Разработка и исследование фотонно-стимулированных технологических процессов получения оксидных пленок кремния на SiC тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Кочеров, Александр Николаевич

• Кочеров, Александр Николаевич
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Кочеров, Александр Николаевич

Введение

1. Современные представления о методах получения диэлектрических пленок на SiC.

1.1. Взаимодействие световых потоков с SiC и структурами Si02/SiC

1.2. Методы окисления карбида кремния

1.3. Фотонно-стимулированные процессы окисления полупроводников

1.4. Постановка задач диссертации

2. Моделирование процесса окисления

2.1. Расчет концентрации активных кислородных частиц при окислении

2.2. Термодинамический анализ реакций окисления SiC

2.3. Модель процесса термического окисления и фото-стимулированного окисления

2.4. Адсорбция окислителя на внешней поверхности окисла

2.5. Выводы

3. Влияния геометрии реактора на появление термоупругих напряжений в пластине карбида кремния при импульсной термообработке

3.1. Модель расчета облученности полупроводниковой пластины

3.2. Модель расчета температуры и термоупругих напряжений

3.3. Анализ возможности бездефектной обработки пластин на основе вышеприведенных моделей

3.4. Выводы

4. Экспериментальное получение оксидных пленок с УФ и ИК

4.1. Оборудование для активационных процессов формирования диэлектрических пленок на поверхности карбида кремния

4.2. Экспериментальное исследование процесса фотонно-стимулированного процесса окисления

4.3. Исследование электрофизических параметров оксидных пленок

4.4. Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование фотонно-стимулированных технологических процессов получения оксидных пленок кремния на SiC»

Актуальность темы. При разработке и производстве полупроводниковых приборов, интегральных схем и микросистем экстремальной электроники используются различные диэлектрические пленки. Традиционным диэлектриком в полупроводниковом производстве является диоксид кремния. Для устройств экстремальной электроники необходимо использовать материалы, имеющие высокие рабочие температуры и стойкость к агрессивным средам. Наибольшую перспективность для построения систем экстремальной электроники с этой точки зрения имеет карбид кремния. Однако, проблема получения качественного, отвечающего всем требованиям оксида кремния на карбиде кремния, остается нерешенной. Исследователи ведут поиск материалов и технологии формирования различных диэлектрических структур для использования в устройствах экстремальной электроники.

Целью данной работы является разработка новых фотонно-стимулированных технологических процессов формирования диэлектрических пленок на карбиде кремния для компонентов микросистем высокотемпературной электроники.

Известно, что окисление карбида кремния это длительный и высокотемпературный процесс. Поэтому разработчики ведут поиск новых методов окисления SiC за более короткие промежутки времени. Один из таких методов основан на использовании жесткого (более 5 эВ) ультрафиолетового излучения. Под его воздействием происходят процессы, которые невозможно или маловероятно наблюдать при использовании инфракрасного или видимого потоков излучения.

Ультрафиолетовое излучение (УФИ), благодаря высокой энергии квантов, предельно малой глубине проникновения излучения и отсутствию повреждения обрабатываемой поверхности находит все более широкое применение в технологии обработки поверхностных слоев различных материалов. Это процессы очистки поверхности от органики, кремний органики и металлических загрязнений, травление моно-, поликристаллического и аморфного кремния, кварца, стекол и слоев двуокиси кремния. Возможность проведения «сухой» фотолитографии. Высокая энергия ультрафиолетового излучения позволяет проводить технологические процессы, связанные с разрывом химических связей при низких температурах. Все вышеперечисленные свойства позволяют говорить о больших перспективах его использования в микроэлектронике, в частности при окислении карбида кремния

Разработка новых фотонно-стимулированных технологических процессов получения тонких пленок диоксида кремнияявляется актуальной задачей микро- и наноэлектроники.

Цели и задачи работы. Для выполнения поставленной цели необходимо решить ряд задач: провести теоретические исследования фотонно-стимулированных физико-химических процессов при формировании оксидных пленок на поверхности карбида кремния; исследовать влияние различных технологических факторов на условия роста оксидных пленок.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие основные задачи:

- разработать математическую модель для расчета облученности и температуры пластины карбида кремния с учетом подводимой световой энергии излучения;

- разработать модель ускоренного роста оксидной пленки на карбиде кремния при воздействии мощных световых потоков;

- рассчитать концентрации кислородных частиц у поверхности карбида кремния под воздействием световых потоков;

- провести оптимизацию конструкции реакционной камеры по минимуму температурных напряжений возникающих в пластине карбида кремния при неоднородном нагреве;

- провести исследования электрофизических характеристик оксидных пленок кремния на карбиде кремния, полученных с использованием фотонных потоков излучения.

Научная новизна работы впервые проведены комплексные исследования фотонно-стимулированных методов получения тонких оксидных пленок на карбиде кремния;

- установлена более высокая скорость окисления карбида кремния при использовании фотонно-стимулированных процессов для получения оксидных пленок толщиной 15-35 нм по сравнению с термическим методом окисления;

- предложена модель расчета облученности и температуры пластины карбида кремния с учетом мощности излучателей, коэффициента отражения пластины и отражателей реактора, а также конструкции реакционной камеры. Составлен алгоритм и написана программа для моделирования процесса окисления карбида кремния и выращивания тонких пленок оксида кремния на карбиде кремния;

- разработаны технологические процессы получения оксидных пленок кремния на карбиде кремния на основе быстрой термической обработки РЖ-излучением (БТО) и фотонно-стимулированного окисления в среде озона.

Практическая значимость. на основе быстрой термической обработки и фотонно-стимулированного окисления в среде озона разработаны технологические процессы получения тонких пленок двуокиси кремния на карбиде кремния, которые по своим параметрам не уступают пленкам, полученным при термическом окислении;

- разработан пакет программ для комплексного моделирования технологического процесса окисления карбида кремния;

- модифицирована установка для фотонно-стимулированного термического окисления позволяющая обрабатывать пластины карбида кремния в температурном диапазоне 300-1200° С;

- на основании представленной модели и экспериментальных исследований установлено, что скорость окисления карбида кремния при фотонно-стимулированных процессах окисления выше, чем при обычном окислении.

Основные положения, выносимые на защиту:

- метод аналитического исследования фотонно-стимулированных про-цессав получения оксидных пленок кремния на карбиде кремния на основе БТО и фотонно-стимулированного окисления в среде озона с учетом мощности излучателей, отражения излучения пластиной и стенками реактора, конструкции реакционной камеры, концентрации кислородных частиц, коэффициента поглощения излучения карбидом кремния;

- программа расчета распределения облученности и температурных полей в пластине карбида кремния, основанная на решении дифференциального уравнения теплопроводности, обеспечивающая анализ температурных процессов, происходящих в структуре в реальном масштабе времени;

- метод оптимизации конструкции реакционной камеры установки БТО по термоупругим напряжениям, не превышающего критического коэффициента дефектообразования;

- ускорения процесса окисления карбида кремния с использованием фотонно-стимулированных технологических процессов при получении ультратонких пленок диоксида кремния;

- разработанные методы фотонно-стимулированных технологических процессов получения оксидных пленок кремния на карбиде кремния могут служить основой для создания промышленной технологии получения диэлектрических пленок на карбиде кремния.

Диссертационные исследования являются частью научно-исследовательских работ кафедры «Технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры» Таганрогского государственного радиотехнического университета, выполняемых в период 2001-2004 г.г. по госбюджетным работам (№208.06.01.008, №208.04.01.013).

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и представлялись на: всероссийской дистанционной НТК "Электроника" (Москва, 2001 г.); VII международной НТК "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 2000 г.); V Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов "Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления" (Таганрог, 2000 г); abstracts of "IV International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials" (Novgorod the Great, Russia, 2002 y.); abstracts of ECSCRM2002 (Sweden, 2002); IV MHTK "Электроника и информатика 2002" (Москва, 2002 г.); восьмой международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, ПЭМ-2002); третьей международной конференции "Радиа-ционно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Томск, 2002 г.); 4-я МНТК «Электроника и Информатика 2002» (Москва, 2002 г.); VI ВНК студентов и аспирантов "Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления", (Таганрог, 2002 г.); 2-й международной научно-технической конференции «Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе» (Баку-Сумгаит, 2003 г.).

Публикации. Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 25 печатных работах, в том числе в 4 статьях и 21 тезисе докладов на Российских и международных научно-технических конференциях.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, заключения, 4 глав, основных выводов, библиографии, включающей 73 наименования. Общий объем диссертации 147 страниц, включая 38 страниц иллюстраций, 8 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Кочеров, Александр Николаевич

4.4. Выводы

Для проведения экспериментов в работе использовались установки быстрой термообработки (БТО), а также диффузионная печь, с добавленным узлом УФ стимуляции.

Было экспериментально установлено, что скорость роста оксидной пленки при использовании БТО значительно выше, чем при использовании обычного термического окисления. Так, пленку толщиной 7,892 нм при использовании БТО можно вырастить за 180 секунд при температуре 1273 К. Для того, чтобы получить пленку соответствующей толщины при обычном термическом окислении и такой же температуре длительность процесса должна составлять 60 мин, что в 20 раз больше, чем при использовании БТО.

Для измерения толщин пленок оксида на поверхности карбида кремния использовался эллипсометрический метод измерения.

Для исследования качества полученных оксидных пленок на поверхность окисла напылялась группа контактов Ni квадратной формы со стороной 0,02 см. Далее исследовались вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики полученных структур.

Пробивные напряжения структур составили 36-40 В, соответствующая электрическая прочность данных структур составляет ~ 9,2 МВ/см. Данный результат говорит о неплохом качестве получаемого оксида кремния на поверхности карбида кремния.

Из анализа вольт-фарадных характеристик МДП-структуры было установлено, что в окисле присутствуют отрицательно заряженные состояния. Установлено, что плотность поверхностных состояний при обработке с помощью БТО (Nss~8xl0n см'2) меньше, чем при использовании термического окисления (Nss~l,5xl012 см"2) поэтому можно говорить о более высоком качестве получаемого оксида кремния.

Заключение

1. Разработан новый фотонно-стимулнрованный технологический процесс получения тонких оксидных пленок кремния на карбиде кремния с помощью быстрой термической обработки при Т=1273 К. Отличительной особенностью предложенного процесса окисления является возросшая скорость роста пленки по сравнению с термическим окислением в среде сухого кислорода.

2. Скорость фотонно-стимулированного окисления в среде озона ниже по сравнению с окислением при быстрой термической обработке, однако больше в 1,2 раза по сравнению с термическом окислении в среде сухого кислорода.

3. С помощью термодинамического анализа реакций на основе расчета свободной энергии Гиббса установлено, что вероятность взаимодействия карбида кремния с 03 в среднем в 2,6 раз выше, чем вероятность взаимодействия с 02.

4. Разработана математическая модель окисления карбида кремния с учетом конструкции реактора, распределения облученности, температуры по поверхности полупроводниковой пластины, концентрации кислородных частиц, возникающих при фотодиссоциации кислорода вследствие воздействия высокоэнергетического излучения, коэффициента поглощения излучения карбидом кремния в зависимости от температуры. Данная модель позволила установить, что неравномерность толщины оксидной пленки кремния по поверхности подложки карбида кремния не превышает 1% в оптимальном случае, что подтверждается экспериментально. Данная неравномерность является допустимой величиной в технологическом процессе окисления.

5. Проведена оптимизация конструкции реакционной камеры по минимальным значениям термоупругих напряжений возникающих в пластине карбида кремния при равномерном нагреве.

6. Экспериментально установлено, что пробивные напряжения, плотность поверхностных состояний и заряд диэлектрика, полученного с помощью быстрой термической обработки и фотонно-стимулированном окислении в среде озона были не хуже по сравнению с оксидными пленками, полученными при термическом окислении карбида кремния. Это говорит о том, что разработанные методы получения тонких оксидных пленок могут послужить основой для создания промышленной технологии получения качественного диоксида кремния для интегральных схем.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Кочеров, Александр Николаевич, 2004 год

1. Сеченов Д.А., Касимов Ф.Д., Агаев Ф.Г., Светличный A.M., Агеев О.А. Активируемые процессы микроэлектронной технологии. Баку: ЭЛМ, 2000. 258 с.

2. Борисенко В.Е., Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. Минск: Навука i тэхшка, 1992. 258 с.

3. Телен А. Конструирование многослойных интерференционных светофильтров. В кн.: Хасс Г., Тун Р.Э. (Ред.) Физика тонких пленок. В 6 т. М.: Мир, 1972. Т. 5. С. 46-83.

4. Светличный A.M., Агеев О.А., Фильтры оптические интерференционные для устройств светомагнитотерапии. //Известия ТРТУ. 1998. №4 (10). С. 98.

5. Агеев О.А. Отражение некогерентного ИК излучения в полупроводниковых структурах при быстрой термической обработке. // Известия ТРТУ. 2002. №1. С. 119-122.

6. Byung-Jin Cho, Chung-Ki Kim. Elimination of slips on silicon wafer edge in rapid thermal process by using a thing oxide //J.Appl.Phis, 67 (1990), pp. 7583-7586.

7. Коссель Д., Дейчер К., Гришберг К. Интерференционные фотокатоды. В кн.: Хасс Г., Тун Р.Э. (Ред.) Физика тонких пленок. В 6 т. М.: Мир, 1972. Т. 5. С. 7-45.

8. Logothetidis S., Petalas J. Dielectric function and reflectivity of 3C-silicon carbide and the component perpendicular to the с axis of 6H-silicon carbide in the energy region 1.5-9.5 eV //J.Appl.Phis. 80 (1996), pp. 17681772.

9. Petalas J., Logothetidis S., Gioti M., Janowitz C. Optical properties and temperature dependence of the inter band transitions of 3C- and 6H-SiC in the energy region 5 to 10 eV// Phis. Stat. Sol. (b) 209 (1998), pp.499-521.

10. Lambrecht W.R., Segall В., Yoganathan M. et. al. Calculated and measureduv reflectivity of SiC polytypes //Phisical Review В 50, N15 (1994), pp.10722-10726.

11. Бонч-Бруевич В.JI., Калашников С.Г., Физика полупроводников. М.: наука, 1990.

12. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 559 с.

13. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969.592 с.

14. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Полупроводниковые соединения A1VBIV. В кн.: Спроавочник по электрическим материалам. Под ред. Ко-рицкого Ю.В., Пасынкова В.В., Тареева Б.М. Л.: Энергоатомиздат, 1988. Т.З. С. 446-472.

15. Хениш Г., Рой Р. Карбид кремния. М.: Мир, 1972. 387 с.17., Harris G.L. (Ed.) Properties of Silicon Carbide. Inspec. London.1995.

16. Persson C., Lindefelt U. Detailed bond structure for 3C-, 2H-,4H-,6H-SiC, and Si around fundamental band gap // Phisical Review В 54, N 15 (1996), pp.10257-10260.

17. Гиллет Дж. «Фотофизика и фотохимия полимеров», пер. с англ., Москва, Мир, 1988, 435 с.

18. Н.А. Колобов, М.М. Самохвалов. Диффузия и окисление полупроводников. Москва, "Металлургия", 1975, 455с.

19. Tiikushi J., Tahe М. UV irradiation effects on chemical vapor deposition of Si02.//Jap. J. Appl. Phis. 1985, v.24, №3, p.274-278.

20. Petitijean M., et.al. SiO: deposition be direct photolysis at 185 mil of N20 and SiH4. // Appl. Surf. Sci.1990, №46, p, 189-194.

21. Riger D., Bachman F. A2F laser induced CVD of Si02 films: a search for the best suitable precursors. // Appl. Surf. Sci. 1992, №54, p99-107.

22. Parada E.G. et. all. Improvement of silicon oxide film properties by ultraviolet exeimer annealing. // Appl. Surf. Sci. 1995, №86, p294-298.

23. Бару В.Г. Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. // «Наука», Москва, 1978, 288 с.

24. Licoppe С. Debauche С. Surface sensitive multiple internal reflection spectroscopy as a tool to study surface mechanisms in CVD: the example of UV photodeposition of silicon dioxide and silicon nitride. // Appl. Surf. Sci. 1993, №63, p.l 15-118.

25. Румак H.B., ХатькоВ.В. Диэлектрические пленки в твердотельной микроэлектронике. // Минск, Наука и техника, 1990, 191 с.

26. Marcs J., Robertson R.E. Silicon dioxide deposition at 100°C using vacuum ultraviolet light. // Appl. Phis. 1988, v.52, №3, p.810-812.

27. Kevin J., Anderson H. et. all. Deposition and characterization of silicon dioxide thin films deposited by mercury-arc-source driven photon-activated chemical-vapor deposition. // J. Vac. Sci. Technol. 1988, v6(l), №12, p. 470-472.

28. ToyodaY., Inoue K. et. All. Preparation of Si02 Film by photo-induced Chemical Vapor Deposition Using a Deuterium Limp and Its Annealing Effect. // Jap. J. Appl. Phis. 1987, v.26, №6, p. 835-840.

29. Ishikava Y., Takadi Y. et. all. Low Temperature thermal oxidation of silicon in N20 by UV-Irradiation. // Jap. J. Appl. Phis. 1989, v.28, №8, p. 1453-1455.

30. Inushima Т., Hirose N., Urata K. et. all. Film Growth Mechanism of Photo-Chemical Vapor Deposition. //Appl. Phis. 1988, v.A47, №3, p.229-236.

31. Takahashi J., Tabe M. UV Irradiation Effects on Chemical Vapor Deposition of Si02. // Jap. J. Appl. Phis. 1985. v.24, №3, p.274-278.

32. Katayama K., Shimura F. Mechanism of Ultraviolet Irradiation Effect on Si-Si02 Interface in Silicon Wafers. // Jap. J. Appl. Phis. 1992. v.31, №8, p.1001-1004.

33. Inoue K., Mishimore M., et.all. Low temperature growth of Si02thin film by double-excitation photo-CVD. // Jap. J. Appl. Phis. 1987. v.26, №6, p.805-811.

34. Fitminski V. Jn., Markeev A.M., Naumenco O.I. Combined Photochemical process for silicon technology substrate cleaning, silicon dioxide deposition and annealing. // Appl. Surf. Sci. 1994, №78, p.437-443.

35. Watanabe J., Hanabusa M. Photochemical vapor deposition of silicon oxinitride films by deuterium lamp. // J. Mater. Res. 1989, v.4, p.882-885.

36. Bhatnagar Y.K., Milne W.I. The direct photochemical vapor deposition of Si02 from Si2H4 and N203 mixtures. // Thin Solid Films. 1989, 168, p.345-352.

37. Inoue K., Nakatani Y., Okuyama M., Hmakawa Y. Growth of Si02 thin film by by double-excitation photoinduced chemical vapor deposition incorporated with microwave excitation of oxygen. // J. Appl. Phis. 1988, v.64, №11, p.6496-6501.

38. Агеев О.А., Светличный A.M., Кочеров A.H. Оптимизация распределения температуры и термоупругих напряжений в пластине SiC прибыстром термическом инфракрасном нагреве. // Микросистемная техника №7 2003 г. С.25-28

39. Kawahara T.,Ynuki A., Matsui Y. Reaction Mechanism of chemical vapor deposition using Tetraethylorthosilicate and Ozone at Atmospheric pressure. // Jap. J. Appl. Phis. 1992. v.31, №8, p.2925-2930.

40. Laura L., Growell J. The chemical vapor deposition of Si02 from tet-raethoxisilane: the effect of surface hydroxylconcentration. // J. Vac. Sci. Technol. 1991, v.9, p.1002-1006.

41. Adams A.C., Capio C.D. The deposition of silicon dioxide films at reduced pressure. // J. Electrochem. Soc. 1979, №126, p. 1042-1049.

42. Агеев O.A., Светличный A.M., Кочеров A.H. Моделирование температурных полей и термоупругих напряжений при быстром нагреве кремниевых пластин большого диаметра. // Проектирование и технология электронных средств. 2002, №3. с.67-73.

43. С. Radtke, R.V. Brandao et al. Characterisation of SiC thermal oxidation. Nuclear Instruments and methods in Physics Research B. 2002.

44. Светличный A.M., Поляков В.В., Кочеров A.H. Окисление карбида кремния быстрым термическим отжигом. // Известия ТРТУ. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2004 г. №1 (36) с.104-105.

45. I. Galesic., С. Angelkort, Н. Lewalter, A. Berendes, et. al. Formation of Transition metal nitrides by rapid thermal processing (RTP). // Phis. stat. sol. (a) 177, 15 (2000). pp. 15-26.

46. C. Zetterling, M. Ostling. Comparison of thermal gate oxides on silicon and carbon face p-type 6-H silicon carbide. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 339. 1994 Materials Research Society.

47. Hiroshi Yano, Fumito Katafuchi et al. Effects of wet oxidation /Anneal on Interface properties of thermally oxidized Si02/SiC MOS system and MOSFET's. IEEE transactions on electron devices. Vol 46, № 3, 1994.

48. P.Т. Lai, J.P. Xu, C.L. Chan. Effects of wet N20 Oxidation on interface properties of 6H-SiC MOS capacitors. // IEEE Electron device letters, Vol. 23, No. 7, July 2002.

49. Katsunori Ueno. Anomalous oxidation rate in 6H-SiC depending on the partial pressure of 02 and H20. Journal of Electronic Materials. Vol. 27. №4. 1998.

50. Крюков А.И., Кучмий С.Я. Основы фотохимии координационных соединений. Киев: Наукова думка, 1990. 280с.

51. Cleaning techniques for wafer surfaces./ Skidmore Kathy //Semicond.ind. 1987. V.10,N9. P.80 85.

52. Румак H.B. Компоненты МОП-интегральных микросхем/Под ред.А.П.Достанко. Минск.: Наука и техника, 1991. - 311 с.

53. Агаларзаде П.С., Петрин А.И., Изидинов С.О. Основы конструирования и технологии обработки поверхности р-п-перехода /Под ред. В.Е. Челнокова. М.: Сов. радио, 1978. - 224 с.

54. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. - 408 с.

55. Роль активных кислородных частиц в процессе УФ очистки поверхности неорганической подложки/ Богданов А.И., Валиев К.А., Беликов Л.В., Душенков С.Д., Иванова М.И. //Микроэлектроника. - 1989. Т.18., №6. - С.540 - 543.

56. Сеченов Д.А., Светличный A.M., Поляков В.В. Фотостимулиро-ванные технологические процессы в кремниевых структурах. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2002. - 103 с.

57. Метод очистки поверхности SiC в условиях высокого вакуума/ Андреев М.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е.// Физ. и техн. полупров. -1994. Т.28., №6. - С.998-1002.

58. Фотостимулированная диссоциация молекул на поверхности твердого тела / Зандберг Э.Я., Кнатько М.В., Палеев В.И., Сущих М.М. //Изв. АН. Сер.физическая. 1992. - Т.56, N8. - С.21 - 27.

59. Окабе X. «Фотохимия малых молекул», пер. с англ., М.: Мир, 1981. 500 с.

60. Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. Мищенко К.П., Равделя А.А. Л.: Химия, 1974. - 200с.

61. Маслов В.П., Данилов В.Г., Волосов К.А. Математическое моделирование процессов тепломассопереноса. М.: Наука. 1987 г.

62. Langmuir J. «J. Amer. Chem. Soc.», 1918, v.40, p. 1361-1366.

63. Сеченов, Д.А., Светличный, A. M., и др., «Установка импульсной термообработки ИТО-18М,» Электронная промышленность, 1990, 3, с. 62.

64. Сеченов, Д. А., Светличный, А. М., и др., «Вакуумная установка импульсной термообработки ИТО-18МВ,» Электронная промышленность, 1990, 3, с. 6.

65. Агеев О.А., Светличный A.M., Кочеров А.Н. Влияние конструкции реакционной камеры на облученность полупроводниковых пластин при быстрой термической обработке // Известия ВУЗов. Электроника. 2001 №1. с. 23

66. Агеев О.А., Светличный A.M., Кочеров А.Н. Влияние конструкции реакционной камеры на облученность пластин SiC в установке БТО // Сборник тезисов докладов ВНТДК "Электроника", МИЭТ, Зеленоград, 19-30 ноября 2001 г., с. 119 120.

67. Agueev О.A., Svetlichnyi A.M. Modeling of 6H-SiC wafer heating during RTP by incoherent radiation // Journal of Materials Processing & Manufacturing Science. 2001. Vol. 9. № 3. pp. 223-229.

68. Боли Б., Уэйнер Дж. Теория температурных напряжений. М.: Мир, 1964.- 515 с.

69. Сеченов Д.А., Светличный A.M., Соловьев С.И., Агеев О.А. Влияние скорости нагрева на возникновение термонапряжений в кремниевой пластине при быстром отжиге // Физика и химия обработки материалов. 1992. №5. с. 46.

70. В.И. Гавриленко, A.M. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев, "Наукова думка", 1987, 608с.

71. И.С. Горбань, А.П. Крохмаль. ФТП 2001 - т.35, №11 - С. 12991305.