электрическом пробое твердых диэлектриков // ЖТФ. 2003. - Т. 73. -Вып. 1.-С. 51-54.

48. Воробьев А.А., Воробьев Г.А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. -М.: Высшая школа, 1966. 244 с.

49. Андреев Г.А. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1958. - Т. 22. - №4. -С. 415-418.

50. Конорова Е.А., Сорокина Л.А. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1958. - Т. 22. -№4.-С. 401-403.

51. Носков М.Д., Малиновский А.С., Кук Ч.М., Урайт К.А., Шваб А.Й. Моделирование развития разряда в объемно-заряженном диэлектрике // ЖТФ. 2002. - Т. 72. - Вып. 4. - С. 107-112.

52. Von Hippel А. // Ztschr. Fur Physik. 1931. - Bd.67. - №11/12. - S. 707-724.

53. Воробьев A.A., Воробьев Г.А., Мурашко Л.Т. // ФТТ. 1962. Т. 4. №7.-С. 1967-1968.

54. Мурашко Л.Т. Исследование влияния кристаллической структуры на величину электрической прочности и некоторые предпробивные характеристики ионных кристаллов: Автореф. дисс. канд.физ.-мат.наук. -Томск. -1972. -14 с.

55. Поливанов К.М. Теория электромагнитного поля. М.: Энергия, 1969.-348 с.

56. Богородицкий Н.П., Пасынков В. В., Тареев Б. М. Электротехнические материалы: Учебник для вузов. Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1985.-304 с.

57. Морозов А.И. Физика твердого тела. Полупроводники, диэлектрики, магнетики: учебное пособие. М.: Московский гос. институт радиотехники, электроники и автоматики, 2002. - 88 с.

58. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики: Основные свойства и применение в электронике. -М.: Радио и связь, 1989.

59. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 2000. - 494 с.

60. Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука: Главная редакция физ.-мат. литер., 1991. - 248 с.

61. Губкин А.Н. Электреты. М.: Наука, 1978. - 192 с.

62. Физика. Большой энциклопедический словарь М.: Большая Российская энциклопедия, 1999. - С. 90,460.

63. Бреховских JI.M., Гончаров В.В. Введение в механику сплошных сред. -М.: Наука, 1982.

64. Резниченко JI.A., Шилкина J1.A., Турик А.В., Дудкина С.И. Огромная пьезоэлектрическая анизотропия ниобата натрия с композитоподобной структурой // ЖТФ. 2002. - Т. 72. - Вып. 2. - С. 65-67.

65. Гриднев С.А. Электрические кристаллы // Соросовский Образовательный журнал. 1996. - №7. - С.99-104.

66. Струков Б.А. Сегнетоэлектричество. -М.: Наука, 1979.

67. Смирнова Е.П., Александров С.Е., Сотников К.А., Капралов А.А., Сотников А.В. Пироэлектрический эффект в твердых растворах на основе магниобата свинца// ФТТ. 2003. - Т. 45. - Вып. 7. - С. 1245-1249.

68. Дрождин С.Н. Физические основы пироэлектричества // Соросовский Образовательный Журнал. 1998. - №12. - С. 94-100.

69. Данцигер А.Я., Бородин В.З., Резниченко J1.A. и др. Влияние объемного заряда и размеров кристаллитов на формирование сегнетопьезокерамических материалов // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 5.-С. 40-42.

70. Резниченко JI.A., Кузнецова Е.М., Разумовская О.Н., Шилкина J1.A. Кристаллохимическое моделирование сегнетоэлектрических материалов с низкой диэлектрической проницаемостью // ЖТФ. 2001. - Т. 71. Вып. 5. - С. 53-56.

71. Смоленский Г.А., Крайник И.Н. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики.-М.: Наука, 1968.

72. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. -М: Наука, 1995.

73. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения / Пер. с англ. под ред. JI.A. Шувалова. М.: Мир, 1981.

74. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / Пер. с англ. под ред. В.В.Леманова и Г.А. Смоленского. -М.: Мир, 1981.

75. Huaxiang Fu, L. Bellaiche. Phys. Rev. Lett., v. 91,257601 (2003).

76. Гриднев C.A. Диэлектрики с метастабильной электрической поляризацией // Соросовский образовательный журнал. 1997. - №5. - С. 105-111.

77. Губкин А.Н., Попов О.Н. Исследование релаксационных процессов в монокристаллическом фтористом литии // Физика полупроводников и микроэлектроники. Рязань: Межвузовский сборник научных трудов. -1979.-Вып. 6.-С. 3-6.

78. Попов О.Н. Электретный эффект в диэлектрических материалах электронной техники: Автореферат дис. докт. тех. наук: 01.04.07 / МГИЭМ. М., 1996.38 с.

79. Гах С.Г., Рогач Е.Д., Свиридов Е.В. Объемный заряд и токи термодеполяризации в тонких пленках цирконата-титаната свинца // ЖТФ. -2001.-Т. 71.-Вып. 1.-С. 49-52.

80. Попов О.Н. Релаксационные процессы, возникающие в диэлектрических материалах при их обработке постоянным электрическим полем // Физика и химия обработки поверхностей. 1996. - №5. - С. 94-100.

81. Сальников А.Н., Гестрин С.Г. Заряженные дислокации и точечные дефекты в кристаллах (аналитические модели взаимодействия). Саратов: Саратовский гос. тех. университет, 2002. - 222 с.

82. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена в ионных кристаллах // Изв. вузов. Физика, 1996. -№1.-С.80-82.

83. Спицын В.И., Троицкий О.А. Электропластическая деформация металлов. М.: Наука, 1985.160 с.

84. Гладкий В.В., Кириков В.А., Магатаев В.К. ФТТ, 1979, т. 21, №3, с. 932935.

85. Швидковский Е.Г., Тяпунина Н.А., Белозерова Э.П. Влияние электрического поля на поведение заряженных дислокаций // Кристаллография. 1962. Т. 7. С. 471-472.

86. Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М.: Высш. шк., 1983. 144 с.

87. Whitworth R. W. Adv. Phys., 1975, vol. 24, №2, p. 203-304.

88. Зуев JI.Б. Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов. Новосибирск: Наука, 1990. 120 с.

89. Куличенко А.Н., Смирнов Б.И. Движение дислокаций в кристаллах LiF под действием электрического поля // ФТТ, 1983, т. 28, №9, с.2796-2801.

90. Гегузин Я.Е. Очерки о диффузии в кристаллах. М.: Наука, 1970. 180 с.

91. Физический энциклопедический словарь. / Гл. ред. A.M. Прохоров. Ред. кол. Д.М. Алексеев, A.M. Бонч-Бруевич, А.С. Боровик-Романов и др. М.: Сов. энциклопедия, 1984. - 944 е., ил., 2 л. цв. ил.

92. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках, пер. с англ. М: Мир, 1973.

93. Гуро Г.М., Калюжная Г.А., Мамедов Т.С., Шелепин Л.А. Об управлении ростом кристаллов с помощью электромагнитного излучения. -ЖЭТФ, 1979, т. 77, с. 2366-2373.

94. Стехиометрия в кристаллических соединениях и ее влияние на их физические свойства. М.: Наука, 1987. -224 с.

95. Чернов А.А. Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. и др. Образование кристаллов. -В кн.: Современная кристаллография. М.: Наука, 1978, т.З, с. 407.

96. Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М.: Наука, 1978. 288 с.

97. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1979. 234 с.

98. Гуро Г.М., Калюжная Г.А., Мамедов Т.С., Шелепин Л.А.Влияние излучения на кинетику процесса роста кристаллов. -Тр. ФИАН, 1980, т. 124, с.127-140.

99. Горина Ю.И., Калюжная Г.А., Киселева К.В. и др. Исследование лазерных эпитаксиальных структур типа PbTe(Bi)-PbSnTe-PbTe. -ФТП, 1979, т.13, с.305-310.

100. Федоров В.А., Карыев Л.Г., Мексичев О.А. Поведение поверхности скола щелочногалоидных кристаллов при нагреве в электрическом поле // Физика и химия обработки материалов. 2003. - №3. - С. 77-80.

101. Allnatt A.R., Lidiard А.В. Atomic Transport in Solids. Cambridge Univ Press, 1993, 572 p.

102. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977.-448 с.

103. Фриауф Р.Дж. Основы теории процессов ионного переноса // Физика электролитов / Под ред. Дж. Хладика. М.: Мир, 1978. - С. 165-217 с.

104. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969. 589 с.

105. Мексичев О.А. Поведение поверхностей скола щелочногалоидных кристаллов при воздействии электрического поля в области предплавильных температур: дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07: Белгородский гос. ун-т. Белгород, 2004.

106. Желудев И.С. Электрические кристаллы. М.: Наука, 1969.

107. Feodorov V.A., Kariev L.G., Meksichev О.A. Response of cleavage surface of alkali-halide on complex action of heat and electric field // EPS-12: General Conference Trends in Physics. 26-30 Aug. 2002. Budapest. P. 35-36.

108. Bannon N.M., Corish J., Jacobs P.W.M. A theoretical study of the formation and aggregation of vacancy-impurity dipoles in divalently doped alkali halide crystals. Philosophical Magazine A. - 1985. - Vol. 51. - №6. - P. 797-814

109. Pozniak J., Berg G. Theoretical analysis of the dipole polarization and depolarization in Me"14" doped NaCl - type alkali halide crystals. - Physic Status Solidi A. - 1983. - Vol. 78. - №1. - P. 69-76

110. Губкин A.H., Голова В.А. Токи термодеполяризации и электретный эффект в щелочно-галоидных монокристаллах. Известия Вузов сер. Физика. - 1973. - №8 (135). - С. 132-134.

111. Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. -М.: МГУ, 1978

112. Поликарпов В.М. Переход «порядок-беспорядок» в кремний-, германий-и борсодержащих полимерах и их органических аналогах. Дис. . докт. хим. наук. М.: ИНХС РАН. 2003. 302 с.

113. Kuzmin N.N., Matuchina E.V., Makarova N.N., Polikarpov V.M., Antipov E.M. X-Ray diffusive scattering and the mesomorphic states in polymers // Macromol. Chem., Macromol. Symp. 1991. -V. 44. - P. 155-164.

114. Таблицы физических величин. Справочник / под редакцией И.К. Кикоина.-М.: Атомиздат, 1976.

115. Victor A. Feodorov, Andrey A. Sterelyukhin Generaration of an amorphous phase on surface of LiF by thermoelectric effect and its crystallization // Proc. of SPIE, 2005, Vol. 5831, p.178-180.

116. Мурин A.H., Лурье Б.Г. Диффузия меченных атомов и проводимость ионных кристаллов. Ленинград: Издательство Ленинградского университета, 1967. 100 с.

117. Федоров В.А., Стерелюхин А.А., Одинцова К.В. Перераспределение заряда на поверхностях ЩГК под действием нагрева и потенциала, приложенного к одной из граней // Вестник ТГУ, т. 10, вып. 1, 2005, С. 9091.

118. Карыев Л.Г., Мексичев О.А., Стерелюхин А.А., Федоров В.А. Влияние поверхностных токов на состояние поверхности щелочногалоидных кристаллов // Вестник ТамбГУ. Серия: Естественные науки. Т. 8. - Вып. 1. - 2003. - С. 184.

119. Хладик Дж. Твердые электролиты // Физика электролитов / Под ред. Дж. Хладика. М.: Мир, 1978. - С. 46-91

120. Термодинамические свойства неорганических веществ: Справочник / под ред. А.П. Зефирова. М.: Атомиздат, 1965.

121. Термические константы веществ: Справочник. В 10-и выпусках / под ред. В.П. Глушко. Вып. 10. -М.: Наука, 1981.

122. Казрагис А.П. Исследование зависимости точек плавления галогенидов щелочных металлов от их состава и структуры. I. Зависимость точекплавления галогенидов щелочных металлов от атомных параметров // Журн. физ. химии. 1970. - Т. 44. - №7. - С. 1651-1656.

123. Иоффе А.Ф. Избранные труды. Т.1. Механические свойства кристаллов. -Л.: Наука, 1974.-326 с.

124. Allnatt A.R., Lidiard А.В. Statistical theories of atomic transport in crystalline solids // Reports on Progress in Physics. 1987. - Vol. 50. - №4. -pp. 373-500.

125. Фриш С.Э., Тиморева А.В. Курс общей физики. Т. II. М.: Государственное издательство физико-математической литературы, 1958. -509 с.

126. Молоцкий М.И. Рекомбинационный механизм эмиссии электронов Дерягиной-Кротовой-Карасева после скола // ДАН СССР. 1978. - Т. 243. - №6. - С. 1438-1441.

127. Уэрт Ч., Томсон Р. Физика твердого тела. М.: Мир, 1969. - 558 с.

128. Данков П.Д. Строение и свойства поверхности твердого тела. Л.: Изд-во АН СССР, 1940.- 155 с.

129. Демонстрационные опыты по физике в VI-VII классах средней школы. Под ред. А.А. Покровского. М.: Просвещение, 1970. 279 с.

130. Рувинский М.А., Сергеева О.Г., Фомин И.М. Роль залечивания в циклическом нагружении LiF с трещиной // ФТТ. 1995. Т. 37. №2. С. 558-561.

131. Финкель В.М, Ваган В.А, Сафронов В.Н. Залечивание трещин в монокристаллическом висмуте // Кристаллография. 1989. Т. 34. №6. С. 1508-1512.

132. Аргунова Т.С.и др. Дислокации в кремниевых структурах, полученных прямым сращиваниемповерхностей с рельефом// ФТТ. 1996. Т.38. №11. С. 3361-3364.

133. Финкель В.М. Залечивание трещин в СаСОЗ без внешней нагрузки // Деп. в ВИНИТИ. .№6343. В.87. 21с.

134. Финкель В.М., Дорохова Н.В., Сафронов В.П. К вопросу о слиянии ступеней скола // ФТТ. 1993. Т. 35. №8. С. 2256-2258.

135. Плужникова Т.Н., Чиванов А.В., Федоров В.А. Оценка сил взаимодействия мозаично-заряженных плоскостей в зависимости от их относительного расположения // Вестник Тамбовского государственного университета. 2003. Т. 8. Вып. 2. С. 251-253.

136. Федоров В.А., Плужникова Т.Н., Тялин Ю.И. Залечивание трещин, остановившихся при несимметричном сколе в щелочногалоидных кристаллах и кальците // ФТТ. 2000, т. 42, № 4, с. 685-687.

137. Федоров В.А., Плужникова Т.Н., Стерелюхин А.А., Карыев Л.Г. Схватывание поверхностей поликристаллических металлов при одноосном сжатии и одновременном сдвиге // Вестник Тамбовского государственного университета. 2003. Т. 8. Вып. 4. С. 623-626.

138. Финкель В.М., Дорохова Н.В. Залечивание трещин в кристаллах с винтовыми и смешанными субграницами // ФТТ. 1988. Т. 30. №11. С. 3521-3523.

139. Зуев Л.Б. Кристаллы: универсальность и исключительность // Соросовский образовательный журнал. 1996. № 8. С. 93-102.