Термическое окисление монокристаллов карбида кремния политипа 6Н тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Рябинина, Ирина Александровна

• Рябинина, Ирина Александровна
• кандидат технических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат технических наук Рябинина, Ирина Александровна

Введение

Глава 1. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА КАРБИДА КРЕМНИЯ КАК ПЕРСПЕКТИВНОГО МАТЕРИАЛА МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

1.1. Кристаллическая структура и политипизм SiC

1.2. Основные методы синтеза монокристаллов карбида кремния

1.3. Электрофизические свойства карбида кремния

1.4. Термическое окисление карбида кремния

1.5. Перспективы применения карбида кремния в силовой электрони- ^

Выводы к первой главе

Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Исследование монокристаллов карбида кремния

2.1.1. Количественный анализ элементного состава монокристаллов карбида кремния

2.1.2. Выявление поверхностных дефектов на пластинах карбида кремния

2.1.3. Определение ширины запрещенной зоны карбида кремния

2.1.4. Определение электрических параметров, концентрации свободных носителей зарядов и их подвижности в монокристаллах SiC

2.2. Технология выращивания диэлектрических слоев на карбиде кремния

2.2.1. Оборудование для проведения процесса термического окисления карбида кремния

2.2.2. Определение толщины Si02 на карбиде кремния

2.2.3. Определение пористости пленок Si02 на карбиде кремния

2.2.4. Определение поверхностных состояний на границе раздела Si02-SiC

2.3. Измерение вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик диодных структур на основе монокристаллов 6H-SiC

Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУР И СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ SiC

3.1. Стехиометрия кристаллов карбида кремния

3.2. Морфология поверхности монокристаллов SiC. Макроскопические и микроскопические дефекты

3.3. Определение политипа, концентрации и подвижности носителей заряда в пластинах SiC Выводы к третьей главе

Глава 4. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ 6H-SiC

4.1. Исследование кинетики термического окисления 6H-SiC

4.2. Термодинамические параметры процессов термического окисления 6H-SiC

4.3. Влияние режимов окисления на дефектность пленок Si02 на 6Н-SiC

4.4. Исследование вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик диодных структур на основе 6H-SiC

Выводы к четвертой главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Термическое окисление монокристаллов карбида кремния политипа 6Н»

Актуальность темы

В настоящее время современная силовая электроника является одной из важнейших областей в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Основным направлением в создании приборов, отвечающим запросам современной техники, остается изучение новых широкозонных материалов, таких как карбид кремния (SiC), нитрид алюминия (A1N), нитрид галлия (GaN), фосфид галлия (GaP) и изготовление приборов на их основе.

Карбид кремния является одним из самых привлекательных материалов относительно применения его в силовой электронике. Некоторые свойства SiC, такие как широкая запрещенная зона (от 2,4 эВ до 3,3 эВ для разных политипов SiC), высокая радиационная стойкость, высокая теплопроводность (3-5 Вт/смтрад), большая напряженность поля лавинного пробоя (3-6 МВ/см) позволяют использовать этот материал в производстве высоковольтных диодов Шоттки, МОП-транзисторов, светодиодов.

Карбид кремния как полупроводник начинает свое существование с момента, когда были обнаружены электролюминесцентные и выпрямительные свойства р-п-структур на его основе. В СССР пик активности исследований свойств SiC пришелся на период с 30-х по 50-е годы XX века. Примерно в тоже время Дж. Лели предложил новый метод выращивания монокристаллов карбида кремния, который по сегодняшний день остается одним из главных методов получения подложек на SiC с малой плотностью дефектов. В 90-е годы работы российских ученых и созданный ими научный потенциал в области физики SiC оказались востребованными главным образом в западных фирмах. В 1993 г. в США была создана первая интегральная схема на карбиде кремния. В настоящее время лидером в производстве полупроводниковых приборов на основе SiC является компания «Сгее Inc.» (США). В России изучением свойств карбида кремния и изготовлением полупроводниковых структур на его основе занимается несколько научных центров (С-ПбГУ-ЛЭТИ, ОХМЗ, ЮФГУ и др.). Так как серийное производство по выпуску качественных подложек карбида кремния в нашей стране отсутствует, практически все исследования проводятся на опытных образцах или пластинах, выпускаемых компанией «Сгее Inc.».

В настоящее время существует несколько методов выращивания монокристаллов SiC, среди которых метод Лели, сублимационные методы выращивания монокристаллов на затравках и выращивание эпитакси-альных слоев SiC на кремниевой и карбидокремниевой подложках и др. Каждый из существующих методов имеет свои недостатки, которые приводят к возникновению поверхностных и сквозных дефектов (микропай-пам). Для воспроизведения результатов исследований необходим постоянный контроль качества и электрофизичеких параметров подложек (монокристаллов SiC).

Одной из операций, часто применяемой при технологических процессах изготовления приборов на кремнии, является выращивание диэлектрического слоя. В зависимости от его назначения к нему предъявляются соответствующие требования. Как известно из литературных источников оксидный слой SiC>2 на карбиде кремния также применяется при изготовлении приборов на его основе, но технология термического окисления остается закрытой. Поэтому отработка методики выращивания оксидной пленки на карбиде кремния является актуальным вопросом.

В настоящее время зарубежные фирмы занимаются серийным производством высоковольтных диодов Шоттки, p-i-n-диодов, реже транзисторов на основе карбида кремния политипа 4Н. Поэтому исследование свойств биполярных структур на основе карбида кремния политипа 6Н представляет интерес с точки зрения изучения механизмов протекания токов в них.

Работа выполнялась по плану работ ГБ 2004-34 "Исследование полупроводниковых материалов (Si, А3В5, А4В62), приборов и технологии их изготовления" (№ г.р.0120.0412882) кафедры Полупроводниковой электроники и наноэлектроники ВГТУ.

Целью работы является разработка физических основ технологии термического окисления монокристаллов SiC политипа 6Н на оборудовании, используемом при производстве интегральных схем на кремнии. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. По результатам определения степени стехеометричности элементного состава и дефектности монокристаллов и их основных электрофизических параметров обосновать выбор монокристаллических подложек 6H-SiC для проведения исследований между монокристаллами, выращенными по методу Лели, и монокристаллами, выращенными на затравках методом сублимации и конденсации из пересыщенного пара.

2. Исследовать кинетику термического окисления монокристаллов 6H-SiC в интервале температур [950 - 1150] °С в среде сухого кислорода, влажного кислорода и влажного азота.

3. На основе существующих механизмов термического окисления Si и SiC с использованием экспериментальных данных, рассчитать термодинамические параметры процесса окисления в разных режимах.

4. Используя вычисленные из эксперимента термодинамические параметры, рассчитать режимы термического окисления 6H-SiC для получения маскирующих и изолирующих пленок SiC>2 с заданными параметрами толщины и пористости.

5. Исследовать электрофизические свойства (пористость, плотность поверхностных состояний, напряженность электрического пробоя оксида) диэлектрических пленок SiCS на 6H-SiC.

6. С помощью ионной имплантации примеси бора в монокристаллы 6H-SiC n-типа изготовить диодную структуру и исследовать механизмы протекания токов в р-п-переходе.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования выбраны монокристаллы SiC политипа 6Н, выращенные по методу Лели (группа А), и монокристаллы, выращенные на затравках методом сублимации и конденсации из пересыщенного пара (группа В), оксидные пленки, выращенные при термическом окислении монокристаллов группы А, диодные структуры, изготовленные на монокристаллах группы А.

Научная новизна представленных в работе результатов заключается в следующем:

1. Впервые получены данные о степени и характере стехиометрич-ности элементного состава монокристаллов, выращенных по методу Лели, и монокристаллов, выращенных на затравках методом сублимации и конденсации из пересыщенного пара, определена шероховатость поверхностей.

2. Впервые при термическом окислении монокристаллов 6H-SiC в атмосфере влажного азота выращены оксидные слои Si02.

3. На основе экспериментальных данных впервые вычислены термодинамические параметры уравнений, описывающих термический рост слоя S1O2 на бН-SiC в среде сухого кислорода, влажного кислорода и влажного азота. Получены зависимости, позволяющие рассчитать режимы технологических процессов для выращивания слоев SiCb на 6H-SiC с заданной толщиной и пористостью.

4. Впервые определена сплошность оксидных пленок, термически выращенных на 6H-SiC в среде сухого кислорода, влажного кислорода и влажного азота при температуре процесса 1150 °С.

Практическая значимость

1. Экспериментальные зависимости роста оксидного слоя от температуры, времени и режимов окисления, зависимости пористости оксидного слоя от времени и режимов окисления 6H-SiC можно использовать для оптимизации процесса термического окисления карбида кремния.

2. Предложенный в работе режим изготовления диэлектрических слоев толщиной 0,5 мкм и 0,9 мкм при температуре окисления 1150 °С, может быть использован как технологическая операция для создания маскирующих слоев SiC>2 на 6H-SiC.

3. На основании результатов экспериментов по термическому окислению монокристаллов 6H-SiC можно заключить, что для получения слоев Si02 достаточной толщины и хорошего качества на SiC пригодно оборудование, применяемое в технологическом процессе изготовления кремниевых приборов.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Стехиометрические особенности элементного состава монокристаллов 6H-SiC, синтезированных двумя методами, дефектность и шероховатость поверхностей.

2. Термодинамические параметры процесса термического окисления монокристаллов 6H-SiC в атмосферах сухого кислорода, влажного кислорода, влажного азота и зависимости, описывающие кинетику роста оксидной пленки в этих средах при температуре процесса 1150 °С.

3. Электрофизические и маскирующие свойства оксидных пленок SiC>2 на 6H-SiC: пористость, плотность поверхностных состояний, напряженность электрического поля пробоя оксидного слоя.

4. Режимы термического окисления 6H-SiC по выращиванию маскирующих слоев заданной толщины и изолирующих слоев с малой пористостью.

5. Вольт-амперные характеристики диодных структур на основе 6Н-SiC и механизмы протекания токов через р-н-переход.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 2007-2010), VII международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2007).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 5 научных работ, в том числе 2 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [1-5] - подготовка к эксперименту, получение и анализ экспериментальных данных, обсуждение полученных результатов и подготовка к печати.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав и заключения. Работа изложена на 144 страницах, включая 21 таблицу, 74 рисунка, литературу из 90 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Рябинина, Ирина Александровна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. По результатам анализа атомного состава определено, что у монокристаллов 6H-SiC, выращенных по методу Лели (группы А), отклонение от стехиометрии нарушено в меньшей степени (± 2,4 ат. % с избытком атомов кремния), чем у монокристаллов, выращенных на затравках методом сублимации и конденсации из пересыщенного пара (группы В) (± 6,4 ат. % с избытком атомов углерода). По результатам исследований на наличие поверхностных дефектов установлено, что плотность поверхностных дефектов у образцов группы В в несколько раз больше, чем у образцов группы А. По результатам исследований для отработки методики термического окисления 6H-SiC выбраны монокристаллы группы А.

2. Из исследований морфологии поверхности противоположных граней монокристалла группы А, установлено, что Si-грань (грань с преимущественным выходом на поверхность атомов кремния) отличается большей неровностью (средняя амплитуда неровностей составила 130 нм), чем С-грань (грань с преимущественным выходом на поверхность атомов углерода). Определен а шероховатость поверхности С-грани SiC (0,6 ± 0,05) нм.

3. Из спектра фундаментального оптического поглощения в монокристаллах SiC определена ширина запрещенной зоны, которая составила 3,0 ±0,1 эВ, что соответствует ширине запрещенной зоны 6H-SiC. Обнаружен пик поглощения на 2 эВ, обусловленный внутризонным переходом свободных электронов. С помощью эффекта Холла определены тип проводимости образцов группы А (п-тип), удельное сопротивление монокристалла, концентрация свободных носителей и их подвижность при комнатной температуре.

4. Исследована кинетика термического окисления 6H-SiC в среде сухого кислорода, влажного кислорода и влажного азота в интервале температур [950 -1150 °С]. Установлена анизотропия скорости роста пленки Si02 на С-грани и Si-грани SiC. Скорость роста S1O2 на С-грани на порядок выше скорости роста Si02 на Si-грани. Определено, что скорость роста оксидной пленки на С-грани 6H-SiC на порядок меньше скорости роста пленок Si02 на кремнии, выращенных в одинаковых режимах во всех трех средах окисления.

5. Проведен термодинамический анализ процессов термического окисления 6H-SiC в среде сухого кислорода, влажного кислорода и влажного азота в интервале температур [950 — 1150 °С]. Определены константы скорости окисления для бН-SiC. Установлено, что кинетика окисления С-грани карбида кремния но

134 сит линейно-параболический характер во всех трех средах окисления. Наиболее подходящими моделями описания роста оксидного слоя на SiC является синтез двух моделей: модели Дила и Гроува и модели Вагнера. Получены экспериментальные зависимости толщины оксидного слоя Si02 на 6H-SiC от времени окисления и от температуры.

6. На основании выполненных исследований рекомендованы режимы изготовления маскирующих и защитных покрытий для 6H-SiC по схеме «сухой -влажный — сухой» при температуре процесса окисления 1150 °С толщиной 0,5 мкм (суммарное окисление 3-4 часа) и толщиной 0,9 мкм (суммарное окисление 4-5 часов).

7. По результатам исследования сквозных дефектов в оксидных пленках, выращенных на С-грани 6H-SiC в среде сухого кислорода, влажного кислорода и влажного азота при температуре 1150 °С, установлено, что пленки SiC>2, выращенные в влажных средах соответствуют нормам, предъявляемым к изолирующим диэлектрическим покрытиям. Определена плотность поверхностных состояний на границе раздела пленки Si02 (800 А), выращенной в среде сухого кислорода на 6H-SiC, которая составляет ~1,7-1012 см"2. Определена напряженность электрического поля пробоя для этого оксидного слоя, которая составила 7,5 - 8,75 -106 В-см"', что не хуже аналогичного параметра пленки Si02 на Si.

8. Исследованы вольт-амперные характеристики диодных структур, изготовленных на монокристалле n-6H-SiC имплантацией бора. При прямом падении напряжении в интервале [0 - 2,5) В механизм протекания тока соответствует рекомбинации носителей в области объемного заряда, при 2,5 В наступает высокий уровень инжекции носителей заряда.

Автор выражает благодарность профессору Станиславу Ивановичу Рембе-зе, под чьим контролем была выполнена эта работа, Владимиру Леонидовичу Де-рунову и Нине Кирилловне Юдиной за сотрудничество при проведении процессов термического окисления карбида кремния и измерении электрофизических параметров оксидных пленок.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Рябинина, Ирина Александровна, 2010 год

1. Лебедев А.А. Вечнозеленый полупроводник / А. А. Лебедев // Химия и жизнь. 2006. - №4. - С. 14-19.

2. Фундаментальные аспекты карбида кремния SiC // Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов. Электронная структура и свойства полупроводников. Воронеж, 2004. - Т.1. - С. 753.

3. Лебедев A.A. SiC электроника. Прошлое, настоящее, будущее. / А.А. Лебедев, С. Сбруев // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. -2006. -№5. - С. 28-41.

4. Лучинин В.В. Карбид кремния материал экстремальной электроники / В.В. Лучинин, Ю.М. Таиров // Петербургский журнал электроники. - 1996. - № З.-С. 53-78.

5. E.G. Acheson Production of artificial crystalline carbonaceous materials, patent # 492,767, February 28, 1893.

6. Аристов В.Ю. Поверхность p-SiC (100): атомная структура и электронные свойства / В.Ю. Аристов // Успехи физических наук. Обзоры актуальных проблем.-2001.-Т.171.-№8. -С. 801-826.

7. Трубицын Ю.В. Полупроводниковые материалы на основе элементов IV группы / Ю.В. Трубицын, Д.И. Левинзон, В.Ю. Трубицын // Складш системи i процеси. Електронне матер1алознавство i технологи.-2007.-№1.-С. 18-37.

8. Хениш Г. Карбид кремния / Г. Хениш, Р.Рой. М.: Мир, 1972. - 347 с.

9. Raback Peter Modeling of the sublimation growth of silicon carbide crystals: dis. doctor of technology / Peter Raback. Helsinki, 1999. - 130 p.

10. Frank F.C. The growth of carborundum: dislocations and polytipism / F.C. Frank //Philosophical Magazine 1951. - № 42. - P. 1014-1021.

11. Lely J.A. Durstellung von Einkristallen von Slizium Karbid und Beherrchung von Art und Menge der Eingebauten / J.A. Lely // Ber. Deut. German. Keram. Ges. 1955. - № 32. - P. 229-236.

12. Шашков Ю.М. Рост кристаллов / Ю.М. Шашков, В.В. Рождественская.-М.: Наука, 1964. -117 с.

13. Lowe Е.С., пат. США 3343920, 1967.

14. Vodakov Yu. A. Epitaxial growth of silicon carbide layers by sublimation «sandwich method» Growth kinetics in vacuum / Yu. A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov // Kristal und Technik. 1979. - № 14(6). - P; 729 - 740.

15. Водаков Ю.А. Прогресс в выращивании кристаллов и изучение широкозонных полупроводниковых материалов // Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов. -1999.-Т. 41.-В. 5.-С. 822-825.

16. Tairov Yu. М. Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals / Yu. M. Tairov, V.F. Tsvetkov // J. Cryst. Growth. 1978. -Vol. 43. - Issue 2 - P. 209 - 212.

17. Tairov Yu. M. General principles of growing large-size single crystals of various silicon carbide polytypes / Yu. M. Tairov, V.F. Tsvetkov // Journal of crystal growth 1981.-Vol. 52.-Parti. - P. 146- 150.

18. Barret D.L. Growth of large SiC single crystals / D.L. Barret, J.P. McHugh, H.M. Hodgood, P.G. McMullin, R.C. Clarke // Journal of crystal growth. -1993. Vol. 128. - Issues 1-4. - P. 358 - 362.

19. Авров Д.Д. Рост слитков карбида кремния политипа 4Н на затравках с плоскостью (1010) / Д.Д. Авров, А.В. Булатов, С.И. Дорожкин, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров // Физика и техника полупроводников. 2008. - Т.42. - В. 12. - С. 1483 - 1487.

20. Davis R.F., С.Н. Carter, С.Е. Huter. USA Patent N 4, 866, 005 (Sept. 12,1989)

21. Muller St. G. Progress in the industrial production of SiC substrates for semiconductor devices / St. G. Muller, R.C. Glass, H. M. Hobgood, V. F. Tsvetkov, M. Brady // Materials science and engineering. 2001. - B. 80. - P. 327 - 331.

22. Лебедев А. А. Широкозонные полупроводники для силовой электроники / А.А. Лебедев, В.Е. Челноков // Физика и техника полупроводников. 1999. - Т.ЗЗ. - В.9. - С. 1096-1099.

23. Иванов П.А. Полупроводниковый карбид кремния технология и приборы / П.А. Иванов, В.Е. Челноков // Физика и техника полупроводников. -1995.-T.29.-B.il. С. 1921-1941.

24. Босый В.И. Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников / В.И., Босый, А.В. Иванщук, В.Н. Ковальчук, Е.М. Семашко

25. Технология и конструирование в электронной аппарутуре.- 2003. №3. - С. 53-58.

26. Nick G. Wright. Prospects for SiC electronics and sensors / Nick G. Wright, Alton B. Horsfall, K. Vassilevski // Materials today. 2008. - №1-2. - V.l 1. - P. 253-259.

27. Полищук А. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния — настоящее и будущее силовой электроники / А. Полищук // Компоненты и технологии. 2004. - №8. - С. 40-45.

28. Полищук А. Применение карбидо-кремниевых диодов Шоттки в IJTB-инверторах с жестким переключением / А. Полищук // Силовая электроника. 2006. -№1. - С. 8-12.

29. Баранов П.Г. Эрбий в кристаллах карбида кремния: электронный парамагнитный резонанс и высокотемпературная люминесценция / П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, А.Б. Певцов, В.А. Храмцов // Физика твердого тела. 1999. - Т.41. - №1. - С. 38-40.

30. Давыдов С.Ю. Контакт металл-карбид кремния: зависимость высоты барьера Шоттки от политипа SiC / С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров//ФТП. 2001. - Т. 35.-В. 12.-С. 1437-1439.

31. Лебедев А.А. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния. Обзор. / А.А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. 1999. - Т. 33. -В. 2.-С. 129-155.

32. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ./ под ред. С.Зи. М.: Мир, 1986.-404 е., ил.

33. Formhold А.Т. Kinetics of oxide film growth on metal crystals I.: Formulation and numerical solutions / A.T. Formhold // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1963. -V. 24. - Issue 9. - P. 1081-1092.

34. Wagner C.J. Passivity during oxidation of silicon at elevated temperature / C.J. Wagner// J. Appl. Phys. 1958. - v. 29. - P. 1295-1297.

35. Колобов H.A. Диффузия и окисление полупроводников / Н.А. Колобов, М.М. Самохвалов. М.: Металлургия, 1975. - 456 с.

36. Susuki Akira Thermal oxidation of SiC and electrical properties of Al-Si02-SiC MOS structure / Susuki Akira, Ashida Hisashi, Furui Nobuyuki, Mameno Kazunobu, Matsunami Hiroyiki // Jap. J. Appl. Phys. 1982. - 21. - № 4. p. 579. 585.

37. Mandracci P. Plasma-assisted SiC oxidation for power device fabrication / P. Mandracci, S. Ferrero, S. Porro, G. Ricciardi // Applied surface science. 2004. -№238. -P. 336-340.

38. Ажажа Э.Г. О сплошности оксидных пленок кремния / Э.Г. Ажажа, В.И. Коркин // Электронная техника Серия 2, полупроводниковые приборы. -1968.-№>3 С. 44-53.

39. Yoshikawa М. Effects of gamma-ray irradiation on cubic silicon carbide metal-oxide semiconductor structure/ M. Yoshikawa, H. Itoh, Y. Nashiyama, S. Misawa, H. Okumura// J. Appl. Phys. -1991. -V. 70. P. 1309-1312.

40. Wllander M. Silicon carbide and diamond for high temperature device applications / M. Wllander, M. Friesel, Qamar-UL Wahab, B. Straumal. // J. of Materials Science: Materials in Electronics. 2006. - v. 1 7. - p. 1 - 25.

41. Daisuke Nakamura Ultrahigh-qualily Silicon Carbide Single Crystals / Daisuke Nakamura, Itaru Gunjishima, Satoshi Yamaguchi et al. // R&D Review of Toyota, CRDL. v.41. - N2.

42. Bozack M.J. Surface Studies in SiC as related to contacts / M.J. Bozack //Phys. Stat-Sol(b). 1997. - V.202. -p.549-580.

43. Агеев О.Ф. Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC / О.Ф. Агеев, A.M. Светличный, Н.А. Ковалев, Р.Н. Разгонов // Технология и конструирование электронной аппаратуры. 2001. - № 2. - С.37-41.

44. Андреев А.Н. Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H / А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, М.Г. Растегаева и др. // ФТП. -1995. Т.29. - №10. - С. 1833-1843.

45. Peteves S.D. Microstructure and microchemistry of the Al/SiC interface / S.D. Peteves, P. Tambuyser, P. Helbach // J. Mat. Sci. 1990. - V.25. - p. 37653772.

46. Петров А.А. Гетерофазные границы раздела в тонкопленочных структурах электроники / А.А. Петров // Петербургский журнал электроники. -2006.-вып. 4.-С.109-131.

47. Афанасьев А.В. Исследование термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния / А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, И.Г. Казарин, А.А. Петров // Журнал технической физики. 2001. - том 71. - вып. 5. - С. 78-81.

48. Литвинов В.Л. Особенности формирования и характеристики диодов Шоттки Ni/21R-SiC / В.Л. Литвинов, К.Д. Демаков, О.А. Агеев, A.M. Светличный и др. // Физика и техника полупроводников. 2003. - том 37. -вып. 4. - С 473-478.

49. Лебедев А.А. Исследование влияния обработки поверхности полупроводника на характеристики 6H-SiC диодов Шоттки / А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, В.В. Зеленин, М.Л. Корогодский // Физика и техника полупроводников. 1999. - том 33. - вып. 8. - С 959-961.

50. Defives D. Electrical characterization of inhomogeneous Ti:4H-SiC Schottky contacts / D. Defives, O. Noblanc, C. Dua, C. Brylinski, M. Barthula, F. Meyer // Materials Science and Engineering. 1999. - B61-62. - P. 395-^101.

51. Weiss R. Tungsten, nickel and molybden Shottky diodes with edge termination/ R. Weiss, L.Frey, H.Rysell // Applied surface science. 2001.- №184.-C.413-418.

52. Guziewicz M. Ta-Si contacts to n-SiC for high temperatures devices / M. Guziewicz, A. Piotrowska, E. Kaminska, K. Grasza, R. Diduszko, A. Stonert, A. Turos, M. Sochacki, J. Szmidt // Materials Science and Engineering. 2006. - В 135.-P. 289-29.

53. Гоулдстейн Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ / Гоулдстейн Дж., Ньюбери Д., Эчлин П., Джой Д. Фиори Ч., Лиф- шин Э./ М.: Мир, 1984. Т. 2 - 348 с.

54. Миронов В.Л. Основы зондовой сканирующей микроскопии, Российская академия наук, Институт физики микроструктур, г. Нижний Новгород, 2004 г. 110 с.

55. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников / Ю.И. Уханов.-М.: «Наука», 1977.-275 с.

56. Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников / С.И. Рембеза.- Воронеж.- 1989.- 224с.

57. Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования / Е.В. Кучис.- М.: Радио и связь.-1990.- 264с.

58. Бургер Р. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. /Р. Бургер, Р. Донован М.: Мир, 1969.^148с.

59. Измерители характеристик полупроводниковых приборов Л2-56, Л2-56А Техническое описание и инструкции по эксплуатации 2.756.001 ТО Книга 1.-С. 149.

60. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф.Крегер. М.: Мир, 1969. - 644 с.

61. Синельников Б.М. Исследование поверхности пластин карбида кремния методом атомно-силовой микроскопии / Б.М. Синельников, Н.И. Каргин, А.С. Гусев и др. // Вестник Северо-Кавказского технического университета.- 2006. №5 (9).- С. 156-160.

62. Scaltrito L. Structural and electrical characterization of epitaxial 4H-SiC layers for power electronic device application / L. Scaltrito, S. Poito, M. Cocuzza, F. Giorgos, et // Materials science and engineering. 2003. - B. 102. - P. 298-303.

63. Kodigala Subba Ramaiah Surface studies of SiC epitaxial grown by chemical vapor deposition / Subba Ramaiah Kodigala, I. Bhat, T. P. Chow, J. K. Kim, E. F. Schubert // Materials science and engineering. 2006. - B. 129. - P. 2230.

64. Рябинина И.А. Исследование дефектов поверхности монокристаллов карбида кремния 6H-SiC / И.А. Рябинина, С.И. Рембеза // Твердотельная электроника и микроэлектроника: сб.науч.тр. Воронеж, 2009. - С. 182-185.

65. Митрохин В.И. Воздействие оптического излучения на внутреннее трение в пьезополупроводниках с глубокими центрами / В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, В.В. Свиридов, Н.П. Ярославцев // Физика и техника полупроводников. 2002. - Т.ЗЗ. - Вып. 2. - С. 138-143.

66. Постников B.C. Внутреннее трение в металлах / B.C. Постников. -М.: Металлургия, 1974. 352 с.

67. Новик А.Релаксационные явления в кристаллах / А. Новик, Б. Бери. -М.: Атомиздат, 1975. 472 с.

68. Фистуль В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках / В.И. Фистуль. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. - 432 с.

69. Белоногов Е.К. Внутреннее трение в пленках на основе SisN4 и CuSe / Е.К. Белоногов, Б.М. Даринский, А.С. Ильин, В.И. Митрохин, В.А. Мошников, А.Н. Харин // Известия РАН, сер. Физич. 2005. - Т. 69. - № 8. - С. 1168-1170.

70. Wellmann P.J. Optical quantitative determination of doping levels and their distribution in SiC / P.J. Wellmann, R. Weingartner, M. Bickermann, T.L. Straubinger, A. Winnacker // Materials Science and Engineering. 2002. - В 91 - 92. -P. 75-78.

71. Wellmann PJ. Determination of doping levels and their distribution in SiC by optical techniques / P.J. Wellmann, R. Weingartner // Materials Science and Engineering. -2003. В 102. - P. 262-268.

72. Рембеза С.И. Термическое окисление 6H-S1C / С.И. Рембеза, И.А. Рябинина, Д.П.Тимохин // VII международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». — 2007. — С. 314.

73. Рябинина И.А. Термическое окисление карбида кремния / И.А. Рябинина, Д.П. Тимохин, С.И. Рембеза// Вестник ВГТУ. -2007. № 11. - Т.5. - С. 52-56.

74. Рябинина И.А. Термическое окисление и изготовление контактов к 6H-SiC / И.А. Рябинина, С.И. Рембеза, Е.С. Рембеза // Вестник ВГТУ. 2009. -№ 12. - Т.5. - С. 198-202.

75. Кошелева Н.Н. Методика выявления сквозных дефектов в оксидных пленках / Н.Н. Кошелева, И.А. Рябинина, С.И. Рембеза // Твердотельная электроника и микроэлектроника: сб.науч.тр. Воронеж, 2007. - С. 106-111.

76. Zetterling Carl-Mikael Junction barrier Shottky diodes in 6H SiC / Carl-Mikael Zetterling, Fanny Dahlquist, Nilx Lundberg and et. // Solid-state electronics. -1998. V. 42. - № 9. - P. 1757-1759.

77. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы / В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин, А.Д. Шинков. М.: Высшая школа, 1973. — 394 с.

78. Наундорф Уве Аналоговая электроника. Основы, расчет моделирование. / Уве Наундорф.- М.: Техносфера, 2008. 472 с.

79. Лебедев А.А. Емкостные измерения в случае сильной зависимости последовательного сопротивления базы диода от приложенного напряжения / А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов // Физика и техника полупроводников.-2000.-Т. 34.-В. 1.- С. 113-116.

80. Вейнгер А.И. Примесные состояния бора в карбиде кремния / А.И. Вейнгер, Ю.А. Водаков, Ю. Кулев, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В .И. Соколов //Письма ЖТФ. 1980.- Т.6. - Вып. 21.- С. 1319- 1323.