Разработка основ технологии создания и исследование газочувствительных сенсоров на основе пористого SiC и структур TiO2/пористый SiC тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Московченко, Николай Николаевич

• Московченко, Николай Николаевич
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Московченко, Николай Николаевич

Введение

1. Проблемы изготовления датчиков работающих в экстремальных условиях.

1.1. Газовые датчики на монокристаллическом карбиде кремния.

1.2. Газовые датчики на пористом карбиде кремния.

1.3. Механизм газовой чувствительности полупроводников.

1.4. Постановка задач диссертации.

2. Получение пористого карбида кремния и его свойства

2.1. Методика формирования пористого карбида кремния и влияние режимов анодирования на его структуру.

2.2. Свойства пористого карбида кремния

2.5. Термодинамический анализ процесса формирования пористо карбида кремния

2.6. Выводы по главе

3. Влияние быстрого термического отжига на структуры Ti/пористый

SiC и двуокись титана/ пористый SiC.

3.1. Влияние БТО на морфологические и оптические свойства слоев пористого карда кремния легированного титаном

3.2. Влияние БТО на формирование оксидных пленок титана на поверхности пористого карбида кремния.

3.3. Определение плотности поверхностных состояний из экспериментальных ВФХ структуры титан/пористый SiC до и после

3.3. Влияние БТО на контакты титана к пористому карбиду кремния

3.4. Эффект насыщения прямого тока в структуре титан/пористый карбид кремния.

3.2. Термодинамика процесса фазообразования в системе Ti-SiC

3.5. Выводы к третьей главе

4. Исследования газочувствительности пористого карбида кремния и пленок ТЮ2 на его основе.

4.1. Технология изготовления матрицы сенсоров на основе пористого

4.2. Характеристики газовой чувствительности пористого SiC к парам аммиака.

4.3. Исследования газовой чувствительности структуры двуокись титана/ пористый SiC

4.4. Выводы.к четвертой главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка основ технологии создания и исследование газочувствительных сенсоров на основе пористого SiC и структур TiO2/пористый SiC»

Актуальность темы. Для контроля технологических сред и безопасности производства, необходимы датчики различных неэлектрических величин и в том числе датчики состава газов. В настоящее время, для этих целей широко используются датчики на основе полупроводников. В качестве чувствительных элементов в таких датчиках используют окислы металлов, органические полупроводники, кремний. Особенно перспективными являются разработки на пористом кремнии, поскольку работа полупроводникового датчика тем эффективнее, чем больше развита поверхность кристалла. Недостатком таких датчиков является недостаточно высокий диепазон рабочих температур, их низкая селективность и стабильность. Поэтому, для высокотемпературной электроники перспективны разработки газочувствительных датчиков на основе пористого карбида кремния.

В нашей стране, работы по созданию датчиков различного назначения проводятся на кафедре микроэлектроники и Центра микротехнологии и диагностики Санкт-Петербургского государственного Электротехнического университета (ЛЭТИ) и в Физико-техническом институте РАН им. А.И.Иоффе.

В настоящее время, имеется ограниченное число работ, посвященных их созданию. До настоящего времени не исследовано влияние морфологии пористого карбида кремния на его газочувствительность, а также, процесса легирования пористого карбида кремния различными металлами, с последующим формированием тонких пленок оксидов металлов с помощью быстрой термической обработки (БТО), что позволило бы решить вопрос селективности, и за счет развитой поверхности увеличить чувствительность сенсоров к различным газам. Создание таких устройств актуально, так как позволяет решать комплексную задачу мониторинга атмосферы, контроль технологических сред и безопасности промышленного производства с использованием устройств экстремальной электроники.

Целью данной работы является разработка технологии создания и исследование газочувствительности сенсоров на основе пористого карбида кремния и структур двуокись титана/пористый карбид кремния.

Для этого необходимо решить следующие задачи:

1. Оптимизировать технологию получения пористого карбида кремния при различных режимах анодирования.

2. Провести исследования газочувствительности пористого слоя в зависимости от условий его получения.

3. Разработать технологический процесс формирования сенсора с использованием БТО импульсным ИК- излучением.

4. Исследовать газочувствительность пленок диоксида титана, сформированных на поверхности пористого карбида кремния.

5. Рассмотреть возможность разработки перспективного технологического процесса изготовления матрицы сенсоров для создания устройств типа «Электронный нос».

Научная новизна

1. Определены условия получения пористого SiC для создания газочувствительного слоя.

2. Определены режимы быстрого термического отжига при окислении титана на пористом SiC и отжиге контактов Ti/por-SiC при формировании газочувствительного слоя.

3. Определены условия получения максимальной чувствительности пористого SiC к парам аммиака.

4. Установлено, что структуры por-SiC чувствительны к аммиаку и нечувствительны к пропану; структуры por-SiC/Ti02 чувствительны к пропану, N02 и слабочувствительны к NH3 и Н202.

5. Разработаны основы технологических процессов формирования газочувствительного слоя на основе por-SiC и структур por-SiC/Ti02.

6. Предложен технологический маршрут создания матрицы сенсоров чувствительных к различным газам на основе пористого SiC. Практическая значимость

- разработан технологический процесс изготовления сенсора на основе пористого карбида кремния, чувствительного к аммиаку.

- разработан технологический процесс изготовления сенсора на основе двуокиси титана, чувствительного к пропану и двуокиси азота.

- разработан технологический процесс изготовления устройства типа «Электронный нос» на основе матрицы сенсоров на пористом карбиде кремния.

Положения выносимые на защиту

- условия получения пористого карбида кремния для создания газочувствительного слоя. Влияние плотности тока анодирования на морфологию пористого слоя и размеры пор.

- режимы быстрого термического отжига при окислении титана на пористом карбиде кремния. Морфология и фазовый состав окисленных пленок.

- результаты экспериментов по газочувствительности пористого карбида кремния полученного при различных режимах анодирования к парам аммиака.

- температурные зависимости чувствительности пленок диоксида титана на пористом карбиде кремния к С3Н8, NO2, NH3, Н2О2.

- технологический процесс создания сенсора газа на пористом карбиде кремния и матрицы сенсоров на основе оксидов металлов на пористом карбиде кремния.

Диссертационная работа выполнялась в 2005-2006 гг. в соответствии с планом госбюджетной научно-исследовательской работы «Разработка принципов построения наноразмерной элементной базы и нетермически активируемых технологических процессов изготовления интегральных схем экстремальной электроники» (№ гос. Регистрации 01200315248.

Апробация результатов диссертации

Материалы, вошедшие в диссертационную работу, докладывались и обсуждались на следующих конференциях и научно-технических семинарах: 5ой международной научно-технической конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (18-23 сентября, 2005 г. Кисловодск); 5ой международной научно-технической конференции «Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе», (5-8 декабря 2005, Баку-Сумгаит); международной научно-технической конференции «Электроника и информатика -2005», (ноябрь 2005, Москва); XVIIISSSMC "Spectroscopy of molecules and crystals" (20.09 - 26.09.2005 Beregove, Crimea, Ukraine); 50й научно-технической конференции ТРТУ (г.Таганрог, 2004); научно-преподавательской конференции «Современные информационные и электронные технологии», (22-26 мая 2006, Одесса); 13й международной научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика -2006» (19-21 апреля 2006, Зеленоград); на научных семинарах кафедры технологии микро- и наноэлектроники, ТРТУ, в 2003-2006 гг. Личный вклад автора» В диссертационной работе изложены результаты, которые были получены автором самостоятельно и в соавторстве, при этом автор оптимизировал условия получения пористого слоя на карбиде кремния, отработал методику проведения быстрого термического отжига титана на пористом карбиде кремния в вакууме, для формирования контактов и в среде кислорода для получения оксидных пленок, исследовал полученные характеристики, сформировал структуры сенсоров и экспериментально исследовал их на газочувствительность, осуществил обработку, анализ и обобщение полученных результатов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключенья, списка цитируемой литературы из 101 наименования.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Московченко, Николай Николаевич

Основные результаты и выводы

1. На основе проведенного обобщенного анализа газовых датчиков, используемых для контроля технологических сред и безопасности промышленного производства, показана перспективность разработки для высокотемпературной электроники датчиков на основе пористого карбида кремния и структур пористый SiC/оксид металла.

17

2. Установлено, что диаметр пор в n-6H-SiC с концентрацией примеси 1*10 см"3, необходимый для создания газочувствительного слоя при плотности тока анодирования от 20 до 140 мА/см , лежит в диапазоне 12-170 нм.

3. Разработана лабораторная технология изготовления датчиков на основе пористого SiC с использованием быстрого термического отжига. Установлено, что быстрый термический отжиг в вакууме контактов титана к пористому SiC снижает высоту потенциального барьера и переходное

2 3 2 удельное сопротивление с 2*10" до 2.2*10' Ом*см .

4. Установлено, что быстрое термическое окисление пористого SiC изменяет структуру и фазовый состав оксидной пленки титана на пористом SiC. Повышение температуры БТО до 1000°С стабилизирует фазовый состав оксида титана по всей толщине и приводит к формированию ТЮ2.

5. Определена температура максимальной чувствительности пористого карбида кремния к парам аммиака. Установлено, что для образцов, полученных при больших плотностях тока анодирования температура максимальной чувствительности смещается в сторону более высоких температур.

6. Установлено, что при исследовании чувствительности к таким газам, как аммиак, пропан, NO2 и Н2О2, максимальная чувствительность структуры пористый SiC/Ti02 наблюдается к пропану.

7. Предложена перспективная технология создания матрицы сенсоров на основе оксидов металлов на пористом карбиде кремния.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Московченко, Николай Николаевич, 2006 год

1. Виглеб Г. Датчики. Устройство и применение. М.: Мир. 1989.

2. Субочева О.А., Крутоверцев С.А., Сорокин С.И. Адсорбция паровф низкомолекулярных соединений активированными пленками оксида кремния. -Тезисы докладов «НТК, Интегральные преобразователи неэлектрических величин», Баку, 1989, с.98.

3. Гаджи-заде Ф.М., Касимов Ф.Д., Муршудли М.Н. Прибор для определения концентрации окислов азота в воздухе. Тезисы докладов 1-й Международной конференции «Датчики электрических и неэлектрических величин», Барнаул, 1993, с.78.

4. Муршудли М.Н., Нагиева С.Ф., Асадов Х.А. Метод изготовления пленочной структуры. Научные известия Сумгаитского Государственного Университета,• 2001, т.1, №2, с.29-32.

5. Евдокимов А.В. и др. Микроэлектронные датчики химического состава газов // Зарубежная электронная техника. 1988. Вып.2. С.З.

6. Бутурлин А.И. и др. Газочувствительные датчики на основе металлооксидных полупроводников //Зарубежная электронная техника. 1989. №10. С.З.

7. Karsten Henkel. Micro-hotplate sensors. Rewiev. 2001.

8. R. P. Gupta, Z. Gergintschew, D. Schipanski, and P. D. Vyas, YBCO-FET room temperature ammonia sensor, Sensors and Actuators B(2000) 35-41.• lO.Jsu Т., Fujvwara K. Ultraviolet photoemission spectroscopy of NN3 and NO on

9. Si(lll) surfaces. -Solid State Communications, 1982, v.42, №6, p.477-479.ll.Kubler L., Hlil E.K., Bolmont D., Jewcnner J. Si-H bond production by NH3 adsorption on Si(lll): an UPS study. -Surface Science, 1987, v. 183, p.503-514.

10. Fujiwara К., Ogata H., Nishijima. Adsorption of H2S, H20, and 02 on Si(111.), surface. -Solid State Communications, 1972,. v.21, p.895-897.

11. Nguyen Van Hicu, Lichtman D. Photodesorption studies of C02 from an oxygen-saturated silicon (100) surface. -J. Vac. Sci. Technol. Al, № 1, 1983, p. 1-6.

12. Физико-химические и электрофизические свойства паров различных веществ, адсорбированные на двуокиси кремния. -Обзоры по электронной технике, Сер.2. Полупроводниковые приборы, М.: ЦНИИ «Электроника», 1978, вып.6(554).-52с.

13. Галушков, А.И., Зимин В.Н., Чаплыгин Ю.А., Шелепин Н.А. Кремниевые интегральные датчики физических величин на основе технологии микроэлектроники. Электронная промышленность, 1995, №4-5, с.95-101.

14. Касимов Ф.Д, Магнито- фото- и газочувствительные функциональные ИС и приборы на их основе. Тезисы докладов Всероссийской НТК с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Таганрог, 1994, ч1, с.60.

15. L. М. Lechuga, A. Calle, d. Golmayo, and F.Briones, Different catalytic metals (Pt, Pd and Ir) for GaAs Schottky barrier sensors, Sensors and Actuators B, 7 (1992) 614-618.

16. Сеченов Д.А., Агеев O.A., Светличный A.M., и др. Газочувствительные датчики на основе карбида кремния. -Баку: Мутарждим, 2004 92 с.

17. Лучинин В.В., Таиров Ю.М. Карбид кремния ~ перспективный материал электронной техники. -Известия вузов. Электроника, 1997, №1, с. 10 37.

18. Лебедев А.А., Челноков В.Е. Широкозонные полупроводники для силовой электроники. -Физика и техника полупроводников, 1999, т.ЗЗ, вып.9. с 10961099.

19. Muller G., Krotz G., Schalk J. New Sensors for Automotive and Aerospace Applications. -Phys.stal.sol.(a), v. 185,2001, №1, p. 1-14.

20. Филиппов В.И., Иванов П.А. Синянский В.Ф. и пр. Газочувствительность диодных структур на основе карбида кремния. -Журнал технической физики,1999, т.69, №2, с.54-57.

21. Nakagomi S., Shindo Y., Kokubun Y. Stability of electrical properties of high-temperature operated H2 sensor based on Pt-I-SiC diode. -Phys.stat.sol.(a), 2001, v. 185, N.I, p.33-3~8.

22. Lloyd Spetz A., Baranzahj A., Tobias P., Lundstrom I. High temperature sensors based on metal-insulator-silicon carbide devices -Phys.stat.sol.(a), 1997, V.162,N l,p.493~5H.

23. Hunter G.W., Chen L-Y., Neudeck P.G. et all, NASA/TM-1997-107444

24. Shingi Nakagomi, Munetery Namoto et al. Study of CO sensivity of high• temperature field effect sensors based on SiC.

25. A. Lloyd Spetzl, P. Tobiasl, L, Uneusl, H. Svenningstorpl, Combustion monitoring field effect gas sensors based on silicon carbide, Proc. Transducers.99, Sendai, Japan, June 7-10, pp. 946-949,1999. (3B2.3).

26. L. Uneus, P. Ljung!*, M. Mattsson*, P. Martenssson, Measurements with MISiC and MOS sensors in flue gases, Proc. Eurosensors XIII, The Hague, The Netherlands, September 12-15, pp. 521-524,1999.

27. Henrik Svenningstorp, Peter Tobias, Andrei Kroutchinine, MiSiC Schottky Diodes and Transistors as NH3 Sensors in Diesel Exhausts to Control SCR, The 14th• European Conference on Solid-State Transducers August 27-30,2000, Copenhagen, Denmark

28. Shields V. В., Ryan M.A., Williams R.M. A variable potential porous Siliconcarbide hydrocarbon gas sensor. -Inst. Phys. Conf. Ser, 1996. №142. p. 1067-1070.

29. Connolly E.J., Timmer B. et al. A new ammonia sensor// Eurosensors XVIII.-Rome,2004, p.672-674.

30. Shields V.B., Varying potential porous Silicon carbide gas sensor// Pat. 5698771 US.

31. Жуховицкий А.А., Шварцман JI.A. Физическая химия: учебник для вузов 4-е изд., переработ, и доп. М.: Металлургия, 1987,688 с.

32. Волькенштейн Ф.Ф. Электроны и кристаллы. М.: Наука, 1983.128 с.

33. Р.М. Fauchet. J. Lumin. 80 (1999), р.53-64.ф 37.Т. Matsumoto, J. Takahshi, Т. Tamaki, Т. Futagi, H. Mimura, Y. Kanemitsu. Appl. Phys. Lett., 1994, v.65, p.226-228.

34. H. Mimura, T. Matsumoto, Y. Kanemitsu. Appl. Phys. Lett. 65 (1994), p. 33503352.

35. K.H. Wu, Y.K. Fang, W.T. Hsiesh, J.J. Ho, W.J. Lin, J.D. Hwang. Electron. Lett. 34 (1998), p.2243.

36. Shields V.B., Ryan M.A., Williams R.M., A variable potential porous Silicon carbide hydrocarbon gas sensor. -Inst. Phys. Conf. Ser 142 (1996) 1067-1070.

37. H.C. Савкина, B.B. Ратников, В.Б. Шуман. Влияние высокотемпературного• эпитаксиального роста слоев SiC на структуру пористого карбида кремния. Физика и техника полупроводников. 2001, т.35, в. 2, с.159-161.

38. В.Б. Шуман, В.В. Ратников, Н.С. Савкина // ФТП. 2001. Т. 35 (2). С. 159-163. 43.Savkina N.S., Sorokin L.M., Hutchison J.L. et al. // Appl. Surf. Sci. 2002.

39. Московченко H.H., Светличный A.M. Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния. Техника и конструирование в электроннй аппаратуре, 2006 в печати.

40. В.Б. Шуман, В.В. Ратников, Н.С. Савкина. Влияние высокотемпературного отжига на структуру пористого карбида кремния// ФТП. 2001. Т. 35 (2). С.• 159-163.

41. Светличный A.M. Московченко Н.Н. Влияние режимов травления на морфологию поверхности пористого-SiC Материалы L научно-технической конференции. Известия ТРТУ.- №8.- 2004.- с.105.

42. Soloviev S., Das Т., Sudarshan T.S. Structural and Electrical Characterization of Porous Silicon Carbide formed in n-6H-SiC Substrates. Electrochem. Solid State. Lett., 2003,6, G22-4.

43. Московченко H.H., Светличная JI.A., Серба П.В. Получение и свойства пористого карбида кремния Технология и конструирование в электронной аппаратуре.-2005.-№1(55).-С.53-58.

44. Shor J.S., Grimberg J., Weiss В. et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62 (22).P. 2836-2838.

45. Bellet D., Dolino G., Ligeon M., Blanc P., Krisch M., J. Appl. Phys., 71,145 (1992).

46. Шуман В.Б., Ратников B.B., Савкина H.C. Письма в ЖТФ, 2002, том 28, вып. 10

47. Радованова Е.И. Автореф. канд. дис. ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР. Л., 1973.

48. HerinoR., BomchilC., BarlaC.et al. //Journ. El. Soc. 1987. V. 134 (8). P. 19942000.

49. HerinoR., BomchilC., BarlaC.et al. //Journ. El. Soc. 1987. V. 134 (8). P. 19942000.

50. Arita V., Sunohara Y.//Journ. El. Soc. 1977. V. 124 (2). P. 285-295.

51. Canham L.T. Appl. Phys. Lett. 57, (1994), p.1046.

52. Konstantinov A.O., Henry A., Harris C.//Appl.Phys. Lett. 1995, V.66. №17. P.2250-2252.

53. Милешко Л.П., Варзарёв Ю.Н. Кинетические и термодинамические особенности анодного окисления карбида кремния в электролитах на основе этиленгликоля. Физика и химия обработки материалов. 2000, №2, с.45-48.

54. Светличный А.М.Конакова Р.В.,Московченко Н.Н и др. Морфологические и оптические свойства слоев пористого карбида кремния, легированного титаном «Письма в ЖТФ» 2006, том 32, вып.4

55. Данишевский A.M., Шуман В.Б., Рогачев А.Ю. и др. // ФТП, 1996, Т.ЗО. В.6. С. 1064-1070.

56. Данишевский A.M., Шуман В.Б., Гук Е.Г. и др. // ФТП, 1997, Т.31. В.4. С. 420-424.

57. Данишевский A.M., Шуман В.Б., Рогачев А.Ю. и др. // ФТП, 1995, Т.29. В.12. С. 2122-2132.

58. Касимов Ф.Д., Гусейнов Я.Ю., Светличный A.M., Поляков В.В., Кочеров А.Н. Фотостимулированные процессы окисления карбида кремния. Баку-Таганрог- «Мутарджим»-2005, 84с

59. Лазарев В.Б., Соболев В.В., Шаплыгин И.С. Химические и физические свойства простых оксидов металлов. М.: Наука. 1983. 239 с.

60. Анацкая Н.О., Осадчев Л.А., Савельев С.П. и др. Пленки оксидов и их соединений в планарных оптических устройствах. Обзоры по электронной технике, Серия «Материалы», вып. 5 (968). М.: ЦНИИ «Электроника». 1983. 53 с.

61. Мамиконова В.М. Особенности токопереноса в структурах на основе локальных пленок моно- и поликристаллического кремния со средним уровнем легирования, Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.мат. наук. Баку-1986.

62. Агеев О.А. Быстрая термообработка некогерентным ИК-излучением контактов к карбиду кремния Таганрог: ТРТУ, 2003. - 128с.

63. W.J.Choyke and R.P. Devaty. Characterization of EPI Ill-Nitrides & SiC on porous SiC and photoelectrochemical etching of porous SiC// rewiev. January 3,4,2002, Stockholm.

64. Московченко H.H., Светличный A.M., Варзарев Ю.Н. Влияние БТО на характеристики омических контактов Ti-por SiC. «Известия ТРТУ» №9 -2005», с.96.

65. Бонч-Бруевич В.JI., Калашников С.Г. Физика полупроводников// М., 1977 г., 672 с.

66. Московченко Н.Н., Светличный A.M., Варзарев Ю.Н. Влияние геометрии контакта Ti пористый SiC на его электрические свойства// Труды V МНТК «Электроника и информатика -2005», Москва, ноябрь 2005. Изд-во МИЭТ.

67. Grekov A., Soloviev S., Das Т., Sudarshan Т. Electrical characterization of Ni/porous SiC/n-SiC structure. Mat. Sci. For., 2003, v.433-436, p.419-422.

68. Агеев О.А. Термодинамический анализ твердофазных взаимодействий в контактах Ni/SiC// Известия вузов. Электроника, 2005, №2, стр.42-48.

69. Самсонов Г.В., Винницкий И.М. Тугоплавкие соединения. М.: Металлургия, 1976.-560 с.

70. Кубашевский О., Олкокк К.Б. Металлургическая термохимия. М.: Металлургия, 1982. -392 с.

71. Агеев О.А. Быстрая термообработка некогерентным ИК-излучением контактов к карбиду кремния Таганрог: ТРТУ, 2003. - 128с.

72. Goesmann F., Schmid-Fetzer R. Temperature-dependent interface reactions and electrical contact properties of titanium on 6H-SiC // Semicond. Sci. Technol. 10 (1995) pp. 1653-1658.

73. Makhtari A., La Via F., Raineri V. et all. Structural characterisation of titanium silicon carbide reaction // Microelectronic Engineering, v. 55 (2001), p. 375.

74. Мясоедов Б.Ф., Давыдов A.B.// Ж.анал.химии. 1990. T.45. С. 1259-1278.

75. Persaud К., Dodd G.// Nature. 1982.V.299. P.352-355.

76. Gardner J.W., Bartlett P.N.//Sens.Actuat.B.1996.V 33. P. 60-67.

77. Lundstrom I., Erlandsson R.//Nature. 1991. V 352. P.47-50.88.http://www.newsit.ru/internet/id27042

78. P. Althainz, J. Goschnic, S. Ehrmann, H. J. Ache, "Multisensor microsystem for contaminants in air", Sensors and Actuators В 33 (1996) 72-76.

79. P. Althainz, J. Goschnic, S. Ehrmann, H. J. Ache,"A gas sensor system based on conductivity measurements with segmented metal oxide films to be used in mass products." Интернет адрес: http://irchsurf5.fzk.de/mox-sensors/Information/InfoArticleENG.htm

80. P. Althainz, J. Goschnic, S. Ehrmann, H. J. Ache,"Gas Detection for Intelligent Mass Products with the Karlsruhe Micronose." Интернет адрес: http://irchsurf5.fzk.de/mox-sensors/Information/MessTecArticle ENG.htm

81. Светличный A.M., Поляков В.В., Кочеров А.Н. Влияние импульсного инфракрасного нагрева на процесс окисления карбида кремния. // В кн.: Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог: ТГРУ, 2002.С.90.

82. Бачериков Ю.Ю, Конакова Р.В., Светличный А.М, и др. Влияние сверхвысокочастотного отжига на структуры двуокись кремния-карбид кремния.//ЖТФ, 2003, т.7.№5.с.75-78.

83. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник для Вузов. 2-е изд. М.: Радио и связь, 1987.96.3и С. Технология СБИС. М.: Мир, 1986.

84. Московченко Н.Н. Использование пористого карбида кремния в качестве активного элемента газочувствительных сенсоров/ Микроэлектроника и информатика 2006, тезисы 13-й МНТК, Зеленоград, 19-21 апреля 2006, с.52.

85. Московченко Н.Н., Негоденко О.Н. Сенсоры дыма на основе оксидов редкоземельных металлов/ НПК «Современные информационные и электронные технологии», Одесса, 22-26 мая 2006, с.157.

86. Kim I.D., Rothschild A., Tuller H.L. Electrospun Ti02 nanofibers for gas sensing applications. NSTI Nanotech 2006. Boston, Massachusetts, May 7-11,2006.

87. Gouma P.I. Nanostructured polymorphic oxides for advanced cgemosensors// Rev.Adv.Mater.Sci. 5(2003) 147-154.

88. Minerals and reactions at the atomic scale: Transmission electron microscopy, ed. By P.R.Buseck, In: Reviews in mineralogy, vol.27 (MSA, 1993).

89. АКТ О ВНЕДРЕНИИ В УЧЕБНЫЙ ПРОЦЕСС

90. Зам. Зав. Кафедрой ТМиНА, к.т.н., доцент1. В.В. Иванцов1. Б.Г.Коноплев

91. Проректор по научной работегосударственного-л.—?го университетах'урейчик В.М. Ч 1 М 2006 Г.1. ЕЖЬч VfeJWWSMS ХЖ:.■•".

92. АКТ О ВНЕДРЕНИИ РЕЗУЛЬТАТОВ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЫ

93. Технологические процессы изготовления газочувствительных сенсоров на основе пористого SiC и структур ТЮг/пористый SiC.

94. Методика измерения температурной зависимости газочувствительности сенсоров на основе пористого SiC.

95. Методика формирования пористого слоя с контролируемой толщиной и структурой.

96. Технологический процесс получения оксидных пленок на пористом SiC с помощью быстрой термической обработки.1. Декан ФЭП,д-р техн. наук, профессор1. Зам. Зав. Кафедрой ТМиНА,к.т.н., доцент

97. ЦЕНТР НАУЧНЫХ И ТЕХНИЧЕСКИХ УСЛУГ1. Э КО Ц ЕНТ Р"г. Таганрог, 'ул. Солодухина 85а Телефон: 7-93-731. АКТвнедрения результатов диссертационных исследований Московченко Н.Н. в ЦЕНТРЕ НАУЧНО- ТЕХНИЧЕСКИХ УСЛУГ "ЭКОЦЕНТР".