Разработка средств автоматизации моделирования импульсного радиационного воздействия на комплементарные микросхемы и экспериментальная проверка их эффективности тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.12, кандидат технических наук Яньков, Андрей Ильич

• Яньков, Андрей Ильич
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Яньков, Андрей Ильич

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОСОБЕННОСТИ МОДЕЛИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ МИКРОСХЕМЫ В САПР ИЭТ И МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ ЕГО АДЕКВАТНОСТИ ДЛЯ СОВРЕМЕННЫХ ИЗДЕЛИЙ.

1.1. Методология оценки стойкости комплементарных микросхем в соответствии с

К ГС «Климат-7».

1.2. Радиационные эффекты импульсного излучения в современных комплементарных микросхемах.

1.3 Анализ современных средств проектирования комплементарных микросхем.

1.4 Проблемы моделирования импульсного радиационного воздействия в САПР ИЭТ. Постановка задачи.

2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ МОДЕЛИРОВАНИЯ ИМПУЛЬСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ СОВРЕМЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР.

2.1 Методика оценки стойкости микросхем к импульсным видам воздействия.

2.2 Анализ физических процессов в р-ы переходах современных микросхем и моделирование ионизационного тока.

2.3 Анализ физических процессов в р-ы переходах и моделирование ионизационного тока при воздействии импульсного ИИ с учетом температуры.

2.4 Моделирование тока ионизации в р-ы - переходе при воздействии импульса ИИ с различными амплитудно-временными характеристиками.

3. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ И АЛГОРИТМИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ МОДЕЛИРОВАНИЯ ИМПУЛЬСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ТИПОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СОВРЕМЕННЫХ КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МИКРОСХЕМ.

3.1 Моделирование изменения выходных параметров типовых элементов современных микросхем при воздействии импульсного излучения.

3.2 Моделирование изменения параметров типовых элементарных структур от импульсного воздействия па ФЛУ.

3.3. Алгоритмическая основа моделирования импульсного воздействия.

3.3.1. Алгоритм моделирования ионизационных эффектов типовых элементов на схемотехническом уровне.

3.3.2. Алгоритм моделирования импульсного воздействия в процессе проектирования современных микросхем на ФЛУ.

4. ОСОБЕННОСТИ ПОСТРОЕНИЯ ПРОГРАММНЫХ СРЕДСТВ МОДЕЛИРОВАНИЯ ИМПУЛЬСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В САПР ИЭТ. АНАЛИЗ ИХ АДЕКВАТНОСТИ И ЭФФЕКТИВНОСТИ.

4.1. Структура программного обеспечения подсистемы моделирования импульсного воздействия и особенности ее работы.

4.2. Экспериментальная оценка адекватности и эффективности разработанных средств моделирования.

4.3. Внедрение, результаты моделирования и область применения.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка средств автоматизации моделирования импульсного радиационного воздействия на комплементарные микросхемы и экспериментальная проверка их эффективности»

Актуальность работы. В настоящее время микроэлектронная промышленность развивается стремительными темпами, и современные достижения внедряются практически во все сферы деятельности человека. Сегодня не возможно представить эффективное обеспечение обороноспособности страны без применения высоких технологий, для реализации которых необходимо применять элементную базу двойного назначения, обладающую высокой стойкостью к воздействию внешних дестабилизирующих факторов (такие как механические нагрузки, повышенная и пониженная температура среды, электромагнитное излучение и т.п.) и надежностью.

Обеспечение и прогнозирование радиационной стойкости изделий электронной техники (ИЭТ) регламентируется соответствующими нормативно-техническими документами. Так, например, в США такими документами являются стандарты М1Ь-БТО-883, в России этим целям служит новый комплекс государственных стандартов (КГС) «Климат-7», в котором введены дополнительные характеристики к имеющимся видам импульсного воздействия, а также включены новые виды, что связано с созданием новых систем вооружения, освоением дальнего космического пространства и т.п.

В 70-х годах прошлого века предприятия электронной промышленности ориентировались на производство элементной базы двойного назначения на биполярной технологии, они обладали хорошей стойкостью к воздействию импульсного ионизирующего излучения. Сегодня стремительное развитие техники, создание аппаратуры обладающей интеллектом требует от ИЭТ постоянного увеличения их функциональных возможностей, что создает определенные трудности применения биполярной технологии.

В настоящее время при разработке самых разнообразных цифровых интегральных микросхем (ИС) все шире используются комплементарные МОП - структуры, т.к. они являются универсальными и легко применяемыми устройствами. Интегральные микросхемы, выполненные на основе КМОП - технологии, обладают уникальными свойствами, например: существенно меньше потребляемая мощность от источника питания, выше помехоустойчивость и быстродействие. Однако недостатком, ограничивающим применение таких ИС в изделиях оборонной промышленности, является их меньшая, по сравнению с биполярной технологией, радиационная стойкость.

Основными задачами на сегодняшний день является создание изделий микроэлектроники современных КМОП - технологий обеспечивающих требуемую стойкость к воздействию радиации. Для этого должен быть создан аппарат моделирования, учитывающий особенности современных субмикронных технологий в соответствии с нововведениями, предусмотренными в КГС «Климат-7».

Поэтому задачи, поставленные в рамках данной диссертационной работы, являются актуальными.

Диссертация выполнена в рамках важнейших работ Министерства образования и науки по планам НИР и ОКР ФГУП «НИИЭТ»: «Улавливатель-8», «Таврия-Т», «Триллер», «Триплекс-1», «Гидрометр», «Трикута-2» и др., а также основного направления исследований ВГЛТА «Разработка средств автоматизации управления и проектирования (в промышленности)» НИР «Разработка математического обеспечения проектирования СБИС двойного назначения» № ГР 1528/100031.

Цель и задачи работы заключаются в разработке моделей, алгоритмов и методического обеспечения для проектирования комплементарных микросхем, стойких к импульсным видам воздействия, и экспериментальной проверки их адекватности и эффективности.

Для этого необходимо решить следующие задачи:

• Провести анализ радиационной обстановки современных условий эксплуатации и эффектов, возникающих в КМОП БИС перспективных технологий в процессе воздействия импульсного ионизирующего излучения;

• Проанализировать существующие средства проектирования, учитывающие импульсное воздействие радиационного излучения, выявить проблемы, связанные с изменением проектных норм и технологий, а также определить пути их решения;

• Разработать математические модели поведения полупроводниковых структур, выполненных по субмикронным технологиям, при воздействии импульсного ионизирующего излучения, которые удовлетворяют требованиям КГС «Климат-7»;

• Создать математические модели переходных ионизационных процессов в типовых КМОП - элементах, выполненных по субмикронным технологиям, в процессе воздействия импульсного ионизирующего излучения, учитывающие реальные условия эксплуатации в соответствии с требованиями КГС «Климат-7»;

• Разработать модели изменения выходных параметров типовых элементов в зависимости от формы импульса ионизирующего воздействия;

• Сформировать алгоритмическую основу и провести программную реализацию средств моделирования импульсного радиационного воздействия на элементы КМОП БИС;

• Разработать программное обеспечение подсистемы моделирования ионизационной реакции изделий КМОП - технологии на воздействие импульсного радиационного излучения в САПР сквозного проектирования изделий микроэлектроники, провести экспериментальную проверку адекватности разработанного математического и программного обеспечения и оценить эффективность разработанных средств.

Методика исследования. При решении поставленных задач использован аппарат вычислительной математики, теории автоматизации проектирования, математического моделирования и программирования. А также методы вычислительных экспериментов и экспертных оценок.

Научная новизна. В результате проведенных исследований получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной:

• Методика проектирования микросхем двойного назначения КМОП - технологии к импульсным видам воздействия, отличающаяся учетом импульсного ионизирующего излучения для перспективных полупроводниковых технологий в соответствии с требованиями КГС «Климат-7»;

• Математическая модель ионизационного тока, возникающего в р-п переходах МОП - структур при воздействии импульсного ионизирующего излучения, отличающаяся учетом особенностей субмикронных технологий, температурного режима, спектрально-энергетических и амплитудно-временных характеристик радиационного воздействия в соответствии с требованиями КГС «Климат-7»;

• Математические модели базовых элементов, которые отличаются описанием переходных процессов происходящих в КМОП-структурах при воздействии импульсного ионизирующего излучения с учетом субмикронных технологий и требований КГС «Климат-7» на всех иерархических уровнях проектирования;

• Алгоритмическая основа моделирования импульсного ионизирующего воздействия и программное обеспечение, отличающиеся использованием всех предложенных математических средств и позволяющие осуществить более адекватное моделирование при проектировании изделий электронной техники двойного назначения.

Практическая значимость и результаты внедрения. На основе предложенных математических моделей и алгоритмов разработано программное обеспечение, , которое внедрено в ФГУП «НИИ Электронной техники» (г. Воронеж), ФГУП «НИИ Приборов» (г. Лыткарино М.о.), ВГТУ (г. Воронеж). Анализ результатов внедрения показал высокую эффективность разработанных средств.

Предложенные средства создания радиационно-стойких микросхем КМОП-технологии позволяют оценить уровень стойкости и надежность разрабатываемых изделий, что приводит к существенному экономическому эффекту, а также позволяют оптимизировать процесс создания ИЭТ двойного назначения за счет проведения оценки радиационной стойкости еще на стадии проектирования.

Апробация работы. Основные положения работы докладывались и обсуждались на: международной научно-практической конференции «Современные проблемы борьбы с преступностью. Радиотехнические науки» (Воронеж 2006); ежегодных всероссийских конференциях «Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость 2004, 2005, 2006» (Москва, 2004, 2005, 2006), «Интеллектуальные информационные системы» (Воронеж, 2005, 2006), «Информационные технологии» (Воронеж, 2005); межвузовской научной конференции «Моделирование систем и информационные технологии» (Воронеж, 2005, 2006).

Публикации результатов работы. По теме диссертации опубликовано 22 работы, в том числе 2 в издании, рекомендованном ВАК.

Среди публикаций 5 работ выполнены без соавторов. В работах выполненных в соавторстве автору принадлежит более 50% материала. Личное участие автора заключается в разработке математических моделей поведения полупроводниковых структур и типовых КМОП - элементов при импульсном ионизирующем воздействии, алгоритмической основы и программной реализации средств моделирования импульсного радиационного воздействия.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения и списка используемой литературы. Материал диссертации изложен на 141 листе машинописного текста, включая иллюстрированный материал и таблицы.

Заключение диссертации по теме «Системы автоматизации проектирования (по отраслям)», Яньков, Андрей Ильич

Выводы четвертой главы

1. Рассмотрены особенности программной реализации средств моделирования ионизационной реакции изделий микроэлектроники на воздействие импульсных видов ионизирующего излучения, позволяющих прогнозировать уровень стойкости проектируемого изделия по таким показателям стойкости, как УБР и ВПР.

2. Представлена структура программного комплекса учета импульсного радиационного воздействия и описано взаимодействие всех программных компонентов внутри него.

3. Представлены результаты экспериментальных исследований, на основе чего проведена оценка адекватности и эффективности разработанных средств моделирования.

4. Приведены область применения программных средств и результаты моделирования. Краткие характеристики ИС серий 1867, 1874, 1851, при создании которых применялись разработанные средства.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Яньков, Андрей Ильич, 2006 год

1. Schwank J.R., Dawes W.R. Jr. Irradiated Silicon Gate MOS Device Bias Annealing IEEE Trans. Nucl. Sci. 1983. Vol. 30, N 6. P. 4100-4104.

2. Schwanlc J.R., Fleetwood D.M., Winokur P.S. et al. The Role of Hydrogen in Radiation-Induced Defect Formation in Polysilicon Gate MOS Devices IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. Vol. 34, N 6 P. 1152-1158.

3. Boesch H.E. Jr., McLean F.B. Hole Transport and Trapping in Field Oxides Ibid. 1985. Vol. 32, N 6. P. 3940-3945.

4. Winokur P.S., Boesch H.E. Jr., McGarrity J.M., McLean F.B. Two-Stage Process for Buildup of Radiation-Induced Interface States J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50, N 5. P. 3492-3495. 5. McLean F.B. A Framework for Understanding Radiation-Induced Interface States in SiOj MOS Structures IEEE Trans. Nucl. Sci. 1980. Vol. 27, N 6. P. 1651-1657.

5. Brown D.B., Saks N.S. Time-Dependence of Radiation-Induced Interface Trap Formation in Metal-Oside-Semiconductor Devises as a Function of Oxide Thiclmess and Applied Field J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70, N 7. P. 3734-3747.

6. Fleetwood D.M., Shaneyfelt M.R., Schwank J.R. Simple Method to Estimate Oxide-Trap, Interface-Trap and Border-Trap Charge Densities in MetalOxide-Semiconductor Transistors Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64, N 15. P. 1965-1967.

7. Shaneyfelt M.R., Dodd P.E., Draper B.L., Flores R.S. Challenges in Hardening Technologies Using Shallow-Trench Isolation Ibid. 1998. Vol. 45, N 6 P. 2584-2592. 9. Зи CM. Физика полупроводниковых приборов, ч.1.Нер. с аигл. [Текст] Под ред. А. Суриса. М.: Мир, 1984.

8. Бондаренко В.М. Моделирование обратимых эффектов внеп1них воздействующих факторов в элементах ТТЛ ИС с учетом температуры 127

9. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники [Текст] И.П. Степаненко М.: Советское радио, 1980

10. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах [Текст] Под ред. Т.М. Агаханяна. М.: Энергоатомиздат, 1989.

11. Colinge J.P. Hardening Integrated Circuits against Radiation Effects RADECS 97 Short Course. 1997. 14. РД В 319.03.38-2000. 22 ЦНИИИ MO, 2000.

12. Pickel J.C. Single-Event Rate Calculations IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. Vol. 43, N 2 P. 483.

13. Petersen E.L. Approaches to Proton Single-Event Rate Calculations Ibid. P. 496. 17. ГОСТ PB 20.39.411-97. 22 ЦПИИИ MO, 1997. 18. ГОСТ PB 20.57.415-98. 22 ЦПИИИ MO, 1998.

14. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники [Текст] Под ред. Е.А. Ладыгина. М.: Сов. радио, 1980.

15. Ладыгин, Е.А. Радиационная технология твердотельных электронных приборов [Текст] Е.А.Лыдыгин 215с.

16. Разевиг, В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0. [Текст] В.Д. Разевиг М.: Салон Р, 2000. 698с..

17. Мырова, Л.О. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи. [Текст] Л.О. Мырова, А.З. Чипиженко М.: Радио и связь, 1983. 216 с.

18. Патрикеев, Л.П. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем. [Текст] Л.Н.Патрикеев, В.Д.Попов М. Изд. МИФИ, 1975.-241с. М.: ЦПИИ «Электроника», 1976. 128

19. Аствацатурьян, Е.Р. Методы повышения радиационной стойкости электронных схем и устройств вычислительной техники [Текст] Е.Р.Аствацатурьян и др.- М.: Изд-во МИФИ, 1986. 88 с.

20. Аствацатурьян, Е.Р. Анализ электронных схем на ЭВМ с учетом радиационных воздействий [Текст] Е.Р.Аствацатурьян и др.- М.: Изд-во МИФИ, 1986.-92 с.

21. Зольников, В.К. Прогнозирование работоспособности биполярных ИМС при воздействии гамма-излучения малой мощности [Текст] В.К. Зольников, В.Г. Калинин Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиаэлектронную аппаратуру, 1997.-Вып 1-2.-С.40-43.

22. Chadsey, W.L. X ray dose enhancement. [Text] W.L. Chadsey IEEE Trans.. 1978, NS-25, №6. P. 1591-1597.

23. Крюков В.П. Моделирование изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ [Текст] В.П. Крюков Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий: Тр. Междунар. науч.-техн. конф. М., 2002. 93-95.

24. Крюков, В.П. Моделирование изменения параметров-критериев годности при воздействии радиации [Текст] В.П. Крюков, В.П. Ачкасов, В.К. Зольников Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий: Тр. Междунар. науч.-техн. конф. М., 2002. 146-151.

25. Аронов, В.Л. Испытание и исследование полупроводниковых приборов [Текст] В.Л. Аронов, ЯЛ. Федотов М.: Высшая школа, 1975. 325 с.

26. Зольников, В.К. Расчетно-экспериментальная оценка стойкости КМОП ИС к ИИ [Текст] Влияние внешних воздействующих факторов на элементную базу аппаратуры авиационной и космической техники: 129

27. Немудров, В. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие -Иве. первого [Текст]/ В. Немудров., Г.Мартин Москва: Техносфера, 2004.

28. Васильев, А.В. Событие века. 25-летний юбилей микропроцессора. [Текст] А.В. Васильев Электроника и компоненты, 1997,N1,C.2.

29. Иванов, Е. Стандартные микропроцессоры и микроконтроллнры. [Текст] Е. Иванов "Электронные компоненты", 2000, N2, .5. 36. 16-разрядные микроконтроллеры PHILIPS, PANASONIC, OKI, TI. [Текст] Chip News, N7, 2000 г.

30. Малашевич, Б 8-разрядные микроконтроллеры. [Текст] Малашевич Б. "Электронные компоненты", 1999, N 5, 53. 38. ШЕЕ Spectrum, 1998, v.35, N9, р.39.

31. Новые DSP новый рывок в производительности. [Текст]/ Chip News, N10, 2000г.

32. Лопатин, B.C. Унифицированные программно-технические комплексы для САПР и ЭТ и СВТ [Текст] B.C. Лопатин и др. Электронная промышленность. -1994. 4,5- Москва.- 211-215.

33. Левов, Ю.А. Системы ускоренного проектирования БИС [Текст] Ю.А. Левов //Электронная промышленность -1994.- 4,5 216-218.

34. Норенков, И.П. Системы автоматизированного проктирования электронной и вычислительной аппаратуры [Текст] /И.П. Норенков, В.Б. Маничев М.: Высш. шк. 1983. -272 с.

35. Савельев, П.В., Автоматизация Книга проектирования 2. БИС. В 6 кн. Практическое пособие. Функциональное логическое проектирование БИС. Под ред. Казенкова Г.Г. [Текст] Савельев П.В., Конехин В.В. М.: Высш. шк. 1984. 295с.

36. Зольников, В.К. Проблемы создания проектной среды микроэлектропных систем разработки Межов, [Текст] В.К.Зольников, В.Е. 130

37. Машевич, П.Р. Лингвистические средства для проектирования микросхем [Текст] П.Р.Машевич Информационные технологии моделирования и управления. 2005. 2(20). 209 213.

38. Потапов, П.П. Обоснование среды [Текст] архитектуры интегрированной информационной элементной базы проектирования радиационно-стойкой П.Р.Машевич И.П.Потапов, Информационные технологии моделирования и управления. 2005. 7(25).-С.1002-1005.

39. Ачкасов, В.Н. Обоснование структуры АРМ проектирования базовых элементов микросхем двойного назначения [Текст] В.Н.Ачкасов, П.Р.Машевич, Ю.К.Фортинский, В.Е.Межов Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления: Межвуз. сб. науч. тр. Вып.Х. Воронеж: ВГЛТА, 2005. 215-216.

40. Машевич, П.Р. Технология создания современной элементной базы [Текст] П.Р. Машевич Материалы Всероссийской конференции «Информационные технологии». Воронеж: Издательство «Научная книга».-2005.-С.157-158.

41. Ачкасов, В.Н. Подсистема автоматизации проектирования радиационностойкой элементной базы и унифицированных модулей вычислительных комплексов бортовых систем управления [Текст] В.Н.Ачкасов, В.М.Антимиров, П.Р.Машевич, Ю.К.Фартинский //Труды всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы». Воронеж. Воронежский государственный технический университет. 2005. -С. 45-46. 131

42. Зыков, В.М. Моделирование и экспериментальные кремниевых исследования структур при долговременных изменений параметров ионизирующем воздействии. [Текст] /В.М.Зыков Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Томск, 2002.

43. Таперо, К.И. Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур. [Текст] К.И. Таперо Диссертация на соискание ученой степепи кандидата физикоматематических наук. 1997.

44. Ачкасов В.Н. Технические средства дизайн центра проектирования универсальных микросхем и специализированных радиационно стойких [Текст] В.Н. Ачкасов, А.В.Ачкасов, И.П.Потапов Приводная техника. 2006. №5(63). 24 27.

45. Зольникова, А.Н. Комплекс программ расчета работоспособности ИС при воздействии ионизирующих излучений. [Текст] А.П. Зольникова, В.Е. Межов Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2000. Вып. 1-2.-С.93-96.

46. Зольников, В.К. Исследование нелинейных процессов в полупроводниковых структурах в импульсных полях гамма-излучений большой мощности [Текст] В.К. Зольников В.П. Крюков оптимизация Математическое моделирование, компьютерная технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса. Межвуз. сб. науч. тр., Вып.

47. Часть I Воронеж. изд.ВГЛТА, 2002,-С. 201-205.

48. Николаевский, И.Ф. Параметры и предельные режимы работы транзисторов [Текст] И.Ф. Николаевский, Д.В. Игумнов М.: Совеское радио, 1971.-384 с. 132

49. Вавилов, B.C. Действие излучения на полупроводники: Учебное пособие [Текст] В,С.Вавилов, Н,П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов М.: Наука, 1988. 192 с.

50. Ферри, Д. Электроника ультробольших интегральных схем [Текст] Д. Ферри, Л. Эйкерс, Э, Гринич М,: Мир, 1991, 327 с.

51. Коршунов, Ф.П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. [Текст] Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.А.Вавилов Минск: Наука и техника, 1986, 254с,

52. Агаханян, Т,М, Радиационные эффекты в интегральных микросхемах [Текст] /Нод ред, Т,М,Агаханяна, М,:Энергоатомиздат, 1989, 256 с,

53. Вавилов, B.C. Действие излучений на полупроводники. [Текст] В.С, Вавилов М,:Атомиздат, 1974, 232 с.

54. Климов, В,Е, Разработка САНР: В 10 кн. Книга

55. Графические системы САПР [Текст] Под ред, А,В, Петрова М.: Высшая школа, 1990. 142 с,

56. Артемьев, В,И, Разработка САПР: В 10 кн. Книга

57. Организация диалога в САПР [Текст] В.И. Артемьев, В.Ю. Строганов М,: Высшая школа, 1990.-162 с,

58. Кимель, Л,Р, Защита от ионизирующих излучений. Справочник [Текст] Л.Р, Кимель, В,П. Машкович М.: Атомиздат, 1972, 312 с,

59. Коледов, Л.А. Конструирование и технология микросхем [Текст] Л.А. Коледов, В.А. Волков, Н.Н, Докучаев и др. М.: Высшая школа, 1984, 216 с,

60. Бененсон, 3,М, Моделирование и оптимизация на ЭВМ радиоэлектронных устройств [Текст] 3,М, Бененсон, М.Р. Елистратов, Л.К, Ильин и др. Под ред. З.М, Бененсон М,: Радио и связь, 1981. -272 с. 134

61. Влах, И. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем [Текст] И. Влах, К. Сингхал. Пер. с англ. М.; Радио и связь, 1988. -560 с.

62. Толстых, Б.Л. Унифицированные интерактивные средства проектирования изделий электронной техники [Текст] Б.Л. Толстых, И.Л. Талов, В.Н. Харин и др. -М.: Радио и связь, 1984. -136с.

63. Данилюк, Г. Автоматизация поиска неисправностей на основе вероятностно-лингвистического метода диагностирования [Текст] Г. Данилюк, В.И. Зютин Информационные технологии в проектировании и производстве -1996 N3- 4 С59-64.

64. Зольников, В.К. Метод оценки стойкости интегральных схем к специальным факторам [Текст] В.К. Зольников, Е.А.Кузьмин, О.Н. Мануковский Специальная электроника. 1991. Сер 8. Вып. 1(37). 13-18.

65. Першенков, B.C. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. [Текст] B.C. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов М.:Этомэнергоиздат, 1988. 256с.

66. Машевич, П.Р. Логическая оптимизация блоков микропрограммного управления СБИС [Текст] П.Р.Машевич, В.К.Зольников //Юбилейная международная научно-техническая конференция «50 лет модулярной арифметике». Сборник материалов конференции, М. 2005. 25-30

67. Машевич, П.Р. Структурная декомпозиция блоков микропрограммного управления СБИС [Текст] П.Р.Машевич, В.К.Зольников Юбилейная международная научно-техническая конференция «50 лет модулярной арифметике». Сборник материалов конференции, М. 2005. 16-24

68. Потапов И.П. Современное состояние проектирования элементной базы [Текст] И.П.Потапов, А.В. Ачкасов Информационные технологии моделирования и управления. 2005. 7(25). С 1039 1042. 135

69. Зольников В.К. Задачи автоматизации нроектирования современной радиационно-стойкой элементной базы [Текст] В.К.Зольников, А.В.Ачкасов Труды всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы» Воронеж. Воронежский государственный технический университет. -2005. -С. 61-62.

70. Потанов И.П. Средства автоматизации нроектирования радаиционностойкой элементной базы [Текст] И.П.Потанов, А.В.Ачкасов, В.К.Зольников Вонросы атомной науки и техники. Серия 8. 2006. ВЫН.1-2.-С.147-149.

71. Крюков В.П. Проектирование радиационно-стойких изделий в САПР ИЭТ [Текст] В.П.Крюков, А.В.Ачкасов, И.П.Потапов Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». Москва: МИФИ. 2006.С.127-128.

72. Машевич, П.Р. Элементная база модулярных и троичных ЭВМ [Текст] П.Р.Машевич, Д.Б.Малашевич Юбилейная международная научнотехническая конференция «50 лет модулярной арифметике». Сборник материалов конференции, М. 2005. 35-39.

73. Машевич, П.Р. Создание отечественной нромышленной технологии автоматизации разработки и изготовления СБИС [Текст] П.Р.Машевич, Ю.К.Фортинский Информационные технологии управления. 2005. 2(20). 301 306/

74. Машевич П.Р., Инструментальные средства автоматизации моделирования и нроектирования изделий микроэлектроники дизайн-центра. [Текст] П.Р. Машевич, В.К. Зольников, К.И. Танеро Воронеж: Воронежский государственный университет, 2006. 136

75. Ning Т.Н. Capture Cross Section and Trap Concentration of Holes in Silicon Dioxide J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47, N 2. P. 1079-1081.

76. Johnson W.C. Mechanism of Charge Buildup in MOS Insulators IEEE Trans. Nucl. Sci. 1975. Vol. 22, N 6. P. 2144-2150.

77. Warren W.L., Shaneyfelt M.R., Fleetwood D.M. et al. Microscopic Nature of Border Traps in MOS Devices IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994. Vol. 41, N 6. P. 1817-1827. 94. McWhorter P.J., Miller S.L., Miller W.M. Modeling the Anneal of RadiationInduced Trapped Holes in a Varying Thermal Environment IEEE Trans. Nucl. Sci. 1990. Vol. 37, N 6. P. 1682-1689.

78. Маклауд Дж. Сверхскоростные средства моделирования и имитаторы, значительно упрощающие отказ от моделирования. [Текст] Дж. Маклауд Электроника. 1988. N11.-С. 12 13.

79. Маклауд Дж. Средства моделирования фирмы Valid, ускоряющие и облегчающие временное анализ ИС. [Текст] Дж. Маклауд Электроника. 1988. N11, с. 22 24.

80. Межов В.Е., Интерактивные графические средства поддержки проектирования МЭА: Учеб. пособие. [Текст] В.Е. Межов, В.М. Питолин, Ю. А. Чевычелов, Н.А. Кононыхина Воронеж: Воронеж, гос. техн. ун-т. 1994. 104 с.

81. Креницкий А.Н. Подсистема ускоренной верификации тестов [Текст] А.П. Креницкий, В.Е. Межов, Г.В. Зизин Интеллектуальные информационные системы: Тез. докл. науч.-техн. конф. Воронеж: ВГТУ, 1999.-С.ЗО.

82. Хорюшин Д.Г. Моделирование эффекта разогрева, возникающего в элементной базе при воздействии радиации [Текст] Д.Г.Хорюшин, 137

83. Ачкасов А.В., Яньков А.И. Моделирование радиационных эффектов в КМОП приборах в САПР. [Текст] А.В.Ачкасов, А.И.Яньков Приводная техника. 2006. №6(64), 24 26.

84. Яньков А.И.. Исследования радиационной стойкости ИС серии 1867. [Текст] /А.И.Яньков Паучно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем». -М.: МИФИ. 2004. 34,

85. Зольников В.К. Методика и результаты радиационных испытаний микроконтроллера 1874ВЕ36. [Текст] В.К. Зольников, А.И. Яньков Паучно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем». -М.: МИФИ. 2004. 35.

86. Яньков А.И. Результаты радиационных иснытаний и сравнительный анализ диодов [Текст] А.И. Яньков и др. Паучно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем». -М.: МИФИ. 2004.-C.36.

87. Зольников В.К., Методика расчета показателей стойкости изделий электронной техники при воздействии специальных факторов с характеристиками 7И1-7И8 для реальных условий эксплуатации. [Текст] В.К.Зольников, В.Г.Калинин, А.И. Яньков Воронеж. ФГУП ПИИЭТ. 2004.-24с.

88. Зольников В.К. Моделирование реакции изделий электронной техники при воздействии импульсных видов радиации [Текст] В.К.Зольников, А.И.Яньков Труды всероссийской конференции "Интеллектуализация управления в социальных и экономических системах. Воронеж. Воронежский государственный технический университет. 2005. 67-68. 138

89. Яньков А.И. Методика расчета показателей стойкости ИЭТ при воздействии специальных факторов к реальным условиям эксплуатации [Текст] А.И. Яньков Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».- Воронеж: Издательство «Научная книга» 2005. Вып.2. 181-182.

90. Яньков А.И. Моделирование воздействия импульсного излучения на элементную базу [Текст] А.И. Яньков Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».- Воронеж: Издательство «Иаучная книга» 2006. Вып.З. 4 2 С 268-269.

91. Яньков А.И., Зольников В.К. Методика и результаты радиационных испытаний микропроцессора 1867ВЦ2Т [Текст] А.И. Яньков, В.К. Зольников Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость 2006». -М.: МИФИ. 2006. 59-60.

92. Яньков А.И., Методика радиационных испытаний ИС ОЗУ [Текст] А.И.Яньков, В.Г.Калинин Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость 2006». -М.: МИФИ. 2006.-С.183-184.

93. Яньков А.И. Результаты радиационных испытаний ИС ОЗУ 1642РГ1Р и 1642РК1У [Текст] А.И. Яньков, В.М.Олухов, Д.А.Ноздрин Научнотехнический сборник «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость 2006». -М.: МИФИ. 2006. 232.

94. Нотапов И.П. Модели учета импульсных видов радиации для СБИС систем контроля безопасности [Текст] И.П.Нотапов, А.И.Яньков Материалы международной научно-практической конференции «Современные проблемы борьбы с преступностью. Радиотехнические 140 95. Выпуск 2.С.62. 120,Яньков А.И. Методы оценки стойкости СБИС, нрименяемых для систем контроля безопасности [Текст] А.И.Яньков конференции Материалы международной проблемы научно-практической с преступностью. «Современные науки». борьбы Радиотехнические Воронеж: Воронежский институт МВД. 2

97. Яньков А.И. Расчет радиационных эффектов в элементной базе. [Текст] А.И.Яньков, П.Р.Машевич Системы унравления и информационные технологии. 2006.-Хо1.1(23).-С.201-205. 141

98. Методика проектирования конструкторско-технологического базиса комплементарных микросхем двойного назначения.

99. Математическая модель ионизационного тока МОП структур, с учетом особенностей субмикронных технологий и температурного режима.

100. Математические модели переходных процессов в конструкциях КМОП-структур при радиационном воздействии с заданными, спектрально-энергетическими и амплитудно-временными характеристиками в соответствии с требованиями КГС «Климат-7».

101. Математические модели изменения выходных параметров типовых элементов от импульсного ионизирующего воздействия.

102. Алгоритмическая основа моделирования импульсного ионизирующего воздействия и программное обеспечение внедрены в ОАО «ВЗПП-С». Начальник конструкторско-технологического бюро, к.т.н. П.Ю.Коваленко