Нелинейные электронные свойства слоев оксидов переходных металлов и их применение тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Игнатенко, Марина Владиславовна

• Игнатенко, Марина Владиславовна
• кандидат физико-математических наук
• 2001

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Игнатенко, Марина Владиславовна

Введение.

1. Нелинейные электрические свойства оксидов тантала и ниобия.

1.1. Современные представления о переносе заряда в аморфных металлооксидных диэлектриках в сильных электрических полях.

1.2. Методика эксперимента.

1.3. Условия наблюдения электрического переноса в металлооксидных диэлектрических пленках.

1.4. Электронная проводимость аморфных диэлектрических пленок оксидов тантала и ниобия в сильных электрических полях.

1.5. Неомическая электронная проводимость аморфно-кристаллических металлооксидных пленок.

1.6. Структурно-чувствительные кинетические свойства и диагностика металлооксидных конденсаторных диэлектриков.

2. Нелинейные оптические свойства диоксида ванадия и их применение.

2.1. Современные представления о фазовом переходе «металл-диэлектрик» в диоксиде ванадия.

2.2. Методика эксперимента.

2.3. Изучение отражательной способности интерференционной структуры на основе диоксида ванадия.

2.4. Электронные свойства диоксида ванадия и проблема контроля параметров лазерного излучения.

2.5. Фазовый переход «металл-диэлектрик» в диоксиде ванадия как основа принципов генерации и управления лазерным излучением.

2.6. О механизме фазового перехода «металл-диэлектрик» в слоях диоксида ванадия.

3. Кинетические явления в диэлектриках в формировании фундаментальных физических представлений.

3.1. Кинетические свойства диэлектриков и развитие представлений об электромагнитном поле.

3.2. Изучение электропроводности диэлектриков и возникновение представлений о строении реальных кристаллов.

3.3. Кинетические явления в диэлектриках в учебных курсах.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Нелинейные электронные свойства слоев оксидов переходных металлов и их применение»

АКТУАЛЬНОСТЬ

Электронные процессы в слоях оксидов переходных металлов были и остаются в центре внимания многих отечественных и зарубежных исследователей на протяжении последних десятилетий [1 - 35].

Интерес к исследованиям электронных процессов в слоях оксидов переходных металлов обусловлен тем, что они в силу специфики объекта связаны с решением целого ряда фундаментальных и прикладных проблем в физике конденсированного состояния.

По своей химической природе изучаемые материалы относятся к оксидам ¿-элементов. Благодаря существованию недостроенных ¿-оболочек, переходные металлы в соединениях с кислородом проявляют широкий набор валентных состояний, образуя целый ряд фаз, обладающих различными физическими свойствами. Так, среди оксидов элементов УВ - группы имеются диэлектрики (Та205, МЪ205), полупроводники (У205), вещества, обнаруживающие при достижении определенной температуры фазовый переход из неметаллического в металлическое состояние (У02, УгС^МЮг). Ряд этих материалов обладает комплексом свойств, делающих их перспективными для использования в качестве основы приборных структур твердотельной электроники: конденсаторов, электретных устройств, электронных переключателей, электрохромных дисплеев, систем записи оптической информации, модуляции и ограничения интенсивности мощных световых потоков.

Малая пространственная протяженность волновых функций ¿-состояний и связанные с ней межэлектронные и электрон-фононные корреляции приводят к сильной локализации носителей заряда в оксидах переходных металлов. Указанные корреляции могут иметь существенное значение в физике перехода «металл-диэлектрик», установление механизма которого рассматривается как важная задача физики фазовых переходов.

Интересные в научном и прикладном отношении свойства проявляют не только кристаллические, но и аморфные оксиды, что делает их изучение важным в плане развития физики неупорядоченных систем. По сравнению с ее основными объектами - аморфными элементарными полупроводниками [3740], халькогенидными стеклообразными полупроводниками [41-44] и кремнийсодержащими диэлектриками [45-47], - опираясь на электронные свойства которых главным образом и строится теория, аморфные металлооксидные системы изучены в наименьшей степени. Результаты исследований свойств аморфных оксидов переходных металлов могут пролить свет на механизмы электронных явлений в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда.

В плане установления корреляции электронных свойств со строением вещества представляют интерес и кристаллические (поликристаллические и аморфно-кристаллические) слои оксидов переходных металлов, для структуры которых характерны протяженные дефекты нестехиометрии [48-51].

Ряд важных свойств материалов данного класса, в том числе определяющих их функциональные возможности для применения в электронной технике, обусловлены нелинейным характером поведения электропроводности в сильных электрических полях и оптических свойств под воздействием интенсивного излучения [16, 52-59].

Вместе с тем нелинейные электрические и оптические явления в структурно разупорядоченных и микрогетерогенных системах с сильной локализацией носителей заряда, каковыми являются оксиды переходных металлов в тонких слоях, остаются малоизученными. Объектом исследования до последнего времени выступали, главным образом, совершенные, близкие к идеальному кристаллу или стеклу, образцы, далекие по своим свойствам от оксидов в тонких слоях. Кроме того, оксиды разных металлов изучались порознь, что ограничивает возможность построения единой картины электронных процессов в данном классе материалов.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ:

Исследование нелинейных электрических и оптических явлений и лежащих в их основе электронных процессов в слоях оксидов переходных элементов УВ группы.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Определение и реализация необходимых условий экспериментального изучения электронных процессов в изучаемых веществах, отвечающих за их нелинейные свойства.

2. Установление закономерностей явлений электронного переноса в диэлектрических аморфных и аморфно-кристаллических слоях оксидов тантала и ниобия в сильных электрических полях.

3. Экспериментальное исследование нелинейных оптических свойств поликристаллических слоев диоксида ванадия при фазовом переходе из неметаллического в металлическое состояние под воздействием импульсов интенсивного лазерного излучения.

4. Разработка моделей электронных процессов, протекающих в оксидах в неметаллическом (диэлектрическом) состоянии и при переходе «диэлектрик-металл», в связи со структурными особенностями изучаемых материалов.

5. Определение возможностей практического использования нелинейных свойств оксидов переходных металлов в тонких слоях.

Выявленная в работе чувствительность нелинейных свойств изучаемых материалов к их структуре и параметрам поля лазерного излучения побудили проанализировать полученные результаты в общем контексте проблемы изучения кинетических свойств диэлектриков как средства формирования фундаментальных физических представлений.

В этой связи были сформулированы следующие дополнительные задачи исследования:

- историко-научный анализ роли результатов исследований кинетических явлений в диэлектриках в развитии представлений об электромагнитном поле и строении вещества и разработка рекомендаций по адекватному ее отражению в содержании учебных курсов;

- определение возможностей изучения кинетических явлений в оксидах переходных металлов как предмет исследовательски ориентированного обучения, отвечающего современной концепции физического образования.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА

В отличие от большинства работ, посвященных изучению кинетических явлений в слоях оксидов переходных металлов, в данной работе предпринят анализ электрических и оптических свойств ряда оксидов элементов УВ группы, как обладающих диэлектрическими свойствами (Та205, МЬ205), так и испытывающих фазовый переход из неметаллического в металлическое состояние (У02). Проведено сравнительное исследование нелинейных электрических свойств веществ в некристаллическом и кристаллическом состояниях. Такой подход позволяет составить более полное и аргументированное представление о роли ¿-состояний и обусловленных ими корреляций, выходящих за границы применимости зонной теории, в формировании разнообразных электронных свойств широкого класса оксидов переходных металлов.

Установлены закономерности процессов переноса заряда в диэлектрических слоях оксидов металлов в сильных электрических полях. Показано, что поведение неомической электропроводности как аморфных, так и кристаллических оксидов может быть объяснено с единых позиций теории прыжкового переноса в неупорядоченных системах с сильным электрон-фононным взаимодействием, а наблюдаемые в разных структурных состояниях вещества особенности - различием пространственных масштабов структурной неоднородности.

Обнаружено изменение коэффициента отражения диоксида ванадия, характерное для перехода «металл-диэлектрик» в нем, под воздействием импульсов лазерного излучения в условиях, исключающих разогрев решетки до соответствующей температуры. Предложена качественная модель фотостимулированного фазового перехода металл-диэлектрик в слоях диоксида ванадия, учитывающая эффекты электрон-электронного взаимодействия и взаимосвязь процессов в электронной и атомной подсистемах вещества.

Полученные результаты проанализированы в общем контексте использования знаний о кинетических явлениях в диэлектриках в историческом процессе развития фундаментальных представлений об электромагнитном поле и строении вещества.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ

На основе полученных результатов сравнительного исследования неомической электропроводности аморфных и аморфно-кристалличкских оксидов тантала и ниобия предложена экспериментальная методика выявления их фазовой неоднородности, которая может быть использована в технологии контроля качества и прогнозирования временной стабильности свойств оксидных конденсаторов.

Установлены возможности использования нелинейных оптических свойств интерференционных структур на основе диоксида ванадия для контроля параметров, генерации и управления лазерным излучением, в том числе для измерения энергетического профиля потока лазерного излучения по сечению пучка, генерации коротких световых импульсов в процессе модуляции добротности лазерного излучения резонатора и импульсов пассивной синхронизации его мод, а также для высокочастотной модуляции непрерывного лазерного излучения.

Результаты проведенных исследований положены в основу разработки содержания учебных курсов физики конденсированного состояния в части кинетических явлений в диэлектриках.

ОСНОВНЫЕ ЗАЩИЩАЕМЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1. Диэлектрические слои оксидов тантала и ниобия, как в аморфном, так и кристаллическом состояниях, обнаруживают в сильных электрических полях неомическую электропроводность, присущую неупорядоченным системам с прыжковым переносом в условиях сильной локализации носителей заряда. Поведение зависимости неомической проводимости кристаллических слоев оксидов с увеличением напряженности электрического поля и его отличия от аморфного оксида обусловлены свойственными кристаллам оксидов переходных металлов характером и пространственными масштабами структурной неоднородности.

2. Поликристаллические слои диоксида ванадия под воздействием коротких импульсов интенсивного лазерного излучения в области собственного поглощения испытывают фотостимулированный фазовый переход из неметаллического в металлическое состояние, сопровождающийся характерным изменением отражательной способности. Установленные нелинейные оптические свойства диоксида ванадия находят свое объяснение в рамках электронной модели фазового перехода «металл-диэлектрик».

3. Установленные закономерности открывают возможность использования нелинейных свойств оксидов ванадия, тантала ниобия в целях повышения качества существующих и создания новых элементов твердотельной электроники. Неомическая проводимость оксидных слоев тантала и ниобия, используемых в качестве рабочего диэлектрика конденсаторов, в силу ее структурной чувствительности, информативна для прогнозирования временной стабильности свойств этих изделий.

Нелинейные оптические свойства диоксида ванадия в интерференционных структурах при фазовом переходе вещества из неметаллического в металлическое состояние могут быть использованы для контроля параметров, генерации и управления лазерным излучением.

ДОСТОВЕРНОСТЬ РЕЗУЛЬТАТОВ И ВЫВОДОВ РАБОТЫ обеспечивается определением и реализацией возможностей экспериментального изучения нелинейных свойств и определяющих их электронных процессов в оксидных слоях различной структуры; использованием современных экспериментальных методик, изучением ряда оксидов переходных элементов, проявляющих разнообразные электронные свойства, трактуемые с единых позиций; применением современных представлений теории конденсированного состояния.

АПРОБАЦИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ ИССЛЕДОВАНИЯ

Основные результаты работы докладывались на 9ой Международной Научной конференции «Физика диэлектриков» Диэлектрики-2000 (Санкт-Петербург, 2000г.), Международной научной конференции по физико-техническим проблемам электротехнических материалов (Москва, 2000г.), П-ой Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2000г.), XIX и XX Годичных конференциях Санкт-Петербургского отделения Российского национального комитета по истории и философии науки и техники (Санкт-Петербург, 1998, 1999г.), Съезде российских физиков-преподавателей «Физическое образование в XXI веке» (Москва, 2000 г.), Герценовских чтениях (Санкт-Петербург, 1999, 2000г.) и неоднократно обсуждались на научных семинарах Лаборатории фазовых переходов Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН и кафедры общей и экспериментальной физики Российского государственного педагогического университета им. А.И.Герцена.

ПЕРЕЧЕНЬ ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ

1. М.В.Игнатенко, С.Д.Ханин Нелинейные электрические свойства и анализ структурных особенностей оксидов переходных металлов в тонких слоях -В кн.: «Физика конденсированного состояния и электроника», С-Пб., Изд. РГПУ им.А.И.Герцена, 2000, с.49-57

2. М.В.Игнатенко, В.А Климов, С.Д.Ханин, Е.Б.Шадрин - Электронные свойства диоксида ванадия и проблема контроля параметров лазерного излучения - В кн. «Физика конденсированного состояния и электроника», С-Пб., Изд. РГПУ им.А.И.Герцена, 2000, с.58-70

3. М.В.Игнатенко, В.А Климов, С.Д.Ханин, Е.Б.Шадрин, И.А. Хахаев -Фазовый переход металл-диэлектрик в диоксиде ванадия как основа принципов генерации управления лазерным излучением - В кн.: «Физика конденсированного состояния и электроника», С-Пб., Изд. РГПУ им .А.И.Герцена, 2000, с.100-110

4. М.В.Игнатенко, С.Д.Ханин Структурно - чувствительные кинетические свойства и диагностика анодных диэлектрических слоев оксидов металлов - Тезисы Международной конференции по физико-техническим проблемам электротехнических материалов, М., 2000, с.33-34

5. М.В.Игнатенко Электронная проводимость анодных диэлектрических слоев оксидов металлов как диагностический параметр их структурной неоднородности - Тезисы 9-ой Международной конференции «Физика диэлектриков» (Диэлектрики - 2000), С-Пб., 2000, с. 45-47

6. М.В.Игнатенко Изучение электропроводности монокристаллов пентаоксида тантала - Тезисы 9-ой Международной конференции «Физика диэлектриков» (Диэлектрики - 2000), С-Пб., 2000, с.43-44

7. М.В.Игнатенко, В.А Климов, С.Д.Ханин, Е.Б.Шадрин, И.А. Хахаев -Использование фазового перехода металл-диэлектрик в диоксиде ванадия для генерации и анализа коротких световых импульсов - Тезисы 9-ой Международной конференции «Физика диэлектриков» (Диэлектрики -2000), С-Пб., 2000, с.44-45

8. М.В.Игнатенко О некоторых возможностях применения фотоиндуцированных свойств пленок диоксида ванадия - Тезисы докладов П-ой Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто и наноэлектронике, С.- Пб., Изд: «Нестр», 2000, с.93-94

9. М.В.Игнатенко, С.Д.Ханин Изучение электропроводности диэлектриков в развитии представлений об электромагнитном поле. - «Наука и Школа» №5, 2000,с.47-52

10. М.В.Игнатенко, С.Д.Ханин Изучение электропроводности и возникновение представлений о строении реальных кристаллов, - «Наука и Школа» №2, 2000, с.44-48

11. М.В.Игнатенко, С.Д.Ханин Исследования свойств диэлектриков и развитие представлений об электромагнитном поле, - «Наука и техника: Вопросы истории и теории», тез.ХГХ годич. Конф С.- Пб. Отделения Российского Национального комитета по истории и философии науки и техники, выпуск XIV, С-Пб, 1998,с.66-67

12. М.В.Игнатенко, С.Д.Ханин Исследование электропроводности кристаллов и развитие представлений об их строении в работах Иоффе А.Ф. и Я.И.Френкеля, - Институт истории естествознания и техники им. С.И.Вавилова, Годич. науч. конф. - М: ИЕИТ РАН, 1998, с.402-405.

13. М.В.Игнатенко, С.Д.Ханин Исследование неупорядоченных диэлектриков и развитие представлений о строении вещества, «Наука и техника: Вопросы истории и теории», тез.ХХ годич. Конф С.-П. Отделения

Российского Национального комитета по истории и философии науки и техники, выпуск ХУ,С-Пб,1999,с.85-86

14. М.В.Игнатенко, С.Д.Ханин Кинетические явления в диэлектриках в учебных курсах - «Теория и практика обучения физике», Материалы Международной научной конференции «Герценовские чтения», С.-Пб., Изд: РГПУ им. А.И.Герцена, 2000, с.177-179

15. М.В.Игнатенко, С.Д.Ханин Экспериментальное исследование кинетических свойств диэлектриков в исследовательском обучении -«Теория и практика обучения физике», Материалы Международной научной конференции «Герценовские чтения», С.-Пб., Изд: РГПУ им. А.И.Герцена,2000,с. 179-182.

16. М.В.Игнатенко, С.Д.Ханин Технология исследовательского обучения физике конденсированного состояния в педагогическом университете. Экспериментальное решение задач - Тезисы докладов Съезда российских физиков-преподавателей «Физическое образование в XXI веке», М., МГУ, 2000, с.73-74

Автором получен экспериментальный материал, сформулированы основные результаты. Научный руководитель, профессор С.Д. Ханин принимал участие в постановке задачи, анализе полученных результатов, редактировании статей. В.А.Климов участвовал в подготовке опытных образцов, Е.Б.Шадрин и И.А.Хахаев участвовали в разработке и экспериментальной проверке рекомендаций по использованию нелинейных оптических свойств диоксида ванадия в лазерной технике.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Игнатенко, Марина Владиславовна

Основные результаты работы сводятся к следующему.

1. Экспериментально установлены закономерности поведения электрической проводимости аморфных и аморфно-кристаллических слоев оксидов тантала и ниобия в сильных электрических полях. Обнаружен немонотонный (с минимумом) характер зависимости электрической проводимости от напряженности поля <т(Е) у аморфных оксидов и экспоненциальный рост сг с увеличением Е во всем изучаемом диапазоне полей у кристаллических оксидов.

2. Показано, что обнаруженные нелинейные электрические свойства оксидов тантала и ниобия могут быть описаны в рамках модели неомической прыжковой электропроводности неупорядоченных систем с сильной локализацией носителей заряда, обусловленной электрон-фононным взаимодействием, с учетом пространственных масштабов структурной неоднородности оксидов в некристаллическом и кристаллическом состояниях.

3. Основываясь на установленной структурной чувствительности неомической электропроводности диэлектрических слоев оксидов тантала и ниобия, предложена экспериментальная методика выявления их фазовой неоднородности по результатам измерения проводимости при напряжении, соответствующем минимуму неомической проводимости аморфного диэлектрика, информативная для оперативного контроля качества и прогнозирования временной стабильности свойств оксидных конденсаторов.

4. Показаны возможности экспериментального изучения и применения нелинейных оптических свойств слоев диоксида ванадия, испытывающего фазовый переход «металл-диэлектрик», при использовании определенным образом изготовленных интерференционных структур на его основе. Изучены спектральные зависимости отражательной способности интерференционных структур при нахождении диоксида ванадия в неметаллическом и металлическом состояниях. Полученные результаты по температурному гистерезису коэффициента отражения объяснены на основе данных о зернисто-оболочечной структуре изучаемого материала.

5. Обнаружен фотостимулированный переход «металл-диэлектрик» в слоях диоксида ванадия при его возбуждении импульсами лазерного излучения с длиной волны, соответствующей краю фундаментального поглощения, в условиях, когда кристаллическая решетка вещества не достигает температуры фазового перехода. На этом основании сделано заключение об электронной природе фазового перехода «металл-диэлектрик» в слоях диоксида ванадия и предложена его качественная модель, учитывающая электрон-электронные корреляции и взаимосвязь электронной и атомной модели.

6. Показано, что нелинейные оптические свойства слоев диоксида ванадия в интерференционных структурах могут быть использованы при решении физико-технических задач анализа распределения плотности (энергетического профиля) импульсного лазерного излучения, генерации коротких световых импульсов в процессе модуляции добротности лазерного резонатора и импульсов пассивной синхронизации его мод, а также для высокочастотной модуляции непрерывного лазерного излучения.

7. Информативность кинетических явлений в диэлектриках, включая нелинейные свойства, проанализирована в контексте формирования фундаментальных физических представлений. На основе проведенного историко-научного анализа показана роль знаний о процессах переноса в диэлектриках в возникновении и развитии представлений об электромагнитном поле и строении вещества. Обоснована целесообразность адекватного отражения этого аспекта в учебных курсах и предложена соответствующая методика исследовательски ориентированного обучения.

Общий итог работы состоит в установлении закономерностей и практическом использовании нелинейных электронных свойств оксидов ряда элементов УВ группы и ответственных за них электрон-фононного и электрон-электронного взаимодействий.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Игнатенко, Марина Владиславовна, 2001 год

1. Юнг JI. Анодные оксидные пленки. Л.: Энергия, 1967, 232 с.

2. Vermilyea D.A. Anodic oxide films // Advances in electrochemistry. 1964. -V.3.-P.211-271.

3. Ed.Smidt P.F., Smyth D.M. Symposium on electrolytic rectification and conduction mechanism in anodic oxide film. N.Y.: The Electrochem. Soc. -1967.-p.230.

4. Goruk W.S., Young L., Zobel F.G.R. Ionic and electronic currents at high fields in anodic oxide film // Modern Aspects of Electrochemistry, 1967. V.4. -P. 176-250.

5. Дель Ока С.Дж., Пулфри Д.Л., Янг Л. Анодные оксидные пленки // Физика тонких пленок. М.: Мир, 1973. - Т.6. - С.7-96.

6. Дирнлей Дж., Стоунхем А., Морган Д. Электрические явления в аморфных пленках окислов. // Успехи физ. наук. 1974. - Т.122, N1. - С.83-128.

7. Westwood W.D. Tantalum thin films. London Acad. Press., 1975. - 436 p.

8. Тареев Б.М., Лернер M.M. Оксидная изоляция. М.: Энергия, 1975.- 207 с.

9. Симмонс Д.Г. Прохождение тока сквозь тонкие диэлектрические пленки// Технология тонких пленок. М.: Сов. радио, 1977. - Т.2. - С. 345-400.

10. Лазарев В.Б., Красов В.Г., Шаплыгин И.С. Электропроводность окисных систем и пленочных структур. М.: Наука, 1979 - 168 с.

11. Дьяконов М.Н., Муждаба В.М. Ханин С.Д. Современные представления о механизме электропроводности оксидного диэлектрика конденсаторов. -М.: ЦНИИ "Электроника". Обзоры по электронной технике. Сер.5. Радиодетали и радиокомпоненты, 1982. Вып.3(866). - 40 с.

12. Одынец Л.Д., Ханина Е.Я. Физика окисных пленок / Петрозаводский государственный университет. Петрозаводск, 1982. - 74 с.

13. Райкерус П.А., Лалэко В.А. Физические основы пленочной электроники / Петрозаводский государственный университет Петрозаводск, 1987.- 83 с.

14. Одынец JI.JI. Электронные неорганические пленки. // Справочник по электротехническим материалам / Под ред. Ю.В.Корицкого, В.В.Пасынкова, Б.М.Тареева. М.: Энергоатомиздат, 1987. - С.256-265.

15. Гуртов В.А., Райкерус П.А., Малиненко В.П. Физика окисных пленок / Петрозаводский государственный университет Петрозаводск, 1988.- 86 с.

16. Ханин С.Д. Проблемы электрофизики металлооксидных конденсаторных диэлектриков. М.: ЦНИИ "Электроника". Обзоры по электронной технике. Сер.5. Радиодетали и радиокомпоненты, 1990. - Вып.1 (1524). -57 с.

17. Khanin S.D. Kinetic electronic phenomena in metal oxide dielectric films // Passivation of Metals and Semiconductors. Materials Science Forum. 1994, v.l85-188.-p. 563-572.

18. Одынец Л.Л., Орлов B.M. Анодные оксидные пленки. Л.: Наука, 1991. -200 с.

19. Мирзоев Р.А., Давыдов А.Д. Диэлектрические анодные пленки на металлах // Итоги науки и техники. Сер. Коррозия и защита от коррозии, 1990. Т.16. - С.89-143.

20. Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл полупроводник и его применение.- Л.-Наука, 1979.- 183 с.

21. W. Bruckner, Н. Opperman, F., Reichelt W., Terukov E.I., Tschudnovskii F.A. Vanadiumdioxide. Akademie-Verlag. Berlin, 1983, s. 252 (1994).

22. Гальперин В.Л., Хахаев И.А., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б. Управление фазовым переходом металл-полупроводник с помощью быстродействующего термоохладителя // ЖТФ. 1991. - Т.61, №10. -с.194- 196.

23. Ланская Т.Г., Меркулов И.А., Чудновский Ф.А. Гистерезисные эффекты при фазовом переходе металл-полупроводник в диоксиде ванадия // ФТТ. -1978. -Т.20, № 5. с. 1201-1208.

24. Хахаев И.А., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б. Мартенситные эффекты при фазовом переходе металл-диэлектрик в пленке диоксида ванадия // ФТТ. — Т.36, № 6. с. 1643 - 1646.

25. Т. Altanhan, J.Phys. The screened intra-atomic correlation energy in transition metall-oxides // Sol.St.Phys. 1987. - Y.20. - p.949-953.

26. Никитин С., Хахаев И.А., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б. Обратимые изменения электрических свойств пленки У02 с использованием подложки из суперионного проводника//ФТТ. 1993. - Т.35, №70. - с. 2815 -2819.

27. Leone A., Trione A., Junga F. Alternation in electrical and infrared properties of vanadium oxides due to proton irradiation // IEEE Trans, on Nuclear Sci. -1990.- V.37, №6. p. 1739 - 1742.

28. Шадрин Е.Б. Оптика фазовых превращений и электретных состояний в оксидах переходных металлов, Докт. дисс. СПб. - 1997. - 556 с.

29. Никулин Е.И., Чудновский Ф.А., Шадрин Е. Б., Мясников Д.А. Влияние электронной бомбардировки на проводимость пленок V02 // ЖТФ. -1988-Т.58, №72. р. 2411 -2416.

30. Бугаев А.А., Захарчения Б.П., Чудновский Ф.А. Кинетика фазового перехода в диоксиде ванадия II Письма в ЖТФ.-1981. т.ЗЗ, N 12. -с.643-647.

31. Мотт Н.Ф. Переходы металл изолятор.- М.: «Наука», 1979. - 342 с.

32. Michael F. A. Bruce Buckman, and Rodger M. Walser Femtosecond switching of the solid-state phase transition in the smart system material VO2 // Smart Structures and Materials, SPIE Proc. 1994. - V. 2189. - p.400-408.

33. Hiroyki Abe, M. Terauchi, M. Tanaka, S. Shin and Y. Ueda. Electron Energy-loss Spectroscopy Study of the Metal-Insulator Transition in VO2 // Jap. Journ. Appl. Phys. 1997. - V.36. - p.165-169.

34. Muller O. Metall-Insulator Transition of V02. A XANES Investigation of the 0 К Edge of V02 // J. Phys. iv Franse. 1997. - V.7. - p. 2-533.

35. Revesz A.G., Allison J.F. Electronic properties of the silicon-thermally grown tantalum oxide interface // IEEE Trans. Electr. Dev. 1976 - V.723. № 5. -P.527-529.

36. Аморфный кремний и родственные материалы / Под. Ред. X. Фрицше. -М.:Мир,1991 -с.542.

37. Аморфные полупроводники и приборы на их основе / Под ред. И.Хамакавы. М.: Металлургия, 1986. - 375 с.

38. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Структура, приготовление и приборы / Под ред. Дж.Джоунополоса и Дж.Дюковски. -Вып.1. М.: Мир, 1987.-363 с.

39. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Электронные и колебательные свойства / Под ред.Дж.Джоунополоса и Дж.Дюковски. -Вып. 11. М.: Мир, 1988.-447 с.

40. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах: В 2 т. М.: Мир, 1982. - 662 с.

41. Аморфные полупроводники. /Под ред. М.Бродски. М.: Мир, 1982, 419 с.

42. Zallen R. The Phisics of Amorphous Solids. N.Y.: Willy and Sons, 1983. -p.304.

43. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986.-556 с.

44. Вертопрахов В.Н., Кучумов Б.М., Сальман Е.Г. Строение и свойства структур Si-SiC>2. М. - Новосибирск: Наука, 1981. - 95 с.

45. Нитрид кремния в электронике. /Под ред. А.В.Ржанова. Новосибирск: Наука, 1982.-198 с.

46. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев Si02 на кремнии. Л.: Изд. ЛГУ, 1988. - 301 с.

47. Вест А. Химия твердого тела. Теория и приложения, 4.1. М.: Мир, 1988. -с. 415 -433.

48. Иоффе В.А. Процессы переноса в окислах переходных металлов. В кн. «Проблемы современной физики». Л.: Наука, 1980. - сЛ00-109.

49. Иоффе В.А. Исследования окислов переходных элементов методами радиоспектроскопии. В кн. «Успехи физики и химии силикатов». Л.: Наука, 1978. - с.3-28.

50. Ханин С.Д. Дефекты структуры и кинетические свойства аморфных оксидов тантала и ниобия. // Химия твердого тела: Тез. докл. Международной конф. Одесса, 1990. - Ч.П. - С. 125.

51. Khanin S.D. Strong field effects in disordered dielectrics with hopping conduction // IEE. Dielectric Materials. Measurements and Application. 6 th Intern. Conf on «DMMA 6». 1992. - p. 455-459.

52. Бугаев А.А., Гудялис B.B., Клочков A.B. ФТТ 26, 5, 1463 (1984)

53. Бугаев A.A., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Кинетика фазового перехода в диоксиде ванадия. // Письма в ЖТФ.-1981.- т.ЗЗ. N 12. -с.643-647.

54. Berger N.K., Shuker R. Time-recolved characteristics of phase conjugation in metal-semiconductor phase transition in У02 // Appl. Phys. Lett. 1999. - V.74, №/P. - p.2770 -2773.

55. Емельянов В.И., Бабак Д.В. Сверхбыстрые вибронные фазовые переходы в полупроводниках под действием фемтосекундных лазерных импульсов // ФТТ.- 1999. Т.41, № 8. - с. 1462.

56. Белашенков И.А., Солунин П.А., Хахаев И.А., Чудновский Ф.А., Цибадзе К.Ш. Электронные нетабильности в полупроводящей фазе диоксида ванадия // ФТТ. 1994. - Т.36, № <5. - с.2032 - 2035.

57. Vlidilen P. Belousov A. Nonlinear optical limiters of laser radiation on base of reverse saturable absorption and stimulated reflection // J. Opt. Techn.- 1997. -V.64, №12. p. 230-239.

58. Херман И., Вильгельми Б. Лазеры сверхкоротких световых импульсов.-М.:"Мир", 1986.-368 с.

59. Meticos-Hucovic М., Ceray-Ceric М. Conduction processes in the Та/Та205-electrolyte system. //Thin Solid Films. 1986. - V.145, № 1. - P.39-49.

60. Birey H. Thickness dependence of the dielectric constant and resistance of anodic films. //Journ. Appl. Phys. 1977. - V.48, № 12. - P.5209-5213.

61. Mead C.A. Electron transport mechanisms in thin insulating films. // Phys.Rev-1962. V. 128, № 5. - P.2088-2093.

62. Standiey C.L., Maissel L.I. Some observation on conduction through thin tantalum oxide films. // Journ.Appl.Phys. 1964. - V.35, № 5. -P.1530-1534.

63. Pulfrey D.L., Wilcox P.S., Young L. Dielectric properties of Ta2Os thin films.//Journ. Appl. Phys. 1969. - V.40, № 10. -P.3891-3898.

64. O'Clock G.D. Current transport and effective dielectric constant of Ta2Os thin films. // Appl. Phys. Letters. 1971. - V.19, № 10. - P.403-405.

65. Aris F.S., Lewis T.I. Steady and transient conduction processes in anodic tantalum oxide. //Journ. Phys. D.: Appl. Phis. 1973. - V.6, № 9. - P. 10671083.

66. Jones M.W., Hughes D.M. The Investigation of conduction in anodic oxide films formed on sputtered tantalum. // Journ. Phys. D.: Appl.Pys. 1974. - V.7, № 1. -P.112-119.

67. В.П.Малиненко, Л.Л.Одынец, С.С.Чекмасова, Е.Я.Ханина Электропроводность систем металл окисел - электролит. // Электрохимия. - 1971. - Т.VII, № 12. - С. 1846-1850.

68. Малиненко В.П., Одынец Л.Л. О природе асимметрии проводимости и токов утечки оксидно-полупроводниковых конденсаторов. // Электронная техника. Сер. Радиодетали. 1972. - Вып.2 (27). - С.71-76.

69. Одынец Л.Л., Прохорова Л.А., Чекмасова С.С. Импеданс системы металл -окисел — электролит. // Электронная техника. Сер. Радиодетали. 1972. -Вып.2 (27). - С.77-81.

70. Одынец Л.Л., Чекмасова С.С. Электропроводность системы металл -окисел — электролит. // Электрохимия. -1973. -T.IX, № 8. С.1177-1180.

71. Одынец Л.Л., Прохорова Л.А., Чекмасова С.С Электропроводность и импеданс системы металл окисел - электролит. //Физика диэлектриков и перспективы ее развития: Материалы Всесоюзной конференции. - 1973. -Т.З. - С.234-236.

72. Одынец Л.Л., Прохорова Л.А., Чекмасова С.С. Дефекты в анодных окисных пленках на тантале и их электрические характеристики. // Электрохимия. 1975. - T.XI, № 11. - С. 1743-1746.

73. Малиненко В.П. Исследование пиролитических окислов марганца в системе металл окисел - двуокись марганца: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук // НИИ «Гириконд». - Л., 1977. - 18 с.

74. Таланова Л.Ю. Электропроводность локальных участков анодных окисных пленок на ниобии. //Анодные окисные пленки: Межвуз. сб. научн. трудов/ Петрозаводский государственный университет. Петрозаводск, 1978. -С.59-69.

75. Iconopisov S., Elenkov N. Interfacial control of the electronic current through the barrier-type anodic films in contact with an electrolyte. // Journ. Electroanal. Chem. 1978. - V.86, № 1. - P. 105-114.

76. Albin S. Localized conduction in dielectric films. //Thin Solid Films. 1981. -V.86, № 4. -P.369-374.

77. Лалэко B.A., Одынец Л.Л., Райкерус П.А. Эффекты сильного поля в системах металл окисел - полупроводник в присутствиикомпенсированных доноров и распределенных по энергии ловушек.// Известия ВУЗов. Физика. 1981. - Т.34, № 4. - С.3-6.

78. Лалэко В.А. Исследование зарядопереноса в структурах металл анодный окисел металла - полупроводник: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук./ ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР. -Л., 1984. - 19 с.

79. Chari S., Mathur В. The Conduction Properties of anodic films. 1981. - V.75, № 2. - P.157-166.

80. Agnihotry S.A., Sairi K.K, Chandra S. Application of tantalum based thin films devices in active matrix adressed liguid crystal displays. // Thin Solid Films. -1988. V.164, № 2. - P.327-333.

81. Круглов Д.С. Некоторые закономерности зарядопереноса в структуре металл-окисел-полупроводник. //Физика окисных пленок: Межвуз. сб. науч. тр. /Петрозаводский государственный университет. Петрозаводск, 1988. -С.56-61.

82. Mohammed М.А., Morgan D.V. Tantalum oxide films for monolithic capacitor applications. //Thin Solid Films. 1989. - V.76, № 1. - P.45-55.

83. Trifonova V., Girginov A. A Test of the anodic electron current in oxide covered valve metals. //Journ. Electronal. Chem. 1980. - V.107, № 1. -P. 105-115.

84. Thomas I.H. III. An Analysis of conduction in anodic Ta205. //Annual Report Conf. on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena. Wash., 1978. -P.413-417.

85. Simmons I.G. Poole-Frenkel effect and Schottky effect in metal insulator -metal systems. //Phys. Rev. - 1976. - V.155, № 3. - P.657-660.

86. Young P.L. D.C. electrical condition in thin Ta205 films I. Bulk-limited conduction. //Journ. Appl. Phys. 1976. - У.47, № 1. - P.235-241.

87. Matsumoto H., Susuki A., Yabumoto T. Effect of heat treatment of the coefficient J3PF for the Poole-Frenkel effect and the conductivity in Ta205 films.// Jap. Journ. Appl. Phys. 1980. - V.199, № 1. -P.74-77.

88. Райкерус П.А. Исследование электрических свойств анодных окисных пленок на тантале: Автореф. дисс. . канд. физ.-мат. наук /ЛЭТИ им.

89. B.И.Ульянова (Ленина). Л., 1972. - 19 с.

90. Лалэко В.А. Исследование проводимости аморфных окислов тантала.// Электронные и ионные процессы в газах и твердых телах: Тез. докл. научной конф. молодых ученых-физиков. Петрозаводск, 1982. - С.39.

91. Власенко В.А., Нагин А.П. Термическая ионизация кулоновского центра в сильном электрическом поле в некристаллических веществах. // ФТТ. -1981.- Т.23, № 9 С.2739-2747.

92. Карпус В., Перель В.И. Многофононная ионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле. // ЖЭТФ. -1986. Т.91, № 6 (12).-С.2319-2331.

93. Карпус В. Влияние электрон-фононного взаимодействия на ионизацию глубоких центров сильным электрическим полем. // Письма в ЖЭТФ-1986. Т.44, № 7. - С.334-336.

94. Абакумов В.Н., Карпус В., Перель В.И.,.Яссиевич И.Н Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов // ФТП. -1988. Т.22, № 2,- С.262-268.

95. Шкловский Б.И. Перколяционная электропроводность в сильных электрических полях. // ФТП. 1979. - Т.13, № 1. - С.93-98.

96. Палатник Л.С., Бойко Б.Т., Скатков И.Б. Особенности процесса зарядопереноса в аморфных пленках Та205. // Микроэлектр. 1974 -Т.З, № 3. - С.271-273.

97. Палатник JI.C., Копач В.Р., Поздеев Ю.Л., Скатков И.Б. К вопросу о природе электрических свойств системы Та—Та205-Мп02. // Нитевидные кристаллы и тонкие пленки: Материалы II Всесоюзной конф., 4.II. 1975 — С.306-308.

98. Палатник Л.С., Копач В.Р., Поздеев Ю.Л., Скатков И.Б. Механизм изменения электропроводности аморфных окисных пленок при их термообработке. // Радиотехн. и электр. 1978.- T.XXIII, № 4. -С.870-872.

99. Палатник Л.С., Копач В.Р., Поздеев Ю.Л., Скатков И.Б. Инверсия знака термического коэффициента электросопротивления аморфных пленок Nb2Os.// Микроэлектр. 1976. - Т.4, № 4 - С. 372-375.

100. Lalevic В., Fushillo N., Annamalai N. Nonlinear high-field conductivity in Nb205 thin films. //Thin Solid Films. 1974. - V.23, № 2. - P.249-252

101. Hill R.M. Poole-Frenkel conduction in amorphous solids. //Phil. Mag.- 1971. -V.23, N.181. -p.59-86.

102. Hill R.M. Analysis of high field conduction by localized carriers. //Thin Solid Films. 1971. - V.776, № 6. - P. 1257-1262.

103. Джоншер A.K., Хилл P.M. Электропроводность неупорядоченных неметаллических пленок. //Физика тонких пленок. М.: Мир, 1978. -T.VIII.-С. 180-263.

104. Бокий Л.П., Дьяконов М.Н., Костров Д.В., Башмаков П.Г. Влияние анионов электролита на электропроводность анодных окислов ниобия. // Электр, техн. Сер. Радиодетали и радиокомпоненты. 1976. -Вып. 6(19)-С.З-10.

105. Дьяконов М.Н., Муждаба В.М. Возможности улучшения электрических свойств оксидного диэлектрика электролитических конденсаторов. // Электр, пром. 1978. - Вып.4(64). - С.31-36.

106. Koda N., Hirata К., Nishimura Y. Current-voltage characteristics of tantalum solid electrolytic capacitors. // Fujitsu Scientific and Technical Journal. 1974-V.10, № 4. - P.139-167.

107. Лалэко В.А., Одынец JI.JL., Райкерус П.А. О размерной и полевой зависимости энергии активации стационарных инжекционных токов в аморфных полупроводниках. // ЖТФ. 1981. - Т.51, № 10. - С.2163-2165.

108. Hickmott T.W. Electroluminescence and conduction in Nb-Nb205—Au diodes. // Journ.Appl.Phys. 1966. - V.37, № 12. -P.4380-4388.

109. Hickmott T.W. Photoconductivity, electroluminescence and hole injection in thin Nb205 diodes. // Thin Solid Films. 1969. - V.3, № 2. -P.85-107.

110. Лалэко В.А., Райкерус П.А. Исследование зарядопереноса и зонной структуры анодных окислов тантала и ниобия методом инжекционной спектроскопии. //Физика окисных пленок: Тез. докл. на Всесоюзной конф.-Петрозаводск, 1982.-С.7.

111. Лалэко В.А., Никифорова Т.А. Инжекционные токи в анодных окислах ниобия. //Электронные и ионные процессы в газах и твердых телах: Тез. докл. науч. конф. молодых ученых-физиков. Петрозаводск, 1982. -С.13-16.

112. Таланова Л.Ю., Ануфриева Л.Ю., Малиненко В.П., Райкерус П.А. Процессы переноса в анодных окислах //Физика диэлектриков. Явления в тонкопленочных системах и на границах раздела: Тез. докл. Всесоюзной научной конф. Баку, 1982. - С.62-65.

113. Райкерус П.А. Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным зарядом, при наличии ловушек, обладающих кулоновским потенциалом.// Радиотехн. и электр. 1971. - T.XVI, № 4. - С.609-612.

114. Райкерус П.А. Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным зарядом, при равномерном распределении ловушек по энергиям.// Радиотехн. и электр. 1971. - T.XYI, № 3. - С.400-406.

115. Райкерус П.А. Эффект Френкеля в диэлектриках с учетом инжектированных носителей для кулоновских ловушек произвольной глубины.// Анодные окисные пленки: Межвуз. сб. научн. тр. Петрозаводск, 1978. -С.115-123.

116. Лалэко В.А., Одынец Л.Л., Райкерус П.А. Электрическая релаксация и эффекты сильного поля в присутствии инжекционных токов в системах металл окисел - полупроводник. //Изв. ВУЗов. Физика. - 1981. - T.XXI, № 5. - С.91-98.

117. Лалэко В.А., Л.Я.Березин, Т.И.Медведева К вопросу о переносе заряда в системе металл окисел - электролит. // Электрохимия. - 1984. - Т.ХХ, №9- С.1266-1269.

118. Голубкова В.И., Котоусова И.С., Лаверко E.H., Мирзоев P.A. Структура и свойства анодных пленок барьерного типа. // Электр, техн. Сер.5. Радиодетали и радиокомпоненты. -1979. -Вып.5(36). С. 16-27.

119. Орлов В.М., Одынец Л.Л., Рюнгенен Т.И. Влияние примесей в тантале на электропроводность системы металл окисел - электролит.// Электрохимия. -1974. -Т.Х, № 8. - С. 1238-1241.

120. Бокий Л.П., Костиков Ю.П. Рентгеноспектральное определение химического состояния фосфора и серы в анодных пленках на ниобии.// ЖТФ. 1989. - Т.59, № 6. - С. 190-192.

121. Smyth D.M. The Role of impurities in insulating transition metal oxides.// Prog. Sol. St. Chem.- 1984.-V.15, № 3. P.145-171.

122. Орлов В.М., Одынец JI.JI., Рюнгенен Т.И. Об электропроводности системы Та Та205 - электролит. // Электрохимия. - 1980. - T.XVI, № 2. -С.265-266.

123. Левин Е.И., Рузин И.М., Шкловский Б.И. Поперечная прыжковая проводимость аморфных пленок в сильных электрических полях. // ФТП. -1988. Т.22, № 4. - С.642-653.

124. Skoda V., Hrach R. Dielectric relaxation effect in MIM Systems. //Chech. Journ. Phys. 1978. -V. 1328, № 8. - P.919-928.

125. Oxley D. Memory effects in oxide films. // Oxides and Oxide Films. Marc. Dekker. N.Y., 1981.-V.6. - P.251-327.

126. Брыксин B.B., Дьяконов M.H., Ханин С.Д. Прыжковый перенос в некристаллическом окисле тантала. // ФТП. 1980. - Т.22. № 5. -С.1403-1410.

127. Агафонова А.И., Плотников А.Ф., Селезнев В.Н. О температурной зависимости некристаллических полупроводников. // ФТП. 1985. - Т. 19, №1.-С.156-157.

128. Fernandez М., Baonsy J., Albella J., Martinec J., Duart J.M. Influence of electrolytes on the electrical characteristics of anodic films on tantalum // Electrocomp. Science and Tecnology. 1981. - V.7, N.9. - p. 205 - 210.

129. Vermileya D.A. Nucleation of crystalline Ta205 during field crystallization // Journ. Electrochem. Sos. 1957. -V. 104, N.9. - p. 542-546.

130. Jackson N.F. Field crystallization of anodic films on tantalum // Journ. Appl. Electrochem.- 1973, N.3. - p.91-98.

131. Vermileya D.A. The Crystallization of anodic tantalum oxide films in the presence of a strong electric field // Journ. Electrochem. Soc. 1955. - V. 102, N.5. - p. 207-215.

132. Vermileya D.A. Effect of ultraviolet irradiation on the growth of anodic Ta205 films // Journ. Electrochem. Sos. 1957. - V. 104, N.4. - p. 212 - 215.

133. Ochrlein G.S., d'Heurle E.M., Reisman A. Some properties of crystallized tantalum pentoxide thin films on silicon // Journ.Appl.Phys. — 1984. v.35, N.10.-p. 3715-3725.

134. Галкин Г.И., Маркова H.E. Кристаллизация и структура барьерных анодно-оксидных пленок тантала // Физика диэлектриков и перспективы развития. Тонкие диэлектрические пленки: Материалы Всесоюзной конф. Д., 1973-Т.З. - с.244.

135. Малюк Ю.И., Чернякова JI.E. Исследование кристаллизации анодного оксидного слоя на ниобиевой фольге. Украинский физ.журн. - 1973 -Т.39, №1. - с.45-48.

136. Одынец JI.J1. Модель полевой кристаллизации в системе металл-оксид-электролит // Электрохимия. 1987. - T.XXIII, №12. - с.1703 - 1706.

137. Одынец JI.JI. Модель полевой кристаллизации в системе металл-оксид-электролит. Физика окисных пленок: Тез.докл. Всесоюзной конф. -Петрозаводск, 1987. -с.36.

138. Коварский А.П., Новотельнова А.В., Ханин С.Д., Чернюс H.JL Исследование процесса электростимулированного роста кристаллов в системе металл-аморфный оксид-электролит методом вторично-ионной масс-спектроскопии // ЖТФ. 1988. -т.58, №2. - с.415-418.

139. Алешина Л.А., Малиненко В.П., Новотельнова A.B., Ханин С.Д., Яковлева Н.М. Электростимулированные преобразования в структуре аморфных окислов металлов // ЖТФ. 1986. - Т.56, №11. -с.2253- 2255.

140. Fromhold А.Т. Single carrier stedy-state theory for formation of anodic films under conditions of high space charge in very large electric fields // Journ. Electrochem. Soc. 1977, - V.124, N.4. - p. 538-549.

141. Олеск В.П., Погуляев B.B. Актуальные проблемы физики анодных окисных пленок малогабаритных конденсаторов. // Вторая Всесоюзная конференция "Физика окисных пленок": Тез.докл., ч.П. Петрозаводск, 1987 - С.37.

142. Ханин С.Д., Карпухина Л.Г. , Муждаба В.М. Электрическая проводимость на переменном токе и диэлектрические потери в анодном окисле тантала // Электронная техника. Сер.5. Радиодетали и радиокомпоненты. 1979. -Вып.4(35) - с. 13-18.

143. Карпухина Л.Г., Ханин С.Д. Диэлектрическая спектроскопия анодных оксидных пленок // Физика окисных пленок: Тез. докл. Всесоюзной конф-Петрозаводск, 1982. с.43-44.

144. Брыксин В.В., Дьяконов М.Н., Муждаба В.М., Ханин С.Д. Диэлектрические потери в материалах с прыжковой электронной проводимостью // Поляризация и диэлектрические потери: Тез. Всесоюзной конф. Физика диэлектриков. Баку, 1982. - с.60-62.

145. Галлай И.Я., Томашпольский Ф.Г. Измерение емкости и потерьоконденсаторов на инфранизких частотах в диапазоне 0,3-10" Гц методом вольт-амперных петель // Электронная техника. Сер.5. Радиодетали. -1973. -Вып.3(32). с.25-32.

146. Галлай И.Я., Борисова М.Э. Измерение емкости, сопротивления изоляции и тангенса угла потерь конденсаторов на инфранизких и низких частотах// Электронная техника.Сер.5. Радиодетали и радиокомпоненты. 1990. -Вып.4(81). - с.38-39.

147. Baird M.E. Determination of dielectric behaviour at low frequencies from measurements of anomalous charging and dicharging currents. //Rev. Mod. Phys. 1968. - V.40, № 5. - p.219 - 221.

148. Jackson N.F., Cample D.C. Thin films in electrolytic capacitors. //Thin Solid Films. 1976. - Y.36, № 2 - P.331-341.

149. Wintle H.J. Transient charging currents in insulators // Sol. St. Electr. 1975. -V.18, N.10.-p. 1039-1042.

150. Соболев О.М. Участие границы катод-оксид в токопереносе конденсаторных систем на основе анодных оксидных пленок. //Электр, техн. Сер.5. Радиодетали и радиокомпоненты. 1987. Вып.2(67). -С.12-16.

151. Исследование процессов старения оксидных слоев на алюминии и тантале, а также элементов конструкции конденсаторов при электротепловом нагружении: Отчет о НИР /НИИ «Гириконд»; Руководители Ю.М.Мудролюбов, С.Д.Ханин. № ГР 6005807. - Л., 1988. - 79 с.

152. Сушков Ю.А. Об одном способе организации случайного поиска. Исследование операций и статистическое исследование. // Сб. научн. тр. ЛГУ.-Л., 1972. Вып. 1 -С.180-186.

153. Vermiliyea D.A. Conduction and rectification in anodic films. // Journ. Appl. Phys. V.36, № 11.- P.3663-3671.

154. Костров Д.В. Энергетическая структура локализованных состояний электронов в анодных окисных пленках: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук / ЛИИ. Л., 1979. - 16 с.

155. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. — М.: ГИФМЛ. 1963 - 494 с.

156. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, 1980.-488 с.

157. Parkhutik V.P., Shershulskii V.I. The Modelling of DC conductivity of thin disordered dielectrics. //Journ. Phys. D: Appl.Phys. 1986. - V.I9, № 4. -P.623 -641.

158. Parkhutik V.P., Sokol Y.I., Shershulskii V.I. Hopping electrical conductivity in the Metal Anodic Oxide - Metal system. // Phys. Stat. Sol.(a). - 1989. -V.I 14, № 1.-P.30-36.

159. BottgerH., Bryksin V.V. Hopping Conduction in Solids. -VCH, 1985. -398p.

160. Bottger H., Bryksin V.V. Hopping conductiviti in ordered and disorderd systems(III). /Phys. Stat. Sol (b). 1982. -V.I 13, № 1. -P.9-49.

161. Bryksin V.V., Goltsev A.V., Khanin S.D. Nonlinear current-voltage characteristics of Ta205 and Nb205 amorphous oxides. // Phys. Stat. Sol. (b). — 1990. V.161, № 2. -P.777-781.

162. A.c. №1595253 (СССР) Способ контроля качества анодов окисидных конденсаторов / А.В. Васильев, Л.А. Костельова, А.В. Новотельнова, С.Д.Ханин.

163. Parcer I.C. Optical propetis of the vanadium oxides V02 and V205 // J. of Americ. Cer. Soc. 1990. - V.73,N11. - p. 3206-3208.

164. Беляков В.И., Дмитриев B.A., Корыстов B.H., Макраусов В.В., Орлов JI.H. Оптические константы двухфазных пленок на основе двуокиси ванадия.// «Автометрия». 1981. - N 5. - с.114-116.

165. Шадрин Е.Б., Ильинский А.В. О природе фазового перехода металл-полупроводник в диоксиде ванадия // ФТТ. 2000. - т.42, № 6, с. 1092-1099.

166. Бойко В.О. Термоупругие мартенситные превращения // ФТТ.- 1992. -Т.5., №1, с.95-118.

167. Пайерлс Р. Квантовая теория твердого тела. М.: Ин.лит., 1956, 450с.

168. G. Stefanovich, A. Pergament Electrical switching and Mott transition in V02// J. Phys. Cond. Matter. 2000. - N.12. - p.8837-8845.

169. MottN.F.// Proc.Phys.Soc.-1969.-A62.-p.416-422.

170. Barker A.S., Verleur H.W. Guggenheim H.J. // Phys. Rev. Lett. 1966, v. 17, N26, p. 1286-1289

171. Капаев Ю.В., Меняйленко B.B., Молотков C.H.// ЖЭТФ. 1985. - т.89, №4(Ю).-С.1404-1415.

172. Н. Terauchi and J.B. Cohen Diffuse x-ray scattering due to the lattice instability near the metal-semiconductor transition in V02 // Phys. Rev. 1978. - V.17, N.6. - p. 2494-2496.

173. Miyazaki H., Utsuno F. The structural characteristics of V02 films prepared by He introduced reactive RF unbalanced magnetron sputtering // Thin Solid Films.- 1996. - V. 281-282. - p. 436-440.

174. Борн M., Вольф Э. Основы оптики. M.: Наука, 1970, 420 с.

175. Н. Bialas, A. Dillenz, Н. Downar, P. Ziemann Epitaxial relationships and electrical propeties of vanadium oxide films on r-cut sapphire // Thin Solid Films.- 1999.-338.- p. 60-69.

176. P. Jin, S. Nacao, S. Tanemura, T.Bell, L.S. Wieluski, M.V. Swain. Characterization of mechanical properties of V02 thin films on sapphire and silicon by ultra microindention // Thin Solid Films. - 1999. - V.343-344. -p.134-137.

177. Гальперин В.Л., Хахаев И.А., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б. Управление фазовым переходом металл-полупроводник с помощью быстродействующего термоохладителя II /У Письма в ЖТФ. 1992. - т. 18, в. 10. - с.74-78.

178. G. Nihoul, Gh. Leroux, V. Madigou, Application of the static concentration waves theory to structural transitions in some oxides // Solid State Ionics. -1999.- V.117. p. 105-112.

179. Двайт Г.Б. Таблица интегралов и других математических формул. M.: Наука, 1978, с. 356.

180. Ильинский A.B. Шадрин Е.Б. Электрооптический компенсационный метод измерения параметров фоторефрактивных кристаллов // Письма в ЖТФ. -2001. Т.23, вып. 3.- с.54-58.

181. Михеев О.П., Сидоров А.И., Шадрин Е.Б. Модификация оптических параметров поликристаллической пленки диоксида ванадия при высокотемпературном окислении. — Оптический ж-л.

182. Андроненко P.P., Гончарук И.Н., Давыдов В.Ю., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б. Прямое наблюдение мягкой моды в спектрах КРС диоксида ванадия // ФТТ. 1994. - т.36, вып. 7. - с.2282-2289.

183. Крыжановский Л.Н. К 250-летию открытия электропроводности.// УФН. -1988.-т. 155, вып. 1.-С. 129-132.

184. Кузнецов Б.Г. От Галилея до Эйнштейна. М. «Наука», 1966, 470с.

185. Фарадей Майкл Экспериментальные исследования по электричеству,-Из-во. Акад. н. СССР, 1959, 502 с.

186. Максвелл Джеймс Клерк Избранные сочинения по теории электромагнитного поля. Гозтехиздат, 1954, 489 с.

187. Тудоровский А.И. Электричество и магнетизм. ч.2. ОНТИ, 1935. С. 283-286.

188. Гудден, Поль О зависимости фотопроводимости от времени // Zn.f.Phys. -1921. -N.6. р.248-252.

189. Иоффе А.Ф., Кирпичева М.В. Электропроводность чистых кристаллов. -ЖРФХОЗ. ч.физ., 1916. -N. 43, в.8. с. 216-296.

190. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников. М.Л.: Изд. АН СССР, 1957 г., с.491.

191. Иоффе А.Ф. Упругие и электрические свойства кварца. Изв. Пг.политехн. ин-та. Отд.техн.,ест. и мат., 1915,24, в.1, с.1-126.

192. Иоффе А.Ф. Избранные труды, т.1, Л.: «Наука», 1974, с 32-125.

193. Ioffe A.F. La conductibilité des crytaux. In: Conductibilité electrique des métaux et problemex connexes: Rapports et discussions du Quatrième conseil de physique term a Bruxellex 24-29 IV 1924. Paris: Gauthier-Villars, 1927,p.215-245.

194. Френкель Я.И. Собрание избр.тр. , т.2. M. Л.: Изд-во АНСССР, 1958, с.254-268.

195. Frencel J., Semenoff N., Chariton J. The Phenomena Adsorption.In: Repports of the Leningrad phys.-techn.laboratory. 1918-1926. L.:Sci. Chem-Tech.publ.office, 1926 ,p.41-49.

196. Бордовский Г.A., Извозчиков В.A. Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл, С-Пб., «Образование», 1997, с. 2-20.

197. Жузе В.П., Курчатов Б.В. К вопросу об электропроводности закиси меди. // Физический журнал. Серия А. ЖЭТФ. 1932. - № 2, в.5-6. - С.310-317.

198. Мотт Н.В. кн.воспоминания о Френкеле. Л.: Наука, 1976, с.126-128.

199. В.М. Грабов Единый подход к описанию и изучению электрических свойств твердых тел: диэлектриков, полупроводников, металлов, 9-ая Международная конференция «Физика диэлектриков», С-Пб.,2000, с. 199-200.