Селективные транспортные химические реакции как метод регулирования состава нестехиометрических фаз в системе индий-сера тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.21, кандидат химических наук Аноров, Петр Владимирович

• Аноров, Петр Владимирович
• кандидат химических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат химических наук Аноров, Петр Владимирович

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Транспортные химические реакции и их использование для регулирования состава твердых фаз без их рекристаллизации. Метод селективных химических транспортных реакций - СХТР

1.2. Фазовая диаграмма системы 1п-8 (по данным литературы)

Глава 2. МЕТОДЫ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В РАБОТЕ

2.1. Установка для дифференциального термического анализа и ее калибровка.

2.2. Основы масс-спектрометрического метода и методика эксперимента по сканированию Р-Г-проекции системы 1п

Глава 3. ФАЗОВАЯ ДИАГРАММА СИСТЕМЫ ИНДИИ-СЕРА ДАННЫМ ДТА, МАСС-СПЕКТРОМЕТРИИ И РЕНТГЕНОВСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ

3.1. Синтез образцов и их рентгеновская идентификация

3.2. Г-х-фазовая диаграмма системы 1п-8 по данным дифференциально-термического анализа

3.3. Р-Г-проекция диаграмма системы 1п-8 по данным масс-спектрометрии

Глава 4. СПОСОБЫ РЕАЛИЗАЦИИ МЕТОДА СХТР ДЛЯ РЕГУЛИРОВАНИЯ СОСТАВА НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ СУЛЬФИДОВ ИНДИЯ

4.1. Способ разбавления транспортируемого компонента управляющей шихты инертным разбавителем

4.2. Способ связывания активного компонента шихты в индивидуальные химические соединения. Эксперименты и результаты

ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Селективные транспортные химические реакции как метод регулирования состава нестехиометрических фаз в системе индий-сера»

Актуальность проблемы. Прецизионное управление составом кристаллов нестехиометрических соединений является важнейшей задачей неорганической химии и химии твердого тела. Известно, что химические транспортные реакции (ХТР) широко применяются для синтеза совершенных кристаллов, получение которых другими способами невозможно или затруднено [1]. В ряде работ метод ХТР использовался для управления составом неорганических соединений [1-11]. Однако на состав растущих из газовой фазы кристаллов влияют многие факторы: природа транспортного агента, температуры источника и продукта, распределение температур в реакторе, состав исходного образца, форма реактора, наличие микропримесей в паре и материале реактора. Все это делает прогноз и реализацию ХТР - регулирования состава крайне сложной задачей.

Вместе с тем, метод газового транспорта можно реализовать для направленного изменения состава исходного образца, а не растущих из паровой фазы кристаллов, как при традиционном подходе [12-20]. При этом требуется, чтобы перекристаллизация образца вообще не происходила или была минимальной. Такой метод ведения транспорта может быть особенно полезным в случаях, когда материал с требуемой структурой синтезируется сравнительно легко, но прецизионное регулирование его состава затруднено (например, из-за низкой летучести).

Главная идея метода состоит во введении или удалении одного из компонентов малолетучего кристалла при помощи обратимой селективной химической транспортной реакции (СХТР). Так, для управления содержанием галлия в малолетучих селенидах галлия (ваЗе или Оа28е3) используется обратимая реакция

2 о^из конденсированных фаз системы Са-8е ^ у ^ ^^пар , д ^ ^ 0 ^ ^

Скорость переноса соединений селена пренебрежимо мала по сравнению со скоростью транспортной реакции с галлием (1).

В зависимости от температурных условий, взаимодействие (1) может проходить либо в прямом направлении - извлечение галлия из образца, либо в обратном - насыщение образца галлием; при этом легко достигается равновесное состояние. Образец (GaSe или Ga2Se3) помещается в один конец ампулы, а шихта, служащая источником или геттером галлия - в другой. Пар в ампуле состоит из йодидов галлия, которые обеспечивают перенос: Gal доставляет галлий, a Gal3 возвращает йод к образцу GaSe или Ga2Se3 [12, 13].

В настоящей работе в качестве основного экспериментального объекта для дальнейшего развития и наиболее полного рассмотрения возможностей метода СХТР была выбрана система In-S.

Управление нестехиометрией массивных образцов и пленок сульфидов индия с использованием классических методик отжига представляет собой сложную задачу по причине слишком низких величин давлений насыщенного пара. Однако эту проблему можно решить при использовании метода СХТР. В работе использовался преимущественно изотермический вариант данного метода. Это позволило более надежно прогнозировать конечное (равновесное при r=const) состояние транспортной системы и исключить влияние транспортного агента на это состояние. Необходимо отметить, что среди систем халькоген - металл система In - S относится к одной из наименее изученных, что делает необходимым дополнительное исследование.

С учетом изложенного, целью настоящей работы является разработка основ однотемпературного регулирования состава (а, следовательно, - и свойств) нестехиометрических соединений на примере промежуточных фаз системы In - S. Для достижения цели в работе решались следующие задачи:

1. Построение Т - х и Р - Г-проекций фазовой диаграммы системы In-S.

2. Выбор селективных транспортных агентов и компонентов регулирующей шихты. Разработка приемов варьирования химического потенциала транспортируемого компонента в такой шихте.

3. Прогноз финального (равновесного по транспортируемому компоненту) состояния для различных систем и условий

4. Применение различных вариантов метода СХТР для регулирования состава нестехиометрических фаз системы 1п - 8 и оценка перспективности этих вариантов.

Научная новизна. Расширены возможности применения селективного химического транспорта для управления составом соединений с низкой летучестью. Разработаны и применены различные способы регулирования химического потенциала транспортируемого компонента в материале шихты для достижения соответствия между химическими потенциалами этого компонента в шихте и в регулируемом образце.

Первый способ основан на добавлении к шихте инертного разбавителя, что позволило реализовать метод СХТР как для введения транспортируемого компонента в кристалл, так и его удаления. При использовании расплавов с неограниченной взаимной растворимостью компонентов стало возможным плавно управлять нестехиометрией фазы и получать вещество практически любого нестехиометрического состава (в пределах области гомогенности)

Второй способ основан на регулировании химического потенциала транспортируемого компонента материала шихты посредством связывания этого компонента в определенные неорганические соединения, что позволило более строго задавать определенные нестехиометрические составы регулируемого образца. Это обусловлено возможностью жестко контролировать химический потенциал транспортируемого компонента при использовании в качестве управляющей шихты гетерогенных смесей граничных фаз.

Уточнена Т-х и построеныpi -Т проекции диаграммы системы 1п - Б. Получены температурные зависимости давлений паров в различных гетерогенных равновесиях с участием фаз системы 1п - Б.

Практическая значимость работы вытекает из необходимости развития методов синтеза материалов с заранее заданными свойствами. Кроме того, основные тестовые объекты работы - сульфиды индия являются перспективными объектами нелинейной оптики. Решение задачи тонкого не-разрушающего регулирования нестехиометрии (свойств) этих соединений актуально для современного материаловедения.

Достоверность и обоснованность. Результаты диссертационной работы получены с использованием комплекса современных методов исследования: ДТА, рентгеновские исследования, масс-спектрометрия, весовой статический метод. Результаты обрабатывались с помощью специализированных компьютерных программ. Достоверность результатов подтверждается воспроизводимостью результатов измерений, наличием сопоставимых данных, полученных разными методами, статистическим анализом данных.

На защиту выносятся:

1. Т-х диаграмма системы 1п - Э;

2. Р-Тир{-Т проекции диаграммы этой системы (г = 1п28, Эг);

3. Два способа реализации нового метода селективных химических транспортных реакций для регулирования состава нестехиометрических фаз;

4. Диаграммы соответствия составов, полученные при исследовании селективного химического транспорта индия или серы в закрытых изотермических газотранспортных системах

Образец сульфид индия — Пар хлориды 1п — ШиХТа расплав 1п-Аи» И «Образец сульфид „„дИЯ - Пар щ + н2з - Шихта СуЛЬфид меди»

Публикации и апробация работы. По материалам диссертации опубликовано 11 работ, из которых 3 статьи и 8 тезисов докладов. Основные результаты работы доложены на XII конференции "Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение ".Н.Новгород, 2004 г, II-III Всероссийской конференции "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах" ФАГРАН (Воронеж, 2004, 2006), XV Международная конференция по химической термодинамике в России, Москва, 2005г, V Всероссийская школа-семинар «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения», 2005 г, Звенигород, XV Российская студенческая конференция "Проблемы теоретической и экспериментальной химии", Екатеринбург 2005 г.

Структура диссертации. Работа состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы, изложена на 136 страницах машинописного текста, содержит 48 рисунков, 11 таблиц и приложения. Список литературы включает 108 библиографических наименований.

Заключение диссертации по теме «Химия твердого тела», Аноров, Петр Владимирович

ВЫВОДЫ:

1. В рамках метода СХТР, используемого нами для получения сульфидов индия заданного состава, предложены и успешно применены два способа регулирования химического потенциала в управляющей шихте. 1-й способ основан на разбавлении компонента, способного к переносу (1п) индифферентным разбавителем; 2-й способ - на связывании транспортируемого компонента в нестехиометрическое соединение.

2. Показана возможность СХТР с селективным переносом как индия (транспортный агент - хлор), так и серы (транспортный агент - водород). Установлено, что регулирование состава нестехиометрических сульфидов индия может осуществляться при помощи водородного селективного химического транспорта серы с использованием сульфидов меди в качестве управляющей шихты. При этом высшие сульфиды меди (Си8 и Сииб-зЗ) позволяют получить составы в пределах области гомогенности фазы 1П283.

3. Предложены и построены диаграммы соответствия в координатах состав образца - состав шихты, которые, близки фазовым диаграммам и необходимы для решения задач по направленному синтезу твердых фаз заданной структуры и нестехиометрии по методу СХТР.

4. Построена Т-х-фазовая диаграмма системы 1п - 8. Выявлено, что фазы 1п8 (высокотемпературная модификация), 1пб87,1пз-й84 и (3-1п28з плавятся перитектически при 691,1; 786,4; 855,5; 417,7 °С соответственно. В интервале от 417,7 до 752 °С соединение со стехиометрией, близкой к 1п283 на фазовой диаграмме отсутствует. Высокотемпературная модификация этой фазы (у-1п28з) становится стабильной при температуре выше 752 °С и существует до конгруэнтного плавления при 1097 °С.

5. При термографических исследованиях в области составов близких к монотектическому превращению, выявлен эффект «переключения» от стабильной фазовой диаграммы к метастабильиой, наблюдающийся даже при относительно невысоких скоростях охлаждения (от 13 °С/мин). 6. Установлено, что при сублимации сульфидов индия в паре находятся молекулы In2S, S2 и в виде следов InS. В области температур 700-1100 К конгруэнтная сублимация возможна только для составов в пределах области гомогенности фазы y-In2S3. Определены температурные зависимости давления паров In2S и S2 в гетерогенных равновесиях различного характера.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Аноров, Петр Владимирович, 2006 год

1. Lenz R. Developments in Measuring and Calculating Chemical Transport Phenomena Demonstrated on Cr, Mo, W and their Compounds / R.Len, Gruehn. // Chem. Rev. 1997. - №97. - P. 2967.

2. Trifonora E.E. Application of the iodine synthesis to the preparation of indium arsenide bulk crystals and epitaxial layers / E.E. Trifonora, L. Karagio-zov, L. Hitova// Cryst. Res. and Technol. 1983. - № 18. - P. 1341-1346.

3. Wehmeier F. H. The growth of cadmium chromium selenide by chemical transport with cadmium chloride and the behavior of cadmium chromium selenide at elevated temperatures / F. H. Wehmeier // J. Crystal Growth. 1969. -№5.-P. 26-28.

4. Mong Sam. Crystal growth of some intermediate titanium oxiden phases v-Ti305, (3-Ti305, Ti407 and Ti203 by chemical transport reactions / Sam Mong, О. Ну // Acta chem. Scand.-1982. A36. - P. 207-217.

5. Levy F. Single crystals of transition metal trichalcogenides / F. Levy, H. Berger // J. Cryst. Growth. 1983. - №61. - P. 61-68.

6. Pierre Gibart. Preraration de monocristaux de tellurures de cobalt. / Gibart Pierre, Vacherand Chantel. // J. Crystal Growth». 1969. - № 5. - p. 111114.

7. Growth and characterization of low resistive CdSiAs2 singe crystals / M.H Kimmel et al. // VIII. Jnt. Conf. Solid Compounds Transit. Elem vinna Apn. 9-13,1985, Extended Absbr, Vienna, 1985. PUA (2) -P4A (2)3.

8. Панкратова О.Ю. Моноселенид титана переменного состава / О.Ю. Панкратова, Р.А Звинчук // Ж. неорган, химии. 1997. - Т. 42. - С. 1269— 1273.

9. Chemical transport reactions as a new variant of the phase composition control / A.Y. Zavrazhnov et al. // Journal of Phase Equilibria. 2003. - V. 24, N4.-P. 330-339

10. Завражнов А.Ю. Управление составом моноселенида галлия в пределах области гомогенности и диагностика нестехиометрии GaSe / А.Ю Завражнов. // Журн. "Конденсированные среды и межфазные границы" -2004. Т. 6, № 4. - С. 322-335

11. Zavrazhnov A.Y. Chemical Vapor Transport as a Means of Controlling the Composition of Condensed Phases / A.Y. Zavrazhnov // Inorganic Materials (Russia). -2004. V. 40, Suppl. 2. - P. 101-127.

12. Schaefer H. Die thermodynamische Stabiiitat der sieben zwischen 2,00 und 2,50 O/Nb existierenden Phasen / H Schaefer. / H. Schaefer // Z. anorg. allg. Chem. 1969. - Bd. 31. - P.365-369.

13. Hibst H. Die neue Nb205-Modifikationen, metastabile Oxidationspro-dukte von NbOx-Phasen(2,4 <x< 2,5) / H. Hibst, R. Gruehn, D.Weitere // Z. anorg. allg. Chem. 1978. -Bd. 49-P. 442,.

14. Schaefer H. Die Modifikationen des Niobpentoxids / H. Schaefer, R. Gruehn., F. Schulte //Angew. Chem. 1966. - Bd. 78, Nr. 1. P. 28.

15. Kniep R. Phase Relation in Ga2X3-GaY3 System Crystal Growth, Structural Relation and Optical Absorption of intermediate compounds GaXY / R.Kniep, A.Wilms, H.J. Beister//Mater. Res. Bui. - 1983. - V. 18. - P. 615-620.

16. Завражнов А.Ю. Исследование Р-Т-х диаграмм халькогенидов галлия при помощи вспомогательного компонента / А.Ю. Завражнов // Журн. неорг.химии. -2003. - Т. 48, № 10. - С. 1722-1736.

17. Шеффер Г. Газотранспортные химические реакции / Г. Шеффер // М.:Наука. 1964. - 190 с.

18. Пригожин И. Введение в термодинамику необратимых процессов / Пригожин // М.: Наука. 1960. - 308 с.

19. Хаазе Р. Термодинамика необратимых процессов. / Р. аазе // М.Мир. 1967. - 544 с.

20. Dieleman J. The phase diagram of the Ga Se system / J. Dieleman, F.H.M. Sanders //; Phylips J. Res. - 1982. - V.37. № 4. - P. 204 - 229.

21. Zavrazhnov A.Yu. Manometric Method for the Study of P-T-X Diagrams / A.Yu. Zavrazhnov et al. // J. of Phase Equilibria. 2001. - V. 22, № 4. - P. 482-490

22. Новоселова A.B. Давление пара летучих халькогенидов металлов / А.В. Новоселова, А.С. Пашинкин. // М.: Наука. 1977. - 112 с.

23. Nakamura R. Solid state conductivity of yttrium sulfide (Y2S3) / R. Na-kamura // J.Jap Inst. Meta. 1983. - V. 47, № 6. - P. 490-494.

24. The electrical properties of samarium sulfide thin films / N. Imanaka et.al. // J. Chem. Express. 1986. - V.l, N. 7. - P. 395-398.

25. Bastoska L. The influence of the structure of molybdenum disulphide on its reactivity / L. Bastoska // Collect. Czechosl. Chem. Commun. 1987. - V. 52, N3.-P. 678-685.

26. Wakihara M. Thermodynamic studies of the V3S4-V5S8 system at the temperatures from 650 to 800°C. / M. Wakihara, T. Uchida, M. Tanigushi // Met. Trans. 1978. - В 9, N 1. - P. 29-32

27. Rau H. The Chromium Sulfur system between 873 and 1364 К. / H. Rau // Less-Common Metals. - 1977. - V. 55. - P. 205-211

28. Chen Y.O. Thermodynamics and phase relationship of transition metal sulfur systems. I. The cobalt - sulfur system / Y.O. Chen, U.A. Chang // Met. Trans. - 1978. - В 9, N 1. - P. 61-67.

29. Fischer M. Thermodynamics of the system Fe-Mn-S. Part I. Activities in Iron Sulfide Manganese Sulfide solid solutions in the temperature range 1100 to 1400° С. / M. Fischer, K. Schwerdtfege // Met Trans. 1977. - В 8, N3. -467-470.

30. Lieth R.M.A. The P-T-X phase diagram of the system Ga-S / R.M.A. Lieth, H.J.M. Heijligers, V.d. C.W.M. Heijden // J. Electrochem. Soc. 1966. -V. 113,No 8.-P. 798-801

31. Зломанов В.П. P-T-x диаграммы состояния систем металл халь-коген / В.П. Зломанов, A.B. Новоселова. // М.: Наука. - 1987. - 178 с.

32. Медведева З.С. Халькогениды элементов III Б подгруппы периодической системы / З.С. Медведева. // М.: Наука. 1968. - 216 с.

33. Duffin W.J. Crystalline Phases in the System In2S3 / W.J. Duffin, J.H.C. Hogg // Acta Cryst. 1966. - V.20. - P. 566.

34. Ansell H.G. Phase relationship in the In-S system / H.G. Ansell, R.S. Boorman // J. Electrochem. Soc. 1971. - V. 118. - P. 133-136

35. Высший сульфид индия / Ф.А. Мустафаев, и др. // Азерб.хим.журн. 1975. - № 1. - С. 139-142.

36. Ionic and electronic transport in In2S3 studied via perturbed angular correlation spectroscopy / M. Uhrmacher, et all. // Hyperfme Interactions. 1999. -V. 120/121.-P. 371-375.

37. Wadsten T. On In5S4 structure/ T. Wadsten, L. Amberg, J.E.Berg // Acta Cryst. 1980. - B36. - P. 2220-2223

38. Ionic and electronic transport in In2S3 studied via erturbed angular correlation spectroscopy / M. Uhrmacher et al. // Hyperfme Interactions. 1999. -V. 120/121.-P. 371-375

39. Mise en evidence d'une solution de type spinelle dans le diagramme de phase du systeme In-S / A. Likforman et all.// J. of Sol. State Chem. 1980. -V.34.-P. 353-359.

40. T. Gôdeke. On the phase diagram InSM / T.Gôdeke, K. Schubert // Ztschr. Metallk. 1985.-Bd.76, N.5. - S. 358-364

41. Федоров П.И. Индий / П.И. Федоров, Р.Х. Акчурин. // М.: Наука. -2000. 276 с.

42. Peressi M. Structural and electronic properties of Ga2Se3 / M. Peressi, Baldereschi A. // J. Appl. Phys. 1998. -V. 83. - P. 3092.

43. Уэллс А. Структурная неорганическая химия: В 3 т. / А. Уэллс. -M.: Мир. 1987.-Т.3.- 564 с.

44. Уэллс А. Структурная неорганическая химия: В 3 т. / А. Уэллс. -М.: Мир. 1987.-Т. 2.-696 с.

45. Соединения переменного состава / Под ред. Б.Ф. Ормонта. // Л.: Химия. 1969. -520 с.

46. Горюнова Н.А. Химия алмазоподобных полупроводников / Н.А. Горюнова. / М.: Сов. радио. 1968. - 258 с.

47. Newman P.C. Crystal structures of adamantine compounds / P.C. Newman // J. Phys. Chem. Solids. 1963. - V. 24. - P. 45-50.

48. Newman P.C. Ordering in A2niB3VI compounds / P.C. Newman // J. Phys. Chem. Solids. 1962. -V. 23. - P. 19-23.

49. Dieleman J. The phase diagram of the Ga Se system / J. Dieleman, F.H.M. Sanders // Phylips J. Res. - 1982. - V.37, N 4. - P. 204 - 229.

50. Ollitrault-Fichet R. Le systeme Ga-Se et les seleniures gallium / R. 01-litrault, Rivet J. Fechaut // J. Solid state chem. 1980. - V. 33, N 1. - P. 49-61.

51. Manolikas S. Electron Microscopic Study of the Ordered and Disordered Phases in Ga2Se3 / S. Manolikas // J. Phys. Stat. Sol. (A). 1982. - V. 69, N1. -P.393-405.

52. Lübbers D. The Crystal Structure of ß-Ga2Se3 / D. Lubbers, V. Leute // J. of Sol. State Chem. 1982. - V. 43, N 3. -P. 339-345.

53. Khan M.Y. X-ray fluorescence analysis of Ga2Se3 and x-ray study of ß-Ga2Se3 / M.Y. Khan // Indian J. Phys. 1994. - V. 68A, N 2. - P. 159-172.

54. Tomas A. Determination des structures des forms a et ß de Ga2S3 / A. Tomas, M. Pordo, M. Guittard // Mater Res. Bul. 1987. - V. 22, №° 11. - P. 1549-1554.

55. Leith R.M.A. III VI - Compounds. - Preparation and Crystal Growth of Materials with Layered Structure / R.M.A. Leith. // Dordrecht (Holland): D. Reidel Publishing Company. - 1977. - 225 p.

56. Hatwell H. et al. // Acad. Sei. 1964. - T.258, N 2. - P. 553-555.

57. Kundra K.D., Alis S.Z. // Phys. Status solidi(a). 1976. - Vol. 36, N 2. -P. 517-525.

58. Ansell H.G., Boormann R.S. // J. Electrochem. Soc. 1971.-Vol. 118, Nl.-P. 133-136.

59. Новоселова A.B. Давление пара летучих халькогенидов металлов. / А.В Новоселова., А.С Пашинкин // М.: Наука. 1978. - 110 с.

60. Румянцев Ю.В., Хворостухина H.A. Физико-химические основы пирометаллургии индия./ Ю.В. Румянцев, H.A. Хворостухина // М.: Наука, 1965.- 132 с.

61. Ванюков A.B. Термическая диссоциация сульфидов металлов./ A.B. Ванюков, P.A. Исакова, В.П. Быстров // Алма-Ата: Наука. - 1978. -272 с.

62. Hague R., Gates A.S., Edwards J.G. // J. Chem. Phys. 1980. - Vol. 73, N 12. -P.6301-6307.

63. Botor J.P., Edwards J.G. // J. Electrochem. Soc. 1985. - Vol. 132, N l.-P. 229-235.

64. Вендрих Н.Ф., Пашинкин A.C. // Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1979. - Т. 15, № 5. - С. 766-769.

65. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер.// М.: Мир, 1969.- 654с.

66. Schwarz U. Effect of hydrostatic pressures on the crystal structure of InS / U. Schwarz, H. Hillebrecht, К. Syassen // Zeitschrift fuer Kristallographie.- 1995, V. 210.-P. 494-497

67. Deiseroth H. Strukturchemie und Valenz von In6S7: Neubestimmung der Kristallstruktur /Н. J .Deiseroth, H. Pfeifer, A. Stupperich // Zeitschrift fuer Kristallographie. 1993. - V. 207. - P. 45-52

68. Steigmann G A. The Crystal Structure of ß-In2S3 / G. A. Steigmann, H. H.Sutherland, J. Goodyear // Acta Cryst. 1965. - V. 19. - P. 967-971

69. Nolze G. PowderCell 2.0 for Windows / G. Nolze, W. Kraus // Powder Diffraction. 1998. - V.13, N4. - P.256-259.

70. Holland T.J.B. UNITCELL: A Nonlinear Least-Squares Program for Cell-Parameter Refinement Implementing Regression and Deletion Diagnostics / T.J.B Holland., S.A.T. Redfern // J. Appl. Cryst. 1997. - V.30. - P.84.

71. Физические величины: Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. - 1231

72. Paule R.C. Analysis interlaboratory measurements on the vapour pressure of cadmium and silver / R.C. Paule, J. Mandel // Pure Appl. Chem. 1972. -V. 31. N3. P. 397-431.

73. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону. / Справочник под ред. В.Н. Кондратьева // М.: Наука.- 1974.-351 с.

74. Mann J.B. Ionisation cross section of the elements calculated from mean-square radii of atomic orbitals / J.B. Mann // J. Chem. Phys. 1967. - V. 46. N5.-P. 1646-1651.

75. Абрикосов Н.Х. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. / Н.Х. Абрикосов и др. // М.: Наука. 1975. - 57 с.

76. Brunetti В., / Study on sulfur vaporization from covellite (CuS) and anilite (Cui.75S). / B. Brunetti, V. Piacente, P. Scardala. // J. Alloys and Compounds. 1994. -№1. - P. 113-119.

77. Chemical transport reactions as a new variant of the phase composition control / A.Yu. Zavrazhnov et al.// J. Phase Equilibria 2003, - V. 24, N4. - P. 330-339

78. Yaghi, Non-interpenetrating Indium Sulfide with a Supertetrahedral Cristobalite Framework / Li H. et. al. // J. Am. Chem. Soc. 1999. - V. 121. -P. 6096.

79. Некрасов Б.В. Основы общей химии/ Б.В. Некрасов // М.: Химия. -1974.-Т. 1. 656с.

80. Yasuo Kunia Studies on the vapor phase reactions in the system In-Cl2 / Yasuo Kunia, Shozo Hosada, Masahiro Hosuka.// Denki Kagaku. Technical Paper. 1974. - V. 42. - P. 20-25.

81. Равновесие в системе In Br2 / B.A Воронин, и др. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. - 1972, №8. - С. 1306-1307.

82. Титов В.А. Химические равновесия в газовой фазе системы In—I / B.A. Титов, Т.Н. Чусова, Г.А. Коковин // Изв. сиб. отд. АН СССР. Сер. хим. наук.- 1987.-№6.-С. 75-81.

83. Завражнов А.Ю. Исследование Р-Т-х диаграмм халькогенидов галлия при помощи вспомогательного компонента / А.Ю. Завражнов // Журн. неорг. химии. - 2003. - Т.48, №10. - С. 1722-1736

84. Заидова Г.А. Термодинамическое исследование системы In2S3-Inl3 / Г.А. Заидова, С.М Гаджиев., А.А. Кулиев // "Азерб.хим.ж". 1974. - № 56.- С. 140-142

85. Лидин Р.А. Справочник по неорганической химии. / Р.А. Лидин, Л.Л. Андреева, В.А. Молочко // М.: Химия. 1987. - 320 с.

86. Okamoto H. The Au-In system / H. Okamoto, T.B. Massalski // Phase Diagrams of Binary Gold Alloys. Metals Park, OH: ASM International. 1987. -P. 142-153.

87. Carner P.J. The thermodynamics of vaporization of liquid indium (I) iodide by modified entrainment / P.J. Carner, S.R. Preston // Canadian J. Chem. 1992. - V.70, No 11. - 2669-2703

88. Rooymans, E. A new type of cation-vacancy ordering in the spinel lattice of In2S3 / E. Rooymans // J. Inorg and Nuclear Chemistry. 1959. - V. 11, Issue l.-P. 78-79.

89. Bonsall S. Hummel Phase equilibria in the systems ZnS-Al2S3 and ZnAl2S4-ZnIn2S4 / Bonsall S. Hummel // J. Solid State Chemistry. 1978. - V. 25, Issue 4. - P. 379-386

90. Mellor J.W. In Book: A comprehensive treatise on inorganic and theoretical chemistry V.l, Longmans, London, UK. 1922. - P. 650

91. Вест А. Химия твердого тела. Теория и приложения: В 2-х ч. / А. Вест . Ч. 1 : Пер. с англ. - М.: Мир. - 1988.-558 с

92. Я.Шестак. Теория термического анализа. // М.: Мир. 1987. - 424 с

93. Пилоян.Г.О. Введение в теорию термического анализа. // М.: Наука. 1964.-345 с

94. Уэндланд У. Термические методы анализа // М. Мир. 1978. - 526с.

95. Берг Л.Г. Введение в термографию. / Л.Г. Берг. М. Наука, 1969., 368 с.

96. Курнаков Н.С. Новый прибор для записи кривых нагревания. / Н.С. Курнаков // Журн. Рос. физ.-хим. о-ва, 1904. - Т. 36. - С. 841.

97. Л.Н. Сидоров, М.В. Коробов,Л.В. Журавлева. Масс-спектральные термодинамические исиследования М.: Изд-во Моск. ун-та, 1985. -208 с.

98. Paule R.C., Mandel J. Analysis interlaboratory measurements on the vapour pressure of cadmium and silver / R.C. Paule, J. Mandel // Pure Appl. Chem. 1972.- V. 31, №3.- P. 397-431.

99. Mann J.B. Ionisation cross section of the elements calculated from mean-square radii of atomic orbitals. / J.B. Mann // J. Chem. Phys. 1967. - V. 46. №5.-P. 1646-1651.

100. Schwarz U. Effect of hydrostatic pressures on the crystal structure of InS / U. Schwarz, H. Hillebrecht, К. Syassen / U. Schwarz // Zeitschrift fuer Kristallographie. 1995. - V. 210. - 494-497

101. Deiseroth H. Strukturchemie und Valenz von In6S7: Neubestimmung der Kristallstruktur /Н. J .Deiseroth, H. Pfeifer, A. Stupperich // Zeitschrift fuer Kristallographie. 1993. - V. 207. - P. 45-52

102. Steigmann G A. The Crystal Structure of ß-In2S3 / G. A. Steigmann, H. H.Sutherland, J. Goodyear // Acta Cryst. 1965. - V. 19. - P. 967-971

103. Блешинский C.B. Химия индия / C.B. Блешинский, В.Ф. Абрамова. Фрунзе: Изд-во АН КиргССР, 1954. - 372 с.

104. Весовой метод физико-химического анализа систем с летучими компонентами / В.В. Раков, Л.Я. Кроль, Б.Д. Лайнер и др. // Завод, лаб. -1969.-Т. 35, №3.-С. 291-295.

105. Суворов A.B. Термодинамическая химия парообразного состояния / A.B. Суворов. Л.: Химия, 1970. - 208 с.