Построение систем управления и информационно-измерительных модулей высокопроизводительного оборудования для выращивания монокристаллического кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.02.13, кандидат технических наук Панов, Петр Иннокентьевич

• Панов, Петр Иннокентьевич
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Панов, Петр Иннокентьевич

ВВЕДЕНИЕ.

1. РОСТОВОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ.

1.1 Классификация кристаллизационных процессов выращивания монокристаллического кремния.

1.2 Агрегаты и модули оборудования для выращивания монокристаллического кремния методом Чохральского.

1.3 Особенности тепловых модулей оборудования для выращивания монокристаллического кремния.

1.4 Модули управления процессом выращивания монокристаллического кремния.

1.5 Методы оптимизации технологического процесса выращивания монокристаллического кремния.

Постановка задачи исследования.

2. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ.

2.1 Параметры состояния системы расплав-кристалл.

2.2 Зарождение и рост монокристаллов кремния.

2.3 Влияние условий выращивания на качество монокристаллического кремния.

Выводы.

3. МОДУЛИ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ.

3.1 Модули автоматического управления ростовым оборудованием.

3.2 Датчики в модулях управления процессом выращивания монокристаллического кремния.

3.3 Устройство и работа пирометра.

3.4 Устройство и работа датчика уровня.

3.5 Датчик диаметра.

Выводы.

4. ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ НА ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНОМ АВТОМАТИЗИРОВАННОМ ОБОРУДОВАНИИ.

4.1. Высокопроизводительная автоматизированная ростовая установка для выращивания монокристаллического кремния.

4.2. Анализ опытных данных, полученных на высокопроизводительном ростовом оборудовании.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Построение систем управления и информационно-измерительных модулей высокопроизводительного оборудования для выращивания монокристаллического кремния»

Развитию микроэлектроники в СССР уделяли необходимое внимание лишь до 1985 года. К тому времени отставание от США составляло 1,5-2 года. С 1986 года объемы финансирования НИОКР стали резко сокращаться что, естественно, повлекло прогрессирующее отставание от ведущих стран, таких как США и Япония. В то же время там, где электроника усиленно поддерживается государством, например в Китае, наблюдается совершенно иная ситуация. КНР ставит задачу через пять лет стать мировым лидером по производству интегральных схем, а в дальнейшем - и законодателем в области разработок. Правительство этой страны постоянно поддерживает национальный приоритет электроники в исследовательских центрах. Естественно, электроника выступает в роли локомотива научно-технической революции и выводит другие отрасли на все новые и новые рубежи.

На развитие производства и повышение конкурентоспособности электронной техники направлены усилия правительств всех передовых индустриальных стран - США, Японии, Германии, Англии, Франции, Китая, Южной Кореи, Тайваня. Это не удивительно, поскольку 1 доллар вложений в электронику превращается в 100 долларов в конечном продукте. Один килограмм изделий микроэлектроники по стоимости эквивалентен 110 тоннам нефти. Уровень рентабельности данной отрасли - 40%; среднемировой срок окупаемости вложений - 2-3 года; а темпы ее роста в 3 раза выше темпов роста ВВП. Одно рабочее место в электронике дает четыре рабочих места в других отраслях.

В России имеются определенные научно-технические заделы, благодаря которым наши ученые и разработчики способны решить задачу создания новейших производств микроэлектроники, в том числе по производству монокристаллов кремния. Но для этого нужна государственная поддержка.

Реализация Государственной программы «Кремний» по выращиванию особо чистого монокристаллического кремния по своим параметрам соответствующего международным стандартам SEMI и ASTM и конкурентоспособного на мировом рынке требует построения надежных систем управления и информационно-измерительных модулей для высокопроизводительного оборудования.

Целью данной работы является разработка научных основ построения систем управления и информационно-измерительных модулей для высокопроизводительного оборудования по выращиванию монокристаллического кремния и внедрение их в практику производства.

Для реализации поставленной цели исследований необходимо выполнить следующий цикл обзорно-аналитических, теоретических, экспериментальных и патентно-лицензионных исследований:

1. Провести обзорно-аналитические исследования систем управления и информационно-измерительных модулей ростового оборудования для выращивания монокристаллического кремния.

2. Рассмотреть термодинамические процессы, происходящие при выращивании особо чистого монокристаллического кремния.

3. Создать научные основы построения систем управления и информационно-измерительных модулей.

4. Разработать опытный вариант высокопроизводительной автоматизированной ростовой установки для выращивания особо чистого монокристаллического кремния.

5. Провести испытания и выполнить анализ опытных данных, полученных на высокопроизводительном ростовом оборудовании

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Математические модели и алгоритмы управления высокопроизводительным ростовым оборудованием для выращивания монокристаллического кремния.

2. Научно-обоснованные структурные схемы информационно-измерительных модулей высокопроизводительного ростового оборудования.

3. Обобщенный критерий оценки качества высокопроизводительного оборудования для выращивания монокристаллического кремния, включающий функциональные, экологические и экономические, локальные критерии.

4. Защищенные патентами РФ технические решения перспективных модулей ростового оборудования.

5. Результаты проведенных исследований по получению слитков особо чистого кремния на разработанном высокопроизводительном автоматизированном ростовом оборудовании.

Заключение диссертации по теме «Машины, агрегаты и процессы (по отраслям)», Панов, Петр Иннокентьевич

Выводы.

На основании проведенных исследований разработана, изготовлена, испытана и передается в действующее производство российская ростовая установка «Кедр». Установка оснащена современной системой управления с информационно-измерительным модулем и базовой программой автоматического управления ростом кристалла диаметром до 250 мм.

Установка конкурентоспособна с образцами ведущих мировых производителей аналогичного оборудования (Кауех, Leubold).

Агрегаты ростовой установки «Кедр» позволяют с минимальными изменениями перейти на изготовление установок для выращивания монокристаллов диаметром 300 мм и более.

По результатам проведенных исследований и патентно-лицензионной работы получен ряд патентов и поданы на рассмотрение заявки на изобретения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. В настоящее время отсутствуют надежные отечественные системы и модули для выращивания монокристаллов диаметром 200 - 300 мм.

2. Искривление поверхности раздела расплав - кристалл вызывает сжатие холодным периферийным кольцом горячей сердцевины растущего кристалла - образуется высокая плотность дислокаций.

Вопрос получения бездислокационных кристаллов решается комплексно:

- создание информационно-измерительного модуля включающего пирометр температуры поверхности расплава для контроля и поддерживания температуры зоны кристаллизации в требуемом диапазоне;

- разработка теплового узла, обеспечивающего необходимые тепловые условия для роста бездислокационного кристалла;

- обеспечение вогнутого в сторону расплава с малым радиусом кривизны фронта кристаллизации.

3. Разработанные математические модели и алгоритмы управления позволили создать модули автоматического управления ростовых установок для диаметра кристалла 300 мм и более.

4. Научно обоснованные структурные схемы информационно-измерительных модулей обеспечили создание надежной информационно-измерительной базы ростового оборудования. Разработана и внедрена система датчиков, обеспечивающая контроль и управление технологическим процессом роста монокристалла включающая:

- датчик контроля диаметра кристалла;

- датчики контроля температуры нагревателя и расплава;

- датчик контроля уровня расплава;

- датчик позиционирования затравки;

- датчик отрыва - касания затравки расплава.

5. Предложенный обобщенный критерий оценки качества МКК и соответственно ростового оборудования позволяет перейти к автоматизированному проектированию информационно-измерительных модулей и модулей управления.

Полученная система датчиков, приводов объединенных управляющим модулем обеспечила четкое повторение от плавки к плавке требуемых тепловых режимов от начала затравливания монокристалла кремния до завершения выращивания - это поддержание уровня расплава относительно нагревателя в пределах 0,1 мм от заданной величины, сотые доли миллиметра при управлении скоростью выращивания кристалла, контроль и поддержание температуры нагревателя с допуском ± 0,1 °С от заданного графика. Отображение этих величин на мониторе оператора и инженерной станции технолога, документирование всех параметров процесса с записью в архив плавки.

6. В итоге проведенных исследований и проектных работ изготовлена современная, перспективная, конкурентоспособная отечественная ростовая установка «Кедр».

На основании полученных зависимостей параметров технологического процесса разработано базовое программное обеспечение для управления ростом МКК.

Вариант изготовленной установочной серии ростовых установок «Кедр» предназначен для выращивания кристаллов диаметром до 250 мм, с тем, чтобы максимально ускорить внедрение установок в действующие производства с имеющейся технологической линейкой оборудования по обработке кристаллов и пластин. Но агрегаты установки позволяют с минимальными изменениями перейти на изготовление установок для выращивания монокристаллов диаметром 300 мм и более.

По результатам проведенных исследований и патентно-лицензионной работы получен ряд патентов и поданы на рассмотрение заявки на изобретения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Панов, Петр Иннокентьевич, 2004 год

1. Блинов И.Г. Кожитов Л.В. Оборудование полупроводникового производства М.: Машиностроение , 1986 - 264 е., ил.

2. Бузунов А.И., Калугин А.Я. и др. АС СССр № 1773955 «Способ получения монокристаллов кремния». Опубл. 07.11.92. // Б.И. ; 41.

3. Кочергина Л.Ф., Колмаков В.А. и др. Патент РФ № 2095494 «Установка для получения стержней поликристаллического кремния». Опубл. 10.11.97 // Б.И. № 31.

4. Гупалов В.К. и др. Патент РФ № 2205905 «Установка для получения стержней поликристаллического кремния». Опубл. 10.06.03 // Б.И. № 16.

5. Бузунов А.И. и др. Патент РФ № 2052547 «Устройство для выращивания монокристаллического кремния». Опубл. 20.01.96. // Б.И. № 2.

6. Кочергина Л.Ф., Куценогий Л.К., Петров С.И. Патент РФ №2088702 «Устройство для выращивания кристаллов из расплава». Опубл. 27.08.97. // Б.И. № 24.

7. Корячко В.П. и др. Теоретические основы САПР: Учебник для вузов / В.П. Корячко, В.М. Курейчик, И.П. Норенков. — М.: Энергоатомиздат, 1987.-400 е., ил.

8. Антамошкин А.Н. и др. Системный анализ: Проектирование, оптимизация и приложения: Учебное пособие. В 2-х томах. Том 1. -Красноярск: Сибирская аэрокосмическая академия, 1996. 206 е., ил.

9. Антамошкин А.Н. и др. Системный анализ: Проектирование, оптимизация и приложения: Учебное пособие. В 2-х томах. Том 2. -Красноярск: Сибирская аэрокосмическая академия, 1996. 290 е., ил.

10. Вейник А.И. Техническая термодинамика и основы теплопередачи. -Москва 1965 г.: Металлургия.

11. Саяли И.В., Фалькевич Э.С. Производство полупроводникового кремния. Издательство «Металургия», 1970, с 152.

12. Аброян И.А., Андронов А.П., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа, 1984. 320 с.

13. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1975.

14. Барил М.А., Самойликов В.К. Газовые системы оборудования производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Энергия, 1978. 112 с.

15. Бочкин О.И., Брук В.А., Никифорова-Денисова С.Н. Механическая обработка полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1977. 149 с.

16. Булкин А.Д., Якивчик Н.И. Технология и оборудование производства силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергоатомиздат, 1984. 225 с.

17. Вакуумные сильноточные плазменные устройства и их применение в технологическом оборудовании микроэлектроники /И.Г. Блинов, A.M. Дронов, В.Е. Минайчев и др. М.: Электроника, вып. 7 и 8, 1974, 159 с.

18. Волчкевич Л.И., Ковалев М.П., Кузнецов М.М. Комплексная автоматизация производства. М.: Машиностроение, 1983. 269 с.

19. Ермаков Е.С. Роботы манипуляторы электронной техники. М.: Высшая школа, 1983. 96 с.

20. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. М.: Связь, 1975. 275 с.

21. Иванов А. А. Проектирование систем автоматического манипулирования миниатюрными изделиями. М.: Машиностроение, 1981. 271 с.

22. Камышный Н.И. Автоматизация загрузки станков. М.: Машиностроение, 1977. 288 с.

23. Киреев В.Ю., Данилин Б.С., Кузнецов В.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур. М.: Радио и связь, 1983. 126 с.

24. Китайгородский Ю.И., Яхимович Д.Ф. Инженерный расчет ультразвуковых колебательных систем. М.: Машиностроение, 1982. 56 с.

25. Козырев Ю.Г. Промышленные роботы. Справочник. М.: Машиностроение, 1983. 375 с.

26. Мейер К. Физико-химическая кристаллография. М.: Металлургия, 1972 г.-480 е., ил.

27. Кривандин В.А., Филимонов Ю.Л. Теория конструкции и расчеты металлургических печей. Т. 1, М.: Металлургия, 1978.

28. Кузнецов В.И., Немилов Н.Ф., Шемякин В.Е. Эксплуатация вакуумного оборудования. М.: Энергия, 1978. 207 с.

29. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Высшая школа, 1980. 327 с.

30. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа, 1979. 367 с.

31. Лабунов В.А., Данилович Н.И. Современные системы ионной имплантации. Зарубежная ионная техника, Вып. 3 (249). М.: ЦНИИ «Электроника», 1982, с. 3-102.

32. Линчевский Б.В. Техника металлургического эксперимента. М.: Металлургия, 1979. 256 с.

33. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974. 540 с.

34. Минайчев В.Е. Вакуумные крионасосы. М.: Энергия, 1976. 151 с.

35. Моряков О.С. Устройство и наладка оборудования и полупроводникового производства. М.: Высшая школа, 1981. 336 с.

36. Мягков А.Т., Корсетов Е.М. Химико-технологическая аппаратура микроэлектроники. М.: Энергия, 1979. 312 с.

37. Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1972. 432 с.

38. Николаев И.М. Оборудование и технология производства полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1977. 269 с.

39. Оборудование полупроводникового производства /П.Н. Масленников, К.А. Лаврентьев, А.Д. Гингис и др. Под ред. П.Н. Масленникова. М.6 Радио и связь, 1981. 336 с.

40. Робототехника ЛО.Д. Адрианов, Э.П. Бобориков, В.Н. Гончаренко и др. Под ред. Е.П. Попова, Е.И. Юрьевича. М.: Машиностроение, 1984. 288 с.

41. Розанов Л.Н. Вакуумные машины и установки. Л.: Машиностроение, 1975. 336 с.

42. Стецаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1980. 424 с.

43. Атре Ш. Структурный подход к организации базы данных. М.: Финансы и статистика, 1983.

44. Бойченко Е.В., Кальфа В., Овчинников В.В., Локальные вычислительные сети. М.: Радио и связь, 1985.

45. Брахман Т.Р. Многокритериальность и выбор альтернативы в технике. М.: Радио и связь, 1984.

46. Геминтерн В.И., Каган Б.М. Методы оптимального проектирования. М.: Энергия, 1980.

47. Комплекс общеотраслевых АСУ и САПР. М.: Статистика, 1980.

48. Коршунов Ю.М. Математические основы кибернетики. М.: Энергия, 1980.

49. Лорин Г., Дейтель Х.М. Операционные системы. М.: Финансы и статистика, 1984.

50. Михалевич B.C., Волкович B.JI. Вычислительные методы исследования и проектирования сложных систем. М.: Наука, 1982.

51. Морозов К.К., Одинков В.Г., Курейчик В.М. Автоматизированное проектирование конструкций радиоэлектронной аппаратуры. М.: Радио и связь, 1983.

52. Норенков И.П. Введение в автоматизированное проектирование технических устройств и систем. М.: Высшая школа, 1986.

53. Норенков И.П., Маничев В.Б. Системы автоматизированного проектирования электронной и вычислительной аппаратуры. М.: В ысшая школа, 1983.

54. Петренко А.И. Основы автоматизации проектирования. Киев: Техника, 1982.

55. Петренко А.И., Тетельбаум А .Я. Формальное конструирование электронно-вычислительной аппаратуры. М.: Советское радио, 1979.

56. Ткори Т., Фрай Дж, Проектирование структур без данных. М.: Мир, 1985.

57. Хог Э., Арора Я. Прикладное оптимальное проектирование. М.: Мир, 1983,

58. Система автоматизированного проектирования в радиоэлектронике. Справочник/ Е.В. Авдеев, А.Т. Еремин, И.П. Норенков, М.И. Песков; под ред. И.П. Норенкова, М.: Радио и связь, 1986.

59. Батищев Д.И. Методы оптимального проектирования. М.: Радио и связь, 1984.

60. Заморин А.П., Мячев А.А., Селиванов Ю.П. Вычислительные машины, системы, комплексы: справочник / Под ред. Б.Н. Наумова, В.В. Пржиялковского. М.: Энергоатомиздат, 1985.

61. Ковалев, В.А. Блохин и др.; Под общ. Ред. Ю.В. Панфилова. 2000. -744 е., ил.

62. Александрова А.Т. Новые способы передачи и формирования движения в вакууме. М.: Высшая школа, 1979. - 70 е., ил.

63. Ермаков Е.С. Роботы манипуляторы электронной техники. М. Высшая школа, 1983. - 96 е., ил.

64. Юревич В.И. Теория автоматического управления. Л.: Энергия, 1975. 416 е., ил.

65. Проников А.С. Надежность машин. М.: Машиностроение, 1978. — 592 е., ил.

66. Андреева Л.В. Упругие элементы приборов. М.: Машиностроение, 1981.392 е., ил.

67. Корбинский А. А. Корбинский А.Е. Манипуляционные системы роботов: Основы устройства, элементы теории. — М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1985, 344 е., ил.

68. Юревич В.И. Основы робототехники: Учебник для втузов. Л.: Машиностроение , Ленингр. отд-е, 1985. - 271 е., ил.

69. ГОСТ 25686-85. Манипуляторы, автооператоры и промышленные роботы. Термины и определения. М.: Издательство стандартов, 1985.

70. ГОСТ 26228-85. Системы производственные гибкие. Термины и определения. М.: Издательство стандартов, 1985.

71. Pareto V. Cours d economie Lausanne Rouge, 1985

72. Аналитическое приборостроение. Католог./ Под редакцией Протопопова О.Д. М.: ЦНИИЭлектроника, 1983. - ДСП, экз. № 42, 76 е., ил.

73. Технология тонких пленок. Справочник./ Под. редакцией Майссела JL, Гленга Р., перевод с английского М.: Советское радио, 1977 - т.1, 662 е., т. 2 768 е., ил.

74. Федосеев В.И. Упругие элементы в прборостроении. М.: Оборонгиз, 1949-573 е., ил.

75. Петров Л.Ф., Толстоноженко Е.В., Трояновсий И.Е. Статистический расчет элементов бесшарнирных роботов. В сб. Электронное машиностроение, робототехника, технология ЭВП. - М.: МИЭМ. 1985.-е. 76-78.

76. Колискор А.Ш. Разработка и исследование промышленных роботовна основе ^ координат. — Станки и инструмент, № 12, 1982. - с. 2124,

77. Решетов Д.Н. Детали машин. — М.: Машиностроение, 1974. 665 е., ил.

78. Бушенин Д.В. Винтовые механизмы. ВСНТО, Владимирский областной совет НТО: Владимир, 1980. - 70 е., ил.

79. Герц Е.В., Крейнин Г.В. Расчет пневмопроводов. М.: Машиностроение 1975, - 272 е., ил.

80. Кулешов B.C., Лакота Н.А. Динамика систем управления манипуляторами. М.: Энергия, 1971. - 304 е., ил.

81. Крутиков Г.А., Кудрявцев А.И. Торможение приводов автоматических манипуляторов с большой инерционной нагрузкой. — М.: вестник машиностроения, 1984, № 8, 20-23 с.

82. Дубошин Г.Н. и др. Справочное руководство по небесной механике и астродинамике. М.: Наука, 1976. - 486 е., ил.

83. Брагинский А.И., Зеленев Ю.В. Установка для определения динамических характеристик полимеров методом вынужденных резонансных колебаний. Высокомолекулярные соединения. 1975, т. ХУПА № 1, с. 198-199.

84. Елисеев С.В., Кузнецов Н.К., Засядко А.А. Разработка и исследование систем активного гашения упругих колебаний промышленных роботов. Вибротехника, - (42), 1981.

85. Артоболевский И.И. некоторые проблемы механики машин и управления машинами. Машиноведение, 1976, № 2, с. 3-8.

86. Белянин П.И. Промышленные роботы. М.: Машиностроение, 1975. - 404 е., ил.

87. Тищенко О.Ф., Киселев Л.Т., Коваленко А.П. и др. Элементы приборных устройств в 2-х ч. Ч. 2. Приводы, преобразователи, исполнительные устройства. Под ред. Тищенко О.Ф. М.: Высшая школа, 1982., - 263 е., ил.

88. Новожилов В.В. Теория тонких оболочек. Л.: Судпромгиз, 1962. — 431 е., ил.

89. Тимошенко С.П., Гуддер Д.М., Теория упругости. М.: Наука. 1975. — 575 е., ил.

90. Кац A.M. Теория упругости. М.: Государственное изд-во технико-теоретической литературы, 1956. - 208 е., ил.

91. Колискор А.Ш. Исследование точности функционированияпромышленных роботов на основе £ координат. - В кн.: Диагностирование оборудования комплексно-автоматизированного производства. М.: Наука 1984, с. 78-82.

92. Янг Ли. Исследование кинематики манипуляторов платформенного типа. Конструирование и технология машиностроения, 1984, № 2, с. 264-272.

93. Фролов К.В. программирование производства. Вестник АН СССР, 1983, №4, с. 82-84.

94. Hunt К.Н. Geometry of robotic Devices-Jn: Jnstitytion of engineers Austral, Mechanical engineering: Transaction. 1982, Vol. 76 № 4, p. 213220.

95. ЮЗ.Хант K.X. Кинематические структуры манипуляторов с параллельным приводом. Конструирование и технология машиностроения, 1983, № 4, с. 201-210.

96. Денисов А.Г., Кузнецов Н.А., Макаренко В.А. Оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии: Обзоры по электронной технике: Сер. 7. Технология, организация производства и оборудования. М.: ЦНИИ Электроника, 1981, вып. 17 (828). - 52 е., ил.

97. Денисов А.Г., Садофьев Ю.Г., Сеничкин А.П., Молекулярно-лучевая эпитаксия (приборная реализация): Обзоры по электронной технике: Сер. 7. Технология, организация производства и оборудования. М.: ЦНИИ Электроника, 1981, вып. 17 (828). - 52 е., ил.

98. Ковалев JI.К. Вакуумное оборудование для производства тонкопленочных структур квантовой электроники.: Обзоры электронной техники: Сер. 2 Лазерная техника и оптоэлектроника. -М.: ЦНИИЭлектроника, 1982, вып. 4 (886), 83 е., ил.

99. Майборода В.П., Арутюнян Н.Х., Трояновский И.Е. Динамика и динамическая устойчивость неоднородных вязкоупругих систем. В сб. трудов Всесоюзного симпозиума по устойчивости. - Калинин.: КПИ, 1982, - с. 102-106, ил.

100. Katsaitic Spiros. Gedampftee Zwangsscingungen von isound orthotropen Polygonplatten "Fortschr. Ber/ VDIZ", 1978, R 11, № 28, s. 26

101. Warburton G.B/ Optimumabsorber parameters for minimizing vibration response "Earth-quake Eng. And struct. Dyn." 1981, 9, № 3, p. 252-262.

102. Ш.Кузнецов M.M. Волчкевич Л.И., Замчалов Ю.П. Автоматизация производственных процессов. -М.: Высшая школа, 1978. 431 е., ил.

103. Биргер И.А., Шорр Б.Ф., Шнейдерович P.M. Расчет на прочность деталей машин. М.: Машиностроение, 1966. - 616 е., ил.

104. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники. М.: Мир, 1964. -195 е., ил.

105. Медников М.И. Вводы движения в вакуум. М.: Машиностроение, 1974.- 182 с., ил.

106. Павлов Б.И. Механизмы приборов и систем управления. М.: Машиностроение, 1972. - 232 е., ил.

107. Алешин А.А., Бузынин А.Н. Современные проблемы выращивания монокристаллов кремния. Материалы совещания «Кремний 2004», Иркутск 2004г., Институт географии СО РАН.

108. Бердников B.C. и др. Гидродинамика и конвективный теплообмен при вытягивании кристаллов методом Чохральского из расплавов с различными теплофизическими свойствами. Материалы совещания «Кремний 2004», Иркутск 2004г., Институт географии СО РАН.

109. Безштейнов И.И. Программный комплекс технолога группы установок выращивания монокристаллов кремния. Материалы совещания «Кремний 2004», Иркутск 2004г., Институт географии СО РАН.

110. Бердников B.C. Сопряженный теплообмен кристаллов различной теплопроводности с окружающей средой в режиме смешанной конвекции. Материалы совещания «Кремний 2004», Иркутск 2004г., Институт географии СО РАН.

111. Простомолотов А.И. Применение новой модели образования ростовых микродефектов в бездислокационных МЧ-монокристаллах кремния большого диаметра. — Материалы совещания «Кремний 2004», Иркутск 2004г., Институт географии СО РАН.

112. Тараченко В.А. Устойчивый рост кристаллов. М.: Наука, 1988 г.

113. Алферов Ж.И. Полупроводниковая электроника в России. Состояние и перспективы развития. ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 2004г., М., РИЦ Техносфера.