Радиационно-термическое окисление монокристаллического кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.09, кандидат химических наук Соловейчик, Алексей Валерьевич

• Соловейчик, Алексей Валерьевич
• кандидат химических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат химических наук Соловейчик, Алексей Валерьевич

1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР.

1.1. Методы получения тонких пленок 8Ю2 на поверхности монокристаллического кремния .

1.2. Влияние /-излучения на систему 02-5/02-5/ в процессе термического окисления монокристаллического кремния.

1.3. Постановка задач исследования в области радиационно-термического окисления кремния.

2. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Объекты исследования.

2.2. Измерение толщины пленок 8Ю2 на поверхности монокристаллического кремния.

2.3. Определение химического состава, структуры и стехиометрии

2.4. Исследование электрофизических характеристик пленок 8Ю2.

2.5. Термическое окисление монокристаллического кремния в поле /-излучения.

2.6. Термическое окисление монокристаллического кремния под влиянием УФ-излучения.

2.7. Окисление монокристаллического кремния в ВЧ плазме тлеющего разряда.

3. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМА ОКИСЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ И СТРУКТУРЫ ПЛЕНОК 57<92.

3.1. Исследование термического окисления монокристаллического кремния в поле у-излучения и свойства полученной структуры 57- -5г02.

3.2. Исследование термического окисления монокристаллического кремния под влиянием УФ-излучения и свойства полученной структуры бг-бЮг.

3.3. Исследование окисления монокристаллического кремния в ВЧ плазме тлеющего разряда и свойства полученной структуры

3.4. Механизм радиационно-термического окисления монокристаллического кремния. выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Радиационно-термическое окисление монокристаллического кремния»

Актуальность работы. Монокристаллический кремний используется в твердотельной электронике со времени изобретения биполярного транзистора и до сих пор занимает ведущее положение в технологии больших интегральных схем (БИС). Несмотря на то, что в изделиях микроэлектроники в настоящее время используются и материалы с более высокой подвижностью носителей, например арсенид галлия, кремний обладает рядом преимуществ, обусловленных его химическими и электрофизическими характеристиками

1-3].

Одно из этих преимуществ - сравнительно легкое формирование на поверхности монокристаллов кремния стабильной, контролируемой по структуре пленки диэлектрика - диоксида кремния. При этом важной особенностью системы - ЛС^ является возможность селективного травления в плавиковой кислоте, которая растворяет оксид, но не взаимодействует с монокристаллическим кремнием. Эти особенности позволяют вводить в кремний легирующие примеси через неэкранированные оксидом участки поверхности, например, путем облучения пучками ионов. Возможность легировать отдельные участки поверхности кремния лежит в основе производства интегральных схем с высокой плотностью упаковки полупроводниковых приборов.

Объединение совокупности совместимых технологических операций нанесения диэлектрика (аморфного диоксида кремния), травления и других послужило основой планарной технологии больших интегральных схем. В БИС с высокой плотностью упаковки структуры типа металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) или в данном конкретном случае металл-оксид-полупроводник (МОП-транзистор) являются основными элементами. Относительная простота изготовления и малые размеры МОП-транзисторов позволяют создавать современные и относительно дешевые БИС. Пленки диоксида кремния на монокристаллическом кремнии функционируют в качестве подзатворного диэлектрика в МОП-структурах. В планарной технологии используются также маскирующие и защитные свойства БЮ2 .

Несмотря на многообразие существующих методов получения пленок оксидов на кремнии, в настоящее время метод термического окисления [4] является основным при создании стабильной МОП-структуры, особенно для подзатворного диэлектрика, который при работе МОП-транзистора находится под действием высоких электрических полей и механических напряжений. Тонкие слои диоксида кремния, полученные термическим окислением кремниевой подложки, наиболее полно удовлетворяют требованиям производства планарных приборов на основе МОП-структур. Такие слои имеют малое количество пор и низкую плотность поверхностных состояний, обладают хорошими диэлектрическими свойствами [4].

Тем не менее, создание электронных приборов с высокой плотностью упаковки, высоким быстродействием и радиационной стойкостью ставят перед технологами ряд новых задач [4], таких как:

- уменьшение пористости, увеличение плотности, механической и электрической прочности диэлектрика;

- снижение плотности поверхностных электронных состояний на границе «полупроводник-диэлектрик» и толщины нестехиометрического оксида на этой границе;

- уменьшение заряда в объеме диэлектрика;

- обеспечение воспроизводимости свойств слоев диэлектриков на больших монокристаллах кремния (диаметром 200 мм и более);

- увеличение процента выхода готовых (годных) изделий.

Решению указанных выше задач и улучшению качества диэлектрических пленок может способствовать снижение температуры и увеличение скорости окисления. Процесс длительного окисления приводит к перемещению легирующих атомов и вакансий в кремниевой подложке, что может привести к существенному изменению рабочих характеристик МОП-прибора. Вследствие этого, снижение температуры окисления способствует уменьшению числа дефектов кристаллической структуры, вносимых в процессе термического окисления [4].

До сих пор недостаточно исследованы возможности новых технологий синтеза, активирования и воздействия излучения на полупроводники и изделия микроэлектроники. Как показано в работах Муньеса, Сана, Тейлора, Беловой, Угая, Ховива и других исследователей, перспективными являются радиационные технологии модифицирования, в том числе электроннолучевые [5-24], применение которых исключает фазовые расслоения, повышает однородность материалов и обеспечивает более высокое качество изделий.

Даже в сравнительно давних работах [25] утверждается, что важным средством создания дефектов в неравновесных концентрациях является облучение кристаллов частицами или фотонами высоких энергий. Возникающие при этом вакансии и междоузельные атомы называют радиационными дефектами. Очевидно, что воздействие коротковолнового излучения, потоков ускоренных и вторичных электронов может повлиять на структуру, ансамбль дефектов и свойства полупроводников и диэлектрических пленок на их поверхности.

Термическое окисление кремния можно ускорить воздействием ионизирующего излучения за счет явлений радиационно-стимулированной адсорбции, радиационно-стимулированной диффузии и воздействия на кремний активных форм кислорода: радикалов, ионов, возбужденных молекул и атомов, генерируемых ионизирующим излучением. С другой стороны жесткое ионизирующее излучение может приводить к образованию радиационных дефектов, что требует определения оптимальных режимов облучения. Таким образом, исследование процесса образования, состава и структуры пленок, полученных при радиационно-термическом окислении монокристаллического кремния, является актуальной задачей современной микроэлектроники.

Целью настоящей работы являлось научное обоснование лабораторной технологии радиационно-термического окисления монокристаллического кремния.

В соответствии с поставленной целью необходимо было решить следующие основные задачи:

- определить скорости роста оксидных пленок при термическом окислении монокристаллического кремния при у-облучении (источник Со60) и провести сопоставление с соответствующими результатами термического окисления под воздействием УФ-излучения и окисления в ВЧ-плазме тлеющего разряда,

- исследовать химический состав, стехиометрию и электрофизические свойства образующегося слоя 5702,

- сопоставить свойства пленок вЮг, сформированных на монокристаллическом кремнии различными методами,

- разработать рекомендации по режимам термического окисления монокристаллического кремния для МОП-технологии,

- обосновать механизм радиационно-термического окисления кремния.

Научная новизна:

Впервые получены данные по радиационно-термическому окислению монокристаллического кремния в поле у-излучения (источник Со60), УФ-излучения и ВЧ плазмы тлеющего разряда при температурах ниже 700 °С.

Методами электронной микроскопии, электронографии эллипсометрии, Оже-спектроскопии и измерением вольтфарадных характеристик установлены закономерности изменения толщины, состава и структуры пленок оксида кремния в зависимости от типа воздействия, времени окисления и температуры.

Определены условия формирования кристаллических и аморфных пленок оксидов кремния заданного состава толщиной до 300 А при существенно более низкой температуре (около 200 °С), чем при термическом окислении.

Практическая значимость:

Показана возможность использования процесса радиационно-термического окисления монокристаллического кремния в диапазоне температур выше 450 °С для получения качественных изолирующих покрытий диоксида кремния на кремнии и создания подзатворных диэлектриков в МОП-структурах с улучшенными свойствами. Важным преимуществом данной технологии является сокращение времени проведения технологических процессов и возможность использования существующего технологического оборудования (стандартных печей термического окисления).

Апробация работы: Основные результаты диссертационной работы докладывались на 1-ой Региональной конференции Республик Средней Азии и Казахстана /Самарканд, 1991 год/, на 3-ей Международной школе-семинаре «Физика и химия твердого тела» /Благовещенск 1991/, на 2-ом Всесоюзном семинаре молодых ученых по радиационной физике и химии твердого тела /Рига, 1991 год/, на Научно-техническом совещании "Электротермия 2000" /Санкт-Петербург, 2000 год/ и на Научно-технической конференции «Компьютерное моделирование и оптимизация технологических процессов электротермических производств (ДУГА-2000)» /Санкт-Петербург, 2002 год/.

Публикации: По теме диссертации опубликовано четыре печатные работы, в том числе 3 статьи и тезисы 1 доклада.

Структура и объем работы: Диссертация изложена на 113 страницах, включая 7 таблиц и 29 рисунков, и состоит из введения, трех глав, выводов, списка литературы, библиография 110 наименований.

Заключение диссертации по теме «Химия высоких энергий», Соловейчик, Алексей Валерьевич

ВЫВОДЫ

1. Установлено, что при воздействии в процессе термического окисления в кислороде в температурном интервале 200.700 °С. при атмосферном давлении на монокристаллический кремний у-излучения (источник Со60), УФ -излучения и ВЧ плазмы тлеющего разряда скорость окисления монокристаллического кремния увеличивается.

2. Сравнительный анализ структур 8Ю2-81, полученных радиационно-термическим окислением, показал, что структуры, сформированные радиационно-термическим окислением под воздействием у- и УФ-излучения и в ВЧ-плазме тлеющего разряда сопоставимы по стехиометрии и свойствам со структурами, полученными в результате термического окисления в аналогичном диапазоне температур и давления кислорода. При радиационно-термическом окислении кремния под воздействием УФ-излучения и в ВЧ-плазмы получены аморфные и более гладкие пленки, чем при у-облучении (б0Со).

3. Показано, что электрофизические свойства МОП-структур А1-8Ю2полученных радиационно-термическим окислением пластин монокристаллического кремния (плотность поверхностных состояний и пробивные напряжения), не уступают свойствам аналогичных МОП-структур, сформированных при термическом окислении кремния в аналогичном диапазоне температур и давления кислорода.

4. Показана возможность получения аморфных или поликристаллических пленок 8Ю2 различного фазового состава при дозировании времени воздействии ионизирующего излучения в процессе термического окисления монокристаллического кремния. Предложен механизм порообразования в пленках 8Ю2, синтезированных в поле у-излучения, связанный с эффектом Френкеля стеканием радиационных дефектов на дислокации и вакансии в объеме пленки).

5. Определены условия формирования аморфных пленок 8Ю2 толщиной до 300 А при окислении кремния в ВЧ-плазме тлеющего разряда при существенно более низкой температуре (около 200 °С), чем при термическом окислении.

6. Разработанный процесс радиационно-термического окисления монокристаллического кремния может быть использован в промышленных условиях для получения качественных изолирующих покрытий диоксида кремния на кремнии и создания подзатворных диэлектриков в МОП-структурах с улучшенными свойствами. Важным преимуществом данной технологии является сокращение времени проведения технологических процессов и возможность использования существующего оборудования для процесса термического окисления кремния.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Соловейчик, Алексей Валерьевич, 2003 год

1. Kahng D., Atalla M., Silicon-Silicon dioxid field induced surface devices// IRE Solid-State Device Res. Conf- Carnegie institute of technology Pittsburgh, 1960.

2. Kahng D. A historical perspective on the development of MOS transistors and related devices// IEE Trans, electron devices, ED-23. 1976. - P.655.

3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов М.: Мир, 1984, в 2т

4. Р. Маллер, Т. Кейминс Элементы интегральных схем.- М.: Мир, 1989-С.99.

5. Авт. свид. 830964 СССР. Способ получения окисных пленок/ Дурмышев В.А., Кулаков В.М. , Малышев М.М.- зарег. 14.01.1981 в Гос. реестре изобретений.

6. Munoz М.С., Sacedon J.L. Electron stimulated oxidation of silicon surfaces// J. Chem. Phys-1981. vol.74, N8. - P.4693- 4699.

7. Kunz R.R., Mayer Т. M. Summary abstracts surface reactions enhancement via low energy electron emission;/ J. Va. Tech. B5. - 1989. - P. 427-429.

8. Sun P., Yu Z.Q., Li F.M., Du Y.C. and Wang H. Rapid Growth of ultra thin Si02 films by large-electron beam// App. Phys. A48. - 1989 - P. 567-571.

9. Hallberg Т., Sundstrom J., Lehnart H. Enhanced oxygen precipitation in electron irradiated silicon//J. App. Phys. 1992. - V.72, №11. - S.5130-5138.

10. Васильева И.В., Ефремов Г.А., Козловский В.В. и др. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники/ М.: Энергоатомиздат 1997. - 84 с.

11. Auslender V.L. Electron Accelerators in Material Research Studies// Sixth International Conference on Electron Beam Technologies. EBT' 2000. Abstract book. Bulgaria. Varna, 2000. - P.80.

12. И.В.Васильева, В.Г.Корсаков, C.B. Мякин, Е.В.Рылова. Влияние электронно-лучевого модифицирования на структуру поверхности оксидных материалов (Si02,BaTi03)ll ЖФХ.-2001.-Т.76, № 1.-С.92-97.

13. Угай Я.А., Ховив A.M., Назаренко И.Н., Дубай С.И. Увеличение скорости окисления при воздействии на кремний лазерного излучения// ЖФХ 1986.-Т.60, №6 - С. 1554-1556.

14. Миттова И.Я., Ховив A.M., Дубов С.В., И.Н. Назаренко Влияние лазерного излучения среднего ИК-диапазона на формирование гетероструктуры кремний/оксид кремния, Неорганические материалы, 1995, т.31, №2, С.276-277.

15. Ховив A.M., Миттова И.Я., Дубов С.И. Нетермическое влияние излучения ближнего и среднего ИК-диапазонов на оксидирование кремния// ЖТФ-1996.-Т.66, №7-С. 151-155.

16. Ховив A.M. Лазерный метод формирования оксидных пленок на поверхности проводящих твердых тел.- Воронеж: Изд. Воронежского университета, 1997-73с.

17. Ховив A.M., Назаренко И.Н. Влияние лазерного излучения на массоперенос окислителя и самоорганизацию переходного слоя при термооксидировании кремния// Неорганические материалы- 2000- Т.36, №2.-С.135-137.

18. Багишев А.Ф., Голубев И.С., Кремнев А.Ю. Инициируемая лазерным воздействием аномальная диффузия кислорода в обогащенном дефектами поверхностном слое кремния// Письма в ЖТФ 2000.- №2 - С.8-12.

19. Osamu Т., Toshiaki Т., Massato О. Study of the surface oxidation of silicon using silent discharge ozone with UV irradiation// ISPC-8, 8th Int. Symp. Plasma Chem. Aug. 31-Sept.4 1987.-Tokyo, 1987,-V.3. S.1715-1719.

20. Orlowsky Т.Е., Mantell D.A. Ultraviolet laser induced oxidation of silicon: The effect of oxygen, photodissociation upon oxide growth kinetics// J. App. Phys. -1988. -V.64, N9. P. 4410-4423.

21. Boyd I.W. Photo-oxidation of silicon, reaction mechanisms and films structure// Electronic & Electrical Engineering University College London, Mat. Res. Symp. Proc.-London. 1988.-V. 105.-P. 23-34.

22. Айзенберг И.А., Апаршина Л.И., Максимов И.А. Фотостимулированное осаждение пленок диоксида кремния// Поверхность. Физика, химия, механика,- 1989. №5. - С. 110-1155.

23. Электрофизические характеристики МДП-прибора с подзатворным диэлектриком, полученным фототермическим окислением кремния/ Золотарев В.И., Масловский В.М., Махов Е.В., Хафизов Р.З.// Электронная техника. Сер.З. -М., 1989. -№1.- С.73-74.

24. B.C. Вавилов. Дефекты в полупроводниках. M.: Физматгиз - 1963.

25. Угай Я.А. О химии полупроводников// Соросовский образовательный журнал. 1997. - №6. - С. 37-39.

26. Бедный Б.И. Электронные ловушки на поверхности полупроводников// Соросовский образовательный журнал. 1998. - №7. - С. 114-121.

27. Соколов В.И. Проблемы микроэлектроники// Физика и техника полупроводников. 1995. - т.29, вып.5 - С. 842-856.

28. Ржанов A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1971.-479 с.

29. Лившиц В.Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. М.: Наука. - 1985. - С. 88-89.

30. Лифшиц В.Г. Процессы на поверхности полупроводниковых структур при вакуумном методе эпитаксии. Владивосток: ДВНЦ АН СССР. - 1981. - С. 100.

31. Лифшиц В.Г., Гаврилюк Ю.Л., Саранин A.A. L 2,3VV Оже-спектры Si (111)/ ИАПУ ДВНЦ АН СССР. Владивосток, 1984. - Юс. - Деп. в ВИНИТИ 23.04.81 № 1852.

32. В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, Е.Г. Сальман Строение и свойства структуры Si-Si02-М, Новосибирск: Изд. "Наука" Сибирское отделение, 1981 С.8.

33. Румак Н.В. Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах; Под ред. В.М. Колешко. Минск: Наука и техника. - 1986. - 240 с.

34. Mott N.F., Rigo S., Rochet F., Stoneham A.M. Oxidation of silicon// Phil. Mag.- B. 1989. - №2. - P. 189-212.

35. Revesz A. G. Noncristalline structure and electronic conduction of silicon dioxide films//Phys. state. Sol. 1967. - Vol. 24, N1.-P. 115-126.

36. Mende G., Flietner H., Dentseher M., Optimization of anodic silicon oxide films for low temperature passivation of silicon surfaces// J. Electrochemical Soc. -1993.-Vol. 140, №1. P.188-194.

37. Watanabe M., Tooi A. Formation of SiC>2 films bay oxygen ion bombardment// Japan J. App. Phys. -1966. Vol. 5, N8. - P.737-738.

38. Павлов П.В., Шитова Э.В. Структура окисных пленок полученных бомбардировкой поверхности кремния ионами кислорода// Докл. АН СССР. -1967. -т.172, №3. С.588-590.

39. Гусева М.Б. Ионная стимуляция в процессах образования тонких пленок на поверхности твердого тела// Соросовский образовательный журнал. 1998.- №10. С.106-112.

40. Ahilea Т., Zolotoyabko Е. Si02 formation in oxygen-implanted silicon. Pap. 12th international Conference on Crystal Growth and the 10th international Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Jerusalem, July 26-31, 1998// J. Crystal Growth. 1999.

41. Назарова P.И. Исследование процесса окисления германия и кремния в условиях тлеющего разряда в кислороде// Журн. физ. химии. 1962. - т.36, №5. - С. 1001-1004.

42. Ligenza J.R. Silicon oxidation in an oxygen plasma excited by microwaves// J. App. Phys. 1965. - Vol. 36, № 9. - P.2703-2707.

43. Abe M., Emoto H., Formation of thin oxide films of silicon by gas plasma// Japan. J. App. Phys. -1976. Vol.15, № 9. p. 925-926.

44. Данилин B.C., Киреев В.Ю. Ионное травление микроструктур. М.: Сов., 1979.-С. 104

45. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987. - С. 264.

46. Крапивина С.А. Высокочастотный тлеющий разряд и его активационное действие. Л.: ЛТИ им. Ленсовета, 1987. - 35 с.

47. Крапивина С.А. Неизотермическая газоразрядная плазма и ее применение в технологических процессах: Учебное пособие. Л.: ЛТИ им. Ленсовета, 1989.-С. 80.

48. Devin R.A.B. On the structure of low-temperature PECVD silicon dioxide films//J. Electron. Mater. 1990. - Vol. 19, №11.-P. 1299-1301.

49. Цветкова Ю.В. Осаждение диэлектрических пленок методом динамической плазменной обработки с целью применения в электронной технике: Автореф. дисс. на соиск. уч. степени канд. тех. наук/ МИЭТ. М.: 1991.-26 с.

50. Lorenz Н., Eise I., Ramm J., Edinger J.,Buler M. Characterization of low temperature SiO, and S13N4 films deposited by plasma enhanced evaporation// J. Va. Sc. and Technol.-B. 1991. -Vol. 9, №2.-P. 298-214.

51. Eljabaly K., Reisman A. Species charge and oxidation mechanism in the "cathodic" plasma oxidation of silicon// J. Electrochemical Soc. 1991. - Vol. 138, №4.-P. 1071-1076.

52. Guenter P., Klemberg-Sapiega J.E., Martines L.,Werteimer M.R. Charge storage in plasma deposited thin films//Con. Elec. Insul. And Dielec. Phoneme, Victoria, Oct. 18-21 1992. Ann.Rep., Piscataway (N.Y.). - 1992. - P.63-73.

53. Taylor S., Zhang J.F., Eccleston W. A review of the plasma oxidation of silicon and its application// Semicond. Sc. and Technol. 1993. - Vol. 8, №7/ - P. 14261433.

54. Kennedy G.P., Taylor S., Eceleston W., Uren M. Plasma-growth oxides on silicon with extremely low interface state densities// Microelectronic. J. 1994. -№7.-P. 485-489.

55. Kawai I., Konoshi N., Watanabe J. Ultra-low-temperature growth of high-integrity gate oxide film by low-energy ion-assisted oxidation// App. Phys. Let. -1994. Vol. 64, №17. - P. 2223-2225.

56. Бибилашвили А.П., Венхадзе M.T., Герасимов А.Б., Нодия С.С. Каталитическое плазменное анодирование кремния на поверхности с радиационными дефектами// Физ. и химия обраб. матер. 1999. - №2. - С. 5052.

57. Klerer J. Metod for the deposition of Si02 at low temperatures of silica by pyrolitic decompositionen of silanes// J. Electrochem. Soc. 1961. - Vol. 108, №11.- P. 1070-1071.

58. Klerer J. On the mechanism of the deposition of silica by prolitic decompositionen of silanes//J. Electrochem. Soc. 1 965.- Vol.112, № 5. - P. 502-506.

59. Влияние несущего газа на свойства пиролитических пленок Si02/ Калныня Р.П., Лаукманис Л.А., Фелтинь И.А. и др.// Изв. АН Латв.ССР. Сер. физ. и тех. Наук. - 1969. - №2. - С. 121-123.

60. Goldsmith N., Kern W. The deposition of vitreous silicon dioxide films from silane// RCA Rev. 1967,- Vol. 28, №1,-P. 153-165.

61. Devin R.A.B. On the structure of low-temperature PECVD silicon dioxide films, J. Electron. Mater, 1990, 19, №11, S. 1299-1301

62. Grener E., Kraus Th., Ritter E. Uber das Absorbtion vermögen dunner Sliciumoxidschichten in Abhängigkeit vom Oxidationsgerad// Z. Electrochem. -1958.-Band 62, №9.-S. 939-941.

63. Холленд JI. Нанесение тонких пленок в вакууме. М.: Госэнергоиздат, 1963.-С. 561-565.

64. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия; Под ред. Р. Бургера, Р.Донована. М.: Мир, 1969. - С. 54-57.

65. Волькенштейн Ф.Ф. Физикохимия поверхности полупроводников. М.: Наука, 1973.-С. 399.

66. Сафаров A.C. Взаимодействие кислорода с поверхностью кремния и начальная стадия образования оксида кремния// Матер. 12-ой Межд. конф., 58 сент., 1995, Звенигород. Москва, 1995. -Т.2. - С. 318-321.

67. Лившиц В.Г. Поверхностные фазы и выращивание микроэлектронных структур на кремнии// Соросовский образовательный журнал. 1997. - №2. -С. 107-114.

68. Бехштедт Ф., Эндрелайн Р., Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: «Мир», 1990. - С. 451.

69. Копылов В.Б., Лосева Н.И., Пак В.Н. Десорбция и термоэмиссия кислорода с поверхности стекол// ЖПХ. 1996. - Т. 69, вып.6. - С. 926-930.

70. Копылов В.Б., Лосева Н.И., Пак В.Н. Особенности термоэмиссии кислорода алюмосиликатной керамикой// ЖПХ. 1996. - Т. 69, вып. 11. -С.1852-1856.

71. Копылов В.Б. Спектры продуктов десорбции кислорода с поверхности стекол в ИК-области// ЖПХ. 1998. - Т. 72, №12. - С. 2261-2263.

72. Копылов В.Б., Лосева Н.И. Газохроматографическое разделение компонентов смеси, десорбируемой с поверхности стекол// ЖПХ. 1998. -Т.72, №12. - С. 2226-2229.

73. Струков В.М., Воронцов Е.С. Дистанционное каталитическое влияние платины и палладия на окисление монокристаллического кремния// ЖПХ. -1976. Т.49, №5. - С.978.

74. Активированное окисление кремния. 1. Влияние давления и скорости потока газа/ Белова В.М., Карасева Н.С., Ланской Э.С., Некрасов J1.H., Рубцова Е.А.// ЖФХ. 1989. -Т.52, вып.6. - С. 1699-1702.

75. Реакции кремния с активированным азотом и кислородом в послесвечении конденсированного разряда/ Рубцова Е.А., Белова В.М., Некрасов J1.H., Медников К.А.// ЖФХ. 1989. - Т.52, вып.6. - С.1702-1705.

76. Активированное окисление кремния. 2. Влияние температуры и концентрации кислорода/ Белова В.М., Карасева Н.С., Ланской Э.С., Некрасов Л.Н., Рубцова Е.А.//ЖФХ, 1989.-Т.52, вып.6.-С. 1061-1604.

77. Ghamnia М., Jardine С. Behaviour of Insulators Surfaces Subjected to Electron Beam Irradiation // Sixth International Conference on Electron Beam Technologies. EBT' 2000. Abstract book. Bulgaria, Varna, 2000. P. 130.

78. Munoz M.C., Martinez V.,Tagle J.A., Sacedon J.L. Observation of surface states in the Auger spectra of clean and oxygen-chemisorbed Si (111), 7x7// Phys. Rev. Let. -1980. Vol. 44. - P.814-817.

79. Sun P. Rapid Growth of ultra thin SiC>2 films by large-electron beam // Appl. Phys.- 1989. A48. - P.567-571.

80. Hauffe K. Treatise on Solid State Chemistry; Ed. by N.M. Hanney. New York: Plenum Press, 1976.

81. Вавилов А.Г., Кив А.Е., Ниезова О.Р., Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981.

82. Амосов A.B. Новая концепция механизма образования радиационных парамагнитных центров окраски в кварцевых стеклах, Физика и химия стекла, т. 9, № 5, 1983, с. 569-583

83. Милинчук В.К. Радиационная химия// Соросовский образовательный журнал. 2000. - Т. 6, №4. - С.24-29.

84. Алукер Э.Д., Чернов Е.А. Миграция дырок в ЩГК// Радиационная физика, вып.7. Рига: Зинатне, 1973. - С. 9-59.

85. Пшежецкий С.Я., Дмитриев М.Т. Радиационные физико-химические процессы в воздушных средах. М.: Атомиздат,1978. - 180с.

86. Chanin L.M., Phelps A.V., Biondi М.А. Measurement of the attachment of slow electrons in oxygen// Phys. Rev. Let. 1959. - Vol.2, №8. - P. 344.

87. Chanin L.M., Phelps A.V., Biondi M.A. Measurement of the attachment of low-energy electrons to oxygen molecules// Phys. Rev. 1962. - Vol.18. - P. 219.

88. Schulz G., Dowel J. Excitation of vibration and electronic levels in 02 by electron impact//Phys. Rev. 1962. - Vol. 28. - P. 174.

89. A.K. Пикаев Современная радиационная химия. Радиолиз газов и жидкостей/ М.: "Наука" , 1986. - С. 30

90. B.C. Вавилов. Действие излучений на полупроводники. М.: Гос.изд. физ.-мат. литературы, 1963. - С. 192.

91. B.C. Вавилов. Точечные дефекты в твердых телах.// Новости физики твердого тела. Выпуск 9. Пер. с англ. М.: Мир, 1979. - С. 379.

92. Попов В.Д. Радиационная физика приборов со структурой металлл-диэлектрик-полупроводник. М.: Изд. МИФИ, 1984. - С. 80.

93. Гурев К.П., Израилева Л.К., Коломийцев Л.И. Кибернетика образования положительного объемного заряда в диэлектрике МОП-приборов при облучении// Микроэлектроника. 1977. -Т. 6, № 2. - С. 163-171.

94. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат, 1989. - 253с.

95. Курносов А.И. Материалы. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Книга 2. - М.: «Высшая школа», 1989. - С. 23.

96. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектроники систем металл-диэлектрик-полупроводник. Киев.: «Наукова думка», 1978. -С. 37.

97. Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скоков Ю.А. Рентгенографический и электронографический анализ металлов. М.: Гос. изд. цветн. и черн. металлов, 1963. - С. 190-191.

98. Г.В. Самсонов и др. Физико-химические свойства окислов. М.: Металлургия, 1969.-С. 162-165.

99. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М.: Гос. издат физ.-мат литературы, 1961. - С. 488-489.

100. П.В. Ковтуненко. Физическая химия твердого тела. М.: Высшая школа,- 1993.-С.253.

101. Елецкий А.В., Назарян А.О., Смирнов Б.М. Баланс энергии электронов в разряде молекулярного кислорода.// Теплофизика высоких температур. -1983,-№2.-С. 385-387.

102. Хворостовская Л.Э. Исследование процессов с участием нормальных и метастабильных атомов кислорода в тлеющем разряде: Автореф. дисс. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук/ ЛГУ. Л.: 1972. - 21с.

103. Сергеев П. А., Словецкий Д.И. Колебательное возбуждение и диссоциация молекул N2 Н2> 02 в неравновесной плазме// Тезисы докладов 3-го Всесоюзного симпозиума по плазмохимии. "Плазмохимия -79". М., 1979.-С.132-136.

104. Концентрация е, 02 ('Sg+) и О fp) в кислородном разряде пониженного давления/ Гриневич В.И., Максимов А.И., Рыбкин В.В.// ЖФХ.-1982.- №5.-С.1279-1280.

105. Boenig H.V. Plasma Science and Technology.- Wien: Hanser, 1982.- 299p.

106. Велихов Е.П., Клоповский К.С., Ковалев A.C. Возбуждение метастабильных состояний молекул кислорода в газовом разряде// Докл. АН СССР.- 1983.- т.273, №3,- С.600-604.