Управляемый синтез нестехиометрических соединений и исследование фазовых равновесий с помощью вспомогательного компонента тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, доктор химических наук Завражнов, Александр Юрьевич

• Завражнов, Александр Юрьевич
• доктор химических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор химических наук Завражнов, Александр Юрьевич

Введение

Глава 1. Определение Р-Т-х диаграмм и термодинамических свойств бинарных фаз при использовании ВК: теоретический анализ

Варианты тройных систем, в которых введение ВК увеличивает на единицу число степеней свободы (по сравнению с исходной бинарной системой)

1.1. Вариант 1.1. Вспомогательный компонент накапливается в паре 23 1.1.1. Термодинамический анализ и извлекаемая информация щ 1.1.2. Источники искажения информации об исследуемой бинарной системе

1.1.3. Исследование состояний бинарных систем в областях несосуществования с паром как дополнительная возможность метода вспомогательного компонента

1.1.4. Анализ литературы по использованию вспомогательного компонента

1.1.5. Сравнение гетерогенных равновесий в тройных системах при использовании ВК с ионными равновесиями в растворах

1.2. Вариант 1.2. Вспомогательный компонент растворяется в одной из бинарных фаз сплава, но практически отсутствует в паре

1.3. Вариант 1.3. ВК заметно растворим в одной из имеющихся в #) системе бинарных фаз, а также присутствует в паре.

Определение Т-х диаграмм по растворимости газов в расплавах

1.4. Варианты равновесий, реализующихся при переходе от бинарной системы к тройной без изменения числа степеней свободы

1.4.1. Вариант 2.1.1. Вспомогательный компонент частично переходит в пар и образует однокомпонентную конденсированную фазу

1.4.2. Вариант 2.1.2. Компонент С образует новую бинарную фазу и присутствует в паре

1.4.3. Вариант 2.1.3. Равновесия с участием тройной конденсированной фазы и пара, содержащего ВК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Управляемый синтез нестехиометрических соединений и исследование фазовых равновесий с помощью вспомогательного компонента»

Актуальность работы. Известно, что все немолекулярные твердые фазы обладают нестехиометричностью, т.е. составы этих фаз изменяются в некоторых пределах. При этом даже небольшие вариации составов в пределах области гомогенности фазы часто приводят к существенному различию в функциональных свойствах материала. По этой причине, одна из важнейших задач неорганической химии заключается в развитии физико-химических основ направленного, управляемого синтеза, который обеспечивает получение твердых неорганических соединений с заданным составом, структурой, а, следовательно, и свойствами.

Процессы синтеза связаны с необходимостью контроля фазовых превращений.

Поэтому для определения условий синтеза необходимы данные о Р-Т-х - фазовой диаграмме соответствующей системы, без которых решение проблемы получения соединения с заданными свойствами невозможно. Вместе с тем, известные методы сканирования Р-Т-х - диаграмм (различные виды тензиметрии, массспектрометрия, оптические методы исследования пара, косвенные, например, электрофизические методы и т.д.) оказываются малопригодными во многих случаях, когда синтезируемые соединения обладают: (1) низким (Р<102 Па); или (2) ft 1 слишком высоким давлением пара (Р >10 -10 Па), а также (3) по причинам кинетических затруднений в достижении равновесия. Количество фаз с перечисленными свойствами очень велико, и решение задач определения фазовых диаграмм и последующего управляемого синтеза может привести к появлению материалов с новыми перспективными свойствами.

В настоящей работе разработаны физико-химические основы новых методов сканирования фазовых диаграмм и управляемого синтеза соединений, которые базируются на введении в исследуемую систему вещества, содержащего вспомогательный компонент (ВК). Это вещество (С или АСЦ) вступает в обратимую химическую реакцию с компонентом исходной системы А-В, например:1 из конд. фазы А-В или пара у

ИЛИ (q-z)A фазы А-В или пара + zACq= qACz (1')

В (1), (Г) у q, z- стехиометрические индексы; А, В, С- независимые компоненты.)

1 В работе ограничивались определением диаграмм бинарных систем (А-В) при использовании компонента С

В результате взаимодействия давление в системе может повышаться, например, если образуются летучие соединения (АСУ ) или понижаться, например, если вещество А - газ, растворяющийся в расплавах с участием нелетучего компонента. В итоге, в системе устанавливается равновесие с приемлемыми давлениями паров, что позволяет обходить труднореализуемые или трудноисследуемые равновесия. Однако по причине увеличения компонентности, информация об исходной системе {А-В) может быть получена из исследований лишь некоторых гетерофазных равновесий, характеризующихся определенным распределением ВК в фазах тройной системы (А-В-С).

В литературе не было найдено работ, посвященных систематизированному рассмотрению возможностей и недостатков метода вспомогательного компонента. Использовались лишь очень немногие варианты распределения ВК в фазах тройных систем. Из экспериментов извлекалась неполная информация. В настоящей работе эти недостатки устраняются. Показывается, что наиболее полная информация о системе может быть получена при одновременном измерении состава фаз и давления пара с помощью манометрического метода.

Кроме определения Р-Т-х фазовой диаграммы необходимо развитие основ управления нестехиометрией. К сожалению, для уже упоминавшихся соединений с малой или слишком высокой летучестью и с кинетическими затруднениями в реакциях, известные методы регулирования нестехиометрии оказываются малопригодными. Предлагаемый в настоящей работе метод позволяет не только определять фазовые диаграммы, но и управлять составом фаз в пределах областей гомогенности. Управление нестехиометрией может быть реализовано с помощью селективных транспортных химических реакций (ХТР), для которых понятие "вспомогательный компонент" и "транспортный агент" становятся очень близкими. Использование ХТР основано на избирательном введении или удалении одного из компонентов без разрушения исходного образца. Это отличает предлагаемый метод от известных способов химической перекристаллизации вещества из паровой фазы. Таким образом, актуальность настоящей работы связана с дальнейшим развитием физико-химических основ синтеза и определения фазовых диаграмм обширной группы систем, в которых традиционные методы оказываются непригодными.

Цель настоящей работы состоит в создании физико-химических основ регулируемого синтеза нестехиометрических соединений с помощью ХТР и определения фазовых диаграмм с использованием вспомогательного компонента.

Для достижения поставленной цели, в первой части работы решали задачи, связанные с определением Р-Т-х ~ фазовых диаграмм:

1. Теоретический анализ фазовых равновесий, который включал: (а) -отыскание в тройных системах таких вариантов равновесий с различным распределением вспомогательного компонента, тензиметрические исследования которых позволяют получать информацию о конденсированных фазах бинарной системы; и (б) - отдельное рассмотрение каждого из вариантов на предмет возможности определения фазовых диаграмм и термодинамических свойств бинарных фаз по результатам тензиметрического исследования.

2. Выбор систем, исследование которых при помощи вспомогательного компонента актуально и возможно.

3. Дальнейшее развитие известных тензиметрических методов определения фазовых диаграмм и их модернизация в соответствии с задачами эксперимента.

4. Экспериментальное определение выбранных фазовых диаграмм систем с использованием различных независимых вариантов манометрических исследований при участии вспомогательного компонента (варианты "ВК только в паре" и "ВК, растворимый в расплаве"). Расчет парциальных и интегральных термодинамических свойств соединений. Определение областей гомогенности и выявление особенностей нестехиометрии фаз GaS и GaSe. Сопоставление результатов определения, выполненного с участием ВК и без, фазовых диаграмм систем, образующих кристаллографически родственные соединения.

Вторая часть работы посвящена созданию основ регулирования нестехиометрии твердых фаз при использовании вспомогательного компонента (транспортного агента). В этой части работы решали следующие задачи:

5. Теоретический анализ возможности селективного введения или удаления путем транспортной реакции одного из компонентов регулируемой фазы без разрушения исходного образца. Основанное на аппарате неравновесной термодинамики доказательство возможности такой эволюции некоторых ХТР -систем, при которой достигается стационарное состояние без массопереноса.

Выявление параметров, определяющих направление массопереноса при эволюции системы и фиксирующих состав регулируемого образца в стационарном состоянии.

6. Экспериментальное доказательство неразрушающего управления составом нестехиометрических соединений в газотранспортных системах при достижении стационарных состояний без переноса вещества. Выявление связи между термодинамическими переменными (Т2, Т\, xj) и составом образца (х2).

Научная новизна. Проведены анализ и систематизация различных вариантов распределения компонентов в тройных системах, получаемых из бинарных при введении ВК. Среди этих систем выделены такие, которые пригодны для исследования бинарных систем и промежуточных соединений. Развиты теоретические и экспериментальные основы манометрического метода, позволяющие проводить определение фазовых диаграмм обширного круга систем (прежде всего - с малолетучими соединениями), исследования которых другими методами невозможны или затруднены. Разработан новый метод построения Р-Т и Т-х диаграмм бинарных систем, основанный на использовании данных тензиметрических исследований в тройных системах. Рассчитаны интегральные термодинамические свойства (энтальпия, энтропия, энергия Гиббса) образования моносульфида и моноселенида галлия.

В экспериментальной части работы при использовании различных вспомогательных компонентов веществ и в различных вариантах систем, создаваемых при помощи этого компонента, построены двумерные Т-х, Рс&-Т, p.#Gaл до

Т и р са-Т-х - диаграммы системы Ga-Se. р. с.а ~ химический потенциал галлия, рассчитанный относительно чистого галлия: |/Ga = pGaB конд ф - рСаЖ" чист (Л-Аналогичные двумерные диаграммы получены и для системы Ga-S.

L i

Осуществлено построение Кр -Т (системы Ga-S-I, Ga-Se-I, Ga-Se-Cl) и трехмерной Кры-Т-х диаграмм, которые являются основой для прогноза при регулировании фазового и нестехиометрического состава халькогенидов галлия и индия с помощью химических транспортных реакций. (Kphct - величина, часто называемая константой гетерогенного равновесия, записываемая, например, для (1) как КРА = PacJPc ;•)

Теоретически и экспериментально показана возможность управления структурой и нестехиометрией малолетучих бинарных соединений в неизотермических газотранспортных системах без разрушения исходного образца. При таком неразрушающем транспорте (НТ) контролируемое изменение состава образца происходит за счет частичного введения (или удаления) в образец одного из компонентов при протекании селективной транспортной химической реакции в прямом или обратном направлении. Направление убывающего во времени селективного переноса компонента при переходе системы от начального состояния к стационарному определяется практически только тремя параметрами: температурой образца (Т2), а также температурой (Г)) и составом шихты (xi). Этими же параметрами определяется и стехиометрический состав регулируемого образца (х2). Таким образом, удается избавить химический транспорт от основных недостатков: (1) - невозможности получения крупных монокристаллов и (2) -большого числа технологических параметров. На основании анализа рассматриваемых транспортных систем с позиций неравновесной термодинамики выведена зависимость, позволяющая рассчитывать составы образца (хг), задаваемые в стационарном состоянии ХТР - системы параметрами Т2, Т\,х\. При использовании данных манометрического эксперимента рассчитана х2-Т2-Т\ -фазовая диаграмма неизотермической газотранспортной системы "ОбразеЦ(СИСтемы Ga-Se при т2) - ПАРоа1+оа13 - источник/геттер галлия(чистый Ga при 7-,)". Эта диаграмма является аналогом равновесных фазовых диаграмм и показывает, в какую фазу и какого нестехиометрического состава превращается регулируемый образец при достижении в транспортной системе стационарного состояния без массопереноса. На примерах халькогенидов галлия и сульфидов индия осуществлена проверка выводов теоретического анализа и выявлена корреляция результатов расчета и эксперимента.

Полученные результаты позволяют сформулировать научное направление работы: развитие основ управления нестехиометрией и определения фазовых диаграмм при использовании вспомогательного компонента.

Практическая ценность. Развит и апробирован на примерах некоторых халькогенидов индия и галлия новый метод определения Р-Т-х - диаграмм, который может быть применен к обширному классу малолетучих соединений. Построенные Т-х и Р-Т диаграммы систем Ga-S и Ga-Se и KpSt~T систем Ga-Se-1 позволяют прогнозировать условия регулирования нестехиометрией кристаллов с использованием транспортных химических реакций. Предложенный новый метод регулирования нестехиометрии неорганических соединений с помощью неразрушающих транспортных химических реакций позволяет управлять нестехиометрией широкого класса неорганических материалов и имеет фундаментальное значение для решения основной задачи неорганической химии и материаловедения - направленного синтеза материалов с заданными свойствами. Усовершенствованные и упрощенные приемы проведения манометрических экспериментов могут быть использованы при решении обширного круга задач, связанных с измерениями давления.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Использование вспомогательного компонента (ВК) как инструмента сканирования фазовых диаграмм бинарных систем, областей гомогенности промежуточных фаз и определения термодинамических свойств этих соединений в тензиметрических исследованиях. и и

2. Т-х и prT, [I Ga-Т и |i Ga-T-x - диаграммы систем Ga-Se, Ga-S и In-S, сканированные при помощи галогенидов галлия (индия) и включающие области гомогенности промежуточных фаз.

3. Сходство специфических форм областей гомогенности кристаллохимически близких соединений и ^4IVBV, исследованных, при участии ВК (GaSe) и без него (GeAs2, SiAs2, SiAs).

4. Kphet-T и Kphet-T-x диаграммы систем Ga-Se-I, Ga-S-I, In-S-Cl, которые являются основой при расчетах составов халькогенидов галлия и индия в неразрушающем галогенидном транспорте.

5. Новый метод регулирования нестехиометрии бинарных соединений без разрушения исходного образца при использовании селективного химического газового транспорта.

6. Физико-химические основы селективного газотранспортного процесса, заключающегося в переходе закрытой неизотермической системы к стационарному состоянию, при котором состав регулируемого образца (х2) определяется только тремя параметрами (Т2, Т\,х\).

7. Управление политипической структурой и нестехиометрией моноселенида галлия с помощью селективных газотранспортных реакций.

Публикации и апробация работы. По материалам работы опубликовано 25 статей в Российских реферируемых журналах или в Международных журналах дальнего зарубежья (4 публикации). Опубликованы тезисы 22 докладов. Получены 2 авторских свидетельства. Основные результаты работы доложены на 15 региональных, республиканских, Всесоюзных и Международных конференциях симпозиумах и семинарах, в том числе: 10-th Internetional Iupac Conference on High Temperature Materials Chemistry, 10-14 April 2000, Julich, Germany ; 8-th European Conference on Solid State Chemistry, Oslo, July 2001; 17-the IUPAC Conference on Chemical Thermodynamics. Book of Abstracts. July 28 - August 02, University of Rostock, Germany, 2002; I Всероссийская конференция "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах" ФАГРАН 2002, Воронеж, 11-15 ноября 2002 г.; Сложные оксиды, халькогениды и галогениды для функциональной электроники Тез. докл. X научно - техн. конф., Ужгород., 2629 сентября 2000 г.;Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов : Тез. докл. IX Научно-техн. конф. 7-10 октября 1998 г. -Ужгород, 1998; 5-ая per. научн.конф."Проблемы химии и химической технологии ЦЧ региона" Липецк, 24-25 декабря 1997 г.Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии: Тез. докл. Всерос. конф. молодых ученых 25 -26 июня 1997 г. - Саратов, 1997 г.; Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов: Тез. докл. конф. 12-14 марта 1996 г. - Н. Новгород,1996 г.; I Всес. конф. "Получение, свойства , анализ и применение соединений с молекулярной решеткой для новой техники" Нижний Новгород, 1991 г.; III Всес. конф. "Материаловедениее халькогенидных полупроводников", Черновцы, 1991 г. Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, обзора литературы, пяти глав с изложением результатов теоретических и экспериментальных исследований, заключения и общих выводов и приложения; содержит 340 страниц машинописного текста, включая 55 таблиц в основном тексте и 33 в приложении, 121 рисунок в основном тексте и 10 в приложении , библиографический список из 302 наименований цитируемой литературы.

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Завражнов, Александр Юрьевич

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Созданы физико-химические основы нового манометрического метода определения Р-Т-х диаграмм бинарных систем с использованием вспомогательного компонента (ВК). Определены требования к ВК и гетерофазным равновесиям. Показано, что информация об исходной бинарной системе может быть получена из манометрических исследований лишь некоторых вариантов гетерофазных равновесий, характеризующихся определенным распределением ВК в фазах тройной системы. Проанализированы и предсказаны не использовавшиеся ранее варианты гетерофазных равновесий для определения фазовых диаграмм бинарных систем. На основании термодинамического анализа ряда систем установлено, что при манометрических исследованиях равновесий с участием ВК возможно: а) -построение фазовых диаграмм бинарных систем; б) - сканирование областей гомогенности; в) - расчет химических потенциалов компонентов; г) определение интегральных термодинамических свойств. Определен алгоритм планирования и организации эксперимента, а также обработки первичных данных для получения фазовых диаграмм бинарных систем и термодинамических свойств соединений в них.

2. На основании термодинамического анализа показана возможность исследования систем: Ga-S(Se) в трех- и четырехфазных равновесиях с участием углерода и (отдельно) - нитрида галлия (GaN).

3. Корректность сделанных в теоретическом анализе выводов подтверждена экспериментальным манометрическим исследованием и построением фазовых диаграмм бинарных систем Ga-Se, Ga-S, In-S. Определены Т-х и ргТ [iGa-T -диаграммы этих систем. Рассчитаны интегральные термодинамические характеристики монохалькогенидов галлия - GaS и GaSe.

4. Предложен и для систем Ga-Se-I и Ga-S-I определен новый тип диаграмм (Кре1-Т, КрЛ-Т-х\ которые являются основой для определения условий регулирования нестехиометрии с помощью селективных ХТР, а также используются в уточнении границ областей гомогенности бинарных фаз. (KpheL -величина, обычно называемая константой гетерогенного равновесия) халькогенидов галлия.

5. Определены области гомогенности моноселенида и моносульфида галлия. Выявлено соответствие данных, получаемых при использовании в роли ВК различных компонентов (CI, I) и при различных фазовых соотношениях в системах (методы "ВК только в паре" и "метод растворимости газов").

6. В теизиметричееких экспериментах без участия ВК исследованы фазовые диаграммы и области гомогенности промежуточных фаз в системах Si-As и Ge-As. Проведено сравнение фазовых диаграмм арсенидов германия и кремния с полученными ранее диаграммами монохалькогенидов галлия и индия, основанное на близости структур и характера химических связей в этих группах соединений. Выявлено, что области гомогенности этих соединений объединяет следующая важная особенность: узкие во всем температурном интервале области гомогенности этих соединений имеют резкие (до нескольких процентов) расширения в областях, близких к максимальным температурам плавления фаз. Такое расширение для GaSe приводит к появлению ретроградного солидуса со стороны со стороны Ga2Se3 в узком температурном интервале (~60 К). При этом область гомогенности фазы, протяженность которой при температурах, меньших 1080 К составляет 0.12 мол. % Se, расширяется в сторону селена до состава 50.6 мол. % Se. Для диарсенида германия такое расширение области гомогенности (до 1.8 мол % As) происходит в еще меньшем диапазоне температур. В противоположность первым двум фазам область гомогенности моносульфида галлия остается узкой (<0.08 ат.%) во всем температурном интервале. На основании экспериментов по интеркалированию и данных высокотемпературных рентгеновских экспериментов показана способность некоторых слоистых кристаллов AM,BVI и AIVB к образованию дефектов межслоевого внедрения (автоинтеркалирование), что объясняет необычную форму областей гомогенности GaSe и кристаллографически родственных соединений (GeAs2, SiAs, SiAs2).

7. Создан новый метод регулирования нестехиометрии с помощью селективных неразрушающих транспортных химических реакций (т.е. с участием ВК). Основа способа состоит во введении или удалении одного из компонентов образца при помощи селективной транспортной химической реакции, проводимой в изо- или неизотермических условиях .

8. Показано, что направление селективного массопереноса - введение или удаление из образца одного из компонентов, что необходимо для регулирования нестехиометрии в ХТР - системах, определяется только тремя параметрами: температурами (Т2, Т\), при которых находятся образец и шихта (донор или геттер химически переносимого через газ компонента), и составом шихты (jci). Транспорт прекращается при достижении стационарных состояний, причем состав регулируемого образца (х2) определяется теми же тремя параметрами (Т2, Т\, jci). Определены следующие условия, которые должны быть наложены на транспортную систему, чтобы в ней достигались стационарные состояния с нулевым массопереносом: а) соизмеримость в паре обеих молекулярных форм в уравнении (Г) (ACq, ACZ); б) отсутствие кинетических затруднений достижения равновесия; в) отсутствие в тройной системе тройных соединений и соединений транспортного агента С со вторым (нетранспортируемым) компонентом В (условие индифферентности третьего компонента по отношению ко второму); г) практически полная нерастворимость транспортного агента С в соединении АхВу, состав которого регулируется при помощи данного варианта химического транспорта; д) соединение АХВУ должно сохранять нелетучесть в условиях эксперимента.

Показано, что при соблюдении этих условий стационарное состояние без массопереноса достигается при любых начальных составах образца.

9. Предложен новый тип диаграмм, описывающих состояние ХТР -систем в стационарных состояниях без массопереноса. х2-Т2-Т\ - диаграмма показывает, как состав образца связан с температурами шихты - источника/геттера транспортируемого компонента при условии, что состав этой шихты фиксирован. Из аналитических зависимостей параметра Kphet от температуры и состава построена Т2-Т\ - проекция х2-Т2-Т1 - диаграммы неравновесной транспортной системы "Образец системы Ga-se - nAPGai+Gai3 - Шихта мсталл. Ga" Обосновывается, что определение таких диаграмм является основой для управляемого синтеза соединений с заранее заданными свойствами при помощи неразрушающего химического транспорта.

10.На примере транспортной системы "Образец систеМы Ga-Se - ПАРоа1+0а13 - Шихта металл. Ga" экспериментально доказана обратимость стационарного состояния: увеличение разности температур (AT) между зонами образца (Г2) и шихты (7^) приводит к обеднению регулируемого образца галлием, а уменьшение этой разницы вызывает обратный процесс, причем галлий транспортируется в зону с большей температурой.

11.Впервые показано, что при помощи неразрушающего химического транспорта можно, во-первых, управлять нестехиометрическим составом моноселенида галлия, и во-вторых - принадлежностью к тому или иному политипу слоистого GaSe.

12.Для осуществления управления нестехиометрией с помощью транспортной реакции типа (Г) показана необходимость соизмеримости парциальных давлений молекулярных форм ВК, участвующих в транспортной реакции -иначе регулирование массопереноса становится затруднительным. Для случая, когда эти давления (форм ACq и ACZ) сильно различаются предложен прием снижения химического потенциала транспортируемого компонента в шихте (источнике или геттере этого компонента). Экспериментально показана эффективность такого приема на примере системы "Образец системы in-s -ПАР хлориды In — ШИХТа системы Au-In •

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Завражнов, Александр Юрьевич, 2004 год

1. Raal J.D. Phase Equilibria: Measurement and Computation (Series in Chemical and Mechanical Engineering) / J.D. Raal, A.L. Muhlbauer. - Taylor & Francis Publisher, 1998.- 461 p.

2. Levinsky Y.V. P-T-X Handbook, Pressure Dependent Phase Diagrams of Binary Alloys / Y. V. Levinsky, G. Effenberg. Asm Intl Publisher, 1997. - 661 p.

3. Conk H.A.J. Phase Theory: The Thermodynamics of Heterogeneous Equilibria / H.A.J. Conk. Elsevier Science Ltd Publisher, 1983. - 550 p.

4. Walas S. M. Phase equilibria in chemical engineering / S.M. Walas. Boston: Butterworth, 1985. - 285 p.

5. Сидоров Л.Н. Молекулы, ионы и кластеры в паровой фазе / J1.H. Сидоров // Соросовский образ, журн. 2000. - Т. 6, № 11. - С. 46-51.

6. Сидоров Л.Н. Масс-спектральные термодинамические исследования / Л.Н. Сидоров, Л.В. Коробов, Л.В. Журавлева. М.: Изд-во МГУ, 1985. - 217 с.

7. Русин А.Д. Сравнение различных методов расчета равновесия А12С1б<->А1С1з по тензимтрическим данным / А.Д. Русин // Вестн. Моск. Ун-та. Сер. 2, Химия. 1998. -Т. 39, №1.- С. 25-29

8. Зломанов В.П. Р-Т-х диаграммы состояния систем металл халькоген / В.П. Зломанов. - М.: Наука, 1987.- 178 с.

9. Р-Т-Х фазовые равновесия в системе "кадмий - теллур" / Я.Х. Гринберг, В.Н. Гуськов, В.Б. Лазарев и др. // Докл. АН СССР. - 1989. - Т. 305, № 5. - С. 1152-1155.

10. Термодинамические свойства ZnAs2 / Я.Х. Гринберг, В.Н. Гуськов, В.Б. Лазарев и др. // Журн. физ. химии. 1987. - Т. 67, № 7. - С. 1931-1934.

11. Лазарев В.Б. Тензиметрическое исследование в отклонении от стехиометрии в Zn^ / В.Б. Лазарев, С.Ф. Маренкин, Я.Х. Гринберг // Неорг. материалы. 1978. - Т. 14, № 11.-С. 1961-1965.

12. Суворов А.В. Термодинамическая химия парообразного состояния / А.В. Суворов. -Л.: Химия, 1970.-208 е.

13. Гринберг Я.Х. Р-Т-Х фазовые равновесия и тензиметрическое сканирование отклонения от стехиометрии в кристаллах в полупроводниковых и оксидных системах: Дисс. д-ра хим. Наук / Я.Х. Гринберг. М., 1989. - 226 с.

14. Brebrick R.F. Partial and Total Vapor Pressures over molten Bi2Te3 / R.F. Brebrick, F.T.J. Smith // J. Electrochem. Soc. -1971. - V. 118, N 6. - P. 991-994

15. Евсеев A.M. Термодинамика и структура жидких металлических систем / A.M. Евсеев, Г.Ф. Воронин. М.: Изд-во МГУ, 1966. - 131 с.

16. Петров Д.А. Двойные и тройные системы / Д.А. Петров. М.: Металлургия, 1986.256 с.

17. Соединения переменного состава / Под ред. Б.Ф. Ормонта. Л.: Химия, 1969. - 520 с.

18. Попов А.Е. Полупроводниковые фосфиды и арсениды германия и кремния / А.Е. Попова, Е.Г. Гончаров, А.Ю. Завражнов // Неорган. Материалы. 1995. - Т. 31, № 5.- С. 579-592.

19. Donohue Р.С. Synthesis, structure and superconductivity of new high pressure phases in the system Ge-P and Ge-As / P.C. Donohue, H.S. Young // J. Solid State Chemistry. -1970. V.1,N 2. - P. 143-149

20. Raman scatterings of layered and nonlayered phases of InSe / N. Kuroda, Y. Nishina, H. Iwasaki, Y. Watanabe // Solid state Commun. 1981. - V. 38, № 2. - P. 139-142.

21. Казенас Е.К. Давление и состав пара над окислами химических элементов / Е.К. Казенас, Д.М. Чижиков. М.: Наука, 1976. - 342 с.

22. Ванюков А.В. Термическая диссоциация сульфидов металлов / А.В. Ванюков, Р.А. Исакова, В.П. Быстров. Алма-Ата: Наука, 1978. - 272 с.

23. Schafer Н. Die thermodynamische Stabilitat der seiden zwischen 2.00 und 2.50 O/Nb existierenden Phasen / H. Schafer, D. Bergner, R. Gruehn // Zeitschrifit fur anorganische und allgemine Chemie. B. 1969. - V. 365. - S. 32-50.

24. Hibst H. Die neue N^Os-Modifikationen, metastabile Oxidationsprodukte von NbOx-Phasen(2,4 <x< 2,5) / H. Hibst, R. Gruehn, D. Weitere // Z. anorg. allg. Chem. 1978. -Bd. 442. - S. 49.

25. Greenwood N.N. Chemistry of the Elements / N.N. Greenwood, A. Earnshaw. -Butterworth: UK, 1997. 367 p.

26. Лаврентьев В.И. Термодинамические характеристики окислов ниобия. Равновесие с водородом и электрохимические измерения / В.И. Лаврентьев, Я.И. Герасимов, Т.Н. Резухина // Докл. Акад. Наук СССР. 1961. - Т. 136, № 6. - С. 1372-1375

27. Новоселова А.В. Давление пара летучих халькогенидов металлов / А.В. Новоселова, А.С. Пашинкин. М.: Наука, 1977. - 112 с.

28. Maruco J.F. Electrical resistance and defect structure of stable and metastable phases of the system Nbi2029 Nb2Os between 800-1100°C / J.F. Maruco // J. Chem. Phys. - 1979. - V. 70, N 2. - P. 649-654.

29. Ария C.M. Равновесие окислов ванадия со смесями С02/С0 / С.М. Ария, М.П. Морозова // Журн. общ. химии. 1962. - Т. 32, № 7. - С. 2081-2083.

30. Nakamura R. Solid state conductivity of yttrium sulfide (Y2S3) / R. Nakamura // Нахон киндзоку гакайям=.Ыар Inst. Meta. 1983. - V. 47, № 6. - P. 490-494.

31. The electrical properties of samarium sulfide thin films / N. Imanaka, G. Adachi, H.F. Wang et.all // J. Chem. Express. 1986. - V.l, N. 7. - P. 395-398.

32. Bastoska L. The influence of the structure of molybdenum disulphide on its reactivity / L. Bastoska // Collect. Czechosl. Chem. Commun. 1987. - V. 52, N 3. - P. 678-685.

33. Wakihara M. Thermodynamic studies of the VaS^VsSg system at the temperatures from 650 to 800°C. / M. Wakihara, T. Uchida, M. Tanigushi // Met. Trans. 1978. - В 9, N 1. -P. 29-32

34. Rau H. The Chromium Sulfur system between 873 and 1364 К. / H. Rau // Less-Common Metals. - 1977. - V. 55. - P. 205-211

35. Lieth R.M.A. The P-T-X phase diagram of the system Ga-S / R.M.A. Lieth, H.J.M. Heijligers, V.d. C.W.M. Heijden // J. Electrochem. Soc. 1966. - V. 113, No 8. - P. 798801.

36. Щукарев C.A. A./ C.A. Щукарев, Г.И. Новиков, А.В. Суворов // Журн. неорг. химии. -1956. № 1, вып. 6. - С. 1948-1957.

37. Исследование нестехиометрии фаз с низкой летучестью. Область гомогенности GaSe / Д.Н. Турчен, А.Ю. Завражнов, Е.Г. Гончаров и др. // Жур. Общ. химии. 1998.- Т. 68, № 6. - С. 920-925.

38. Manometric Method for the Study of P-T-X Diagrams / A.Yu. Zavrazhnov, D.N. Turchen, Eu.G. Goncharov, V.P. Zlomanov // J. Phase Equilibria. 2001. - V. 22, N 4. - P. 482-490

39. Завражнов А.Ю. Исследование P-T-x диаграмм халькогенидов галлия при помощи вспомогательного компонента / А.Ю. Завражнов // Журн. Неорган. Химии. 2003. -Т. 48,№10.-С. 1722-1736.

40. Cardetta V.L. GaSe iodine vapor growth / V.L. Cardetta, A.M. Mancini, C. Manfredotti // J. Cryst. Growth. 1972. - V. 17. - P. 155.

41. Schafer H. Chemische Transportreaktionen (Der Transport Anorganischer Stoffe iiber die Gasphase und seine Anwendungen.) / H. Schafer. O.P.:Verlag Chemie GmbH Weinheim/Bergstr., 1964. -190 p.

42. Jaumles S. Structure de la phase ordonee du sesquiseleniure de gallium, Ga2Se3.Gh6mard G. / S. Jaumles, EJ.Flahaut //J.Acta crystallogr. 1983. - С 39, № 8. - P. 968-971

43. Betz G. Photointercalation and optical information storage using Cu^-xPSsI / G. Betz, , H. Tributsch // J. Electrochem. Soc. 1984. - V 131, N 3. - P. 640-644.

44. Gorble R.J. The leaching of copper from anilite and the prediction of a metastable copper sulfide structure / R.J. Gorble // Can Miner. 1981. - V. 019, № 4. - P. 583-592.

45. Гидротермальный синтез и выращивание монокристаллов / Отв. ред. А.Н. Лобачев. М.: Наука, 1982.-248 с.

46. Wadsten Т. / The crystal structure of orthorhombic SiP / T. Wadsten // Chem. Commun. Univers. Stockholm. 1973. - V. 4, N 7. - P. 1-4.

47. Spring Thorpe. The preparation of single crystal orthorhombic SiP2 / Thorpe Spring // Math. Res. Bull. 1969. - V. 4, N 2. - P. 125-128

48. Лодиз P. Образование монокристаллов / P. Лодиз, P. Паркер. M: Мир, 1974. - 540с.

49. Татарченко В. А. Устойчивый рост кристаллов / В.А. Татарченко. М.: Наука, 1988. -239с.

50. Современная кристаллография / А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров и др.- М.: Наука, 1980. Т. 3: Образование кристаллов. - 407с.

51. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер.- М.: Мир, 1969. 654с.

52. Diagramme de phases gallium-soufre et de etudes structurales des phases solides / M.P. Pardo, M. Guittard, A. Chioult, A. Tomas // J. Solid State Chem. 1993. - V.102, N 2. - P. 422-433.

53. Closedtube sublimation growth of Ga2Se2: solid-vapour equilibria and mass transport / A.M. Mancini, C.Manfredotti, R. Piccolo, A. RIZZO // J. Phys. Chem. Solids. 1977. - V. 38. - P. 665-670.

54. Жаров B.B. Давление диссоциативной сублимации сульфида галлия (III) / В.В. Жаров, А.Э. Мельников, А.С. Пашинкин // Изв. АН СССР Неорг. материалы. 1989. -Т. 25,№1. - С. 148-149.

55. Термодинамические свойства индивидуальных веществ / Под ред. В.П. Глушко. М. Наука, 1982. - Кн. 1, т.2. - 580 с.

56. Smoes S. Determination of the atomization energies of the molecules CSe, CSe2 by mass spectrometric Knudsen cell method / S. Smoes, J. Drowart // J. Chem. Soc. Faraday Trans.- 1977. V. 73, N 12, Part 2. - P. 1746-1745.

57. Kulkarni M.P. Dissociation of manganous sulphide at high temperatures and the study of its reaction with carbon / M.P. Kulkarni, V.V. Dadape // Indian J. Chem. 1977. - A15, N4. - P. 288-290.

58. A comment on the equilibrium of SisN4+3C = 3SiC+N2. / A. Kato, H. Mizumoto, Y. Fukushige // Cerum Int. 1984. - V. 10, N. 1. - P. 37-38

59. Термодинамический анализ процессов при выращивании кристаллов полуторного сульфида лантана стехиометрического состава / Ю.Н. Маловицкий, К.Е. Миронов, В.В. Соколов и др. // Физика и химия резкоземельных полупроводников. -Новосибирск, 1990. С. 55-60.

60. Davydov A.V. Thermodynamic Analysis of the Ga-N System / A.V. Davydov, T.J. Anderson // III-V Nitride Materials and Processes III. 1998. - V. 98-18. - P. 38.

61. Growth and properties of bulk single crystals of GaN / T. Suski Т., P. Perlin, et.all // Galium Nitride and Related Materials. First International Symposium / Ed. F.A. Ponce, R.D. Dupuis, S. Nakamura, J.A. Edmond. S.L., 1996. -P. 15-25.

62. Ильяшева H.A. /Исследования в системе Hg-Ga-S / H.A. Ильяшева, Б.Г. Ненашев, И.В. Синяков // Физико-химические исследования минералообразующих систем. -Новосибирск, 1982. С. 23-29.

63. Шульц М.М. Исследование химических потенциалов и коэффициентов активности бинарных твердых растворов методом третьего компонента / М.М. Шульц, А.В. Сторонкин, Т.П. Маркова // Журн. физ. химии. 1958. - Т. 32, № 11. - С. 2518-2524.

64. Gocken N.A. Integration of Gibbs-Duhem equation along phase boundaries in multicomponent systems / N.A. Gocken, E.T. Chang // J. Electrochem. Soc. 1972. - V. 119, N7. - P. 876-878.

65. Медведева З.С. Халькогениды элементов III Б подгруппы периодической системы / З.С. Медведева. М.: Наука, 1968. - 216 с.

66. Leith R.M.A. III VI - Compounds. - Preparation and Crystal Growth of Materials with Layered Structure / R.M.A. Leith. - Dordrecht (Holland): D. Reidel Publishing Company, 1977.-225 p.

67. Zhang Х.-С. Generation and Detection of THz EM Pulse from Dielectrics with Femtosecond Optics / X.-C. Zhang // Ultra Fast Phenomena, CCAST-WL Series 38. -O.P., 1994.-P. 89-115.

68. Соединения переменного состава / Под ред. Б.Ф. Ормонта. Л.: Химия, 1969. - 520 с.

69. Dieleman J. The phase diagram of the Ga Se system / J. Dieleman, F.H.M. Sanders // Phylips J. Res. - 1982. - V.37, N 4. - P. 204 - 229.

70. Фазовая диаграмма системы галлий-селен и спектры фотолюминесценции кристаллов GaSe / В.И. Штанов, А.А. Комов, М.Е. Тамм и др. // Докл. АН. 1998. -Т.361,№3. - С. 357-361.

71. Ansell H.G. Phase relationship in the In-S system / H.G. Ansell, R.S. Boorman // J. Electrochem. Soc. 1971. - V. 118. - P. 133-136.

72. Уэллс А. Структурная неорганическая химия: В 3 т. / А. Уэллс. М.: Мир, 1987. - Т. 3. - 564 с.

73. Hahn Н. Determination of GaS structure / H. Hahn, G. Frank // Z. Anorg. Allgem. Chem. -1955.-V. 278.-P. 340-348.

74. Kuhn A. On GaS structure / A. Kuhn, A. Chevy, R. Chevalier // Acta Crystallogr. 1976a. - B32. - P. 983-984.

75. Kuhn A. On GaSe structure / A. Kuhn, R. Chevalier, A. Rimsky // Acta Crystallogr. -1975.-В 31.-P. 2841-2842.

76. Kuhn A. X-ray investigation Ga-Se system / A. Kuhn, A. Chevy, R. Chevalier // Phys. Stat. Sol. (A). 1975. - V. 31. - P. 469-475

77. Chevy A. Large InSe Monocrystals Grown from a non-stoichiometric Melt / A. Chevy, A. Kuhn, M.S. Martin // J. of Cryst. Growth. 1977. - V.38. - P. 118-122.

78. Nagpal K.C. X-ray Crystallographic Study of Indium Monoselenide / K.C. Nagpal, S.Z. Ali // Indian J. of Pure and Applied Physics. 1976. - V. 14. - P. 434-440.

79. Terhell J.C.J.M. Structures and compounds in the system Ga,.xSex / J.C.J.M. Terhell, R.M.A. Lieth // Phys. status solidi (a). 1972. - N 10. - P.529-535.

80. Suzuki H. Phase study on binary system Ga-Se / H. Suzuki, R. Mori // Jap. J. of Appl. Phys. 1974. - V.13, N 3. - P. 417-423.

81. Terhell J.C.J.M. Polythypism in the III-VI layer compounds / J.C.J.M. Terhell J.C.J.M. // Prog. Cryst.Growth and Charact. 1983. - V. 7. - P. 55-110.

82. Ollitrault-Fichet R. Le systeme Ga-Se et les seleniures gallium / R. Ollitrault, Rivet J. Fechaut // J. Solid state chem. 1980. - V. 33, N 1. - P. 49-61.

83. Terhell J.C.J.M. New polytypes in vapour GaSe / J.C.J.M. Terhell, R.M.A. Lieth, Van der Vleuten // Mater. ,res. bull. 1975. - N 10. - P. 577-582.

84. Mooser E. A new growth mechanism in layer structures / E. Mooser, M. Schluter, R.M.A. Leith // J. Cryst. Growth. 1972. - V. 16. - P. 62.

85. Mancini A.M. Determination and supersaturation conditions in the GaSe iodine growth by eth-pit examination / A.M. Mancini, A. Rizzo, E. Scandale // J. of Cryst. Growth. 1975. -V. 29.-P. 373.

86. Ishii T. GaSe single crystal growth by iodine vapour transport / T. Ishii, N. Kambe // J. Cryst. Growth. 1986. - V. 76. - P. 489.

87. Convergent-Beam Electron Diffraction Analysis of GaSe Crystal Grown from Melt by Different Doping Elements / C. Blasi, A.M. Mancini, D. Manno D. Et all // Nuovo Cimento. 1986. - V. 13D, N 2. - P. 233-245.

88. Dialocations in AnlBvl single crystals / A. Rizzo, C. Blasi, M. Catalano et all. // Phys. Stat. Sol. (A). 1988. - V. 105. - P. 101-112.

89. Williams R.H. The identification of non basal dislocations in GaSe by etch pit technique / R.H. Williams // J. of mater sci. - 1978. - N 13. - P. 2394-2402.

90. Whitehouse C.R. Structural studies of compounds in the series GaSxSei.x, grown by iodine vapor transport / C.R. Whitehouse, A.A. Balchin // J. of Mater. Sci. 1978. - V.13. - P. 2394-2402.

91. Machines A.N. Chemical vapor deposition of gallium sulfide: phase control by molecular design / A.N. Maclnnes, M.B. Power, A.R. Barron // Chem. Mater. 1993. - V.5. - P. 1344.

92. Stoll S.L. Chemical vapor deposition of gallium and indium selenide nano-particles / S.L. Stoll, E.G. Gillan, A. R. Barron // Chem. Vapor Deposition. 1996. - V. 2. - P. 182.

93. Gillan E.G. Chemical vapor deposition of hexagonal gallium selenide and telluride thin films from cubane precursors / E.G. Gillan, A.R. Barron // Chem. Mater. 1997. - V.9. - P. 3037.

94. Indium tert-butylthiolates as single source precursors for indium (II) sulfide thin films: Is molecular design enough? / A.N. Maclnnes, M.B. Power, A.F. Hepp, A.R. Barron // J. Organomet. Chem. 1993. - V. 449. - P. 95.

95. GaSe nanotubes / M. Cote, M.L. Cohen, J.D. Chadi // Phys. Rev. B. Rapid Communication. 1998. - V. 58. - R4277.

96. Otero-Dias L.S. А ТЕМ and XRD Study of (BiS),+s(Nbi+eS2)n Misfit Layer Structures / L.C. Otero-Dias, R.L. Withers, A. Games-Herrero // J. Of Solid State Chem. 1995. - V. 115.-P. 274-282.

97. Федоров П.И. Индий / П.И. Федоров, Р.Х. Акчурин. М.: Наука, 2000. - 276 с.

98. Уэллс А. Структурная неорганическая химия: В 3 т. / А. Уэллс. М.: Мир, 1987. - Т. 2. - 696 с.

99. Wadsten Т. X-ray powder patterns of binary compounds of silicon or germanium with phosphorus or arsenic and gallium telluride / T. Wadsten // Chem. Commun. Univ. Stockholm. 1975.-N10. - P. 14-18.

100. Гончаров Е.Г., Попов A.E., Завражнов А.Ю. / Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия // Неорг. материалы. 1995. - Т. 31, №5. - С. 579-591.

101. Hulliger F. Electrical properties of anomalously composed daltonides / F. Hulliger, E. Mooser // J. Phys. Chem. Solids. 1963. - V. 24, N 1. - P. 283 - 295.

102. Исследование валентных полос фосфидов кремния, германия и олова рентгеноспектральным методом / Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, Я.А. Угай Я.А. и др. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1974. - Т .38, № 3. - С. 562-566.

103. Горюнова Н.А. Химия алмазоподобных полупроводников / Н.А. Горюнова. М.: Сов. радио, 1968.-258 с.

104. Peressi М. Structural and electronic properties of Ga2Se3 / M. Peressi, Baldereschi A. Ill J. Appl. Phys. 1998. - V. 83. - P. 3092.

105. Newman P.C. Crystal structures of adamantine compounds / P.C. Newman // J. Phys. Chem. Solids. 1963. - V. 24. - P. 45-50.

106. Newman P.C. Ordering in A2"'B3V1 compounds / P.C. Newman // J. Phys. Chem. Solids. -1962.-V. 23. -P. 19-23.

107. Manolikas S. Electron Microscopic Study of the Ordered and Disordered Phases in Ga2Se3 / S. Manolikas // J. Phys. Stat. Sol. (A). 1982. - V. 69, N 1. - P.393-405.

108. Lubbers D. The Crystal Structure of f}-Ga2Se3 / D. Lubbers, V. Leute // J. of Sol. State Chem. 1982. - V. 43, N 3. - P. 339-345.

109. Khan M.Y. X-ray fluorescence analysis of Ga2Se3 and x-ray study of f}-Ga2Se3 / M.Y. Khan//Indian J. Phys. 1994. - V. 68A, N 2. - P. 159-172.

110. Tomas A. Determination des structures des forms a et p de Ga2S3 / A. Tomas, M. Pordo, M. Guittard // Mater Res. Bui. 1987. - V. 22, n° 11. - P. 1549-1554.

111. Mise en evidence d'une solution de type spinelle dans le diagramme de phase du systeme In-S / A. Likforman, M. Guittard, A. Tomas A. Et all.// J. of Sol. State Chem. 1980. -V.34.-P. 353-359.

112. Ionic and electronic transport in In2S3 studied via perturbed angular correlation spectroscopy / M. Uhrmacher, L. Aldon, P. Schaaf P. Et all. // Hyperfine Interactions. -1999. V. 120/121/. - P. 371-375.

113. Duffin W.J. Crystalline Phasesin the System In2S3 / W.J. Duffin, J.H.C. Hogg // Acta Cryst. 1966. - V.20. - P. 566.

114. Jellinek F. Zur Polytype des GaSe / F. Jellinek, H. Hakn // Z. Naturforsch. 1961. - N 16B. -P. 713.

115. Комов А.А. Фазовая диаграмма системы галлий-селен / А.А. Комов // 5-ая республиканская конференция молодых ученых-химиков: Тез. докл. Таллинн, 1983. -С. 233.

116. Высокотемпературный структурный фазовый переход в монокристаллах GaSe / А.И. Балицкий, С.А. Крочук, И.М. Стахира И.М. и др. // Физика твердого тела. 1982. -Т.24, №1. - С.76-78.

117. Влияние изотермического отжига на спектры люминисценции монокристаллов GaSe / Ю.П. Гнатенко, П.А. Скубенко, З.Д. Ковалюк и др. // Физика и техника полупроводников. 1984. - Т. 18, № 7. - С. 1300-1303.

118. Алекперов 0.3. Влияние вакансий серы на фотопроводимость моносульфида галлия в УФ- области спектра / О.З. Алекперов, М.З. Забарлиев // Неорг. материалы. 1998. -Т. 34,№ 10.-С. 1163-1167.

119. Область гомогенности и электрофизические свойства диарсенида германия / Я.А. Угай, А.Е. Попов, С.П. Евсеева и др. // Журн. неорг. хим. 1985. - Т. 30, № 10. - С. 2084.

120. Влияние термообработки на электрофизические свойства GeAs2 / Я.А. Угай, А.Е. Попов, Е.Г. Гончаров и др. // Неорг. материалы. 1987. - № 5. - С. 727-730.

121. Р-Т-Х диаграмма диарсенида кремния / А.Е. Попов, А.Ю. Завражнов Е.М. Авербах и др. // Неорг. материалы. - 1993. - № 11. - С. 1458-1461.

122. Завражнов А.Ю. Газотранспортный синтез и физико-химическая природа промежуточных фаз в системе кремний-мышьяк: Дис. . канд. хим.наук / А.Ю. Завражнов. Воронеж, 1989. - 169 с.

123. Завражнов А.Ю. Р-Т-Х диаграмма системы Ge-As вблизи диарсенида германия / А.Ю. Завражнов, Д.Н. Турчен, Е.Г. Гончаров // Неорг. материалы. - 1998. - Т. 29, № 7. - С. 775-780.

124. The vapor pressure over Ga2S2 and Ga2Se2 / V. Piacente, G. Bardi, V. Di Paolo et all. // J. Chem. Thermodinam. 1976. - N 8. - P. 391-401.

125. Kashkooli I.Y. The dissosisiation energy and pressure of Gallium sesquisulfide / I.V. Kashkooli, Z.A. Munir // High temp. sci. 1972. - N 4. - P. 82-88.

126. Ohuchi F.S. Thin Film Growth of Ga-Se Compound Semiconductors, Trends in Vacuum / F. S. Ohuchi // Science and Technology. 1999. - V. 3. - P. 85-101.

127. Growth and Characterization of Ga2Se3/GaAs (100) Epitaxial Thin Films / K. Ueno, M. Katayama, Z.R. Dai et all. // J. of Crystal Growth. 1999. - V.207. - P.69-76.

128. Microstructure Evolution of GaSe Thin Films Grown on GaAs (100) by Molecular Beam Epitaxy / Z.R. Dai, S.R. Chegwidden, L.E. Rumaner et all. // J. Appl. Phys. 1999. - V. 85,N5.-P. 3603.

129. Ohuchi F.S. and Olmstead M.A. / Thin Film Growth of III-VI Command Semiconductors / F.S. Ohuchi, M.A. Olmstead. NY., 1999. - Chapter for Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering.

130. Dai Z.R. Vacancy Ordering of Ga2Se3 at GaSe/GaAs(100) Interface / Z.R. Dai, F.S. Ohuchi // Appl. Phys. Lett. 1998. - V. 73, N 7. - P. 966-968.

131. Rumaner L.E. Heterostructures with Large Lattice Mismatch: Interaction of GaSe with GaAs(lll) / L.E. Rumaner, M. Olmstead, F.S. Ohuchi // J. Vac. Sci. Technol. 1998. - V. В 16, N 3. - P. 977-989.

132. Qian Z. Vacancy Mediated Growth of Ga2Se3 Thin Films / Z. Qian, Z. Dai, F. S. Ohuchi //Abstract for 1999 American Vacuum Society National Symposium, USA. Seattle, 1999. - P.34.

133. Vacuum sublimation of GaSe: a molecular source for deposition of GaSe / A. Ludviksson, L.E. Rumaner, J.W. Rogers, F.S. Ohuchi // J. Cryst. Growth. 1995. - V. 151, N 1 - 2. - P. 114-120.

134. Bashenov V.K. Band structure of layer gallium selenide / V.K. Bashenov, S.A. Garyanov, D.I. Marvakov // Phys. Status Solidi (B). 1977. - V. 82, N 2. - K95-K97.

135. Физические величины: Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. - 1231 с.

136. Chei Т. Electrical properties of GaSe / Т. Chei, H. Chihiro, Т. Hiroshi // Jap. J. of Appl. Phys. -1971. V. 10, N 12. - P. 1689-1703.

137. Augelli A. Resistivity anysotropy in p-type GaSe / A. Augelli, C. Manfredotti, R. Murri // Nuovo Cimeoto. 1978. - V.47, N 1. - P.101-114.

138. Hoff R.M. Raman scattering in GaSe / R.M. Hoff, J.C. Irwin // Can. J.Phys. 1975. - V. 53. -P. 1606-1614.

139. Гейко П.П. Сравнительный эксперимент по удвоению частоты мини-TEA СО2-лазеров в кристаллах ZnGeP2, AgGaSe2 и GaSe / П.П. Гейко, Ю.М. Андреев // Оптика атмосферы и океана. 2000. - Т. 13, № 12. - С. 1146-1149.

140. Горобец В.А. Исследование нелинейно-оптических характеристик ИК кристаллов, используемых для преобразования частоты излучения TEA СОг-лазера / В.А. Горобец, В.О. Петухов // Оптич: журн. 1999. - Т. 66, № 1. - С. 22-25.

141. Auerhammer J.M. Frequency doubling of mid-infrared radiation in gallium selenide / J.M. Auerhammer,, E. R. Eliel // J. Optics Letters. 1996. - V. 21. - P. 773.

142. Zhang X.-C. Free-Exciton Confinement by Layer Stacking Faults in GaSe: Evidence from Time-Resolved Spectroscopy / X.-C. Zhang, M. Gal, A.V. Nurmikko // Phys. Rev. 1984. -B30.-P. 6214.

143. Любченко B.E. Полупроводниковые приборы в устройствах терагерцевого диапазона / В.Е. Любченко // Радиотехника. 2002. - № 8. - С. 448-452.

144. Photoluminescence frequency up-conversion in GaSe single crystals as studied by confocal microscopy / Y. Fan, M. Bauer, L. Kador et all. // J. of Appl. Phys. 2002. - V. 91,N3.-P. 1081-1086.

145. How many-particle interactions develop after ultrafast excitation of an electron- hole plasma / R. Huber, F. Tauser, A. Brodschelm et all. // Nature. 2001. - V. 414, N 15. - P. 286-289.

146. Гершензон E. M. Субмиллиметровая спектроскопия / E.M. Гершензон // Соросовский образ, журн. Сер. Физика. год. - Т., №.- С.

147. Tunable and coherent nanosecond radiation in the range of 2.7-28.7 pm based on difference-frequency generation in gallium selenide / W. Shi, Y.J. Ding, X. Mu, N. Fernelius // J. Appl. Phys. Lett. 2002. - V. 80, N 21. - P. 3889-3891.

148. Ding Y.J. Optoelectronic Devices and Nonlinear Optics / Y.J. Ding // J. Reflections (Newsletter of the Department of Physics, University of Arkansas). 2000. - V. VIII, N 1. -P.l.

149. Преобразование частоты вверх в кристаллах типа CdxHgixGa2S4 / С.А. Андреев, Н.П. Андреева, В.В. Бадиков и др. // Конференция по нелинейной оптике(КиНО): Тез. докл. Киев, 1980. - Ч. 1. - С. 60-61.

150. Влох О.Г. Влияние оптической активности на абсорбционные свойства кристаллов AgGai.xInxS2 / О.Г. Влох, В.А. Грабовский, И.М. Некрасова // Физика тверд. Тела. -1985. Т. 27, № 5. - С.1300-1306.

151. Measurements of benzene concentration by difference-frequency laser absorption spectroscopy / W. Chen, F. Cazier, F. Tittel et all. // Applied Optics. 2000. - V. 39, N. 33.- P. 6239-6242.

152. Catalano I.M. Direct and indirect multiphoton transitions in GaS / I.M. Catalano, A. Cingolani, M. Lepore // Solid State Commun. 1985. - V. 54, № 1. - P. 87-89.

153. Qasrawi A. F. Carrier Transport Properties of InS Single Crystals / A.F. Qasrawi, N.M. Gasanly // Cryst. Res. Technol. 2002. - V. 37. - P. 1104.

154. Anharmonicity in G.aTe layered crystals / A. Ayddinli, N.M. Gasanly, A. Uka et all. // J.Cryst. Res. Technol. 2002. - V. 37, N 12. - P.1303-1309.

155. Chemical Rubber Company handbook of chemistry and physics / Ed. by D.R. Lide . Boca Raton: CRC Press, Florida, USA, 1996. - 757 p.

156. Рабинович B.A. Краткий химический справочник / B.A. Рабинович, З.А. Хавин. Л.: Химия, 1977ю - 376 с.

157. Некрасов Б.В. Основы общей химии: В 2 т. / Б.В. Некрасов. М.: Химия, 1973. - Т. 2.- 688 с.

158. Поляченок О.Г. Об устойчивости парообразных хлоридов галлия / О.Г. Поляченок, О.Н. Комшилова// Вести АН БССР. Сер. физ. энерг. наук. - 1971. - №3. - С. 98-102.

159. Yasuo К. Studies on the vapor phase reaction in the system Ga-Cl2 / K. Yasuo, H. Masahiro, S.Usami // Denki Kagaku. 1975. - V. 3, N 7. - P. 372-278.

160. Yasuo K. Vapor phase equilibria in the system In-InCb, and Ga- GaCb / K. Yasuo, H. Masahiro // J. Cryst. Growth. 1975. - V. 28. - P. 385-391.

161. Ait-Hou A. Mass-spectrometric study of gaseous (Gallium+Chlorine). Molar enthalpies of formation of Ga2Cl4 and Ga2Cl2 / A. Ait-Hou, R. Hillel, C. Chatillon // J. Chem. Thermodyn. 1988. - V. 20. - P. 993-1008.

162. Кулюкин B.H. Диаграмма фазовых превращений системы галлий-иод / В.Н. Кулюкин, B.C. Петров // Изв. СО АН СССР. 1967. - № 4. - С. 162-164.

163. Кулюкин В.Н. Исследование условий существования субиодидов и суббромидов галлия в газообразном состоянии / В.Н. Кулюкин, B.C. Петров // Изв. СО АН СССР. -1970,-№2.-С. 29-33.

164. Файнер Н.И. Давление насыщенного пара трийодида галлия в интервале температур 150-200° С / Н.И. Файнер, Ю.М. Румянцев // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. -1977. Т. 14, вып. 6. - С. 83-84.

165. Лидин Р.А. Справочник по неорганической химии / Р.А. Лидин, Л.Л. Андреева, В.А. Молочко. М.: Химия, 1987. - 320 с.

166. Kuniya Y. Studies of the Vapor Phase reaction in the system Ga-I2 / Y. Kuniya, T. Chino // Denki Kagaku (Technical Paper, Tokyo, Japan). 1972. - V. 40, N. 12. - P. 858.

167. Lane S. Low-pressure photochemical vapour deposition of gallium metal from an iodide precursor / S. Lane, M. Green // J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1991. - V.87, N.7. - P. 995.

168. Блешинский C.B. Химия индия / C.B. Блешинский, В.Ф. Абрамова. Фрунзе: Изд-во АН КиргССР, 1954. - 372 с.

169. Щека И.А. Галогениды индия и их координационные соединения / И.А. Щека, З.А. Щека. Киев: Наук, думка, 1981. - 300 с.

170. Федоров П.И. Химия галлия, индия и таллия / П.И. Федоров, М.В. Мохосоев, Ф.П. Алексеев. Новосибирск: Наука, 1977. - 224 с.

171. Срывцев В.А. л./ В.А. Срывцев // Изв. СО АН СССР. 1973. - №14/6. - С. 63 - 70.

172. Свойства элементов: Справочник / Под ред. М.Е. Дрица. М.: Металлургия, 1985. -672 с.

173. Kuniya Y. Studies on the vapor Phase Reactions in the System In-Cb / Y. Kuniya, S. Hosoda, M. Hosaka // Denki Kagaku, Technical paper, Japan. 1974. - V. 42, N 1. - P. 20 -25.

174. Свойства неорганических соединений: Справочник / А.И. Ефимов, Л.П. Белорукова, И.В. Василькова и др. Л.: Химия, 1983. - 392 с.

175. Бронников А.Д л / А.Д. Бронников, И.И. Василевская, Л.А. Нисельсон // Изв. АН СССР. Металлы. 1974. - № 4. - С. 54 - 57.

176. Hosoda Y. High Temperature Spectroscopic Studies in Visible and near Ultraviolet Regions on the Vapor Phase Reactions in the System In-Ch / Y. Hosoda, M. Hosaka // Denki Kagaku, Technical paper, Japan. 1973. - V. 41, N 8. - P. 616-621.

177. Егоров Л.П. A./ Л.П. Егоров, А.И.Беляев // Изв.вузов. Цв. Металлургия. 1967. - № 1. -С. 80-83.

178. Intra- and intermolecular corellations in liquid Selenim halogen system / К. Maruyama, Y. Kawakita, M. Yao et all. // J. Phys Soc. Jap.-1991. - V.60, N 9. - P. 3032-3044.

179. Нисельсон Л.А. Исследование системы сера-хлор / Л.А. Нисельсон, Т.Д. Соколова, С.И. Соловьев // Журн. неорг. Химии. 1980. - Т. 25, №2. - С. 520-526.

180. Niemyski Т. The growth of rutile (ТЮ2) single crystals by chemical transport with ТеСЦ / T. Niemyski, W. Pickaczuk // J. Crystal Growth. 1967. - V. 1, № 4. - P. 177-182.

181. Knipper R. Phasenbezieheungen und intermediare Verbindungen in Systemen GaX3-Ga2S3 und InX3-In2S3(X=Cl, Br, I) / R. Knipper, A. Wilms, H. Beister // Z. Naturforsch. 1981. В 36,N2.-P. 1520-1525.

182. Русин А.Д. Статистический метод исследования сложных равновесий в условиях температурного градиента / А.Д. Русин // Вестн. МГУ. Сер. Химия. 1976. - №1. - С. 32-36.

183. Синтез и физико-химическое исследование промежуточных фаз в системе CuS-TiS2 / А.Т. Фалькенгоф, B.C. Первое, А.Ю. Завражнов и др. // Журн. неорг. химии. 1989. -Т. 34, № 1.-С. 12-15.

184. Poulter К. An interometrik oil mikromanometer / К. Poulter, P. Nash // J. Phys. 1979. -E 12,№ 10.-P. 931-936.

185. Несмеянов A.H. Давление пара химических элементов / А.Н. Несмеянов. М: Изд-во АН СССР, 1961.-396 с.

186. Гончаров Е.Г. Фазовые равновесия и физико-химическая природа полупроводниковых фаз в системах A(IV)B(V): Дисс. д-ра хим. наук / Е.Г. Гончаров. -Воронеж, 1989.-411 с.

187. Seneson M.T.D. Integrated Silicon Pressure Sensor On-chip Signal Conditioned, Temperature Compensated and Calibrated. MPX5050 Series / M.T.D. Seneson // Senseon and X-ducer are trademarks of Motorola. S.L., 1997. - Rev. 3. - P. 1-9.

188. Seneson M.T.D. Integrated Silicon Pressure Sensor On-chip Signal Conditioned, Temperature Compensated and Calibrated. MPX4115 Series / M.T.D. Seneson // Senseon and X-ducer are trademarks of Motorola. S.L., 1997. - Rev. 3. - P. 1-6.

189. Seneson M.T.D. Integrated Silicon Pressure Sensor On-chip Signal Conditioned, Temperature Compensated and Calibrated. MPX5700 Series / M.T.D. Seneson // Senseon and X-ducer are trademarks of Motorola. O.P., 1997. - Rev. 2. - P. 1-7.

190. Я.Х. Гринберг л /Я.Х. Гринберг, В.А. Бояркова, В.Ф. Шевельков и др. // Неорг. материалы. 1973. - Т. 8, № 1. - С .67-68.

191. Сандулова А.В.А/ А.В. Сандулова, В.А. Воронин В.А. Прохоров // Журн. физ. химии. 1971. - Т. 45, № 9. - С. 2165-2168.

192. Cardner P.J. The thermodynamics of the vaporization of liquid indium (I) iodide by modified entrainment / P.J. Gardner, S.R. Preston // Can. J. Chem. 1992. - V. 70, N 11. -P. 2699-2703.

193. Mellor J.W. A comprehensive treatise on inorganic and theoretical chemistry / J.W. Mtllor.- Longmans, London: UK, 1922. V. 1. - 650 p.

194. Некрасов Б.В. Основы общей химии: В 2 т. / Б.В. Некрасов. М.: Химия, 1973. - Т. 1.- 656 с.

195. Определение давления пара жидкого металлического галлия / Г. Матерн, Ю.А. Сапожников, С. Харджосунанто и др. // Изв. АН СССР. Сер. Металлы. 1969. - № 3. -С. 210.

196. Barin 1. Thermochemical properties of inorganical substances / I. Barin, O. Knacke, O. Kubashewsky. Berlin: Springer Verlag, 1972. - 455 p.

197. Глушко А.Г. Термические константы веществ / А.Г. Глушко. М.: ВИНИТИ, 1971. -332 с. - (Итоги науи и техники / ВИНИТИ; Вып. 5).

198. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник. М.: Наука, 1979.-340 с.

199. Васильев М.В. К вопросу о ретроградной растворимости / М.В. Васильев // Журн. физ. химии. 1979. - Т. 53, №8. - С. 1940 - 1942.

200. Глазов В.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия / В.Б. Глазов, JI.M. Павлова. М.: Металлургия, 1988, 560 с.

201. Глазов В.М. Физико-химические основы легирования полупроводников / В.М. Глазов, B.C. Земсков. М.: Наука. - 1967. - 372 с.

202. Глазов В.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия / В.М. Глазов, J1.M. Павлова. М.: Металлургия, 1981. - 336 с.

203. Oonk H.A.J. Phase theory. The thermodynamics of heterogeneous equilibria. Studies in modern thermodynamics, 3 / H.A.J. Oonk. Amsterdam; Oxford; N.Y.: Elservier Scientific publishing company, 1986, 320 p (Гл.).

204. Gocken N.A. Retrograde solubility in binary systems / N.A. Gocken // Scripta metallurgia.- 1980.-V. 14-P. 1185-1187.

205. Meijering J.L. Thermodynamic analysis and sysnthesis of phase diagrams / J.L. Meijering // Physica, B. 1981. - V. 103. - P. 123-130.

206. Rao J.K. Thermodynamics of phase diagrams / J. K. Rao // Phase diagrams. Matrials science and technology. N.Y.; London, 1970. - V. 1. - P. 1-43

207. Киргинцев A.H. Об одном способе определения ретроградной растворимости твердых растворов / А.Н. Киргинцев // Изв. АН СССР. Сер. хим. 1971. - № 6. - С. 1313-1314.

208. Киргинцев А.Н. Определение линий ликвидуса в системах KCl-SrCl2, RbCl-SrCh и CsCl-RbCb направленной кристаллизацией / А.Н. Киргинцев, В.А. Исаенко, В.И. Косяков // Изв. АН СССР. Сер. хим. 1970. - № 2. - С. 439-441.

209. Глазов В.М. Термодинамический анализ ретроградного солидуса в системах кремний донор, кремний - акцептор / В.М. Глазов, Л.И. Переделий // Термодинамика и материаловедение полупроводников: 3 Всесоюз. конф: (тез. докл.). -М., 1986.-Т. 1.-С. 269.

210. Глазов В.М. Об энтропия плавления простых веществ в связи с периодическим законом Д.И. Менделеева / В.М. Глазов // Журн. физ. химии. 1972. - Т. 48, № 2. - С. 464-466.

211. Bryden J.H. The crystal structures of Germanium-Arsenic compounds / J.H. Bryden // J. ActaCryst. 1962.-V. 15.N1.-P. 167-171.

212. Wadsten T. The crystal structures of SiP2, SiAs2 and GeP / T. Wadsten // Acta Chem. Scand. 1969, - V. 12, N 2. - P. 593-594.

213. Механизм электропроводности дисилицидов переходных металлов при низких температурах / В.З. Анохин, Л.А. Малевская, А.Ю. Завражнов и др. // Докл. АН СССР. 1991. - Т. 19, № 1. - С. 170-173.

214. Лукьянкж В.К. Внедрение цинка и лития в автоинтеркалированный 2 Н Nb|+ySe2 /

215. B.К. Лукьянюк, М.В. Товарницкий, З.Д. Ковалюк // Неорг. материалы. 1989. - Т. 25, N2. - С. 228 - 232.

216. Roulex J. Intercalated layered materials / J. Roulex. Dordrecht (Holland), 1979. - V.6. -201 p.

217. Электронные состония примесей, локализованных в Ван-дер-Ваальсовых щелях слоистых кристаллов Cdl / И.М. Болеста, И.В. Китык, В.И. Ковалиско и др. // Неорг. материалы. 1996. - Т. 32, № 10. - С. 1261 - 1264.

218. A structural investigation of Ago.i67TiS2 by time-offlight neutron diffraction / G.L. Burr, V.G. Young, M.J. McKelvy et al. // J. Solid State Chem. 1990. - V. 84, N 2. - P. 355-364.

219. Structures of Ago.6NbSe2 / A. Lee, G.A. van der Wiegrs, R.G. Haage et al. // Acta Cryst. C. 1990. - V. 46, N 6. - P. 976-979.

220. Рентгенографическое исследование слоистого полупроводника Ge3+xBi2Te6- / О.Г. Карпинский, Л.Е. Шелимова, М.А. Кретова и др.// Неорг. материалы. 1994. - Т. 30, № 12.-С. 1510-1515.

221. Термоэлектрические свойства слоистого соединения GeBi4Te7, легированного медью / Л.Е. Шелимова, О.Г. Карпинский, В.П. Константинов и др. // Неорг. материалы. -2002. Т. 38, № 8. - С. 947-952.

222. Рао Н.Р. Новые направления в химии твердого тела / Н.Р. Рао, Дж. Гопалакришнан.-Новосибирск: Наука, 1990. 520с.

223. Первое B.C. Некоторые проблемы синтеза слоистых интеркалатов / B.C. Первое. -М.: Наука, 1996,- 221 с.

224. Беленький Г.Л. Тепловое расширение слоистых кристаллов. Модель Лившица / Г.Л. Беленький, Р.А. Сулейманов, Н.А. Абдулаев // Физика тв. тела. 1984. - Т. 26, № 12.1. C. 3560 3566.

225. Логвиненко А.А. Особенности взаимодействия атомов в слоистых кристаллах / А.А. Логвиненко, И.Н. Спитковский, И.М. Страхира // Физика тв. тела. 1974. - Т. 16, № 9. - С. 2743 - 2745.

226. Лебедев Ю.М. Расширение кристаллической решетки углеродных материалов под влиянием тепла / Ю.М. Лебедев, Е.С. Шмекова, В.Г. Нагорный // Химия тв. тела.1980.-№ 1.-С. 120- 125.

227. Тепловое расширение T1S / М.М. Курбанов, Э.М. Годжиев, Л.А. Гулиев и др. // Физика тв. тела. 1982. - Т.24, № 1. - С. 274 - 276.

228. Gautheier S. Thermal expansion of a-Hgl / S. Gauthtier, I. Nicolan // J.Appl. Phys. 1982. - V. 15, N 4. - P. 461-462.

229. Belenkii G. The nature of negative linear expansion in layer crystals C, BN, GaSe, InSe / G. Belenkii, E. Salayev, R.A. Sullimanov // Solid State Commun. 1985. -V. 53, N 11. - P. 967-971.

230. Kelly B.T. Theory of thermal expansion of a graphyte crystal in the semi-continium model / B.T. Kelly, P.L. Wakker // J. of Carbon. 1970. - V. 8, N 2. - P. 211-226.

231. Kellet E.A. Absolute measurement of the coefficient of thermal expansion of pirolytic graphite from room temperature to 1200 К and the comparison with current theory / E.A. Kellet // J. High Temp. High Press. 1977. - V. 9, N 2. - P. 211-229.

232. Берча Д.М. Изучение внедрения примерей по анизотропии физических свойств легированных кристаллов BiSel. / Д.М. Берча, М.П. Заячковский, Н.Ф. Заячковская // Неорг. материалы. 1974. - Т. 10, №3. - С. 557-558.

233. Химия и периодическая таблица / К. Сайто, С Хаякава, Ф. Такеи, X. Ямадера; Под ред. К. Сайто: Пер с японск. М.: Мир, 1982. - 320 с.

234. Виды применения интеркалированных соединений / Пер ст. М.С. Виттинген, Б.В. Лоуренс. М.: ГПНТБ, 1974. -240 с. - (Intercalated layred compounds. - 1973. - Пер. 40-12329.- 40 е.).

235. Muller A. Supramolecular inorganic chemisty: small guest in a big or small hostess / A. Muller, H. Reuter, S. Dillinger // Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1995. - P. 2328.

236. Oxidizing Intercalation Of Layered Structures / A.Yu. Zavrazhnov, V. Semenov, D. Turchen et al. // Journal of Materials Technology. 2000. - V. 15, N 2. - P. 155-160.

237. Завражнов А.Ю. Окислительное внедрение в структуры типа GaSe / А.Ю. Завражнов, Д.Н. Турчен // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. - Т. 1, № 2. -С. 190-196.

238. Исследование микроструктуры монокристаллов моноселенидов индия и галлия / А.Е. Попов, В.Н. Семенов, Е.М. Авербах и др. // Неорг. материалы. 1996. - Т. 32, №6. - С. 664-666.

239. О возможности внедрения молекул некоторых органических соединений в GaSe и InSe / А.Ю. Завражнов, О.В. Некрасов, А.Т. Фалькенгоф и др. // Неорг. материалы -1994. Т. 30, № 8. - С. 1030-1033.

240. Окислительное внедрение HNO3 в GaSe и InSe / О.В. Некрасов, А.Т. Фалькенгоф, А.Ю. Завражнов и др. // Неорг. материалы. 1994. - Т.30, № 6. - С. 737-740.

241. The characteriasion of VSe2: a study of thermal expansion // J Phys. C.: Solid state phys.1981.-V. 14,N29.-P. 4225-4435.

242. Simpson A.M. Elasticity and thermal expansion of 2#-TaSe2 / A.M. Simpson, M.H. Jericho, F.J. Di Salvo //Solid State Communication. 1982. - V. 44, N 12. - P. 1543-1544.

243. Термодинамическая стабильность и структурные переходы в фазах переменного состава системы Ga-Nb(Ta)-Se / А.Ю. Завражнов, B.C. Первое B.C., В.В. Волков и др. // Неорг. материалы. 1999. - Т. 35, № 4. - С. 416-420.

244. Фазовые равновесия в системе Ta-Se и оценка области гомогенности TaSe2 / А.Ю. Завражнов, Д.Н. Турчен, Е.И. Завалишин и др. // Журн. Общ. Химии. 1999. - Т. 69, № 1.-С. 3-6.

245. Твердофазное взаимодействие в тонких пленках системы CdS-Bi2S3 / А.Ю. Завражнов, В.Н. Семенов, О.В. Остапенко О.В. и др. // Неорг. материалы 2000. - Т. 36, № 12. - С.1424-1427.

246. Lenz R. G. Developments in Measuring and Calculating Chemical Transport Phenomena Demonstrated on Cr, Mo, W and their Compounds / G.R. Lenz // Chem. Rev. 1997. - N 97. - 2967.

247. Trifonora E.E. Application of the iodine synthesis to the preparation of indium arsenide bulk crystals and epitaxial layers / E.E. Trifonora, L. Karagiozov, L. Hitova // Cryst. Res. and Technol. 1983.-V. 18.-P. 1341-1346.

248. Wehmeier F.H. The growth of cadmium chromium selenide by chemical transport with cadmium chloride and the behavior of cadmium chromium selenide at elevated temperatures / F.H. Wehmeier // J. Crystal Growth. 1969. - N. 5. - P. 26-28.

249. Mong S. Crystal growth of some intermediate titanium oxiden phases v-Ti305, |3-Т1з05, Ti407 and Ti203 by chemical transport reactions / S. Mong, О. Ну // Acta chem. Scand. -1982.-V. A36.-P. 207-217.

250. Levy F. Single crystals of transition metal trichalcogenides / F. Levy, H. Berger // J. Cryst. Growth. 1983.-N 61. - P. 61-68.

251. Gibart P. Preraration de monocristaux de tellurures de cobalt/ P. Gibart, C. Vacherand // J. Crystal Growth. 1969. - N. 5. - P. 111-114.

252. Growth and characterization of low resistive CdSiAs2 singe crystals / M.H. Kimmel, M.-Ch. Lux-Steiner, M. Pbergfell, E. Bucher // VIII. Jnt. Conf. Solid Compounds Transit. Elem vinna Apn., 9-13, 1985: Extended Absbr. Vienna, 1985. - PUA (2); P4A (2)3.

253. Панкратова О.Ю. Моноселенид титана переменного состава / О.Ю. Панкратова, Р.А. Звинчук // Журн. неорг. химии. 1997. - Т. 42, № . - С. 1269-1273.

254. Structural characterization and superconductivity in the misfit layer compound (LaSe)M4NbSe2 / A. Nader, A. Lafond, A. Briggs A. et al. // Synth. Metals. 1998. - V. 97.-P. 147-150.

255. Получение арсенидов кремния методом химических транспортных реакций / Я.А. Угай, А.Ю. Завражнов, А.Е. Попов А.Е. и др. // Неорг. материалы. 1989. - Т. 25, № 5.-С. 709-712.

256. Гулиев Т.Н. Выращивание монокристаллов полупроводниковых соединений типа A,.Bvi AmBv. A2,„B3v, a"A2".B4v. A".AvB3v. A"A2VB4VI (где An Ca, Sr, Ba; Am

257. Ga, In; Av As, Sb, Bi; BVI - S, Se, Те) в газовой фазе и механизм их переноса / Т.Н. Гулиев // Изв. вузов. Химия и хим. технология. - 1997. - Т. 40, № 1. - С. 3-12

258. Формы роста кристаллов CdHgTe, полученных методом химических транспортных реакций / И.В. Курило, С.П. Павлишин, С.Н.Бекеша и др. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1987. - Т. 23, № 2. - С. 228-232.

259. Schafer Н. Chemische Transportreaktionen (Der Transport Anorganischer Stoffe liber die Gasphase und seine Anwendungen /Н. Schafer. O.P.:Verlag Chemie GmbH Weinheim/Bergstr, 1964. - 190 p.

260. Chemical transport reactions as a new variant of the phase composition control / A. Yu. Zavrazhnov, D.N. Turchen, A.V. Naumov, V.P. Zlomanov // Journal of Phase Equilibria. -2003. V. 24, N4 (August). - P. 330-339.

261. Химические транспортные реакции в управлении составом нестехиометрических кристаллов / А.Ю. Завражнов, Д.Н. Турчен, Е.Г. Гончаров и др // Журн. Неорг. химии. 2002. - Т. 47, №. 4. - С. 463-467.

262. Газовый транспорт в системе Ga-Se-I и возможность управляемого синтеза селенидов галлия / А.Ю. Завражнов, Д.Н. Турчен, Е.Г. Гончаров и др. // Журн. Неорг. химии. 2000. - Т. 45, № 1. - С. 32 - 35.

263. Хаазе Р. Термодинамика необратимых процессов / Р. Хаазе. М. Мир, 1967. - 544 с.

264. Johnson E.W. Vapor-phase association of acetic and trimethil acetic acids / E.W. Johnson , L.K. Nash // J. Am. Chem. Soc. 1950. - V. 72. - P. 547.

265. Hultgren R. Selected values of thermodynamic properties of metals alloys / R. Hultgren, R.L. Orr, P.D. Anderson P.D. N.Y.: Wiley (USA), 1963. - 517 p.

266. Весовой метод физико-химического анализа систем с летучими компонентами / В.В. Раков, Л.Я. Кроль, Б.Д. Лайнер и др. // Завод, лаб. 1969. - Т. 35, № 3. - С. 291-295.

267. Cheng D. Program for Processing and Analysis of Powder X-ray Diffraction Data / D. Cheng, X. Powder// Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing. 1999. .

268. Dong C. Windows-95-based program for powder X-ray diffraction data processing / C. Dong, X. Powder // J. Appl. Cryst. 1999. - V. 32. - P.838.

269. Kraus W. POWDER CELL: a Program for the Representation and Manipulation of Crystal Structures and Calculation of the Resulting X-ray Powder Patterns / W. Kraus , G. Nolze // J. Appl. Cryst. 1996. - V. 29. - P. 301-303.

270. Noise G. PowderCell 2.0 for Windows / G. Nolze , W. Kraus W. // Powder Diffraction. -1998.-V. 13,N4.-P. 256-259.

271. Rietveld H.M. / A Profile Refinement Method for Nuclear and Magnetic Structures / H.M. Rietveld // J. Appl. Cryst. 1969. - V. 2. - P. 65-71.

272. QUANTO: a Rietveld program for quantitative phase analysis of polycrystalline mixtures / A. Altomare, M.C. Burla ,C. Giacovazzo et al. II J. Appl. Cryst. 2001. - V. 34. - P. 392397.

273. Holland T.J.B. UNITCELL: A Nonlinear Least-Squares Program for Cell-Parameter Refinement Implementing Regression and Deletion Diagnostics / T.J.B. Holland, S.A.T. Redfern // J. Appl. Cryst. 1997. -V. 30. - P. 84.

274. Абрикосов H.X. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе / Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая. М.: Наука, 1975. - 219 с.

275. Anis М. Nazar Growh and X-Ray studies of Gallium Selenide / M. N.Anis // J. Mater. Sci. Lett. 1983. - V. 2. - P. 471.

276. Schubert K. Zur Kristallchemie der B-Metalle. III. Kristallstruktur von GaSe und InTe / K. Schubert, E. DoerreP, M. Klugep // Zeitschrift fuer Metallkunde ZEMTA. - 1953. - V. 46. - S. 216-224.

277. Figueroa E. New intercalation compounds of transition metal dichalcogenides / E. Figueroa, J.B. Brill, J.P. Selegue // J. Phys. and Chem. Solids. 1996. - V. 57, N 6-8. - P. 1123-1127.

278. Cathodoluminescence of GaSe Single Crystals / A. Raino, A. M. Mancini, R. Murri et al. // Phys. stat. sol. (A). 1979. - V. 58. - P. 487.

279. Излучение свободных и связанных экситонов в кристаллах GaSe / Ю.П. Гнатенко, З.Д. Ковалюк, П.А. Скубенко и др. // Физика тв. тела. 1983. - Т. 25, вып. 2. - С. 445.

280. Сканирование Т-Х- проекций фазовых микродиаграмм по растворимости газов в расплавах. Область гомогенности GaSe при температурах предплавления / Д.Н. Турчен, А.Ю. Завражнов, Е.Г. Гончаров и др. // Жур. Общ. химии. 1999.- Т. 69, № 11.-С. 1-8.

281. Вест А. Химия твердого тела. Теория и приложения: В 2-х ч. / А. Вест . 4.1 : Пер. с англ. - М.: Мирб 1988. - 558 с.

282. Some Electrical and Optical Characteristics of Thin Films of Ga2Se3, / M. Perchin, B. Shelustka, S. Popovich et al. // Thin Solid Films. 1976. - V. 37. - L61-L62.

283. Новиков И.И. Кристаллография и дефекты кристаллической решетки / И.И. Новиков, К.М. Розин. М.: Металлургия, 1990. - 336 с.

284. Rouxel J. Chalcogenide Misfit Layer Compounds / J.Rouxel, A.Meerschaut, G.A.Wiegers // J. Alloys Compounds. 1995. V. 229, - P. 144-157

285. Первое B.C. Супраструктуры с несоразмерными элементами: новые проблемы в неорганической химии твердого состояния / B.C. Первов, Е.В. Манохина // Успехи химии. 2000. - Т. 69, № 6. - С. 528-536.

286. Yaghi, Non-interpenetrating Indium Sulfide with a Supertetrahedral Cristobalite Framework / H. Li, M. Eddaoudi, A. Laine et al. // J. Am. Chem. Soc. 1999. - V. 121. -P. 6096.

287. Смирнов В. А. Химия одновалентного индия / В.А. Смирнов, B.C. Дмитриев, А.Н. Редькин. М.: Наука, 1986.- 150 с.

288. Schoneborn С. Die Viskositat von Indium (III) halogenigen: Diss. Dokt. / C. Schontborn. -Hannover, Germany, 1974. 109 s.

289. Okamoto H. The Au-In system / H. Okamoto, T.B. Massalski // Phase Diagrams of Binary Gold Alloys. Metals Park, OH: ASM International. S.L., 1987. - P. 142-153.

290. Rooymans, E. A new type of cation-vacancy ordering in the spinel lattice of In2S3, / E. Rooymans // J. Inorg and Nuclear Chemistry. 1959. - V. 11, Issue 1. - P. 78-79.

291. Bonsall, S., Hummel, Phase equilibria in the systems ZnS—AI2S3 and ZnAl2S4—ZnIn2S4 / S.H. Bonsall // J. Solid State Chemistiy. 1978. - V. 25, Issue 4, August. - P. 379-386.