Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Рыжук, Роман Валериевич

• Рыжук, Роман Валериевич
• кандидат технических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат технических наук Рыжук, Роман Валериевич

Введение.

Глава 1. Особенности формирования SiC приборов на основе р-п-перехода методом ионной имплантации.

1.1 Биполярные приборы на карбиде кремния для мощной и высокотемпературной электроники.

1.2 Методы формирования биполярных приборов на карбиде кремния

1.3 Влияние режимов ионной имплантации на свойства и характеристики кристаллов карбида кремния.

1.4 Методы расчета распределения ионно-легированной, примеси в объеме кристалла.

1.5 Омические контакты к карбиду кремния.

1.5.1 Требования к контактам к карбиду кремния.

1.5.2 Материал для формирования низкоомного контакта карбиду кремния.

1.5.3 Технологические маршруты формирования омических контактов.

Выводы по главе 1.

Глава 2. Методика расчета режимов ионной имплантации для формирования диодных ионно-легированных структур с напряжением пробоя; близким к максимальному значению.

2.1 Исследование кристаллов.

2.1.1 Исследование концентрации носителей заряда.

2.1.2 Определение кристаллографической плоскости.

2.1.3 Исследование поверхности кристаллов методом АСМ.

2.2 Анализ технологических режимов для формирования р-п-перехода на пластине n-6H-SiC методом ионной имплантации.

2.3 Распределение ионно-легированной примеси и напряжение пробоя р-п-перехода.

2.4 Исследование технологических режимов для формирования дополнительно легированного приконтактного п-слоя методом ионной имплантации.

Выводы по главе 2.

Глава 3. Формирование и исследование диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния.

3.1 Исследование омических контактов к п-бНБЮ.

3.1.1' Методика исследования удельного переходного сопротивления омических контактов.

3.1.2 Расчет облученности подложек карбида кремния при термообработке.

3.1.3 Исследование удельного переходного сопротивления омических контактов.

3.1.3.1 Омический контакт №/п-6Н81С.

3.1.3.2 Омический контакт №/81/п-6Н81С.

3.1.3.3 Омический контакт М/ТЧ/п-бН^С.

3.2 Формирование диодных ионно-легированных структур.

3.3 Характеристики и свойства диодных ионно-легированных структур

3.3.1 Шероховатость имплантированной поверхности.

3.3.2 Характеристики границы контакта и имплантированной р-области.

3.3.3 Электрофизические характеристики диодных ионно-легированных структур.

3.3.3.1 Вольт-амперные характеристики.

3.3.3.2 Вольт-фарадные характеристики.

3.3.3.3 Переходные характеристики.

3.3.4 Технологический процесс формирования диодных ионнолегированных структур.

Выводы по главе 3.

Глава 4. Физико-топологическая модель диодных ИЛ структур и анализ вольт-амперных характеристик.

4.1 Разработка физико-топологической модели диодных ИЛ структур на основе зонных энергетических диаграмм.

4.1.1 Потенциальный барьер области Ti/p-SiC.

4.1.2 Потенциальный барьер р-п-перехода.

4.1.3 Потенциальный барьер области п/плегир.

4.1.4 Потенциальный барьер области rwHp/Ti.

4.2 Вольт-амперные характеристики диодных ИЛ структур.

4.2.1 Прямое смещение.

4.2.2 Обратное смещение.

4.3 Перспективы формирования высоковольтных приборов на основе карбида кремния методом ионной имплантации.

Выводы по главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния»

Стремительное развитие современной электроники, атомной промышленности, ядерной энергетики, военной и космической техники предъявляет высокие требования к свойствам электронных приборов и устройств, предназначенных для экстремальных условий эксплуатации - при повышенных температурах, уровне радиации, а также в химически агрессивных средах. Приборы на основе традиционных полупроводниковых материалов (81, ве, ОаАв и т.д.) не способны удовлетворить комплексу всех этих требований. В связи с чем, интерес исследователей и технологов все больше привлекает перспективный широкозонный материал - карбид кремния (81С) и устройства на его основе.

Благодаря уникальным- свойствам карбида' кремния приборы на его основе имеют ряд преимуществ перед традиционными кремниевыми и арсенид-галлиевыми аналогами. Во-первых, это увеличение температурного диапазона эксплуатации. 8Ю приборов (теоретически до 1 ООО °С). Во-вторых, это значительное снижение сопротивления в. открытом состоянии и, следовательно, увеличение удельной, мощности прибора. В-третьих, высокая теплопроводность карбида кремния* (на уровне меди при комнатной температуре) в сочетании с меньшим сопротивлением в открытом состоянии и большей плотностью тока позволяют использовать меньшие по размерам кристаллы, что делает 8Ю приборы, особенно диоды и транзисторы на основе р-п-перехода, перспективными для силовой и экстремальной электроники.

Наиболее важными технологическими операциями при изготовлении карбидокремниевых приборов являются процессы формирования р-п-переходов и низкоомных омических контактов. Чрезвычайно высокие температуры (более 2000 °С) сильно затрудняют технологический процесс создания р-п-перехода на 8Ю методом диффузии. Метод СVI), часто используемый для формирования р-п-перехода на основе 81С, предъявляет высокие требования к чистоте теплоизоляции, газам-носителям; материалу держателей подложки, что значительно1 увеличивает стоимость готовой продукции. В этой связи особое значение имеют работы по созданию карбидокремниевых приборов на основе р-п-перехода методом ионной имплантации, который позволяет прецизионно управлять концентрацией вводимой примеси и обладает локальностью воздействия.

К началу данной работы, практически отсутствовали сведения о влиянии режимов ионной имплантации на свойства и характеристики создаваемых ЭЮ диодных структур. Отсутствовали теоретические модели, позволяющие объяснить и прогнозировать свойства. приборов на! основе карбида кремния, получаемых методом ионной имплантации; Несмотря4, на большой объем работ, посвященных исследованию омических: контактов; к; карбиду кремния, в литературных источниках недостаточно сведений по исследованию - температурной стабильности; омических контактов на основе тугоплавких материалов, а также практически отсутствует сравнительная характеристика параметров контактов к карбиду кремния на основе разных материалов, сформированных при одинаковых условиях.

Настоящая работа направлена на решение этих важных задач:

Целью диссертационной; работы является разработка технологических основ? формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния и исследование влияния технологических режимов на величину удельного переходного сопротивления омических контактов^

Для достижения поставленной цели,решались следующие задачи:

- определялись оптимальные режимы ионной имплантации для формирования диодных ионно-легированных структур по значению напряжения пробоя;

- исследовалось влияние режимов ионной имплантации на свойства и характеристики диодных ионно-легированных структур;

- проводилось исследование влияния технологических режимов формирования на величину удельного переходного сопротивления омических контактов к n-6H-SiC, а также исследование температурной стабильности контактов;

- разрабатывалась физико-топологическая модель диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния, позволяющая качественно описывать вольт-амперные характеристики диодных ионно-легированных структур.

Объекты исследований

Объектами исследований диссертационной работы являлись монокристаллические образцы карбида кремния политипа 6Н, легированные азотом в процессе роста, омические контакты к ним на основе пленок Ni, Ni/Si и Ni/Ti, а также сформированные методом ионной имплантации диодные структуры на основе указанных образцов.

Научная новизна работы

- Разработаны технологические основы формирования р-п-переходов методом ионной имплантации на пластинах n-6H-SiC с концентрацией донорной примеси азота No = 2-1017 см"3, позволяющие формировать диодные SiC структуры с напряжением пробоя, близким к максимальному значению.

- Предложены технологические основы формирования низкоомных и термостойких омических контактов к n-6H-SiC на основе металлических пленок Ni, Ni/Si и Ni/Ti, позволяющие уменьшить значение удельного переходного сопротивления омических контактов до значений Ryà'< 10"3 о

Ом-см и формировать омические контакты к n-6H-SiC, величина удельного переходного сопротивления которых практически не изменяется после 10-часового нагрева при температуре Т = 1000 °С.

- Разработана физико-топологическая модель диодных ионно-легированных структур, позволяющая качественно описать вольт-амперные характеристики диодных ионно-легированных структур.

Практическая ценность работы

- Предложена методика расчета режимов ионной имплантации для формирования диодных ионно-легированных структур с напряжением пробоя, близким к максимальному значению, основанная на определении' минимальной энергии ионной имплантации и соответствующей ей дозы для создания р-п-переходов на пластине п-бН-ЭЮ, для которых при обратном смещении ширина области пространственного заряда будет максимальна.

- Разработан технологический процесс формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния, позволяющий формировать диодные структуры на напряжение пробоя, близкое к максимальному значению при легировании пластины п-6Н-8Ю с концентрацией донорной примеси азота А^ = 2-1017 см"3 акцепторной примесью бора энергией Е = 80±5 кэВ, дозой Б = 6-101э н- 2-1016 ион/см2 с последующей термообработкой при температуре Т = 1750 °С в течение 1 = 25 секунд.

- Предложен технологический процесс формирования низкоомных омических контактов к п-бН-ЭЮ, позволяющий формировать омические контакты №/п-6Н-8Ю с величиной удельного переходного сопротивления ЯУдш= 4-10"4 Ом-с м2, а также контакты МАП/п-бН-БЮ, величина удельного

1 а переходного сопротивления ЯУд'= 1,1-10" Ом-см которых практически не изменяется после 10-часового нагрева при температуре Т = 1000 °С.

Положения, выносимые на защиту

- Методика расчета режимов ионной имплантации для формирования диодных ионно-легированных структур с напряжением пробоя, близким к максимальному значению.

- Технологический процесс формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния, оптимизированный по величине напряжения пробоя.

- Технологический процесс формирования термостойкого омического контакта к n-6H-SiC на основе пленки Ni/Ti, оптимизированный по величине удельного переходного сопротивления.

- Физико-топологическая модель диодных ионно-легированных * структур на основе карбида кремния;, позволяющая качественно описать вольт-амперные характеристики диодных ионно-легированных структур.

Реализация результатов работы

Диссертационная работа выполнялась в, соответствии с планом госбюджетных научно-исследовательских работ в;2007 — 2009гг: «Разработка? макета карбидокремниевого диода,, полученного методом! ионной имплантации» (Государственный контракт №5042р/7239 от 03.04.2007г.);

Многофункциональные гомо- и гетероструктуры на основе соединений

A1VB1V и AmBv для, перспективных; разработок нового; поколения приборов; силовой и СВЧ-электроники» (Государственный контракт № 02.513.12.3019 от 08.08.2008г.); «Многофункциональные материалы, на основе твердых; i ' > *' растворов (SiG)i-x - (AlN)x для нового поколения быстродействующих электронных устройств силовой и: оптоэлектроники» (Государственный контракт № 02.513.12.3055 от 11.11.2008г.).

Получен патент на изобретение №2340041 «Высоковольтный диод на .

V. - , основе 6Н карбида кремния» от 27 ноября 2008г. Апробация работы

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на: XXXIV научно-технической конференции по результатам работы профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов СевероКавказского государственного технического университета (Ставрополь,

2004г.); IX региональной научно-технической конференции «Вузовская наука-Северо-Кавказскому Региону» (Ставрополь, СевКавГТУ, 2005г. ); VI Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, СевКавГТУ, 2006г.); IV Всероссийской конференции по физической электронике ФЭ-2006 (Махачкала, ДГУ, 2006г.); VII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, СевКавГТУ, 2007г.); Proceedings EDS 07 IMAPS CS International Conference (Брно, Чешская республика, сентябрь 2007г.); школе молодых ученых «Современные проблемы микро- и нанотехнологий», состоявшейся в рамках выездной научной сессии Отделения информационных технологий и вычислительных систем (г. Пятигорск, 2007г.); XI региональной научно-технической^ конференции «ВУЗОВСКАЯ НАУКА - СЕВЕРОКАВКАЗСКОМУ РЕГИОНУ» (Ставрополь, СевКавГТУ, 2007г.); Всероссийской конференции по физической химии и нанотехнологиям «НИФХИ-90» (с международным участием), посвященная 90-летию Карповского института (Москва, 2008г.); VI Международном семинаре «Карбид кремния и родственные материалы» (Великий Новгород, НовГУ им. Ярослава Мудрого, 2009г.).

Результаты работы отмечены дипломами ряда конференций и конкурсов научных работ: XI региональной конференции «Вузовская наука — Северо-Кавказскому региону» (Ставрополь, 2007г.); конкурса инновационных проектов, представленных по программе «Участник молодежного науно-инновационного< конкурса 2007» («У.М.Н.И.К.») в рамках VII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии».

Личный вклад автора

Автором сформулированы цели и задачи работы, обоснованы способы их реализации, предложены алгоритмы расчетов, проведена большая часть экспериментов, а также систематизация и анализ полученных результатов. Часть результатов, вошедших в диссертацию, получена в соавторстве с Н.И. Каргиным, Б.А. Билаловым, Р Machac. Ценная консультативная помощь оказана O.A. Агеевым и В.В. Лучининым, помощь в проведении экспериментов оказана В.А. Гудковым и Ю.Н. Варзаревым, которым автор благодарен за сотрудничество.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 11 печатных работ, в том числе, 2 статьи опубликованы в журналах, входящих Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученых степеней доктора и кандидата наук, 1 статья опубликована в зарубежном издании.

Структура и объем диссертационной работы.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав с выводами, заключения, списка литературы и приложения.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Рыжук, Роман Валериевич

Выводы по главе 4.

1. Разработана физико-топологическая модель диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния. Установлено, что ширина потенциального барьера Т1/р-81Симпл составила 0,07 и 0,09 мкм при высоте барьера 3,25 и 3,21 эВ для 1-ой и 2-ой партии образцов соответственно. Ширина потенциального барьера р-п-перехода составила 0,85 мкм при высоте барьера 2,70 и 2,66 эВ для 1-ой и 2-ой партии образцов соответственно. Ширина потенциального барьера п/плсгир составила 0,02мкм при высоте барьера 0,08эВ. Ширина потенциального барьера плегир/Т1 составила 0,1 мкм при высоте барьера 0,47эВ.

2. На основе разработанной физико-топологической модели диодных ионно-легированных структур были качественно описаны вольт-амперные характеристики этих структур. Показано, что вклад в вольт-амперые характеристики вносят механизмы токопрохождения в приконтактных областях ионно-легированных структур: при напряжении прямого смещения II < 2 В ВАХ диодных ИЛ структур обусловлены обратным током барьера Тл/р-БЮ, при и > 2 В - рекомбинацией носителей заряда в области р-п-перехода, при и < О В - током генерации в области р-п-перехода.

3. Расчетным путем показано, что методом ионной имплантации на карбиде кремния можно создавать высоковольтные приборы. Однако для получения качественных приборов необходимо стремиться к уменьшению величины базового слоя.

Заключение

В результате* проделанной работы разработаны технологические основы формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния и проведено исследование влияния технологических режимов на величину удельного переходного сопротивления омических контактов. В том числе получены следующие основные результаты:

- Предложена методика расчета режимов ионной имплантации для формирования диодных ионно-легированных структур с напряжением пробоя, близким к максимальному значению, основанная на определении минимальной энергии ионной имплантации и соответствующей ей дозы, для-создания* р-п-переходов на пластине n-6H-SiC, для которых при обратном смещении ширина области пространственного заряда будет максимальна.

- Установлено, что при увеличении дозы легирования от Di = 6-10?5

I £ ион/см до D2 = 2-10 ион/см величина напряжения* пробоя ионно-легированных структур практически не изменяется. На основании проведенных исследований разработан технологический процесс формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида» кремния, оптимизированный по величине напряжения пробоя, позволяющий формировать диодные структуры на напряжение пробоя, близкое к максимальному значению при легировании пластины n-6H-SiC с концентрацией донорной примеси азота No — 2-1017 см"3 акцепторной примесью бора энергией'Е = 80±5 кэВ, дозой В = 6-1015 2-1016 ион/см2 с последующей термообработкой при*температуре Т? = 1750 °С в течение t = 25 секунд.

- Установлено, что величина удельного переходного сопротивления омических контактов к n-6H-SiC на основе металлических пленок Ni, Ni/Si и Ni/Ti уменьшается при увеличении температуры отжига до 1100 °С и уменьшением времени термообработки до 45 секунд. В результате проведенных исследований предложен технологический процесс формирования низкоомных омических контактов к п-бН-БЮ, позволяющий формировать омические контакты М/п-бН-БЮ с величиной удельного переходного сопротивления КУд,= 4-10"4 Ом-см2, а также контакты №Лл/п-6Н

3 2

81С, величина удельного переходного сопротивления ЯУд'= 1,1-10" Ом-см которых практически не изменяется после 10-часового нагрева при температуре Т = 1000 °С.

- Разработана физико-топологическая модель диодных ионно-легированных структур на основе зонных энергетических диаграмм, позволяющая качественно описать вольт-амперные характеристики диодных ионно-легированных структур.

Автор благодарен В.А. Гудкову за помощь в проведении процессов ионной имплантации и термообработки экспериментальных образцов и Ю.Н. Варзареву за помощь в проведении исследований электрофизических параметров ИЛ структур.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ СОКРАЩЕНИЙ АСМ - атомно-силовой микроскоп БТО - быстрая термическая обработка ВАХ - вольт-амперная характеристика ВИМС - вторично-ионная масс-спектрометрия ВФХ - вольт-фарадная характеристика ВЧ - высокая частота ИЛ - ионное легирование МОП - металл-оксид-полупроводник ОПЗ - область пространственного заряда РЭМ - растровый электронный микроскоп РФЭС - рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия СВЧ - сверхвысокая частота ФИП - фокусированный ионный пучок ЭДС - электродвижущая сила

CVD - chemical vapor deposition (метод осаждения из газовой фазы)

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Рыжук, Роман Валериевич, 2010 год

1. Лучинин, В.В. Карбид кремния стратегический материал электроники будущего / В.В. Лучинин, П.П. Мальцев, Е.П. Маляков // Электроника. Наука, технология, бизнес. - 1997. - №3. - С. 61.

2. Лебедев, A.A. Широкозонные полупроводники для силовой электроники / A.A. Лебедев, В.Е. Челноков // Физика и техника полупроводников. 1999. - Т. 33. Вып. 9. - С. 1096 - 1099.

3. Лучинин, В.В. Широкозонные материалы основа экстремальной электроники будущего / В.В. Лучинин, П.П. Мальцев, Е.П. Маляков // Микроэлектроника. - 1999. Т. 28. - №1. - С. 21 - 29i

4. KD.A. Евсеев. Силовая электроника на основе карбида кремния» // Силовая электроника. 2003. - Т. 28. - №1. - С. 1-7.

5. Лебедев, A. A. SiC электроника: прошлое, настоящее, будущее / А.

6. A. Лебедев, С. А. Сбруев,// Электроника: наука, технология, бизнес. 2006. -№5.-С. 28-41.

7. Dr Philippe Roussel. SiC'2008 Market analysis of SiC electronics. SiC markets from wafers, devices and modules to applicative markets. Yole Développement. December 2007, P. 1 - 4. ('http://www.memsinfo.ip/whitepaper/718.pdf).

8. Чибиркин, B.B. Разработка и производство полупроводниковых приборов на основе карбида кремния в ЗАО НПК «Электровыпрямитель» /

9. B.В. Чибиркин, Е.М. Гейфман, Н.М. Давыдова, H.A. Арискин // VI Международный семинар Карбид кремния и родственные материалы. Великий Новгород. 2009. С. 192 196.

10. Корляков, A.B. Применение карбида кремния в микросистемой технике / A.B. Корляков, В.В. Лучинин // VI Международный семинар

11. Карбид кремния и родственные материалы. Великий Новгород; 2009; С. 171 -172; , .

12. Гудков, В.А. Полевой транзистор с затвором Шоттки на 4H-SiC и оценка его частотных характеристик / В.А. Гудков, A.C. Мокеев, В.И. Васильев, // VI Международный семинар Карбид, кремния; ш родственные материалы. Великий Новгород. 2009: С. 220- 2211. '

13. Бочаров, A.B. Перспектива использования pin-диодов на основе SiC в мощных самоуправляемых СВЧ-антенныхшереключателях / A.B. Бочаров, A.M. Савин. VI Международныйi семинар Карбид: кремния и родственные материалы. Великий Новгород. 2009: С. 184 187.

14. Лучинин В. В. Структуро- и формообразование микро- и наносистем: на! основе широкозонных материалов, обладающих, полиморфизмом: Дис.д-р. техн. наук. СПб, 1999. - 580 с.

15. Иванов, П.А. Мощные, биполярные приборы на основе карбида; кремния / П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. - Т. 39. - Вып. 8. - С. 897 - 913.

16. Dominique Tournier, Pascal В evilacqua, Dominique Planson et: al: High Power Density SiC 450A AccuMOSFET for Current Limiting Applications. / Materials Science Forum. Silicon Carbide and. Related Materials 2008. -V. 615 -617.-PP. 911 -914.

17. Ho-Young Cha, Christopher I. Thomas, Goutam Koley et. al. Passivation Effect on Channel Recessed 4H-SiC MESFETs. / Materials Science Forum. Silicon Carbide and Related:Materials 2002. -V. 433 - 436. - PP: 749 - 752.

18. Калинина,, E.B. Высокотемпературные матрицы детекторов ядерного излучения на основе 4H-SiC ионно-легированных р+-п-переходов /

19. E.B. Калинина, Н.Б. Строкан, A.M. Иванов // Физика и техника полупроводников. 2008. - Т. 42. - Вып. 1. - С. 87 - 93.

20. Интернет-ресурс: www.cree.com

21. Андреев, А.Н. Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H / А.Н. Андреев, A.A. Лебедев, М.Г. Растегаева и др. // Физика и техника полупроводников. 1995. - Т. 29. - Вып. 10. - С. 1833 - 1843.

22. Афанасьев, A.B. Высокотемпературные диоды Шоттки на основе SiC / A.B. Афанасьев, В.А. Ильин, A.A. Петров // Петербургский журнал электроники. 2000. - № 3. - С. 12 - 20.

23. Литвинов, В.Л. Особенности формирования и характеристики диодов Шоттки NÍ/21R-SÍC / В.Л. Литвинов, К.Д. Демаков, O.A. Агеев // Физика и техника полупроводников. 2003. - Т. 37. - Вып. 4. - С. 473 - 478.

24. Александр Полищук. Высоковольтные диоды. Шоттки из карбида! кремния в источниках электропитания с преобразованием частоты // Компоненты и технологии. Компоненты. 2004. - № 5. - С. 6 - 9.

25. Лт Richmond. Hard Switched1 Silicon IGBT's? Cut Switching Losses in Half with SilicomCarbide Schottki Diodes. Cree, Inc. Power Products. 2005.

26. Александр Полищук. Применение карбид-кремниевых диодов Шоттки в IGBT-инверторах с жестким^ переключением // Силовая электроника. 2006. - № 1. - С. 8 - 12.

27. Иванов, П.А. Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки TÍ/4H-SÍC / П.А. Иванов, A.C. Потапов, Т.П. Самсонова // Физика и техника полупроводников, 2009. Т. 43. - Вып. 2. - С. 197-200.

28. Иванов, П.А. Экспериментальные диоды Шоттки—(p—n)< (JBS-диоды) на основе 4H-SIC / П.А. Иванов, И.В. Грехов, A.C. Потапов и др. // Физика и техника полупроводников, 2009. Т. 43. - Вып. 9. - С. 1249 - 1252.

29. Агеев, O.A. Диоды с барьером Шоттки Au-TiBjt—n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах / O.A. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец и др. // Физика и техника полупроводников, 2009. Т. 43. - Вып. 7. - С. 897 - 903.

30. Иванов, П.А. Высоковольтные (1800В)-планарные р—«-переходы на основе 4//-SiC с плавающими охранными кольцами / П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская и др. // Физика и техника полупроводников, 2009. -Т. 43.-Вып. 4.-С. 527-530:

31. J.P. Chmte, M.L. Locatelli, J. Millan, et. al. Medium power, medium voltage, large area 6H-SiC pn-junctiolns. IEEE Xplore. Restrictions apply. 2009 -PP. 307-310.

32. Е. В. Калинина. Влияния облучения на свойства SiC и приборы на его основе. Физика и техника полупроводников. 2007. - Т. 41. - Вып. 7. - G. 769 - 805.

33. A. D. Johnson, J. Perrin, J. A. Mucha, D. E. Ibbotson. Kinetics of silicon carbide CVD: surface decomposition of Silacyclobutane and Methylsilane. Journal of Physical Chemistry. 1993. V. 97. PP. 12937 12948.

34. S. E. Saddow, M. S. Mazzola, S. V. Rendakova and V. A. Dmitriev. Silicon carbide CVD homoepitaxy on wafers with reduced micropipe density. Materials.Science and Engineering B. 1999. - V.61 - 62. PP. 158 - 160.

35. Anne Henry, Stefano Leone, Henke Pedersen et. al. Growth of 4H-SiC Epitaxial Layers on 4° Off-Axis Si-Face Substrates. Materials Science Forum. Silicon Carbide and Related Materials 2008. -V. 615 - 617. - PP. 81 - 84.

36. Балландович, B.C. Отжиг глубоких центров бора в карбиде кремния / B.C. Балландович, E.H. Мохов // Физика и техника полупроводников: 2002.- Т. 36. Вып. 2. - С. 167- 173.

37. A.A. Лебедев. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния // Физика и техника полупроводников. 1999. - Т. 33. - Вып. 2. - С. 129 - 155.

38. Калинина, Е.В. Структура и свойства р-п-переходов полученных ионным легированием n-SiC / Е. В. Калинина, А. В. Прокофьева, A.B. Суворов и др. // Физика и техника полупроводников. 1978. - Т. 12. - С. 2305- 2308.

39. Калинина, E.B. Электрические свойства структуры р-п-п+ в карбиде кремния, полученной ионным легированием алюминия / Е. В. Калинина, Ю.А. Водаков, К.Д. Демаков и др. // Физика и техника полупроводников. -1987.-Т. 21.-№9.- С. 1685- 1689.

40. Калинина, Е.В. Структура и свойства ионно-легированных р-п-переходов в SiC / Е. В. Калинина, А. В. Прокофьева, A.B. Суворов и др. // Физика и техника полупроводников. 1980. - Т. 14. № 6. - С. 1099 - 1102.

41. В.А. Гудков. Влияние поверхностной диссоциации на свойства ионно-имплантированных р-слоев карбида кремния / В.А. Гудков, Г.А. Крысов, В.В. Макаров // Физика и техника полупроводников. 1986 - T.20f-Вып. 1.-С. 170- 172. .

42. Е.В. Калинина. Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях. Автореферат дисс.- д-р.-физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, 2009г.

43. Kalinina Е. High-dose Al-implanted 4Н SiC p+-n-n+ junctions (4H SiCp+-n-n+ переходы, полученные высокодозной имплантацией Al). Е. Kalinina,

44. G. Kholujanov, V. Solov'ev et. al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. №19. P. 3051.

45. Laurent Ottaviane, Erwan Morvan, Marie-Laure Locatelli, etc. Aluminum multiple implantations in 6H-SiC at 300 К // Solid -State Electronics 43 (1999) P.2215 2223.

46. Джибути, З.В: О возможности понижения температур отжига радиационных дефектов в имплантированном ионами карбиде кремния / З.В. Джибути, Н.Д. Долидзе, Г.Ш. Нарсия, Г.Л. Эристави // Письма в ЖТФ. 1997. - Т. 23. - № 19. - С. 26 - 29.

47. А.Ф. Комаров. Моделирование процесса двухпучковой высокодозной ионной имплантации в твердотельные мишени // Журнал технической физики. 2001. - Т.71. - Вып. 11.-С.119 - 123.

48. В.М. Король. Диффузия имплантированного натрия в кислородном кремнии / В.М. Король, С.А. Веденяпин, А.В. Заставной, V. Ovchinnikov // Физика и техника полупроводников, 2008'. Т. 42. - Выт 9.* - С. 1140 - 1144.

49. А.Ф. Буренков, Ф;Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск: Изд. БГУ им. Ленина. 1980. -232 с.

50. Gibbons J.F., Mylroie S. Estimation of impurety profiles in ion implanted amorphous targets using joned Gaussian distributions. - Appl. Phys. Lett., 1973.-V. 22-P. 268.

51. J.B. Sanders. Ranges of projectiles in amorphous materials. Canad. - J.1. Phys. 1968 V. 46.-P. 455.

52. Эгамбердиев, Б. Э. Исследование методом розерфордовского обратного рассеяния распределения ионно-имплантиованных атомов марганца в кремнии / Б. Э. Эгамбердиев, М.Ю. Адылов // Письма в ЖТФ, 2000. Т. 27. - Вып. 4. - С. 82 - 88.

53. Александров, О.В. Перераспределение А1 в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига / О.В. Александров, Е.В. Калинина // Физика и техника полупроводников. 2009. - Т. 43. - Вып.5. - С. 584 - 589.

54. Агеев О.А. Проблемы технологии контактов к карбиду кремния. -Таганрог: Изд. ТРТУ. 2005. - 250 с.

55. Веренчикова, Р.Г. Влияние термического отжига на свойства-барьеров Шоттки Cr-SiC п- и р-типа электропроводности / Р.Г. Веренчикова,

56. B.И. Санкин // Физика и техника полупроводников. 1988. - Т. 22. - Вып. 9.1. C. 1692- 1695.

57. F. Goesmann, R. Schmid-Fetzer. Stability of W as electrical contact on 6H-SiC: phase relation and interface reaction in the ternary system W-Si-C // Materials Science and Engineering. 1995. - V. 34. - P. 224 - 231.

58. A.K. Chaddha, J.D. Parsons, G.B. Kruaval. Thermally stable, low1. S 7specific resistance (1,30-10 Q-спг) TiC Ohmic contacts to n-type 6H-SiC // Appl. Phys. Lett. 1995. - V. 66. - P. 760.

59. A.L. Syrkin, A.N. Andreev, A.A. Lebedev et al. Metal-n-6H-SiC surface barrier height Experimental data and description in the traditional terms // J. Appl. Phys.- 1995L-V. 78. -P. 5511.

60. L.M. Porter, R.F. Davis. A critical review of ohmic and rectifying contacts for siliconxarbide7/ Materials Science'and'Engineering.- 1995. V. 34. -P. 83 - 105.

61. T. Uemoto. Reduction of ohmic contact resistance on n-type 6H-SiC by heavy doping // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. - V. 34. - P. 7.

62. M. J. Bozack. Surface studies on SiC as related to contacts // Phys. stat. sol. 1997.-V. 202.- P. 549i

63. L. Grofton, M. Porter, J. R!. Williams. The physics of ohmic contacts to SiC // Phys. Stat. Sol. 1997. - V. 202. - P. 581.

64. T. Jang, L.M. Porter, G. Rutsch et al. Tantalum carbide ohmic contacts to n-type silicon carbide // Appl. Phys. Lett. 1999. - V. 75. - P. 3956.

65. J. Labis, A. Ohi, M. Hirai. Interfacial reaction study of thermally annealed Ti film on 4H-SiC by soft X-ray, emission spectroscopy // Surface Science. 2001. - V. 493. - P. 447.

66. D. Defives, O. Durand, F. Wyczisk et al. Electrical behaviour and microstructural analysis of metal Schottky contacts on 4H-SiC // Microelectronic Engineering. 2001. - V. 55. - P. 369 - 374.

67. S.-K. Lee, C.-M. Zetterling, M. Ostling, et al. Low resistivity ohmic contacts on 4H-silicon carbide for high power and high temperature device applications // Microelectronic Engineering 60. 2002. - P. 261 - 268.

68. J. Wan, M. A. Capano, M. R. Melloch. Formation of low resistivity ohmic contacts to n-type 3C-SiC // Solid-Stat Electronics. 2002.- V. 46. - P. 1227- 1230.

69. M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev, A.A. Petrov et al. The influence of temperature treatment on the formation of Ni-based Schottky diodes and ohmic contacts to n-6H-SiC // Materials Science and Engineering. 1997. - V. 46. P. 254 -258.

70. F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri et al. Improvement of high temperature stability of nickel contacts on n-type 6H-SiC // Applied Surface Science. 2001. - V. 184. P. 295 - 298.

71. Ts. Marinova, A. Kakanakova-Georgieva, V. Krastev et al. Nickel based ohmic contacts on SiC // Mat. Sci. & Eng. 1997. - V. 46. - P. 223 - 226.

72. J. Crofton, P. G. McMullin, J. R. Williams, M. J. Bozack. High-temperature ohmic contact to n-type 6H-SiC using nickel // J. Appl. Phys. 1995. -V. 77.-P. 1317.

73. L.D. Madsen, E.B. Svedberg, H.H. Radamson et al. Phase Formation Sequence of Nickel Silicides from Rapid Thermal Annealing of Ni on 4H-SiC // Mater. Sci. Forum. 1998. - V. 264/268. P. 799 - 804.

74. A. Bachli, M.-A. Nicolet, L. Baud. Nickel film on (001) SiC: Thermally induced reactions // Materials Science and Engineering. 1998. - V. 56. - P. 11 -23.

75. S.M. Gasser, A. Bachli, C.M. Garland et al. Reaction-of Ni films with (001) 3C-SiC at 700 °C // Microelectronic Eng. 1997. - V. 37/38. - P. 529.

76. Ohdomari, S. Sha, H. Aochi et al. Investigation of thin-films Ni/single-crystal SiC interface reaction // J. Appl. Phys. 1987. - V. 62. - P. 3747.

77. Исмаилова Н.П. Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)l-x(AlN)x: Дис. . канд. физ.-мат. наук. -Махачкала, 2003. 152с.

78. В. Meyer, U. Gottlieb, О. Laborde et al. Intrinsic properties of NiSi // J. Alloys and Compounds. 1997. - V. 262/263. - P. 235.

79. А.Н. Reader, А.Н. Van Ommen, P.J.W. Weijs et al. Transition metal silicides in silicon technology // Rep. Prog. Phys. 1992. - V. 56. - P.u 1397.

80. F. La Via, F. Roccaforte, A. Makhtari, V. Raineri' et al: Structural and electrical characterisation5 of titanium and»nickel silicide contacts on silicon carbide // Microelectronic Engineering. 2002. - V. 60. - P. 269 - 282.

81. MiXevit, Г. Grimberg, B.-Z. Weiss. Interaction of NigoTiio alloy thin film with 6H-SiC single crystal // J. Appl. Phys. 1996. - V. 80. - P. 167.

82. R. Getto, J. Freytag, M. Kopnarski, H. Oechsner. Characterization of sputtered titanium silicide ohmic contacts on n-type 6H-silicon carbide // Materials Science and Engineering. 1999. - V. 61/62. - P. 270 - 274.

83. S.-K. Lee, C.-M. Zetterling, M. Ostling et al. Low resistivity ohmic titanium carbide contacts to n- and p-type 4H-silicon carbide // Solid-State Electronics. 2000. - V. 44. - P. 1179.

84. F. Goesmann, R. Schmid-Fetzer. Temperature-dependent interface reactions and electrical contact properties of titanium on 6H-SiC // Semicond. Sci. Technol. 1995. - V. 10 - P. 1653 - 1658.

85. A. Makhtari, F. La Via, V. Raineri et al. Structural characterisation of titanium silicon carbide reaction // Microelectronic Engineering. 2001. - V. 55. -P. 375.

86. L. Li, I.S.T. Tsong. Surface structure and morphology induced by ultrathin Ti films on 6H-SiC(0001) and (0001) // Surface Science. 1996. - V. 364. - P. 54 - 60.

87. Getto R., Freytag J., Kopnarski M., Oechsner H. Characterization of sputtered titanium silicide ohmic contacts on n-type 6H-silicon carbide // Materials Science and Engineering B61-62. 1999. - PP. 270-274.

88. L. Kassamakova, R. Kakanakov, I. Kassamakov et al; Al/Si ohmic .contacts to p-type 4H-SiC for power devices // Materials Science Forum. 2000. -V. 338/342.-P. 1009.

89. R. Kakanakov, L. Kassamakova, I. Kassamakov et al. Improved Al/Si ohmic contacts to p-type 4H-SiC // Materials Science and Engineering. 2001. - V. 80.-P. 374.

90. R. Konishi, R. Yasukochi, О. Nakatsuka et al. Development of Ni/Al and Ni/Ti/Al ohmic contact materials for p-type 4H-SiC // Materials Science and Engineering. 2003. - V. 98. - P. 286.

91. F Moscatellil, A Scorzonil, A Poggi et.al. Improved electrical characterization of Al-Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 6H-SiC. Semicond. Sci. Technol. January. 2003. - V. 18. - PP. 554 - 559.

92. Интернет-ресурс: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/SiC/index.html

93. Агеев О. А. Быстрая термообработка некогерентным РЖ-излучением контактов к карбиду кремния Таганрог: ТРТУ. - 2003. - 128с.

94. Yu. Goldberg, М. Е. Levinshtein, S. L. Rumyantsev. In Properties of Advanced SemiconductorMaterials GaN, A1N, SiC, BN, SiC, SiGe // J. Mater. Res. New York. 2001. - V. 13. - № 6. - P. 93 - 148.

95. M. U. Gutkin. Ramification of micropipes in SiC crystals // Journal of Applied Physics. 2002. - V. 92. - № 2. - P. 5 - 8.

96. Стрельчук A. M. Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC р-п-структурах: Дис. . канд. физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, 1992. - 244с.

97. Калинина, Е.В. Электрические свойства карбид-кремниевых р-п-переходов, полученных имплантацией алюминия / Е. В. Калинина, А. В. Суворов, Г. Ф. Холуянов // Физика и техника полупроводников. 1980. - Т. 14. - Вып. 6. - С. 333 - 339.

98. Кузнецов, Н.И. Влияние глубоких уровней на релаксацию тока в бН-БКИ-диодах / Н.И. Кузнецов, J.A. Edmond // Физика и техника полупроводников. 1997. - Т. 31. - № 10. - С. 1220 - 1224.

99. S. Soloviev. Forward voltage drop degradation in diffused SiC p-i-n diodes / S. Soloviev, D. Cherednichenko, Y. Gao et. al. // Journal of Applied Physics. 2004. - Vol. 95. - № 8. - PP. 4376 - 4380.

100. Патент РФ №2340041 «Высоковольтный диод на основе 6Н карбида кремния» от 27 ноября 2008г. Н.И. Каргин, Р.В. Рыжук.