Закономерности и механизмы процессов, обусловленных термоэлектрическим воздействием, в ионных кристаллах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор наук Карыев Леонид Геннадьевич

• Карыев Леонид Геннадьевич
• доктор наук
• 2016

Оглавление диссертации доктор наук Карыев Леонид Геннадьевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ПОВЕДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИКОВ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ

1.1. Твердые электролиты

1.1.1. Диэлектрики в зонной теории

1.1.2. Дефекты кристаллических структур

1.1.3. Магнитопластический эффект

1.2. Электрические эффекты в диэлектриках

1.2.1. Поляризация диэлектриков

1.2.2. Электролюминисценция

1.2.3. Электрические флуктуации

1.2.4. Электрострикция

1.2.5 Пьезоэффект

1.2.6. Пироэффект

1.2.7. Сегнетоэлектрики

1.2.8. Электретный эффект

1.2.9. Электропластический эффект

1.3. Фотоэффект в диэлектриках

1.3.1. Фотоэлеткронная эмиссия

1.3.2. Внутренний фотоэффект в диэлектриках

1.3.3. Фотостимулированная кристаллизация

1.4. Адсорбция

1.5. Диффузия в ионных кристаллах

1.6. Ионная проводимость

1.7. Электроды

1.8. Электрический пробой в диэлектриках

1.9. Взаимодействие примесей и точечных дефектов с дислокациями

1.10. Разрушение кристаллов

1.11. Основные закономерности процесса микроиндентирования

1.12. Залечивание нарушений сплошности в кристаллах

ГЛАВА 2. СТРУКТУРНО-ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ НА

ПОВЕРХНОСТЯХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ НАГРЕВЕ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ

2.1. Структура и морфология поверхностей ионных кристаллов при нагреве в электрическом поле, силовые линии которого ориентированы перпендикулярно поверхности кристалла

2.1.1. Материалы и методика эксперимента

2.1.2. Структурно-фазовые превращения на поверхностях ионных кристаллов при термоэлектрическом воздействии

2.1.3. Структура и морфология поверхностей

2.1.4. Механические свойства вещества новообразований

2.1.5. Масс-спектрографическое исследование поверхносте

2.1.6. Рентгеноструктурное исследование поверхностей

2.1.7. Кристаллизация новообразований на поверхностях ионных кристаллов различной кристаллографической ориентации

2.1.8. Структурные изменения поверхностей ионных кристаллов под действием потенциала внешнего электрического поля приложенного к поверхности при нагреве

2.1.9. Обсуждение результатов

2.2. Структура и морфология поверхностей ионных кристаллов при нагреве в электрическом поле, силовые линии которого ориентированы параллельно поверхности

2.2.1. Материалы и методика эксперимента

2.2.2. Структура и морфология поверхностей трещины скола

2.3. Выводы к главе

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ВЕЛИЧИНЫ НАГРЕВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОВЕРХНОСТЕЙ КРИСТАЛЛОВ В УСЛОВИЯХ КОМПЛЕКСНОГО ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ

3.1. Линии напряженности электрического поля ориентированны перпендикулярно поверхностям кристаллов

3.1.1 .Материалы и методика эксперимента

3.1.2. Исследование зависимости плотности тока от температуры

3.1.3. Определение энергии активации процесса проводимости

3.1.4. Зависимость напряженности электрического поля в воздушном зазоре от температуры

3.1.5. Зависимость величины электрической индукции в межэлектродном промежутке от температуры

3.1.6. Зависимость величины поверхностной плотности электрического заряда от температуры

3.1.7. Обсуждение результатов

3.2. Силовые линии электрического поля ориентированы параллельно поверхности. Поверхностные токи

3.2.1. Материалы и методика эксперимента

3.2.2. Проводимость ионных кристаллов с учетом вклада поверхностей. Энергии активации процессов проводимости

3.2.3. Обсуждение результатов

3.3 Выводы к главе

ГЛАВА 4. АККУМУЛЯЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЗАРЯДА В ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ ОБЛАСТЯХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ

НАГРЕВЕ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ

4.1. Материалы и методика эксперимента

4.2. Результаты эксперимента

4.3. Обсуждение результатов

4.4 Выводы к главе

ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ И НЕОДНОРОДНОСТИ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ НА ЗАЛЕЧИВАНИЕ НЕСПЛОШНОСТЕЙ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ

5.1. Поведение поверхностей внутреннего скола ионных кристаллов в электрическом поле при одновременном нагреве

5.1.1. Материалы и методика эксперимента

5.1.2. Результаты эксперимента

5.1.3. Обсуждение результатов

5.2. Закономерности эмиссии ионов с поверхности ионных кристаллов в условиях одновременного воздействия на кристалл тепловым и электрическим полями

5.2.1. Материалы и методика эксперимента

5.2.2. Результаты эксперимента

5.2.3. Обсуждение результатов

5.3. Залечивание трещин в щелочногалоидных кристаллах ионным током

5.3.1. Материалы и методика эксперимента

5.3.2. Результаты эксперимента

5.3.3. Обсуждение результатов

5.4. Выводы к главе

ГЛАВА 6. ПОВЕДЕНИЕ НЕСПЛОШНОСТЕЙ, ОГРАНИЧЕННЫХ

ПОВЕРХНОСТЯМИ РАЗЛИЧНЫХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ, В УСЛОВИЯХ КОМПЛЕКСНОГО ТЕРМОЭЛЕТРИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ

6.1. Фазовые превращения на контактирующих поверхностях разнородных ионных кристаллов при термоэлектрическом воздействии

6.1.1. Материалы и методика эксперимента

6.1.2. Результаты эксперимента

6.1.3. Обсуждение результатов

6.2. Фазовые превращения на контактирующих поверхностях однородных ионных кристаллов различной кристаллографической ориентации при термоэлектрическом воздействии

6.2.1. Материалы и методика эксперимента

6.2.2. Результаты эксперимента

6.2.3. Обсуждение результатов

6.3. Выводы к главе

7.1. Материалы и методика эксперимента

7.2. Морфологические и структурные изменения ионных кристаллов с имплантированным металлом в условиях термоэлектрического воздействия

7.3. Исследование распределения Аи в №С1

7.4. Исследование распределения имплантированного Аи в кристалле ЫБ

7.5. Исследование спектров пропускания ионных кристаллов с имплантированным металлом

7.6. Обсуждение результатов

7.7. Химические твердофазные реакции, протекающие при имплантации металла в щелочногалоидные кристаллы в условиях воздействия тепловых и электрических полей

7.8. Влияние металла, имплантированного в ЩГК в условиях термоэлектрического воздействия на механические характеристики макрообразцов

7.8.1. Обсуждение результатов

7.9. Исследование деформационного поведения (в микрообъемах) кристаллов с имплантированным металлом при воздействии тепловых и электрических полей

7.10. Электрофизические свойства ионных кристаллов с имплантированным металлом при термоэлектрическом воздействии

7.11. Выводы к главе

ГЛАВА 8. МОДЕЛИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПРОЦЕССОВ И

АНАЛИТИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА ВЗАИМОСВЯЗИ ПАРАМЕТРОВ СОСТОЯНИЯ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ НАГРЕВЕ В

ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ

8.1. Модели поверхностных процессов

8.1.1. Физическая модель, постановка задачи

8.1.2. Общие сведения и границы применимости

8.1.3. Учет вклада поверхности в величину напряженности во внутренних областях кристалла

8.1.4. Зависимость амплитуды колебаний атомов от температуры250

8.1.5. Расчет энергетических параметров модели

8.1.6. Моделирование образования и миграции точечных дефектов при термоэлектрическом воздействии

8.1.7. Влияние способа формирования объемного заряда на состояние поверхности

8.1.8. Влияние нестехиометрии состава на состояние поверхности259

8.1.9. Обсуждение результатов

8.2. Аналитическая оценка взаимосвязи параметров состояния ионных кристаллов при одновременном воздействии на них нагрева и электрического поля

8.2.1. Аналитическая оценка взаимосвязи параметров состояния сплошного кристалла

8.2.2. Аналитическая оценка взаимосвязи параметров состояния кристаллов с макроскопическим дефектом в виде трешины скола по плоскости первичной спайности

8.2.3. Аналитическая оценка работы выходов ионов с поверхности {100} в ионных кристаллах

8.2.4. Обсуждение результатов

8.3. Выводы к главе

ПРИЛОЖЕНИЕ. ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ И

ОСОБЕННОСТИ РАЗРУШЕНИЯ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ МИКРОИНДЕНТИРОВАНИИ, МЕХАНИЧЕСКОМ И ЭЛЕКТРОМАГНИТНОМ ВОЗДЕЙСТВИЯХ, ОСОБЕННОСТИ ДЕФОРМАЦИИ КРИСТАЛЛОВ

1. Влияние исходной дислокационной структуры фтористого лития на зарождение трещин при микроиндентировании

1.1. Материалы и методика эксперимента

1.2. Результаты эксперимента

1.3. Обсуждение результатов

2. Об аномалиях, наблюдаемых при микроиндентировании фтористого лития, обусловленных ориентацией индентора

2.1. Материалы и методмка экперимента

2.2. Результаты эксперимента

2.3. Обсуждение результатов

3. Определение упругой деформации поверхности кристалла при

микроиндентировании

3.1. Материалы и методика эксперимента

3.2. Результаты эксперимента

3.3. Обсуждение результатов

4. Пластическая деформация кристалла при микроиндентировании

4.1. Материалы и методика эксперимента

4.2. Обсуждение результатов

5. Взаимодействие трещины скола с полосами скольжения в ионных кристаллах

5.1. Материалы и методика эксперимента

5.2. Результаты эксперимента

5.3. Обсуждение результатов

6. Взаимодействие лазерного излучения ИК - диапазона с дефектами структуры в ионных кристаллах

7. Выводы

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

ВВЕДЕНИЕ

Исследование поведения кристаллических тел, в частности, диэлектриков при различных внешних энергетических воздействиях, в том числе и комплексных, а так же легирование кристаллов металлами, является актуальной задачей физики конденсированного состояния. Комплексное внешнее энергетическое воздействие проявляется при работе элементов оптики, электроники в экстремальных условиях, например, одновременного воздействия тепловых и электрических полей [1], силовых и магнитных [2, 3] и т.д.

Одним из интересных фактов является существование у относительно твердых тел постоянной поляризации, которая может наблюдаться и в отсутствии внешнего электрического поля. Если нагретый до предплавильных температур диэлектрик (например, воск) поместить в постоянное электрическое поле, то под действием поля дипольные моменты молекул примут преимущественную ориентацию в диэлектрике, которая сохранится после охлаждения диэлектрика и выключения электрического поля. Такой диэлектрик называется электретом. На его поверхности расположены постоянные поляризационные заряды.

Постоянная внутренняя поляризация Р встречается и у некоторых кристаллических веществ. В таких кристаллах каждая элементарная ячейка решетки обладает одним и тем же постоянным дипольным моментом [4]. Все диполи направлены в одну сторону даже в отсутствии электрического поля. Дипольные моменты могут измениться вследствие теплового расширения -это пироэлектрик, или под воздействием механического нагружения -пьезоэлектрик [5].

Некоторые кристаллы имеют внутренние моменты и вращение их также вносит вклад в поляризацию. В ионных кристаллах, таких, как N0, возникает

также ионная поляризуемость. Кристалл состоит из положительных и отрицательных ионов, расположенных периодически. В электрическом поле возникает результирующее смещение зарядов и, следовательно, объемная поляризация. Определенный вклад в поляризацию ионных кристаллов дают примесные и собственные точечные дефекты, которые в различных температурных интервалах могут приводить к примесной и собственной проводимости. В этом случае следует отметить ионно-релаксационную и миграционную поляризации [6]. Эти виды поляризации являются релаксационными явлениями, поэтому параметры, характеризующие поляризацию, релаксируют, т.е. постепенно изменяются и затем устанавливаются постоянными.

Рассматривать проблемы прочности, пластичности, а так же исследовать электрические и оптические свойства кристаллов, обособленно от дефектов кристаллической структуры таких, как дислокации, примеси, собственные точечные дефекты и их комплексы, не всегда оправдано, так как, во первых, бездефектных кристаллов в природе не существует, во вторых, теоретический анализ механических свойств бездефектной структуры показал, что если, например, пластическая деформация в ней и возможна (при очень высоких напряжениях, порядка модуля сдвига), то образование устойчивой трещины в идеальной кристаллической решетке невозможно [7].

Многие физические свойства кристалла в определенной мере зависят от взаимодействия перечисленных дефектов между собой. Оно же может быть причиной локального отличия механических свойств в объеме и на поверхности образца, например, трещиностойкости в условиях механического нагружения и лазерного облучения, изменения скорости распространения трещины скола и величины работы выхода ионов с поверхности кристалла в процессе сублимации.

Точечные дефекты и дислокации осуществляют не только пластическую деформацию кристалла. Их скопления являются зародышами нарушений сплошности, которые при соответствующих условиях могут превратиться в распространяющиеся трещины, приводящие к разрушению материала. В связи с этим, микроскопические нарушения сплошности обычно рассматривают как элементы дефектной структуры кристалла, а процесс разрушения - как одну из стадий эволюции этой структуры.

Наличие ионов проводимости неизбежно сопровождается взаимодействием их с дефектами кристаллической решетки ионного диэлектрика, такими, как дислокации, границы субзерен, микро- и макротрещины. Последние оказывают существенное влияние на прочностные характеристики кристалла, его оптические свойства. Взаимодействие ионов проводимости с такими нарушениями регулярности решетки может приводить к их залечиванию вследствие массопереноса и восстановлению механических свойств. Кроме того, в интервалах температур собственной проводимости возможно накопление зарядов в поверхностных слоях диэлектрика. Это обстоятельство неизбежно приводит к изменению стехиометрического соотношения и, как следствие к изменению физических свойств кристалла. Последнее представляет самостоятельный интерес, так как может встречаться при эксплуатации оптических элементов из щелочногалоидных кристаллов (ЩГК) в экстремальных условиях: высокие температуры, воздействие электрических и магнитных полей, что имеет место в лазерных устройствах ультрафиолетового и инфракрасного диапазонов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Закономерности и механизмы процессов, обусловленных термоэлектрическим воздействием, в ионных кристаллах»

Актуальность работы

В настоящее время рождаются и развиваются новые области техники и науки, базирующиеся на широком использовании своеобразных, а порой и уникальных свойств монокристаллов, в частности ионных. Например, LiF, №0, CaCOз, CaF2, Li2COз, Ы^ИЮз широко используются в оптической

промышленности, компьютерных технологиях, при создании интегрально -оптических схем. Последние исследования свойств кристаллов некоторых солей говорят о том, что они могут использоваться для хранения данных, обеспечивающих на два порядка большую плотность записи информации, чем нынешние оптические технологии. Созданы одномерные ионные кристаллы, структура которых имеет специфические оптические свойства, разительно отличающиеся от объемного аналога. Будучи в обычных условиях диэлектриками ионные кристаллы после соответствующей обработки приобретают полупроводниковые свойства. Щелочногалоидные кристаллы представляют собой модельный классический материал для исследования различных свойств твердого тела. Таким образом, несмотря на то, что кристаллы этого типа достаточно подробно исследованы, они еще долгое время останутся предметом детальных и тщательных дальнейших исследований, что в свою очередь, расширит диапазон их использования.

Целенаправленное изменение механических и физических свойств твердых тел посредством легирования их атомами других веществ - одно из важных направлений исследований в материаловедении. Например, малые добавки примесных атомов улучшают качество технических сплавов. Так, добавки ванадия, циркония, цезия улучшают структуру и свойства стали, рений устраняет хрупкость вольфрама и молибдена. Наоборот, очистка меди от висмута, а титана от водорода приводит к исчезновению хрупкости этих металлов. Легирование ионныхкристаллов существенным образом влияет на механические, электрические и оптические свойства последних. Причем, такого рода изменения свойств охватывают весь образец в целом и в большей степени определяются взаимодействием дислокаций с примесными и собственными точечными дефектами. Научный и практичексий интерес представляет взаимосвязь различных способов легирования кристаллов с изменением структуры и физичексих свойств последних.

Очевидно, если в кристалле имеются макроскопления дислокаций (например, полосы скольжения, полосы Людерса), то при насыщении этих областей примесными и точечными дефектами свойства их будут всегда отличаться от свойств остальных участков. И, не исследовав их, нельзя говорить о свойствах кристалла. Т.е., анализ отклика участков кристалла с локальными скоплениями дислокаций на различного рода воздействия в них необходим и значим для оценки свойств кристалла в целом.

Вопрос о поведении кристаллов при высоких локальных напряжениях еще далек от своего разрешения. Поэтому необходимо исследование закономерностей процесса микроиндентирования, чтобы приблизится к решению данной проблемы.

Одна из задач физического материаловедения - ликвидация микро- и макротрещин внутри образца и на его поверхности. Поэтому выявление новых методов залечивания трещин принципиально важно. Исследование кинетики залечивания, в свою очередь, позволяет расширить информацию о свойствах самих исследуемых кристаллов.

Таким образом, влияние неоднородности дислокационной структуры и связанные с этим флуктуации примесного состава могут оказаться существенными в процессах разрушения и залечивания твердых тел, что делает постановку таких исследований актуальной.

С другой стороны, широкое использование получили кристаллы, в которых проявляются различные эффекты: пьезоэффект, пьезооптический эффект, пироэффект, магнито- и электрострикция и др. Показано также, что в ЩГК, например, наблюдается явление магнитопластичности - увеличение подвижности дислокаций при воздействии относительно слабого магнитного поля. Особое значение в этом плане приобретают исследования, направленные на изучение отклика кристалла при комплексном воздействии на него: механическое воздействие и магнитное (или электрическое поле);

рентгеновское облучение и ультразвук; и т.д. Поведение кристалла в таких ситуациях зачастую непредсказуемо.

Монокристаллы и изделия из них нередко эксплуатируются в экстремальных условиях: вибрации, низкие и высокие температуры, действие ионизирующего излучения и др. В связи с этим, повышаются требования к качеству монокристаллических материалов и изделий из них, а также к установлению режимов их эксплуатации при которых обеспечивается надежность и долговечность работы устройства в целом.

Вместе с тем, расширяются всесторонние исследования кристаллов. Научный поиск путей целенаправленного изменения их свойств и получение новых веществ на их основе.

Эти и другие проблемы, связанные с использованием монокристаллов в науке и технике, а также исследования поведения их при комплексных воздействиях делают актуальными изыскания, направленные на изучение поведения поверхностей ионных кристаллов, широко используемых в оптике, при воздействии на них электрических полей в области предплавильных температур.

В настоящей работе исследованы экспериментально и аналитически структурно-фазовые превращения на поверхностях различной кристаллографической ориентации ионных кристаллов при одновременном воздействии на них нагрева и электрического поля, ориентированного как нормально поверхности, так и параллельно ей. Экспериментально установлено, что при термоэлектрическом воздействии на ионные кристаллы на поверхностях образцов появляются изменения в виде каплеобразных новообразований вязкого вещества, которое способно кристаллизоваться при вылеживании в течение ~ 90 суток при комнатной температуре. Кроме того, в веществе новообразований наблюдается рост кристаллов в виде игл в результате локального воздействия оптического излучения, и такая

фотостимулированная кристаллизация происходит значительно быстрее. Под «каплями» новообразований образуются лунки с кристаллографической огранкой. Само вещество при химическом травлении поверхности уходит в раствор. Появление желеобразного вещества изменяет оптическую прозрачность кристалла и физические свойства его поверхности.

Проведенными масс-спектроскопическими исследованиями и рентгеноструктурным анализом установлено аморфно-кристаллическое строение новообразований и отмечено увеличение межионного расстояния. Основной причиной новообразований является нарушение стехиометрического соотношения элементов, составляющих кристалл.

Совокупность экспериментальных результатов по исследованию свойств и поведения новообразований позволяет трактовать наблюдаемое явление как структурно-фазовое превращение, обусловленное нарушением стехиометрического состава. Изменение стехиометрии обусловлено ионной проводимостью кристалла при достижении определенной температуры.

Установлено, что при воздействии на ионные кристаллы одновременно нагрева и электрического поля происходит залечивание имеющихся в них дефектов в виде микро- и макротрещин в плоскостях {100} и {110}.

Во время такого воздействия поверхности дефекта претерпевают изменения, проявляющиеся в форме дислокационных розеток на отрицательно заряженной поверхности, и монокристаллических наростов - на положительно заряженной. С течением времени наросты разрастаются и перемыкают берега трещины. Предложен механизм образования и развития наростов. Показано, 1) что наросты возникают только на высокотемпературном интервале проводимости кристаллов; 2) их появление и развитие не зависят от концентрации примесей в кристалле, локальной концентрации примесных и собственных точечных дефектов на поверхности трещины, обусловленной ее дислокационной структурой, а так же от их состояния.

Установлено, что основной причиной изменения поверхностей трещины является ионный эмиссионный ток между ее берегами. Эмиссия ионов и работа выхода определяются полярностью поверхности. Существенное влияние на работу выхода оказывает, также, локальная концентрация примесных и собственных точечных дефектов обрабатываемого участка поверхности.

При термоэлектрическом воздействии на контактирующие поверхности различных кристаллов, например, пары LiF:NaQ, обнаружено образование соединений типа NaF и LiQ.

Установлены механизмы образования избыточного заряда на поверхностях ионных кристаллов при термоэлектрическом воздействии, отличающиеся для положительно и отрицательно заряженных поверхностей тем, что в первом случае заряд обусловлен накоплением междоузельных ионов металла, а во втором, наоборот, обеднением поверхностных слоев более подвижными ионами металла. В связи с этим, основной причиной более низких пробивных напряжений при отрицательно заряженной поверхности является кулоновское взаимодействие, способствующее разрушению обедненной ионами металла решетки кристалла. Указанные явления способны увеличивать проводимость кристаллов за счет поверхностных токов, как в примесном, так и в собственном температурных интервалах проводимости.

Поверхностная аккумуляция заряда может быть «заморожена» понижением температуры. В этом случае создается состояние подобное электретному. Однако при нагреве кристалла, возникающие «аккумуляторные» токи на 5-6 порядков превышают токи деполяризации при электретном состоянии. И если таковое существует в нашем случае, то оно разрушается на начальных стадиях нагрева кристалла. Наличие же тока в цепи при замыкании электродов, примыкающих к кристаллу, объясняется обратным

перераспределением заряда, продолжительность которого и величина аккумуляторного тока, соответственно, зависят от температуры.

Предложена физическая модель кристалла, подвергнутого термоэлектрическому воздействию, в которой экспериментальные результаты совпадают с теоретическими, и с помощью которой объясняется ряд явлений, наблюдаемых в эксперименте. В частности, показано, что энергия сублимации положительных ионов металла с положительно заряженной поверхности существенно выше, чем энергия сублимации отрицательных ионов, что является основной причиной низких пробивных напряжений наряду с кулоновским взаимодействием для отрицательно заряженных поверхностей. Рассмотрена также роль вакансий и междоузельных атомов примесей (дефектов по Френкелю и Шоттки) в формировании электрического заряда поверхности.

Теоретически установлена функциональная зависимость между различными параметрами состояния сплошного кристалла и кристалла с трещиной скола в условиях комплексного термоэлектрического воздействия. В связи с этим экспериментально определена "удельная проводимость трещины "в зависимости от температуры. Оказалось, что она описывается таким же выражением, как и зависимость между теми же параметрами для кристалла без нарушения сплошности, с точностью до коэффициентов. Оценена работа выхода положительных ионов в условиях развивающихся пластических сдвигов.

При выполнении экспериментов, необходим метод, позволяющий оценивать качество результатов опытов, или исследовать некоторые микрообъекты, возникающие в процессе обработки кристаллов, пластичность и хрупкость тонких поверхностных слоев. Таким методом (экспресс-анализ) является микроиндентирование. Метод микротвердости может быть использован при физико-химическом анализе, в исследовании фото- и

электромеханических эффектов, при изучении примесного упрочнения кристаллов.

В работе исследованы причины повышенной хрупкости фтористого лития при микроиндентировании его поверхности скола. Установлено, что 1) в участках скопления исходных краевых дислокаций вероятность образования трещин изменяется в некоторых пределах (в зависимости от условий опыта), при индентировании в скопления исходных винтовых дислокаций или свободные от дислокаций участки поверхности скола разрушение кристалла не происходит; 2) трещиностойкость зависит не только от дислокационной структуры, но и от температуры образца и нагрузки на индентор; 3) статистическая вероятность возникновения разрушения при индентировании в скопления исходных краевых дислокаций возрастает с увеличением плотности дислокаций в них, при прочих равных условиях, и не зависит от плотности винтовых дислокаций в скоплениях. Показано, что причиной обнаруженного макроэффекта охрупчиваемости являются примеси и собственные точечные дефекты, концентрирующиеся преимущественно вблизи краевых дислокаций.

Экспериментально обнаружен и исследован эффект аномального растрескивания при микроиндентировании фтористого лития в зависимости от ориентации индентора (пирамидка Виккерса) - при ориентации индентора (А I <110> (й - диагональ отпечатка) трещины зарождаются при любых нагрузках на индентор, практически при каждом акте индентирования, при незначительном отклонении ориентации индентора от такового разрушения не наблюдается. Определены факторы, влияющие на аномальное растрескивание кристалла. Показано, что одним из них является повышенная концентрация примесных и собственных точечных дефектов в местах скопления исходных краевых дислокаций. Предложен механизм, объясняющий образование трещин и их отсутствие в зависимости от ориентации индентора.

При анализе механизмов пластичности, меняющихся по мере внедрения индентора в материал, имеет место упругий прогиб поверхности, дающий вклад в общее перемещение индентора. В связи с этим, разработан метод, позволяющий фиксировать и оценивать количественно величину упругого прогиба индентируемого участка для ионных кристаллов при различных нагрузках на индентор.

Работа выполнена в рамках научных исследований, проводимых в Тамбовском государственном университете им. Г.Р. Державина по теме «Дефекты кристаллических структур: механизмы образования и поведения в условиях внешних энергетических воздействий» и поддержана грантами Российского Фонда Фундаментальных Исследований (грант № 98-01-00617-а, № 02-01-01173-а, № 05-01-00759-а, № 09-01-00454-а, № 12-01-97519_р_центр_а, № 15-41-03166_р_центр_а, № 15-01-04553), а также Министерства общего и профессионального образования, грант по фундаментальным исследованиям в области естественных наук (грант № 97-04.3-185), в рамках тематических планов Рособразования (№ 1.1.06 и 1.10.09) и Государственного задания Минобрнауки РФ (№ 1.691.2011, №2476).

Научная новизна

1. Впервые обнаружены структурные и морфологические изменения на свободных поверхностях ионных кристаллов, подвергнутых термоэлектрическому воздействию. Изменения проявляются в образовании на поверхностях вещества в виде «капель», находящегося в аморфном состоянии. По совокупности признаков (наличие границы раздела, иные физические свойства, существование температуры начала превращения) появление новообразований трактуется как структурно-фазовое превращение, связанное с образованием фаз типа ЛБ(Л+) или ЛБ(Б-) с отличающимся от исходных кристаллов стехиометрическим соотношением элементов. При комнатной

температуре вещество капель кристаллизуется в процессе длительного вылеживания.

На поверхностях трещины скола изменения проявляются в образовании монокристаллических дендритообразных наростов, за счет процессов рекомбинационной кристаллизации, перемыкающих берега трещины и вызывающих восстановление сплошности кристалла.

2. Установлено, что величина ионного тока в ионных кристаллах при нагреве в электрическом поле, значения энергии активации процесса проводимости, накопление поверхностного заряда зависят от ретикулярной плотности поверхностей, ориентированных нормально к линиям электрического поля и от массы катионов. Накопление поверхностного заряда происходит в температурном интервале собственной проводимости, обусловлено различной подвижностью катионов и анионов (последние остаются практически неподвижными вплоть до предплавильных температур) и является причиной возникновения при замыкании поверхностей кристалла «аккумуляторных» токов, на 5-6 порядков превышающих токи деполяризации. Положительной и отрицательной полярностям поверхности соответствуют различные механизмы накопления заряда, в обоих случаях они носят миграционный характер.

3. Установлено, что при легировании ионных кристаллов атомами металлов методом термоэлекрического воздействия на композит «кристалл-металл» происходит диффузия металла внутрь кристалла, которая сопровождается образованием микроканалов и полостей сложной формы; возникновением дендритообразных структур; изменением состояния поверхности кристалла контактирующего с металлом; изменением физических свойств кристалла, обусловленных образованием, в последнем, новых фазовых состояний за счет твердофазных химических реакций.

4. Установлено, что при нагреве в постоянном электрическом поле композиции, состоящей из двух однородных или разнородных кристаллов, происходит сращивание последних, а на контактирующих поверхностях так же протекают структурно-фазовые превращения, сопровождающиеся образованием новых ионных соединений за счет обмена катионами.

5. Предложена физическая модель кристалла, имитирующая исследуемые процессы и адекватно отражающая наблюдаемые явления в кристаллической решетке, основными нарушениями которой выбраны примесные атомы и дефекты по Шоттки и Френкелю. Получена система дифференциальных уравнений, позволяющая определить зависимости между различными параметрами термоэлектрического воздействия на кристалл и его состоянием, в частности, предпробойным.

6. Установлено, что неоднородность дислокационной структуры кристалла, обусловливающая перераспределение примесных и собственных точечных дефектов в нем, повышает склонность кристаллов к разрушению при микроиндентировании и лазерном облучении в участках скопления исходных краевых дислокаций в сравнении с участками скопления винтовых дислокаций и с бездислокационными участками.

7. Экспериментально показано, на кристаллах LiF, существование при микро-индентировании зависимости коэффициента интенсивности напряжений от ориентации индентора. Его максимальное значение соответствует ориентации диагонали d отпечатка параллельно направлениям <110>. Предложен метод определения величины упругой деформации поверхности нагружаемого участка кристалла, заключающийся в измерении величины разрыва между отпечатком индентора и его меткой, оставленной им на противоположном берегу трещины скола.

Практическая значимость работы

Полученные в работе экспериментальные данные, свидетельствующие о структурно-фазовых изменениях поверхностей ионных кристаллов при термоэлектрическом воздействии, могут быть полезны при установлении режимов эксплуатации изделий оптики из ионных кристаллов, работающих в условиях тепловых и электрических полей.

Предложен способ воздействия на ионные кристаллы (нагрев и электрическое поле), позволяющий быстро и качественно заживлять микро- и макротрещины в плоскостях первичной и вторичной спайности. Обнаруженные при этом изменения поверхностей несплошности представляют самостоятельный научный интерес и могут способствовать более глубокому пониманию процессов на поверхности кристаллов и свойств самой поверхности. Один из этапов восстановления сплошности -рекомбинационная кристаллизация - может стать основой метода получения гетерогенных структур. Имплантация металла в кристалл этим способом может быть использована для направленного изменения физических свойств ионных кристаллов.

Обнаруженное состояние кристалла с локализованным в поверхностных слоях зарядом при «замороживании» можно использовать в качестве источника постоянных электрических полей, а также источников «аккумуляторных» токов.

Полученные в работе экспериментальные данные, свидетельствуют об изменении физических свойств локальных участков кристалла при индентировании, обусловленном его исходной дислокационной структурой. Обнаруженное аномальное растрескивание кристаллов при индентировании, связанное с ориентацией индентора {й I |<110>), существенно для понимания самого процесса микроиндентирования и имеет значение при определении коэффициента К1с, характеризующего трещиностойкость материала.

Предложенный метод определения величины упругой деформации поверхности кристалла при микроиндентировании позволяет повысить точность измерения деформаций, связанных с локальным воздействием и непрерывной регистрациией глубины внедрения индентора.

На защиту выносятся следующие положения

1. Закономерности структурно-фазовых превращений на поверхностях ионных кристаллов различной кристаллографической ориентации и структурные изменения на поверхностях искусственно введенной в кристалл трещины скола, приводящие к ее залечиванию. Связь структурно-фазовых превращений с накоплением нескомпенсированного заряда, вызывающего нарушение стехиометрического соотношения состава кристалла.

Структурные изменения поверхностей трещины в процессе ее залечивания, обусловленные эмиссионным ионным током между ее берегами, механоэмиссией ионов и рекомбинационной кристаллизацией.

2. Процессы, протекающие в ионных кристаллах при нагреве в электрическом поле, характеризующиеся различными значениями энергии активации и накопление поверхностного заряда, зависящие от ретикулярной плотности поверхностей и массы катионов. Механизм накопления заряда в поверхностных слоях, зависящий от полярности, его аккумуляция и существование «аккумуляторных» токов на 5-6 порядков превышающих токи деполяризации при электретном эффекте.

3. Закономерности механического поведения ионных кристаллов с металлом, имплантированным при термоэлектрическом воздействии, проявляющиеся в изменении предела прочности, микротвердости, коэффициента упрочнения, а также физических свойств: диэлектрической проницаемости, коэффициента электрических потерь, удельной проводимости и морфологии его поверхностей, обусловленные формированием новых фазовых состояний за счет твердофазных химических реакций.

4. Механизм сращивания двух кристаллитов: однородных кристаллов с различной кристаллографической ориентацией и разнородных кристаллов, контактирующих плоскостями с одинаковыми кристаллографическими индексами, в условиях термоэлектрического воздействия, сопровождаемый структурно-фазовыми превращениями на контактирующих поверхностях, в обоих случаях, и образованием новых ионных соединений между ними - во втором.

5. Физическая модель кристалла в условиях термоэлектрического воздействия основанная на физических представлениях о состоянии кристалла с дефектами: примесными атомами, вакансиями, дефектами по Шоттки и Френкелю. Аналитическое прогнозирование залечивания и выбора оптимальных режимов воздействия на кристалл, не приводящих к его проплавлению.

6. Эффект влияния исходной дислокационной структуры ионных кристаллов на перераспределение примесных и собственных точечных дефектов в них, способствующий получению иных механических свойств в области образца со скоплениями исходных краевых дислокаций, в сравнении с остальными ее участками.

7. Явление аномального растрескивания при микроиндентировании пирамидкой Виккерса монокристаллов фтористого лития, заключающееся в стабильном образовании трещин на поверхности при ориентации диагонали отпечатка ^||<110>. Механизм, объясняющий зависимость коэффициента интенсивности напряжений К1с от ориентации индентора при индентировании. Метод, позволяющий фиксировать и оценивать количественно величину упругого прогиба поверхности индентируемого участка кристалла.

Апробация работы

Результаты исследований докладывались на научных конференциях преподавателей и сотрудников ТГУ (1990-2012 г.г.); XII Всесоюзной

конференции "Физика прочности и пластичности металлов и сплавов" (Куйбышев, 1989 г.); Всесоюзном семинаре "Пластическая деформация материалов в условиях внешних энергетических воздействий" (Новокузнецк, 1991 г.); II Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы фундаментальных наук" (Москва, 1994 г.); III Международной конференции "Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов" (Воронеж, 1994 г.); I Международной конференции "Актуальные проблемы прочности" (Новгород, 1994 г.); XIV Научной конференции "Физика прочности и пластичности" (Самара, 1995 г.); Международной конференции "Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений", (Тамбов, 1996, 2000, 2003, 2007, 2010, 2013 г.г.); IX Международной конфереции "Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах", (Тула, 1997); Nondestructive testing and computer simulations in materials science and engineering (С.-Петербург, 1998); XXXIV, XXXV, XXXVII Международных семинарах «Актуальные проблемы прочности» (1998-2001); II Всероссийской конференции молодых ученых «Физическая мезомеханика материалов» (Томск, 1999); 12 International Conference On The Strength Of Materials (Asilomar, USA, 2000); Международной конференции «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах» (Барнаул, 2000); Китайско-Российском симпозиуме «Новые материалы и технологии» (Пекин, КНР, 2001); V Международном семинаре «Современные проблемы прочности» им. В.А. Лихачева (Старая Русса, 2001); EPS-12: General Conference Trends in Physics (Будапешт, 2002); V Международной конференции "Single Crystal Growth and Heat & Mass Transfer" (Обнинск 2003); II Международной конференции по физике кристаллов "Кристаллофизика 21-го века", посвященной памяти М.П. Шаскольской (Москва, 2003 г.); II Всероссийской научно-технической конференции «Физические свойства металлов и сплавов» (Екатеринбург, 2003 г.); Eighth International Workshop on "New Approaches to

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Карыев Леонид Геннадьевич, 2016 год

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Най, Дж. Физические свойства кристаллов / Дж. Най. - М.: Иностранная литература, 1960. - 385 с.

2. Федоров, В.А. Влияние ориентации индентора Виккерса на разрушение ЩГК при микроиндентировании / В.А. Федоров, Л.Г. Карыев, А.Н. Глушков, Ю.И. Тялин, О.А. Мексичев // Труды II Междун. конф. «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений». Вестник ТамбГУ, 2000. - Т. 5. - Вып. 2-3. - С. 378-381.

3. Головин, Ю.И. Магнитопластичность твердых тел / Ю.И. Головин. - М.: Машиностроение-1, 2003. - 108 с.

4. Фейнман, Р. Фейнмановские лекции по физике / Р. Фейнман, Р. Лептон, М. Сэндс. - М.: Мир, 1977. - Т. 5. - 300 с.

5. Шаскольская, М.П. Кристаллография / М.П. Шаскольская. - М.: Высшая школа, 1984. - 376 с.

6. Желудев, И.С. Физика кристаллических диэлектриков / И.С. Желудев. - М.: Наука, 1968. - 462 с.

7. Уэрт, Ч. Физика твердого тела / Ч. Уэрт, Р. Томсон. - М.: Мир, 1969. - 558 с.

8. Хладик, Дж. Твердые электролиты. Физика электролитов / под ред. Дж. Хладика / Дж. Хладик. - М.: Мир, 1978. - С. 46-91

9. Чеботин, В.Н. Электрохимия твердых электролитов / В.Н. Чеботин, М.В. Перфильев. - М.:Наука, 1978. - 271 с.

10. Укше, Е.Л. Твердые электролиты / Е.Л. Укше, И.Г. Букун. - М.: Наука, 1977. - 175 с.

11. Solid electrolytes / Ed. S. Geller. - В. etc.: Springer, 1977. - 229 p.

12. Чеботин, B.H. Физическая химия твердого тела / B.H. Чеботин. -М.: Химия, 1982. - 320 с.

13. Вест, А. Химия твердого тела. Теория и приложения / А. Вест. -М.: Мир, 1988. - 556 с.

14. Мурыгин, И.В. Электродные процессы в твердых электролитах / И.В. Мурыгин. - М.: Наука, 1991. - 351 с.

15. Гуревич, Ю.Я. Суперионная проводимость твердых тел / Ю.Я. Гуревич, Ю.И.Харкац. - М.: ВИНИТИ, 1987. - 157 с.

16. Кобец, JI.B. Механизм протонной проводимости / JI.B. Кобец, В.А. Филимонов // Неорганические материалы. - 1988. - Т. 24. - № 8. - С. 1327-1331.

17. Бурмакин, Е.И. Твердые электролиты с проводимостью по катионам щелочных металлов / Е.И. Бурмакин. - М.: Наука, 1992.-264 с.

18. Гилман, Дж. Механические свойства ионных кристаллов / Дж. Гилман //УФН. - 1963. - Т. LXXX. - Вып. 3. - С. 455-489.

19. Замкова, Н.Г. Динамика решетки ионных кристаллов в модели "дышащих" и поляризуемых ионов / Н.Г. Замкова, В. И. Зиненко // ФТТ. -1998. - Т. 40. - № 2. - С. 350-354.

20. Ivanov, O.V. Microscopical Calculations of Phonons in Polarizable Ion Approach /O.V. Ivanov, E.G. Maksimov //Physical Review Letters. - 1992. -Vol. 46. - №11. - P. 12165-12174.

21. Иванов, O.B. Микроскопические вычисления электронной поляризуемости и динамики решетки ионных кристаллов / O.B. Иванов, Е.Г. Максимов // ЖЭТФ. - 1995. - Vol. 5. - №11. - P. 1841-1859.

22. Киттель, Ч. Введение в физику твердого тела / Ч. Киттель. - М.: Наука, 1978. - 792 с.

23. Вавилов, В.С. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках / В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. - М.: Наука, 1981. -368 с.

24. Брандт, Н.Б. Электроны и фононы в металлах / Н.Б. Брандт, С.М.

Чудинов. - М.: Изд-во МГУ, 1990. - 334 с.

337

25. Займан, Дж. Принципы теории твердого тела / Дж. Займан - М.: Мир, 1966. - 416 с.

26. Rickert, H. Electrochemistry of solids: an introduction / H. Rickert. -New York: Springer, 1982. - 240 p.

27. Таныгина, Е. Д. Введение в теоретическую кристаллохимию / Е.Д. Таныгина; под ред. Л. Е. Цыганковой. - Тамбов: Изд-во ТГУ им. Г.Р. Державина, 2008. - 109 с.

28. Сотников, В.Т. Роль тепловых и электронных возбуждений в изменении стехиометрии поверхности щелочно-галоидных кристаллов при воздействии концентрированных потоков энергии / В.Т. Сотников, С.С. Добротворский, Э.Ф. Запечельнюи, М.В. Добротворская, П.В. Галий // ФТТ. - 1986. - Т. 28. - Вып. 7. - С. 2254-2257.

29. Плотников, В.П. Физика проводников и диэлектриков / В.П. Плотников. - Тамбов: Изд-во Тамб. гос. тех. ун-та, 2004. - 80 с.

30. Болтакс, Б.Н. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках / Б.Н. Болтакс. - Л.: Наука, 1972. - 384 с.

31. Косевич, А.М. Физическая механика реальных кристаллов /А.М. Косевич. - Киев: Наукова думка, 1981. - 205 с.

32. Бокий, Г.Б. Кристаллохимия / Г.Б. Бокий. - М.: Наука, 1971. - 399

с.

33. Тяпунина, Н. А. Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов / Н. А. Тяпунина, Э. П. Белозерова //УФН. -1988. - Т. 156. - Вып. 4. - С. 683-717.

34. Житару, Р.П. Влияние термообработки на относительную подвижность краевых и винтовых дислокаций в кристаллах NaCl / Р.П. Житару, Н.А. Палистрант // ФТТ. - 1999. - Т. 41. - Вып. 6. - С. 1041-1043

35. Кожогулов, О.Ч. Акад. наук. КиргСССР, Ин-т физики / О.Ч. Кожогулов, В.П. Макаров, А.Ш. Шалпыков. - Фрунзе: Илим, 1984. - 161 с.

36. Urusovskaya, A.A. Influence of Impurities on the Mechanical Properties of CsI Crystals / A.A. Urusovskaya, N.L. Sizova, A. Rachkov, Y.A. Zakharin, V.M. Dobryak // Phys. Stat. Sol.. - 1977. - Vol. 443. - №41. - P. 124127.

37. Боярская, Ю.С. Закономерности деформирования легированных кристаллов NaCl при одноосном сжатии в интервале температур 4.2-293 K / Ю.С. Боярская, Р. П. Житару // ФТТ. - 1997. - Т. 39. - №° 2. - С. 1242-1248.

38. Крегер, Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер. - М.: Иностранная литература, 1969. - 656 с.

39. Новиков, И.И. Кристаллография и дефекты кристаллической решетки. Учебник для вузов / И.И. Новиков, К.М. Розин. - М.:Металлургия, 1990. - 336 с.

40. Булярский, С.В. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках / С.В. Булярский , В.И. Фистуль. - М.: Наука, 1997. - 352 с.

41. Вараксин, А.Н. Определение миграционного объема вакансии в ионных кристаллах из данных по электропроводности смешанных кристаллов / А.Н. Вараксин, Ю.Н. Колмогоров // ФТТ. - 1992. - Т. 34. - №1. -С. 168-171.

42. Маркидонов, А.В. Бездиффузионный механизм массопереноса в кристаллах, содержащих агрегаты вакансий и межузельных атомов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук / А.В. Маркидонов. - Барнаул,2009. - 22 с.

43. Hirota, S. Infrared transient absorption and electronic state of localized self-trapped exitonsin KCl:I / S. Hirota , K. Edmatsu, Y. Kondo, Т. Itoh //Phys.Rev.B.-1995. - Vol. 52. - №11. - P. 7779-7782.

44. Вильчинская, С.С. Взаимодействие первичных дефектов со структурными нарушениями в ионных кристаллах: дис. ... канд. физ.-мат.

наук / С.С. Вильчинская. - Томск, 2005. - 127 c.

339

45. Дмитриев, С.Г. Распределение подвижных ионов в тонких пленках диэлектрика вблизи границы диэлектрик-полупроводник / С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин // ФТП. - 2000. - Т.34. - Вып. 8. - С. 970-975.

46. Андо, Т. Электронные свойства двумерных систем / Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. - М.: Мир. - 1985. - 157с.

47. Троицкий, В.С. Компьютерное моделирование образования пор в диэлектрических кристаллах: дис. ... канд. физ.-мат. наук / В.С. Троицкий. -Барнаул, 2007. - 135 c.

48. Слезов, В.В. Эволюция микроструктуры в облучаемых материалах / В.В. Слезов, А.В. Субботин, О.А. Осмаев // ФТТ. - 2005. - Том 47. - Вып. 3. - С. 463-468.

49. Фридель, Ж. Дислокации / Ж. Фридель. - М.:Мир, 1967. - 643 с.

50. Хирт, Д. Теория дислокаций / Д. Хирт, И. Лоте. - М.: Наука, 1972. - 599 с.

51. Колесникова, А.Л. О релаксации напряжений в пентагональных нитевидных кристаллах / А.Л. Колесникова, А.Е. Романов. // Письма в ЖТФ. - 2007. - Т. 33. - Вып. 20. - С. 73-79.

52. Колесникова, А.Л. Процессы релаксации упругой энергии в гетероструктурах с напряженными нановключениями / А.Л. Колесникова, А.Е. Романов, В.В. Чалдышев. // ФТТ. - 2007. - Т. 49. - Вып. 4. - С. 633-640.

53. Колесникова, А.Л. Петлевые дислокации и дисклинации в методе виртуальных дефектов / А.Л. Колесникова, А.Е. Романов // ФТТ. - 2003. - Т. 45. - Вып. 9. - С. 1626-1636.

54. Косевич, А.М. Дислокации в теории упругости. /А.М. Косевич. -Киев: Наук. думка, 1978. - 220 с.

55. Whitworth, R. W. Charged dislocation in ionic crystals //Adv. Phys.-1975. - Vol. 24. - №2. - Р. 203-304.

56. Petrenko, V.F. Properties of II-VI semiconductors associated with moving dislocations / V.F. Petrenko, A.V.Zaretskii, R.W.Whitworth // Advances in Physics. - 1986. - Vol. 35. - No. 2. - P. 115-188.

57. Урусовская, А.А. Электрические эффекты, связанные с пластической деформацией ионных кристаллов / А.А. Урусовская // УФН. -1968. - Т. 96. - Вып. 1. - С. 39-60.

58. Галусташвили, В.М. Формирование заряда на дислокации в кристаллах фтористого лития: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук / В.М. Галусташвили. - Тбилиси, 1975. - 18 с.

59. Альшиц, В.И. О кинетике формирования заряда на дислокациях в процессе пластической деформациию / В.И. Альшиц, М.В. Галусташвили, И.М. Паперно // Кристаллография. - 1975. - Т.20. - №6. - С. 1113-1132.

60. Электронные свойства дислокаций в полупроводниках /под ред. академика Ю.А. Осипьяна. - М.: Эдиториал УРСС, 2000. - 320 с.

61. Урусовская, А.А. Деформация кристаллов NaCl в условиях совместного действия магнитного и электрического полей / А.А. Урусовская, В.И. Альшиц, Н.Н. Беккауер, А.Е. Смирнов // ФТТ. - 2000. - Т. 42. - Вып. 2. - С. 267-269.

62. Блекмор, Дж. Статистика электронов в полупроводниках / Дж. Блекмор; под ред. Л.Л. Коренблита. - М.: Мир, 1964. - 393 с.

63. Чаркина, О.В. Электромагнитное излучение подвижных дислокационных сегментов в ионном кристалле / О.В. Чаркина, К.А. Чишко // ФТТ. - 2001. - Т. 43. - Вып. 10. - С. 1821-1827.

64. Бугай, А.Н. О влиянии поперечных возмущений на движение краевой дислокации / А.Н. Бугай, С.В. Сазонов // ФТТ. - 2005. - Т. 47. - Вып. 4. - С. 622-627.

65. Альшиц, В.И. Динамическое торможение дислокаций / В.И. Альшиц, В.Л. Инденбом // УФН. - 1975. - Т. 115. - Вып. 3. - С. 39-52.

66. Каганов, М.И. Электронное торможение дислокаций в металлах / М.И. Каганов, В.Я. Кравченко, В.Д. Нацик // УФН. - 1973. - Т. 111. - Вып. 5. - С. 655-682.

67. Malashenko, V.V. Self-Consistent Description of the Effect of Point Defects on Spectrum and Dynamic Deceleration of Dislocations / V.V. Malashenko, V.L. Sobolev, B.I. Khudik // Phys. Status Solid B. - 1987. - Vol. 143. - № 2.- P. 425-431.

68. Malashenko, V. V. Dynamic Drag of Screw Dislocation by Point Defects / V.V. Malashenko // Fiz. Tverd. Tela. - 1990. - Vol. 32. - № 2.- P. 645647.

69. Малашенко, В.В. Особенности динамического поведения винтовой дислокации при возбуждении поперечных дислокационных колебаний / В.В. Малашенко // ФТТ. - 2007. - Т. 49. - Вып. 4. - С. 641-643.

70. Malashenko, V. V. The Interaction between an Ensemble of Point Defects and a Moving Screw Dislocation / V. V. Malashenko // Fiz. Tverd. Tela. -1997. - Vol. 39. - № 3.- P. 493-494.

71. Малашенко, В.В. Динамическое торможение краевых дислокаций точечными дефектами в гидростатически сжатом кристалле / В.В. Малашенко // ЖТФ. - 2006. - Т. 76. - Вып. 6. - С. 127-129.

72. Малашенко, В.В. Влияние фононной вязкости и дислокационного взаимодействия на скольжение пары краевых дислокаций в кристалле с точечными дефектами / В.В. Малашенко // ФТТ. - 2006. - Т. 48. - Вып. 3. -С. 433-435.

73. Малашенко, В.В. Возможный механизм динамического торможения дислокаций в металлах на стадии легкого скольжения / В.В. Малашенко // Кристаллография . - 2009. - Т. 54. - № 2. - С. 312-315.

74. Самородина, Т. В. Аналитические модели низкотемпературных

процессов торможения винтовых дислокаций точечными дефектами: дис. ...

канд. физ.-мат. наук / Т. В. Самородина. - Саратов, 2001. - 119 с.

342

75. Чишко, К.А. Излучение электромагнитных волн краевыми дислокациями, движущимися в ионных кристаллах / К.А. Чишко, О.В. Чаркина // ФТТ. - 1996. - Т. 38. - Вып. 9. - С. 2775-2786.

76. Косевич, А.М. Изучение электромагнитных и звуковых волн дислокаций, равномерно движущихся в ионном кристалле / А.М. Косевич, И.Г. Маргвелашвили // Известия АН СССР. Сер. физ.. - 1967. - Т. 31. - Вып. 5. - С. 848-850.

77. Альшиц, В.И. Влияние электрического поля на подвижность дислокаций в магнитном поле / В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Е.Ю. Михина, Е.А. Петржик // ФТТ. - 1996. - Т. 38. - Вып. 8. - С. 2426-2430.

78. Alshits, V.I. Magnetoplastic effect in non-magnetic crystals and internal friction / V.I. Alshits, E.V. Darinskaya, O.L. Kazakova, E.Yu. Mikhina, Е.А. Petrzhik // Journal of Alloys and Compounds. - 1994. - Vol. 548. - № 4.- P. 211-212.

79. Головин, Ю.И. Влияние магнитных и электрических полей на состояние точечных дефектов в монокристаллах NaCl / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, А.В. Тютюнник, С.Е. Жуликов, Н.М. Афонина // ФТТ. - 1998. - Т. 40. - Вып. 12. - С. 2184-2188.

80. Агеев, В.Н. Адсорбционно-десорбционные процессы на поверхности твердого тела / В.Н. Агеев, Э.Я. Зандберг // Вестник АН СССР. - 1985. - №12. - С.17-29.

81. Ханефт, А. В. Термодинамика и кинетика образования дефектов Френкеля и Шоттки в ионных кристаллах: учебное пособие / А. В. Ханефт. -Кемерово, 2008. - 124 с.

82. Темроков, А.И. О теплофизических характеристиках поверхностей кристаллических тел / Темроков А.И. // ТВТ.- 2000.- Т. 38. -№ 4. С. 573.

83. Гиббс, Д.В. Термодинамические работы / Д.В. Гиббс. - М.: Мир, 1953.- 360 с.

84. Карпенко, С.В. О роли поверхностной энергии в наноразмерных кристаллических объектах / С.В. Карпенко, А.И. Темроков // ЖТФ.- 2004. -Т. 74. - №11. - С. 115-117.

85. Альшиц, В.И. Влияние концентрации примеси Са на магнитный порог магнитопластического эффекта в кристаллах №С1 / В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, О.Л. Казакова // ФТТ. - 1998. - Т. 40. - Вып. 1. - С. 81-84.

86. Головин, Ю.И. Магнитопластичность твердых тел / Головин Ю.И. // ФТТ. - 2004. - Т. 46. - Вып. 5. - С. 769-803.

87. Моргунов, Р.Б. Спиновая микромеханика в физике пластичности / Р.Б. Моргунов // УФН. - 2004. - Т. 174. - Вып. 2. - С. 131-153.

88. Головин, Ю.И. Влияние постоянного магнитного поля на скорость пластического течения монокристаллов №С1:Са /Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов // ФТТ. - 1995. - Т. 37. - Вып. 7. - С. 2118-2121.

89. Альшиц, В.И. Исследование магнитопластического эффекта в монокристаллах цинка / В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, И.В. Гектина, Ф.Ф. Лаврентьев / // Кристаллография.- 1990.- Т. 35.- Вып. 4.- С. 1014-1016.

90. Молоцкий, М.И. Возможный механизм магнитопластического эффекта / М.И. Молоцкий / ФТТ. - 1991. - Т. 33. - Вып. 10. - С. 3112-3114.

91. Еханин, С.Г. Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов: автореферат дис. ... докт. ф.-м. наук / С.Г. Еханин. - Томск, 2002. - 34 с.

92. Еханин, С.Г. Температурные зависимости квантового выхода электролюминесценции и деградационные процессы в №С1 / С.Г. Еханин, Н.С. Несмелов, Е.В. Нефедцев // ФТТ. - 1990. - Т. 32. - Вып. 2. - С. 409-412.

93. Головин, Ю.И. Быстропротекающие электрические процессы и динамика дислокаций в пластически деформируемых щелочно-галоидных кристаллах / Ю.И. Головин , А. А. Шибков // ФТТ. - 1986. - Т. 28. - Вып. 11. - С. 3492-3499.

94. Головин, Ю.И.Динамика и электрическое поле дефектов при лазерном повреждении поверхности ионных кристаллов / Ю.И. Головин, А.В. Горбунов, А.А. Шибков // ФТТ. - 1988. - Т. 30. - Вып. 7. - С. 1931-1937.

95. Альшиц, В.И. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля /В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Т.М. Перекалина, А.А. Урусовская // ФТТ. - 1987. - Т. 29. - Вып. 2. - С. 467-471.

96. Загоруйко, Н.В. Действие постоянного электрического и импульсного магнитного полей / Н.В. Загоруйко // Кристаллография. - 1965. -Т. 10. - Вып. 1. - С. 81 - 86.

97. Alshits, V.I. Magnetoplastic effect: relaxation of dislocation structure in nonmagnetic crystals under magnetic field / V.I.Alshits, E.V.Darinskaya, O.L.Kazakova, E.Yu.Mikhina, E.A.Petrzhik // Izv. RAN (ser. fiz.). - 1993. -Vol.57. - №11. - Р. 2-11.

98. Головин, Ю.И. Влияние слабого магнитного поля на состояние структурных дефектов и пластичность ионных кристаллов / Ю.И Головин, Р.Б. Моргунов // ЖЭТФ.- 1999. - Т. 115. - № 2. - С.605-624.

99. Даринская, Е.В. Магнитопластический эффект в InSb / Е.В. Даринская, Е.А. Петржик, С.А. Ерофеева, В.П. Кисель// Письма в ЖЭТФ.-1999. - Т. 70. - № 4. - С.298-302.

100. Орлов, А.М. Поведение дислокаций в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений / А.М. Орлов, А.А. Скворцов, А.А. Соловьев // ЖЭТФ. -2003. - Т. 121. - № 3. - С.590-598.

101. Альшиц, В.И. Влияние рентгеновского облучения на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl / В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, О.Л. Казакова //Письма в ЖЭТФ.- 1995.- Т.62.- №4.- С.352-354.

102. Головин, Ю.И. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов // Письма в ЖЭТФ. - 1993. - Т. 58. - № 3. - С. 189-192.

103. Головин, Ю.И. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения ионных кристаллов / Ю.И. Головин, Р.Б.Моргунов // Письма в ЖЭТФ.- 1995.- Т. 61.-Вып. 7. - С. 583-586.

104. Головин, Ю.И. Механохимические реакции между дефектами кристаллической структуры и влияние магнитного поля на их кинетику / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов //Вестник Тамбовского университета. Сер. Естественные и технические науки.- 1996.- Т. 1. -№ 2.- С. 99-111.

105. Альшиц, В.И. "In situ" изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления / В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Е.А. Петржик // ФТТ. - 1991. - Т.33. - Вып. 10. - С. 3001-3010.

106. Альшиц, В.И. Деформация кристаллов LiF в постоянном магнитном поле / А.А. Урусовская , А.Е. Смирнов , Н.Н. Беккауер // ФТТ.-2000. - Т. 42. - № 2. - С.270-275.

107. Golovin, Yu.I. Influence ofa strong magnetic field pulse on NaCl crystal microhardness / Yu.I. Golovin, R.B. Morgunov, D.V. Lopatin, A.A. Baskakov // Phys. Stat. Sol. (a), - 1997. - Vol. 160. - № 2.- P. 189-192.

108. Golovin, Yu.I. Influence ofa strong magnetic field pulse on NaCl crystal microhardness / Yu.I. Golovin, R.B. Morgunov, D.V. Lopatin, A.A. Baskakov // Phys. Stat. Sol. (a), - 1997. - Vol. 160. - № 2.- P. 189-192.

109. Песчанская, Н.Н. О влиянии постоянного магнитного поля на кинетику деформации полимеров / Н.Н. Песчанская, В.Ю. Суровова, П.Н. Якушев // ФТТ. - 1992. - Т.34. - Вып.7. - С. 2111-2117.

110. Головин, Ю. И. Влияние магнитного поля на пластичность, фото-и электролюминесценцию монокристаллов ZnS / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, А. А. Баскаков, М. В. Бадылевич, С. З. Шмурак // Письма в ЖЭТФ.- 1999.- № 2.- С. 114-118.

111. Головин, Ю.И. Влияние импульса сильного магнитного поля па механические свойства полиметилметакрилата / Ю.И. Головин, Р.Б.

Моргунов, С.Ю. Ликсутин // Высокомолекулярные соединения.- 1998. - Т. 40. - № 2.- С. 373 - 375.

112. Песчанская, Н.Н. Ползучесть полимеров в постоянном магнитном поле / Н.Н. Песчанская , П.Н. Якушев // ФТТ. - 1997. - Т.39. - Вып.9. - С. 1690-1693.

113. Головин, Ю.И. Спиновая микромеханика в физике пластичности /Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов // ЖЭТФ. - 1999. - Т.115. - Вып.2. - С. 605624.

114. Смирнов, Б.И. Магнитопластический эффект в сегнетоэлектрических кристаллах №N0 / Б.И. Смирнов, Н.Н. Песчанская, В.И. Николаев // ФТТ. - 2001. - Т.43. - Вып.12. - С. 2154-2156.

115. Даринская, Е.В. Магнитопластический эффект в 1пБЬ / Е.В. Даринская, Е.А. Петржик, С.А. Ерофеева, В.П. Кисель // Письма в ЖЭТФ. -1999. - Т.70. - Вып.4. - С. 298-302.

116. Осипьян, Ю.А. Инверсия знака магнитопластического эффекта в монокристаллах С60 при фазовом переходе бс-Тсс / Ю.А. Осипьян, Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, Р.К. Николаев, И.А. Пушнин, С.З. Шмурак // ФТТ. -2001. - Т.43. - Вып.7. - С. 1333-1335.

117. Осипьян, Ю.А. Влияние импульсного магнитного поля на микротвердость монокристаллов С60 / Ю.А.Осипьян, Ю.И. Головин, Д.В.Лопатин, Р.Б. Моргунов, Р.К.Николаев, С.З.Шмурак // Письма в ЖЭТФ. - 1999. - Т.69. - Вып.7. - С. 110-115.

118. Альшиц, В.И. Магнитопластический эффект в кристаллах №С1, ЫБ и А1 в переменном магнитном поле / В.И. Альшиц, Р. Воска, Е.В. Даринская, Е.А. Петржик // ФТТ. - 1993. - Т. 35. - №1. - С. 70-72.

119. Дацко, О.И. Внутреннее трение в магнитообработанном материале / О.И. Дацко, В.И. Алексеенко // ФТТ. - 1997. - Т. 39. - №7. - С. 1234-1236.

120. Альшиц, В.И. Магнитопластический эффект и спин-решеточная релаксация в системе дислокация - парамагнитный примесный центр / В.И. Альшиц , Е.В. Даринская , О.Л. Казакова , Е.Ю. Михина , Е.А. Петржик // Письма в ЖЭТФ. - 1996. - Т. 63. - №8. - С. 628-633.

121. Альшиц, В.И. Магнитопластический эффект в кристаллах LiF и продольная релаксация спинов / В.И. Альшиц, Е.В. Даринская // Письма в ЖЭТФ. - 1999. - Т. 70. - №11. - С. 749-753.

122. Моргунов, Р. Б. Магниточувствительные промежуточные состояния комплексов точечных дефектов, возникающие после закаливания монокристаллов NaCl:Eu /Р. Б. Моргунов, А. А. Баскаков // ФТТ. - 2001. - Т. 43. - №9. - С. 1632-1634.

123. Головин, Ю.И. Электронный парамагнитный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов, С.Е. Жуликов, A.A. Дмитриевский // Письма в ЖЭТФ.- 1998. - Т. 68. - №5. - С. 400-405.

124. Моргунов, Р.Б. Спиновая микромеханика в физике пластичности / Р.Б. Моргунов, С.З. Шмурак, А.А. Баскаков, Б.К. Пономарев, В.И. Кулаков, Л.Р. Дунин-Барковский // Сборник материалов XIV Петербургских чтений по проблемам прочности. - Санкт-Петербург, 2003. - Ч. 1. - С. 130-131.

125. Даринская, Е.В. О влиянии концентрации точечных дефектов в кристаллах NaCl и LiF на поле насыщения магнитопластического эффекта / Е.В. Даринская, Е. Хартманн // ФТТ.- 2003. - Т. 45. - №11. - С. 2013-2016.

126. Головин, Ю.И. Оптическое гашение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, М.В. Бадылевич, С.З. Шмурак // ФТТ.- 1997. - Т. 39. - №8. - С. 1389-1391.

127. Поливанов, К.М. Теория электромагнитного поля К.М. Поливанов. - М.: Энергия, 1969. - 348 с.

128. Богородицкий, Н.П. Электротехнические материалы: учебник для вузов / Н.П. Богородицкий, В.В. Пасынков, Б.М. Тареев. - Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1985. - 304 с.

129. Морозов, А.И. Физика твердого тела. Полупроводники, диэлектрики, магнетики: учебное пособие / А.И. Морозов. - М.: Московский гос. институт радиотехники, электроники и автоматики, 2002. - 88 с.

130. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики: Основные свойства и применение в электронике / И.С. Рез, Ю.М. Поплавко. - М.: Радио и связь, 1989. - 288 с.

131. Павлов, П.В. Физика твердого тела П.В. Павлов, А.Ф. Хохлов. -М.: Высшая школа, 2000. - 494 с.

132. Гороховатский, Ю.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков / Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. - М.: Наука: Главная редакция физ.-мат. литер., 1991. - 248 с.

133. Пронин, И.П. Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца / И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, Е.А. Тараканов, Т.А. Шаплыгина, В.П. Афанасьев, А.В. Панкрашкин // ФТТ. - 2002. - Т. 44. - Вып. 4. - С. 739-744.

134. Губкин, А.Н. Электреты / А.Н. Губкин. - М.: Наука, 1978. - 192 с.

135. Сальников, А.Н. Заряженные дислокации и точечные дефекты в кристаллах (аналитические модели взаимодействия) / А.Н. Сальников, С.Г. Гестрин. - Саратов: Саратовский гос. тех. университет, 2002. - 222 с.

136. Гестрин, С.Г. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена в ионных кристаллах / С.Г. Гестрин, А.Н. Сальников, Е.В. Струлева // Изв. вузов. Физика. - 1996. - № 1. - С. 80-82.

137. Фадеев, Ю.А. Электрические и оптические свойства кристалла / Ю.А. Фадеев, В.В. Демьянов. - Кемерово: ГУ КузГТУ, 2003. - 108 с.

138. Несмелов, Н.С. Электронные и ионные процессы в щелочно-галоидных кристаллах в сверхсильных электрических полях: дис. ... д-ра физ.-мат. наук / Н.С. Несмелов. - Рига, Саласпилс: ИФТТ АН Латв. ССР, 1980. - 250 с.

139. Еханин, С.Г. Влияние сильного электрического поля на край фундаментального оптического поглощения монокристаллов №С1 / С.Г. Еханин и др. // Изв. вузов. Физика. - 1990. - №3. - С.105.

140. Воробьев, Г.А. Электрический пробой твердых диэлектриков: монография/ Г.А. Воробьев, С.Г. Еханин, Н.С. Несмелов; под ред. Г.А. Воробьева.- Томск: гос. ун-т систем упр. и радиоэлектроники, 2007.- 142 с.

141. Якубович, Б.И. Электрические флуктуации в средах с проводящими каналами / Б.И. Якубович. - Гатчина: ПИЯФ, 2006. - 13 с.

142. Якубович, Б.И. Электрические флуктуации и дефекты структуры в неметаллах / Б.И. Якубович. - Гатчина: ПИЯФ, 2008. - 12 с.

143. Якубович, Б.И. Нелинейные электрические флуктуации в неметаллах / Б.И. Якубович. - Гатчина: ПИЯФ, 2004. - 14 с.

144. Физика. Большой энциклопедический словарь. - М.: Большая Российская энциклопедия, 1999. - С. 90, 460.

145. Бреховских, Л.М. Введение в механику сплошных сред / Л.М. Бреховских, В.В. Гончаров. - М.: Наука, 1982. - 337 с.

146. Резниченко, Л.А. Огромная пьезоэлектрическая анизотропия ниобата натрия с композитоподобной структурой / Л.А. Резниченко, Л.А. Шилкина, А.В. Турик, С.И. Дудкина // ЖТФ. - 2002. - Т. 72. - Вып. 2. - С. 65-67.

147. Гриднев, С.А. Электрические кристаллы / С.А. Гриднев // Соросовский Образовательный журнал. - 1996. - № 7. - С.99-104.

148. Струков, Б.А. Сегнетоэлектричество / Б.А. Струков. - М.: Наука, 1979. - 94 с.

149. Сорокин, В.С. Материалы и элементы электронной техники / В.С. Сорокин, Б.Л. Антипов, Н.П. Лазарева.- М.: Академия, 2007. - 174 с.

150. Смирнова, Е.П. Пироэлектрический эффект в твердых растворах на основе магниобата свинца / Е.П. Смирнова, С.Е. Александров, К.А. Сотников, А.А. Капралов, А.В. Сотников // ФТТ. - 2003. - Т. 45. - Вып. 7. -С. 1245-1249.

151. Дрождин, С.Н. Физические основы пироэлектричества / Дрождин С.Н. // Соросовский Образовательный Журнал. - 1998. - № 12. - С. 94-100.

152. Данцигер, А.Я. Влияние объемного заряда и размеров кристаллитов на формирование сегнетопьезокерамических материалов / А.Я. Данцигер, В.З. Бородин, Л.А. Резниченко и др. // ЖТФ. - 2000. - Т. 70. - Вып. 5. - С. 40-42.

153. Резниченко Л.А., Кузнецова Е.М., Разумовская О.Н., Шилкина Л.А. Кристаллохимическое моделирование сегнетоэлектрических материалов с низкой диэлектрической проницаемостью / Л.А. Резниченко, Е.М. Кузнецова, О.Н. Разумовская, Л.А. Шилкина // ЖТФ. - 2001. Т. 71.- Вып. 5. -С. 53-56.

154. Смоленский, Г.А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г.А. Смоленский, И.Н. Крайник. - М.: Наука, 1968. - 183 с.

155. Струков, Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах / Б.А. Струков, А.П. Леванюк. - М.: Наука, 1995. - 301 с.

156. Барфут, Дж. Полярные диэлектрики и их применения / пер. с англ. под ред. Л.А. Шувалова / Дж. Барфут, Дж. Тейлор. - М.: Мир, 1981. -526 с.

157. Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / пер. с англ. под ред. В.В.Леманова и Г.А. Смоленского // М. Лайнс, А. Гласс. - М.: Мир, 1981. - 736 с.

158. Гриднев, С.А. Диэлектрики с метастабильной электрической поляризацией / С.А. Гриднев // Соросовский образовательный журнал. -1997. - №5. - С. 105-111.

159. Губкин, А.Н. Исследование релаксационных процессов в монокристаллическом фтористом литии / А.Н. Губкин, О.Н. Попов // Физика полупроводников и микроэлектроники. - Рязань: Межвузовский сборник научных трудов. - 1979. - Вып. 6. - С. 3-6.

160. Попов, О.Н. Электретный эффект в диэлектрических материалах электронной техники: автореферат дис. ... докт. тех. наук / О.Н. Попов. - М., 1996. - 38 с.

161. Гах, С.Г. Объемный заряд и токи термодеполяризации в тонких пленках цирконата-титаната свинца / С.Г. Гах, Е.Д. Рогач, Е.В. Свиридов // ЖТФ. - 2001. - Т. 71. - Вып. 1. - С. 49-52.

162. Попов, О.Н. Релаксационные процессы, возникающие в диэлектрических материалах при их обработке постоянным электрическим полем / О.Н. Попов // Физика и химия обработки поверхностей. - 1996. - №5. - С. 94-100.

163. Спицын, В.И. Электропластическая деформация металлов / В.И. Спицын, О.А. Троицкий. - М.: Наука, 1985. - 160 с.

164. Швидковский, Е.Г. Влияние электрического поля на поведение заряженных дислокаций / Е.Г. Швидковский, Н.А. Тяпунина, Э.П. Белозерова // Кристаллография. - 1962. - Т. 7. - С. 471-472.

165. Орлов, А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах / Орлов А.Н. - М.: Высш. шк., 1983. - 144 с.

166. Зуев, Л.Б. Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов / Л.Б. Зуев. - Новосибирск: Наука, 1990. - 120 с.

167. Куличенко, А.Н. Движение дислокаций в кристаллах ЫБ под действием электрического поля / А.Н. Куличенко, Б.И. Смирнов // ФТТ. -1983. - Т. 28. - Вып. 9. - С. 2796-2801.

168. Гегузин, Я.Е. Очерки о диффузии в кристаллах / Я.Е. Гегузин. -М.: Наука, 1970. - 180 с.

169. Физический энциклопедический словарь. / гл. ред. А.М. Прохоров. ред. кол. Д.М. Алексеев, А.М. Бонч-Бруевич, А.С. Боровик-Романов и др. - М.: Сов. энциклопедия, 1984. - 944 с., ил., 2 л. цв. ил.

170. Панков, Ж. Оптические процессы в полупроводниках. / пер. с англ. под ред. Ж.И. Алферова и В.С.Вавилова / Ж.М. Панков: Мир, 1973. -458 с.

171. Гуро, Г.М. Об управлении ростом кристаллов с помощью электромагнитного излучения / Г.М. Гуро, Г.А. Калюжная, Т.С. Мамедов, Л.А. Шелепин // ЖЭТФ. - 1979. - Т. 77. - С. 2366-2373.

172. Стехиометрия в кристаллических соединениях и ее влияние на их физические свойства: сб. статей / Ю. М. Попов, Н. Г. Басов. - М.: Наука, 1987. - 224 с.

173. Чернов, А.А. Образование кристаллов. - гл в кн.: Современная кристаллография / А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров и др.. М.: Наука, 1978. - Т. 3. -407 с.

174. Бару, В.Г. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников / В.Г. Бару, Ф.Ф. Волькенштейн. - М.: Наука, 1978. - 288 с.

175. Киселев, В.Ф. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках / В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. - М.: Наука, 1979. - 234 с.

176. Гуро, Г.М. Влияние излучения на кинетику процесса роста кристаллов / Г.М. Гуро, Г.А. Калюжная, Т.С. Мамедов, Л.А. Шелепин. - Тр. ФИАН, 1980. Т. 124. - С. 127-140.

177. Горина, Ю.И. Исследование лазерных эпитаксиальных структур типа PbTe(Bi)-PbSnTe-PbTe / Ю.И. Горина, Г.А. Калюжная, К.В. Киселева и др. // ФТП. - 1979. - Т. 13. - С.305-310.

178. Frank, W. Diffusion in Silicon and Germanium / W. Frank, U. Gosele, I. Mehrer, A. Seeger; ed. by G.E. Murch, A.S. Nowick// Diffusion in crystalline solids. - 1984. - P.63 - 142.

179. Малкович, Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р.Ш. Малкович. - СПб.: Наука, 1999. - 390 с.

180. Болтакс, Б.И. Диффузия в полупроводниках / Б.И. Болтакс. - М.: Физмат-гиз, 1961. - 462 с.

181. Козловский, В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов/ В.В. Козловский. - СПб.: Наука, 2003. - 268 с.

182. Атомная диффузия в полупроводниках / под ред. Д. Шоу: Пер. с англ. под ред. Г.Ф. Воронина, В.П. Зломанова. - М.: Мир, 1975. - 688 с.

183. Angelucci, R. Transient enhanced diusion of dopants in silicon induced by implantation damage / R. Angelucci, P. Negrini, S. Solmi // Appl. Phys. Lett. - 1986. - Vol. 49- № 21.- P. 1468-1470.

184. Fahey, P. Supersaturation of Self-Interstitials and Undersaturation of Vacancies During Phosphorus Diffusion in Silicon / P. Fahey, R.W. Dutton, S.M. Hu // Appl. Phys. Lett. - 1984. - Vol. 44.- № 2.- P. 777-787.

185. Астров, Ю.А. Перераспределение глубоких примесей селена и серы в кремнии при легировании поверхности фосфором / Ю.А. Астров, В.А. Козлов, А.Н. Лодыгин, Л.М. Порцель, В.Б. Шуман, E.L. Gurevich, R. Hergenroder // ФТП. - 2009. - Т. 43. - Вып. 6. - С. 739-744.

186. Криворучко, А.А. Моделирование диффузии примесей в полупроводниках при неравновесных условиях: дис. ... канд. физ.-мат. наук / А.А. Криворучко. - СПб., 2006. - 115 с.

187. Newman, D.J. Theory of lanthanide crystal fields /D.J. Newman //Adv. Phys. - 1971. - Vol. 20. - № 84. - P. 197-256.

188. Malkin, B.Z. Spectroscopy of Solids Containing Rareearth Ions / B.Z. Malkin. - Amsterdam: Science, 1987. - 158 pp.

189. Барбашов, В.И. Механо-электрический эффект в твердых электролитах / В.И. Барбашов, Ю.А. Комыса // ФТТ. - 2005. - Т. 47. - Вып. 2. - С. 229-232.

190. Косевич, А.М. Дислокации и пластическая деформация / А.М. Косевич // УФН. - 1974. - Т. 114. - Вып. 3. - С. 507-512.

191. Fahey, P.M. Point defects and dopant diffusion in silicon / P.M. Fahey, P.B.Griffin, J.D. Plummer// Rev. Modern Phys. -1989. - V. 61. - №2. - P. 289 - 384.

192. Кумахов, М.А. Пространственное перераспределение потока заряженных частиц в кристаллической решетке / Кумахов М.А. // УФН. -1975. - Т. 115. - Вып. 3. - С. 427-464.

193. Брюквина, Л.И. Металлические пленки на поверхности ЩГК, образованные в процессе термодиффузии внутрикристаллической примеси / Л.И. Брюквина, Е.А. Ермолаева, С.Н. Пидгурский, Л.Ф. Суворова, В.М. Хулугуров // ФТТ. - 2006. - Т. 48. - Вып. 1. - С. 245-247.

194. Белушкин, А.В. Новые подходы к анализу структуры кристаллов. Нестандартный метод в изучении механизмов диффузии атомов и молекул / А.В. Белушкин // УФН. - 2003. - Т. 173. - Вып. 1. - С. 1258-1262.

195. Roccaforte, F. Improvement of high temperature stability of nickel contacts on n-type 6H-SiC / F. Roccaforte, F. La Via, V. Rained, L. Calcagno, P. Musumeci // Applied Surface Science. - 2001. - Vol. 184. - № 1. - P. 295-298.

196. Kurimoto, E. Raman study on the Ni/SiC interface reaction / E. Kurimoto, H. Harima, T. Toda, M. Sawada, M. Iwami, S. Nakashima / J. of Applied Physics. - 2002. - Vol. 91. - № 12. - P. 10215-10217.

197. Nikitina, I.P. Formation and role of graphite and nickel silicide in nickel based ohmic contacts to n -type silicon carbide / I.P. Nikitina, K.V. Vassilevski, N.G. Wright, A.B. Horsfall, A.G. O'Neill, C.M. Johnson // J. of Applied Physics. - 2005. - Vol. 97. - № 8. - P. 11012-11018.

198. Kakanakova-Georgieva, A. Characterization of ohmic and Schottky contacts on SiC / A. Kakanakova-Georgieva, O. Noblanc, C. Arnodo, S. Cassette, C. Brylinski, T. Marinova // Thin Solid Films. - 1999. - Vol. 343-344. - P. 637641.

199. Tajima, Y. Diffusion of ion implanted aluminum silicon carbide / Y.Tajima, K. Kijima, W.D.Kingery // J.Chem.Phys. - 1982. - Vol. 77. - № 5. - P. 2592-2598.

200. Addamiano, A. Ion implantation effects of nitrogen, boron and aluminum in hexagonal silicon carbide / A. Addamiano, G. W. Anderson, J. Comas, H.L. Hughes, W. J. Lucke // J. Electrochem. Soc.. - 1972. - Vol. 119.- P. 1355-1362.

201. Troffer, T. Doping of SiC by Implantation of Boron and Aluminum / T. Troffer, M. Schadt, T. Frank, H. Itoh, G. Pensl, J. Heindl, H. P. Strunk, M. Maier // Phys. stat. sol. (a). - 1997. - Vol. 162.- №1.- P. 277-298.

202. Степанов, А.Л. Зависимость распределения имплантированных ионов серебра по глубине от температуры облучаемого стекла / А.Л. Степанов // Письма в ЖЭТФ. - 2001. - Т. 27. - Вып. 20. - С.39-45.

203. Бондаренко, В.Б. Естественные неоднородности потенциала на поверхности полупроводника при равновесном распределении примеси / В.Б. Бондаренко, С.Н. Давыдов, А.В. Филимонов // ФТП, - 2010. - Т. 44. - Вып. 1 - С. 44-47.

204. Гавриловец, В.В. Равновесное распределение мелкой примеси и потенциала в приповерхностной области полупроводника в модели полностью обедненного слоя / В.В. Гавриловец, В.Б. Бондаренко, Ю.А. Кудинов, В.В. Кораблев // ФТП. - 2000. - Т.34. - Вып. 4. - С. 455-458.

205. Дмитриев, С.Г. Сегрегация подвижных ионов на границах раздела диэлектрик—полупроводник в МДП структурах / С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин // ФТП. - 2002. - Т.36.- Вып. 2. - С. 205-210.

206. Волькенштейн, Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции / Ф.Ф. Волькенштейн. - М.: Наука, 1987. - 267 с.

207. Дмитриев, С.Г. Макроскопические ионные ловушки на границе раздела кремний-окисел / С.Г. Дмитриев, В.Ю. Маркин // ФТП. -1998. - Т. 32. - Вып. 12. - С. 1439-1444.

208. Александров, О.В. Перераспределение Al в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига / О.В. Александров, Е.В. Калинина //ФТП. -2009. - Т. 43. - Вып. 5. - С. 584-589.

209. Борисова, М.Э. Физика диэлектриков / М.Э. Борисова, С.Н. Койков. - Л.: Изд-во ЛГУ, 1979.- 240 с.

210. Сиротин, Ю.И. Основы кристаллофизики /Ю.И. Сиротин, М.П. Шаскольская. - М.: Наука, 1975.- 680 с.

211. Lide, D.R. Handbook of Chemistry and Physics / Lide D.R. // 72nd ed. CRC Press.- 1991.- Vol. 92. -№ 19.- P. 5-96.

212. Сканави, Г.И. Физика диэлектриков (область слабых полей) / Г.И. Сканави.- М.: Техтеориздат, 1949.- 500 с.

213. Иванов-Шиц, А.К. Материалы ионики твердого тела / А.К. Иванов-Шиц , Л.Н. Демьянец // Природа. - 2003. - №12. - С.35-43.

214. Кадргулов, Р.Ф. Особенности ионного переноса в твердом электролите с двумя сортами подвижных катионов /Р.Ф. Кадргулов, Р.А. Якшибаев // Вестник Башкирского университета. - 2001. - № 3. - С. 13-14.

215. Ковтуненко, П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами / П.В. Ковтуненко. - М.: Высшая школа, 1993. - 352 с.

216. Маделунг, О. Физика твердого тела. Локализованные состояния: пер. с нем. и англ. / О. Маделунг; под ред. В.М. Аграновича. - М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1985. - 184 с.

217. Альмухаметов, Р.Ф. Структурные и кристаллохимические аспекты быстрого ионного переноса в твердых электролитах : дис. ... докт. ф-м наук/ Р.Ф. Альмухаметов.-Уфа, 2006.- 214 с.

218. Третьяков, Ю.Д. Твердофазные реакции / Ю.Д. Третьяков.- М. Химия, 1978. - 360 с.

219. Almand, D.P. The activation entropy for transport in ionic conductors / D.P. Almand, A. R. Vest // Ibid. -1987.- Vol 23.- № 1.- P.27-35.

220. Hong, H. Y-P. Crystal structures and crystal chemistry in the system Na1+xZr2SixP3-xO12 / H. Y-P. Hong //Materials Research Bulletin.- 1976. -Vol. 11. - P. 173-182.

221. Hong, H. Y-P. Crystal structures and ionic conductivity of Li14Zn(GeO4)4 and other new Li+-superionic conductors / H. Y-P. Hong // Materials Research Bulletin..- 1978. -Vol. 13. - P. 117-124.

222. Костюков, Н.С. Радиационная электропроводность / Н.С. Костюков, М.И. Мумин, С.М. Атраш, М.А. Мухаляд, Н.В. Васильев. - М.: Наука, 2001. - 171 c.

223. Лидьярд, А. Ионная проводимость кристаллов / А. Лидьярд - М.: Иностранная литература, 1962. - 222 с.

224. Бюрен, Ван Дефекты в кристаллах / Ван Бюрен. - М.: Иностранная литература, 1962. - 584 с.

225. Куликов, В.Д. Ток проводимости в структуре металл-диэлектрик-металл / В.Д. Куликов // ЖТФ. - 2004. - Т. 74. - Вып. 10. - С. 122-127.

226. Цидильковский, В.И. Ионная термоэдс в твердых электролитах / В.И. Цидильковский, В.А. Мезрин // ФТТ. - 1986. - Т. 28. - С. 2155-2160.

227. Луфт, Б.Д. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Б. Д. Луфт. - М.: Радио и связь, 1982. - 136 с.

228. Баранов, А.В. Исследование токов автоэлектронной эмиссии и ударной ионизации в щелочно-галоидных кристаллах / А.В. Баранов, Г.А. Воробьев // Радиотехника и электроника. - 1965. - № 11. - С. 2072-2074.

229. Иванов-Шиц, А.К. Ионика твердого тела: в 2т. Т.1. / А.К. Иванов-Шиц, И.В. Мурик. - Спб.: изд-во Спб-го ун-та, 2000. - 616 с.

230. Иванов-Шиц, А.К. Исследование ионной и электронной проводимости монокристаллов твердого электролита RbAg4I5 : дис. ... канд. хим. наук / А.К. Иванов-Шиц. - Свердловск, 1978. -128 с.

231. Reid, W.B. The growth and characterisation of aperiodic copper thin films on the five-fold and two-fold surfaces of the icosahedral AlPdMn quasicrystal / W.B. Reid, E.E. Lachowsky, A.R. West // Phys. Chem. Glasses. -1990. - Vol. 31. - № 3. - P. 103.

232. Owen, J.R. Thin film lithium-alummiimi negative plate material / J.R. Owen, W.S. Maskell, В.С.Н. Steele // J. Solid State Ionics. - 1984. - Vol. 13. - P. 329-334.

233. Перфильев, М.В. Высокотемпературный электролиз газов / М.В. Перфильев, А.К. Демин, Б.Л. Кузин, А.С. Липилин. - М.: Наука, 1988. - 265 с.

234. Сканави, Г.И. Физика диэлектриков (область сильных полей) / Сканави Г.И. - М.: ГИФМЛ, 1958. - 908 с.

235. Райзер, Ю.П. Физика газового разряда: учебное руководство / Ю.П. Райзер. - М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1987. - 592 с.

236. Коробейников, С.М. Диэлектрические материалы: учеб. пособие / С.М. Коробейников. - Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. - 67 с.

237. Гурский, А.Л. Кристаллографическая ориентация путей электрического пробоя в диэлектриках и полупроводниках / А.Л. Гурский, Е.В. Луценко, Г.П. Яблонский // Препринт. - № 607. - Минск, 1990.

238. Волькенштейн, Ф.Ф. Электропроводность полупроводников / Ф.Ф. Волькенштейн. - М.; Л.: ГИТТЛ, 1947. - 325 с.

239. Тареев, Б.М. Физика диэлектрических материалов / Б.М.Тареев. -М.: Энергия, 1982. - 320 с.

240. Франц, В. Пробой диэлектриков / В.Франц. - М.: Иностранная литература, 1961. - 208 с.

241. Вершинин, Ю.Н. Термодинамические уравнения пробоя диэлектриков / Ю.Н. Вершинин // ДАН СССР. - 1984. - Т. 279. - № 4. - С. -880-882.

242. Воробьев А.А., Воробьев Г.А. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. - 1958. - Т. 22. - №4 - С. 392-396.

243. Куликов, В.Д. Исследование механизма электрического пробоя ионных кристаллов в наносекундном диапазоне / В.Д. Куликов // ЖТФ. -2003. - Т. 73. - Вып. 12. - С. 26-30.

244. Рожков, В.М. Длительность стадии формирования разрядного канала при электрическом пробое твердых диэлектриков / В.М. Рожков // ЖТФ. - 2003. - Т. 73. - Вып. 1. - С. 51-54.

245. Воробьев, А.А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков / А.А. Воробьев, Г.А. Воробьев. - М.: Высшая школа, 1966 -224 с.

246. Носков, М.Д. Моделирование развития разряда в объемно-заряженном диэлектрике / М.Д. Носков, А.С. Малиновский, Ч.М. Кук, К.А. Урайт, А.Й. Шваб // ЖТФ. - 2002. - Т. 72. - Вып. 4. - С. 107-112.

247. Солдатова, Л.Ю. Токи и дефектообразование в ЩГК в сильных и сверхсильных электрических полях: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук Л.Ю. Солдатова. - Томск, 1998. - 19 с.

248. Еханин, С.Г. Исследование вольт-амперных характеристик микронных слоев каменной соли в сверхсильных электрических полях / С.Г.

Еханин, Н.С. Несмелов, Л.Ю. Потахова // Изв. вузов. Сер. Физика. - 1989. -№ 7. - С. 115-117.

249. Von Hippel, A. // Ztschr. Fur Physik. - 1931. - Bd.67. - №11/12. - S. 707-724.

250. Воробьев, А.А. Анизотропия электрической прочности каменной соли / А.А. Воробьев, Г. А. Воробьев, Л.Т. Мурашко // ФТТ. - 1962. - Т. 4. -№ 7. - С. 1967-1968.

251. Иоффе, А.Ф. Избранные труды. Т.1. Механические свойства кристаллов / А.Ф. Иоффе. - Л.: Наука, 1974. - 326 с.

252. Бахарев, М.С. Структура и прочность материалов при лазерных воздействиях / М.С. Бахарев, Л.И. Миркин, С.А. Шестериков, М.А. Юмашев. - М.: Издательство МГУ, 1988. - 224 с.

253. Бернштейн, М.Л. Структура и механические свойства металлов / М.Л. Бернштейн, В.А. Займовский. - М.: Металлургия, 1970. - 472 с.

254. Косевич, А.М. Основы механики кристаллической решетки / А.М. Косевич. - М.: Наука, 1972. - 280 с.

255. Эшелби, Дж. Континуальная теория дислокаций / Дж. Эшелби. -М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1963. - 248 с.

256. Миркин, Л.И. Физические основы прочности и пластичности / Л.И. Миркин. Изд-во Московского университета, 1968. - 538 с.

257. Коттрелл, Р. Энергия и атомная конфигурация полной и расщепленной дислокаций. I. Краевая дислокация в ГЦК металле / Р. Коттрелл, М. Дояма // Актуальные вопросы теории дислокаций. - М.: Мир, 1968. - С. 135-168.

258. Чанг Р., Грэхем Л. Структура ядра краевой дислокации и барьер Пайерлса в ОЦК решетке железа / Р. Чанг, Л. Грэхем // Актуальные вопросы теории дислокаций. - М.: Мир, 1968. - С. 169-175.

259. Fleischer, R.L. Rapid solution hardening dislocations mobility and the flow - stress of crystals / R.L. Fleischer // J. Appl. Phys. - 1962. - Vol. 33. - P. 3504-3515.

260. Владимиров, В.И. Физическая природа разрушения металлов / В.И. Владимиров.- М.: Металлургия, 1984. - 275 с.

261. Новиков И.И. Дефекты кристаллического строения металлов. -М.: Металлургия, 1975. - 208 с.

262. Eshelby, J.D. Charged dislocations and the strength of ionic crystals / J.D. Eshelby, C.W.A. Nevey, P.L. Pratt, A.B. Lidiard // Philos. mag. - 1958. -Vol. 3. - P. 75-84.

263. Brown, L.M. Mobile charged dislocations in ionic crystals / L.M. Brown // Phys. Stat. Sol. - 1961. - Vol. 1. - P. 585-599.

264. Политов, Н.Г. Формирование облака Дебая-Хюккеля вокруг свежих дислокаций в кристаллах LiF / Н.Г. Политов, М.В. Галусташвили, И.М. Паперно // Кристаллография. - 1973. - Т. 18. - № 1. - С. 200-202.

265. Ермаков, Г.А. Фотоподвижность дислокаций в облученных кристаллах хлористого калия / Г.А. Ермаков, Э.М. Надгорный // ДАН. - 1968. - Т. 181. - № 1. - С. 76-78.

266. Малашенко, В.В. Ориентационный эффект динамического взаимодействия круговых дислокационных петель с движущейся краевой дислокацией / В.В. Малашенко // ФТТ. - 2008. - Т. 50. - Вып. 10. - С. 17881792.

267. Сарафанов, Г.Ф. Корреляционные эффекты в ансамбле краевых дислокаций / Г.Ф. Сарафанов // ФТТ. - 2008. - Т. 50. - Вып. 10. - С. 17931799.

268. Фридман, Я.Б. Механические свойства металлов. Ч.1. Деформация и разрушение / Я.Б. Фридман. - М.: Машиностроение, 1974. -472 с.

269. Мэнджойн, М. Сложное напряженное состояние и разрушение / М. Мэнджойн // Разрушение. - Т. 3. - М.: Мир, 1976. - С. 303-357.

270. Griffith, A.A. The Phenomenon of Rupture and flow in solids / A.A Griffith // Phil. Trans. Roy. Soc. London. Ser. A. - 1921. - Vol. 221. - P. 163-198.

271. Дроздовский, Б.А. Влияние трещин на механические свойства конструкционных сталей / Б.А. Дроздовский, Я.Б. Фридман. - М.: Металлургиздат, 1960. - 260 с.

272. Владимиров, В.И. Физическая теория пластичности и прочности / В.И. Владимиров. Ч. II. - Л.: Издательство ЛПИ, 1975. - 152 с.

273. Степанов, А.В. О причинах преждевременного разрыва / А.В. Степанов // Изв. АН СССР. ОМЕН. - 1937. - № 6. - С. 797-813.

274. Степанов, А.В. Основы практической прочности кристаллов / А.В. Степанов. - М.: Наука, 1974. - 341 с.

275. Финкель, В.М. Физика разрушения / В.М. Финкель. - М.: Металлургия, 1970. - 376 с.

276. Zener, C. Fracturing of Metals / C. Zener // Amer. Soc. Metals. -1948. - № 40. - P. 3 -31.

277. Stroh, A.N. The formation of cracks as a result of plastic flow / A.N. Stroh / Proc. Roy. Soc. - 1954. - Vol. A223. - № 1154. - P. 404-414.

278. Stroh, A.N. A theory of the fracture of metals / A.N. Stroh // Advances Phys. - 1957. - Vol. 6. - № 24. - P. 418-465.

279. Petch, N.J. The fracture of metals / N.J. Petch // Progress in metall physics. - 1954. - Vol. 5. - P. 1-52.

280. Mott, N.E. Dislocations plastic flow and creep / N.E. Mott // Proc. Roy. Soc. - 1953. - Vol. A220. - № 1140. - P. 1-14.

281. Рыбин, В.Н. Учет реальной структуры скопления дислокаций в задаче о термоактивированном зарождении трещины / В.Н. Рыбин, Ш.К. Ханнанов // ФТТ. - 1969. - Т. 11. - Вып. 4. - С. 1048-1051.

282. Владимиров, В.И. Образование трещин в заторможенной полосе скольжения / В.И. Владимиров, Ш.Х. Ханнанов // ФММ. - 1971. - Т. 31. -Вып. 4. - С. 838-842.

283. Федоров, В.А. Влияние распределения дислокаций в границах двойника на зарождение микротрещин в его вершине / В.А. Федоров, В.А. Куранова, Ю.И. Тялин, С.Н. Плужников // ФТТ. - 2002. - Т. 44. - Вып. 6. - С. 1057-1059.

284. Smith, E. Nucleation of cleavage cracks in crystalline solids: fracture at screw dis^a^on pile - ups / E. Smith // Metal. - Sci. J. - 1967. - Vol. 1. - July.

- P. -119-121.

285. Stokes, R.J. Crack formation in magnesium oxide single crystals / R.J. Stokes, T.L. Johnston, C.H. Li // Phil. Mag. - 1958. - Vol. 3. - № 31. - P. 718725.

286. Johnston, T.L. Crack nucleation in magnesium oxide bi-crystals under compression / T.L. Johnston, R.J. Stokes, C.H. Li // Phil. Mag. - 1962. - Vol. 7. -№ 73. - P. 23-24.

287. Clarke, F.J.P. Cracking at grain boundaries due to dislocation pile-up / F.J.P. Clarke, R.A.J. Sambell, H.G. Tattersall // Trans. Brit. Ceram. Soc. - 1962.

- Vol. 61. - № 1. - P. 61-66.

288. Рожанский, В.М. К вопросу об условиях возникновения и развития трещин в кристаллах / В.М. Рожанский // ФТТ. - 1960. - Т. 2. - Вып. 6. - С. 1086-1088.

289. Инденбом, В.Л. О критериях разрушения в дислокационных теориях прочности / В.Л. Инденбом // ФТТ. - 1961. - Т. 3. - Вып. 7. - С. 2071-2079.

290. Инденбом, В. Л. Проблема разрушения в физике прочности В. Л. Инденбом, А.Н. Орлов // Проблемы прочности. - 1970. - № 12. - С. 3-22.

291. Cottrell, A.H. Theory of brittle fracture in steel and similar metals A.H. Cottrell // Trans. Metallurg. Soc. Amer. - 1958. - Vol. 212. - № 2. - P. 192203.

292. Washburn, J. Cause of cleavage fractures in ductile materials / J. Washburn, A.E. Gorum, E.R. Parker // Trans. Metal. Soc. AIME. - 1959. - Vol. 215.- № 2. - P. 230-237.

293. Stokes, R.J., Johnston T.L., Li C.H. The relationship between plastic flow and the fracture mechanism in magnesium oxide single crystals / R.J. Stokes, T.L. Johnston, C.H. Li // Phil. Mag. -1959. - Vol. 4.- № 44. -P. 920-932.

294. Джонстон, Т. Разрушение неметаллических кристаллов / Т. Джонстон, Е. Паркер // Разрушение твердых тел. - М.: Металлургия, 1967. -С. 76-95.

295. Владимиров, В.И. Пересекающиеся скопления краевых дислокаций / В.И. Владимиров, Ш.Х. Ханнанов // ФТТ. - 1970. - Т. 12. - № 3.

- С. 856-859.

296. Алтынбаев, Р.Г. Пересекающиеся скопления краевых дислокаций / Р.Г. Алтынбаев, Ш.Х. Ханна // ФТТ. - 1972. - Т. 14. - № 9. - С. 2807-2808.

297. Алтынбаев, Р.Г. Равновесные распределения дислокаций в пересекающихся скоплениях и в скоплениях, тормозящихся границей скольжения / Р.Г. Алтынбаев, Ш.Х. Ханнанов // ФММ. - 1973. - Т. 35. - № 3.

- С. 647-649.

298. Ханнанов, Ш.Х. Пересекающиеся скопления дислокаций в неоднородном поле напряжений / Ш.Х. Ханнанов // ФММ. - 1974. - Т. 37. -№ 4. - С. 885-887.

299. Ханнанов, Ш.Х. О распределении дислокаций в пересекающихся скоплениях кристаллах кубической симметрии / Ш.Х. Ханнанов // ФММ. - 1978. - Т. 46. - № 1. - С. 30-34.

300. Gilman, J.J. Mechanism of ortho kink-band formation im compressed zinc monocrystals / J.J. Gilman // Trans. AIME. - 1954. - Vol. 200. - P. 621-629.

301. Классен-Неклюдова, М.В. Механическое двойникование кристаллов / М.В. Классен-Неклюдова. - М.: Изд-во АН СССР, 1960. - 261 с.

302. Халл, Д. Двойникование и зарождение трещин в металлах с объемоцентрированной кубической решеткой / Д. Халл // Разрушение твердых тел. - М.: Металлургия, 1967. - С. 222-255.

303. Cahn, R.W. Mechanical twinning in molibdenum / R.W. Cahn // J.Inst. Metals. - 1955. - Vol. 83. - № 11. - P. 493-496.

304. Argon, A.S. Lattice rotation at slip band intersections / A.S. Argon, E Orowan.// Nature. - 1961. - Vol. 192. - № 4801. - P. 447-448.

305. Классен-Неклюдова, В.М. Зарождение в кристаллах полос сброса / В.М. Классен-Неклюдова, А.А. Урусовская // Проблемы кристаллогии. -М.: Изд-во МГУ, 1971. - С. 244-250.

306. Петч, Н. Металлографические аспекты разрушения / Н. Петч // Разрушение, Т. 1. - М.: Мир, 1973. - С. 376-420.

307. Orowan, E. Dislocations in Metals / E. Orowan. - N.-Y.: AIME, 1954. - 131 р.

308. Fujita, F.E. Geometry of the formation of the dislocation network by the condensation of vacancies / F.E. Fujita // Sci. Rep. Insts. Tohoku Univ. A. -1954. - Vol. 6. - P. 125-129.

309. Price, P.B. Nonbasal glide in dislocation-free cadmium crystals. 1. The (1011) [1210] systen / P.B Price.// J. Appl. Phys. - 1961. - Vol. 32. - № 9. -P. 1746-1750.

310. Тялин, Ю.И. Микромеханизмы разрушения и залечивания трещин в материалах с различной кристаллической структурой : автореферат дис.... докт. физ.-мат. наук / Ю.И. Тялин. - Белгород, 2004. - 35 с.

311. Orovan, E. Rupture of plastic crystals / E. Orovan // Proc. Intern.

Conf. Phys. The Physical Sosiety. - London. - 1934. - Vol. II. - P. 81-92.

366

312. Черепанов, Г.П. Механика хрупкого разрушения / Г.П. Черепанов. -М.: Наука, 1974. - 640 с.

313. Панасюк, В.В. Методы оценки трещиностойкости конструкционных материалов / В.В. Панасюк, А.Е. Андрейкив, С.Е. Ковчик. - Киев.: Наукова думка, 1977. - 247 с.

314. Красовский, А.Я. Хрупкость металлов при низких температурах / А.Я. Красовский. - Киев: Наукова думка, 1980. - 337 с.

315. Yokobory, T. Dislocation dinamics theory for fatigue crack growt / T. Yokobory, A.T. Yokobory, A. Kamei // Int. J. Fract. - 1975. - Vol. 11. - № 5. - P. 781-788.

316. Махутов, Н.А. Сопротивление элементов конструкций хрупкому разрушению / Н.А. Махутов. - М.: Машиностроение, 1973. - 201 с.

317. Стокс, Р. Анизотропное развитие микротрещин при пластическом течении полухрупких тел / Р. Стокс, С. Ли // Разрушение твердых тел. - М.: Металлургия, 1967. - С. 96-121.

318. Гилман, Дж. Зарождение и рост полос скольжения в кристаллах фтористого лития / Дж. Гилман, В. Джонстон // Дислокации и механические свойства кристаллов. - М.: Изд-во иностр. литературы, 1960. - С. 82-116.

319. Гилман, Дж.Дж. Скол, пластичность и вязкость кристаллов / Дж.Дж. Гилман // Атомный механизм разрушения. - М.: Металлургиздат, 1963. - С. 220-250.

320. Gilman J.J., Knudsen C., Walsh W.R. Cleavage cracks and dislocations in LiF crystals // J. Appl. Phys. - 1958. - Vol. 29. - № 4. - P. 601607.

321. Тетельмен, А.С. Пластическая деформация у вершины движущейся трещины / А.С. Тетельмен // Разрушение твердых тел. - М.: Металлургия, 1967. - С. 261 - 301.

322. Фридель, Ж. Наклеп и распространение трещин / Ж. Фридель //

Атомный механизм разрушения. - М.: Металлургия, 1963. - С. 504-534.

367

323. Jonston, W.G. Velocity, density of dislocations and plastic flow on LiF crystals / W.G. Jonston, J.J. Gilman // J. Appl. Phys. - 1959. - Vol. 30. - № 2.

- P. 129-144.

324. Боярская, Ю.С. Физика процессов микроиндентирования / Ю.С. Боярская, Д.З. Грабко, М.С. Кац. - Кишинев: Штиинца, 1986. - 296 с.

325. Хрущев, М.М. Сб. "Микротвердость" / М.М. Хрущев. - М.: Изд-во АН СССР, 1951. - С. 5.

326. Гогоберидзе, Д.Б. Твердость и методы ее измерения / Д.Б. Гогоберидзе. - М-Л.: Машгиз, 1952. - 310 с.

327. Мотт, Б.В. Испытание на твердость микровдавливанием / Б.В. Мотт. - М.: Металлургиздат, 1960. - 338 с.

328. Боярская, Ю.С. Деформирование кристаллов при испытаниях на микротвердость / Ю.С. Боярская. - Кишинев: Штиинца, 1972. - 235 с.

329. Цинзерлинг, Л.Г. Сб. "Новое в области испытаний на микротвердость" / Л.Г. Цинзерлинг. - М.: Наука, 1974. - С. 86.

330. Регель, В.Р. Кинетическая природа прочности твердых тел / В.Р. Регель, А.И. Слуцкер, Э.Е. Томашевский. М.: Наука, 1974. - 560 с.

331. Gerk, A.P. Germanium Microhardness and the of Indenaion Creep with Dislocation Velocity / A.P. Gerk // Phil. Mag. - 1975. - Vol. 32. - № 2. - P. 355-365.

332. Предводителев, А.А. Дислокационная структура, возникающая в кристаллах NaCl при деформировании их сосредоточенной нагрузкой А.А. Предводителев, В.Н. Рожанский, В.М. Степанова // Кристаллография. - 1962.

- Т. 7. - С. 418-424.

333. Грабко, Д.З. Закономерности пластического деформирования некоторых кубических кристаллов: дис. канд. физ.-мат. наук / Д.З. Грабко. -Кишинев, 1975. - 145 с.

334. Analisis of Dislocation Mobility under Concentrated Loads at Indentations of Single Crystals / I.V. Gridneva, Yu.V. Milman, V.I. Trefilov, S.I. Chugynova // Phys. Stat. Sol. (A). - 1979. - Vol. 54. - P. 195-206.

335. Гриднева, И.В. К вопросу о подвижности дислокаций под действием сосредоточенной нагрузки при внедрении индентора в монокристалл / И.В. Гриднева, Ю.В. Мильман, В.И. Трефилов, С.И. Чугунова // Препринт ИПМ АН УССР. - Киев, 1979. - 26 с.

336. Боярская, Ю.С. Псевдоподвижность дислокаций в чистых и примесных щелочногалоидных кристаллах / Ю.С. Боярская, Д.З. Грабко, Р.П. Житару // Препринт ИПФ АН МССР. - Кишинев: Штиинца, - 1986. - 27 с.

337. Боярская, Ю.С. О механизме деформирования ионных кристаллов при микровдавливании / Ю.С. Боярская, Д.З. Грабко, М.И. Мединская // Изв. АН СССР, неогр. мат. - 1990. - Т. 26. - № 5. - С. 10171019.

338. Fotedar, H.L. Effect of Temperature, Strain Rate and Impurity Content on the Work-Hardening Characteristics of LiF Single Crystals / H.L. Fotedar, T.G. Stoebe // Phil. Mag. - 1971. - Vol. 23. - № 184. - P. 859-867.

339. Инденбом, В. JI. Межузельный (краудионный) механизм пластической деформации и разрушения / В. JI. Инденбом // Письма в ЖЭТФ. - 1970. - Т. 12. - № 12. - С. 526-528.

340. Рожанский, В.Н. Изменение рельефа поверхности кристаллов NaCl в результате воздействия сосредоточенной нагрузки / В.Н. Рожанский, М.А. Веледницкая // ФТТ. - 1975. - Т. 17. - № 11. - С. 3260-3263.

341. Rozhanskii, V.N. Electron microscopy investiqation of the surface relief after concentrated load deformation of NaCl crystals / V.N. Rozhanskii, M.A. Velednitskaya // Phys. Stat. Sol (a). - 1971. - Vol. 8. - P. 551 - 564.

342. Рожанский, В.Н. Розетка люминесценции около места

воздействия сосредоточенной нагрузки / В.Н. Рожанский, М.А. Веледницкая

// Кристаллография. - 1974. - Т. 19. - Вып. 5. - С. 1111- 1112.

369

343. Шпунт, А.А. Изучение микрорельефа поверхности вокруг отпечатка индентора / А.А. Шпунт // ФТТ. - 1962. - Т. 4. - № 3. - С. 718-723.

344. Velednitskaya, M.A. Investigation of the Deformation Mechanism of MgO Crystals Affected by Concentrated Load / M.A. Velednitskaya, V.N. Rozhanskii, L.F. Comolova et. al.// Phys. Stat. Sol. (A). - 1975. - Vol. 32. - P. 123-132.

345. Boyarskaya, Yu.S. The Influence of the Mode of Hardness Increase on the Dislocation mobility of the Crystals with NaCl Lattice / Yu.S. Boyarskaya, D.Z. Grabko, D.S. Pishkova, S.S. Shutova // Krist. Res. and Techn. - 1978. - Vol. 13. - № 8. - P. 975-982.

346. Боярская, Ю.С. Исследование зависимости микротвердости от нагрузки на монокристаллах NaCl / Ю.С. Боярская, Ю.П. Келоглу, М.К. Болога, В.В. Меденец // Кристаллография - 1959. - Т. 4. - Вып. 4. - С. 597602.

347. Боярская, Ю.С. Розетки твердости и форма отпечатков на кубических кристаллах / Ю.С. Боярская, М.И. Вальковская // Кристаллография. - 1962. - Т. 7. - Вып. 2. - С. 261-265.

348. Боярская, Ю.С. Изучение анизотропии механических свойств щелочногалоидных кристаллов / Ю.С. Боярская // Физика щелочногалоидных кристаллов. - Рига: Изд-во Латв. гос. ун-та, 1962. - С. 489-492.

349. Aertc, E. The surface hardening of X-irradiated NaCl / E. Aertc, S. Amelincks, W. Dekeyser // Acta Met. - 1959. - Vol. 7. - № 1. - P. 29-42.

350. Боярская, Ю.С. Дислокационные структуры и подвижность дислокаций при индентировании ионных кристаллов / Ю.С. Боярская, Д.З. Грабко, Д.С. Пишкова, С.С. Шутова // Деформирование кристаллов при действии сосредоточенной нагрузки. - Кишинев: Штиинца, 1978. - С. 68-86.

351. Rozhanskii, V.N. Dislocation and crowdien Plasticity of Corundum at

Room Temperature / V.N. Rozhanskii, M.P. Nasarova, I.I. Svetlov, L.K.

Kalashnikova // Phys. Stat. Sol. - 1970. - Vol. 41. - № 2. - P. 579-590.

370

352. Рожанский, В.Н. Краудионная пластичность CsI / В.Н. Рожанский, Н.Л. Сизова, А.А. Урусовская // ФТТ. - 1971. - Т. 13. - № 2. - С. 411-415.

353. Веледницкя, М.А. Исследование механизма деформации при действии сосредоточенной нагрузки / М.А. Веледницкя, В.Н. Рожанский // Проблемы физики твердого тела и материаловедения. - М.: Наука, 1976. - С. 46-50.

354. Акчурин, М.Ш. Микрокатодолюминисцентное исследование перемещения точечных дефектов при индентировании тугоплавких кристаллов / М.Ш. Акчурин, В.Г. Галстян, В.Р. Регель, В.Н. Рожанский // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1983. - № 3. - С. 119-123.

355. Акчурин, М.Ш. О роли массопереноса материала за счет перемещения точечных дефектов в процессе микровдавливания / М.Ш. Акчурин, Е.Н. Васев, Е.Ю. Михина, В.Р. Регель // ФТТ. - 1988. - Т. 30. - № 3. - С. 760-764.

356. Грабко, Д.З. Механические свойства полуметаллов типа висмута / Д.З. Грабко, Ю.С. Боярская, М.Н. Дынду. - Кишинев: Штиинца, 1982. - 196 с.

357. Llopis, I. Influence of Purity on Cathodoluminiscence from Dislocations in MgO / I. Llopis, I. Piqueras, C.Ballasteros // Phys. Stat. Sol. (A). -1982. - Vol. 70. - № 2. - P. 739-746.

358. Chaudhri, M.N. Observation of Contact Damage in MgO and LiF Crystals by Cathodoluminescence / M.N. Chaudhri, I.T. Hagan, I.K. Wells // J. Mat. Sci. - 1980. - Vol. 15. - № 5. - P. 1189-1193.

359. Boyarskaya, Yu.S. Investigation of the Deformed Region on the (111) Plane of MgO Crystals by Cathodoluminescence Method / Yu.S. Boyarskaya, J. Schreiber, D.Z. Grabko et al. // Cryst. Res. and Techn. - 1981. - Vol. 16. - № 8. -P. 965-970.

360. Llopis, I. Thermally Induced Charges in the Cathodoluminescence Image of Deformed MgO / I. Llopis, C. Ballesteros, I. Piueras et at.// Phys. Stat. Sol. (A). - 1983. - Vol. 78. - P. 679-684.

361. Акчурин, М.Ш. Формирование нанокристаллического состояния при действии сосредоточенной нагрузки / М.Ш. Акчурин, В.Г. Галстян, В.Р. Регель // ФТТ. - 1995. - Т. 37. - № 3. - С. 845-851.

362. Pharr, G.N. On the generality of the relationship among contact stiffness, contact area, and elastic modulus during indentation / G.N. Pharr, W.C. Oliver, F.R. Brotzen // J. Mater. Res. - 1992. - Vol. 7. - № 3. - P. 613-617.

363. Murakami, Yu. Elastic analysis of triangular Pyramidal indentation by the finiteelement method and its application too nano-indentation measurement of glasses / Yu. Murakami, K. Tanaka, M. Itokazu, A. Shimamoto // Phil. Mag. A. -1994. - Vol. 69. - № 6. - P. 1131-1153.

364. Тюрин, А.И. Динамика и микромеханизмы образования отпечатка при импульсном индентировании кристаллов. : дис. ... канд. физ.-мат. наук / А.И. Тюрин. - Тамбов, 1995. - 146 с.

365. Френкель, Я.И. О вязком течении твердых тел / Я.И. Френкель // ЖЭТФ. - 1946. - Т. 16. - С.29-46.

366. Пинес, Б.Я. О спекании в твердой фазе / Б.Я. Пинес // ЖТФ. -1946. - Т. 16. - С. 737-741.

367. Гегузин, Я.Е. Физика спекания / Я.Е. Гегузин. - М.: Наука, 1984. - 312 с.

368. Fujita, H. Dislocation behaviour in melting process of metals / H. Fujita, T. Tabata, T. Aoki // Proc. 5th Conf. on Highvoltage Electron Microscopy, Kyoto, 29 Aug. - 15 Sept. 1977. - Kyoto, 1977. - P. 439-442.

369. Гегузин, Я.Е. Залечивание изолированной поры в области

предплавильных температур вследствие релаксации локализованных

напряжений / Я.Е. Гегузин, В.Г. Кононенко, Чан Киеу Зунг // Украинский

физический журнал. - 1983. - Т. 28. - № 7. - С. 1035-1040.

372