Разработка средств автоматизации проектирования радиационно-стойкой микроэлементной базы для нового поколения систем управления двойного назначения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.12, доктор технических наук Ачкасов, Владимир Николаевич

• Ачкасов, Владимир Николаевич
• доктор технических наук
• 2008

Оглавление диссертации доктор технических наук Ачкасов, Владимир Николаевич

Введение.

1. Современное состояние средств автоматизированного проектирования микроэлементной базы для систем управления двойного назначения.

1.1. Направление развития бортовых вычислительных комплексов для систем управления двойного назначения.

1.2. Состояние и задачи развития микроэлементной базы для систем управления двойного назначения.

1.3. Анализ состояния средств проектирования элементной базы нового поколения бортовых вычислительных комплексов.

1.4. Задачи автоматизации проектирования современных радиационно-стойких микроэлектронных компонентов для управляющих вычислительных комплексов двойного назначения.

2. Обоснование структуры средств автоматизации проектирования радиационно-стойких КМОП, КНС БИС двойного назначения.

2.1. Методика автоматизации проектирования нового поколения элементной базы и вычислительных систем управления на ее основе.

2.2. Разработка базовых лингвистических средств дизайн центра.

2.3. Технология формирования и разработка единой информационной среды дизайн центра.

2.4 Обоснование архитектуры дизайн центра проектирования универсальной и специализированной радиационно - стойких микросхем для вычислительных комплексов систем управления.

2.5 Структура прикладных программных средств дизайн центра проектирования.

3. Оценка стойкости элементной базы и математическое обеспечение расчета тепловых и термомеханических эффектов.

3.1. Алгоритм оценки стойкости микроэлектронных компонентов к специальным факторам.

3.2. Комплексное решение задач моделирования тепловых, термомеханических эффектов при воздействии рентгеновского излучения.

3.2.1 Динамическая модель процессов, возникающих в конструкции микроэлектронного устройства при воздействии рентгеновского излучения.

3.2.2. Прогнозирование тепловых эффектов.

3.2.3 Прогнозирование термомеханических эффектов.

3.3. Методика расчета стойкости микроэлектронных устройств к воздействию рентгеновского излучения по тепловым и термомеханическим эффектам.

4. Моделирование переходных ионизационных эффектов в элементах КМОП микросхем.

4.1. Расчет мощности дозы импульсного рентгеновского, гамма- и нейтронного излучения.

4.2. Моделирование переходных процессов при воздействии импульсного излучения.

4.3 Средства схемотехнического моделирования базовых элементов КМОП БИС.

4.4. Схемотехническое моделирование базовых структур

БИС при импульсном радиационном воздействии.

5. Моделирование интегральных ионизационных эффектов в КМОП-изделиях в САПР сквозного проектирования.

5.1. Общая методология моделирования радиационно-индуцированного накопления заряда в диэлектрике МОП-транзистора с учетом влияния полевого оксида.

5.2. Моделирование накопления заряда в подзатворном диэлектрике транзистора.

5.3. Моделирование накопления заряда в диэлектрике паразитного транзистора, образованного полевым оксидом на периферии основного n-канального транзистора.

5.4. Влияние вносимых при облучении структурных повреждений на характеристики МОП-структур.

5.5. Моделирование статических видов радиации на схемотехническом и функционально-логическом уровнях.

6. Особенности реализации средств автоматизированного проектирования радиационно-стойкой микросхем.

6.1 Создание научной и промышленной базы автоматизации проектирования и производства специализированных СБИС двойного назначения и вычислительных комплексов на их основе.

6.2. Особенности построения системы автоматизации проектирования радиационно-стойких КМОП, КНС СБИС.

6.3. Интеграция проблемно-ориентированного программного обеспечения САПР.

6.4. Моделирование тепловых и термомеханических эффектов.

6.5. Моделирование ионизационной реакции от импульсного ионизирующего воздействия.

6.6. Моделирование статического ионизирующего воздействия.

6.7. Оценка эффективности разработанных средств.

6.8. Создание библиотеки базовых элементов.

6.9. Разработка ядра функционально полного комплекса БИС двойного назначения на КМОП приборах для цифровой обработки сигналов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка средств автоматизации проектирования радиационно-стойкой микроэлементной базы для нового поколения систем управления двойного назначения»

Актуальность темы. Разработка управляющих вычислительных комплексов (УВК) двойного назначения относится к приоритетному направлению технической политики нашего государства, так как они применяются в оборонной, научной, социальной и других жизненно-важных сферах деятельности. При этом особую роль играют бортовые комплексы, которые применяются для систем управления (СУ) авиационных и космических летательных аппаратов, атомных электростанций, ядерных реакторов, химических производств, так как они имеют стратегическое значение для национальной безопасности страны. Главной задачей на ближайшую перспективу является достижения научной, технической и технологической независимости от ведущих иностранных государств.

При этом ключевой задачей является обеспечение работоспособности СУ при воздействии ионизирующих излучений, электромагнитных полей, механических нагрузок в широком диапазоне температур. Данная задача может быть решена только с применением комплексных мероприятий по совершенствованию архитектуры вычислительных систем, разработки и производства широкой функционально-ориентированной номенклатуры высокоинтегрированных микросхем, создания научной и промышленной инфраструктуры разработки, создания и испытания вычислительных комплексов, модулей и микросхем.

Среди данных мероприятий задача разработки микросхем, стойких к радиационному воздействию является особенно важной. Ее решение требует, прежде всего, совершенствования проектной среды разработки элементной базы, позволяющей разрабатывать изделия, работающие в особо жёстких условиях: радиационных и электромагнитных воздействия, широкий диапазон температур, большие механические нагрузки и т.д. При этом основной технологией является КМОП-технология, которая обеспечивает уникальные интегральные показатели: широкий спектр функциональных возможностей, высокую производительность и быстродействие, низкую потребляемую мощность, простоту изготовления и др.

Одной из основных проблем является моделирование радиационных эффектов в процессе проектирования, которое в настоящее время требует существенной модернизации. Это обусловлено коренными преобразованиями ЭП, вследствие резкого уменьшения проектных норм, увеличения степени интеграции, созданием СБИС, включая СнК, совершенствованием традиционных и созданием новых технологий производства, что привело к усилению влияния физических процессов, в том числе и радиационного характера, степень проявления которых ранее, была пренебрежимо мала.

Следует отметить и то, что изменились условия радиационного и электромагнитного воздействия на УВК, а следовательно и на СБИС, вследствие совершенствования средств противодействия, изменение орбит полетов космических летательных аппаратов, связанное с планированием долгосрочных космических экспедиций, совершенствованием существующих и созданием новых ядерных энергетических установок. Кроме того, ужесточились требования по надежности и продолжительности функционирования аппаратуры в условиях ионизирующего излучения. Эти требования были отражены в новом комплексе государственных стандартов (КГС) «Климат-7», в котором скорректированы параметры «традиционных» видов излучения и введены новые.

Так как зарубежные средства моделирования радиационных эффектов являются самым оберегаемым секретом фирм-производителей и не продаются на мировом рынке, а известные программные комплексы, системы и подсистемы не обеспечивают моделирования всего комплекса радиационных воздействия в новых условиях для создания радиационно-стойких микросхем в области теории САПР были выдвинуты актуальные задачи, которые потребовали комплексного подхода к их решению, начиная от совершенствования физических моделей процессов и заканчиваю программной реализацией.

Диссертация выполнена по программам важнейших работ Министерства образования и науки по планам НИР и ОКР ФГУП «Научно-исследовательский институт электронной техники»: «Салон», «Форзац», «Разводчик», «Танк-5», «Трикута», «Истра-7» и др., а также в соответствии с межвузовской научнотехнической программой И.Т.601 «Перспективные информационные технологии в высшей школе» и научным направлением Воронежской государственной лесотехнической академии (ВГЛТА) «Разработка средств автоматизации управления и проектирования (в промышленности)», «Разработка математического обеспечения проектирования СБИС двойного назначения».

Цель работы состоит в создании комплекса методов, моделей, алгоритмов и программных средств проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения для нового поколения СУ.

Для ее реализации необходимо решить следующие задачи:

1. Провести анализ современного состояния средств автоматизации проектирования, обеспечивающей моделирование радиационных эффектов, определить проблемы и направления их развития;

2. Сформулировать требования, целевые задачи, принципы построения и обосновать архитектуру технических средств автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения для нового поколения СУ;

3. Обосновать выбор структуры проблемно-ориентированной программной платформы автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения для нового поколения СУ;

4. Разработать математические модели и алгоритмы моделирования тепловых, термомеханических и деградационных процессов радиационного характера в КМОП СБИС двойного назначения для нового поколения СУ;

5. Обосновать технологию формирования и осуществить реализацию лингвистического и информационного обеспечения;

6. Провести программную реализацию разработанных средств и их интеграцию в единую программную среду проектирования КМОП СБИС двойного назначения для нового поколения СУ;

7. С помощью разработанных средств разработать типовую библиотеку элементов КМОП СБИС, на основе которой создать радиационно-стойкие микросхемы, и таким образом, провести опытную эксплуатацию предложенных средств и оценить их экономическую эффективность.

Методика исследования. Для решения поставленных задач использованы: тёория вычислительных систем, автоматизации проектирования, оптимизации; аппарат вычислительной математики. А также теория построения программ; методы модульного, структурного и объектно-ориентированного программирования; имитационное, структурное, и параметрическое моделирование; вычислительные эксперименты.

На защиту выносятся следующие основные научные положения:

- принципы построения, архитектура технических средств автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения;

- математические модели расчета динамических полей температур и механических напряжений при радиационном воздействии и после него;

- математические модели ионизационного тока в р-п перехода в МОП — структурах и переходных процессов в типовых элементах микросхем при воздействии импульсного ионизирующего излучения;

- математические модели деградации электропараметров типовых элементов изделий вследствие воздействия статического ионизирующего воздействия;

- математические модели базовых элементов;

- методика сбора, обработки, хранения, представления и обмена данными и особенности реализации лингвистических и информационных средств в рамках единого информационного пространства,

Научная новизна. В результате проведенного исследования получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной:

- принципы построения, архитектура технических средств автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения для нового поколения систем управления двойного назначения, обеспечивших унификацию технического, математического и программного обеспечения и заложивших основу создания единого информационного пространства сети дизайн-центров проектирования микросхем, блоков, модулей, вычислительных комплексов;

- математические модели расчета динамических полей температур и механических напряжений при радиационном воздействии и после него, отличающиеся учетом особенностей современной конструкции, технологии изготовления для различных амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик воздействия;

- математические модели ионизационного тока в р-п перехода в МОП -структурах и переходных процессов в типовых элементах микросхем при воздействии импульсного ИИ, отличающаяся учетом особенностей субмикронных технологий, температурного режима, спектрально-энергетических и амплитудно-временных характеристик радиационного воздействия в соответствии с требованиями КГС «Климат-7»;

- математические модели деградации электропараметров типовых элементов изделий вследствие воздействия статического ИИ, отличающиеся учетом микродозиметрических радиационных эффектов, характерных для субмикронных технологий, связанных с особенностями накопления заряда в элементах конструкции в соответствии с требованиями комплекса государственных стандартов «Климат-7»;

- математические модели базовых элементов, которые отличаются описанием радиационных процессов, происходящих в МОП-структурах при воздействии импульсного и статического ИИ с учетом субмикронных технологий и требований КГС «Климат-7» на всех иерархических уровнях проектирования;

- методика сбора, обработки, хранения, представления и обмена данными и особенности реализации лингвистических и информационных средств в рамках единого информационного пространства, соответствующих базовым принципам современных информационных технологий.

Практическая значимость и результаты внедрения. На основе предложенных решений созданы и внедрены программные средства комплексного проектирования КМОП СБИС двойного назначения в ФГУП НИИЭТ (г.Воронеж), ОАО «Ангстрем» (г.Зеленоград), реализованные на единой методологической платформе и позволяющие распространить их на предприятиях аналогичного профиля. Анализ результатов внедрения показал высокую эффективность разработанных средств.

Предложенные средства проектирования радиационно-стойких изделий использовались при создании типовой библиотеки элементов радиационно-стойких СБИС, что позволило спроектировать более 500 типовых элементов, благодаря чему была созданы СБИС серий 1867, 1830, 1874.

Разработаны и внедрены обучающие программно-аппаратные комплексы, которые эффективно используются для проведения лабораторных работ, курсового и дипломного проектирования, подготовки аспирантов, соискателей, а также для непрерывной переподготовки специалистов в Воронежском государственном техническом университете (ВГТУ) на кафедре САПР.

Предложенные решения носят универсальный характер и могут использоваться при создании подобных систем в ЭП.

Апробация работы. Основные положения работы докладывались и обсуждались на: коллегиях ряда Министерств РФ, на совещаниях департамента ЭП, семинарах ведущих предприятий по разработке элементной базы моделей и блоков.

Автор выступал с докладами на: международных конференциях: «Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий» (Сочи 2002, 2003, 2005, 2006); «Влияние внешних воздействующих факторов на элементную базу аппаратуры авиационной и космической техники» (Королев 2002, 2003); "Кибернети-ка.21век» (.Москва 2005); "Математические методы в технике и технологии» (Казань 2005, Воронеж 2006, Ярославль,2007); «Авиация и космонавтика» (Москва 2005); «Высокие технологии энергосбережения» (Воронеж 2005); «Наука и образование» (Воронеж 2005); «Современные проблемы борьбы с преступностью. Радиотехнические науки» (Воронеж 2006); российских конференциях: "Радиационная стойкость электронных систем" (Москва 2002, 2003, 2005, 2006); .«Интеллектуальные информационные системы» (Воронеж 2005); «Интеллектуализация управления в социальных и экономических системах» (Воронеж 2005); «Информационные технологии» (Воронеж 2005); «Новые технологии» (Воронеж 2006); «Стойкость» (Москва 2005, 2006, 2008); «Новые технологии в научных исследованиях, проектировании, управлении, производстве» (Воронеж 2008).

Публикации результатов работы. По теме диссертации опубликовано 88 печатные работы, включая 28 работ, опубликованных в журналах определенных ВАК, 5 монографий и 5 авторских свидетельств общим объемом 1622 с (лично автором выполнено 597с).

Двадцать шесть публикаций выполнены без соавторов, личный вклад автора в работах, опубликованных в соавторстве заключается в определении целей и задач работы, разработке моделей и алгоритмов, в выполнении научно-технических исследований и анализе их результатов, в разработке основных элементов ее внедрения.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести разделов, заключения, списка использованных источников. Материал диссертации изложен на 334 страницах.

Заключение диссертации по теме «Системы автоматизации проектирования (по отраслям)», Ачкасов, Владимир Николаевич

Выводы

1. Создана промышленная и научная инфраструктура разработки, производства и испытания специализированной элементной базы. В результате проведения данных работ существенно развиты аппарат математического моделирования и систем автоматизации проектирования, которое заключалось в предложенных оригинальных методах, моделях и алгоритмах.

2. Разработаны средства проектирования специализированных БИС двойного назначения, отличающиеся учетом радиационного воздействия и проводящие моделирование с большей адекватностью и меньшими затратами времени на моделирование.

3. Разработана библиотека базовых элементов, отличающаяся учетом конструктивно-технологический особенностей, режимов эксплуатации, радиационного воздействия

4. Разработано ядро функционально-полного комплекта СБИС двойного назначения, на основе специализированных средств проектирования и проведена экспериментальная проверка адекватности и эффективности моделирования.

Заключение

1. Проведён анализ современного состояния средств автоматизации проектирования, определены проблемы и направления их развития;

2. Обоснованы требования, целевые задачи, принципы построения, архитектура технических средств автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС, обеспечивших унификацию технических, математических и программных средств и заложивших основу создания единого информационного пространства сети ДЦ и КМ;

3. Обоснован выбор структуры проблемно-ориентированной программной платформы автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения типового ДЦ;

4. Разработаны математические модели и алгоритмы моделирования тепловых и термомеханических радиационных физических процессов в элементах конструкции СБИС;

5. Предложены математические модели расчета динамических полей температур и механических напряжений при радиационном воздействии и после него, отличающиеся учетом особенностей современной конструкции, технологии изготовления для различных амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик воздействия;

6. Разработаны математические модели переходных процессов при воздействии импульсного ионизирующего излучения, отличающаяся учетом особенностей субмикронных технологий, температуры и парметров радиационного воздействия:

7. Предложены математические модели деградации электропараметров типовых элементов изделий вследствие воздействия статического ионизирующего воздействия, отличающиеся учетом микродозиметрических радиационных эффектов в соответствии с требованиями комплекса государственных стандартов «Климат-7»;

8. Разработаны математические модели базовых элементов, которые отличаются описанием радиационных процессов, происходящих в МОПструктурах при воздействии импульсного и статического ионизирующего излучения с учетом субмикронных технологий и требований КГС «Климат-7» на всех иерархических уровнях проектирования;

9. Предложены методика сбора, обработки, хранения, представления и обмена данными и особенности реализации лингвистических и информационных средств в рамках единого информационного пространства ДЦ;

Ю.Проведена программная реализация разработанных средств и создана единая программная среда проектирования КМОП СБИС двойного назначения типового ДЦ;

11 .Предложены методика и особенности развития научной и промышленной базы автоматизации проектирования специализированных СБИС двойного назначения;

12.Разработано методическое обеспечение, средств комплексной автоматизации проектирования.

13.С помощью разработанных средств создана библиотека типовых элементов специализированных КМОП СБИС, на основе которой проектируются ра-диационно-стойкие микросхемы. В результате создана широкая номенклатура изделий и, таким образом, проведена опытная эксплуатация предложенных средств и оценена экономическую эффективность.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Ачкасов, Владимир Николаевич, 2008 год

1. Немудров, В. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие Текст. / В. Немудров., Г.Мартин — Москва: Техносфера, 2004. — 216с.

2. Иванов, Е.И. Стандартные микропроцессоры и микроконтроллнры Текст. / Иванов Е.И. // Электронные компонентыи 2000г. — N2. — С. 5.3. 16-разрядные микроконтроллеры PHILIPS, PANASONIC, OKI, Tl. Текст. // Chip News 2000г. - N7. - С. 16-20.

3. Ачкасов, В.Н. Задачи автоматизации проектирования современной радиацион-но-стойкой элементной базы Текст. / В.Н.Ачкасов, А.В.Ачкасов,

4. A.Н.Зольникова // Материалы Всероссийской конференции «Информационные технологии». Воронеж: Издательство «Научная книга». — 2005. - С.154-156.

5. IEEE Spectrum. 1998. - v.35. - N9. - Р.39.

6. Новые DSP новый рывок в производительности. Chip News, N10, 2000г. Текст. // Chip News - 2000г. - N10. - С.21-25.

7. Зыков, В.М. Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии. Текст. /В.М.Зыков // Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Томск, 2002.

8. Ачкасов A.B. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом статических видов радиации Текст.: монография / A.B. Ачкасов,

9. B.К.Зольников, К.И.Таперо Воронеж: Воронеж, гос. ун-т, 2006.- 165 с.

10. Машевич, П.Р. Инструментальные средства автоматизации проектирования дизайн центра Текст.: монография / П.Р. Машевич, В.К. Зольников; ВГУ.-Воронеж, 2006.- 284с.

11. Межов, B.E. Программная среда событийного ускорителя логического моделирования Текст. / В.Е.Межов, Н.А.Кононыхина // Методы искусственного интеллекта в САПР: Тез. докл. Всесоюзной школы-семинара молодых ученых. -.Гурзуф, 1990. -С. 64-67.

12. Ачкасов, В.Н. Методика проектирования радиационно-стойких ИС Текст. / В.Н.Ачкасов, В.К.Зольников // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. М.: СПЭЛС-НИИП, 2003. - С.38 -39.

13. Межов, В.Е., Проектирование САПР и АРМ изделий электронной и вычислительной техники : Учеб. пособие. Текст. / В.Е. Межов, В.М. Питолин, В.В.Плотников В.Н. Харин Воронеж: Воронеж, политехи, тн-т, 1989. -101 с.

14. Дыбой, В.А. Автоматизация функционально-логического проектирования микроэлектронных устройств и аппаратуры на мини-ЭВМ :Учеб. Пособие Текст. / В.А. Дыбой, В.Е. Межов, А.А.Рындин -Воронеж: Воронеж, политехи, ин-т. 1990. -78с.

15. Толстых, Б.Л. Унифицированные интерактивные средства проектирования изделий электронной техники Текст. / Б.Л.Толстых, И.Л.Талов, В.Н.Харин, В.Е.Межов -М.: Радио и связь, 1984. -136с.

16. Данилюк, С.Г. Автоматизация поиска неисправностей на основе вероятностно-лингвистического метода диагностирования Текст. / С.Г.Данилюк, В.И. Зютин // Информационные технологии в проектировании и производстве -1996 №3- 4 С59-64.

17. Зизин, Г.В. Подсистема ускоренной верификации тестов Текст. / Г.В. Зизин, В.Е.Межов // Интеллектуальные информационные системы: Тез. докл. науч.-техн. конф. Воронеж: ВГТУ, 1999. - С.45-47

18. Люлькин, А.Е. Структурный метод построения тестовых последовательностей для К-МОП интегральных схем Текст. / А.Е.Люлькин // Микроэлектроника -1995- т.24.- №2- С.150-155

19. Исследование и разработка методов и алгоритмов автоматизированной генерации тестов проверки ТЭЗ'зов Текст. / Отчет по НИР «Турнир» // ФГУП НИИ-ЭТ. У11759,- Воронеж, 2007.

20. Исследование и разработка алгоритмов и экспериментальных программ для специализированного процессора моделирования Текст. / Научно технический отчет по НИР ТРОПИК // ФГУП НИИЭТ - 2007г. - У42917.

21. Казначеев, В.И. Диагностика неисправностей цифровых автоматов Текст. /

22. B.И.Казначеев//Москва., "Советскоерадио" 1975 г.

23. Киносита, К. Логическое проектирование СБИС Текст. / К.Киносита, К.Асада, О.Карасу М; Мир. 2003 г. - 309 с.

24. Киркленд, Т. Программные средства тестируемости и автоматическая генерация тестов для СБИС Текст. / Т. Киркленд, И.В.Флорес // Электроника 1996г. - №51. C.34-38.

25. Комплекс средств автоматизированного проектирования специализированных ИС.// Электроника. 1996 - №12 С. 85 -88.

26. Кондратьев, В.В. Автоматизация контроля цифровых функциональных модулей Текст. / В.В.Кондратьев Б.Н.Махалин М.; Радио и связь. 1990. - 156с.

27. Разработка библиотеки элементов Текст. / Отчет по НИР «Трикута-2Р» // ФГУП НИЭТ 2006 - 111с.

28. Аврашков, П.П. Входной язык и принципы организации транслятора системы САПРИС 11 Текст. / П.П. Аврашков, Ю.И.Беляков, Ю.Б.Егоров // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. -1996.-Вып.4 (76), -С.30-37.

29. Рындин, A.A. Универсальная информационная среда проектирования для создания интегрированных САПР БИС Текст. / А.А.Рындин, А.В.Межов // Вопросы радиоэлектроники. Серия ЭВТ. -1994. -Вып. 2. -С. 51-56.

30. Ачкасов, В.Н. Особенности графической подсистемы АРМ проектировщика КМОП БИС Текст. / В.Н.Ачкасов, В.П.Крюков, В.Е. Межов // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2002. - С.50-54.

31. Ачкасов, В.Н. Лингвистическое обеспечения АРМ проектировщика КМОП БИС Текст. / В.Н.Ачкасов, ВЛКрюков, В.Е. Межов // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2002. - С.75-80.

32. Крон, Г. Исследование сложных систем по частям — диакоптика Текст. / Г.Крон // М.: Наука 1972. -542с.

33. Величко, C.B. Методика формирования единой информационной среды распределенной обработки данных в системе управления Текст. / C.B. Величко // Известия ВУЗов. Северо-Кавказский регион. Технические науки 2004.- №3.- С. 61-64.

34. Антимиров, В.М. Бортовые подсистемы инерциального управления и спутниковой навигации с автономными вычислителями Текст. / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н.// Авиакосмическое приборостроение. 2005. №6. - С.20 - 22.

35. Антимиров, В.М. Вопросы построения адаптивных бортовых управляющих вычислительных комплексов Текст. / Антимиров В.М. Ачкасов В.Н.// Системы управления и информационные технологии. 2005. №4(21). - С.5 - 8.

36. Антимиров, В.М. Развитие управляющих вычислительных комплексов двойного назначения Текст. / В.М. Антимиров В.Н.Ачкасов, П.Р.Машевич, Ю.К.Фортинский// Приводная техника. 2005. №3(55). - С.56 - 61.

37. Антимиров, В.М. Особенности реализации подсистемы обработки геофизических полей и оптической навигации, как автономных вычислительных модулей Текст. / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н.// Полет. 2005. №6. - С.55 - 60.

38. Антимиров, В.М. Разработка базового алгоритма подсистемы коррекции погеофизическим полям Текст. / В.М. Антимиров, В.H Ачкасов // Программные продукты и системы 2007 - №4. - С.37 - 38.

39. Межов, В.Е. Система проектирования биполярных радиационно-стойких ИМС Текст. / В.Е.Межов, В.К.Зольников, ДЕ.Соловей и др. Воронеж: ВГЛТА, 1998. - 258с.

40. Черпаков, Б.И. Компьютерно-интегрированные производства и CALS-технологии в машиностроении. Текст. / Б.И. Черпаков. М.: ГУП «ВИМИ», 1999. 512с.

41. Норенков, И.П. Введение в автоматизированное проектирование технических устройств и систем Текст. / И.П. Норенков М.: Высшая школа. 1986.

42. NATO CALS Handbook. Ver. 2, June 2000.

43. ГОСТ 18298-79. Термины и определения.53. ГОСТ РИСО 9000-2001.

44. Величко, C.B. Формирование базы данных ведения законодательства в региональной системе управления природопользованием Текст. /C.B. Величко // Вестник Донского гос. техн. ун-та.- 2004.- № 3.- С. 21-28.

45. Aitcen, Robert С. Modeling the unmolable: Algorithmic fault diagnostic Текст. / Robert C. Aitcen // IEEE Des. Fnd Test Comput, -997 -14,№3-C.98-103.

46. Ачкасов, В.Н. Подсистема автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы и унифицированных модулей вычислительных комплексов бортовых систем управления. Текст. / В.Н.Ачкасов, В.М.Антимиров,

47. П.Р.Машевич, Ю.К.Фартинский // Труды всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы». Воронеж. Воронежский государственный технический университет. - 2005. -С. 45-46.

48. Braynt R.E. A switch level model and simulator for MOS digital system Текст. // IEEE Trans. Comput. vol. C-33, pp.160 - 177. feb. 1984

49. Ачкасов, В.Н. Автоматизация управления информационной инфраструктурой комплексной САПР Текст. / В.Н. Ачкасов, A.B. Стариков, А.В.Кузьмин // Программные продукты и системы 2007 - №2. - С.35 - 37.

50. Гуляев, Ю.В. Автоматизации проектирования специализированной микроэлементной базы для нового поколения систем управления двойного назначения Текст. / Ю.В.Гуляев, В.Н. Ачкасов.- Воронеж: Воронежский государственный университет, 2005.- 319 с.

51. Ачкасов, В.Н. Разработка и применение информационных технологий в электронной промышленности Текст. /В.Н Ачкасов, И.Я. Львович, Ю.К. Фортин-ский Воронеж: Воронежский государственный университет, 2008.- 281 с.

52. Межов, В.Е. Автоматизация проектирования КМОП ИС с учетом радиации Текст. / В.Е. Межов, А.Н.Зольникова, В.Н.Ачкасов, В.П.Крюков Воронеж: Воронежский гос. университет, 2002. -178с.

53. Ачкасов, В.Н. Создание конструктивно-технологического базиса функционально полного комплекта СБИС двойного назначения Текст. / В.Н.Ачкасов,

54. В.П.Крюков // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб., Вып. 5.-М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. С.37-38.

55. Анитимиров, В.М. Исследование вариантов резервирования мигистральных связей в вычислительной системе Текст. / В.М.Анитимиров, В.Н.Ачкасов, П.Р. Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. -№ 2(20).-С.238-243.

56. Чумаков, А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы Текст. / А.И.Чумаков М.: Радио и связь, 2004.

57. The Radiation Design Handbook. European Space Agency. ESTEC, Noordwijk, the Nederlands, 1993.

58. Archive of Radiation Effects Текст. // IEEE NSREC Short Course Notebooks from 1980-1998.

59. Gordon, G. Geostationary communications satellites Текст. // Practical Considérations in Applying Electronics to Space Systems. ШЕЕ NSREC Short Course. 1993. P. 1-1 -1-52.

60. Ачкасов, В.Н. Алгоритм определения стойкости микроэлектронных компонентов к специальным факторам в САПР ИЭТ Текст. / В.Н.Ачкасов // Системы автоматизации проектирования. 2006. Вып.2. №3. -С.96 - 98.

61. Ачкасов, В.Н. Методика определения стойкости изделий микроэлектроники Текст. / В.Н.Ачкасов // Труды всероссийской конференции «Новые технологии». Воронеж. Воронежский государственный технический университет. - 2006. -С. 72-73.

62. Ачкасов, В.Н. Методы оценки стойкости элементной базы Текст. / В.Н.Ачкасов // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».- Воронеж: Издательство «Научная книга» 2006. Вып.З. 4.2. - С. 189 - 192.

63. Ачкасов, В.Н. Расчет тепловых эффектов радиационного происхождения конструкции ИЭТ Текст. / В.Н.Ачкасов // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2005. №1. -С.205 - 209.

64. Ачкасов, В.Н. Математические модели расчета тепловых эффектов, возникающих в конструкции ИЭТ при воздействии рентгеновского излучения Текст. /

65. В.Н.Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. № 2(20). - С. 197 - 204.

66. Штольц, В. Дозиметрия ионизирующего излучения: Текст. / В.Штольц, Р.Бернхардт // Пер. с нем. Рига: Зинатне, 1982. - 142 с.

67. Иванов, В.И. Курс дозиметрии Текст. / В.И.Иванов. М.: Энергиоздат, 1988. - 400с.

68. Зольников, В.К. Модель перераспределения температуры в структуре ИМС при воздействии излучения с большой степенью поглощения Текст. / В.К.Зольников, Н.Н.Афонин, О.Н.Мануковский // Вопросы радиоэлектроники. Сер. ТПО. 1991. Вып. 1, С. 51-55.

69. Зольников, В.К. Модель перераспределения температуры в структуре ИМС при воздействии рентгеновского излучения Текст. / В.К.Зольников // Оптимизация и моделирование технологических процессов: Сб. науч. трудов. — Воронеж: ВГЛТА, 1998. С. 46-50.

70. Самарский, A.A. Теория разностных схем Текст.: Учеб. пособие для вузов /

71. A.А.Самарский. М.: Наука, 1989. - 614 с.

72. Зольников, В.К. Исследование нелинейных процессов в полупроводниковых структурах в импульсных полях гамма-излучения большой мощности Текст. /

73. B.К.Зольников // Оптимизация и моделирование технологических процессов: Сб. науч. трудов. Воронеж: ВГЛТА, 1998. - С. 33-35.

74. Александров, A.B. Сопротивление материалов Текст.: Учебник для вузов / А.В.Александров, В.Д.Потапов, Б.П.Державин; Под ред. А.В.Александрова -М.: Высш. школа, 2003. 560 с.

75. Ландау, Л.Д. Теоретическая физика Текст.: В 10 т.: Учеб. Пособие для студентов физ. спец. ун-тов / Л.Д.Ландау, Е.М.Лифшиц; Под ред. Л.П.Питаевского -М.: Физматлит. Т.7: Теория упругости - 2001. - 264 с.

76. Никишин, B.C. Статические контактные задачи для многослойных упругих тел Текст. / В.С.Никишин / Механика контактных взаимодействий. М.: Физматлит, 2001.-С. 30-54.

77. Самарский, A.A. Методы решения сеточных уравнений Текст.: Учеб. пособиедля вузов / А.А.Самарский, Е.С.Николаев. М.: Наука, 1978. - 591 с.

78. Подстригая, Я.С. Термоупругость тел неоднородной структуры Текст. / Я.С.Подстригач, В.А.Ломакин, Ю.М.Коляно. М.: Наука, главная редакция физико-математической литературы, 1984. - 368 с.

79. Климов, В.И. Задача термоупругости и методы ее решения Текст.: Учебное пособие / В.И.Климов. М.: Изд-во московского авиац. ин-та, 1977. - 44 с.

80. Абовский, Н.П. Численные методы в теории упругости и теории оболочек Текст. / Н.П.Абовский, Н.П.Андреев, А.П.Деруга и др.— Красноярск: Изд-во краен, ун-та, 1986. 384 с.

81. Коренев, Б.Г. Вопросы теплопроводности и термоупругости Текст.: Учебное пособие / Б.Г.Коренев, М.Г.Ванюшенков, И.И.Демин М.: МИСИ, 1984. - 100с.

82. Никишин, B.C. Статические контактные задачи для многослойных упругих тел Текст. / В.С.Никишин / Механика контактных взаимодействий. М.: Физмат-лит, 2001.-С. 30-54.

83. Коваленко, А.Д. Термоупругость Текст.: Учебное пособие / А.Д.Коваленко. -Киев: Вища школа, 1975. 216 с.

84. Ачкасов, В.Н.Моделирование эффекта разогрева, возникающего в элементной базе при воздействии радиации Текст. / В.Н.Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2006. № 2(27). С. 180 - 187.

85. Никифоров, А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС Текст. / А.Ю.Никифоров, В.А.Телец, А.И. Чумаков А.И. М.: Радио и связь, 1994.

86. ГОСТ 25645.106-84. Пояса Земли радиационные естественные. Термины и определения. Госкомитет СССР по стандартам, 1984.

87. ГОСТ 25645.150-90. Лучи космические галактические. Модель изменения потоков частиц. Госкомитет СССР по стандартам, 1991.

88. Barth, J. Applying Modeling Space Radiation Environments Текст. // Applying Computer Simulation Tools to Radiation Effects Problems. IEEE NSREC Short Course. 1997.

89. ГОСТ 25645.104-84. Лучи космические. Термины и определения. Госкомитет СССР по стандартам, 1984.

90. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники Текст. / Под ред. Е.А. Ладыгина. М.: Сов. радио, 1980.

91. Ладыгин, Е.А. Радиационная технология твердотельных электронных приборов Текст. / Е.А. Ладыгин М.: ЦНИИ «Электроника», 1976.

92. Агаханян, Т.М. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах Текст. / Под ред. Т.М.Агаханяна. М.:Энергоатомиздат, 1989. - 256 с.

93. Ачкасов, В.Н. Проектирование микроэлектронных компонентов космического назначения: монография Текст. /В.Н. Ачкасов.- Воронеж : Воронежский государственный университет, 2005.- 301с.

94. Скобцев, Ю.А. Система логического моделирования и генерации тестов АСМИД -П. Текст. / Ю.А. Скобцев, В.Ю. Скобцев // Управляющие системы и машины. -1996- №1-2 -С.39-45

95. Ачкасов, В.Н. Средства проектирования элементной базы с учетом радиации Текст. / В.Н. Ачкасов // Материалы Всероссийской конференции «Информационные технологии». Воронеж: Издательство «Научная книга». - 2005. - С.152-153.

96. Ачкасов, В.Н. Экономичный алгоритм оценка стойкости элементной базы к воздействию ионизирующих излучений Текст. / В.Н.Ачкасов, А.В. Сакерский, В.М.,

97. A.А.Обухов // Материалы международной конференции «Высокие технологии энергосбережения». -Воронеж: Издательство ВГТУ, 2005. С.11-12.

98. Ачкасов, В.Н. Алгоритм моделирования работы ИС в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР ИЭТ Текст. / В.Н.Ачкасов // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. Вып.5. М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. - С.109 - 110.

99. Ачкасов, В.Н. Проектирование радиационно-стойких БИС Текст. / В.НАчкасов,

100. B.К.Зольников, Ю.К.Фортинский // Материалы Российской конференции «Стой-косгь-2005». Москва: МИФИ. - 2005.- С.43-44.

101. Самьюэл, Уэбер. Поиск эффективной стратегии интеграции инструментальных средств проектирования Текст. / Уэбер Самьюэл // Электроника. 12 13. 1990 г. с. 135-137.

102. Хоуорд, Д.К. Диалоговое логическое моделирование сложных СБИС с помощью специализированного компьютера Текст. / Д.К. Хоуорд, Р.Н.Малм, Л.М. Уоррен // Электроника. 1983 г. 25-26 с.43 -46.

103. Межов, В.Е. Некоторые особенности реализации пакета программ иерархического моделирования Текст. / В.Е.Межов, И.Е.Медведкова // Методы искусственного интелекта в САПР: Тез. докл. Всесоюзной школы-семинара молодых ученых. Гурзуф, 1990. -С. 74-77.

104. Ачкасов, В.Н. Физические процессы радиационного воздействия в транзисторе Текст. / В.Н. Ачкасов, Ю.В.Гуляев // Моделирование систем и процессов- Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет 2006. Вып.1. - С. 6 - 12.

105. Brown, D.B., Saks N.S. Time-Dependence of Radiation-Induced Interface Trap Formation in Metal-Oside-Semiconductor Devises as a Function of Oxide Thickness and Applied Field // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70, N 7. P. 3734-3747.

106. Schwank, J.R., Fleetwood D.M., Winokur P.S. et al. The Role of Hydrogen in Radiation-Induced Defect Formation in Polysilicon Gate MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. Vol. 34, N6. P. 1152-1158.

107. Устюжанинов, В.Н. Радиационные эффекты в биполярных микросхемах. Текст. / В.Н. Устюжанинов, А.З. Чипиженко -М.: Радио и связь, 1988. 288 с.

108. Коршунов, Ф.П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Текст. / Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов // Минск. Наука и техника, 1978. - 232 с.

109. Rashkeev, S.N., Fleetwood D.M., Schrimpf R.D., Pantelides S.T. Defect Generation by Hydrogen at the Si-Si02 Interface // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 87, N 16. 165506/1-4.

110. Rashkeev, S.N., Fleetwood D.M., Schrimpf R.D., Pantelides S.T. Proton-Induced Defect Generation at the Si-Si02 Interface // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2001. Vol. 48, N 6. P. 2086-2092.

111. Boesch, H.E. Jr. Interface-State Generation in Thick Si02 Layers // Ibid. 1982. Vol. 29, N6. P. 1446-1451.

112. Машевич, П.Р. Инструментальные средства автоматизации проектирования изделий микроэлектроники дизайн-центра Текст. / П.Р.Машевич,

113. В.К.Зольников, К.И. Таперо Воронеж: Воронежский государственный университет, 2006

114. Васин, C.B. Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами. Текст. / Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 1999.

115. Ning, Т.Н. Capture Cross Section and Trap Concentration of Holes in Silicon Dioxide // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47,N2.P. 1079-1081.

116. Johnson, W.C. Mechanism of Charge Buildup in MOS Insulators // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1975. Vol. 22, N 6. P. 2144-2150.

117. Warren, W.L., Shaneyfelt M.R., Fleetwood D.M. et al. Microscopic Nature of Border Traps in MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1994. Vol. 41, N 6. P. 1817-1827.

118. McWhorter, P.J., Miller S.L., Miller W.M. Modeling the Anneal of Radiation-Induced Trapped Holes in a Varying Thermal Environment // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1990. Vol. 37, N 6. P. 1682-1689.

119. Хорюшин, Д.Г. Моделирование эффекта разогрева, возникающего в элементной базе при воздействии радиации Текст. / Д.Г.Хорюшин, А.В.Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2006. — № 1(26). — С. 110 112.

120. Антимиров, В.М. Современные вычислительные комплексы для бортовых систем управления Текст. / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н., Машевич П.Р. // Полет. 2005. №8. - С.23 - 26.

121. Зольников, В.К. Создание отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем Текст. / В.К.Зольников, В.Н.Ачкасов, П.Р.Машевич, И.П.Потапов //

122. Вестник ВГТУ. Системы автоматизации проектирования. 2006. Вып.2. №3. -С.9 -11.

123. Ачкасов, В.Н. Технические средства дизайн центра проектирования универсальных и специализированных радиационно стойких микросхем Текст. / В.Н. Ачкасов, И.П. Потапов, A.B. Ачкасов // Приводная техника - №4. - с. 52-55.

124. Ачкасов, В.Н. Интеграция программных средств САПР Текст. / В.Н.Ачкасов // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. М: Издательство «Радио и связь». - 2006. Часть 2 - С.34.

125. Ачкасов, В.Н. Интеграция программного обеспечения САПР Текст. / В.Н.Ачкасов, П.Р.Машевич // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».- Воронеж: Издательство «Научная книга» 2006. Вып.З. 4.2. - С. 69 - 71.

126. A.c. №1790316, Способ изготовления структур больших интегральных КМОП схем Текст. / В.Н.Ачкасов, В.Р.Гитлин, С.Г.Кадменский. Заявл. 22.02.92; Опубл. 12.02.93, Бюл. №4.

127. A.c. №1616448, Способ изготовления КМДП интегральных схем Текст. / В.Н.Ачкасов ; Заявл. 22.05.90; Опубл. 21.01.91, Бюл. №3.

128. A.c. №1515965, Способ изготовления структур КМОП-интегральных схем Текст. / В.Н.Ачкасов, Н.Я.Мещеряков; Заявл. 15.06.89; Опубл. 10.02.90, Бюл. №4.

129. A.c. №289950, Способ контроля ухода размеров топологических элементов интегральных схем Текст. /В.Н.Ачкасов ; Заявл. 1.03.89; Опубл. 21.02.90, Бюл. №1.

130. А.с. №1319755, Способ изготовления больших интегральных схем с короткока-нальными МДП -транзисторами Текст. / В.Н.Ачкасов, Н.Я.Мещеряков, С.А.Цыбин. Заявл. 15.06.89; Опубл. 21.01.90, Бюл. №3.

131. Ачкасов, В.Н. Библиотека элементов для проектирования радиационно-стойких изделий Текст. / В.Н.Ачкасов, В.П.Крюков, И.П.Потапов// Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». Москва: МИФИ. - 2006,- С.123-124.