Исследование и разработка методов моделирования характеристик ИМС в условиях воздействия радиации тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.12, доктор технических наук Зольников, Владимир Константинович

• Зольников, Владимир Константинович
• доктор технических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор технических наук Зольников, Владимир Константинович

Содержание

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ, ВОЗНИКАЮЩИЕ В МИКРОСХЕМАХ, ПРИ ЭКСПЛУАТАЦИИ В ПОЛЯХ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ И СРЕДСТВА МОДЕЛИРОВАНИЯ

1.1. Характеристики дестабилизирующих факторов, воздействующих

на радиоэлектронную аппаратуру

1.2. Взаимодействие ионизирующего излучения с биполярными ИМС и

возникающие при этом эффекты

1 .З.Критерии оценки стойкости и надежности биполярных ИМС

1.4. Методология единого комплексного подхода для прогнозирования показателей радиационной стойкости

1.5. Цель и задачи исследования

ГЛАВА2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ТЕПЛОВЫХ И ТЕРМОМЕХАНИЧЕСКИХ ЭФФЕКТОВ, ВОЗНИКАЮЩИХ В МАТЕРИАЛАХ ИМС ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИЗЛУЧЕНИЯ С БОЛЬШИМ ПОГЛОЩЕНИЕМ

2.1. Общие физические принципы моделирования тепловых и термомеханических эффектов

2.2. Моделирование тепловых и термомеханических эффектов

в материалах микросхем

2.2.1. Тепловые эффекты

2.2.2. Термомеханические эффекты

ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭФФЕКТОВ В МИКРОСХЕМАХ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СТАТИЧЕСКИХ ВИДОВ ИЗЛУЧЕНИЯ С МАЛОЙ МОЩНОСТЬЮ

3.1. Общие принципы моделирования

3.2. Математическая модель деградации электропараметров микросхем в полях ионизирующего излучения малой мощности в различных термотоковых режимах

ГЛАВА 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ИОНИЗАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ И ЭФФЕКТОВ СМЕЩЕНИЯ

4.1. Общие принципы моделирования ионизационных эффектов и эффектов смещения с помощью макромоделирования

4.2. Математические модели прогнозирования

ионизационных эффектов и эффектов смещения

ГЛАВА 5. ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ РАДИАЦИОННО-СТОЙКИХ ИМС В ТИПОВЫХ АРМ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

5.1. Архитектура и развитие технических средств типовых АРМ

5.1.1. Обзор уровня и перспектив развития САПР изделий электронной техники

5.1.2. Архитектура АРМ проектирования ИЭ и ВТ

5.1.3. Состояние и пути развития отечественных АРМ

5.2. Структура программных средств проектирования

микросхем в типовых АРМ на ПЭВМ

5.3. Базовые графические средства описания проектов типовых АРМ

5.3.1. Особенности структуры базовой графической подсистемы

5.3.2.Особенности реализации лингвистических и информационных средств

5.3.3. Возможности основных алгоритмов

5.3.4. Особенности программной реализации базовой графической подсистемы

5.4. Программные модули, обеспечивающие учет радиационных эффектов в подсистеме моделирования цифровых

радиационно-стойких микросхем

5.4.1. Комплекс программ расчета стойкости микросхем по тепловым и термомеханическим эффектам

5.4.2. Комплекс программ расчета электропараметров микросхем при воздействии импульсных видов излучения

5.4.3. Комплекс программ расчета электропараметров микросхем при воздействии статических видов излучения малой мощности

5.5. Системный подход к моделированию параметров радиационно-стойких цифровых микросхем в АРМ проектирования изделий электронной техники и режимы работы подсистемы

5.5.1. Реализация системного подхода при проектировании

радиационно-стойких ИМС в разработанной подсистеме

5.5.2. Режимы работы подсистемы

ГЛАВА 6. ЭФФЕКТИВНОСТЬ СРЕДСТВ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЦИФРОВЫХ РАДИАЦИОННО-СТОЙКИХ МИКРОСХЕМ

6.1. Экспериментальная оценка точности и эффективности

разработанных средств моделирования

6.2 Внедрение средств моделирования

6.3. Разработка методического обеспечения

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛАТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и разработка методов моделирования характеристик ИМС в условиях воздействия радиации»

Введение

Актуальность проблемы. Расширение сферы применения элементной базы в различных системах управления и контроля на космических летательных аппаратах, в ядерных энергетических установках на судах, космических кораблях и т.п., атомных электростанциях (АЭС), для которых возможны, кроме нормального режима работы, и нештатные ситуации, требует создание целого класса ра-диационно-стойких ИМС.

Известные отечественные и зарубежные программные комплексы, системы и подсистемы, предназначенные для автоматизированного проектирования ИМС или не позволяют прогнозировать работоспособность ИМС в условиях воздействия ионизирующего излучения (ИИ), или прогнозируют ее не полностью. Это связано прежде всего с тем, что такие автоматизированные САПР не имеют проблемно-ориентированных подсистем с соответствующей информационной базой, математическим и программным обеспечением.

Кроме того, постоянно меняются требования по составу и параметрам ИИ. Недавно проведенный анализ внешней дестабилизирующей обстановки реальных условий эксплуатации ИМС в космическом пространстве, на АЭС и т.п. показал, что требуется существенная корректировка параметров ИИ по спектрально-энергетическим и амплитудно-временным характеристикам. Это приводит к модификации, а в некоторых случаях и пересмотру, физических моделей, определяющих воздействие радиации на ИМС, что ведет к необходимости соответствующей математической и программной модификации САПР в части учета влияния ИИ.

Одним из ключевых моментов модификации САПР является новый подход к физической стороне процессов, протекающих в ИМС. Исследования, проведенные в последнее время, подтвердили, что существует глубокая связь между процессами, связанными с деградацией электропараметров от радиации и естественного старения. Это проявляется при моделировании факторов космического пространства, для которого характерна низкая интенсивность воздействия радиации. В существующих САПР практически отсутствуют средства моделирования, которые способны моделировать комплексное воздействие естественного старения и радиации.

Следует отметить, что также недостаточно освещены вопросы моделирования тепловых и термомеханических эффектов, характерных для рентгеновского излучения, особенно в части соответствующего математического и программного обеспечения. Причем комплексное моделирование тепловых эффектов и эффектов, связанных с процессами ионизации и необратимой деградацией параметров, решено не достаточно полно на уровне физического моделирования и тем более на математическом и программном уровне в системе автоматизированного проектирования.

Недостаточно отработаны методы проектирования на схемотехническом уровне БИС и СБИС, учитывающие процессы радиационного воздействия и естественного старения. Это связано, с одной стороны, с увеличением числа компонентов системы и функциональных связей между ними, а с другой стороны, с постоянным уточнением радиационного воздействия.

В этой связи следует отметить то, что увеличение степени интеграции и функциональной сложности ИМС поставило задачу совершенствования технических средств проектирования.

Проектирование ИМС на функционально-логическом уровне также требует своего решения в части учета необратимых эффектов радиации и переходных эффектов. В настоящее время для этой цели применяются различные подходы, но они не учитывают комплексного характера изменений характеристик логических параметров, вызванных различными процессами деградации.

Таким образом, для создания радиационно-стойких ИМС, в области теории и разработки САПР были выдвинуты актуальные задачи, которые потребовали комплексного подхода к автоматизированному проектированию, начиная от совершенствования технических средств и физических моделей процессов и заканчивая математическим обеспечением и программной реализацией.

Цель работы: создание и исследование автоматизированной подсистемы моделирования ИМС при эксплуатации в полях ионизирующего излучения, которая обеспечивает комплексный подход и учитывает последние требования в части характеристик воздействия ИИ.

Эта подсистема должна прогнозировать показатели радиационной стойкости и параметрической надежности в различных режимах эксплуатации и про-

водить анализ работоспособности ИМС с целью оптимизации параметров ИМС по критерию радиационной стойкости.

Для решения поставленной цели должны быть решены следующие основные задачи:

- формирование методологии единого системного подхода при прогнозировании работоспособности ИМС в условиях ИИ;

- разработка моделей физических процессов, происходящих в конструкции ИЭТ при воздействии ИИ с сильной степенью поглощения (рентгеновское излучение), которые учитывают изменение тепловых и термомеханических процессов во времени и в зависимости от габаритных размеров конструкции;

- создание модели деградации электропараметров ИМС при воздействии статических видов ИИ с учетом мощности дозы, температуры среды и режима работы ИМС;

- создание моделей активных компонентов биполярных ИМС, которые зависят от конструктивно-технологических особенностей исполнения, режимов работы ИМС, спектрально-энергетических и амплитудно-временных характеристики гамма-, рентгеновского и нейтронного излучений с учетом последних требований к параметрам воздействующей радиации;

- разработка алгоритмов и программного обеспечения для моделирования реакции ИМС на импульсное ИИ;

- разработка алгоритмов и программного обеспечения, позволяющих моделировать тепловые и термомеханические процессы, происходящие в конструкции ИЭТ при импульсном ИИ;

- разработка алгоритмов и программного обеспечения, позволяющих моделировать поведение электропараметров ИМС к статическим видам ИИ;

- создание программного и информационного обеспечения для комплексного автоматизированного моделирования работоспособности ИМС в составе САПР;

- разработка АРМ для проектирования ИМС в условиях воздействия ИИ и интеграция программно-технического комплекса в состав автоматизированных средств сквозного проектирования.

Методы исследования. При решении поставленных задач использованы физические методы исследования поведения ИМС в условиях ИИ, теории сис-

темного анализа, методы вычислительной математики, структурного и системного программирования, теории цепей, методы теории графов, а также новые информационные технологии.

На защиту выносятся следующие основные научные положения:

1. Методология единого системного подхода при прогнозировании поведения ИМС в условиях воздействия ИИ, основанная на комплексном подходе к процессам: энерговыделения, взаимодействия процессов естественного старения и радиационной деградации. Разработка методики поэтапного подхода к прогнозированию поведения ИМС в условиях ИИ.

2. Модели тепловых и термомеханических процессов, происходящих в конструкции ИЭТ при воздействии ИИ с сильной степенью поглощения (рентгеновское излучение), которые учитывают изменение характера этих процессов во времени и в зависимости от габаритных размеров конструкции, а также возможность определения температуры активных компонентов в любой момент времени для моделирования работоспособности ИМС на схемотехническом уровне.

3. Модель деградации электропараметров ИМС при воздействии статических видов ИИ с учетом мощности дозы, температуры среды и режима работы ИМС, а также взаимного влияния процессов деградации от радиации и естественного старения.

4. Модель активных компонентов биполярных ИМС и макромодель выходного биполярного элемента цифровых логических ИМС ТТЛ и ТТЛШ, определяющие работоспособность в полях ИИ, учитывающие конструктивно-технологические особенности исполнения, режимы работы ИМС, спектрально-энергетические и амплитудно-временные характеристики ИИ, включая последние требования к параметрам радиации.

5. Алгоритмические процедуры и программное обеспечение автоматизированного определения показателей стойкости и надежности, а также их зависимостей от амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик ИИ.

6. Подсистема моделирования характеристик ИМС, применяемых в полях ИИ, которая обеспечивает комплексный подход к радиационному воздействию и учитывает последние требования в части характеристик воздействия ИИ.

Научная новизна состоит в следующем:

1. Развита методология единого системного подхода при прогнозировании поведения ИМС в условиях ИИ, которая использует предложенные принципы: единства процессов энерговыделения различных видов ИИ и единство рассмотрения процессов деградации ИМС от естественного старения и радиации с учетом зависимости от широкого набора входных воздействий, включая радиационное воздействие, состоящее из нескольких видов ИИ, разнесенных во времени.

2. Разработаны модели физических процессов, происходящих в конструкции ИЭТ при воздействии ИИ с сильной степенью поглощения (рентгеновское излучение), которые отличаются учетом динамики тепловых и термомеханических процессов и зависимостью термомеханического напряжения от габаритных размеров конструкции, а также возможностью определения температуры активных элементов в любой момент времени.

3. Разработана модель деградации электропараметров ИМС при воздействии статических видов ИИ, в которой предложен принцип учета мощности дозы, температуры среды и режима работы ИМС, включая взаимодействие процессов естественного старения и деградации электропараметров от радиации.

4. Разработаны модели активных компонентов биполярных ИМС и предложена макромодель выходного биполярного элемента цифровых логических ИМС ТТЛ и ТТЛШ, отличающиеся не только учетом конструктивно-технологических особенностей исполнения и режимов работы ИМС, но и влиянием спектрально-энергетических и амплитудно-временных характеристик ИИ на показатели стойкости, включая последние требования к характеристикам воздействующей радиации.

5. Разработаны алгоритмы для прогнозирования поведения ИМС в условиях ИИ и программное обеспечение автоматизированного определения показателей стойкости и надежности, а также их зависимостей от амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик ИИ.

6. Модифицированы технические средства и создана подсистема САПР для анализа и проектирования радиационно-стойких ИМС.

Практическая ценность работы.

Разработанный комплекс методов, алгоритмов и созданная автоматизиро-

ванная подсистема позволяет существенно расширить класс решаемых прикладных задач по радиационной стойкости ИМС. Основной практический вывод диссертационной работы заключается в создании единой методологии анализа радиационной стойкости ИМС при воздействии различных видов ИИ и разработке на ее основе инструментария для заказчиков и инженеров служб, отвечающих за радиационную стойкость ИМС.

Методы, алгоритмы и комплексы программ, взаимодействующих в автоматизированной подсистеме, разработанные в диссертации, внедрены на ряде предприятий, выпущены отраслевые руководящие материалы (РМ) и документы (РД), которые позволяют не только определить показатели стойкости ИМС, но и проектировать радиационно-стойкие ИМС. Использование этих методов дает ценную информацию по анализу поведения компонентов ИМС в условиях ИИ, которую практически невозможно получить в эксперименте.

Данная подсистема моделирования более адекватно отражает реакцию ИМС на ИИ, так как в нее включены уточненные характеристики ИИ и физические модели, которые наиболее точно соответствуют реальным процессам. Внедрение этих методов позволило разработать ряд новых серий ИМС, обладающих повышенной радиационной стойкостью, в НИИ Электронной техники.

Реализация и внедрение результатов работы.

Представленные в диссертации исследования являются результатом научной работы, проведенной на ряде отечественных предприятий и предприятий ближнего зарубежья (НИИ электронной техники, Воронежском заводе полупроводниковых приборов, НИИ Приборов, Нововоронежской Атомной Станции, Ужгородском Государственном Университете, Ташкентском институте ядерной физики). Работы выполнялись в рамках более чем 80 научно-исследовательских работ, выполняемых по заказам министерства электронной промышленности (МЭП). Реализацию данной работы также можно представить двумя направлениями: первое -связано с определением показателей стойкости, второе - с разработкой радиаци-онно-стойких ИМС.

Результаты проведенных исследований по первому направлению позволили разработать ряд методик для прогнозирования стойкости и параметрической надежности биполярных ИМС. Данные методики согласованы с НИИ Приборов, Центральным институтом испытаний Министерства обороны, утверждены РНИИ "Электронстандарт" и внедрены в НПО "Электроника". Кроме того, разработана

типовая методика испытаний и оценки стойкости ИМС биполярного технологического исполнения, которая конкретизирует ГОСТ в части определения показателей стойкости. Расчетные значения показателей стойкости нашли отражение в отраслевом справочнике.

Исследования, связанные с проектированием радиационно-стойких ИМС, применялись в НИИ Электронной техники, при разработке ряда серий биполярных ИМС - 1505, 1504, Б1505, Б1504, 582, 1804, 1838, всего более 100 типономи-налов. Основные рекомендации и правила создания радиационно-стойких ИМС нашли отражение в ряде РД, выпущенных как НПО "Электроника", так и отраслью в целом.

Кроме того, научные результаты работы включены в методические пособия "Физические процессы, модели, методы ЭРИ при раздельном и последовательном действии ИИ", "Методы прогнозирования и оценки стойкости и надежности изделий электронной техники в условиях длительного НИИ".

Апробация работы. Научные результаты и положения диссертационной

работы докладывались и обсуждались на научно-технических конференциях и совещаниях по выполнению более чем 60 НИР и ОКР в РНИИ "Электронстандарт" (г. С.Петербург), в НИИП (г.Лыткарино Московской области), в 22 ЦНИИИ МО и на предприятиях электронной промышленности за период с 1985 по 1998 год.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на конференциях и семинарах. В том числе: на II межотраслевой научно-технической конференции "Влияние низкоинтенсивных излучений космического пространства и атомных станций на элементы и устройства радиоэлектроники и электротехники" (г.Лыткарино Московской области, 1996г); на III межотраслевой научно-технической конференции "Влияние низкоинтенсивных излучений космического пространства и атомных станций на элементы и устройства радиоэлектроники и электротехники" (г.Лыткарино Московской области, 1997г); на Российской конференции "Радиационная стойкость электронных систем (Стойкость 98)" (г.Лыткарино Московской области, 1998г); на международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы анализа и обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем" (Пенза 1998г); на 5-ой научно-технической конференции в военном институте радиоэлектроники (г.Воронеж, 1998г.); на XXXVI отчетной научной конференции в ВГТА (г.Воронеж, 1998г).

Публикации результатов работы. По теме диссертации опубликовано 47 печатных работ, в том числе монография "Система проектирования биполярных радиационно-стойких ИМС".

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка литературы и приложения.

В первой главе диссертационной работы рассмотрены физические процессы, возникающие в микросхемах при эксплуатации в полях ионизирующего излучения, классифицированы эффекты, наблюдаемые в ИМС, и определена методология единого системного подхода при прогнозировании показателей радиационной стойкости.

Вторая глава посвящена моделированию тепловых и термомеханических эффектов. В представленной диссертационной работе классический подход к этим явлениям получил дальнейшее развитие.

По тепловым эффектам

тепловые эффекты рассматриваются с учетом перераспределения температуры между слоями. При этом оценивается температура активных элементов кристалла ИМС не только непосредственно после воздействия, но и спустя некоторое время после импульса. Данное представление позволило определить изменение температуры активных элементов кристалла во времени и определить временную потерю работоспособности.

По термомеханическим эффектам

термомеханические эффекты рассматриваются с учетом динамического перераспределения температур и габаритных размеров изделия. Такой подход позволил определить влияние габаритных размеров слоев на напряжения, которые возникают между ними и в ряде случаев определяют разрушение конструкции.

В третьей главе представлено моделирование реакции ИМС на воздействие статических видов излучения. Специфичность этих процессов обусловлена не только радиационными воздействиями, но и естественным старением, возникающим в том случае, если мощность воздействия мала. Кроме того, на эти процессы влияет температура и электрический режим эксплуатации.

При исследовании радиационной стойкости оценивается изменение электропараметров от дозы воздействия. Критерием отказа является выход электро-

параметра за норму ТУ. В данной работе рассматриваются постепенные (дрейфовые) отказы изделий, или параметрическая надежность. Таким образом, областью определения данной модели является радиационная стойкость и параметрическая надежность.

Четвертая глава посвящена моделированию переходных процессов в цифровых биполярных ИМС. Для прогнозирования работоспособности ИМС по этим эффектам автором разработаны два подхода.

Первый связан с оперативным получением результатов прогнозирования и использует макромоделирование, а также результаты испытаний. Он опирается на предложенную автором модель. Основа ее состоит в том, что ИМС заменяется на макромодель, состоящую из выходного каскада (главной частью которого является выходной транзистор) и макрофрагмента, представляющего входные и внутренние блоки ИМС. Область применения этой модели - ИМС малой и средней степени интеграции.

Второй связан с более точным прогнозированием. Смысл его заключается в том, что расчет стойкости производится с помощью стандартного расчета выходных электропараметров в структуре САПР, в которой в качестве библиотечных элементов используются модели биполярных транзисторов, диодов, макрофрагментов и т.п., учитывающих радиационное воздействие. Моделирование работоспособности ИМС в этом случае осуществляется на двух уровнях: электрическом и логическом.

Пятая глава рассматривает технические средства и программное обеспечение для моделирования параметров радиационно-стойких ИМС в типовых АРМ проектирования изделий электронной техники

Программное обеспечение для анализа работоспособности ИМС в условиях ИИ выполнено в форме подсистемы САПР, которая может функционировать как в рамках САПР, так и автономно в АРМ на базе микроЭВМ.

В шестой главе проведен анализ точности расчета и эффективности средств моделирования цифровых радиационно-стойких микросхем.

Оценка точности математического обеспечения проверялась путем сравнения результатов расчета с экспериментальными данными, полученными на моделирующих установках, а также по результатами испытаний, полученных в ре-

альных условиях эксплуатации ИМС на АЭС, включая имитирование нештатной ситуации.

В заключении подводится итог работы и формулируются основные выводы. Материалы диссертации опираются на результаты исследования автора, которые были получены на ряде отечественных предприятий и предприятий ближнего зарубежья электронной промышленности.

Заключение диссертации по теме «Системы автоматизации проектирования (по отраслям)», Зольников, Владимир Константинович

Основные выводы шестой главы:

1. Исследованы вопросы точности представленной подсистемы прогнозирования поведения ИМС в условиях ИИ, которые показали удовлетворительную корреляцию расчетных и экспериментальных данных.

2. Проведен анализ эффективности представленного программного обеспечения.

3. Получены расчетные значения поведения в различных условиях ИИ транзисторов, транзисторных сборок и ИМС различных серий.

Заключение

Создана автоматизированная подсистемы моделирования ИМС при эксплуатации в полях ионизирующего излучения, которая обеспечивает комплексный подход и учитывает последние требования в части характеристик воздействия ИИ. Эта подсистема прогнозирует показатели радиационной стойкости и параметрической надежности в различных режимах эксплуатации, а также проводит анализ работоспособности ИМС с целью разработки радиационно-стойких ИМС.

В ходе выполнения указанной работы были решены следующие задачи:

1. Сформулирована методология единого системного подхода при прогнозировании поведения ИМС в условиях ИИ, которая позволяет различные виды воздействия представлять сравнительно ограниченным набором характеристик, проводить моделирование ИМС к комплексному воздействию ИИ (состоящему из нескольких видов ИИ, разнесенных во времени), с учетом единства процессов деградации ИМС от естественного старения и радиации.

2. Разработаны модели физических процессов, происходящих в конструкции ИЭТ при воздействии ИИ с сильной степенью поглощения, с этой целью были решены следующие задачи:

- изменение температурного профиля со временем в структуре материалов, обладающих различными теплофизическими характеристиками и имеющими сложный начальный профиль температур;

- динамическое изменение напряжения между слоями структуры, имеющими различные теплофизические характеристики и сложный начальный профиль температур.

3. Определены математические соотношения, позволяющие рассчитывать характеристики процессов, связанных с перераспределением тепла и с неоднородным расширением и последующей деформацией материалов вследствие их нагрева.

4. Разработана физическая модель деградации электропараметров ИМС при воздействии статических видов ИИ, которая рассматривает деградацию параметров как от естественного старения, так и от радиации.

5. Определены математические соотношения, позволяющие определять деградацию критериальных параметров ИМС при воздействии статических видов ИИ с учетом мощности дозы, температуры среды и режима работы ИМС, включая взаимодействие процессов естественного старения и деградации электропараметров от радиации.

6. Разработана модель оценки показателей стойкости цифровых биполярных ИМС ТТЛ и ТТЛШ при воздействии на них импульсного ИИ (гамма-,

СЖР- и нейтронного излучений), основанная на макромодели выходного биполярного элемента цифровых логических ИМС ТТЛ и ТТЛШ и моделях активных компонентов биполярных ИМС.

7. Определены математические соотношения, определяющие реакцию моделей активных компонентов биполярных ИМС и макромодели выходного биполярного элемента цифровых логических ИМС ТТЛ и ТТЛШ к ИИ на схемотехническом уровне, учитывающие конструктивно-технологические особенности исполнения, режимы работы ИМС, спектрально-энергетические и амплитудно-временные характеристики ИИ, включая последние требования к характеристикам воздействующей радиации,

8. Разработаны модели компонентов ИМС и их параметры при моделировании работоспособности ИМС на логическом уровне, учитывающие комплексное изменение параметров от широкого набора входных характеристик для переходных процессов и процессов, связанных с необратимыми изменениями;

9. Разработаны алгоритмы и программное обеспечение автоматизированного определения показателей стойкости и надежности, а также их зависимостей от амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик ИИ, для чего были решены следующие задачи:

- разработан метод, алгоритм и программное обеспечение для расчета тепловых и термомеханических эффектов, которые нашли практическую реализацию в типовой методике расчета тепловых и термомеханических эффектов, внедренной в НИИЭТ, согласованной с 22 ЦНИИИ МО и НИИП и утвержденной РНИИ "Электронстандарт";

- разработан метод, алгоритм и программное обеспечение для расчета переходных процессов, которые нашли практическую реализацию в типовой методике расчета переходных процессов , внедренной в НИИЭТ, согласованной с 22 ЦНИИИ МО и НИИП и утвержденной РНИИ "Электронстандарт";

- разработан метод, алгоритм и программное обеспечение для расчета необратимых эффектов, которые нашли практическую реализацию в типовой методике расчета необратимых эффектов, внедренной в НИИЭТ, согласованной с 22 ЦНИИИ МО и НИИП и утвержденной РНИИ "Электронстандарт".

10. Модифицированы технические средства и создана интегрированная подсистема САПР для анализа и проектирования радиационно-стойких ИМС, способная проводить оптимизацию параметров ИМС по критерию радиационной стойкости.

11. С помощью разработанной методики и программ расчета был проведен расчет типовых представителей ИМС, транзисторов и диодов различного конструктивного исполнения, который позволил определить их показатели стойкости и надежности и причины выхода изделий из строя.

12. Анализ поведения ИМС в условиях ИИ позволил оптимизировать технологические, конструктивные и схемотехнические параметры по критерию радиационной стойкости, что нашло отражение в отраслевом РД по разработке радиационно-стойких ИМС биполярного технологического исполнения.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Зольников, Владимир Константинович, 1998 год

Латература

1. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. - Киев: - Наукова думка, 1979.

2. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск. - Наука и техника, 1978. - 232 с.

3. Вавилов B.C., Ухин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. - М.:Атомиздат, 1969. - 312 с.

4. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники /Под ред. Е.А.Ладыгина. - М.:Советское радио, 1980.-224 с.

5. Мырова Л.О., Чипиженко А.З. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи. - М.: Радио и связь, 1983. - 216 с.

6. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Виздействие радиации на интегральные микросхемы. - Минск: Наука и техника, 1986. - 254 с.

7. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах / Под ред. Т.М.Агаханяна. -М.:Энергоатомиздат, 1989. - 256 с.

8. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. - М.:Атомиздат, 1974.-232 с.

9. Rickits L.W. Fundamentals of Nuclear Hardening of Electronic Equipment. -N.Y.:Wiley - Interscience, 1972.

10. Проектирование электронных схем с учетом радиационных воздействий/ Е.Р. Аствацатурьян, О.Н.Голотюк, Ю.А.Попов и др. - М.: Изд-во МИФИ, 1984.-76 с.

П.Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. - М.:Этомэнергоиздат, 1988.-256 с.

12.Хаффнер Дж. Ядерное излучение и защита в космосе. - М.: Атомиздат,

1971.

13. Ширшев Л.Г. Ионизирующие излучения и электроника. - М.:Сов. Радио, 1969.

14. Акишин А.И., Новиков Л.С. Воздействие окружающей среды на материалы космических аппаратов // Новое в жизни науки и техники. Сер. "Космонавтика и астрономия". - М.:3нание, - 1983 - №4.

15. Максименко Б.П. Использование ядерных реакторов в космосе //Атомная техника за рубежом. - 1985. - №2. - С. 10-15.

16. Раевский И.И. Тищенко В.А., Смирнов Б.В. Разработка космических ядерных установок в США //Атомная техника за рубежом. - 1985.- №8. С.3-9.

17. Bennet G.L., Lombardo J.L., Rock B.L. US radioisotope thermoelectric generation in space // The Nuclear Engineer. - 1984. - Vol.25. - N2. - P.49-59.

18. Звездные войны - иллюзии и опасности. - М.:Воениздат, 1985.

19. Действие ядерного оружия. Пер. с англ. - М.:Воениздат, 1965.

20. Ядерное оружие (физические основы): Сб. Статей / Под ред.

В.Ф.Петрова. M.: Воениздат, 1963.

21. ГОСТ 18298-79. Термины и определения.

22. Броуд Г.Д. Действие ядерного взрыва // Действие ядерного взрыва. -М.:Мир, 1971 -С.9-88.

23. Larin F. Radiation Effects in Semiconductor Device. - N.Y.John Wiley and Sons Inc., 1968.

24. Мощные наносекундные импульсы рентгеновского излучения / Г.А.Месяц, С.А.Иванов, Н.К.Комяк и др. -М.:Энергоатомиздат, 1983.

25. Технические средства рентгенодиагностики / Под ред. И.А.Переслегина. -М.:Медицина, 1981.

26. Вавилов С.П., Горбунов В.И. Импульсное рентгеновское излучение в дефектоскопии. -М.:Энергоатомиздат, 1985.

27. Дине Дж., Виньярд Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. -М.:Изд-во иностр.лит., 1960.

28. Gregory B.L.,Sander H.H. Transient Annealing of defects in irradiated silicon devices // Proc. IEEE. - 1970. - V.58. - №9. - P. 1328-1341.

29. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. - M.: Физматгиз,

1963.

30. Патрикеев Л.Н., Подлесный Б.И., Попов В.Д. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.:Изд-во МИФИ, 1975.

31. Chadsey W.L. X - ray dose enhancement. - IEEE Trans.. 1978, NS-25, №6. P.1591-1597.

32. Коноплева Р.Ф., Литвинов В.Л., Ухин H.A. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. - М.:Атомиздат, 1971.

33. Патрикеев Л.Н., Попов В.Д. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М. Изд. МИФИ, 1975.

34. Методы повышения радиационной стойкости электронных схем и устройств вычислительной техники / Е.Р.Аствацатурьян, О.Н.Голотюк, Ю.А.Попов, Ю.В.Самойлов и др.- М.: Изд-во МИФИ, 1986. - 88 с.

35. Анализ электронных схем на ЭВМ с учетом радиационных воздействий / Е.Р.Аствацатурьян, О.Н.Голотюк, Ю.А.Попов, Ю.В.Самойлов и др.- М.: Изд-во МИФИ, 1986.-92 с.

36. Платонов П.А. Релаксация напряжений в металлах под действием нейтронного облучения, возврат и отжиг радиационных дефектов // Действие ядерных излучений на материалы. -М.: Изд. АН СССР, 1962. - С. 106.

37. Попов В.Д. Радиационная физика приборов со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. -М.: Изд-во МИФИ, 1984. - С.854-858.

38. Кулаков В.М. Шаховцев В.И. Шаховцева С.И. Сравнительная эффективность воздействия ядерных излучений на полупроводниковые материалы // Физические основы радиационной технологии твердотельных электронных приборов. - Киев: Наукова думка, 1974. - 199 с.

39. Аствацатурьян Е.Р., Беляев В.А., Зайцев В.Л. Остаточные радиацион-

ные эффекты в цифровых БИС// Зарубежная электронная техника. - 1986. -№2(297). - С.62-99.

40. Зольников В.К., Калинин В.Г. Прогнозирование работоспособности биполярных ИМС при воздействии гамма-излучения малой мощности // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на ра-диаэлектронную аппаратуру, - 1997. - Вып 1-2. - С.40-43.

41. Проектирование устройств вычислительной техники с учетом радиационных воздействий / Е.Р. Аствацатурьян, О.Н.Голотюк, Ю.А.Попов и др. -М.: Изд-во МИФИ, 1985. - 84 с.

42. Pierce Е.Т. Nuclear Explosion Phenomena and Their Bearing on Radio Detection of the Explosions // Proc.IEEE. - 1965. - V.53 - P.2211-2226.

43. Исследование кинетики отжига радиационных дефектов в биполярных ИМС / В.К.Зольников, А.В.Гвоздевский, Д.Е.Соловей // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиаэлектронную аппаратуру, - 1997. - Вып 1-2. - С.43-49.

44. Зольников В.К., Кузьмин Е.А., Мануковский О.Н. Метод оценки стойкости интегральных схем к факторам И4, И5// Специальная электроника. - 1991. -Сер 8. Вып. 1(37).-С. 13-18.

45. Моделирование и расчет параметров радиационно-стойких ИМС / Телец В.А., В.Г.Малинин, М.М.Малышев, В.К.Зольников, В.Я.Нисков // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиаэлектронную аппаратуру. - 1998. - Вып 1. - С.34-35.

46. Зольников В.К. Подсистема прогнозирования стойкости ИМС, работающих в полях ионизирующего излучения / Материалы XXXVI ежегодной отчетной научной конференции за 1998г // Тез.докл. науч.-техн. конф. - Воронеж: ВГТА, 1998.-С.90.

47. Методы разработки типового конструктивно-технологического базиса для создания радиационно-стойких ИМС / В.Г. Малинин, М.М. Малышев, В.Я. Нисков, В.К.Зольников // Вопросы атомной науки и техники, сер. Физика радиационного воздействия на радиаэлектронную аппаратуру. - 1998. - Вып 1. -С.36-37.

48. Зольников В.К. Исследование деградации электропараметров ИМС биполярного технологического исполнения при воздействии гамма-излучения малой мощности // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиаэлектронную аппаратуру, 1997. - Вып 1-2, - С.36-39.

49. Зольников В.К., Афонин H.H., Мануковский О.Н. Модель перераспределения температуры в структуре ИМС при воздействии излучения с большой степенью поглощения// Вопросы радиоэлектроники. Сер. ТПО, 1991. - Вып. 1. -С. 51-55.

50. Ашмянский P.A., Гиленко М.С. и др. Методика расчетной оценки стойкости полупроводниковых приборов к действию поражающих факторов СЖР-излучения ЯВ // Специальная электроника. - Сер.8. - 1984. - Вып 2(23). -

С.58-62.

51. Зольников В.К., Соловей Д.Е. Исследование механизмов восстановления электропараметров биполярных ИМС после гамма-облучения под воздействием высокой температуры: Сб.научн.тр. - Воронеж ВГТА. - 1998. - С.33-35.

52. Петров А.И., Полевич С.А. Оценка поглощения энергии СЖР-излучения в тонких многослойных структурах // Специальная электроника. Сер. Электроника СВЧ. - 1985. - Вып 2. - С.25-31.

53. Карташов Э.М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердого тела. - М.:Высш. шк., 1985 - 269 с.

54. Пехович А.И., Жидких В.М. Расчеты теплового режима твердых тел. -Л. Энергия, 1976.-352 с.

55. Кулаков В.М., Андреев Ю.Н. Расчетные методы оценки стойкости материалов и изделий электронной техники к воздействию СЖР-излучения ЯВ // Специальная электроника. Сер.8.-1982. - Вып 1(16). - С.74-79.

56. Каминский А.В. и др. Оценка термомеханических эффектов в конструкционных материалах резисторных микросхем при воздействии СЖР-излучения // Специальная электроника. Сер.8. - 1982. - Вып 1(10). - С.74-79.

57. Алексеев Д.Д.,Анисин В.И. и др. Сверхжесткое рентгеновское излучение и особенности его воздействия на электрорадиоэлементы и электронную аппаратуру // Специальные вопросы атомной науки и техники, сер. Воздействие излучений на аппаратуру, элементы и материалы. -1978. -Вып.2(11).С.18-21.

58. Зольников В.К. Исследование нелинейных процессов в полупроводниковых структурах в импульсных полях гамма-излучения большой мощности // Оптимизация и моделирование технологических процессов: Сб.научн.тр. - Воронеж: ВГЛТА, 1998. - С.33-35.

59. Моделирование и расчет механических напряжений в структурах инте-гралных схем. / А.А.Горбацевич, Ю.А. Парменов, А.А.Резник, С.Н.Чайка // Микроэлектроника. -1989. -Т18. -N5 -С. 399-405

60. Зольников В.К. / Программное обеспечение для моделирования работоспособности ИМС в полях гамма-излучения малой мощности // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиа-электронную аппаратуру. - 1998. - Вып 1. - С.38-39.

61. Зольников В.К. / Исследование кинетики изменения электропараметров биполярных ИМС в полях гамма-излучения малой мощности // Сб.научн.тр. -Воронеж: ВГТА. - 1998. - С.25-28.

62. В.К.Зольников, Д.Е.Соловей Расчетная оценка электропараметров биполярных ИМС при эксплуатации в полях гамма-излучения малой мощности в различных термотоковых режимах; Сб.научн.тр. Воронеж: ВГТА. - 1998. - С.29-32.

63. Зольников В.К. Моделирование параметров надежности ИМС в полях гамма-излучения малой мощности / Материалы XXXVI ежегодной отчетной научной конференции за 1998г.: Тез.докл. науч.-техн. конф. - Воронеж: ВГТА, 1998. -С.91.

64. Зольников В.К. Отбраковка потенциально-ненадежных ИМС с использо-

ванием радиационного метода // Оптимизация и моделирование технологических процессов: Сб.научн.тр. - Воронеж: ВГЛТА. - 1998. - С.36-39.

65. Зольников В.К. Модель перераспределения температуры в структуре ИМС при воздействии рентгеновского излучения // Оптимизация и моделирование технологических процессов: Сб.научн.тр. - Воронеж: ВГЛТА. - 1998. - С.40-45.

66. Шагурин И.И. Транзисторно-транзисторные схемы - М.: Сов.радио, 1974. - 160 с.

67. Зольников В.К., Афонин H.H., Межов В.Е. Моделирование ионизационных процессов в цифровых ИМС при воздействии импульсного излучения// Вопросы радиоэлектроники Сер. ТПО. -1991. - Вып. 1. - С. 73-78.

68. Зольников В.К., Кузьмин Е.А., Межов В.Е. Моделирование ионизационных процессов в ИМС ТТЛ и ТТЛШ при воздействии импульсных видов ИИ. // Специальная электроника 1991г. -Сер. 8 Вып. 1(37). -С. 23-29.

69. Зольников В.К. Моделирование и расчет термомеханических напряжений, возникающих в структуре корпуса ИМС, при воздействии рентгеновского излучения // Оптимизация и моделирование технологических процессов: Сб.научн.тр. - Воронеж: ВГЛТА. - 1998. - С.46-50.

70. Зольников В.К. Моделирование процессов перераспределения температур и возникновения напряжений в структурах покрытия на деревянных подложках. // Оптимизация и моделирование технологических процессов лесного хозяйства. - Воронеж: ВГЛТА . - 1998. - С.51-59.

71. Зольников В.К. Расчет показателей стойкости и надежности ИМС биполярного технологического исполнения при воздействии гамма-излучения малой мощности. // Оптимизация и моделирования в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. трудов. - Воронеж. - 1998. - С. 100-104.

72. Межов В.Е., Зольников В.К., Соловей Д.Е. Исследование механизмов отжига радиационных дефектов в биполярных ИМС // Оптимизация и моделирования в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. трудов. - Воронеж, -1998.-С. 105-110.

73. Моделирование поведения радиационно-стойких ИМС / В.Е. Межов,

B.К.Зольников, A.B. Межов // Актуальные проблемы анализа и обеспечение надежности и качества приборов, устройств и систем: Тез. докл. международной науч.-тех.конф. - Пенза. - 1998. - С.64-66.

74. В.К.Зольников Прогнозирование стойкости ИМС, работающих в полях ионизирующего излучения // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Тез. докл. науч.-тех.конф. - Воронеж. - 1998. -

C.48.

75. М.М.Малышев, В.Г.Малинин и др. Методология оценки радиационной надежности ИЭТ в условиях низкоинтенсивных ионизирующих излучений // Радиационно-надежностные характеристики ИЭТ в экстремальных условиях эксплуатации. -С-Пб, 1994.-С.4-15.

76. Эффекты космической радиации в микроэлектронике ТИИЭР, 1988.

Т.76, N11 (тематический выпуск).

77. Миллер Ю.М., Гуров К.П. Влияние температуры в условиях низкоинтенсивного гамма-излучения на электрические параметры микросхем // Радиаци-онно-надежностные характеристики ИЭТ в экстремальных условиях эксплуатации. -С-Пб, 1994.-С.36-40.

78. Lin J.J., Hwa J.G. Application of Irradiation then Anneal Treatment on the Improvement of Oxide Properties in Metal Oxide Semiconductor Capacitors. II Jap.J. Appl.Phys. Pt. 1 -1992. -V.31, N 5A. -P. 1290-1297.

79. Модель и методика расчета показателей стойкости и надежности ИМС биполярного технологического исполнения при воздействии гамма-излучения малой мощности / В.К.Зольников, Калинин В.Г., Провоторов H.A., Кузьмин Е.А. И Специальные вопросы атомной науки и техники, сер. Воздействие излучений на аппаратуру, элементы и материалы. - 1997 - вып 1-2. - С.39-42.

80. Зольников В.К. Моделирование надежности цифровых биполярных ИМС в полях гамма-излучения малой мощности // Актуальные проблемы анализа и обеспечение надежности и качества приборов, устройств и систем:Тез. докл. междунар. науч.-тех.конф. - Пенза. -1998. - С.67-80.

81. Зольников В.К. Оценка показателей стойкости и надежности биполярных ИМС, работающих в полях гамма-излучения малой мощности. // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Тез. докл. на-уч.-техн. конф. - Воронеж. - 1998. - С.47.

82. Моделирование и расчет параметров радиационно-стойких ИМС/ Телец A.B., Малилин В.Г., Малышев М.М., Зольников В.К., Нисков В.Я./1 Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-тех. сборник. - М.: СПЭЛС-НИИП. - 1998. -С.23.

83. В.К. Зольников, Программное обеспечение для моделирования работоспособности ИМС в полях гамма-излучения малой мощности II Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-тех. сборник. - М.: СПЭЛС-НИИП. - 1998. -С.61.

84. Зольников В.К. Моделирование параметров радиационно-стойких ИМС //Тез. докл. науч.-тех.конф. - Воронеж: ВГТУ, 1998. С.48.

85. Зольников В.К. Оценка показателей стойкости и надежности биполярных ИМС, работающих в полях гамма-излучения малой мощности. // Тез. докл. науч.-тех.конф. - Воронеж: ВГТУ, 1998. С.49.

86. Методы прогнозирования и оценки стойкости и надежности изделий электронной техники в условиях длительного НИ: Методическое руководство / Баюков A.B., Хаустов В.В., Агаханян Т.М., Малышев М.М., Зольников В.К. и др.; РНИИ "Электронстандарт"; С-Пб, 1995. 453 с.

87. Система проектирования биполярных радиационно-стойких ИМС /В.Е.Межов, В.К.Зольников, Д.Е.Соловей, А.В.Межов. Воронеж. ВГЛТА, 1998. -255 с.

88. Лихолет Н.П., Зольников В.К. О применении в качестве изолирующих покрытий соединений, образующих непрерывный ряд твердых растворов // По-

лупроводниковая электроника: Межвуз. сбор. науч. тр. - Воронеж: ВГПИ - 1985. - Т.239. - С.26-32.

89. Малинин В.Г. Радиационно-стойкие и надежные изделия электронной техники для народного хозяйства // Петербургский журнал электроники. - 1993. -№1.-С.76-78.

90 Лопатин B.C., Харин В.Н., Межов В.Е. и др. Унифицированные программно-технические комплексы для САПР и ЭТ и СВТ // Электронная промышленность. -1994. -№ 4,5- Москва.- С. 211-215.

91. Левов Ю.А., Межов В.Е. и др. Системы ускоренного проектирования БИС //Электронная промышленность -1994.- № 4,5 - С. 216-218.

92. Лопатин B.C., Межов В.Е. и др. Программное обеспечение системы ускоренного проектировния БИС // Электронная промышленность. -1994. -№ 4.5 -С. 145-149.

93. Аврашков П.П., Беляков Ю.И., Егоров Ю.Б. Входной язык и принципы организации транслятора системы САМРИС - 11 // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. -1978.-Вып.4 (76), -С.30-37.

94. Артемьев В.И., Строганов В.Ю. Разработка САПР: В 10 кн. Книга 5. Организация диалога в САПР // М.: Высш. шк. 1990. 162 с.

95. Климов В.Е. Разработка САПР. В 10 кн. Книга 5. Графические системы САПР // Под ред. Петрова A.B. - М.: Высш. шк. 1990. 142 с.

96. Норенков И.П., Маничев В.Б. Системы автоматизированного прокти-рования электронной и вычислительной аппаратуры. -М.: Высш. шк. 1983. -272 с.

97. Савельев П.В., Конехин В.В. Автоматизация проектирования БИС. В 6 кн. Практическое пособие. Книга 2. Функциональное логическое проектирование БИС. Под ред. Казенкова Г.Г. М.: Высш. шк. 1984. - 295с.

98.Селютин В.А. Автоматизация проектирования топологии БИС // М.: Радио и связь, 1983. -112 с.

99.Кононыхина H.A., Межов A.B., Рындин A.A. Интерактивная графическая подсистема формирования данных в унифицированных системах автоматизированного проектирования типа «КУЛОН» // САПР-92. Новые информационные технологии в науке, образовании и бизнесе: Тез. докл. междун. конф. и школы молодых ученых и специалистов. - Воронеж, 1992. -С. 122-123.

ЮО.Межов A.B., Рындин A.A. Формирование графического представления структуры схемы для пакетов программ проектирования БИС // Высокие технологии в проектировании технических устройств и автоматизированных систем : Тез. док. Всероссийского совещания-семинара. - Воронеж, 1993. -С. 125-127.

101.Рындин A.A., Межов A.B. Лингвистическое обеспечение и диалоговые средства обработки исходных данных системы ускоренного проектирования БИС // САПР-94. Новые информационные технологии в науке, образовании и бизнесе: Тез. докл. XXI Международной конференции и школы молодых ученых и специалистов. -Крым, Гурзуф, 1994. -С. 28-29.

Ю2.Рындин A.A., Межов A.B., Зибров A.A. Универсальная информационная среда проектирования для создания интегрированных САПР БИС // Вопро-

сы радиоэлектроники. Серия ЭВТ. -1994. -Вып. 2. -С. 51-56.

ЮЗ.Рындин A.A., Чевычелов Ю.А., Межов A.B. Развитие графических средств системы ускоренного проектирования БИС // Высокие технологии в технике и медицине: Межвуз. сб. науч. тр.МУВТ. - Воронеж, 1994. - С. 27-31.

104. Межов В.Е., Питолин В.М., Чевычелов Ю.А., Кононыхина H.A. Интерактивные графические средства подцержки проектирования МЭА : Учеб. пособие. - Воронеж: Воронеж, гос. техн. ун-т. 1994. 104 с.

105. Межов A.B. Моделирование пользовательского графического интерфейса в системах ускоренного проектирования БИС // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр.- Воронеж, 1994. -С. 169-173.

106. Межов В.Е., Медведкова И.Е. Некоторые особенности реализации пакета программ иерархического моделирования // Методы искусственного инте-лекта в САПР: Тез. докл. Всесоюзной школы-семинара молодых ученых. - Гурзуф, 1990. -С. 74-77.

107. Межов В.Е., Кононыхина H.A. Программная среда событийного ускорителя логического моделирования // Методы искусственного интелекта в САПР: Тез. докл. Всесоюзной школы-семинара молодых ученых. - Гурзуф, 1990. -С. 64-67.

108. Межов В.Е., Питолин В.М., Плотников В.В., Харин В.Н. Проектирование САПР и АРМ изделий электронной и вычислительной техники : Учеб. пособие. -Воронеж: Воронеж, политехи, тн-т, 1989. -101с.

109. Кононыхина H.A., Лопатин B.C., Межов A.B., Питолин В.М. Графический интерфейс системы ускоренного моделирования // Автоматизация проектирования РЭА и ЭВТ : Тезисы докладов региональной конференции. - Пенза, 1992.-С. 40-41.

110. Бочаров О.С., Федоров Д.П., Межов A.B. Основные требования и принципы построения пользовательского интерфейса САПР-АОС проектирования мебели // Проблемы современных технологий обучения и развития умственной активности студентов и школьников: Тез. докл. Республиканской научно-практической конференции. - Воронеж, 1994. -С. 40.

111. Дыбой В.А., Межов В.Е., Рындин A.A. Автоматизация функционально-логического проектирования микроэлектронных устройств и аппаратуры на мини-ЭВМ :Учеб. пособие. -Воронеж: Воронеж, политехи, ин-т. 1990. -78 с.

112. Толстых Б.Л., Талов И.Л., Харин В.Н., Межов В.Е., Черняев Ю.Н. Унифицированные интерактивные средства проектирования изделий электронной техники : -М.: Радио и связь, 1984. -136 с.

113. Базилевич Р.П. Декомпозиционные и топологические методы автоматизированного конструирования электрических устройств. -Львов:Высш. шк., 1981.-С.168.

114. Бененсон З.М., Кравченко C.B. Анализ электронных схем по методу функционального программирования // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника,-1975.-Вып.2. -С. 16-24.

115. Крон Г. Исследование сложных систем по частям - диакоптика . -М.: Наука, 1972.-542 с.

116. Сергеев А.А. Алгоритм выделения повторного сходящихся и циклических путей в схемном графе// Вопросы радиоэлектроники. -1977. -N11. -С. 86-91.

117. Айверсен У. Аппаратный акселератор моделирования с быстродействием 1.1 млрд. событий в секунду//Электроника. -1987. -Т60. -N13. -С.83.

118. Сопроцессорная плата, утраивающая скорость работы систем на базе машин VAX // Электроника. -1987. -Т60. -N13. -С. 83.

119. Bloom М. More needed in accelerators for multilevel simulation // Computer Design. -1987. -V26. -N7. -P.26-32.

120. Byers guide to PCB CAE/CAD tools // Computer Design. -1987. -V26. -N12. -P. 81-89,92-113.

121. Сох P.A.O. Circuit partitioning for parallel processing // ICCD 86. P. 86-89.

122. Rao V.B. Trick T.N. Network partitioning and odering for MOS VLSI Circuits // IEEE Trans, on CAD. -1987. -V. CAD-6. -Nl. -P. 128-144.

123. Dash: V.A.O. Simulater drives digital designs // Computer Design. -1985. -V33. -N26. -P.97.

124. Dunn L. IBM s engineering design System support for VLSI design and verification// IEEE Design Test of Computers. -1984. -VI. -Nl. -P. 30-40.

125. Fzeeman E. Physical modeling system let you Plug ULSI chips in to your workstations logic // EDN. -1984. -N15. -P. 69.

126. Howard I.O.A. Introduction to the IBM Los-Gatos logic simulation Mahine // In Proc. IEEE Int. Conf. on Comput. Des.: VLSI in Computers. Ost., 1983.

127. Ishiura N.A.O. High-Speed logic simulation Using a vector // VLSI 85 Eisevier Science Publishers, 1986. -P. 73-82.

128. Jonson D. Simulation, Verification S test package for logic design // Electronic Engng. -1980. -V52. -N633. -P. 81, 85, 87,89.

129. Sazin H.A.O. Simulator environment handler mixed designs // Compufer Design. -1987. -V.26. -N2. -P.67-72.

130. Tang В., Munich S. Benchmarking steers logic simulation selection // Computer Design. -1986. -V.25. -N10. -P.69-73.

131. Лобов И.Е., Межов B.E., Чевычелов Ю.А. Система комплексной автоматизации проектирования изделий электронной техники на основе 32-разрядной супермини - и микроЭВМ // Акитуальные проблемы создания интеллектуальных САПР РЭА и СБИС : Тез. докл. Школы-семинара молодых ученых и специалистов. - Воронеж, 1989. -С. 61-66.

132. Буль В.А. Оперативные графические диалоговые системы и их применение // Зарубежная радио-электроника. -1985. -N1. -С. 57-85.

133. Сибиряков С.А., Одеянко Б.Н. Инженерные рабочие станции: стандартизация и унификация технических и программных средств // Обзоры по электронной технике, Вып. 4 (1157), М.: ЦНИИ «Электроника», 1985. -56 с.

134. Адаптация и обучение в системах управления и принятия решений . -Новосибирск: Наука, 1984. 205 с.

135. Лобанов Ю.И. Инструментальные средства экспертно-обучающих систем. - М.: ИПИАН, 1988. -103 с.

136. Машбиц Е.И., Андриевская В.В., Комиссарова Е.Ю. Диалог в обучающей системе. -Киев : Высш. шк., 1989. -184 с.

137. Мухарский A.M., Зеленков Н.И., Карнилович В.Ю. Графическое обеспечение автоматизированной обучающей системы. - М.: ВИИВШ, 1985. -132с.

138. Довгялло A.M., Ющенко Е.Л. Обучающие системы нового поколения //Управляющие системы и машины. -1988, -N1. -С. 83-86.

139. Талызина Н.Ф. Управление процессом усвоения знаний. -М.: Изд-во Моск. ун-та, 1985. -343 с.

140. Применение ЭВМ в учебном процессе. Методика обучения. Инструментальные системы. / Под ред. Петрова О.М. - М.: ВЗМИ, 1986. -156 с.

141. Токарева B.C., Кольцова Н.Е., Руденко Т.К. Методика представления учебной информации в экспертно-обучающей системе. -М.: ИПИАН, 1988. -121с.

142. Баурн С. Операционная система Unix . -М.: Мир, 1986. -461 с.

143. Толстых Б.Л., Талов И.Л., Цывинский В.Г., Межов В.Е. и др. Мини- и микроЭВМ семейства «Электроника» . -М.: Редакция литературы по кибернетике и выч. технике, 1987. -294 с.

144. Эванчук С.И. Широкие перспективы операционной системы Unix // Электроника. -1983. -Т56. -N15. -С. 24-31.

145. Кононыхина H.A., Лапшина М.А., Межов A.B., Рындин A.A. Пакет «ИГРА» - интерактивная графическая среда процесса сквозного проектирования цифровой аппаратуры // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж, 1992. -С. 137-140.

146. Кононыхина H.A., Межов A.B., Рындин A.A. Перспективные графические средства как основа высокой эффективности и бездефектности проектирования электронных схем // САПР-92. Новые информационные технологии в науке, образовании и бизнесе: Тез. докл. междунар. конф. и школы молодых ученых и специалистов. - Воронеж, 1992. -С. 66-68.

147. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А.Ю.Никифоров, В.А.Телец,

A.И.Чумаков.-М.:Радио и связь, 1994. -164 с.

148. Методы разработки конструктивно-технологического базиса для создания радиационно-стойких ИМС / Малилин В.Г., Малышев М.М., Зольников

B.К., Нисков В .Я.// Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-тех. сборник. - М.: СПЭЛС-НИИП. - 1998. - С.24.