Автоматизация проектирования сбоеустойчивых сложных функциональных блоков микроэлектроники к воздействию тяжелых ядерных частиц тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.12, кандидат наук Смерек, Владимир Андреевич

• Смерек, Владимир Андреевич
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Смерек, Владимир Андреевич

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

1. Современные средства автоматизированного проектирования электронной компонентной базы космического назначения

1.1. Анализ состояния и развития современной электронной компонентной базы космического назначения

1.2. Основные факторы космического пространства и физические явления в электронной компонентной базе

1.3. Средства автоматизированного проектирования ЭКБ и их возможности обеспечению сбоеустойчивости к воздействию ТЯЧ.

Постановка задача исследования

Выводы

2. Разработка методики проектирования и математического обеспечения для моделирования воздействия на схемотехническом уровне проектирования

2.1. Методика проектирования современной электронной компонентой базы специального назначения с учетом одиночных событий радиационного характера

2.2. Моделирование воздействия ТЯЧ в активных областях элементов микросхем при проектировании

2.3. Моделирование процессов, характерных для одиночных событий в КМОП

структурах

Выводы

3. Моделирование одиночных событий, методы защиты КМОП типовых элементов и алгоритмическая основа проектирования радиационно-стойких элементов

3.1. Оптимизация методов защиты сложных цифровых блоков от одиночных событий

3.2. Определение вероятности безотказной работы при комплексной оптимизации элементов сложных функциональных блоков в САПР

3.3. Алгоритмическая основа моделирования и обеспечения защиты типовых КМОП

элементов в процессе проектирования

Выводы

4. Результаты внедрения и оценка адекватности и эффективности

разработанных программных средств

4.1. Особенности разработанного программного обеспечения и его внедрение в САПР сквозного проектирования

4.2. Практическая реализация методов защиты

4.3. Внедрение предложенных средств и оценка адекватности моделей

Выводы

Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Автоматизация проектирования сбоеустойчивых сложных функциональных блоков микроэлектроники к воздействию тяжелых ядерных частиц»

Введение

Актуальность проблемы. Известно, что изделия микроэлектроники имеют самое широкое применение во всех отраслях промышленности, в том числе в космических летательных аппаратах. Их применение в условиях космоса стало возможным только при защите от целого ряда дестабилизирующих факторов, одним из которых является радиационное воздействие. В последнее время среди компонент космического излучения наибольшую актуальность приобрело воздействие тяжелых ядерных частиц (ТЯЧ).

Современный уровень развития микроэлектроники характеризуется резким уменьшением проектных норм, увеличением степени интеграции, внедрением новых передовых технологий, развитием новых методов проектирования с использованием макрофрагментов, которые получили название сложные функциональные блоки (СФ-блоки). В этих условиях радиационные эффекты от воздействия ТЯЧ стали носить доминирующий характер. Эти эффекты получили название одиночные события, вследствие случайного проявления, связанного со случайным прилетом частицы во времени. Они проявляются в отказах ячеек памяти, временного функционального отказа, тиристорного эффекта и необратимого отказа. В этих условиях разработчики ЭКБ космического применения уже не могли повысить производительность работы и функциональную полноту микросхем простым увеличением числа элементов за счет уменьшения проектных норм. Необходимы были специальные методы защиты.

Развитию таких методов уделялось значительное внимание, но в основном оно сводилось к структурной избыточности элементов и применению специальных методов защиты (коды Хемминга и т.п). Это работы сотрудников ФГУП «НИИЭТ» Ачкасова В.Н., Крюкова В.П., Потапова И.П., Конарева М.В., ОАО «НИИСИ РАН» Бетелина В.Б., Осипенко П.А., НПО «СПЕЛС» Никифорова А.Ю, Чумакова А.И. ФГУП «НИИП» Улимова В.Н., Таперо В.К., Емельянова В.В. и др. Дальнейшее развитие данной темы должно проходить в более детальном рассмотрении физических процессов и автоматизации оптимального сочетания различных

методов защиты. Ранее реализация методов защиты практически повсеместно сводилось к искусству конструктора проектировщика и поэтому обладало всеми недостатками «человеческого фактора». Решение этих задач достигалось, как правило, развитием одного метода в ущерб другому. В современных условиях перехода на глубоко субмикронные технологии возросла роль оптимального сочетания различных методов защиты, поэтому назрела необходимость обеспечить автоматизацию проектирования специальных микросхем, устойчивых к воздействию ТЯЧ. Для этого должны быть созданы специальные средства проектирования, которые позволили бы обеспечить защиту от возникновения одиночных событий с «максимальной независимостью от человеческого фактора». При этом важным условием реализации таких методов является комплексное сочетание методов защиты: структурной избыточности, применение кодов Хемминга, изменения частоты работы и т.п.

Таким образом, для создания радиационно-стойких микросхем космического назначения в области теории и разработки САПР были выдвинуты актуальные задачи, которые потребовали своего решения.

Диссертация выполнена по программам работ Министерства образования и науки, Министерства промышленности и торговли, которые были реализованы в НИР и ОКР, выполняемых научно-образовательным центром ФБГОУ ВПО «ВГЛТА»: «Разработка средств проектирования микросхем в части моделирования радиационного воздействия и разработка первого варианта радиационно-стойких библиотек элементов», «Разработка средств проектирования микросхем в части моделирования физических процессов сложных транзисторных структур» и др., а также с грантами РФФИ 08-07-99006-р_офи «Развитие средств проектирования изделий микроэлектроники в части моделирования радиационных эффектов и создание на их основе микроконтроллера 1874ВЕ36 с высоким уровнем радиационной стойкости», 12-08-31439 «Средства проектирования и управления проектами электронной компонентной базы» в соответствии с межвузовской научно-технической программой И.Т.601 «Перспективные информационные технологии в высшей школе» и научному направлению ФБГОУ ВПО (ВГЛТА)

«Разработка средств автоматизации управления и проектирования (в промышленности)» №01.2.00609244.

Объектом исследования является автоматизированное проектирование сбоеустойчивых сложных функциональных блоков микроэлектроники.

Предметом исследования являются модели и алгоритмы моделирования воздействия и автоматизации проектирования устойчивых к воздействию тяжелых ядерных частиц СФ блоков микросхем космического назначения.

Цель исследования состоит в создании методов, моделей и алгоритмов моделирования одиночных событий и обеспечение сбоеустойчивости современных комплементарных СБИС (КМОП СБИС), выполненных по глубоко субмикронным технологиям.

Для ее достижения необходимо решить следующие задачи:

1. Провести анализ современного состояния средств автоматизации проектирования сбоеустойчивых СФ блоков, определить проблемы и направления их развития.

2. Сформулировать требования, определить целевые задачи и методику проектирования СФ блоков КМОП СБИС, стойких к воздействию ТЯЧ, выполненных по субмикронным технологиям.

3. Разработать математические модели локальных радиационных эффектов, возникающих в СФ блоках КМОП СБИС при воздействии ТЯЧ космического пространства.

4. Сформулировать научную задачу обеспечения стойкости СФ блоков при комплексном сочетании основных методов их защиты от одиночных событий и определить алгоритм ее решения в условиях ограничения ресурсов.

5. Получить вероятностные оценки увеличения стойкости СФ блоков при сочетании основных методов их защиты от воздействия ТЯЧ.

6. Разработать алгоритмическое и программное обеспечение для проектирования сбоеустойчивых КМОП СБИС космического назначения, провести реализацию разработанных средств и их интеграцию в единую программную среду проектирования КМОП СБИС космического назначения.

7. С помощью разработанных средств осуществить проектирование сбоеустойчивых микросхем, что позволит оценить адекватность и эффективность предложенных средств.

Методика исследования. Для решения поставленных задач использованы: теория вычислительных систем, автоматизации проектирования, аппарат вычислительной математики, а также теория построения программ, методы модульного, структурного и объектно-ориентированного программирования, имитационное, структурное и параметрическое моделирование, экспертные оценки, вычислительные эксперименты.

Научная новизна. В результате проведенного исследования получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной:

- методика автоматизации проектирования сбоеустойчивых СФ блоков, отличающаяся возможностью комплексного обеспечения стойкости к одиночным событиям на основе различных методов защиты для современных изделий микроэлектроники в соответствии с КГС «Климат-7» и руководящими документами, развивающими его;

математические модели локальных радиационных эффектов в чувствительном объеме элемента КМОП СБИС, отличающиеся учетом одиночных событий радиационного характера в соответствии с КГС «Климат-7» и руководящими документами, развивающими его для СБИС высокой степени интеграции, выполненных по глубоко субмикронным технологиям;

- алгоритмы обеспечения устойчивости СФ блоков КМОП СБИС к воздействию тяжелых ядерных частиц, отличающиеся возможностью комплексного оптимального сочетания методов структурной, временной и программной избыточности в условиях ограниченного ресурса;

- расчетные вероятностные оценки параметров стойкости СФ блоков КМОП СБИС к воздействию ТЯЧ, отличающиеся возможностью получения количественных оценок при комплексном сочетании различных методов защиты.

На защиту выносятся следующие основные научные положения:

- методика автоматизации проектирования сбоеустойчивых СФ блоков;

математические модели локальных радиационных эффектов в чувствительном объеме элемента КМОП СБИС;

- алгоритмы обеспечения устойчивости СФ блоков КМОП СБИС к воздействию ТЯЧ;

- расчетные вероятностные оценки параметров стойкости СФ блоков КМОП СБИС к воздействию ТЯЧ.

Практическая значимость и результаты внедрения. Предложенные методы, средства и программные продукты для комплексного проектирования КМОП СБИС двойного назначения внедрены на ФГУП «НИИЭТ» с экономическим эффектом более 1 млн. рублей в год при реализации одного проекта, а также в учебный процесс ФГБОУ ВПО «ВГЛТА» для направления подготовки «Информационные системы и технологии» и дополнительного образования «Разработчик профессионально-ориентированных компьютерных технологий. Специализация микроэлектроника». Анализ результатов внедрения показал их высокую эффективность. Разработанный комплекс методов, моделей, алгоритмов и программного обеспечения позволяют существенно увеличить возможности проектирования СБИС с учетом радиационной стойкости. Основной практический вывод диссертационной работы заключается в создании средств проектирования современной элементной базы, выполненной по субмикронным технологиям, учитывающих одиночные события, вызванные радиационным воздействием, реализованных на единой методологической платформе, что позволяет широко их распространить на предприятиях аналогичного профиля.

Соответствие паспорту специальности. Согласно паспорту специальности 05.13.12 - Системы автоматизации проектирования, задачи, рассмотренные в диссертации, соответствуют областям исследований:

1. методология автоматизированного проектирования в технике, включающая постановку, формализацию и типизацию проектных процедур и процессов проектирования, вопросы выбора методов и средств для применения в САПР;

3. разработка научных основ построения средств САПР, разработка и исследование моделей, алгоритмов и методов для синтеза и анализа проектных решений, включая конструкторские и технологические решения в САПР и АСТПП.

Апробация работы. Научные результаты и положения диссертационной работы обсуждались на научно-технических конференциях и совещаниях по выполнению НИР и ОКР на головных предприятиях электронной промышленности.

Основные результаты работы докладывались на отраслевых конференциях и научных семинарах Министерства промышленности и торговли, российских конференциях: Российской академии наук "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)" (Москва 2010, 2012 год), центра испытаний элементной базы «Стойкость-2011» (Москва 2011), Интеллектуальные технологии будущего, Естественный и искусственный интеллект (Воронеж - 2011), Российско-белорусской конференции «Элементная база отечественной электроники» (Нижний Новгород - 2013).

Публикации результатов работы. По теме диссертации опубликовано 35 работ, включая 9 работ в журналах, входящих в перечень определенных ВАК, авторские свидетельства. Общий объем всех публикаций 112 с (лично автором выполнено 69 с).

Личное участие заключается в определении цели и задач работы, в выполнении научно-технических исследований, разработке и анализе моделей, разработке алгоритмов, разработке методики проектирования, программной реализации и аппаратной реализации.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения, списка литературы и приложения. Материалы диссертации изложены на 130 страницах, включая 105 страниц машинописного текста, 30 рисунок, 3 таблицы, список литературы из 106 наименований и 2 приложения.

1. Современные средства автоматизированного проектирования электронной компонентной базы космического назначения.

1.1. Анализ состояния и развития современной электронной компонентной

базы космического назначения

Электронная промышленность - одна из важнейших областей экономики. Благодаря ее развитию многие страны мира стали ведущими в создании передовых технологий, что позволило им занять лидирующее положение практически во всех областях, включая космическую отрасль.

Объектом микроэлектроники являются диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы, микросхемы и другие изделия, использующиеся для построения электронной аппаратуры, за которыми утвердился термин «электронная компонентная база» (ЭКБ), или «электронные компоненты» (как это принято называть в ведущих промышленно-развитых странах). ЭКБ относится к критически важным технологиям и оказывает непосредственное влияние на технический облик страны и темпы развития всей промышленности.

Современная микроэлектроника развивается опережающими темпами: фундаментально исследуются и детализируются интегральные и локальные физические процессы в полупроводниковых структурах, которые перешли в нанометровый и даже сверхнанометровый диапазон (если рассматривать активные области элементов), резко уменьшаются проектные нормы, крайне высоко растут функциональные возможности изделий, уменьшается потребляемая мощность, внедряются новые технологии производства, методы проектирования, способы планирования и реализации проектов. В этих условиях крайне высока ответственность исполнителей проектов, так как необходимо добиваться высокой безошибочности проектирования, при меньших временных и материальных затратах.

Относительно отечественной микроэлектроники прочно устоялось мнение, что это отрасль у нас развивается достаточно слабо и уровень отставания от

ведущих зарубежных стран не только высокий, но и постоянно увеличивающийся. Однако [1], в 2008 году темпы роста микроэлектроники в России были значительно увеличены и составили почти 25 %, в следующим 2009 году — темпы несколько упали (15 %,) однако это все равно превышало темпы роста других отраслей российской промышленности, в 2010 году снова рост составил почти 25% [1]. Это позволило заявить заместителю министра промышленности и торговли РФ Борисову Ю.И. о том, что отставание российских производителей от западных в данной области сократилось до 5 лет (до 2005 года оно оценивалось не менее , чем в 20-25 лет)[1]. При этом сокращение технологического отставания было присуще практически всем предприятиям РФ, но ведущая роль была у компаний «Ангстрем» и «Микрон». Эти компании - одни из крупнейших производителей микросхем не только в России, но и Восточной Европе[2-4]. Достаточно сказать, что на экспорт идет до 20 % продукции «Микрона». [2].

Рассматривая объекты ЭКБ можно сказать, что резкое развитие технологии, средств проектирования и материально-технического обеспечения привели к возникновению нового объекта, для которого был выбран термин - "система на кристалле" (СнК). Системы на кристалле первоначально возникли как совокупность нескольких микросхем, которые представляли собой отдельные компоненты, а объединение осуществлялось на уровне обмена данными. В то время они назывались «системами в кремнии», но фактически это не были «системы», а лишь наборы отдельных микросхем. Только развитие методов проектирования и глубокая интеграция таких микросхем привели к тому, что появились системы, которые с полным правом можно было назвать СнК.

Такая система представляет собой сложную интегральную схему, сочетающую в себе все основные функциональные элементы в одном корпусе [58].

Компоненты такой системы приведены на рисунке 1.1. Они включает в себя несколько программируемых процессоров (минимально один), устройства памяти, а также различные аппаратно-реализованные функциональные элементы, которые позволяют увеличивать эффективность работы всего устройства. В состав СнК

обязательно входят интерфейсы, обеспечивающие связь с периферийными устройствами и внешней средой. В последнее время СнК стали включать помимо цифровых еще и аналоговые компоненты. Проводятся работы, в которых предусматривается введение в состав СнК оптических и механотронных узлов, что позволит значительно продвинуться в части обеспечения свойств СнК и их возможностей по реализации самых различных функций [9-14]. На сегодняшний день значительно увеличилось число микропроцессорных ядер на одном кристалле. В результате СнК стали представлять собой несколько микропроцессоров и блоков периферии с памятью и портами ввода-вывода информации.

Рисунок 1.1- Основная схема, реализующая тип «Система на кристалле»

Говоря о СнК, нужно отметить, что ее реализация может осуществляться как на одном кристалле (так называемый классический вид), так и на нескольких. При

этом важным условием является реализация системы в одном корпусе. Так появилось понятие «система в корпусе» (СвК). Это достаточно сложная система, состоящая из нескольких кристаллов и объединенная в одном корпусе. Для таких систем были решены многие задачи проектирования компонентов, производства и монтажа кристаллов. При этом необходимо было создать специальные средства проектирования, которые позволяли бы решать задачу соединения выводов. Такие средства получили общее название ЗБ. Важной задачей была интеграция в одном корпусе цифровой и аналоговой частей, которая и в настоящее время не утратила своей актуальности. Среди систем на кристалле отметим классы конфигурируемых и программируемых СнК. Основным свойством конфигурируемых СнК является возможность изменения различных интерфейсов (как внешних, так и внутренних). Основным свойством программируемых СнК является возможность изменения логики как отдельных, так и всех процессов передачи и преобразования информации.

Для таких сложных изделий как СнК невозможно провести проектирование без использования в качестве компонентов макрофрагментов или сложных функциональных блоков (СФ блоков). Эти макроблоки в английской аббревиатуре получили название блоки интеллектуальной собственности (1Р). Для их использования были созданы специальные методы и средства проектирования, в которых основополагающим методом повышения производительности проектирования было предложено многократное (минимально - повторное) использование библиотечных компонентов - СФ блок ов. В качестве таких СФ блоков выступают как небольшие блоки (цифровой логики, интерфейсы с шинами), так и крайне сложные (ядра встроенных процессоров). Отметим, что в настоящее время СФ блоками могут быть и несколько ядер процессоров вплоть до целой СнК (платформы). При этом надо помнить, что все блоки должны быть верифицированы и иметь возможность интегрирования в любую систему.

В настоящее время СнК получили такое развитие, что уже практически невозможно провести границу между электронным компонентом и радиоэлектронной аппаратурой [14].

Рассматривая ЭКБ для космического применения, можно констатировать, что она характеризуется многономенклатурными (до 4500 видов) и малообъемными (до 100 единиц в год) показателями. В [15] отмечается, что качество и надежность ракетно-космической техники РФ определяется жестким соблюдением, прежде всего, требований к ЭКБ. ЭКБ играет важнейшую роль для достижения максимальной эффективности, надежности и долговечности космических систем, и особенно космических летательных аппаратов.

При этом основным условием обеспечения высоконадежной электронной компонентной базы является обеспечение стойкости к полям ионизирующего излучения космоса, широкому диапазону температур и механических напряжений. Для этого необходимо создавать ЭКБ специального применения, стойкие к данным внешним воздействующим факторам. Это накладывает определенные ограничения на ЭКБ, что приводит к следующей ситуации:

- радиационно-стойкие микропроцессоры достигли уровня 286/386-процессоров, тогда как в коммерческих изделиях от них уже практически отказались (используются процессоры уровня «Пентиум» и выше);

- радиационно-стойкие оперативно запоминающие устройства имеют более чем на порядок меньшую информационную емкость по сравнению с коммерческими ОЗУ;

- радиационно-стойкие микросхемы имеют на 1-2 порядка большую стоимость;

- практически полное отсутствие прикладного программного обеспечения для радиационно-стойких микросхем, особенно в России.

Можно оценить эффективность применения микросхем как интегральный показатель от стоимости, времени разработки, поставки и их функциональных возможностей. Рассматривая три класса изделий (коммерческого, военного и космического назначения), по данным [15] эффективность применения микросхем космического назначения среди всех трех классов самая низкая.

эффективное!», применения ЭКБ

стоимость ЭКБ

□

п

вероятность поставки в фебуемые сроки

функциональные возможности

(military)

космическим

(space)

уровень качества

Рисунок 1.2 - Сравнение показателей коммерческих (индустриальных), военных и космических микросхем

На рисунке 1.2. представлено сравнение показателей коммерческих (индустриальных), военных и космических микросхем.

Таким образом, именно космическая электронная компонентная база в силу наиболее низкой эффективности применения обладает наибольшей актуальностью для рассмотрения.

Чтобы избежать или снизить риски ее изготовления необходимо рассмотреть физические процессы в полупроводниковых структурах СФ блоков при воздействии тяжелых ядерных частиц.

1.2. Основные факторы космического пространства и физические явления в электронной компонентной базе

Прежде чем рассмотреть физические процессы в полупроводниковых структурах космического пространства, рассмотрим характеристики этой среды.

Основными источниками радиоактивного излучения в космосе являются галактические и солнечные лучи, которые порождают также и естественные

радиоактивные пояса Земли [16-18]. Они приводят к возникновению ионизирующего излучения и состоят из статического гамма-излучения и потока первичных заряженных ядерных частиц (электронов, протонов, осколков ядер, изотопов - так называемых тяжелых ядерных частиц), а также так называемых вторичных ядерных частиц, которые являются продуктами ядерных превращений, происходящих при взаимодействиях первичных частиц. Отметим, что в процентном отношении основную долю излучения приходится на частицы: электроны, протоны и ТЯЧ.

Если рассматривать галактические космические лучи, то ТЯЧ представляют различные химические элементы (вплоть до атомов урана), при этом их энергия может рассматриваться в диапазоне от 1 до 104 МэВ, а плотность потока лежит в диапазоне 0,1-100 см~2ч-1. Солнечные космические лучи порождают ТЯЧ, которые состоят из ядер химических элементов, начиная от углерода и заканчивая никелем (преобладающее содержание принадлежит кислороду), при этом их энергия может рассматриваться в диапазоне 1-100 МэВ/нуклон.

Все частицы, вызывающие ОС, можно разбить на две группы [19]. Первая состоит из частиц, способных вызвать ОС за счет первичных ионизационных потерь. Это практически все ионы кроме водорода.

Вторая группа состоит из частиц, вызывающих ОС за счет ионизации от воздействия первой группы - вторичными частицами. К ней относят высокоэнергетические протоны, электроны, гамма-кванты и нейтроны (при этом следует помнить, что основной вклад принадлежит высокоэнергетическим протонам, а вклад от электронов и гамма-квантов пренебрежимо мал). Вторичные частицы возникают вследствие генерации неравновесных электронно-дырочных пар в материалах конструкций.

Все эффекты воздействия указанных выше частиц связаны с потерями энергии, которые наблюдаются при их взаимодействии с полупроводниковой структурой, активными и пассивными областями ЭКБ и полупроводниковых приборов. При этом наблюдается параметрический отказ вследствие накопления дозы, временная потеря работоспособности — одиночные сбои, отказы

функционирования, потеря информации и катастрофические отказы. Возможны и изменения структуры материалов: изменение электрофизических свойств материалов, изменение степени прозрачности используемых оптических приборов в виде радиационного окрашивания, механические повреждения и др.

В данной работе рассматриваются воздействие тяжелых заряженных частиц, которые приводят к одиночным событиям. Поэтому этим событиям мы и уделим наше внимание.

Одиночные события относятся к радиационным эффектам «нового» вида. Pix причиной возникновения является взаимодействие отдельной ядерной частицы (на практике повсеместно утвердился термин тяжелая ядерная частица) с активной областью прибора. Это класс эффектов получил название микродозиметрические радиационные эффекты. Они возникают в зависимости от времени прилета частицы и поэтому носят вероятностный характер. По степени проявления их можно разбить на два класса: обратимые и необратимые (катастрофические). События, которые происходят при воздействии таких частиц, принято называть одиночными событиями.

В настоящее время определена более детальная классификация одиночных событий:

- сбой памяти (при регулярной логике) - Single Event Upset (SEU);

- функциональный сбой - Single Event Functional Interrupt (SEFI);

- эффект переходной ионизационной реакции элемента СБИС - Single Event Transient СБИС (SET);

- эффект радиационного защелкивания - Single Event Lutchup (SEL);

- эффект локального выделения энергии в достаточно малом объеме активных элементов - Single Event Hard Error (SEH);

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Смерек, Владимир Андреевич, 2013 год

Литература

1. Борисов, В.И. Реализация стратегии правительства РФ в области микроэлектроники к 2010 году сократила до 5 лет отставание отечественных производителей от западных [Текст] / В.И. Борисов // АРМС-ТАСС, 26 февраля 2010

2. Немудров, В. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие [Текст] / В. Немудров, Г.Мартин - Москва: Техносфера. - 2004. - 216 с.

3. Новые DSP - новый рывок в производительности. Chip News, N10, 2000г. [Текст]//ChipNews- 2000.-№ Ю.-С.21-25.

4. Куцько П.П. Основные направления развития отечественной электрон-ной промышленности [Текст] / П.П. Куцько // Труды российской конференции «Стойкость-2007». Москва СПЕЛС. - 2007. -С. 3-4.

5. Кузьмин, A.B. Система автоматизации проведения конкурсов и аудита выполнения специальных проектов создания микросхем двойного применения [Текст] /А. В. Кузьмин, Ю. К. Фортинский, В. М. Антимиров; Воронеж, гос. унт. - Воронеж, 2008. - 137 с.

6. Фортинский, Ю. К. Автоматизация управления и проектирования в электронной промышленности [Текст] / Ю. К. Фортинский, В. Е Межов, В. К. Зольников, П. П. Куцько; Воронеж, гос. ун-т. - Воронеж, 2008. - 275 с.

7. Ачкасов, В.Н. Разработка и применение информационных технологий в электронной промышленности [Текст] / В.Н. Ачкасов, И.Я. Львович, Ю. К. Фортинский; Воронеж, го. ун-т. - Воронеж, 2008. - 282 с.

8. Редкозубов, С.А. Управление формированием и выполнением программ создания специализированных микросхем [Текст] / С.А. Редкозубов, В.М. Антимиров, Ю.К. Фортинский, П.П. Куцько; Воронеж, гос. ун-та. - Воронеж, 2010.-243 с.

9. Зольников, В.К. Оценка финансового состояния предприятий электронной промышленности [Текст] / В.К.Зольников, П.П.Куцько, А.В.Кузьмин // Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий : материалы международной конференции. / М: Издательство

«Радио и связь». - 2007. Часть 1 - С. 44.

Ю.Машевич, П.Р. Промышленная технология разработки и изготовления отечественных микросхем [Текст] / П.Р.Машевич // Вестник воронежского государственного технического университета. Серия: системы автоматизации проектирования. - 2005. Вып.1. - №11. - С. 127-129.

11 .Антимиров, В.М. Развитие управляющих вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / В.М. Антимиров В.Н.Ачкасов, П.Р.Машевич, Ю.К.Фортинский// Приводная техника. - 2005. - №3(55). - С. 56 - 61.

12.Норенков, И.П. Введение в автоматизированное проектирование технических устройств и систем [Текст] / И.П. Норенков - М.: Высшая школа.- 1986. - 456 с.

13.Постановлением Правительства Российской Федерации от 22 июля 998 г. РФ № 819

Н.Немудров, В Проектирование СБИС на кристалле. Системный подход ЭЛЕКТРОНИКА: / В. Немудров, // Наука, Технология, Бизнес - 2003 - №6 - с 24-30.

15.Данилин,Н.И Особенности применения новой электронно-компонентной базы в космических разработках [Текст] /Н.И Данилин, // Вестник электроники - 2010 — №2 - С36-38

16.Никифоров, А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС [Текст] / А.Ю.Никифоров, В.А.Телец, А.И. Чумаков А.И. - М.: Радио и связь, 1994.

17.ГОСТ 25645.106-84. Пояса Земли радиационные естественные. Термины и определения. Госкомитет СССР по стандартам, 1984.

18.ГОСТ 25645.150-90. Лучи космические галактические. Модель изменения потоков частиц. Госкомитет СССР по стандартам, 1991.

19.Агаханян, Т.М. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах [Текст] / Под ред. Т.М.Агаханяна. - М.:Энергоатомиздат, 1989. - 256 с.

20.Robert, A. Modeling the unmolable: Algorithmic fault diagnostic [Текст] / A.Robert // IEEE Des. Fnd Test Comput- 1997. № 3 - C. 98-103.

21.Agrawal, V. Statisticall Fault Análisis [Текст] / V.D. Agrawal, S.K.Jain//IEEE. Design Test, Feb. - 1985.- C. 38-44.

22.Agrawal, V. Proc. Des. Autom. Conf,. 18th, Nfshville [Текст] / V.D.Agrawal, S.C. Seth, P. Agrawal : Tennesse. - 1981. - С. 196-203

23.Потапов, И.П. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом одиночных событий [Текст]: монография / И.П.Потапов, В.М.Антимиров, К.И.Таперо -Воронеж: Воронеж, гос. ун-т. - 2007,- 165 с

24.Машевич, П.Р. Инструментальные средства автоматизации проектирования изделий микроэлектроники дизайн-центра [Текст] / П.Р.Машевич, В.К.Зольников, К.И. Таперо - Воронеж: Воронежский государственный университет. 2006. - 276 с.

25.Ачкасов, A.B. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом статических видов радиации [Текст]: монография / A.B. Ачкасов, В.К.Зольников, К.И.Таперо -Воронеж: Воронеж, гос. ун-т. - 2006.- 165 с.

26.Ачкасов, В.Н. Проектирование микроэлектронных компонентов космического назначения: монография [Текст] / В.Н. Ачкасов.- Воронеж : Воронежский государственный университет. - 2005.- 301с.

27.Антимиров, В.М. Создание промышленной инфраструктуры разработки, производства и испытания вычислительных комплексов для систем управления двойного назначения [Текст] / В.М. Антимиров, П.Р. Машевич, В.Н. Ачкасов // Авиакосмическое приборостроение. - 2005. - №8. - С. 9-11.

28.Ачкасов, В.Н. Состояние разработок элементной базы ФГУП «НИИЭТ» [Текст] / В.Н.Ачкасов // Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий: материалы X Международной конференции / М: Издательство «Радио и связь». - 2006. Часть 2 - С.35.

29.Фортинский, Ю.К. Разработка и применение информационных технологий в электронной промышленности [Текст]: монография / И.Я. Львович, Ю.К. Фортинский, В.К. Зольников - Воронеж: Воронеж, гос. ун-т, 2009.- 282 с.

30.Зольников, В.К. Методика проектирования радиационно-стойких интегральных схем [Текст] / В.К. Зольников, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2004. - Вып. 1-2. - С.57-60.

31.Cadence Circuit Components and Device Models Manual Product Version 6.0 May 2005 [Текст]/ Cadence Design Systems, Inc., 555 River Oaks Parkway, San Jose, CA 95134, USA

32.Бьюлоу, Ф. Верификация проектов: каков объем моделирования можно считать достаточным. [Текст] / Ф. Бьюлоу// Электроника. 12 - 13. - 1990. -С. 38-44.

33.Ачкасов, В.Н. Методика проектирования радиационно-стойких ИС [Текст] / В.Н.Ачкасов, В.К.Зольников // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. - М.: СПЭЛС-НИИП - 2003. - С.38-39.

34.Ачкасов, В.Н. Конструктивно-технологический базис для создания радиационно-стойких ИС [Текст] / В.Н.Ачкасов, А.Н. Зольникова // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2002. - Вып. 4. - С.92-95.

35.Киносита, К. Логическое проектирование СБИС [Текст] / К.Киносита, К.Асада, О.Карасу - М; Мир. - 2003. - 309 с.

36.Исследование и разработка алгоритмов и экспериментальных программ для специализированного процессора моделирования [Текст] / Научно технический отчет по НИР ТРОПИК // ФГУП «НИИЭТ» - 2007г. - У42917

37.Межов, В.Е. Средства математического моделирования базовых КМОП БИС двойного назначения [Текст] / В.Е. Межов, В.К.Зольников, В.П. Крюков // Вестник. Научно-технический журнал центрального черноземного регионального отделения наук о лесе - Воронеж: ВГЛТА. - 2002. - С. 60-64

38.Потапов, И.П. Архитектура и структура информационной среды проектирования радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / И.П. Потапов // Промышленная информатика ВГТУ. - 2005. - С. 45-46.

39.Ачкасов, В.Н. Алгоритм определения стойкости микроэлектронных компонентов к специальным факторам в САПР ИЭТ [Текст] / В.Н.Ачкасов // Системы автоматизации проектирования. - 2006. - Вып.2. - № 3. - С. 96-98.

40.Ачкасов, A.B. Моделирование радиационных эффектов в КМОП приборах в САПР. [Текст] / А.В.Ачкасов, А.ИЛньков // Приводная техника. - 2006. - № 6(64).-С. 24-26.

41.Смерен, В.А. Разработка средств повышения радиационной стойкости и создание радиационно-стойких СБИС. [Текст] / В.А. Смерек // Моделирование систем и процессов. 2010. № 3-4. С. 31-33.

42.16. Смерек, В.А. Разработка средств повышения радиационной стойкости и создание радиационно-стойких СБИС [Текст] / В.А. Смерек // Моделирование систем и процессов. - 2010. - № 3-4. - С. 31-33.

43.Коршунов, Ф.П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. [Текст] / Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов: Минск. - Наука и техника, 1978. - 232 с.

44.Чумаков, А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы [Текст] / А.И.Чумаков - М.: Радио и связь - 2004. - 327 с.

45.Мырова, JI. О. Анализ стойкости систем связи к воздействию излучения [Текст] / JI.O. Мырова, В.Д. Попов, В.И. Верхотуров., - М.: "Радио и связь". - 1993. -268 с.

46.Паршенков, B.C. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. [Текст] / B.C. Паршенков, В.Д. Попов, A.B. Шальнов - М.: Энергоатомиздатю. - 1988. - 256 с.

47.Ачкасов, В.Н. Физические процессы радиационного воздействия в транзисторе [Текст] / В.Н. Ачкасов, Ю.В.Гуляев // Моделирование систем и процессов -Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет - 2006. Вып.1. - С. 2-6.

48. Васин, C.B. Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами. [Текст] / Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 1999.

49.3ольников, В.К.Разработка математических моделей расчета радиационной стойкости параметров типовых элементов и определение адекватности схемотехнических и конструктивно-технологических решений [Текст] /В.К. Зольников, В.П. Крюков, В.Н. Ачкасов, В.А. Смерек // Моделирование систем и процессов. 2011. - № 1,2. - С - 24-26.

50.3ольников, В.К. Модель радиационных эффектов воздействия тяжелых заряженных частиц в КМОП-элементах микросхем [Текст] / В.К. Зольников,

К.И. Таперо, В.А. Смерек, Т.П. Беляева //Программные продукты и системы. -№3(95).-2011.-С. 17-22.

51. Ачкасов, В.Н. Алгоритм моделирования работы ИС в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР изделий электронной техники [Текст] / В.Н. Ачкасов // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2004. - Вып. 12.- С.61-65.

52.Ачкасов, В.Н. Алгоритм моделирования работы ИС в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР ИЭТ [Текст] / В.Н.Ачкасов // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. Вып.5. - М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. - С. 109-110.

53.Потапов, И.П. Моделирование радиационных эффектов в структуре 81/8Ю2 [Текст] / И.П.Потапов, // Моделирование систем и процессов - Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет -2006. Вып. 1. - С. 49-53.

54.Конарев, М.В. О методах моделирования неисправностей радиационного воздействия [Текст] // М.В. Конарев // Информационные технологии моделирования и управления. - 2009. - № 5(57). - С.663-669.

55.Конарев, М.В. Моделирование радиационного воздействия на микросхемы [Текст] / М.В. Конарев, С.А. Цыбин // Моделирование систем и процессов 2008. -№3,4-С. 46-53.

56.3ыков, В.М. Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии. [Текст] / В.М.Зыков // Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Томск, 2002.

57.Конарев, М.В. Алгоритмическая основа генерации тестов с учетом радиационного воздействия [Текст] / М.В. Конарев // Программные продукты и системы.-2009.-№4.-С. 155-157.

58.Конарев, М.В. Учет радиационного воздействия при верификации объектов проектирования на разных этапах маршрута проектирования [Текст] / М.В. Конарев // Моделирование систем и процессов. - Воронеж: Издательство

типографии Воронежского государственного университета. — 2009. - № 1,2. - С. 36-42.

59.Конарев, М.В. Методы формирования библиотеки логических элементов для моделирования радиационного воздействия [Текст] / М.В. Конарев // Информационные технологии моделирования и управления. - 2009. - № 4(56). -С. 596-600.

60.Потапов, И.П. Архитектура САПР радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / И.П.Потапов // Моделирование систем и информационные технологии: межвузовский сборник научных трудов / Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2006. Вып.З. 4.2. - С. 226 - 227

61.Зольников, В.К. Исследование нелинейных процессов в полупроводниковых структурах в импульсных полях гамма-излучений большой мощности [Текст] / В.К. Зольников В.П. Крюков // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса. Межвуз. сб. науч. тр., Вып.7. Часть I - Воронеж. изд.ВГЛТА, 2002, - С. 201-205.

62.3ольников, В.К. Моделирование реакции ИС при воздействии ИИ в САПР ИЭТ [Текст] / В.К. Зольников, В.П.Крюков // Влияние внешних воздействующих факторов на элементную базу аппаратуры авиационной и космической техники: Тр. I Междунар. практ. конф. Королев. Изд-во М. РАКА, 2002. С.69.

бЗ.Межов, В.Е., Метод повышения стойкости ИС с помощью радиационно-стимулированного метода отбраковки [Текст] / В.Е. Межов., В.К. Зольников.,

B.П. Крюков // Вестник. Научно-технический журнал центрального черноземного регионального отделения наук о лесе - Воронеж: ВГЛТА. - 2002. -

C.51-59.

. 64.Антимиров, В.М. Современные вычислительные комплексы для бортовых систем управления [Текст] / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н., Машевич П.Р. // Полет. 2005. - №8. - С.23 - 26.

65.Ачкасов, В.Н. Средства автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы и унифицированных модулей вычислительных комплексов

бортовых систем управления [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров. П.Р.Машевич // Материалы Российской конференции «Стойкость-2005». -Москва: МИФИ. - 2005.- С.251.

66.Машевич, П.Р. Новые технологии проектирования микроэлектронных компонентов [Текст] / П.Р.Машевич // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».- Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2005. Вып.2. - С. 173-174.

67.Ачкасов, A.B. Моделирование тока утечки при радиационных воздействиях для изделий микроэлектроники [Текст] / A.B. Ачкасов // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. - М: Издательство «Радио и связь». - 2006. Часть 4 - С.17 -18.

68. Зольников, В.К. Моделирование работоспособности радиационно-стойких микросхем [Текст] / В.К.Зольников, П.Р.Машевич // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий». - М: Издательство «Радио и связь». - 2005. Часть 1 — С.77

69. Ачкасов, В.Н. Разработка средств автоматизации проектирования специализированных микросхем для управляющих вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / В.Н.Ачкасов, В.М.Антимиров, В.Е.Межов, В.К.Зольников - Воронеж: Изд-во Воронежский государственный университет, 2005.-240 с.

70.Смерек, В.А. Влияние одиночных сбоев на работу цифровых устройств [Текст] / В.А. Смерек // Моделирование систем и процессов. - 2011. - № 4. - С. 68-71

71.Ачкасов, В.Н. Методы обеспечения стойкости микросхем к одиночным событиям при проектировании радиационно-стойких микросхем [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.А. Смерек, Д.М. Уткин, В.К. Зольников // Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)". Сборник трудов. - 2012. - № 1. - С. 634-637.

72.Яньков, А.И. Методы проектирования сбоеустойчивых 8-разрядных

микроконтроллеров к воздействию ТЗЧ [Текст] / А.И. Яньков, В.А. Смерек, В.П. Крюков, В.К. Зольников, Д.М. Уткин / Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. — 2012.-№4 -С.73-79.

73.Зольников В.К. Методы моделирования одиночных событий в САПРСБИС [Текст] / В.К. Зольников, В.А. Смерек // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».- Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2009. Вып.6. - С. 246 - 248.

74.3ольников, В.К. Разработка математических моделей расчета радиационной стойкости параметров типовых элементов и определение адекватности схемотехнических и конструктивно-технологических решений [Текст] / В.К. Зольников, В.П. Крюков, В.Н. Ачкасов, В.А. Смерек // Моделирование систем и процессов. 2011. № 1-2. С. 24-26.

75. Яньков, А.И. Моделирование радиационного накопления заряда в диэлектрике моп-структуры при средних и высоких значениях мощности дозы [Текст] / А.И. Яньков, В.А. Смерек // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 1. - С. 88-92.

76.Aitcen, Robert С. Modeling the unmolable: Algorithmic fault diagnostic [Текст] / Robe C. Aitcen // IEEE Des. Fnd Test Comput, -997 -14,№3-C.98-103.

77.Анитимиров, В.M. Исследование вариантов резервирования мигистральных связей в вычислительной системе [Текст] / В.М.Анитимиров, В.Н.Ачкасов, П.Р. Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. -№ 2(20).-С.238-243

78.Ачкасов, В.Н. Обобщенный критерий надежности интегральных схем и методы защиты от одиночных сбоев в цифровых устройствах на стадии проектирования [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.А. Смерек, Д.М. Уткин // Политематический сетевой электронный научный журнал Кубанского государственного аграрного университета. - 2012. - № 76. - С. 387-398.

79.Смерек, В.А. Архитектура, структура и методы защиты от сбоев радиационного характера для восьми разрядного микроконтроллера [Текст] / В.А. Смерек, В.К.

Зольников, A.B. Ачкасов // Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии. - 2012. - № 2. - С. 136-141.

80.Смерек, В.А. Методы повышения производительности работы микроконтроллеров. Первый отечественный 16-разрядный микроконвертер [Текст] / В.А. Смерек, В.К. Зольников, A.B. Ачкасов// Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии. - 2012. - № 3. - С. 122-127.

81.Смерек, В.А. Принципы защиты микросхем от одиночных сбоев в процессе проектирования [Текст] / В.А. Смерек, В.Н. Ачкасов // Моделирование систем и процессов. - 2011. - № 3. - С. 60-63.

82.Яньков, А.И. Методы обеспечения сбоеустойчивости к одиночным событиям в процессе проектирования для микропроцессоров К1830ВЕ32УМ и 1830ВЕ32У [Текст] / А.И. Яньков, В.А. Смерек, В.П. Крюков, В.К. Зольников //Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 1. - С. 92-95.

83..Ачкасов, В.Н. Методы проектирования микросхем, стойких к одиночным событиям [Текст] / В.Н. Ачкасов, В.А. Смерек, Д.М. Уткин, К.В. Зольников // Моделирование систем и процессов. 2012. - № 3. - С. 17-20.

84.3ольников, В.К. Обеспечение стойкости микроконтроллеров к воздействию тяжелых заряженных частиц [Текст] / В.К. Зольников, А.И. Яньков, В.А. Смерек, A.B. Ачкасов / Труды первой Российско-белорусской конференции «Элементная база отечественной электроники» - Н.Новгород, Изд. ННТУ. -2013 -Т1- С 60-64.

85.Микитюк, А.Р. Новый алгоритм тестирования ОЗУ. [Текст] / А.Р. Микитюк // Современные проблемы радиотехники, электроники и связи: Науч. тех. конф. Минск 4-5 мая 1995 г. - Минск. 1995 - С. 318-319.

86.Смерек, В.А. Оценка сбоеустойчивости интегральных схем от воздействия тяжелых заряженных частиц в цифровых микросхемах на стадии проектирования [Текст] / В.А. Смерек В.А., Д.М. Уткин, В.П. Крюков // Моделирование систем и процессов. - 2011. - № 4. - С. 71-75.

87.Смерек, В.А. Реализация и оценка методов средств повышения радиационной стойкости СБИС космического назначения [Текст] / В.А. Смерек, В.М.

Антимиров // Моделирование систем и процессов. - 2010. - № 3-4. - С. 31-33.

88.Смерек, В.А. Реализация методов защиты от сбоев радиационного характера для восьми разрядного микроконтроллера [Текст] / В.А. Смерек, В.К. Зольников, A.B. Ачкасов // Труды российской конференции «Стойкость-2011». Радиационная стойкость электронных систем: научно-технический сборник. -М.: МИФИ. 2011.-С. 86-87.

89.Кондратьев, В.В. Автоматизация контроля цифровых функциональных модулей [Текст] / В.В.Кондратьев Б.Н.Махалин - М.; Радио и связь. 1990. - 156 с.

90.Конарев, М.В. Методология модификации параметров логических элементов на функционально-логическом уровне для учета радиационного воздействия в САПР [Текст] / М.В. Конарев // Инженерная физика. - 2009. - № 10. - С. 33-35.

91.Смерек, В.А. Реализация методов средств повышения радиационной стойкости и создание радиационно-стойких СБИС [Текст] / В.А. Смерек, В.М. Антимиров // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 4. - С. 32-34.

92.Патент на полезную модель RUS 102400 24.Блок 16-разрядной арифметики универсального микроконтроллера / Смерек В.А. - № 2010111287 заявл. 27.02.2011; опубл. 24.03.2011.

93.Свидетельство о государственной регистрации топологии. RUS №2010630100 8-разрядная ОЭВМ / Смерек В.А., Львов Ю.В., Медведев Н.Г.-№ 2010630065 заявл. 20.08.2010; опубл. 13.10.2010.

94.Свидетельство о государственной регистрации топологии. RUS №2013630087 Топология интегральной микросхемы 1887ВЕ6Т / Смерек В.А., Шеховцов Д.В., Васильев А.Н.- № 2013630044 заявл. 26.04.2013; опубл. 25.06.2013.

95.Свидетельство о государственной регистрации топологии. RUS №2013630084 Топология интегральной микросхемы 1874ВЕ7Т / Смерек В.А., Медведев Н.Г., Львов Ю.В.- № 2013630043 заявл. 26.04.2013; опубл. 18.06.2013.

96.Смерек, В.А. Микроконтроллер 1830ВЕ32У - 8-разрядная архитектура MSC-51 в радиационно-стойком исполнении [Текст] / В.А. Смерек, А.И. Яньков, A.B. Крюков // Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки

перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)". Сборник трудов. -2010.-№ 1. - С.279-282.

97.Смерек, В.А. Микроконвертер К1874ВЕ96Т. Первый отечественный 16-разрядный микроконвертер [Текст] / В.А. Смерек, В.Н. Ачкасов, И.П. Потапов // Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)". Сборник трудов. 2010. № 1.С. 390-393.

98.Смерек, В.А. Радиационно-стойкий микроконтроллер со встроенным АЦП, контроллером интерфейса ГОСТ Р 52070-2003 и Space Wire [Текст] / В.А. Смерек, / Труды первой Российско-белорусской конференции «Элементная база отечественной электроники» - Н.Новгород, Изд. ННТУ. — 2013 - Т1 - С 79-83.

99.Смерек, В.А. 16-разрядный RISC-микроконтроллер 1887ВЕЗТ на базе ядра C166SV1.2 [Текст] / В.А. Смерек, Д.М. Шеховцов, Н.Г. Медведев, B.C. Горохов, И.П. Потапов / Электронные компоненты - 2011. - №7. - с.34-38.

100. Конарев, М.В. Методы формирования библиотеки логических элементов для моделирования радиационного воздействия [Текст] / М.В. Конарев // Системы управления и информационные технологии. - 2009. - № 2.2(36). - С. 260-263

101. Потапов, И.П. Состояние и перспективы развития 8- и 16-разрядных микроконтроллеров [Текст] / И.П.Потапов, В.П.Крюков, Д.В. Шеховцов, В.А. Смерек// Радиопромышленность. - 2013. - № 1. - С. 89-95.

102. Смерек, В.А. Арифметико-логические устройства и их синтез [Текст] / В.А. Смерек, Е.Д. Алперин, В.П. Крюков, // Вестник Воронежского государственного технического университета. - 2009. - Т.5. - № 4. - С. 29-31.

103. Зольников, В.К. Проектирование специальных СБИС и управление проектами их создания [Текст] / В.К. Зольников, В.А. Смерек, Т.П. Беляева // Интеллектуальные технологии будущего. Естественный и искусственный интеллект.: материалы Всероссийской научной школы. - Воронеж : ИПЦ «Научная книга», 2011. - С.218 - 220.

104. Беляева, Т.П. Планирование реализации специальных проектов [Текст] / Т.П. Беляева, В.А. Смерек, М.В. Конарев К.В. Зольников // Труды российской

конференции «Стойкость-2011». Радиационная стойкость электронных систем: научно-технический сборник. - М.: МИФИ - 2011. -С.239-242.

105. Яньков А.И. Методика функционального контроля СБИС серии 1874 на стойкость к воздействию ТЗЧ КП [Текст] / А.И. Яньков, В.А. Смерек, Труды российской конференции «Стойкость-2011». Радиационная стойкость электронных систем: научно-технический сборник. - М.: МИФИ. 2011. - С. 88-

106. Крюков, В.П. Результаты экспериментальных исследований микросхем 1882ВЕ53У, 1882ВЕ53УМ и 1830ВЕ32У на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц. [Текст] / В.П. Крюков, А.И. Яньков, В.Г. Калинин, В.А. Смерек // Моделирование систем и процессов. - 2011. - № 4. - С. 41-44.

89.