Разработка средств автоматизации проектирования сложных функциональных блоков микроэлектроники с учетом воздействия отдельных ядерных частиц тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.12, кандидат технических наук Потапов, Игорь Петрович

• Потапов, Игорь Петрович
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Потапов, Игорь Петрович

Введение.

1. Анализ средств автоматизированного проектирования сложных функциональных блоков микроэлектроники и их возможности по учету одиночных событий радиационного воздействия.

1.1. Современное состояние и развитие микрокомпонентной базы дойного назначения.

1.2. Физические явления в полупроводниковых структурах сложных функциональных блоков микроэлектроники при воздействии отдельных ядерных частиц.

1.3. Развитие средств моделирования одиночных событий радиационного воздействия. Постановка задачи.

Выводы.

2. Методика проектирования и математическое обеспечение моделирования одиночных событий радиационного воздействия на схемотехническом уровне проектирования.

2.1. Методика проектирования современной микрокомпонентной базы двойного назначения с учетом одиночных событий радиационного воздействия.

2.2. Методы определения стойкости СБИС в процессе проектирования.

2.3. Моделирование одиночных событий радиационного воздействия в КМОП структурах.

Выводы.

3. Моделирование одиночных событий радиационного воздействия на функционально-логическом уровне и алгоритмическая основа проектирования радиационно-стойких КМОП типовых элементов.

3.1. Моделирование одиночных событий радиационного воздействия на схемотехническом уровне.

3.2. Моделирование одиночных событий радиационного воздействия на функционально-логическом.

3.3. Алгоритмическая основа оценки стойкости типовых СБИС к одиночным событиям в процессе проектирования.

Выводы.

4. Результаты внедрения и оценка эффективности программных средств.

4.1. Особенности разработанного программного обеспечения и его внедрение в САПР сквозного проектирования.

4.2. Оценка адекватности и эффективности разработанных средств.

4.3. Внедрение предложенных средств и создание радиационностойкой библиотеки КМОП микросхем.

4.4. Разработка средств повышения радиационной стойкости и создание радиационно-стойких СБИС.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка средств автоматизации проектирования сложных функциональных блоков микроэлектроники с учетом воздействия отдельных ядерных частиц»

Актуальность темы. В настоящее время изделия микроэлектроники широко применяются в различных областях, в том числе и в космической технике.

Эксплуатация в космических летательных аппаратах сопряжена с целым рядом проблем, связанных с обеспечением стойкости к внешним воздействующим факторам к которым относятся радиационное воздействие, механические перегрузки, изменение температуры.

Эти проблемы возникли с начала космической деятельности человека. Потребовалось обеспечивать стойкость, прежде всего к радиации, целого набора изделий микроэлектроники. Однако, несмотря на большой накопленный опыт в данном направлении задача обеспечения стойкости является не менее актуальной. Это связано с общим развитием уровня технического прогресса, внедрения новых и совершенствования существующих технологических процессов, пересмотром требований по составу и параметрам ионизирующий излучений (ИИ), вследствие уточнения реальной радиационной обстановки из-за изменения условий эксплуатации.

В последнее время, развитие микроэлектроники привело к резкому уменьшению проектных норм, увеличению степени интеграции и внедрению передовых методов проектирования с использованием макрофрагментов, которые получили название сложные функциональные блоки (СФ-блоки). В результате на одном кристалле стало возможным реализовать несколько СФ-блоков. Это привело к созданию специализированных сверхбольших интегральных схем типа «система на кристалле» (СнК).

Учитывая малые размеры активных областей в данных изделиях, там стали в большей степени проявляться так называемые одиночные события. Это радиационные эффекты, причиной возникновения которых является взаимодействие отдельной (одной) ядерной частицы с активной областью прибора. Данные эффекты относятся к новому классу микродозиметрических радиационных эффектов в электронных приборах и носят вероятностный характер. Из-за этого необходимо уточнить существующие и создать новые модели радиационных эффектов, разработать алгоритмическое и программное обеспечение.

Таким образом, для создания радиационно-стойких микросхем в области теории и разработки САПР были выдвинуты актуальные задачи, которые потребовали своего решения.

Диссертация выполнена по программам важнейших работ Министерства образования и науки по планам НИР и ОКР ФГУП НИИЭТ: «Трикута, «Трикута-2Р», «Модуль - РХ», «Танк-5», «Гармонизация», «Истра-7НИИЭТ» и др., а также в соответствии с межвузовской научно-технической программой И.Т.601 «Перспективные информационные технологии в высшей школе» и научному направлению Воронежской государственной лесотехнической академии (ВГЛТА) «Разработка средств автоматизации управления и проектирования (в промышленности)» №ГР 1528/100031.

Цель работы состоит в создании средств проектирования в виде комплекса методов, моделей, алгоритмов и программ моделирования одиночных событий за счет радиационного воздействия для современных комплементарных СБИС (КМОП СБИС), выполненных по субмикронной технологии.

Для ее достижения необходимо решить следующие задачи:

1. Провести анализ современного состояния средств автоматизации проектирования, физических и математических моделей, описывающих одиночные события, определить проблемы и направления их развития;

2. Сформулировать требования, определить целевые задачи и методику проектирования СФ-блоков специализированных КМОП СБИС, выполненных по субмикронной технологии;

3. Обосновать выбор структуры проблемно-ориентированной программной платформы автоматизации проектирования СФ-блоков специализированных КМОП СБИС, выполненных по субмикронной технологии;

4. Разработать математические модели поведения СФ-блоков КМОП СБИС при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства на схемотехническом и функционально-логических уровнях;

5. Разработать алгоритмическое обеспечение расчета стойкости СФ-блоков КМОП СБИС, провести программную реализацию разработанных средств и их интеграцию в единую программную среду проектирования КМОП СБИС космического назначения;

6. С помощью разработанных средств разработать типовую библиотеку элементов с использованием которой осуществить проектирование радиационно-стойких микросхем, что позволит оценить их эффективность.

Методика исследования. Для решения поставленных задач использованы: теория вычислительных систем, автоматизации проектирования; аппарат вычислительной математики. А также теория построения программ; методы модульного, структурного и объектно-ориентированного программирования; имитационное, структурное, и параметрическое моделирование; экспертные оценки, вычислительные эксперименты.

На защиту выносятся следующие основные научные положения:

- методика автоматизации проектирования СФ-блоков.

- математические модели локальных радиационных эффектов.

- модели прогнозирования поведения базовых элементов КМОП СФ-блоков на воздействие отдельных заряженных частиц.

- алгоритмы и программное обеспечение прогнозирования работоспособности СБИС.

Научная новизна. В результате проведенного исследования получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной:

- методика автоматизации проектирования СФ-блоков специализированных КМОП СБИС космического назначения, отличающаяся возможностью моделирования одиночных событий для современных изделий микроэлектроники в соответствии с КГС «Климат-7»;

- математические модели локальных радиационных эффектов в чувствительном объеме элемента КМОП СБИС, учитывающие одиночные события за счет радиационного характера в соответствии с КГС «Климат-7» для СБИС высокой степени интеграции, выполненных по субмикронным технологиям;

- средства прогнозирования реакции типовых элементов КМОП СФ-блоков на воздействие отдельных заряженных частиц, отличающиеся возможностью моделирования одиночных событий в соответствии с требованиями КГС «Климат-7» с учетом современных конструктивных решений субмикронной технологии, универсальностью и адекватностью описания их характеристик на всех этапах иерархического процесса проектирования;

- алгоритмы и программное обеспечение прогнозирования работоспособности СБИС при их эксплуатации в условиях космического пространства, отличающихся комплексным учетом одиночных событий.

Практическая значимость и результаты внедрения. Предложенные методы, средства и программные продукты для комплексного проектирования КМОП СБИС двойного внедрены на ОАО «ВЗПП-С», ФГУП «НИИЭТ». Анализ результатов внедрения показал их высокую эффективность.

Разработанный комплекс методов, моделей, алгоритмов и программного обеспечения позволяют существенно увеличить возможности проектирования СБИС с учетом радиационной стойкости. Основной практический вывод диссертационной работы заключается в создании средств проектирования современной элементной базы, выполненной по субмикронной технологии, учитывающих одиночные события за счет радиационного воздействия, реализованных на единой методологической платформе, что позволяет широко их распространить на предприятиях аналогичного профиля.

Разработанные средства позволили расширить библиотеку элементов радиа-ционно-стойких СБИС, которая послужило основой создания нескольких серий современных СБИС, имеющих высокий уровень стойкости.

Полученные результаты внедрены в Воронежском институте высоких технологий на кафедре информационных систем и технологий в виде программно-аппаратных комплексов, которые эффективно используются для проведения лабораторных работ, курсового и дипломного проектирования, подготовки аспирантов и переподготовке преподавателей и специалистов.

Апробация работы. Научные результаты и положения диссертационной работы были обсуждались на научно-технических конференциях и совещаниях по выполнению НИР и ОКР на головных предприятиях электронной промышленности.

Основные результаты работы докладывались на: международных научно-технических конференциях «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий» (Москва 2005, 2006); «Математические методы в технике и технологиях» (Воронеж, 2006); «Высокие технологии энергосбережения» (Воронеж, 2006); «Современные проблемы создания технических средств противодействия терроризму и преступности» (Воронеж, 2006); российских конференциях ««Интеллектуальные информационные системы» (Воронеж, 2005, 2006); «Стойкость» (Москва 2006, 2008), «Новые технологии в научных исследованиях, проектировании, управлении, производстве» (Воронеж 2008).

Публикации результатов работы. По теме диссертации опубликовано 32 работы, включая 6 работ в журналах установленных ВАК, монографию. Общий объем всех публикаций 236с (лично автором выполнено 141с).

Десять публикаций выполнены без соавторов, личный вклад автора в работах, опубликованных в соавторстве заключается в определении целей и задач работы, разработке моделей и алгоритмов, в выполнении научно-технических исследований и анализе их результатов, в разработке основных элементов ее внедрения.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения и приложения. Материалы диссертации изложены на 130 страницах, включая 105 страниц машинописного текста, 21 рисунок, 3 таблицы, список литературы из 106 наименований и 3 приложения.

Заключение диссертации по теме «Системы автоматизации проектирования (по отраслям)», Потапов, Игорь Петрович

Выводы

1. Рассмотрены особенности программной реализации средств автоматизации проектирования для микросхем космического назначения, отличающейся возможностью определения показателей стойкости к одиночным событиям в зависимости от комплекса факторов: конструкции, схемотехники и технологии, универсальностью и наличием встроенных средств обучения с учетом уровня подготовки пользователей.

2. Разработаны требования и обоснована методика применения средств автоматизации проектирования микросхем космического назначения, в рамках которой получены решения по повышению уровня радиационной стойкости элементной базы.

3. Разработана библиотека базовых элементов ядра ПЦОС, отличающаяся учетом конструктивно-технологический особенностей, режимов эксплуатации, радиационного воздействия. Данная библиотека насчитывает три иерархических уровня и содержит более 500 элементов, что позволяет создавать ИС практически любой сложности.

4. Проведена оценка точности и эффективности разработанных средств проектирования.

Заключение

Проведён анализ САПР учитывающих моделирование радиационных эффектов, физических процессов в КМОП микросхемах при возникновении одиночных событий и определены проблемы и направления их развития средств проектирования.

Разработана методика проектирования СФ-блоков КМОП СБИС, позволяющая моделировать одиночные радиационные эффекты космического характера с учетом современных конструктивных решений и субмикронной технологии, а также требований комплекса государственных стандартов «Кли-мат-7».

Обоснованы требования и выбор структуры проблемно-ориентированной программной платформы автоматизации проектирования СФ-блоков специализированных КМОП СБИС, обеспечивших учет радиационных эффектов, требований вновь введенного стандарта «Климат-7» и унификацию программных средств.

Разработаны математические модели физических процессов одиночных событий в КМОП полупроводниковых структурах, позволяющие учесть радиационные эффекты субмикронных технологий в соответствии с КГС «Климат-7». Разработаны математические модели прогнозирования поведения типовых элементов СФ-блоокв КМОП СБИС при возникновении одиночных событий в соответствии с требованиями КГС «Климат-7» с учетом современных конструктивных решений субмикронной технологии, универсальностью и адекватностью описания их характеристик на всех этапах иерархического процесса проектирования.

Разработано алгоритмическое обеспечение расчета стойкости СФ-блоков КМОП микросхем в процессе их проектирования, включающее в себя все предложенные математические средства.

Разработано методическое обеспечение средств комплексной автоматизации проектирования, проведена программная реализация разработанных средств и их интеграция в единую программную среду проектирования КМОП СБИС.

8. С помощью разработанных средств создана библиотека типовых элементов специализированных КМОП СБИС, на основе которой проектируются ра-диационно-стойкие микросхемы.

9. Определены методы повышения радиационной стойкости СФ-боков КМОП СБИС к одиночным событиям.

10. Анализ поведения СБИС в условиях радиации позволил создать несколько серий микросхем, с повышенной радиационной стойкостью, которые нашли применение в космических летательных аппаратах и ракетной технике.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Потапов, Игорь Петрович, 2008 год

1. Немудров, В. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие Текст./ В. Немудров., Г.Мартин - Москва: Техносфера, 2004. — 216с.

2. Васильев, А.В. Событие века. 25-летний юбилей первого микропроцессора. Текст. / А.В. Васильев // Электроника и компоненты, 1997, N1, С.2.

3. Иванов, Е. Стандартные микропроцессоры и микроконтроллнры. Текст. / Е. Иванов // "Электронные компоненты", 2000, N2, С.5.4. 16-разрядные микроконтроллеры PHILIPS, PANASONIC, OKI, TI. Текст. / Chip News, N7, 2000 г.

4. Малашевич, Б 8-разрядные микроконтроллеры. Текст. / Малашевич Б. // "Электронные компоненты", 1999, N 5, С.53.

5. IEEE Spectrum, 1998, v.35, N9, р.39.

6. Новые DSP новый рывок в производительности. Текст./ Chip News, N10, 2000г. Лопатин, B.C. Унифицированные программно-технические комплексы для САПР и ЭТ и СВТ [Текст] / B.C. Лопатии и др. // Электронная промышленность. -1994. -№ 4,5- Москва.- С. 211-215.

7. Межов, В.Е. Программная среда событийного ускорителя логического моделирования Текст. / В.Е. Межов, Н.А. Кононыхина // Методы искусственного инте-лекта в САПР: Тез. докл. Всесоюзной школы-семинара молодых ученых. Гурзуф, 1990. -С. 64-67.

8. Машевич, П.Р. Лингвистические средства для проектирования микросхем

9. Текст. / П.Р.Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. № 2(20). - С.209 - 213.

10. Машевич, П.Р. Технология создания современной элементной базы Текст. / П.Р. Машевич // Материалы Всероссийской конференции «Информационные технологии». Воронеж: Издательство «Научная книга». - 2005. - С.157-158.

11. Зыков, В.М. Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии. Текст. /В.М.Зыков // Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Томск, 2002.

12. Ачкасов А.В. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом статических видов радиации Текст.: монография / А.В. Ачкасов,

13. В.К.Зольников, К.И.Таперо -Воронеж: Воронеж, гос. ун-т, 2006.- 165 с.

14. Colinge J.P. Hardening Integrated Circuits against Radiation Effects Text. // RADECS 97 Short Course. 1997.

15. Чумаков А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы. Текст. / А.И. Чумаков — М.: Радио и связь, 2004.

16. The Radiation Environment Outside and Inside a Spacecraft Text. // Radiation Effects — From Particles to Payloads. IEEE NSREC Short Course, 2002. P. II-1 -11-69.

17. Weatherford T. From Carriers to Contacts, a Review of SEE Charge Collection Processes Text. // Radiation Effects — From Particles to Payloads. IEEE NSREC Short Course, 2002. P. IV-1 IV-53.

18. РД В 319.03.38-2000. 22 ЦНИИИ MO, 2000.

19. Pickel J.C. Single-Event Rate Calculations Text. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. Vol. 43, N2. P. 483.

20. Petersen E.L. Approaches to Proton Single-Event Rate Calculations Text. // Ibid. P. 496.

21. Никифоров А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС Текст. / А.Ю.Никифоров, В.А.Телец, А.И.Чумаков М.: Радио и связь, 1994

22. Gordon G. Geostationary communications satellites Text. // Practical Considerations in Applying Electronics to Space Systems. IEEE NSREC Short Course. 1993. P. I-1 -1-52.

23. ГОСТ 25645.150-90. Лучи космические галактические. Модель изменения потоков частиц. Госкомитет СССР по стандартам, 1991.

24. Barth J. Applying Modeling Space Radiation Environments Text. // Applying Computer Simulation Tools to Radiation Effects Problems. IEEE NSREC Short Course. 1997.

25. ГОСТ 25645.104-84. Лучи космические. Термины и определения. Госкомитет СССР по стандартам, 1984.

26. Koga R. et al. On the Suitability of Non-Hardened High Density SRAMs for Space Applications Text. //Ibid. 1991. Vol. 38. P. 1507.

27. Dufour C. et al. Heavy-Ion Induced Single Hard Errors on Submicronic Memories

28. Text. //Ibid. 1992. Vol. 39. P. 1693.

29. Oldham T.R. et al. Total-Dose Failures in Advanced Electronics from Single Ions Text. //Ibid. 1993. Vol. 40. P. 1820.

30. Duzellier S. et al. Protons & Heavy Ions Induced Stuck Bits on Large Capacity RAMs Text. // RADECS-93 Proceedings. 1994. P. 468.

31. Swift G.M. et al. A New Class of Single Event Hard Errors Text. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994. Vol. 41. P. 2043.

32. Test Procedures for the Measurement of Single-Event Effects in Semiconductor DeXvices from Heavy Ion Irradiation, Electronic Industries Association, Engineering Department, Standard EIA/JESD57, December 1996.

33. Ronald J.L. et al. Circuit-Level Model for Single Event Burnout in N-channel Power MOSFEET's Text. // RADECS'99 Proceedings. 2000. P. 173.

34. Waskiewics A.E., Groninger J.W., Strahan V.H. Burnout of Power MOS Transistors with Heavy Ions ofCalifomium-252 Text. //IEEE Trans. Nucl. Sci. 1986. Vol. 33. P. 1710.

35. Carley D.R., Wheatley C.F., Titus J.L., Burton D.I. Power MOSFET's Hardened for Single Event Effects in Spase Text. // RADECS'96 Proceedings. 1997. P. 253.

36. Johnson G.H., Palau J.M., Dachs C. et al. A Review of the Techniques Used for Modeling Single-Event Effects in Power MOSFET's Text. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. Vol. 43, N2. P. 546.

37. Sexton F.W., Fleetwood D.M., Shaneyfelt M.R. et al. Single-Event Gate Rupture in Thin Gate Oxides Text. // Ibid. 1997. Vol. 44, N 6. P. 2345.

38. Mouret I., Calvet M.C., Calvet P., et al. Experimental Evidence of the Temperature and Angular Dependence in SEGR Text. // RADECS'95, Third European Conf. Radiation and Its Effects on Components and Systems, 1995.

39. Titus J.L., Weatley C.F. Experimental Studies of SEGR and SEB in Vertical Power MOSFETs Text. //IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. Vol. 43, N 2. P. 533.

40. Mouret I., Allenspach M., Schrimpf R.D. et al. Temperature and Angular Dependence of Substrate Response in SEGR Text. // Ibid. 1994. Vol. 41, N 6. P. 2216.

41. Titus J.L., Weatley C.F., Burton D.I. et al. Impact of Oxide Tthickness on SEGR Failure in Vertical Power MOSFETs; development of a semi-empirical expression

42. Text. // Ibid. 1995. Vol. 42, N 6. P. 1928.

43. Koga R. Kolasinski W. Heavy Ion Induced Snapback in CMOS Devices Text. // Ibid. 1989. Vol. 36. P. 2367.

44. Dodd P.E. et al. Single-Event Upset and Snapback in Silicon-on-Insulator Devices and Integrated Circuits Text. // Ibid. 2000. Vol. 47. P. 2165.

45. Turflinger T.L. Sengle-Event Effects in Analog and Mixed-Signal Integrated Circuits Text. // Ibid. 1996. Vol. 43, N 2. P. 594.

46. Xapsos M.A. Applicability of LET to Single Events in Microelectronic Structures Text. // Ibid. 1992. Vol. 39, N 6. P. 1613.

47. Потапов И.П. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом одиночных событий Текст.: монография / И.П.Потапов, В.М.Антимиров, К.И.Таперо Воронеж: Воронеж, гос. ун-т, 2007.- 165 с.

48. Машевич, П.Р. Создание отечественной промышленной технологии автоматизации разработки и изготовления СБИС Текст. / П.Р.Машевич, Ю.К.Фортинский // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. № 2(20). - С.301 - 306.

49. Машевич, П.Р. Инструментальные средства автоматизации проектирования дизайн центра Текст.: монография / П.Р. Машевич, В.К. Зольников; ВГУ.-Воронеж, 2006.- 284с.

50. Антимиров, В.М. Современные вычислительные комплексы для бортовыхсистем управления Текст. / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н., Машевич П.Р. // Полет. 2005. №8. — С.23 - 26.

51. Норенков, И.П. Системы автоматизированного проктирования электронной и вычислительной аппаратуры Текст. / И.П. Норенков, В.Б. Маничев М.: Высш. шк. 1983. -272 с.

52. Зольников В.К. Создание отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем Текст.4 / В.К.Зольников, В.Н.Ачкасов, П.Р.Машевич, И.П.Потапов // Вестник ВГТУ. Системы автоматизации проектирования. 2006. Вып.2. №3. -С.9 -11.

53. Потапов И.П. Современное состояние проектирования элементной базы Текст. / И.П.Потапов, А.В. Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. № 7(25). - С. 1039 - 1042.

54. Агаханян Т.М., Радиационные эффекты в интегральных микросхемах Текст. /

55. Т.М.Агаханян, Е.Р.Аствацатурьян, П.К.Скоробогатов. М.: Энергоатомиздат, 1989.

56. Першенков, B.C. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. Текст. / Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов Г.М. М.: Энергоатомиздат, 1988.

57. Коршунов Ф.П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Текст. / Ф.П.Коршунов, Г.В.Гатальский, Г.М.Иванов — Минск: Науки и техника, 1978.

58. Потапов И.П. Кииетика накопления зарядов в структуре Si/Si02 Текст. / И.П. Потапов // Системы управления и информационные технологии. N4.2(26), 2006. - С. 266-268.

59. Зольников В.К. Моделирование физических процессов в конструкции микроэлектронных приборов после воздействия радиации Текст. / В.К.Зольников, В.Н.Ачкасов, И.П.Потапов, Д.Г.Хорюшин // Вопросы атомной науки и техники. Серия 8. 2006.-Вып. 1-2. С.58 - 62.

60. Таперо К.И. Моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц Текст. / К.И.Таперо, И.П.Потапов // Труды российской конференции «Стойкость-2007». Москва СПЕЛС. 2007. -С. 63-64.

61. Потапов, И.П. Моделирование радиационных эффектов в структуре Si/SiC>2 Текст. / И.П.Потапов, // Моделирование систем и процессов — Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет -2006. Вып. 1. — С. 49 -53.

62. Крюков В.П. Проектирование радиационно-стойких изделий в САПР ИЭТ Текст. / В.П.Крюков, А.В.Ачкасов, И.П.Потапов, Д.Г.Хорюшин, В.К.Зольников// Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». Москва: МИФИ. -2006.- С.127-128.

63. Потапов И.П. Средства проектирования радиационно-стойкой элементной базы Текст. / И.П. Потапов // Труды всероссийской конференции «Новые технологии». Воронеж. Воронежский государственный технический университет. -2006.-С. И.

64. Савельев, П.В. Автоматизация проектирования БИС. В 6 кн. Практическое пособие. Книга 2. Функциональное логическое проектирование БИС. Под ред. Ка-зенкова Г.Г. Текст. / Савельев П.В., Конехин В.В. М.: Высш. шк. 1984. - 295с.

65. Стариков А.В. Унифицированный информационный интерфейс и его реализация в комплексной САПР Текст. / А.В. Стариков, П.П. Куцько, И.П.Потапов // Программные продукты и системы 2007 - №2. - С.37 - 38.

66. Потапов, И.П. Обоснование архитектуры интегрированной информационной среды проектирования радиационно-стойкой элементной базы Текст. / И.П.Потапов, П.Р.Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2007. -№ 3(37). С.354 - 356.

67. Ачкасов В.Н. Библиотека элементов для проектирования радиационно-стойких изделий Текст. / В.Н.Ачкасов, В.П.Крюков, И.П.Потапов// Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». Москва: МИФИ. - 2006.- С. 123-124.

68. Потапов, И.П. Архитектура САПР радиационно-стойкой элементной базы Текст. / И.П. Потапов // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».- Воронеж: Издательство «Научная книга» 2006. Вып.З. 4.2. - С. 226 - 227.

69. Потапов И.П. Архитектура и структура информационной среды проектирования радиационно-стойкой элементной базы Текст. / И.П. Потапов // Промышленная информатика ВГТУ. 2005. - С.45 - 46.

70. Потапов И.П. Средства автоматизации проектирования радаиционно-стойкой элементной базы Текст. / И.П.Потапов, А.В.Ачкасов, В.К.Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия 8. 2006. Вып. 1-2. - С.147 - 149.

71. Таперо К.И. Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 1997.

72. Ачкасов, В.И. Технические средства дизайн центра проектирования универсальных и специализированных радиационно стойких микросхем Текст. / В.Н. Ачкасов, И.П. Потапов, А.В. Ачкасов // Приводная техника —2006 - №4. - с. 52-55.

73. Потапов И.П. Обоснование архитектуры интегрированной информационной среды проектирования радиационно-стойкой элементной базы Текст. / И.П.Потапов, П.Р.Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. -№ 7(25). С. 1002 - 1005.

74. Devine R.A.B., Mathiot D., Warren W.L. et al. Point Defect Generation During High Temperature Annealing of the Si-Si02 Interface Text. // Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 63, N 21. P. 2926-2928.

75. Takahashi Т., Triplett B.B., Yokogawa K., Sugano T. Electron Spin Resonance Observation of the Creation, Annihilation, and Charge State of the 74-Gauss Doublet in Device Oxides Damaged by Soft X-Rays Text. //Ibid. 1987. Vol. 51, N 17. P. 1334-1336.

76. Triplett B.B., Takahashi Т., Sugano T. Electron Spin Resonance Observation of Defects in Device Oxides Damaged by Soft X-Rays Text. // Ibid. 1987. Vol. 50, N 23. P. 1663-1665.

77. Conley J.F., Lenahan P.M. Room Temperature Reactions Involving Silicon Dangling Bond Centers and Molecular Hydrogen in Amorphous Si02 Thin Films Text. //

78. EE Trans. Nucl. Sci. 1992. Vol. 39, N 6. P. 2186-2191.

79. Lenahan P.M., Dressendorfer P.V. Hole Traps and Trivalent Silicon Centers in Metal/Oxide/Silicon Devices. Text. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 55, N 10. P. 2495-2499.

80. Conley J.F., Lenahan P.M., Roitman P. Electron Spin Resonance Study of E' Trapping Centers in SIMOX Buried Oxides Text. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991. Vol. 38, N6. P. 1247-1252.

81. Herve D., Leray J.L., Devine A.B. Comparative Study of Radiation-Induced Electrical and Spin Active Defects in Buried Si02 Layers Text. // J. Appl. Phys. 1992. Vol. 72, N 8. P. 3634-3640.

82. Warren W.L., Shaneyfelt M.R., Schwank J.R. et al. Paramagnetic Defect Centers in BESOI and SIMOX Buried Oxides Text. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1993. Vol. 40, N 6. P. 1755-1764.

83. Lenahan P.M., Dressendorfer P.V. An Electron Spin Resonance Study of Radiation-Induced Electrically Active Paramagnetic Centers at the Si/Si02 Interface Text. // J. Appl. Phys. 1983. Vol. 54, N 3. P. 1457-1460.

84. Hughes R.C. Hole Mobility and Transport in Thin Si02 Films Text. // Appl. Phys. Lett. 1975. Vol. 26, N 8. P. 436-438.

85. Hughes R.C. Charge Carrier Transport Phenomena in Amorphous Si02: Direct Measurement of the Drift Mobility and Lifetime Text. // Phys. Rev. Lett. 1973. Vol. 30, N26. P. 1333-1336.

86. Boesch H.E. Jr., McGarrity J.M., McLean F.B. Temperarure- and Field-Dependent Charge Relaxation in Si02 Gate Insulators Text. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1978. Vol. 25, N3. P. 1012-1016.

87. Boesch H.E. Jr., McLean F.B., McGarrity J.M., Winokur P.S. Enhanced Flatband Voltage Recovery in Hardened Thin MOS Capasitors Text. // Ibid. P. 1239-1245.